Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) device having offset cells and method to form same
Номер патента: US09496486B2
Опубликовано: 15-11-2016
Автор(ы): Brian S. Doyle, Charles C. Kuo, Clair Webb, David L. Kencke, Kaan OGUZ, Mark L. Doczy, Satyarth Suri, Uday Shah
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-11-2016
Автор(ы): Brian S. Doyle, Charles C. Kuo, Clair Webb, David L. Kencke, Kaan OGUZ, Mark L. Doczy, Satyarth Suri, Uday Shah
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shield structures
Номер патента: US20240251543A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.