Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09601351B2
Опубликовано: 21-03-2017
Автор(ы): Hiroaki Katou, Yuki Fukui
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of making gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US11894443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Feautures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210202699A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: WO2008131379A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemost Technology Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Strained and unstrained semiconductor device features formed on the same substrate

Номер патента: US09917154B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having gate spacers extending below a fin top surface

Номер патента: US12125891B2. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11824100B2. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240021697A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Gate Spacers In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230387245A1. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09870949B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing double diffused drains in semiconductor devices

Номер патента: US20080132024A1. Автор: Shao-Yen Ku,Hung-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of fabricating dual gate electrode of CMOS semiconductor device

Номер патента: US7402478B2. Автор: Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-22.

Method of Forming Fully Silicided NMOS and PMOS Semiconductor Devices Having Independent Polysilicon Gate Thicknesses, and Related Device

Номер патента: US20090321846A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040061189A1. Автор: Sang-Yong Kim,Ji-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11923455B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200044074A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166953A1. Автор: Hyung Sun Yun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

High Density Shield Gate Transistor Structure and Method of Making

Номер патента: US20230238440A1. Автор: Lei Zhang,Xiaobin Wang,Sik Lui,Madhur Bobde. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

A method of fabricating gate electrodes of a semiconductor device fabricated by a hardmask and double exposure in conjunction with a size reduction spacer

Номер патента: DE102010040066B4. Автор: Klaus Gebauer,Sven Beyer,Andreas Hellmich,Steffen Laufer. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of forming replacement gate structures for nfet semiconductor devices and devices having such gate structures

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Huang Liu,Wonwoo Kim,Jean-Baptiste Laloe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110133288A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

A method for forming a semiconductor structure, a method of forming a mask set for forming semiconductor devices, a resistor

Номер патента: TW200743161A. Автор: Chih-Sheng Chang,Michael Yu,Chih-Ping Chao,Chun-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-16.

Methods of forming epitaxial source/drain features in semiconductor devices

Номер патента: US12119378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210134955A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200075724A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device structure and method for forming same

Номер патента: US20240332395A1. Автор: Zeyong CHEN,Yunbo Chen,Yohtz Julian CHANG,Canyang HUANG. Владелец: Guangzhou Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing a reverse blocking semiconductor device

Номер патента: US09679892B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor devices including finFETs and local interconnect layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US09443851B2. Автор: RWIK Sengupta,RAHEEL Azmat. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Reverse Blocking Semiconductor Device, Semiconductor Device with Local Emitter Efficiency Modification and Method of Manufacturing a Reverse Blocking Semiconductor Device

Номер патента: US20140209973A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-31.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: EP4310888A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-24.

Methods of forming doped epitaxial SiGe material on semiconductor devices

Номер патента: US09455140B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: US20240030307A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of manufacturing MOSFET having a semiconductor base substrate with a super junction structure

Номер патента: US11843048B2. Автор: Daisuke Arai,Koichi Murakami,Noriaki Suzuki,Takeshi Asada,Mizue Kitada. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of fin selection for improved performance in semiconductor devices

Номер патента: US20240046021A1. Автор: Shellin Liu,Jui-Tse Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Reverse conducting semiconductor device and method of manufacturing a reverse conducting semiconductor device

Номер патента: DE102021125993A1. Автор: Koichi Nishi,Takahiro Nakatani,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

METHOD OF FORMING GATE STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170186853A1. Автор: ZHU Ming,Young Bao-Ru,Chuang Harry Hak-Lay,Chen Chao-Cheng,LIN Hui-Wen,HUANG Yuan-Sheng,CHEN Ryan Chia-Jen,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.,HSIEH Ting-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device with high-k/dual metal gate

Номер патента: US20090039433A1. Автор: Harry Chuang,Chien-Liang Chen,Wen-Chih Yang,Chii-Horng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of Tuning Work Function for A Semiconductor Device

Номер патента: US20160049301A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of manufacturing self-aligned contact in semiconductor device

Номер патента: CN106653847B. Автор: 李振铭,杨复凯,王美匀,赵高毅. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-17.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110254095A1. Автор: Yoshiaki Ito,Koichiro Kamata,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210233906A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160233131A1. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Method of manufacturing and operating a semiconductor device with piezoelectric stress liner

Номер патента: DE102006062916B3. Автор: Rudolf Stierstorfer,Matthias Hierlemann,Jingyu Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-16.

Methods of forming fin isolation regions on FinFET semiconductor devices by implantation of an oxidation-retarding material

Номер патента: US09673083B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of making a grooved gate structure of semiconductor device

Номер патента: US5776835A. Автор: Ching-Fa Yeh,Jwinn Lein Su. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-07-07.

Methods of forming patterns with multiple layers for semiconductor devices

Номер патента: US10014181B2. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09735261B2. Автор: Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Meng-Ku Chen,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352531A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Christian Jaeger,Daniel Schloegl,Benedikt Stoib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170250089A1. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190043957A1. Автор: Yasuyuki Hoshi,Yuichi HASHIZUME,Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Vertical oriented semiconductor device comprising well regions having a lateral doping gradient with monotonic decreasing doping concentration, as well as a corresponding method of manufacturing such a vertical oriented semiconductor device

Номер патента: US20240030315A1. Автор: Falk-Ulrich Stein,Jakob Teichrib. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254916A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical pn junction between body region and drift structure

Номер патента: US11195946B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method for manufacturing a field-effect semiconductor device following a replacement gate process

Номер патента: EP2608264A1. Автор: Liesbeth Witters,Geert Hellings,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-26.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US20240274527A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09449886B2. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US9548203B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20130341732A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20150061039A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150194486A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20170358644A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor devices having late-formed isolation structures

Номер патента: US11908857B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160079355A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Gate Capping Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230317828A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11973027B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230307285A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jui-Chien Huang,Cheng-Yin WANG,Sandy Szuya Liao,Wei-Chen Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230040346A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Tzu-Li Lee,Yu-Chia LIANG,Hsiang-Pi Chang,Wen-Chung Liu,Chun-I Wu,Duen-Huei HOU,Chun-Chun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including forming a protective film with a 2-layer structure comprised of silicon and carbon

Номер патента: US09748149B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing a vertical type semiconductor device

Номер патента: KR101660262B1. Автор: 박영우,설광수,임진수,유병관. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-09-27.

Preventing method of gate oxide damage in a semiconductor device

Номер патента: KR100575613B1. Автор: 허은미. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-03.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of depositing thin passivating film on microminiature semiconductor devices

Номер патента: US5620909A. Автор: Fan Ren,Jenshan Lin,James R. Lothian. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793376B2. Автор: Toshimasa Yamamoto,Jun Morimoto,Yukihiko Watanabe,Narumasa Soejima,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09608054B2. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

FinFET device having flat-top epitaxial features and method of making the same

Номер патента: US11769771B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee,Li-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Номер патента: US20170103894A1. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-13.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device by removing amorphized portions

Номер патента: US09934972B2. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210057224A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230317524A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device having optimized drain termination and method therefor

Номер патента: US20200066838A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Methods of forming fin isolation regions on FinFET semiconductor devices using an oxidation-blocking layer of material and by performing a fin-trimming process

Номер патента: US09431306B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130270569A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160056259A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Compartment Shielding for a Semiconductor Package

Номер патента: US20240321845A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Номер патента: US20180204725A1. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-07-19.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing electronic device, substrate and semiconductor device

Номер патента: US7829378B2. Автор: Yoshihiro Machida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Номер патента: US20180204725A1. Автор: Rupp Roland,Peters Dethard,AICHINGER Thomas,BERGNER Wolfgang,ESTEVE Romain,KUECK Daniel,Poenariu Victorina,Reinwald Gerald,Unegg Gerald. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: CN1129355A. Автор: 山崎舜平,竹村保彦,须泽英臣. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-21.

Superjunction power semiconductor device and method for manufacturing a superjunction power semiconductor device

Номер патента: WO2024099537A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140189615A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183603A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Logic cell, semiconductor device including logic cell, and method of manufacturing the logic cell and semiconductor device

Номер патента: US09653394B2. Автор: Jung-Ho Do,Chul-Hong Park,Byung-Sung Kim,Vincent Chun Fai LAU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of performing chemical-mechanical polishing process in semiconductor devices

Номер патента: US11742239B2. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Logic cell, semiconductor device including logic cell, and method of manufacturing the logic cell and semiconductor device

Номер патента: US20190109088A1. Автор: Jung-Ho Do,Chul-Hong Park,Byung-Sung Kim,Vincent Chun Fai LAU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183659A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Apparatus and method of activating impurity atom in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20060105552A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-18.

Vertical type semiconductor device, method of manufacturing a vertical type semiconductor device and method of operating a vertical semiconductor device

Номер патента: US20110205816A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12046634B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240339497A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20230386910A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor devices

Номер патента: US09923047B2. Автор: Youn-Joung Cho,Younsoo Kim,Yunjung Choi,Seongyul Park,Jae Hyoung Choi,Se Hoon Oh,Gyu-hee Park,Chin Moo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Process for manufacturing a silicon carbide semiconductor device having improved characteristics

Номер патента: US20220005702A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Alfio Russo,Nicolo' Piluso,Andrea Severino,Leonardo Caudo,Stefania RINALDI Beatrice,AngeloAnnibale MAZZEO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-01-06.

FinFET device and method of forming same

Номер патента: US11862508B2. Автор: Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Chih-tang Peng,Bo-Cyuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8980665B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220052157A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES, METHODS OF MANUFACTURING OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES, DISPLAY DEVICES HAVING OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES, METHODS OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICES HAVING OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150132871A1. Автор: YOON Joo-Sun,KIM KI-HONG,Ahn Ki-Wan,Wang Seong-Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230121210A1. Автор: Tze-Liang Lee,Jen Hung Wang,Wei-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US09564531B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US09837371B2. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US09935045B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing chip-size package-type semiconductor device

Номер патента: CA2159243C. Автор: Shuichi Matsuda,Keiichiro Kata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-13.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US09431273B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Polishing compostion for semiconductor process, manufacturing method of polishing composition and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230332014A1. Автор: Han Teo PARK,Jang Kuk KWON,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of forming a leadframe for a semiconductor package

Номер патента: US20050037544A1. Автор: Darrell Truhitte,Guan Quah. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US20170207189A1. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: CA1174821A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1984-09-25.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: US4507675A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US11959173B2. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US20240209510A1. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Process for manufacturing a surface-mount semiconductor device, and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20160351476A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09887194B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09923062B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20210126113A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US12057446B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US20240355815A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11699588B2. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-11.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220208548A1. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-30.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536825B2. Автор: Choong-ho Lee,Jung-Gun You,Wei-Hua Hsu,Hyung-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831101B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09576795B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230411457A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Kan-Ju LIN,Min-Hsuan LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US9620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US09620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US09425153B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Manufacturing method of high-voltage semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US11769794B2. Автор: Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12080798B2. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sun Ki MIN,Chae Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having decoupling capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US7883970B2. Автор: Ji-Young Kim,Hyun-Ki Kim,Jung-Hwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-08.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

High-voltage semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220069081A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Yu-Hao Ho,Chiu-Hao Chen,Cheng-Tsung WU,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307500A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9852906B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Spacer structures and contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230369456A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor Devices

Номер патента: US20210367053A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074250A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10985255B2. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200152753A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device

Номер патента: US4743564A. Автор: Masaki Sato,Kazuyoshi Shinada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

Stacked Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230387106A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US11791332B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Dopant profile control in gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220336289A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Dopant profile control in gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210391220A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Spacer structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230343854A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Gate contact and via structures in semiconductor devices

Номер патента: US12002885B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Dual threshold voltage (VT) channel devices and their methods of fabrication

Номер патента: US11967615B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200212183A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods of manufacturing oxide semiconductor devices, methods of manufacturing display devices having oxide semiconductor devices

Номер патента: EP2525408B1. Автор: Ki-Hong Kim,Ki-Wan Ahn,Joo-Sun Yoon,Seong-Min Wang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

A method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device and a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: DE112015000352T5. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Shinsuke Harada,Yoshiyuki Sugahara,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180248002A1. Автор: KAWADA Yasuyuki,Koketsu Hidenori,MOCHIZUKI Kazuhiro,Kosugi Ryoji,Ji Shiyang. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

A silicon carbide epitaxial substrate and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: DE112017006972T5. Автор: Keiji Wada,Hironori Itoh,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Weber Hans. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Santos Rodriguez Francisco Javier,Brockmeier Andre. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190165102A1. Автор: FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-30.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Sakai Yoshiyuki,UTSUMI Makoto,FUKUDA Kenji,OKAMOTO Mitsuo,HARADA Shinsuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Kobayashi Yusuke,Ohse Naoyuki,HARADA Shinsuke,Kojima Takahito. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-13.

Methods of forming oxide semiconductor devices and methods of manufacturing display devices having oxide semiconductor devices

Номер патента: US9502246B2. Автор: Hyun-Jae Kim,Yeon-Gon Mo,Byung-Du Ahn,Yeon-Hong Kim,Hyeon-Sik Kim,Ji-Hun Lim. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2016-11-22.

A method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: DE102011003660A1. Автор: Yoichiro Tarui,Koji Okuno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Номер патента: US20170103894A1. Автор: Rupp Roland,Peters Dethard,AICHINGER Thomas,BERGNER Wolfgang,ESTEVE Romain,KUECK Daniel,Poenariu Victorina,Reinwald Gerald,Unegg Gerald. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

METHOD OF MANUFACTURING A MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150126000A1. Автор: KAKEFU Mitsuhiro. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of forming a transistor in a semiconductor device

Номер патента: US6492246B1. Автор: Kyung Wook Park,Gyu Seog Cho. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Method of manufacturing thin-film insulated gate semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: JP3173926B2. Автор: 保彦 竹村. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-04.

SUPER JUNCTION MOSFET, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND COMPLEX SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150014764A1. Автор: TAMURA Takahiro,ONISHI Yasuhiko. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-15.

Method of manufacturing short-channel transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100442780B1. Автор: 박철수. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-08-04.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US20160343631A1. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US11315845B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US10804175B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-10-13.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Methods of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US09520289B2. Автор: Jin Park,Hyun-Woo Kim,Cha-Won Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Methods of forming metallization patterns on beam lead semiconductor devices

Номер патента: US4011144A. Автор: Albert K. Bachman. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1977-03-08.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method of forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Yil-hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Method of fabricating void-free conductive feature of semiconductor device

Номер патента: US20230402313A1. Автор: Cheng-Yan Ji,Chu-Hsiang HSU,Jing Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180040558A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230378305A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US11810960B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10474783B2. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US09818642B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180157781A1. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US20100019383A1. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09837537B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150144947A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for manufacturing a semiconductor device at low temperature

Номер патента: US09831275B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming a trench using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: US09768273B2. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159980A1. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semicondutor device using the same

Номер патента: US09928333B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of forming wells in semiconductor devices

Номер патента: US20050142728A1. Автор: Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Stacked-type semiconductor device

Номер патента: US5355022A. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi,Toshiaki Ogawa,Natsuo Ajika,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-10-11.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: EP2223341A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: WO2009077583A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Forming a Trench Using Epitaxial Lateral Overgrowth

Номер патента: US20160308028A1. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of forming a gate of a semiconductor device

Номер патента: CN101211770B. Автор: 金守镇. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming a trench in a semiconductor device

Номер патента: US9583605B2. Автор: Yuzhu Li. Владелец: Changzhou Zhongmin Semi-Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing short-channel transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100449324B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-09-18.

Method of manufacturing short-channel transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100449323B1. Автор: 박정호,배세열. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-09-18.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US09812397B2. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee,Ken-Yu Chang,Kai-Shiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: USRE49780E1. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of employing multi-layer tab tape in semiconductor device assembly by selecting, breaking, downwardly bending and bonding tab tape trace free ends to a ground or power plane

Номер патента: US5638596A. Автор: John McCormick. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-06-17.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Ceramic film and method of manufacturing the same, ferroelectric capacitor, semiconductor device, and other element

Номер патента: US20060051601A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Electroless plating bath used for forming a wiring of a semiconductor device, and method of forming a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US5795828A. Автор: Mikio Nishio,Shin Hashimoto,Masayuki Endo,Akemi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

Method of storing GaN substrate, stored substrate and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1868252A3. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of fabricating a vertically profiled electrode and semiconductor device comprising such an electrode

Номер патента: US20030153178A1. Автор: Bernd Maile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method for manufacturing a highly integrated semiconductor device having a capacitor of large capacitance

Номер патента: US5227322A. Автор: Sung-Tae Kim,Jae-hong Ko,Hee-seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-07-13.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Method of forming electrical contact to a semiconductor substrate via a metallic silicide or silicon alloy layer formed in the substrate

Номер патента: US4577396A. Автор: Noriyuki Sakudo,Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-03-25.

Method of forming a mass over a semiconductor substrate

Номер патента: US7179361B2. Автор: Rita J. Klein,Dale W. Collins,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Method of forming isolation region in integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US5004701A. Автор: Kazumasu Motokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Method of repairing shorts in parallel connected vertical semiconductor devices by selective anodization

Номер патента: US4488349A. Автор: Koichi Murakami,Teruyoshi Mihara. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-18.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Manufacturing a plurality of semiconductor device headers

Номер патента: US3689996A. Автор: Geoffrey William Scholes,Anthony Ronald Jones. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-09-12.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4057349A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-14.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090224310A1. Автор: Hong Pyo Heo,Keum Hwang. Владелец: KEC Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09412768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285401A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-08.

Devices and methods of forming VFET with self-aligned replacement metal gates aligned to top spacer post top source drain EPI

Номер патента: US09773708B1. Автор: John Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230387276A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160293705A1. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11374123B2. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20210119038A1. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A METHOD OF IMPROVING BREAKDOWN VOLTAGE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150014791A1. Автор: Lane William Allan,Coyne Edward John,Ó hAnnaidh Breandán Pol Og,Whiston Seamus P.,McAuliffe Donal P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

A method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: DE102013200046A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: DE112020007652T5. Автор: Yutaka Fukui,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device with oxide semiconductor layer

Номер патента: US09537012B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Kosei Noda,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190043957A1. Автор: Yasuyuki Hoshi,Yuichi HASHIZUME,Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180358444A1. Автор: TAWARA Takeshi,Miyazato Masaki,Ryo Mina,Miyajima Masaaki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10418445B2. Автор: Takeshi Tawara,Masaaki Miyajima,Mina RYO,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09331156B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Hiroshi Kanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20120168940A1. Автор: Florian Bieck. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TRENCH GATE STRUCTURE AND VERTICAL PN JUNCTION BETWEEN BODY REGION AND DRIFT STRUCTURE

Номер патента: US20210167203A1. Автор: Meiser Andreas Peter,Rupp Roland,ESTEVE Romain. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Method of fabricating contact pads of a semiconductor device

Номер патента: US6458680B2. Автор: Tae-Young Chung,Gwan-Hyeob Koh,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-01.

Method of manufacturing a buried-gate semiconductor device and corresponding integrated circuit

Номер патента: US8039332B2. Автор: Bernard Guillaumot,Philippe Coronel,Emilie Bernard,Christian Vizioz. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2011-10-18.

Method of manufacturing a MOS type semiconductor device.

Номер патента: DE68917963D1. Автор: Tatsuhiko Fujihira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-13.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: TW201126585A. Автор: Florian Bieck. Владелец: Empire Technology Dev Llc. Дата публикации: 2011-08-01.

A method of manufacturing an epitaxial-filled trench semiconductor device and an epitaxial-filled trench semiconductor device

Номер патента: DE10323242B4. Автор: Shoichi Aichi Yamauchi,Hitoshi Aichi Yamaguchi,Jun Aichi Sakakibara,Nobuhiro Aichi Tsuji. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of manufacturing high voltage transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100525911B1. Автор: 서을규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-11-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of intensive cooling of high-heat-stressed semiconductor devices

Номер патента: RU2657341C1. Автор: Александр Семенович Косой,Алексей Борисович Шмелев,Юрий Павлович Большаков,Егор Александрович Дружинин,Наталья Игоревна Вяземская,Андрей Александрович Михасев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РСК Лабс" (ООО "РСК Лабс"). Дата публикации: 2018-06-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972717B2. Автор: Dong-Suk Shin,Si-Hyung Lee,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong,Geo-Myung SHIN,Seo-Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming an inductor on a semiconductor wafer

Номер патента: US8309452B2. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Semiconductor device having a gate electrode of polycrystal layer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US5381032A. Автор: Yasuna Nakamura,Katsuhiko Tamura,Kenji Kusakabe,Tohru Koyama,Yoshiko Kokawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: GB2004694A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1979-04-04.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09502286B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090114990A1. Автор: Jeong-ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9412831B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11989497B2. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Fabrication method of semiconductor memory device

Номер патента: US9305775B2. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP6547844B2. Автор: 武志 俵,俵　武志. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-24.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10796906B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

A silicon carbide epitaxial substrate and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: DE112016006385T5. Автор: Kenji Hiratsuka,Hironori Itoh,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

A method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: DE102011002398B4. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Koichi Sekiya,Yukio Uda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-12-24.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190074359A1. Автор: Hoshi Yasuyuki,HASHIZUME Yuichi,KUMADA Keishirou. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-03-07.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200212183A1. Автор: UTSUMI Makoto,ARAOKA Tsuyoshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of Manufacturing a Reverse Blocking Semiconductor Device

Номер патента: US20160118382A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Jaeger Christian,Laven Johannes Georg,Baburske Roman. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

METHOD OF MANUFACTURING A SUPER-JUNCITON SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140242769A1. Автор: Yamada Michiya,FUJIHARA Tatsuhiko. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-28.

a manufacturing method of a contact structure of a semiconductor device

Номер патента: KR100361572B1. Автор: 남창길. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of manufacturing a trench-gate semiconductor device

Номер патента: WO2004055882A1. Автор: Raymond J. E. Hueting,Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of manufacturing a high-performance semiconductor device

Номер патента: US8329566B2. Автор: Huilong Zhu,Wenwu Wang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-12-11.

Method of manufacturing an insulated gate type semiconductor device having a U-shaped groove

Номер патента: US6194273B1. Автор: Naoki Matsuura,Hiroyasu Enjo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150187882A1. Автор: PARK Jae Hoon,UM Kee Ju,SONG In Hyuk,JANG Chang Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-07-02.

A method of fabricating semiconductor structures and a semiconductor structure formed thereby

Номер патента: SG97821A1. Автор: Kumar Lahiri Syamal,Mangelinck Dominique,Dongzhi Chi. Владелец: Inst Materials Research & Eng. Дата публикации: 2003-08-20.

Simplified method of patterning polysilicon gate in a semiconductor device including an oxime layer as a mask

Номер патента: US6337264B2. Автор: Jayendra D. Bhakta. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-01-08.

Method of fabricating a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100349343B1. Автор: 장명준,박성형. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-21.

Method of fabricating a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010093012A. Автор: 장명준,박성형. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-27.

Method of manufacturing thin film transistor of semiconductor device

Номер патента: KR950012645A. Автор: 황명하. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-05-16.

Method of manufacturing thin film transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100269604B1. Автор: 박진원. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-10-16.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Method of assembling carbon nanotubes of a semiconductor device via fringing field assisted dielectrophoresis

Номер патента: US09923160B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Shu-Jen Han,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same, and electronic systems including semiconductor devices

Номер патента: US20240315039A1. Автор: Inho Kim,Young-Ho Lee,Jumi Yun,Wongi Hong,Gyeongsik EOM,Chankyu KIM,Dasom JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20240349520A1. Автор: Seungwoo Paek,Sunil Shim,Jimin Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US6677180B2. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-13.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US5172851A. Автор: Akira Matsushita,Hidekazu Konishi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: GB2430306A. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5920767A. Автор: Nobuyuki Hosoi,Hideki Goto,Satoru Nagao,Hideyoshi Horie,Toshinari Fujimori. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of making planar-type bottom electrode for semiconductor device

Номер патента: US20090023264A1. Автор: Hsiao-Che Wu,Wen-Li Tsai,Ming-Yen Li. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US20240266304A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09818666B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11769716B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220102244A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of forming a via in a semiconductor device

Номер патента: US8685854B2. Автор: Kazuhito Ichinose,Tatsunori Murata,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US11990428B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150206845A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor devices and CMOS image sensors having a shielding wall, electronic apparatuses having the same and methods of fabricating the same

Номер патента: US20100224918A1. Автор: Eun-Gyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240014105A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of manufacturing a plurality of semiconductor devices and carrier substrate

Номер патента: EP1949433A1. Автор: Greja J. A. M. Verheijden,Ronald Dekker,Cornelis A. H. A. Mutsaers,Carolus J. Van Der Poel,Theodorus M. Michielsen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-30.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: US20140225280A1. Автор: Shiqun Gu,Brian M. Henderson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: KR101615276B1. Автор: 시쿤 구,브라이언 엠. 헨더슨. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-04-25.

Method of manufacturing a stack type semiconductor device

Номер патента: KR100828029B1. Автор: 한상엽,홍창기,윤보언,임종흔,윤성규,고영호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of manufacturing a stack-type semiconductor device

Номер патента: US20080138960A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jong-heun Lim,Sang-Yeob Han,Seong-Kyu Yun,Young-Ho Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Method of forming a pattern for a semiconductor device

Номер патента: US20020068447A1. Автор: Hong-bae Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of manufacturing metal line of the semiconductor device

Номер патента: KR100917823B1. Автор: 심상철. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-09-18.

Method of manufacturing an MOS controlled power semiconductor device

Номер патента: EP0851475A2. Автор: Uwe Thiemann. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 1998-07-01.

Methods of forming semiconductor devices to include single body interconnection patterns using fine patterning techniques, and semiconductor device so formed

Номер патента: US09590034B2. Автор: Chul Lee,Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing a semiconductor device, method of manufacturing a SOI device, semiconductor device, and SOI device

Номер патента: US7982281B2. Автор: Gabriel Dehlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-07-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120146107A1. Автор: Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Hokyun Ahn,Woojin CHANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-06-14.

Method of forming fine patterns

Номер патента: US09934986B2. Автор: Bum-seok Seo,Seok-Han Park,Jeong-seop SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor devices with system on chip devices

Номер патента: US11856800B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices on diffusion barrier coated substrates and methods of making the same

Номер патента: SG175709A1. Автор: Kevin McCarthy,Michael Kocsis,Arvind Kamath,Gloria Man Ting Wong. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20150170919A1. Автор: Yong Sun JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor devices with scalable two transistor memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20040227173A1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Su-Jin Ahn,Hyoung-Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150340508A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Method of forming a bump of a semiconductor element

Номер патента: TW328146B. Автор: Yoshihiro Ishida,Tetsuo Sato. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-11.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5661068A. Автор: Mitsuru Sekiguchi,Masanori Fukumoto,Hisashi Ogawa,Yuka Terai,Isao Miyanaga,Shuji Hirao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-26.

Method of manufacturing patterns for a semiconductor device

Номер патента: KR101082719B1. Автор: 최재욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-15.

Method of isolation of the elements on the semiconductor device

Номер патента: KR970003715B1. Автор: Yong-Tae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-03-21.

Reverse Blocking Semiconductor Device, Semiconductor Device with Local Emitter Efficiency Modification and Method of Manufacturing a Reverse Blocking Semiconductor Device

Номер патента: US20140209973A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Jaeger Christian,Laven Johannes Georg,Baburske Roman. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20180182698A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20180240742A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-08-23.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Okawa Takashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-11-24.

Method of etching conductive layers for capacitor and semiconductor device fabrication

Номер патента: TW591719B. Автор: Hideyuki Yamauchi,Kouji Tsutsumi,Yohei Kawase. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-06-11.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20160005624A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20150017804A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHOD OF FABRICATING CONDUCTIVE LINE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150303104A1. Автор: Chen Mu-Chin,Chiang Yuan-Sheng,Hsiung Chi-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Method of etching a layer of a semiconductor device using an etchant layer

Номер патента: US20100068884A1. Автор: Ching-Yu Chang,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of etching a layer of a semiconductor device using an etchant layer

Номер патента: US8153523B2. Автор: Ching-Yu Chang,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-10.

Logic cell, semiconductor device including logic cell, and method of manufacturing the logic cell and semiconductor device

Номер патента: US20170221818A1. Автор: Jung-Ho Do,Chul-Hong Park,Byung-Sung Kim,Vincent Chun Fai LAU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: KR100271426B1. Автор: 이희기. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-12-01.

Method of forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100539153B1. Автор: 윤준호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-26.

Method of chemical mechanical polishing in a semiconductor device

Номер патента: KR100444605B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100418092B1. Автор: 박동수,김정복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-11.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR100674901B1. Автор: 이철웅,오영묵,성석현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-26.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR20070046383A. Автор: 문정훈. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-05-03.

method of forming interconnection lines in a semiconductor device

Номер патента: KR100568449B1. Автор: 이효종,박병률,이태훈,손홍성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-07.

Method of manufacturing zero-defects layer of semiconductor device

Номер патента: KR0170907B1. Автор: 이우진. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Copper interconnector, method of manufacturing the copper interconnector, and semiconductor device having the copper interconnector

Номер патента: KR102192311B1. Автор: 양철웅,안병선. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2020-12-17.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of forming sacrificial self-aligned features for assisting die-to-die and die-to-wafer direct bonding

Номер патента: US20210183814A1. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Vassilios Gerousis. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US20230299017A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of fabricating topside structure of a semiconductor device

Номер патента: US5989938A. Автор: Hsingya Arthur Wang,Bandali B. Mohamed,Shyam Garg,Bruce Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Interconnect Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20150187697A1. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US09679848B2. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US09460997B2. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature

Номер патента: US09985046B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Makoto Yoshida,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Hiro Kinoshita,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and resin sealing type electronic device

Номер патента: US20100052124A1. Автор: Takeshi Sasaki,Masahiro Shindo. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Conductive feature with non-uniform critical dimension and method of manufacturing the same

Номер патента: US11935816B2. Автор: Shing-Yih Shih,Jheng-Ting JHONG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor

Номер патента: US20050127482A1. Автор: James Letterman,Joseph Fauty,James Knapp. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9490368B2. Автор: Kunio Kimura,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods of forming conductive and insulating layers

Номер патента: US09865575B2. Автор: HeeJo Chi,HanGil Shin,KyungMoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: TW200805676A. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US11978729B2. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device package having warpage control

Номер патента: US20240145448A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US20230335647A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Redistribution structure for integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US11854994B2. Автор: Chen-Hua Yu,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Stacked Integrated Circuit Structure and Method of Forming

Номер патента: US20210242173A1. Автор: Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Wei-Ming Chen,Wen-Hsin Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Manufacturing method of optoelectronic apparatus, optoelectronic apparatus, manufacturing method semiconductor device, semiconductor device, projection type display apparatus, and electronic machine

Номер патента: TWI226124B. Автор: Masahiro Yasukawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-01.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US10707213B2. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

METHOD OF MANUFACTURING A VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF OPERATING A VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130134501A1. Автор: Son Yong-Hoon,Kang Jong-Hyuk,Lee Jong-Wook. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-30.

Interconnect Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170278785A1. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Method for fabricating multiplexed hollow waveguides of variable type on a semiconductor package

Номер патента: US11721650B2. Автор: Aleksandar Aleksov,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Jeremy D. Ecton,Georgios Dogiamis,Mohammad Mamunur RAHMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20130309818A1. Автор: Yoichiro Hamada,Shigeru Hosomomi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Etching stop structure, method of manufacturing the etching stop structure, semiconductor device having the etching stop structure and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR100655774B1. Автор: 신원식,박재영,유영섭,임헌형,남석우,장원준,이현덕,임기빈,형용우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-11.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20120064666A1. Автор: Yoichiro Hamada,Shigeru Hosomomi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: KR101109795B1. Автор: 요이치로 하마다,시게루 호소모미. Владелец: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-02-24.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US20170084520A1. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20190378788A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

METHOD OF FORMING A STAIRCASE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE USING A LINEAR ALIGNMNENT CONTROL FEATURE

Номер патента: US20170358594A1. Автор: Alsmeier Johann,YOSHIDA Makoto,Miyata Koji,Lu Zhenyu,YU Jixin,Kinoshita Hiro,Mao Daxin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Method of forming a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR101017042B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-02-23.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR101158391B1. Автор: 원용식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-06-22.

Method of Semiconductor Packaging and/or a Semiconductor Package

Номер патента: US20090278250A1. Автор: Soon Hock TONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-11-12.

A method of manufacturing self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR100400298B1. Автор: 권오성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-04.

METHOD OF MANUFACTURING AIRBRIDGES FOR HIGH PERFORMANCE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190252243A1. Автор: DOW Ali Badar Alamin,Ueng-McHale John,Osika David. Владелец: DUET MICROELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of manufacturing short-channel transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100442784B1. Автор: 김대균. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-08-04.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US20110227064A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: EP2369627A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-28.

Method of manufacturing short-channel transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100477542B1. Автор: 김태우,방기완. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-03-18.

Method of Manufacturing Chip-Size Package-Type Semiconductor Device

Номер патента: CA2159243A1. Автор: Shuichi Matsuda,Keiichiro Kata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-31.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240222134A1. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device including passivation layer and method of fabricating electronic apparatus

Номер патента: US20230361251A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongkyun KIM,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Thin-film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102777A1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor devices comprising a heterojunction

Номер патента: US3679496A. Автор: Ties Siebolt Te Velde,Sybrandus Van Heusden. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-25.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240186368A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US09466504B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of forming a dielectric film

Номер патента: US5763021A. Автор: Andrew W. Young,Don D. Smith. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11978640B2. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods of Thinning and Structuring Semiconductor Wafers by Electrical Discharge Machining

Номер патента: US20190295855A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Nirdesh Ojha. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Packaged Semiconductor Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230361068A1. Автор: Chen-Hua Yu,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Cooling system for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20060099815A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Joseph Shepard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Semiconductor device and a method for film deposition

Номер патента: US20240128077A1. Автор: Ji-Feng Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20160293419A1. Автор: NAM Yun Suk. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Method of planarizing a semiconductor workpiece surface

Номер патента: US5679610A. Автор: Katsuya Okumura,Tetsuo Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

A method of trimming the resistance of a semiconductor resistor device

Номер патента: DE3176458D1. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-10-22.

Method of manufacturing patterns for a semiconductor device

Номер патента: KR101093241B1. Автор: 최재욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-14.

Interconnect layout for semiconductor device

Номер патента: US11961878B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Interconnect Layout for Semiconductor Device

Номер патента: US20220102482A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Interconnect layout for semiconductor device

Номер патента: US20210036097A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Interconnect Layout for Semiconductor Device

Номер патента: US20240194730A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US20120025377A1. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A FIN

Номер патента: US20180174953A1. Автор: Kim Dong-hyun,PARK Chul-hong,LEE Hae-wang,NAM SEON-AH,NAKAMATSU IKUO,OH YUN-SE,CHOI HO-JUN. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Method of planarizing a surface of a semiconductor device and a semiconductor device manufactured according to the same

Номер патента: US20040029375A1. Автор: Chang-ki Hong,Jae-dong Lee,Yong-Pil Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US8269346B2. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20200357682A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20190067084A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface

Номер патента: US6058945A. Автор: Hideya Kumomi,Yasutomo Fujiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180082841A1. Автор: TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-03-22.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200251333A1. Автор: TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-08-06.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180323263A1. Автор: TSUCHIDA Hidekazu,TAWARA Takeshi,MIYAZAWA Tetsuya. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of reducing semiconductor substrate surface unevenness

Номер патента: US11901186B2. Автор: LI ZHANG,Kwang Hong LEE,Keith Cheng Yeow NG,Kenneth Eng Kian Lee,Eugene A. Fitzgerald,Soo Jin Chua,Chuan Seng Tan. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11929392B2. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Auxiliary wafer, preparation method of auxiliary wafer, and semiconductor production process

Номер патента: US20210384090A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190103271A1. Автор: TSUCHIDA Hidekazu,TAWARA Takeshi,MIYAZAWA Tetsuya. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-04.

METHOD OF SEPARATING SEMICONDUCTOR DIES FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE ASSEMBLY AND SEMICONDUCTOR DIE ASSEMBLY

Номер патента: US20180247872A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Method of Separating Semiconductor Dies from a Semiconductor Substrate, Semiconductor Substrate Assembly and Semiconductor Die Assembly

Номер патента: US20170345716A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20050117286A. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100589062B1. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

A method of manufacturing a mis type semiconductor device

Номер патента: DE3369426D1. Автор: Toshi C O Fujitsu Limit Yahano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-02-26.

A method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate array, and semiconductor die array

Номер патента: DE102016109693A1. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US8962486B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US20140106568A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20130230979A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device with Overcompensation Zones

Номер патента: US20150056782A1. Автор: Hirler Franz,Wahl Uwe,Willmeroth Armin. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

METHODS OF FORMING LAYER PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140242800A1. Автор: KIM Tae-Sun,Yoon Kwang-sub,Oh Tae-Hwan,KIM Yu-Ra. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Park Jongchul,Park Jongsoon,Kim Jong-Kyu,LEE Yil-Hyung. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

METHODS OF FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150243520A1. Автор: Park Jin,KIM Hyun-woo,Koh Cha-won. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140370713A1. Автор: HA Hyoun-jee. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Method of manufacturing a trench in semiconductor device

Номер патента: KR100733685B1. Автор: 김남식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-06-28.

A method of forming trench isolation of a semiconductor device

Номер патента: KR100245561B1. Автор: 윤보언,정인권. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of Fabricating a Contact of a Semiconductor Device

Номер патента: KR101033986B1. Автор: 안광호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-11.

Method of forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR20020094462A. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method of planarizing the surface of a semiconductor device

Номер патента: KR0125763B1. Автор: 데 브루인 렌데르트,마르티누스 프란시스쿠스 게라르두스 반 라아르 호펜 요세푸스. Владелец: 엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄. Дата публикации: 1997-12-26.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6797561B2. Автор: Chang Hyun Ko,Ki Hyun Hwang,Young Sub You,Jai Dong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-28.

Method of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20090170031A1. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES, STACKED SEMICONDUCTOR DEVICES, AND METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES AND STACKED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130134605A1. Автор: Pratt David S.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES, STACKED SEMICONDUCTOR DEVICES, AND METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES AND STACKED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150194415A1. Автор: Pratt David S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

METHOD OF FORMING A TRENCH IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160233105A1. Автор: Li Yuzhu. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Method of forming conductive pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100672823B1. Автор: 백은경,나규태,서동철,김문준,차용원,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-22.

Method of forming a viahole in a semiconductor device

Номер патента: KR100710183B1. Автор: 정석원. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-20.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20020096745A. Автор: 김동현,조용태,최봉호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-31.

Semiconductor assemblies, stacked semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor assemblies and stacked semiconductor devices

Номер патента: KR101290968B1. Автор: 데이빗 에이. 프랫. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2013-07-30.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR100516991B1. Автор: 조흥재,임관용,안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-22.

Method of forming fine pattern in a semiconductor device fabricating

Номер патента: KR20080022611A. Автор: 강창진,이동석,민경진,정승필,임석현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-12.

Semiconductor assemblies, stacked semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor assemblies and stacked semiconductor devices

Номер патента: CN101681886B. Автор: 戴维·A·普拉特. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-23.

Semiconductor assemblies, stacked semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor assemblies and stacked semiconductor devices

Номер патента: US20080308946A1. Автор: David A. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

A method of singulating semiconductor die from a semiconductor wafer

Номер патента: EP2701188A2. Автор: Michael Seddon,William Burghout,Dennis Conner,Jay Yoder. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-02-26.

Method of selectively etching silicon

Номер патента: US5129981A. Автор: Martin A. Schmidt,Su-Chee S. Wang,Vincent M. McNeil. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1992-07-14.

Method of making a contact in a semiconductor device

Номер патента: DE112006003206T5. Автор: Roman Knoefler,Uwe Paul Schroeder,Veit Klee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of making a contact in a semiconductor device

Номер патента: US7678704B2. Автор: Roman Knoefler,Uwe Paul Schroeder,Veit Klee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor assemblies, stacked semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor assemblies and stacked semiconductor devices

Номер патента: KR20100029243A. Автор: 데이빗 에이. 프랫. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2010-03-16.

Method of chemical mechanical polishing in a semiconductor device

Номер патента: KR100723788B1. Автор: 윤일영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100604555B1. Автор: 김동현,조용태,최봉호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-28.

A method of manufacturing self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR20010002131A. Автор: 권오성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-01-05.

GaN substrate, method of manufacturing the same, and nitride semiconductor device

Номер патента: JP4229005B2. Автор: 雅博 中山,勝史 秋田,昌紀 上野,孝史 京野,英良 高須賀,広平 三浦. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-02-25.

Method of etching a trench into a semiconductor substrate

Номер патента: US5883012A. Автор: Ping-Chang Lue,Herng-Der Chiou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Method of manufacturing a semiconductor device package having dummy dies

Номер патента: US12125822B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312858A1. Автор: Peng Zhang,Jingfan YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230084276A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180157781A1. Автор: PARK Chul-hong,YANG Jae-Seok,KUCHANURI Subhash,RASTOGI Sidharth. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8168523B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120202331A1. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-09.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160049346A1. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: EP3942604A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: WO2020190587A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device package with stress reduction design and method of forming the same

Номер патента: US11894320B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Three-dimensional semiconductor device including a mold structure providing gap regions and an interconnection structure including a plurality of interconnection patterns formed in the gap regions

Номер патента: US8742466B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Manufacturing method of insert case for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220165583A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180158781A1. Автор: Young Hun Kim,Byung Hee Kim,Rak Hwan Kim,Eun Ji Jung,Gyeong Yun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for passivating a semiconductor junction

Номер патента: US4717641A. Автор: Henry G. Hughes,Emanuel Belmont. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-01-05.

Stacked image sensor device and method of forming same

Номер патента: US20230197760A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of forming electroconductive domains in integrated monolithic semiconductor devices, and high package density semiconductor device manufactured by said method

Номер патента: DE3366507D1. Автор: Richard Percival,Ernst Uhlmann. Владелец: Lasarray Holding Ag. Дата публикации: 1986-11-06.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100889555B1. Автор: 곽성호. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-03-23.

Overlapping contacts for semiconductor device

Номер патента: US8940634B2. Автор: Brett H. Engel,Lindsey Hall,Randolph F. Knarr,Steven R. Soss,Jin Z. Wallner,David F. Hilscher. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-01-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US9564355B2. Автор: Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing a capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100240647B1. Автор: 김천수,유현규,박민. Владелец: 정선종. Дата публикации: 2000-01-15.

Method of fabricating conductive line of a semiconductor device

Номер патента: US9318381B2. Автор: Mu-Chin Chen,Yuan-Sheng Chiang,Chi-Sheng Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20210050254A1. Автор: CHANG CHIH-WEI,Chou You-Hua,Lin Yu-Hung,Lin Sheng-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

LOGIC CELL, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING LOGIC CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE LOGIC CELL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190109088A1. Автор: DO Jung-ho,PARK Chul-hong,KIM Byung-Sung,LAU Vincent Chun Fai. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

METHODS OF FORMING WIRING STRUCTURES IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160276267A1. Автор: Kim Byung-hee,Matsuda Tsukasa,Lee Nae-In,LEE Jong-Jin,Kim Rak-Hwan,Kim Jin-Nam,Cha Jeong-Ok,Hwang Jung-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

LOGIC CELL, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING LOGIC CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE LOGIC CELL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150357282A1. Автор: DO Jung-ho,PARK Chul-hong,KIM Byung-Sung,LAU Vincent Chun Fai. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Method of fabricating an inductor for a semiconductor device

Номер патента: US7875524B2. Автор: Nam Joo Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-25.

Methods of manufacture of a resin-sealed semiconductor device

Номер патента: EP0357802A1. Автор: Kazumi Nakayoshi,Katsutoshi Mine,Kimio Yamakawa,Akemi Kogo. Владелец: Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1990-03-14.

Method of manufacture chip-size package type semiconductor device

Номер патента: KR100203603B1. Автор: 게이이찌로 가따,슈이찌 마쯔다,히로노리 오노. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-07-01.

METHOD OF MANUFACTURING CHIP-SIZE PACKAGE-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: KR970024041A. Автор: 게이이찌로 가따,슈이찌 마쯔다,히로노리 오노. Владелец: 닛본덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-05-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030080412A1. Автор: Masaaki Irie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor device structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20070166887A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yi-Lung Cheng,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method and apparatus for sweeping overflowed resin on semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US6116487A. Автор: Nobuhiro Nagamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US11728285B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Ohmic electrode, method of manufacturing Ohmic electrode, field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20070051978A1. Автор: Katsuaki Kaifu,Juro Mita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A3. Автор: Glenn C Abeln,Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Kyle T Gilliland. Владелец: Kyle T Gilliland. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A2. Автор: Peter J. Beckage,James D. Burnett,Glenn C. Abeln,Toni D. Van Gompel,Mohamad Jahanbani,Kyle T. Gilliland. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: WO2011071864A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-16.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: EP2510557A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-10-17.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Tape substrate and semiconductor module for smart card, method of fabricating the same, and smart card

Номер патента: US20090079053A1. Автор: Yucai Huang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20180173836A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US9779934B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170032074A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Capacitive element, method of manufacture of the same, and semiconductor device

Номер патента: US8264063B2. Автор: Kazuaki Kurihara,John David Baniecki,Takeshi Shioga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Method of making a capacitor for a semiconductor device

Номер патента: KR960003861B1. Автор: Sang-Ho Woo. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-03-23.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: TW200727388A. Автор: Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Glenn C Abelin,Kyle T Gilliand. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-16.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of manufacturing interconnection structure applied to semiconductor device

Номер патента: TW200406871A. Автор: Takashi Yamashita,Hiroki Takewaka,Takeshi Masamitsu. Владелец: Ryoden Semiconductor Syst Eng. Дата публикации: 2004-05-01.

Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)

Номер патента: US5302233A. Автор: Scott Meikle,Sung C. Kim. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Method for forming interconnection of semiconductor device

Номер патента: US5801099A. Автор: Nae Hak Park,Yong Kwon Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-01.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Methods of designing layouts of semiconductor devices

Номер патента: US20210064807A1. Автор: Jin Kim,Jaehwan Kim,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer, method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: DE102017201744B4. Автор: Takashi Kanazawa,Kenichi Hamano,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Passive Semiconductor Device

Номер патента: US20240079353A1. Автор: Fu-Chiang KUO,Meei-Shiou Chern,Jyun-Ting Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of manufacturing capacitors of a semiconductor device

Номер патента: DE19607351A1. Автор: Young Jin Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-29.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100564526B1. Автор: 조진연. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-03-29.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100577529B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-10.

Method of manufacturing patterns for a semiconductor device

Номер патента: KR101094486B1. Автор: 현찬순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-19.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100947458B1. Автор: 이세영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-03-11.

Method of storing GaN substrate, stored substrate, and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: TW200805549A. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2008-01-16.

Method of forming alignment marks in a semiconductor body

Номер патента: DE3563148D1. Автор: Paul Edmand Cade. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-07-07.

A method of forming isolation regions of a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: DE102004032703B4. Автор: Jiang Yan,Danny Shum. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2013-08-22.

SEMICONDUCTOR FILM COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR FILM COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMBER, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PROCESSING MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180327547A1. Автор: Ono Shoko,Tanaka Hirofumi,Kayaba Yasuhisa,WACHI Hiroko. Владелец: Mitsui Chemicals, Inc.. Дата публикации: 2018-11-15.

Apparatuses and methods of protecting nickel and nickel containing components with thin films

Номер патента: EP4133120A1. Автор: LEI Zhou,Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Jennifer Y. Sun,Dien-Yeh Wu,Pingyan Lei,Xiao Ming He,Takashi KURATOMI,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Method of manufacturing barrier metal film of semiconductor device and Method of manufacturing metal wiring film of semiconductor device using same

Номер патента: KR19990070771A. Автор: 이상우,박종민,유병주. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-09-15.

Method of manufacturing barrier metal film of semiconductor device and method of manufacturing metal interconnection film of semiconductor device using the same

Номер патента: US6297153B1. Автор: Sang-Woo Lee,Jong-Min Park,Byoung-ju Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220157849A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11963351B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

A method of forming resist patterns in a semiconductor device and a semiconductor washing liquid used in said method

Номер патента: KR100393118B1. Автор: 현만석. Владелец: 현만석. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor devices and methods of forming a trench in a semiconductor device

Номер патента: US20040135199A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

Method of establishing electrical contact between a semiconductor substrate and a semiconductor device

Номер патента: US6780758B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Garo J. Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Ohmic electrode, method of manufacturing ohmic electrode, field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: CN1917231A. Автор: 见田充郎,海部胜晶. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

METHODS OF FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICES HAVING OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150140699A1. Автор: Mo Yeon-gon,KIM HYUN-JAE,Lim Ji-Hun,Ahn Byung-Du,Kim Hyeon-Sik,Kim Yeon-Hong. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Method of manufacturing a capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100750558B1. Автор: 이승환,김성태,최한메,윤경렬,최대식,박기연,김영선,유차영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-20.

Method of forming field oxide film on the semiconductor device

Номер патента: KR970011664B1. Автор: Hyun-Woo Lee,Se-Uk Jang. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-07-12.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

SIGNAL PATH AND METHOD OF MANUFACTURING A MULTIPLE-PATTERNED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140189615A1. Автор: Paulsen David P.,Sheets,II John E.,Allen David H.,Dewanz Douglas M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

Apparatus and method of detecting a defect of a semiconductor device

Номер патента: US20140208850A1. Автор: Hyun Kim,Jae-Yong Park,Sang-Jun Kim,Yun-sik Yoo,Tae-Gyeong Chung,Geun-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-31.

Method of Patterning a Feature of a Semiconductor Device

Номер патента: US20140273446A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,HUANG Yen-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHODS OF FORMING SUBLITHOGRAPHIC FEATURES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200176255A1. Автор: Gupta Rajesh N.,Nigam Akash. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

METHOD OF IMPROVING THE YIELD OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140357070A1. Автор: XU Ying,Zhou Fei,YU Hongjun. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-04.

METHOD OF PATTERNING A FEATURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150287635A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,HUANG Yen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160372328A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR980005626A. Автор: 신동원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming metal wire of a semiconductor device

Номер патента: KR0172283B1. Автор: 곽노정,김정태,김춘환. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of manufacturing a vertical type semiconductor device using the same

Номер патента: KR101818975B1. Автор: 이성수,신경섭,권용현,장대현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-03-02.

Method of forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR20020094461A. Автор: 김경민,송한상,박기선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Capacitor, semiconductor device and methods of manufacturing the capacitor and the semiconductor device

Номер патента: US20200013853A1. Автор: Suhwan Kim,Sunmin Moon,Young-Lim Park,Kyuho Cho,Jong-bom Seo,Sangyeol KANG,Joohyun JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

A method of forming an electrode of a semiconductor device

Номер патента: DE3279012D1. Автор: Naoki Yamamoto,Shojiro Sugaki,Masahiko Ogirima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-10-13.

Method of isolating adjacent components of a semiconductor device

Номер патента: AU2003233867A1. Автор: Anthony Gerard O'Neill. Владелец: Newcastle University of Upon Tyne. Дата публикации: 2003-11-17.

Method of isolating adjacent components of a semiconductor device

Номер патента: AU2003233867A8. Автор: Anthony Gerard O'Neill. Владелец: Newcastle University of Upon Tyne. Дата публикации: 2003-11-17.

Phase Changeable Memory Device Having Dielectric Layer for Isolating Contact Structures Formed by Growth, Semiconductor Memory Device Having The Same, And Methods of Manufacturing The Same and The Semiconductor Device

Номер патента: KR101019986B1. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-09.

Method of forming III-V group material layer, semiconductor device comprising III-V group material layer and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101867999B1. Автор: 조영진,이상문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-06-18.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US20110108944A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

CAPACITOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS OF MANUFACTURING THE CAPACITOR AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200013853A1. Автор: Park Young-Lim,Kim Suhwan,MOON Sunmin,SEO Jong-Bom,Cho Kyuho,KANG SANGYEOL,JEON Joohyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Method of Forming an Interconnect in a Semiconductor Device

Номер патента: US20210082752A1. Автор: Lee Pei-Hsuan,CHI Chih-Chien,Liu Yu-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

APPARATUS AND METHOD OF GENERATING A LAYOUT FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210124863A1. Автор: CHANG FENG-MING,Chang Ruey-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-04-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180174906A1. Автор: TASHIRO Hiroko,Kitada Hideki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2018-06-21.

METHOD OF FORMING FINE INTERCONNECTION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shih Shing-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Method of Triggering Avalanche Breakdown in a Semiconductor Device

Номер патента: US20160225932A1. Автор: Stecher Matthias,Hell Magnus-Maria,Mayerhofer Michael,Willemen Joost,Meiser Andreas,Glaser Ulrich,Cao Yiqun,Lebon Julien. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Capacitor, semiconductor device and methods of manufacturing the capacitor and the semiconductor device

Номер патента: US20180315811A1. Автор: Suhwan Kim,Sunmin Moon,Young-Lim Park,Kyuho Cho,Jong-bom Seo,Sangyeol KANG,Joohyun JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US20060094227A1. Автор: Bo-Yeoun Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US7816259B2. Автор: Bo-Yeoun Jo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

Method of forming a inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100568417B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of forming a Isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR100672155B1. Автор: 이인노. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Forming method of the polycide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100250744B1. Автор: 정성희,김정태. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-01.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100361518B1. Автор: 서정민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of forming a isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR20060123994A. Автор: 이인노. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-05.

RECOVERY METROLOGY MARK AND METHOD OF MEASURING RECOVERY ERROR IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2877767A1. Автор: Nigel Peter Smith,Yi Sha Ku,Hsiu Lan Pang. Владелец: Accent Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-12.

Method of forming isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100244300B1. Автор: 박진원,김준기. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of ion implantation through a photoresist mask

Номер патента: CA1043667A. Автор: San-Mei Ku,Claude Johnson (Jr.),Edward S. Pan,Harold V. Lillja. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-12-05.

Method of forming metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100538634B1. Автор: 조일현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US6787468B2. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-07.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US6905960B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Jong-Myeong Lee,In-sun Park,Jong-Sik Chun,Ju-Cheol Shin,Hong-mi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-14.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR100593146B1. Автор: 이주완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

Recognition method of a mark provided on a semiconductor device

Номер патента: US20030224540A1. Автор: Akira Takashima,Mitsuhisa Watanabe,Yoshikazu Kumagaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: TWI722415B. Автор: 施信益. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-21.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: TW202022987A. Автор: 施信益. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2020-06-16.

Method of forming copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100387256B1. Автор: 김헌도. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-12.

METHOD OF MANUFACTURING FIELD EFFECT TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140017885A1. Автор: Min Byoung-Gue,Kim Seong-il,Yoon Hyung Sup,Nam Eun Soo,AHN Ho Kyun,MUN Jae Kyoung,LEE Jong Min,LIM Jong-Won. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

METHODS OF MANUFACTURING THE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140021512A1. Автор: Lee Jae-Hoon,KIM Ki-se. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

Ceramic and method of manufacturing the same, dielectric capacitor, semiconductor device, and element

Номер патента: US7008669B2. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-07.

Ceramic and method of manufacturing the same, dielectric capacitor, semiconductor device, and element

Номер патента: US20100289384A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of forming nanowire and method of manufacturing semiconductor device comprising the nanowire

Номер патента: US7928017B2. Автор: Jun-Youn Kim,Eun-ju Bae,Joong S. Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-19.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Uematsu Koji,NAKAHATA Seiji,Osada Hideki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of manufacturing a gate for semiconductor device

Номер патента: KR960006428B1. Автор: 박해성. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1996-05-15.

Method of forming a polycide in a semiconductor device

Номер патента: KR100328703B1. Автор: 박석원. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-20.

METHODS OF MANUFACTURING THE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Lee Jae-Hoon,KIM Ki-se. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US09607942B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US12058852B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Failure-analyzing semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20010005329A1. Автор: Itaru Tamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US11355432B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US20170250135A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US10665539B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US20200286826A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20230262968A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20170309637A1. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20230309296A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device including interlayer support patterns on a substrate

Номер патента: US10115734B2. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-30.

A method of manufacturing a surface emitting semiconductor device

Номер патента: DE69841235D1. Автор: Toshihiko Ouchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

SIGNAL PATH AND METHOD OF MANUFACTURING A MULTIPLE-PATTERNED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140183603A1. Автор: Paulsen David P.,Sheets,II John E.,Allen David H.,Dewanz Douglas M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

SIGNAL PATH AND METHOD OF MANUFACTURING A MULTIPLE-PATTERNED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140183659A1. Автор: Paulsen David P.,Sheets,II John E.,Allen David H.,Dewanz Douglas M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20060038250A1. Автор: Osamu Omori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Method of producing electrical connectors for a semiconductor device

Номер патента: DE3566755D1. Автор: Jean-Louis Montanari. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1989-01-12.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and fault detecting method

Номер патента: US09935577B2. Автор: Yuji Takehara,Daisuke IIJIMA,Katsutoshi Bito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US09842779B2. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor sample and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09372223B2. Автор: Kei Matsumoto,Ryuji OHNO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Precursor composition, method of manufacturing precursor composition, inkjet coating ink, method of manufacturing ferroelectric film, piezoelectric device, semiconductor device, piezoelectric actuator, inkjet recording head, and inkjet printer

Номер патента: US20060138382A1. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Apparatus for routing signals, multi-layer card, packaged semiconductor device, and method of fabricating a package for a semiconductor device

Номер патента: TW580762B. Автор: Mark P Jamieson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-21.

Encapsulated semiconductor device and encapsulation method

Номер патента: US09831467B2. Автор: Herbert Lifka,Peter Van De Weijer,Sören HARTMANN,Jens Meyer,Stefan Peter Grabowski,Rainald Manfred Gierth,Manfred Stephan RUSKE,Volker Lambert Van Elsbergen,Petrus Cornelis-Paulus Bouten. Владелец: OLEDWorks GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: EP3970184A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of predicting shape of semiconductor device

Номер патента: US20200201952A1. Автор: Ji-Hye Lee,Kwang-Hoon KIM,Woo-Young CHEON,Do-Yun Kim,Sung-Bo Shim,Dong-Chul Ihm,Ki-Wook SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Method of evaluating metal contamination in a semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: EP2950337B1. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-04.

Polymer, method of preparing the same, and organic optoelectric device including the same

Номер патента: US09847489B1. Автор: Sang Jin Moon,Won Suk Shin,Sang Kyu Lee,Jong Cheol Lee,Changeun Song,Hoang Quoc Viet. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11672130B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210151506A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device interconnect

Номер патента: WO2002093648A2. Автор: Anthony Stamper,Edward Cooney, III. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of detecting a defect in a simiconductor device

Номер патента: US20060019419A1. Автор: Sang-oh Park,Hyun-Beom Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-26.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100483203B1. Автор: 김시범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-04-14.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100568419B1. Автор: 최경근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Semiconductor wafer, wafer alignment patterns and method of forming wafer alignment patterns

Номер патента: US5700732A. Автор: Mark E. Jost,David J. Hansen,Steven M. McDonald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Method of manufacturing and testing a semiconductor device

Номер патента: US6972202B2. Автор: Kunio Kobayashi,Ryouji Nishihashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Methods of optimizing clamping of a semiconductor element against a support structure on a wire bonding machine, and related methods

Номер патента: US11935864B2. Автор: Wei Qin,HUI XU,JeongHo Yang,Ziauddin Ahmad. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor film composition, method of manufacturing semiconductor film composition, method of manufacturing semiconductor member, method of manufacturing semiconductor processing material, and semiconductor device

Номер патента: US10759964B2. Автор: Hirofumi Tanaka,Hiroko Wachi,Yasuhisa Kayaba,Shoko Ono. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED MEMORY ELEMENTS AND METHOD OF STACKING MEMORY ELEMENTS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150102509A1. Автор: Gu Shiqun,Henderson Brian M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Method of disposing conductive bumps onto a semiconductor device and semiconductor devices so formed

Номер патента: US20010002044A1. Автор: Chad Cobbley,Michael Ball. Владелец: Ball Michael B.. Дата публикации: 2001-05-31.

Magnetic random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US7645619B2. Автор: Jun-Soo Bae,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Young-ki Ha,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-12.

Precursor composition, method of manufacturing precursor composition, inkjet coating ink, method of manufacturing ferroelectric film, piezoelectric device, semiconductor device, piezoelectric actuator, inkjet recording head, and inkjet printer

Номер патента: TW200640705A. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-12-01.

Method for Manufacturing a Radiation-Emitting Semiconductor Component and Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200013926A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Lead frame, method of manufacturing the same, resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3250213B2. Автор: 和美 高畠. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-28.

Method of bonding semiconductor chips to a substrate

Номер патента: US5249732A. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

Slurry composition, method of polishing an object and method of forming a contact in a semiconductor device using the slurry composition

Номер патента: US20060189152A1. Автор: Kyung-hyun Kim,Yong-Sun Ko,Ki-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-24.

A METHOD OF ANODISING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064592A1. Автор: Wang Xi,CUI Jie. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of manufacturing a capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100734640B1. Автор: 윤동수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-02.

Method of manufacturing a capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100729905B1. Автор: 박종범,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-18.

Method of manufacturing a capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100504942B1. Автор: 윤동수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-03.

Method of manufacturing a capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100503963B1. Автор: 윤동수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-26.

Method of manufacturing a silicon-based semiconductor device by essentially electrical means

Номер патента: US8105869B1. Автор: Boris Gilman. Владелец: Boris Gilman. Дата публикации: 2012-01-31.

Method of manufacturing a capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100691941B1. Автор: 신동우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-08.

Method of manufacturing a capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100694995B1. Автор: 박종범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-14.

A photosensitive resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102461621B1. Автор: 토시아키 후쿠하라,켄타 요시다,하루나 이노우에. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-11-01.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100639193B1. Автор: 이승희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-31.

Method of forming quantum dots in a semiconductor device

Номер патента: GB2332564B. Автор: Jang-yeon Kwon,Ki Bum Kim,Tae Sik Yoon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-05.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010092874A. Автор: 이승희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-27.

Method of forming an inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR20050009648A. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-01-25.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100491420B1. Автор: 차재한. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-05-25.

Method of forming a stacked capacitor with striated electrode

Номер патента: US5238862A. Автор: Guy Blalock,Phillip G. Wald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-08-24.

A curable resin composition, a resin film, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR20220123540A. Автор: 켄타 야마자키,사토루 무라야마,미사키 타카시마,카즈오미 이노우에. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-09-07.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6759294B2. Автор: Jae Han Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-06.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: KR20070028471A. Автор: 에크하드 란거,엘렌프리드 쩨크. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-03-12.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: US7311008B2. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-12-25.

A photosensitive resin composition, a heterocyclic-containing polymer precursor, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102380474B1. Автор: 아키노리 시부야,타케시 카와바타,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-03-31.

VARIABLE-RESISTANCE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING VARIABLE-RESISTANCE ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170309817A1. Автор: Tada Munehiro,Sakamoto Toshitsugu. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2017-10-26.

Method of manufacturing low expansive material and semiconductor device using it

Номер патента: JP2004128451A. Автор: Eiji Kono,Takashi Yoshida,Kyoichi Kinoshita,木下　恭一,Tomohei Sugiyama,Hidehiro Kudo,工藤　英弘,吉田　貴司,杉山　知平,河野　栄次. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method of manufacturing iii-v group compound semiconductor device

Номер патента: EP0403293A3. Автор: Hatano C/O Intellectual Property Division Ako,Toshihide C/O Intellectual Property Div. Izumiya,Yasuo C/O Intellectual Property Division Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-03-13.

Method for reducing or eliminating semiconductor device wire sweep in a multi-tier bonding device and a device produced by the method

Номер патента: SG137863A1. Автор: Rakesh Batish. Владелец: Kulicke & Soffa Ind Inc. Дата публикации: 2007-12-28.

Semiconductor USB device for detecting foreign substances and method of operating the same

Номер патента: US11749954B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20180062325A1. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

A method of exposing a semiconductor integrated circuit and a method of exposing a pattern of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TWI251720B. Автор: Satoshi Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Semiconductor device of USB interface and method of operating the same

Номер патента: US10686283B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-16.

Sintered body, method of fabricating the same, semiconductor fabricating device, and method of fabricating semiconductor fabricating device

Номер патента: US20220162083A1. Автор: Takafumi Noguchi,Chang Hwan Kim,Kenichi Nagayama,Toshihiro Iizuka. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Conductive resin composition and electrode substrate using the same and method of manufacturing the electrode substrate

Номер патента: US20030136947A1. Автор: Toru Sasaki,Satoru Matsumora,Shunetsu Sato. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Conductive resin composition and electrode substrate using the same and method of manufacturing the electrode substrate

Номер патента: US7029604B2. Автор: Toru Sasaki,Satoru Matsumora,Shunetsu Sato. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: US20070254407A1. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Jiang Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Method of configuring and manufacturing a susceptor

Номер патента: WO2023168410A3. Автор: David Crosby,Alexander ChinHak Chong,David Wayne,William Bartkowski,Gerard Shudall. Владелец: Cqens Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of configuring and manufacturing a susceptor

Номер патента: WO2023168410A2. Автор: David Crosby,Alexander ChinHak Chong,David Wayne,William Bartkowski,Gerard Shudall. Владелец: Cqens Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Highly integrated power electronics and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240341027A1. Автор: FENG Zhou,Ercan Mehmet DEDE,Tianzhu Fan. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of designing a piezoelectric component

Номер патента: US6543108B1. Автор: Yasuhiro Itasaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-08.

A hybrid organic-inorganic semiconductor device and a method of its fabrication

Номер патента: WO2001057939A3. Автор: Ron Naaman,David Cahen. Владелец: David Cahen. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240135005A1. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for manufacturing a DRAM with reduced cell area

Номер патента: US5677223A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

Unit cell structure, method of manufacturing the same, non-volatile semiconductor device having the unit cell structure and method of manufacturing the non-volatile semiconductor device

Номер патента: US20070018219A1. Автор: Sung-Ho Park,Jung-hyun Lee,Han-jin Lim,Kyu-Ho Cho,Jin-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-25.

A voltage booster circuit for a semiconductor memory device and a method of boosting a voltage of a semiconductor memory device

Номер патента: DE102006059817A1. Автор: Young-Sun Min,Jong-Hyun Suwon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of and system for making a semiconductor device

Номер патента: US20020166099A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of hologram exposure, mask for hologram exposure, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20050063030A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

A method of modifying or manufacturing a colostomy appliance

Номер патента: GB2476081A. Автор: Peter Argent,Neil Wiltshire. Владелец: Salts Healthcare Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: EP4238543A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: US20230315931A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: CA3191961A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-09-04.

A method of designing and manufacturing a delayed coker drum

Номер патента: WO1998001512A1. Автор: Richard S. Boswell,Thomas D. Farraro. Владелец: Citgo Petroleum Corporation. Дата публикации: 1998-01-15.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices

Номер патента: US3634149A. Автор: Wilhelmus Francisc Knippenberg,Gerrit Verspui. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-01-11.

Method of forming an inductor on a semiconductor substrate

Номер патента: US20070138001A1. Автор: Teng-Yuan Ko,Ying-Zhan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of designing and manufacturing a hydraulic valve block based on selective laser melting

Номер патента: US20220250156A1. Автор: Pengfei Chen,Bing He,Yajie Liu. Владелец: Jiangsu XCMG Construction Machinery Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket and virtual adjustment of a prosthesis

Номер патента: EP4017428A1. Автор: Ji í ROSICKÝ,Tomá BOUMA,Ale GRYGAR. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2022-06-29.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket and virtual adjustment of a prosthesis

Номер патента: WO2021032227A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group, s.r.o.. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US09811626B2. Автор: Kwangok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Side airbag cushion and method of manufacture

Номер патента: US09573551B1. Автор: Atsushi Yamada,Xiaohong Wang,Takayuki Makioka,Hongseok Kim. Владелец: Autoliv ASP Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Method of designing a last used for manufacturing an article of footwear with reverse upper process

Номер патента: EP4052603A1. Автор: Giuseppe SANTONI. Владелец: Santoni SpA. Дата публикации: 2022-09-07.

Method of designing semiconductor device integrated circuit and layout thereof

Номер патента: US20240169138A1. Автор: Sunghoon Kim,Kiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of designing and manufacturing cam device and three-dimensional design-support computer program for the same

Номер патента: US20110202158A1. Автор: Satoshi Nakamura,Hiroyoshi Kako,Akihito Ishizaka. Владелец: Sankyo Oilless Industries Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Process Of Designing And Manufacturing A Prosthetic Socket

Номер патента: US20220339008A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2022-10-27.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket

Номер патента: US12042409B2. Автор: Ji{hacek over (r)}í Rosický,Tomá{hacek over (s)} Bouma,Ale{hacek over (s)} Grygar. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2024-07-23.

Systems and methods of blade tip repair and manufacturing using field assisted sintering

Номер патента: US20240263557A1. Автор: Xuan Liu,Brian T. Hazel,Michael J. Minor,Steven Ivory,Christopher J. Bischof,Nicholas M. LoRicco,Brian Richard Craig,Luke Henry Rettberg,Stewart S. Fowler. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket

Номер патента: EP3911283A1. Автор: Ji í ROSICKÝ,Tomá BOUMA,Ale GRYGAR. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2021-11-24.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket

Номер патента: WO2021032228A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group, s.r.o.. Дата публикации: 2021-02-25.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Optoelectronic semiconductor device comprising a waveguide and method of manufacturing such a device

Номер патента: US5494834A. Автор: Antonius H. J. Venhuizen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Method of testing radiation hardness of a semiconductor device

Номер патента: US4168432A. Автор: Richard Williams,Murray H. Woods. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Method of manufacturing a group of bicycles

Номер патента: US20140151975A1. Автор: Christopher P. D'Aluisio. Владелец: Specialized Bicycle Components Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR101016341B1. Автор: 김영근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-02-22.

Reduced-weight bearing pins and methods of manufacturing such bearing pins

Номер патента: US20180195559A1. Автор: Darren Lee Hallman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-07-12.

Consumable product for an aerosol generating device and methods of filling and manufacturing a consumable product for an aerosol generating device

Номер патента: US12016367B2. Автор: Yves Jordil,Rui Nuno BATISTA,Clément BESSO,Dorothy Tritz,Nazan Gunduz,Joanne VENOUIL. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of manufacturing rods of a semiconductor material

Номер патента: FR1306009A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1962-10-13.

Layout design method for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7979830B2. Автор: Mitsuyuki Katsuzawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Defect examination on a semiconductor specimen

Номер патента: US11961221B2. Автор: Dror Shemesh,Miriam BROOK. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100578786B1. Автор: 이승환,김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-11.

METHOD OF SIMULATION AND DESIGN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Li Zhanming. Владелец: Crosslight Software Inc.. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: GB9515148D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-20.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20110313748A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Method of repairing a mask in a semiconductor device

Номер патента: KR100361514B1. Автор: 임문기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-21.

Polymer for an anti-reflective coating composition for an anti-reflective coating and method of forming a pattern in a semiconductor device using the composition

Номер патента: KR101585992B1. Автор: 김영호,박지만,최재희,윤효진,김부득,류진아. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-19.

A photosensitive resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102420765B1. Автор: 켄타 요시다,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-14.

A resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102441260B1. Автор: 유 이와이,미치히로 오가와. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-09-07.

High speed simulation method of an oxidation process in a semiconductor device

Номер патента: EP1071127A2. Автор: Yutaka Akiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-24.

Method of manufacturing field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR950001409A. Автор: 김명선. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-01-03.

Method of manufacturing phase inversion mask of semiconductor device

Номер патента: KR950027929A. Автор: 함영목. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-10-18.

A method of manufacturing self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR100372770B1. Автор: 김진웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-20.

method of manufacturing silicon contactor for testing semiconductor device

Номер патента: KR101043352B1. Автор: 문해중. Владелец: 주식회사 엑스엘티. Дата публикации: 2011-06-21.

A method of manufacturing aluminum nitride crystals for semiconductor devices

Номер патента: DE1667656A1. Автор: Knippenberg Wilhelm Franciseus,Gerrit Vespui. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1971-06-24.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Method of manufacturing electronic devices in particular semiconductor devices and device obtained by said method

Номер патента: AU4410768A. Автор: Siebold Te Velde Fies. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-04-09.

Method of manufacturing electronic devices in particular semiconductor devices and device obtained by said method

Номер патента: AU430044B2. Автор: Siebold Te Velde Fies. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-04-09.

Method of analyzing the contaminants of a semiconductor device fabrication facility

Номер патента: TW514681B. Автор: Yong-Woo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-21.

Method of making a mount for a semiconductor

Номер патента: CA812503A. Автор: E. Dijkmeijer Henricus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-05-13.

Memory element, array of memory cell, method of forming contact structure and apparatus and semiconductor device produced by the method

Номер патента: TWI280635B. Автор: Ming-Hsiu Lee,Rui-Chen Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Memory element, array of memory cell, method of forming contact structure and apparatus and semiconductor device produced by the method

Номер патента: TW200618171A. Автор: Ming-Hsiu Lee,Rui-Chen Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES, METHODS OF MANUFACTURING OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES, DISPLAY DEVICES HAVING OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES, METHODS OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICES HAVING OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120292610A1. Автор: YOON Joo-Sun,KIM KI-HONG,Ahn Ki-Wan,Wang Seong-Min. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

Standoff for and method of supporting a coil in a semiconductor fabrication system, and standoff for coupling RF current

Номер патента: TW447016B. Автор: Sergio Edelstein,Howard Grunes,Bradley O Stimson,Anantha Subramani,John C Forster. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-07-21.

Method of making a junction in a semiconductor body

Номер патента: CA852397A. Автор: R. Sivertsen David,B. Cecil Olin,R. Haberecht Rolf. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-09-22.

Method of fabricating contact structures on a semiconductor chip

Номер патента: TWI222702B. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of fabricating contact structures on a semiconductor chip

Номер патента: TW200428571A. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Vertical type semiconductor device and method of manufacturing a vertical type semiconductor device

Номер патента: US20120028428A1. Автор: Son Yong-Hoon,Kang Jong-Hyuk,Lee Jong-Wook. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE PHASE CHANGE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120273745A1. Автор: . Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of measuring the kink effect in the semiconductor device

Номер патента: TW400598B. Автор: Meng-Lin Ye,Yang-Huei Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-01.

Method of manufacturing a silicon-based semiconductor device by essentially electrical means

Номер патента: US20120028396A1. Автор: Gilman Boris. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

Methods of Manufacturing a Vertical Type Semiconductor Device

Номер патента: US20120115309A1. Автор: Hwang Ki-Hyun,Choi Han-mei,Yoo Dong-Chul,Lee Joon-Suk,Park Chan-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

METHOD OF MANUFACTURING A HIGH-RELIABILITY SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120231623A1. Автор: Yokogawa Shinji,TAKEWAKI Toshiyuki,OSHIDA Daisuke. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-13.

Methods of Manufacturing a Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20130078776A1. Автор: Kim Young-Hoo,Bae San Won,Lee Kuntack,Lee Hyosan. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

METHODS OF MANUFACTURING A VERTICAL TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130095654A1. Автор: Shin Kyoung-sub,Jang Dae-hyun,KWON Yong-Hyun,Lee Seong-soo. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-18.

Method of forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR980011893A. Автор: 이강현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

METHOD OF FORMING GROUP III-V MATERIAL LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE GROUP III-V MATERIAL LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20130105869A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, complementary type semiconductor device using the same, sensor, and radio communication device

Номер патента: JP2023073980A. Автор: Seiichiro Murase,清一郎 村瀬,Kazuo Isogai,和生 磯貝. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-05-26.

METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130307032A1. Автор: Xie Ruilong,Kamineni Vimal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of interlayer insulating film in a semiconductor device

Номер патента: KR0166826B1. Автор: 김학남. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: TW518715B. Автор: Sung-Gyu Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-21.

Well-in-well CMOS semiconductor device and method of manufacturing well-in-well CMOS semiconductor device

Номер патента: JP3393283B2. Автор: 晴臣 宮崎. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-04-07.

Method of manufacturing thin film transistor of semiconductor device

Номер патента: KR940003093A. Автор: 채기성. Владелец: 이헌조. Дата публикации: 1994-02-19.

DIE BOND FILM, DICING DIE BOND FILM, METHOD OF MANUFACTURING DIE BOND FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DIE BOND FILM

Номер патента: US20120126379A1. Автор: MATSUMURA Takeshi,Uenda Daisuke,INOUE Koichi,MORITA Miki. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

METHODS OF MANUFACTURING VARIABLE RESISTANCE MEMORY AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130095633A1. Автор: Shima Hisashi,KAKEGAWA Tomoyasu,Akinaga Hiroyuki. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-04-18.

Method of manufacturing thin film MOS structure semiconductor device

Номер патента: JPH0620138B2. Автор: 信彦 角田,力 和田,昇 内藤. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1994-03-16.

Nonvolatile memory element and method of manufacturing the same, and nonvolatile semiconductor device using the same

Номер патента: JP2009135370A. Автор: Satoru Fujii,Takeshi Takagi,剛 高木,覚 藤井. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Method of manufacturing field oxide film in semiconductor device

Номер патента: KR100241518B1. Автор: 장세억. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of manufacturing crystalline laminated structure and semiconductor device

Номер патента: JP6539906B2. Автор: 章夫 高塚,真也 織田,俊実 人羅. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2019-07-10.

Nitride semiconductor substrate, method of manufacturing the same, and nitride semiconductor device using the nitride semiconductor substrate

Номер патента: JP3589200B2. Автор: 裕之 清久,徳也 小崎,仁志 前川,一幸 蝶々. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2004-11-17.

Methods of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices

Номер патента: CA838074A. Автор: F. Knippenberg Wilhelmus,Verspui Gerrit. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-03-31.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.