Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Fabrication methods for bio-compatible devices

Номер патента: US09685689B1
Опубликовано: 20-06-2017
Автор(ы): Babak Parviz, Harvey Ho, Huanfen Yao, James ETZKORN
Принадлежит: Verily Life Sciences LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Fabrication method of radio frequency identification antenna coil

Номер патента: US7661186B2. Автор: Chao-Kai Cheng,Chia-Chi Wu,Ming-Huan Yang,Chung-Wei Wang,Yung-Kuo Ho. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-02-16.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Multi-sided antenna module employing antennas on multiple sides of a package substrate for enhanced antenna coverage, and related fabrication methods

Номер патента: EP4402750A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Antenna and its fabrication method, and display device

Номер патента: US20240213687A1. Автор: ZHENYU Jia,Baiquan LIN,Kerui XI,Xiaonan Han,Zuocai Yang,Qinyi Duan,Jiayin TANG,Yifan Xing,Qiongqin MAO,Aowen LI,Yifan Bao. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Substrate employing vertical conductor loops for coupling noise reduction in radio-frequency (rf) transmission lines, and related antenna modules and fabrication methods

Номер патента: WO2024173076A1. Автор: Hong-Ming Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-22.

Substrate employing vertical conductor loops for coupling noise reduction in radio-frequency (rf) transmission lines, and related antenna modules and fabrication methods

Номер патента: US20240282688A1. Автор: Hong-Ming Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

A method for constructing a dipole antenna

Номер патента: EP2299540A3. Автор: Kenlyn S. Bonn. Владелец: Vivant Medical LLC. Дата публикации: 2011-10-19.

Directly flat-attached switching component for active frequency selective surface and fabricating method thereof

Номер патента: US11056796B2. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-07-06.

Directly Flat-Attached Switching Component for Active Frequency Selective Surface and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210005974A1. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-01-07.

Electronic package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180090835A1. Автор: Chien-Cheng Lin,Tsung-Hsien Tsai,Chih-Yuan Shih,Tsung-Li LIN,Chih-Hsien Chiu,Yueh-Chiung Chang,Heng-Cheng Chu,Chi-Pin Tsai,Ming-Fan Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Fabrication method of multilayer ceramic structures by continuous filaments of identical composition

Номер патента: US20220411337A1. Автор: Hansu Birol,Mehmet Erim INAL,Akin Dalkiliç,Sebnem SAYGINER,Özgür BIRER,Mustafa Fatih AKBOSTANCI. Владелец: Aselsan Elektronik Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2022-12-29.

Fabrication method of multilayer ceramic structures by continuous filaments of identical composition

Номер патента: US12054435B2. Автор: Hansu Birol,Mehmet Erim INAL,Akin Dalkiliç,Sebnem SAYGINER,Özgür BIRER,Mustafa Fatih AKBOSTANCI. Владелец: Aselsan Elektronik Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2024-08-06.

Antenna and fabrication method

Номер патента: US12062852B2. Автор: ZHENYU Jia,Ning He,Kerui XI,Zuocai Yang,Donghua Wang,Qinyi Duan,Yunhua Liu,Yingru Hu. Владелец: Chengdu Tianma Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Fan-out package structure and fabrication method therefor

Номер патента: US20240283132A1. Автор: Wei Zheng,Zhikuan Chen,Chuan Hu,Zhitao Chen,Yingqiang YAN,Yunshi LING. Владелец: Institute of Semiconductors of Guangdong Academy of Sciences. Дата публикации: 2024-08-22.

Fabrication method of artificial dielectric lens and artificial dielectric lens thereof

Номер патента: US20230253716A1. Автор: Wei Huang,Chenxi Lv. Владелец: Beijing High Way Telecommuniction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Cladding material and its fabrication method, method for molding cladding material, and heat sink using cladding material

Номер патента: EP1944116A1. Автор: Eiki Tsushima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-16.

Polishing method, metallization fabrication method, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US6774041B1. Автор: Seiichi Kondo,Yoshio Homma,Noriyuki Sakuma,Masaaki Fujimori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-10.

Polishing method, metallization fabrication method, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040266188A1. Автор: Seiichi Kondo,Yoshio Homma,Noriyuki Sakuma,Masaaki Fujimori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Polishing method, metallization fabrication method, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7183212B2. Автор: Seiichi Kondo,Yoshio Homma,Noriyuki Sakuma,Masaaki Fujimori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Cladding material and its fabrication method, method for molding cladding material, and heat sink using cladding material

Номер патента: CN101291769B. Автор: 津岛荣树. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-13.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US7456713B2. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-11-25.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US20070109081A1. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Fabrication method for capacitor electrode

Номер патента: WO2010101338A1. Автор: Ju-Young Lee,Seok-Jun Seo,Seung-Hyeon Moon,Gha-Young Kim. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-09-10.

Method for fabricating COA array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US09893129B2. Автор: Shi Shu,Yonglian QI,Guanbao HUI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for prelithiation, method for fabricating lithium secondary battery comprising the method, and lithium secondary battery fabricated from the fabricating method

Номер патента: US09705154B2. Автор: Sang-kyun Lee,Kyoung-Ho Kim,Byoung-Bae Lee,Jang-Bae Kim,Bong-Hyun Jeong,Bok-Kyu Choi. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

System and Method for Thin Film Photovoltaic Modules and Back Contact for Thin Solar Cells

Номер патента: US20160027954A1. Автор: Alan E. Delahoy,Ken K. Chin,Zimeng Cheng. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-01-28.

Array substrate, method for fabricating the same and display device

Номер патента: US09812541B2. Автор: Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

OLED panel, method for fabricating the same, screen printing plate, display device

Номер патента: US09722214B2. Автор: Liang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Fabricating method of a thin film transistor substrate for liquid crystal display device of minimizing defects due to static electricity

Номер патента: US8476092B2. Автор: Young-hun Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

Fabrication method for ball grid array semiconductor package

Номер патента: US20040058471A1. Автор: Han-Ping Pu,Chih-Ming Huang,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG173394A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Fabricating method for quantum dot of active layer of LED by nano-lithography

Номер патента: US20090087935A1. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Thin film transistor, method for fabricating the same, and display device

Номер патента: US20180226256A1. Автор: Dong Li,Xiaolong Li,Huijuan Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for fabricating avalanche photodiode

Номер патента: US20020001911A1. Автор: Seung-Kee Yang,Dong-Soo Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-01-03.

Fabrication method for a chip packaging structure

Номер патента: US20070099339A1. Автор: Wen-Yin Chang. Владелец: Taiwan Solutions Systems Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Three-dimensional transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799728B2. Автор: Ying Jin,Xinyuan Lin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Devices and methods for ultra thin photodiode arrays on bonded supports

Номер патента: WO2010053881A1. Автор: Frederick A. Flitsch,Alexander O. Goushcha. Владелец: Array Optronix, Inc.. Дата публикации: 2010-05-14.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Metal oxide nano-composite magnetic material, fabrication method, and method for linkage, enrichment, and isolation of phosphorylated species

Номер патента: US20100184962A1. Автор: Wei-Yu Chen,Cheng-Tai Chen,Hong-yi LIN,Yu-Chie Chen,Chun-Yuen Lo,Chih Chi Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for fabricating organic light emitting diode display

Номер патента: US20200227638A1. Автор: Jing Wang,San ZHU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

High energy DF chemical laser gain generator and related method for its fabrication

Номер патента: US20030138018A1. Автор: Thomas Engler,Dale Hook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-24.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Display panel and method for fabricating the same

Номер патента: US20140252329A1. Автор: Min-Chuan Wu,Ming-Hung Chung,Chun-pin Liu,Jion-Ting WU. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and peripheral circuit

Номер патента: US12027595B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Field emission array with carbon nanotubes and method for fabricating the field emission array

Номер патента: US20020011769A1. Автор: Yong-wan Jin,Won-bong Choi,Min-jae Yun. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Display panel and method for fabricating the same

Номер патента: US9136500B2. Автор: Min-Chuan Wu,Ming-Hung Chung,Chun-pin Liu,Jion-Ting WU. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Trench structure on SiC substrate and method for fabricating thereof

Номер патента: US09899222B2. Автор: Ming-Jinn Tsai,Kuan-Wei Chu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-20.

Light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US09882095B2. Автор: Sung Min Kong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Electronic package having circuit structure with plurality of metal layers, and fabrication method thereof

Номер патента: US09875949B2. Автор: Hsiao-Chun Huang,Guang-Hwa Ma,Hsien-Wen Chen,Shih-Ching Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US09857328B2. Автор: Paul Hoffman. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for fabricating a nano structure

Номер патента: US09793123B2. Автор: Jun-Hyung Kim. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for fabricating NANO structure including dielectric particle supporters

Номер патента: US09725313B2. Автор: Jun-Hyung Kim. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for fabricating flexible substrate and flexible substrate prefabricated component

Номер патента: US09717143B2. Автор: Hongda Sun,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for fabricating a structure

Номер патента: US09653536B2. Автор: Patrick Reynaud,Isabelle Bertrand,Alexandre Chibko,Sylvain Peru,Sothachett Van. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-05-16.

Fabrication method and apparatus for fabricating a spatial structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US20030082883A1. Автор: Wolfgang Welser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG139758A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-02-29.

Display motherboard, fabricating method and aligning method of display motherboard

Номер патента: US11751461B2. Автор: Shuo Li,Yuan He,Ling Shi. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20240347442A1. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for mitigating layout effect in FINFET

Номер патента: US09997360B2. Автор: Kern Rim,Da YANG,Jun Yuan,Yanxiang Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Electronic package device for testing a package effect of the device, fabrication method thereof and method for testing electronic package device

Номер патента: US09882133B2. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09859203B2. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09614051B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Conductive thin film, preparation method for conductive thin film and lithium ion battery

Номер патента: EP4053857A1. Автор: Wenqing Liu,Shiwei ZANG. Владелец: Chongqing Jimat New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-07.

Fabrication method of semiconductor test piece

Номер патента: US5814528A. Автор: Nam Yang Lee,Yun Hi Lee,Byeong Kwon Ju,Myung Hwan Oh,Keun Ha Koh,Dong Ky Shin. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 1998-09-29.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US7776622B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Fabrication method for photovoltaic assembly

Номер патента: AU2019460092B2. Автор: Juan Wang,Zhiqiu Guo,Yeyi Jin. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Fabrication method for electron source substrate

Номер патента: US20040077111A1. Автор: Hiroyuki Otsuka,Michio Horikoshi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-04-22.

Fabrication method for thin film transistor, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US20180277376A1. Автор: Wei Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Electrically conductive hydrogel having graphene network and fabrication method therefor

Номер патента: US20230365775A1. Автор: Jae Young Lee,Jung Geon PARK. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-16.

COMPOSITE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL HAVING M1-xRuxO3 (M=Sr, Ba, Mg), SUPERCAPACITOR USING THE SAME AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120063058A1. Автор: Yong-Won Song,Il Doo Kim,Tae Seon HYUN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-03-15.

Electrode fabrication methods and associated systems and articles

Номер патента: US09711784B2. Автор: Ruediger Schmidt,Klaus Leitner,Tracy Earl Kelley,Holger Schneider,Joern Kulisch,Savannah V. Burnside-Joubert. Владелец: Sion Power Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Cobalt (Co) and platinum (Pt)-based multilayer thin film having inverted structure and method for manufacturing same

Номер патента: US09705075B2. Автор: Tae Young Lee,Sang Ho Lim,Seong Rae Lee,Dong-Su Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing a biological fluid sensor

Номер патента: US09645133B2. Автор: Adam Pizer,Dalton Pont. Владелец: Coresyte Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Heat dissipation structure for electronic device and fabrication method thereof

Номер патента: US20120038041A1. Автор: Ra-Min Tain,Ming-Ji Dai,I-Nan Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-02-16.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Group iii nitride wafers and fabrication method and testing method

Номер патента: EP2900850A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2015-08-05.

Group iii nitride wafers and fabrication method and testing method

Номер патента: US20150329361A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Electronic Package Device and Fabrication Method Thereof, Method for Testing Electronic Package Device

Номер патента: US20160056381A1. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for fabricating a low dielectric constant material layer

Номер патента: US20020182849A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Tsung-Tans Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor devices, layout design methods for the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210305232A1. Автор: Jae-Ho Park,Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09799750B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Han-Ting Tsai,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Power module and fabrication method for the same

Номер патента: US09773720B2. Автор: Masao Saito,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Nanocrystal thin film device fabrication methods and apparatus

Номер патента: WO2014113655A3. Автор: Cherie R. Kagan,Yuming LAI,David K. KIM,Ji-Hyuk Choi. Владелец: THE TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA. Дата публикации: 2014-10-16.

Wafer structure, fabrication method, and spray apparatus

Номер патента: US20170062359A1. Автор: Jingfeng Gai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

Wafer structure, fabrication method, and spray apparatus

Номер патента: US9935059B2. Автор: Jingfeng Gai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Electrically programmable fuse structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20160196946A1. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Anode on a pretreated substrate for improving redox-stability of solid oxide fuel cell and the fabrication method thereof

Номер патента: US20150349348A1. Автор: Shih-Wei Cheng,Chang-Sing Hwang,Chun-Huang Tsai,Chun-Liang Chang,Jun-Meng Lin,Jen-Feng Yu. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2015-12-03.

Contactless channel write/erase flash memory cell and its fabrication method

Номер патента: US20020114179A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating a display substrate by generating heat with a light shielding layer for crystallization of a semiconductor layer

Номер патента: US10923505B2. Автор: LU Wang,Guangcai Yuan,Yang Lv,Jianhua Du,Feng Guan,Zhaohui QIANG,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor fabrication method and structure using multiple sacrificial layers to form sidewall spacers

Номер патента: US11742245B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Fabrication method for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050051797A1. Автор: Cheng-Wen Fan,Hua-Chou Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Multi-layer thermoelectric module and method for fabricating the same

Номер патента: US20140305483A1. Автор: Tung-Han Chuang,Jing-Yi Huang,Huey-Lin Hsieh,Jenn-Dong Hwang,Chao-Chi Jain. Владелец: China Steel Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Active Device Array Substrate and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20090256164A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Hsiang-Lin Lin,Han-Tu Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-10-15.

Active device array substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US7781776B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Hsiang-Lin Lin,Han-Tu Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-08-24.

Package on package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09905546B2. Автор: Cheng-Chia Chiang,Lung-Yuan Wang,Shih-Hao Tung,Chang-Yi Lan,Chu-Huei Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device, fabricating method thereof, and fabricating method of memory

Номер патента: US09899396B1. Автор: Chih-Hsiung Lee,Chien-Ying Lee,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Nanocrystal thin film fabrication methods and apparatus

Номер патента: US09865465B2. Автор: Cherie R. Kagan,Yuming LAI,David K. KIM,Ji-Hyuk Choi. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Lab-on-a-chip fabrication method and system

Номер патента: US09815054B2. Автор: Terje Rosquist TOFTEBERG,Erik Andreassen,Michal Marek MIELNIK. Владелец: SINTEF TTO AS. Дата публикации: 2017-11-14.

Anode on a pretreated substrate for improving redox-stability of solid oxide fuel cell and the fabrication method thereof

Номер патента: US09780384B2. Автор: Shih-Wei Cheng,Chang-Sing Hwang,Chun-Huang Tsai,Chun-Liang Chang,Jun-Meng Lin,Jen-Feng Yu. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2017-10-03.

Microelectronic packages having embedded sidewall substrates and methods for the producing thereof

Номер патента: US09761565B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09748405B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Metal pillar bump packaging strctures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20150279795A1. Автор: Guowei Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190115280A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11257736B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9748405B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Compositional buffers for electronic ceramics containing volatile elements and the fabrication method

Номер патента: US20040115441A1. Автор: Kazuyuki Suzuki,Kaori Nishizawa,Takeshi Miki,Kazumi Kato,Hiroshi Ishiwara,Desheng Fu. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2004-06-17.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Static random access memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09754947B2. Автор: Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09640446B2. Автор: Weiming He,Huayong Hu,Lihua Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Electrically programmable fuse structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09637834B2. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Multichip module package and fabrication method

Номер патента: US20090014866A1. Автор: Il Kwon Shim,Dario S. Filoteo, Jr.,Tsz Yin HO,Sebastian T. M. Soon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Method for fabricating read only memory

Номер патента: US20030181013A1. Автор: Ching-Yu Chang,Henry Chung,Cheng-Chen Calvin Hsueh,Tahorng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device, fabrication method for the same, and display apparatus

Номер патента: US20130334528A1. Автор: Mitsunobu Miyamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200194367A1. Автор: Peng Huang,Xue Hai ZHANG,Chuan Miao ZHOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for applying a cap layer to protect electrical components of a semiconductor device from e-beam irradiation

Номер патента: EP4332529A1. Автор: Thuy-Doan Pham,Yong-Fa Alan Wang. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Die-substrate assembly having a sinter-bonded backside via structure and associated fabrication method

Номер патента: EP4177945A3. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Capacitor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200105865A1. Автор: MING Yang,DUOHUI Bei,LIANFENG Hu,YOUCUN Hu,Baibing Ni. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Display motherboard, display panel, and fabricating method of display panel

Номер патента: US11532684B2. Автор: Gang Liu,Huannan WANG. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-20.

Isolation structure for reducing crosstalk between pixels and fabrication method thereof

Номер патента: US20180269237A1. Автор: CHUN-WEI Chia,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

High frequency transistor device with antimony implantation and fabrication method thereof

Номер патента: WO2002001623A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Torkel Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 2002-01-03.

Finfet fabrication method

Номер патента: US20150333062A1. Автор: Xusheng Wu,Hongliang Shen,Wanxun He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

High frequency transistor device with antimony implantation and fabrication method thereof

Номер патента: EP1303872A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2003-04-23.

Transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20010055893A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Torkel Arnborg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Fabrication method for single and dual gate spacers on a semiconductor device

Номер патента: US20070015324A1. Автор: Chih-Cheng Wang,Chao-Hsi Chung,Chu-Chun Hu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180047638A1. Автор: Yan Wang,Shi Liang JI,Qiu Hua HAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US7371694B2. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-13.

Display panel, display device, and fabricating method for display panel

Номер патента: US20240284721A1. Автор: Rubo Xing,Zhimin Yan,Siming GAO. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Metal gate transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US10037943B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

Fabrication method of nanocrystals using a focused-ion beam

Номер патента: US20020081848A1. Автор: Young Park,Tae Kim,Seung Kang,Eun Kim,Jae Shim,Dong Choo. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20050186804A1. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Fabrication method for a capacitor having high capacitance

Номер патента: US6114213A. Автор: Dong Sun Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-05.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US09984882B2. Автор: YONG Li,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911833B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

NAND flash memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911593B2. Автор: SHILIANG Ji,YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Seimconductor Manufacturing International (beijing) Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09899314B2. Автор: Wei-Che Chang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Organic electro-luminescence device and fabricating method thereof

Номер патента: US09887359B2. Автор: Cheng-Yi Chen,Jyun-Kai Ciou,Chao-Feng Sung,Yung-Min Hsieh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and fabrication method for forming the same

Номер патента: US09847419B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09842758B2. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Chieh-Yuan Chi. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Ring cavity device and its fabrication method thereof

Номер патента: US09810931B2. Автор: Ruiying Zhang. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-11-07.

Light guide apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US09746604B2. Автор: Bal Mukund Dhar. Владелец: Agira Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Power module and fabrication method for the same

Номер патента: US09721875B2. Автор: Masao Saito,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09718682B2. Автор: Peng Ren. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Power module and fabrication method for the same

Номер патента: US09673128B2. Автор: Masao Saito,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190272996A1. Автор: LIANG Chen,Xiao Bo Li,Chao Feng Zhou,Xiao Yan ZHONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Reticle fabrication method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210165333A1. Автор: Sangwook Kim,Jaewon Yang,Woo-Yong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Fingerprint sensors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190035879A1. Автор: Fu Gang CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Fingerprint sensors and fabrication methods thereof

Номер патента: US10600861B2. Автор: Fu Gang CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220148880A1. Автор: SHILIANG Ji,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Die-substrate assemblies having sinter-bonded backside via structures and associated fabrication methods

Номер патента: US11749639B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Coa substrate, method for fabricating the same and display device

Номер патента: US20150346546A1. Автор: Guanbao HUI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20190157280A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20090230400A1. Автор: Jiun-Jia Huang,Chia-Wen Chang,Tzu-Heng Chang,Tan-Fu Lei,Szu-Fen Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20090017608A1. Автор: Kenji Tateiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20200126999A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Composite material with conformal graphene coating, fabricating methods and applications of same

Номер патента: US20220344665A1. Автор: Mark C. Hersam,Jin-Myoung LIM,Norman S. Luu. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory and fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240347452A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09852991B2. Автор: JIQUAN Liu,Ming Zhou,Charles Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Pattern generation method for generating cell pattern including pattern element and assist pattern, recording medium, information processing apparatus, and mask fabrication method

Номер патента: US09696618B2. Автор: Ryo Nakayama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Low temperature polysilicon thin film transistor and method for fabricating same

Номер патента: US09685538B2. Автор: Xiaoxing Zhang,Songshan LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Barrier layers for word line contacts in a three-dimensional NAND memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US12094767B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Barrier layers for word line contacts in three-dimensional nand memory and fabrication methods thereof

Номер патента: EP4442091A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Electronic device package and fabricating method thereof

Номер патента: US09831282B2. Автор: Seung Jae Lee,Jin Young Kim,No Sun Park,Yoon Joo Kim,Se Woong Cha,Sung Kyu Kim,Ju Hoon Yoon. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Cylinder type zin-air cell and method for priducing the same

Номер патента: EP1989751A1. Автор: Byung Hoon Ryou. Владелец: EMW Energy Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-12.

Trench gate mosfet and method for fabricating the same

Номер патента: US20090166734A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Copper alloys for interconnectors and methods for making the same

Номер патента: US20200194365A1. Автор: Daniel S. GIANOLA,Gyuseok KIM. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2020-06-18.

Second generation high-temperature superconducting (2G-HTS) tape and fabrication method thereof

Номер патента: US11844289B2. Автор: Wei Wu,Yue Zhao,Yue Wu,Jiamin Zhu,Zhijian JIN,Sikan Chen,Chunjiang Guo. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-12-12.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Vertical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210335800A1. Автор: Sung-Hoon Lee,Jong-Hyun Yoo,Ki-Jun Yun,Eun-Ho Kim,Eun-Joo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Vertical type transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119327A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Active device array substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US8399891B2. Автор: Po-Lin Lai,Wen-Yi Lin,chun-ming Yang,Wen-Bin Wu,Ying-Fa Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-03-19.

Stack gate with tip vertical memory and method for fabricating the same

Номер патента: US6870216B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chi-Hui Lin,Ching-Nan Hsiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Active device array substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US20120043558A1. Автор: Po-Lin Lai,Wen-Yi Lin,chun-ming Yang,Wen-Bin Wu,Ying-Fa Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-02-23.

Fabrication method of electrolyte impregnanted cathodes

Номер патента: US20130280418A1. Автор: Ju Young YOUN,Tae Won Lee,Hwan Moon,Bo Hyun Ryu,Mi Young Shin,Kil Ho Moon,Jang Yong Yoo,Ju Heung Kim,Dae Gyo O,Kong Taek Lim,In Gap Jang. Владелец: Doosan Heavy Industries and Construction Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Fabrication method of electrolyte impregnanted cathodes

Номер патента: WO2011129486A1. Автор: Ju Young YOUN,Tae Won Lee,Hwan Moon,Bo Hyun Ryu,Mi Young Shin,Kil Ho Moon,Jang Yong Yoo,Ju Heung Kim,Dae Gyo O,Kong Taek Lim,In Gap Jang. Владелец: DOOSAN HEAVY INDUSTRIES & CONSTRUCTION CO., LTD.. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240055325A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Thin film transistor and display substrate, fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US20190067340A1. Автор: Shi Shu,Bin Zhang,Feng Gu,Chuanxiang XU,Teng Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100052019A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuru Yoshikawa. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Metal oxide semiconductor thin film, thin-film-transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: EP3317899A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-09.

Second generation high-temperature superconducting (2g-hts) tape and fabrication method thereof

Номер патента: US20230157184A1. Автор: Wei Wu,Yue Zhao,Yue Wu,Jiamin Zhu,Zhijian JIN,Sikan Chen,Chunjiang Guo. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for fabricating pixel structure

Номер патента: US20100003774A1. Автор: Chia-Ming Chang,Ta-Wen Liao,Chun-Yi Chiang,Hsiang-Chih Hsiao,Che-Yung Lai,Zong-Long Jhang,Chen-Pang Tung,Chou-Huan Yu,Han-Tang Chou,Jun-Kai Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-01-07.

Insulated gate bipolar transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180204938A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Fabrication method to minimize ballast layer defects

Номер патента: WO2009017929A2. Автор: Steven Young,William Dauksher,Emmett Howard,Donald Weston. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-02-05.

Flat Panel Display Device with Oxide Thin Film Transistors and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20150079732A1. Автор: Ji Eun Chae,Tae Keun Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Solid electrolyte film, method for fabricating the same, and all-solid-state battery including the same

Номер патента: US20240258562A1. Автор: Zheng Chen,Dong Ju Lee,Jung Pil Lee,Min Sang Song. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for fabricating inductor device

Номер патента: US9018731B2. Автор: Ling Liu,Xining Wang,Jenhao Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Self-lubricating coating, fabrication method, and electrical contact

Номер патента: EP4414320A1. Автор: Helge Schmidt,Isabell Buresch,Frank Ostendorf,Marcella Joana OBERST. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-08-14.

Integrated circuits with metal-titanium oxide contacts and fabrication methods

Номер патента: US20160079168A1. Автор: Hoon Kim,Guillaume Bouche,Andy Wei,Kisik Choi,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Vertical diode and fabrication method thereof

Номер патента: US9502584B1. Автор: Manoj Kumar,Jui-Chun Chang,Chia-hao Lee,Hsiung-Shih CHANG,Li-Che Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Display module, fabrication method thereof and display device

Номер патента: US20220027005A1. Автор: Bin Zhang,Kun Zuo,Mingqiang Wang,Xin Bi. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Fuel cell and fabricating method thereof

Номер патента: WO2010079376A1. Автор: Tsung-Her Yeh,Chen-Chia Chou. Владелец: National Taiwan University Of Science & Technology. Дата публикации: 2010-07-15.

Quantum capacitance graphene varactors and fabrication methods

Номер патента: US20200014825A1. Автор: Shu-Jen Han,Alberto Valdes Garcia,Zhihong Chen,Siyuranga O. Koswatta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20080173980A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Tomohiro Uno. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Fabricating method of a pixel unit

Номер патента: US20120208305A1. Автор: Chih-Hung Shih,Chih-Chun Yang,Chin-Yueh Liao,Shine-Kai Tseng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-16.

Sram devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180151451A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10756179B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10347718B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor memory device capable of preventing oxidation of plug and method for fabricating the same

Номер патента: US20030001186A1. Автор: Soon-Yong Kweon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20090251630A1. Автор: Seok-Woo Lee,Young-joo Kim,Soo-Jeong Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Organic light emitting diode panel and method for fabricating same

Номер патента: US20210351373A1. Автор: Jinxiang Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Self-Lubricating Coating, Fabrication Method, and Electrical Contact

Номер патента: US20240263335A1. Автор: Helge Schmidt,Isabell Buresch,Frank Ostendorf,Marcella Joana OBERST. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-08-08.

Quantum capacitance graphene varactors and fabrication methods

Номер патента: US20180102438A1. Автор: Shu-Jen Han,Alberto Valdes Garcia,Zhihong Chen,Siyuranga O. Koswatta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Quantum capacitance graphene varactors and fabrication methods

Номер патента: US20150255631A1. Автор: Shu-Jen Han,Alberto Valdes Garcia,Zhihong Chen,Siyuranga O. Koswatta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US7551259B2. Автор: Seok-Woo Lee,Young-joo Kim,Soo-Jeong Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Fabrication method to minimize ballast layer defects

Номер патента: WO2009017929A3. Автор: Steven Young,William Dauksher,Emmett Howard,Donald Weston. Владелец: Donald Weston. Дата публикации: 2009-04-09.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Array substrate, fabrication method therefor and display device

Номер патента: US12133445B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Display substrate, display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09971223B2. Автор: Ning Chen,Xin Gu,Juan Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09929235B1. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09922845B1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Substrate having electrical interconnection structures and fabrication method thereof

Номер патента: US09903024B2. Автор: Po-Yi Wu,Chun-Hung Lu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Quantum capacitance graphene varactors and fabrication methods

Номер патента: US09893212B2. Автор: Shu-Jen Han,Alberto Valdes Garcia,Zhihong Chen,Siyuranga O. Koswatta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for producing a lithium microbattery

Номер патента: US09882183B2. Автор: Raphael Salot,Sami Oukassi,Steve Martin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-30.

Fluoride phosphor, fabricating method thereof, and light-emitting apparatus and backlight module employing the same

Номер патента: US09879178B2. Автор: Ye Jin,Tzong-Liang Tsai,Ru-Shi Liu,Ching-Yi Chen,Yu-Chun Lee. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09865593B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Hsiang-Hung Peng,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Thin-film-transistor array substrate, fabricating method thereof, and related display panel

Номер патента: US09853162B2. Автор: Lei Shi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Substrate structures applied in flexible electrical devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09833977B2. Автор: Chyi-Ming Leu,Yueh-Chuan Huang,Yung Lung TSENG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-12-05.

Wafer bonded solar cells and fabrication methods

Номер патента: US09818901B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Stephen W. Bedell,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Norma E. Sosa Cortes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Fabrication method of pixel structure

Номер патента: US09818774B2. Автор: Xiaofeng Yang,Zelin Chen,Xiaotao JIN,Fei OU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Annular display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09812514B2. Автор: Chin-Wei Lin,Chun-pin Liu. Владелец: Hannstar Display Nanjing Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Electrode assembly, fabricating method of the electrode assembly and electrochemical cell containing the electrode assembly

Номер патента: US09806316B2. Автор: Hyang Mok Lee,Chang Bum Ahn,Dae Geun Ku,Hyuk Su Kim,Jun Woo HUH. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Metal oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: US09806097B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-10-31.

Electronic devices having semiconductor memory units and method for fabricating the same

Номер патента: US09805947B2. Автор: Jung-Hyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Array substrate, fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09773855B2. Автор: Yanbing WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for fabricating electronic device package

Номер патента: US09771259B2. Автор: Chien-Hung Liu. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Electronics device package and fabrication method thereof

Номер патента: US09768223B2. Автор: Yu-Ting Huang,Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US09741897B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Array substrate fabricating method

Номер патента: US09741751B2. Автор: Ke Wang,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09735161B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Front-side emitting mid-infrared light emitting diode fabrication methods

Номер патента: US09711679B2. Автор: Mark S. Miller. Владелец: Terahertz Device Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Free-standing hybrid nanomembrane as energy storage electrode and the fabrication method thereof

Номер патента: US09691557B2. Автор: Seon Jeong Kim,Min Kyoon Shin,Shi Hyeong Kim,Jae Ah Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-06-27.

Photo-sensing unit, photo-sensing apparatus, and method for fabricating photo-sensing unit

Номер патента: US09690971B2. Автор: CHUN Chang,An-Thung Cho,Chih-Hao Lin,Yi-Huan LIAO,Jhen-Yu You,Jhen-Fu CHO. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-06-27.

Fabrication method for forming vertical transistor on hemispherical or polygonal patterned semiconductor substrate

Номер патента: US09647107B1. Автор: Richard Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Fabrication method for synthesizing a Bi2TeySe3-y thermoelectric nanocompound and thermoelectric nanocompound thereby

Номер патента: US09634218B2. Автор: Ho Young Kim,Dong Hwan Kim,Cham KIM,Jong Tae Kim,Ji Hyeon Ahn. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-04-25.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09633801B2. Автор: JING Yu,Huilin Ye,Ho-Hsun Chi,Tsung-Ke Chiu. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Quantum capacitance graphene varactors and fabrication methods

Номер патента: US09614107B2. Автор: Shu-Jen Han,Alberto Valdes Garcia,Zhihong Chen,Siyuranga O. Koswatta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Electronic package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09607860B2. Автор: Yu-Cheng Pai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Thin film transistor memory and its fabricating method

Номер патента: US20130264632A1. Автор: Sun Chen,Wei Zhang,Pengfei Wang,Shijin Ding,Xingmei Cui. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160141211A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09653428B1. Автор: Michael Kelly,Ronald Huemoeller,David Hiner. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

UV mask and fabrication method thereof

Номер патента: US09638845B2. Автор: Sung Hun Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

System-in-packages containing preassembled surface mount device modules and methods for the production thereof

Номер патента: US20170077072A1. Автор: Weng F. Yap. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-16.

Optical cage assembly, optical module connector, and fabrication method for optical cage assembly

Номер патента: EP4206768A1. Автор: Chaojun Deng,Chunrong Li,Xiaorui Liu,Xiaoyu Tang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US20130217212A1. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-08-22.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US9281184B2. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-03-08.

Structure and method for making low leakage and low mismatch nmosfet

Номер патента: US20130193523A1. Автор: Haining S. Yang,Xiangdong Chen,Xinlin Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Bonding contacts having capping layer and method for forming the same

Номер патента: US20210091033A1. Автор: YUAN Li,Liang Ma,Jie Pan,Xianjin Wan,Si Ping HU,Shu Liang Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Fabricating method of semiconductor element

Номер патента: US20130109163A1. Автор: Po-Chao Tsao,Ming-Tsung Chen,Ming-Te Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09852976B2. Автор: Michael Kelly,Roger St. Amand,Ronald Huemoeller,David Hiner. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

System-in-packages containing preassembled surface mount device modules and methods for the production thereof

Номер патента: US09780077B2. Автор: Weng F. Yap. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Light guide array for pet detector fabrication methods and apparatus

Номер патента: US09753151B2. Автор: James Wilson Rose,Jianjun Guo,Adrian Ivan,Sergei Ivanovich DOLINSKY,David Leo McDaniel. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor fin fabrication method and Fin FET device fabrication method

Номер патента: US09698253B2. Автор: Jing Zhao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US20240212876A1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee,Huan Ran YUN. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Fabrication method and application of cobalt and nitrogen co-doped three-dimensional structured carbon matrix

Номер патента: US20240228296A1. Автор: Xiang Deng,Yanhua LUO,Xiaodong PEI. Владелец: Sinosteel Nanjing Advanced Materials Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated inductor and integrated inductor fabricating method

Номер патента: US20140284762A1. Автор: Ta-Hsun Yeh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor wafer and semiconductor wafer fabrication method

Номер патента: US20190148127A1. Автор: Po-Jen Wang,Tsung-Han Tsai,Yao-Wen Hsu,Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Monolithically-Integrated New Dual Surge Protective Device and Its Fabrication Method

Номер патента: US20120175704A1. Автор: Yanfeng JIANG. Владелец: NORTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) package with a bottom die layer employing an extended interposer substrate, and related fabrication methods

Номер патента: US20230299048A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Yangyang Sun,Lily Zhao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Fabrication method of display panel and display panel and display device

Номер патента: US09929189B2. Автор: Gang Yang,Jun Long. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Display substrate and fabricating method thereof, and system for fabricating display substrate and display device

Номер патента: US09905762B2. Автор: ZHEN Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

OLED backplane and fabrication method thereof

Номер патента: US09882172B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Array substrate, fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09859350B2. Автор: Yongqian Li,Cuili Gai,Longyan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Array substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09804463B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Thin film transistor, fabricating method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09754970B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Amorphous silicon photoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US09741893B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Organic semiconductor element, fabrication method thereof, woven and non-woven fabric structures therewith, and semiconductor device therewith

Номер патента: US09733209B2. Автор: Kang Eun LEE,Young Seok Oh,Jea Uk Lee,Moon Kwang Um,Dong Gi Seong,Byung Mun JUNG,Won Oh Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-08-15.

Array substrate and fabricating method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09696580B2. Автор: Tian Yang,Yanbing WU,Wenbo Li,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09627269B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

TN-type array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09620535B2. Автор: Song Wu,Jieqiong Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Back plate and manufacturing method thereof, method for bonding chip, and display device

Номер патента: US20220068873A1. Автор: Ke Wang,Guangcai Yuan,Zhiwei Liang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Media for storing multispectral image and fabrication method thereof

Номер патента: US20240194720A1. Автор: Myeong Kyu LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9647067B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnesium ion battery cathode material doped at magnesium site and fabricating method thereof

Номер патента: AU2021104796A4. Автор: Zhenbo Peng,Zhaoshen YU,Zhengyong Yuan. Владелец: Ningbo Polytechnic. Дата публикации: 2021-09-30.

Floating gate fabrication method

Номер патента: US20190363096A1. Автор: Jun Zhou,Yun Li,Chaoran ZHANG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Vertical transistor and transistor fabrication method

Номер патента: US20030080346A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method

Номер патента: US20040028109A1. Автор: Robert Morgan,Robert Rice,Neil Ruggieri,J. Whiteley,Richard Skogman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210184108A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Image sensor pixel and fabrication method thereof

Номер патента: EP1900029A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Wide-Bandgap Semiconductor Bipolar Charge-Trapping Non-Volatile Memory with Single Insulating Layer and A Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230050475A1. Автор: LI ZHANG,Tao Chen,Jing Chen,Zheyang ZHENG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor structure and its fabricating method

Номер патента: US12087829B2. Автор: Bing ZOU,Cheng Yeh HSU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Fabrication method of a memory and the memory

Номер патента: US12114482B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: EP4437588A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20240371784A1. Автор: Jung Han Lee,Ji Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US09929184B2. Автор: Seungjin Choi,Youngjin Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

OLED display element and its fabricating method, display panel and display device

Номер патента: US09831472B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US09828544B2. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Structure and fabrication method for enhanced mechanical strength crack stop

Номер патента: US09824982B1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Fabricating method of fin field effect transistor (FinFET)

Номер патента: US09793105B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Fabrication method of interconnect structure

Номер патента: US09754799B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09741824B2. Автор: Huojin Tu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09716135B2. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Fabrication methods of transparent conductive electrode and array substrate

Номер патента: US09659975B2. Автор: Chunsheng Jiang,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Die edge sealing structures and related fabrication methods

Номер патента: US20150056751A1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor buried grating fabrication method

Номер патента: EP2274766A2. Автор: Chung-En Zah,Yabo Li,Kechang Song,Nicholas J. Visovsky. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-01-19.

Semiconductor buried grating fabrication method

Номер патента: WO2009120353A3. Автор: Chung-En Zah,Yabo Li,Kechang Song,Nicholas J. Visovsky. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-12-30.

Alkaloid halogen-doped sulfide glasses for optical amplifier and fabricating method thereof

Номер патента: US20020025898A1. Автор: Sun-Tae Jung,Jong Heo,Dong-Chin Lee,Hye-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20210349388A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Hybrid integrated optical device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140023313A1. Автор: Hyun Soo Kim,Mi-Ran Park,O-Kyun Kwon,Jong Sool Jeong,Byungseok CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-23.

Micro led transfer method, display panel and fabrication method

Номер патента: US20240006217A1. Автор: Ping Zhu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210043505A1. Автор: HAO Zhang,Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Xuezhen JING,Zhangru XIAO,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12058864B2. Автор: Wei Xu,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Multiple (multi-) die integrated circuit (IC) packages for supporting higher connection density, and related fabrication methods

Номер патента: US12062648B2. Автор: Yue Li,Durodami Lisk,Darko Popovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Substrate degassing method and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20240218511A1. Автор: In-young Kim,Giduck Kweon,Dong-Gu Kim,Donghyun Jang,Sung-Woo JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Fabrication methods of thin film transistor substrates

Номер патента: US20080227252A1. Автор: Chih-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-09-18.

Method for improving semiconductor surfaces

Номер патента: US20100009524A1. Автор: Amlan Majumdar,Dinkar Singh,Judson Robert Holt,Zhibin Ren,Renee Tong Mo,Ashima B. Chakravarti,Woo-Hyeong Lee,Suk Hoon Ku,Jeremy John Kempisty,Ryan Matthew Mitchell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Thin film for optical applications, light-emitting structure using the same and the fabrication method thereof

Номер патента: WO2003065092A1. Автор: Se-Young Seo,Jung-Hoon Shin,Hak-Seung Han. Владелец: Luxpert Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-08-07.

Multi-die integrated circuit packages for supporting higher connection density, and related fabrication methods

Номер патента: EP4406024A1. Автор: Yue Li,Durodami Lisk,Darko Popovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240321997A1. Автор: Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Organic light emitting diode display panel, fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972665B2. Автор: Ze Liu,Huifeng Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837323B2. Автор: Lei Fang,HONG SUN,Jiao Wang,Gangning Wang,Guangli Yang,Yunpeng PENG,Chih Chun Tai,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Mold for ceramic membrane tube and fabrication method of ceramic membrane tube using the same

Номер патента: WO2007067011A1. Автор: Ji-Haeng Yu,Ki-Suk Hong,Sang-Kuk Woo,In-Sub Han,Doo-Won Seo,Shi-Woo Lee. Владелец: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2007-06-14.

Integrated circuit (ic) package employing a re-distribution layer (rdl) substrate(s) with photosensitive dielectric layer(s) for increased package rigidity, and related fabrication methods

Номер патента: US20240243056A1. Автор: Wei Wang,Yangyang Sun,Manuel Aldrete. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Acoustic wave device and fabrication method of the same

Номер патента: US20130076205A1. Автор: Tomo Kurihara. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Euv exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same

Номер патента: US20210397079A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Doogyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Euv exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same

Номер патента: US20210333701A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Doogyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Integrated circuit (ic) package employing a re-distribution layer (rdl) substrate(s) with photosensitive dielectric layer(s) for increased package rigidity, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024155453A1. Автор: Wei Wang,Yangyang Sun,Manuel Aldrete. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Micro device fabricating method and apparatus

Номер патента: US20240274403A1. Автор: He Tian,Ze Zhang,Tulai SUN,Tianxing REN,Wanru ZHANG,Xinkai Chen. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-08-15.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Pattern formation material, pattern formation method, and exposure mask fabrication method

Номер патента: US20040058279A1. Автор: Masamitsu Itoh,Takehiro Kondoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus

Номер патента: US20200381639A1. Автор: Dawei Wang,Weifeng ZHOU,Mingche HSIEH,Hejin WANG,Shanchen Kao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Transparent wafer with optical alignment function and fabricating method and alignment method thereof

Номер патента: US20070159631A1. Автор: Yu-Lin Huang,Kuo-Ting Wu,Jun-Yao Huang,Dun-Ying Shu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-07-12.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Fabrication method of light emitting diodes

Номер патента: US20060138683A1. Автор: Chih-Ming Hsu. Владелец: Cleavage Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Multi-chip stack structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20080224289A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20170294372A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Chi-Ching Ho,Ying-Chou Tsai,Shao-Tzu Tang,Yu-Che Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US09991197B2. Автор: Chia-Cheng Chen,Chi-Ching Ho,Ying-Chou Tsai,Shao-Tzu Tang,Yu-Che Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Electrically insulated fin structure(s) with alternative channel materials and fabrication methods

Номер патента: US09881830B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Capacitor structures with embedded electrodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09881738B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Mark structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09773739B2. Автор: Hong Wei Zhang,Kui Feng,Dao Liang LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09716108B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Carburized La2O3 and Lu2O3 co-doped Mo filament cathode and its fabrication method

Номер патента: US20180254164A1. Автор: Xiao Han,Jie Zhang,Xiaoyang Chen,Jinshu Wang,Jingchao Liu,Liran Dong,Mingchuang Tian,Liyang Xiao. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20160379839A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP2973836A1. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: PAPER BATTERY COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Terminal structure of power device, fabrication method therefor, and power device

Номер патента: EP4207306A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Boning Huang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Radio frequency packages containing multilevel power substrates and associated fabrication methods

Номер патента: US12040291B2. Автор: Li Li,Lu Li,Lakshminarayan Viswanathan,Zhiwei Gong,Fernando A. Santos,Burton Jesse CARPENTER. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20210167186A1. Автор: HAIYANG Zhang,Yan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220246446A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230021267A1. Автор: QIAO LI,Zhi Yang,Yue Zhuo,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Fin-type transistor structures with extended embedded stress elements and fabrication methods

Номер патента: US20150129983A1. Автор: Hong Yu,LUN Zhao,Puneet Khanna,Hyucksoo Yang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Battery box, fabrication method therefor and apparatus containing battery box

Номер патента: EP3907814A1. Автор: Zhiming Chen,Tianming Chen,Tongxin Chang,Ruiqi HAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-10.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20220262939A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Duv photolithography electrode fabrication method and electrode produced using the method

Номер патента: WO2024127225A1. Автор: Tobias Kippenberg,Zihan LI. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2017161893A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-28.

Fabrication method of metal-free SOI wafer

Номер патента: US12040221B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Victor Y. Lu,Yu-Lung Yeh,Pu-Fang Chen,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen,Shi-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Fabrication method of metal-free soi wafer

Номер патента: US20220139769A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Victor Y. Lu,Yu-Lung Yeh,Pu-Fang Chen,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen,Shi-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Fabrication method of metal-free soi wafer

Номер патента: US20200176306A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Victor Y. Lu,Yu-Lung Yeh,Pu-Fang Chen,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen,Shi-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20070087521A1. Автор: Osamu Fujita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075603A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11749745B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Three-dimensional memory device with deposited semiconductor plugs and methods for forming the same

Номер патента: US11758722B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Structure and method for FinFET device with source/drain modulation

Номер патента: US12080607B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Split-gate non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240276716A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Fabrication method of battery module case having welding area with enhanced surface roughness

Номер патента: US20240243399A1. Автор: Ji Hun Kim,Hyeong Won Kim,Ki Dong Lee,Hoemin CHEONG,Sung Chel Yoon,Hyeon Jeong YOU. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Channel structure having tunneling layer with adjusted nitrogen weight percent and methods for forming the same

Номер патента: US20210217856A1. Автор: Song Liu,Xinxin Huang,Wenting Wang,Zhiping Xu,Chao SHEN,Dejian Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Transistor and semiconductor device with multiple threshold voltages and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096993A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Structure and fabrication method of high voltage mosfet with a vertical drift region

Номер патента: US20230317845A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Changseok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Display substrate, fabricating method thereof and display device

Номер патента: US20200119052A1. Автор: LU Wang,Guangcai Yuan,Yang Lv,Jianhua Du,Feng Guan,Zhaohui QIANG,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3433670A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-30.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

GaN-based high electron mobility transistors and fabrication method thereof

Номер патента: US12113127B2. Автор: Kuang-Po Hsueh. Владелец: Nanjing Greenchip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US12107383B2. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2024-10-01.

Fabrication method of a membrane electrode assembly (mea), mea, cell and uses thereof

Номер патента: EP4441816A1. Автор: Paul Dominique LACHARMOISE,Claudia Custodia DELGADO SIMÃO,Miguel BERENGUEL ALONSO,Thi Hai Van NGUYEN,Diogo Miguel ESPERANÇA GARCIA. Владелец: FUNDACIÒ EURECAT. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12068397B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09978641B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Capacitor strap connection structure and fabrication method

Номер патента: US09960168B2. Автор: Brian J. Greene,Byeong Yeol Kim,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni,Veeraraghavan S. Basker,Benjamin Ryan Cipriany,William Larsen Nicoll. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance

Номер патента: US09899329B2. Автор: Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

OLED display device and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09847488B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Fabrication method of fast recovery diode

Номер патента: US09837275B2. Автор: QUAN Wang,Wei Zhou,Deming Sun,Jieqiong DONG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831533B2. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: Paper Battery Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Substrate-free thin-film flexible photovoltaic device and fabrication method

Номер патента: US09799792B2. Автор: Oki Gunawan,Hiroki Sugimoto,Jeehwan Kim,David B. Mitzi,Homare Hiroi. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-10-24.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09768308B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Xiaolong Li,Liang Sun,Xiaoyong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Electrostatic capacitance operation device fabrication method, operation panel, and electrostatic capacitance operation device

Номер патента: US09753594B2. Автор: Satoru Chaen,Osamu Yoneji. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09735251B2. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

MEMS device and fabrication method

Номер патента: US09731962B2. Автор: Hongmei Xie,Xuanjie Liu,Liangliang Guo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

3D NAND device and fabrication method thereof

Номер патента: US09711529B2. Автор: Lei Ye,Huayong Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Resistive memory device and fabrication methods

Номер патента: US09673255B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Tanmay Kumar,Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09666536B2. Автор: Yi-Wei Liu,Yi-Che Lai,Hung-Wen Liu,Mao-Hua Yeh,Yan-Heng Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09653500B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Interconnection structure, fabricating method thereof, and exposure alignment system

Номер патента: US09646865B1. Автор: Qiang Zhang,Bin Xing,Jing An Hao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Fin field effect transistors and fabrication method thereof

Номер патента: US09613960B2. Автор: YONG Li,Chengqing Wei. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Fin field-effect transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09613868B2. Автор: Guobin Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09607902B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Light-emitting diode assembly and fabrication method thereof

Номер патента: US09534747B2. Автор: Tzu-Chi Cheng. Владелец: Interlight Optotech Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Fiber electrode for lithium secondary battery, fabrication method therefor, and lithium secondary battery including fiber electrode

Номер патента: US9065139B2. Автор: Tetsuo Sakai,Takashi Mukai,Kazuo Tsutsumi,Tomoaki Takasaki,Kazuya Nishimura,Jinhan Yao. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2015-06-23.

Method for fabricating coa array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US20150340415A1. Автор: Shi Shu,Yonglian QI,Guanbao HUI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Method for fabricating secondary battery

Номер патента: US20230261265A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shuhei Yoshitomi,Tetsuji Ishitani,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Fabricating method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US10151954B2. Автор: Yang Liu,Xianwang WEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Double-gate transistor array substrate and fabrication method of the same

Номер патента: US12034079B2. Автор: Yuhan QIAN,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Display panel, fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US20200295100A1. Автор: Tao Liu,BIN Yan,Yonglian QI,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Shuai LIU,Weiwei Tong,Yun Qiu,Guangdong SHI. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Structure for reducing stress for vias and fabricating method thereof

Номер патента: US20090156001A1. Автор: Yung-Yu Hsu,Ra-Min Tain,Shyi-Ching Liau,Chih-Yuan Cheng,Shou-Lung Chen,Shan-Pu Yu,Ji-cheng Lin,Rong-Chang Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Display panel, fabricating method thereof and display device

Номер патента: US20200373368A1. Автор: LIANG Fang,Ding Ding. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Fabricating method of pixel structure

Номер патента: US20130011976A1. Автор: Meng-Chi Liou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

Fabricating method of pixel structure

Номер патента: US8404528B2. Автор: Meng-Chi Liou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-03-26.

Single-sided light-emitting led chips and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020832A1. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Quantum dot light-emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US20230043770A1. Автор: Zhiwen NIE. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Display substrate, display device, mobile terminal and fabricating method of display substrate

Номер патента: US20200219902A1. Автор: Yang Wang,Peng Chen. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20100233859A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yi-Sheng Cheng,Ming-Yan Chen,Ying-Chi Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-09-16.

Stripe waveguide structure type semiconductor laser device and fabricating method therefor

Номер патента: US20030152122A1. Автор: Syuzo Ohbuchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Fabrication method of power semiconductor structure with reduced gate impedance

Номер патента: US20120045877A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Display panel and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20220157892A1. Автор: NA Li,Fei Chen,Myoungsoo Lee,Haijun Qiu,Chao Kong,Jibum Yang,Euiku LEE,Meishan XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Fabricating method of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170294421A1. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-10-12.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240222133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit (ic) packages employing split, double-sided metallization structures to facilitate a semiconductor die ("die") module employing stacked dice, and related fabrication methods

Номер патента: WO2021178078A4. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,David Fraser Rae,Marcus Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12015067B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US11056476B2. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Light emitting diode structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110260203A1. Автор: Hsien-Chia Lin,Tzu-Yu Tang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Substrate structure and the fabrication method thereof

Номер патента: US20060286485A1. Автор: Joseph Cheng. Владелец: Boardtek Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Electronic device bonding structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220068872A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170020002A1. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-19.

Led flip chip, fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20220216370A1. Автор: CHEN Hung-Wen. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Backlight-type mini led chip and fabrication method therefor

Номер патента: US20230136566A1. Автор: Fan Zhang,Yongsheng Wu,Tingfang ZHANG,Jiapeng Qi. Владелец: Fujian Prima Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Photo sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080023782A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee,Ching-Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-01-31.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US6858495B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Stacked die integrated circuit (ic) package employing interposer for coupling an upper stacked die(s) to a package substrate for package height reduction, and related fabrication methods

Номер патента: EP4393013A1. Автор: Jinseong Kim,Krishna Vemuri. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated circuit (ic) packages employing a thermal conductive package substrate with die region split, and related fabrication methods

Номер патента: EP4100997A1. Автор: Aniket Patil,Dongming He,Kuiwon Kang,Bohan Yan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

CMOS Device for Reducing Charge Sharing Effect and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20130161757A1. Автор: DONG Yang,Xing Zhang,Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Connecting substrate, fabrication method, splicing screen and display apparatus

Номер патента: US20220262891A1. Автор: Ke Wang,Shuang Liang,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO,Muxin DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit (ic) packages employing capacitor interposer substrate with aligned external interconnects, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024050167A1. Автор: Lily Zhao,Giridhar Nallapati,Dongming He,Jihong Choi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-07.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Transistor, Fabrication Method Thereof, and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20240213369A1. Автор: Jaehyun Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Microelectronic-device fabrication method

Номер патента: US20020016015A1. Автор: Tomoharu Fujiwara. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

One-transistor dram cell device based on polycrystalline silicon with finfet structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190267381A1. Автор: Seongjae Cho,Hyungsoon Shin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device

Номер патента: US20210335978A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Display substrate, fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20220344420A1. Автор: Yi Zhang,Shun Zhang,Ping Wen,Fengli JI,Yuanqi ZHANG,Yongjie SONG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Electrode for Secondary Battery and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20220190307A1. Автор: Jong Hyuk Lee,Mi Ryeong Lee,Hee Gyoung Kang. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Substrate processing baffle, substrate processing apparatus including the same, and processing apparatus fabrication method

Номер патента: US20240175629A1. Автор: Kuntack Lee,Ji Hwan Park,Sangjine Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Compensated Photonic Device Structure And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170271543A1. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tzung-I Su,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Pixel structure and fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20130119386A1. Автор: Chang-Yu Huang,Pei-Ming Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-05-16.

Array substrate, fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US10978542B2. Автор: Kan Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Cavity capacitor fabrication method and printed circuit board having embedded cavity capacitor

Номер патента: US20090084591A1. Автор: Han Kim,Je-Gwang Yoo,Chang-Sup Ryu. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Cover plate and fabricating method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20200052241A1. Автор: Wei Li,WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

EMBEDDED TRACE SUBSTRATES (ETSs) WITH T-SHAPED INTERCONNECTS WITH REDUCED-WIDTH EMBEDDED METAL TRACES, AND RELATED INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGES AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20240250009A1. Автор: Zhijie Wang,Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Seongryul CHOI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Buried shield structures for power semiconductor devices including segmented support shield structures for reduced on-resistance and related fabrication methods

Номер патента: WO2024147924A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Array substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US20240250176A1. Автор: Jun Wang,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Fabricating Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240258378A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Embedded trace substrates (etss) with t-shaped interconnects with reduced-width embedded metal traces, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2024158553A1. Автор: Zhijie Wang,Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Seongryul CHOI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-02.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Prefabricated substrate, flexible substrate, flexible module, fabrication method, and display device

Номер патента: US20230271397A1. Автор: FAN Xu,Feng Qin,Zhen Liu,Huan LI,Kerui XI,Xiaobing ZHAO,Qingsan ZHU,Danping WANG. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230093494A1. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Self aligned mosfet devices and associated fabrication methods

Номер патента: WO2023163855A1. Автор: Sudarsan Uppili,David Lee Snyder,Scott Joseph Alberhasky. Владелец: Scdevice LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US20170194439A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Resist compositions and semiconductor fabrication methods using the same

Номер патента: US20210181628A1. Автор: Tsunehiro Nishi,Hyunwoo Kim,Naoto Umezawa,Thanh Cuong Nguyen,Daekeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Battery box, fabrication method therefor and apparatus containing battery box

Номер патента: AU2020384096A1. Автор: Zhiming Chen,Tianming Chen,Tongxin Chang,Ruiqi HAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US7382035B2. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417609B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Wafer, Fabricating Method Of The Same, And Semiconductor Substrate

Номер патента: US20120056304A1. Автор: Young-soo Park,Joon-Young Choi,Sam-Jong Choi,Tae-Hyoung Koo,Sun-ha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-08.

Back-illuminated image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20130334636A1. Автор: Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Light-emitting diode structure, fabrication method therefor, and display panel

Номер патента: US11778855B2. Автор: Zhuo Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20120153339A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Kun-Fu Huang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo,Jui-Yi Chu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Connector and fabrication method thereof

Номер патента: US20130344742A1. Автор: Seiya Matsuo,Takashi Kuwahara. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Magnetic device fabrication method

Номер патента: US10395816B2. Автор: You-Chi Liu,Chia-Ping Mo. Владелец: Ajoho Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Image sensor and fabricating method of image sensor

Номер патента: US20150048466A1. Автор: Yang Wu,Inna Patrick,Yu Hin Desmond Cheung,Feixia Yu. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Stretchable substrate and fabricating method therefor

Номер патента: US20210316529A1. Автор: HE Li. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100001286A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Fabrication method of battery

Номер патента: US20150372341A1. Автор: Chin-Ming Chen,Yen-Kai Peng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Fabrication method of battery

Номер патента: EP2975674A3. Автор: Chin-Ming Chen,Yen-Kai Peng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Thin film transistor, fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US20180138254A1. Автор: Zheng Liu,Xiaolong Li,Lujiang HUANG FU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Thin film transistor, fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: EP3427302A1. Автор: Zheng Liu,Xiaolong Li,Lujiang HUANG FU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-16.

Thin film transistor and fabricating method thereof, and array substrate

Номер патента: US10535781B2. Автор: Lin Chen,Mengyu Luan,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Single-sided light-emitting LED chips and fabrication method thereof

Номер патента: US10825960B2. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor chip fabrication method

Номер патента: US20090209088A1. Автор: Tadato Nagasawa. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170207420A1. Автор: Kun Li,Chun Ye,Yuting YANG,Shancai ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Graphene transistor comprising functionalized N-heterocyclic carbene compound, fabrication method therefor, and biosensor comprising same

Номер патента: US12055517B2. Автор: Kyung Ho Kim,Chang Soo Lee,Jin Yeong Kim,Chul Soon Park,Oh Seok Kwon,Tai Hwan Ha,Seon Joo Park. Владелец: Korea Research Institute of Bioscience and Biotechnology KRIBB. Дата публикации: 2024-08-06.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20200212028A1. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Silicon-controlled-rectifier electrostatic protection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303368A1. Автор: Jie Chen,Guang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Laser, fabrication method therefor, and laser device

Номер патента: EP4401251A1. Автор: Min Teng,Xuezhe Zheng,Yinchao DU. Владелец: Innolight Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Array substrate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20220285466A1. Автор: Ming Liu,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20060043378A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-03-02.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040150341A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US9397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Three-dimensional cavity surface emitting laser structure and fabrication method thereof

Номер патента: US5895224A. Автор: Hye-Yong Chu,Hyo-Hoon Park,Byueng-Su Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-04-20.

Oled and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20160141343A1. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Display substrate, display panel, display device, and fabrication method of display substrate

Номер патента: US20200274088A1. Автор: Tao Wang,Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Transistor fabrication method

Номер патента: US20030119290A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Fabrication method of resistance variable memory apparatus

Номер патента: US9306166B1. Автор: Young Ho Lee,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20050035388A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20030235967A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US10468417B2. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Microelectronic device fabricating method, integrated circuit, and intermediate construction

Номер патента: US6897540B1. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-24.

Microelectronic device fabricating method, integrated circuit, and intermediate construction

Номер патента: US20020163061A1. Автор: Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-07.

Integrated circuit (ic) packages employing supplemental metal layer coupled to embedded metal traces in a die-side embedded trace substrate (ets) layer, and related fabrication methods

Номер патента: EP4420164A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Ching-Liou Huang,Michelle Yejin Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Nitride Light Emitting Diode and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170309773A1. Автор: Chia-Hung CHANG,Changwei SONG,Chan-Chan LING,Hsiang-Pin Hsieh. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170338186A1. Автор: Chun-Chi Ke,Fu-Tang HUANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Electronic package, packaging substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240282689A1. Автор: Yu-Cheng Pai,Chan-Yu YEH,Yuan-Ping YEH,Yuan-Chang NI,Meng-Jou HE. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Fabrication method of integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20200395241A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongsoo Woo,Joonyoung Choi,Junsoo Kim,Namho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20140342505A1. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Mu-Hsuan Chan,Chieh-Yuan Chi,Yan-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: EP2673806A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-18.

Package substrates employing pad metallization layer for increased signal routing capacity, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2023183692A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-28.

Package substrates employing pad metallization layer for increased signal routing capacity, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: US20230307336A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US20130328164A1. Автор: Ling Liu,Xining Wang,Jenhao Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US8884399B2. Автор: Ling Liu,Xining Wang,Jenhao Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Fabricating method of dram structure

Номер патента: US20130052786A1. Автор: Chung-Lin Huang,Tzung-Han Lee,Ron Fu Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Fabrication method of an electrostatic discharge protection circuit with a low resistant current path

Номер патента: US6855611B2. Автор: Hua-Chou Tseng,Tien-Hao Tang,Shiao-Shien Chen,Tsun-Lai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-15.

Laser, fabrication method therefor, and laser device

Номер патента: US20240266806A1. Автор: Min Teng,Xuezhe Zheng,Yinchao DU. Владелец: Innolight Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Organic light-emitting display panel and fabricating method

Номер патента: US11228018B2. Автор: Jian Jin,Congyi SU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Fabricating method of thin film transistor

Номер патента: US20040191965A1. Автор: Binn Kim,Jong-Uk Bae,Hae-Yeol Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Array substrate, fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20200335568A1. Автор: Kan Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Array substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US12074222B2. Автор: Jun Wang,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Thin film transistor, fabrication method therefor, and array substrate

Номер патента: US20190267406A1. Автор: Yang Wang,BO LIU,Zheng Liu,Chao FAN,Xiaowei Liu,Zhonghao Huang,Yabin AN. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8030652B2. Автор: Shih-Chin Chen,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-10-04.

Structure of metal-insulator-semiconductor-like multiple-negative-differential-resistance device and fabrication method thereof

Номер патента: US6197622B1. Автор: Wen-Chau Liu,Lih-Wen Laih. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-06.

Current collecting member, secondary battery and fabrication method

Номер патента: US20210265709A1. Автор: HU XU,Long Xu,Yongshou Lin,Lingbo Zhu,Yuanbao Chen,Miaomiao REN,Donglai ZHENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Mobility enhancement by strained channel CMOSFET with single workfunction metal-gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20070069298A1. Автор: Zing-Way Pei,Yu-Ming Lin,Min-Hung Lee,Wen Hsieh,Shin-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor structures with coplanar recessed gate layers and fabrication methods

Номер патента: US20160049495A1. Автор: Yuan-Hung Liu,Xing Zhang,Ganesh Upadhyaya,Taejoon Han,Chang Ho Maeng,Gowri Kamarthy,Hoong Shing Wong,Gabriel Padron Wells,Kristina Trevino,Isabelle Orain. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Organic light-emitting display panel, fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20180138252A1. Автор: Yuji HAMADA,Shuang CHENG,Jinghua NIU,Xiangcheng Wang. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Ingan-based led epitaxial wafer and fabrication method thereof

Номер патента: EP3906586A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-10.

InGaN-BASED LED EPITAXIAL WAFER AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220115560A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-14.

Uv-cured multi-component polymer blend electrolyte, lithium secondary battery and their fabrication method

Номер патента: US20050221194A1. Автор: Hyung-Sun Kim,Byung-Won Cho,Yong-Tae Kim,Hee-Woo Rhee,Min-Kyu Song,Won-il Cho,Un-Sek Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-10-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Fabrication method of active device array substrate

Номер патента: US20080032235A1. Автор: Chia-Ming Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-02-07.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240290832A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150123111A1. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-05-07.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9331106B2. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-05-03.

Integrated circuit (ic) packages employing supplemental metal layer coupled to embedded metal traces in a die-side embedded trace substrate (ets) layer, and related fabrication methods

Номер патента: WO2023069820A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Ching-Liou Huang,Michelle Yejin Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Organic electroluminescence display substrate and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US10454073B2. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Organic Electroluminescence Display Substrate and Fabrication Method Thereof, Display Panel and Display Device

Номер патента: US20190019991A1. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor fabrication method and apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20030230794A1. Автор: Yoshiaki Narita,Umeo Osio. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Active element and fabricating method thereof

Номер патента: US20160190342A1. Автор: Chia-Ming Chiang,Chih-Wen Lai,hao-wei Wang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Array substrate for liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US8178881B2. Автор: Jae Young Oh,Soopool Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US10165688B2. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-12-25.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US7629187B2. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Imaging element, fabrication method, and electronic equipment

Номер патента: US20230299102A1. Автор: Yoichi Ootsuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Cell array region of a NOR-type mask ROM device and fabricating method therefor

Номер патента: US20010017800A1. Автор: Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-30.

Fingerprint identification substrate and fabrication method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US20180307887A1. Автор: WEI Liu,Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Jing LV,Lijun Zhao,Pengpeng Wang,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia,chun wei Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Electrical connector insert and apparatus and associated fabrication method

Номер патента: US20060258210A1. Автор: Bradley Mitchell,Kevin Callahan,Daniel Diessner. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2006-11-16.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US9133021B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor devices, fabrication methods thereof, 3d memories and memory devices

Номер патента: US20240292625A1. Автор: LAN Yao,Jie Yan,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150162417A1. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: US20240234370A1. Автор: Shadi Sabri. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Read-only memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20050087823A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Ching-Nan Hsiao,Chao-Sung Lai,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Electro-static discharge assembly, array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US20180204830A1. Автор: Xiaodong Pan,Zhiming Hu,Chunxiang NAN,Chen Ting LIU. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor chip package and fabrication method therefor

Номер патента: US20010045632A1. Автор: Dong-You Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Interconnect structure for an integrated circuit and corresponding fabrication method

Номер патента: US20030098467A1. Автор: Wolfgang Ruf,Alexander Benedix,Reinhard Dueregger,Stefan Dankowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-29.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040036685A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-02-26.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Electrode structure, fabrication method thereof and PDP utilizing the same

Номер патента: US20050224801A1. Автор: Pei-Yu Chen,Chia-Hsin Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060166421A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-27.

Electrode structure, fabrication method thereof and pdp utilizing the same

Номер патента: US20060286723A1. Автор: Pei-Yu Chen,Chia-Hsin Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-12-21.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US20070166961A1. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070236487A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20020110990A1. Автор: Yong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Fabrication method of flexible electronic package device

Номер патента: US20220201870A1. Автор: Chien-Min HSU,Chih-Ming Shen,Shih-Hsien Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150333189A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,XIin LIN. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20240274547A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US20240251628A1. Автор: Jun Liu,Jun Cheng,Liangchen YAN,Tongshang Su,Yongchao HUANG,Shengping Du. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240203986A1. Автор: LAN Yao,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Drying processes for bio-compatible spme coatings

Номер патента: EP4256261A1. Автор: Yong Chen. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2023-10-11.

Drying processes for bio-compatible spme coatings

Номер патента: US20240001339A1. Автор: Yong Chen. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Composite piezomaterial and method for its manufacture

Номер патента: RU2751896C1. Автор: Александр Анатольевич Панич,Алексей Анатольевич Нестеров,Евгений Анатольевич Панич,Михаил Игоревич Толстунов,Любовь Александровна Дыкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-19.

Ion Thruster and Method for Fabrication Thereof

Номер патента: US20220341404A1. Автор: Lei Zhang,Yongwei Zhang,Wendong Zhang,Qiulin Tan. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for manufacturing a biological fluid sensor

Номер патента: US20240341735A1. Автор: Adam Pizer,Dalton Pont,John V. Chiochetti. Владелец: Coresyte Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for fabricating AND-type flash memory cell

Номер патента: US20040157403A1. Автор: Chang Han,Bong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Fabrication method for superconducting circuit and superconducting quantum chip

Номер патента: US20240357945A1. Автор: Jie Zheng,Liangliang Ma,Bing YOU,Nianci WANG,Wenshu LIU. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing a biological fluid sensor

Номер патента: US09622725B2. Автор: Adam Pizer,Dalton Pont. Владелец: Coresyte Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US20050181563A1. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US7129134B2. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Low thermal budget fabrication method for a mask read only memory device

Номер патента: US20030207539A1. Автор: Jen-Chuan Pan,Shui-Chin Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

System for displaying images including electroluminescent device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070194696A1. Автор: Hsiang-Lun Hsu,Ryan Lee. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Fabrication method for non-volatile memory

Номер патента: US20040121535A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070153158A1. Автор: Gee-Sung Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Fabrication method for a thin-film layer on a substrate

Номер патента: EP4437815A1. Автор: Wilhelmus Johannes DUIVESTEIN,Simon GROEBLACHER,Bas Jorrit HENSEN,Frederick Mahmoud HIJAZI,Selim SCHARMER,Robert Hugh James STOCKILL,Mathilde Flore LEMANG. Владелец: Qphox BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20080111124A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20110213172A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Tri-state read-only memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US5859460A. Автор: Yi-Chung Sheng,Kuan-Cheng Su,Chen-Hui Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Gas detector fabrication method, gas detector, and ray detection device

Номер патента: US20240272316A1. Автор: Yi Zhou,Zhiyong Zhang,Changqing Feng,Ming SHAO,Sicheng WEN,Jianbei LIU. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-08-15.

Fabrication method of a MgB2 superconducting tape and wire

Номер патента: US8173579B2. Автор: Hiroaki Kumakura,Takayuki Nakane,Hiroki Fujii,Hitoshi Kitaguchi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2012-05-08.

Fabrication method of film bulk acoustic resonator (FBAR) filter device

Номер патента: US12068733B2. Автор: Jian Wang,Jie Zou,Gongbin Tang. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Vertical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240049464A1. Автор: Sung-Hoon Lee,Jong-Hyun Yoo,Ki-Jun Yun,Eun-Ho Kim,Eun-Joo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Multi-piece board and fabrication method therefor

Номер патента: US20100118504A1. Автор: Yasushi Hasegawa. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-13.

Mask plate, method for fabricating the same, and mask plate assembly

Номер патента: US12043889B2. Автор: Yong Zheng,Chunyan Gao,Shuai DU,Wenbiao Ding,Junxiu DAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Twin NAND device structure, array operations and fabrication method

Номер патента: US20040092066A1. Автор: Seiki Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh,Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Inc. Дата публикации: 2004-05-13.

Integrated semiconductor memory and fabrication method

Номер патента: US20030232470A1. Автор: Martin Popp,Till Schlosser,Michael Sesterhenn,Dirk Manger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Substrate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09907161B2. Автор: Chun-Lung Chen,Jin-Wei You. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Film bulk acoustic resonator structure and fabricating method

Номер патента: US12143085B2. Автор: Jian Wang. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Rotor, fabrication device thereof and fabrication method therefor

Номер патента: US20240305178A1. Автор: Jianxin Yan. Владелец: Zhejiang PanGood Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240196631A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Rf and mmwave circuits and their fabrication methods

Номер патента: EP4422850A1. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Nano Dimension Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Rf and mmwave circuits and their fabrication methods

Номер патента: US20240326342A1. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Nano Dimension Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Flexible display panel and fabricating method thereof, and image display terminal unit

Номер патента: US09591765B2. Автор: SeokHee JEONG,Jungchul Kim,Soonkwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Systems, articles, and methods for stretchable printed circuit boards

Номер патента: US09788789B2. Автор: Matthew Bailey. Владелец: Thalmic Labs Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20050199941A1. Автор: Toru Anezaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Display panel, display device, fabricating method and control method of display panel

Номер патента: US11991496B2. Автор: Xue Dong,Wei Sun,Xiufeng Li,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Yanling Han,Yaqian Ji,Wenchao HAN,Lianghao ZHANG,Peixiao LI,Yuzhen GUO,Yue Gou,Chenyang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Display panel, display device, fabricating method and control method of display panel

Номер патента: US20220386019A1. Автор: Xue Dong,Wei Sun,Xiufeng Li,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Yanling Han,Yaqian Ji,Wenchao HAN,Lianghao ZHANG,Peixiao LI,Yuzhen GUO,Yue Gou,Chenyang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Display panel, display device, fabricating method and control method of display panel

Номер патента: US20240223936A1. Автор: Xue Dong,Wei Sun,Xiufeng Li,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Yanling Han,Yaqian Ji,Wenchao HAN,Lianghao ZHANG,Peixiao LI,Yuzhen GUO,Yue Gou,Chenyang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20240224416A1. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Induction heating coil and method for manufacturing induction heating coil

Номер патента: US20150327335A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Ayaka Nakata,Norihide Fujiyama. Владелец: Koyo Thermo Systems Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Hydroelectric/hydrokinetic turbine and methods for making and using same

Номер патента: US20240287956A1. Автор: Walter SCHURTENBERGER. Владелец: HYDROKINETIC ENERGY CORP. Дата публикации: 2024-08-29.

Display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20240324405A1. Автор: PENG Hou,ZHU Wang,Shuo Li,Zhenglong Yan,Yanyang SHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Organic thin film transistor, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3408876A1. Автор: Leilei CHENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Modified nano-dot, fabrication method thereof and composition element thereof

Номер патента: US20120061616A1. Автор: Mao-Feng Hsu,Cheng-Chung Chen,Jwo-huei Jou,Wei-Ben Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2012-03-15.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Quantum dot film layer, quantum dot light-emitting device, and fabrication method

Номер патента: US20230389406A1. Автор: Wenhai MEI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Display substrate, fabrication method thereof and display apparatus

Номер патента: US12029084B2. Автор: Yang Zhou,Yi Zhang,YoungYik Ko,Yu Wang,Shun Zhang,Tingliang Liu,Haigang Qing,Xiaofeng Jiang,Linhong HAN,Shikai QIN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Camera Decoration Part, Fabrication Method, and Electronic Device

Номер патента: US20240187507A1. Автор: ZHEN Wang,Qi Wang,Baojun GAO,Jiajing ZHANG. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

[organic light-emtting device and fabricating method thereof]

Номер патента: US20040189192A1. Автор: Wei-Pang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Digital garment using digital band and fabricating method thereof

Номер патента: WO2009107907A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2009-09-03.

Terminal device and fabrication method therefor

Номер патента: AU2019218326A1. Автор: Jianfeng Wang. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Flexible housing and fabrication method thereof

Номер патента: US20190307004A1. Автор: Run YANG,Xiaoli Fan. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Multi-level stacked acoustic wave (aw) filter packages and related fabrication methods

Номер патента: EP4406115A1. Автор: Michael Wick,Xavier Perois,Manuel Höfer,Jeroen Bielen,Stefan Leopold Hatzl,Juergen Portmann. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Fabrication method of rigid-flex circuit board

Номер патента: US20100043962A1. Автор: Chih-Ming Chang,Hsin-En Chung,Yu-Feng Tseng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020041150A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-04-11.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1195814A3. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-11-02.

Oled display panel and fabrication method of oled display panel

Номер патента: US20240114722A1. Автор: Xingyu Zhou,Qianyi Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Backlight Module and Fabricating Method Thereof, and Display Apparatus

Номер патента: US20160370536A1. Автор: Jifeng TAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Display substrate, fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US12063818B2. Автор: Yi Zhang,Shun Zhang,Ping Wen,Fengli JI,Yuanqi ZHANG,Yongjie SONG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Packaging structure, fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20240224732A1. Автор: Wei Huang,Zhongyuan Sun,Wenqi Liu,Che AN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Electro-phoretic display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20130057464A1. Автор: Chi-Ming Wu,Kai-Cheng Chuang,Yung-Sheng Chang,Tzu-Ming WANG,Po-Wen Hsiao,Yuan-Chih Tsai,Jen-Shiun Huang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US12082337B2. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Mask ROM, and fabrication method thereof

Номер патента: US20030038310A1. Автор: Min Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Mask rom, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040173857A1. Автор: Min Gyu Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Color wheel unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20070081265A1. Автор: Nak-Yun Sung,Yong-Wan Cho,Ji-Hyung Jung,Ju-Dong Oh,Kye-Woong Cho. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Cooler chip fabrication method

Номер патента: US20020062557A1. Автор: Tsung-Chih Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Ultrasonic transducer, fabrication method thereof and electronic device

Номер патента: US20240267680A1. Автор: Qi Yao,Lei Wang,ZHUO Li,Yingzi WANG,Hua Huang,Wenqu Liu,Yanling Han,Yaqian Ji,Yue Gou,Yonggang Cao,Qianyan LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Display panel, display device, and fabricating method of display panel

Номер патента: US20240251643A1. Автор: Yang Gao,Haowei Wang,Yuanming Zhang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

High-density three-dimensional multilayer memory and fabrication method

Номер патента: US20240224540A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof, filter, and radio frequency communication system

Номер патента: US12081197B2. Автор: Fei Qi,Guohuang YANG,Huan SUI. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Flexicoat blood-interface materials for bio-compatible implants and devices

Номер патента: WO2023130145A2. Автор: Vinoy Thomas,Jesse George Atherton JONES. Владелец: THE UAB RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-07-06.

Flexicoat blood-interface materials for bio-compatible implants and devices

Номер патента: WO2023130145A3. Автор: Vinoy Thomas,Jesse George Atherton JONES. Владелец: THE UAB RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Sacrificial Layers for Bio-Compatible Devices

Номер патента: US20150065820A1. Автор: Huanfen Yao,James ETZKORN,Harvey Ho. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2015-03-05.

Sacrificial layers for bio-compatible devices

Номер патента: WO2015031073A1. Автор: Huanfen Yao,James ETZKORN,Harvey Ho. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

Titanium Alloy Adapted for Bio-Compatibility with Low Elastic Modulus and High Strength

Номер патента: KR20200121944A. Автор: 이창우,박광석,박형기,이택우,김양후. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2020-10-27.

Fluid for bio-compatible cleaning of textile materials, e.g. anti-decubitus hospital mattresses, has a solvent leaving no residue when evaporated

Номер патента: DE102008031164A1. Автор: Klaus Prof. Dr. Heckmann,Regine Heckmann-Feld. Владелец: SIGMA GbR VERTRETUNGSBERECHTIG. Дата публикации: 2009-01-15.

Apparatus for the manufacture of plates intended for a rapid prototype fabrication method, method for machining and joining said plates and thus obtained prototype blanks

Номер патента: DK1283775T3. Автор: Claude Barlier,Alain Wadsworth. Владелец: Ct D Ingenierie De Rech Et De. Дата публикации: 2004-05-03.

Sensor Electrodes in a Bio-compatible Device

Номер патента: US20150173680A1. Автор: Ho Harvey,Liu Zenghe,Etzkorn James. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

Sensor electrodes in a bio-compatible device

Номер патента: US9770207B2. Автор: Zenghe Liu,James ETZKORN,Harvey Ho. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for manufacture of tobacco fabric, method for manufacture of cigarettes containing tobacco fabric and cigarette

Номер патента: RU2475168C1. Автор: Мицухару СУГИО,Суити МИЯЗАВА,Таканори ЯГАСИРА. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2013-02-20.

Anti-skid protector and method for its fabrication

Номер патента: RU2427298C2. Автор: Джанни ФРАССОН,Джилберто ФРАССОН. Владелец: Фрассон С.Р.Л.. Дата публикации: 2011-08-27.

Method for fabricating microchip for nucleic acid amplification reaction

Номер патента: US09545630B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Masaki Sato,Hidetoshi Watanabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for fabricating microrobot for delivery of cell therapy product and microrobot according thereto

Номер патента: US20240024643A1. Автор: Jin Young Kim,Sung Won Kim,Hong Soo Choi,Sun Hwa Park,Sung Woong JEON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Catholic University of Korea. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for fabricating microrobot for delivery of cell therapy product and microrobot according thereto

Номер патента: EP4257125A1. Автор: Jin Young Kim,Sung Won Kim,Hong Soo Choi,Sun Hwa Park,Sung Woong JEON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Catholic University of Korea. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for securing a retaining member to a sheet of woven fabric

Номер патента: WO2014007638A3. Автор: Patrick Franciscus Johannes Van Loosbroek. Владелец: UNILUX IP B.V.. Дата публикации: 2014-02-27.

Liquid crystal device, fabricating method, and fabricating apparatus thereof

Номер патента: US20040150775A1. Автор: Tetsuya Nogami,Kohji Murayama,Teruhiro Nakasogi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Fabrication method for making an equipment device for an automotive vehicle and associated equipment device for an automotive vehicle comprising a composite body

Номер патента: US09950679B2. Автор: Xavier Bathelier,Steve Jeunesse. Владелец: Faurecia Automotive Industrie SAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Combined Polyester Multifilament Yarn, Fabric, Method for Producing Combined Polyester Multifilament Yarn, and Method for Producing Fabric

Номер патента: MY196289A. Автор: Akitoshi Ichimura. Владелец: Murasho Textured Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

A casting insert fabrication method using a composition of powders, a casting insert and method of obtaining local composite zones in castings

Номер патента: EP4166258A3. Автор: Ewa Olejnik,Anna JESIOLOWSKA. Владелец: Innerco Sp Z OO. Дата публикации: 2024-08-21.

Binder-hardened fabrics, method for manufacture and use thereof

Номер патента: RU2682632C2. Автор: Бернхард ЭККЕРТ,Игансио НУНЕС. Владелец: Джонс Мэнвилл Юроп Гмбх. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for fabricating energy plastic masterbatch and plastic product derived therefrom

Номер патента: MY155859A. Автор: XU Wenji,Lee Kwok Sing. Владелец: South China Reborn Resources Zhongshan Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Passive identification tag fabrication methods

Номер патента: US20240219889A1. Автор: James E. Abbott, Jr.,Brandon Thomas Young. Владелец: Pascal Tags Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Multilayer sanitary paper product and a method for its manufacturing

Номер патента: RU2645997C2. Автор: Себастьен Жанно,Эмманюэлль КИНТЦ,Мари БЕРТЭН-ШАТО. Владелец: ЭсСиЭй ТИШЬЮ ФРАНС. Дата публикации: 2018-02-28.

Textile Fabric, Clothing, Method for Producing or Functionalizing a Textile Fabric and Uses of a Photosensitizer Bonded to a Textile Fabric

Номер патента: US20230313452A1. Автор: Beate Roeder,Birgit Armbruster,Wolfram Kofler. Владелец: ORTNER CLEANROOM ENGINEERING GMBH. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabricating method for micro gas sensor and the same

Номер патента: WO2009084871A1. Автор: Seong Dong Kim,Kwang Bum Park,Min Ho Lee,Joon Shik Park. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for fabricating lcd

Номер патента: US20130095430A1. Автор: Jun Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Fabricating method for sleeve-type ornament of display device

Номер патента: US20100283170A1. Автор: Wen-Hung Huang. Владелец: Hannspree Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Optical disc apparatus, information recording method, adjustment apparatus, adjustment method and fabrication method for optical disc apparatus, and method and apparatus for adjusting phase shift amount

Номер патента: US20050047297A1. Автор: Kuniaki Arai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Optical pickup head of optical recording reproducing apparatus, fabrication method thereof, lubricant-coated optical pickup head of optical recording reproducing apparatus and lubricant coating method thereof

Номер патента: US20040202101A1. Автор: Chang-Hoon Oh,Young-Joo Yee,Seong-Hyok Kim,Jung-Hoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-14.

RAMAN-ENHANCED SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND METHOD FOR DETECTING miRNA

Номер патента: NL2028411A. Автор: Liu Jing,Zhou Hong,Liu Shufeng,Ding Kexin. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2021-08-30.

RAMAN-ENHANCED SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND METHOD FOR DETECTING miRNA

Номер патента: NL2028411B1. Автор: Liu Jing,Zhou Hong,Liu Shufeng,Ding Kexin. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2022-01-28.

Modified cotton fabric for solid-phase extraction and fabrication method

Номер патента: US20190091658A1. Автор: Ali Reza Ghiasvand,Mina Behfar,Fatemeh Yazdankhah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-28.

Nonwoven fabric, method for producing the same, and filter formed with the same

Номер патента: US09731237B2. Автор: Gilbert Craig,Ying Yuk Ng. Владелец: FAIRTECH INVESTMENT Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods for producing tissues

Номер патента: RU2733838C2. Автор: Роберт Дж. ХЭРИРИ,Мохит Б. БХАТИА,Вольфганг ХОФГАРТНЕР,Цзя-Лунь ВАН,Цянь Е. Владелец: Антродженезис Корпорейшн. Дата публикации: 2020-10-07.

Plasma-Polymerized Hydrogel Thin Films and Methods for Making the Same

Номер патента: US20070010596A1. Автор: Prabhakar Tamirisa,Jere Koskinen,Dennis Hess. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

Method for fabricating a plastic molded indicator symbol and a plastic molded indicator symbol

Номер патента: WO2003089224A1. Автор: Timo Nissinen,Seppo Toivanen,Matti Mikkola,Hannu Lehmussaari,Simo Vahamottonen. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for fabricating a plastic molded indicator symbol and a plastic molded indicator symbol

Номер патента: EP1497097A1. Автор: Timo Nissinen,Seppo Toivanen,Matti Mikkola,Hannu Lehmussaari,Simo Vahamottonen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-01-19.

Superhydrophilic surface body, fabricating method thereof, and filter for oil and water separation

Номер патента: US20170190857A1. Автор: Woon Bong Hwang,Handong CHO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-07-06.

Superhydrophilic surface body, fabricating method thereof, and filter for oil and water separation

Номер патента: US09884775B2. Автор: Woon Bong Hwang,Handong CHO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2018-02-06.

Pixel structure and the fabricating method thereof

Номер патента: US20070161136A1. Автор: Yea-Chung Shih,Ta-Jung Su,Cheng-Fang Su. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Curved high temperature alloy sandwich panel with a truss core and fabrication method

Номер патента: US09731471B2. Автор: John H. Martin,Tobias A. Schaedler,Eric C. CLOUGH,Jacob M. Hundley,Christopher S. Roper. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for fabricating a belt with treated tension members with envelope layer and belt thus produced

Номер патента: US09695906B2. Автор: Stephan Brocke,Andre Kucharczyk,Hubert Goeser. Владелец: ContiTech Antriebssysteme GmbH. Дата публикации: 2017-07-04.

Fabrication method for stratified and layered tissue to repair osteochondral defects

Номер патента: US09616110B2. Автор: Corey P. Neu,Tyler A. Novak,Garrett Shannon. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-11.

Fabricating method for optical multilayer thin film structure

Номер патента: US20070247716A1. Автор: Myoung Jin Kim,Hwe Kyung KIM. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2007-10-25.

Method for preparing topological elastomers with highly branched structures, low modulus and high elasticity

Номер патента: US11746194B2. Автор: Tao Xie,Ning Zheng,Xiaona Xu. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-09-05.

The fabrication method of 3d nanowire array electrodes for air ionization and the apparatus using such electrodes

Номер патента: CA3093439A1. Автор: Qiong Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-17.

Fabrication method for steel thin-walled tailor-welded part and hot-stamped part prepared using tailored-welded part

Номер патента: EP4393631A1. Автор: Ming Lei,Hua PAN,Yue Wu,Chengjie LIU,Zhongqu SUN,Haomin JIANG,Shuyang Wang,Tianhai WU. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Fabrication method of conductive fabric, multi-pressure sensor for fiber type and measuring method of multi-pressure

Номер патента: US20210156752A1. Автор: Seong Jin Jang,Jae Hoon Ko,Jee Young Lim,Seung Ju LIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2021-05-27.

Sensor arrangement for sensing forces and methods for fabricating a sensor arrangement and parts thereof

Номер патента: EP4275025A1. Автор: Huanbo SUN,Georg MARTIUS,Katherine J. Kuchenbecker. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-11-15.

Sensor arrangement for sensing forces and methods for fabricating a sensor arrangement and parts thereof

Номер патента: US20240060836A1. Автор: Huanbo SUN,Georg MARTIUS,Katherine J. Kuchenbecker. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-02-22.

Lost circulation fabric, method, and deployment systems

Номер патента: US20210388683A1. Автор: Guodong Zhan,Bodong Li,Chinthaka Pasan Gooneratne,Jothibasu RAMASAMY. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-12-16.

Patterned graphene fabrication method

Номер патента: US20130183625A1. Автор: Chien-Min Sung,Hung-Cheng Lin,I-Chiao Lin. Владелец: Ritedia Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

System and fabrication method for actively cooling high performance components

Номер патента: US20050120704A1. Автор: Mark Horn. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2005-06-09.

Nano fabrication method for glass

Номер патента: US20080110863A1. Автор: Geun-bae Lim,Pan-Kyeom Kim. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2008-05-15.

System and method for facilitating on-site stain removal

Номер патента: WO2011088062A3. Автор: Mark Payne,Aaron Goodman. Владелец: Touch Stain, Llc. Дата публикации: 2011-11-17.

System and method for facilitating on-site stain removal

Номер патента: WO2011088062A2. Автор: Mark Payne,Aaron Goodman. Владелец: Touch Stain, Llc. Дата публикации: 2011-07-21.

Fabrication method for steel thin-walled tailor-welded part and hot-stamped part prepared using tailored-welded part

Номер патента: US20240351140A1. Автор: Ming Lei,Hua PAN,Yue Wu,Chengjie LIU,Zhongqu SUN,Haomin JIANG,Shuyang Wang,Tianhai WU. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Composition for sheet using biomass, eco-friendly composite sheet, and fabrication method for thereof

Номер патента: US09963832B2. Автор: Chan Suk Yoon,Chung Ku Han,Seung In Hong. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2018-05-08.

Curved face diffraction grating fabrication method, curved face diffraction grating cast, and curved face diffraction grating employing same

Номер патента: US09709714B2. Автор: Tetsuya Watanabe,Shigeru Matsui,Takanori Aono,Yoshisada Ebata,Yugo ONODA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Quantum chip, quantum computer, and fabrication method for quantum chip

Номер патента: US20240119335A1. Автор: Ye Li,Hui Yang. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Fiber optic cable assembly with integrated shuffle and fabrication method

Номер патента: US20220057592A1. Автор: QI Wu. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Fiber optic cable assembly with integrated shuffle and fabrication method

Номер патента: EP3973341A1. Автор: QI Wu. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Fabrication method for a multi-layered thin film protective layer

Номер патента: US20050054129A1. Автор: Kao-Su Huang,Wei-Shiau Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Magnetic head slider with crown profile and fabrication method for the magnetic head slider

Номер патента: US20080062566A1. Автор: Hirohisa Ishihara,Hironori Namba. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Fabrication method for a multi-layered thin film protective layer

Номер патента: US20020076863A1. Автор: Kao-Su Huang,Wei-Shiau Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Three-dimensional comb-tooth-shaped groove array surface for bearing and fabricating method thereof

Номер патента: US20240352972A1. Автор: Feng Guo,Bin JU,Xin Ming Li,Cheng Long LIU,Qing Hua BAI,Shu Yi LI. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-10-24.

Lens array fabrication method, and film containing base plate and film attaching instrument employed in same

Номер патента: US09995856B2. Автор: Makoto Goto,Nobuhiro Hashimoto,Shimpei Morioka,Masahiro Tanazawa. Владелец: Enplas Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Lens array fabrication method, and film containing base plate and film attaching instrument employed in same

Номер патента: US09575281B2. Автор: Makoto Goto,Nobuhiro Hashimoto,Shimpei Morioka,Masahiro Tanazawa. Владелец: Tomoegawa Paper Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for improving the imaging properties of at least two optical elements and photolithographic fabrication method

Номер патента: US20050254773A1. Автор: Toralf Gruner,Alexander Kohl,Birgit Kurz. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2005-11-17.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for improving the imaging properties of at least two optical elements and photolithographic fabrication method

Номер патента: US7027237B2. Автор: Toralf Gruner,Alexander Kohl,Birgit Mecking. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2006-04-11.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Ink jet printer head and method for fabricating same

Номер патента: EP1287994A3. Автор: Jun Sugiyama. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2004-03-03.

Non-planar metasurfaces and related fabrication methods

Номер патента: WO2024130211A1. Автор: FAN YANG,Juejun Hu,Tian GU,Hung-I Lin,Luigi Ranno,Louis Marie Philippe MARTIN. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-06-20.

Fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20240326320A1. Автор: Hiroyuki Naito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-03.

Biomimetic-biofunctional scaffold fabrication method for bilayer pathologies with different tissue types

Номер патента: WO2024136818A2. Автор: Cem Bulent USTUNDAG,Oguzhan GUNDUZ,Bedi̇r Tuba,Hilal YILMAZ. Владелец: Marmara Universitesi. Дата публикации: 2024-06-27.

Fabrication method of burnable absorber nuclear fuel pellets and burnable absorber nuclear fuel pellets fabricated by the same

Номер патента: US09653188B2. Автор: Jong-Hun Kim,Young Woo Rhee,Dong-Joo Kim,Keon-Sik Kim,Yang-Hyun Koo,Jae-Jo Yang. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2017-05-16.

Tip array structure and fabricating method of tip structure

Номер патента: US7814566B2. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-10-12.

Method for clasp dental prosthesis production

Номер патента: RU2623032C2. Автор: Валерий Васильевич Тарасов,Борис Анатольевич Якимович,Юрий Владимирович Пузанов,Алексей Гертрудович Бажин,Владимир Юрьевич Пузанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт механики Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2017-06-21.

Organic/inorganic hybrid material and fabrication method thereof

Номер патента: US20110130495A1. Автор: Chyi-Ming Leu,Tzong-Ming Lee,Yung-Lung Tseng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-06-02.

Fabrication methods for magnetic recording tape having resilient substrate

Номер патента: US20210151078A1. Автор: Richard Bradshaw. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Scaffold comprising surface hyperboloid structure, methods for fabrication and use thereof

Номер патента: US20230067449A1. Автор: XIN ZHAO,Yuhe Yang,Tianpeng Xu. Владелец: Hong Kong Polytechnic University HKPU. Дата публикации: 2023-03-02.

Corn smut-based denim-type fabrics methods and systems

Номер патента: US20230332349A1. Автор: Saif Najam Khawaja,Sauf Khawaja,Julia Bell,Natalia Cabalceta,Alina Peng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-19.

Fabrication methods for magnetic recording tape having resilient substrate

Номер патента: US20210082466A1. Автор: Richard Bradshaw. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Color filter substrate, fabricating method of color filter substrate, touch screen and display device

Номер патента: US09990068B2. Автор: Wei Zhang,Yong Wang,Qichao CHEN,Cheng GU,Junhua NIU,Zhengcai LIU. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Miniature diaphragm-based fiber-optic tip FP pressure sensor, and fabrication method and application thereof

Номер патента: US12044591B2. Автор: Wei Peng,Qiang Liu,Ang Li,Yueying Liu,Zhenguo Jing. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-07-23.

Multicolor electrochromic structure, fabrication method and application thereof

Номер патента: US11747695B2. Автор: Zhigang Zhao,ZHEN Wang,Shan Cong. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-09-05.

Graphene platelet fabrication method and graphene platelet fabricated thereby

Номер патента: US09944530B2. Автор: Hung-Cheng Lin,I-Chiao Lin. Владелец: Ritedia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Miniature shredding tool for use in medical applications and methods for making

Номер патента: US09907564B2. Автор: Adam L. Cohen,Michael S. Lockard,Richard T. Chen,Uri Frodis. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Flooring material and fabrication method thereof

Номер патента: US09833974B2. Автор: Gyeongmin Lee,Hyunjong Kwon,Kyungtae Ha. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100068965A1. Автор: Bong Chul Kim,Seung Hyun Lee,Jeong-Hyun Kim,Myoung Ho Lee,Min Joo Kim,Kyo Yong Koo,Hyeon Jin Seo,Se Jong Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Lamination fabricating method

Номер патента: US20230278102A1. Автор: Yasuyuki Yamashita,Hisataka Takagi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for microfabricating structures using silicon-on-insulator material

Номер патента: US20040102021A1. Автор: Jeffrey Borenstein,William Sawyer. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2004-05-27.

Graphene platelet fabrication method and graphene platelet fabricated thereby

Номер патента: US9944530B2. Автор: Hung-Cheng Lin,I-Chiao Lin. Владелец: Ritedia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Lost circulation fabric, method, and deployment systems

Номер патента: US20210388685A1. Автор: Guodong Zhan,Bodong Li,Chinthaka Pasan Gooneratne,Jothibasu RAMASAMY. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-12-16.

Electrochromic materials and fabrication methods

Номер патента: US09904137B1. Автор: Nelson R. Holcomb,Zhongchun Wang,Paul Phong Nguyen. Владелец: Clearist Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated optical assembly apparatus and integrated fabrication method for coupling optical energy

Номер патента: US09746608B1. Автор: Payam Rabiei. Владелец: Partow Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Touch substrate, mask plate for fabricating the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3488329A1. Автор: Ming Zhang,Chunjian Liu,Ming Hu,Yu Zhu,Shifeng Xu,Zouming Xu,Xinbin TIAN,Qitao ZHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

FABRICATION METHOD OF HEXAGONAL BORON NITRIDE (h-BN)-BASED THERMALLY-CONDUCTIVE COMPOSITE FILM

Номер патента: US20220402257A1. Автор: Daniel Huang,Chaoming Wu,Renzheng Chen,Mars GUO. Владелец: Suzhou Kanronics Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Fabricating method of alignment film

Номер патента: US09766499B2. Автор: Yongzhi SONG,Xiaona Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Electrowetting display panel, fabrication method thereof and display apparatus comprising the same

Номер патента: US09709799B2. Автор: Juan Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Tool for friction welding with mixing, method of its fabrication, method of friction welding with mixing of two metal workpieces, and method of producing metal part

Номер патента: RU2417143C2. Автор: Роберт Ян МАЗИАРЗ. Владелец: Эебас ЮКей Лимитид. Дата публикации: 2011-04-27.

Inflatable pool and fabrication method therefor

Номер патента: EP4159954A1. Автор: Xuming TAI. Владелец: Jiangsu Jilong Sport And Leisure Products Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Waveplates on a curved surface and fabrication method thereof

Номер патента: EP3921145A1. Автор: Ying Geng,Babak Amirsolaimani. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-15.

Reflective mask and fabricating method thereof

Номер патента: US20230229072A1. Автор: Tsiao-Chen Wu,Pei-Cheng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Hybrid glass plastic flow cell and fabrication methods

Номер патента: EP4294569A1. Автор: Amit Sharma,Paul Crivelli,Jonathan Ziebarth,Jon Aday,Gerald KRIENDL. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US10112823B2. Автор: Wei Wang,Chao ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US20160194198A1. Автор: Wei Wang,Chao ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US8586810B2. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2013-11-19.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US20130096348A1. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Reflective mask and fabricating method thereof

Номер патента: US12038684B2. Автор: Tsiao-Chen Wu,Pei-Cheng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Fabrication methods and multifunctional substrate materials for chemical and biological analysis in microfluidic systems

Номер патента: WO2006012614A2. Автор: Scott Boyette,Radislav Alexandrovich Potyrailo,Andrew Michael Leach,Jeffrey Bernard Fortin,Joshua Isaac Wright. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Rubber composition fabrication method and rubber composition

Номер патента: US09790333B2. Автор: Takashi Miyasaka. Владелец: Toyo Tire and Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09665230B2. Автор: FENG CHEN,Yuh-Wen Lee,Yanjun Xie,Hsiang-Lung Hsia,Xianbin Xu,Keming Ruan,Fengming Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Crystallized artificial marble using incineration ash and related fabrication method

Номер патента: US20050179159A1. Автор: Dae Kim,Hyun Shin,Yeong Seok Yoo,Chai Gee,Soo Um. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Ion detection sensor fabrication method and ion detection sensor fabricated by the same

Номер патента: US12025580B2. Автор: Ki Soo Kim,Seung Min CHO,Min Gu Cho,Hong Gi OH. Владелец: Mck Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Mouse pad fabrication method

Номер патента: US20040065975A1. Автор: Bob Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-08.

Thermoluminescent dosimeter for radiation monitoring, comprising LiF doped with Mg, Cu, and Si, and fabrication method thereof

Номер патента: US20080142731A1. Автор: Jong-Soo Kim,Bong-Hwan Kim,Jung-Il Lee,Jang-Lyul Kim,Jeong-Sun Yang. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Active array color filter structure and fabricating method therefor

Номер патента: US20070268421A1. Автор: Chao-Kai Cheng,Yuh-Zheng Lee,Wan-Wen Chiu,Fu-Kang Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-22.

Fabrication method of v-ribbed belt

Номер патента: US20140103562A1. Автор: Takayuki Okubo,Hiroyuki Shiriike. Владелец: Bando Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Methods for preventing edge and repeated shorting of electrodes in electrostatic clutches

Номер патента: WO2024145660A2. Автор: John D. WATKINS,Kevin Sylvester,Kirby A. WITTE,Stuart B. DILLER. Владелец: Estat Actuation, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Fabrication method of platinum/granular activated carbon catalyst for ambient temperature catalytic oxidation of co and h2, said catalyst and its use in trace contaminant control

Номер патента: EP4400211A1. Автор: Ping Yu. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Methods for preventing edge and repeated shorting of electrodes in electrostatic clutches

Номер патента: WO2024145660A3. Автор: John D. WATKINS,Kevin Sylvester,Kirby A. WITTE,Stuart B. DILLER. Владелец: Estat Actuation, Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof

Номер патента: US09869928B2. Автор: Anthony Yen,Chih-Tsung Shih,Hsin-Chang Lee,Chia-Jen Chen,Tao-Min HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Rubber pad fabrication method

Номер патента: US20050269739A1. Автор: Rong-Fen Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-08.

Liquid crystal display device and a fabricating method

Номер патента: US20010013918A1. Автор: Kwang Park,Dong Kwak. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

Reflector structure in a liquid crystal display and its fabrication method

Номер патента: US20040228128A1. Автор: Wen-Jian Lin,Hong-Da Liu,Hung-Huei Hsu. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Reflector structure in a liquid crystal display and its fabrication method

Номер патента: US7066624B2. Автор: Wen-Jian Lin,Hong-Da Liu,Hung-Huei Hsu. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-27.

Concentric buckling based vertical probe and its fabrication method

Номер патента: WO2009014357A2. Автор: Jung-yup Kim,Jae-Hyun Kim,Seung-Woo Han,Byung-Ik Choi,Hak-Joo Lee,Seung-Min Hyun. Владелец: KOREA INSTITUTE OF MACHINERY & MATERIALS. Дата публикации: 2009-01-29.

Touch panel, fabrication method, repair method,and touch device

Номер патента: US20200272278A1. Автор: Conghua MA,Qijun Yao. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Thermally driven digital microfluidic chip, fabricating method and control method thereof

Номер патента: US20190184397A1. Автор: Yue Li,Yu Zhao,WANG Guo,Dong Wang,Jinyu Li,Mingyang Lv,Yanchen Li,Dawei Feng,Shaojun HOU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Stereoscopic display device, fabrication method and stereoscopic display method

Номер патента: US20210223569A1. Автор: Wenchu Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Membrane modules utilizing innovative geometries of net-type feed spacers for improved performance in separations and spacer-fabrication methods therein

Номер патента: US20160151745A1. Автор: Anastasios I. Karabelas,Chrysafenia P. Koutsou. Владелец: CENTER FOR RESEARCH AND TECHNOLOGY-HELLAS (CERTH). Дата публикации: 2016-06-02.

Light-emitting panel, and driving method and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US11244603B1. Автор: Lihua Wang,Conghua MA,Xiaoping Sun,Qiang Dong. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Covering for railroad switch mechanisms in hollow sleepers and fabrication method thereof

Номер патента: EP2226426A3. Автор: Cesar Fernandez Sanchez,Luis Blanco Belda. Владелец: Desarrollos Y Fabricacion Dyf Sa. Дата публикации: 2014-01-01.

Semiconductor non-volatile memory, data-writing method, semiconductor non-volatile memory fabrication method, and data-writing program storage medium

Номер патента: US7630269B2. Автор: Narihisa FUJII,Kenji Oonuki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-08.

Semiconductor non-volatile memory, data-writing method, semiconductor non-volatile memory fabrication method, and data-writing program storage medium

Номер патента: US20080062801A1. Автор: Narihisa FUJII,Kenji Oonuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Double-Layer Open-End Zipper, Double-Layer 3-in-One Open-End Zipper, and Their Fabrication Method

Номер патента: US20150026932A1. Автор: Lien-Chou Wang. Владелец: GENMORE ZIPPER CORP. Дата публикации: 2015-01-29.

Heat resistive particles for particle-based displays and fabrication methods thereof

Номер патента: US20130088768A1. Автор: Rong-Chang Liang,Jung-Yang Juang,Jiunn-Jye HWANG HWANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Fabrication method of deflecting film

Номер патента: US20190121200A1. Автор: Zi WANG,Qibin Feng,Guoqiang Lv. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2019-04-25.

Liquid crystal panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09933653B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Liquid crystal display panel, driving method and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09645455B2. Автор: Miki Kashima. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Microneedles and methods for their production

Номер патента: RU2719937C1. Автор: Дэвин МАКАЛЛИСТЕР,Марк ПРАУСНИЦ,Себастиен ГЕНРИ,Синь Дун ГО. Владелец: Джорджия Тек Рисёч Корпорейшн. Дата публикации: 2020-04-23.

Inkjet printer head and fabricating method thereof

Номер патента: US20070171259A1. Автор: Won-Chul Sim,Soon-Young Kim,Jae-Woo Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Fluid injection apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20070237682A1. Автор: Chung Cheng Chou,Wen Pin Chuang. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

High-strength pipeline resistant to aluminum sulfate corrosion and fabrication method therefor

Номер патента: EP4438763A1. Автор: Bo Yan,Zhiyu Wang,Zhanjie Li,Sihai JIAO. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

A fabrication method of orthopedic insole based on the evaluation of lower extremity biomechanical parameters

Номер патента: LU506705B1. Автор: Zhendi Shu. Владелец: The Second Affiliated Hospital And Yuying Childrens Hospital Of Wenzhou Medical Univ. Дата публикации: 2024-09-27.

Alignment film and fabrication method thereof, liquid crystal panel and display device

Номер патента: US09753331B2. Автор: Jifeng TAN,Xinxing Wang,Jikai YAO,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Builder fabric, method for manufacture thereof, composition material and ballistic protective package

Номер патента: RU2680129C1. Автор: Игорь Владимирович Тихонов,Андрей Юрьевич Кутюрин,Иван Васильевич Слугин,Валентин Григорьевич Бова,Александр Валентинович Бова,Олег Иванович Моисеев. Владелец: Акционерное Общество "Научно-производственное предприятие "Термостойкий текстиль" (АО НПП "Термотекс"). Дата публикации: 2019-02-15.

Method for fabricating highly elastic porous polymer membrane, method for manufacturing cell culture system using porous polymer membrane fabricated by the fabrication method and cell culture system manufactured by the manufacturing method

Номер патента: US20210301241A1. Автор: Soo Hyun Kim,Young Mee Jung,Tae Hee Kim,Jin Yoo,Justin Jihong Chung. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for fabricating highly elastic porous polymer membrane, method for manufacturing cell culture system using porous polymer membrane fabricated by the fabrication method and cell culture system manufactured by the manufacturing method

Номер патента: US11920118B2. Автор: Soo Hyun Kim,Young Mee Jung,Tae Hee Kim,Jin Yoo,Justin Jihong Chung. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of setting fabrication condition, additive fabrication method, additive fabrication system, and program

Номер патента: US20230286051A1. Автор: Naoki Mukai,Shun Izutani. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Silk fiber-containing nonwoven fabric, wound dressing, ips cell scaffold material, nonwoven fabric for blood compatible material, blood compatible material, method for producing silk fiber-containing nonwoven fabric, method for producing wound dressing, method for producing ips cell scaffold material, method for producing nonwoven fabric for blood compatible material, and method for producing blood compatible material

Номер патента: EP4008822A1. Автор: Wataru Kawai,Kei Matsunaga,Yuki Hagiwara,Yuki SEKIYA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-08.

Plate brush fabrication method and plate brush proper

Номер патента: RU2344736C2. Автор: Мауно КИРККАЛА. Владелец: Саякорпи Ой. Дата публикации: 2009-01-27.

Composite fabric, method for forming composite fabric, and use of a composite matter fabric

Номер патента: WO2019104331A1. Автор: Jeffry B. Skiba,Scott N. SHEFTEL,Stanley N. SHEFTEL. Владелец: Sheftel Stanley N. Дата публикации: 2019-05-31.

Non-woven fabric, method for fabricating non-woven fabric, and gas generation apparatus

Номер патента: US20120171089A1. Автор: Cheng Wang,Po-Kuei Chou,Din-Sun Ju,Tsai-Hsin Cheng,Wei-Yi Yen. Владелец: Young Green Energy Co. Дата публикации: 2012-07-05.

Industrial fabric, method for producing a nonwoven, and use of an industrial fabric

Номер патента: US20170356104A1. Автор: Pascal Debyser,Jean-Louis Monnerie,Dieter Kuckart. Владелец: AstenJohnson PGmbH. Дата публикации: 2017-12-14.

Systems and methods for marking models for dental aligner fabrication

Номер патента: WO2020163433A1. Автор: Christopher Yancey,Josh Long,Clete Culp,Daniel Pfeffer,Tony Solarek. Владелец: SmileDirectClub LLC. Дата публикации: 2020-08-13.

Inkjet printhead with two-dimensional nozzle arrangement and fabricating method therefor

Номер патента: WO2001083220A1. Автор: Chul-Hi Han,Ki-Chul Chun,Jae-Duk Lee,Choon-Sup Lee. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2001-11-08.

Monolithic bubble-ink jet print head having anti-curing-deformation part and fabrication method thereof

Номер патента: US7168787B2. Автор: Myung-Song Jung,Tae-Kyun Kim,Jung-Woog Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Silicide capacitive micro electromechanical structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230116389A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Di-Bao Wang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Half tone mask and fabricating method

Номер патента: WO2010074481A3. Автор: Joo Hyun Hwang,Jin Ho HONG,Seung Ho Back,Seung Han Kang. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2010-09-16.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US20240227087A1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-11.

Display panel and its fabrication method, and display device

Номер патента: US20220206634A1. Автор: Ruiqi HUANG,Qingxia Wang. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Artificial retinal nerve flexible microelectrode device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210290947A1. Автор: Chengzhi LUO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US20110160475A1. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Fabrication method of a holding sleeve

Номер патента: US20180369999A1. Автор: Larry Lee. Владелец: Tien I Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Display-panel motherboard and fabricating method thereof

Номер патента: US20200292862A1. Автор: JI Li,Lisen Wang,Zhiyang Gao,Zhaozhe Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

A fabrication method of transparent resin substrate along with transparent resin substrate

Номер патента: EP2402794A3. Автор: Takuji Mizuno. Владелец: TONY OPTICAL ENTERPRISES CO Ltd. Дата публикации: 2012-06-06.

Fluid control assembly and fabrication method therefor

Номер патента: US20240159321A1. Автор: LONG Lin,Yun Wang,Lixin Wang,Jianhua CHI. Владелец: Zhejiang Sanhua Automotive Components Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Fabrication method of an elastomer with topographical structure formed by the breath figure technique

Номер патента: WO2022106290A1. Автор: Xi Wu,Aldo Ferrari,Raoul HOPF,Edoardo Mazza,Andreas Kourouklis. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2022-05-27.

Fabrication method of minute pattern

Номер патента: US8461048B2. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Fiber optic cable assembly with overlapping bundled strength members, and fabrication method and apparatus

Номер патента: US11774677B2. Автор: QI Wu. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US12042885B1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-23.

Solid-state light emitting display and fabrication method thereof

Номер патента: US20080280384A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chia-Chiang Chang,Chia-Hung Hung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-11-13.

Resonating star gyroscope and fabrication methods

Номер патента: US20060225504A1. Автор: Ajit Sharma,Farrokh Ayazi,Mohammad ZAMAN,Babak Amini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Fitness auxiliary roller fabrication method

Номер патента: US20130213554A1. Автор: Victor Tsai. Владелец: SING PONG INTERNATIONAL CO Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US20210113999A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-22.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: EP3808452A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-21.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US11583835B2. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-02-21.

Array substrate for a transflective liquid crystal display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20050237453A1. Автор: Kyoung-Su Ha,Joo-Soo Lim,Won-Seok Kang,Se-Duk Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Gymnastic auxiliary apparatus fabrication method

Номер патента: US20120124803A1. Автор: Victor Tsai. Владелец: SING PONG INTERNATIONAL CO Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Liquid crystal panel for improving the uniformity of the parasitic capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US8179511B2. Автор: Moon Soo Kang,Hyung Ho Ahn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070103609A1. Автор: Moon Kang,Hyung Ahn. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Fabrication method of minute pattern

Номер патента: US20120138569A1. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Whispering gallery mode resonator based on cylindrical cavity in optical fiber and fabrication method thereof

Номер патента: US20240295794A1. Автор: Dongning Wang,Yongli Mei,Qiaoben Wang. Владелец: Shenzhen Technology University. Дата публикации: 2024-09-05.

Fabrication method of light guide plate

Номер патента: US20230244106A1. Автор: Chien-Wei Liao,Yen-Lung Chen,Yu-Huan Chiu. Владелец: Darwin Precisions Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040227892A1. Автор: Ya-Hsiang Tai,Jun Chang Chen. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20020085145A1. Автор: Su Choi. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040070703A1. Автор: Su Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Optical storage media and fabrication method thereof

Номер патента: US20050142323A1. Автор: Shin-Shin Wang,Hui-Ping Tsai,Wen-Yih Liao,Ming-Chia Lee,Wen-Ping Chu,Hsin-Hong Yao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-06-30.

Fluid injection devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060071302A1. Автор: Hung-Sheng Hu,Wei-Lin Chen,Der-Rong Shyn. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Recording medium cartridge and fabrication method thereof

Номер патента: US20070086111A1. Автор: Hideaki Shiga. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Hook tape fabrication method

Номер патента: US20030014852A1. Автор: Tony Tseng. Владелец: Taiwan Paiho Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Optical device fabrication method

Номер патента: US20230367202A1. Автор: Lei Sun. Владелец: SHphotonics Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR STIMULATION OF BIOLOGICAL TISSUE

Номер патента: US20120004580A1. Автор: Wagner Timothy Andrew,Eden Uri Tzvi. Владелец: HIGHLAND INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for fabrication of ammonia perchlorate containing hydrophobisated fraction

Номер патента: RU2363690C2. Автор: Герман Георгиевич Колосов,Михаил Андреевич Чернов,Клара Васильевна Чудинова,Наталья Борисовна Гончарова,Ольга Валерьевна Журавлева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2009-08-10.

APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING RADIATION

Номер патента: US20120001761A1. Автор: Voutilainen Martti,Pasanen Pirjo. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Spiral-type heat exchanger and its fabrication method

Номер патента: RU2358218C1. Автор: Леонид Владимирович Чумазов. Владелец: Леонид Владимирович Чумазов. Дата публикации: 2009-06-10.

Rock destroying drilling tool fabrication method

Номер патента: RU2392412C1. Автор: Родион Михайлович Богомолов,Николай Митрофанович Панин,Юрий Евдокимович Будюков,Владимир Федорович Сорокин,Игорь Николаевич Некрасов. Владелец: Николай Митрофанович Панин. Дата публикации: 2010-06-20.

Thick-film resistor fabrication method

Номер патента: RU2552631C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Борис Владимирович Бавыкин,Сергей Валерьевич Симаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН"). Дата публикации: 2015-06-10.

Fabrication method of long hollow ship's shafts of large and mean diametres from low-magnetic corrosion-resistant steels

Номер патента: RU2387494C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Виктор Николаевич Еремин,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Константин Александрович Усанов,Дмитрий Всеволодович Марков. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-27.

Bicomponent filament for cord fabrics, method of its production, cord fabric

Номер патента: RU2175694C1. Автор: В.М. Баранов,С.Д. Лаушкин,Н.И. Столяров,ров Н.И. Стол,Н.В. Кулешова,А.П. Горшкова. Владелец: Щекинское открытое акционерное общество "Химволокно". Дата публикации: 2001-11-10.

Vehicle wheel tyre fabrication method and installation

Номер патента: RU2344933C1. Автор: Джанни МАНЧИНИ. Владелец: ПИРЕЛЛИ ТАЙР С.П.А.. Дата публикации: 2009-01-27.

Label fabrication method

Номер патента: RU2566256C1. Автор: Дмитрий Борисович Тугушев,Елена Александровна Маслова. Владелец: Дмитрий Борисович Тугушев. Дата публикации: 2015-10-20.

Filter fabrication method

Номер патента: RU2537601C1. Автор: Александр Григорьевич Мелехин,Александр Михайлович Минченков,Владимир Борисович Шатров,Галина Павловна Стерлягова. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Искра". Дата публикации: 2015-01-10.

Glass foam fabrication method

Номер патента: RU2255060C1. Автор: М.П. Дудко,А.А. Зиновьев,В.З. Леонидов. Владелец: Зиновьев Андрей Адольфович. Дата публикации: 2005-06-27.

Fabrication method of seamless hot-deformed tubes of large and mean diametres on tube-forming installations with pilger mills

Номер патента: RU2387498C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Валерий Александрович Головинов,Владимир Сергеевич Баричко,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Дмитрий Всеволодович Марков,Юрий Борисович Белокозович,Сергей Геннадьевич Чикалов,Константин Николаевич Бубнов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.