Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20230366950A1
Опубликовано: 16-11-2023
Автор(ы): Naoaki Sugimura
Принадлежит: C/o Lapis Semiconductor Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Battery monitoring and testing system and methods thereof

Номер патента: US20200386820A1. Автор: Oliver James CURNICK,John Christopher Harper,Jonathan Edward Harrison Sansom. Владелец: Advanced Measurement Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Battery monitoring and testing system and methods thereof

Номер патента: CA3136621A1. Автор: Oliver James CURNICK,John Christopher Harper,Jonathan Edward Harrison Sansom. Владелец: Advanced Measurement Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Battery monitoring and testing system and methods thereof

Номер патента: EP3953718A1. Автор: Oliver James CURNICK,John Christopher Harper,Jonathan Edward Harrison SAMSON. Владелец: Advanced Measurement Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-16.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20240361399A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US12055598B2. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of monitoring a battery, monitoring system and monitoring circuit

Номер патента: US20190221893A1. Автор: Stefano Marsili,Andreas Berger,Christoph Sandner,Guenter Hofer,Klaus Hoermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-18.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20200081071A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Battery ecosystem system and method

Номер патента: US20190072615A1. Автор: Tyler Reeves,Brian Madeley,Clifford Sewing. Владелец: Interstate Battery System International Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Battery monitoring and testing system and methods thereof

Номер патента: EP3953718B1. Автор: Oliver James CURNICK,John Christopher Harper,Jonathan Edward Harrison SAMSON. Владелец: Advanced Measurement Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US09575129B2. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20170115357A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Battery monitoring apparatus

Номер патента: US09647301B2. Автор: Masaya Itou,Tsuneo Maebara,Shunichi Mizobe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Battery monitoring apparatus

Номер патента: US11313913B2. Автор: Takumi Shimizu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Networked battery monitors

Номер патента: WO2009073593A3. Автор: Allan J. Baum, JR.,Edward M Potempa,Thomas J Leonard,George A. Pedersen. Владелец: Btech, Inc.. Дата публикации: 2009-10-15.

Networked battery monitors

Номер патента: EP2220747A2. Автор: Allan J. Baum, JR.,Edward M Potempa,Thomas J Leonard,George A. Pedersen. Владелец: BTECH Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Battery monitoring device, resistance value derivation method, and cell voltage derivation method

Номер патента: US20240295611A1. Автор: Takayoshi Fujino. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Battery cell monitoring system

Номер патента: US20190115636A1. Автор: Donald Remboski,Jacqueline Dedo. Владелец: Aware Mobility LLC. Дата публикации: 2019-04-18.

Battery monitoring circuit board and battery monitoring device

Номер патента: US20200124680A1. Автор: Katsuhiro Takahashi,Shingo Tsuchiya. Владелец: Keihin Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20130257441A1. Автор: Masaru Sekiguchi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Vehicle battery monitoring system

Номер патента: US09581654B2. Автор: Douglas C. Campbell,Thomas H. Morell. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2017-02-28.

Rolling stock battery monitoring system, rolling stock onboard device, and rolling stock battery monitoring method

Номер патента: EP4411933A1. Автор: Chiaki Takahashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

System and method for monitoring battery status

Номер патента: US09746524B2. Автор: Steven Petrucelli. Владелец: MEASUREMENT LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

System and method for monitoring temperature of battery pack in storage

Номер патента: US11469458B2. Автор: Cooper Chang. Владелец: STL Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Real-time battery monitoring apparatus and method using transient response analysis

Номер патента: US20240255583A1. Автор: Seung Chan Oh,Boong Ik Jung,In Seok Jung,Gun Pyo LIM. Владелец: Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Real-time battery monitoring apparatus and method using transient response analysis

Номер патента: EP4407332A1. Автор: Seung Chan Oh,Boong Ik Jung,In Seok Jung,Gun Pyo LIM. Владелец: Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Intelligent lead-acid battery system and method of operating the same

Номер патента: EP4323785A2. Автор: Lu Feng,Perry Wyatt,Wei Song,Zhihong Jin,Jason Fuhr,Joseph E. Liedhegner,Arunraj Varatharajah,Craig W. Rigby,Dharmendra B. Patel,Roderique DUELL,Kathryn Marie CIURLIK,Jason D. Searl,Tyler Thiel. Владелец: Clarios Germany GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-21.

Intelligent lead-acid battery system and method of operating the same

Номер патента: CA3215497A1. Автор: Lu Feng,Perry Wyatt,Wei Song,Zhihong Jin,Jason Fuhr,Joseph E. Liedhegner,Arunraj Varatharajah,Craig W. Rigby,Dharmendra B. Patel,Roderique DUELL,Kathryn Marie CIURLIK,Jason D. Searl,Tyler Thiel. Владелец: Clarios Germany GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-10-20.

Intelligent lead-acid battery system and method of operating the same

Номер патента: WO2022221598A3. Автор: Lu Feng,Perry Wyatt,Wei Song,Zhihong Jin,Jason Fuhr,Arunraj Varatharajah,Craig W. Rigby,Dharmendra B. Patel,Roderique DUELL,Kathryn Marie CIURLIK,Jason D. Searl,Tyler Thiel,Joseph E. LIEDHEGER. Владелец: Clarios Germany Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2023-01-05.

Intelligent lead-acid battery system and method of operating the same

Номер патента: WO2022221598A9. Автор: Lu Feng,Perry Wyatt,Wei Song,Zhihong Jin,Jason Fuhr,Joseph E. Liedhegner,Arunraj Varatharajah,Craig W. Rigby,Dharmendra B. Patel,Roderique DUELL,Kathryn Marie CIURLIK,Jason D. Searl,Tyler Thiel. Владелец: Clarios Germany Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2023-10-05.

Battery monitoring apparatus

Номер патента: US20180045789A1. Автор: Shinsuke Kawamoto,Yasuhito Tanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Battery monitoring system

Номер патента: US20240154195A1. Автор: Shunichi Kubo,Tatsuhiro NUMATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Battery monitoring system

Номер патента: US11901525B2. Автор: Shunichi Kubo,Tatsuhiro NUMATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Battery monitoring method and device

Номер патента: US20240159837A1. Автор: Kwang Hoon Lee,Won Seok Kim,Hyuk Jae Kwon,Hyun Chang Kim,Young Min Son,Hong Il Chae,Hyeon Chang JEONG. Владелец: Smart Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Battery-monitoring unit

Номер патента: US20240151777A1. Автор: Martin Zoske,Hans Beyer,Felix König,Jonas Keutmann. Владелец: Webasto SE. Дата публикации: 2024-05-09.

Battery monitoring method and device

Номер патента: EP4369003A1. Автор: Kwang Hoon Lee,Won Seok Kim,Hyuk Jae Kwon,Hyun Chang Kim,Young Min Son,Hong Il Chae,Hyeon Chang JEONG. Владелец: Smart Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Battery monitoring device, wireless transmission method of battery-related information, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20240142539A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Tatsuhiro NUMATA,Shogo Shigemori. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Electrical battery monitoring device and battery

Номер патента: US11933852B2. Автор: Kristian Zimmermann,Philipp WEINREITER. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2024-03-19.

Electrical battery monitoring device and battery

Номер патента: US20200041573A1. Автор: Kristian Zimmermann,Philipp WEINREITER. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2020-02-06.

Electrical battery monitoring device and battery

Номер патента: US11378627B2. Автор: Kristian Zimmermann,Philipp WEINREITER. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2022-07-05.

Battery monitoring device

Номер патента: US09562949B2. Автор: Kazushi Kuroda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Battery monitoring device

Номер патента: US20230288491A1. Автор: Shunichi Kubo,Yukihiro Tomonaga,Kazutaka Honda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Battery monitoring system, controller, monitoring device, non-transitory computer readable medium and method for monitoring battery

Номер патента: US20240077539A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Tatsuhiro NUMATA,Shogo Shigemori. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Energy storage system and temperature control method thereof

Номер патента: EP4020660A1. Автор: HUI Wang,Ping Li. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-29.

Battery monitoring device

Номер патента: US09767683B2. Автор: Haruhiko Yoshida,Yoichi Ido,Hidehiko Shimizu,Ryohtaroh Murata. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Battery monitoring device

Номер патента: US20160247389A1. Автор: Haruhiko Yoshida,Yoichi Ido,Hidehiko Shimizu,Ryohtaroh Murata. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Battery monitoring system for battery cells

Номер патента: WO2024123538A1. Автор: Xiaogaung CHANG,Brad MOPPINS. Владелец: Gentherm GmbH. Дата публикации: 2024-06-13.

Energy storage system, battery monitoring method, and energy storage device

Номер патента: EP4303984A1. Автор: ZHIPENG Wu,Hui Ma. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Energy storage system, battery monitoring method, and energy storage device

Номер патента: US20240014459A1. Автор: ZHIPENG Wu,Hui Ma. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Energy storage system, battery monitoring method, and energy storage device

Номер патента: AU2021435460A1. Автор: ZHIPENG Wu,Hui Ma. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Battery monitoring system

Номер патента: US20240332642A1. Автор: Jonathan Robert Hird,Nicholas Collins,Norman Ward,John Charlesworth. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Battery monitoring systems having conductive strips and related methods

Номер патента: US20210104783A1. Автор: Israel Silva Dias,Jonathan Keener Grice,John Thomas McAlpin,Emil Paul Parker. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

System and method for reusing an electric vehicle battery

Номер патента: US20220149451A1. Автор: Trygve Burchardt. Владелец: Eco Stor AS. Дата публикации: 2022-05-12.

Networked battery monitoring systems, methods, and apparatus

Номер патента: US12027679B2. Автор: Alan Nickerson. Владелец: Tl3t LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and battery monitoring system

Номер патента: US09887569B2. Автор: Kenji Yanagawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Assembled battery monitoring device

Номер патента: US09825477B2. Автор: Akihiko Kudo,Hikaru Miura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Cell controller and battery-monitoring device

Номер патента: US09755453B2. Автор: Mitsuo Noda,Mutsumi Kikuchi,Tomonori Kanai,Hikaru Miura,Akihiko KUDOH. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Intelligent battery systems, components for intelligent battery systems, methods of manufacturing and operating intelligent battery systems and components of the same

Номер патента: WO2023201083A2. Автор: Jason D. Fuhr,Arunraj Varatharajah,Rengaraj Balakrishnan,Tyler Thiel. Владелец: CPS Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: US20220221505A1. Автор: Aleksey S. Khenkin,John L. Melanson,John C. Tucker,Jeffrey A. Weintraub. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB2611712A. Автор: TUCKER John,Melanson John,KHENKIN Aleksey,A Weintraub Jeffrey. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-04-12.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB2610151A. Автор: Melanson John,S Khenkin Aleksey,C Tucker John,A Weintraub Jeffrey. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB2603855A. Автор: L Melanson John,S Khenkin Aleksey,C Tucker John,A Weintraub Jeffrey. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Systems and methods for a battery management system integrated in a battery pack configured for use in electric aircraft

Номер патента: US20230278460A1. Автор: Braedon Andrew Lohe,Cullen Forrest Jemison,Andrew Joseph Giroux. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Battery monitoring system

Номер патента: US09660303B2. Автор: Christoph Wenger,Michael Wolf,Marcus Bremmer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-05-23.

Systems and methods for a battery management system integrated in a battery pack configured for use in electric aircraft

Номер патента: US11999256B2. Автор: Braedon Andrew Lohe,Cullen Forrest Jemison,Andrew Joseph Giroux. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Protection monitoring circuit, battery pack, secondary battery monitoring circuit, and protection circuit

Номер патента: US09935451B2. Автор: Yoshihide Majima,Akira Ikeuchi. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device positioning system and method for semiconductor device positioning

Номер патента: EP3472670A1. Автор: Thijs Kniknie,Jozef Petrus Wilhelmus STOKKERMANS. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-24.

Rechargeable battery monitoring system, battery pack and electric vehicle

Номер патента: US20210104781A1. Автор: Yanhui FU,Qiandeng LI,Le CHU,Zhongliang Guo. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Battery monitoring network

Номер патента: US12083902B2. Автор: Rodger W. Eich,Douglas C. Campbell,Michael J. Sims,James S. Symanski,Thomas H. Morell,Dale A. Gospodarek. Владелец: CPS Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Modular battery monitor

Номер патента: US11978867B2. Автор: Willard A. Blevins,Inder J. Verma. Владелец: Air Transport Safety Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Modular battery monitor

Номер патента: US20220109196A1. Автор: Willard A. Blevins,Inder J. Verma. Владелец: Air Transport Safety Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Modular battery monitor

Номер патента: US20240120562A1. Автор: Willard A. Blevins,Inder J. Verma. Владелец: Air Transport Safety Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Battery monitoring system

Номер патента: US20230168311A1. Автор: Yoshikazu Furuta,Kazuo Matsukawa,Yoshiyuki UTAGAWA,Soya Taniguchi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Battery monitoring system

Номер патента: US20240272226A1. Автор: Tatsuhiro NUMATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method for battery management

Номер патента: US12117494B2. Автор: Tetsuya Watanabe,Masaki Uchiyama,Takuma NAKAGAWA,Tatsuhiro NUMATA,Shogo Shigemori,Taisuke Kurachi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Battery monitoring system for measuring carbon dioxide to detect imbalance in a group of parallel lithium-ion battery cells

Номер патента: US20240186598A1. Автор: Lei Wang,Michelle H. Wiebenga,Rasoul Salehi. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Vehicle battery monitoring system

Номер патента: US09766293B2. Автор: Pascal Muis,Michael J. Sims,Gregoire Lagabe,Frédéric ELOY,Jean-Claude Lemoult. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2017-09-19.

Battery monitoring device, power storage system, and control system

Номер патента: US09910099B2. Автор: Shoji Yoshioka,Toshihiro Wada,Yuruki OKADA,Sho Shiraga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit, battery monitoring device, and battery monitoring system

Номер патента: US11965933B2. Автор: Hitoshi Kobayashi,Keiichi Fujii,Yu Okada,Yosuke Goto,Kazuo Matsukawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-04-23.

Battery management system, battery pack, energy storage system, and battery management method

Номер патента: EP4203236A1. Автор: In-Cheol Shin,Young-Il Ko,Ui-Yong JEONG,Hyung-Jin Hwang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Battery monitoring device, battery transport apparatus, and battery monitoring method

Номер патента: US20240347795A1. Автор: Satoru Shimizu,Kazuyuki Ono,Kazuaki Mawatari,Hiroshige Matsui,Kumiko Kawabata. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Battery monitoring device, battery transport apparatus, and battery monitoring method

Номер патента: EP4455701A1. Автор: Satoru Shimizu,Kazuyuki Ono,Kazuaki Mawatari,Hiroshige Matsui,Kumiko Kawabata. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Systems and methods for efficient and scalable design of battery packs

Номер патента: US20230261269A1. Автор: Ankur Gupta,Sachin Ramesh Chandra,Eunbit CHO. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Battery monitoring device, and battery management unit

Номер патента: US20240345174A1. Автор: Satoru Shimizu,Kazuyuki Ono,Kazuaki Mawatari,Hiroshige Matsui,Kumiko Kawabata. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Busbar diagnosis device, battery pack, energy storage system, and busbar diagnosis method

Номер патента: US20230251315A1. Автор: Yong-Min Jo,Nak-Choon LEE,Mu-Yeon LEE,Ju-Yeon Jeong. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Battery monitoring device

Номер патента: US09966639B2. Автор: Hiroaki Kato,Satoshi Yamamoto,Ryusuke Hase,Takahiro Tsuzuku. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Storage battery monitoring system and method

Номер патента: EP3916408A1. Автор: Yu Liu,Qiandeng LI,Qidong LOU,Huixiu Luo. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Battery monitoring device, and battery management system

Номер патента: US20240345173A1. Автор: Satoru Shimizu,Kazuyuki Ono,Kazuaki Mawatari,Hiroshige Matsui,Kumiko Kawabata. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Battery monitoring device and battery management system

Номер патента: EP4455699A1. Автор: Satoru Shimizu,Kazuyuki Ono,Kazuaki Mawatari,Hiroshige Matsui,Kumiko Kawabata. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Rechargeable battery monitoring system, battery pack and electric vehicle

Номер патента: US11760226B2. Автор: Qiandeng LI,Guoxiu WU,Jianwei ZHUO,Zhongliang Guo. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Battery monitoring system provided with battery monitoring control circuit for reducing consumption power in sleep state

Номер патента: US11824390B2. Автор: Hitoshi Kobayashi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-21.

Storage battery monitoring system, battery pack and electric vehicle

Номер патента: EP3792097A1. Автор: Qiandeng LI,Guoxiu WU,Jianwei ZHUO,Zhongliang Guo. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Battery management device, control method and program therefor, and battery monitoring system provided with same

Номер патента: US20150244191A1. Автор: Akira Takeyama,Hitoshi Matsumura. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Rechargeable battery monitoring system, battery pack and electric vehicle

Номер патента: US20210107377A1. Автор: Qiandeng LI,Guoxiu WU,Jianwei ZHUO,Zhongliang Guo. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Battery monitoring system

Номер патента: US20240201266A1. Автор: Tatsuhiro NUMATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Battery monitoring device

Номер патента: US20210208201A1. Автор: Isao Ishibe,Syunya YAMAMOTO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Battery monitoring device and battery system monitoring device

Номер патента: US09519027B2. Автор: Akihiro Machida,Akihiko Kudo,Mutsumi Kikuchi,Tatsumi Yamauchi,Tomonori Kanai. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Assembled battery monitoring system

Номер патента: US20190064272A1. Автор: Yukihiro Tomonaga,Ryotaro Miura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Battery monitoring in emergency lighting systems

Номер патента: WO2013153107A1. Автор: Ian Wilson,David Dixon. Владелец: Tridonic Uk Limited. Дата публикации: 2013-10-17.

Short circuit protection device for battery monitoring system

Номер патента: US10998714B2. Автор: Hidetoshi Ishida,Shinichi Takase. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Battery monitoring circuit and battery monitoring system

Номер патента: US20120229094A1. Автор: Toshio Shiramatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Secondary-battery monitoring device and battery pack

Номер патента: US20160164311A1. Автор: Takeshi Yamaguchi,Norihito Kawaguchi,Shogo Nagata,Yasuaki So. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Circuit board for battery monitoring circuit and wire harness for connection therewith

Номер патента: EP4407745A1. Автор: Duk-You Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Battery monitoring unit

Номер патента: US20180088179A1. Автор: Yoshiaki Ichikawa,Takao Ota,Yoshiaki Nakayama,Kazuya HARAKAWA. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Secondary-battery monitoring device and battery pack

Номер патента: US09812887B2. Автор: Takeshi Yamaguchi,Norihito Kawaguchi,Shogo Nagata,Yasuaki So. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Battery monitoring apparatus

Номер патента: US11951870B2. Автор: Fumihiko HORI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Battery monitoring apparatus

Номер патента: US20240198853A1. Автор: Fumihiko HORI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Automatically determining alarm threshold settings for monitored battery system components in battery systems, and related components, systems, and methods

Номер патента: US20140242432A1. Автор: David Brown,David Robert Battle,Christopher James Belcher,Duncan Joseph Brown,George Feller. Владелец: NDSL Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Battery monitor system

Номер патента: US20230147469A1. Автор: Yoshikazu Furuta,Kazutaka Honda,Tomohiro Nezuka,Soya Taniguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Battery monitoring apparatus and battery monitoring method

Номер патента: US9878633B2. Автор: Dong-Hyun HWANG. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Battery Monitoring Device, Battery Monitoring Method, Battery Pack and Electric Vehicle

Номер патента: US20230375624A1. Автор: Won-Gon Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Battery monitoring apparatus and battery monitoring method

Номер патента: US20160159242A1. Автор: Dong-Hyun HWANG. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Battery monitor

Номер патента: WO1997001103A1. Автор: Peter Cecil Joseph Parsonage. Владелец: Jones, Gerald, Patrick. Дата публикации: 1997-01-09.

Battery monitoring device and program

Номер патента: US20240159835A1. Автор: Shunichi Kubo,Masaki Uchiyama,Taisuke Kurachi,Yuuki Hori. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Battery monitoring device

Номер патента: EP3611930A1. Автор: Jian Wang,Hironao Fujii. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2020-02-19.

Battery monitoring device

Номер патента: US20200057114A1. Автор: Jian Wang,Hironao Fujii. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Battery monitoring device, power storage system, and control system

Номер патента: US20160146896A2. Автор: Shoji Yoshioka,Toshihiro Wada,Yuruki OKADA,Sho Shiraga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Battery monitoring method and apparatus for performing the same

Номер патента: US20160164317A1. Автор: Sang-Ho Lee,Hee-Hyun LEE. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Battery Monitor and Controller

Номер патента: AU2015201937A1. Автор: Richard Arakelian,Andrew Reade. Владелец: Ark Corp Pty Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Battery monitoring apparatus

Номер патента: US20230333173A1. Автор: Masaki Uchiyama,Yuuki Hori. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Battery monitoring device

Номер патента: EP4266530A1. Автор: Masaki Uchiyama,Yuuki Hori. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Battery monitoring device and battery system monitoring device

Номер патента: US20150070023A1. Автор: Akihiro Machida,Akihiko Kudo,Mutsumi Kikuchi,Tatsumi Yamauchi,Tomonori Kanai. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2015-03-12.

Storage battery monitoring method, storage battery monitoring system, and storage battery system

Номер патента: US09720478B2. Автор: Hiroshi Hanafusa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Battery monitoring system, host controller, and battery monitoring device

Номер патента: US09696383B2. Автор: Akihiko Kudo,Mutsumi Kikuchi,Akihiko Emori,Tomonori Kanai,Hikaru Miura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Battery monitoring system for a lift device

Номер патента: US12036888B2. Автор: Michael Bolton,Patrick Booth,Stefan Eshleman. Владелец: Oshkosh Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Battery-monitoring system

Номер патента: US20240345169A1. Автор: Ken Tanaka,Keisuke Uchida,Satoru Shimizu,Satoshi Takada,Kazuyuki Ono,Kazuaki Mawatari,Hiroshige Matsui,Kumiko Kawabata. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Battery-monitoring system

Номер патента: EP4459590A1. Автор: Ken Tanaka,Keisuke Uchida,Satoru Shimizu,Satoshi Takada,Kazuyuki Ono,Kazuaki Mawatari,Hiroshige Matsui,Kumiko Kawabata. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Battery monitoring apparatus and battery monitoring system

Номер патента: US09651625B2. Автор: Akihiko Kudo,Mutsumi Kikuchi,Akihiko Emori,Tomonori Kanai,Hikaru Miura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Pairing of a battery monitor to a communication device

Номер патента: US09699818B2. Автор: Brent J. Grothaus,Dean Winner. Владелец: Crown Equipment Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Battery monitoring apparatus

Номер патента: US20240114580A1. Автор: Tatsuhiro NUMATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Power supply monitoring system using optical estimation

Номер патента: EP3602090A1. Автор: Chengwu Cui,Benjamin Martin Schweitzer. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Power supply monitoring system using optical estimation

Номер патента: US20180284197A1. Автор: Chengwu Cui,Benjamin Martin Schweitzer. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Battery monitoring system for measuring hydrogen concentration to detect battery cell overtemperature and predict thermal runaway

Номер патента: US20240186599A1. Автор: Wei Li,Lei Wang,Michelle H. Wiebenga,Rasoul Salehi. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Device detecting abnormality of secondary battery and semiconductor device

Номер патента: US20220045370A1. Автор: Kei Takahashi,Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Battery Monitoring Device, Battery Monitoring Method, Battery Pack, and Electric Vehicle

Номер патента: US20230352753A1. Автор: Won-Gon Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Battery monitoring units for monitoring battery packs

Номер патента: WO2023158744A1. Автор: Ankur Gupta,Sachin Ramesh Chandra,Eunbit CHO. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Battery monitoring device

Номер патента: US20220283244A1. Автор: Akira Kawamoto,Kazutaka Honda,Tatsuki HYODOU. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Systems and method for battery monitoring with over charge protection

Номер патента: US20230347787A1. Автор: Braedon Lohe. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB2611712B. Автор: TUCKER John,Melanson John,KHENKIN Aleksey,A Weintraub Jeffrey. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB2610151B. Автор: Melanson John,S Khenkin Aleksey,C Tucker John,A Weintraub Jeffrey. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB2603855B. Автор: L Melanson John,S Khenkin Aleksey,C Tucker John,A Weintraub Jeffrey. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB202218781D0. Автор: . Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB202301027D0. Автор: . Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

System and method for controlling an aircraft battery assembly

Номер патента: US20240332987A1. Автор: Richard Freer,Antwan Shenouda,Simon Lam,Remi ROBACHE,Raphael GARIEPY. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device positioning system and method for semiconductor device positioning

Номер патента: EP3472670B1. Автор: Thijs Kniknie,Jozef Petrus Wilhelmus STOKKERMANS. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-24.

SYSTEMS AND METHODS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE PROCESS DETERMINATION USING REFLECTIVITY MEASUREMENT

Номер патента: US20150292868A1. Автор: TSAI Chun Hsiung,YU De-Wei,Yu Sheng-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Systems and methods for semiconductor device process determination using reflectivity measurement

Номер патента: US9482518B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,De-Wei YU,Sheng-Wen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Aircraft battery charging system and method

Номер патента: EP4415214A3. Автор: Richard Freer,Antwan Shenouda,Simon Lam,Remi ROBACHE,Raphael GARIEPY. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Aircraft battery charging system and method

Номер патента: US20240332986A1. Автор: Richard Freer,Antwan Shenouda,Simon Lam,Remi ROBACHE,Raphael GARIEPY. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20150155355A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240363473A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4443481A2. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4456128A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US12117480B2. Автор: Shinsuke Suzuki,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09618563B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837326B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US20240361382A1. Автор: Tomonori Nakamura,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09829533B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180102310A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09562944B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-02-07.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230204658A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210011076A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240168086A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device testing apparatus and semiconductor device manufacturing method using it

Номер патента: US20020033707A1. Автор: Hideo Miura,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Hiroya Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

System and Method Implementing a Battery Avionics System for Electric-Powered Aircraft

Номер патента: US20240217391A1. Автор: Venkatasubramanian Viswanathan,Shashank SRIPAD,Alexander Bills. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method for depositing underfill material

Номер патента: US20240038716A1. Автор: Choo Par Tan,Ee May Lim,Chee Ern NG. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Energy storage device, systems and methods for monitoring and performing diagnostics on batteries

Номер патента: CA3071121A1. Автор: Ulf KROHN,Christer LINDKVIST,Frank Fleming,Don Karner. Владелец: Northstar Battery Co LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09985073B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09704912B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device manufacturing system, semiconductor device inspection device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12051629B2. Автор: Younghwan Kim,Youngsu Ryu,Seunghwa Hyun,Hwayoung Park,Yusang Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Organic semiconductor element, fabrication method thereof, woven and non-woven fabric structures therewith, and semiconductor device therewith

Номер патента: US09733209B2. Автор: Kang Eun LEE,Young Seok Oh,Jea Uk Lee,Moon Kwang Um,Dong Gi Seong,Byung Mun JUNG,Won Oh Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-08-15.

Information acquiring method, information acquiring apparatus, semiconductor device comprising array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20090317935A1. Автор: Atsushi Toda,Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Pattern-measuring apparatus and semiconductor-measuring system

Номер патента: US09990708B2. Автор: Takeshi Kato,Hiroyuki Shindo,Norio Hasegawa,Yutaka Hojo,Yasutaka Toyoda,Hitoshi SUGAHARA,Daisuke HIBINO. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Packaging Method and Semiconductor Device

Номер патента: US20180090657A1. Автор: YUE Fei,Ying Zhang,Xuhong Wang. Владелец: Shanghai Industrial Micro Technology Research Institute. Дата публикации: 2018-03-29.

System and method for semiconductor device print check alignment

Номер патента: IL294865B2. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-07-01.

System and Method for Semiconductor Device Print Check Alignment

Номер патента: US20210242059A1. Автор: HONG Chen. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

System and Method for Semiconductor Device Print Check Alignment

Номер патента: US20210242059A1. Автор: Chen Hong. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

System and method for semiconductor device print check alignment

Номер патента: IL294865B1. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-03-01.

System and method for semiconductor device print check alignment

Номер патента: IL294865A. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09472559B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170117421A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Storage system and semiconductor package with improved power supply efficiency

Номер патента: US20240242742A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Enhanced charge storage materials, related semiconductor memory cells and semiconductor devices, and related systems and methods

Номер патента: US09871044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney,Sumeet C. Pandey,Karl W. Holtzclaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Reduced power wireless battery management system and method

Номер патента: EP4173875A1. Автор: Taraka Rama Chandra Reddy Kambham,Ariton Xhafa,Tahar Allag,Mario Mlynek. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device manufacturing method, x-ray diffraction device and semiconductor pattern transfer system

Номер патента: US20240231234A1. Автор: Yasuhiro Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US12057442B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US09721941B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230053370A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device, display device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240274624A1. Автор: Hirotaka Hayashi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US9087160B2. Автор: Yasuhiro Yoshikawa,Motoo Suwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100698B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Chieh Chang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device configuring a back-illuminated solid state imaging device and semiconductor device manufacturing method thereof

Номер патента: US09997553B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20060097808A1. Автор: Kazuya Kawamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09478668B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170287954A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Non-conductive film sheet and semiconductor package including the same

Номер патента: US12062633B2. Автор: Yeongseok Kim,Joungphil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09893201B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09494830B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Power supply system and semiconductor package assembly

Номер патента: US20210210134A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor device having impedance calibration function to data output buffer and semiconductor module having the same

Номер патента: US09571102B2. Автор: Kentaro Hara. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

Compositions for removing photoresists and methods of manufacturing semiconductor devices and semiconductor packages using the compositions

Номер патента: US20240337948A1. Автор: Taeyoung Kim,YunSeok Choi,Hoon Han,Moonyoung KIM,Hyojin Yun,Woojung Park,SeungWon Kim,Jinhye Bae,Hyunseop Shin,Mintae Lee,Moonchang Kim,Cheolmo Yang. Владелец: KPX CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Compositions for removing photoresists and methods of manufacturing semiconductor devices and semiconductor packages using the compositions

Номер патента: US12044974B2. Автор: Taeyoung Kim,YunSeok Choi,Hoon Han,Moonyoung KIM,Hyojin Yun,Woojung Park,SeungWon Kim,Jinhye Bae,Hyunseop Shin,Mintae Lee,Moonchang Kim,Cheolmo Yang. Владелец: KPX CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Standard cell and semiconductor device including anchor nodes

Номер патента: US20240256751A1. Автор: Nien-Yu Tsai,Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Wen-Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8883635B2. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Combination-bonded die pair packaging and associated systems and methods

Номер патента: US11776926B2. Автор: Kyle K. Kirby,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Combination-bonded die pair packaging and associated systems and methods

Номер патента: US20220246569A1. Автор: Kyle K. Kirby,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Combination-bonded die pair packaging and associated systems and methods

Номер патента: US20220102308A1. Автор: Kyle K. Kirby,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Systems and methods of self-aligned trench mosfet contacts

Номер патента: US20200395245A1. Автор: Masaki Kuramae,Kouhei Uchida,Mitsuru Soma,Masahiro SHIMBO. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE POSITIONING SYSTEM AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE POSITIONING

Номер патента: US20170365502A1. Автор: Kniknie Thijs,Stokkermans Jozef Petrus Wilhelmus. Владелец: NEXPERIA B.V.. Дата публикации: 2017-12-21.

SYSTEMS AND METHODS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150155355A1. Автор: Losee Peter Almern,Bolotnikov Alexander Viktorovich. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-06-04.

System and method for battery management

Номер патента: US12105153B2. Автор: Tetsuya Watanabe,Masaki Uchiyama,Tatsuhiro NUMATA,Takuya Ohata,Shogo Shigemori,Taisuke Kurachi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Battery monitoring system

Номер патента: US09404975B2. Автор: Masahiko Amano,Akihiko Kudo,Mutsumi Kikuchi,Tatsumi Yamauchi,Kenji Kubo,Akihiko Emori,Yasuo Uemura,Yoshinori Aoshima,Gosuke Shibahara,Masahito Sonehara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Battery monitoring system with on demand diagnostic activation

Номер патента: EP2956329A2. Автор: Douglas C. Campbell,Michael J. Sims,Thomas H. Morell. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2015-12-23.

Battery monitoring system with on demand diagnostic activation

Номер патента: WO2014126686A2. Автор: Douglas C. Campbell,Michael J. Sims,Thomas H. Morell. Владелец: Johnson Controls Technology Company. Дата публикации: 2014-08-21.

Battery monitor circuit, storage apparatus, electronic apparatus, electric-powered vehicle, and power system

Номер патента: US09966759B2. Автор: Eiji Kumagai,Akira Sampei,Kazuharu Yanagihara. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Battery monitoring device and battery monitoring method

Номер патента: US12082118B2. Автор: Jun Suzuki,Tsuyoshi TAKAKU. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Battery monitoring system

Номер патента: US4394741A. Автор: Michael W. Lowndes. Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1983-07-19.

Battery system, battery monitoring method and apparatus

Номер патента: US20040251875A1. Автор: Hideki Miyazaki,Takuya Kinoshita,Akihiko Emori,Tokiyoshi Hirasawa,Tetsuro Okoshi. Владелец: Shin Kobe Electric Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

System and method for determining a vehicle battery status

Номер патента: US9764641B2. Автор: Michael J. Sims,Ronald B. Peel,Michael J. Laeder. Владелец: Medallion Instrumentation Systems LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Systems and methods for software-configurable battery monitoring system

Номер патента: US20190353713A1. Автор: Daniel James Miller,Brian A. Miller,Antoine D. Fifield. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Storage battery monitoring device with wiring disconnection detection

Номер патента: US09863993B2. Автор: Shinya Kato,Akihiro Machida. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Battery monitoring device and battery monitoring method

Номер патента: US20220167275A1. Автор: Jun Suzuki,Tsuyoshi TAKAKU. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Battery monitoring apparatus

Номер патента: US11906588B2. Автор: Akihiko Ito,Tatsuhiro NUMATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Battery monitoring apparatus

Номер патента: US20230393207A1. Автор: Akihiko Ito,Tatsuhiro NUMATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Leakage distribution estimation system and method of semiconductor device

Номер патента: US20190331723A1. Автор: Young Hwan Kim,Hyun Jeong KWON,Byeong Jun BANG. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2019-10-31.

Leakage distribution estimation system and method of semiconductor device

Номер патента: US11087056B2. Автор: Young Hwan Kim,Hyun Jeong KWON,Byeong Jun BANG. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2021-08-10.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266189A1. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20150001535A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20200135770A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method

Номер патента: US20050093026A1. Автор: Toshiki Seshita,Yoshitomo Sagae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09853122B2. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for assembling a carrier and a semiconductor device

Номер патента: US20010007288A1. Автор: Jeffrey Coffin,Peter Brofman,Kathleen Stalter,Anson Call. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20210118916A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20180190677A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20160111451A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US09899419B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor material, preparation method, and semiconductor device

Номер патента: EP4439639A1. Автор: Qi Zhang,Kun Ma,Chaoyang Luo,Yuhang Zhang,Yanjun Wang,Chenguang Sun,Qianzhi MA,Zuying YAO,Qiwang Wei,Haiyun GU,Zhicai LI. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Epitaxial structure of semiconductor device and preparing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240332371A1. Автор: HUI Zhang,Susu KONG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming interconnects and semiconductor structures

Номер патента: US09640433B2. Автор: Salman Akram,James M. Wark,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Film adhesive, dicing tape with film adhesive, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09484240B2. Автор: Yuki Sugo,Yuta Kimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Dicing die bonding film having excellent burr property and reliability and semiconductor device using the same

Номер патента: US09695345B2. Автор: Jang Soon Kim,Hyun Jee Yoo,Hyo Soon Park,Jong Wan Hong,Dong Han Kho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth

Номер патента: US09293625B2. Автор: Yanting SUN,Sebastian Lourdudoss. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-03-22.

Circuit board and semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010001428A1. Автор: Yuji Yagi,Takeo Yasuho. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-24.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US20100096721A1. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Resin composition, adhesive film for semiconductor device, and laminated film with metallic foil and semiconductor device using the same

Номер патента: EP1273630B1. Автор: Nobuo Matsumura,Toshio Yoshimura,Koichi Fujimaru. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2006-03-08.

Non-sequential monitoring of battery cells in battery monitoring systems, and related components, systems, and methods

Номер патента: US09612287B2. Автор: David Brown,Dat Tan Chau,Christopher James Belcher,Duncan Joseph Brown. Владелец: NDSL Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Battery monitoring system and battery monitoring chip

Номер патента: US09759781B2. Автор: Hisao Ohtake. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Assembled battery monitoring apparatus and assembled battery monitoring system

Номер патента: US20170012444A1. Автор: Syunji Kamei. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Battery monitoring apparatus with monitoring integrated circuit selectively powered by a high voltage battery or low voltage power supply powered by a low voltage battery

Номер патента: US20180328994A1. Автор: Shunichi Mizobe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Battery monitoring system

Номер патента: CA2408376C. Автор: William R. Plow,William C. Colley, Iii,Dale B. Garrett,David F. Essi, Iii. Владелец: Emerson Network Power Energy Systems Noth America Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Battery monitoring apparatus

Номер патента: US09977086B2. Автор: Shinsuke KAWAZU,Masamitsu Shinbo. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Battery monitoring device and battery monitoring system

Номер патента: US20190277918A1. Автор: Katsuo Yamasaki,Atsuhisa SUZUKI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Battery monitoring system

Номер патента: US11988716B2. Автор: Anirudh Allam,Simona ONORI. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2024-05-21.

Battery monitoring circuits

Номер патента: US20240175924A1. Автор: Yan Li,Guoxing Li. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Devices, systems and methods for manufacturing through-substrate vias and front-side structures

Номер патента: US09627295B2. Автор: Anurag Jindal,Hongqi Li,Jian He,Kyle K. Kirby,Lalapet Rangan VASUDEVAN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09613810B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09590067B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device package mold flow control system and method

Номер патента: US12062625B2. Автор: Hua Tan,Jerry Tang,Hope Chiu,Weiting Jiang,Simon Dong,Kent Yang,Rosy Zhao,Yuequan Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US20210183843A1. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09458535B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and semiconductor module including semiconductor devices

Номер патента: US20090184430A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Wafer with SOI structure having a buried insulating multilayer structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09590118B1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570407B2. Автор: Shuji Inoue,Takahiro Ebisui,Masako Furuichi. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device, substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09520374B2. Автор: Hiroaki Matsubara,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12074215B2. Автор: Tomomi Yamanobe,Yoshinobu Takeshita,Kazutaka Kodama,Minako Oritu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Optical semiconductor device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12126138B2. Автор: Atsushi Nakamura,Hideaki Asakura,Shunya YAMAUCHI,Hayato TAKITA. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590098B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09502520B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490242B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490216B2. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09466689B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09431501B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Oxide semiconductor layer and semiconductor device

Номер патента: US09306072B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688864C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor encapsulation material and semiconductor device

Номер патента: US12033907B2. Автор: Chika Arayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160322261A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230253275A1. Автор: Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011045398A1. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and semiconductor module provided with same

Номер патента: US20180204778A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Shigeru Hasegawa,Isao Umezaki,Ryutaro Date,Ryo Tsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230197470A1. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120217478A1. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160322251A1. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor device and semiconductor package including same

Номер патента: US20240213200A1. Автор: Reona Takeoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of forming interposer frame electrically connected to embedded semiconductor die

Номер патента: US09966335B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09954065B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor package, interposer and semiconductor process for manufacturing the same

Номер патента: US09947635B1. Автор: Wen-Long Lu,Chi-Chang Lee,Yuan-Feng CHIANG,Chung-Hsi Wu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09917138B1. Автор: Yusuke Goki,Keiichi Takenaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09853023B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semicondcutor structure and semiconductor manufacturing process thereof

Номер патента: US09837366B1. Автор: Chin-Yu Ku,Rung-De Wang,Wei-Lun Hsieh,Chen-Hsun Liu,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai,Jheng-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837317B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09818895B2. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09768294B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US09711693B2. Автор: Chung Hoon Lee,Dae Sung Kal,Ki Bum Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09595476B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09553144B2. Автор: Toru Mori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09525038B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09520473B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240006475A1. Автор: Seiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3993061A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20220140120A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9761708B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and semiconductor device preparation method

Номер патента: EP3933903A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: US20080203401A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160247915A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Manufacturing method for semiconductor chips and semiconductor wafer

Номер патента: WO2006075725A3. Автор: Kiyoshi Arita,Teruaki Nishinaka. Владелец: Teruaki Nishinaka. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7622351B2. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20220246632A1. Автор: Takeshi Shimane. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085182A1. Автор: Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda,Junji Kataoka,Nobuyoshi Saito,Shushu ZHENG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040191996A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060022196A1. Автор: Hiroshi Ohta,Sachie Tone,Masahiro Ninomiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Wafer alignment for stacked wafers and semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230065325A1. Автор: Eiichi Nakano,Shiro Uchiyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230402548A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kenichiro TORATANI,Ha Hoang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Heat dissipation structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240321681A1. Автор: Sunggu Kang,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim,Sungho Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US12136569B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and electronic apparatus of a cascode-coupled system

Номер патента: US09960153B2. Автор: Satoru Akiyama,Hiroyoshi Kobayashi,Hisao Inomata,Sei SAITOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US09892996B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09748244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Bump structures, semiconductor device and semiconductor device package having the same

Номер патента: US09741675B2. Автор: Dao-Long Chen,Chang-Chi Lee,Chien-Fan Chen,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735109B2. Автор: Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for processing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653296B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09647142B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09583630B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09536998B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09490179B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US09478603B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09478545B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09443817B2. Автор: Yoshinori Kondo,Katsuhiko Hotta,Ayaka Okumura,Hiroaki OSAKA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09437682B2. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20160247736A1. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240030324A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3817068A1. Автор: Soichi Yoshida,Atsushi SHOUJI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20210384144A1. Автор: Seok-hyun Lee,Youn-ji MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240258401A1. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105637A1. Автор: Akio Yamano,Yuta EBUKURO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20210296476A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309294A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Kotaro Noda,Nobuyoshi Saito,Takanori Akita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor component including the same preliminary class

Номер патента: US12051767B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20230307393A1. Автор: Shinichi Akiyoshi,Kouki Yamamoto,Ryouichi AJIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US12068404B2. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and semiconductor device package having an electrode recess with a different inclination angle than an inclination angle of an electrode in the recess

Номер патента: US11749778B2. Автор: Sung Min Hwang,June O Song,Chang Man LIM,Se Yeon Jung,Tae Sung Lee,Byung Yeon CHOI,Chang Hyeong LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170309547A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package

Номер патента: US10847616B2. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Lead frames including inner-digitized bond fingers on bus bars and semiconductor device package including same

Номер патента: US20020109212A1. Автор: David Corisis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US12080664B2. Автор: Shinichi Akiyoshi,Kouki Yamamoto,Ryouichi AJIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024170052A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronics arrangement and semiconductor switching device having the electronics arrangement

Номер патента: US20240334641A1. Автор: Nina Müller,Matthias Eisner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and semiconductor manufacturing process

Номер патента: US09911709B1. Автор: Chun-Jun ZHUANG,Wei-Hang Tai,Pin-Ha Chuang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09893179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09865741B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842926B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09824905B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09779978B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09741641B2. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09698569B2. Автор: Isao Watanabe,Satoshi Ae,Tetsuro Okuda,Shoutarou KITAMURA,Suguru Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor package and semiconductor device including the same

Номер патента: US09679874B2. Автор: Jae Choon Kim,Kyol PARK,Chajea JO,Jin-kwon Bae,Jichul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09570439B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09559027B2. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240324163A1. Автор: Takayuki Tsukagoshi,Daichi Sugawara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device having wire studs as vertical interconnect in FO-WLP

Номер патента: US09443797B2. Автор: Yaojian Lin,Jose A. Caparas,Pandi C. Marimuthu,Sheila Marie L. Alvarez,Yang Kern Jonathan Tan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09356026B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US12034069B2. Автор: Shigeki Yoshida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US11923328B2. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20240250053A1. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Oxide semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20200027955A1. Автор: Naoto Kikuchi,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor element, electronic device comprising semiconductor element, and semiconductor chip

Номер патента: US20240222552A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Tsau-Hua Hsieh,Chun-Hui Huang,Wei-Ta HUANG,Tzu-Yi Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20160276351A1. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190006268A1. Автор: Masatoshi Sugiura,Hiroi Oka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240282805A1. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Monocrystalline silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240105782A1. Автор: Jing Yao,Jian Yang,Guangming Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU,Qing Yong. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20120306068A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: WO2012020290A3. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-05-18.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20200381557A1. Автор: Shigeki Hattori,Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12100688B2. Автор: Akihiro Kimura,Kaito Inoue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170077040A1. Автор: Takeshi Watanabe,Yuusuke Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240321974A1. Автор: Toru Sugiyama,Hideki Sekiguchi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240321995A1. Автор: Shosuke Fujii,Masayuki Tanaka,Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Masaya Toda,Wakako Moriyama,Shoichi Kabuyanagi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4451327A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device and semiconductor component including the same

Номер патента: US12125956B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ming Chen,Chun-Wei Chang,Chung-Hao Wang,Yu-Tsu Lee,Wei-Jen Hsueh,Yi-Yang Chiu,Min-Hao YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device, communication module, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12068407B2. Автор: Masashi Yanagita,Katsuji Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US09966317B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Joung-yeal Kim,Mi-Young Woo,Dae-Hyun KWON,Joon-Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09941112B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09865606B2. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect in FO-WLCSP using leadframe disposed between semiconductor die

Номер патента: US09842808B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate

Номер патента: US09818734B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of forming conductive vias by direct via reveal with organic passivation

Номер патента: US09768066B2. Автор: XING Zhao,Duk Ju Na,Lai Yee Chia. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor compound structure and method of fabricating the same using graphene or carbon nanotubes, and semiconductor device including the semiconductor compound structure

Номер патента: US09748094B2. Автор: Sang-jin Lee,Jun-hee Choi,Un-Jeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods

Номер патента: US09716147B2. Автор: Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of forming a wafer level package with top and bottom solder bump interconnection

Номер патента: US09589876B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Oxide semiconductor film, method for forming oxide semiconductor film, and semiconductor device

Номер патента: US09583632B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor package and semiconductor package mounting structure

Номер патента: US09577310B2. Автор: Toshihide Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Optical apparatus having resin encased stacked optical and semiconductor devices

Номер патента: US09502455B2. Автор: Hiroki Yamashita,Shigefumi Dohi,Toshitaka Akahoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Cell structure of semiconductor device, preparation method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20240014301A1. Автор: Bo Shi,Ting Xiao,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and semiconductor module with improved heat dissipation

Номер патента: US12033916B2. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Lead frame of semiconductor device, integrated-type lead frame of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230317572A1. Автор: Shogo Shibata,Kazufumi Oki,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US10636885B2. Автор: Takeshi Imamura,Ryou Kato,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Toshikazu Imai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

System and Method of Cleaning and Inspecting Semiconductor Die Carrier

Номер патента: US20230058682A1. Автор: TAO Hu,Hua Hong Tan,Wing Keung Lam,Zong Xiang Cai,Wei Ming Xian,Yao Hong Wu. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20030214032A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: EP4044254A3. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20220293581A1. Автор: Hideo Numata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Tableted epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same

Номер патента: US20200199351A1. Автор: Sang Kyun Kim,Sang Jin Kim,Dong Hwan Lee,Young Joon Lee,Tae Shin Eom,Yong Han CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: US7402898B2. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160247682A1. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20150155253A1. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US9711481B2. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US8963304B2. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US20230411336A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240105681A1. Автор: Masayuki Miura,Satoru Itakura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US7161222B2. Автор: Motoki Kobayashi,Fumio Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-09.

Integration of boron arsenide into power devices and semiconductors for thermal management

Номер патента: EP4315407A1. Автор: Yongjie HU. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-07.

Thermal interface material paste and semiconductor package

Номер патента: US11876031B2. Автор: Wonkeun Kim,Joungphil LEE,Mihyae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20240130125A1. Автор: Masayuki Kitamura,Hiroshi Toyoda,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Takayuki Beppu,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210280543A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230352317A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Ladder annealing process for increasing polysilicon grain size in semiconductor device

Номер патента: US12052868B2. Автор: Lei Li,Tuo Li,Hao PU,Caiyu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170250191A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Manufacturing method for semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120217497A1. Автор: Fumito Shoji,Noriteru Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240203832A1. Автор: Koji Watanabe,Tetsu Ohtou,Tomonari Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device, and semiconductor device mounting body

Номер патента: US20240282681A1. Автор: Hidetoshi Abe,Masashi Hayashiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150194368A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20230094425A1. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Method to form semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US20230317526A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,John Zhang,Sunil Singh,Chun Yu Wong,Heng Yang. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Contact forming method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20110073922A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Hiroaki Tanaka,Akinobu Teramoto,Tatsunori Isogai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170025321A1. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20080173980A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Tomohiro Uno. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: EP2599107A2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20070126063A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220181490A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Low dielectric constant material having thermal resistance, insulation film between semiconductor layers using the same, and semiconductor device

Номер патента: US20060091382A1. Автор: Noboru Mikami,Sei Tsunoda,Hideharu Nobutoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080048247A1. Автор: Koji Yoshida,Nobuyoshi Takahashi,Hiroaki Kuriyama,Fumihiko Noro,Masataka Kusumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090039473A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Resin composition for encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20240263004A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Ryuhei Yokota,Hiroki HORIGOME. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US20240258434A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230225101A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US12089395B2. Автор: Tomomasa Ueda,Yuta Sato,Keiji Ikeda,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20120142167A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120086121A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240297250A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A2. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A3. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Methods for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US12114483B2. Автор: Dandan He. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US20240318320A1. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US09947801B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09911705B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US09865639B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device prepared using the same

Номер патента: US09850390B2. Автор: Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Joo Young Chung,Jin Min Cheon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842869B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of forming insulating layer in notches around conductive TSV for stress relief

Номер патента: US09837336B2. Автор: Chang Bum Yong,Won Kyoung Choi,Jae Hun Ku. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor device containing oxygen-related thermal donors

Номер патента: US09825131B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Michael Stadtmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US09786630B2. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780163B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09768139B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09761463B2. Автор: Takamitsu Yoshida,Atsuko Kawasaki,Kazumasa Tanida,Kuniaki Utsumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US09748401B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takayuki Inoue,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Suzunosuke Hiraishi,Hiromichi Godo,Koki Inoue,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09748259B1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735110B2. Автор: Ryosuke Nakagawa,Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device encapsulated by the same

Номер патента: US09735076B2. Автор: So Yoon KIM,Yoon Man LEE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Chip-scale package and semiconductor device assembly

Номер патента: US09728935B2. Автор: Jihua Du,Jay A. Skidmore,Vincent V. Wong,Kong Weng Lee. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods of forming III-V semiconductor structures using multiple substrates, and semiconductor devices fabricated using such methods

Номер патента: US09716164B2. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09705286B2. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Co-fabricated bulk devices and semiconductor-on-insulator devices

Номер патента: US09691787B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09653390B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09646908B2. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices having through electrodes, methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the same

Номер патента: US09595499B2. Автор: Wan Choon PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Interconnection structure, fabricating method thereof, and semiconductor device using the same

Номер патента: US09576908B1. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Hung Lin,Horng-Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Analog circuit and semiconductor device

Номер патента: US09419020B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Atsushi Hirose,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device, electronic device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09412715B2. Автор: Kozo Shimizu,Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of manufacturing a semiconductor device with buried channel/body zone and semiconductor device

Номер патента: US09368408B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180204813A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140091319A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Device mounting board and semiconductor module

Номер патента: US20110100696A1. Автор: Kiyoshi Shibata,Takanori Hayashi,Masayuki Nagamatsu. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US12040381B2. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20160035713A1. Автор: Kazushige Iwamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Semiconductor Device Layout

Номер патента: US20210343700A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240170536A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20230274938A1. Автор: Chi On Chui,Da-Yuan Lee,Shu-Han Chen,Tsung-Ju CHEN,Hao-Ming Tang,Yun-San Chien,Yi-Hsin Ting,Han-Shen WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170365981A1. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Method for producing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230230926A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4383318A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7855125B2. Автор: Takaoki Sasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013150927A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-10.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230006064A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20200365739A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Electroless-plating solution and semiconductor device

Номер патента: WO2002099164A3. Автор: Hiroaki Inoue,Kenji Nakamura,Moriji Matsumoto. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2004-05-21.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230005825A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor wafer

Номер патента: US20200381256A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20070045792A1. Автор: Kenji Fuchinoue. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240250019A1. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020001959A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230282582A1. Автор: Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Gyuho KANG,Seong-Hoon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230290882A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kenichiro TORATANI,Ha Hoang,Tomoki ISHIMARU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150171021A1. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20230032353A1. Автор: Naohito Mizuno,Takahiro Nakano,Yasushi Ookura,Seigo Oosawa,Yoshihiro INUTSUKA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240322011A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and package substrates having pillars and semiconductor packages and package stack structures having the same

Номер патента: US20160049377A1. Автор: Tae-Hyeong Kim,Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Ji-Hwang KIM,Yeong-kwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Oxide film reaction surface control agent, method of forming oxide film using oxide film reaction surface control agent, semiconductor substrate including oxide film, and semiconductor device including semiconductor substrate

Номер патента: US20240352583A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09948064B2. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Organosiloxane, curable silicone composition, and semiconductor device

Номер патента: US09944772B2. Автор: Haruhiko Furukawa,Yusuke Miyamoto,Tomohiro Iimura,Sawako INAGAKI,Nohno TODA. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09935093B2. Автор: Kazushige Iwamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09922902B2. Автор: Ken Miyairi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09716006B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US09691685B2. Автор: Hyung-Jun Jeon,Byung-lyul Park,Ji-Soon Park,Jum-Yong Park,Jin-Ho Chun,Kyu-Ha Lee,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653592B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09627347B2. Автор: Motohiro Suzuki,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Shunsuke Nemoto,Fumiki Kato,Thanh Tung Bui,Lai Na Ma. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09613888B2. Автор: Hiroyuki Okabe,Nobuya Nishida,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures

Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device using surface treatment and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09576840B2. Автор: Sunyoung Lee,Han Ki LEE,Sungho Kang,Jaeyoung Park,Kichul Kim,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09570626B2. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Lead frame and semiconductor device

Номер патента: US09548261B2. Автор: Hiroto Tamaki,Yoshitaka Bando,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09508671B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US09490362B2. Автор: XINPENG WANG,Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura,Nozomu Harada,Yisuo Li,Zhixian Chen,Aashit Ramachandra Kamath,Teng Soong PHUA,Patrick Guo-Qiang Lo. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09455240B2. Автор: Nobuhiro Kinoshita,Kazunori Hasegawa,Michiaki Sugiyama,Takafumi Nishita,Jumpei Konno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor devices and package substrates having pillars and semiconductor packages and package stack structures having the same

Номер патента: US09449930B2. Автор: Tae-Hyeong Kim,Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Ji-Hwang KIM,Yeong-kwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09412829B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method for manufacturing same and semiconductor substrate

Номер патента: US09373686B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Packaging structure, packaging method, and semiconductor device

Номер патента: EP4307351A1. Автор: LIANG Chen,Wei Jiang,Hongwen Li,Kai Tian,Mengfan LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9735258B2. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US12051688B2. Автор: Keiichi Murayama,Kazumi TSUTSUMIDA,Katsuyoshi Jokyu. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-30.

Interposer device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240213129A1. Автор: Hung-Yi Chang,Sheng-Fan Yang,Hao-Yu Tung,Wei-Chiao WANG,Yi-Tzeng LIN,Wei-Hsun LIAO. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9613873B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240290774A1. Автор: Keiichi Murayama,Kazumi TSUTSUMIDA,Katsuyoshi Jokyu. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-08-29.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170263507A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170179251A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20200048454A1. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US10793712B2. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US12087850B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Kenichi Matsushita,Norio Yasuhara,Yusuke Kawaguchi,Keiko Kawamura,Hiroko Itokazu,Shoko HANAGATA,Daiki Yoshikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and semiconductor unit

Номер патента: US12068434B2. Автор: Tatehito Kobayashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Leadframe and semiconductor device

Номер патента: US09984958B2. Автор: Shintaro Hayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof and semiconductor structure

Номер патента: US09842771B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Hung-Ming Chang,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09825153B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor substrate and semiconductor device including the same

Номер патента: US09818824B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Seung Hun Lee,Moon Seung Yang,Sun Jung Kim,Eun Hye Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09722060B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Akira Okada,Eiji NOJIRI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of forming anisotropic conductive film between semiconductor die and build-up interconnect structure

Номер патента: US09620455B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US09613873B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09577075B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US09564531B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US09564298B2. Автор: Ik-Soo Kim,Myoung-woon Kim,Su-Ho Lee,Ju-Hee Lee,Jae-Beom Park,Won-hyuk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor package and semiconductor module

Номер патента: US09536843B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US09431321B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Shinya Watanabe,Taku Kamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Shaft members, process kits and semiconductor processing systems having shaft members, and methods of making semiconductor processing systems

Номер патента: US20240222187A1. Автор: Han Ye,Felix Rabinovich,Wentao Wang,Aniket Chitale,Bradley Wayne Evans,Gary Urban Keppers,Amin Azimi,Gregory Rosendahl. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Substrate and semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210327815A1. Автор: Shin-Luh Tarng,Ian HU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Optical semiconductor device and semiconductor laser device

Номер патента: US20220344906A1. Автор: Hiroyuki Tarumi,Kenichi Nishi,Yuki Kamata,Yutaka Ohnishi,Keizo Takemasa. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20230207683A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282517A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230411327A1. Автор: Masayoshi Tagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and semiconductor memory cell including the same

Номер патента: EP4254512A1. Автор: Yongjin Lee,Yongseok Kim,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Sungwon Yoo,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device and semiconductor memory cell including the same

Номер патента: US20230307551A1. Автор: Yongjin Lee,Yongseok Kim,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Sungwon Yoo,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230301109A1. Автор: Takeshi Shimane,Tadayoshi UECHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20140374898A1. Автор: Kousuke Komatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor device including through electrode and semiconductor package including the same

Номер патента: US20220367321A1. Автор: Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon,Myungjoo PARK,Hakseung LEE,Sonkwan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Polysilicon fuse, manufacturing method thereof, and semiconductor device including polysilicon fuse

Номер патента: US20140339675A1. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Logic circuit formed using unipolar transistor, and semiconductor device

Номер патента: US12040795B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Shintaro Harada,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device substrate and semiconductor device

Номер патента: US8659120B2. Автор: Atsushi Kikuchi,Yoshihiko Ikemoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-02-25.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor wafer

Номер патента: US20230160104A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Chiaki Sasaoka,Yoshitaka Nagasato,Junji Ohara. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8466518B2. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120038000A1. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A2. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190244808A1. Автор: Tetsuya Sakuma. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US7852608B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Tomokazu Higuchi,Masanori Yoshitani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor base plate and semiconductor device

Номер патента: US20230064989A1. Автор: Qiang LONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20200303237A1. Автор: Shogo Shibata,Kosuke Yamaguchi,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama,Seiya SUGIMACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Quasicrystalline material and semiconductor device applying the same

Номер патента: US20200347485A1. Автор: Joungeun YOO,Eunsung Lee,Duseop Yoon,Dohyang Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-11-05.

Cesium-niobium-chalcogenide compounds and semiconductor devices including the same

Номер патента: US11866344B2. Автор: Nouar Tabet,Fadwa EL-MELLOUHI,Stefano Sanvito,Heesoo PARK,Fahhad ALHARBI. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2024-01-09.

Cesium-niobium-chalcogenide compounds and semiconductor devices including the same

Номер патента: US20210269326A1. Автор: Nouar Tabet,Fadwa EL-MELLOUHI,Stefano Sanvito,Heesoo PARK,Fahhad ALHARBI. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2021-09-02.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20240258413A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240088258A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Packaging structure, manufacturing method therefor and semiconductor device

Номер патента: EP4307352A1. Автор: LIANG Chen,Hongwen Li,Kai Tian,Changhao QUAN,Yuxia Wang,Yingdong GUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7952148B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7892913B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8536708B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8030207B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080284027A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240250025A1. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8338953B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140097494A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150235850A1. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Via structures including etch-delay structures and semiconductor devices having via plugs

Номер патента: US9728572B2. Автор: Byung-Jun Park,Chang-Rok Moon,Seong-Ho Oh,Tae-Seok Oh,Seung-Hun Shin,June-Taeg Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220384473A1. Автор: Kazuya Takahashi,Genji Nakamura,Muneyuki Otani,Sara Otsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: US20070257374A1. Автор: Yoshihiro Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282572A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Doping method and semiconductor device fabricated using the method

Номер патента: EP1396880A3. Автор: Toshihiko Nat. Inst. of A. I. S. & T. Kanayama,Takehide Nat. Inst. of A. I. S. & T. Miyazaki,Hidefumi NEC Corporation Hiura. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2006-07-12.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120199946A1. Автор: Satoshi Kageyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020127869A1. Автор: Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020013066A1. Автор: Kazuo Maeda,Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor module design method and semiconductor module

Номер патента: US20120079446A1. Автор: Kenji Fujimoto,Hiroyuki Ogino,Masanori Ueno,Hiromichi Kumakura. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140097448A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Chang-Yong Um,Woong-je SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Chalcogen compound and semiconductor device including the same

Номер патента: US20220149114A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Yongyoung PARK,Dongho Ahn,Chungman Kim,Segab Kwon,Seunggeun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US7846792B2. Автор: Masanori Terahara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20160149056A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Teruyuki Ohashi,Johji Nishio,Kazuto Takao,Ryosuke llJIMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Chalcogen compound and semiconductor device including the same

Номер патента: US12063793B2. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Yongyoung PARK,Dongho Ahn,Chungman Kim,Segab Kwon,Seunggeun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: US20220181525A1. Автор: Wataru KATAYAMA. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and semiconductor device production method

Номер патента: US20150137358A1. Автор: Azusa Yanagisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170194433A1. Автор: Seung Hyun Kim,Soo Chang Kang,Yong Won Lee,Dae Won HWANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Cesium-niobium-chalcogenide compounds and semiconductor devices including the same

Номер патента: WO2019156580A2. Автор: Nouar Tabet,Fadwa EL-MELLOUHI,Stefano Sanvito,Heesoo PARK,Fahhad ALHARBI. Владелец: TRINITY COLLEGE DUBLIN. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor module and semiconductor device container

Номер патента: US11502011B2. Автор: Tomoki Ohno. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9337327B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8101462B2. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-24.

Semiconductor device and semiconductor device with cooling member

Номер патента: US12074088B2. Автор: Takahiko Murakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Adhesive film for semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: US10818610B2. Автор: Young Kook Kim,Kwang Joo Lee,Hee Jung Kim,Nu Ri Na. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Anti-theft system and method for semiconductor devices and other electronic components

Номер патента: US7681247B2. Автор: Emrys J. Williams. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

Advanced Battery Systems and Related Sensor Integration and Data Acquisition Apparatus, Method, and System

Номер патента: US20240042632A1. Автор: David Kyle Miller,James Lowell Ramsey Clarke,William Lloyd Huston,John Ramsey Clarke. Владелец: Forward Entertainment & Technology LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Systems and methods for monitoring and enhancing utilization of batteries for electric vehicles

Номер патента: WO2017083630A1. Автор: Robert J. SCARINGE. Владелец: Rivian IP Holdings, LLC. Дата публикации: 2017-05-18.

Battery management system and method

Номер патента: CA2485017C. Автор: Jonathan Malton,Joseph C. Chen. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2009-12-22.

The system and method using semiconductor device to be bus voltage electric discharge

Номер патента: CN103023284B. Автор: R.M.兰索姆,D.唐. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-08-17.

Delay locked loop circuit and semiconductor device having the delay locked loop circuit

Номер патента: US20110109357A1. Автор: Jun Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09559691B1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09450574B2. Автор: Sang Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09455692B2. Автор: Seung Han Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Encoder, decoder and semiconductor device including the same

Номер патента: US20140317472A1. Автор: Joon-Woo Kim,Hong-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

MONITORING SYSTEM, SYSTEM, AND MONITORING METHOD

Номер патента: US20150067152A1. Автор: HOSHINO Tatsuya. Владелец: RICOH COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2015-03-05.

Battery monitoring apparatus, battery system, and vehicle control system

Номер патента: WO2015022731A1. Автор: 彰彦 工藤,睦 菊地,金井　友範,光 三浦. Владелец: 日立オートモティブシステムズ株式会社. Дата публикации: 2015-02-19.

BATTERY MONITORING AND TESTING SYSTEM AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20200386820A1. Автор: Curnick Oliver James,Harper John Christopher,Sansom Jonathan Edward Harrison. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

System and method for semiconductor device testing

Номер патента: US20210096173A1. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

SYSTEM AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE TESTING

Номер патента: US20210096173A1. Автор: Chen Hao,Wang Mill-Jer. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

LEAKAGE DISTRIBUTION ESTIMATION SYSTEM AND METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190331723A1. Автор: KIM Young Hwan,KWON Hyun Jeong,BANG Byeong Jun. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Inspection data analysis program, defect inspection apparatus, defect inspection system and method for semiconductor device

Номер патента: US6826735B2. Автор: Hisafumi Iwata,Makoto Ono,Kanako Harada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-11-30.

Battery monitoring device and battery monitoring system

Номер патента: US09515503B2. Автор: Masaaki Morikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Battery monitoring and control integrated circuit and battery system

Номер патента: US09853463B2. Автор: Akihiro Machida,Akihiko Kudo,Mutsumi Kikuchi,Akihiko Emori. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Battery management system and related methods

Номер патента: US20180287430A1. Автор: Nasser Kutkut,Thikrallah SHREAH. Владелец: Advanced Charging Technologies LLC. Дата публикации: 2018-10-04.

Switch power supply, power battery system, and vehicle

Номер патента: EP4167430A1. Автор: Weiqiang Li,Weijie Chen. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-19.

Battery monitoring apparatus

Номер патента: US20130099748A1. Автор: Takumi Shimizu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Systems and methods for smart chain charging of rechargeable batteries in electric vehicles

Номер патента: US12012008B2. Автор: David Bowman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device control method

Номер патента: US20230109445A1. Автор: Keisuke KIYOMIZU. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Electric vehicle battery monitoring system

Номер патента: WO2017151813A1. Автор: Phillip John Weicker,Garrett David Heinen. Владелец: Faraday&Future Inc.. Дата публикации: 2017-09-08.

Battery cell monitoring circuit and battery cell monitoring system

Номер патента: US09753089B2. Автор: Atsuhisa SUZUKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Battery monitoring system

Номер патента: US20220074999A1. Автор: Yoshikazu Furuta,Takeshi Kondo,Kazutaka Honda,Soya Taniguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Battery monitoring device

Номер патента: US20240329157A1. Автор: Ryo Matsumoto. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Battery monitoring device and battery system monitoring device

Номер патента: US09568557B2. Автор: Akihiro Machida,Akihiko Kudo,Mutsumi Kikuchi,Tatsumi Yamauchi,Tomonori Kanai. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, battery monitoring system, measurement method, and equalization method

Номер патента: US20230098901A1. Автор: Takatsugu KAI. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Battery monitoring method, battery and unmanned aerial vehicle

Номер патента: US20240004405A1. Автор: Wei Qin. Владелец: Autel Robotics Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

A battery monitoring system

Номер патента: GB2221046B. Автор: Andrew Simon Clegg. Владелец: Opalport Electronics Ltd. Дата публикации: 1992-08-26.

Battery monitoring system

Номер патента: US11892514B2. Автор: Yoshikazu Furuta,Takeshi Kondo,Kazutaka Honda,Soya Taniguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Battery monitoring device and power state monitoring method

Номер патента: US20190162794A1. Автор: Hidenori Matsutou. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Battery monitor system

Номер патента: US3786343A. Автор: J Ehlers. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1974-01-15.

Apparatus and methods for battery monitoring using discharge pulse measurements

Номер патента: US9983266B2. Автор: Hassan Al-Atat,Balakrishnan Arumugam,Mayuresh Arun Shendurnikar,Arti Dayma,Webb L. Burgess. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

System and method for controlling an aircraft battery assembly

Номер патента: EP4415216A1. Автор: Richard Freer,Antwan Shenouda,Simon Lam,Remi ROBACHE,Raphael GARIEPY,Fraz Ahmad Kharal. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

System and method for controlling an aircraft battery assembly

Номер патента: US20240333007A1. Автор: Richard Freer,Antwan Shenouda,Simon Lam,Remi ROBACHE,Raphael GARIEPY,Fraz Ahmad Kharal. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Aircraft battery charging system and method

Номер патента: EP4415214A2. Автор: Richard Freer,Antwan Shenouda,Simon Lam,Remi ROBACHE,Raphael GARIEPY. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Aircraft battery charging system and method

Номер патента: EP4415215A2. Автор: Richard Freer,Antwan Shenouda,Simon Lam,Remi ROBACHE,Raphael GARIEPY. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Aircraft battery charging system and method

Номер патента: EP4415215A3. Автор: Richard Freer,Antwan Shenouda,Simon Lam,Remi ROBACHE,Raphael GARIEPY. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Aircraft battery charging system and method

Номер патента: US20240333020A1. Автор: Richard Freer,Antwan Shenouda,Simon Lam,Remi ROBACHE,Raphael GARIEPY. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for controlling an aircraft battery assembly

Номер патента: EP4415213A2. Автор: Richard Freer,Antwan Shenouda,Simon Lam,Remi ROBACHE,Raphael GARIEPY. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

System and method for controlling an aircraft battery assembly

Номер патента: EP4415213A3. Автор: Richard Freer,Antwan Shenouda,Simon Lam,Remi ROBACHE,Raphael GARIEPY. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor drive device and semiconductor module

Номер патента: US20240195408A1. Автор: Tatsunori Sakano,Kento Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240324180A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Takuya KIKUCHI,Ken SHIMOMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20190207426A1. Автор: Koji Morita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160197603A1. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Periodic signal generation circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09887691B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Myeong Jae PARK,Woo Yeol SHIN,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Periodic signal generation circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09722583B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Myeong Jae PARK,Woo Yeol SHIN,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device reliability model and methodologies for use thereof

Номер патента: US20140380261A1. Автор: Baozhen Li,Jeanne P. Bickford,Nazmul Habib,Pascal A. Nsame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device reliability model and methodologies for use thereof

Номер патента: US20150106780A1. Автор: Baozhen Li,Jeanne P. Bickford,Nazmul Habib,Pascal A. Nsame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Methods of Manufacturing Memory Units, and Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20090162998A1. Автор: Man-Hyoung Ryoo,Takahiro YASUE,Byeong Ok Cho,Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Anti-theft system and method for semiconductor devices and other electronic components

Номер патента: US20040170068A1. Автор: Emrys Williams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Battery monitoring system, battery and electric apparatus

Номер патента: EP4407330A1. Автор: Hui JIA,Jihai XIE,Lifeng DAI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Battery monitoring system, battery monitoring device, measurement device, battery monitoring method, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20240230786A9. Автор: Hiroshi Ohtani,Shogo Shigemori. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Battery monitoring system, battery monitoring device, measurement device, battery monitoring method, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20240133974A1. Автор: Hiroshi Ohtani,Shogo Shigemori. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and battery monitoring system

Номер патента: US09970990B2. Автор: Koji Suzuki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Battery monitoring system for detecting a voltage difference of unit cells connected in series in a battery pack

Номер патента: US09753092B2. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Battery monitoring device

Номер патента: RU2741741C1. Автор: Владимир Владимирович Поляков,Владимир Иванович Стигунов,Максим Вячеславович Панькин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-01-28.

Battery monitoring method and battery monitoring device

Номер патента: EP4411399A1. Автор: Xiyang ZUO,Shan Huang,Shichao LI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Battery monitoring circuit

Номер патента: WO2013023189A1. Автор: Mark D. Zimmerman,Baiying Yu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-02-14.

Battery monitoring method and battery monitoring device

Номер патента: US20240295609A1. Автор: Xiyang ZUO,Shan Huang,Shichao LI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Model-based battery monitoring

Номер патента: US09519029B2. Автор: Vladimir Havlena,Pavel Trnka. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Battery monitor system

Номер патента: US9927493B2. Автор: Syunji Kamei. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Battery monitoring method and apparatus

Номер патента: EP1485700A4. Автор: David Brobst,Nasser H Kutkut. Владелец: Power Designers LLC. Дата публикации: 2005-08-17.

Battery monitoring device

Номер патента: US09448287B2. Автор: Satoshi Yoshitake,Syuhei Okada. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Battery monitoring apparatus

Номер патента: US09933489B2. Автор: Junichi Iino,Tomomichi Mizoguchi,Ryotaro Miura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Battery monitoring assembly having battery monitor module and cable for connection to a shunt of the module

Номер патента: US09442166B2. Автор: Enric Aparicio Rollan,Josep Maria Roset Rubio. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Battery monitor system

Номер патента: US11525864B2. Автор: Win Sheng Cheng. Владелец: Palcells Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-13.

Battery monitor system

Номер патента: US20210033677A1. Автор: Win Sheng Cheng. Владелец: Palcells Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

Battery monitoring system of cell groups and display

Номер патента: CA1300679C. Автор: Hazen L. Macintyre,Richard D. Graham,Michael B. Aldava. Владелец: Kaufel Group Ltd. Дата публикации: 1992-05-12.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Test mode circuit with serialized I/O and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09761328B2. Автор: Yong Suk Joo,Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device examination method and semiconductor device examination device

Номер патента: US12044729B2. Автор: Kazuhiro Hotta,Takafumi Higuchi,Tomochika Takeshima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-07-23.

Storage battery monitoring apparatus and storage battery monitoring method

Номер патента: US11828809B2. Автор: Hirokazu Ito,Shuichi Takemoto,Kenta Yoshimoto,Yuya KIHIRA. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device, battery monitoring system, and address setting method of semiconductor device

Номер патента: US20160055890A1. Автор: Yoshikatsu Matsuo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09880196B2. Автор: Akira Okada,Hajime Akiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Battery monitoring apparatus and wireless field device

Номер патента: US20130289908A1. Автор: Atsushi Nonoyama. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Battery monitoring apparatus and wireless field device

Номер патента: US9594120B2. Автор: Atsushi Nonoyama. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Error compensation based on wire resistance in battery monitoring circuits

Номер патента: US20230384386A1. Автор: Christian Walther,Markus Ekler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method to reduce data handling on lithium ion battery monitors

Номер патента: US20190302191A1. Автор: Jeremy R. Gorbold. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2019-10-03.

Battery monitoring method and apparatus

Номер патента: WO2003071652A3. Автор: David Brobst,Nasser H Kutkut. Владелец: Power Designers LLC. Дата публикации: 2004-02-05.

Systems, apparatuses, and methods for battery monitoring and management

Номер патента: EP4345471A1. Автор: Kuna Kishore. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Systems, apparatuses, and methods for battery monitoring and management

Номер патента: US20240110988A1. Автор: Kuna Kishore. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and semiconductor device examination method

Номер патента: US11740287B2. Автор: Koichi Kimura,Takeshi Yamaguchi,Kazuhito Hosaka,Nariyuki Fukuda,Isao Ooigawa,Tsutomu MIYAMAE,Suguru Tahara,Keitarou MISHIMA,Yuichiro SANUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Remote battery monitoring and maintenance system and test method for backup equipment

Номер патента: TWI678858B. Автор: 顏志堅. Владелец: 光茂有限公司. Дата публикации: 2019-12-01.

Data bus driving circuit, and semiconductor device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170315952A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor systems and semiconductor devices

Номер патента: US09640232B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09589669B1. Автор: Sang Hee Kim,Ji Eun Jang,Young Hyun Baek,Bo Yeun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Information processing apparatus, method of controlling information processing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20110078431A1. Автор: Akira Okamoto,Takayuki Kinoshita,Makoto Hataida,Seiji Satta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Lithography Mask, Rewritable Mask, Process for Manufacturing a Mask, Device for Processing a Substrate, Lithographic System and a Semiconductor Device

Номер патента: US20090009737A1. Автор: Sven Trogisch. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09817425B2. Автор: Jong Joo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and semiconductor system for performing an initialization operation

Номер патента: US09412434B1. Автор: Haeng Seon CHAE,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Cost effective semiconductor devices and semiconductor systems with reduced test time

Номер патента: US09911505B2. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Data I/O circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09823956B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and semiconductor system for detecting an error occurred in a parity

Номер патента: US12148492B2. Автор: Yeong Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09613716B2. Автор: Min Chang Kim,Noh Hyup KWAK,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09805824B2. Автор: Dong Keum Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792969B1. Автор: Kwang-Soon Kim,Seung-Wook Oh,Hyun-seung KIM,Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09646676B1. Автор: Sang Ah HYUN,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09583174B1. Автор: Young Ran Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09478260B2. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09460812B1. Автор: Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09959164B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09728235B2. Автор: TaeHyung Jung,Kwanweon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor devices having initialization circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09524762B1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having architecture for reducing area and semiconductor system including the same

Номер патента: US20100172174A1. Автор: Jung Min Lee,Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Chul Woo Park,Sang Beom Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180067796A1. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems relating to the prevention of a potential difference between signals from being reversed

Номер патента: US09773530B1. Автор: Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Test methods of semiconductor devices and semiconductor systems used therein

Номер патента: US20180068743A1. Автор: Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09679621B2. Автор: Min Soo Park,Min Jun Choi,Hyun Wook HAN,Jin Se KIM,Moon Yub NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09568934B2. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Semiconductor device simulation apparatus, computer readable medium storing thereon program for causing computer to execute semiconductor device simulation method, and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20100082317A1. Автор: Takashi Kurusu,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090116316A1. Автор: Young-Jun Ku,Ji-Eun Jang,Jeong-Yoon Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20180182441A1. Автор: Jae Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070274139A1. Автор: Masahiro Yamashita,Takashi Uehara,Mamoru Takaku,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor inspection device and semiconductor inspection method

Номер патента: US12094138B2. Автор: Kazuhiro Hotta,Takafumi Higuchi,Tomochika Takeshima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792970B2. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and semiconductor system for producing noise differences between points of time

Номер патента: US09710118B2. Автор: Yoon-Kyung Choi,Hyunkyu Ouh,Bumsoo Kim,Junchul Park,Jinchul Lee,Chadong Kim,Sang-Hyub Kang,Sanho Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device employing closed loop and open loop DVFS control and semiconductor system including the same

Номер патента: US09671847B2. Автор: Je-kook Kim,Young-Hoon Lee,Min-Shik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09583165B1. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor devices and semiconductor systems including a semiconductor device

Номер патента: US20190267051A1. Автор: Kwandong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Methods, semiconductor devices, and semiconductor systems

Номер патента: US20170365303A1. Автор: Donggun Kim,Do-Sun HONG,Yong Ju Kim,Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Methods, semiconductor devices, and semiconductor systems

Номер патента: US20190295611A1. Автор: Donggun Kim,Do-Sun HONG,Yong Ju Kim,Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US12046323B2. Автор: Min Jun Choi,Jeong Jin HWANG,Sung Nyou YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09570151B1. Автор: Jin Youp CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09466396B2. Автор: Na Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US09484083B2. Автор: Shinichi Moriwaki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Voltage generating circuit and semiconductor device for suppressing leakage current

Номер патента: US12032396B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including abnormality detection circuit and semiconductor device control method for detecting abnormality

Номер патента: US11908534B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130322195A1. Автор: Dong-Kyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US12051461B2. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20170213582A1. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20090176328A1. Автор: Tsuyoshi Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device and semiconductor device test method for identifying a defective portion

Номер патента: US8325548B2. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device and semiconductor device test method

Номер патента: US20100322023A1. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor process wastewater treatment system and semiconductor process wastewater treatment method using the same

Номер патента: US11760674B2. Автор: Soyoun KIM,Chanhyuk Park,Sehyuk AHN,Minju CHA. Владелец: Industry Collaboration Foundation of Ewha University. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20120031331A1. Автор: Takashi Nakao,Ichiro Mizushima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Methods, an external battery monitoring module and an external battery monitoring system for obtaining one or more battery parameter values and/or for indicating if a critical condition is present for at least one propulsion battery

Номер патента: EP4292860A1. Автор: Ulf BJURSTRÖM. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2023-12-20.

Hybrid welding systems and hybrid welding power supplies

Номер патента: EP4424450A2. Автор: Alan Adam Manthe,Bruce P. Albrecht,Jack Robert Albrecht. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Hybrid welding systems and hybrid welding power supplies

Номер патента: US20240278348A1. Автор: Alan Adam Manthe,Bruce P. Albrecht,Jack Robert Albrecht. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2024-08-22.

Electric vehicle battery monitoring systems and methods

Номер патента: US20240116363A1. Автор: Kwaku O. Prakah-Asante,Himanshu Verma,Fling Finn Tseng,Bhagyashri Satyabodha Katti,Swati Rawat. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Aerosol generation device battery monitoring

Номер патента: WO2024133504A1. Автор: Grzegorz Aleksander PILATOWICZ. Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2024-06-27.

BATTERY MONITORING AND CHARGING SYSTEM AND MOTOR-DRIVEN VEHICLE

Номер патента: US20130057213A1. Автор: Kuraishi Mamoru,Inuzuka Hiroyuki,Miyata Hachiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI. Дата публикации: 2013-03-07.

FAIL ANALYSIS SYSTEM AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120011421A1. Автор: KODAMA Mami,Iizuka Yoshikazu,Yoshimura Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

System and Method for Semiconductor Device Fabrication Using Modeling

Номер патента: US20120179282A1. Автор: . Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2012-07-12.

System and Methods for Semiconductor Device Performance Prediction During Processing

Номер патента: US20130071957A1. Автор: Wang Jen-Pan,Chen Chao-Chi,Huang Yaling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for measuring distortion of projection optical system and for manufacturing semiconductor device after correcting distortion

Номер патента: JPH113857A. Автор: Kazuya Ota,和哉 太田. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 1999-01-06.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.