Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Semiconductor apparatus installing passive device

Номер патента: US20170141093A1
Опубликовано: 18-05-2017
Автор(ы): Akitada KODAMA
Принадлежит: Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

SEMICONDUCTOR APPARATUS INSTALLING PASSIVE DEVICE

Номер патента: US20170141093A1. Автор: KODAMA Akitada. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing same

Номер патента: US20200176340A1. Автор: Takeshi Hosomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Back-end-of-line passive device structure

Номер патента: US20230386996A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor apparatus, imaging apparatus, and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20230317759A1. Автор: Tetsuo Gocho. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Micro-scale passive device with particles in insulator layer

Номер патента: US20240006469A1. Автор: Baoxing Chen,Sombel DIAHAM. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-01-04.

Three-dimensional device structure including embedded integrated passive device and methods of making the same

Номер патента: US12094925B1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee,Tzu-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional device structure including embedded integrated passive device and methods of making the same

Номер патента: US20240363682A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee,Tzu-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Package comprising a substrate and a multi-capacitor integrated passive device

Номер патента: WO2023278093A1. Автор: Shree Krishna Pandey,Biancun Xie. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-01-05.

Package comprising a substrate and a multi-capacitor integrated passive device

Номер патента: EP4364199A1. Автор: Shree Krishna Pandey,Biancun Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Passive Device Structure

Номер патента: US20230395488A1. Автор: Yao-Te Huang,Yung-Shih Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of forming a fan-out structure with integrated passive device and discrete component

Номер патента: US09865482B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Three-dimensional device structure including embedded integrated passive device and methods of making the same

Номер патента: US11908838B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee,Tzu-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Advanced integrated passive device (ipd) with thin-film heat spreader (tf-hs) layer for high power handling filters in transmit (tx) path

Номер патента: EP4165684A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-19.

Advanced integrated passive device (ipd) with thin-film heat spreader (tf-hs) layer for high power handling filters in transmit (tx) path

Номер патента: WO2021252100A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-16.

Package with Passive Devices and Method of Forming the Same

Номер патента: US20200328174A1. Автор: Der-Chyang Yeh,Shuo-Mao Chen,Li-Hsien HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Package with passive devices and method of forming the same

Номер патента: US09831200B2. Автор: Der-Chyang Yeh,Shuo-Mao Chen,Li-Hsien HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Under-Bump-Metallization Structure and Redistribution Layer Design for Integrated Fan-Out Package with Integrated Passive Device

Номер патента: US20210074694A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chuei-Tang Wang,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO,Ban-Li Wu,Ying-Cheng Tseng,Chi-Hui Lai,Chiahung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Package with Passive Devices and Method of Forming the Same

Номер патента: US20190363062A1. Автор: Der-Chyang Yeh,Shuo-Mao Chen,Li-Hsien HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Package with Passive Devices and Method of Forming the Same

Номер патента: US20140295624A1. Автор: Der-Chyang Yeh,Shuo-Mao Chen,Li-Hsien HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Interposer with built-in wiring for testing an embedded integrated passive device and methods for forming the same

Номер патента: US20240266266A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Kuan-Lung Wu,Kuo-Ching Hsu,Ya Huei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor package including passive device embedded therein and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200373256A1. Автор: Dong Su Kim,Jun Chul Kim,Jong Min YOOK. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor apparatus and method of manufactuing the same

Номер патента: US20040227237A1. Автор: Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Integrating passive devices in package structures

Номер патента: US12132029B2. Автор: Ming-Fa Chen,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor

Номер патента: US20100244193A1. Автор: Yaojian Lin,Robert C. Frye. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Passive Devices in Package-on-Package Structures and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20210125923A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chih-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Passive Devices in Package-on-Package Structures and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20190115298A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chih-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Integrating Passive Devices in Package Structures

Номер патента: US20220139885A1. Автор: Ming-Fa Chen,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor apparatus, electronic device, and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140131874A1. Автор: Naoki Komai,Yoshihisa Kagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor apparatus with heat dissipation conduit in sidewall interconnection structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20220254702A1. Автор: Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor apparatus with heat dissipation conduit in sidewall interconnection structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US11929304B2. Автор: Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230420344A1. Автор: Chun-Hung Chen,Chia-Hsin Tung,Hsueh-Yi Lee,Wen-Pin Tsai. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor apparatus, electronic device, and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US8664763B2. Автор: Naoki Komai,Yoshihisa Kagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20150214153A1. Автор: Jae Hwan Kim,Won John CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Power line structure for semiconductor apparatus

Номер патента: US20160197040A1. Автор: Jae Hwan Kim,Won John CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor apparatus and method of making the same

Номер патента: US11776903B2. Автор: Kazuhiro Yoshida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of designing interconnect structure of semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20220366122A1. Автор: Jaeyong Shin,Jeonghoon Ahn,Yunki Choi,Yeongjun Kwon,Joonnyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor apparatus and method of making the same

Номер патента: EP3961702A1. Автор: Kazuhiro Yoshida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2021080676A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-04-29.

Packaging substrate and semiconductor apparatus comprising same

Номер патента: US20240128177A1. Автор: Sungjin Kim,Youngho RHO,Jincheol Kim,Byungkyu JANG. Владелец: Absolics Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: US20210118799A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus having stacked devices

Номер патента: US20230024975A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus having stacked devices

Номер патента: US12014984B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US09741687B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated passive device dies and methods of forming and placement of the same

Номер патента: US20240030199A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Chun huan Wei,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated Circuit Structure with Active and Passive Devices in Different Tiers

Номер патента: US20170345791A1. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor package with redistribution substrate having embedded passive device

Номер патента: US11810915B2. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK,Jaegwon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US10037969B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

Integrated Circuit Structure with Active and Passive Devices in Different Tiers

Номер патента: US20150069570A1. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor package with redistribution substrate having embedded passive device

Номер патента: US20240021608A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK,Jaegwon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for preparing a semiconductor apparatus

Номер патента: US20180226380A1. Автор: Po-Chun Lin,Chin-Lung Chu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor apparatus and method for preparing the same

Номер патента: US09966363B1. Автор: Po-Chun Lin,Chin-Lung Chu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor apparatus and manufacturing method therefor

Номер патента: US20010050381A1. Автор: Hisamitsu Kimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200176424A1. Автор: Hisato Michikoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240136283A1. Автор: Koji Sakui,Norio Chujo,Takayuki Ohba,Shinji Sugatani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234308A9. Автор: Koji Sakui,Norio Chujo,Takayuki Ohba,Shinji Sugatani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: US20220359434A1. Автор: Eiichi Ide,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20240266281A1. Автор: Yuichi Kazue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09837349B2. Автор: Ju Hak Song,Sung Min JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor apparatus, system, and method of producing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180182802A1. Автор: Koji Hara,Yukinobu Suzuki,Aiko Kato,Takehito Okabe,Tsutomu Tange. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US9293456B2. Автор: Kazutaka Suzuki,Takahiro Korenari,Yoshimasa Uchinuma,Junichi Nita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Semiconductor apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20050093156A1. Автор: Kazunori Fujita,Naoteru Matsubara,Yohko Naruse. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20180374847A1. Автор: Kazutaka Suzuki,Takahiro Korenari,Yoshimasa Uchinuma,Junichi Nita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US11830902B2. Автор: Shinichi Saeki,Koji Hara,Tsuyoshi Miyagawa,Yusuke Onuki,Shinsuke Kojima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US11699653B2. Автор: Yuichi Kazue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US10121784B2. Автор: Kazutaka Suzuki,Takahiro Korenari,Yoshimasa Uchinuma,Junichi Nita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US11990402B2. Автор: Yuichi Kazue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20210043562A1. Автор: Yuichi Kazue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20160163698A1. Автор: Kazutaka Suzuki,Takahiro Korenari,Yoshimasa Uchinuma,Junichi Nita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20200343293A1. Автор: Akihiro Kawano,Yukinobu Suzuki,Takayasu Kanesada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor apparatus and an improved structure for power lines

Номер патента: US20150187698A1. Автор: Su Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Three-dimensional memory device having passive devices at a buried source line level and method of making thereof

Номер патента: US09991282B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Satoshi Shimizu,Yasuo Kasagi,Kento Kitamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Three-dimensional memory device having passive devices at a buried source line level and method of making thereof

Номер патента: US09876031B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Satoshi Shimizu,Yasuo Kasagi,Kento Kitamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Back-end-of-line passive device structure

Номер патента: US11990401B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor having a backside wafer cavity for radio frequency (RF) passive device integration and/or improved cooling and process of implementing the same

Номер патента: US11735538B2. Автор: Fabian Radulescu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor Having a Backside Wafer Cavity for Radio Frequency (RF) Passive Device Integration and/or Improved Cooling and Process of Implementing the Same

Номер патента: US20210257320A1. Автор: Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Chip package with near-die integrated passive device

Номер патента: US12136613B2. Автор: Hong Shi,Suresh Ramalingam,Li-Sheng WENG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated passive device and fabrication method using a last through-substrate via

Номер патента: US20190067164A1. Автор: Takashi Noma,Kazuo Okada,Hideyuki Inotsume. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor wafer having electrically connected passive device chips, passive devices and semiconductor package using the same

Номер патента: US20050272226A1. Автор: Heung Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor package assembly using a passive device as a standoff

Номер патента: US11942405B2. Автор: Jianguo Li,Roden Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2024-03-26.

Three-dimensional device structure including substrate-embedded integrated passive device and methods for making the same

Номер патента: US11855130B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee,Tzu-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated passive device (ipd) on subtrate

Номер патента: EP3033768A1. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Young Kyu Song,Xiaonan Zhang,Mario Francisco Velez,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Ryan David Lane. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Integrated passive device (ipd) on subtrate

Номер патента: US20150048480A1. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Young Kyu Song,Xiaonan Zhang,Mario Francisco Velez,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Ryan David Lane. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Chip package with near-die integrated passive device

Номер патента: US20230253380A1. Автор: Hong Shi,Suresh Ramalingam,Li-Sheng WENG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Three-dimensional device structure including substrate-embedded integrated passive device and methods for making the same

Номер патента: US20230378247A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee,Tzu-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Structure and Method of Fabrication for High Performance Integrated Passive Device

Номер патента: US20240088032A1. Автор: Jun Zhai,Zhuo Yan,Long Huang,Vidhya Ramachandran,Antonietta Oliva,Yizhang Yang,Rohan U. Mandrekar,Chueh-An Hsieh,Chi Nung Ni,Saurabh P. Sinha,Rekha Govindaraj,Saumya K. Gandhi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated passive device (ipd) on subtrate

Номер патента: WO2015023696A1. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Young Kyu Song,Xiaonan Zhang,Mario Francisco Velez,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Ryan David Lane. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-02-19.

Dam structure for integrated passive device integration and methods of forming the same

Номер патента: US20230326819A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Electrostatic discharge protection apparatus and integrated passive device with capacitors

Номер патента: US11088135B2. Автор: Tai-Jui Wang,Chieh-Wei Feng,Yu-Hua Chung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-08-10.

Electrostatic discharge protection apparatus and integrated passive device with capacitors

Номер патента: US20200212033A1. Автор: Tai-Jui Wang,Chieh-Wei Feng,Yu-Hua Chung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor apparatus including uncrowned and crowned cells and method of making

Номер патента: US20200050733A1. Автор: Wen-Hao Chen,Meng-Kai Hsu,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Prasenjit Ray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor apparatus capable of error revision using pin extension technique and design method therefor

Номер патента: US20110140280A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Sung-Chul Lee,Hyun-Chul Shin,Byung-Tae Kang,Dong-Yun Kim,Dong-Hoon Yeo,Ju-Yong SHIN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20140151842A1. Автор: Jae Min Kim,Myung Gun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor apparatus including different thermal resistance values for different heat transfer paths

Номер патента: US12009273B2. Автор: Kazuya Kobayashi,Atsushi Kurokawa,Koshi HIMEDA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of reconfiguring uncrowned standard cells and semiconductor apparatus including uncrowned and crowned cells

Номер патента: US10452805B2. Автор: Wen-Hao Chen,Meng-Kai Hsu,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Prasenjit Ray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Method of reconfiguring uncrowned standard cells and semiconductor apparatus including uncrowned and crowned cells

Номер патента: US20180004886A1. Автор: Wen-Hao Chen,Meng-Kai Hsu,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu,Prasenjit Ray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor apparatus and method of producing same

Номер патента: US6140229A. Автор: Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20090135575A1. Автор: Takashi Tsubota,Atsunori Kajiki,Norio Yamanishi,Sadakazu Akaike. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20060244103A1. Автор: Koji Ishikawa,Kazutaka Mori,Tamotsu Miyake,Mitsugu Kusunoki,Hiroshige Kogayu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US7629669B2. Автор: Koji Ishikawa,Kazutaka Mori,Tamotsu Miyake,Mitsugu Kusunoki,Hiroshige Kogayu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-12-08.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US11798970B2. Автор: Yoshikazu Yamazaki,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US10546806B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190109077A1. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20200273901A1. Автор: Yoshikazu Yamazaki,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor apparatus having power through holes connected to power pattern

Номер патента: US9252098B2. Автор: Sou Hoshi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: WO2011058718A1. Автор: Sou Hoshi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2011-05-19.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20180047785A1. Автор: Jae Seok KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Stackable programmable passive device and a testing method

Номер патента: US8749293B2. Автор: Fen Chen,Baozhen Li,Douglas D. Coolbaugh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Techniques for placement of active and passive devices within a chip

Номер патента: WO2010091096A1. Автор: Shiqun Gu,Jonghae Kim,Thomas R. Toms,Matthew Nowak,Brian Matthew Henderson. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor Devices Having Phase-Change Material (PCM) Radio Frequency (RF) Switches and Integrated Passive Devices

Номер патента: US20200058851A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Package-on-package (PoP) device with integrated passive device in a via

Номер патента: US09613917B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Bonding Passive Devices on Active Dies to Form 3D Packages

Номер патента: US20220336410A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Chi-Hui Lai,Shu-Rong Chun,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Hybrid passive device and hybrid manufacturing method

Номер патента: US09691540B2. Автор: Po-Sen Tseng,Ming-Da Tsai,Tao-Yi Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Shielding noisy conductors in integrated passive devices

Номер патента: US20080061405A1. Автор: YU Fan,Yinon Degani,Liguo Sun,Charley Gao,Kunguan Sun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-13.

Opening in the Pad for Bonding Integrated Passive Device in InFO Package

Номер патента: US20220361332A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Li-Han Hsu,Chi-Hsi Wu,Cheng-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Opening in the Pad for Bonding Integrated Passive Device in InFO Package

Номер патента: US20210185810A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Li-Han Hsu,Chi-Hsi Wu,Cheng-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

3D flash memory device with integrated passive device

Номер патента: US11844221B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Substrate integrated with passive devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240145321A1. Автор: Yue Li,Feng Liu,Yifan Wu,Yuelei Xiao,Chuncheng CHE,Xue CAO,Guochen DU,Wenbo CHANG. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Substrate integrated with passive device, and production method therefor

Номер патента: US20240079354A1. Автор: Qi Yao,Yue Li,Ke Wang,Guangcai Yuan,Yuelei Xiao,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Package-on-Package (PoP) Device with Integrated Passive Device in a Via

Номер патента: US20190123029A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Package-on-Package (PoP) Device with Integrated Passive Device in a Via

Номер патента: US20200105728A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Bonding passive devices on active device dies to form 3D packages

Номер патента: US11837575B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Chi-Hui Lai,Shu-Rong Chun,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Substrate integrated with passive devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240153871A1. Автор: Jin Yang,Ke Wang,Yingwei Liu,Haixu Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Substrate integrated with passive device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047507A1. Автор: Ke Wang,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuits including integrated passive devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20140159198A1. Автор: Xiaowei Ren,Wayne R. Burger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-06-12.

Power management system switched capacitor voltage regulator with integrated passive device

Номер патента: US20230299668A1. Автор: Jun Zhai,Sanjay Dabral,Vidhya Ramachandran,David A. Secker,Wenjie Mao,Ralf M. Schmitt. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Power management system switched capacitor voltage regulator with integrated passive device

Номер патента: US20200204067A1. Автор: Jun Zhai,Sanjay Dabral,Vidhya Ramachandran,David A. Secker,Wenjie Mao,Ralf M. Schmitt. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Integrated passive device with via formed in isolation trench

Номер патента: US20240105586A1. Автор: Courtney Timms. Владелец: Saras Mirco Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Power management system switched capacitor voltage regulator with integrated passive device

Номер патента: US20220014095A1. Автор: Jun Zhai,Sanjay Dabral,Vidhya Ramachandran,David A. Secker,Wenjie Mao,Ralf M. Schmitt. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Passive device structure stress reduction

Номер патента: US20230317631A1. Автор: Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Mao-Nan Wang,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao,Ying-Yao Lai,Wen-Chiung Tu,Chen-Te Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Low profile package with passive device

Номер патента: WO2017053560A1. Автор: Jong-Hoon Lee,Young Kyu Song,Uei-Ming Jow. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-30.

Low profile package with passive device

Номер патента: EP3353805A1. Автор: Jong-Hoon Lee,Young Kyu Song,Uei-Ming Jow. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-01.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20090057926A1. Автор: Takashi Yonezawa,Kou Sasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20110304050A1. Автор: Tetsuya Sato,Takashi Imoto,Yusuke Akada,Masaji RI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor apparatuses with radio-frequency line elements, and associated manufacturing methods

Номер патента: US20190198455A1. Автор: Christian Geissler,Walter Hartner,Thomas Kilger,Johannes Lodermeyer,Franz-Xaver Muehlbauer,Claus Waechter,Martin Richard Niessner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Packages with Passive Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20140073091A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Der-Chyang Yeh,Shuo-Mao Chen,Chiung-Han Yeh,Yi-Jou Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Passive device structure of semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230246008A1. Автор: Dong-Ki Lee,Taedong KIM,Seunggu Lim,Jihoon CHA,Yeonglyeol PARK. Владелец: Elohim Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Multi-terminal integrated passive devices embedded on die and a method for fabricating the multi-terminal integrated passive devices

Номер патента: US20220028756A1. Автор: Aniket Patil,Jonghae Kim,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Esd protection for multi-die integrated circuits (ics) including integrated passive devices

Номер патента: US20230369849A1. Автор: Kai Esmark,Christian Cornelius Russ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Multi-chip semiconductor apparatus

Номер патента: US20130249107A1. Автор: Byung Deuk Jeon,Nam Pyo Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Manufacturing method for semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US11769754B2. Автор: Tatsuya Saito,Takayuki Sumida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of forming 3-D circuits with integrated passive devices

Номер патента: US09837299B2. Автор: Paul W. Sanders,Robert E. Jones,Michael F. Petras,Chandrasekaram Ramiah. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor package having heat slug and passive device

Номер патента: US20140284764A1. Автор: Jong-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-25.

Methods of forming 3-D circuits with integrated passive devices

Номер патента: US9698131B2. Автор: Paul W. Sanders,Robert E. Jones,Michael F. Petras,Chandrasekaram Ramiah. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure with integrated passive device having opposed solder bumps

Номер патента: US20230387078A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Ching-Yi Lin,Yu-Hao Chen,Ho Che Yu,Jyh Chwen Frank Lee,Yii-Chian Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for producing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230230926A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor apparatus using both surfaces of a wafer and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240371831A1. Автор: Minwoo Lee,Duk Sung Kim,Joonho JUN,Byoungkon JO,Gyesik OH,Wangyong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor apparatus and vehicle

Номер патента: US12087655B2. Автор: Takafumi Yamada,Hiromichi Gohara,Yuta Tamai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Substrate having built-in semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050067717A1. Автор: Yoshinori Shizuno. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor apparatus and electronic apparatus

Номер патента: US11961783B2. Автор: Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor apparatus and manufacturing method for semiconductor apparatus

Номер патента: US20230063723A1. Автор: Daiki Yoshida,Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20230369183A1. Автор: Yoshihiko Kawakami. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200052420A1. Автор: Takahiro Mitsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US10897093B2. Автор: Takahiro Mitsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Passive device orientation in core for improved power delivery in package

Номер патента: US20220028805A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Laminate type semiconductor apparatus

Номер патента: US20010008306A1. Автор: Shigeki Kamei,Saeko Takagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor apparatus for discharging heat

Номер патента: US11923264B2. Автор: Yongha Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20060125097A1. Автор: Yasuhiro Sawada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210274643A1. Автор: Toru Matsuyama,Kyosuke SHIBATA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Multi-typed integrated passive device (ipd) components and devices and processes implementing the same

Номер патента: WO2023140991A2. Автор: Jeremy Fisher,Basim Noori,Marvin Marbell,Haedong Jang. Владелец: Wolfspeed, Inc,. Дата публикации: 2023-07-27.

Multi-typed integrated passive device (ipd) components and devices and processes implementing the same

Номер патента: WO2023140991A3. Автор: Jeremy Fisher,Basim Noori,Marvin Marbell,Haedong Jang. Владелец: Wolfspeed, Inc,. Дата публикации: 2023-11-09.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US11444055B2. Автор: Shinichiro Watanabe,Youichi FUKAYA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US11948910B2. Автор: Shinichiro Watanabe,Youichi FUKAYA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210066241A1. Автор: Shinichiro Watanabe,Youichi FUKAYA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Passive device assembly for accurate ground plane control

Номер патента: US09930783B2. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for fabricating semiconductor apparatus using board frame

Номер патента: US6948239B2. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-27.

Dual-sided silicon integrated passive devices

Номер патента: US09748227B2. Автор: Jun Zhai,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20090057893A1. Автор: Takayuki Iwaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor apparatus, power module, and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US11848298B2. Автор: Yoshinori Yokoyama,Yuji Sato,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Network with integrated passive device and conductive trace in packaging substrate and related modules and devices

Номер патента: US09978732B2. Автор: David Penunuri,Weimin Sun,Russ Alan REISNER. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Chip package with core embedded integrated passive device

Номер патента: US20240178087A1. Автор: Li-Sheng WENG,Alexander Helmut PFEIFFENBERGER. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

High-resistive silicon substrate with a reduced radio frequency loss for a radio-frequency integrated passive device

Номер патента: US9312345B2. Автор: Atte HAAPALINNA. Владелец: Okmetic Oy. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor apparatus and method for preparing the same

Номер патента: US09905549B1. Автор: Po-Chun Lin,Chin-Lung Chu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor apparatus and method for producing the same

Номер патента: US09543252B2. Автор: Yoshiyuki Nakaki,Kei Yamamoto,Mamoru Terai,Shiori Idaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US12074090B2. Автор: Kazuo Enomoto,Shinichiro Adachi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor apparatus including cooler for cooling semiconductor element

Номер патента: US20240258194A1. Автор: Yushi Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor apparatus and substrate

Номер патента: US20130037968A1. Автор: Masahiro Ishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor apparatus and substrate

Номер патента: US20140367836A1. Автор: Masahiro Ishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230245969A1. Автор: Daisuke KAWABATA,Masaya Imori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190103334A1. Автор: Hiroki Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor apparatus and memory system

Номер патента: US20180151509A1. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor apparatus and memory system

Номер патента: US09917061B2. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Power semiconductor apparatus and fabrication method for the same

Номер патента: US11848295B2. Автор: Katsuhiko Yoshihara,Takukazu Otsuka,Seita Iwahashi,Maiko HATANO,Ryuta Watanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Power semiconductor apparatus and fabrication method for the same

Номер патента: US20240063164A1. Автор: Katsuhiko Yoshihara,Takukazu Otsuka,Seita Iwahashi,Maiko HATANO,Ryuta Watanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US20150303167A1. Автор: Hiroshi Ozaki,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US9105625B2. Автор: Hiroshi Ozaki,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US20130043585A1. Автор: Hiroshi Ozaki,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20200395336A1. Автор: Yoshihiro Nakata,Shinya Sasaki,Teru Nakanishi,Ayumi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus manufacturing method

Номер патента: US20220352226A1. Автор: Tadashi Iijima,Toshihiko Miyazaki,Tsuyoshi Suzuki,Yuki Kawahara. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20220157672A1. Автор: Takuya Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: US3818584A. Автор: T Kobayashi,T Nakai,T Sawano,M Suenaga,T Machii,T Dengo. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1974-06-25.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20240023299A1. Автор: Akihiro Osawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Circuit board, semiconductor apparatus, and electronic equipment

Номер патента: US20220246538A1. Автор: Takashi Miyamoto,Harunaga Hiwatari,Toru Akishita. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor apparatus including cooler for cooling semiconductor element

Номер патента: US12009279B2. Автор: Yushi Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor apparatus, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240203817A1. Автор: Natsuya Yoshida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210066236A1. Автор: Takashi Tsuno,Hirotaka Oomori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US11056456B2. Автор: Takashi Tsuno,Hirotaka Oomori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Passive devices and modules for transceiver and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1276152A2. Автор: Insang Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-15.

Package substrate having integrated passive device(s) between leads

Номер патента: US20210327790A1. Автор: Rajen Manicon Murugan,Yiqi Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor apparatus and electronic system

Номер патента: US20020003300A1. Автор: Hideyuki Takahashi,Haruhiko Makino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20080054463A1. Автор: Hiroyuki Nakanishi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Encapsulant with base for use in semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US09449856B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Susumu Sekiguchi,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20090072390A1. Автор: Hideo Nishiuchi,Tomohiro Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US9224662B2. Автор: Takuya Kadoguchi,Keita FUKUTANI,Masayoshi Nishihata,Tomomi Okumura,Takahiro Hirano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-12-29.

Semiconductor apparatus and vehicle

Номер патента: US20230260951A1. Автор: Hitoshi Nakata,Naoyuki Kanai,Yuichiro HINATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Millimeter wave semiconductor apparatus

Номер патента: US20180254229A1. Автор: Toshihide Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20240266263A1. Автор: Shogo Shibata,Kazufumi Oki,Kosuke Yamaguchi,Mamoru TOGAMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor apparatus, and electronic device comprising same

Номер патента: EP4152375A1. Автор: YU Chen,Yan Xu,Zhongli Ji. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20120119356A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor apparatus, manufacturing method for semiconductor apparatus, and power converter

Номер патента: US11942400B2. Автор: Kei Yamamoto,Kuniyuki Sato,Hodaka Rokubuichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor apparatus and mobile apparatus

Номер патента: US20080211110A1. Автор: Takeshi Otsuka,Toshikazu Imaoka. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20150162274A1. Автор: Takuya Kadoguchi,Keita FUKUTANI,Masayoshi Nishihata,Tomomi Okumura,Takahiro Hirano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Radio frequency semiconductor apparatus

Номер патента: US20020163018A1. Автор: Shinji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230335448A1. Автор: Tadahiko Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US11978683B2. Автор: Toru Hiyoshi,Hirotaka Oomori,Ren KIMURA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190198422A1. Автор: Wenjun Huang,Jyh Rong Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190103329A1. Автор: Akira Goto,Akihiko Yamashita,Rei YONEYAMA,Nobuchika AOKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Passive Device Dies With Measurement Structures

Номер патента: US20240128261A1. Автор: Min-Hsiung Chen,Fu-Chiang KUO,Yu-Hsin FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240096702A1. Автор: Yuta Sugimoto,Kenta Kuroda. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210125887A1. Автор: Keigo INABA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor apparatus and manufacturing method

Номер патента: US20240290741A1. Автор: Shuji Uehara,Takayuki Ohba,Masaki Takakuwa,Shinji Sugatani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Face-to-face through-silicon via multi-chip semiconductor apparatus with redistribution layer packaging and methods of assembling same

Номер патента: US12125768B2. Автор: Choong Kooi Chee,Loke Yip Foo. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor apparatus for preventing crosstalk between signal lines

Номер патента: US20120248586A1. Автор: Jun Ho Lee,Yang Hee Kim,Hyun Seok Kim,Young Won Kim,Sun Ki CHO,Boo Ho JUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20230154808A1. Автор: Kentaro Yoshida,Tatsuya Kawase,Masaki KURACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20220406669A1. Автор: Hiroki Kogawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor apparatus, method for manufacturing the same and electric device

Номер патента: US8866312B2. Автор: Motoaki Tani,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor apparatus and semiconductor wafer

Номер патента: US20210098439A1. Автор: Mari Isobe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor apparatus, signal transmission system and signal transmission method

Номер патента: US8866282B2. Автор: Yasuhiro Ikeda,Yutaka Uematsu,Satoshi Muraoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-10-21.

Process of forming semiconductor apparatus mounting on substrate

Номер патента: US20180240765A1. Автор: Masaomi Emori. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Face-to-face through-silicon via multi-chip semiconductor apparatus with redistribution layer packaging and methods of assembling same

Номер патента: US20190304876A1. Автор: Choong Kooi Chee,Loke Yip Foo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Face-to-face through-silicon via multi-chip semiconductor apparatus with redistribution layer packaging and methods of assembling same

Номер патента: US20230137035A1. Автор: Choong Kooi Chee,Loke Yip Foo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Three-dimensional semiconductor package having a stacked passive device

Номер патента: EP4423815A1. Автор: Rahul Agarwal,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication

Номер патента: US20020195725A1. Автор: Jun Tanaka,Kiyoshi Ogata,Keiko Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication

Номер патента: US20020195724A1. Автор: Jun Tanaka,Kiyoshi Ogata,Keiko Isoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication

Номер патента: US20020060373A1. Автор: Jun Tanaka,Kiyoshi Ogata,Keiko Isoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor apparatus having electrical connections with through-via and a metal layer and stacking method thereof

Номер патента: US09530756B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor apparatus and method of making semiconductor apparatus

Номер патента: US20220399293A1. Автор: Shinichiro Sekijima. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Stacked semiconductor apparatus, system and method of fabrication

Номер патента: US09754921B2. Автор: Yun-sang Lee,Young-don Choi,Kang-Wook Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Solid-state image-capturing device, semiconductor apparatus, electronic apparatus, and manufacturing method

Номер патента: US20230154962A1. Автор: Yoichi Ootsuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Power Semiconductor Apparatus and Power Conversion Apparatus

Номер патента: US20240243041A1. Автор: Yasuhiro Sakai,Tsuyoshi Uraji,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332147A1. Автор: Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus manufacturing method

Номер патента: US20230361146A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication

Номер патента: US20040084785A1. Автор: Jun Tanaka,Kiyoshi Ogata,Keiko Isoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: WO2024062796A1. Автор: Takaaki Hirano,Masaki Okamoto,Takushi Shigetoshi,Katsuhisa Kugimiya,Shun Matsumoto,Tatsumasa HIRATSUKA. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190157335A1. Автор: Mineo Shimotsusa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120235291A1. Автор: Masayuki Uchida,Takashi Togasaki,Satoru Hara,Kentaro Suga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Solid-state image-capturing device, semiconductor apparatus, electronic apparatus, and manufacturing method

Номер патента: US11482557B2. Автор: Yoichi Ootsuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-25.

Tape mounted semiconductor apparatus

Номер патента: US5763940A. Автор: Takeshi Sasaki,Yuko Shibusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20050093137A1. Автор: Hiroyuki Onishi,Jun Ishikawa,Toshiaki Nagase,Koichi Akagawa. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor apparatus and stacked semiconductor apparatus for checking formation and connection of through silicon via

Номер патента: US20140209907A1. Автор: Jae Jin Lee,Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2010047402A1. Автор: Tadayoshi Muta. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2010-04-29.

Wafer-level backside layer for semiconductor apparatus

Номер патента: US20230064066A1. Автор: Yuan Zhang,HAO Zhang,DING Han,Yuntao Xu,Minhui MA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Power semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220352049A1. Автор: Kenichi Hayashi,Hiroyuki Yoshihara,Masaki Goto,Shunji Masumori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: US11848245B2. Автор: Takashi Hirao,Hironori Nagasaki,Shintaro Tanaka. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor apparatus

Номер патента: WO2018220275A1. Автор: Tauno Vähä-Heikkilä,Pekka Rantakari,Esa Tuovinen,Heikki Viljanen. Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200152537A1. Автор: Tauno Vähä-Heikkilä,Pekka Rantakari,Esa Tuovinen,Heikki Viljanen. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395274A1. Автор: Tatsuya Saito. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Coreless substrate with passive device pads

Номер патента: US09502336B2. Автор: Yueli Liu,Qinglei ZHANG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for inductor trimming of the high frequency integrated passive devices

Номер патента: US20040063039A1. Автор: Chun-Hsien Lee,Chung-Hsien Lin,Shu-Hui Tsai,Shang-Yu Liang. Владелец: Asia Pacific Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Substrate and Preparation Method thereof, Integrated Passive Device, and Electronic Apparatus

Номер патента: US20240266235A1. Автор: Yue Li,Yi Zhou,Yulin Feng,Yifan Wu,Lihui Wang,Yuelei Xiao,Feng Qu,Xue CAO,Qiuxu WEI,Wenbo CHANG,Qichang AN,Kidong HAN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of forming integrated passive device module

Номер патента: US7790503B2. Автор: Qing Zhang,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP4254483A1. Автор: Koichi Ono,Mika KOTANAGI. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor apparatus mounted electrically connected to a plurality of external terminals by a lead

Номер патента: US12040258B2. Автор: Yoshimasa Kobayashi,Naoto Uchida,Toshikazu Arai. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

A semiconductor apparatus

Номер патента: EP1733424B1. Автор: Hideki Agari,Kohji Yoshii,Tsugunori Okuda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-03.

Power semiconductor apparatus

Номер патента: WO2023109605A1. Автор: Yun Li,Jianfeng Li,Fangfang Dong,Jiayi Yan,Yaqing Ma,Yuekang DU,Joseph Castillo ARCILLAS. Владелец: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2023-06-22.

A semiconductor apparatus

Номер патента: WO2005096370A1. Автор: Hideki Agari,Kohji Yoshii,Tsugunori Okuda. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20070187763A1. Автор: Hideki Agari,Kohji Yoshii,Tsugunori Okuda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-16.

A semiconductor apparatus

Номер патента: EP1733424A1. Автор: Hideki Agari,Kohji Yoshii,Tsugunori Okuda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-20.

Semiconductor apparatus, authenticity determination method and power conversion apparatus

Номер патента: US20240178153A1. Автор: Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US10389351B2. Автор: Yasuaki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200373258A1. Автор: Kazuyuki Kubota. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190103866A1. Автор: Yasuaki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US12028971B2. Автор: Toru Matsuyama,Kyosuke SHIBATA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US11521702B2. Автор: Yukio Okamura,Toru Matsuyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor apparatus, socket, and electronic apparatus

Номер патента: US20230063990A1. Автор: Tsuyoshi So. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US11776934B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor apparatus and semiconductor chip

Номер патента: US20230188074A1. Автор: Ryu ARAKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US8022479B2. Автор: Tetsuro Nozu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20080296684A1. Автор: Tetsuro Nozu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Optical semiconductor sealing curable composition and optical semiconductor apparatus using this

Номер патента: US20130082300A1. Автор: Mikio Shiono,Hidenori Koshikawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor apparatus capable of detecting whether pad and bump are stacked

Номер патента: US9224722B2. Автор: Jong Chern Lee,Soo Bin LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor, and resin-encapsulated type semiconductor apparatus

Номер патента: US20020053302A1. Автор: Nobuyuki Nakajima,Noriaki Saitou,Kazuhisa Endo. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Epoxy resin composition and semiconductor apparatus

Номер патента: US20040188676A1. Автор: Hironori Osuga. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190259837A1. Автор: Koichi Masuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Nickel based material for a semiconductor apparatus

Номер патента: US4970569A. Автор: Toshihiko Mori,Kenji Kubosono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-11-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210272648A1. Автор: Yukio Okamura,Toru Matsuyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210274642A1. Автор: Toru Matsuyama,Kyosuke SHIBATA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Circuits incorporating integrated passive devices having inductances in 3D configurations and stacked with corresponding dies

Номер патента: US09847291B2. Автор: WEI Ding,Sehat Sutardja,Poh Boon Leong,Huy Thong NGUYEN,Hou Xian Loo. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetically-coupled inductors on integrated passive devices and assemblies including same

Номер патента: US09781834B1. Автор: Hao Wu,Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor Device and Method of Providing Electrostatic Discharge Protection for Integrated Passive Devices

Номер патента: US20100270549A1. Автор: Rui Huang,Yaojian Lin,Robert C. Frye. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor chip package with undermount passive devices

Номер патента: US09607935B2. Автор: Liane Martinez,Gabriel Wong,Neil McLellan,Silqun Leung. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2017-03-28.

Exposed pad module integrating a passive device therein

Номер патента: US7015591B2. Автор: Chien-Chen Lee. Владелец: Airoha Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-21.

Circuits incorporating integrated passive devices having inductances in 3d configurations and stacked with corresponding dies

Номер патента: US20150364418A1. Автор: WEI Ding,Sehat Sutardja,Poh Boon Leong,Xiaowei ZHONG,Huy Thong NGUYEN,Hou Xian Loo. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Integrated passive device

Номер патента: US8212155B1. Автор: Peter V. Wright,Kenneth Mays. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-07-03.

Vacuum laminating apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20170282527A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor apparatus, and energization test apparatus

Номер патента: US09874596B2. Автор: Akihiro Koyama,Shigehisa Yamamoto,Yukiyasu Nakao,Kazuya Konishi,Shoyu Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210296462A1. Автор: Akihisa Yamamoto,Daisuke Hirata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor apparatus, method for manufacturing the same, electronic device, and moving body

Номер патента: US09786616B2. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing a flip-chip type semiconductor apparatus using a photosensitive adhesive layer and corresponding flip-chip type semiconductor apparatus

Номер патента: EP3211661A3. Автор: Kyoko Soga,Satoshi Asai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-13.

Semiconductor apparatus and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4131372A1. Автор: Lei Wang,Xuan Feng,Xue Dong,XUAN Liang,Fei Wang,Fuqiang Li,Mingxing Wang,Yanling Han,Chenyang ZHANG,Yapeng Li,Zhanfeng CAO,Yafeng Yang,Xinxin ZHAO,Meili Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230197886A1. Автор: Kazuya Masuyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP1898462A3. Автор: Masahiro Sunohara,Akinori Shiraishi,Yuichi Taguchi,Kei Murayama,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-10.

Silicon carbide based integrated passive devices for impedence matching of radio frequency power devices and process of implementing the same

Номер патента: US20230420439A1. Автор: Jeremy Fisher,Marvin Marbell,Haedong Jang. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Packaged transistor amplifier with integrated passive device matching structure having distributed shunt inductances

Номер патента: EP4352786A1. Автор: David Rice,Jeremy Fisher. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Packaging glass substrate for semiconductor, a packaging substrate for semiconductor, and a semiconductor apparatus

Номер патента: US20210398891A1. Автор: Sungjin Kim,Youngho RHO,Jincheol Kim. Владелец: SKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor apparatus and fabrication method therefor

Номер патента: EP4325571A1. Автор: Ran He,Huifang JIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus manufacturing method

Номер патента: US20220359599A1. Автор: Tadashi Iijima,Yuki Miyanami. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20100233856A1. Автор: Tomoyuki Kitani,Takao Nogi,Akira Tojo,Kentaro Suga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20130078766A1. Автор: Tomoyuki Kitani,Takao Nogi,Akira Tojo,Kentaro Suga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US10763171B2. Автор: Eiichi Yamamoto,Takahiko Mitsui. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210104497A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2755175C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-13.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2756003C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-24.

Method for producing semiconductor apparatus for quantum computer

Номер патента: US20230276716A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Bearing assembly for accommodating device for semiconductor apparatus

Номер патента: US20240209893A1. Автор: Bin Hua,Wenxuan LI,Xinyu SHI,Xianmiao SUN. Владелец: Zhicheng Semiconductor Equipment Technology Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Bearing assembly for accommodating device for semiconductor apparatus

Номер патента: US12085124B2. Автор: Bin Hua,Wenxuan LI,Xinyu SHI,Xianmiao SUN. Владелец: Zhicheng Semiconductor Equipment Technology Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method for semiconductor apparatus

Номер патента: US20030060023A1. Автор: Toshiharu Nishi,Shigenori Kitanishi,Junji Oka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Apparatus diagnostic apparatus, semiconductor manufacturing apparatus system, and semiconductor apparatus manufacturing system

Номер патента: US20240339308A1. Автор: Akira Kagoshima,Satoru Matsukura,Masahiro Sumiya,Nanako TAMARI,Yoshito Kamaji. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120292699A1. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the semiconductor apparatus

Номер патента: US20140342513A1. Автор: Hiroshi Endo,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor apparatus having a silicide between two devices

Номер патента: US11776954B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor apparatus and adjustment method

Номер патента: US09589820B2. Автор: Yao-Hwan Kao,Po-Chun LEE,Ching-Hai Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor apparatus, method for growing nitride semiconductor and method for producing semiconductor apparatus

Номер патента: US20060145166A1. Автор: Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Toshiya Matsuda,Takanori Yasuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor apparatus and manufacturing method

Номер патента: US20210366900A1. Автор: Hideshi Kuwabara,Tasuku Kaneda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200168601A1. Автор: Tetsuo Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor apparatus with a stable contact resistance and a method of making the semiconductor apparatus

Номер патента: US20040209419A1. Автор: Junichi Konishi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240371936A1. Автор: Shuntaro Fujii. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP4401112A1. Автор: Satoshi Maeda,Muneatsu Nakamura,Kaoru TOKO. Владелец: University of Tsukuba NUC. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus, semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240312805A1. Автор: Masaru Yamada,Yosuke Nakanishi,Kyohei Akiyoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20130183807A1. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20220140082A1. Автор: Masanori Inoue. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US9012301B2. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor apparatus capable of reducing plasma damage

Номер патента: US20110156169A1. Автор: Nam Gyu RYU,Won John CHOI. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor apparatus, power converter and manufacturing method for semiconductor apparatus

Номер патента: US20240355874A1. Автор: Atsufumi Inoue,Tetsu Negishi,Tsuyoshi Kawakami,Tomohiro Tamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Design Method for Circuit Layout and Rapid Thermal Annealing Method for Semiconductor Apparatus

Номер патента: US20110078647A1. Автор: Xian J. Ning,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for fabricating a 3d semiconductor apparatus having two vertically disposed seminconductor devices

Номер патента: US20220077003A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor apparatus and method of collecting residues

Номер патента: US20230038785A1. Автор: Pin-Yi Hsin,Bo-Han Huang,Ping-Cheng Lin,Ching Shun Lee,Cheng-Tsung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for fabricating a 3D semiconductor apparatus having two vertically disposed seminconductor devices

Номер патента: US11302587B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: US20210043630A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2021025797A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor apparatus, solid state imaging device, imaging apparatus and electronic equipment, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881962B2. Автор: Hidetsugu Otani,Yuuji Kishigami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor apparatus and its manufacturing method

Номер патента: EP2006905A3. Автор: Shinichi Kurita,Yuji Takayanagi,Hidekazu Kamioka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-30.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: US20130178046A1. Автор: Heng Liu,Chia-Nan Chen,Jinn Kong Sheu,Yen-Chang Hsieh,chun-chao Li,Ya-Hsuan Shih. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Output circuit of semiconductor apparatus having two different types of decoupling capacitors

Номер патента: US20110187450A1. Автор: Jun Ho Lee,Yang Hee Kim,Hyun Seok Kim,Boo Ho JUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP1676320A1. Автор: Masato TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA TAKI,Hideki TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA TOJIMA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Semiconductor apparatus

Номер патента: WO2005038921A1. Автор: Masato Taki,Hideki Tojima. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-04-28.

Method for forming organic film and method for manufacturing substrate for semiconductor apparatus

Номер патента: US09984891B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Rie Kikuchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and apparatus for epitaxial growth of type iii-v semiconductors, apparatus for generating low-temperature high-density plasma, epitaxial metal nitride layer, epitaxial metal nitride heterostructure and semiconductor

Номер патента: RU2462786C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ганс ФОН. Владелец: Зульцер Метко Аг. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of fabricating high integrated semiconductor apparatus, and semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US7776702B2. Автор: Seong Hwan Kim,Suk Min Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-17.

Automatic adjustment method and automatic adjustment device of beam of semiconductor apparatus, and training method of parameter adjustment model

Номер патента: US11955309B2. Автор: Ji-Fu Kung,Yi-Cheng Lu,Zheng-yang Li,Chian-Chen KUO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200395449A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Automatic adjustment method and automatic adjustment device of beam of semiconductor apparatus, and training method of parameter adjustment model

Номер патента: US20220384139A1. Автор: Ji-Fu Kung,Yi-Cheng Lu,Zheng-yang Li,Chian-Chen KUO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

3d semiconductor apparatus manufactured with a plurality of substrates and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2021113031A1. Автор: H. Jim Fulford,Mark Gardner. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240079242A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Michiya KITANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of providing electrical interconnect between two layers within a silicon substrate, semiconductor apparatus, and method of forming apparatus for testing semiconductor circuitry for operability

Номер патента: US5419807A. Автор: Salman Akram,Warren M. Farnworth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-05-30.

Semiconductor apparatus comprised of two types of transistors

Номер патента: US20130321082A1. Автор: Fumio Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor apparatus comprised of two types of transistors

Номер патента: US9153573B2. Автор: Fumio Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-06.

Manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344149A1. Автор: Michiya KITANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor apparatus having stacked gates and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2019112953A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara N. Tapily,Anton J. DeVillers. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor apparatus for transferring workpiece with protection feature

Номер патента: US20030017031A1. Автор: Tsai-Pei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor substrate and fabrication method thereof, and semiconductor apparatus using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US20140299918A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Jin Ku Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20190109005A1. Автор: Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20140175537A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Jin Ku Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US10720329B2. Автор: Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

3d semiconductor apparatus manufactured with a cantilever structure and method of manufacture thereof

Номер патента: US20220005805A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030322A1. Автор: Takashi Yoshimura,Katsunori Ueno,Hidenori Tsuji,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Vertical-type semiconductor apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20150145031A1. Автор: Kang Sik Choi,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Method for fabricating semiconductor apparatus

Номер патента: US20150372058A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of the semiconductor apparatus

Номер патента: US20150035010A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Satoshi Taniguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of removing a by-product from a component of a semiconductor apparatus

Номер патента: US20240014029A1. Автор: Ren-Guan Duan,Chen-Hsiang LU,Chin-Feng Lin,Tung-Hsiung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Circuit board, semiconductor apparatus, and electronic equipment

Номер патента: US20210343764A1. Автор: Masahiro Takahashi,Takashi Miyamoto,Yoshiyuki Akiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Carrier device, semiconductor apparatus, and residual charge detection method

Номер патента: US20230138394A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20140091318A1. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of the semiconductor apparatus

Номер патента: US9184274B2. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Satoshi Taniguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Ceramic article, semiconductor apparatus for manufacturing a semiconductor structure and method of manufacturing a ceramic article

Номер патента: US20240010566A1. Автор: Ren-Guan Duan,Chen-Hsiang LU,Li-Chun Wang,Tien-Chih CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: US20070087494A1. Автор: Kinya Ootani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US20190074353A1. Автор: HAI Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Methods for manufacturing semiconductor apparatus and cmos image sensor

Номер патента: US20120282729A1. Автор: Yasuhiro Kawabata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor apparatus, manufacturing apparatus, and manufacturing method

Номер патента: US20120211855A1. Автор: Masahiko Shimizu,Toshiaki Iwafuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor apparatus and process for producing the same, and process for making via hole

Номер патента: US20020179913A1. Автор: Kazuhiko Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor apparatus and forming method for ferroelectric thin film

Номер патента: US20240154035A1. Автор: Shun-ichiro OHMI. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180330952A1. Автор: Nobuyuki Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Output circuit of semiconductor apparatus having two different types of decoupling capacitors

Номер патента: US8405454B2. Автор: Jun Ho Lee,Yang Hee Kim,Hyun Seok Kim,Boo Ho JUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-26.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: US4791074A. Автор: Yoshitaka Tsunashima,Takako Kashio,Keisaku Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-12-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20130175674A1. Автор: Heng Liu,Chia-Nan Chen,Jinn Kong Sheu,Yen-Chang Hsieh,chun-chao Li,Ya-Hsuan Shih. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor apparatus and manufacturing method

Номер патента: US20180108569A1. Автор: HAI Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Passive device and radio frequency module formed on high resistivity substrate

Номер патента: US09640551B2. Автор: Yong Soo Cho. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Substrate integrated with passive device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230070790A1. Автор: Xiyuan Wang,Feng Qu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Structure and method to form passive devices in ETSOI process flow

Номер патента: US09570466B2. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated passive device having improved linearity and isolation

Номер патента: US09754814B2. Автор: Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods for fabricating integrated passive devices on glass substrates

Номер патента: US9184154B2. Автор: Shih-Hsien Yang,Wen-Chao Chen,Kuan-Chi Tsai,Ming-Ray Mao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-10.

Methods for Fabricating Integrated Passive Devices on Glass Substrates

Номер патента: US20140134801A1. Автор: Shih-Hsien Yang,Wen-Chao Chen,Kuan-Chi Tsai,Ming-Ray Mao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Passive Device and Radio Frequency Module Formed on High Resistivity Substrate

Номер патента: US20160372483A1. Автор: Yong Soo Cho. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Passive devices for finfet integrated circuit technologies

Номер патента: US20150348959A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Passive devices for finfet integrated circuit technologies

Номер патента: US20130256749A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Passive devices for finfet integrated circuit technologies

Номер патента: WO2013148079A1. Автор: William F. Clark,Robert J. Gauthier,Junjun Li. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

Air gap underneath passive devices

Номер патента: US20210143050A1. Автор: YE Lu,Haitao Cheng,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Calibration Kits for RF Passive Devices

Номер патента: US20130332092A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Calibration Kits for RF Passive Devices

Номер патента: US20180019217A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Calibration Kits for RF Passive Devices

Номер патента: US20160358867A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Calibration kits for RF passive devices

Номер патента: US10020271B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-10.

Calibration kits for RF passive devices

Номер патента: US9799614B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Structure and Method to Form Passive Devices in ETSOI Process Flow

Номер патента: US20130082348A1. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Low loss substrate for integrated passive devices

Номер патента: US20120038023A1. Автор: Mark A. Bennett,Colin Kerr,Xiaowei Ren,Wayne R. Burger. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-02-16.

Package substrate and semiconductor apparatus

Номер патента: US20110133340A1. Автор: Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20230378117A1. Автор: Hiromasa Kono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7737465B2. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Display apparatus and control method having semiconductor apparatuses

Номер патента: US10319332B2. Автор: Tamotsu Uekuri. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100240202A1. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor apparatus, solid-state image pickup device, image pickup apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US20170323917A1. Автор: Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor apparatus, stacked semiconductor apparatus, encapsulated stacked-semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09620429B2. Автор: Kyoko Soga,Satoshi Asai,Katsuya Takemura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor apparatus with isolation portion between vertically adjacent elements, and electronic device

Номер патента: US20220352310A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-11-03.

Optoelectronic Semiconductor Apparatus and Carrier Assembly

Номер патента: US20150249073A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-09-03.

Optoelectronic Semiconductor Apparatus and Carrier Assembly

Номер патента: US20160293587A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-10-06.

Optoelectronic semiconductor apparatus and carrier assembly

Номер патента: US09831227B2. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor apparatus, image capturing apparatus, image capturing system, and moving object

Номер патента: US20240210463A1. Автор: Kei Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor apparatus, image capturing apparatus, image capturing system, and moving object

Номер патента: US20200386806A1. Автор: Kei Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for making semiconductor apparatus and semiconductor apparatus obtained by the method, method for making thin film transistor substrate and thin film transistor substrate obtained by the method, and method for making display apparatus and display apparatus obtained by the method

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Naoki HAYASHI,Toshiaki Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic device including semiconductor apparatus

Номер патента: US20240258386A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Aacademy Of Sciences. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor apparatus, electronic device, and forming method for transistor

Номер патента: EP4273932A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20160268412A1. Автор: Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Stack type semiconductor apparatus and system including the stack type semiconductor apparatus

Номер патента: US09829537B2. Автор: Ji Hwan Kim,Jong Chern Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20200343280A1. Автор: Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor apparatus, power converter and automobile

Номер патента: US20020011363A1. Автор: Shinji Shirakawa,Akira Mishima,Toshiyuki Innami,Keiichi Mashino,Hideshi Fukumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240258412A1. Автор: Tatsuya Naito,Toshiki Suzuki,Toshiyuki Matsui,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20100267211A1. Автор: Hideo Yamamoto,Atsushi Kaneko,Kenya Kobayashi,Yoshimitsu Murase. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US12119227B2. Автор: Takashi Yoshimura,Michio Nemoto,Hiroshi TAKISHITA,Kosuke Yoshida,Motoyoshi KUBOUCHI,Misaki Uchida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor apparatus and production method thereof suitable for electric power devices

Номер патента: US7397116B2. Автор: Hiroyuki Onishi,Jun Ishikawa,Toshiaki Nagase,Koichi Akagawa. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2008-07-08.

Input circuit of three-dimensional semiconductor apparatus capable of enabling testing and direct access

Номер патента: US09589670B2. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US12057463B2. Автор: Hiroaki Kobayashi,Katsuhito Sakurai,Atsushi Furubayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09899804B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor apparatus having a trench Schottky barrier Schottky diode

Номер патента: US09748230B2. Автор: Ning Qu,Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor apparatus including barrier film provided between electrode and protection film

Номер патента: US09685547B2. Автор: Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09653621B2. Автор: Tomoyoshi Kushida,Hiroyuki Sakaki,Masato Ohmori. Владелец: Toyota School Foundation. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor system having semiconductor apparatus and method of determining delay amount using the semiconductor apparatus

Номер патента: US09576936B2. Автор: Tae Sik Yun,Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190237495A1. Автор: Toshihiro Shoyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20240250105A1. Автор: Kohei Matsumoto,Hideo Kobayashi,Daisuke Yoshida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190312115A1. Автор: Takashi Yamada. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor apparatus including multichip package

Номер патента: US20160161968A1. Автор: Chang Hyun Kim,Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor apparatus including dummy patterns

Номер патента: US20150155274A1. Автор: Yun Suk Choi,Jae Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Curable resin composition, hardened material thereof, and optical semiconductor apparatus

Номер патента: US20130345359A1. Автор: Eiichi Tabei,Masayuki Ikeno,Satoshi Onai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor apparatus and method for controlling semiconductor apparatus

Номер патента: US20210074342A1. Автор: Nobuhiro Tsuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor apparatus and method of controlling mos transistor

Номер патента: US20170155392A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor Apparatus Including Alignment Tool

Номер патента: US20100214569A1. Автор: Seong-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor apparatus including alignment tool

Номер патента: US8355139B2. Автор: Seong-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-15.

Semiconductor apparatus and module

Номер патента: US20200013772A1. Автор: Kenji Noguchi,Hiroaki Nagano,Toshiyuki Koimori,Masaya Uemura,Megumi Nakayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148313A1. Автор: Yoshiaki Komuro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor apparatus including multichip package

Номер патента: US09613678B2. Автор: Chang Hyun Kim,Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US09583706B2. Автор: Hyung Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor apparatus including multichip package

Номер патента: US09519302B2. Автор: Chang Hyun Kim,Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: EP4429119A2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US09838626B2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US09736409B2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Optical semiconductor apparatus

Номер патента: US20140197528A1. Автор: Michikazu Nagata. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20030173629A1. Автор: Masahito Gotoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor apparatus and infrared light sensor

Номер патента: US20070102638A1. Автор: Hirofumi Watanabe. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09530836B2. Автор: Masaru Senoo. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor apparatus, display apparatus, and electronic equipment

Номер патента: US12035580B2. Автор: Yosuke Motoyama,Hiroaki Tsuchioka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor apparatus

Номер патента: WO2007063192A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Artto Aurola. Дата публикации: 2007-06-07.

Conductive layer in a semiconductor apparatus, display substrate and display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09691794B1. Автор: Feng Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20210368121A1. Автор: Hideo Kobayashi,Daisuke Yoshida,Takahiro Shirai,Yoshiaki Takada,Fumihiro Inui,Katsuhito Sakurai,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US10674106B2. Автор: Hideo Kobayashi,Daisuke Yoshida,Takahiro Shirai,Yoshiaki Takada,Fumihiro Inui,Katsuhito Sakurai,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20200244912A1. Автор: Hideo Kobayashi,Daisuke Yoshida,Takahiro Shirai,Yoshiaki Takada,Fumihiro Inui,Katsuhito Sakurai,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor apparatus including a plurality of dies operating as a plurality of channels

Номер патента: US12026399B2. Автор: Soo Bin LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor apparatus and a production method thereof

Номер патента: EP1553687A3. Автор: Hiroyuki Onishi,Jun Ishikawa,Toshiaki Nagase,Koichi Akagawa. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US7833841B2. Автор: Isao Sakama,Hidehiko Kando. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-11-16.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20150372059A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210274641A1. Автор: Yukio Okamura,Toru Matsuyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090001422A1. Автор: Takuya Oizumi,Junichi Okayasu. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090159881A1. Автор: Isao Sakama,Hidehiko Kando. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor apparatus having multiple chips mounted thereon

Номер патента: US8736341B2. Автор: Kouji MIZUTANI. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20130176063A1. Автор: Kouji MIZUTANI. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor apparatus and chip selecting method thereof

Номер патента: US20110246104A1. Автор: Jun Gi Choi,Jae Bum KO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090230442A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Sang-Moo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20070262343A1. Автор: Takafumi Kuramoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor apparatus including calibration circuit

Номер патента: US12113650B2. Автор: Yongsuk Choi,Jung Hyun Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20240347556A1. Автор: Kazuhiro Saito,Hideo Kobayashi,Yuji Nakajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor apparatus including magnetoresistive device

Номер патента: US09954030B2. Автор: Yong-kyu Lee,Gwan-Hyeob Koh,Hong-Kook Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor apparatus having multiple ranks with noise elimination

Номер патента: US09953943B2. Автор: Dong Uk Lee,Kyung Whan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US09601691B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09577087B2. Автор: Akio Sugi,Yasuhiko Onishi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Stacked semiconductor apparatus being electrically connected through through-via and monitoring method

Номер патента: US09559677B2. Автор: Sang Ho Lee,Ki Chang Kwean. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor apparatus and manufacturing method for semiconductor apparatus

Номер патента: US20230261065A1. Автор: Yushi Koriyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor apparatus, stacked semiconductor apparatus, encapsulated stacked-semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170103932A1. Автор: Kyoko Soga,Michihiro Sugo,Satoshi Asai,Kazunori Kondo,Hideto Kato,Katsuya Takemura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US7968942B2. Автор: Mitsuhiro Hamada,Shuji Mizokuchi,Tatsumi KUMEKAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20090108344A1. Автор: Mitsuhiro Hamada,Shuji Mizokuchi,Tatsumi KUMEKAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor apparatus having side wall interconnection structure and manufacturing method for semiconductor apparatus, and electronic device

Номер патента: EP4261883A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor apparatus and heating device in semiconductor apparatus

Номер патента: US20230143413A1. Автор: Bing Li. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor apparatus with sidewall interconnection structure, method of manufacturing semiconductor apparatus with sidewall interconnection structure, and electronic device

Номер патента: US20230402392A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor apparatus and electronic apparatus

Номер патента: US20140159186A1. Автор: Takuya Nakamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: GB2587861A. Автор: Kobayashi Hideo,Yoshida Daisuke,Matsumoto Kohei. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20090090968A1. Автор: Wataru Saito,Syotaro Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20190221594A1. Автор: Kazuaki Tashiro,Tomoya Sasago. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor apparatus, imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230299162A1. Автор: Ryosuke YAMACHI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor apparatus, method for manufacturing semiconductor apparatus, equipment, and substrate

Номер патента: US20230411414A1. Автор: Sakae Hashimoto,Tatsunori Kato,Akira Oseto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor apparatus, image capturing apparatus, image capturing system, and moving object

Номер патента: US11953541B2. Автор: Kei Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US11329088B2. Автор: Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor apparatus and horizontal register for solid-state image pickup apparatus with protection circuit for bypassing an excess signal

Номер патента: US5641981A. Автор: Hiroshi Hibi,Hideto Isono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-06-24.

Semiconductor apparatus and device with semiconductor layer having crystal orientations that differ in Young's modulus and relative angle

Номер патента: US11502162B2. Автор: Hiroaki Kobayashi,Katsunori Hirota,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Input circuit of semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20160163362A1. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor apparatus and equipment having laminated layers

Номер патента: US20180286910A1. Автор: Masahiro Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor apparatus, display device, and electronic device

Номер патента: US20230395022A1. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of fabricating a semiconductor apparatus

Номер патента: US5030581A. Автор: Shigenori Yakushiji,Kouji Jitsukata. Владелец: Toshiba Components Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-09.

Semiconductor apparatus and device

Номер патента: US20210175324A1. Автор: Hiroaki Kobayashi,Katsunori Hirota,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the semiconductor apparatus

Номер патента: US20080073681A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US10840386B2. Автор: Yusuke Yamashita,Hiroki Miyake,Yasushi Urakami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Curable composition for encapsulating optical semiconductor and optical semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20130320392A1. Автор: Mikio Shiono,Hidenori Koshikawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240088276A1. Автор: Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Thin film structure, semiconductor device including the same, and semiconductor apparatus including semiconductor device

Номер патента: US20220393016A1. Автор: Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and semiconductor apparatus including the semiconductor device

Номер патента: EP4181210A1. Автор: Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: WO2018115950A1. Автор: Yusuke Yamashita,Hiroki Miyake,Yasushi Urakami. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200020814A1. Автор: Yusuke Yamashita,Hiroki Miyake,Yasushi Urakami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20080081422A1. Автор: Hideo Yamamoto,Atsushi Kaneko,Kenya Kobayashi,Yoshimitsu Murase. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US4835579A. Автор: Akira Ishibashi,Yoshifumi Mori,Masao Itabashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-05-30.

Light-receiving or light-emitting semiconductor apparatus

Номер патента: CA2469002C. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-13.

Semiconductor apparatus having a trench schottky barrier schottky diode

Номер патента: US20160268449A1. Автор: Ning Qu,Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-09-15.

Electric fields relaxation for semiconductor apparatus

Номер патента: US10043791B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US11380676B2. Автор: Ki Jong Lee,Joong-Ho Kim,Doo Bock LEE,Hyun Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-05.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US10867992B2. Автор: Ki Jong Lee,Joong-Ho Kim,Doo Bock LEE,Hyun Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Optical semiconductor apparatus

Номер патента: US20190103529A1. Автор: Satoshi Yajima,Yasuo Kogure,Shinichi Ogawa. Владелец: Hoya Candeo Optronics Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Nitride semiconductor apparatus

Номер патента: US20220165875A1. Автор: Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor apparatus and semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: CA3169253A1. Автор: Daniel SCHALL. Владелец: Amo GmbH. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US11978755B2. Автор: Kohei Matsumoto,Hideo Kobayashi,Daisuke Yoshida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20170110447A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US20210082909A1. Автор: Ki Jong Lee,Joong-Ho Kim,Doo Bock LEE,Hyun Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor apparatus and image sensor package using the same

Номер патента: US20130193545A1. Автор: Pyoung-Wan Kim,Seung-Kon Mok,Young-Shin Kwon,Young-Gyu Jeong,Hyun-Su JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20160013408A1. Автор: Hyung Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230028753A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor apparatus including dummy patterns

Номер патента: US9171835B2. Автор: Yun Suk Choi,Jae Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor apparatus including multichip package

Номер патента: US20170053690A1. Автор: Chang Hyun Kim,Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor apparatus, photodetection system, light emitting system, and moving body

Номер патента: US20200312913A1. Автор: Akira Shimazu,Takahiro Yajima,Takayuki Sumida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Monolithic semiconductor apparatus adapted for sequential charge transfer

Номер патента: CA1073551A. Автор: Edward H. Nicollian,Dawon Kahng. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-03-11.

Method and apparatus for monitoring edge bevel removal area in semiconductor apparatus and electroplating system

Номер патента: US20230375482A1. Автор: Chao-Tung Wu,Kuo-Chung Yu,Chung-Hao Hu,Sheng-Ping Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210359116A1. Автор: Kosuke Yoshida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and apparatus for monitoring edge bevel removal area in semiconductor apparatus and electroplating system

Номер патента: US11781995B2. Автор: Chao-Tung Wu,Kuo-Chung Yu,Chung-Hao Hu,Sheng-Ping Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US20180124340A1. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US20170288691A1. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US20170134678A1. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US20160227145A1. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US20140232916A1. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US9654708B2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US9509933B2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US9350929B2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor apparatus, module, camera, and equipment

Номер патента: US20240085735A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor apparatus having first and second bonding members, display apparatus, photoelectric conversion apparatus, electronic device, illumination apparatus, and moving body

Номер патента: US20210066420A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor apparatus including photodiode unit and method of inspection of the same

Номер патента: US8022403B2. Автор: Tomohiko Matsumae. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system

Номер патента: US20170006243A1. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor apparatus, module, camera, and equipment

Номер патента: US11841572B2. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070013033A1. Автор: Kouzi Hayasi. Владелец: Electronics Corp. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor apparatus and method of inspection the same

Номер патента: US20100034456A1. Автор: Tomohiko Matsumae. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system having via holes between substrates

Номер патента: US10027912B2. Автор: Atsushi Suzuki,Toshiaki Nagai,Yosuke Ueno,Ken Koseki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor apparatus, display apparatus, and electronic equipment

Номер патента: US20210351257A1. Автор: Yosuke Motoyama,Hiroaki Tsuchioka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor apparatus and electric power conversion apparatus

Номер патента: US20190164858A1. Автор: Makoto Koyanagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP2064749A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-03.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120235270A1. Автор: Chiori Mochizuki,Minoru Watanabe,Kentaro Fujiyoshi,Jun Kawanabe,Keigo Yokoyama,Masato Ofuji,Hiroshi Wayama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20110181218A1. Автор: Chikara Tsuchiya. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor apparatus including calibration circuit

Номер патента: US11792052B2. Автор: Yongsuk Choi,Jung Hyun Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor apparatus with variable resistor having tapered double-layered sidewall spacers

Номер патента: US20170040382A1. Автор: Jae Sung YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20160005847A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor apparatus, degradation value determination system and processing system

Номер патента: US20170141762A1. Автор: Kazuki Fukuoka,Toshifumi Uemura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor apparatus with fake functionality

Номер патента: US20170301634A1. Автор: Chih-Hao Huang,Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Tung-Cheng Kuo,Lun-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US11108986B2. Автор: Hideo Kobayashi,Daisuke Yoshida,Takahiro Shirai,Yoshiaki Takada,Fumihiro Inui,Katsuhito Sakurai,Kohichi Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-08-31.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20080303093A1. Автор: Hideaki Sai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20160079525A1. Автор: Jae Sung YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230387278A1. Автор: Yuji Ebiike,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20120273783A1. Автор: Jae Jin Lee,Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor apparatus and chip selecting method thereof

Номер патента: US20130151176A1. Автор: Jun Gi Choi,Jae Bum KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

High-breakdown-voltage semiconductor apparatus

Номер патента: USRE40712E1. Автор: Koichi Sugiyama,Kazuya Nakayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Thin-film bulk acoustic resonator and semiconductor apparatus comprising the same

Номер патента: US11575358B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Clifford Ian Drowley,Jiguang Zhu. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Manufacturing of thin-film bulk acoustic resonator and semiconductor apparatus comprising the same

Номер патента: US10686422B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Clifford Ian Drowley,Jiguang Zhu. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor apparatus having a large-size bus connection

Номер патента: US20020063262A1. Автор: Takaaki Suzuki,Yasuharu Sato,Masafumi Yamazaki,Yasurou Matsuzaki,Tadao Aikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20150041902A1. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Power Supplies and Semiconductor Apparatuses with Functions of Current-Sampling and High-Voltage Startup

Номер патента: US20210313318A1. Автор: Jhen Hong Li,Han Wei Chen. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor apparatus including calibration circuit

Номер патента: US20230421415A1. Автор: Yongsuk Choi,Jung Hyun Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Test circuit of semiconductor apparatus and test system including the same

Номер патента: US20240178080A1. Автор: Jong Seok Kim,Young Kwan Lee,Chan Keun KWON,Jong Seok JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

3-D stacking of active devices over passive devices

Номер патента: US09955582B2. Автор: Anthony James LoBianco,Thomas Noll,Mark A. Kuhlman,Robert W. Warren,Howard E. CHEN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated passive device with electrostatic discharge protection mechanism

Номер патента: US20130157595A1. Автор: Kuang-Lieh Wan. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Microphone system with integrated passive device die

Номер патента: US09695040B2. Автор: David Bolognia,Alain Valentin Guery. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Isolation of passive devices and integration with active devices in optical waveguiding circuits

Номер патента: US3948583A. Автор: Ping King Tien. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1976-04-06.

Micro-scale passive device with particles in insulator layer

Номер патента: US20240006470A1. Автор: Baoxing Chen,Sombel DIAHAM. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-01-04.

Programmable integrated passive devices

Номер патента: US20010013632A1. Автор: Dominick Richiuso. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Pressure sensor module having a sensor chip and passive devices within a housing

Номер патента: US20200370983A1. Автор: Steven Gross,Markus Loehndorf,Horst Theuss,Helmut Wietschorke,Stephan Schmitt,Matthias Boehm,Mathias Vaupel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-11-26.

Pressure sensor module having a sensor chip and passive devices within a housing

Номер патента: US20180364123A1. Автор: Steven Gross,Markus Loehndorf,Horst Theuss,Helmut Wietschorke,Stephan Schmitt,Matthias Boehm,Mathias Vaupel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-20.

Passive device packaging structure embedded in glass medium and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220053644A1. Автор: LEI FENG,Xianming Chen,Benxia Huang,Yejie Hong. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Passive device packaging structure embedded in glass medium and method for manufacturing the same

Номер патента: US11503712B2. Автор: LEI FENG,Xianming Chen,Benxia Huang,Yejie Hong. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

Integrated passive devices with high q inductors

Номер патента: SG141301A1. Автор: YU Fan,Yinon Degani,Kunquan Sun,Liguo Sun,Charley Chunlei Gao,Yinchao Chen. Владелец: Sychip Inc. Дата публикации: 2008-04-28.

Field-effect transistor structure including passive device and back side power distribution network (bspdn)

Номер патента: US20230163202A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US09685412B2. Автор: Satoru Takaku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Flip-chip semiconductor back-side film, dicing tape integrated semiconductor back-side film, method for fabricating flip-chip semiconductor back-side film, and semiconductor apparatus

Номер патента: TW201232707A. Автор: Koichi Inoue,Takeshi Matsumura,Daisuke Uenda,Miki Morita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-08-01.

Base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20170330813A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180025958A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor apparatus with an alignment moat

Номер патента: US20230377928A1. Автор: Andrew D. Carswell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Board frame, method for fabricating thereof and method for fabricating semiconductor apparatus

Номер патента: US20030082855A1. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor package, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20210020540A1. Автор: Takashi Kimura,Hiroshi Matsumoto,Hiroki Ito. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the semiconductor apparatus

Номер патента: US20230411240A1. Автор: Kazuki Takakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Fiber-containing resin substrate for sealing semiconductor devices or a wafer and a method of sealing a semiconductor apparatus using a fiber-containing resin substrate

Номер патента: EP2469590B1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP2469590A3. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-08.

Support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semiconductor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9312197B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semiconductor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20160035638A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor apparatus, manufacturing method thereof, semiconductor module apparatus using semiconductor apparatus, and wire substrate for semiconductor apparatus

Номер патента: US20050218513A1. Автор: Toshiharu Seko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-10-06.

Optical semiconductor apparatus

Номер патента: US20090232173A1. Автор: Goji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Solid-state image pickup element, electronic equipment, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210375817A1. Автор: Junichiro Fujimagari,Tomohiro Ohkubo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor apparatus and magnetic structure of semiconductor apparatus

Номер патента: US20230055004A1. Автор: Zhenduo YU. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Methods for fabricating faceplate of semiconductor apparatus

Номер патента: WO2010036657A2. Автор: Felix Rabinovich,Dmitry Lubomirsky,Tien Fak Tan,Lun Tsuei,Shaofeng Chen,Kimberly Hinckley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-04-01.

Methods for fabricating faceplate of semiconductor apparatus

Номер патента: WO2010036657A3. Автор: Felix Rabinovich,Dmitry Lubomirsky,Tien Fak Tan,Lun Tsuei,Shaofeng Chen,Kimberly Hinckley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor apparatus and method of operating the same

Номер патента: US20200393752A1. Автор: CHUN-HUNG Liu,Shih-Ming Chang,Wen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Solid-state image pickup element, electronic equipment, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20190385968A1. Автор: Junichiro Fujimagari,Tomohiro Ohkubo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Bulk acoustic wave resonator with an integrated passive device fabricated using bump process

Номер патента: EP4378077A1. Автор: Yao Yu,Ting-Ta Yen,Hassan Omar Ali. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Passive devices formed in grooves on a substrate and a method of manufacture

Номер патента: US7286029B2. Автор: Mojtaba Joodaki. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2007-10-23.

Passive device cell and fabrication process thereof

Номер патента: US20130265121A1. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Wei-Che Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Passive device for protection of the electrical junction box of the LV power supply to a building from undesirable elevated temperature or flame burns

Номер патента: LU506381B1. Автор: Marek Duda,Peter Rončák. Владелец: Megellan Se. Дата публикации: 2024-06-10.

Passive device for protection of the electrical junction box of the LV power supply to a building from undesirable elevated temperature or flame burns.

Номер патента: NL2034987A. Автор: Duda Marek,RONCAK Peter. Владелец: Megellan Se. Дата публикации: 2023-12-14.

Antenna system comprising an antenna and a passive device for angular deflection of a main radiation lobe of the antenna.

Номер патента: US20240243483A1. Автор: Christian Renard,Stephane Mallegol. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2024-07-18.

Passive device cell and fabrication process thereof

Номер патента: US09712130B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Wei-Che Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for constructing passive devices on a substrate and a device fabricated in accordance with such a method

Номер патента: US20050248422A1. Автор: Mojtaba Joodaki. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2005-11-10.

Passive device for protection of the electrical junction box of the LV power supply to a building from undesirable elevated temperature or flame burns

Номер патента: LU506381A1. Автор: Marek Duda,Peter Rončák. Владелец: Megellan Se. Дата публикации: 2024-02-14.

Passive device for protection of the electrical junction box of the lv power supply to a building from undesirable elevated temperature or flame burns

Номер патента: WO2023237138A1. Автор: Marek Duda,Peter Rončák. Владелец: Megellan, Se. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240194660A1. Автор: Hiroaki Matsubara,Taro Nishioka,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF DESIGNING SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20130320475A1. Автор: Takahashi Hiroshi,Sukegawa Shunichi,Inoue Keishi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF DESIGNING SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20200013818A1. Автор: Takahashi Hiroshi,Sukegawa Shunichi,Inoue Keishi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240112990A1. Автор: Kosuke Yamada,Koshun SAITO,Kota ISE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor apparatus, ignition device for internal combustion engine, and internal combustion engine system

Номер патента: US10651113B2. Автор: Koji Yamamoto,Kazuhiro Nishimura,Atsunobu Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Semiconductor apparatus, fixture for measuring characteristics therefor, and semiconductor device characteristics measuring apparatus

Номер патента: TW200305026A. Автор: Shinobu Isobe. Владелец: UMC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-16.

Semiconductor apparatus of a plurality of semiconductor devices enclosed in a case and wiring method therefore

Номер патента: EP1315206A3. Автор: Kazuhiro Maeno. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2006-03-29.

Cooling apparatus and semiconductor apparatus with cooling apparatus

Номер патента: US20220377939A1. Автор: Ginji Uchibe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for producing image pickup apparatus, method for producing semiconductor apparatus, and joined wafer

Номер патента: US20150333037A1. Автор: Kazuhiro Yoshida,Noriyuki Fujimori,Takatoshi Igarashi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Method for producing image pickup apparatus, and method for producing semiconductor apparatus

Номер патента: US20150087086A1. Автор: Kazuhiro Yoshida,Noriyuki Fujimori,Takatoshi Igarashi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Method for producing image pickup apparatus, method for producing semiconductor apparatus, and joined wafer

Номер патента: US9230939B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Noriyuki Fujimori,Takatoshi Igarashi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Method for producing image pickup apparatus and method for producing semiconductor apparatus

Номер патента: US09698195B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Noriyuki Fujimori,Takatoshi Igarashi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Heat dissipating substrate and semiconductor apparatus equipped with heat dissipating substrate

Номер патента: US20140077353A1. Автор: Tadanori Tazoe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: TWI280824B. Автор: Daijiro Takano. Владелец: Toshiba Matsushita Display Tec. Дата публикации: 2007-05-01.

Separation mechanism for adhesive tape, separation apparatus for adhesive tape, separation method for adhesive tape, pickup apparatus for semiconductor chip, pickup method for semiconductor chip, manufacturing method for semiconductor apparatus, and manufacturing apparatus for semiconductor apparatus

Номер патента: KR100506109B1. Автор: 다뀨신야,구로사와데쯔야. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2005-08-04.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING FLIP-CHIP TYPE SEMICONDUCTOR APPARATUS, SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND FLIP-CHIP TYPE SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20170250162A1. Автор: SOGA Kyoko,ASAI Satoshi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-31.

Laser processing apparatus, laser processing method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US12090570B2. Автор: Naoyuki Kobayashi,Hiroaki Imamura,Masashi Machida. Владелец: JSW Aktina System Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor apparatus with multiple tiers, and methods

Номер патента: US09704876B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US09905602B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Shunichi Sukegawa,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus

Номер патента: US20150076519A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus

Номер патента: US09722018B2. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20160197163A1. Автор: Hidenori Takahashi,Takumi Fujimoto,Takeyoshi Nishimura,Yasushi Niimura,Sota Watanabe,Takamasa Wakabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US09496370B2. Автор: Hidenori Takahashi,Takumi Fujimoto,Takeyoshi Nishimura,Yasushi Niimura,Sota Watanabe,Takamasa Wakabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Diagnostic apparatus and diagnostic method, and semiconductor manufacturing apparatus system and semiconductor apparatus manufacturing system

Номер патента: US20240310821A1. Автор: Masaaki Yamamoto,Yohei Kawaguchi,Masahiro Sumiya,Ryoji ASAKURA. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Optoelectronic semiconductor apparatus including an optoelectronic semiconductor device having a carrier with a roughened first main surface and method for manufacturing thereof

Номер патента: US12087893B2. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport

Номер патента: US09741600B2. Автор: Chih-Chang Hsieh,Kai Lo,Hsu-Shui Liu,Chih-Ping Chen,Chung-Chieh Hsu,Wei-Ting Hsiao,Yung-Kai Lin,Chih-Kuo Chang,Chian-Kun Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180315669A1. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20200075433A1. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US10553500B2. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Metal-oxide semiconductor field effect transistor, method of fabricating the same, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09646891B2. Автор: Xingui ZHANG,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20190165027A1. Автор: Takumi Ogino,Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190355828A1. Автор: Takashi Nakamura,Kenji Yamamoto,Takuji Hosoi,Hirokazu Asahara,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Yusaku Kashiwagi,Masatoshi Aketa,Shuji Azumo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Adhesive composition for fabrication of semiconductor apparatus, and adhesive sheet for fabrication of semiconductor apparatus

Номер патента: TW201137074A. Автор: Yasushi Inoue,Takeshi Matsumura,Kenji Oonishi,Yuichiro Shishido,Yuta Kimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Semiconductor apparatus, image pickup unit, endoscope, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240088076A1. Автор: Keiichi Kobayashi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the semiconductor apparatus

Номер патента: TW201225297A. Автор: Hiroshi Endo,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-06-16.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor apparatus and silicon carbide semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US09768260B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US12131966B2. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Keiichiro Matsuo,Yasuhito Yoshimizu,Fuyuma ITO,Nobuhito KUGE,Yui KAGI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US11747737B2. Автор: Kazuhiro Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP3964894A3. Автор: Kazuhiro Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20220066326A1. Автор: Kazuhiro Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP3964894A2. Автор: Kazuhiro Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Laser processing apparatus, laser processing method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240024980A1. Автор: Naoyuki Kobayashi,Hiroaki Imamura,Masashi Machida. Владелец: JSW Aktina System Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Laser processing apparatus, laser processing method, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US11813694B2. Автор: Naoyuki Kobayashi,Hiroaki Imamura,Masashi Machida. Владелец: JSW Aktina System Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Oxide semiconductor film and film-forming method the same, semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234138A9. Автор: Takahiro Sakatsume. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: SG11202109726TA. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Keiichiro Matsuo,Yasuhito Yoshimizu,Fuyuma ITO,Nobuhito KUGE,Yui KAGI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor apparatus with multiple tiers, and methods

Номер патента: US20170309641A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor apparatus with multiple tiers, and methods

Номер патента: US20220028891A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor apparatus with multiple tiers, and methods

Номер патента: WO2012149424A2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor apparatus with multiple tiers, and methods

Номер патента: EP2702610A2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-05.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20050230798A1. Автор: Hisao Takemura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus

Номер патента: US20170213886A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: CN102201418A. Автор: 高桥洋,助川俊一,井上启司. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Semiconductor apparatus packaging structure, semiconductor apparatus packaging method, and embossed tape

Номер патента: US20100230793A1. Автор: Kenji Toyosawa,Satoru Kudose. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor apparatus with inner wafer carrier buffer and method

Номер патента: US11062931B2. Автор: Hsiang Yin SHEN,Wen-Yu Huang,Li-Jen Ko,Jason Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US8541878B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Shunichi Sukegawa,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Semiconductor apparatus, method of manufactuirng semiconductor apparatus, method of designing semiconductor apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: KR20110107747A. Автор: 히로시 타카하시,šœ이치 스케가와,케이시 이노우에. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2011-10-04.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220367558A1. Автор: Shinichi Miyake,Nobutoshi Fujii,Koichiro Saga,Koichi Sejima. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20210098572A1. Автор: Keishi WATANABE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor apparatus for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US11289571B2. Автор: Keishi WATANABE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-29.

Optoelectronic semiconductor apparatus and method for producing at least one optoelectronic semiconductor apparatus

Номер патента: US20240120455A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-04-11.

Photoelectric conversion apparatus, image sensor, semiconductor apparatus, photoelectric conversion system, and equipment

Номер патента: US11728358B2. Автор: Hiroshi Sekine,Mahito Shinohara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, ELECTRONIC DEVICE, pH SENSOR, BIOSENSOR, PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND PRODUCTION METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20240201125A1. Автор: Makoto NAKAZUMI. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240234031A1. Автор: Jooho Lee,Narae HAN,Cheheung KIM,Beomseok Kim,Haeryong Kim,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Electro-optical apparatus, semiconductor apparatus and semiconductor device, electro-optical arrangement and use

Номер патента: CA3187306A1. Автор: Daniel SCHALL,Stephan SUCKOW. Владелец: Amo GmbH. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method of semiconductor apparatus, semiconductor apparatus, and endoscope

Номер патента: US09866738B2. Автор: Kazuaki Kojima. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09977074B2. Автор: Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor apparatus and equipment

Номер патента: US20230411402A1. Автор: Hiroaki Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor capacitor device and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: EP4006934A1. Автор: Jaeho Lee,Younggeun Park,Yong-hee Cho,Seungwoo JANG,Joohoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device inspection apparatus, semiconductor device inspection method, program thereof, semiconductor apparatus, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190064248A1. Автор: Akira Kano,Mitsuaki Kato,Kenji Hirohata,Akihiro Goryu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Imaging element for use with a retina chip, imaging apparatus including the same, and semiconductor apparatus included in the same

Номер патента: US09924117B2. Автор: Masamichi Suzuki,Hiroki Noguchi,Yuichiro Mitani,Koichiro ZAITSU,Yusuke Higashi,Takao Marukame,Haiyang Peng. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

METHOD OF MANUFACTURING PROTEIN SEMICONDUCTOR, PROTEIN SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING PN JUNCTION, PN JUNCTION, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, SEMICONDUCTOR APPARATUS, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF CONTROLLING CONDUCTIVITY TYPE OF PROTEIN SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20140183487A1. Автор: Luo Wei,Yamada Seiji,Tokita Yuichi,Goto Yoshio,NAKAMARU Satoshi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF DESIGNING SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20160133665A1. Автор: Takahashi Hiroshi,Sukegawa Shunichi,Inoue Keishi. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Protective semiconductor apparatus for an assembled battery, a battery pack including the protective semiconductor apparatus, and an electronic device

Номер патента: TW201229531A. Автор: Junichi Kanno. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-16.

Semiconductor apparatus for deposition process

Номер патента: US20230065818A1. Автор: Hung-Chih Wang,Sheng-Yuan Lin,Chih-Wei Chou,Yuan-Hsin CHI,Yu-Chi Liu,Yin-Tun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20020114186A1. Автор: Yutaka Ito. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP1928092A3. Автор: Kouji c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Mochizuki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-01-14.

Semiconductor apparatus for performing clock phase synchronization, and an operating method thereof and semiconductor system using the same

Номер патента: US20190131980A1. Автор: Seung Hun Lee,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Method of operating semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210149317A1. Автор: Hsiang Chen,Shang-Chieh Chien,Li-Jui Chen,Sheng-Kang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor Apparatus and Identification Method of a Semiconductor Chip

Номер патента: US20170221581A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Riichiro Shirota,Yukihiro Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

On-die termination enable signal generator, semiconductor apparatus, and semiconductor system

Номер патента: US09654105B2. Автор: Kwang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US20160072490A1. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US9680457B2. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US09680457B2. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: EP4007000A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Power control circuit and semiconductor apparatus including the power control circuit

Номер патента: US20200177070A1. Автор: Woongrae Kim,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Operation mode setting circuit of semiconductor apparatus and data processing system using the same

Номер патента: US9590627B2. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor apparatus including power gating circuits

Номер патента: US10892754B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-12.

Operation mode setting circuit of semiconductor apparatus and data processing system using the same

Номер патента: US20150162911A1. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09543951B2. Автор: Jeong Tae Hwang,Ja Beom KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US12015403B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Receiver of semiconductor apparatus and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150270995A1. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US20240340010A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor apparatus for power supply control and output voltage variable power supply apparatus

Номер патента: US20190302821A1. Автор: Shinichiro Maki,Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US20170250684A1. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu MIZOKAMAI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US20180219540A1. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US10224914B2. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US9960757B2. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: US09960757B2. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US20160226503A1. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Termination circuit and semiconductor apparatus including the termination circuit

Номер патента: US20200145001A1. Автор: Jun Yong Song,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190163654A1. Автор: Kyung Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Data output circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US20120250734A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Data output circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US8446174B2. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230284430A1. Автор: Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor apparatus including a clock path

Номер патента: US11733730B2. Автор: Sang Su Lee,Yun Tack Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US11322193B2. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Semiconductor apparatus which prevents generating noise and being influenced by noise

Номер патента: US6862246B2. Автор: Hiroaki Ikeda,Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-03-01.

Semiconductor apparatus which prevents generating noise and being influenced by noise

Номер патента: US20030227813A1. Автор: Hiroaki Ikeda,Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200357330A1. Автор: Hiroharu ENDO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor apparatus and method of charging desired number of capacitors

Номер патента: US20050185361A1. Автор: Akihiko Fujiwara,Koichi Yano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US12068014B2. Автор: Hiroyuki Uchida,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor apparatus including a clock path

Номер патента: US12055968B2. Автор: Sang Su Lee,Yun Tack Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor apparatus and reduced current and power consumption

Номер патента: US9160335B2. Автор: Hyun Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor apparatus and reduced current and power consumption

Номер патента: US20150155869A1. Автор: Hyun Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20150288283A1. Автор: Hyun Heo,Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO,Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09991882B2. Автор: Masahiro Iwamoto,Osamu Uno,Yuichi Itonaga,Hajime OHMI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09948321B2. Автор: Myeong Jae PARK,Jeong Kyoum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor apparatus reducing a parasitic capacitance

Номер патента: US09859892B2. Автор: Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09859884B2. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09853636B2. Автор: Masahiro Iwamoto,Osamu Uno,Yuichi Itonaga,Hajime OHMI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor apparatus and receiver thereof

Номер патента: US09853609B2. Автор: Jin Ha Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Input circuit and semiconductor apparatus including the input circuit

Номер патента: US09716493B2. Автор: Yeonsu JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09660617B2. Автор: Kyu Bong KONG,Geun Il Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Output driver, semiconductor apparatus, system, and computing system using the same

Номер патента: US09647664B2. Автор: Hyun bae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Latch circuit, receiver circuit, semiconductor apparatus and system using the latch and receiver circuits

Номер патента: US09628056B1. Автор: Wan Seob LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor apparatus having a decoding function, method of controlling the same, and camera

Номер патента: US09609245B2. Автор: Hiroyuki Morita,Takeshi Akiyama,Koichiro Iwata,Kazuki Ohshitanai,Hiroo Akabori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Clock delay detecting circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09602112B2. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor apparatus and regulation circuit thereof

Номер патента: US09590641B2. Автор: Da In IM,Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor apparatus and operating method thereof

Номер патента: US09576620B2. Автор: Ho Sung Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Temperature measuring device of a power semiconductor apparatus

Номер патента: US09562812B2. Автор: Hiroyuki Yoshimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Data output circuit of a semiconductor apparatus

Номер патента: US09553587B2. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor apparatus capable of converting a frequency of an input clock

Номер патента: US09537477B2. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Receiver circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US09520882B2. Автор: Jin Ha Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09515654B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for installation of wire conductors on bonding pads of semiconductor apparatuses

Номер патента: RU2751605C1. Автор: Александр Владимирович Подувальцев,Вячеслав Геннадьевич Сизов,Алексей Александрович Подувальцев. Владелец: Алексей Александрович Подувальцев. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor apparatus, semiconductor system, and system relating to dual clock transmission

Номер патента: US20170062029A1. Автор: Keun Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Method and semiconductor apparatus for reducing power when transmitting data between devices in the semiconductor apparatus

Номер патента: US20140266398A1. Автор: Chulmin Jung,Esin Terzioglu,Sei Seung Yoon,Venugopal Boynapalli,Hari Ananthanarayanan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20180048139A1. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20240032308A1. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device including layers with different chalcogen compounds and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11818899B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

State estimation system and state estimation method for power conversion semiconductor apparatus

Номер патента: US20220334152A1. Автор: Li Guan,Ichiro Omura,Masahiko Tsukakoshi,Masanori Tsukuda,Makoto Mukunoki,Haruyuki YAMAGUCHI,Kazuha WATANABE. Владелец: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor apparatus for compensating for degradation and semiconductor system using the same

Номер патента: US20200219584A1. Автор: Woongrae Kim,Keun Soo Song,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor apparatus, semiconductor system, and operating method of semiconductor apparatus

Номер патента: US11855625B2. Автор: Jae Hoon Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor apparatus, semiconductor system, and operating method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20230231556A1. Автор: Jae Hoon Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20230354725A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor apparatus including clock paths and semiconductor system including the semiconductor apparatus

Номер патента: US20210013875A1. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor apparatus including clock paths and semiconductor system including the semiconductor apparatus

Номер патента: US11323107B2. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Voltage control circuit for a semiconductor apparatus capable of controlling an output voltage

Номер патента: US5083043A. Автор: Makoto Yoshida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-01-21.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190369692A1. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of operating semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210076479A1. Автор: Chi-Hung Liao,Po-Ming SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of operating semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20190394865A1. Автор: Chi-Hung Liao,Po-Ming SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20160308532A1. Автор: Jeong Tae Hwang,Ja Beom KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US20230370066A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor apparatus and a semiconductor system capable of adjusting timings of data and data strobe signal

Номер патента: US11205464B2. Автор: Kwan Su SHON,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-21.

Semiconductor apparatus having first and second bonding members, display apparatus, photoelectric conversion apparatus, electronic device, illumination apparatus, and moving body

Номер патента: US11985866B2. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor apparatus having first and second bonding members, display apparatus, photoelectric conversion apparatus, electronic device, illumination apparatus, and moving body

Номер патента: US20230141503A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor apparatus and a semiconductor system capable of adjusting timings of data and data strobe signal

Номер патента: US20210201968A1. Автор: Kwan Su SHON,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor apparatus performing calibration operation and a semiconductor system using the same

Номер патента: US20210099172A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor apparatus and method of operating the same

Номер патента: US10613444B2. Автор: Chi-Hung Liao,Min-Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Skew compensation circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US10491219B2. Автор: Da In IM,Young Suk SEO,Seung Wook Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-26.

Semiconductor apparatus including a clock path

Номер патента: US20230350452A1. Автор: Sang Su Lee,Yun Tack Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Data output circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US20150280713A1. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor apparatus and data processing method

Номер патента: US8539305B2. Автор: Jin Yeong MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US10439598B2. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor apparatus and duty cycle correction method thereof

Номер патента: US9148136B2. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-29.

Repair circuit and repair method of semiconductor apparatus

Номер патента: US8514641B2. Автор: Jeong Woo Lee,Sang Hoon Shin,Xiang Hua Cui. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-20.

Semiconductor apparatus cross-references to related application

Номер патента: US20150188544A1. Автор: Eun Ho HEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Data sensing circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US10825488B1. Автор: Min Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20160020763A1. Автор: Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US11776610B2. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US9419633B1. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US9374071B2. Автор: Hoon Choi,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor apparatus for generating a reference voltage

Номер патента: US20210096588A1. Автор: Gang Sik Lee,Kyu Bong KONG,Jae Hyeok YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor apparatus for use in low voltage power supply

Номер патента: US6150879A. Автор: Daita Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Driver circuit of semiconductor apparatus and method for controlling the same

Номер патента: US8749270B2. Автор: Myung Hwan Lee,Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US8283969B2. Автор: Toshiharu Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-09.

Semiconductor apparatus and system including plurality of channels

Номер патента: US20160028407A1. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20140347093A1. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US20160173270A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor apparatus, method of controlling the same, and camera

Номер патента: US20150264289A1. Автор: Hiroyuki Morita,Takeshi Akiyama,Koichiro Iwata,Kazuki Ohshitanai,Hiroo Akabori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor apparatus and regulation circuit thereof

Номер патента: US20150365078A1. Автор: Da In IM,Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20150236675A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352070A1. Автор: Hiroyuki Uchida,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20180302065A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor apparatus and system including plurality of channels

Номер патента: US20160013783A1. Автор: Jung Hwan Lee,Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Output driver, semiconductor apparatus, system, and computing system using the same

Номер патента: US20160365851A1. Автор: Hyun bae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US20220223200A1. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20040130372A1. Автор: Takahiro Seki,Masakatsu Nakai,Tetsumasa Meguro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US20210407584A1. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190341912A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20170019107A1. Автор: Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Delay circuit and semiconductor apparatus

Номер патента: WO2014007006A1. Автор: Junichi Kanno,Kuniaki Arai. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-01-09.

Passive device information

Номер патента: EP4352925A1. Автор: Yu Zhang,Krishna Kiran Mukkavilli,Hung Dinh LY,Ahmed Elshafie,Saeid SAHRAEI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Package comprising an integrated passive device configured as a cap for a filter

Номер патента: EP4205279A1. Автор: Changhan Hobie Yun,Paragkumar Ajaybhai Thadesar,Daniel Daeik Kim,Nosun Park,Sameer Sunil VADHAVKAR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Configuring waveform transmissions for passive device activation

Номер патента: WO2023193134A1. Автор: Yu Zhang,Yuchul Kim,Seyedkianoush HOSSEINI,Linhai He,Huilin Xu,Ahmed Elshafie,Zhikun WU. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-10-12.

Frequency-modulated continuous wave for passive devices

Номер патента: WO2024152236A1. Автор: Chao Wei,Hao Xu,Min Huang,Kangqi LIU,Mingxi YIN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Filter, integrated passive device, electronic device and display device

Номер патента: US20240283422A1. Автор: Yue Li,Yulin Feng,Yifan Wu,Yuelei Xiao,Can Zhang,Huiying Li,Xue CAO,Chunnan FENG,Qichang AN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Filter, integrated passive device and electronic device

Номер патента: US20240356512A1. Автор: Yue Li,Yulin Feng,Yuelei Xiao,Huiying Li,Xue CAO,Chunnan FENG. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Passive device reference signals

Номер патента: US20240284289A1. Автор: Yu Zhang,Hung Dinh LY,Saeid SAHRAEI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Measurement of links associated with a passive device

Номер патента: EP4413670A1. Автор: Yu Zhang,Krishna Kiran Mukkavilli,Hung Dinh LY,Saeid SAHRAEI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Secure ranging with passive devices

Номер патента: EP4424051A1. Автор: Hong Cheng,Junyi Li,Kapil Gulati,Shailesh Patil,Anantharaman Balasubramanian,Shuanshuan Wu,Sourjya Dutta,Preeti Kumari,Gene Wesley Marsh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Passive device information

Номер патента: US20240187040A1. Автор: Yu Zhang,Krishna Kiran Mukkavilli,Hung Dinh LY,Ahmed Elshafie,Saeid SAHRAEI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Package comprising an integrated passive device configured as a cap for a filter

Номер патента: WO2022046392A1. Автор: Changhan Hobie Yun,Paragkumar Ajaybhai Thadesar,Daniel Daeik Kim,Nosun Park,Sameer Sunil VADHAVKAR. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-03.

Package comprising an integrated passive device configured as a cap for a filter

Номер патента: US12016247B2. Автор: Changhan Hobie Yun,Paragkumar Ajaybhai Thadesar,Daniel Daeik Kim,Nosun Park,Sameer Sunil VADHAVKAR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Liquid-resistant air inlet passive device and methods of making same

Номер патента: US20220212920A1. Автор: Kathirgamasundaram Sooriakumar,Anu AUSTIN,Ian Rose BIHAG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-07.

Detecting passive devices proximate to a reader device

Номер патента: WO2023230976A1. Автор: WEI YANG,Yuchul Kim,Seyedkianoush HOSSEINI,Huilin Xu,Ahmed Elshafie,Zhikun WU. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-07.

Techniques for prioritizing and handling conflicting read and write commands for passive devices

Номер патента: WO2024000244A1. Автор: Yuchul Kim,Seyedkianoush HOSSEINI,Linhai He,Huilin Xu,Ahmed Elshafie,Zhikun WU. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-01-04.

Multi-sine waveform for passive device

Номер патента: WO2024113349A1. Автор: Jing Lei,Chao Wei,Hao Xu,Kangqi LIU. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Method, apparatus and computer program to determine parameters associated with a passive device

Номер патента: EP4354746A1. Автор: Oana-Elena Barbu,Benny Vejlgaard,Johannes Harrebek. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-04-17.

Passive devices for broadband acoustic acquisition and passive systems for broadband acoustic imagery

Номер патента: US9829572B2. Автор: Vincent Benoit,Christian Corbeau. Владелец: ACB Engineering. Дата публикации: 2017-11-28.

Secure ranging with passive devices

Номер патента: US20230130477A1. Автор: Hong Cheng,Junyi Li,Kapil Gulati,Shailesh Patil,Anantharaman Balasubramanian,Shuanshuan Wu,Sourjya Dutta,Preeti Kumari,Gene Wesley Marsh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Passive device reference signals

Номер патента: EP4324137A1. Автор: Yu Zhang,Hung Dinh LY,Saeid SAHRAEI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Secure ranging with passive devices

Номер патента: WO2023076760A1. Автор: Hong Cheng,Junyi Li,Kapil Gulati,Shailesh Patil,Anantharaman Balasubramanian,Shuanshuan Wu,Sourjya Dutta,Preeti Kumari,Gene Wesley Marsh. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-05-04.

Secure ranging with passive devices

Номер патента: US11953585B2. Автор: Hong Cheng,Junyi Li,Kapil Gulati,Shailesh Patil,Anantharaman Balasubramanian,Shuanshuan Wu,Sourjya Dutta,Preeti Kumari,Gene Wesley Marsh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of fabricating printed circuit board having embedded multi-layer passive devices

Номер патента: US7293356B2. Автор: Seung Hyun SOHN,Yul Kyo Chung,Hyun Ju Jin,Eun Tae Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-13.

Bulk acoustic wave resonator stacked onto an integrated passive device

Номер патента: KR20220120475A. Автор: 제프리 갈리푸,켈리 엠. 리어. Владелец: 코르보 유에스, 인크.. Дата публикации: 2022-08-30.

Bulk acoustic wave resonator stacked onto an integrated passive device

Номер патента: US11923827B2. Автор: Kelly M. Lear,Jeffery D. Galipeau. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Semiconductor apparatus and retaining voltage levels

Номер патента: US20150168966A1. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor apparatus and data bit inversion

Номер патента: US09530464B2. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor apparatus and semiconductor memory apparatus

Номер патента: US12125516B2. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor apparatus configured to control data output timing

Номер патента: US09704547B2. Автор: Jong Ho Jung,Hee Jin Byun,Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Power gating control circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20240312500A1. Автор: Mino KIM,Sungwoo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor apparatus and method of disposing observation flip-flop

Номер патента: US8042014B2. Автор: Masahiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Semiconductor apparatus and method of disposing observation flip-flop

Номер патента: US20070283203A1. Автор: Masahiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor apparatus and power conversion apparatus

Номер патента: US09874614B2. Автор: Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190198110A1. Автор: Sang Ho Lee,Jun Hyun Chun,Ho Don Jung,Jung Hwan Ji. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor apparatus exhibiting current control function

Номер патента: US20120033341A1. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Address latch, address control circuit and semiconductor apparatus including the address control circuit

Номер патента: US12009058B2. Автор: Ji Eun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor apparatus and data processing method of the same

Номер патента: US20140218382A1. Автор: Atsushi Nakamura,Akihiro Yamamoto,Hideaki Kido,Manabu Koike. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor apparatus and continuous readout method

Номер патента: US11990188B2. Автор: Makoto Senoo,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Fuse circuit, repair control circuit, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20180102185A1. Автор: Jong Yeol Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200218332A1. Автор: Wen-Pin Hsieh,Shih-Hao Chen,Chih-Wen Yang,Jingjie Wu. Владелец: Digwise Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor apparatus and repair method thereof

Номер патента: US20170018316A1. Автор: Jong Sam Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor apparatus capable of compensating for data output time and method for controlling the same

Номер патента: US20160042776A1. Автор: Sung Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Data input buffer and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20220122644A1. Автор: Yo Han JEONG,Jin Ha Hwang,Keun Seon AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of operating semiconductor apparatus

Номер патента: US20240280910A1. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Chiu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Error correction code circuit and semiconductor apparatus including the error correction code circuit

Номер патента: US20240321383A1. Автор: Seong Jin Kim,Jung Hwan Ji,Seon Woo HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor apparatus and repair method thereof

Номер патента: US09978463B2. Автор: Jong Sam Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor apparatus and high speed image data processing

Номер патента: US09978117B2. Автор: Atsushi Nakamura,Akihiro Yamamoto,Hideaki Kido,Manabu Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09964974B2. Автор: Yong Deok Cho,Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Output timing control circuit of semiconductor apparatus and method thereof

Номер патента: US09959917B2. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09928205B2. Автор: Dae Suk Kim,Jong Chern Lee,Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09915964B2. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicon member for semiconductor apparatus and method of producing the same

Номер патента: US09878915B2. Автор: Yoshinobu Nakada. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor apparatus and repair method thereof

Номер патента: US09847142B2. Автор: Jong Sam Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US09798694B2. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Data input circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US09792230B2. Автор: Chang Ki Baek,Joon Woo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09741412B2. Автор: Tae Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Built-in test circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US09721626B2. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Test system for semiconductor apparatus and test method using the same

Номер патента: US09671461B2. Автор: Ki Hyun Kim,Dae Hee Lee,Boung Ii Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor apparatus capable of preventing refresh error and memory system using the same

Номер патента: US09659627B2. Автор: Min su Park,Young Jun KU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US09638754B2. Автор: Soo Young JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Synchronizing refresh control circuit for a plurality of slices and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09620192B2. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor apparatus and repair method thereof

Номер патента: US09589675B2. Автор: Jong Sam Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor apparatus and semiconductor system having independent data input/output period, and operating method of the semiconductor system

Номер патента: US20230326495A1. Автор: Jae Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor apparatus and semiconductor system having independent data input/output period, and operating method of the semiconductor system

Номер патента: US20230326498A1. Автор: Jae Young Lee,Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor apparatus and semiconductor system having lun selection cycle, and operating method of semiconductor system

Номер патента: US20230326517A1. Автор: Jae Young Lee,Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor apparatus and status control method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20170068629A1. Автор: Hideaki Tomonaga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor apparatus and display apparatus

Номер патента: US10599507B2. Автор: Koji Shimizu,Takuya Ito. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Semiconductor apparatus and display apparatus

Номер патента: US20170277586A1. Автор: Koji Shimizu,Takuya Ito. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor apparatus examination method and semiconductor apparatus examination apparatus

Номер патента: US11967061B2. Автор: Hirotoshi Terada,Yoshitaka IWAKI. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor apparatus and semiconductor system

Номер патента: US9665118B2. Автор: Sang Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor apparatus and semiconductor system

Номер патента: US20170060168A1. Автор: Sang Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of estimation of thermal constant power semiconductor apparatus

Номер патента: RU2655736C1. Автор: Вадим Михайлович Бардин,Антон Александрович Воронков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US20160291078A1. Автор: Masaki Shimada,Kan Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240036486A1. Автор: Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor apparatus and signal processing system

Номер патента: US20070296460A1. Автор: Kengo Okada,Kazuhisa Takigawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor system and operating method to adjust temperature of semiconductor apparatus and control device

Номер патента: US11908540B2. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor apparatus and data bit inversion

Номер патента: US20150269979A1. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Command address control circuit and semiconductor apparatus and semiconductor system including the command address control circuit and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230062952A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hwan Park,Jae Hoon Cha,Ha Jun JEONG,Se Ra JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Calibration method of apparatus installation parameter and related surveillance device

Номер патента: US20240185443A1. Автор: Chao-Tan HUANG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US8171189B2. Автор: Hee Woong Song,Tae Jin Hwang,Ji Wang Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-01.

Under drive control circuit and semiconductor apparatus including the under drive control circuit

Номер патента: US20230410924A1. Автор: Hyung Jin Choi,Gwi Han KO,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor apparatus and semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20230253026A1. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor apparatus with repair information control function

Номер патента: US20150364219A1. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Power control circuit, semiconductor apparatus including the same and power control method of semiconductor apparatus

Номер патента: US11881249B2. Автор: Woongrae Kim,Byeong Cheol Lee,Se Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor apparatus with repair information control function

Номер патента: US9373421B2. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor apparatus and debug system

Номер патента: US11797421B2. Автор: Takahiro Nishiyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor apparatus and transfer method

Номер патента: US11914538B2. Автор: Takahiro SHIKIBU. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20190189240A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US11972829B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200135119A1. Автор: Akira Nakayama. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Power control circuit, semiconductor apparatus including the same and power control method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20200211616A1. Автор: Woongrae Kim,Byeong Cheol Lee,Se Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20160071560A1. Автор: Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor apparatus including a plurality of clock paths and a semiconductor system using the same

Номер патента: US20240203469A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Domotic system provided with centralized controlling and managing hardware and software for remote management of domestic appliances, apparatuses, installations, devices and machines existing in a house

Номер патента: WO2006035472A3. Автор: Antonio Sacchetti,Giuseppe Consorte,Alessandro Leonardo D. Владелец: Alessandro Leonardo D. Дата публикации: 2006-06-01.

Bus or Trailer with Gaming Apparatuses Installed Thereon

Номер патента: US20210347289A1. Автор: Tiffany Terry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-11.

Domotique system provided with centralized controlling and managing hardware and software for remote management of domestic appliances, apparatuses, installations, devices and machines existing in a house

Номер патента: EP1797485A2. Автор: Antonio Sacchetti,Leonardo D'alessandro,Giuseppe Consorte. Владелец: Matrix Srl. Дата публикации: 2007-06-20.

Bus or trailer with gaming apparatuses installed thereon

Номер патента: US12005827B2. Автор: Tiffany Terry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor apparatus with program operation control

Номер патента: US20230400986A1. Автор: Hyung Jin Choi,Gwi Han KO,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor apparatus and system

Номер патента: US20240029799A1. Автор: Nozomu KOJA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor apparatus including column selection signal generation circuit

Номер патента: US20170249980A1. Автор: Soo Young JANG,Jae Hoon Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US9501123B2. Автор: Mun Seon JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Refresh control circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US9093174B2. Автор: Jong Man IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-28.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US8400210B2. Автор: Jae Bum KO,Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20120154008A1. Автор: Dae Suk Kim,Jong Chern Lee,Sang Jin Byeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor apparatus and repair method thereof

Номер патента: US20120194243A1. Автор: Jong Chern Lee,Min Seok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20140043884A1. Автор: Young Ju Kim,Sang Hoon Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Output control circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20210117349A1. Автор: Kyu Young Kim,Dae Han Kwon,Ha Jun JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Enable signal generation circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20210183424A1. Автор: Mino KIM,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor apparatus and data processing system

Номер патента: US20200035274A1. Автор: Seung Yong Lee,Myoung Seo KIM,Young Pyo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of operating semiconductor apparatus

Номер патента: US11994805B2. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Chiu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor apparatus with open bit line structure

Номер патента: US8867282B2. Автор: Kee Teok Park,Tae Sik Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor apparatus capable of controlling the timing of data and control signals related to data input/output

Номер патента: US11152043B2. Автор: Gang Sik Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-19.

Built-in test circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US20160131697A1. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Precharge circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20150364164A1. Автор: Jin Youp CHA,Cheol Hoe KIM,Seok Cheol Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Enable signal generation circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US11817175B2. Автор: Mino KIM,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor apparatus capable of preventing refresh error and memory system using the same

Номер патента: US20150325284A1. Автор: Min su Park,Young Jun KU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Stack type semiconductor apparatus

Номер патента: US9373373B2. Автор: Heat Bit Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20160307614A1. Автор: Tae Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20140347938A1. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor apparatus and readout method

Номер патента: US11775441B2. Автор: Makoto Senoo,Sho Okabe. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Interface circuit for high speed communication, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US20160224506A1. Автор: In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Error detecting circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20130166993A1. Автор: Mun Phil Park,Kang Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20150046717A1. Автор: Masayuki Hagiwara,Takeshi Obara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Method of operating semiconductor apparatus

Номер патента: US20210382399A1. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Chiu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Stack type semiconductor apparatus

Номер патента: US20160071562A1. Автор: Heat Bit Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor apparatus

Номер патента: US20200294563A1. Автор: Gang Sik Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor apparatus and test circuit thereof

Номер патента: US20140003161A1. Автор: Jong Ho Son,Yong Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Armrest apparatus installed in chair for computer work

Номер патента: US6843534B2. Автор: Jong-ho Lee,Soon-Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-18.

Armrest apparatus installed in chair for computer work

Номер патента: WO2002102204A1. Автор: Jong-ho Lee,Soon-Won Lee. Владелец: Soon-Won Lee. Дата публикации: 2002-12-27.

Electronic apparatus installed with non-volatile memory express solid state disk

Номер патента: US20200341926A1. Автор: Chang-Yu Tu,Te-Ming Kung,Wen-Shyan Lai. Владелец: Compal Electronics Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

High-temperature fluid transporting pipeline with heat exchange apparatus installed therein, suitable heat exchange apparatus and heat exchange method

Номер патента: US11940228B2. Автор: Aili ZHANG,Peter Van Kampen,Yuquan GU,KuoHsuan WANG,Wenbiao ZHOU. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-03-26.

Pneumatic motor and pneumatic hoist apparatus installed with the same

Номер патента: US20020074539A1. Автор: Katsuji Yamamoto. Владелец: Toku Pneumatic Tool Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Passive device detection

Номер патента: US20180203782A1. Автор: Yuqun Cao,Gus H. White. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-07-19.

Passivation device, filter system, device for the additive manufacturing of three-dimensional objects, method for passivating and method for filtering

Номер патента: US20240335780A1. Автор: Ulrich Kleinhans,Philip Ströbel,Fatime Imetovska. Владелец: EOS GmbH. Дата публикации: 2024-10-10.

Generating written user notation data for display based on detecting an impedance pattern of a writing passive device

Номер патента: US20240004602A1. Автор: Michael Shawn Gray,Richard Stuart Seger, JR.,Daniel Keith Van Ostrand,Kevin Joseph Derichs,Patrick Troy Gray. Владелец: Sigmasense LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Generating written user notation data for display based on detecting an impedance pattern of a writing passive device

Номер патента: US12079533B2. Автор: Michael Shawn Gray,Richard Stuart Seger, JR.,Daniel Keith Van Ostrand,Kevin Joseph Derichs,Patrick Troy Gray. Владелец: Sigmasense LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Optical passive device product identification apparatus and connectivity determination apparatus

Номер патента: US20080231843A1. Автор: Akira Yamamoto,Takuji Maeda,Tatsuo Nagayoshi,Makoto Ohtou,Katsumi Sugawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Passive device for improving safety of vehicle

Номер патента: RU2632553C1. Автор: Владимир Тимофеевич Исайчев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Оренбургский государственный университет". Дата публикации: 2017-10-05.

Scaled model of apparatus installation

Номер патента: GB878399A. Автор: . Владелец: MW Kellogg Co. Дата публикации: 1961-09-27.

Passive device for reducing speed

Номер патента: WO2011032246A8. Автор: Sergio Roberto Berteloni,Omar Rachid Murad,Emmanuel Felipe Gonzaga. Владелец: WHIRLPOOL S.A.. Дата публикации: 2012-03-29.

Passive device for reducing speed

Номер патента: WO2011032246A1. Автор: Sergio Roberto Berteloni,Omar Rachid Murad,Emmanuel Felipe Gonzaga. Владелец: Whirpool S.A.. Дата публикации: 2011-03-24.

Apparatus for allocating passive devices before sintering

Номер патента: US20020060171A1. Автор: I-Chang Tsai. Владелец: Schmidt Scientific Taiwan Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Passive device with compressible pressure assembly for z-direction capacitance detection

Номер патента: US20240176432A1. Автор: Michael Shawn Gray,Grant Howard McGibney,Kevin Joseph Derichs. Владелец: Sigmasense LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Passive device with compressible pressure assembly for Z-direction capacitance detection

Номер патента: US12050740B2. Автор: Michael Shawn Gray,Grant Howard McGibney,Kevin Joseph Derichs. Владелец: Sigmasense LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Pluggable miniature optical passive device

Номер патента: US20200241210A1. Автор: Xuan Zhang,Jianlong HUANG,Xiansheng Sun,Nongcun Yu. Владелец: Zhuhai FTZ Oplink Communications Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Generating written user notation data based on detection of a writing passive device

Номер патента: US11829677B2. Автор: Michael Shawn Gray,Richard Stuart Seger, JR.,Daniel Keith Van Ostrand,Kevin Joseph Derichs,Patrick Troy Gray. Владелец: Sigmasense LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Electrically addressable passive device, method for electrical addressing of the same and uses of the device and the method

Номер патента: CA2294834C. Автор: Per-Erik Nordal,Geirr I. Leistad,Hans Gude Gudesen. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-01-25.

User input passive device and interactive display device touchscreen system

Номер патента: US20210223872A1. Автор: Gerald Dale Morrison,Timothy W. Markison,Richard Stuart Seger, JR.,Daniel Keith Van Ostrand. Владелец: Sigmasense LLC. Дата публикации: 2021-07-22.

Delay circuit, drive apparatus, semiconductor apparatus and delay method

Номер патента: US20240291473A1. Автор: Taizo ASANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240235549A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240223188A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240223189A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20230039697A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Clock multiplexing circuit, clock distribution circuit, and semiconductor apparatus including the clock multiplexing circuit

Номер патента: US20240243747A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Signal receiving device, and a semiconductor apparatus and a semiconductor system including the signal receiving device

Номер патента: US11539500B2. Автор: Kwan Su SHON,Jin Ha Hwang,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Signal transmitting circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20220269624A1. Автор: Hyun bae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Power tracking circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20130321046A1. Автор: Hoon Choi,Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Amplifier and receiving circuit, semiconductor apparatus, and semiconductor system using the same

Номер патента: US20200266779A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Amplifier and receiving circuit, semiconductor apparatus, and semiconductor system using the same

Номер патента: US20220094314A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Buffer circuit, clock generating circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20240356550A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor apparatus and radio communication apparatus

Номер патента: EP2993797B1. Автор: Yoshikazu Furuta,Kenji Toyota,Tomohiro Sano,Masakazu Mizokami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-09.

Switch control circuit, semiconductor apparatus, and magnetic ink reading apparatus

Номер патента: US09955093B2. Автор: Takayuki Nakai,Akio Kamimurai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: US20090207668A1. Автор: Heat Bit Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: US7969792B2. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Byproduct collecting apparatus of semiconductor apparatus

Номер патента: EP2013897A1. Автор: Tae-Woo Kim,Che-Hoo Cho,Jung-Eui Hong,In-Mun Hwang. Владелец: Milaebo Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-14.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: TW200935417A. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

Address output timing control circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US8406079B2. Автор: Young Park Kim,Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-03-26.

Evaluation apparatus, semiconductor apparatus, and transmission control method

Номер патента: US20200293470A1. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Laser Processing Apparatus, Laser Processing Method, and Method for Manufacturing Semiconductor Apparatus

Номер патента: US20200061742A1. Автор: Keigo Fukunaga,Tamio Matsumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Command address control circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system including the command address control circuit

Номер патента: US20240257891A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hwan Park,Jae Hoon Cha,Ha Jun JEONG,Se Ra JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Clock distribution network, and a semiconductor apparatus and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20240312502A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Testing method and test apparatus in semiconductor apparatus

Номер патента: US20010009523A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Storage apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: TWI289315B. Автор: Wataru Otsuka,Nobumichi Okazaki,Tomohito Tsushima,Hidenari Hachino,Tsutomu Sagara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

DATA TRANSFER CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20120002492A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20120001309A1. Автор: . Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Techniques for Placement of Active and Passive Devices within a Chip

Номер патента: US20120001297A1. Автор: Kim Jonghae,Gu Shiqun,Nowak Matthew,Toms Thomas R.,Henderson Brian Matthew. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for bottomhole apparatus installation in lubricator

Номер патента: RU2279541C1. Автор: Геннадий Иванович Облеков,Виктор Иванович Кононов,Александр Иванович Березняков,Игорь Анатольевич Чернобровкин,Василий Борисович Поляков,Николай Александрович Клепиков,Геннадий Иванович Облеков (RU),Виктор Иванович Кононов (RU),ков Александр Иванович Березн (RU),Игорь Анатольевич Чернобровкин (RU),ков Василий Борисович Пол (RU),Николай Александрович Клепиков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Надымгазпром" (ООО "Надымгазпром"). Дата публикации: 2006-07-10.

Techniques for communicating with passive devices using multiplexed waveforms

Номер патента: WO2024187393A1. Автор: Chao Wei,Hao Xu,Min Huang,Ruiming Zheng,Kangqi LIU,Mingxi YIN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-discrete passive device of taking lead

Номер патента: RU2541741C1. Автор: . Владелец: Сватеев Виктор Алексеевич. Дата публикации: 2015-02-20.

Channel and frame structures for zero-power passive devices

Номер патента: WO2024130529A1. Автор: Peter Gaal,Yuchul Kim,Gavin Bernard Horn,Francesco Pica,Linhai He,Ahmed Elshafie,Zhikun WU. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and apparatus for seasoning semiconductor apparatus of sensing plasma equipment

Номер патента: TW200634900A. Автор: Nam-Hun Kim,Yeong-Su Song,Sang-Ryong Oh,Sheung-Ki Kim. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2006-10-01.

Detecting apparatus of semiconductor apparatus

Номер патента: TW507937U. Автор: Jia-Shin Shiu,Yu-Shian Wang. Владелец: Horng Terng Automation Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-21.

Plasma treatment apparatus, plasma treatment method, and the semiconductor apparatus fabricated by using said plasma treatment method

Номер патента: TW406522B. Автор: Hirotoshi Ise,Yoshiaki Terasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-09-21.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.