Semiconductor apparatus with variable resistor having tapered double-layered sidewall spacers
Номер патента: US20170040382A1
Опубликовано: 09-02-2017
Автор(ы): Jae Sung YOON
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-02-2017
Автор(ы): Jae Sung YOON
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor apparatus and method for fabricating the same
Номер патента: US20160079525A1. Автор: Jae Sung YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-17.