Method of forming a capacitor in a semiconductor device
Номер патента: KR100604555B1
Опубликовано: 28-07-2006
Автор(ы): 김동현, 조용태, 최봉호
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-07-2006
Автор(ы): 김동현, 조용태, 최봉호
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of removing free halogen from a halogenated polymer insulating layer of a semiconductor device and resulting semiconductor device
Номер патента: US20030183952A1. Автор: Paul Farrar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.