Device, manufacturing method thereof, and electronic device
Номер патента: US09728559B2
Опубликовано: 08-08-2017
Автор(ы): Hidekazu Miyairi, Tomoaki Moriwaka
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-08-2017
Автор(ы): Hidekazu Miyairi, Tomoaki Moriwaka
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and electronic device
Номер патента: CN113838938A. Автор: 宁策,胡合合,黄杰,李正亮,曲峰,姚念琦,贺家煜,许晓春. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-24.