Memory device having 2-transistor vertical memory cell and wrapped data line structure.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and wrapped data line structure

Номер патента: US20240251563A1
Опубликовано: 25-07-2024
Автор(ы): Durai Vishak Nirmal Ramaswamy, Eric S. Carman, Haitao Liu, Kamal M. Karda, Karthik Sarpatwari, Richard E. Fackenthal
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and wrapped data line structure

Номер патента: US20230240077A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Richard E. Fackenthal,Karthik Sarpatwari,Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and wrapped data line structure

Номер патента: US11950426B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari,Eric S. Carman,Richard E Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory cell and wrapped data line structure

Номер патента: WO2023076248A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Richard E. Fackenthal,Karthik Sarpatwari,Eric S. Carman. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-04.

MEMORY DEVICE HAVING STITCHED ARRAYS OF 4 F+hu 2 +l MEMORY CELLS

Номер патента: US20150214278A1. Автор: Jing Zhang,Yiming Huai,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated planar transistors and memory cell array architectures

Номер патента: US20230197571A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor memory device having increased capacitance for the storing nodes of the memory cells

Номер патента: US4849801A. Автор: Toshiaki Yamanaka,Yoshio Sakai,Toshiaki Masuhara,Katsuhiro Shimohigashi,Osamu Minato,Shigeru Honjyo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-07-18.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349499A1. Автор: Chung-Hsien Liu,Tzu-Yun Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device having shared read/write data line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: EP3903349A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: EP3891804A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storge Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US20220310845A1. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US11728438B2. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US11728399B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Split Gate Non-volatile Memory Cells With FINFET Structure And HKMG Memory And Logic Gates, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200176459A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-04.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A8. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-09-24.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20220028993A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20210328034A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20230343844A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09799739B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09525025B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having buried gate structure, method for manufacturing the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09748248B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having buried gate structure, method for manufacturing the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09589960B1. Автор: Kyung-Kyu Min. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160307900A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160307999A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170338317A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US10109634B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-23.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US20170338317A1. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US20160307999A1. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

PARTIALLY DESERTED MOSFET DEVICE HAVING TWO-PART GRID INSULATOR AND USE AS A MEMORY CELL

Номер патента: FR2905524A1. Автор: Georges Guegan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-03-07.

PARTIALLY DESERTED MOSFET DEVICE HAVING TWO-PART GRID INSULATOR AND USE AS A MEMORY CELL

Номер патента: FR2905524B1. Автор: Georges Guegan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-12-26.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230051615A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210104537A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: US20220005827A1. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Javier A. Delacruz,David Edward Fisch. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2022-01-06.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shield structures

Номер патента: US12080331B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari,Duane R. Mills,Alessandro Calderoni,Richard E Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shield structures

Номер патента: US20240251543A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and a common plate

Номер патента: US11776907B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and separate read and write gates

Номер патента: US11778806B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Christian Caillat,Karthik Sarpatwari,Duane R. Mills,Eric S. Carman,Richard E Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and separate read and write gates

Номер патента: WO2023009333A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Christian Caillat,Richard E. Fackenthal,Karthik Sarpatwari,Duane R. Mills,Eric S. Carman. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120313065A1. Автор: Takayuki Okamura,Jun Nishimura,Nobuaki Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shield structures

Номер патента: US11950402B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shield structures

Номер патента: US20210066302A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and a common plate

Номер патента: US20240047356A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and a common plate

Номер патента: WO2021041544A8. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and a common plate

Номер патента: EP4022678A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and separate read and write data lines

Номер патента: US20240074138A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Pankaj Sharma,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and separate read and write gates

Номер патента: US20230422471A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Christian Caillat,Karthik Sarpatwari,Duane R. Mills,Eric S. Carman,Richard E Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US20240233797A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: WO2020139846A8. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US11942136B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US20200211615A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-02.

Memory device having 2-transistor memory cell and access line plate

Номер патента: US20240138158A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory device having 2-transistor memory cell and access line plate

Номер патента: US11871589B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same

Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Memory device having memory cell strings and separate read and write control gates

Номер патента: WO2023009941A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Yingda Dong,Albert Fayrushin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09747983B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09614080B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09455262B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Smeiconductor memory device

Номер патента: US20230171958A1. Автор: Chih-jung Chen,Yu-Jen Yeh,Hung-Hsun Shuai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Operating methods of nonvolatile memory devices including a ground select transistor and first and second dummy memory cells

Номер патента: US09548123B2. Автор: Kihyun Kim,Byeong-In Choe,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Woonkyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Ferroelectric memory devices and operating methods thereof

Номер патента: US8385098B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Ki-ha Hong,Jeong-Seob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-26.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Memory device having shared access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US20200212051A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-02.

Memory device having shared access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US20220223605A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BURIED GATE STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170125422A1. Автор: KANG Dong-Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160380060A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory device and method for varying program state separation based upon frequency of use

Номер патента: WO2020159581A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and method for varying program state separation based upon frequency of use

Номер патента: EP3918534A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Memory Device And Method For Varying Program State Separation Based Upon Frequency Of Use

Номер патента: US20200243139A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Current leakage management controller for reading from memory cells

Номер патента: US20230023614A1. Автор: Shidong Zhou,Weiguang Lu,Karthy Rajasekharan,Jing Jing CHEN,Michael Tsivyan,Mehul Vashi. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory device having shared access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US12069853B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-volatile memory device having vertical cell

Номер патента: US09721965B2. Автор: Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Non-volatile memory device

Номер патента: US9773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device having memory cells provided in a height direction

Номер патента: US09812398B2. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Seiichi Omoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220392521A1. Автор: Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

MEMORY DEVICE HAVING 2-TRANSISTOR VERTICAL MEMORY CELL AND A COMMON PLATE

Номер патента: US20210066196A1. Автор: Liu Haitao,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Sarpatwari Karthik,Karda Kamal M.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shared channel region

Номер патента: US20210066300A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-04.

MEMORY DEVICE HAVING 2-TRANSISTOR VERTICAL MEMORY CELL AND SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20210066302A1. Автор: Liu Haitao,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Sarpatwari Karthik,Karda Kamal M.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

MEMORY DEVICE HAVING 2-TRANSISTOR VERTICAL MEMORY CELL AND SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20220278112A1. Автор: Liu Haitao,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Sarpatwari Karthik,Calderoni Alessandro,Fackenthal Richard E.,Karda Kamal M.,Mills Duane R.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shared channel region

Номер патента: US20230030585A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shield structures

Номер патента: US20230298652A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Richard E. Fackenthal,Karthik Sarpatwari,Duane R. Mills,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and a common plate

Номер патента: EP4022678A4. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

MEMORY DEVICE HAVING 2-TRANSISTOR MEMORY CELL AND ACCESS LINE PLATE

Номер патента: US20210066298A1. Автор: Liu Haitao,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Karda Kamal M.,Sarpatwari Kartthik. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device having 2-transistor memory cell and access line plate

Номер патента: US20220278103A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Memory device having 2-transistor memory cell and access line plate

Номер патента: WO2021041567A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device

Номер патента: US20200343244A1. Автор: Hisao Ikeda,Shuhei Nagatsuka,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor memory device having an insulating film and a trap film joined in a channel region

Номер патента: US5338954A. Автор: Noriyuki Shimoji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-08-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210050052A1. Автор: Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

MEMORY DEVICE HAVING SHARED READ/WRITE ACCESS LINE FOR 2-TRANSISTOR VERTICAL MEMORY CELL

Номер патента: US20200211615A1. Автор: Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Sarpatwari Karthik,Karda Kamal M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Memory device

Номер патента: US20240147687A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150062993A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cel

Номер патента: WO2020139846A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

MEMORY DEVICE HAVING STITCHED ARRAYS OF 4 F+hu 2 +l MEMORY CELLS

Номер патента: US20140339626A1. Автор: Zhang Jing,Huai Yiming,Satoh Kimihiro. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US20160307900A1. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Memory devices including phase change material elements

Номер патента: US09748475B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716129B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang,Kyu-Rie SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for forming pcm and rram 3-d memory cells

Номер патента: US20170133435A1. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09837472B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory cells including dielectric materials, memory devices including the memory cells, and methods of forming same

Номер патента: US09716225B2. Автор: Qian Tao,D. V. Nirmal Ramaswamy,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09570516B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230380133A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09748478B2. Автор: Yoshihisa Kagawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Stackable non-volatile resistive switching memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09412789B1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods of fabricating memory devices

Номер патента: US9172039B2. Автор: Masayuki Terai,In-Gyu Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Memory devices having adjacent memory cells with mitigated disturb risk

Номер патента: US20240292630A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Riccardo Pazzocco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device layout, semiconductor device, and method of manufacturing memory device

Номер патента: US09761572B2. Автор: Huai-Ying Huang,Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device, memory cell and memory cell layout

Номер патента: US09620594B2. Автор: Hau-yan Lu,Shih-Hsien Chen,Chun-Yao Ko,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20240196764A1. Автор: Shao-Ming Yu,Bo-Jiun Lin,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods of forming memory devices having electrodes comprising nanowires

Номер патента: US09871196B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory devices having electrodes comprising nanowires

Номер патента: US09525131B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device havingprotruding channel structure

Номер патента: US20230371240A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20210335888A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory devices including vertical memory cells and related methods

Номер патента: US20190067326A1. Автор: Haitao Liu,Chandra V. Mouli,Srinivas Pulugurtha,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502112B2. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Magnetoresistive effect devices having enhanced magnetic anisotropy

Номер патента: US09564581B1. Автор: Kurt Allan Rubin,Young-Suk Choi,Derek Stewart. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory devices with row-based configured supply voltages

Номер патента: US20240145385A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

High-density flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190371804A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory devices

Номер патента: EP4195899A1. Автор: Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Keunnam Kim,Seungjae Jung,Hyungeun CHOI,Soobin Yim,Gijae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20230178505A1. Автор: Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Keunnam Kim,Seungjae Jung,Hyungeun CHOI,Soobin Yim,Gijae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

MEMORY DEVICE HAVING 2-TRANSISTOR VERTICAL MEMORY CELL AND A COMMON PLATE

Номер патента: US20210066301A1. Автор: Liu Haitao,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Sarpatwari Karthik,Karda Kamal M.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and a common plate

Номер патента: US11665880B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Magnetic memory device having a magnetic shield structure

Номер патента: US09685605B2. Автор: Masashi Otsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

MEMORY DEVICE HAVING 2-TRANSISTOR VERTICAL MEMORY CELL

Номер патента: US20200212050A1. Автор: Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Pulugurtha Srinivas. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

3d memory semiconductor devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240224545A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

3D memory semiconductor devices and structures with memory cells preliminary class

Номер патента: US12041792B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20240290408A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US09412456B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09711226B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

MEMORY DEVICE HAVING SHARED READ/WRITE DATA LINE FOR 2-TRANSISTOR VERTICAL MEMORY CELL

Номер патента: US20200211602A1. Автор: Liu Haitao,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Sarpatwari Karthik,Karda Kamal M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor memory device having improved bit line structure

Номер патента: US5973953A. Автор: Michio Nakajima,Tuyoshi Saitoh,Makoto Hatakenaka,Takekazu Yamashita,Kiyoyuki Shiroshima,Hideki Toki. Владелец: Renesas Design Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate

Номер патента: US20160336334A1. Автор: Christer Karlsson,Per Broms,Olle Jonny Hagel,Jakob NILSSON. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2016-11-17.

Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate

Номер патента: EP2724342A1. Автор: Christer Karlsson,Per Broms,Olle Jonny Hagel,Jakob NILSSON. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2014-04-30.

Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate

Номер патента: US09412705B2. Автор: Christer Karlsson,Per Broms,Olle Jonny Hagel,Jakob NILSSON. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502103B1. Автор: Takashi Izumida,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200303017A1. Автор: Masashi Yamaoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110255332A1. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Resistive memory device

Номер патента: US20190097128A1. Автор: Abu Sebastian,Wabe W. Koelmans,Vara S. P. Jonnalagadda,Benedikt J. Kersting,Martin Salinga. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2019-03-28.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US8902651B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230343404A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Gu-Huan Li,Chun-Ying LEE LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US12002528B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210020247A1. Автор: LIANG Yi,Chi REN,Zhaobing Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180082750A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Techniques for checking vulnerability to cross-temperature read errors in a memory device

Номер патента: US20230420053A1. Автор: Liang Li,Wei Zhao,Henry Chin,Xuan Tian,Vincent Yin,Tony ZOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071468A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US11984150B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071466A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Reduced current memory device

Номер патента: US20170004883A1. Автор: Deepak Chandra Sekar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-01-05.

Unit pixel having 2-transistor structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1900030A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

MEMORY DEVICE HAVING STITCHED ARRAYS OF 4 F+hu 2 +l MEMORY CELLS

Номер патента: US20150214278A1. Автор: Zhang Jing,Huai Yiming,Satoh Kimihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Unit pixel having 2-transistor structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007001131A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200105348A1. Автор: Dong-Hyuk Kim,Sung-Lae OH,Soo-Nam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20190172530A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20180261283A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20200294582A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20170309329A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Memory device

Номер патента: US20240096383A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Multi-level cmos random-access memory having 2-transistor 1-capacitor structure and fabrication method thereof

Номер патента: KR102112013B1. Автор: 조성재,이재윤,박진홍,허근. Владелец: 가천대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-05-18.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and memory element between channel region and conductive plate

Номер патента: US20240074211A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device having an electrically floating body transistor

Номер патента: US09450090B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device having an electrically floating body transistor

Номер патента: US09704869B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical structure non-volatile memory device having insulating regions that are formed as air gaps

Номер патента: US09406688B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09564221B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09478291B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

One-time programmable (OTP) memory device

Номер патента: US09984755B2. Автор: Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09953994B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Reduced pitch memory subsystem for memory device

Номер патента: US20240234311A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Vladimir Mikhalev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20200083225A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09997462B2. Автор: Keun Lee,Dohyung Kim,Hyunseok Lim,Hauk Han,Jeonggil Lee,Jooyeon Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09941332B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09576664B2. Автор: Sung Lae OH,Chang Man SON,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20210027828A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20230335180A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US20180158516A1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US9990986B1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230282576A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Asymmetric semiconductor memory device having electrically floating body transistor

Номер патента: US09524970B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device having lowered bit line resistance

Номер патента: US09496275B2. Автор: Masaya Hosaka,Hiroaki Kouketsu. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US11839073B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Srinivas Pulugurtha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US20240196604A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Srinivas Pulugurtha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile semiconductor storage device having improved reading and writing speed characteristics

Номер патента: US09478283B2. Автор: Kazuyuki Kouno,Reiji Mochida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory devices having data lines included in top and bottom conductive lines

Номер патента: US09437253B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory device having wiring layout for electrically connecting to switch and capacitor components

Номер патента: US09679629B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Line memory device and image sensor including the same

Номер патента: US09978431B2. Автор: Min-Ho Kwon,Won-Ho Choi,Dong-Hun Lee,Seog-Heon Ham,Kwi-sung Yoo,Wun-ki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09336853B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20210201992A1. Автор: Garam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Non-volatile memory device and method of operation thereof

Номер патента: US20230170028A1. Автор: Jae Hun Lee,Yong Kyu Lee,Chang Min Jeon,Hyun Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Memory device comprising stacked memory cells and electronic device including the same

Номер патента: US09748274B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device with improved program performance and method of operating the same

Номер патента: US12046287B2. Автор: Sung-Min JOE,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device with improved program performance and method of operating the same

Номер патента: US20240321361A1. Автор: Sung-Min JOE,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory devices having low permittivity layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US9362340B2. Автор: Masayuki Terai,Jung-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device with memory cell structure including ferroelectric data storage layer, and a first gate and a second gate

Номер патента: US10896711B2. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Seung Hyun Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Semiconductor memory device having boosted voltage stabilization circuit

Номер патента: US20010050867A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure

Номер патента: US09633731B2. Автор: Jung Ryul Ahn,Yun Kyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US09548110B2. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09520188B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Resistive memory device and reliability enhancement method thereof

Номер патента: US20220069209A1. Автор: Frederick Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,Tzu-Yun Huang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Microelectronic devices including voids neighboring conductive contacts, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12040223B2. Автор: John D. Hopkins,Madison D. Drake,Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device having bonding metal between an array chip and a circuit chip

Номер патента: US10403635B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180033492A1. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors

Номер патента: US20160056172A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Memory device having vertical structure

Номер патента: US20220122932A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Ki Soo Kim,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Program Disturb Improvements in Multi-Tier Memory Devices Including Improved Non-Data Conductive Gate Implementation

Номер патента: US20210257035A1. Автор: Dengtao Zhao,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-19.

Multi-bit read-only memory device

Номер патента: US20200402574A1. Автор: Xiaofei Wang,ZHENG GUO,Dinesh Somasekhar,Clifford Ong,Eric A Karl,Gordon Carskadon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972399B2. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile memory device having pad structure for high speed operation

Номер патента: US09899409B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device having cell over periphery (COP) structure, memory package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799672B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory apparatus and memory device

Номер патента: US09767874B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Layouts for pads and conductive lines of memory devices, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11742306B2. Автор: Takashi Ishihara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Two-stage read/write 3D architecture for memory devices

Номер патента: US09851915B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09799403B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Shinohara,Kenichi Abe,Yasuyuki Baba,Toshifumi Minami,Atsuhiro Sato,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa,Keisuke Yonehama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device

Номер патента: US09679662B1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device having unequal pitch vertical channel transistors employed as selection transistors and method for programming the same

Номер патента: US09595568B2. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US12020750B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Vertical memory cells and memory devices using the same

Номер патента: US20200020377A1. Автор: Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor memory device having wiring line structure

Номер патента: US20200312830A1. Автор: Jin HO KIM,Young Ki Kim,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH,Byung Hyun Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Quick pass write programming techniques in a memory device

Номер патента: US20230307072A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-28.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory device

Номер патента: US20230298673A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210043234A1. Автор: Takashi Terada,Takeo Mori,Takuto Tanaka,Takamichi Tsuchiya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory device

Номер патента: US20190088298A1. Автор: Kosuke Hatsuda,Jieyun ZHOU,Yorinobu FUJINO,Yoshiaki Osada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150078063A1. Автор: Shosuke Fujii,Takayuki Ishikawa,Hidenori Miyagawa,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Resistive random access memory device

Номер патента: US09792987B1. Автор: Wen-Ting Chu,Yue-Der Chih,Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US09589651B1. Автор: Muneyuki TSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device including multiple decks of memory cells and pillars extending through the decks

Номер патента: US20220068956A1. Автор: Roger W. Lindsay,John Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Shawn D. Lyonsmith,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Lisa M. Clampitt,Kevin Y. Titus,Martin Jared Barclay,Pavithra Natarajan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for programming a memory device

Номер патента: WO2007008477A3. Автор: Yi He,Zhizheng Liu,Shankar Sinha. Владелец: Shankar Sinha. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307434A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Maejima,Katsuaki Isobe,Nobuaki OKADA,Takahiro Tsurudo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

System And Method For Generating Random Numbers Based On Non-volatile Memory Cell Array Entropy

Номер патента: US20180286486A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: EP3602084A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: WO2018182922A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2018-10-04.

Memory device having in-situ in-memory stateful vector logic operation

Номер патента: US20190258482A1. Автор: Kaushik Roy,Amogh Agrawal,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory device having improved data reliability and method of operating the same

Номер патента: US20200350020A1. Автор: Min-Su Kim,Seung-Bum Kim,Deok-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11189348B2. Автор: Takeshi Hioka,Masaki UNNO,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-30.

Memory device having cell over periphery structure and memory package including the same

Номер патента: US09865541B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Chang-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device using grounded dummy bit lines

Номер патента: US09653167B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

A memory device

Номер патента: WO2023110850A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-06-22.

A memory device

Номер патента: AU2022409429A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-06-13.

semiconductor memory device

Номер патента: US20030001233A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and a common plate

Номер патента: TW202123426A. Автор: 劉海濤,杜來維莎卡尼爾摩拉瑪斯瓦米,科莫Ｍ卡爾達,卡西薩帕瓦里. Владелец: 美商美光科技公司. Дата публикации: 2021-06-16.

Memory device including phase-change material

Номер патента: US20230380195A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device

Номер патента: US20240381609A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Self-selecting memory devices

Номер патента: US20230389337A1. Автор: Seulji SONG,Yoonjong Song,Doyoun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US5969979A. Автор: Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Phase change heterostructure, and phase change memory device including the same

Номер патента: US20240065118A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Changyup Park,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device and the method for manufacturing the same

Номер патента: US4887136A. Автор: Kazuyasu Fujishima,Yoshio Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-12-12.

Dynamic random access memory device including stacked capacitors each having a lower electrode aligned with an upper electrode without tolerance and process of fabrication thereof

Номер патента: US5187549A. Автор: Takeo Fujii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-02-16.

Multi-port semiconductor memory device having reduced bitline voltage offset and method for arranging memory cells thereof

Номер патента: KR100475052B1. Автор: 이찬호,이영근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120009757A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120007036A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11792976B2. Автор: Junghoon Han,Dongoh KIM,Gyuhyun Kil,Doosan Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240196631A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming a charge-trapping memory device

Номер патента: US20070007586A1. Автор: Georg Tempel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240373640A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device having vertical structure

Номер патента: US12101930B2. Автор: Jin HO KIM,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH,Chang Woon Choi,Kwang Hwi PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory devices having contact plugs

Номер патента: US20240206157A1. Автор: Wonchul Lee,Dongsoo Woo,Hyejin Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device having tiers of memory cells and access line having multiple conductive regions

Номер патента: US20240274194A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory devices with reduced bit line capacitance and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371412A1. Автор: Yen-Huei Chen,Yuichiro Ishii,Chih-Yu Lin,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara,Masaya Hamada. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240196600A1. Автор: Sohee Choi,Sohyang LEE,Jeongmin JIN,JinSeo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertically-Integrated Nonvolatile Memory Devices Having Laterally-Integrated Ground Select Transistors

Номер патента: US20140241065A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Memory device for reducing thermal crosstalk

Номер патента: US20240244850A1. Автор: Yuan-Tai Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160284410A1. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Nonvolatile Memory Devices Having Memory Cell Transistors Therein with Lower Bandgap Source/Drain Regions

Номер патента: US20110233610A1. Автор: Sung-Hoi Hur,Jung-Dal Choi,Kwang-Soo Seol,Byung-Kyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor memory device and semiconductor device including multilayer gate electrode

Номер патента: US7541654B2. Автор: Fumitaka Arai,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230380183A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US11758739B2. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory device structure for reducing thermal crosstalk

Номер патента: US12150394B2. Автор: Yao-Wen Chang,Huan-Chieh CHEN,Ching Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory device structure for reducing thermal crosstalk

Номер патента: US20240381797A1. Автор: Yao-Wen Chang,Huan-Chieh CHEN,Ching Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240249774A1. Автор: Sung Min Lee,Sang Tae Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US12089414B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device

Номер патента: US20240365554A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetic memory device

Номер патента: US12035540B2. Автор: Kangho Lee,JungHyuk Lee,Yoonjong Song,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190371382A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Resistive memory device

Номер патента: WO2019064111A1. Автор: Abu Sebastian,Benedikt Kersting,Martin Salinga,Wabe Koelmans,Vara JONNALAGADDA. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2019-04-04.

Techniques for checking vulnerability to cross-temperature read errors in a memory device

Номер патента: WO2023249719A1. Автор: Liang Li,Wei Zhao,Henry Chin,Xuan Tian,Vincent Yin,Tony ZOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Techniques for checking vulnerability to cross-temperature read errors in a memory device

Номер патента: US11972804B2. Автор: Liang Li,Wei Zhao,Henry Chin,Xuan Tian,Vincent Yin,Tony ZOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071467A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240081040A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240079039A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240098967A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240081039A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor memory device and method for generating message authentication code thereof

Номер патента: US20230409705A1. Автор: Ho-Youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US7672168B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140347911A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Nobuaki Yasutake,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Multi-bit read-only memory device

Номер патента: WO2020257067A1. Автор: Xiaofei Wang,ZHENG GUO,Dinesh Somasekhar,Eric A. KARL,Clifford Ong,Gordon Carskadon. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Nonvolatile memory devices for reducing degradation due to difference of threshold voltage distributions between outer cells and inner cells

Номер патента: US12094535B2. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile memory devices and program verification methods using one verification voltage to verify memory cells having different target states

Номер патента: US09406393B2. Автор: Jung-ho Song,Ilhan Park,Ji-Suk Kim,Yang-Lo AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory device and column decoder for reducing capacitive coupling effect on adjacent memory cells

Номер патента: US20150109858A1. Автор: Im-Cheol Ha. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Dispensing device having a dispenser for dispensing a liquid containing at least one cell and/or at least one particle

Номер патента: US11975319B2. Автор: Jonas Schöndube,Lena LAUTSCHAM. Владелец: Cytena GmbH. Дата публикации: 2024-05-07.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device having different numbers of bits stored in memory cells

Номер патента: US20210043244A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Error correction in a memory device having an error correction code of a predetermined code rate

Номер патента: US12142333B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Mustafa N. Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

3D memory device including shared select gate connections between memory blocks

Номер патента: US12131782B2. Автор: Aaron Yip. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Memory device and storage device

Номер патента: US20240315022A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US20240345728A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US20240153550A1. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device having asymmetric page buffer array architecture

Номер патента: EP4386752A1. Автор: Daeseok Byeon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110134704A1. Автор: Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US12057169B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160172048A1. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210383848A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Memory device and operation thereof

Номер патента: US20240274197A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Resistive memory device including reference cell to compensate for a leakage current

Номер патента: USRE50133E1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US20230307068A1. Автор: Yoonjae Lee,ChiWeon Yoon,Cheonan Lee,Byungjoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240136009A1. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240233856A9. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Performing read operations on grouped memory cells

Номер патента: US20220392500A1. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Memory device including vertical channel structure

Номер патента: US20230104865A1. Автор: Byungsoo Kim,Minjae Seo,Yongsung CHO,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device

Номер патента: EP4160600A1. Автор: Byungsoo Kim,Minjae Seo,Yongsung CHO,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-05.

Memory device for reducing active power

Номер патента: US20230326505A1. Автор: Yu-Hao Hsu,Tsung-Hsien Huang,Wei-jer Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Programming techniques for memory devices having partial drain-side select gates

Номер патента: US20220399063A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Systems and methods for last written page handling in a memory device

Номер патента: US09928139B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Zhimin Dong. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system with MLC memory cells and partial page compression or reduction

Номер патента: US09858994B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of programming memory device and method of reading data of memory device including the same

Номер патента: US09589661B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: US12082399B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory device

Номер патента: US20230260566A1. Автор: Buil JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Microelectronic devices, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US12101932B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09792991B1. Автор: Tomoya Kawai,Hideto Horii,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09659663B2. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Devices and methods for preventing errors and detecting faults within a memory device

Номер патента: US11769567B2. Автор: Jehoda Refaeli,Glenn Charles Abeln,Jorge Arturo Corso Sarmiento. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US12100443B2. Автор: Riichiro Shirota,Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20240312530A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US12087343B2. Автор: Yosuke Kobayashi,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20240274205A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG,Young Seung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of and apparatus for refreshing memory devices

Номер патента: US20240105249A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Memory device

Номер патента: US10770142B2. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor memory device allowing high-speed data reading

Номер патента: US20060023555A1. Автор: Chikayoshi Morishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Track charge loss based on signal and noise characteristics of memory cells collected in calibration operations

Номер патента: US12073899B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Effective storage allocation for sequentially-written memory devices

Номер патента: US12141442B2. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068046B2. Автор: Sang Ho Yun,Jang Seob KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US20240201863A1. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US12045469B2. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device including encoded data line-multiplexer

Номер патента: US09905278B2. Автор: Jaydeep Kulkarni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory device with over-refresh and method thereof

Номер патента: US09685217B2. Автор: Sergiy Romanovskyy,Cormac Michael Oconnell. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09424915B2. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US8467216B2. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US20110182099A1. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Linear programming based decoding for memory devices

Номер патента: US09424945B2. Автор: Xudong Ma. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US12051463B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Current monitor for a memory device

Номер патента: US20210098046A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device for performing in-memory-search and operating method thereof

Номер патента: US20240274165A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US12072762B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device having different data-size access modes for different power modes

Номер патента: US09711192B2. Автор: Seong-Jin Jang,Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240069803A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US12045511B2. Автор: Xiang Yang,Wei Cao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory cell read operation techniques

Номер патента: US12094533B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Francesco Mastroianni,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory device including memory area storing information used for searching erased page, data storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09640268B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09472295B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device for applying voltage to select line based on number of times program loops are performed and method of operating the same

Номер патента: US12040022B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: WO2023278073A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09798600B2. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Thin film magnetic memory device conducting data read operation without using a reference cell

Номер патента: US20030107916A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US10672480B2. Автор: Hee Youl Lee,Dong Hun Lee,Min Kyu Jeong,Sung Yong CHUNG,Kyoung Cheol KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210090642A1. Автор: Osamu Nagao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4460822A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US09779819B1. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

A semiconductor device having a electric charge amplifier for amplifying bit line electric charge

Номер патента: GB2326496A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-23.

Memory device

Номер патента: US20190115074A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Method and apparatus for storing data in a reference layer in magnetoresistive memory cells

Номер патента: US09990976B1. Автор: Jon Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Reference voltage modification in a memory device

Номер патента: US09349432B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Joab D. Henderson,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Voltage kick for improved erase efficiency in a memory device

Номер патента: US20230223086A1. Автор: Liang Li,Xuan Tian. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-13.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130229873A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Eietsu Takahashi,Manabu Sakaniwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7649799B2. Автор: Tomoaki Yabe,Nobuaki Otsuka,Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-19.

Hybrid sense amplifier and method, and memory device using same

Номер патента: US7990792B2. Автор: Keiichiro Abe,Yukata Ito. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Track Charge Loss based on Signal and Noise Characteristics of Memory Cells Collected in Calibration Operations

Номер патента: US20220044751A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory devices including processing elements, and memory systems including memory devices

Номер патента: US20220238148A1. Автор: Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Haesuk LEE,Kyomin Sohn,Sanghyuk Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Integrated circuit memory device having built-in self test circuit with monitor and tester modes

Номер патента: US5936900A. Автор: Kuong Hua Hii,Theo J. Powell,Daniel R. Cline. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Effective storage allocation for sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240069739A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20150155041A1. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: EP4032089A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Non-volatile Memory Device With Stored Index Information

Номер патента: US20210082517A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: WO2021055006A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11875845B2. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Flash memory device having efficient refresh operation

Номер патента: US20150131385A1. Автор: Seung Keun Lee,Jong Bae Jeong,Hi Hyun Han. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Three-dimensional memory device programming with reduced disturbance

Номер патента: US20230326536A1. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Yali SONG,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device, memory system, and program method thereof

Номер патента: US20240185925A1. Автор: Hongtao Liu,Chenhui Li,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit memory devices having main and section row decoders for providing improved burst mode operation

Номер патента: US5859802A. Автор: Jin-ho Lee,Hee-Chul Pack. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-12.

Asymmetric sensing amplifier, memory device and designing method

Номер патента: US20140269110A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Nonvolatile memory device and related method for reducing access latency

Номер патента: US20140247645A1. Автор: Hyo-Jin KWON,Yong-Jun Lee,Yong-Jin KWON,Eun-Hye PARK,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5337286A. Автор: Tomoyuki Hamano,Naokazu Miyawaki,Eiji Kozuka,Osamu Ohto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-08-09.

Memory cell testing feature

Номер патента: US7110303B2. Автор: Richard P. Schubert. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2006-09-19.

Accessing a multi-level memory cell

Номер патента: US11894078B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE,Jessica Chen,Xuan-Anh Tran,Jason A. Durand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Read algorithm for memory device

Номер патента: US11869565B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US11984172B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory cell testing feature

Номер патента: US20050185473A1. Автор: Richard Schubert. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140247671A1. Автор: Hiroshi Ito,Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Non-volatile semiconductor memory device with improved erase algorithm

Номер патента: US6442071B2. Автор: Ki-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-27.

Memory device and method with in-memory computing

Номер патента: EP4310844A1. Автор: Jaehyuk Lee,Seok Ju Yun,Daekun YOON,Sungmeen Myung,Dong-Jin Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Error control for memory device

Номер патента: US20220310189A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device and operating method of memory device

Номер патента: US20230223073A1. Автор: Seong-Jin Cho,Hijung KIM,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device and method with in-memory computing

Номер патента: US20240028298A1. Автор: Jaehyuk Lee,Seok Ju Yun,Daekun YOON,Sungmeen Myung,Dong-Jin Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Error control for memory device

Номер патента: WO2021252163A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory device and memory system

Номер патента: EP4297033A1. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Read Model of Memory Cells using Information Generated during Read Operations

Номер патента: US20220044756A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory management for charge leakage in a memory device

Номер патента: US20200395059A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Error control for memory device

Номер патента: US20210383888A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory device

Номер патента: US20220406374A1. Автор: Hiroshi Ito,Masahiro Takahashi,Ryousuke Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Voltage applications to a memory cell including a resistance change memory element in series with a two-terminal switching element

Номер патента: US11935591B2. Автор: Hiroshi Ito,Masahiro Takahashi,Ryousuke Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Nonvolatile memory devices including multiple user-selectable program modes and related methods of operation

Номер патента: US20080172520A1. Автор: Bong-ryeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US20240054046A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device for an artificial neural network

Номер патента: US20220137866A1. Автор: Lok Won Kim. Владелец: DeepX Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240005999A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US11817155B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20150380100A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9536615B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9165651B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Polarity-written cell architectures for a memory device

Номер патента: US20200243136A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Polarity-written cell architectures for a memory device

Номер патента: EP3915114A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Polarity-written cell architectures for a memory device

Номер патента: WO2020154058A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-30.

Operation method of controller configured to control nonvolatile memory device and operation method of storage device

Номер патента: US12002519B2. Автор: Heewon Lee,Kwangwoo Lee,Yunjung LEE,Sangjin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory controller for controlling resistive memory device and memory system including the same

Номер патента: US11501832B2. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100241794A1. Автор: Osamu Nagao,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Memory controller for controlling resistive memory device and memory system including the same

Номер патента: US20220108747A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120243317A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Operation method of nonvolatile memory system and operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20180005700A1. Автор: Ju Seok Lee,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Compensation method to achieve uniform programming speed of flash memory devices

Номер патента: WO2009002619A1. Автор: Aaron Lee,Nian Yang,Fan Wan Lai. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

Multi-ported memory cell

Номер патента: US20040184342A1. Автор: Toshinari Takayanagi. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor memory device consistently operating a plurality of memory cell arrays distributed in arrangement

Номер патента: US5986964A. Автор: Takeshi Hamamoto,Kiyohiro Furutani,Takuya Ariki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Semiconductor memory device and method relieving defect of semiconductor memory device

Номер патента: US6018488A. Автор: Yoichi Suzuki,Masami Masuda,Yasumitsu Nozawa,Akihiro Mishima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Semiconductor memory device with an improved write control circuit

Номер патента: US4992983A. Автор: Toru Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-02-12.

Method of programming multi-plane memory device

Номер патента: US11776641B2. Автор: Yu Wang,Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Open bit-line type semiconductor memory device

Номер патента: US20240021238A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Flash memory device

Номер патента: US20240045815A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-02-08.

Cache architectures with address delay registers for memory devices

Номер патента: US11954035B2. Автор: Nicola Del Gatto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory cell read operation techniques

Номер патента: US20240038301A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Francesco Mastroianni,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of programming multi-plane memory device

Номер патента: US20230368853A1. Автор: Yu Wang,Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory device and data approximation search method thereof

Номер патента: US20230368821A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

High performance verify techniques in a memory device

Номер патента: US20240112744A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: EP4364142A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180018211A1. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Cache architectures for memory devices

Номер патента: US20230100015A1. Автор: Nicola Del Gatto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Asynchronous static random access memory device for propagating read-out data bit through single bit line

Номер патента: US5414657A. Автор: Yasunori Okimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Memory device with user configurable density/performance

Номер патента: WO2005119695A2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-12-15.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: US20230386587A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of operating nonvolatile memory device controlled by controlling coupling resistance value between bit line and page buffer

Номер патента: US8867274B2. Автор: Eun Jong Lee,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Multi-port memory device with multiple modes of operation and improved expansion characteristics

Номер патента: US20040037153A1. Автор: Robert Cohen,Jeff Ladwig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11967371B2. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230197148A1. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US20220399055A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Memory device, memory system including the same, and operating method of the memory system

Номер патента: US12001683B2. Автор: Heehyun Nam,Wansoo Choi,Sumin Ahn,Heeyeon TAK,Hyunseon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory device and method providing an average threshold based refresh mechanism

Номер патента: US7483324B2. Автор: Victor M. G. Van Acht,Johannis F. R. Blacquiere. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-01-27.

Nonvolatile memory device with reduced current consumption

Номер патента: US20110292735A1. Автор: Kazuhiko Oyama. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Reference voltage modification in a memory device

Номер патента: US20150228328A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Joab D. Henderson,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Apparatus and method for programming data in a memory device

Номер патента: US11829244B2. Автор: Sung Hun Kim,Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Voltage kick for improved erase efficiency in a memory device

Номер патента: US11901015B2. Автор: Liang Li,Xuan Tian. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20230162783A1. Автор: Daehan Kim,Gyuha PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US10121544B2. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-06.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US20170372784A1. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Staggering refresh address counters of a number of memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11887649B2. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory device command history management

Номер патента: US20240061616A1. Автор: Vipul Patel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137393A1. Автор: Tomoaki Yabe,Nobuaki Otsuka,Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Program verify compensation in a memory device with a defective deck

Номер патента: US20240185931A1. Автор: Jun Wan,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM CONFIGURED TO PERFORM TRACKING READ ON FIRST MEMORY CELLS FOLLOWED BY SHIFT READ ON SECOND MEMORY CELLS USING READ VOLTAGE CORRECTION VALUE DETERMINED DURING THE TRACKING READ

Номер патента: US20190115085A1. Автор: Nakai Jun,HARADA Yoshikazu,YANAGIDAIRA Kosuke,KONNO Hayato,KAMI Hiroe,UTSUNOMIYA Yuko. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Ferroelectric memory device having single bit line coupled to at least one memory cell

Номер патента: US6188601B1. Автор: Duck-Ju Kim,Jae-Whan Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-13.

Thin film magnetic memory device for programming required information with an element similar to a memory cell information programming method

Номер патента: US20050226042A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor memory device having Y-select gate voltage that varies according to memory cell access operation

Номер патента: US6178136B1. Автор: David B. Scott,Heng-Chih Lin,Takumi Nasu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-01-23.

Non-volatile dynamic random access memory device

Номер патента: US5396461A. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-03-07.

Static ram memory cell

Номер патента: CA1160742A. Автор: David N. Larson. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1984-01-17.

Memory device reading data according to difference in electrical resistance between selected memory cell and reference cell

Номер патента: US20040008556A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220084609A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Noboru Shibata,Akiyuki Murayama,Kikuko Sugimae,Motohiko FUJIMATSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110280062A1. Автор: Sung-Yeon Lee,Young-Hoon Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100309718A1. Автор: Sung-Yeon Lee,Young-Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

In-memory device for operating multi-bit weight

Номер патента: US20210390391A1. Автор: Young Kyu Lee,Seong Ook Jung,Hong Keun AHN. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2021-12-16.

In-memory device for operating multi-bit weight

Номер патента: US11928588B2. Автор: Young Kyu Lee,Seong Ook Jung,Hong Keun AHN. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-03-12.

Thin film magnetic memory device for programming required information with an element similar to a memory cell and information programming method

Номер патента: US6987690B2. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-17.

Memory device, memory system having the same, and programming method of a memory cell

Номер патента: US8031517B2. Автор: Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Chul Woo Park,Sang Beom Kang,Seung Eon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-04.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE ADAPTED TO STORE A MULTI-VALUED DATA IN A SINGLE MEMORY CELL

Номер патента: US20140063976A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20170040053A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

MEMORY DEVICE AND COLUMN DECODER FOR REDUCING CAPACITIVE COUPLING EFFECT ON ADJACENT MEMORY CELLS

Номер патента: US20150109858A1. Автор: Ha Im-Cheol. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-04-23.

High performance semiconductor memory device that has different page addresses allotted to multiple bits of memory cells

Номер патента: US9129683B2. Автор: Naoya Tokiwa,Masanobu Shirakawa,Masaki UNNO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Non-volatile semiconductor memory device in which one page is set for a plurality of memory cell arrays

Номер патента: US20040170065A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

Nonvolatile memory device and method of reducing an effect of over-erased nonvolatile memory cells

Номер патента: TW200710855A. Автор: Victor Nguyen,Nicola Telecco. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-03-16.

Non-volatile memory device, devices having the same, method of operating the same

Номер патента: KR101774496B1. Автор: 천원문,백승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory device, devices having the same, method of operating the same

Номер патента: KR20120063734A. Автор: 천원문,백승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-06-18.

Dispensing device having a dispenser for dispensing a liquid containing at least one cell and/or at least one particle

Номер патента: US20210237049A1. Автор: Jonas Schöndube,Lena LAUTSCHAM. Владелец: Cytena GmbH. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory device

Номер патента: US4445203A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-04-24.

Memory device with strap cells

Номер патента: US09842627B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Jonathan Tsung-Yung Chang,Cheng-Hung Lee,Chi-Ting Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US12125551B2. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Method for assigning addresses to memory devices

Номер патента: US09552311B2. Автор: Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device

Номер патента: US20240212727A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Write assist circuit for memory device

Номер патента: US20230335186A1. Автор: Chia-Che Chung,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-19.

Storage device having a controller that communicates with each of two memories through separate interfaces

Номер патента: US11762558B2. Автор: Changkyu Seol,Younggeon Yoo,Hyeonwu Kim,Hyeongseok Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Memory device and wrap around read method thereof

Номер патента: US20240265954A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Sequential write and sequential write verify in memory device

Номер патента: US09881674B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US12014770B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device for performing error correction code operation and redundancy repair operation

Номер патента: US09875155B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son,Jae-Youn Youn,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device having an improved ecc architecture

Номер патента: US20240221856A1. Автор: Christophe Laurent,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Nonvolatile memory devices having enhanced write drivers therein

Номер патента: US11908503B2. Автор: ANTONYAN Artur,Hyuntaek JUNG,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Memory device

Номер патента: US20020163824A1. Автор: Harry Athanassiadis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-07.

Flash memory device configured to be bonded to external semiconductor chip and computing device including flash memory device coupled to neural processor chip

Номер патента: US12100442B2. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Hyunsurk Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device having a comparator circuit

Номер патента: US12136454B2. Автор: Atul Katoch,Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

One-time programmable memory device having access circuit

Номер патента: US09905309B2. Автор: Sang Seok Lee,Hoon Jin Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory device for performing error correction code operation and redundancy repair operation

Номер патента: US09626244B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son,Jae-Youn Youn,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Multilevel Cell Memory Devices Having Reference Point Cells

Номер патента: US20100315872A1. Автор: Jonathan W. Haines. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-16.

Method and system for reading from memory cells in a memory device

Номер патента: US20120218830A1. Автор: Cyrille Dray,Alexandre Ney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040223360A1. Автор: Toshiki Yamanaka. Владелец: Axiohm Transaction Solutions Inc. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device having a write prohibited region

Номер патента: US09728257B2. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Nonvolatile memory device having variable resistance memory cells and a method of resetting by initially performing pre-read or strong set operation

Номер патента: US09552879B2. Автор: Youngbae Kim,Yongkyu Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240221830A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Memory devices and operation methods thereof including a write voltage selectively applied to a well of a column multiplexer circuit

Номер патента: US12051456B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory device

Номер патента: US20230134975A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Memory device

Номер патента: US12087354B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240071504A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Pei-Chun Liao,Chieh Lee,Yu-Kai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Analog storage using memory device

Номер патента: US12080365B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Low power semiconductor memory device

Номер патента: US09928900B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Kenichi Osada,Shigezumi Matsui,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Erasing memory segments in a memory block of memory cells using select gate control line voltages

Номер патента: US09779829B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Resistive memory device having a trimmable resistance of at least on of a driver and a sinker is trimmed based on a row location

Номер патента: US09679643B1. Автор: Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device mapping external address as internal address wherein internal addresses of spare cells of two blocks differ by upper most bit and internal addresses of main cells of two blocks differ by upper most bit and the internal addresses of main cell and spare cell of each block differ by one bit and operating method for the same

Номер патента: US09443618B2. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20210343350A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20190115089A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20230352105A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20180182464A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220084597A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory device and method for computing-in-memory (cim)

Номер патента: US20240257865A1. Автор: Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Wei-Chang Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US10186323B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: US20230197158A1. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: EP4198987A1. Автор: Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-21.

Memory device and a storage system using the same

Номер патента: US20200365211A1. Автор: Jun Yong Park,Yong Hyuk Choi,Sang Wan NAM,Jung No Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Memory device and multi physical cells error correction method thereof

Номер патента: US20210141689A1. Автор: Seow Fong Lim,Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin,Ngatik Cheung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US10699792B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Multi-step pre-read for write operations in memory devices

Номер патента: US12106803B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Processing in memory (PIM) capable memory device having sensing circuitry performing logic operations

Номер патента: US09997232B2. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Low power consumption memory device

Номер патента: US09928888B1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Anjana Singh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09697897B2. Автор: Anirban Roy,Michael A Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Analog content addressable memory device, analog content addressable memory cell and method for data searching and comparing thereof

Номер патента: US20230395148A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

3d memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230352106A1. Автор: Amedeo IANTORNO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US20150213879A1. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US12062398B2. Автор: Gyu-Ha Park,Hyungsuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods and devices for memory reads with precharged data lines

Номер патента: US20140029353A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4177895A1. Автор: Sangwon Park,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Concurrent slow-fast memory cell programming

Номер патента: US20230307055A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Programming and reading five bits of data in two non-volatile memory cells

Номер патента: US20080084740A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: WO2021111159A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Content addressable memory device, content addressable memory cell and method for single-bit multi-level data searching and comparing

Номер патента: US12094534B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and system for repairing faulty cells of memory device

Номер патента: US12112823B2. Автор: Ankit Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Deokgu Yoon,Keerthi Kiran Jagannathachar,Atishay Kumar,Damini. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US12072817B2. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US20240370333A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09990130B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09978449B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device including memory cell for generating reference voltage

Номер патента: US09972371B2. Автор: Soo-ho Cha,Chankyung Kim,Sungchul Park,Kwangchol CHOE,Hoyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Error-resilient memory device with row and/or column folding with redundant resources and repair method thereof

Номер патента: US09905315B1. Автор: Sourav Roy,Prokash Ghosh,Neha Raj. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure and memory system including the same

Номер патента: US09767906B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09720595B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240377988A1. Автор: Jae Hyun Choi,Sooyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09691481B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device capable of determining an initial program condition for different memory cells

Номер патента: US09679651B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09633720B2. Автор: Masashi Yoshida,Tomoaki Nakano,Shigefumi Irieda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device including a repeater circuit on main data lines

Номер патента: US09530459B2. Автор: Hiroki Fujisawa,Shingo Mitsubori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of programming memory devices

Номер патента: US09490025B2. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Giuseppina Puzzilli,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09466365B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09449679B2. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory device for performing program operation including program loops and method of operating the same

Номер патента: US20240233830A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Gwi Han KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Voltage profile for reduction of read disturb in memory cells

Номер патента: WO2021080829A1. Автор: Hongmei Wang,Mingdong Cui,Michel Ibrahim Ishac. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20180233182A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20240194247A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: EP3427263A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-16.

Drift correction in slc and mlc memory devices

Номер патента: US20240071483A1. Автор: Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina,Francesco Mastroianni,Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto,Zhongyuan Lu,Lucia Di Martino. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Memory device

Номер патента: US10839917B2. Автор: Mitsuaki Honma,Tomoko Araya. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US20220068366A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US20070280003A1. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20180294027A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US7372733B2. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050174868A1. Автор: Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor memory device which stores multilevel data

Номер патента: US20130286730A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Programming memory devices

Номер патента: US20180286483A1. Автор: Tommaso Vali,Akira Goda,Pranav Kalavade,Carmine Miccoli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor memory device and redundant output switch thereof

Номер патента: US20020176296A1. Автор: Chao-Shuenn Hsu,Ju-Fu Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: US12093535B2. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US12119079B2. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Varying-polarity read operations for polarity-written memory cells

Номер патента: US20240312518A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device

Номер патента: US20240312505A1. Автор: Naoki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Evaluation of background leakage to select write voltage in memory devices

Номер патента: US20240331781A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Zhongyuan Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4441740A1. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US20240371418A1. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20210295922A1. Автор: Gang Liu,Kaijin Huang,Jin LYU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory device and operation methods thereof

Номер патента: US09978435B1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device and method of reading data

Номер патента: US09847135B2. Автор: Hitoshi Iwai,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory system including a memory device, and methods of operating the memory system and the memory device

Номер патента: US09728279B2. Автор: Sang-Yong Yoon,Hye-Jin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory devices configured to apply different weights to different strings of memory cells coupled to a data line and methods

Номер патента: US09728267B2. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device and stress testing method of same

Номер патента: US09627091B1. Автор: Johnny Chan,Hsi-Hsien Hung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09501343B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device including flag cells

Номер патента: US09496055B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472282B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Multi-port cell of operating memory device

Номер патента: RU2665248C1. Автор: Роман Александрович Федоров,Наталья Иосифовна Малашевич. Владелец: федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр". Дата публикации: 2018-08-28.

Memory device and read operation thereof

Номер патента: WO2024138879A1. Автор: Ling Chu,Shuang Liu,Manxi Wang,Sanshan Jiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device programming technique for increased bits per cell

Номер патента: US20240231617A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Dave Ebsen,Eric N. Lee,Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng,James Fitzpatrick,Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12014796B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Sense circuits, memory devices, and related methods for resistance variable memory

Номер патента: US20170040045A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Michele Piccardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Nonvolatile memory device and opeation method thereof

Номер патента: US20240177764A1. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Seungkyung Ro,Su Chang Jeon,Woohyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device having write column select line or read column select line for shielding signal line

Номер патента: US20030133332A1. Автор: Yun-sang Lee,Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Managing content addressable memory devices

Номер патента: US20240118806A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory device and data search method for in-memory search

Номер патента: US20240021254A1. Автор: Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US10726888B2. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Memory device with source line control

Номер патента: US11776595B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device in which redundancy (RD) of adjacent column is automatically repaired

Номер патента: US7643362B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Memory device

Номер патента: US20020152365A1. Автор: Uwe Weder,Hans-Heinrich Viehmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device for write operation including verification and operating method thereof

Номер патента: US20210319839A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Memory device and image processing apparatus using same

Номер патента: US6985155B2. Автор: Tetsujiro Kondo,Akihiro Okumura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-01-10.

Memory device performing program operation

Номер патента: US20240265980A1. Автор: Se Chun Park,Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20200286542A1. Автор: Young Jin Woo,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Memory device including ternary memory cell

Номер патента: US20220413800A1. Автор: Myoung Kim,Jae Won Jeong,Youngeun CHOI,Kyung Rok Kim,Wooseok Kim. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Remapping Memory Cells Based on Future Endurance Measurements

Номер патента: US20140115296A1. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100254184A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Adaptive error recovery when program status failure occurs in a memory device

Номер патента: US20240272983A1. Автор: Kyungjin Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device including merged write driver

Номер патента: US12068015B2. Автор: Hyuntaek JUNG,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220051724A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170117057A1. Автор: Ga-Ram Park,Jun-Cheol Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Method of erasing in non-volatile memory device

Номер патента: US20100271883A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Method of erasing in non-volatile memory device

Номер патента: US7957199B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070236985A1. Автор: Haruki Toda,Toshiaki Edahiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Pre-charge circuit and method for memory devices with shared sense amplifiers

Номер патента: US20030043666A1. Автор: Michael Killian,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device which reads by decreasing effective threshold voltage of selector gate transistor

Номер патента: US20070014182A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220351782A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Memory device having unity buffers with output current limiters

Номер патента: US20240170049A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Michele Maria Venturini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12094532B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and multi-pass program operation thereof

Номер патента: US12100462B2. Автор: Chao Zhang,Haibo Li,Yueping Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Managing content addressable memory devices

Номер патента: US12086414B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and read operation during suspension of program operation thereof

Номер патента: US12087366B2. Автор: Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240312497A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Selection of erase policy in a memory device

Номер патента: US20240370364A1. Автор: Peng Zhang,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device for internally performing read-verify operation, method of operating the same, and memory system including the same

Номер патента: US09990149B2. Автор: Hyun Ju Kim,Taek Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09984761B2. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono,Noboru Shibata,Tadashi Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09953704B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Low power memory device

Номер патента: US09928886B2. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatile memory device and storage device for storing bad block management information with high reliability

Номер патента: US09916093B2. Автор: Min-Soo Shim,Jinsung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09899082B2. Автор: Akira Katayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Nonvolatile memory devices having variable resistive load portion

Номер патента: US09837150B2. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09831003B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device cable of high write efficency

Номер патента: US09817598B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US09812183B2. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory devices with improved refreshing operation

Номер патента: US09812182B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Chien-Yin Liu,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761318B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761307B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device, memory system, and method of controlling read voltage of the memory device

Номер патента: US09685206B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Wear leveling and improved efficiency for a non-volatile memory device

Номер патента: US09612958B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Configuring and reconfiguring blocks of memory cells to store user data and ECC data

Номер патента: US09594676B2. Автор: Michele Incarnati,William H. Radke,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory device and method of writing data in nonvolatile memory device

Номер патента: US09524782B2. Автор: Ki-hwan Choi,Oh-Suk Kwon,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory devices with improved refreshing operation

Номер патента: US09455006B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Chien-Yin Liu,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Sense circuits, memory devices, and related methods for resistance variable memory

Номер патента: US09449687B1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Michele Piccardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Remapping memory cells based on future endurance measurements

Номер патента: US09442838B2. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonvolatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US09424940B1. Автор: Moosung Kim,Dongku Kang,Sungwhan SEO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Nonvolatile memory device maintaining a bitline precharge during program verification periods for multi-level memory cells and related programming method

Номер патента: US09418747B2. Автор: Dong-ku Kang,Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09412441B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09396818B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Sensing memory cells coupled to different access lines in different blocks of memory cells

Номер патента: US09373404B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Sense flags in a memory device

Номер патента: US20190369887A1. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240177775A1. Автор: Jae Hyeon Shin,Sung Hyun Hwang,In Gon YANG,Chang Han SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180301190A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180130529A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10217514B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10020055B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10658038B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Memory device, system and method of operating the same

Номер патента: US20230024971A1. Автор: Kang Li,Xing Zhou,Wei Huang,Chan Wang,Cong Luo,Xueqing Huang,Fengxiang Gao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050047225A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20110128783A1. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Cross-temperature compensation based on media endurance in memory devices

Номер патента: US20240069745A1. Автор: Hyungseok Kim,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory read voltage threshold tracking based on memory device-originated metrics characterizing voltage distributions

Номер патента: US20240161836A1. Автор: Steven Michael Kientz,Sampath K. Ratnam,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Shantilal Rayshi Doru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7864618B2. Автор: Yoshinori Matsui,Yoshinori Haraguchi,Yoshiro Riho,Hayato Oishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257869A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US7978490B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Fixed voltage sensing in a memory device

Номер патента: US20200357456A1. Автор: Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Capacitive sensing with a micro pump in a memory device

Номер патента: US20240257842A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Yoshihiko Kamata,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, and electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11727965B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Eunji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Resistive memory devices having a not-and(nand) structure

Номер патента: GB201200865D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-29.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

High-endurance memory device

Номер патента: US20080186774A1. Автор: Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US20080068872A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110235402A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4404199A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20240272801A1. Автор: Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257872A1. Автор: Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device including charge pump, and operation method of the memory device

Номер патента: US20240312531A1. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jihyun Park,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device for storing plurality of data bits and method of operating the same

Номер патента: US20240304225A1. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Kyu Nam LIM,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Apparatus and method for reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US12112826B2. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Simplified operations to read memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US12073892B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: US09953703B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU,Joo-kwang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device that performs sensing operation during a bit line pre-charge operation to determine adjustment to the bit line charging voltage

Номер патента: US09941013B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Circuit and method for reading a memory cell of a non-volatile memory device

Номер патента: US09865356B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09859002B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for operating a memory device

Номер патента: US09858995B1. Автор: Yao-Wen Chang,I-Chen Yang,Tao-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09837158B2. Автор: Jeong Hoon Kim,Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Static semiconductor memory device using a single global data line

Номер патента: US09786360B2. Автор: Tsuyoshi Koike. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09779812B1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09659669B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

On-chip resistance measurement circuit and resistive memory device including the same

Номер патента: US09659641B2. Автор: Chan-kyung Kim,Kee-won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US09595333B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device with input/output line

Номер патента: US09589605B1. Автор: Tae Kyun Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Fixed voltage sensing in a memory device

Номер патента: US09558803B2. Автор: Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory device

Номер патента: US09543006B2. Автор: Jia-Hwang Chang,Jui-Jen Wu,Sheng-Tsai Huang,Fan-yi Jien. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

One-time programmable (OTP) memory cell and OTP memory device for multi-bit program

Номер патента: US09524795B2. Автор: Joon-Hyung Lee,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472291B2. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09449695B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and method for reading the same using a memory cell array including resistive memory cells to perform a single read command

Номер патента: US09424916B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory array, memory device, and methods for reading and operating the same

Номер патента: US09418763B2. Автор: Chen-Yi Huang,Jiaqi Yang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020161981A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US20170200506A1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory device and method of managing temperature of the same

Номер патента: US20240203505A1. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory Device with Progressive Row Reading and Related Reading Method

Номер патента: US20180047455A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Memory device and memory device operating method

Номер патента: US20240242766A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus and method for programming and verifying data in a nonvolatile memory device

Номер патента: US20240177773A1. Автор: Hyung Jin Choi,Gwi Han KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: EP3958265A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-23.

Memory cell

Номер патента: US20130010524A1. Автор: John D. Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Memory controller, memory device and method of operating

Номер патента: US20150131372A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Neuromorphic computing device, memory device, system, and method to maintain a spike history for neurons in a neuromorphic computing environment

Номер патента: US20180082176A1. Автор: Wei Wu,Somnath Paul,Charles Augustine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method for reprogramming thereof

Номер патента: US20190371419A1. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160267992A1. Автор: Hiroshi Maejima,Tomonori KUROSAWA,Hidehiro Shiga,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory device controlling pass voltage and operating method thereof

Номер патента: US20240265971A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: EP4421811A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5619465A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Masami Nakashima,Hidenori Nomura,Kenji Nagai,Isaya Sobue. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1997-04-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030105916A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US10002672B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-19.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240290401A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile memory device with configuration to apply adjustable voltage to pass transistor gate

Номер патента: US12062395B2. Автор: Yohan Lee,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Jungyun Yun,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US20020018376A1. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US7168016B2. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-23.

Memory device, a memory system and an operating method of the memory device

Номер патента: US12073914B2. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for programming a memory device suitable to minimize the lateral coupling effects between memory cells

Номер патента: US20060203544A1. Автор: Angelo Visconti,Mauro Bonanomi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device having bonded integrated circuit dies used for multiplication

Номер патента: US20240303037A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US20240321350A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Systems, methods and media of optimization of temporary read errors in 3D NAND memory devices

Номер патента: US12136453B2. Автор: LEI Jin,Pan Xu,Wen Zhou,Da Li,Kun Yang,Jianquan Jia,Kaikai You,Zhe Luo,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory device

Номер патента: US09922728B2. Автор: Jae-il Kim,Min-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Restoring ECC syndrome in non-volatile memory devices

Номер патента: US09910729B1. Автор: Amit Shefi,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory devices having separate sensing circuits and related sensing methods

Номер патента: US09865342B2. Автор: Jaekyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device, operation method of the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US09842644B1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US09805810B1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-31.

Apparatuses and methods for a memory device with dual common data I/O lines

Номер патента: US09805786B1. Автор: Atsushi Hiraishi,Shunichi Saito,Toshio Sugano,Atsuo Koshizuka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09754672B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US09711197B1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US09704596B1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09704584B2. Автор: Hiroshi Maejima,Tomonori KUROSAWA,Hidehiro Shiga,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device having a memory string that includes a transistor having a charge stored therein to indicate the memory string is defective

Номер патента: US09685232B2. Автор: Norichika ASAOKA,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device includes efuse, and methods for reading and operating the same

Номер патента: US09659672B2. Автор: Chen-Yi Huang,Jiaqi Yang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Номер патента: US20200111526A1. Автор: Hung-jen Liao,Manish Arora,Sahil Preet Singh,Li-Wen Wang,Chien-yuan Chen,Cheng-Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hemant Patel,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Номер патента: EP1069504A3. Автор: Naoya c/o Mitsubishi Denki K. K. Watanabe,Akira c/o Mitsubishi Denki K. K. Yamazaki,Kazutami c/o Mitsubishi Denki K. K. Arimoto,Takeshi c/o Mitsubishi Denki K. K. Fujino,Isamu c/o Mitsubishi Denki K. K. Hayashi,Hideyuki c/o Mitsubishi Denki K. K. Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-03-07.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and wrapped data line structure

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты