Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09530836B2
Опубликовано: 27-12-2016
Автор(ы): Masaru Senoo
Принадлежит: Toyota Motor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210359116A1. Автор: Kosuke Yoshida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Electric fields relaxation for semiconductor apparatus

Номер патента: US10043791B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20170110447A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09577087B2. Автор: Akio Sugi,Yasuhiko Onishi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20090090968A1. Автор: Wataru Saito,Syotaro Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240088276A1. Автор: Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20160197163A1. Автор: Hidenori Takahashi,Takumi Fujimoto,Takeyoshi Nishimura,Yasushi Niimura,Sota Watanabe,Takamasa Wakabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US09496370B2. Автор: Hidenori Takahashi,Takumi Fujimoto,Takeyoshi Nishimura,Yasushi Niimura,Sota Watanabe,Takamasa Wakabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20160005856A1. Автор: Hidenori Takahashi,Takumi Fujimoto,Takeyoshi Nishimura,Yasushi Niimura,Sota Watanabe,Takamasa Wakabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240258412A1. Автор: Tatsuya Naito,Toshiki Suzuki,Toshiyuki Matsui,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230028753A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200168601A1. Автор: Tetsuo Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090230442A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Sang-Moo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: WO2005038921A1. Автор: Masato Taki,Hideki Tojima. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP1676320A1. Автор: Masato TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA TAKI,Hideki TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA TOJIMA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic device including semiconductor apparatus

Номер патента: US20240258386A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Aacademy Of Sciences. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20100267211A1. Автор: Hideo Yamamoto,Atsushi Kaneko,Kenya Kobayashi,Yoshimitsu Murase. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20220140082A1. Автор: Masanori Inoue. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US10840386B2. Автор: Yusuke Yamashita,Hiroki Miyake,Yasushi Urakami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: WO2018115950A1. Автор: Yusuke Yamashita,Hiroki Miyake,Yasushi Urakami. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200020814A1. Автор: Yusuke Yamashita,Hiroki Miyake,Yasushi Urakami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20080081422A1. Автор: Hideo Yamamoto,Atsushi Kaneko,Kenya Kobayashi,Yoshimitsu Murase. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

High voltage semiconductor apparatus

Номер патента: US09450051B2. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240371936A1. Автор: Shuntaro Fujii. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09899804B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for fabricating semiconductor apparatus

Номер патента: US09484390B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

3d semiconductor apparatus manufactured with a plurality of substrates and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2021113031A1. Автор: H. Jim Fulford,Mark Gardner. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor substrate and fabrication method thereof, and semiconductor apparatus using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US20140299918A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Jin Ku Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Vertical-type semiconductor apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20150145031A1. Автор: Kang Sik Choi,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Method for fabricating semiconductor apparatus

Номер патента: US20150372058A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor apparatus with isolation portion between vertically adjacent elements, and electronic device

Номер патента: US20220352310A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor apparatus having side wall interconnection structure and manufacturing method for semiconductor apparatus, and electronic device

Номер патента: EP4261883A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-18.

Method of fabricating high integrated semiconductor apparatus, and semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US7776702B2. Автор: Seong Hwan Kim,Suk Min Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-17.

Semiconductor apparatus with sidewall interconnection structure, method of manufacturing semiconductor apparatus with sidewall interconnection structure, and electronic device

Номер патента: US20230402392A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030322A1. Автор: Takashi Yoshimura,Katsunori Ueno,Hidenori Tsuji,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20140175537A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Jin Ku Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190259837A1. Автор: Koichi Masuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor apparatus, power converter and manufacturing method for semiconductor apparatus

Номер патента: US20240355874A1. Автор: Atsufumi Inoue,Tetsu Negishi,Tsuyoshi Kawakami,Tomohiro Tamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210296462A1. Автор: Akihisa Yamamoto,Daisuke Hirata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200395449A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US9293456B2. Автор: Kazutaka Suzuki,Takahiro Korenari,Yoshimasa Uchinuma,Junichi Nita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20180374847A1. Автор: Kazutaka Suzuki,Takahiro Korenari,Yoshimasa Uchinuma,Junichi Nita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20160005847A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor apparatus and forming method for ferroelectric thin film

Номер патента: US20240154035A1. Автор: Shun-ichiro OHMI. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US10121784B2. Автор: Kazutaka Suzuki,Takahiro Korenari,Yoshimasa Uchinuma,Junichi Nita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20160163698A1. Автор: Kazutaka Suzuki,Takahiro Korenari,Yoshimasa Uchinuma,Junichi Nita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120292699A1. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor apparatus and manufacturing method for semiconductor apparatus

Номер патента: US20230261065A1. Автор: Yushi Koriyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US7968942B2. Автор: Mitsuhiro Hamada,Shuji Mizokuchi,Tatsumi KUMEKAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20090108344A1. Автор: Mitsuhiro Hamada,Shuji Mizokuchi,Tatsumi KUMEKAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Thin film structure, semiconductor device including the same, and semiconductor apparatus including semiconductor device

Номер патента: US20220393016A1. Автор: Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-08.

High-breakdown-voltage semiconductor apparatus

Номер патента: USRE40712E1. Автор: Koichi Sugiyama,Kazuya Nakayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20150041902A1. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor apparatus having a silicide between two devices

Номер патента: US11776954B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor apparatus, electronic device, and forming method for transistor

Номер патента: EP4273932A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor apparatus, and energization test apparatus

Номер патента: US09874596B2. Автор: Akihiro Koyama,Shigehisa Yamamoto,Yukiyasu Nakao,Kazuya Konishi,Shoyu Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US12119227B2. Автор: Takashi Yoshimura,Michio Nemoto,Hiroshi TAKISHITA,Kosuke Yoshida,Motoyoshi KUBOUCHI,Misaki Uchida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP4401112A1. Автор: Satoshi Maeda,Muneatsu Nakamura,Kaoru TOKO. Владелец: University of Tsukuba NUC. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190312115A1. Автор: Takashi Yamada. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234308A9. Автор: Koji Sakui,Norio Chujo,Takayuki Ohba,Shinji Sugatani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240136283A1. Автор: Koji Sakui,Norio Chujo,Takayuki Ohba,Shinji Sugatani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor apparatus and infrared light sensor

Номер патента: US20070102638A1. Автор: Hirofumi Watanabe. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor apparatus, imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230299162A1. Автор: Ryosuke YAMACHI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor apparatus, system, and method of producing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180182802A1. Автор: Koji Hara,Yukinobu Suzuki,Aiko Kato,Takehito Okabe,Tsutomu Tange. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor apparatus, display device, and electronic device

Номер патента: US20230395022A1. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor apparatus having stacked gates and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2019112953A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara N. Tapily,Anton J. DeVillers. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and semiconductor apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4181210A1. Автор: Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

3d semiconductor apparatus manufactured with a cantilever structure and method of manufacture thereof

Номер патента: US20220005805A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US20190074353A1. Автор: HAI Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor apparatus and process for producing the same, and process for making via hole

Номер патента: US20020179913A1. Автор: Kazuhiko Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor apparatus with fake functionality

Номер патента: US20170301634A1. Автор: Chih-Hao Huang,Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Tung-Cheng Kuo,Lun-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor apparatus and manufacturing method

Номер патента: US20180108569A1. Автор: HAI Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Power Supplies and Semiconductor Apparatuses with Functions of Current-Sampling and High-Voltage Startup

Номер патента: US20210313318A1. Автор: Jhen Hong Li,Han Wei Chen. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP1676320B1. Автор: Masato Taki,Hideki Tojima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-01-28.

Semiconductor apparatus having multi-layer gate, electronics apparatus having the semiconductor apparatus and manufacturing method of the semiconductor apparatus

Номер патента: KR102102782B1. Автор: 김승환. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-04-22.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: TW200832563A. Автор: Hideo Yamamoto,Atsushi Kaneko,Kenya Kobayashi,Yoshimitsu Murase. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-08-01.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20070262343A1. Автор: Takafumi Kuramoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US4835579A. Автор: Akira Ishibashi,Yoshifumi Mori,Masao Itabashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-05-30.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070013033A1. Автор: Kouzi Hayasi. Владелец: Electronics Corp. Дата публикации: 2007-01-18.

Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus

Номер патента: US20150076519A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus

Номер патента: US09722018B2. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190355828A1. Автор: Takashi Nakamura,Kenji Yamamoto,Takuji Hosoi,Hirokazu Asahara,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Yusaku Kashiwagi,Masatoshi Aketa,Shuji Azumo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus

Номер патента: US20170213886A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Silicon carbide single crystal and semiconductor apparatus

Номер патента: US12129571B2. Автор: Hiroyuki Kinoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of fabricating a semiconductor apparatus

Номер патента: US5030581A. Автор: Shigenori Yakushiji,Kouji Jitsukata. Владелец: Toshiba Components Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-09.

Semiconductor apparatus, manufacturing method of the semiconductor apparatus and electronic apparatus having the semiconductor apparatus

Номер патента: KR102072036B1. Автор: 오태경,유승완. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-01-31.

Silicon carbide semiconductor apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US09490338B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Seiji Suzuki,Kazuhiro Adachi,Kenji Fukuda,Shinsuke Harada,Tsutomu Yatsuo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-08.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, ELECTRONIC DEVICE, pH SENSOR, BIOSENSOR, PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND PRODUCTION METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20240201125A1. Автор: Makoto NAKAZUMI. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Metal-oxide semiconductor field effect transistor, method of fabricating the same, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09646891B2. Автор: Xingui ZHANG,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20230411402A1. Автор: Hiroaki Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Nitride semiconductor apparatus

Номер патента: US20220165875A1. Автор: Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor apparatus

Номер патента: TWI356487B. Автор: Takafumi Kuramoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-11.

Semiconductor apparatus

Номер патента: WO2007063192A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Artto Aurola. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor apparatus including different thermal resistance values for different heat transfer paths

Номер патента: US12009273B2. Автор: Kazuya Kobayashi,Atsushi Kurokawa,Koshi HIMEDA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP2064749A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-03.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7737465B2. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100240202A1. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor apparatus having a trench Schottky barrier Schottky diode

Номер патента: US09748230B2. Автор: Ning Qu,Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US11776934B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20190109005A1. Автор: Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US10720329B2. Автор: Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Semiconductor apparatus having a trench schottky barrier schottky diode

Номер патента: US20160268449A1. Автор: Ning Qu,Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for making semiconductor apparatus and semiconductor apparatus obtained by the method, method for making thin film transistor substrate and thin film transistor substrate obtained by the method, and method for making display apparatus and display apparatus obtained by the method

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Naoki HAYASHI,Toshiaki Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor apparatus and device with semiconductor layer having crystal orientations that differ in Young's modulus and relative angle

Номер патента: US11502162B2. Автор: Hiroaki Kobayashi,Katsunori Hirota,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Semiconductor apparatus and device

Номер патента: US20210175324A1. Автор: Hiroaki Kobayashi,Katsunori Hirota,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the semiconductor apparatus

Номер патента: US20140342513A1. Автор: Hiroshi Endo,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090001422A1. Автор: Takuya Oizumi,Junichi Okayasu. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of the semiconductor apparatus

Номер патента: US20150035010A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Satoshi Taniguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20140091318A1. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of the semiconductor apparatus

Номер патента: US9184274B2. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Satoshi Taniguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20160268412A1. Автор: Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09484342B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Satoshi Tamura,Hiroyuki Handa,Hidekazu Umeda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor apparatus and method for producing the same

Номер патента: US09543252B2. Автор: Yoshiyuki Nakaki,Kei Yamamoto,Mamoru Terai,Shiori Idaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor apparatus including barrier film provided between electrode and protection film

Номер патента: US09685547B2. Автор: Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09653621B2. Автор: Tomoyoshi Kushida,Hiroyuki Sakaki,Masato Ohmori. Владелец: Toyota School Foundation. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for fabricating a 3d semiconductor apparatus having two vertically disposed seminconductor devices

Номер патента: US20220077003A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for fabricating a 3D semiconductor apparatus having two vertically disposed seminconductor devices

Номер патента: US11302587B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09484344B2. Автор: Yeon Ok Kim,Ji Tai SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor apparatus comprised of two types of transistors

Номер патента: US20130321082A1. Автор: Fumio Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor apparatus comprised of two types of transistors

Номер патента: US9153573B2. Автор: Fumio Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-06.

Semiconductor apparatus and image sensor package using the same

Номер патента: US20130193545A1. Автор: Pyoung-Wan Kim,Seung-Kon Mok,Young-Shin Kwon,Young-Gyu Jeong,Hyun-Su JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-01.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: US20070087494A1. Автор: Kinya Ootani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230387278A1. Автор: Yuji Ebiike,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20130175674A1. Автор: Heng Liu,Chia-Nan Chen,Jinn Kong Sheu,Yen-Chang Hsieh,chun-chao Li,Ya-Hsuan Shih. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210098572A1. Автор: Keishi WATANABE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor apparatus for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US11289571B2. Автор: Keishi WATANABE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-29.

Monolithic semiconductor apparatus adapted for sequential charge transfer

Номер патента: CA1073551A. Автор: Edward H. Nicollian,Dawon Kahng. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-03-11.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20140091317A1. Автор: KOTANI Junji,Nakamura Norikazu,TOMABECHI Shuichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2755175C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-13.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2756003C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-24.

Method for producing semiconductor apparatus for quantum computer

Номер патента: US20230276716A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Display apparatus and control method having semiconductor apparatuses

Номер патента: US10319332B2. Автор: Tamotsu Uekuri. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Semiconductor apparatus, solid-state image pickup device, image pickup apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US20170323917A1. Автор: Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor apparatus, stacked semiconductor apparatus, encapsulated stacked-semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09620429B2. Автор: Kyoko Soga,Satoshi Asai,Katsuya Takemura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Bearing assembly for accommodating device for semiconductor apparatus

Номер патента: US20240209893A1. Автор: Bin Hua,Wenxuan LI,Xinyu SHI,Xianmiao SUN. Владелец: Zhicheng Semiconductor Equipment Technology Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Bearing assembly for accommodating device for semiconductor apparatus

Номер патента: US12085124B2. Автор: Bin Hua,Wenxuan LI,Xinyu SHI,Xianmiao SUN. Владелец: Zhicheng Semiconductor Equipment Technology Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor apparatus, electronic device, and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140131874A1. Автор: Naoki Komai,Yoshihisa Kagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor apparatus mounted electrically connected to a plurality of external terminals by a lead

Номер патента: US12040258B2. Автор: Yoshimasa Kobayashi,Naoto Uchida,Toshikazu Arai. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Optoelectronic Semiconductor Apparatus and Carrier Assembly

Номер патента: US20150249073A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-09-03.

Optoelectronic Semiconductor Apparatus and Carrier Assembly

Номер патента: US20160293587A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-10-06.

Manufacturing method for semiconductor apparatus

Номер патента: US20030060023A1. Автор: Toshiharu Nishi,Shigenori Kitanishi,Junji Oka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Apparatus diagnostic apparatus, semiconductor manufacturing apparatus system, and semiconductor apparatus manufacturing system

Номер патента: US20240339308A1. Автор: Akira Kagoshima,Satoru Matsukura,Masahiro Sumiya,Nanako TAMARI,Yoshito Kamaji. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Optoelectronic semiconductor apparatus and carrier assembly

Номер патента: US09831227B2. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Laminate type semiconductor apparatus

Номер патента: US20010008306A1. Автор: Shigeki Kamei,Saeko Takagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor apparatus and electronic system

Номер патента: US20020003300A1. Автор: Hideyuki Takahashi,Haruhiko Makino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for preparing a semiconductor apparatus

Номер патента: US20180226380A1. Автор: Po-Chun Lin,Chin-Lung Chu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor apparatus, image capturing apparatus, image capturing system, and moving object

Номер патента: US20240210463A1. Автор: Kei Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor apparatus, image capturing apparatus, image capturing system, and moving object

Номер патента: US20200386806A1. Автор: Kei Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor apparatus including uncrowned and crowned cells and method of making

Номер патента: US20200050733A1. Автор: Wen-Hao Chen,Meng-Kai Hsu,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Prasenjit Ray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for producing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230230926A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Vacuum laminating apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20170282527A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Stack type semiconductor apparatus and system including the stack type semiconductor apparatus

Номер патента: US09829537B2. Автор: Ji Hwan Kim,Jong Chern Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor apparatus and adjustment method

Номер патента: US09589820B2. Автор: Yao-Hwan Kao,Po-Chun LEE,Ching-Hai Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240096702A1. Автор: Yuta Sugimoto,Kenta Kuroda. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210125887A1. Автор: Keigo INABA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor apparatus, method for growing nitride semiconductor and method for producing semiconductor apparatus

Номер патента: US20060145166A1. Автор: Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Toshiya Matsuda,Takanori Yasuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20080054463A1. Автор: Hiroyuki Nakanishi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor apparatus, power converter and automobile

Номер патента: US20020011363A1. Автор: Shinji Shirakawa,Akira Mishima,Toshiyuki Innami,Keiichi Mashino,Hideshi Fukumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor apparatus and manufacturing method

Номер патента: US20210366900A1. Автор: Hideshi Kuwabara,Tasuku Kaneda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor apparatus and method for preparing the same

Номер патента: US09905549B1. Автор: Po-Chun Lin,Chin-Lung Chu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Encapsulant with base for use in semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US09449856B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Susumu Sekiguchi,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20200343280A1. Автор: Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor apparatus using both surfaces of a wafer and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240371831A1. Автор: Minwoo Lee,Duk Sung Kim,Joonho JUN,Byoungkon JO,Gyesik OH,Wangyong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: WO2023109605A1. Автор: Yun Li,Jianfeng Li,Fangfang Dong,Jiayi Yan,Yaqing Ma,Yuekang DU,Joseph Castillo ARCILLAS. Владелец: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2023-06-22.

Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication

Номер патента: US20020195725A1. Автор: Jun Tanaka,Kiyoshi Ogata,Keiko Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication

Номер патента: US20020195724A1. Автор: Jun Tanaka,Kiyoshi Ogata,Keiko Isoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication

Номер патента: US20020060373A1. Автор: Jun Tanaka,Kiyoshi Ogata,Keiko Isoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing same

Номер патента: US20200176340A1. Автор: Takeshi Hosomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

A semiconductor apparatus

Номер патента: WO2005096370A1. Автор: Hideki Agari,Kohji Yoshii,Tsugunori Okuda. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor apparatus with a stable contact resistance and a method of making the semiconductor apparatus

Номер патента: US20040209419A1. Автор: Junichi Konishi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor apparatus and method for preparing the same

Номер патента: US09966363B1. Автор: Po-Chun Lin,Chin-Lung Chu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor apparatus having electrical connections with through-via and a metal layer and stacking method thereof

Номер патента: US09530756B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor apparatus capable of error revision using pin extension technique and design method therefor

Номер патента: US20110140280A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Sung-Chul Lee,Hyun-Chul Shin,Byung-Tae Kang,Dong-Yun Kim,Dong-Hoon Yeo,Ju-Yong SHIN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2011-06-16.

A semiconductor apparatus

Номер патента: EP1733424B1. Автор: Hideki Agari,Kohji Yoshii,Tsugunori Okuda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-03.

A semiconductor apparatus

Номер патента: EP1733424A1. Автор: Hideki Agari,Kohji Yoshii,Tsugunori Okuda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-20.

Semiconductor apparatus and production method thereof suitable for electric power devices

Номер патента: US7397116B2. Автор: Hiroyuki Onishi,Jun Ishikawa,Toshiaki Nagase,Koichi Akagawa. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2008-07-08.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20070187763A1. Автор: Hideki Agari,Kohji Yoshii,Tsugunori Okuda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20090057926A1. Автор: Takashi Yonezawa,Kou Sasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus, semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240312805A1. Автор: Masaru Yamada,Yosuke Nakanishi,Kyohei Akiyoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Input circuit of three-dimensional semiconductor apparatus capable of enabling testing and direct access

Номер патента: US09589670B2. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor apparatus including a heat dissipating member

Номер патента: US09437517B2. Автор: Takao Ochi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US9224662B2. Автор: Takuya Kadoguchi,Keita FUKUTANI,Masayoshi Nishihata,Tomomi Okumura,Takahiro Hirano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-12-29.

Semiconductor apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20090072390A1. Автор: Hideo Nishiuchi,Tomohiro Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor apparatus and manufacturing method

Номер патента: US20240290741A1. Автор: Shuji Uehara,Takayuki Ohba,Masaki Takakuwa,Shinji Sugatani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20130183807A1. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor apparatus and manufacturing method therefor

Номер патента: US20010050381A1. Автор: Hisamitsu Kimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200176424A1. Автор: Hisato Michikoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US9012301B2. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor apparatus and method of making semiconductor apparatus

Номер патента: US20220399293A1. Автор: Shinichiro Sekijima. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US12074090B2. Автор: Kazuo Enomoto,Shinichiro Adachi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US12057463B2. Автор: Hiroaki Kobayashi,Katsuhito Sakurai,Atsushi Furubayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Stacked semiconductor apparatus, system and method of fabrication

Номер патента: US09754921B2. Автор: Yun-sang Lee,Young-don Choi,Kang-Wook Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor system having semiconductor apparatus and method of determining delay amount using the semiconductor apparatus

Номер патента: US09576936B2. Автор: Tae Sik Yun,Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Power line structure for semiconductor apparatus

Номер патента: US09418936B2. Автор: Jae Hwan Kim,Won John CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor apparatus capable of reducing plasma damage

Номер патента: US20110156169A1. Автор: Nam Gyu RYU,Won John CHOI. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Solid-state image-capturing device, semiconductor apparatus, electronic apparatus, and manufacturing method

Номер патента: US20230154962A1. Автор: Yoichi Ootsuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190237495A1. Автор: Toshihiro Shoyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor apparatus including cooler for cooling semiconductor element

Номер патента: US20240258194A1. Автор: Yushi Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor apparatus and vehicle

Номер патента: US20230260951A1. Автор: Hitoshi Nakata,Naoyuki Kanai,Yuichiro HINATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Multi-chip semiconductor apparatus

Номер патента: US20130249107A1. Автор: Byung Deuk Jeon,Nam Pyo Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20240250105A1. Автор: Kohei Matsumoto,Hideo Kobayashi,Daisuke Yoshida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor apparatus and vehicle

Номер патента: US12087655B2. Автор: Takafumi Yamada,Hiromichi Gohara,Yuta Tamai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Design Method for Circuit Layout and Rapid Thermal Annealing Method for Semiconductor Apparatus

Номер патента: US20110078647A1. Автор: Xian J. Ning,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor apparatus including multichip package

Номер патента: US20160161968A1. Автор: Chang Hyun Kim,Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor apparatus including dummy patterns

Номер патента: US20150155274A1. Автор: Yun Suk Choi,Jae Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Curable resin composition, hardened material thereof, and optical semiconductor apparatus

Номер патента: US20130345359A1. Автор: Eiichi Tabei,Masayuki Ikeno,Satoshi Onai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Power Semiconductor Apparatus and Power Conversion Apparatus

Номер патента: US20240243041A1. Автор: Yasuhiro Sakai,Tsuyoshi Uraji,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor apparatus and method of collecting residues

Номер патента: US20230038785A1. Автор: Pin-Yi Hsin,Bo-Han Huang,Ping-Cheng Lin,Ching Shun Lee,Cheng-Tsung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor Apparatus Including Alignment Tool

Номер патента: US20100214569A1. Автор: Seong-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor apparatus including alignment tool

Номер патента: US8355139B2. Автор: Seong-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-15.

Semiconductor apparatus, authenticity determination method and power conversion apparatus

Номер патента: US20240178153A1. Автор: Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor apparatus, solid state imaging device, imaging apparatus and electronic equipment, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881962B2. Автор: Hidetsugu Otani,Yuuji Kishigami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor apparatus including multichip package

Номер патента: US09613678B2. Автор: Chang Hyun Kim,Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor apparatus including multichip package

Номер патента: US09519302B2. Автор: Chang Hyun Kim,Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20140151842A1. Автор: Jae Min Kim,Myung Gun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor apparatus and method for controlling semiconductor apparatus

Номер патента: US20210074342A1. Автор: Nobuhiro Tsuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor apparatus and method of controlling mos transistor

Номер патента: US20170155392A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: US20210043630A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2021025797A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor apparatus and module

Номер патента: US20200013772A1. Автор: Kenji Noguchi,Hiroaki Nagano,Toshiyuki Koimori,Masaya Uemura,Megumi Nakayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor apparatus and substrate

Номер патента: US20140367836A1. Автор: Masahiro Ishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor apparatus and substrate

Номер патента: US20130037968A1. Автор: Masahiro Ishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20110304050A1. Автор: Tetsuya Sato,Takashi Imoto,Yusuke Akada,Masaji RI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148313A1. Автор: Yoshiaki Komuro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US09583706B2. Автор: Hyung Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: EP4429119A2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US09838626B2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US09736409B2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230245969A1. Автор: Daisuke KAWABATA,Masaya Imori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US10389351B2. Автор: Yasuaki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-20.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: US20220359434A1. Автор: Eiichi Ide,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Millimeter wave semiconductor apparatus

Номер патента: US20180254229A1. Автор: Toshihide Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Optical semiconductor apparatus

Номер патента: US20140197528A1. Автор: Michikazu Nagata. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200373258A1. Автор: Kazuyuki Kubota. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190103866A1. Автор: Yasuaki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20030173629A1. Автор: Masahito Gotoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-18.

Method for fabricating semiconductor apparatus using board frame

Номер патента: US6948239B2. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-27.

Semiconductor apparatus and its manufacturing method

Номер патента: EP2006905A3. Автор: Shinichi Kurita,Yuji Takayanagi,Hidekazu Kamioka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-30.

Conductive layer in a semiconductor apparatus, display substrate and display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09691794B1. Автор: Feng Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor apparatus, display apparatus, and electronic equipment

Номер патента: US12035580B2. Автор: Yosuke Motoyama,Hiroaki Tsuchioka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor apparatus, exposing head, and image forming apparatus

Номер патента: US09429867B2. Автор: Takahito Suzuki,Taishi Kaneto. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20210368121A1. Автор: Hideo Kobayashi,Daisuke Yoshida,Takahiro Shirai,Yoshiaki Takada,Fumihiro Inui,Katsuhito Sakurai,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20200244912A1. Автор: Hideo Kobayashi,Daisuke Yoshida,Takahiro Shirai,Yoshiaki Takada,Fumihiro Inui,Katsuhito Sakurai,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US12028971B2. Автор: Toru Matsuyama,Kyosuke SHIBATA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor apparatus including a plurality of dies operating as a plurality of channels

Номер патента: US12026399B2. Автор: Soo Bin LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190103334A1. Автор: Hiroki Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Output circuit of semiconductor apparatus having two different types of decoupling capacitors

Номер патента: US20110187450A1. Автор: Jun Ho Lee,Yang Hee Kim,Hyun Seok Kim,Boo Ho JUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Method of reconfiguring uncrowned standard cells and semiconductor apparatus including uncrowned and crowned cells

Номер патента: US20180004886A1. Автор: Wen-Hao Chen,Meng-Kai Hsu,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Prasenjit Ray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor apparatus and a production method thereof

Номер патента: EP1553687A3. Автор: Hiroyuki Onishi,Jun Ishikawa,Toshiaki Nagase,Koichi Akagawa. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US7833841B2. Автор: Isao Sakama,Hidehiko Kando. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-11-16.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20150372059A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US11521702B2. Автор: Yukio Okamura,Toru Matsuyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor apparatus and memory system

Номер патента: US20180151509A1. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor apparatus and method of producing same

Номер патента: US6140229A. Автор: Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20090135575A1. Автор: Takashi Tsubota,Atsunori Kajiki,Norio Yamanishi,Sadakazu Akaike. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20090057893A1. Автор: Takayuki Iwaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090159881A1. Автор: Isao Sakama,Hidehiko Kando. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor apparatus having multiple chips mounted thereon

Номер патента: US8736341B2. Автор: Kouji MIZUTANI. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor apparatus and chip selecting method thereof

Номер патента: US20110246104A1. Автор: Jun Gi Choi,Jae Bum KO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20060244103A1. Автор: Koji Ishikawa,Kazutaka Mori,Tamotsu Miyake,Mitsugu Kusunoki,Hiroshige Kogayu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20240266281A1. Автор: Yuichi Kazue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20240266263A1. Автор: Shogo Shibata,Kazufumi Oki,Kosuke Yamaguchi,Mamoru TOGAMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US7629669B2. Автор: Koji Ishikawa,Kazutaka Mori,Tamotsu Miyake,Mitsugu Kusunoki,Hiroshige Kogayu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-12-08.

Semiconductor apparatus including calibration circuit

Номер патента: US12113650B2. Автор: Yongsuk Choi,Jung Hyun Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332147A1. Автор: Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20240347556A1. Автор: Kazuhiro Saito,Hideo Kobayashi,Yuji Nakajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for forming organic film and method for manufacturing substrate for semiconductor apparatus

Номер патента: US09984891B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Rie Kikuchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor apparatus including magnetoresistive device

Номер патента: US09954030B2. Автор: Yong-kyu Lee,Gwan-Hyeob Koh,Hong-Kook Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor apparatus and memory system

Номер патента: US09917061B2. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09837349B2. Автор: Ju Hak Song,Sung Min JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor apparatus, method for manufacturing the same, electronic device, and moving body

Номер патента: US09786616B2. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US09601691B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor apparatus and chip selecting method thereof

Номер патента: US09519020B2. Автор: Jun Gi Choi,Jae Bum KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor apparatus with variable resistor having tapered double-layered sidewall spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US09502648B2. Автор: Jae Sung YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US09466640B2. Автор: Kei Aoki,Masaki Kurihara,Daisuke Shimoyama,Naoki Inatani. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of the same

Номер патента: US09356036B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: US20130178046A1. Автор: Heng Liu,Chia-Nan Chen,Jinn Kong Sheu,Yen-Chang Hsieh,chun-chao Li,Ya-Hsuan Shih. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US10674106B2. Автор: Hideo Kobayashi,Daisuke Yoshida,Takahiro Shirai,Yoshiaki Takada,Fumihiro Inui,Katsuhito Sakurai,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Method of reconfiguring uncrowned standard cells and semiconductor apparatus including uncrowned and crowned cells

Номер патента: US10452805B2. Автор: Wen-Hao Chen,Meng-Kai Hsu,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Prasenjit Ray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210274641A1. Автор: Yukio Okamura,Toru Matsuyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20130176063A1. Автор: Kouji MIZUTANI. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor apparatus having multiple ranks with noise elimination

Номер патента: US09953943B2. Автор: Dong Uk Lee,Kyung Whan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Stacked semiconductor apparatus being electrically connected through through-via and monitoring method

Номер патента: US09559677B2. Автор: Sang Ho Lee,Ki Chang Kwean. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor apparatus having TSV and testing method thereof

Номер патента: US09455190B2. Автор: Hyung Jun CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor apparatus, stacked semiconductor apparatus, encapsulated stacked-semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170103932A1. Автор: Kyoko Soga,Michihiro Sugo,Satoshi Asai,Kazunori Kondo,Hideto Kato,Katsuya Takemura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Substrate having built-in semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050067717A1. Автор: Yoshinori Shizuno. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor apparatus, and electronic device comprising same

Номер патента: EP4152375A1. Автор: YU Chen,Yan Xu,Zhongli Ji. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20120119356A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-05-17.

Method and apparatus for epitaxial growth of type iii-v semiconductors, apparatus for generating low-temperature high-density plasma, epitaxial metal nitride layer, epitaxial metal nitride heterostructure and semiconductor

Номер патента: RU2462786C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ганс ФОН. Владелец: Зульцер Метко Аг. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor apparatus and heating device in semiconductor apparatus

Номер патента: US20230143413A1. Автор: Bing Li. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor apparatus with heat dissipation conduit in sidewall interconnection structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20220254702A1. Автор: Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor apparatus and electronic apparatus

Номер патента: US11961783B2. Автор: Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor apparatus with heat dissipation conduit in sidewall interconnection structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US11929304B2. Автор: Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus manufacturing method

Номер патента: US20230361146A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: GB2587861A. Автор: Kobayashi Hideo,Yoshida Daisuke,Matsumoto Kohei. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Automatic adjustment method and automatic adjustment device of beam of semiconductor apparatus, and training method of parameter adjustment model

Номер патента: US11955309B2. Автор: Ji-Fu Kung,Yi-Cheng Lu,Zheng-yang Li,Chian-Chen KUO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Automatic adjustment method and automatic adjustment device of beam of semiconductor apparatus, and training method of parameter adjustment model

Номер патента: US20220384139A1. Автор: Ji-Fu Kung,Yi-Cheng Lu,Zheng-yang Li,Chian-Chen KUO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20190221594A1. Автор: Kazuaki Tashiro,Tomoya Sasago. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor apparatus, socket, and electronic apparatus

Номер патента: US20230063990A1. Автор: Tsuyoshi So. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor apparatus and electronic apparatus

Номер патента: US20140159186A1. Автор: Takuya Nakamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor apparatus, manufacturing method for semiconductor apparatus, and power converter

Номер патента: US11942400B2. Автор: Kei Yamamoto,Kuniyuki Sato,Hodaka Rokubuichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor apparatus and mobile apparatus

Номер патента: US20080211110A1. Автор: Takeshi Otsuka,Toshikazu Imaoka. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor apparatus, method for manufacturing semiconductor apparatus, equipment, and substrate

Номер патента: US20230411414A1. Автор: Sakae Hashimoto,Tatsunori Kato,Akira Oseto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor apparatus and method of manufactuing the same

Номер патента: US20040227237A1. Автор: Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor apparatus, image capturing apparatus, image capturing system, and moving object

Номер патента: US11953541B2. Автор: Kei Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor apparatus and horizontal register for solid-state image pickup apparatus with protection circuit for bypassing an excess signal

Номер патента: US5641981A. Автор: Hiroshi Hibi,Hideto Isono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-06-24.

Semiconductor apparatus and equipment having laminated layers

Номер патента: US20180286910A1. Автор: Masahiro Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor apparatus and fabrication method therefor

Номер патента: EP4325571A1. Автор: Ran He,Huifang JIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240079242A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Michiya KITANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US11329088B2. Автор: Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Power semiconductor apparatus and fabrication method for the same

Номер патента: US11848295B2. Автор: Katsuhiko Yoshihara,Takukazu Otsuka,Seita Iwahashi,Maiko HATANO,Ryuta Watanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Power semiconductor apparatus and fabrication method for the same

Номер патента: US20240063164A1. Автор: Katsuhiko Yoshihara,Takukazu Otsuka,Seita Iwahashi,Maiko HATANO,Ryuta Watanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20100233856A1. Автор: Tomoyuki Kitani,Takao Nogi,Akira Tojo,Kentaro Suga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor apparatus, power module, and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US11848298B2. Автор: Yoshinori Yokoyama,Yuji Sato,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230420344A1. Автор: Chun-Hung Chen,Chia-Hsin Tung,Hsueh-Yi Lee,Wen-Pin Tsai. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2023-12-28.

Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication

Номер патента: US20040084785A1. Автор: Jun Tanaka,Kiyoshi Ogata,Keiko Isoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-06.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US11444055B2. Автор: Shinichiro Watanabe,Youichi FUKAYA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Input circuit of semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20160163362A1. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20130078766A1. Автор: Tomoyuki Kitani,Takao Nogi,Akira Tojo,Kentaro Suga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus manufacturing method

Номер патента: US20220359599A1. Автор: Tadashi Iijima,Yuki Miyanami. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US20150303167A1. Автор: Hiroshi Ozaki,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor apparatus, electronic device, and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US8664763B2. Автор: Naoki Komai,Yoshihisa Kagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US9105625B2. Автор: Hiroshi Ozaki,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US20130043585A1. Автор: Hiroshi Ozaki,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US11948910B2. Автор: Shinichiro Watanabe,Youichi FUKAYA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: WO2024062796A1. Автор: Takaaki Hirano,Masaki Okamoto,Takushi Shigetoshi,Katsuhisa Kugimiya,Shun Matsumoto,Tatsumasa HIRATSUKA. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the semiconductor apparatus

Номер патента: US20080073681A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20200395336A1. Автор: Yoshihiro Nakata,Shinya Sasaki,Teru Nakanishi,Ayumi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor apparatus and semiconductor chip

Номер патента: US20230188074A1. Автор: Ryu ARAKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of providing electrical interconnect between two layers within a silicon substrate, semiconductor apparatus, and method of forming apparatus for testing semiconductor circuitry for operability

Номер патента: US5419807A. Автор: Salman Akram,Warren M. Farnworth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-05-30.

Semiconductor apparatus for discharging heat

Номер патента: US11923264B2. Автор: Yongha Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210066241A1. Автор: Shinichiro Watanabe,Youichi FUKAYA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344149A1. Автор: Michiya KITANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for manufacturing a flip-chip type semiconductor apparatus using a photosensitive adhesive layer and corresponding flip-chip type semiconductor apparatus

Номер патента: EP3211661A3. Автор: Kyoko Soga,Satoshi Asai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-13.

Semiconductor apparatus and manufacturing method for semiconductor apparatus

Номер патента: US20230063723A1. Автор: Daiki Yoshida,Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor apparatus and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4131372A1. Автор: Lei Wang,Xuan Feng,Xue Dong,XUAN Liang,Fei Wang,Fuqiang Li,Mingxing Wang,Yanling Han,Chenyang ZHANG,Yapeng Li,Zhanfeng CAO,Yafeng Yang,Xinxin ZHAO,Meili Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20150162274A1. Автор: Takuya Kadoguchi,Keita FUKUTANI,Masayoshi Nishihata,Tomomi Okumura,Takahiro Hirano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Curable composition for encapsulating optical semiconductor and optical semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20130320392A1. Автор: Mikio Shiono,Hidenori Koshikawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US10546806B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus manufacturing method

Номер патента: US20220352226A1. Автор: Tadashi Iijima,Toshihiko Miyazaki,Tsuyoshi Suzuki,Yuki Kawahara. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US8022479B2. Автор: Tetsuro Nozu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

Optical semiconductor sealing curable composition and optical semiconductor apparatus using this

Номер патента: US20130082300A1. Автор: Mikio Shiono,Hidenori Koshikawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20220157672A1. Автор: Takuya Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190109077A1. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor apparatuses with radio-frequency line elements, and associated manufacturing methods

Номер патента: US20190198455A1. Автор: Christian Geissler,Walter Hartner,Thomas Kilger,Johannes Lodermeyer,Franz-Xaver Muehlbauer,Claus Waechter,Martin Richard Niessner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20230154808A1. Автор: Kentaro Yoshida,Tatsuya Kawase,Masaki KURACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Radio frequency semiconductor apparatus

Номер патента: US20020163018A1. Автор: Shinji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20080296684A1. Автор: Tetsuro Nozu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor apparatus for transferring workpiece with protection feature

Номер патента: US20030017031A1. Автор: Tsai-Pei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20220406669A1. Автор: Hiroki Kogawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: US3818584A. Автор: T Kobayashi,T Nakai,T Sawano,M Suenaga,T Machii,T Dengo. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1974-06-25.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230197886A1. Автор: Kazuya Masuyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US11798970B2. Автор: Yoshikazu Yamazaki,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor apparatus and method of making the same

Номер патента: US11776903B2. Автор: Kazuhiro Yoshida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20200273901A1. Автор: Yoshikazu Yamazaki,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor apparatus and method of making the same

Номер патента: EP3961702A1. Автор: Kazuhiro Yoshida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210104497A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-04-08.

Light-receiving or light-emitting semiconductor apparatus

Номер патента: CA2469002C. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20150214153A1. Автор: Jae Hwan Kim,Won John CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Power line structure for semiconductor apparatus

Номер патента: US20160197040A1. Автор: Jae Hwan Kim,Won John CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20230369183A1. Автор: Yoshihiko Kawakami. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US11380676B2. Автор: Ki Jong Lee,Joong-Ho Kim,Doo Bock LEE,Hyun Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-05.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US10867992B2. Автор: Ki Jong Lee,Joong-Ho Kim,Doo Bock LEE,Hyun Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor apparatus having power through holes connected to power pattern

Номер патента: US9252098B2. Автор: Sou Hoshi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: WO2011058718A1. Автор: Sou Hoshi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2011-05-19.

Method of designing interconnect structure of semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20220366122A1. Автор: Jaeyong Shin,Jeonghoon Ahn,Yunki Choi,Yeongjun Kwon,Joonnyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US20210082909A1. Автор: Ki Jong Lee,Joong-Ho Kim,Doo Bock LEE,Hyun Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190157335A1. Автор: Mineo Shimotsusa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20240023299A1. Автор: Akihiro Osawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120235291A1. Автор: Masayuki Uchida,Takashi Togasaki,Satoru Hara,Kentaro Suga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor apparatus, method for manufacturing the same and electric device

Номер патента: US8866312B2. Автор: Motoaki Tani,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP1898462A3. Автор: Masahiro Sunohara,Akinori Shiraishi,Yuichi Taguchi,Kei Murayama,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-10.

Optical semiconductor apparatus

Номер патента: US20190103529A1. Автор: Satoshi Yajima,Yasuo Kogure,Shinichi Ogawa. Владелец: Hoya Candeo Optronics Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor apparatus and semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: CA3169253A1. Автор: Daniel SCHALL. Владелец: Amo GmbH. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US11978755B2. Автор: Kohei Matsumoto,Hideo Kobayashi,Daisuke Yoshida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230335448A1. Автор: Tadahiko Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US10763171B2. Автор: Eiichi Yamamoto,Takahiko Mitsui. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Circuit board, semiconductor apparatus, and electronic equipment

Номер патента: US20220246538A1. Автор: Takashi Miyamoto,Harunaga Hiwatari,Toru Akishita. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor apparatus and semiconductor wafer

Номер патента: US20210098439A1. Автор: Mari Isobe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor apparatus including cooler for cooling semiconductor element

Номер патента: US12009279B2. Автор: Yushi Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor apparatus, imaging apparatus, and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20230317759A1. Автор: Tetsuo Gocho. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor apparatus, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240203817A1. Автор: Natsuya Yoshida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Solid-state image-capturing device, semiconductor apparatus, electronic apparatus, and manufacturing method

Номер патента: US11482557B2. Автор: Yoichi Ootsuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-25.

Tape mounted semiconductor apparatus

Номер патента: US5763940A. Автор: Takeshi Sasaki,Yuko Shibusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20050093137A1. Автор: Hiroyuki Onishi,Jun Ishikawa,Toshiaki Nagase,Koichi Akagawa. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20050093156A1. Автор: Kazunori Fujita,Naoteru Matsubara,Yohko Naruse. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor apparatus capable of detecting whether pad and bump are stacked

Номер патента: US9224722B2. Автор: Jong Chern Lee,Soo Bin LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20060125097A1. Автор: Yasuhiro Sawada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2021080676A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of removing a by-product from a component of a semiconductor apparatus

Номер патента: US20240014029A1. Автор: Ren-Guan Duan,Chen-Hsiang LU,Chin-Feng Lin,Tung-Hsiung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20160013408A1. Автор: Hyung Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor, and resin-encapsulated type semiconductor apparatus

Номер патента: US20020053302A1. Автор: Nobuyuki Nakajima,Noriaki Saitou,Kazuhisa Endo. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US11978683B2. Автор: Toru Hiyoshi,Hirotaka Oomori,Ren KIMURA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Circuit board, semiconductor apparatus, and electronic equipment

Номер патента: US20210343764A1. Автор: Masahiro Takahashi,Takashi Miyamoto,Yoshiyuki Akiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Carrier device, semiconductor apparatus, and residual charge detection method

Номер патента: US20230138394A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Packaging substrate and semiconductor apparatus comprising same

Номер патента: US20240128177A1. Автор: Sungjin Kim,Youngho RHO,Jincheol Kim,Byungkyu JANG. Владелец: Absolics Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Manufacturing method for semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US11769754B2. Автор: Tatsuya Saito,Takayuki Sumida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210066236A1. Автор: Takashi Tsuno,Hirotaka Oomori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: US20210118799A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus having stacked devices

Номер патента: US20230024975A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Ceramic article, semiconductor apparatus for manufacturing a semiconductor structure and method of manufacturing a ceramic article

Номер патента: US20240010566A1. Автор: Ren-Guan Duan,Chen-Hsiang LU,Li-Chun Wang,Tien-Chih CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor apparatus including dummy patterns

Номер патента: US9171835B2. Автор: Yun Suk Choi,Jae Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor apparatus including multichip package

Номер патента: US20170053690A1. Автор: Chang Hyun Kim,Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US11056456B2. Автор: Takashi Tsuno,Hirotaka Oomori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus having stacked devices

Номер патента: US12014984B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor apparatus, photodetection system, light emitting system, and moving body

Номер патента: US20200312913A1. Автор: Akira Shimazu,Takahiro Yajima,Takayuki Sumida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor apparatus and stacked semiconductor apparatus for checking formation and connection of through silicon via

Номер патента: US20140209907A1. Автор: Jae Jin Lee,Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor apparatus having first and second bonding members, display apparatus, photoelectric conversion apparatus, electronic device, illumination apparatus, and moving body

Номер патента: US20210066420A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2010047402A1. Автор: Tadayoshi Muta. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2010-04-29.

Method and apparatus for monitoring edge bevel removal area in semiconductor apparatus and electroplating system

Номер патента: US20230375482A1. Автор: Chao-Tung Wu,Kuo-Chung Yu,Chung-Hao Hu,Sheng-Ping Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and apparatus for monitoring edge bevel removal area in semiconductor apparatus and electroplating system

Номер патента: US11781995B2. Автор: Chao-Tung Wu,Kuo-Chung Yu,Chung-Hao Hu,Sheng-Ping Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US20180124340A1. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US20170006243A1. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US20170288691A1. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US20170134678A1. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US20160227145A1. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor apparatus, module, camera, and equipment

Номер патента: US11841572B2. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US20140232916A1. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Epoxy resin composition and semiconductor apparatus

Номер патента: US20040188676A1. Автор: Hironori Osuga. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor apparatus and method of inspection the same

Номер патента: US20100034456A1. Автор: Tomohiko Matsumae. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Wafer-level backside layer for semiconductor apparatus

Номер патента: US20230064066A1. Автор: Yuan Zhang,HAO Zhang,DING Han,Yuntao Xu,Minhui MA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US9654708B2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US9509933B2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system having via holes between substrates

Номер патента: US10027912B2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US9350929B2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor apparatus, module, camera, and equipment

Номер патента: US20240085735A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: US11848245B2. Автор: Takashi Hirao,Hironori Nagasaki,Shintaro Tanaka. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Power semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220352049A1. Автор: Kenichi Hayashi,Hiroyuki Yoshihara,Masaki Goto,Shunji Masumori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Methods for manufacturing semiconductor apparatus and cmos image sensor

Номер патента: US20120282729A1. Автор: Yasuhiro Kawabata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor apparatus including photodiode unit and method of inspection of the same

Номер патента: US8022403B2. Автор: Tomohiko Matsumae. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor apparatus, display apparatus, and electronic equipment

Номер патента: US20210351257A1. Автор: Yosuke Motoyama,Hiroaki Tsuchioka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor apparatus and electric power conversion apparatus

Номер патента: US20190164858A1. Автор: Makoto Koyanagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190198422A1. Автор: Wenjun Huang,Jyh Rong Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor apparatus, manufacturing apparatus, and manufacturing method

Номер патента: US20120211855A1. Автор: Masahiko Shimizu,Toshiaki Iwafuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120235270A1. Автор: Chiori Mochizuki,Minoru Watanabe,Kentaro Fujiyoshi,Jun Kawanabe,Keigo Yokoyama,Masato Ofuji,Hiroshi Wayama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Nickel based material for a semiconductor apparatus

Номер патента: US4970569A. Автор: Toshihiko Mori,Kenji Kubosono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-11-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20110181218A1. Автор: Chikara Tsuchiya. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: WO2018220275A1. Автор: Tauno Vähä-Heikkilä,Pekka Rantakari,Esa Tuovinen,Heikki Viljanen. Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor apparatus including calibration circuit

Номер патента: US11792052B2. Автор: Yongsuk Choi,Jung Hyun Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor apparatus with variable resistor having tapered double-layered sidewall spacers

Номер патента: US20170040382A1. Автор: Jae Sung YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US11830902B2. Автор: Shinichi Saeki,Koji Hara,Tsuyoshi Miyagawa,Yusuke Onuki,Shinsuke Kojima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US11699653B2. Автор: Yuichi Kazue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210274643A1. Автор: Toru Matsuyama,Kyosuke SHIBATA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190103329A1. Автор: Akira Goto,Akihiko Yamashita,Rei YONEYAMA,Nobuchika AOKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor apparatus, degradation value determination system and processing system

Номер патента: US20170141762A1. Автор: Kazuki Fukuoka,Toshifumi Uemura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200152537A1. Автор: Tauno Vähä-Heikkilä,Pekka Rantakari,Esa Tuovinen,Heikki Viljanen. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US11990402B2. Автор: Yuichi Kazue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US11108986B2. Автор: Hideo Kobayashi,Daisuke Yoshida,Takahiro Shirai,Yoshiaki Takada,Fumihiro Inui,Katsuhito Sakurai,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-08-31.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20080303093A1. Автор: Hideaki Sai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210272648A1. Автор: Yukio Okamura,Toru Matsuyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20160079525A1. Автор: Jae Sung YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180330952A1. Автор: Nobuyuki Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20180047785A1. Автор: Jae Seok KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20210043562A1. Автор: Yuichi Kazue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Output circuit of semiconductor apparatus having two different types of decoupling capacitors

Номер патента: US8405454B2. Автор: Jun Ho Lee,Yang Hee Kim,Hyun Seok Kim,Boo Ho JUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-26.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20120273783A1. Автор: Jae Jin Lee,Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200052420A1. Автор: Takahiro Mitsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Process of forming semiconductor apparatus mounting on substrate

Номер патента: US20180240765A1. Автор: Masaomi Emori. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395274A1. Автор: Tatsuya Saito. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor apparatus and chip selecting method thereof

Номер патента: US20130151176A1. Автор: Jun Gi Choi,Jae Bum KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: US4791074A. Автор: Yoshitaka Tsunashima,Takako Kashio,Keisaku Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-12-13.

Thin-film bulk acoustic resonator and semiconductor apparatus comprising the same

Номер патента: US11575358B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Clifford Ian Drowley,Jiguang Zhu. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20200343293A1. Автор: Akihiro Kawano,Yukinobu Suzuki,Takayasu Kanesada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Manufacturing of thin-film bulk acoustic resonator and semiconductor apparatus comprising the same

Номер патента: US10686422B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Clifford Ian Drowley,Jiguang Zhu. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor apparatus having a large-size bus connection

Номер патента: US20020063262A1. Автор: Takaaki Suzuki,Yasuharu Sato,Masafumi Yamazaki,Yasurou Matsuzaki,Tadao Aikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor apparatus including calibration circuit

Номер патента: US20230421415A1. Автор: Yongsuk Choi,Jung Hyun Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Test circuit of semiconductor apparatus and test system including the same

Номер патента: US20240178080A1. Автор: Jong Seok Kim,Young Kwan Lee,Chan Keun KWON,Jong Seok JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210274642A1. Автор: Toru Matsuyama,Kyosuke SHIBATA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor apparatus installing passive device

Номер патента: US20170141093A1. Автор: Akitada KODAMA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor apparatus and an improved structure for power lines

Номер патента: US20150187698A1. Автор: Su Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US10897093B2. Автор: Takahiro Mitsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Semiconductor apparatus and method for fabricating same

Номер патента: US20230139758A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor apparatus and method for fabricating same

Номер патента: EP4138145A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Semiconductor apparatus with multiple tiers, and methods

Номер патента: US09704876B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Oxide semiconductor film and film-forming method the same, semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234138A9. Автор: Takahiro Sakatsume. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor apparatus with multiple tiers, and methods

Номер патента: US20170309641A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor apparatus with multiple tiers, and methods

Номер патента: US20220028891A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor apparatus with multiple tiers, and methods

Номер патента: WO2012149424A2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor apparatus with multiple tiers, and methods

Номер патента: EP2702610A2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-05.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the semiconductor apparatus

Номер патента: TW201225297A. Автор: Hiroshi Endo,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-06-16.

Method of manufacturing semiconductor crystal substrate, method of manufacturing semiconductor apparatus, semiconductor crystal substrate, and semiconductor apparatus

Номер патента: KR101597399B1. Автор: 슈이찌 도마베찌,준지 고따니,노리까즈 나까무라. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2016-02-24.

Method of manufacturing semiconductor crystal substrate, method of manufacturing semiconductor apparatus, semiconductor crystal substrate, and semiconductor apparatus

Номер патента: TW201413037A. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Shuichi Tomabechi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-01.

Semiconductor device and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240234031A1. Автор: Jooho Lee,Narae HAN,Cheheung KIM,Beomseok Kim,Haeryong Kim,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor apparatus and silicon carbide semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US09768260B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device inspection apparatus, semiconductor device inspection method, program thereof, semiconductor apparatus, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190064248A1. Автор: Akira Kano,Mitsuaki Kato,Kenji Hirohata,Akihiro Goryu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Compound semiconductor apparatus and method for manufacturing the apparatus

Номер патента: US6071780A. Автор: Naoya Okamoto,Hitoshi Tanaka,Naoki Hara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-06-06.

Semiconductor device inspection apparatus, semiconductor device inspection method, program thereof, semiconductor apparatus, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190064248A1. Автор: Akira Kano,Mitsuaki Kato,Kenji Hirohata,Akihiro Goryu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Optical semiconductor apparatus

Номер патента: US20090232173A1. Автор: Goji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Solid-state image pickup element, electronic equipment, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210375817A1. Автор: Junichiro Fujimagari,Tomohiro Ohkubo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor apparatus and magnetic structure of semiconductor apparatus

Номер патента: US20230055004A1. Автор: Zhenduo YU. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Methods for fabricating faceplate of semiconductor apparatus

Номер патента: WO2010036657A2. Автор: Felix Rabinovich,Dmitry Lubomirsky,Tien Fak Tan,Lun Tsuei,Shaofeng Chen,Kimberly Hinckley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-04-01.

Methods for fabricating faceplate of semiconductor apparatus

Номер патента: WO2010036657A3. Автор: Felix Rabinovich,Dmitry Lubomirsky,Tien Fak Tan,Lun Tsuei,Shaofeng Chen,Kimberly Hinckley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor apparatus and method of operating the same

Номер патента: US20200393752A1. Автор: CHUN-HUNG Liu,Shih-Ming Chang,Wen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Solid-state image pickup element, electronic equipment, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20190385968A1. Автор: Junichiro Fujimagari,Tomohiro Ohkubo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor apparatus and its manufacturing method

Номер патента: TW454335B. Автор: Naohito Chikamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Photoelectric conversion apparatus, image sensor, semiconductor apparatus, photoelectric conversion system, and equipment

Номер патента: US11728358B2. Автор: Hiroshi Sekine,Mahito Shinohara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Laser processing apparatus, laser processing method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US12090570B2. Автор: Naoyuki Kobayashi,Hiroaki Imamura,Masashi Machida. Владелец: JSW Aktina System Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the semiconductor apparatus

Номер патента: US20230411240A1. Автор: Kazuki Takakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Face-to-face through-silicon via multi-chip semiconductor apparatus with redistribution layer packaging and methods of assembling same

Номер патента: US12125768B2. Автор: Choong Kooi Chee,Loke Yip Foo. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US09905602B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Shunichi Sukegawa,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US09508772B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Shunichi Sukegawa,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor apparatus for preventing crosstalk between signal lines

Номер патента: US20120248586A1. Автор: Jun Ho Lee,Yang Hee Kim,Hyun Seok Kim,Young Won Kim,Sun Ki CHO,Boo Ho JUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Diagnostic apparatus and diagnostic method, and semiconductor manufacturing apparatus system and semiconductor apparatus manufacturing system

Номер патента: US20240310821A1. Автор: Masaaki Yamamoto,Yohei Kawaguchi,Masahiro Sumiya,Ryoji ASAKURA. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor chip and stack type semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09466555B2. Автор: Jae Seung Lee,Byung Kuk YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240194660A1. Автор: Hiroaki Matsubara,Taro Nishioka,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport

Номер патента: US09741600B2. Автор: Chih-Chang Hsieh,Kai Lo,Hsu-Shui Liu,Chih-Ping Chen,Chung-Chieh Hsu,Wei-Ting Hsiao,Yung-Kai Lin,Chih-Kuo Chang,Chian-Kun Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport

Номер патента: US09425077B2. Автор: Chih-Chang Hsieh,Kai Lo,Hsu-Shui Liu,Chih-Ping Chen,Chung-Chieh Hsu,Wei-Ting Hsiao,Yung-Kai Lin,Chih-Kuo Chang,Chian-Kun Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor package, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20210020540A1. Автор: Takashi Kimura,Hiroshi Matsumoto,Hiroki Ito. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP4254483A1. Автор: Koichi Ono,Mika KOTANAGI. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Optoelectronic semiconductor apparatus including an optoelectronic semiconductor device having a carrier with a roughened first main surface and method for manufacturing thereof

Номер патента: US12087893B2. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-10.

Electro-optical apparatus, semiconductor apparatus and semiconductor device, electro-optical arrangement and use

Номер патента: CA3187306A1. Автор: Daniel SCHALL,Stephan SUCKOW. Владелец: Amo GmbH. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method of semiconductor apparatus, semiconductor apparatus, and endoscope

Номер патента: US09866738B2. Автор: Kazuaki Kojima. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180315669A1. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20200075433A1. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US10553500B2. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor apparatus, signal transmission system and signal transmission method

Номер патента: US8866282B2. Автор: Yasuhiro Ikeda,Yutaka Uematsu,Satoshi Muraoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US09685412B2. Автор: Satoru Takaku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20190165027A1. Автор: Takumi Ogino,Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Flip-chip semiconductor back-side film, dicing tape integrated semiconductor back-side film, method for fabricating flip-chip semiconductor back-side film, and semiconductor apparatus

Номер патента: TW201232707A. Автор: Koichi Inoue,Takeshi Matsumura,Daisuke Uenda,Miki Morita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-08-01.

Packaging glass substrate for semiconductor, a packaging substrate for semiconductor, and a semiconductor apparatus

Номер патента: US20210398891A1. Автор: Sungjin Kim,Youngho RHO,Jincheol Kim. Владелец: SKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor apparatus, ignition device for internal combustion engine, and internal combustion engine system

Номер патента: US10651113B2. Автор: Koji Yamamoto,Kazuhiro Nishimura,Atsunobu Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Semiconductor device, semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09977074B2. Автор: Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: TWI280824B. Автор: Daijiro Takano. Владелец: Toshiba Matsushita Display Tec. Дата публикации: 2007-05-01.

Adhesive composition for fabrication of semiconductor apparatus, and adhesive sheet for fabrication of semiconductor apparatus

Номер патента: TW201137074A. Автор: Yasushi Inoue,Takeshi Matsumura,Kenji Oonishi,Yuichiro Shishido,Yuta Kimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Semiconductor apparatus, image pickup unit, endoscope, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240088076A1. Автор: Keiichi Kobayashi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor apparatus, fixture for measuring characteristics therefor, and semiconductor device characteristics measuring apparatus

Номер патента: TW200305026A. Автор: Shinobu Isobe. Владелец: UMC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-16.

Semiconductor apparatus of a plurality of semiconductor devices enclosed in a case and wiring method therefore

Номер патента: EP1315206A3. Автор: Kazuhiro Maeno. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2006-03-29.

Semiconductor capacitor device and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: EP4006934A1. Автор: Jaeho Lee,Younggeun Park,Yong-hee Cho,Seungwoo JANG,Joohoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US12131966B2. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Keiichiro Matsuo,Yasuhito Yoshimizu,Fuyuma ITO,Nobuhito KUGE,Yui KAGI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor apparatus with an alignment moat

Номер патента: US20230377928A1. Автор: Andrew D. Carswell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Cooling apparatus and semiconductor apparatus with cooling apparatus

Номер патента: US20220377939A1. Автор: Ginji Uchibe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for producing image pickup apparatus, method for producing semiconductor apparatus, and joined wafer

Номер патента: US20150333037A1. Автор: Kazuhiro Yoshida,Noriyuki Fujimori,Takatoshi Igarashi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Method for producing image pickup apparatus, and method for producing semiconductor apparatus

Номер патента: US20150087086A1. Автор: Kazuhiro Yoshida,Noriyuki Fujimori,Takatoshi Igarashi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Method for producing image pickup apparatus, method for producing semiconductor apparatus, and joined wafer

Номер патента: US9230939B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Noriyuki Fujimori,Takatoshi Igarashi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US11747737B2. Автор: Kazuhiro Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20220066326A1. Автор: Kazuhiro Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP3964894A2. Автор: Kazuhiro Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Method for producing image pickup apparatus and method for producing semiconductor apparatus

Номер патента: US09698195B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Noriyuki Fujimori,Takatoshi Igarashi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP3964894A3. Автор: Kazuhiro Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Laser processing apparatus, laser processing method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240024980A1. Автор: Naoyuki Kobayashi,Hiroaki Imamura,Masashi Machida. Владелец: JSW Aktina System Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Laser processing apparatus, laser processing method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US11813694B2. Автор: Naoyuki Kobayashi,Hiroaki Imamura,Masashi Machida. Владелец: JSW Aktina System Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Fiber-containing resin substrate for sealing semiconductor devices or a wafer and a method of sealing a semiconductor apparatus using a fiber-containing resin substrate

Номер патента: EP2469590B1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Board frame, method for fabricating thereof and method for fabricating semiconductor apparatus

Номер патента: US20030082855A1. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: SG11202109726TA. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Keiichiro Matsuo,Yasuhito Yoshimizu,Fuyuma ITO,Nobuhito KUGE,Yui KAGI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Package substrate and semiconductor apparatus

Номер патента: US20110133340A1. Автор: Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Heat dissipating substrate and semiconductor apparatus equipped with heat dissipating substrate

Номер патента: US20140077353A1. Автор: Tadanori Tazoe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP2469590A3. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-08.

Face-to-face through-silicon via multi-chip semiconductor apparatus with redistribution layer packaging and methods of assembling same

Номер патента: US20190304876A1. Автор: Choong Kooi Chee,Loke Yip Foo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Face-to-face through-silicon via multi-chip semiconductor apparatus with redistribution layer packaging and methods of assembling same

Номер патента: US20230137035A1. Автор: Choong Kooi Chee,Loke Yip Foo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20170330813A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180025958A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Separation mechanism for adhesive tape, separation apparatus for adhesive tape, separation method for adhesive tape, pickup apparatus for semiconductor chip, pickup method for semiconductor chip, manufacturing method for semiconductor apparatus, and manufacturing apparatus for semiconductor apparatus

Номер патента: KR100506109B1. Автор: 다뀨신야,구로사와데쯔야. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2005-08-04.

Support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semiconductor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9312197B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semiconductor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20160035638A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20050230798A1. Автор: Hisao Takemura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Imaging element for use with a retina chip, imaging apparatus including the same, and semiconductor apparatus included in the same

Номер патента: US09924117B2. Автор: Masamichi Suzuki,Hiroki Noguchi,Yuichiro Mitani,Koichiro ZAITSU,Yusuke Higashi,Takao Marukame,Haiyang Peng. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

METHOD OF MANUFACTURING PROTEIN SEMICONDUCTOR, PROTEIN SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING PN JUNCTION, PN JUNCTION, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, SEMICONDUCTOR APPARATUS, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF CONTROLLING CONDUCTIVITY TYPE OF PROTEIN SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20140183487A1. Автор: Luo Wei,Yamada Seiji,Tokita Yuichi,Goto Yoshio,NAKAMARU Satoshi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING FLIP-CHIP TYPE SEMICONDUCTOR APPARATUS, SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND FLIP-CHIP TYPE SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20170250162A1. Автор: SOGA Kyoko,ASAI Satoshi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor apparatus, manufacturing method thereof, semiconductor module apparatus using semiconductor apparatus, and wire substrate for semiconductor apparatus

Номер патента: US20050218513A1. Автор: Toshiharu Seko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-10-06.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20230378117A1. Автор: Hiromasa Kono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Optoelectronic semiconductor apparatus and method for producing at least one optoelectronic semiconductor apparatus

Номер патента: US20240120455A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor apparatus with inner wafer carrier buffer and method

Номер патента: US11062931B2. Автор: Hsiang Yin SHEN,Wen-Yu Huang,Li-Jen Ko,Jason Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220367558A1. Автор: Shinichi Miyake,Nobutoshi Fujii,Koichiro Saga,Koichi Sejima. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF DESIGNING SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20130320475A1. Автор: Takahashi Hiroshi,Sukegawa Shunichi,Inoue Keishi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF DESIGNING SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20200013818A1. Автор: Takahashi Hiroshi,Sukegawa Shunichi,Inoue Keishi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-09.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF DESIGNING SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20160133665A1. Автор: Takahashi Hiroshi,Sukegawa Shunichi,Inoue Keishi. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: CN102201418A. Автор: 高桥洋,助川俊一,井上启司. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Semiconductor apparatus packaging structure, semiconductor apparatus packaging method, and embossed tape

Номер патента: US20100230793A1. Автор: Kenji Toyosawa,Satoru Kudose. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US8541878B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Shunichi Sukegawa,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Semiconductor apparatus, method of manufactuirng semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: KR20110107747A. Автор: 히로시 타카하시,šœ이치 스케가와,케이시 이노우에. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2011-10-04.

Method for manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240112990A1. Автор: Kosuke Yamada,Koshun SAITO,Kota ISE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF DESIGNING SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20170047369A1. Автор: Takahashi Hiroshi,Sukegawa Shunichi,Inoue Keishi. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US20150108599A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Shunichi Sukegawa,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US20180158859A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Shunichi Sukegawa,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: JP2011204915A. Автор: Hiroshi Takahashi,Shunichi Sukegawa,俊一 助川,Keiji Inoue,洋 高橋,啓司 井上. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP3823041A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Fluidic leakage handling for semiconductor apparatus

Номер патента: US20200004156A1. Автор: Pei-Yi Su,Fu-Chun HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

SUPPORT BASE-ATTACHED ENCAPSULANT, ENCAPSULATED SUBSTRATE HAVING SEMICONDUCTOR DEVICES MOUNTED THEREON, ENCAPSULATED WAFER HAVING SEMICONDUCTOR DEVICES FORMED THEREON, SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20160035638A1. Автор: NAKAMURA Tomoaki,SHIOBARA Toshio,AKIBA Hideki,YAMAGUCHI Shinsuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, STACK SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND TEST METHOD OF THE STACK SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20170059648A1. Автор: Woo Seung-Han,OH Reum,LEE Hae-suk. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, STACKED SEMICONDUCTOR APPARATUS, ENCAPSULATED STACKED-SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170077043A1. Автор: Kondo Kazunori,SUGO Michihiro,Takemura Katsuya,KATO Hideto,SOGA Kyoko,ASAI Satoshi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2017-03-16.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, STACKED SEMICONDUCTOR APPARATUS, ENCAPSULATED STACKED-SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170103932A1. Автор: Kondo Kazunori,SUGO Michihiro,Takemura Katsuya,KATO Hideto,SOGA Kyoko,ASAI Satoshi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2017-04-13.

Sealant laminated composite, sealed semiconductor devices mounting substrate, sealed semiconductor devices forming wafer, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140264956A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, STACKED SEMICONDUCTOR APPARATUS, ENCAPSULATED STACKED-SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160358833A1. Автор: Takemura Katsuya,SOGA Kyoko,ASAI Satoshi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor module, method for manufacturing semiconductor modules, semiconductor apparatus, method for manufacturing semiconductor apparatuses, and portable device

Номер патента: US20090057903A1. Автор: Ryosuke Usui,Yasunori Inoue,Yoshio Okayama. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of manufacturing semiconductor apparatus, the semiconductor apparatus, and ignitor using the semiconductor apparatus

Номер патента: EP2477223A3. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

Method of manufacturing semiconductor apparatus, the semiconductor apparatus, and ignitor using the semiconductor apparatus

Номер патента: EP2477223A2. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Semiconductor device housing package, and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20140008780A1. Автор: Mahiro Tsujino,Manabu Miyahara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus leak inspection method

Номер патента: US11967537B2. Автор: Takayuki Hisaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

SEALANT LAMINATED COMPOSITE, SEALED SEMICONDUCTOR DEVICES MOUNTING SUBSTRATE, SEALED SEMICONDUCTOR DEVICES FORMING WAFER, SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20130200534A1. Автор: SHIOBARA Toshio,AKIBA Hideki,SEKIGUCHI Susumu. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-08.

ENCAPSULANT EQUIPPED WITH SUPPORTING SUBSTRATE, ENCAPSULATED SUBSTRATE HAVING SEMICONDUCTOR DEVICES MOUNTING THEREON, ENCAPSULATED WAFER HAVING SEMICONDUCTOR DEVICES FORMING THEREON, SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20140138857A1. Автор: NAKAMURA Tomoaki,SHIOBARA Toshio,AKIBA Hideki,SEKIGUCHI Susumu. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-05-22.

FIBER-CONTAINING RESIN SUBSTRATE, SEALED SUBSTRATE HAVING SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTED THEREON, SEALED WAFER HAVING SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREON, A SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20140329363A1. Автор: SHIOBARA Toshio,SEKIGUCHI Susumu. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20240038734A1. Автор: Kotaro Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230307348A1. Автор: Akio Yamano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Optoelectronic semiconductor device, optoelectronic semiconductor apparatus and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20220149256A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230378038A1. Автор: Masashi Hayashiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230282562A1. Автор: Tan Nhat Hoang. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Optoelectronic semiconductor device, optoelectronic semiconductor apparatus, method of operating the optoelectronic semiconductor device, and biosensor

Номер патента: US20230350022A1. Автор: Hubert Halbritter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-11-02.

Base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180025958A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

ENCAPSULANT WITH BASE FOR USE IN SEMICONDUCTOR ENCAPSULATION, SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20150028497A1. Автор: NAKAMURA Tomoaki,SHIOBARA Toshio,AKIBA Hideki,SEKIGUCHI Susumu. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

SEMICONDUCTOR APPARATUS SEMICONDUCTOR APPARATUS HAVING A SEMICONDUCTOR PACKAGE AND THERMALLY-CONDUCTIVE LAYER FOR DISSIPATING HEAT

Номер патента: US20210090968A1. Автор: KIM YONGHA. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

SEMICONDUCTOR SYSTEM HAVING SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF DETERMINING DELAY AMOUNT USING THE SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20160111399A1. Автор: BYEON Sang Jin,YUN Tae Sik. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

BASE-ATTACHED ENCAPSULANT FOR SEMICONDUCTOR ENCAPSULATION, SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20170330813A1. Автор: NAKAMURA Tomoaki,SHIOBARA Toshio,AKIBA Hideki. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor apparatus manufacturing method, semiconductor apparatus and semiconductor device

Номер патента: JP2016219523A. Автор: Kenichiro Ueno,雅人 三川,Masahito Mikawa,Hiroshi Oshino,寿樹 松原,松原　寿樹,Hisaki Matsubara,石塚　信隆,Nobutaka Ishizuka,信隆 石塚,研一郎 植野,浩 押野. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Sealant with substrate for semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: TW201608680A. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and semiconductor package

Номер патента: TW202129899A. Автор: 吳俊毅,余振華. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-08-01.

Semiconductor integrated circuit package, semiconductor apparatus provided with a plurality of semiconductor integrated circuit packages, method of inspecting semiconductor integrated circuit package and method of fabricating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6531769B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-11.

Semiconductor integrated circuit package, semiconductor apparatus provided with a plurality of semiconductor integrated circuit packages, method of inspecting semiconductor integrated circuit package and method of fabricating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010045636A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for fabricating a transfer model optical semiconductor apparatus

Номер патента: US5472646A. Автор: Kazuya Fujita,Hirofumi Uchida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-12-05.

Semiconductor integrated circuit package, semiconductor apparatus provided with a plurality of semiconductor integrated circuit packages, method of inspecting semiconductor integrated circuit package and method of fabricating semiconductor integrated circuit package

Номер патента: US20030104655A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Tadashi Yamaguchi. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of manufacturing semiconductor apparatus including measuring a film thickness of an SOG film

Номер патента: US11037840B2. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20210066128A1. Автор: Kazuhiro Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: EP4300730A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240136470A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP3761356B1. Автор: Yushi Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Production process for semiconductor apparatus

Номер патента: TWI251864B. Автор: Shinobu Isobe. Владелец: Umc Japan. Дата публикации: 2006-03-21.

Semiconductor apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: TWI336956B. Автор: Chien Hung Lin,Chia Wen Hsu,Kuie Hsien Chen,Li Chyong Chen. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2011-02-01.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP4095857B1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: JPS51115779A. Автор: Masao Iimura,Hideyuki Yagi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1976-10-12.

Organopolysiloxane composition and semiconductor apparatus

Номер патента: US20120032189A1. Автор: Seiki Hiramatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Organopolysiloxane composition and semiconductor apparatus

Номер патента: US8222752B2. Автор: Seiki Hiramatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Semiconductor apparatus with multiple delivery devices for components

Номер патента: TW200505777A. Автор: Gang Ou,Kui-Kam Lam,Man-Chung Raymond Ng,Yen-Hsi Terry Tang. Владелец: ASM Assembly Automation Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Semiconductor apparatus

Номер патента: TW440839B. Автор: Kazutaka Otsuki. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-06-16.

Semiconductor apparatus and a production method thereof

Номер патента: EP1553687B1. Автор: Hiroyuki Onishi,Jun Ishikawa,Toshiaki Nagase,Koichi Akagawa. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2016-07-27.

A semiconductor apparatus comprising SOI area and bulk area, and its manufacturing method

Номер патента: TWI237390B. Автор: Atsushi Azuma,Kaori Umezawa,Yuryou Yukiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-01.

Semiconductor apparatus and electronic device

Номер патента: EP4307371A4. Автор: Shuichi Oka,Takahiro Igarashi,Shun Mitarai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: TW200822380A. Автор: Li-Chyong Chen,Chien-Hung Lin,Kuie-Hsien Chen,Chia-Wen Hsu. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2008-05-16.

Adhesive sheet for fabrication of semiconductor apparatus

Номер патента: TW201247815A. Автор: Yasushi Inoue,Takeshi Matsumura,Yuta Kimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-12-01.

Semiconductor apparatus and fabrication method therefor

Номер патента: EP4325571A4. Автор: Ran He,Huifang JIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor apparatus and its manufacturing method

Номер патента: TW517377B. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-01-11.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: TW200425495A. Автор: Junichi Nakai. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP4095857A4. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Cooler and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220084904A1. Автор: Takahiro Koyama,Hiromichi Gohara,Yoshihiro TATEISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Palladium plating solution, palladium plating film formed using the solution and lead frame for semiconductor apparatuses having the palladium plating film

Номер патента: MY117408A. Автор: Hisahiro Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-30.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200931493A. Автор: Isao Sakama,Hidehiko Kandou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

The semiconductor apparatus with planarization surface and its producing method

Номер патента: TW332319B. Автор: Yoshio Hayashide. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-21.

Palladium plating solution, palladium plating film formed using the solution and lead frame for semiconductor apparatuses having the palladium plating film

Номер патента: TW524896B. Автор: Hisahiro Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-21.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: TW307899B. Автор: Hirotsugu Kimura,Takanao Eimori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-11.

Nanoparticle, method for producing nanoparticle, addition curing silicone resin composition, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09695301B2. Автор: Takayuki Kusunoki,Yuusuke TAKAMIZAWA,Tomoyuki MIZUNASHI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Voltage switching circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09646697B2. Автор: Myung Jin Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Bump structure, wiring substrate, semiconductor apparatus and bump structure manufacturing method

Номер патента: US09485864B2. Автор: Kei Imafuji,Katsumi Yamazaki,Teruaki Chino,Noritaka Katagiri. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Test circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09465058B2. Автор: Dong Uk Lee,Young Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Interconnect substrate, method of making the same, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234278A9. Автор: Kei Murayama,Mitsuhiro Aizawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Bump structure, method of forming bump structure, and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: TW200809993A. Автор: Yuji Yano,Kazuo Tamaki. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2008-02-16.

Semiconductor apparatus

Номер патента: TW201250880A. Автор: Sang-Jin Byeon,Tae-Kyun Kin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-16.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20240204709A1. Автор: Tatsuro Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: TW200306010A. Автор: Masahito Gotoh. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-11-01.

Semiconductor apparatus

Номер патента: TW200816402A. Автор: Masahiro Sunohara,Akinori Shiraishi,Yuichi Taguchi,Kei Murayama,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2008-04-01.

Interconnect substrate, method of making the same, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240222246A1. Автор: Kensuke Uchida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor apparatus and a production method thereof

Номер патента: TWI256127B. Автор: Hiroyuki Onishi,Jun Ishikawa,Toshiaki Nagase,Koichi Akagawa. Владелец: Toyota Ind Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor apparatus and a production method thereof

Номер патента: TW200529409A. Автор: Hiroyuki Onishi,Jun Ishikawa,Toshiaki Nagase,Koichi Akagawa. Владелец: Toyota Jidoshokki Kk. Дата публикации: 2005-09-01.

Production process for semiconductor apparatus

Номер патента: TW200305923A. Автор: Shinobu Isobe. Владелец: Umc Japan. Дата публикации: 2003-11-01.

A semiconductor apparatus comprising SOI area and bulk area, and its manufacturing method

Номер патента: TW200404366A. Автор: Atsushi Azuma,Kaori Umezawa,Yuryou Yukiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-16.

Method for electroless nickel-palladium-gold plating, plated product, printed wiring board, interposer and semiconductor apparatus

Номер патента: TW201109469A. Автор: Teppei Ito,Yasuaki Mitsui,Kenya Tachibana. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2011-03-16.

Die-bonding film, dicing/die-bonding film, method for fabricating die-bonding film and semiconductor apparatus with die-bonding film

Номер патента: TW201221614A. Автор: Koichi Inoue,Takeshi Matsumura,Daisuke Uenda,Miki Morita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-06-01.

Semiconductor apparatus

Номер патента: TWI223454B. Автор: Masahito Gotoh. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-11-01.

Nanoparticle, method for producing nanoparticle, addition curing silicone resin composition, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20160355671A1. Автор: Takayuki Kusunoki,Yuusuke TAKAMIZAWA,Tomoyuki MIZUNASHI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor apparatus

Номер патента: TW200939434A. Автор: Takashi Tsubota,Atsunori Kajiki,Norio Yamanishi,Sadakazu Akaike. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2009-09-16.

Test circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20160018445A1. Автор: Dong Uk Lee,Young Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

High vacuum chamber in semiconductor apparatus

Номер патента: KR970005911Y1. Автор: Young-Do Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-16.

Working method of metal material and semiconductor apparatus fabricated by the method

Номер патента: US20040147083A1. Автор: Masayuki Kobayashi,Kouji Harada,Hiroatsu Tokuda,Kazuo Ojima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Cooling system, a semiconductor apparatus including the same, and a method of replacing a filter using the same

Номер патента: US20240263831A1. Автор: Moonki KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Protective semiconductor apparatus for an assembled battery, a battery pack including the protective semiconductor apparatus, and an electronic device

Номер патента: TW201229531A. Автор: Junichi Kanno. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-16.

Semiconductor apparatus for deposition process

Номер патента: US20230065818A1. Автор: Hung-Chih Wang,Sheng-Yuan Lin,Chih-Wei Chou,Yuan-Hsin CHI,Yu-Chi Liu,Yin-Tun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semicoductor circuit, inverter circuit, semiconductor apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070064476A1. Автор: Yoshihiro Shigeta,Hideto Kobayashi,Hiroshi Shimabukuro,Gen Tada. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Mounting structure of high-frequency semiconductor apparatus and its production method

Номер патента: EP1326300B8. Автор: Yoshiyuki Sasada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-02-21.

Mounting structure of high-frequency semiconductor apparatus and its production method

Номер патента: EP1326300B1. Автор: Yoshiyuki Sasada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-07-12.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20020114186A1. Автор: Yutaka Ito. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP1928092A3. Автор: Kouji c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Mochizuki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-01-14.

Semiconductor apparatus for performing clock phase synchronization, and an operating method thereof and semiconductor system using the same

Номер патента: US20190131980A1. Автор: Seung Hun Lee,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Method of operating semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210149317A1. Автор: Hsiang Chen,Shang-Chieh Chien,Li-Jui Chen,Sheng-Kang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Test circuit and test method of semiconductor apparatus

Номер патента: US09450587B2. Автор: Byung Kuk YOON,Kie Bong Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor Apparatus and Identification Method of a Semiconductor Chip

Номер патента: US20170221581A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Riichiro Shirota,Yukihiro Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

On-die termination enable signal generator, semiconductor apparatus, and semiconductor system

Номер патента: US09654105B2. Автор: Kwang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US20160072490A1. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US9680457B2. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US09680457B2. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP4007000A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Power control circuit and semiconductor apparatus including the power control circuit

Номер патента: US20200177070A1. Автор: Woongrae Kim,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor apparatus including power gating circuits

Номер патента: US10892754B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-12.

Operation mode setting circuit of semiconductor apparatus and data processing system using the same

Номер патента: US20150162911A1. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09543951B2. Автор: Jeong Tae Hwang,Ja Beom KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Operation mode setting circuit of semiconductor apparatus and data processing system using the same

Номер патента: US9590627B2. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US12015403B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Receiver of semiconductor apparatus and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150270995A1. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US20240340010A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US20170250684A1. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu MIZOKAMAI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US09960757B2. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor apparatus for power supply control and output voltage variable power supply apparatus

Номер патента: US20190302821A1. Автор: Shinichiro Maki,Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US20180219540A1. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US10224914B2. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US9960757B2. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US20160226503A1. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Termination circuit and semiconductor apparatus including the termination circuit

Номер патента: US20200145001A1. Автор: Jun Yong Song,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190163654A1. Автор: Kyung Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Data output circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US20120250734A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Data output circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US8446174B2. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230284430A1. Автор: Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor apparatus including a clock path

Номер патента: US11733730B2. Автор: Sang Su Lee,Yun Tack Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US11322193B2. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Semiconductor apparatus which prevents generating noise and being influenced by noise

Номер патента: US20030227813A1. Автор: Hiroaki Ikeda,Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200357330A1. Автор: Hiroharu ENDO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor apparatus and method of charging desired number of capacitors

Номер патента: US20050185361A1. Автор: Akihiko Fujiwara,Koichi Yano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US12068014B2. Автор: Hiroyuki Uchida,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor apparatus including a clock path

Номер патента: US12055968B2. Автор: Sang Su Lee,Yun Tack Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor apparatus and reduced current and power consumption

Номер патента: US9160335B2. Автор: Hyun Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09991882B2. Автор: Masahiro Iwamoto,Osamu Uno,Yuichi Itonaga,Hajime OHMI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09948321B2. Автор: Myeong Jae PARK,Jeong Kyoum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor apparatus reducing a parasitic capacitance

Номер патента: US09859892B2. Автор: Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09859884B2. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09853636B2. Автор: Masahiro Iwamoto,Osamu Uno,Yuichi Itonaga,Hajime OHMI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor apparatus and receiver thereof

Номер патента: US09853609B2. Автор: Jin Ha Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Input circuit and semiconductor apparatus including the input circuit

Номер патента: US09716493B2. Автор: Yeonsu JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09660617B2. Автор: Kyu Bong KONG,Geun Il Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Output driver, semiconductor apparatus, system, and computing system using the same

Номер патента: US09647664B2. Автор: Hyun bae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Latch circuit, receiver circuit, semiconductor apparatus and system using the latch and receiver circuits

Номер патента: US09628056B1. Автор: Wan Seob LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor apparatus having a decoding function, method of controlling the same, and camera

Номер патента: US09609245B2. Автор: Hiroyuki Morita,Takeshi Akiyama,Koichiro Iwata,Kazuki Ohshitanai,Hiroo Akabori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Clock delay detecting circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09602112B2. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor apparatus and regulation circuit thereof

Номер патента: US09590641B2. Автор: Da In IM,Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Temperature measuring device of a power semiconductor apparatus

Номер патента: US09562812B2. Автор: Hiroyuki Yoshimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor apparatus capable of converting a frequency of an input clock

Номер патента: US09537477B2. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Receiver circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US09520882B2. Автор: Jin Ha Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09515654B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09467138B2. Автор: Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor apparatus having transfer circuit transferring high voltage

Номер патента: US09467050B2. Автор: Hyun Heo,Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO,Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Data output circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US09461634B2. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor apparatus and calibration method for analog to digital converter

Номер патента: US09438260B1. Автор: Tomohiko Ebata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Driver circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US09430032B2. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor apparatus which prevents generating noise and being influenced by noise

Номер патента: US6862246B2. Автор: Hiroaki Ikeda,Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-03-01.

Semiconductor apparatus and reduced current and power consumption

Номер патента: US20150155869A1. Автор: Hyun Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20150288283A1. Автор: Hyun Heo,Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO,Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor apparatus and operating method thereof

Номер патента: US09576620B2. Автор: Ho Sung Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Data output circuit of a semiconductor apparatus

Номер патента: US09553587B2. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Signal generator adjusting a duty cycle and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09531365B1. Автор: Kwan Su SHON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor apparatus and system capable of reducing peak current in transmitting signals

Номер патента: US09466336B2. Автор: Min su Park,Young Jun KU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US09438410B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09435851B2. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor apparatus for detecting an edge of a signal

Номер патента: US20190097621A1. Автор: Dong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for installation of wire conductors on bonding pads of semiconductor apparatuses

Номер патента: RU2751605C1. Автор: Александр Владимирович Подувальцев,Вячеслав Геннадьевич Сизов,Алексей Александрович Подувальцев. Владелец: Алексей Александрович Подувальцев. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor apparatus, semiconductor system, and system relating to dual clock transmission

Номер патента: US20170062029A1. Автор: Keun Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Method and semiconductor apparatus for reducing power when transmitting data between devices in the semiconductor apparatus

Номер патента: US20140266398A1. Автор: Chulmin Jung,Esin Terzioglu,Sei Seung Yoon,Venugopal Boynapalli,Hari Ananthanarayanan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20180048139A1. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20240032308A1. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device including layers with different chalcogen compounds and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11818899B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

State estimation system and state estimation method for power conversion semiconductor apparatus

Номер патента: US20220334152A1. Автор: Li Guan,Ichiro Omura,Masahiko Tsukakoshi,Masanori Tsukuda,Makoto Mukunoki,Haruyuki YAMAGUCHI,Kazuha WATANABE. Владелец: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor apparatus for compensating for degradation and semiconductor system using the same

Номер патента: US20200219584A1. Автор: Woongrae Kim,Keun Soo Song,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor apparatus, semiconductor system, and operating method of semiconductor apparatus

Номер патента: US11855625B2. Автор: Jae Hoon Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor apparatus, semiconductor system, and operating method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20230231556A1. Автор: Jae Hoon Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor apparatus including clock paths and semiconductor system including the semiconductor apparatus

Номер патента: US20210013875A1. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor apparatus including clock paths and semiconductor system including the semiconductor apparatus

Номер патента: US11323107B2. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230354725A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Voltage control circuit for a semiconductor apparatus capable of controlling an output voltage

Номер патента: US5083043A. Автор: Makoto Yoshida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-01-21.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190369692A1. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of operating semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210076479A1. Автор: Chi-Hung Liao,Po-Ming SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of operating semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20190394865A1. Автор: Chi-Hung Liao,Po-Ming SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20160308532A1. Автор: Jeong Tae Hwang,Ja Beom KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor apparatus having first and second bonding members, display apparatus, photoelectric conversion apparatus, electronic device, illumination apparatus, and moving body

Номер патента: US11985866B2. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor apparatus having first and second bonding members, display apparatus, photoelectric conversion apparatus, electronic device, illumination apparatus, and moving body

Номер патента: US20230141503A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US20230370066A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor apparatus and a semiconductor system capable of adjusting timings of data and data strobe signal

Номер патента: US11205464B2. Автор: Kwan Su SHON,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-21.

Semiconductor apparatus and a semiconductor system capable of adjusting timings of data and data strobe signal

Номер патента: US20210201968A1. Автор: Kwan Su SHON,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor apparatus performing calibration operation and a semiconductor system using the same

Номер патента: US20210099172A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor apparatus and method of operating the same

Номер патента: US10613444B2. Автор: Chi-Hung Liao,Min-Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Skew compensation circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US10491219B2. Автор: Da In IM,Young Suk SEO,Seung Wook Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-26.

Semiconductor apparatus including a clock path

Номер патента: US20230350452A1. Автор: Sang Su Lee,Yun Tack Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Data output circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US20150280713A1. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor apparatus and data processing method

Номер патента: US8539305B2. Автор: Jin Yeong MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US10439598B2. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor apparatus and duty cycle correction method thereof

Номер патента: US9148136B2. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-29.

Repair circuit and repair method of semiconductor apparatus

Номер патента: US8514641B2. Автор: Jeong Woo Lee,Sang Hoon Shin,Xiang Hua Cui. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-20.

Semiconductor apparatus cross-references to related application

Номер патента: US20150188544A1. Автор: Eun Ho HEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Data sensing circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US10825488B1. Автор: Min Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20160020763A1. Автор: Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US11776610B2. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US9419633B1. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US9374071B2. Автор: Hoon Choi,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor apparatus for generating a reference voltage

Номер патента: US20210096588A1. Автор: Gang Sik Lee,Kyu Bong KONG,Jae Hyeok YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor apparatus for use in low voltage power supply

Номер патента: US6150879A. Автор: Daita Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Driver circuit of semiconductor apparatus and method for controlling the same

Номер патента: US8749270B2. Автор: Myung Hwan Lee,Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US8283969B2. Автор: Toshiharu Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-09.

Semiconductor apparatus and system including plurality of channels

Номер патента: US20160028407A1. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20140347093A1. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US20160173270A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor apparatus, method of controlling the same, and camera

Номер патента: US20150264289A1. Автор: Hiroyuki Morita,Takeshi Akiyama,Koichiro Iwata,Kazuki Ohshitanai,Hiroo Akabori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor apparatus and regulation circuit thereof

Номер патента: US20150365078A1. Автор: Da In IM,Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20150236675A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352070A1. Автор: Hiroyuki Uchida,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20180302065A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor apparatus and system including plurality of channels

Номер патента: US20160013783A1. Автор: Jung Hwan Lee,Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Output driver, semiconductor apparatus, system, and computing system using the same

Номер патента: US20160365851A1. Автор: Hyun bae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US20220223200A1. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20040130372A1. Автор: Takahiro Seki,Masakatsu Nakai,Tetsumasa Meguro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US20210407584A1. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190341912A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20170019107A1. Автор: Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Delay circuit and semiconductor apparatus

Номер патента: WO2014007006A1. Автор: Junichi Kanno,Kuniaki Arai. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor apparatus and retaining voltage levels

Номер патента: US20150168966A1. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor apparatus and retaining voltage levels

Номер патента: US09436246B2. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Semiconductor apparatus and data bit inversion

Номер патента: US09530464B2. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor apparatus and semiconductor memory apparatus

Номер патента: US12125516B2. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor apparatus configured to control data output timing

Номер патента: US09704547B2. Автор: Jong Ho Jung,Hee Jin Byun,Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor apparatus having control block generating column select signal and overdrive signal

Номер патента: US09460765B2. Автор: Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Test mode control circuit of semiconductor apparatus and control method thereof

Номер патента: US09360520B2. Автор: Tae Sik Yun,Jong Chern Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor apparatus configured to manage an operation timing margin

Номер патента: US09349424B2. Автор: Jong Ho Jung,Hee Jin Byun,Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Power gating control circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20240312500A1. Автор: Mino KIM,Sungwoo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor apparatus and power conversion apparatus

Номер патента: US09874614B2. Автор: Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor apparatus and method of disposing observation flip-flop

Номер патента: US8042014B2. Автор: Masahiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Semiconductor apparatus and method of disposing observation flip-flop

Номер патента: US20070283203A1. Автор: Masahiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190198110A1. Автор: Sang Ho Lee,Jun Hyun Chun,Ho Don Jung,Jung Hwan Ji. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor apparatus exhibiting current control function

Номер патента: US20120033341A1. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor apparatus and data processing method of the same

Номер патента: US20140218382A1. Автор: Atsushi Nakamura,Akihiro Yamamoto,Hideaki Kido,Manabu Koike. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor apparatus and continuous readout method

Номер патента: US11990188B2. Автор: Makoto Senoo,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Fuse circuit, repair control circuit, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20180102185A1. Автор: Jong Yeol Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200218332A1. Автор: Wen-Pin Hsieh,Shih-Hao Chen,Chih-Wen Yang,Jingjie Wu. Владелец: Digwise Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor apparatus and repair method thereof

Номер патента: US20170018316A1. Автор: Jong Sam Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor apparatus capable of compensating for data output time and method for controlling the same

Номер патента: US20160042776A1. Автор: Sung Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Data input buffer and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20220122644A1. Автор: Yo Han JEONG,Jin Ha Hwang,Keun Seon AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of operating semiconductor apparatus

Номер патента: US20240280910A1. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Chiu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Error correction code circuit and semiconductor apparatus including the error correction code circuit

Номер патента: US20240321383A1. Автор: Seong Jin Kim,Jung Hwan Ji,Seon Woo HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor apparatus and repair method thereof

Номер патента: US09978463B2. Автор: Jong Sam Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09964974B2. Автор: Yong Deok Cho,Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Output timing control circuit of semiconductor apparatus and method thereof

Номер патента: US09959917B2. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09928205B2. Автор: Dae Suk Kim,Jong Chern Lee,Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Silicon member for semiconductor apparatus and method of producing the same

Номер патента: US09878915B2. Автор: Yoshinobu Nakada. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor apparatus and repair method thereof

Номер патента: US09847142B2. Автор: Jong Sam Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09741412B2. Автор: Tae Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Built-in test circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US09721626B2. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Test system for semiconductor apparatus and test method using the same

Номер патента: US09671461B2. Автор: Ki Hyun Kim,Dae Hee Lee,Boung Ii Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor apparatus capable of preventing refresh error and memory system using the same

Номер патента: US09659627B2. Автор: Min su Park,Young Jun KU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09638754B2. Автор: Soo Young JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Synchronizing refresh control circuit for a plurality of slices and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09620192B2. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor apparatus and repair method thereof

Номер патента: US09589675B2. Автор: Jong Sam Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor apparatus performing program loop by using error information and method of operating the same

Номер патента: US09513991B2. Автор: Jun Rye Rho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor apparatus for reading stored information of a resistor or cell

Номер патента: US09472276B1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Word line test control circuit of semiconductor apparatus and testing method thereof

Номер патента: US09455008B2. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09449658B2. Автор: Hee Joon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor apparatus with clock control

Номер патента: US09418718B2. Автор: Jong Ho Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Address latch, address control circuit and semiconductor apparatus including the address control circuit

Номер патента: US12009058B2. Автор: Ji Eun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor apparatus and high speed image data processing

Номер патента: US09978117B2. Автор: Atsushi Nakamura,Akihiro Yamamoto,Hideaki Kido,Manabu Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09915964B2. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US09798694B2. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Data input circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US09792230B2. Автор: Chang Ki Baek,Joon Woo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Precharge circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09412427B2. Автор: Jin Youp CHA,Cheol Hoe KIM,Seok Cheol Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor apparatus and semiconductor system having independent data input/output period, and operating method of the semiconductor system

Номер патента: US20230326495A1. Автор: Jae Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor apparatus and semiconductor system having independent data input/output period, and operating method of the semiconductor system

Номер патента: US20230326498A1. Автор: Jae Young Lee,Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor apparatus and status control method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20170068629A1. Автор: Hideaki Tomonaga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor apparatus and semiconductor system having lun selection cycle, and operating method of semiconductor system

Номер патента: US20230326517A1. Автор: Jae Young Lee,Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor apparatus and display apparatus

Номер патента: US10599507B2. Автор: Koji Shimizu,Takuya Ito. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Semiconductor apparatus and display apparatus

Номер патента: US20170277586A1. Автор: Koji Shimizu,Takuya Ito. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor apparatus examination method and semiconductor apparatus examination apparatus

Номер патента: US11967061B2. Автор: Hirotoshi Terada,Yoshitaka IWAKI. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US20160291078A1. Автор: Masaki Shimada,Kan Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor apparatus and semiconductor system

Номер патента: US9665118B2. Автор: Sang Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor apparatus and semiconductor system

Номер патента: US20170060168A1. Автор: Sang Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of estimation of thermal constant power semiconductor apparatus

Номер патента: RU2655736C1. Автор: Вадим Михайлович Бардин,Антон Александрович Воронков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240036486A1. Автор: Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor apparatus and signal processing system

Номер патента: US20070296460A1. Автор: Kengo Okada,Kazuhisa Takigawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor system and operating method to adjust temperature of semiconductor apparatus and control device

Номер патента: US11908540B2. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor apparatus and data bit inversion

Номер патента: US20150269979A1. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Command address control circuit and semiconductor apparatus and semiconductor system including the command address control circuit and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230062952A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hwan Park,Jae Hoon Cha,Ha Jun JEONG,Se Ra JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US8171189B2. Автор: Hee Woong Song,Tae Jin Hwang,Ji Wang Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-01.

Under drive control circuit and semiconductor apparatus including the under drive control circuit

Номер патента: US20230410924A1. Автор: Hyung Jin Choi,Gwi Han KO,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor apparatus and semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20230253026A1. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Power control circuit, semiconductor apparatus including the same and power control method of semiconductor apparatus

Номер патента: US11881249B2. Автор: Woongrae Kim,Byeong Cheol Lee,Se Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor apparatus and transfer method

Номер патента: US11914538B2. Автор: Takahiro SHIKIBU. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190189240A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US11972829B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200135119A1. Автор: Akira Nakayama. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Power control circuit, semiconductor apparatus including the same and power control method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20200211616A1. Автор: Woongrae Kim,Byeong Cheol Lee,Se Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20160071560A1. Автор: Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor apparatus with repair information control function

Номер патента: US20150364219A1. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor apparatus with repair information control function

Номер патента: US9373421B2. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor apparatus and debug system

Номер патента: US11797421B2. Автор: Takahiro Nishiyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor apparatus including a plurality of clock paths and a semiconductor system using the same

Номер патента: US20240203469A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor apparatus with program operation control

Номер патента: US20230400986A1. Автор: Hyung Jin Choi,Gwi Han KO,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US20240029799A1. Автор: Nozomu KOJA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor apparatus including column selection signal generation circuit

Номер патента: US20170249980A1. Автор: Soo Young JANG,Jae Hoon Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US9501123B2. Автор: Mun Seon JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Refresh control circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US9093174B2. Автор: Jong Man IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US8400210B2. Автор: Jae Bum KO,Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20120154008A1. Автор: Dae Suk Kim,Jong Chern Lee,Sang Jin Byeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor apparatus and repair method thereof

Номер патента: US20120194243A1. Автор: Jong Chern Lee,Min Seok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20140043884A1. Автор: Young Ju Kim,Sang Hoon Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Output control circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20210117349A1. Автор: Kyu Young Kim,Dae Han Kwon,Ha Jun JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Enable signal generation circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20210183424A1. Автор: Mino KIM,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor apparatus and data processing system

Номер патента: US20200035274A1. Автор: Seung Yong Lee,Myoung Seo KIM,Young Pyo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of operating semiconductor apparatus

Номер патента: US11994805B2. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Chiu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor apparatus with open bit line structure

Номер патента: US8867282B2. Автор: Kee Teok Park,Tae Sik Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor apparatus capable of controlling the timing of data and control signals related to data input/output

Номер патента: US11152043B2. Автор: Gang Sik Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-19.

Built-in test circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US20160131697A1. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Precharge circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20150364164A1. Автор: Jin Youp CHA,Cheol Hoe KIM,Seok Cheol Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Enable signal generation circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US11817175B2. Автор: Mino KIM,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor apparatus capable of preventing refresh error and memory system using the same

Номер патента: US20150325284A1. Автор: Min su Park,Young Jun KU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Stack type semiconductor apparatus

Номер патента: US9373373B2. Автор: Heat Bit Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20160307614A1. Автор: Tae Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20140347938A1. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor apparatus and readout method

Номер патента: US11775441B2. Автор: Makoto Senoo,Sho Okabe. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US20160224506A1. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Error detecting circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20130166993A1. Автор: Mun Phil Park,Kang Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20150046717A1. Автор: Masayuki Hagiwara,Takeshi Obara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Method of operating semiconductor apparatus

Номер патента: US20210382399A1. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Chiu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Stack type semiconductor apparatus

Номер патента: US20160071562A1. Автор: Heat Bit Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200294563A1. Автор: Gang Sik Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor apparatus and test circuit thereof

Номер патента: US20140003161A1. Автор: Jong Ho Son,Yong Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Delay circuit, drive apparatus, semiconductor apparatus and delay method

Номер патента: US20240291473A1. Автор: Taizo ASANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240235549A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240223188A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240223189A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20230039697A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Clock multiplexing circuit, clock distribution circuit, and semiconductor apparatus including the clock multiplexing circuit

Номер патента: US20240243747A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Signal receiving device, and a semiconductor apparatus and a semiconductor system including the signal receiving device

Номер патента: US11539500B2. Автор: Kwan Su SHON,Jin Ha Hwang,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Signal transmitting circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20220269624A1. Автор: Hyun bae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Power tracking circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20130321046A1. Автор: Hoon Choi,Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Amplifier and receiving circuit, semiconductor apparatus, and semiconductor system using the same

Номер патента: US20200266779A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Amplifier and receiving circuit, semiconductor apparatus, and semiconductor system using the same

Номер патента: US20220094314A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Buffer circuit, clock generating circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20240356550A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: EP2993797B1. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-09.

Switch control circuit, semiconductor apparatus, and magnetic ink reading apparatus

Номер патента: US09955093B2. Автор: Takayuki Nakai,Akio Kamimurai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING CLOCK PATHS AND SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20210013875A1. Автор: SEO Young Suk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-01-14.

SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING CLOCK PATHS AND SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20200153421A1. Автор: SEO Young Suk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-05-14.

SIGNAL RECEIVING CIRCUIT, SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SIGNAL RECEIVING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20200358590A1. Автор: KIM Min Chang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-11-12.

Signal receiving circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system including the signal receiving circuit and semiconductor apparatus

Номер патента: TW202042513A. Автор: 金旼昶. Владелец: 韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2020-11-16.

Photosensitive resin composition, method for manufacturing cured relief pattern, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240210827A1. Автор: Takahiro Sasaki,Tomohiro Yorisue,Mitsutaka Nakamura,Daisuke Sasano,Taihei Inoue,Tomoshige Yunokuchi,Yoshito IDO. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

PLL circuit, semiconductor apparatus, equipment

Номер патента: US11728816B2. Автор: Masaaki Iwane. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Pll circuit, semiconductor apparatus, equipment

Номер патента: US20220294457A1. Автор: Masaaki Iwane. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Output control circuit for semiconductor apparatus and output driving circuit including the same

Номер патента: US20150280720A1. Автор: Da In IM,Jong Ho Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Duty detection circuit, a duty correction circuit, and a semiconductor apparatus using the duty correction circuit

Номер патента: US12074602B2. Автор: Young Suk SEO,Gyu Tae Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Flip-flop circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20150155857A1. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Clock generation circuit and semiconductor apparatus using the clock generation circuit

Номер патента: US12057847B2. Автор: Young Suk SEO,Sung Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Error correction code circuit and semiconductor apparatus including the error correction code circuit

Номер патента: US12126357B2. Автор: Seong Jin Kim,Jung Hwan Ji,Seon Woo HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Photosensitive resin composition, method for manufacturing cured relief pattern, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240329525A1. Автор: Takahiro Sasaki,Tomohiro Yorisue,Mitsutaka Nakamura,Daisuke Sasano,Taihei Inoue,Tomoshige Yunokuchi,Yoshito IDO. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Signal generation circuit having minimum delay, semiconductor apparatus using the same, and signal generation method

Номер патента: US12119822B2. Автор: Gyu Tae Park,Young Ouk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Serializer, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US09979535B2. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Impedance calibration circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09948298B2. Автор: Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Analog to digital converter and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09859910B1. Автор: Dong Hyun Kim,Kwan Su SHON,Yo Han JEONG,Eun Ji CHOI,Soon Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Buffer, and multiphase clock generator, semiconductor apparatus and system using the same

Номер патента: US09847775B2. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Clock generating circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09780767B2. Автор: Myeong Jae PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Strobe signal generation circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09571081B2. Автор: Jin Hwan Kim,Young Jun KU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Output control circuit for semiconductor apparatus and output driving circuit including the same

Номер патента: US09543968B2. Автор: Da In IM,Jong Ho Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Data input buffer and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11670350B2. Автор: Kwan Su SHON,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Impedance calibration circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20180205377A1. Автор: Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Data input buffer and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20220335989A1. Автор: Kwan Su SHON,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Transmission circuit, and semiconductor apparatus and system using the same

Номер патента: US20170345474A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Input/output sense amplifier and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20130293300A1. Автор: Kyu Nam LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor apparatus for selectively moving electrical charges

Номер патента: GB1343173A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1974-01-10.

Parallel monitor circuit and semiconductor apparatus

Номер патента: US20050285565A1. Автор: Akihiko Fujiwara,Koichi Yano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Data output buffer and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20230326496A1. Автор: Dae Han Kwon,Bo Ram Kim,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Oscillating signal generating circuit and a semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US12095465B2. Автор: Ic Su Oh,Sun Ki CHO,Yang Ho Sur. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: US20090207668A1. Автор: Heat Bit Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: US7969792B2. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Byproduct collecting apparatus of semiconductor apparatus

Номер патента: EP2013897A1. Автор: Tae-Woo Kim,Che-Hoo Cho,Jung-Eui Hong,In-Mun Hwang. Владелец: Milaebo Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-14.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: TW200935417A. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

Address output timing control circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US8406079B2. Автор: Young Park Kim,Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-03-26.

Evaluation apparatus, semiconductor apparatus, and transmission control method

Номер патента: US20200293470A1. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Laser Processing Apparatus, Laser Processing Method, and Method for Manufacturing Semiconductor Apparatus

Номер патента: US20200061742A1. Автор: Keigo Fukunaga,Tamio Matsumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Command address control circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system including the command address control circuit

Номер патента: US20240257891A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hwan Park,Jae Hoon Cha,Ha Jun JEONG,Se Ra JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Clock distribution network, and a semiconductor apparatus and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20240312502A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Testing method and test apparatus in semiconductor apparatus

Номер патента: US20010009523A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Storage apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: TWI289315B. Автор: Wataru Otsuka,Nobumichi Okazaki,Tomohito Tsushima,Hidenari Hachino,Tsutomu Sagara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor memory apparatus, semiconductor apparatus, data processing apparatus and computer system

Номер патента: MY120703A. Автор: Koichiro Ishibashi,Hisayuki Higuchi,Kenichi Osada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-11-30.

SEMICONDUCTOR APPARATUS RELATED TO TERMINATION AND SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20200202908A1. Автор: JUNG Hae Kang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20200327003A1. Автор: KANG Jae Yong. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Error correction code circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20230273860A1. Автор: Seong Jin Kim,Jung Hwan Ji,Seon Woo HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor apparatus and method of operating the same

Номер патента: US20210018849A1. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Chiu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Redundancy circuit and semiconductor apparatus having the redundancy circuit

Номер патента: US20070103999A1. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor apparatus

Номер патента: TW201239894A. Автор: Kang-Seol Lee,Sang-Hoon Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-01.

Semiconductor apparatus, processor system, and control method thereof

Номер патента: US20170147252A1. Автор: Yoshiyuki Ito,Tetsuji Tsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor apparatus, processor system, and control method thereof

Номер патента: US20180067675A1. Автор: Yoshiyuki Ito,Tetsuji Tsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Test circuit for use in a semiconductor apparatus

Номер патента: US20090121733A1. Автор: Hong Sok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Memory core and semiconductor apparatus with transposed matrix calculation function including the same

Номер патента: US20240192925A1. Автор: Gi Moon HONG,Dae Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Internal strobe signal generating circuit capable of selecting data rate and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09990980B2. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Sense amplifier and input/output circuit of semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09875775B2. Автор: Jong Su Kim,Yong Sung Lee,Dong Jae Lee,Deok Won KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Repair information storage circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09793009B2. Автор: Woong Kyu CHOI,Jun Cheol PARK,Jong Man IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Signal compensation circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09564191B1. Автор: Jung Hwan Ji,Ki Chon PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Test mode control circuit, semiconductor apparatus and system, and method thereof

Номер патента: US20240159828A1. Автор: Jae Heung Kim,Young Jae An,Bok Rim KO,Min Wook Oh,Jin Suk OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor apparatus and method of operating the same

Номер патента: US20200341388A1. Автор: Chih-Tsung Shih,Tsung-Chih Chien,Tsung-Chuan LEE,Jui-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor apparatus and test method therefor

Номер патента: TWI373770B. Автор: Takashi Hattori,Kouji Ikeda,Tatsuhiro Nishino,Yumiko Hashidume. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-01.

Test circuit for use in a semiconductor apparatus

Номер патента: US20110233548A1. Автор: Hong Sok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Method for controlling a semiconductor apparatus

Номер патента: US20080159034A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

DATA TRANSFER CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20120002492A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20120001309A1. Автор: . Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and apparatus for seasoning semiconductor apparatus of sensing plasma equipment

Номер патента: TW200634900A. Автор: Nam-Hun Kim,Yeong-Su Song,Sang-Ryong Oh,Sheung-Ki Kim. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2006-10-01.

Detecting apparatus of semiconductor apparatus

Номер патента: TW507937U. Автор: Jia-Shin Shiu,Yu-Shian Wang. Владелец: Horng Terng Automation Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-21.

Plasma treatment apparatus, plasma treatment method, and the semiconductor apparatus fabricated by using said plasma treatment method

Номер патента: TW406522B. Автор: Hirotoshi Ise,Yoshiaki Terasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-09-21.

FIBER-CONTAINING RESIN SUBSTRATE, SEALED SUBSTRATE HAVING SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTED THEREON, SEALED WAFER HAVING SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREON, A SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20120161339A1. Автор: . Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-28.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, THE SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND IGNITOR USING THE SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20120175757A1. Автор: Katsuki Takashi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-12.

METHOD FOR MAKING SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SEMICONDUCTOR APPARATUS OBTAINED BY THE METHOD, METHOD FOR MAKING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE OBTAINED BY THE METHOD, AND METHOD FOR MAKING DISPLAY APPARATUS AND DISPLAY APPARATUS OBTAINED BY THE METHOD

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Arai Toshiaki,HAYASHI Naoki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD FOR MAKING SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SEMICONDUCTOR APPARATUS OBTAINED BY THE METHOD, METHOD FOR MAKING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE OBTAINED BY THE METHOD, AND METHOD FOR MAKING DISPLAY APPARATUS AND DISPLAY APPARATUS OBTAINED BY THE METHOD

Номер патента: US20120267633A1. Автор: Arai Toshiaki,HAYASHI Naoki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: JPS51111659A. Автор: Kunio Kobayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1976-10-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: AU2002303671A1. Автор: Robert E. Stengel,Jr. Robert J. Higgins. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-17.

Monolithic semiconductor apparatus adapted for sequential charge transfer

Номер патента: AU2529371A. Автор: KAHNG and EDWARD HAIG NICOLLIAN DAHLIN. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1972-08-17.

Monolithic semiconductor apparatus adapted for sequential charge transfer

Номер патента: AU455509B2. Автор: KAHNG and EDWARD HAIG NICOLLIAN DAHLIN. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1972-08-17.

Semiconductor apparatus and the valve structure therein

Номер патента: TW201128725A. Автор: Yeong-Jyh Lin,Yu-Shen Su. Владелец: Nexpower Technology Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.