3D capacitor and method of manufacturing same
Номер патента: US09893163B2
Опубликовано: 13-02-2018
Автор(ы): Chao-Hsiung Wang, Chi-Wen Liu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 13-02-2018
Автор(ы): Chao-Hsiung Wang, Chi-Wen Liu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Large Dimension Device and Method of Manufacturing Same in Gate Last Process
Номер патента: US20140065786A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.