Strain compensation in transistors
Номер патента: US09911807B2
Опубликовано: 06-03-2018
Автор(ы): Benjamin Chu-Kung, Harold Hal W. Kennel, Jack T. Kavalieros, Ravi Pillarisetty, Van H. Le, Willy Rachmady
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-03-2018
Автор(ы): Benjamin Chu-Kung, Harold Hal W. Kennel, Jack T. Kavalieros, Ravi Pillarisetty, Van H. Le, Willy Rachmady
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Strain compensation in transistors
Номер патента: US20130277714A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Willy Rachmady,Harold Hal W. Kennel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-24.