Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device having multi bit nonvolatile memory cell and fabrication method thereof

Semiconductor device having multi bit nonvolatile memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: KR100598049B1
Опубликовано: 07-07-2006
Автор(ы): 강성택, 서보영, 전희석
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory, and erasing method, programming method and reading method thereof

Номер патента: US9396801B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303009A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230352089A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Electrically erasable and programmable read only memory, nonvolatile memory, memory cell and method for programming a memory cell

Номер патента: TW434895B. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2001-05-16.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20060022257A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110284945A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7312123B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09640546B2. Автор: Toshihiro Tanaka,Kan Yasui,Akira Kato,Tsutomu Okazaki,Yasushi Ishii,Daisuke Okada,Toshikazu Matsui,Digh Hisamoto,Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7662686B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US8466507B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20080179653A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12120870B2. Автор: Kohei Nakagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8385124B2. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110242888A1. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20140167132A1. Автор: Hideaki YAMAKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09928910B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09646693B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: EP3109904A3. Автор: Daisuke Okada,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-22.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20160379713A1. Автор: Daisuke Okada,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US09589638B2. Автор: Daisuke Okada,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20210225427A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20100329016A1. Автор: Yasuhiro Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Nonvolatile memory device having multi-stack memory block and method of operating the same

Номер патента: US12119046B2. Автор: Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu,Jiho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device, memory device, and driving method thereof

Номер патента: US09887010B2. Автор: Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20150236036A1. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US09853041B2. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US7235839B2. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-06-26.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20210217763A1. Автор: Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device having high-voltage transistor

Номер патента: US09576681B2. Автор: Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Operating methods of nonvolatile memory devices including a ground select transistor and first and second dummy memory cells

Номер патента: US09548123B2. Автор: Kihyun Kim,Byeong-In Choe,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Woonkyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001243A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors

Номер патента: US20160056172A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09954120B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same

Номер патента: US09947416B2. Автор: Jae-Woo Park,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20070115723A1. Автор: Yin Chen,Chih Yeh,Chun SU,Ming Chin,Tzung Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

DATA STORAGE DEVICE, AND FABRICATION AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20140307504A1. Автор: Park Eungjoon,HUNG Hsi-Hsien. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20080259682A1. Автор: Kazuyoshi Shiba,Yasushi Oka. Владелец: Yasushi Oka. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device

Номер патента: US7639541B2. Автор: Kazuyoshi Shiba,Yasushi Oka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-12-29.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: TW200746146A. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chun-Lein Su,Yin-Jen Chen,Tzung-Ting Han,Ming-Shang Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-16.

Nand type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: TWI313006B. Автор: Chih Chieh Yeh,Yin Jen Chen,Tzung Ting Han,Ming Shang Chen,Chun Lein Su. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-01.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory cell, pixel structure and fabrication process of memory cell

Номер патента: US20070099376A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09424890B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20160155480A1. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20220328487A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050151168A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US20050023601A1. Автор: Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09620224B2. Автор: Hae Soon Oh,Yoo Nam Jeon,Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09721670B1. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110134704A1. Автор: Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Vertically-Integrated Nonvolatile Memory Devices Having Laterally-Integrated Ground Select Transistors

Номер патента: US20140241065A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6849502B2. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312532A1. Автор: Kensuke Yamamoto,Masaru Koyanagi,Ryo Fukuda,Junya Matsuno,Masato Dome,Kei Shiraishi,Kenro Kubota,Kazuhiko Satou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with a non-erasable memory and/or a nonvolatile memory

Номер патента: US20070159871A1. Автор: Takayuki Kawahara,Kenichi Osada,Norikatsu Takaura,Nozomu Matsuzaki,Riichiro Takemura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Structure of a channel write/erase flash memory cell and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: US6188614B1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2001-02-13.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor memory device having unequal pitch vertical channel transistors employed as selection transistors and method for programming the same

Номер патента: US09595568B2. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277548A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190189623A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20200350286A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891808A4. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: WO2020220483A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788B1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09595532B2. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device including write access transistor having channel region including oxide semiconductor

Номер патента: US09589961B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and power distribution network

Номер патента: US09978428B2. Автор: Bum Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09716100B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having magnetic shield layer surrounding mram chip

Номер патента: US20160111630A1. Автор: Takeshi Fujimori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device identifier generation method and semiconductor device

Номер патента: WO2007119190A3. Автор: Roelof H W Salters,Geert J Schrijen,Boris Skoric,Pim T Tuyls,Veen Rutger S Van,Manuel P C Heiligers,Abraham C Kruseman. Владелец: Abraham C Kruseman. Дата публикации: 2008-01-17.

Ferroelectric memory devices and operating methods thereof

Номер патента: US8385098B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Ki-ha Hong,Jeong-Seob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-26.

Reduced leakage dram memory cells with vertically oriented nanorods and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008036371A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US11875837B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory cell having improved mechanical stability and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101783390A. Автор: 龙翔澜,陈逸舟,汤玛斯·D·汉普,蹇·鲍里斯·菲利普. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-21.

PARTIALLY DESERTED MOSFET DEVICE HAVING TWO-PART GRID INSULATOR AND USE AS A MEMORY CELL

Номер патента: FR2905524A1. Автор: Georges Guegan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-03-07.

PARTIALLY DESERTED MOSFET DEVICE HAVING TWO-PART GRID INSULATOR AND USE AS A MEMORY CELL

Номер патента: FR2905524B1. Автор: Georges Guegan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-12-26.

Nonvolatile memory device comprising page buffer and program verification operation method thereof

Номер патента: US09520201B2. Автор: Dongku Kang,Dae Yeal LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20120230114A1. Автор: Yusuke Sekine. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory performing single bit and multi-bit operations

Номер патента: US5982663A. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-09.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09496013B1. Автор: Seung Woo Lee,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory device for signed multi-bit to multi-bit multiplications

Номер патента: US20240304254A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09633737B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160351236A1. Автор: Seung Woo Lee,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US10672480B2. Автор: Hee Youl Lee,Dong Hun Lee,Min Kyu Jeong,Sung Yong CHUNG,Kyoung Cheol KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20160217863A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

Nonvolatile memory device including combined sensing node and cache read method thereof

Номер патента: EP4213028B1. Автор: Yongsung CHO,Min Hwi KIM,Hosang CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

MULTI-BIT FLASH MEMORY DEVICE AND MEMORY CELL ARRAY

Номер патента: US20140185378A1. Автор: KIM Ki-nam,PARK KI-TAE,LEE YEONG-TAEK. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

Nonvolatile memory device, memory system having the same, and programming method thereof

Номер патента: KR102133362B1. Автор: 박기태,심동교,조종후,윤현준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-07-15.

Nonvolatile memory device, memory system having the same, and reading method thereof

Номер патента: KR102127416B1. Автор: 박기태,이재균,박현욱,남상완. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-06-26.

Multi-bit flash memory device and memory cell array

Номер патента: US9111616B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-nam Kim,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-18.

Multi-bit flash memory device and memory cell array

Номер патента: US20080062763A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-nam Kim,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-13.

Multi-bit flash memory device and memory cell array

Номер патента: US20090219758A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-nam Kim,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-03.

Memory devices having selectively electrically connected data lines

Номер патента: US20180308548A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE FOR VARYING A RECOVERY SECTION AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180211709A1. Автор: Kim Doo-hyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Nonvolatile memory device capable of reducing read disturbance and read method thereof

Номер патента: KR101678907B1. Автор: 이재일,손문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-11-23.

Nonvolatile Memory Device Capable Of Reducing Read Disturbance And Read Method Thereof

Номер патента: US20110292726A1. Автор: Jae-Il Lee,Moon Sone. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-01.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09443564B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09825037B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09525051B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09812211B2. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Kazufumi Suzukawa,Shinichi Minami,Mitsuru Hiraki,Nozomu Matsuzaki,Takashi Yamaki,Masamichi Fujito,Hiroyuki Tanikawa,Yukiko Umemoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09412459B2. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Kazufumi Suzukawa,Shinichi Minami,Mitsuru Hiraki,Nozomu Matsuzaki,Takashi Yamaki,Masamichi Fujito,Hiroyuki Tanikawa,Yukiko Umemoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12125737B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240363385A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240282754A1. Автор: Jun Liu,Weihua Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

3D semiconductor device and structure with single-crystal layers

Номер патента: US12136562B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US12002788B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09922685B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20220223609A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device

Номер патента: US20240296881A1. Автор: Tomoaki Atsumi,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09747983B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09614080B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09455262B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234423A9. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Buried Bit Line Anti-Fuse One-Time-Programmable Nonvolatile Memory

Номер патента: US20090323388A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Buried bit line anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory

Номер патента: US20130286709A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Enhanced charge storage materials, related semiconductor memory cells and semiconductor devices, and related systems and methods

Номер патента: US09871044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney,Sumeet C. Pandey,Karl W. Holtzclaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US12080348B2. Автор: Chanho LEE,Taehyung Kim,Inhak LEE,Suk Youn,Sangyeop BAECK,Kyuwon CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240250163A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12094965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508429B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508428B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12033884B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structures, memory cells and devices, systems including same, and related methods

Номер патента: WO2018208507A1. Автор: Yi Fang Lee,Albert Liao,Wayne I. Kinney,Manzar Siddik. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-15.

Storage device, semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US10860080B2. Автор: Kiyoshi Kato,Shuhei Maeda,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230282576A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device having a high-speed memory with stable operation

Номер патента: US11710511B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09653611B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory system having overwrite operation control method thereof

Номер патента: US09627388B2. Автор: Heewon Lee,Hee-Woong Kang,Suejin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09443563B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yoshiya Takewaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor devices including reversible and one-time programmable magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190198077A1. Автор: Choong Jae Lee,Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for writing thereto

Номер патента: US09859016B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device, driving method thereof, semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20200043548A1. Автор: Shuhei Nagatsuka,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1817796A1. Автор: Hiroko Abe,Mikio c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd YUKAWA,Ryoji c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd NOMURA,Satoshi Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd SEO,Shunpei c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. YAMAZAKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-15.

Semiconductor device and electronic device with data voltages read accurately without the influence of threshold voltage variation

Номер патента: US09640226B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20140124778A1. Автор: Hideki Uochi,Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20170025172A1. Автор: Hideki Uochi,Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US20200342939A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09978450B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09847131B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09715932B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09679648B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US09633722B2. Автор: Hideki Uochi,Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US09583576B2. Автор: Hideki Uochi,Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20210358530A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20230139527A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20220069011A1. Автор: Jinwoo Lee,Wonjun Lee,Zhe Wu,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim,Segab Kwon,Seunggeun Yu,Jabin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US11545203B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Nonvolatile memory device having pad structure for high speed operation

Номер патента: US09899409B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor device and programming method thereof

Номер патента: US09543021B2. Автор: Se Jun Kim,Kyung Hwan Park,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory device, semiconductor device, and method for operating semiconductor device

Номер патента: US09761291B2. Автор: Byoung-In Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US20100122147A1. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US7848143B2. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09627078B2. Автор: Hae Soon Oh,Yoo Nam Jeon,Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570189B1. Автор: Jae Yoon Lee,Hyung Min Lee,Myeong Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor storage device and production method thereof

Номер патента: US6538927B1. Автор: Hitoshi Nakamura,Kiyokazu Ishige,Kazuhiko Sanada,Kenji Saitou. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-25.

Semiconductor device and data reading method using the same

Номер патента: US20210057030A1. Автор: Daehyun Kim,Dongsoo Lee,Guyeon WEI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Nonvolatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US09595333B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device having multi-level cell and method of reading the same

Номер патента: US09548125B2. Автор: Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09564223B2. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09490021B2. Автор: Jae Wook Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09330766B1. Автор: SUNG Wook Jung,Dong Hun Lee,Tae Hwa Lee,Hye Eun Heo,Ji Hui Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device

Номер патента: US8144518B2. Автор: Makoto Mizuno,Kenji Kawada,Shuichi Sato,Takahiro Yokoyama,Takashi Iwase,Yasunobu Aoki,Takashi Kurafuji,Masamichi Fujito,Yuji Uji,Tomohiro Uchiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20100080058A1. Автор: Makoto Mizuno,Kenji Kawada,Shuichi Sato,Takahiro Yokoyama,Takashi Iwase,Yasunobu Aoki,Takashi Kurafuji,Masamichi Fujito,Yuji Uji,Tomohiro Uchiyama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: US20230197158A1. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: EP4198987A1. Автор: Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor device for performing sum-of-product computation and operating method thereof

Номер патента: US20200133635A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Nonvolatile memory devices for reducing degradation due to difference of threshold voltage distributions between outer cells and inner cells

Номер патента: US12094535B2. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile memory system and related method of operation

Номер патента: US09665425B2. Автор: Dong-young Seo,Dukyoung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile memory system and related method of operation

Номер патента: US09563503B2. Автор: Dong-young Seo,Dukyoung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09466379B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Three-dimensional nonvolatile memory and operating method of three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US09412450B2. Автор: Kihyun Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Gilsung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods of operating nonvolatile memory devices, methods of operating storage device and storage devices

Номер патента: US20200194072A1. Автор: Sang-Won Jung,Shin-Ho Oh,Sang-Kwon Moon,Min-cheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US09484102B2. Автор: Eun Mee KWON,Dong Yean Oh,Bong Hoon LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Parallel bitline nonvolatile memory employing channel-based processing technology

Номер патента: US09431109B2. Автор: Richard Fastow,Hagop Nazarian. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile memory device maintaining a bitline precharge during program verification periods for multi-level memory cells and related programming method

Номер патента: US09418747B2. Автор: Dong-ku Kang,Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US12062398B2. Автор: Gyu-Ha Park,Hyungsuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20120275245A1. Автор: Yusuke Sekine,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4177895A1. Автор: Sangwon Park,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory device having selectable sensing modes, memory system having the same and programming method thereof

Номер патента: US20140153339A1. Автор: Kitae Park,Minseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device to improve reliability of read operation for memory cells

Номер патента: US09543031B2. Автор: Woo Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524781B2. Автор: Seung-Bum Kim,Woopyo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Nonvolatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US09424940B1. Автор: Moosung Kim,Dongku Kang,Sungwhan SEO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20110128783A1. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Data storage device and operation method thereof

Номер патента: US20160035427A1. Автор: Jae-Duk Yu,Dongku Kang,Chul Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: US09547036B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device with a memory capable of batch erasing a plurality of sectors and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087364B2. Автор: Masafumi Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220208275A1. Автор: Masafumi Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: WO2011125456A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2011-10-13.

Nonvolatile memory device using a resistance material and a driving method thereof

Номер патента: US9299429B2. Автор: Hyo-Jin KWON,Yong-Jun Lee,Yong-Jin KWON,Eun-Hye PARK,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-29.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Multi-bit non-volatile random-access memory cells

Номер патента: US09607695B1. Автор: Jayant Ashokkumar,David Still,Joseph Tandingan,Judith Allen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Ferroelectric nonvolatile memory element having capacitors of same dielectric constant and method thereof

Номер патента: US6094369A. Автор: Takaaki Fuchikami,Takanori Ozawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-07-25.

Semiconductor device including a memory array performing a multiplication and accumulation (MAC) operation using capacitors

Номер патента: US11881243B2. Автор: Hyukjin Lee,Kyunghyun Kim,Seonghwan Cho,Jino SEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor devices with a double sided word line structure and methods of manufacture

Номер патента: US11856876B2. Автор: Cheng-Chun Chang,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20230389452A1. Автор: Cheng-Chun Chang,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Operating Method of Controller Controlling Nonvolatile Memory Device and Mapping Pattern Selecting Method of Selecting Mapping Pattern Mapping Polar Coded Code Word with Multi Bit Data of Nonvolatile Memory Device

Номер патента: US20130283128A1. Автор: Junjin Kong,Kijun Lee,Myungkyu Lee,Dong-Min Shin,Seung-Chan Lim,Kyeongcheol Yang. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2013-10-24.

Nonvolatile memory devices with on die termination circuits and control methods thereof

Номер патента: US10171078B2. Автор: JinHo Ryu,Chul Bum Kim,Sangchul Kang,Seokcheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-01.

NONVOLATILE MEMORY DEVICES WITH ON DIE TERMINATION CIRCUITS AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20160036438A1. Автор: KIM CHUL BUM,Kang Sangchul,Kwon Seokcheon,RYU Jinho. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Nonvolatile memory devices with on die termination circuits and control methods thereof

Номер патента: CN102456406A. Автор: 权锡千,金哲范,柳珍镐,姜相喆. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-16.

Multi-port semiconductor memory device having reduced bitline voltage offset and method for arranging memory cells thereof

Номер патента: KR100475052B1. Автор: 이찬호,이영근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Memory cell, memory device and its fabrication method

Номер патента: KR100198659B1. Автор: 전영권. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US6815322B2. Автор: Toshitaka Yamamoto,Shouji Satou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20040014283A1. Автор: Toshitaka Yamamoto,Shouji Satou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor device having a controllable voltage supply

Номер патента: US5706242A. Автор: Toshiyuki Honda,Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-06.

Semiconductor device

Номер патента: US5841698A. Автор: Toshiyuki Honda,Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor device

Номер патента: US5687126A. Автор: Toshiyuki Honda,Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09558830B2. Автор: Yoji Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device, semiconductor system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09384841B2. Автор: Hyun Seung Yoo,Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor device having a gate insulating film structure including an insulating film containing metal, silicon and oxygen and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080102616A1. Автор: Masayuki Tanaka,Yoshio Ozawa,Kiyotaka Miyano,Yoshitaka Tsunashima,Seiji Ihumiya,Yasumasa Suizu. Владелец: Yasumasa Suizu. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Multi-bit nonvolatile ferroelectric memory device having fail cell repair circuit and repair method thereof

Номер патента: US20060242538A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device having stacked layers

Номер патента: US09514792B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor devices having ZQ calibration circuits and calibration methods thereof

Номер патента: US20110025373A1. Автор: Jun-Bae Kim,Yang-ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20230380176A1. Автор: Kyunghwan Lee,Daewon HA,Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240257856A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including memory element

Номер патента: US20240339154A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile Memory Devices Using Variable Resistive Elements and Related Driving Methods Thereof

Номер патента: US20140160831A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Bo-Geun Kim,Sung-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

TESTING STRUCTURE, AND FABRICATION AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180190551A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Nonvolatile memory device and real-time adaptive read voltage adjustment method thereof

Номер патента: CN107025940B. Автор: 戴颖煜,朱江力. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-20.

Method for optimizing reading voltage of memory cell, controller of 3D memory and operation method thereof

Номер патента: CN113223593B. Автор: 张旭航,曹芮,肖自铧,喻小帆. Владелец: Lianyun Technology Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY, AND FABRICATING AND INSPECTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150162393A1. Автор: YUN Sungjun,Kang Imkuk,JEONG Woocheol. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: CN104701348A. Автор: 郑宇喆,康任局,尹圣埈. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09799739B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09525025B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having buried gate structure, method for manufacturing the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09748248B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US20170338317A1. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US20160307900A1. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US20160307999A1. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Electrically erasable programmable read-only memory cell and memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060054966A1. Автор: Jung-Ching Chen,Spring Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-16.

MEMORY DEVICE HAVING STITCHED ARRAYS OF 4 F+hu 2 +l MEMORY CELLS

Номер патента: US20150214278A1. Автор: Jing Zhang,Yiming Huai,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor memory device having increased capacitance for the storing nodes of the memory cells

Номер патента: US4849801A. Автор: Toshiaki Yamanaka,Yoshio Sakai,Toshiaki Masuhara,Katsuhiro Shimohigashi,Osamu Minato,Shigeru Honjyo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-07-18.

A semiconductor device having a electric charge amplifier for amplifying bit line electric charge

Номер патента: GB2326496A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-23.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US20230282277A1. Автор: Haruhiko Terada,Yotaro Mori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US12055598B2. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Storage device and method for updating meta slice including map chunks stored in nonvolatile memory device according to journal entries

Номер патента: US11734167B2. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A ROLL CALL CIRCUIT FOR OUTPUTTING ADDRESSES OF DEFECTIVE MEMORY CELLS

Номер патента: US20170221588A1. Автор: Oya Masashi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-08-03.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20230366950A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: C/o Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit memory devices having main and section row decoders for providing improved burst mode operation

Номер патента: US5859802A. Автор: Jin-ho Lee,Hee-Chul Pack. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-12.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING A RESISTANCE MATERIAL AND A DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150003137A1. Автор: Lee Yong-jun,KWON HYO-JIN,CHUNG Hoi-ju,KWON Yong-Jin,PARK Eun-Hye. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Anti-fuse memory cell circuit, array circuit and read-write method thereof

Номер патента: CN112582013A. Автор: 李新. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-30.

Nonvolatile memory module, computing system having the same, and operating method thereof

Номер патента: KR102491651B1. Автор: 조영진,오성일,서성용,김찬경,강욱성,차상언. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-01-26.

Ferroelectric memory device having single bit line coupled to at least one memory cell

Номер патента: US6188601B1. Автор: Duck-Ju Kim,Jae-Whan Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-13.

Semiconductor memory device having Y-select gate voltage that varies according to memory cell access operation

Номер патента: US6178136B1. Автор: David B. Scott,Heng-Chih Lin,Takumi Nasu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-01-23.

Controlling a semiconductor device

Номер патента: WO2008057498A3. Автор: Naoharu Shinozaki. Владелец: Naoharu Shinozaki. Дата публикации: 2008-07-24.

Controlling a semiconductor device

Номер патента: WO2008057498A2. Автор: Naoharu Shinozaki. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device including nonvolatile memory configured to switch between a reference current reading system and a complementary reading system

Номер патента: US09824766B2. Автор: Takanobu Suzuki,Tamiyu Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020130363A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Yurika Satou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09640446B2. Автор: Weiming He,Huayong Hu,Lihua Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09418896B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device

Номер патента: US8477535B2. Автор: Tamiyu Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11049785B2. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Electronic device package and fabricating method thereof

Номер патента: US09831282B2. Автор: Seung Jae Lee,Jin Young Kim,No Sun Park,Yoon Joo Kim,Se Woong Cha,Sung Kyu Kim,Ju Hoon Yoon. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20090010069A1. Автор: Hiroaki Wada,Norihiro Yamaki,Keiichirou Kikuchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor device including memory cells storing multi-bit data and operating method of the semiconductor device

Номер патента: US10796775B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US09679638B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with nonvolatile memory prevented from malfunctioning caused by momentary power interruption

Номер патента: US09436598B2. Автор: Tamiyu Kato,Tamaki Tsuruda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and operating method of the semiconductor device

Номер патента: US20190198123A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device and operating method of the semiconductor device

Номер патента: US20200043560A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and operating method of the semiconductor device

Номер патента: US10482982B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-19.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09990130B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09720595B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory system including nonvolatile memory and memory controller and programming method for programming data into nonvolatile memory

Номер патента: US09607688B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11868654B2. Автор: Takayuki Nishiyama,Kazuo Yoshihara,Takanori MORIYASU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: EP3910638A1. Автор: Takayuki Nishiyama,Kazuo Yoshihara,Takanori MORIYASU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-17.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor device performing data read operation and controller controlling the same

Номер патента: US20240170080A1. Автор: Hyung Jin Choi,Jung Hoon Ham. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device including nonvolatile memory

Номер патента: US20090316497A1. Автор: Kenichiro Kuroki,Andreas BANDT. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device and programming method

Номер патента: US20070253266A1. Автор: WAI CHAN,Chi Yat Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile memory devices having variable resistive load portion

Номер патента: US09837150B2. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory, verify method therefor, and semiconductor device using the nonvolatile memory

Номер патента: US20040252567A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190371782A1. Автор: Jaeseung Choi,Sang-Yeop BAECK,Inhak LEE,Hyunsu Choi,SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20170213582A1. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US20090161419A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US7936619B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09865312B2. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Dispensing device having a dispenser for dispensing a liquid containing at least one cell and/or at least one particle

Номер патента: US11975319B2. Автор: Jonas Schöndube,Lena LAUTSCHAM. Владелец: Cytena GmbH. Дата публикации: 2024-05-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Light sensing device and fabricating method thereof

Номер патента: US09966394B2. Автор: Sheng-Ren Chiu,Yu-Sheng Lin,Feng-Chia Hsu,Chun-Yin Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices, layout design methods for the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210305232A1. Автор: Jae-Ho Park,Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Organic semiconductor element, fabrication method thereof, woven and non-woven fabric structures therewith, and semiconductor device therewith

Номер патента: US09733209B2. Автор: Kang Eun LEE,Young Seok Oh,Jea Uk Lee,Moon Kwang Um,Dong Gi Seong,Byung Mun JUNG,Won Oh Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and system of merging memory cells into multi-bit registers in an integrated circuit layout

Номер патента: US09779197B1. Автор: Howard Shih Hao Chang,Kenneth David Wagner,Kanwaldeep Singh Chhokar,Redentor De La Merced,Yoo Ho Cho. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, layout design method thereof, and layout design device using the same

Номер патента: US20080135881A1. Автор: Yoshihiko Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device, layout design method thereof, and layout design device using the same

Номер патента: US7679109B2. Автор: Yoshihiko Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Wiring material and a semiconductor device having a wiring using the material, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20070222075A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20190384669A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20220050739A9. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340492A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device

Номер патента: US8928072B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020047170A1. Автор: Kazunobu Ota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Memory cells based on vertical thin-film transistors

Номер патента: US20200194434A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Bernhard Sell,Juan G. ALZATE VINASCO,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Umut ARSLAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device having a gate insulating film structure including an insulating film containing metal, silicon and oxygen and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100551186B1. Автор: 오자와요시오,쯔나시마요시따까,이누미야세이지,스이즈야스마사,미야노기요따까,다나까마사유끼. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-02-14.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09852787B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device having a write prohibited region

Номер патента: US09728257B2. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606730B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606731B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Multi channel semiconductor device having multi dies and operation method thereof

Номер патента: US09899075B2. Автор: Won Young Lee,Joon-Young Park,Junghwan Choi,Yongcheol Bae,Yoon-Joo EOM,Seongjin Jang,Joosun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory unit for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, memory array structure for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20210125663A1. Автор: Meng-Fan Chang,Xin Si,Wei-Hsing Huang,Yung-Ning Tu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory unit with multi-bit input local computing cell for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, memory array structure with multi-bit input local computing cell for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US11507275B2. Автор: Meng-Fan Chang,Pei-Jung Lu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-11-22.

Transpose memory unit for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, transpose memory array structure for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US11392820B2. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Chi Chou,Jian-Wei Su,Ru-Hui LIU. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20050052911A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20040047192A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device having architecture for reducing area and semiconductor system including the same

Номер патента: US20100172174A1. Автор: Jung Min Lee,Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Chul Woo Park,Sang Beom Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device having multi-level wiring structure

Номер патента: US20130163303A1. Автор: Hidekazu Egawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines

Номер патента: US9236149B2. Автор: Noriaki Mochida. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-01-12.

Semiconductor Device Having Hierarchically Structured Bit Lines

Номер патента: US20160125961A1. Автор: Noriaki Mochida. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines

Номер патента: US09666306B2. Автор: Noriaki Mochida. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile memory devices having enhanced write drivers therein

Номер патента: US11908503B2. Автор: ANTONYAN Artur,Hyuntaek JUNG,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and information processing device

Номер патента: US09466346B2. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile memory device and opeation method thereof

Номер патента: US20240177764A1. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Seungkyung Ro,Su Chang Jeon,Woohyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device including memory cell and sense amplifer, and IC card including semiconductor device

Номер патента: US9543007B2. Автор: Ryotaro Azuma,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and semiconductor device test method for identifying a defective portion

Номер патента: US8325548B2. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device and semiconductor device test method

Номер патента: US20100322023A1. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor device including memory cell

Номер патента: US20240257852A1. Автор: Taehwan Kim,Jongsun Park. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device capable of attaining ground state in an ising model

Номер патента: US09633715B2. Автор: Tomonori Sekiguchi,Tatsuya Tomaru,Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device including power management unit for refresh operation

Номер патента: US09496022B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20110283039A1. Автор: Motoyasu Terao,Hitoshi Kume,Masaharu Kinoshita,Satoru Hanzawa,Minoru Ogushi,Norikatsu Takaura,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor device

Номер патента: US12040005B2. Автор: Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

One-time programmable memory device having access circuit

Номер патента: US09905309B2. Автор: Sang Seok Lee,Hoon Jin Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory device having variable resistance memory cells and a method of resetting by initially performing pre-read or strong set operation

Номер патента: US09552879B2. Автор: Youngbae Kim,Yongkyu Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device having its standby current reduced

Номер патента: US20110222329A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12033718B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Marina Yamaguchi,Kensuke Ota. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device testing memory cells and test method

Номер патента: US20100254196A1. Автор: Jung-Sik Kim,Joung-Wook Moon,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-07.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09842641B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09640245B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09646707B1. Автор: Jong Won Park,Chan Woo Yang,Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile memory devices including multiple user-selectable program modes and related methods of operation

Номер патента: US20080172520A1. Автор: Bong-ryeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device having capability of generating chip identification information

Номер патента: US20160358667A1. Автор: Yoshikazu Saito,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device having capability of generating chip identification information

Номер патента: US09984767B2. Автор: Yoshikazu Saito,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and error correction method

Номер патента: US09558063B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having capability of generating chip identification information

Номер патента: US09449715B2. Автор: Yoshikazu Saito,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09437273B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US8638593B2. Автор: Masatoshi Hasegawa,Daisuke Sasaki,Masahiko Nishiyama,Takumi Takagi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-01-28.

Semiconductor device and error correction method

Номер патента: US09892784B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Non-volatile memory apparatus sensing current changing according to data stored in memory cell

Номер патента: US09583186B2. Автор: Chulhyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Fast access multi-bit random access memory

Номер патента: US5563836A. Автор: Masahiro Tsunoda,Tamio Saito. Владелец: Tsunoda; Masahiro. Дата публикации: 1996-10-08.

Nonvolatile memory edvice and operating method

Номер патента: US20210264974A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device including abnormality detection circuit and semiconductor device control method for detecting abnormality

Номер патента: US11908534B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and calculating method thereof

Номер патента: US20240347106A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Sense circuits, semiconductor devices, and related methods for resistance variable memory

Номер патента: US09640239B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Michele Piccardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09589676B2. Автор: Tae-Kyun Kim,Jun-Gi Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Refresh of nonvolatile memory cells and reference cells with resistance drift

Номер патента: US09472274B1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device capable of rescuing defective characteristics occurring after packaging

Номер патента: US09466393B2. Автор: Jung-hwan Choi,Seong-Jin Jang,Seok-Hun Hyun,Jeong-Kyoum Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device with selective command delay and associated methods and systems

Номер патента: US20240304269A1. Автор: Boon Hor Lam,Karl L. Major,Shawn M. Hilde,Garrett Harwell. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Cost effective semiconductor devices and semiconductor systems with reduced test time

Номер патента: US09911505B2. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Display device having scope of accreditation in cooperation with depth of virtual object and controlling method thereof

Номер патента: US09721540B2. Автор: Jihwan Kim,Doyoung Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-08-01.

NAND ferroelectric memory cell with three-dimensional structure and preparation method thereof

Номер патента: US11917830B2. Автор: Min Liao,Qijun Yang,Yichun ZHOU,Yanwei HUAN,Siwei DAI,Zhaotong LIU. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Embedded dram memory cell with additional patterning layer for improved strap formation

Номер патента: US20100193852A1. Автор: David M. Dobuzinsky,Kangguo Cheng,Munir D. Naeem,Byeong Y. Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor memory device having lowered bit line resistance

Номер патента: US09496275B2. Автор: Masaya Hosaka,Hiroaki Kouketsu. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device including a redistribution layer and metallic pillars coupled thereto

Номер патента: US09553081B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Anatoly Feygenson,John D. Weld,Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Integration of a non-volatile memory (nvm) cell and a logic transistor and method therefor

Номер патента: US20160087058A1. Автор: Sung-taeg Kang,Asanga H. Perera. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170338317A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160380060A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US10109634B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-23.

Semiconductor device including columnar electrodes having planar size greater than that of connection pad portion of wiring line, and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201021180A. Автор: Norihiko Kaneko. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190103413A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Trench-gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4261894A1. Автор: Steven Peake,Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device fabrication apparatus having multi-hole angled gas injection system

Номер патента: KR100433285B1. Автор: 이영석,강영묵. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2004-05-31.

Semiconductor device fabrication apparatus having multi-hole angled gas injection system

Номер патента: KR100484945B1. Автор: 이영석,권태균,강영묵. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2005-04-22.

Nonvolatile memory device using resistance material and fabrication method of the same

Номер патента: KR100682926B1. Автор: 이정현,최성규,김규식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-15.

Split Gate Non-volatile Memory Cells With FINFET Structure And HKMG Memory And Logic Gates, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200176459A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor chip, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20180337143A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Substrate structure, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20220238351A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

SEMICONDUCTOR CHIP, AND FABRICATION AND PACKAGING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180337143A1. Автор: LU Li Hui,FEI Chun Chao,CHIANG Po Yuan,WANG Ya Ping. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20200350322A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor device having buried gate structure, method for manufacturing the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09589960B1. Автор: Kyung-Kyu Min. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200144308A1. Автор: Yoshinobu Asami,Yuto Yakubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor devices with switchable ground-body connection

Номер патента: US09590674B2. Автор: Chris Olson. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09876092B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09659901B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device having a stack-type capacitor

Номер патента: US5414655A. Автор: Hiroshi Takato,Tohru Ozaki,Akihiko Nitayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BURIED GATE STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170125422A1. Автор: KANG Dong-Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160307900A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160307999A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: EP3891804A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storge Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US11942531B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A8. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-09-24.

Electrically erasable programmable read-only memory cell and memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7408221B2. Автор: Jung-Ching Chen,Spring Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-08-05.

NAND FERROELECTRIC MEMORY CELL WITH THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220102379A1. Автор: Liao Min,ZHOU Yichun,HUAN Yanwei,DAI Siwei,YANG Qijun,LIU Zhaotong. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-31.

RESISTIVE ELEMENT AND MEMORY CELL OF NON-VOLATILE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150206924A1. Автор: Lin Chrong-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

MEMORY CELL HAVING A RECESSED GATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140312401A1. Автор: YANG CHIA-MING,LAI CHAO-SUNG,Hsiao Chih-Yuan,CHEN HSIN-HUEI,LEE CHIEN-CHI,Wang Jer-Chyi,Lee Wei-Ping,Kao Ping,Chiang Kai-Lun. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2014-10-23.

IMAGE SENSORS, AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20180277586A1. Автор: LIU Xuan Jie,ZHANG Hai Fang,Lu Jue,YAO Guo Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Electrically rewritable non-volatile memory cell for storing multiple data and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2008530771A. Автор: ゴ、イン. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-07.

Nonvolatile memory element having a resistance variable layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US8471235B2. Автор: Takumi Mikawa,Yoshio Kawashima,Zhiqiang Wei,Atsushi Himeno. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-25.

Flash memory cell including dual tunnel oxide, and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100731058B1. Автор: 곽철상. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-22.

Resistive element and memory cell of non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150206924A1. Автор: Chrong-Jung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-23.

MEMORY DEVICE HAVING STITCHED ARRAYS OF 4 F+hu 2 +l MEMORY CELLS

Номер патента: US20150214278A1. Автор: Zhang Jing,Huai Yiming,Satoh Kimihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

MEMORY DEVICE HAVING STITCHED ARRAYS OF 4 F+hu 2 +l MEMORY CELLS

Номер патента: US20140339626A1. Автор: Zhang Jing,Huai Yiming,Satoh Kimihiro. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Electroluminescent device having stacked micro light emitting diode unit and organic light emitting diode unit, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10756144B2. Автор: Huaiting Shih,Yue Hu,Chinlung Liao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-25.

BIFACIAL P-TYPE PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200013909A1. Автор: Chen Gang,Lin Kang-Cheng,Fang Jiebin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

BIFACIAL P-TYPE PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200119208A1. Автор: Chen Gang,Lin Kang-Cheng,Fang Jiebin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

BIFACIAL P-TYPE PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200127149A1. Автор: Chen Gang,Lin Kang-Cheng,Fang Jiebin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

BIFACIAL P-TYPE PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20190259887A1. Автор: Chen Gang,Lin Kang-Cheng,Fang Jiebin. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

BIFACIAL PUNCHED PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200381572A1. Автор: Chen Gang,Fang Jiebin,Ho Ta-Neng. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

METAL OXIDE THIN FILM, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT INCLUDING THE THIN FILM, SOLAR CELL, AND THIN FILM FABRICATION METHOD

Номер патента: US20190172605A1. Автор: HOSONO Hideo,Ito Kazuhiro,Toda Yoshitake,Watanabe Satoru,Miyakawa Naomichi,Ito Setsuro,Watanabe Toshinari,HAYASHI Katsuro. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20210217859A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09799750B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Han-Ting Tsai,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09768169B2. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device having transistor and capacitor

Номер патента: US09793276B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786752B2. Автор: Chikara Terada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Contact structure with arched top surface and fabrication method thereof

Номер патента: US20240266412A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Ruoh-Ning TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12015067B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09865593B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Hsiang-Hung Peng,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor devices with varying threshold voltage and fabrication methods thereof

Номер патента: US09748145B1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243121A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20160155816A1. Автор: Shigenobu Maeda,Tsukasa Matsuda,Hidenobu Fukutome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09842909B2. Автор: Shigenobu Maeda,Tsukasa Matsuda,Hidenobu Fukutome. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor devices and systems comprising memory cells and a source

Номер патента: US20200161187A1. Автор: Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20200105721A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09437434B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-yi Lee,Tsung-Chieh Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor and fabrication method thereof

Номер патента: US20040188723A1. Автор: Takashi Noguchi,Minoru Sugawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and fabricating method for the same

Номер патента: US20060138554A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor devices, fabrication methods thereof, 3d memories and memory devices

Номер патента: US20240292625A1. Автор: LAN Yao,Jie Yan,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12087687B2. Автор: Wei-Chun Chang,Chin-Chun Huang,Wen Yi Tan,You-Di Jhang. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768178B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09443943B2. Автор: Jui-Chun Chang,Kwang-Ming Lin,Shang-Hui Tu,Geeng-Lih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US11659702B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7956390B2. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090050979A1. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices having fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: US09818745B2. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180090508A1. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190096902A1. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10522558B2. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10153293B2. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20060086990A1. Автор: Kazumi Kurimoto,Makoto Misaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20080017922A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20170053914A1. Автор: Takeshi Ishitsuka,Hiroko Tashiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Multi-vt integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: US20240266414A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tianyi Huang,Tengzhou Ma,Hsin-Jung Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100295116A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Multi-vt integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: WO2024167637A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tianyi Huang,Tengzhou Ma,Hsin-Jung Yu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having buried gate structure and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09947667B2. Автор: Dong-Kyun Kang,Ho-Jin Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having dual channels, complementary semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768073B1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Yi-Chung Lin,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having buried gate structure and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09634011B2. Автор: Dong-Kyun Kang,Ho-Jin Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device having shared gate electrode and fabrication thereof

Номер патента: WO2000033381A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-06-08.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20110248346A1. Автор: Takayuki Yamada,Riichirou Mitsuhashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Metal oxide thin film, organic electroluminescence element including the thin film, solar cell, and thin film fabrication method

Номер патента: US12100529B2. Автор: Kazuhiro Ito,Hideo Hosono,Satoru Watanabe,Setsuro Ito,Toshinari Watanabe,Yoshitake Toda,Naomichi Miyakawa,Katsuro Hayashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2024-09-24.

Device for testing regional performance of plate-type SOFC (solid oxide Fuel cell) and assembly method and testing method thereof

Номер патента: CN114944501B. Автор: 徐心海,仲政,吴愉华. Владелец: Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2022-12-27.

Logic configuration method for reconfigurable semiconductor device

Номер патента: US09514259B2. Автор: Masayuki Sato,Isao Shimizu. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: WO2016177028A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei Boe Display Light Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-11-10.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US10195800B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US20170139107A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

LIGHT GUIDE PLATE, BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME, AND FABRICATION DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170139107A1. Автор: LIU Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: CN1991501A. Автор: 秋教燮,姜熙光. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: US20110187954A1. Автор: Hee Kwang Kang,Kyo Seop Choo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

OPTICAL DEVICE HAVING MEANS FOR AVOIDING THE REINJECTION OF RESIDUAL DIFFUSED LIGHT RAYS INTO THE SIGNAL LINE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2741457A1. Автор: Yeong Ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-05-23.

Dispensing device having a dispenser for dispensing a liquid containing at least one cell and/or at least one particle

Номер патента: US20210237049A1. Автор: Jonas Schöndube,Lena LAUTSCHAM. Владелец: Cytena GmbH. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09679908B2. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09722096B2. Автор: Shoji Yoshida,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160225902A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160118394A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20240274547A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570610B2. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09954066B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09536878B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704970B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09548212B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09362402B2. Автор: Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09406677B2. Автор: Qun Shao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9831318B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240203986A1. Автор: LAN Yao,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, fabricating method thereof, and fabricating method of memory

Номер патента: US09899396B1. Автор: Chih-Hsiung Lee,Chien-Ying Lee,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09852976B2. Автор: Michael Kelly,Roger St. Amand,Ronald Huemoeller,David Hiner. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Flexible single-crystalline semiconductor device and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831273B2. Автор: Jae-Hyun Ryou. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09543242B1. Автор: Michael Kelly,Roger St. Amand,Ronald Huemoeller,David Hiner. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09472668B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075603A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof and semiconductor structure

Номер патента: US09842771B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Hung-Ming Chang,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09728641B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Pang-Yen Tsai,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09614051B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09412868B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Pang-Yen Tsai,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09673313B2. Автор: Atsushi Tanaka,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09607963B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09406813B2. Автор: Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure

Номер патента: US09741723B2. Автор: Tsuyoshi Tomoyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing a nonvolatile memory cell and a field effect transistor

Номер патента: US9685453B2. Автор: Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Multi-gate device with air gap spacer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11764262B2. Автор: Pei-Yu Wang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Guard ring in semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20080150144A1. Автор: Won-Hyo Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09524865B2. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09416004B2. Автор: Xiaoping Zhang,Guangcai Fu,Tianlun Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Process for forming a semiconductor device having a conductive member that protects field isolation during etching

Номер патента: US5966619A. Автор: David Burnett,Craig Swift,Wei-Hua Liu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240234505A1. Автор: Hsu Ting,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Kuang-Hsiu Chen,Shou-Hung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240290832A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: EP4441793A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09922834B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Nitride semiconductor and fabricating method thereof

Номер патента: EP2701199A3. Автор: Seongmoo Cho,Taehoon Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190035792A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7615849B2. Автор: Takashi Tsuji,Hiroyuki Fujisawa,Yoshiyuki Yonezawa,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-11-10.

Epitaxial blocking layer for multi-gate devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240266167A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09917128B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09818785B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09679938B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09437454B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshinori IEDA,Fumika TAGUCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device having a contact window and fabrication method thereof

Номер патента: US20030132526A1. Автор: Jeong-sic Jeon,Jae-Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device having a contact window and fabrication method thereof

Номер патента: US20020093105A1. Автор: Jeong-sic Jeon,Jae-Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210043752A1. Автор: Chiang-Ming Chuang,Yi-Chuan Lin,Shang-Yen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11411097B2. Автор: Chiang-Ming Chuang,Yi-Chuan Lin,Shang-Yen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Integrated circuits with metal-titanium oxide contacts and fabrication methods

Номер патента: US20160079168A1. Автор: Hoon Kim,Guillaume Bouche,Andy Wei,Kisik Choi,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20080157377A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09947766B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09899226B2. Автор: Jong Won Lim,Ho Kyun Ahn,Eun Soo Nam,Jong Min Lee,Kyung Ho Lee,Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Yong Hwan Kwon,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Zin Sig Kim,Byoung Gue Min,Kyu Jun CHO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09865734B2. Автор: Akiyoshi Hatada,Naoyoshi Tamura,Masashi Shima,Yosuke Shimamune,Akira Katakami. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09837544B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Elevated source drain semiconductor device with L-shaped spacers and fabricating method thereof

Номер патента: US09831240B2. Автор: Leonelli Daniele,Shigenobu Maeda,Jong-hyuk Lee,Woong-Gi Kim,Han-Su Oh,Min-Yeop Park,Ju-Seob Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09793170B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device having super junction metal oxide semiconductor structure and fabrication method for the same

Номер патента: US09755065B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09659861B2. Автор: Satoshi Kageyama,Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of manufacturing semiconductor devices with improved metal gate fill-in for vertical memory cell and devices thereof

Номер патента: US09627220B1. Автор: Chih-Yuan Wu,Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo,Jr-Meng Wang,Kuanf-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09607885B2. Автор: Peter Zhang,Steven Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09577098B2. Автор: Akiyoshi Hatada,Naoyoshi Tamura,Masashi Shima,Yosuke Shimamune,Akira Katakami. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

FINFET semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09570589B2. Автор: Bing Wu,Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09520477B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Wafer level package and fabrication method thereof

Номер патента: US09520333B1. Автор: Neng-Tai Shih,Shing-Yih Shih,Hsu Chiang. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device including insulating films with different moisture resistances and fabrication method thereof

Номер патента: US09496222B2. Автор: Yoshihiro Nakata,Kozo Makiyama,Junichi Kon. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09401427B2. Автор: Akiyoshi Hatada,Naoyoshi Tamura,Masashi Shima,Yosuke Shimamune,Akira Katakami. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Bonded semiconductor devices having programmable logic device and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US11996389B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20160379839A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Method for fabricating a semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US20240250004A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor wafer with modified surface and fabrication method thereof

Номер патента: US20210159066A1. Автор: Po-Jen Wang,Tsung-Han Tsai,Yao-Wen Hsu,Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US7371694B2. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-13.

Memory device, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068245B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20050186804A1. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor device having heat dissipation structure of curved profile and a manufacturing method thereof

Номер патента: US12094836B2. Автор: Tsung-Yu Chen,Hsien-Pin Hu,Wensen Hung,Tsung-Shu Lin,Wen-Hsin Wei,Hsuan-Ning Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and fabrication method for forming the same

Номер патента: US09847419B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711642B2. Автор: Yohei Ujiie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09564540B2. Автор: Yoshiki Maruyama,Yasuhiro Takeda,Shuichi Kudo,Keiichi Maekawa,Takumi Hasegawa,Kota Funayama,Kazutoshi Shiba,Hiroshi Uozaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455264B2. Автор: Takaaki Kawahara,Tatsunori Kaneoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443944B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor devices having adjoined via structures formed by bonding and methods for forming the same

Номер патента: US11887954B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US12051674B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device having a pad proximate to a step structure section of an array chip

Номер патента: US11594547B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: EP2681777A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Seren Photonics Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US9515133B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9460929B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20050142789A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US6939773B2. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09831259B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09634109B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: US09583613B2. Автор: Shom Ponoth,Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US09515133B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09508847B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09490351B2. Автор: Yusuke Nonaka,Tatsuya Honda,Takatsugu Omata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09460929B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device having super-junction structures and fabrication thereof

Номер патента: US20150295024A1. Автор: Jui-Chun Chang,Tsung-Hsiung LEE,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Multichip module package and fabrication method

Номер патента: US20090014866A1. Автор: Il Kwon Shim,Dario S. Filoteo, Jr.,Tsz Yin HO,Sebastian T. M. Soon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064505A1. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US20240282675A1. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US09960103B2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09875965B2. Автор: Xiaoping Zhang,Guangcai Fu,Tianlun Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831093B2. Автор: Hideki Sugiyama,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812544B2. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device structures with improved planarization uniformity, and related methods

Номер патента: US09728449B2. Автор: Giulio Albini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method including a formation of a control gate of a nonvolatile memory cell and semiconductor structure including a nonvolatile memory cell

Номер патента: US09548312B1. Автор: Martin Schulze,Sven Beyer,Alexander Ebermann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478673B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09401404B2. Автор: Huiyun Liu,Alwyn John Seeds,Francesca Pozzi. Владелец: UCL BUSINESS LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor devices having improved adhesion and methods of fabricating the same

Номер патента: EP2564420A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Semiconductor device having buried gate electrode structures

Номер патента: US20150145029A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-05-28.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Multi-gate device with air gap spacer and fabrication methods thereof

Номер патента: US20230369398A1. Автор: Pei-Yu Wang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

One-transistor dram cell device based on polycrystalline silicon with finfet structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190267381A1. Автор: Seongjae Cho,Hyungsoon Shin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2019-08-29.

Fabricating Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240258378A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100052019A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuru Yoshikawa. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights

Номер патента: US20130320448A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Aura Cecilia Davila Latorre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench surrounding plural unit cells

Номер патента: US20080274599A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20070187779A1. Автор: Wen-Fang Lee,Dave Hsu,Asam Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025754A1. Автор: Kazuyoshi Shiba. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20240347442A1. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09812569B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US09543378B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09859203B2. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09502555B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09437709B2. Автор: De Yuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device having a memory cell region and a peripheral circuit region and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6849490B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Semiconductor devices including nanowire capacitors and fabricating methods thereof

Номер патента: US09646971B2. Автор: Han-jin Lim,Ki-Vin Im,Kong-Soo Lee,Dong-Hyun Im,Jin-Won MA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210082783A1. Автор: Youngho Kim,Hwanpil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080211004A1. Автор: Takashi Suzuki,Yoshio Ozawa,Ichiro Mizushima,Hirokazu Ishida,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12136581B2. Автор: Youngho Kim,Hwanpil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Multi-bit nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060157753A1. Автор: Sung-min Kim,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Read-only memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20050087823A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Ching-Nan Hsiao,Chao-Sung Lai,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461166B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device with reduced leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US09893107B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Ssu-Chiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09741824B2. Автор: Huojin Tu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20130244391A1. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210111122A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device including ferroelectric capacitors and fabricating method thereof

Номер патента: US20030224538A1. Автор: Yoichi Miyasaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20090072390A1. Автор: Hideo Nishiuchi,Tomohiro Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Vertical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210335800A1. Автор: Sung-Hoon Lee,Jong-Hyun Yoo,Ki-Jun Yun,Eun-Ho Kim,Eun-Joo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US11056476B2. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20200212028A1. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile bipolar junction memory cell

Номер патента: US09711718B1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240258417A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220246750A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device having increased capacitance of capacitor for data storage and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070161177A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09991394B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: RU2407107C2. Автор: Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2010-12-20.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile memory device having multi-level resistance and capacitance characteristics, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200313085A1. Автор: Jae Hyung JANG,Rani Anoop,Se I Oh. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory, and memory system

Номер патента: US20240164095A1. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20210005751A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09899416B2. Автор: Yong Seok Lee,Jeong Yun Lee,Bo Soon Kim,Hyun Ji Kim,Gi Gwan PARK,Sang Duk PARK,Young Mook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09455273B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device having common source line layer, electronic system including the same, and related method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4398694A1. Автор: Jiwon Kim,Dohyung Kim,Ahreum LEE,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device having common source line layer, electronic system including the same, and related method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240237340A1. Автор: Jiwon Kim,Dohyung Kim,Ahreum LEE,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20080048288A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US6858495B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046593B2. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Danfeng MAO,Jinhan Zhang,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20100171130A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20050035388A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20030235967A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: WO2010070269A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: EP2366198A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2011-09-21.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of forming semiconductor device having multi-channel

Номер патента: US09954061B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing semiconductor device including memory cell of nonvolatile memory, capacitance element, and transistors

Номер патента: US09947776B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory cells and methods of fabrication

Номер патента: US09935264B2. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick,Scott E. Sills,Chet E. Carter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having multi-channel and method of forming the same

Номер патента: US09673279B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437639B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor base plate and semiconductor device

Номер патента: US20230064989A1. Автор: Qiang LONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240155843A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Shen-De Wang,Yung-Lin Tseng,Chia Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210118888A1. Автор: Huang Liu,John Zhang,Guoliang Zhu,Tongqing CHEN,Yanzun Li. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107138B2. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371863A1. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068299B2. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Self-aligned front-end charge trap flash memory cell and capacitor design for integrated high-density scaled devices

Номер патента: US12089411B2. Автор: Walid M. Hafez,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Daniel B. O'Brien,Tanuj Trivedi,Rohan Bambery,Christopher Alan NOLPH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Trenched power mosfet with enhanced breakdown voltage and fabrication method thereof

Номер патента: US20140042534A1. Автор: Chun-Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080239815A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Mitsutaka Izawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US8883601B2. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-11-11.

Nonvolatile memory and semiconductor device

Номер патента: US20030168702A9. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220029093A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: US09881904B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09842930B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pang-Yen Tsai,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09818748B2. Автор: Sung-dae Suk,Kang-ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having switchable regions with different transconductances

Номер патента: US09679895B2. Автор: Armin Willmeroth,Christian Fachmann,Enrique Vecino Vazquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09613871B2. Автор: Sung-dae Suk,Kang-ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Vertical semiconductor device having a non-conductive substrate and a gallium nitride layer

Номер патента: US09466552B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220102429A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220359618A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: EP4030489A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US20130011988A1. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240268130A1. Автор: Kiseok LEE,Hyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US20170084620A1. Автор: Chao-Ching Chang,Min-Hui LIN,Chin-Szu Lee,Wei-li CHEN,Cheng-Yi Wu,Jian-Shin Tsai,Chung-Yu Hsieh,Kuo-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device having plural cell capacitors embedded in embedding material

Номер патента: US20230010901A1. Автор: Hiroshi Amaike,Keisuke Otsuka,Yosuke Adachi,Shogo Omiya,Tomohiro Iwaki,Emi Seko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472676B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device having shielding member

Номер патента: US20230282598A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sung Lae OH,Seung Pil LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device having a termination region with deep trench isolation

Номер патента: US20240204043A1. Автор: Ignacio Cortes Mayol. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20220278194A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9455248B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140346594A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148363A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358906A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09691843B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09640657B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09559160B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Vertical-type non-volatile memory devices having dummy channel holes

Номер патента: US09406692B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160155747A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20180197962A1. Автор: Hiroyoshi Kitahara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Buried shield structures for power semiconductor devices including segmented support shield structures for reduced on-resistance and related fabrication methods

Номер патента: WO2024147924A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US12046532B2. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240268129A1. Автор: Jinwoo Han,Jay-Bok Choi,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Seokhan Park,Keunnam Kim,Hongjun LEE,Hyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12120866B2. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US20240332122A1. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20240365568A1. Автор: Tzung-Ting Han,Chen-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and fabrication method for same

Номер патента: US09812621B2. Автор: Masamichi Ishihara,Kenshu Oyama,Shoji Murakami,Hitonobu Onosaka. Владелец: Shikoku Instrumentation Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device layout, semiconductor device, and method of manufacturing memory device

Номер патента: US09761572B2. Автор: Huai-Ying Huang,Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023217069A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020102769A1. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of forming semiconductor device including p-n diode

Номер патента: US20180019318A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20240196764A1. Автор: Shao-Ming Yu,Bo-Jiun Lin,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200027962A1. Автор: Masafumi Hamaguchi,Shinji KAWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Support shield structures for trenched semiconductor devices

Номер патента: WO2023183215A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: US20140183628A1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230284436A1. Автор: Tsun-Min Cheng,Yu Chun Lin,Chia-Wei Wu,Yukihiro Nagai,Hsiao-Han Lin,Sun-Hung Chen,Lu-Yung Lin,Zheng Guo Zhang,Wu Xiang Li. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10347718B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US7323744B2. Автор: Yukio Hayakawa. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-01-29.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20060237779A1. Автор: Yukio Hayakawa. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-10-26.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having conducting material film formed in trench, manufacturing method thereof and method of forming resist pattern used therein

Номер патента: US20010010378A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Syuji Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20040262675A1. Автор: Takuma Hara,Yasunori Usui,Takeshi Uchihara,Hideyuki Ura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20070026604A1. Автор: Masatomi Okanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-01.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: EP4394864A3. Автор: Yuan Fang,Ke Jiang,Mark Gajda,Huiling ZUO,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG,Junli Xiang,Jinshan SHI. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09929235B1. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Power semiconductor devices having gate trenches with implanted sidewalls and related methods

Номер патента: US09887287B1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Alexander V. Suvorov,Daniel J. Lichtenwalner,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09608639B2. Автор: Hoon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Dual emissive electroluminescent displays and fabricating and display methods thereof

Номер патента: US20060033424A1. Автор: Chung-Wen Ko. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-16.

Nonvolatile memory device without generating coverage implantation and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW469640B. Автор: Ching-Yu Jang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-21.

Optical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060219996A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Mitsuru Ekawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Hybrid structure for computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20240220743A1. Автор: Meng-Fan Chang,Ping-Chun Wu,Li-Yang Hong,Jin-Sheng Ren,Ho-Yu CHEN. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for programming healing patterns on memory blocks

Номер патента: US09588700B2. Автор: Yeon Joo JEONG,Suk Kwang PARK,Soon Ok Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Storage device for autonomous driving and operating method thereof

Номер патента: US20230153022A1. Автор: Seunghan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor having cross coupled structure and layout verification method thereof

Номер патента: US20160085904A1. Автор: Jung-Ho Do,Changho HAN,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Storage device for autonomous driving and operating method thereof

Номер патента: US20240295985A1. Автор: Seunghan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor having cross coupled structure and layout verification method thereof

Номер патента: US09767248B2. Автор: Jung-Ho Do,Changho HAN,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20180348552A1. Автор: Xin Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Memory controller communicating with host, operating method thereof, and computing system including the same

Номер патента: US09864704B2. Автор: Hyun Ju Lee,Jae Han Park,Dae Geun JEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Mask ROM, and fabrication method thereof

Номер патента: US20030038310A1. Автор: Min Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Mask rom, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040173857A1. Автор: Min Gyu Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Method for fabricating AND-type flash memory cell

Номер патента: US20040157403A1. Автор: Chang Han,Bong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120032242A1. Автор: Yasuyuki Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Vertical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240049464A1. Автор: Sung-Hoon Lee,Jong-Hyun Yoo,Ki-Jun Yun,Eun-Ho Kim,Eun-Joo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240172452A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor memory device and semiconductor device including multilayer gate electrode

Номер патента: US7541654B2. Автор: Fumitaka Arai,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device and parameter setting method thereof

Номер патента: US20120331211A1. Автор: Naoto Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240276891A1. Автор: Woo Tae Lee,Su Jee KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device with memory cell having a storage capacitor with a plurality of concentric storage electrodes formed in an insulating layer and fabrication method thereof

Номер патента: US6104055A. Автор: Kenji Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12089420B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230371241A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20050199941A1. Автор: Toru Anezaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Antibacterial ultraviolet-proof fabric spraying agent and preparation method thereof, and fabric and preparation method thereof

Номер патента: CN111893774B. Автор: 刘慧香,谢玉青,张宜斐. Владелец: Shanghai Weilujia New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

A large area flexible dye-sensitized solar cell and the electrochemical fabricating method thereof

Номер патента: TW200952231A. Автор: Chien-Chon Chen,Eric Wei-Guang Diau. Владелец: Dc Solar Corp. Дата публикации: 2009-12-16.

Flexible dye-sensitized solar cell and the electrochemical fabricating method thereof

Номер патента: TW201011925A. Автор: Chien-Chon Chen,Eric Wei-Guang Diau,Chin-Shing Chen. Владелец: Dc Solar Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101822929B1. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2018-01-29.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20170128861A. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2017-11-24.

Anti-skid and anti-bouncing yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN110629342A. Автор: 贺光明,柯文博,周冰倩. Владелец: Foshan Shunde Lianjin Textile Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Heat insulation integrated ultra-thin panel fixing structural and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106284899A. Автор: 周荣,周平,周奇,周述文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Culture medium for obtaining mesenchymal stem cells and exosomes thereof and preparation method thereof

Номер патента: CN114480273A. Автор: 雷鸣,田朋飞,陈相波,应荣. Владелец: Hangzhou Rongze Biotechnology Group Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Canine umbilical cord mesenchymal stem cells and preparation method and cryopreservation method thereof

Номер патента: CN108456657B. Автор: 王小武,迟大明,朱春颖,郭春明,许晓椿. Владелец: Tianjin Boyalife Biotechnology Co ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

BAK cell and preparation kit and preparation method thereof

Номер патента: CN110656084A. Автор: 刘永进,秦森邦,古筝. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-07.

Biological glue for promoting blood vessel reconstruction after cell and organ transplantation and preparation method thereof

Номер патента: CN107693849B. Автор: 鲁翠涛,赵应征,傅红兴,刘成洋,蒋煊,朱群燕. Владелец: Wenzhou Medical University. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory cell and fabricating and programming method thereof

Номер патента: TWI289855B. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Flash memory cell with high coupling ratio and manufacturing method thereof

Номер патента: TW367592B. Автор: Ko-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-21.

MULTI-BIT FLASH MEMORY DEVICE AND MEMORY CELL ARRAY

Номер патента: US20120039122A1. Автор: KIM Ki-nam,PARK KI-TAE,LEE YEONG-TAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-02-16.

MULTI-PIECE BOARD AND FABRICATION METHOD METHOD THEREOF

Номер патента: US20120047728A1. Автор: . Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Electronic device having internal charge regulator and temperature sensor for controlling application of a charging current thereto and associated method thereof

Номер патента: ZA946762B. Автор: David Mark Demuro. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-06-20.

Nonvolatile Memory Devices With On Die Termination Circuits And Control Methods Thereof

Номер патента: US20120113733A1. Автор: KIM CHUL BUM,Kang Sangchul,Kwon Seokcheon,RYU Jinho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-10.

Suction duct of air conditioner compressor and fabricating and connecting method thereof

Номер патента: CN101328878A. Автор: 马铁军,徐利华,戎谨,宗远华,谭嘉辉,余治忠,谭田养. Владелец: Guangdong Meizhi Compressor Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

A kind of precast splice type arch rib of ultra-high performance concrete and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN103898831B. Автор: 蒋田勇,田仲初,陈福焕. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-18.

Content addressable memory cell, content addressable memory device and operation method thereof, and method for data searching and comparing

Номер патента: TWI793854B. Автор: 李明修,曾柏皓,李峯旻. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2023-02-21.

Embedded elastic retaining ring dust cover and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106627636A. Автор: 李亚军,李鹏,罗燕,郭红锋,刘文松,杜方孟. Владелец: Zhuzhou Times New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Multi-color blended yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN102758363A. Автор: 徐伟杰,解新生,王景呈. Владелец: ZHEJIANG HUAFU MELANGE YARN CO Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Skin substitute for automatically capturing endothelial progenitor cells and promoting vascularization and construction method thereof

Номер патента: CN101985052B. Автор: 王俊杰,王光毅,李恒宇,夏照帆,肖仕初,朱世辉,纪世召. Владелец: Second Military Medical University SMMU. Дата публикации: 2013-11-06.

SOLAR CELL AND SOLAR CELL FABRICATION METHOD

Номер патента: US20120291864A1. Автор: KIM Ki-Won,CHO Gyu-bong,Noh Jung-Pil. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002487A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002486A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.