SILICIDE STRUCTURES IN TRANSISTORS AND MANUFACTURING PROCESSES
Номер патента: DE102020114961A1
Опубликовано: 25-11-2021
Автор(ы): Chen-Ming Lee, Fu-Kai Yang, Kai-Di Tzeng, Mei-Yun Wang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-11-2021
Автор(ы): Chen-Ming Lee, Fu-Kai Yang, Kai-Di Tzeng, Mei-Yun Wang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device with conductive liners over silicide structures and method of making the semiconductor device
Номер патента: US20230299168A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Yuting CHENG,Ken-Yu Chang,Wei-Yip Loh,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Kuan-Kan HU,Chuan-Hui SHEN,Harry CHIEN,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.