Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • METHOD OF EPITAXIAL GROWTH OF LAYERS OF III-V OR II-VI MATERIAL BY RAPID TEMPERATURE MODULATION

METHOD OF EPITAXIAL GROWTH OF LAYERS OF III-V OR II-VI MATERIAL BY RAPID TEMPERATURE MODULATION

Номер патента: FR2618455B1
Опубликовано: 18-03-1994
Автор(ы):
Принадлежит: Bensoussan Marcel, Nissim Yves

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL LAYERS FROM III-V OR II-VI MATERIALS BY HIGH-SPEED TEMPERATURE MODULATION.

Номер патента: DE3867352D1. Автор: Marcel Bensoussan,Yves Nissim. Владелец: Yves Nissim. Дата публикации: 1992-02-13.

Photo-enhanced pyrolytic MOCVD growth of group II-VI materials

Номер патента: US4904337A. Автор: William E. Hoke,James Elliott,Vilnis G. Kreismanis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1990-02-27.

Epitaxial growth apparatus and multi-layer gas supply module used therefor

Номер патента: EP4407076A1. Автор: Seung Soo Lee,Hyun Ho Kwon,Bum Ho Choi,Jong Wook Jeong,Kyung Shin Park,Dong Hyoun Kim,Suk Ho Lim. Владелец: Pjp Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Process for the growth of III-V group compound semiconductor crystal on a Si substrate

Номер патента: US4840921A. Автор: Takashi Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-06-20.

Method of vapour phase epitaxial growth

Номер патента: GB1572018A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1980-07-23.

Method of controlling an epitaxial growth process in an epitaxial reactor

Номер патента: WO2008125609A1. Автор: Robert Maier,Pietro Foglietti,Manfred Schiekofer. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2008-10-23.

Method and apparatus for the chemical vapor deposition of iii-v semiconductors utilizing organometallic and elemental pnictide sources

Номер патента: AU6284186A. Автор: John Andrew Baumann,Susan Wendy Gersten,Mark A. Kuck. Владелец: Stauffer Chemical Co. Дата публикации: 1987-03-05.

Parasitic particle suppression in the growth of III-V nitride films using MOCVD and HVPE

Номер патента: TW200917340A. Автор: David Eaglesham,Sandeep Nijhawan,David Bour,Jacob W Smith,Lori D Washington. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF HIGH QUALITY ß-Ga2O3 THIN FILM GROWN BY HALIDE VAPOR PHASE EPITAXY GROWTH

Номер патента: US20230175168A1. Автор: Dae-Woo JEON,Ji-Hyeon PARK. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2023-06-08.

Metal organic vapor phase epitaxial growth of group iii-v semiconductor materials

Номер патента: CA1313343C. Автор: Michael A. Tischler,Thomas F. Kuech. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Method for vapour phase epitaxial deposition of iii/v materials

Номер патента: GB1593905A. Автор: . Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1981-07-22.

Epitaxial growth method for silicon carbide

Номер патента: US20180266012A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-20.

Epitaxial growth method for silicon carbide

Номер патента: US10435813B2. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-10-08.

Spinel substrate and heteroepitaxial growth of iii-v materials thereon

Номер патента: CA2480117C. Автор: Milan R. Kokta,Hung T. Ong. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2007-11-20.

Liquid phase epitaxy of iii-v materials and alloys

Номер патента: US20210108330A1. Автор: Mahendra K. Sunkara,Daniel F. Jaramillo-Cabanzo,Sonia J. Calero-Barney. Владелец: University of Louisville Research Foundation ULRF. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of controlling an epitaxial growth process in an epitaxial reactor

Номер патента: US8940093B2. Автор: Robert Maier,Pietro Foglietti,Manfred Schiekofer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-27.

Method for epitaxial growth from the vapour phase of semiconductor materials

Номер патента: CA1296241C. Автор: Peter Michael Frijlink. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1992-02-25.

Reducing Autodoping of III-V Semiconductors By Atomic Layer Epitaxy (ALE)

Номер патента: US20170004969A1. Автор: Christian Lavoie,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Growing method of III-V group nitride semiconductor and vapor phase growing apparatus

Номер патента: KR100381742B1. Автор: 히로타류,타쯔미마사미. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-04-26.

Reducing Autodoping of III-V Semiconductors By Atomic Layer Epitaxy (ALE)

Номер патента: US20170004969A1. Автор: Lavoie Christian,Cohen Guy M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Shape-controlled synthesis of III-V colloidal nanocrystals

Номер патента: GB2626008A. Автор: Mehta Joshua,Kishore Sagar Chiluka Laxmi. Владелец: QUANTUM SCIENCE LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Shape-controlled synthesis of iii-v colloidal nanocrystals

Номер патента: WO2024147018A1. Автор: Joshua Mehta,Laxmi Kishore Sagar CHILUKA. Владелец: QUANTUM SCIENCE LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of liquid-phase epitaxial growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: US20170314156A1. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of liquid-phase epitaxial growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: US09738990B2. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing a monocrystalline layer of GaAs material and substrate for epitaxial growth of a monocrystalline layer of GaAs material

Номер патента: US11976380B2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of non-catalytic formation and growth of nanowires

Номер патента: US7781317B2. Автор: Peidong Yang,Minjuan Zhang,Melissa Fardy,Joshua Goldberger,Allon Hochbaum,Oded Rabin. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Method of forming a laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers, and method of forming a substrate-attached laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers

Номер патента: US9732439B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of producing articles by vapor deposition of multiconstituent material

Номер патента: CA1209949A. Автор: Robert P.H. Chang. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-08-19.

Kinetic Model for Molecular Beam Epitaxy Growth of III-V Bismide Alloys

Номер патента: US20220267924A1. Автор: Johnson Shane R.,Kosireddy Rajeev Reddy,Schaefer Stephen T.,Milosavljevic Marko S.. Владелец: Arizona Board of Regents on behalf of Arizona State University. Дата публикации: 2022-08-25.

METHOD FOR DETERMINING PREFERENTIAL DEPOSITION PARAMETERS FOR A THIN LAYER OF III-V MATERIAL

Номер патента: US20160126095A1. Автор: HARTMANN Jean-Michel,BOGUMILOWICZ Yann. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2016-05-05.

Method for determining preferential deposition parameters for a thin film of iii-v material

Номер патента: EP3018697B1. Автор: Yann Bogumilowicz,Jean-Michel Hartmann. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-11.

Method for manufacture of III-V family chemical compound semiconductor

Номер патента: TW200833886A. Автор: Yoshihiko Tsuchida,Masahiko Hata. Владелец: Sumitomo Chemical Co. Дата публикации: 2008-08-16.

Parasitic particle suppression in the growth of iii-v nitride films using mocvd and hvpe

Номер патента: WO2009045217A1. Автор: David Eaglesham,Sandeep Nijhawan,Lori Washington,Jacob Smith,David Bour. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-04-09.

METHOD FOR PRODUCING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF AN LNO MATERIAL AND SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH OF A MONOCRYSTALLINE LAYER OF AN LNO MATERIAL

Номер патента: US20210095391A1. Автор: Ghyselen Bruno. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Deposition methods for the formation of iii/v semiconductor materials, and related structures

Номер патента: US20130049012A1. Автор: Pierre Tomasini,Christophe Figuet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-02-28.

Process for producing a monoocrystalline layer of AlN material by transferring a SiC-6H seed to a Si carrier substrate and epitaxially growing the monocrystalline layer of AlN material and substrate for the epitaxial growth of a monocrystalline layer of AlN material

Номер патента: US12071706B2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for producing a crystalline layer of PZT material by transferring a seed layer of SrTiO3 to a silicon carrier substrate and epitaxially growing the crystalline layer of PZT, and substrate for epitaxial growth of a crystalline layer of PZT

Номер патента: US11877514B2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for producing a crystalline layer of pzt material by transferring a seed layer of srtio3 to a silicon carrier substrate and epitaxially growing the crystalline layer of pzt, and substrate for epitaxial growth of a crystalline layer of pzt

Номер патента: US20230422619A1. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for producing a monocrystalline layer of lithium niobate by transferring a seed layer of yttria-stabilized zirconia to a silicon carrier substrate and epitaxially growing the monocrystalline layer of lithium niobate and substrate for epitaxial growth of a monocrystalline layer of lithium niobate

Номер патента: US11828000B2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for producing a monocrystalline layer of lithium niobate by transferring a seed layer of yttria-stabilized zirconia to a silicon carrier substrate and epitaxially growing the monocrystalline layer of lithium niobate and substrate for epitaxial growth of a monocrystalline layer of lithium niobate

Номер патента: US20240044043A1. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-02-08.

Direct mombe and movpe growth of ii-vi materials on silicon

Номер патента: CA2128590C. Автор: John E. Jensen,Jennifer J. Zinck,Damodaran Rajavel. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1998-08-25.

Reducing Autodoping of III-V Semiconductors By Atomic Layer Epitaxy (ALE)

Номер патента: US20180342392A1. Автор: Lavoie Christian,Cohen Guy M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

MOVPE growth of III-V compound semiconductor layers

Номер патента: EP0982763A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Mitsubishi Kasei Corp. Дата публикации: 2000-03-01.

Method of manufacturing substrates for the growth of single crystal diamond

Номер патента: CN101054720A. Автор: 野口仁. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Technology of epitaxial growth of monocrystalline aluminum nitride and growth chamber for implementation of technology

Номер патента: RU2158789C1. Автор: Ю.А. Водаков,Е.Н. Мохов,М.Г. Рамм,А.Д. Роенков,С.Ю. Карпов,Ю.Н. Макаров,А.С. Сегаль. Владелец: Сегаль Александр Соломонович. Дата публикации: 2000-11-10.

Method for growing crystals of III-V compound semiconductors

Номер патента: US4004953A. Автор: Mutsuyuki Otsubo,Hidejiro Miki,Kiyoshi Shirahata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1977-01-25.

MANUFACTURING METHOD OF III-V COMPOUND CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190088816A1. Автор: Morikazu Hiroshi,Mori Yusuke,Yoshimura Masashi,IMANISHI Masayuki,IMADE Mamoru,Shotokuji Takumi,Tabata Shin. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Synthesis of III-V cpd semiconductor matl - by passing vapour of gp V element over melt of gp III element at elevated temp

Номер патента: FR2260383A1. Автор: . Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1975-09-05.

The grower of a kind of III V race semiconductor crystal and growing method

Номер патента: CN106283176A. Автор: 朱刘,狄聚青. Владелец: Vital Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-04.

Production of iii-v compound semiconductor crystal

Номер патента: JPH1036197A. Автор: Masami Tatsumi,智博 川瀬,Tomohiro Kawase,雅美 龍見. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-02-10.

A method of liquid phase epitaxial growth

Номер патента: EP0093569A1. Автор: Shoji Isozumi,Toshihiro Kusunoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-11-09.

Seed substrate for epitaxial growth use and method for manufacturing same, and semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: EP4306689A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Seed substrate for epitaxial growth use and method for manufacturing same, and semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20240141552A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of producing colored diamond

Номер патента: RU2314368C2. Автор: Даниел Джеймс ТУИТЧЕН,Филип Морис МАРТИНОУ,Джеффри Алан СКАРСБРУК,Бэрбел Сусанне Шарлотте ДОРН,Майкл Эндрью КУПЕР. Владелец: Элемент Сикс Лимитед. Дата публикации: 2008-01-10.

Method of epitaxial growth shape control for cmos applications

Номер патента: US20180033872A1. Автор: Chun Yan,Hua Chung,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Composite sic-substrate and method of its production

Номер патента: RU2726283C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-10.

Single crystal silicon layer, its epitaxial growth method and semiconductor device

Номер патента: US6500256B2. Автор: Hisayoshi Yamoto,Hideo Yamanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of producing epitaxial wafer

Номер патента: US09957637B2. Автор: Akira Fukui. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

METHOD OF REMOVING PRECIPITATION IN A SEMICONDUCTOR II VI MATERIAL

Номер патента: FR2905706A1. Автор: Bernard Pelliciari. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-03-14.

Method of high growth rate deposition for group III/V materials

Номер патента: US09834860B2. Автор: Gang He,David P. Bour,Gregg Higashi,Lori D. Washington. Владелец: Awbscqemgk Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming a germanium layer on a silicon substrate

Номер патента: US09508889B2. Автор: Martin Green,Xiaojing Hao,Chao-Yang Tsao. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Iii-v or ii-vi compound semiconductor films on graphitic substrates

Номер патента: CA2916152C. Автор: Helge Weman,Bjorn-Ove Fimland,Dheeraj L. Dasa. Владелец: Norwegian University of Science and Technology NTNU. Дата публикации: 2023-08-22.

Iii-v or ii-vi compound semiconductor films on graphitic substrates

Номер патента: KR102356432B1. Автор: 비외른-오브 핌랜드,디라즈 엘 다사,헬지 웨맨. Владелец: 노르웨이전 유니버시티 오브 사이언스 앤드 테크놀러지(엔티엔유). Дата публикации: 2022-01-26.

III-V OR II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR FILMS ON GRAPHITIC SUBSTRATES

Номер патента: US20200141027A1. Автор: WEMAN Helge,FIMLAND Bjørn-Ove,Dasa Dheeraj L.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

III-V OR II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR FILMS ON GRAPHITIC SUBSTRATES

Номер патента: US20160369423A1. Автор: WEMAN Helge,Fimland Bjøm-Ove,Dasa Dheeraj. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

METHOD FOR DEPOSITING III-V OR II-VI SEMICONDUCTOR THIN FILMS ONTO A SUBSTRATE BY THERMAL DECOMPOSITION

Номер патента: FR2604296B1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Yoshiji Horikoschi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1991-08-16.

Iii-v or ii-vi compound semiconductor films on graphitic substrates

Номер патента: WO2014202796A1. Автор: Helge Weman,Bjorn-Ove Fimland,Dheeraj L DASA. Владелец: NORWEGIAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (NTNU). Дата публикации: 2014-12-24.

Scalable synthesis of iii-v nanocrystals

Номер патента: WO2024147019A1. Автор: Joshua Mehta,Laxmi Kishore Sagar CHILUKA. Владелец: QUANTUM SCIENCE LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Scalable synthesis of III-V nanocrystals

Номер патента: GB2626009A. Автор: Mehta Joshua,Kishore Sagar Chiluka Laxmi. Владелец: QUANTUM SCIENCE LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Spinel substrate and heteroepitaxial growth of III-V materials thereon

Номер патента: KR100655106B1. Автор: 코크타밀란알.,옹헝티.. Владелец: 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-12-21.

METHOD OF LIQUID-PHASE EPITAXIAL GROWTH OF LEAD ZIRCONATE TITANATE SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20170314156A1. Автор: Fratello Vincent. Владелец: Quest Integrated, LLC. Дата публикации: 2017-11-02.

METHOD FOR MANUFACTURING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF GAAS MATERIAL AND SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH OF A MONOCRYSTALLINE LAYER OF GAAS MATERIAL

Номер патента: US20210054528A1. Автор: Ghyselen Bruno. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

METHOD FOR MANUFACTURING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF GAAS MATERIAL AND SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH OF A MONOCRYSTALLINE LAYER OF GAAS MATERIAL

Номер патента: US20220364266A1. Автор: Ghyselen Bruno. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Method for manufacturing a monocrystalline layer of diamond or iridium material and substrate for epitaxially growing a monocrystalline layer of diamond or iridium material

Номер патента: US11935743B2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-03-19.

METHOD FOR PRODUCING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF GAAS MATERIAL AND SUBSTRATE FOR EPITAXIC GROWTH OF A MONOCRYSTALLINE LAYER OF GAAS MATERIAL

Номер патента: FR3079534A1. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2019-10-04.

Process for the manufacture and or further processing of iii-v-semi-conductor bodies

Номер патента: GB1338243A. Автор: . Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 1973-11-21.

Semiconductor substrate and semiconductor device manufactured by epitaxial growth on the semiconductor substrate

Номер патента: US20060043419A1. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Masaaki Onomura,Chie Hongo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Template for epitaxial growth, a method for producing it and a nitride semiconductor device

Номер патента: RU2653118C1. Автор: Акира ХИРАНО,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-07.

Epitaxial deposition of III-V cpds. - on a substate, incorporates substitution of an element in the same 111 or V gp

Номер патента: FR2283549A1. Автор: Elie Andre. Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1976-03-26.

Method for growth of semipolar (al,in,ga,b)n optoelectronic devices

Номер патента: EP1984545A2. Автор: Hong Zhong,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Rajat Sharma,James Stephen Speck,John Francis Kaeding. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-10-29.

Deposition methods for the formation of iii/v semiconductor materials, and related structures

Номер патента: US20130049012A1. Автор: Pierre Tomasini,Christophe Figuet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for controlling diameter of iii-v group compound semiconductor single crystal

Номер патента: JPS5935089A. Автор: Shoichi Washitsuka,鷲塚　章一. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-02-25.

Method of growing p-type group II-VI material

Номер патента: US5028561A. Автор: G. Sanjiv Kamath,Owen K. Wu. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1991-07-02.

Method for the production of iii-v- nitride-conductor-based semiconductor layers

Номер патента: WO2003025988A1. Автор: Stefan Bader,Hans-Juergen Lugauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2003-03-27.

Heat treatment of iii-v compound semiconductors

Номер патента: US3175975A. Автор: Calvin S Fuller. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1965-03-30.

Substrate for epitaxy of III-V compounds and a method for producing the same

Номер патента: EP1101842A3. Автор: Keiichiro c/o NGK Insulators Ltd. Asai,Tomohiko c/o NGK Insulators Ltd. Shibata,Yukinori c/o NGK Insulators Ltd. Nakamura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2005-08-17.

Optical device and method of manufacture

Номер патента: US20240280752A1. Автор: Chen-Hua Yu,Sey-Ping Sun,Shih Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of liquid phase epitaxial growth and device therefor

Номер патента: JPS5629320A. Автор: Morio Inoue. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-03-24.

Method of vapor phase epitaxial growth

Номер патента: KR100190235B1. Автор: 노부오 카시와기,요시히로 미야노마에. Владелец: 오까노 사다오. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of growing p-type group ii-vi material

Номер патента: IL94430A0. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1991-03-10.

Method for growth of semipolar (al,in,ga,b)n optoelectronic devices

Номер патента: WO2007098215A2. Автор: Hong Zhong,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Rajat Sharma,James Stephen Speck,John Francis Kaeding. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-08-30.

PROCESS FOR PRODUCING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF LNO MATERIAL AND SUBSTRATE FOR EPITAXIC GROWTH OF A MONOCRYSTALLINE LAYER OF LNO MATERIAL

Номер патента: FR3079533A1. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2019-10-04.

Method of manufacturing a plurality of through-holes in a layer of first material

Номер патента: US9975761B2. Автор: Edin Sarajlic. Владелец: SmartTip BV. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for surfactant-assisted vapor phase growth of III-V semiconductor nanowire

Номер патента: CN110079787B. Автор: 杨再兴,高兆峰,孙嘉敏. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2021-08-13.

Method of pulling up silicon single crystal and method of manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: US20020000189A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of determining concentration of electrically active donor impurity in surface layers of silicon by nondestructive method of ultra-soft x-ray emission spectroscopy

Номер патента: RU2709687C1. Автор: Эвелина Павловна Домашевская,Владимир Андреевич Терехов,Константин Александрович Барков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2019-12-19.

Method of producing semiconductor structures by liquid phase epitaxy with high uniformity on thickness of epitaxial layers

Номер патента: RU2638575C1. Автор: Виталий Львович Крюков,Леонид Александрович Меерович,Александр Михайлович Николаенко,Сергей Станиславович Стрельченко,Константин Анатольевич Титивкин,Никита Игоревич Шумакин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех". Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US12074201B2. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide using a feed material including a surface layer containing a polycrystalline silicon carbide with a 3C crystal polymorph

Номер патента: US09725822B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Seed substrate for epitaxial growth and method for producing same, and semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4424888A1. Автор: Koichi Higuchi,Yoshihiro Kubota,Shigeru Konishi,Hiroshi Mogi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Template for epitaxial growth, method for producing the same, and nitride semiconductor device

Номер патента: US09556535B2. Автор: Akira Hirano,Cyril Pernot. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of producing an epitaxial film of a multilayer silicen intercalated by europium

Номер патента: RU2663041C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Андрей Михайлович Токмачев,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Анастасия Федоровна Королева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2018-08-01.

Method for metal-free synthesis of epitaxial semiconductor nanowires on si

Номер патента: EP1991499A1. Автор: Lars Samuelson,Werner Seifert,Bernhard Mandl,Thomas MÅRTENSSON,Anders Mikkelsen. Владелец: QUNANO AB. Дата публикации: 2008-11-19.

Gaseous phase growing device of iii-v group sompound semiconductor

Номер патента: JPS5256856A. Автор: Kenichi Arai,Hiroshi Terao. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-05-10.

Method of making porous moulded article in form of layer of insulating plaster

Номер патента: RU2721612C1. Автор: Абдулмаджид ХАШЕМЗАДЕ,Харальд ЦЕ,Петер АСБЕК. Владелец: Ваккер Хеми Аг. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of treating water by adsorption and filtration on a layer of granular material

Номер патента: RU2688541C2. Автор: Абделькадер ГАИД,Филип СОВИНЕ. Владелец: Веолия Уотер Солюшнз Энд Текнолоджиз Саппорт. Дата публикации: 2019-05-21.

Method of treatment of wastes including those contained in surface layers of soil

Номер патента: RU2103604C1. Автор: Луис Дж.Джр. Киркео,Сальвадор Л. Камачо. Владелец: Сальвадор Л. Камачо. Дата публикации: 1998-01-27.

Method of stimulating ethanol production and growth of aquatic plants

Номер патента: CA2759802C. Автор: Tony Hagen. Владелец: AQUATECH BIOENERGY LLC. Дата публикации: 2016-07-05.

Gallium hydride-trialkylamine adducts,and their use in deposition of iii-v compound films

Номер патента: ZA874212B. Автор: A. Melas Andreas,Braunagel Norbert. Владелец: Morton Thiokol, Inc.. Дата публикации: 1987-12-15.

Method of forming a double-layer light-absorbing electroconductive structure

Номер патента: RU2714273C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Андрей Андреевич Петров,Сергей Анатольевич Фатеев,Алексей Борисович Тарасов,Николай Андреевич Белич,Алексей Юрьевич Гришко,Наталья Николаевна Шлёнская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Nanostructure, precursor of nanostructure and method of forming nanostructure and precursor of nanostructure

Номер патента: RU2406689C2. Автор: Мохаммад Шафиквул КАБИР. Владелец: Смольтек Аб. Дата публикации: 2010-12-20.

Boron-aluminizing method of steel surface

Номер патента: RU2691431C1. Автор: Алексей Владимирович Ишков,Виктор Васильевич Иванайский,Николай Тихонович Кривочуров,Вячеслав Федорович Аулов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Алтайский ГАУ). Дата публикации: 2019-06-13.

Method of producing highly efficient and electrically stable semiconductor layers of metal oxides, layers made using this method, and use thereof

Номер патента: RU2601210C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Алексей МЕРКУЛОВ,Арне ХОППЕ,Дуи Ву ПАМ,Анита НОЙМАНН. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2016-10-27.

Passivation and insulation of iii-v devices with pnictides,particulary amorphous pnictides having a layer-like structure

Номер патента: ZA844973B. Автор: Rozalie Schachter,Mark Allen Kuck,John Andrew Baumann,Paul Mordecai Raccah,Marcello Viscogliosi,Susan Wendy Gersten,William Edward Spicer,Diego Jose Olego,Harvey Bruce Serreze,Lewis Andrew Bunz,Gary Kauilani Miller,David Geoffrey Brock. Владелец: Stauffer Chemical Co. Дата публикации: 1985-08-28.

Etching of III-V semiconductor materials with H2 S in the preparation of heterodiodes to facilitate the deposition of cadmium sulfide

Номер патента: US4039357A. Автор: Sigurd Wagner,Ernest Buehler,Klaus Jurgen Bachmann,Manfred Hermann Bettini,Joseph Leo Shay. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1977-08-02.

Method of manufacturing a photonic integrated circuit optically coupled to a laser of III-V material

Номер патента: US09507089B2. Автор: Alain Chantre,Sebastien Cremer. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of adherent metal coating for aluminum nitride surfaces

Номер патента: US5217589A. Автор: Thomas J. Swirbel,James L. Davis,John K. Arledge. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

METHOD OF CONTROL OF THE MAGNETIC PROPERTIES OF A MAGNETIC LAYER OF FINE FILM RECORDING, MAGNETIC RECORDING HARD DISK AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: BR9201559A. Автор: David A Edmonson,Kenneth E Johnson,James J Mayerle,Arthur C Wall. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1993-01-05.

Methods of calculating thicknesses of layers and methods of forming layers using the same

Номер патента: US20100166945A1. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Ki Lee,Sung-ho Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of preparing metal molded articles for cold forming

Номер патента: RU2696628C2. Автор: Ральф ШНАЙДЕР,Франк ХОЛЛЬМАНН,Бенджамин ГЮТТЛЕР,Мартин ОРБЕН,Норберт ШВИНКЕ-КРУЗЕ,Горка ДЕ ЛУИ ГАРСИА,Иньяки НИВЕС КИНТАНА. Владелец: Шеметалл Гмбх. Дата публикации: 2019-08-05.

Method of obtaining connective element for carbon fibrous composite material

Номер патента: RU2560372C2. Автор: Масаки ТАКЕУТИ,Тору КАНЕКО. Владелец: Тейдзин Лимитед. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of making part from metal powder material

Номер патента: RU2701436C1. Автор: Наталья Анатольевна Тихомирова,Жесфина Михайловна Бледнова,Эътибар Юсиф Оглы Балаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2019-09-26.

Method of preparing substrate surface from aluminum nitride ceramics for thin film metallization

Номер патента: RU2724291C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording medium

Номер патента: US09424873B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Masanori Aniya. Владелец: WD Media Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of an identification label creating

Номер патента: RU2656622C2. Автор: Владимир Дмитриевич Шкилев,Алексей Пантелеевич Коржавый,Анатолий Викторович Мазин,Анастасия Борисовна Лачихина. Владелец: Анастасия Борисовна Лачихина. Дата публикации: 2018-06-06.

Coated cutting tool and method of making the same

Номер патента: US09447491B2. Автор: Mats Ahlgren,Lina ROGSTRÖM,Magnus ODÉN,Naureen Ghafoor,Mats JOHANSSON JÖESAAR. Владелец: Sandvik Intellectual Property AB. Дата публикации: 2016-09-20.

The preparation method of iii-v core-shell quanta dots and device, composition containing it

Номер патента: CN108384531A. Автор: 高静,余文华,苏叶华,汪均,谢阳腊,乔培胜. Владелец: Najing Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2018-08-10.

Method of regenerating material from high-density polyethylene (hdpe) by thermal fusion and regenerated products from hdpe

Номер патента: RU2735016C1. Автор: ОСОРИО Габриэль Игнасио БАРАОНА,ПАЭС Сильвия Монсеррат БРУНА. Владелец: Сосьедад Комерсиаль Арут Спа. Дата публикации: 2020-10-27.

Ink with quantum dots for digital piezo-jet printing and method of application thereof

Номер патента: RU2720778C2. Автор: Олег Григорьевич Буханец,Ирина Сергеевна Огуречникова,Владислав Юрьевич Мирчев. Владелец: Владислав Юрьевич Мирчев. Дата публикации: 2020-05-13.

Semiconductor-on-insulator device and method of fabricating the same

Номер патента: US09355889B2. Автор: Niamh Waldron. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-05-31.

Selective area oxidation of III-V compound semiconductors

Номер патента: US3929589A. Автор: Bertram Schwartz,Felix Ermanis. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-12-30.

Sheet composite material with layers of plastics, having different damping properties

Номер патента: RU2636730C2. Автор: Майк ДУИСКЕН,Роланд БОТОР. Владелец: Сиг Текнолоджи Аг. Дата публикации: 2017-11-27.

Method of preparing metal nanoparticles for solar cell, ink composition including the metal nanoparticles, and method of preparing thin film using the same

Номер патента: US09525086B2. Автор: Seokhee Yoon,Seokhyun Yoon,Taehun Yoon,Eunju Park,Hosub LEE. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Green method of preparing iron oxide nanoparticles using herbal mixture

Номер патента: US20220386620A1. Автор: Mohammad Azam ANSARI. Владелец: Imam Abdulrahman Bin Faisal University. Дата публикации: 2022-12-08.

Product from textured silicon steel with low losses in iron for transformer with low noise level and method of production thereof

Номер патента: RU2721969C1. Автор: Гобао ЛИ,Яньли СУН,Вэйюн СЕ,Чэнь ЛИН,Цзыпэн ЧЗАО,Чанцзюнь ХОУ,Банлинь СЯН,Каньи ШЕНЬ. Владелец: Баошан Айрон Энд Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-05-25.

Method of filling a seam of a panel assembly using a thixotropic polyurethane elastomeric filler adhesive

Номер патента: CA2206499C. Автор: Rick A. Tanis,N. Keith Merser,Peter K. Hyde-Smith. Владелец: ITW Foamseal Inc. Дата публикации: 2002-04-09.

Process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (cmp) of iii-v material in the presence of a cmp composition comprising a compound containing an n-heterocycle

Номер патента: US20150099361A1. Автор: Diana Franz,Bastian Marten Noller. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2015-04-09.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) OF III-V MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION COMPRISING A SPECIFIC NON-IONIC SURFACTANT

Номер патента: US20150175845A1. Автор: Li Yuzhuo,Franz Diana,Noller Bastian Marten,Gillot Christophe. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2015-06-25.

A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (cmp) of iii-v material in the presence of a cmp composition comprising a compound containing an n-heterocycle

Номер патента: EP2662885A1. Автор: Diana Franz,Bastian Marten Dr. Noller. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-11-13.

A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (cmp) of iii-v material in the presence of a cmp composition comprising a specific non-ionic surfactant

Номер патента: EP2666833A1. Автор: Yuzhuo Li,Diana Franz,Bastian Marten Noller,Christophe Gillot. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-11-27.

Process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (CMP) of III-V material in the presence of a CMP composition comprising a specific non-ionic surfactant

Номер патента: US9416298B2. Автор: Yuzhuo Li,Diana Franz,Bastian Marten Noller,Christophe Gillot. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-08-16.

Preparation of III-V semiconductor nanocrystals

Номер патента: US5505928A. Автор: A. Paul Alivisatos,Michael A. Olshavsky. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1996-04-09.

A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (cmp) of iii-v material in the presence of a cmp composition comprising a specific non-ionic surfactant

Номер патента: EP2852644A4. Автор: Yuzhuo Li,Diana Franz,Bastian Marten Noller,Christophe Gillot. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-04-06.

A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (cmp) of iii-v material in the presence of a cmp composition comprising a specific non-ionic surfactant

Номер патента: WO2013175396A1. Автор: Yuzhuo Li,Diana Franz,Bastian Marten Noller,Christophe Gillot. Владелец: Basf Schweiz Ag. Дата публикации: 2013-11-28.

A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (cmp) of iii-v material in the presence of a cmp composition comprising a specific non-ionic surfactant

Номер патента: EP2852644A1. Автор: Yuzhuo Li,Diana Franz,Bastian Marten Noller,Christophe Gillot. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2015-04-01.

Manufacturing method of hot forming mold for center pillar trim including cooling unit

Номер патента: US11679530B2. Автор: Sang Gill PARK. Владелец: TNP Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Manufacturing method of hot forming mold for center pillar trim including cooling unit

Номер патента: US20210291411A1. Автор: Sang Gill PARK. Владелец: TNP Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

PEEK-PEoEK COPOLYMER POWDER AND METHOD OF PREPARING THE POWDER

Номер патента: US20240287252A1. Автор: Mohammad Jamal El-Hibri,Chantal Louis. Владелец: Solvay Specialty Polymers USA LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of regenerating acid gas adsorption device and method of producing acid gas adsorption device

Номер патента: US20240116028A1. Автор: Atsushi Torii,Yukinari Shibagaki,Kazuki Iida,Kosuke Nakagawa,Hirofumi Kan,Yusuke Okuma. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Methods of killing or inhibiting the growth of cancer cells

Номер патента: EP4103592A4. Автор: Scheffer Tseng,Hua He,Sean TIGHE,Kaustuv BASU. Владелец: Biotissue Holdings Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Method of the transition between the incompatible catalytic agents with the usage of the layer of the nuclei practically free from the contaminants

Номер патента: RU2292356C2. Автор: Брюс Дж. САВАТСКИ,Келли Л. ТИЛСТОН,Томас Р. ВИРИЛ. Владелец: Юнивейшн Технолоджиз, Ллс. Дата публикации: 2007-01-27.

Method of connecting ceramic fairing with frame

Номер патента: RU2587708C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Евгений Иванович Суздальцев,Сергей Николаевич Дьяченко,Екатерина Васильевна Миронова,Дарья Александровна Мико. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина" (АО "ОНПП "Технология" им.А.Г. Ромашина"). Дата публикации: 2016-06-20.

Method of hydrogenation refining of residual oil stock

Номер патента: RU2737803C1. Автор: Наталья Яковлевна Виноградова,Павел Анатольевич Никульшин,Павел Петрович Минаев,Людмила Алексеевна Гуляева,Людмила Александровна Красильникова,Ольга Ивановна Шмелькова,Георгий Владимирович Битиев,Артем Константинович Минаев,Юнир Азаматович Хамзин. Владелец: Акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт по переработке нефти" (АО "ВНИИ НП"). Дата публикации: 2020-12-03.

Method of controlling microdroplet growth in polymeric dispersed liquid crystal

Номер патента: US4673255A. Автор: Joseph W. Doane,John West,Attilio Golemme. Владелец: KENT STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 1987-06-16.

Methods of therapy and diagnosis using targeting of cells that express lax

Номер патента: EP1572235A2. Автор: Peter C. R. Emtage. Владелец: Nuvelo Inc. Дата публикации: 2005-09-14.

Methods of therapy and diagnosis using targeting of cells that express killer cell immunoglobulin-like receptor-like protein

Номер патента: US20050208498A1. Автор: Radoje Drmanac,Peter Emtage,Y. Tang,Vinod Asundi,Ping Zhou. Владелец: Nuvelo Inc. Дата публикации: 2005-09-22.

Methods of therapy and diagnosis

Номер патента: CA2476555A1. Автор: Y. Tom Tang,Vinod Asundi,Radoje T. Drmanac,Jian-Rui Wang,Chenghua Liu,Victoria Yamazaki,Bryan J. Boyle,Peter C. R. Emtage,Huang-Tsu Chen,Douglas A. Dedera,Ching-Yi Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Suspension fertilizers and method of producing same

Номер патента: US4069034A. Автор: Lonnie Daniel Hoover. Владелец: NL Industries Inc. Дата публикации: 1978-01-17.

Method of metalizing a glass article

Номер патента: US11798815B2. Автор: Prantik Mazumder,Mandakini Kanungo,Philip Simon Brown. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Under layer composition and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180277359A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,Ming-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Method of preparing metal nanoparticles for solar cell, ink composition including the metal nanoparticles, and method of preparing thin film using the same

Номер патента: US20150325724A1. Автор: Seokhee Yoon,Seokhyun Yoon,Taehun Yoon,Eunju Park,Hosub LEE. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Methods of separating a substrate

Номер патента: US20240174545A1. Автор: Ralf Joachim Terbrueggen,Yuvanash Kasinathan. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of printing

Номер патента: US20210309037A1. Автор: Nicolaas T.A. VAN RENS. Владелец: Canon Production Printing Holding BV. Дата публикации: 2021-10-07.

Compounds and methods of inhibiting bacterial chaperonin systems

Номер патента: WO2020092947A1. Автор: Steven Johnson,Eli CHAPMAN. Владелец: The Trustees of Indiana University. Дата публикации: 2020-05-07.

Green method of preparing iron oxide nanoparticles using herbal mixture

Номер патента: US11622559B2. Автор: Mohammad Azam ANSARI. Владелец: Imam Abdulrahman Bin Faisal University. Дата публикации: 2023-04-11.

Methods of seperating a substrate

Номер патента: WO2024118415A1. Автор: Ralf Joachim Terbrueggen,Yuvanash Kasinathan. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Single-source metalloorganic precursors to produce ii/vi materials

Номер патента: US5157136A. Автор: John Arnold,Phillip J. Bonasia. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1992-10-20.

Single-source metalloorganic precursors to produce ii/vi materials

Номер патента: WO1992018510A1. Автор: John Arnold,Philip J. Bonasia. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 1992-10-29.

Tool useful in installation for treating recovery material comprising sludge or wastes, comprises a rotating frame moved along a layer of material, and a rotating part supported by the frame for advancing the material by shifting the tool

Номер патента: FR2930175A1. Автор: Mathieu Boillot,Jean Francois Lauzon. Владелец: SAUR SOC PAR ACTIONS SIMPLIFIE. Дата публикации: 2009-10-23.

Compositions and method of use for stimulating root growth of grasses

Номер патента: CA1140769A. Автор: Kazutoyo Yahiro. Владелец: Kohjin Holdings Co Ltd. Дата публикации: 1983-02-08.

A method of killing or inhibiting microbial cells

Номер патента: AU2091297A. Автор: Charlotte Johansen. Владелец: Novo Nordisk AS. Дата публикации: 1997-09-22.

Compounds and methods of inhibiting bacterial chaperonin systems

Номер патента: US20230406831A1. Автор: Steven Johnson,Eli CHAPMAN. Владелец: Indiana University. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of forming metallic glass multilayers

Номер патента: WO2016014993A1. Автор: William L. Johnson,Marios D. Demetriou,Joseph P. Schramm. Владелец: GLASSIMETAL TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-01-28.

Optical recording medium and method of recording visible information

Номер патента: US20090207712A1. Автор: Hisashi Mikoshiba,Nobuo Seto,Michihiro Shibata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

System and method of stimulating ethanol production and growth of aquatic plants

Номер патента: US20140227755A1. Автор: Tony A. Hagen. Владелец: AQUATECH BIOENERGY LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Compounds and methods of inhibiting bacterial chaperonin systems

Номер патента: EP4243799A1. Автор: Steven Johnson,Eli CHAPMAN. Владелец: Indiana University. Дата публикации: 2023-09-20.

Compounds and methods of inhibiting bacterial chaperonin systems

Номер патента: WO2022103572A1. Автор: Steven Johnson,Eli CHAPMAN. Владелец: The Trustees of Indiana University. Дата публикации: 2022-05-19.

METHOD OF MANUFACTURING DECORATION FOIL AND RELEASE LAYER AND ADHESIVE LAYER OF DECORATION FOIL, AND DECORATION FOIL MANUFACTURED BY THE SAME

Номер патента: US20220056237A1. Автор: LEE Hsien-Chang,Kuo Chien-Liang,TSAI KUO-LUNG,TSAI HSIEN-YIN,KUO MING-CHIEH. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

SYSTEM AND METHOD OF STIMULATING ETHANOL PRODUCTION AND GROWTH OF AQUATIC PLANTS

Номер патента: US20140227755A1. Автор: Hagen Tony A.. Владелец: AQUATECH BIOENERGY LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Method Of Manufacturing A Plurality Of Through-Holes In A Layer Of First Material

Номер патента: US20170246611A1. Автор: Sarajlic Edin. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Methods of killing and inhibiting the growth of ammonia-oxidising bacteria in tanks or containers of water

Номер патента: AU2007238808B2. Автор: Joel J. Bleth,Gary A. Kudrna,Corey M. Simnioniw,Willard R. Tormaschy,Jonathan L. Zent. Владелец: IXOM Operations Pty Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

A method of manufacturing a plated sheet having an abrasion-resistant layer of tool steel and plated sheet obtained.

Номер патента: FR2690166A1. Автор: BEGUINOT Jean,Brisson Jean Georges. Владелец: Creusot Loire Industrie SA. Дата публикации: 1993-10-22.

Methods of killing or inhibiting the growth of cancer cells

Номер патента: CA3170323A1. Автор: Scheffer Tseng,Hua He,Sean TIGHE,Kaustuv BASU. Владелец: TissueTech Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of alkylating isobutane in three-phase reactor with fixed layer of catalyst

Номер патента: RU2637922C2. Автор: Саламбек Наибович Хаджиев,Ильяс Магамедович Герзелиев,Наталья Владимировна Окнина,Алексей Евгеньевич Кузьмин,Заур Алаудинович Саитов. Владелец: Акционерное общество "Газпромнефть-Московский НПЗ" (АО "Газпромнефть-МНПЗ". Дата публикации: 2017-12-08.

Methods of killing or inhibiting the growth of cancer cells

Номер патента: AU2021219772A1. Автор: Scheffer Tseng,Hua He,Sean TIGHE,Kaustuv BASU. Владелец: TissueTech Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of treating liquids to inhibit growth of living organisms

Номер патента: HK1002189A1. Автор: Ayala Barak. Владелец: A Y Lab Ltd. Дата публикации: 1998-08-07.

Crystal growth method of III - V compound semiconductor

Номер патента: US5294565A. Автор: Yasushi Shiraishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Light-emitting device of elements of iii-v groups that includes light-emitting structure

Номер патента: RU2559305C2. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН,Майкл Р. КРЕЙМС,Орельен Дж.Ф. ДЭВИД. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-08-10.

Integration of III-V compound materials on silicon

Номер патента: US10217632B2. Автор: SANGHOON Lee,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Integration of III-V compound materials on silicon

Номер патента: US09406566B1. Автор: SANGHOON Lee,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of forming semiconductor structure having sets of iii-v compound layers

Номер патента: US20170236709A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Reduced short channel effect of iii-v field effect transistor via oxidizing aluminum-rich underlayer

Номер патента: US20140332851A1. Автор: Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Ko-Tao Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160196972A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160211170A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09698046B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09553015B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Selective-area growth of iii-v materials for integration with silicon photonics

Номер патента: US20210265806A1. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Replacement III-V or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth

Номер патента: US09947775B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Replacement III-V or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth

Номер патента: US09570551B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Process for chemical-mechanical polishing of iii-v semiconductor materials

Номер патента: CA1044580A. Автор: Robert J. Walsh. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1978-12-19.

Stacked circuits of iii-v devices over silicon with high quality integrated passives with hybrid bonding

Номер патента: US20200381398A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Replacement iii-v or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth

Номер патента: US20170229555A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

METHOD OF MANUFACTURING A PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT OPTICALLY COUPLED TO A LASER OF III-V MATERIAL

Номер патента: US20160047986A1. Автор: Cremer Sébastien,Chantre Alain. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Mid-ir kerr lens mode locked laser with normal incidence mounting of polycrystalline tm:ii-vi materials and method for controlling parameters of polycrystalline tm:ii-vi kerr lens mode locked laser

Номер патента: US20170018903A1. Автор: Igor Moskalev,Sergey Vasilyev,Michael MIROV. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-19.

Preparation of low defect density of III-V on Si for device fabrication

Номер патента: US09984873B2. Автор: Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Preparation of low defect density of III-V on Si for device fabrication

Номер патента: US09570296B2. Автор: Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Preparation of low defect density of III-V on Si for device fabrication

Номер патента: US09508550B2. Автор: Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Yanning Sun,Keun-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Seed layer structure for growth of III-V materials on silicon

Номер патента: US09620362B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for the selective dry etching of layers of III-V group semiconductive materials

Номер патента: US4742026A. Автор: Jean Vatus,Jean Chevrier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-05-03.

Monolithic integration of III-V cells for powering memory erasure devices

Номер патента: US09997475B2. Автор: Kenneth Rodbell,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Metamorphic Growth Of III-V Semiconductor On Silicon Substrate By MOCVD for High Speed III-V Transistors

Номер патента: US20140209979A1. Автор: Kei May Lau,Chak Wah TANG. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Surface passivation of iii-v optoelectronic devices

Номер патента: WO2020242774A3. Автор: Andrew J. RITENOUR,Brendan M. Kayes. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Quantum well infrared photodetectors using II-VI material systems

Номер патента: US09698286B2. Автор: Claire Gmachl,Arvind Ravikumar,Aidong Shen,Maria Tamargo. Владелец: Research Foundation Of City University of New York. Дата публикации: 2017-07-04.

Replacement-channel fabrication of iii-v nanosheet devices

Номер патента: US20190280102A1. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Heng Wu,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Replacement-channel fabrication of III-V nanosheet devices

Номер патента: US11742409B2. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Heng Wu,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Replacement-channel fabrication of iii-v nanosheet devices

Номер патента: US20230282728A1. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Heng Wu,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Replacement-channel fabrication of III-V nanosheet devices

Номер патента: US11990530B2. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Heng Wu,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of making articles, based on binder, with heat insulating layer of mineral-wool heat insulation for construction of buildings and structures

Номер патента: RU2602563C1. Автор: Игорь Викторович Прохоров. Владелец: Игорь Викторович Прохоров. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of Providing a Plurality of Through-Holes in a Layer of Structural Material

Номер патента: US20200165125A1. Автор: Edin Sarajlic. Владелец: Cytosurge AG. Дата публикации: 2020-05-28.

A method of providing a plurality of through-holes in a layer of structural material

Номер патента: EP3642152A1. Автор: Edin Sarajlic. Владелец: Cytosurge AG. Дата публикации: 2020-04-29.

A method of providing a plurality of through-holes in a layer of structural material

Номер патента: WO2018236211A1. Автор: Edin Sarajlic. Владелец: SmartTip BV. Дата публикации: 2018-12-27.

Magnetic disk, method of track following on a magnetic disk, and method of writing a servo pattern in a dedicated servo layer of a magnetic disk

Номер патента: WO2015041604A1. Автор: Zhimin Yuan,Jingliang Zhang,Chun Lian Ong,Shiming Ang. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2015-03-26.

Manufacturing method of a multi-level micromechanical structure on a single layer of homogenous material

Номер патента: US09969615B2. Автор: Altti Torkkeli,Antti Iihola. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Magnetic disk, method of track following on a magnetic disk, and method of writing a servo pattern in a dedicated servo layer of a magnetic disk

Номер патента: US09704522B2. Автор: Zhimin Yuan,Jingliang Zhang,Chun Lian Ong,Shiming Ang. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of making a color separation filter including monomolecular film layers of coupled dyestuff

Номер патента: US4824748A. Автор: Hideo Saeki,Shigeyuki Uematsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-04-25.

Method of fabricating semiconductor device having voids between top metal layers of metal interconnects

Номер патента: US09659886B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Hsin Lin,Ping-Heng Wu,Chao-Wen Lay,Hung-Mo Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Manufacturing method of semiconductor device that includes forming plural nitride semiconductor layers of identical material

Номер патента: US09543146B2. Автор: Hung Hung,Naoharu Sugiyama,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Quantum well infrared photodetectors using ii-vi material systems

Номер патента: US20140231750A1. Автор: Claire Gmachl,Arvind Ravikumar,Aidong Shen,Maria Tamargo. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-21.

Method of production of double edible films used in one layer of apple juice and alginate sodium

Номер патента: RU2655216C1. Автор: Дмитрий Евгеньевич Быков,Надежда Викторовна Макарова,Владимир Валентинович Бахарев,Анна Владимировна Демидова,Наталья Борисовна Еремеева,Татьяна Олеговна Быкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-24.

Method of arranging ring segments on a wafer for functionalized layers of an ophthalmic lens

Номер патента: CA2807715A1. Автор: Frederick A. Flitsch,Daniel B. Otts,Randall B. Pugh,James Daniel Riall,Adam Toner. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2013-08-28.

Method of and device for forming an image of a layer of a three-dimensional object

Номер патента: US4461016A. Автор: Hermann Weiss,Erhard Klotz. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-07-17.

Methods of manufacturing at least a portion of a magnetic layer of a magnetic recording disk, and related magnetic recording disks

Номер патента: US11948614B2. Автор: XiaoMin Yang,Kim Yang Lee,Thomas Young Chang,Shuaigang Xiao,Sha Zhu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of forming a depression in a surface of a layer of photoresist

Номер патента: EP1700166A1. Автор: Mohammed Shaarawi,Thomas R. Strand. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-09-13.

Method of forming a depression in a surface of a layer of photoresist

Номер патента: EP1700166B1. Автор: Mohammed Shaarawi,Thomas R. Strand. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-01-06.

Methods of manufacturing at least a portion of a magnetic layer of a magnetic recording disk, and related magnetic recording disks

Номер патента: US20230267959A1. Автор: XiaoMin Yang,Kim Yang Lee,Thomas Young Chang,Shuaigang Xiao,Sha Zhu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Device and method for precision transfer of layers of atomically thin materials of any area onto planar substrates

Номер патента: RU2742761C1. Автор: Татьяна Владимировна Иванова,Никита Константинович Кулаченков,Иван Сергеевич Синев,Дмитрий Вадимович Пермяков,Екатерина Андреевна Хестанова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2021-02-10.

Method of providing thinned layer of epitaxial semiconductor material having substantially uniform reverse breakdown voltage characteristic

Номер патента: US4154663A. Автор: Robert L. Adams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-05-15.

Method of preparing pure precious metal nanoparticles with large fraction of (100) facets, nanoparticles obtained by this method and their use

Номер патента: RU2661137C2. Автор: Адам ЛЕВЕРА,Рафаль ЮРЧАКОВСКИ,Юстина ПИВОВАР,Барбара ГРАЛЕЦ. Владелец: Университет Варшавски. Дата публикации: 2018-07-11.

Method of making plugging material for repair-isolation operations in oil and gas wells

Номер патента: RU2600576C1. Автор: Михаил Владимирович Малышев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Новас Ск". Дата публикации: 2016-10-27.

Method of layer-by-layer formation of moulds and rods by means of liquid binder-containing binder and binder containing liquid glass

Номер патента: RU2706616C2. Автор: Хайнц ДЕТЕРС,Хеннинг ЦУПАН. Владелец: Аск Кемикалз Гмбх. Дата публикации: 2019-11-19.

Ir-reflecting and transparent system of layers having colour stability, and method of making same manufacture, glass block

Номер патента: RU2578071C1. Автор: Кристоф КЁКЕРТ. Владелец: Фон Арденне Гмбх. Дата публикации: 2016-03-20.

Method of specific isolation of complete dna-content of bacterial pathogens

Номер патента: RU2567809C2. Автор: Габор КИШШ,Янош Кишш,Каталин СТАНЧИК,Георгина БЕРНАТ. Владелец: ДИАГОН Кфт.. Дата публикации: 2015-11-10.

Organic light-emitting device, a display device, a method of controlling color temperature of light emitted from an organic light-emitting device, and a method of making an organic light-emitting device

Номер патента: RU2739521C1. Автор: Юаньхой ГО. Владелец: Хэфэй Боэ Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-12-25.

Method of hydrogenation refining of residual oil stock

Номер патента: RU2699226C1. Автор: Наталья Яковлевна Виноградова,Павел Анатольевич Никульшин,Алексей Вячеславович Юсовский,Павел Петрович Минаев,Людмила Алексеевна Гуляева,Людмила Александровна Красильникова,Всеволод Артурович Хавкин,Ольга Ивановна Шмелькова,Георгий Владимирович Битиев. Владелец: Акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт по переработке нефти" (АО "ВНИИ НП"). Дата публикации: 2019-09-04.

METHOD OF OBTAINING ARTICLES FROM POWDER MATERIAL 94WC6Co

Номер патента: RU2669034C1. Автор: Роман Сергеевич Хмыров,Татьяна Васильевна Тарасова,Андрей Владимирович Гусаров,Дмитрий Валерьевич Котобан,Наталья Дмитриевна Хмырова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2018-10-05.

Method of manufacturing rolled metal sheets of metal

Номер патента: RU2711690C1. Автор: Хайке ХАТТЕНДОРФ,Бодо ГЕРМАНН,Ютта КЛЁВЕР,Франц ВИНТЕР,Клаудиус ШИНДЛЕР,Франц-Йозеф ВАЛЕРС. Владелец: Вдм Металс Интернациональ Гмбх. Дата публикации: 2020-01-21.

Paek-powder for application in process of layer-by-layer obtaining of three-dimensional object and method of layer-by-layer obtaining of three-dimensional object from powder-like material

Номер патента: RU2548919C2. Автор: Франк Мюллер,Андреас ПФИСТЕР,Мартин ЛОЙТЕРЕР. Владелец: Эос Гмбх Электро Оптикал Системз. Дата публикации: 2015-04-20.

Sheet forming of metallic glass by rapid capacitor discharge

Номер патента: US09463498B2. Автор: William L. Johnson,Marios D. Demetriou,Joseph P. Schramm. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-10-11.

Use of coated dispersion adhesive layer of polyvinyl chloride sealing films for making tight coating

Номер патента: RU2593846C2. Автор: Мартин ДЕММИГ,Андре БУХХОЛЬЦ,Кристина БОССЕ,Мартин ЛИННЕНБРИНК. Владелец: Сикэ Текнолоджи Аг. Дата публикации: 2016-08-10.

Layered product, layered preform, method of manufacturing product from polyester plastic with barrier coating (versions), method for production of layered plastic container (versions), and method of manufacturing polyethyleneterephthalate plastic with barrier coating from terephthalic acid/isophthalic acid/diol copolymer

Номер патента: RU2200667C2. Автор: Джеральд А. ХАТЧИНСОН,Роберт А. ЛИ. Владелец: Эдвэнсид Плэстик Текнолоджис, Лтд.. Дата публикации: 2003-03-20.

Molded ceramic article with photo-catalytic coat and method of manufacture of such article

Номер патента: RU2320626C2. Автор: Аксель ТИРАУФ,Эдуард ГАСТ,Фридерике БАУЕР. Владелец: Эрлус Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2008-03-27.

METHOD OF PRODUCING SUPERPARAMAGNETIC NANOPARTICLES BASED ON IRON SILICIDE Fe3Si WITH MODIFIED SURFACE

Номер патента: RU2713598C1. Автор: Сергей Александрович Лященко,Иван Александрович Яковлев,Иван Анатольевич Тарасов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН). Дата публикации: 2020-02-05.

Method of producing high-strength corrosion-resistant plaque steel

Номер патента: RU2642242C1. Автор: Александр Иванович Зайцев,Алексей Борисович Степанов,Наталия Анатольевна Карамышева,Наталия Анриевна Арутюнян,Александр Вячеславович Пименов. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии им. И.П. Бардина" (ФГУП "ЦНИИчермет им. И.П. Бардина"). Дата публикации: 2018-01-24.

Method of producing epitaxial bismuth ferrite films by molecular layering

Номер патента: RU2718467C1. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Руслан Мурадович Эмиров,Ильмар Гюлиметович Ризванов,Фарид Фахреддинович Оруджев. Владелец: Общества с ограниченной ответсвеностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2020-04-08.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220367206A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Coated microfluidic devices and methods of making

Номер патента: US8834966B2. Автор: Wilhelm T. S. Huck,Martin Fischlechner,Wolfgang Andreas Bauer. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2014-09-16.

Methods of layer by layer self-assembly of polyelectrolyte comprising light absorbing or stabilizing compound and articles

Номер патента: US09902869B2. Автор: James R. Miller,Daniel J. Schmidt,Timothy J. Hebrink,Richard S. Buckanin. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-02-27.

Coated microfluidic devices and methods of making

Номер патента: US09707557B2. Автор: Wilhelm T. S. Huck,Martin Fischlechner,Wolfgang Andreas Bauer. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of producing electricity from substandard fuel biomass and device for its implementation

Номер патента: RU2631450C1. Автор: Игорь Владимирович Тихомиров,Александр Иванович Забегаев,Алексей Григорьевич Варочко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центр эксплуатации объектов наземной космической инфраструктуры" (ФГУП "ЦЭНКИ"). Дата публикации: 2017-09-22.

Method of manufacturing a detail from aluminum powder alloy 7075 or b95

Номер патента: RU2684011C1. Автор: Иннокентий Алексеевич Скорняков,Роман Сергеевич Хмыров,Татьяна Васильевна Тарасова,Риана Рауфовна Аблеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2019-04-03.

Substrate coated with composite film, method of manufacture of such substrates and their application

Номер патента: RU2288167C2. Автор: Катрин ЖАКИО,Жан-Марк БЕРКЬЕ,Софи БЕССОН,Жан-Пьер БУАЛО,Кристиан РИКОЛЛО,Тьерри ГАКУАН. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2006-11-27.

Method of increasing efficiency of gold-bearing clay rocks vacuum disintegration

Номер патента: RU2714787C1. Автор: Сергей Андреевич Новопашин,Игорь Вячеславович Ярыгин,Виктор Григорьевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2020-02-19.

Method of connecting two components

Номер патента: RU2477678C2. Автор: Джонатан МЕЙЕР,Дэниэл ДЖОНС,Эндрю ХЭНСТРИДЖ. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Лимитед. Дата публикации: 2013-03-20.

Outer coating from zirconium oxide, doped with gadolinium oxide and/or method of obtaining thereof

Номер патента: RU2570054C2. Автор: Мухаммад ИМРАН. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-12-10.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Method of processing liquid hydrocarbon slurries

Номер патента: RU2713649C2. Автор: Михаил Павлович Крестовников,Юрий Леонидович Липовцын,Валерий Абрамович Шапиро,Батрадэ Давидович Битиев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АКТИВ". Дата публикации: 2020-02-06.

Polymer mixture, composition based on said mixture and method of reparing sealing material

Номер патента: RU2391363C2. Автор: Майкл А. КОСМАН. Владелец: Прк-Десото Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of producing intermetallide orthoalloy based on titanium

Номер патента: RU2635204C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Алексей Владимирович Григорьев,Вадим Шамилевич Суфияров,Игорь Анатольевич Полозов,Евгений Владиславович Борисов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2017-11-09.

Method of processing organic material to produce synthetic fuel gas in a high-temperature ablation pyrolisis of gravitational type

Номер патента: RU2721695C1. Автор: Юрий Федорович Юрченко. Владелец: Юрий Федорович Юрченко. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of complex processing of brown algae

Номер патента: RU2676271C1. Автор: Константин Григорьевич Боголицын,Анастасия Эдуардовна Паршина,Анна Сергеевна Дружинина,Денис Владимирович Овчинников,Платон Александрович Каплицин,Елена Валерьевна Шульгина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северный (Арктический) федеральный университет имени М.В. Ломоносова". Дата публикации: 2018-12-27.

Method of determining effective temperature of high-temperature treatment of carbon materials

Номер патента: RU2724302C1. Автор: Владимир Маркович Самойлов,Игорь Анатольевич Бубненков,Дмитрий Борисович Вербец,Анастасия Васильевна Находнова,Валерия Борисовна Самсонова. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of making articles from composite materials

Номер патента: RU2707361C1. Автор: Алексей Алексеевич Новиков,Евгений Николаевич Еремин,Дмитрий Анатольевич Негров,Виталий Юрьевич Путинцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ). Дата публикации: 2019-11-26.

Method of making part from composite material by means of self-propagating high-temperature synthesis

Номер патента: RU2696955C2. Автор: Эрик ФИЛИПП,Эрик БУЙОН,Франсис ТЕЙССАНДЬЕ,Брис ТАЙЕ,Рене Пайе. Владелец: Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьянтифик. Дата публикации: 2019-08-07.

Process for selective epitaxial growth and etching of III-V or II-VI compounds in the same MOCVD growth apparatus

Номер патента: EP0477096B1. Автор: Rosette Azoulay,Louis Dugrand. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1998-01-14.

Method of forming a light emitting diode

Номер патента: US5270245A. Автор: Chan-Long Shieh,Craig A. Gaw. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-12-14.

PROCESS OF SELECTIVE EPITAXY AND ETCHING OF III-V OR II-VI MATERIAL IN THE SAME OMCVD GROWTH CONTAINER.

Номер патента: FR2667197B1. Автор: Rosette Azoulay,Louis Dugrand. Владелец: Louis Dugrand. Дата публикации: 1993-12-24.

Method of epitaxially growing layers of semiconducting compounds

Номер патента: US3461004A. Автор: Horst P Lochner,Hans Jurgen Dersin. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1969-08-12.

Heterogeneous structures comprising iii-v semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US20210126107A1. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of preparation of iii-v compound layer on large area si insulating substrate

Номер патента: US20170117138A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Method of growing III-N semiconductor layer on Si substrate

Номер патента: US09460917B2. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Nam Pham,Erdem Arkun. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods of forming semiconductor structures including iii-v semiconductor material using substrates comprising molybdenum, and structures formed by such methods

Номер патента: US20150144958A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-05-28.

Method of preparation of III-V compound layer on large area Si insulating substrate

Номер патента: US09773670B2. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor structure having sets of III-V compound layers and method of forming the same

Номер патента: US09660063B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Epitaxial Growth of III-V Compound Semiconductors on Silicon Surfaces

Номер патента: US20110304021A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Selective uniform liquid phase epitaxial growth

Номер патента: US3647578A. Автор: Allen M Barnett,Harold A Jensen,Virginia F Meikleham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1972-03-07.

Semiconductor structure having sets of iii-v compound layers and method of forming

Номер патента: US20200402797A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor substrates and methods of producing the same

Номер патента: US20230395376A1. Автор: Ming Zhao,Bertrand PARVAIS,Sachin Yadav,Pieter Cardinael. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of activating P-type compound semiconductor by using lasers for reducing the resistivity thereof

Номер патента: US6432847B1. Автор: Tsung-Yu Chen,Chia-Hung Hsu,Wei-Chih Lai,Jian-Shihn Tsang,Wen-Chung Tsai. Владелец: Advanced Epitaxy Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-13.

Method of three-dimensional printing

Номер патента: US09387658B2. Автор: Peng-Yang Chen,Wen-Ten Lin. Владелец: Cal Comp Electronics and Communications Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Heterogeneous structures comprising III-V semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US11735643B2. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of manufacturing a III-V based optoelectronic device

Номер патента: US11784456B2. Автор: Guomin Yu. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of making 3d isolation

Номер патента: WO2021252108A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for monitoring epitaxial growth geometry shift

Номер патента: US09679822B1. Автор: BoXiu CAI,Yiming Gu,Lingbing Chen. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-06-13.

HETEROGENEOUS INTERGRATION OF GROUP III-V OR II-VI MATERIALS WITH SILICON OR GERMANIUM

Номер патента: US20140299872A1. Автор: Wilshaw Peter,Mallik Kanad,Jordan Doug,De Groot Cornelis. Владелец: ISIS INNOVATION LIMITED. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of determining ultimate tensile strength of ceramic and composite materials during induction heating

Номер патента: RU2711557C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Максим Олегович Забежайлов,Александр Евгеньевич Крюков,Павел Юрьевич Якушкин,Роман Александрович Миронов,Кирилл Валерьевич Клемазов. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2020-01-17.

Method for co-integration of III-V devices with group IV devices

Номер патента: US11557503B2. Автор: Amey Mahadev Walke,Liesbeth Witters. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-01-17.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US20130217212A1. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-08-22.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US9281184B2. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-03-08.

Method of data transmission in multiple antenna system

Номер патента: US20140072070A1. Автор: Seung Hee Han,Jae Hoon Chung,Hyun Soo Ko,Moon Il Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of data transmission in multiple antenna system

Номер патента: US20150173057A1. Автор: Seung Hee Han,Jae Hoon Chung,Hyun Soo Ko,Moon Il Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Method of Data Transmission in Multiple Antenna System

Номер патента: US20110019764A1. Автор: Seung Hee Han,Jae Hoon Chung,Hyun Soo Ko,Moon Il Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of making a capacitive optical modulator

Номер патента: US20230280630A1. Автор: Frederic Boeuf,Cyrille Barrera. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of making a capacitive optical modulator

Номер патента: US12032265B2. Автор: Frederic Boeuf,Cyrille Barrera. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of data transmission in multiple antenna system

Номер патента: US09923676B2. Автор: Seung Hee Han,Jae Hoon Chung,Hyun Soo Ko,Moon Il Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of data transmission in multiple antenna system

Номер патента: US09722738B2. Автор: Seung Hee Han,Jae Hoon Chung,Hyun Soo Ko,Moon Il Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of data transmission in multiple antenna system

Номер патента: US09462590B2. Автор: Seung Hee Han,Jae Hoon Chung,Hyun Soo Ko,Moon Il Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Formation of ohmic contacts for a device provided with a region made of iii-v material and a region made of another semiconductor material

Номер патента: US20170062424A1. Автор: Philippe Rodriguez,Fabrice Nemouchi,Elodie GHEGIN. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of data transmission in multiple antenna system

Номер патента: EP2263328A2. Автор: Seung Hee Han,Jae Hoon Chung,Hyun Soo Ko,Moon Il Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-12-22.

Method of data transmission in multiple antenna system

Номер патента: US20130287072A1. Автор: Seung Hee Han,Jae Hoon Chung,Hyun Soo Ko,Moon Il Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of data transmission in multiple antenna system

Номер патента: US20170005759A1. Автор: Seung Hee Han,Jae Hoon Chung,Hyun Soo Ko,Moon II Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device structure and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2007072021A1. Автор: Arnab Basu,Max Robinson,Ben Cantwell,Andy Brinkman. Владелец: Durham Scientific Crystals Limited. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for manufacturing semiconductor device by epitaxial lift-off using plane dependency of III-V compound

Номер патента: US09941168B1. Автор: Hyung-Jun Kim,Won Jun Choi,Sanghyeon Kim,Jae-Phil SHIM,Seong Kwang KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods for the synthesis of arrays of thin crystal grains of layered semiconductors SnS2 and SnS at designed locations

Номер патента: US09761446B2. Автор: Haibing Peng,Guoxiong Su,Debtanu De. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for the production of iii-v laser components

Номер патента: WO2003054921A2. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar,Holger Jurgensen. Владелец: Aixtron Ag. Дата публикации: 2003-07-03.

Method of hot foil stamping of paper products

Номер патента: RU2684320C1. Автор: Дмитрий Фёдорович Сахаров. Владелец: Федеральное казенное образовательное учреждение высшего образования "Кузбасский институт Федеральной службы исполнения наказаний". Дата публикации: 2019-04-05.

METHOD OF SELECTIVE DRY ETCHING OF LAYERS OF III-V SEMICONDUCTOR MATERIALS, AND TRANSISTOR OBTAINED THEREBY

Номер патента: FR2598256A1. Автор: Jean Vatus,Jean Chevrier,Vatus Et Jean Chevrier Jean. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1987-11-06.

A kind of III V CMOS-types are counterfeit to match somebody with somebody HFET

Номер патента: CN106952952A. Автор: 黎明. Владелец: Chengdu Hiwafer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-14.

Formation of Ohmic contacts for a device provided with a region made of III-V material and a region made of another semiconductor material

Номер патента: US10388653B2. Автор: Philippe Rodriguez,Fabrice Nemouchi,Elodie GHEGIN. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device by epitaxial lift-off using plane dependency of iii-v compound

Номер патента: US20180082900A1. Автор: Hyung-Jun Kim,Won Jun Choi,Sanghyeon Kim,Jae-Phil SHIM,Seong Kwang KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-22.

Integration of iii-v devices on si wafers

Номер патента: US20160181085A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Two-dimensional epitaxial growth of III-V compound semiconductors

Номер патента: GB9424787D0. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1995-02-08.

Integration of III-V devices on Si wafers

Номер патента: US09673045B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Metal-based passivation-assisted plasma etching of iii-v semiconductors

Номер патента: US20180323074A1. Автор: Rebecca J. Nikolic,Qinghui Shao,Lars Voss,Sara Elizabeth Harrison,Clint Frye. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the III-V type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US9991346B2. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-06-05.

Cutting device and method of cutting

Номер патента: RU2685303C2. Автор: Йосиаки НАКАДЗАВА,Ясухиро ИТО,Риуити НИСИМУРА. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2019-04-17.

Cointegration of III-V channels and germanium channels for vertical field effect transistors

Номер патента: US10535570B1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

A kind of epitaxial growth method and the epitaxial layer of buried heterostructure

Номер патента: CN106300013A. Автор: 李鸿建. Владелец: Wuhan Huagong Genuine Optics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-04.

Epitaxial growth of III-V compounds on (111) silicon for solar cells

Номер патента: US8299351B2. Автор: Chung Chi Hsu. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the iii-v type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure

Номер патента: EP3178107A1. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2017-06-14.

Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the iii-v type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure

Номер патента: WO2016020196A1. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2016-02-11.

Integration of iii-v devices on si wafers

Номер патента: EP3050077A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE OF GROUP III-V OR II-VI COMPRISING CRYSTALLINE STRUCTURE WITH CUBIC OR HEXAGONAL MESH

Номер патента: FR3028670B1. Автор: Matthew Charles. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190131391A1. Автор: Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Metamorphic Growth Of III-V Semiconductor On Silicon Substrate By MOCVD for High Speed III-V Transistors

Номер патента: US20140209979A1. Автор: LAU Kei May,TANG Chak Wah. Владелец: NANO AND ADVANCED MATERIALS INSTITUTE LIMITED. Дата публикации: 2014-07-31.

Electrolytic oxidation and etching of III-V compound semiconductors

Номер патента: US3898141A. Автор: Bertram Schwartz,Felix Ermanis. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-08-05.

A kind of iii-v silicon substrate low-refraction gap structure DBR laser and integrated approach

Номер патента: CN110277731A. Автор: 冯佩,黄卫平,李俣,曲莫. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2019-09-24.

Method of manufacturing a mixed crystal semiconductor wafer

Номер патента: GB2069234B. Автор: . Владелец: Mitsubishi Monsanto Chemical Co. Дата публикации: 1984-02-29.

Process for the selective dry-etchung of layers of III-V semiconductor materials, and transistor manufactured by this process

Номер патента: EP0244304A1. Автор: Jean Vatus,Jean Chevrier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1987-11-04.

Barrier structure configured to increase performance of III-V devices

Номер патента: US11715792B2. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Ching Yu Chen,Chia-Ling Yeh,Yun-Hsiang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Optical structure and method of forming the same

Номер патента: WO2017151055A9. Автор: Wei Li,LIN Zhang,Kwang Hong LEE,Chuan Seng Tan,Shuyu BAO,P Anantha. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-15.

Optical structure and method of forming the same

Номер патента: US20190033523A1. Автор: Wei Li,LIN Zhang,Kwang Hong LEE,Chuan Seng Tan,Shuyu BAO,P Anantha. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor laser device of III-V group compound and fabrication method therefor

Номер патента: US20040037336A1. Автор: Hiroyuki Hosoba. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Barrier structure configured to increase performance of iii-v devices

Номер патента: US20210242337A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Ching Yu Chen,Chia-Ling Yeh,Yun-Hsiang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Reducing Source/Drain Resistance of III-V Based Transistors

Номер патента: US20130248929A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING SETS OF III-V COMPOUND LAYERS AND METHOD OF FORMING

Номер патента: US20190027360A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING SETS OF III-V COMPOUND LAYERS AND METHOD OF FORMING

Номер патента: US20210028016A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING SETS OF III-V COMPOUND LAYERS AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140197418A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-17.

METHOD OF PREPARATION OF III-V COMPOUND LAYER ON LARGE AREA SI INSULATING SUBSTRATE

Номер патента: US20170117138A1. Автор: Xiao Deyuan,CHANG RICHARD R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING SETS OF III-V COMPOUND LAYERS

Номер патента: US20170236709A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING SETS OF III-V COMPOUND LAYERS AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150349106A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING SETS OF III-V COMPOUND LAYERS AND METHOD OF FORMING

Номер патента: US20200402797A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

METHOD OF SELECTIVE DRY ETCHING OF III-V SEMICONDUCTOR MATERIALS, AND TRANSISTOR OBTAINED BY THIS PROCESS.

Номер патента: FR2598256B1. Автор: Jean Vatus,Jean Chevrier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-07-08.

Atomic layer deposition of iii-v compounds to form v-nand devices

Номер патента: US20220028870A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-01-27.

A kind of implementation method of III V II-VI group solar cell evaporation antireflective coating

Номер патента: CN106653874B. Автор: 王鑫,肖志斌,杜永超,梁存宝,铁剑锐. Владелец: Tianjin Hengdian Space Power Source Co ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

A kind of modeling method of III-V race HEMT surface potentials basis set about pattern type

Номер патента: CN105468828B. Автор: 刘军,汪洁,孙玲玲. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2018-10-19.

A method of removing threading dislocation defect from a fin feature of iii-v group semiconductor material

Номер патента: KR101824776B1. Автор: 마크 반 달,게오르기오스 벨리아니티스,마틴 크리스토퍼 홀랜드,마티아스 파슬락. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2018-02-01.

Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices

Номер патента: KR20170078554A. Автор: 얀 빌럼 마스,톰 이. 블롬베르그,바룬 샤르마. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2017-07-07.

Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices

Номер патента: US11956977B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Radiofrequency induction heating bonding method of material composed of more than one of layer having foil

Номер патента: JPS5448868A. Автор: Yutaka Aoyama,Mamoru Terada. Владелец: Shimada Rika Kogyo KK. Дата публикации: 1979-04-17.

Method of and an apparatus for the formation of layers of comminuted materials

Номер патента: CA942647A. Автор: Ulrich Schnitzler. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-02-26.

Preparation method of III-V group compound semiconductor heterojunction structure

Номер патента: CN112018025A. Автор: 金婷婷,欧欣,王羲,林家杰,游天桂. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2020-12-01.

Manufacturing method of III-V laser structural parts

Номер патента: JP2005513797A. Автор: ジューゲンゼン、ホルガー,クロスト、アロイス,ダガール、アーミン. Владелец: アイクストロン、アーゲー. Дата публикации: 2005-05-12.

Method of making thin-film solar module with scribing layers

Номер патента: RU2715088C1. Автор: Илья Александрович Няпшаев,Виктор Сергеевич Тарасов,Федор Сергеевич Егоров,Александр Дмитриевич Дубровский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Хевел». Дата публикации: 2020-02-25.

Method of making impeller of centrifugal compressor from composite material

Номер патента: RU2652269C2. Автор: Владимир Александрович Грибановский,Владимир Сергеевич Жернаков,Сергей Николаевич Никитин,Виктор Леонидович Юрьев,Арсен Маратович Ахметов. Владелец: Акционерное общество "Институт технологии и организации производства" (АО НИИТ). Дата публикации: 2018-04-25.

Multilayer material for production of a film with transparent little windows, and also the method of its manufacture

Номер патента: RU2644877C1. Автор: Славомир ПЕЧЦИН,Ян ПЕЧЦИН,Данута БЖОСТ. Владелец: Закрытое акционерное общество "Унифлекс". Дата публикации: 2018-02-14.

Method of making 3D isolation

Номер патента: US11842919B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

ATOMIC LAYER DEPOSITION OF III-V COMPOUNDS TO FORM V-NAND DEVICES

Номер патента: US20170186754A1. Автор: Maes Jan Willem,Blomberg Tom E.,Sharma Varun. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices

Номер патента: US11139308B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-10-05.

Method of making tubular coils with cooling and insulating channels

Номер патента: US4129938A. Автор: Hariolf Hagenbucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-12-19.

Method of manufacturing transient electronics

Номер патента: US20240080991A1. Автор: Lavinia Andreea Danielescu,Jung Wook Park,Aditi Maheshwari,Tingyu Cheng,Eric Michael Gallo,Taylor Tabb,Luke Fabrice Gockowski. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods of fabricating semiconductor structures or devices using layers of semiconductor material having selected or controlled lattice parameters

Номер патента: US09793360B2. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of reducing undesired light influence in extreme ultraviolet exposure

Номер патента: US20240295820A1. Автор: BO-TSUN Liu,Chih-Tsung Shih,Yahru CHENG,Tsung Chuan LEE,Chen-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of Making and Using EVOH Blends Providing Improved Oxygen Resistance

Номер патента: US20130184136A1. Автор: Solomon Bekele. Владелец: Cryovac LLC. Дата публикации: 2013-07-18.

Method of forming power mosfet

Номер патента: US20110171799A1. Автор: Yi-Chi Chang,Chia-Lien Wu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of fabrication of an integrated thermoelectric converter, and integrated thermoelectric converter thus obtained

Номер патента: US20210359189A1. Автор: Paolo Ferrari,Bruno Murari,Flavio Francesco Villa,Luca Zanotti,Lucia Zullino,Andrea NOMELLINI,Luca SEGHIZZI,Martina SCOLARI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device having a plurality of III-V semiconductor layers

Номер патента: US12087820B2. Автор: Chun Lin Tsai,Ming-Cheng Lin,Yu-Syuan Lin,Jiun-Lei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Nanostructured substrates for improved lift-off of iii-v thin films

Номер патента: US20190172966A1. Автор: Cun-Zheng Ning,Alan Chin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-06.

Reducing Source/Drain Resistance of III-V Based Transistors

Номер патента: US20130248929A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

Reduced S/D Contact Resistance of III-V Mosfet Using Low Temperature Metal-Induced Crystallilzation of n+ Ge

Номер патента: US20130264658A1. Автор: Shiu Kuen-Ting,Kim Jeehwan,Park Jin-Hong,Sadana Devendra. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

PREPARATION OF LOW DEFECT DENSITY OF III-V ON SI FOR DEVICE FABRICATION

Номер патента: US20170025504A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Sun Yanning,Shiu Keun-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

MONOLITHIC INTEGRATION OF III-V CELLS FOR POWERING MEMORY ERASURE DEVICES

Номер патента: US20180033906A1. Автор: Shahrjerdi Davood,Rodbell Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

FORMATION OF OHMIC CONTACTS FOR A DEVICE PROVIDED WITH A REGION MADE OF III-V MATERIAL AND A REGION MADE OF ANOTHER SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20170062424A1. Автор: NEMOUCHI Fabrice,RODRIGUEZ Philippe,GHEGIN Elodie. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

OPTIMIZED METHOD FOR FABRICATING PATTERNS OF III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20150079766A1. Автор: Baron Thierry,BASSANI Franck. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Method for manufacturing semiconductor device by epitaxial lift-off using plane dependency of iii-v compound

Номер патента: US20180082900A1. Автор: Hyung-Jun Kim,Won Jun Choi,Sanghyeon Kim,Jae-Phil SHIM,Seong Kwang KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-22.

INTEGRATION OF III-V COMPOUND MATERIALS ON SILICON

Номер патента: US20170162387A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Shiu Kuen-Ting,Lee Sanghoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

SMOOTHING SURFACE ROUGHNESS OF III-V SEMICONDUCTOR FINS FORMED FROM SILICON MANDRELS BY REGROWTH

Номер патента: US20190165144A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon,Chen Tze-Chiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

INTEGRATION OF III-V DEVICES ON SI WAFERS

Номер патента: US20160181085A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

NANOSTRUCTURED SUBSTRATES FOR IMPROVED LIFT-OFF OF III-V THIN FILMS

Номер патента: US20190172966A1. Автор: Ning Cun-Zheng,Chin Alan. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

FABRICATION OF III-V-ON-INSULATOR PLATFORMS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160196972A1. Автор: Khakifirooz Ali,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman,Basu Anirban. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Water and Ion Barrier for the Periphery of III-V Semiconductor Dies

Номер патента: US20170194230A1. Автор: Prechtl Gerhard,Haeberlen Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

MONOLITHIC INTEGRATION OF III-V CELLS FOR POWERING MEMORY ERASURE DEVICES

Номер патента: US20170200684A1. Автор: Shahrjerdi Davood,Rodbell Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

FABRICATION OF III-V-ON-INSULATOR PLATFORMS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160211170A1. Автор: Khakifirooz Ali,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman,Basu Anirban. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

INTEGRATION OF III-V TRANSISTORS IN A SILICON CMOS STACK

Номер патента: US20200194427A1. Автор: Dewey Gilbert,Aleksov Aleksandar,Kamgaing Telesphor,LEE Hyung-Jin,DOGIAMIS Gerogios. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

BARRIER STRUCTURE CONFIGURED TO INCREASE PERFORMANCE OF III-V DEVICES

Номер патента: US20210242337A1. Автор: TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,CHEN Po-Chih,Yeh Chia-Ling,Chen Ching Yu,Wang Yun-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

INTEGRATION OF III-V DEVICES ON SI WAFERS

Номер патента: US20170221999A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

CMOS With Middle Of Line Processing Of III-V Material On Mandrel

Номер патента: US20180233516A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon,MO Renee T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Cmos with middle of line processing of iii-v material on mandrel

Номер патента: US20180233517A1. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V MATERIALS FOR INTEGRATION WITH SILICON PHOTONICS

Номер патента: US20210265806A1. Автор: Bovington Jock T.,PATEL Vipulkumar K.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

REDUCED SHORT CHANNEL EFFECT OF III-V FIELD EFFECT TRANSISTOR VIA OXIDIZING ALUMINUM-RICH UNDERLAYER

Номер патента: US20140332851A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,Han Shu-Jen,Kobayashi Masaharu,Lee Ko-Tao. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-13.

REDUCED SHORT CHANNEL EFFECT OF III-V FIELD EFFECT TRANSISTOR VIA OXIDIZING ALUMINUM-RICH UNDERLAYER

Номер патента: US20140332855A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,Han Shu-Jen,Kobayashi Masaharu,Lee Ko-Tao. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-13.

SMOOTHING SURFACE ROUGHNESS OF III-V SEMICONDUCTOR FINS FORMED FROM SILICON MANDRELS BY REGROWTH

Номер патента: US20190237565A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon,Chen Tze-Chiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

BONDING OF III-V-AND-SI SUBSTRATES WITH INTERCONNECT METAL LAYERS

Номер патента: US20180269105A1. Автор: Disney Donald Ray,SUSAI Lawrence Selvaraj. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

MONOLITHIC INTEGRATION OF III-V CELLS FOR POWERING MEMORY ERASURE DEVICES

Номер патента: US20190279946A1. Автор: Shahrjerdi Davood,Rodbell Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

REPLACEMENT-CHANNEL FABRICATION OF III-V NANOSHEET DEVICES

Номер патента: US20190280102A1. Автор: Wu Heng,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Yeung Chun Wing,CHAO ROBIN HSIN KUO. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

PREPARATION OF LOW DEFECT DENSITY OF III-V ON SI FOR DEVICE FABRICATION

Номер патента: US20160322222A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Sun Yanning,Shiu Keun-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

PREPARATION OF LOW DEFECT DENSITY OF III-V ON SI FOR DEVICE FABRICATION

Номер патента: US20160322223A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Sun Yanning,Shiu Keun-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

SEED LAYER STRUCTURE FOR GROWTH OF III-V MATERIALS ON SILICON

Номер патента: US20160322225A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

METAL-BASED PASSIVATION-ASSISTED PLASMA ETCHING OF III-V SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20180323074A1. Автор: Voss Lars,Nikolic Rebecca J.,Shao Qinghui,Harrison Sara Elizabeth,Frye Clint. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

SURFACE PASSIVATION OF III-V OPTOELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20200365755A1. Автор: Kayes Brendan M.,RITENOUR Andrew J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

STACKED CIRCUITS OF III-V DEVICES OVER SILICON WITH HIGH QUALITY INTEGRATED PASSIVES WITH HYBRID BONDING

Номер патента: US20200381398A1. Автор: Kim Jonghae,Lan Je-Hsiung,Dutta Ranadeep. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

COINTEGRATION OF III-V CHANNELS AND GERMANIUM CHANNELS FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20190393104A1. Автор: Ando Takashi,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Process for the manufacture of III-V laser components

Номер патента: DE10206750A1. Автор: Holger Juergensen,Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2003-07-03.

Process for chemical-mechanical polishing of III-V semiconductor materials

Номер патента: US3979239A. Автор: Robert J. Walsh. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1976-09-07.

Structure of III-V light emitting diode (LED) arranged in flip chip configuration having structure for preventing electrostatic discharge

Номер патента: TW492202B. Автор: Jin-Gung Shiu. Владелец: South Epitaxy Corp. Дата публикации: 2002-06-21.

Selective epitaxy of III-V nitride semiconductor layers

Номер патента: DE19715572A1. Автор: Matthias Braun. Владелец: Temic Telefunken Microelectronic GmbH. Дата публикации: 1998-10-22.

Method for the production of iii-v laser components

Номер патента: EP1459365A2. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar,Holger Jurgensen. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2004-09-22.

Method for the production of iii-v laser components

Номер патента: AU2002356608A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar,Holger Jurgensen. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2003-07-09.

Method for the production of III-V laser components

Номер патента: TW200301571A. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar,Holger Jurgensen. Владелец: Aixtron Ag. Дата публикации: 2003-07-01.

Method for the production of III-V laser components

Номер патента: US20050025909A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar,Holger Jurgensen. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2005-02-03.

Process for the production of silicon semiconductor wafers with layer structures for the integration of III-V semiconductor devices

Номер патента: DE102009051520A1. Автор: Ralf Lerner,Gabriel Kittler. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2011-05-05.

Process for the production of silicon semiconductor wafers with layer structures for the integration of III-V semiconductor devices

Номер патента: DE102009051520B4. Автор: Ralf Lerner,Gabriel Kittler. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for vapor growth of iii-v group compound semiconductor

Номер патента: JPS6057615A. Автор: Kikuo Makita,紀久夫 牧田. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-04-03.

Plasma processing of III-V semiconductors, controlled by photoluminescence spectroscopy.

Номер патента: DE69019270T2. Автор: Richard Alan Gottscho. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1996-01-25.

METHOD FOR VAPOR PHASE DEPOSITION BY THERMAL FLASH OF AN INSULATING LAYER ON A SUBSTRATE OF III-V MATERIAL, APPLICATION TO THE MANUFACTURE OF A MIS STRUCTURE

Номер патента: FR2605647B1. Автор: . Владелец: Nissim Yves. Дата публикации: 1993-01-29.

Process for producing a dielectric layer on a structure made of III-V materials

Номер патента: FR3112422B1. Автор: Marc Plissonnier,Thierry Baron,Bassem Salem,Romain Gwoziecki,Maxime Legallais. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-08-12.

Process for producing a dielectric layer on a structure made of III-V materials

Номер патента: FR3112422A1. Автор: Marc Plissonnier,Thierry Baron,Bassem Salem,Romain Gwoziecki,Maxime Legallais. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-01-14.

Manufacture of iii-v semiconductor device

Номер патента: JPS6074480A. Автор: Junichi Nishizawa,Kaoru Mototani,Yuichi Kado,潤一 西澤,勇一 門,本谷　薫. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1985-04-26.

Etching method for heterostructure of III-V compound material

Номер патента: EP0601901A1. Автор: Sylvain Thomson-Csf Delage,Hervé Thomson-CSF Blanck,Simone Thomson-Csf Cassette. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-06-15.

Omcvd of iii-v material on silicon

Номер патента: WO1989004594A1. Автор: Jack P. Salerno,Jhang Woo Lee,Richard E. Mccullough. Владелец: Kopin Corporation. Дата публикации: 1989-05-18.

Structure and method for doping of III-V compounds

Номер патента: EP1217665A3. Автор: Richard W. Streater,Anthony Springthorpe,Aniket Joshi. Владелец: Nortel Networks Ltd. Дата публикации: 2003-05-14.

Ohmic contact of III-V semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: TW201115735A. Автор: Chun-Yen Chang,Edward Yi Chang,Chie-Ni Kuo. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2011-05-01.

Use of metallic halide as a carrier gas in the vapor deposition of iii-v compounds

Номер патента: US3249473A. Автор: Jr Nick Holonyak. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1966-05-03.

Manufacture of iii-v group compound semiconductor through organic metal thermal decomposition method

Номер патента: JPS6083324A. Автор: Toru Suzuki,徹 鈴木. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1985-05-11.

Method for passivating the resonator end faces of semiconductor lasers on the basis of iii-v semiconductor material

Номер патента: AU2002213819A1. Автор: Karl Eberl,Karl Hausler,Nils Kirstaedter. Владелец: Lumics GmbH. Дата публикации: 2002-04-08.

Method for the production of iii-v laser components

Номер патента: AU2002356608A8. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar,Holger Jurgensen. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2003-07-09.

Semiconductor device of III-V compound

Номер патента: EP0243070A2. Автор: Yutaka Yamada,Fumio Orito,Toshihiko Ibuka,Yuichi Seta. Владелец: Mitsubishi Kasei Polytec Co. Дата публикации: 1987-10-28.

METHOD FOR MANUFACTURING A HETEROSTRUCTURE COMPRISING ELEMENTARY PHOTONIC STRUCTURES OF III-V MATERIAL ON THE SURFACE OF A SILICON-BASED SUBSTRATE

Номер патента: FR3075461B1. Автор: Philippe Rodriguez,Fabrice Nemouchi,Yann Bogumilowicz,Charles Baudot,Elodie GHEGIN. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-02-14.

Integration of III-V transistors in a silicon CMOS stack

Номер патента: US11538803B2. Автор: Gilbert Dewey,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Hyung-Jin Lee,Gerogios DOGIAMIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Improved conductivity of III-V semiconductor devices

Номер патента: JP6199342B2. Автор: デューイ，ギルバート,ツァイ，ウィルマン,カヴァリエロス，ジャック，ティー．,ラハマディ，ウィリー,ムケルジー，ニロイ,ラドサヴリュエヴィチ，マルコ,ゴエル，ニティ,ジュ リー，ヨン,マジ，プラシャント. Владелец: インテル コーポレイション. Дата публикации: 2017-09-20.

LIGHT-RADIATING DEVICE FROM ELEMENTS OF III-V GROUPS INCLUDING THE LIGHT-RADIATING STRUCTURE

Номер патента: RU2012134784A. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН,Майкл Р. КРЕЙМС,Орельен Дж.Ф. ДЭВИД. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-02-20.

Coating of iii-v and ii-vi compound semiconductors

Номер патента: WO1986002488A1. Автор: Shobha Singh,Irfan Camlibel,George John Zydzik,Legrand Gerard Van Uitert,Aland Kwang-Yu Chin. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1986-04-24.

Treatment of iii-v group compound semiconductor material

Номер патента: JPS62150714A. Автор: フランシスコ・シー・プリンス,クレイグ・エイ・アルミエントー. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1987-07-04.

Monocrystals of iii-v semiconductor compounds

Номер патента: CA1002433A. Автор: Wolfgang Touchy. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-12-28.

Process for anisotropic etching of III-V materials: use for surface treatment for epitaxial coating.

Номер патента: DE3850916T2. Автор: Loic Henry,Claude Vaudry. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1995-03-02.

CMOS With Middle Of Line Processing Of III-V Material On Mandrel

Номер патента: US20180233516A1. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Passivation and insulation of iii-v semiconductor devices with pnictides

Номер патента: IL72244A0. Автор: . Владелец: Stauffer Chemical Co. Дата публикации: 1984-10-31.

Growth of III-V LED stacks using nano masks

Номер патента: TW201245511A. Автор: Wei-Yung Hsu,Jie Su,Tuoh-Bin Ng,David Bour,Sang-Won Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-11-16.

Fabricating method of thin film transistor

Номер патента: US20040191965A1. Автор: Binn Kim,Jong-Uk Bae,Hae-Yeol Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor Devices and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200020533A1. Автор: Wai Tien Chan,Wing Chong Tony CHAU,Wing Kit CHEUNG. Владелец: Alpha Power Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of manufacturing a trim component with hidden tear pattern and trim component with hidden tear pattern

Номер патента: US09481338B2. Автор: Lorin A. Mazur,Jeffrey T. Kinser. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

REPLACEMENT III-V OR GERMANIUM NANOWIRES BY UNILATERAL CONFINED EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20170229555A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Improvements in or relating to methods of making semiconductor devices

Номер патента: GB1200091A. Автор: Ralph James Jaccodine. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1970-07-29.

Method of removing free halogen from a halogenated polymer insulating layer of a semiconductor device and resulting semiconductor device

Номер патента: US20030183952A1. Автор: Paul Farrar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Reducing spin pumping induced damping of a free layer of a memory device

Номер патента: US09929211B2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

The preparation method of double-face epitaxial growth GaAs three-joint solar cell

Номер патента: CN103000758B. Автор: 孙强,高鹏,王帅,康培,穆杰,刘如彬. Владелец: Tianjin Lantian Solar Tech Co ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Method of molecular beam epitaxial growth

Номер патента: JPS60728A. Автор: Masao Nakao,中尾　昌夫. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-05.

METHOD OF ETCHING A CAVITY IN A STACK OF LAYERS

Номер патента: US20190214270A1. Автор: Bar Pierre,Ristoiu Delia,Leverd Francois. Владелец: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of manufacturing a body having a structure of layers

Номер патента: US5996212A. Автор: Peter S. A. Knapen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

The acoustic detection method of target or defect in a kind of layered medium

Номер патента: CN107271573A. Автор: 马军,高翔,王文,汪承灏,师芳芳. Владелец: Institute of Acoustics CAS. Дата публикации: 2017-10-20.

Photonic device comprising molybdenum oxide and method of fabrication

Номер патента: EP1681730A3. Автор: Takashi Katoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device having unhomogeneous distribution of impurity concentration

Номер патента: US4668306A. Автор: Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai. Дата публикации: 1987-05-26.

Top gate recessed channel cmos thin film transistor and methods of fabrication

Номер патента: US20240136277A1. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Ryan KEECH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Top gate recessed channel CMOS thin film transistor in the back end of line and methods of fabrication

Номер патента: US11929320B2. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Ryan KEECH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Top gate recessed channel cmos thin film transistor in the back end of line and methods of fabrication

Номер патента: US20210202378A1. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Ryan KEECH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-01.

Soundproofing device on enclosing structure and method of fixing sound-insulating layers on enclosing structure

Номер патента: RU2730230C1. Автор: Алексей Владимирович Новиков. Владелец: Алексей Владимирович Новиков. Дата публикации: 2020-08-19.

Passivated III-V or Ge fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US09425314B2. Автор: Matty Caymax,Clement Merckling. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of pipe fitting producing from layered composite material

Номер патента: RU2629487C2. Автор: Антон Юрьевич Власов,Иван Владимирович Обверткин,Василий Александрович Мартынов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГУ им. М.Ф.Решетнева). Дата публикации: 2017-08-29.

Preparation method of capsulorhexis in phacoemulsification

Номер патента: RU2718261C1. Автор: Александр Геннадьевич Савенков,Георгий Зурабович Джалиашвили,Игорь Григорьевич Дробязгин. Владелец: Игорь Григорьевич Дробязгин. Дата публикации: 2020-04-01.

Method for flow instrumental diagnostics of tightness of dry waterproofing layer of roof

Номер патента: RU2720344C1. Автор: Александр Сергеевич Дубровский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "К-СИСТЕМС ГРУПП". Дата публикации: 2020-04-29.

Electron generating apparatus, image forming apparatus, and method of manufacturing and adjusting the same

Номер патента: CA2189391C. Автор: Hidetoshi Suzuki,Eiji Yamaguchi,Akira Fujii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-06-05.

Method of fabricating a tapered via hole in polyimide

Номер патента: US4832788A. Автор: Michael H. Nemiroff. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1989-05-23.

A multilayer article having improved printability and mark permanency and a method of making

Номер патента: WO1988006520A1. Автор: Aldrich N. K. Lau,Lawrence D. Schwartz,Ann M. Hmelar,C. Joseph Weber. Владелец: Raychem Corporation. Дата публикации: 1988-09-07.

Silicon carbide cmos and method of fabrication

Номер патента: AU2667597A. Автор: David B. Slater Jr.,Lori A. Lipkin,John W Palmour,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-11-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11935757B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Yen-Hao Chen,Wei-Han Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of fabrication of an integrated thermoelectric converter, and integrated thermoelectric converter thus obtained

Номер патента: US20230301191A1. Автор: Paolo Ferrari,Bruno Murari,Flavio Francesco Villa,Luca Zanotti,Lucia Zullino,Andrea NOMELLINI,Luca SEGHIZZI,Martina SCOLARI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacture of acoustic wave device with trench portions for transverse mode suppression

Номер патента: US20230327630A1. Автор: Rei GOTO,Hironori Fukuhara,Benjamin Paul Abbott. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing a semiconductor device with metal gate etch selectivity control

Номер патента: US20180174915A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Chia-Ching Tsai,Li-Te Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Methods of treating cancer of the central nervous system comprising 5-ethynyl-2'-deoxyuridine

Номер патента: WO2024020491A1. Автор: LI Wang,Aziz Sancar. Владелец: The University of North Carolina at Chapel Hill. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220230889A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Yen-Hao Chen,Wei-Han Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230245900A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Yen-Hao Chen,Wei-Han Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of determining if layout design is n-colorable

Номер патента: US20150100935A1. Автор: Hung Lung Lin,Chin-Chang Hsu,Wen-Ju Yang,Chien Lin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240186148A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Yen-Hao Chen,Wei-Han Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

System for and method of efficient contact pad identification

Номер патента: US20020178426A1. Автор: David Burden. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-11-28.

Methods of forming doped silicide power devices

Номер патента: US20220165574A1. Автор: LAN Yu,Archana Kumar,Siddarth Krishnan,Nicolas Louis Gabriel Breil,Tyler Sherwood,Joshua S. Holt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Security device components and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP3544822A1. Автор: Brian Holmes. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2019-10-02.

Security device components and methods of manufacture thereof

Номер патента: WO2018096329A1. Автор: Brian Holmes. Владелец: DE LA RUE INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2018-05-31.

Security device components and methods of manufacture thereof

Номер патента: AU2017364312B2. Автор: Brian Holmes. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of etching or depositing a thin film

Номер патента: EP4367707A1. Автор: Andrew Newton,Matthew LOVEDAY,Sean Cho,Andrew GOODYEAR. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Manufacturing Method of Device Embedded Substrate and Device Embedded Substrate Manufactured by this Method

Номер патента: US20150243628A1. Автор: Masaru Ogasawara,Mitsuaki Toda,Tohru Matsumoto. Владелец: Meiko Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

MID-IR KERR LENS MODE LOCKED LASER WITH NORMAL INCIDENCE MOUNTING OF POLYCRYSTALLINE TM:II-VI MATERIALS AND METHOD FOR CONTROLLING PARAMETERS OF POLYCRYSTALLINE TM:II-VI KERR LENS MODE LOCKED LASER

Номер патента: US20170018903A1. Автор: VASILYEV Sergey,MOSKALEV Igor,MIROV Michael. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

P-TYPE DOPING OF II-VI MATERIALS WITH RAPID VAPOR DEPOSITION USING RADICAL NITROGEN

Номер патента: US20150053259A1. Автор: Connor Stephen T.,Hardin Brian E.,Groves James Randy,Peters Craig H.. Владелец: PLANT PV. Дата публикации: 2015-02-26.

QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTORS USING II-VI MATERIAL SYSTEMS

Номер патента: US20140231750A1. Автор: Ravikumar Arvind,Gmachl Claire,Shen Aidong,Tamargo Maria. Владелец: THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-21.

MAGNETIC DISK, METHOD OF TRACK FOLLOWING ON A MAGNETIC DISK AND METHOD OF WRITING A SERVO PATERN IN A DEDICATED SERVO LAYER OF A MAGNETIC DISK

Номер патента: US20160232929A1. Автор: ZHANG Jingliang,Yuan Zhimin,Ong Chun Lian,Ang Shiming. Владелец: Marvell International Ltd.. Дата публикации: 2016-08-11.

Modulation of growth of bifidus bacteria in combination with oligosaccharides in breast milk

Номер патента: RU2586928C2. Автор: Дэвид Кёртис ФРАНЦ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of measuring tyre wear

Номер патента: GB2232492A. Автор: Martin Howard Walters. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 1990-12-12.

Mid-ir kerr lens mode locked laser with normal incidence mounting of polycrystalline tm:ii-vi materials and method for controlling parameters of polycrystalline tm:ii-vi kerr lens mode locked laser

Номер патента: KR102176363B1. Автор: 세르게이 바실리예프,마이클 미로프,이고르 모스칼레프. Владелец: 아이피지 포토닉스 코포레이션. Дата публикации: 2020-11-09.

Group II-VI material semiconductor optical device with strained multiquantum barriers

Номер патента: US5362974A. Автор: Michinori Irikawa,Kenichi Iga. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1994-11-08.

Method of joining zinc coated aluminium members

Номер патента: CA2111331C. Автор: Edward James Morley,Morten Syslak,Leiv Adne Folkedal. Владелец: NORSK HYDRO ASA. Дата публикации: 2002-03-12.

Device and method for inserting a security and/or identification element between two layers of a marking strip for items of baggage

Номер патента: AU4874999A. Автор: Detlef Duschek. Владелец: Meto International GmbH. Дата публикации: 2000-05-04.

Method of and apparatus for producing texture topograms

Номер патента: US4223219A. Автор: Eberhard Born,Gerald Paul. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-09-16.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: WO2007003220A1. Автор: Terry Sparks. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2007-01-11.

Method of making bacon style sliced pork

Номер патента: US20200029605A1. Автор: Robert Steven Long. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-30.

A wicking structure of 3d-knitted spacer fabric and a method of making same

Номер патента: EP4357501A1. Автор: Peng Zhou,Jing Xu,Rui Luo,Zheng Gu,Ling Lin,Yuyan Wang,Tianqi ZHOU. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240038834A1. Автор: Hiromichi KIMPARA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing a cable of which at least one layer of synthetic material contains a cross-linked silanemodified polyolefin and cable produced to this method

Номер патента: ZA761053B. Автор: P Bentcelser,R Frankena. Владелец: NKF Kabel BV. Дата публикации: 1977-09-28.

Method of reducing undesired light influence in extreme ultraviolet exposure

Номер патента: US12013641B2. Автор: BO-TSUN Liu,Chih-Tsung Shih,Yahru CHENG,Tsung Chuan LEE,Chen-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

METHOD OF FABRICATING A COMPOSITE STRUCTURE WITH A STABLE BONDING LAYER OF OXIDE

Номер патента: US20140014029A1. Автор: Faure Bruce,MARCOVECCHIO Alexandra. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2014-01-16.

Passivated III-V or Ge Fin-Shaped Field Effect Transistor

Номер патента: US20140252414A1. Автор: Caymax Matty,Merckling Clement. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2014-09-11.

Method of Providing a Plurality of Through-Holes in a Layer of Structural Material

Номер патента: US20200165125A1. Автор: Sarajlic Edin. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

METHOD OF MANUFACTURING A WIND TURBINE BLADE BY EMBEDDING A LAYER OF PRE-CURED FIBRE REINFORCED RESIN

Номер патента: US20150252781A1. Автор: Bech Anton. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Method Of Manufacturing A Plurality Of Through-Holes In A Layer Of Material

Номер патента: US20170247243A1. Автор: Johan Willem Berenschot,Niels Roelof Tas. Владелец: Twente Universiteit. Дата публикации: 2017-08-31.

Method Of Manufacturing A Plurality Of Through-Holes In A Layer Of First Material

Номер патента: US20170247252A1. Автор: Sarajlic Edin. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

METHOD OF REDUCING SODIUM CONCENTRATION IN A TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170317227A1. Автор: POPLAVSKYY DMITRY. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

SYSTEM AND METHOD OF STIMULATING ETHANOL PRODUCTION AND GROWTH OF AQUATIC PLANTS

Номер патента: US20150342132A1. Автор: Hagen Tony A.. Владелец: AQUATECH BIOENERGY LLC. Дата публикации: 2015-12-03.

METHOD OF REDUCING SODIUM CONCENTRATION IN A TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180331248A1. Автор: POPLAVSKYY DMITRY. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

METHOD OF REDUCING SODIUM CONCENTRATION IN A TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190341520A1. Автор: POPLAVSKYY DMITRY. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Method of arranging ring segments on a wafer for functionalized layers of an ophthalmic lens

Номер патента: KR101965557B1. Автор: 랜달 비. 퓨,다니엘 비. 오츠,제임스 다니엘 리알,아담 토너,프레드릭 에이. 플릿시. Владелец: 존슨 앤드 존슨 비젼 케어, 인코포레이티드. Дата публикации: 2019-08-13.

Method of producing fibrous cellulose-containing semiproduct for making absorbing layer of sanitary paper articles

Номер патента: SU1516560A1. Автор: Владимир Александрович Горбушин,Михаил Владимирович Фролов,Николай Петрович Бессонов,Мальвина Гершовна Диклер,Александр Сергеевич Бурковский. Владелец: Центральный научно-исследовательский институт бумаги. Дата публикации: 1989-10-23.

Fabrication method of self-aligned ferroelectric gate transistor using a buffer layer of high etching selectivity

Номер патента: KR100543528B1. Автор: 김성일,김용태,심선일,김춘근. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2006-01-31.

Construction method of composite fireproof paint for foam glass heat-insulating layer of highway tunnel in cold region

Номер патента: CN108331596B. Автор: 马辉,黄新,徐建国,杨鹏春,韦麟,沈坚强,支彥锋,韦宇生,王端贵. Владелец: Zhejiang Road & Bridge Construction Co ltd. Дата публикации: 2020-01-31.

Method of arranging ring segments on a wafer for functionalized layers of an ophthalmic lens

Номер патента: IL224910A0. Автор: . Владелец: Johnson & Johnson Vision Care. Дата публикации: 2013-07-31.

Method of molding polyethylene terephthalate hollow body with covering resin layer of polyvinylidene chloride

Номер патента: JPS60206617A. Автор: Toshinari Miura,Susumu Ushiama,俊成 三浦,牛尼　進. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1985-10-18.

DEVICE AND METHOD OF ILLUMINATION TO PROMOTE THE GROWTH OF PLANTS

Номер патента: IT201800005632A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2019-11-23.

A method of manufacturing a plurality of through-holes in a layer of material

Номер патента: EP3210935A1. Автор: Johan Willem Berenschot,Niels Roelof Tas. Владелец: Twente Universiteit. Дата публикации: 2017-08-30.

Method of producing at least a pair of interlocking adjacent layers of a paper packaging product

Номер патента: EP3683166A1. Автор: David Paul Goodrich. Владелец: David Paul Goodrich. Дата публикации: 2020-07-22.

Method of preparing packaging material containing at least one outer layer of thermoplastic material to manufacturing package with gripping member intended for pre-sterilized foodstuffs

Номер патента: RU1816275C. Автор: Лилья Стиг. Владелец: А.Б.Профор. Дата публикации: 1993-05-15.

A kind of fruiting method of the packed wall solid growth of Pleurotus eryngii industrial

Номер патента: CN109197396A. Автор: 魏路平. Владелец: Gongyi Eu Jie Yuan Environmental Protection Technology Service Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Composite plant extracts, compositions and methods of use for controlling the growth of cladophora

Номер патента: CN112889849B. Автор: 李辉,李莉,王晓红,王艳群,白洁,刘洪军. Владелец: Shandong Marine Biology Institute. Дата публикации: 2022-01-04.

Laser device for forming high speed optical link, has guiding structure with portion that delivers light generated by transmitting structure that is in III-V or in II-VI technology, where guiding structure is in silicon technology

Номер патента: FR2909491A1. Автор: Laurent Fulbert,Alexei Tchelnokov,Philippe Gilet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-06-06.

A method of making high voltage switchgear insulation consisting of alternating layers of insulating film and metal film.

Номер патента: FI51642C. Автор: Asko Veli Iisakki Kyttae. Владелец: Stroemberg Oy Ab. Дата публикации: 1977-02-10.

System and method of perpendicularly magnetizing position information in a magnetically hard layer of a moving component

Номер патента: US7755350B2. Автор: Pablo Garcia,Donald C. Arns, Jr.. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing same for improving reliability of interconnection between layers of same

Номер патента: KR100561984B1. Автор: 다쿠야 후쿠다,노부요시 고바야시,유즈루 오지. Владелец: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2006-06-21.

Preparation method of system for promoting rapid growth of rubber trees

Номер патента: CN111642315A. Автор: 彭耀,王孟堂,王书梅,于爱萍. Владелец: Agriculture And Forestry Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2020-09-11.

A method of manufacturing a plurality of through-holes in a layer of material

Номер патента: EP3210935C0. Автор: Johan Willem Berenschot,Niels Roelof Tas. Владелец: Cytosurge AG. Дата публикации: 2023-09-13.

A method of manufacturing a plurality of through-holes in a layer of material

Номер патента: EP3210935B1. Автор: Johan Willem Berenschot,Niels Roelof Tas. Владелец: Cytosurge AG. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor wafer and method of specifying crystallographic axis orientation thereof

Номер патента: US20010020750A1. Автор: Akira Mori,Teiichirou Chiba. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 2001-09-13.

Method of suppressing epitaxial growth in support openings and three-dimensional memory device containing non-epitaxial support pillars in the support openings

Номер патента: EP3420596A1. Автор: Hajime Kimura,Michiaki Sano,Masanori Tsutsumi,Shuji Minagawa,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-02.

Method of suppressing epitaxial growth in support openings and three-dimensional memory device containing non-epitaxial support pillars in the support openings

Номер патента: US09576967B1. Автор: Hajime Kimura,Michiaki Sano,Masanori Tsutsumi,Shuji Minagawa,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of operation for an apparatus for layer-by-layer manufacture of 3d objects

Номер патента: EP4147854A1. Автор: Gianluca DORINI. Владелец: Stratasys Powder Production Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Method of manufacturing photoconverter with built-in diode on germanic substrate

Номер патента: RU2672760C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко,Сергей Георгиевич Ханов. Владелец: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн"). Дата публикации: 2018-11-19.

Manufacturing method of spiral active element of torque motor stator

Номер патента: RU2713217C1. Автор: Владимир Михайлович Мартемьянов,Антонина Геннадьевна Долгих. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2020-02-04.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160293426A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of laser separation of the epitaxial film or the epitaxial film layer from the growth substrate of the epitaxial semiconductor structure (variations)

Номер патента: US09966296B2. Автор: Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Aleksey Vladimirovich Mironov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of making ceramic shell for casting blades (embodiments)

Номер патента: RU2718635C1. Автор: Любовь Александровна Магеррамова,Борис Григорьевич Козлов,Алексей Эдуардович Лепихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2020-04-10.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160148964A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US9396967B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US9224601B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-12-29.

Method of fabrication of micro-optics device with curved surface defects

Номер патента: WO2013153465A1. Автор: Urs T. Duerig,Armin W. Knoll,Fei Ding,Thilo Hermann Stoeferle,Rainer F. Mahrt. Владелец: Ibm Research Gmbh. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20240321970A1. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US09899269B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wai-Yi Lien,Carlos H Diaz,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US09576800B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of evaluating impurity gettering capability of epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US20200203178A1. Автор: Satoshi Shigematsu,Kazunari Kurita,Ryosuke Okuyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods of forming a P-well in an integrated circuit device

Номер патента: US20060024927A1. Автор: Frank Thiel,Ranadeep Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09735312B2. Автор: Chun-Yu Lin,Yi-Ming Chen,Chih-Chiang Lu,Ching-Pei Lin,Tzu-Chieh Hsu,Hsin-Chih CHIU,Ching-Huai Ni. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Epitaxial growth of dissimilar materials

Номер патента: CA1093218A. Автор: Ping K. Tien. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1981-01-06.

Method of evaluating impurity gettering capability of epitaxial silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: US10861709B2. Автор: Satoshi Shigematsu,Kazunari Kurita,Ryosuke Okuyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Nanosheet devices with cmos epitaxy and method of forming

Номер патента: US20190019733A1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Nicolas Loubet,Pietro Montanini. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09478418B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Akihito Ohno,Atsushi ERA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of forming epitaxial array of monocrystalline nanoislands of silicon on sapphire substrate in vacuum

Номер патента: RU2600505C1. Автор: Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2016-10-20.

Method of inspecting back surface of epitaxial wafer, epitaxial wafer back surface inspection apparatus, method of managing lift pin of epitaxial growth apparatus, and method of producing epitaxial wafer

Номер патента: US10718722B2. Автор: Keiko Matsuo,Naoyuki Wada,Masahiko Egashira. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Improved performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth

Номер патента: WO2004034437B1. Автор: Yong-Hang Zhang,Yuri Sadofyev,Shane Richard Johnson. Владелец: Univ Arizona State. Дата публикации: 2005-02-17.

Epitaxial structure and fabrication method of epitaxial structure

Номер патента: US20240304442A1. Автор: Po-Jung Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of growing silicon-germanium heterostructures

Номер патента: RU2585900C1. Автор: Владимир Геннадьевич Шенгуров,Сергей Александрович Денисов,Вадим Юрьевич Чалков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2016-06-10.

PROTECTIVE SPINEL COATING FOR Ni-Mn-Co (NMC) CATHODE WITH HIGH Li CONTENT FOR LITHIUM-ION BATTERIES, METHOD OF APPLYING SAID COATING ON CATHODE AND CATHODE WITH SAID COATING

Номер патента: RU2702785C1. Автор: Артем Михайлович Абакумов,Евгений Владимирович Дикарев,Хан Хайшанг,Андрей Олегович Шевцов. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-10-14.

Methods of forming solid-woven multilayer shells of variable thickness (embodiments)

Номер патента: RU2765455C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2022-01-31.

Method of multilayer peat mat making

Номер патента: RU2601043C1. Автор: Игорь Иванович Бутов,Александр Анатольевич Садовой,Владимир Владиславович Степанов. Владелец: Владимир Владиславович Степанов. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of producing patterned organic light-emitting diode

Номер патента: RU2525147C2. Автор: Кун А. ВЕРСЮРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-08-10.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C2. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2015-08-10.

Method of manufacture of integral elements of microcircuits on the epitaxial structures of gallium arsenide

Номер патента: RU2665368C1. Автор: Александр Сергеевич Федоров,Григорий Юрьевич Вечерко. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2018-08-29.

Method of producing heat-insulating material

Номер патента: RU2580745C1. Автор: Сергей Павлович Бочкарев,Михаил Григорьевич Мансуров,Олег Александрович Дятленко,Александр Анатольевич Галкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Тизол". Дата публикации: 2016-04-10.

Method of evaluating adhesion strength of a multilayer coating

Номер патента: RU2717142C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Николай Константинович Криони,Алиса Аскаровна Мингажева,Раис Калимуллович Давлеткулов,Эдуард Вилардович Сафин,Мурат Рамилевич Гайфуллин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2020-03-18.

Curved multilayer glass with built-in bent coherent display device and method of production thereof

Номер патента: RU2734775C1. Автор: Патрик Вебер,Али-Осман КЫЗМАЗ,Сара БОРХАНИ ХАГИГИ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2020-10-23.

Method of improved surface curing of elements for flexographic digital printing

Номер патента: RU2679243C2. Автор: Джонгхан ЧОИ,Керри О'БРЕЙТ. Владелец: Макдермид Грэфикс Солюшнз, Ллк. Дата публикации: 2019-02-06.

Method of evaluation of adhesion strength of multilayer coating

Номер патента: RU2728732C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Николай Константинович Криони,Раис Калимуллович Давлеткулов,Константин Сергеевич Селиванов,Алексей Иванович Дубин. Владелец: Публичное акционерное общество "ОДК-Уфимское моторостроительное производственное объединение". Дата публикации: 2020-07-30.

Method and system of control of epitaxial growth

Номер патента: US11869769B2. Автор: Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Method and system of control of epitaxial growth

Номер патента: US20220199399A1. Автор: Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for Forming Doped Epitaxial Layer of Contact Image Sensor

Номер патента: US20220069145A1. Автор: Chang Sun,Jun Qian,Chenchen Qiu,Zhengying Wei. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for forming doped epitaxial layer of contact image sensor

Номер патента: US11508859B2. Автор: Chang Sun,Jun Qian,Chenchen Qiu,Zhengying Wei. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Method and system of control of epitaxial growth

Номер патента: US20200105518A1. Автор: Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Forming a wrap-around contact to connect a source or drain epitaxial growth of a complimentary field effect transistor (cfet) to a buried power rail (bpr) of the cfet

Номер патента: WO2022015926A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of fabricating schottky barrier diode

Номер патента: US20090029518A1. Автор: Tadaaki Souma. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Methods of forming a plurality of semiconductor layers using trench arrays

Номер патента: WO2001063654A2. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2001-08-30.

Improved performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth

Номер патента: WO2004034437A3. Автор: Yong-Hang Zhang,Yuri Sadofyev,Shane Richard Johnson. Владелец: Univ Arizona State. Дата публикации: 2004-11-25.

Improved performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth

Номер патента: WO2004034437A2. Автор: Yong-Hang Zhang,Yuri Sadofyev,Shane Richard Johnson. Владелец: Arizona Board Of Regents A Body Corporate Acting On Behalf Of Arizona State University. Дата публикации: 2004-04-22.

Method of making articles from steel of ak type

Номер патента: RU2695856C1. Автор: Игорь Александрович Цибульский,Глеб Андреевич Туричин,Владислав Валерьевич Сомонов,Рудольф Сергеевич Корсмик,Алексей Дмитриевич Еремеев,Григорий Григорович Задыкян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный морской технический университет" (СПбГМТУ). Дата публикации: 2019-07-29.

Method of layer by layer mining of complex-structure deposits of solid minerals

Номер патента: RU2634150C1. Автор: Антон Юрьевич Чебан. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Горного Дела Дальневосточного Отделения Российской Академии Наук (Игд Дво Ран). Дата публикации: 2017-10-24.

Combined plate for fire doors and method of its manufacturing

Номер патента: RU2373062C2. Автор: Харри МАЙЕР. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2009-11-20.

System of treatment of long products and method of its binding

Номер патента: RU2381165C2. Автор: Прадип К. ГОШ,Бруно МАДЖОНИ. Владелец: Морган Констракшн Компани. Дата публикации: 2010-02-10.

Ready-to-eat baked pizza that can be stored at room temperature, and method of making it

Номер патента: RU2744868C2. Автор: Роберто Буттини,Коррадо ФЕРРАРИ,Алессандро РУДЖЕРИ,Джанкарло РИБОЛЬДИ. Владелец: Барилла Г. И Р. Фрателли С.П.А.. Дата публикации: 2021-03-16.

Uninterrupted straight-line flow method of formation of multilayer packaging film

Номер патента: RU2121437C1. Автор: м Дж.Деркач Вилль,Дж.Деркач Вилльям. Владелец: Рекот Инк.. Дата публикации: 1998-11-10.

Method for impregnation of layered blinks based on woven fillers and epoxy, organosilicon and polyimide binders and device for implementing this method

Номер патента: RU2743422C1. Автор: Евгений Сергеевич Козлов,Павел Анатольевич Астахов,Денис Александрович Григорьев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2021-02-18.

Vacuum-aluminized inner insert for cigarettes retaining moisture, maintaining quality and flavour-preserving and method of production thereof

Номер патента: RU2729483C1. Автор: Бифэн ЧЭНЬ,Канлэй ЧЭНЬ. Владелец: Гуанчжоу Хуаду Ляньхуа Пэкинг Материал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-08-07.

Method of reworking garbage of town dumps and device for realization of this method

Номер патента: RU2253668C1. Автор: Е.Н. Хрусталев,Т.М. Хрусталёва,И.Е. Хрусталёва. Владелец: Хрусталёва Ирина Евгеньевна. Дата публикации: 2005-06-10.

Method of erection of reinforced concrete wall on 3d-printer

Номер патента: RU2725716C1. Автор: Рустем Ханифович Мухаметрахимов,Лидия Валиевна Лукманова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский государственный архитектурно-строительный университет" (КазГАСУ). Дата публикации: 2020-07-03.

Pipe with multilayer coating, and method of its manufacturing

Номер патента: RU2573334C1. Автор: Ясухиро ХАРАДА,Тосиюки ХОСИНО,Кейдзи СУГАВАРА,Масахито КАНЭКО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2016-01-20.

Method of manufacturing shaped articles with base from foamed polymers

Номер патента: RU2731930C1. Автор: Дмитрий Андреевич Христов. Владелец: Дмитрий Андреевич Христов. Дата публикации: 2020-09-09.

Method of producing multilayer jelly of polyfunctional biological value

Номер патента: RU2733789C1. Автор: Татьяна Григорьевна Причко,Наталья Васильевна Дрофичева,Рамидин Эфендиевич Казахмедов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Северо-Кавказский федеральный научный центр садоводства, виноградарства, виноделия". Дата публикации: 2020-10-06.

Agent for treating damage to external body tissues (versions) and method of producing same

Номер патента: RU2578969C1. Автор: Ольга Сергеевна Веселкина,Светлана Александровна Копатько,Андрей Олегович Савицкий. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Вертекс". Дата публикации: 2016-03-27.

Multilayer structure and method of its production

Номер патента: RU2555016C2. Автор: Синдзи ТАИ,Хироси КАВАИ,Сатоси ЯМАКОСИ,Коута ИСОЯМА,Масао ХИКАСА,Кентаро ЙОСИДА. Владелец: Курарей Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of taking characteristics, determining parameter and selecting of tympans for rollers of press-printing machine

Номер патента: RU2291058C2. Автор: Бернд Курт МАЗУХ,Курт Йоханнес ВЕШЕНФЕЛЬДЕР,Ральф КРИСТЕЛЬ,Оливер Франк ХАН,Карл Эрих Альберт ШАШЕК. Владелец: Кениг Унд Бауер Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2007-01-10.

Method of conductive layer forming on carbon nanotube base

Номер патента: RU2522887C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Александр Александрович Павлов,Сергей Васильевич Селищев,Леван Павлович Ичкитидзе,Евгений Владимирович Благов,Евгений Павлович Кицюк,Юрий Петрович Шаман,Борис Михайлович Путря,Вячеслав Александрович Галперин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. Дата публикации: 2014-07-20.

Method of mining wide bed with mechanized excavation of coal from interlayer strata

Номер патента: RU2647015C1. Автор: Владимир Афанасьевич Сухоруков,Владислав Владимирович Сухоруков,Евгений Борисович Шенгерей,Сергей Петрович Огнев,Владимир Анатольевич Багиров,Виктор Николаевич Фрянов,Павел Валентинович Васильев,Сергей Александрович Смышляев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сибирская экспертная организация". Дата публикации: 2018-03-13.

Method of making a honeycomb body

Номер патента: RU2767424C2. Автор: Александер ШОЛЬЦ,Райнер ХАЙНРИХ,Лукас ХОРТ. Владелец: Кпт Груп Гмбх. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of manufacturing a tube for microtonaling

Номер патента: RU2645189C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Клемёхин. Владелец: Дмитрий Сергеевич Клемёхин. Дата публикации: 2018-02-16.

Multilayer structure formed by layers of nanoparticles having one-dimensional photonic crystal properties, method of making and using said structure

Номер патента: RU2454688C2. Автор: ПЕРЕС Сильвия КОЛОДРЕРО,ХУРАДО Мануэль ОКАНЬЯ,ГАРСИЯ Эрнан Руй МИГЕС. Владелец: Консехо Супериор Де Инвестигасионес Сьентификас. Дата публикации: 2012-06-27.

Method of producing microstructures

Номер патента: RU2310896C2. Автор: Уэйн Роберт ТОМПКИН,Андреас ШИЛЛИНГ. Владелец: Овд Кинеграм Аг. Дата публикации: 2007-11-20.

Method of zinc alloying substrates or layers of indium phosphide

Номер патента: RU2686523C1. Автор: Евгений Александрович Емельянов,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Михаил Олегович Петрушков,Борис Рэмович Семягин,Дмитрий Федорович Феклин,Андрей Васильевич Васев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2019-04-29.

Method of manufacturing a ceramic form for investment casting

Номер патента: RU2674273C1. Автор: Олег Борисович Деменок,Екатерина Сергеевна Гайнцева,Александр Сергеевич Горюхин,Лилия Флюровна Габдрахманова,Радис Раилович Ганиев,Тимур Артурович Хайруллин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2018-12-06.

Method of multilayer printed circuit board manufacturing

Номер патента: RU2603130C1. Автор: Дмитрий Викторович Левин,Геннадий Васильевич Мылов,Игорь Владимирович Дрожжин. Владелец: Акционерное общество "Государственный Рязанский приборный завод". Дата публикации: 2016-11-20.

Aircraft panel made of multilayer composites, and method of its production

Номер патента: RU2693154C2. Автор: Абдулфазиль РАДЖАБАЛИ. Владелец: Фоккер Эйростракчерс Б.В.. Дата публикации: 2019-07-01.

Devices and methods of forming unmerged epitaxy for finfet device

Номер патента: US20180097089A1. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Method of fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US20180047585A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chia-Wei Chang,Chun-Hung Lee,Tzu-Yen Hsieh,Dai-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Devices and methods of forming unmerged epitaxy for FinFET device

Номер патента: US09853128B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US09779963B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chia-Wei Chang,Chun-Hung Lee,Tzu-Yen Hsieh,Dai-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of producing multilayer glass with infrared-reflecting coating on film substrate

Номер патента: RU2692339C1. Автор: Марсель Кляйн,Дер Мелен Уве Ван. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2019-06-24.

Method of obtaining wear-resistant coatings on surfaces of plates from aluminum alloy and copper

Номер патента: RU2712156C1. Автор: Леонид Моисеевич Гуревич,Сергей Петрович Писарев,Дмитрий Владимирович Проничев,Виктор Георгиевич Шморгун,Вера Николаевна Арисова,Виталий Павлович Кулевич,Алексей Геннадьевич Серов,Олег Викторович Слаутин,Наталья Вячеславовна Кривченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2020-01-24.

Multi-layer plastic carrier plate and the method of its manufacture

Номер патента: RU2747150C1. Автор: Ханс-Юрген ХАННИГ,Феликс ХЮЛЛЕНКРЕМЕР. Владелец: Акцента Панееле + Профиле Гмбх. Дата публикации: 2021-04-28.

Method of making a photoconverter on a germanium substrate with a rear contact output on the front side of the semiconductor structure

Номер патента: RU2703820C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко,Сергей Георгиевич Ханов. Владелец: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн"). Дата публикации: 2019-10-22.

Method of making 3-d products and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2614291C2. Автор: Леонид Григорьевич Сапрыкин,Дмитрий Леонидович Сапрыкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственный центр "Лазеры и аппаратура ТМ". Дата публикации: 2017-03-24.

Method of erecting a heat-insulated concrete wall with preliminary surface treatment on a 3d construction printer and device for implementing it

Номер патента: RU2744829C1. Автор: Константин Сергеевич Храмов,Дмитрий Леонидович Печерский,Владимир Валерьевич Заев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Хабаровск 3Д". Дата публикации: 2021-03-16.

Method of erecting building cover or overfly structure

Номер патента: RU2582682C1. Автор: Александр Павлович Белоглазов,Владимир Лазаревич Чернявский,Гаяне Ашотовна Искандарян,Татьяна Евгеньевна Чернявская. Владелец: Татьяна Евгеньевна Чернявская. Дата публикации: 2016-04-27.

Electrochromic devices and methods of creating such devices

Номер патента: RU2704207C2. Автор: Пол Фонг НГУЕН. Владелец: Клирист Инк.. Дата публикации: 2019-10-24.

Manufacturing method of printed-circuit boards and device for production of conducting circuit

Номер патента: RU2697508C1. Автор: Эдуард Владимирович Репницын. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа"). Дата публикации: 2019-08-15.

Borehole cyclic generator of compression pulses and method of pay permeability increase

Номер патента: RU2344282C2. Автор: Алексей Евгеньевич Барыкин. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2009-01-20.

Ballistic panels and methods of their manufacture

Номер патента: RU2562794C2. Автор: Стивен Майкл ЛЭМПО,Андреа БИРО. Владелец: Гор Энтерпрайз Холдингс, Инк.. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of manufacture of large-sized bodies of rotation with surface of variable curvature of a multi-layer designed construction from polymer composite materials

Номер патента: RU2664942C1. Автор: Олег Владимирович Козлов,Алексей Генрихович Захаров,Дмитрий Анатольевич Лаптев,Нурия Зафаровна Герасимова. Владелец: Акционерное общество "Пермский завод "Машиностроитель". Дата публикации: 2018-08-23.

Method of pocketing tool manufacturing within cutting tool

Номер патента: RU2690875C1. Автор: Вячеслав Викторович Максаров,Александр Александрович Тынторов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2019-06-06.

Method of producing wear-resistant coatings on surfaces of titanium plate

Номер патента: RU2688792C1. Автор: Леонид Моисеевич Гуревич,Сергей Петрович Писарев,Дмитрий Владимирович Проничев,Виктор Георгиевич Шморгун,Роман Евгеньевич Новиков,Виталий Павлович Кулевич,Алексей Геннадьевич Серов,Олег Викторович Слаутин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Transmission device, reception device, transmission method and the method of reception

Номер патента: RU2630388C1. Автор: Икуо ЦУКАГОСИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2017-09-07.

Method of producing multilayer components and vulcaniser to this end

Номер патента: RU2417894C2. Автор: Хайнц-Петер БУШ,Карстен ХЕССЕ,Карстен ХЕССЕ (DE),Хайнц-Петер БУШ (DE). Владелец: Эйрбас Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2011-05-10.

Sealing element to hydraulic inflatable packer and method of its manufacturing

Номер патента: RU2686562C1. Автор: Рафаэль Равильевич Галимов,Наиль Масгутович Ахметшин,Илсояр Рафаильевна Ахметзянова. Владелец: Акционерное общество "Камско-Волжское акционерное общество резинотехники "КВАРТ". Дата публикации: 2019-04-29.

Selective etching in the formation of epitaxy regions in MOS devices

Номер патента: US9263339B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Production methods of confectionary products in cover

Номер патента: RU2375908C2. Автор: Джо Хае СОНГ,Дональд Артур СЕЙЕЛСТАД,Энрике ВАЛДЕЗ. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2009-12-20.

Method of producing copper-nickel coating on surfaces of titanium plate

Номер патента: RU2700441C1. Автор: Леонид Моисеевич Гуревич,Сергей Петрович Писарев,Дмитрий Владимирович Проничев,Виктор Георгиевич Шморгун,Роман Евгеньевич Новиков,Виталий Павлович Кулевич,Алексей Геннадьевич Серов,Олег Викторович Слаутин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2019-09-17.

Method of making multi-element photodetector crystal based on mis-structure of semiconductor compounds

Номер патента: RU2441299C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Наталья Рэмовна Вицина,Николай Борисович Кузьмин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2012-01-27.

Method of heap leaching of ores

Номер патента: RU2283879C2. Автор: Юрий Николаевич Резник,Лидия Владимировна Шумилова,Павел Борисович Авдеев,Анатолий Васильевич Рашкин,Лиди Владимировна Шумилова,Игорь Алексеевич Яшкин. Владелец: Читинский государственный университет (ЧитГУ). Дата публикации: 2006-09-20.

Method of comparing digital images

Номер патента: RU2673396C1. Автор: Владимир Александрович Котцов,Петр Владимирович Котцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт космических исследований Российской академии наук. Дата публикации: 2018-11-26.

Electronic device with graphene-based layer(s) and/or method of its manufacturing

Номер патента: RU2535235C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2014-12-10.

Method of constructing network priority gas migration paths, as well as gas discharge and extraction

Номер патента: RU2685359C1. Автор: Вэй Ян,Байцюань ЛИНЬ,Жуй ВАН,Чжэн ВАН,Тин ЛЮ,Хэ ЛИ,Тун ЛЮ. Владелец: Китайский Университет Горного Дела И Технологии. Дата публикации: 2019-04-17.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating same

Номер патента: US20060071256A1. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2006036691A2. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Methods of forming objects by diffusion welding of foils

Номер патента: EP3452245A1. Автор: David Myron Lineman,Martin Herbert Goller. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2019-03-13.

Method of manufacturing source/drain regions having a deep junction

Номер патента: EP1264337A1. Автор: David Donggang Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-12-11.

Method of scrambling reference signals, device and user equipment using the method

Номер патента: US11552759B2. Автор: Ming Xu,Masayuki Hoshino,Daichi Imamura,Hui Tong. Владелец: Sun Patent Trust Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Method of scrambling reference signals, device and user equipment using the method

Номер патента: US10727997B2. Автор: Ming Xu,Masayuki Hoshino,Daichi Imamura,Hui Tong. Владелец: Sun Patent Trust Inc. Дата публикации: 2020-07-28.

Method of scrambling reference signals, device and user equipment using the method

Номер патента: US20230096976A1. Автор: Ming Xu,Masayuki Hoshino,Daichi Imamura,Hui Tong. Владелец: Sun Patent Trust Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods of improved cavern rubblization for enhanced potash recovery

Номер патента: US20240141770A1. Автор: Jason Peters,Sheldon RINAS,Tyler Howard,Sarah Huyghebaert,Shayne LaMontagne,Jason Spring. Владелец: Mosaic Co. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and apparatus for evaluating surface roughness of an epitaxial growth layer, method and apparatus for measuring reflectance of an epitaxial growth layer, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US6284552B1. Автор: Takashi Noguchi,Hideo Yamagata,Satoshi Hashidume. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-09-04.

Techniques and graphics-processing aspects for enabling scene responsiveness in mixed-reality environments, including by using situated digital twins, and systems and methods of use thereof

Номер патента: US20240338908A1. Автор: Rajinder Sodhi,Mohamed Kari. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Techniques and graphics-processing aspects for enabling scene responsiveness in mixed-reality environments, including by using situated digital twins, and systems and methods of use thereof

Номер патента: WO2024211653A1. Автор: Rajinder Sodhi,Mohamed Kari. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of making multilayer optical film comprising layer-by-layer self-assembled layers and articles

Номер патента: US09829604B2. Автор: James R. Miller,Daniel J. Schmidt,Timothy J. Hebrink,Mark B. O'Neill. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of scrambling reference signals, device and user equipment using the method

Номер патента: US09712299B2. Автор: Ming Xu,Masayuki Hoshino,Daichi Imamura,Hui Tong. Владелец: Sun Patent Trust Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of making a semiconductor device using a barrier and antireflective coating (BARC) layer

Номер патента: US09589798B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of reinforcing railway track ballast section

Номер патента: RU2583112C2. Автор: Олег Александрович Мичурин,Александр Владимирович Замуховский. Владелец: Олег Александрович Мичурин. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of frontal sinus plasty after subfrontal approach

Номер патента: RU2711651C1. Автор: Вячеслав Владимирович Ступак,Сергей Валерьевич Мишинов,Игорь Анатольевич Васильев,Иван Викторович Пендюрин,Евгений Вячеславович Ступак,Иван Сергеевич Копылов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Новосибирский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Я.Л. Цивьяна" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ННИИТО им. Я.Л. Цивьяна" Минздрава России). Дата публикации: 2020-01-17.

Method of making gaas-based photocell

Номер патента: RU2607734C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Светлана Валерьевна Сорокина,Владимир Петрович Хвостиков,Ольга Анатольевна Хвостикова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating panel from thermoplastic composite material

Номер патента: RU2446050C2. Автор: Дидье КУРЦ,Стефан ПОШЕ,Давид БУВЭ,Марк ШАЛЭ. Владелец: Эрбюс Операсьон (Сас). Дата публикации: 2012-03-27.

Torsion spring and method of making torsion spring

Номер патента: RU2706507C1. Автор: Вернер ХУФЕНБАХ,Ёрн КИЛЕ,Мартин ЛЕППЕР,Йенс ВЕРНЕР. Владелец: Тиссенкрупп Федерн Унд Штабилизаторен Гмбх. Дата публикации: 2019-11-19.

Method of creating defects in samples from multilayer carbon fiber materials

Номер патента: RU2743621C1. Автор: Петр Николаевич Шкатов,Андрей Александрович Хвостов,Алексей Александрович Ермолаев,Геннадий Анатольевич Дидин. Владелец: Ооо Вихревик. Дата публикации: 2021-02-20.

Standing packet with optimised rupture characteristics in case of opening and method of its making

Номер патента: RU2376227C2. Автор: Йозеф МЮЛЛЕР,Вальтер ГЮНТЕР,Кристиан ФЕНН-БАРРАБАСС. Владелец: Хутамаки Ронсберг, Цвайгнидерлассунг Дер Хутамаки Дойчланд Гмбх Энд Ко. Кг. Дата публикации: 2009-12-20.

Method of composing panel of composites

Номер патента: RU2491168C2. Автор: Ларс КРОГ. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Лимитед. Дата публикации: 2013-08-27.

Method of making part from metal powder material

Номер патента: RU2691470C1. Автор: Жесфина Михайловна Бледнова,Эътибар Юсиф Оглы Балаев,Татьяна Романовна Хворостова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2019-06-14.

Thermoelectric semiconducting material, thermoelectric semiconducting element with application of thermoelectric semiconducting material, thermoelectric module with application of thermoelectric semiconducting element and method of their manufacturing

Номер патента: RU2326466C2. Автор: Тосинори ОТА,Хироки ЕСИЗАВА,Коуити ФУДЗИТА,Исао ИМАЙ,Цуеси ТОСО,Удзихиро НИСИИКЕ. Владелец: Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-06-10.

Improvements in methods of short-cycle adsorption

Номер патента: RU2460573C2. Автор: Тимоти Кристофер ГОЛДЕН,Мохаммад Али КАЛБАССИ,Эндрю Дэвид РАЙТ,Кристофер Джеймс РАИСВЕЛЛ. Владелец: Эр Продактс Энд Кемикалз, Инк.. Дата публикации: 2012-09-10.

Method of producing a mesh filter, a mesh filter and an ejector assembly comprising such a mesh filter

Номер патента: RU2740653C2. Автор: Франсуа КОРМАН. Владелец: Зодиак Аэротекникс. Дата публикации: 2021-01-19.

Method of manufacture of two-layer laminated element from stainless steel, tw0-layer laminated element, method of protection against corrosion, method of functional restoration of chemical equipment and chemical equipment

Номер патента: RU2215655C2. Автор: Чезаре Миола. Владелец: Снампрогетти С.П.А.. Дата публикации: 2003-11-10.

Method of layering for non-planar components made of composite material

Номер патента: RU2603791C2. Автор: СЕВИЛЬЯ Альберто ЛОСАНО,МАКАРРИЛЬЯ Хосе Оренсио ГРАНАДО,ВАЛЬДЕГРАМА Висенте МАРТИНЕС,ГАЛЬЕГО Рауль БУРГОС. Владелец: Эйрбас Оперейшнз, С.Л.. Дата публикации: 2016-11-27.

Device for application of protective coating on cylindrical products and method of producing cylindrical products with protective coating

Номер патента: RU2635135C1. Автор: Франческо Таяриол,Филиппо Велья,Пьеро Дегаспери. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Тау Индастриз". Дата публикации: 2017-11-09.

Method of multilayer surfacing with high-heat steels of high hardness in nitrogen-containing medium

Номер патента: RU2699488C1. Автор: Денис Анатольевич Романов,Евгений Александрович Будовских,Николай Николаевич Малушин,Денис Викторович Валуев,Андрей Петрович Ковалев,Василий Леонидович Осетковский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный индустриальный университет", ФГБОУ ВО "СибГИУ". Дата публикации: 2019-09-05.

Method of striping of volume preforms

Номер патента: RU2722494C1. Автор: Александр Николаевич Калинников,Владимир Александрович Нелюб,Алексей Сергеевич Бородулин,Дмитрий Викторович Афанасьев,Максим Андреевич Орлов,Роман Алексеевич Жуков,Ирина Александровна Поликарпова,Вячеслав Владимирович Богачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет) (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2020-06-01.

Composition of radiopaque plastic for eliminating bone defects and method of obtaining it

Номер патента: RU2749024C1. Автор: Павел Геннадиевич Елизаров,Евгений Павлович Маянов,Харис Максимович Аберяхимов,Ольга Георгиевна Романова,Айдар Музагитович Сабилов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит". Дата публикации: 2021-06-03.

Method of layer-by-layer development of complex-structured kimberlite deposits

Номер патента: RU2746049C1. Автор: Артур Геннадиевич Секисов,Антон Юрьевич Чебан. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Хабаровский Федеральный исследовательский центр Дальневосточного отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-04-06.

Method of digital creation of a multivision filter effect

Номер патента: US7227553B2. Автор: Fu-sheng Wang. Владелец: Ulead Systems Inc. Дата публикации: 2007-06-05.

Epitaxial wafer, light-emitting element, method of fabricating epitaxial wafer and method of fabricating light-emitting element

Номер патента: US20110057214A1. Автор: Taichiroo Konno. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Secondary battery, anode can thereof, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020187392A1. Автор: Morio Ishizaki. Владелец: Ishizaki Press Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control

Номер патента: US7781244B2. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Metal forming apparatus characterized by rapid cooling and method of use thereof

Номер патента: US20080184763A1. Автор: James G. Schroth,Richard H. Hammar. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2008-08-07.

Method of manufacturing ceramic electronic components

Номер патента: EP1118089A1. Автор: Yoshiyuki Miura,Atsuo Nagai,Yoshiya Sakaguchi,Hideki Kuramitsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-25.

Method of slicing deep learning model for heterogeneous embedded system and inferencing method based on sliced deep learning model in heterogeneous embedded system

Номер патента: US20230206074A1. Автор: Woongki Baek,Myeonggyun HAN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170084665A1. Автор: Byung-Kyu Park,Shawn Michael O'rourke,Frank Caris,Brian Rees. Владелец: dpiX LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Artificial neural networks having competitive reward modulated spike time dependent plasticity and methods of training the same

Номер патента: WO2020092086A1. Автор: Ruggero Scorcioni,Steven W. Skorheim,Nigel D STEPP. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2020-05-07.

A pallet and method of manufacturing a pallet

Номер патента: WO2023137527A1. Автор: Mark Delafosse,Matthew TURLEY. Владелец: Uniqco-Ip Pty Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Electronic element including ferroelectric substance film and method of manufacturing the same

Номер патента: US7427515B2. Автор: Masao Kondo,Kazuaki Kurihara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-09-23.

Electronic element including ferroelectric substance film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100051891A1. Автор: Masao Kondo,Kazuaki Kurihara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Electronic element including ferroelectric substance film and method of manufacturing the same

Номер патента: US7858959B2. Автор: Masao Kondo,Kazuaki Kurihara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-12-28.

Method of assessing constituent components of a composite structure

Номер патента: WO2024160329A1. Автор: Benjamin Green,Payam Javadian. Владелец: VESTAS WIND SYSTEMS A/S. Дата публикации: 2024-08-08.

Display driver apparatus and method of driving display

Номер патента: US09898804B2. Автор: Feijuan LI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a diaper with moisture sensors

Номер патента: US12097101B2. Автор: Raja Singh Tuli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09576796B2. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Organic light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548471B2. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of forming contact openings for a transistor

Номер патента: US09484217B2. Автор: Nicolas Posseme. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of high-voltage pulse system operation

Номер патента: RU2710432C1. Автор: Юрген КАЛЬКЕ,Райнхарт МЮЛЛЕР-ЗИБЕРТ. Владелец: Зельфраг Аг. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of strip manufacturing and strip, used for producing of volumetric sanitary paper products and towels, and nonwoven products and materials

Номер патента: RU2334033C2. Автор: Джозеф Дж. О`КОННОР,Чарлз И. КРАМЕР,Морис ПАКУИН. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2008-09-20.

Method of increasing mechanical properties of steel ab2-1 in direct laser growing of metal workpieces

Номер патента: RU2724210C1. Автор: Владислав Валерьевич Сомонов,Рудольф Сергеевич Корсмик,Ольга Геннадьевна Климова-Корсмик,Руслан Валисович Мендагалиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный морской технический университет" (ФГБОУ ВО СПбГМТУ). Дата публикации: 2020-06-22.

Method of investigating adhesive joints of a multilayer helicopter rotor hub

Номер патента: RU2742540C1. Автор: Владимир Александрович Шувалов,Татьяна Александровна Зайцева,Виктор Иванович Митряйкин,Екатерина Викторовна Кротова,Рустем Хайдарович Закиров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический универитет им. А.Н. Туполева - КАИ". Дата публикации: 2021-02-08.

Method of application of material in agricultural field

Номер патента: RU2550077C2. Автор: Патрик ЧИНКИВСКИЙ. Владелец: ДИР ЭНД КОМПАНИ. Дата публикации: 2015-05-10.

Solid-state imaging device, method of making said device and imaging system

Номер патента: RU2589519C2. Автор: Такаси МОРИЯМА,Масааки МИНОВА,Такеси ИТИКАВА,Масахиро ОГАВА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of ore heap leaching

Номер патента: RU2351664C1. Автор: Лидия Владимировна Шумилова,Анатолий Васильевич Рашкин,Игорь Алексеевич Яшкин,Игорь Алексеевич Яшкин (RU),Анатолий Васильевич Рашкин (RU),Лидия Владимировна Шумилова (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Читинский государственный университет (ЧитГУ). Дата публикации: 2009-04-10.

Tubular combustion chamber of rocket engine with regenerative cooling and method of making of cooling passage

Номер патента: RU2267634C1. Автор: Теренс Дж. МАКМАЛЛЕН,Дэвид ХИЕТАПЕЛТО,Теренс Дж. МАКМАЛЛЕН (US),Дэвид ХИЕТАПЕЛТО (US). Владелец: Юнайтид Текнолоджиз Копэрейшн. Дата публикации: 2006-01-10.

Method of articles manufacturing by means of additive technologies and device for implementation thereof

Номер патента: RU2717274C1. Автор: Артем Романович Авдеев,Илья Александрович Гущин,Алексей Владимирович Дроботов,Андрей Александрович Швец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СТЕРЕОТЕК". Дата публикации: 2020-03-19.

Method of making ionising radiation sensor

Номер патента: RU2575939C1. Автор: Владимир Александрович Елин,Михаил Моисеевич Меркин,Сергей Александрович Голубков,Любовь Григорьевна Литош,Вера Анатольевна Русина. Владелец: Открытое акционерное общество "Интерсофт Евразия". Дата публикации: 2016-02-27.

Manufacturing method of layer-to-layer transfer between the printed conductors on the crystalline or polycrystalline substrate

Номер патента: RU2622038C1. Автор: Владимир Степанович Верба,Леонид Викторович Воронцов,Дмитрий Александрович Даниленко,Александр Алексеевич Бабайлов,Татьяна Евгеньевна Гришуткина. Владелец: Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега". Дата публикации: 2017-06-09.

Method of producing light-absorbing silicon structure

Номер патента: RU2600076C1. Автор: Александр Васильевич Бобыль,Алексей Викторович Нащекин,Сергей Евгеньевич Никитин,Екатерина Евгеньевна Терукова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of and system for application of road pavement including coating placer and truck feeder

Номер патента: RU2299944C2. Автор: Джеймс Джей БАРНАТ,Патрик Си О`БРАЙАН,Харолд ДАББС,Джереми ХЕЛЛЕР,Томас Ар БРАУН,Тироне ХАННЕБАУМ. Владелец: СемМатериалс,Л.П.,Е.Д.ЭТНАЙР & Ко. Дата публикации: 2007-05-27.

Method of modularity elimination management considering internal bl mode, and encoder /decoder of multilayered video, using it

Номер патента: RU2365062C1. Автор: Воо-Дзин ХАН,Кио-Хиук ЛИ,Бае-кеун ЛИ,Санг-чанг ЧА,Хо-Дзин ХА,Дзае-Йоунг ЛИ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of decorative prints making, having same quality, regardless of printing method and device for said method implementation

Номер патента: RU2618643C9. Автор: Инго ЛЕНХОФФ. Владелец: Флуринг Текнолоджис Лтд.. Дата публикации: 2017-07-04.

Complex for hip endoprosthesis replacement and method of its installation

Номер патента: RU2702155C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Холявкин,Кирилл Александрович Ковалдов,Андрей Александрович Корыткин,Яна Сергеевна Новикова,Леонид Даниилович Родионов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Приволжский исследовательский медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2019-10-04.

Formation of III-V Based Devices on Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120001239A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fusion welding method of butt joints of bimetal on base of layers of aluminum alloys and steel or titanium with use of one- or two-side seams

Номер патента: RU2284252C2. Автор: Евгений Петрович Осокин,Валентин Александрович Никитин,Вера Ивановна Павлова,Валерий Михайлович Зарубин,Валентин Николаевич Фоменко,Владислав Петрович Волохин. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный Научно-Исследовательский Институт Конструкционных Материалов "Прометей" (Фгуп "Цнии Км "Прометей"). Дата публикации: 2006-09-27.

Gpr method of determining moisture content, contamination and thickness of layers of railway and road fill using reflecting geotextile

Номер патента: RU2577624C1. Автор: Сергей Витальевич Дручинин,Сергей Викторович Изюмов,Наталья Викторовна Артамонова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Геологоразведка". Дата публикации: 2016-03-20.

Biostimulant of growth of agricultural plants from chitin of crustaceans and method of production of biostimulant of growth of agricultural plants from chitin of crustaceans

Номер патента: RU2504953C2. Автор: Марфуга Дюсембаевна Мукатова,Наталья Александровна Киричко,Ренат Рахметуллаевич Утеушев,Шамиль Байрамбекович Байрамбеков,Тамара Васильевна Боева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО АГТУ). Дата публикации: 2014-01-27.

Method of determining polyphenolic compounds by stepped elution in thin layer of sorbent

Номер патента: RU2597661C1. Автор: Алексей Иванович Сливкин,Ольга Валерьевна Тринеева,Елена Федоровна Сафонова,Александра Александровна Назарова,Нина Сергеевна Шикунова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming 3d microstructures of engraving patter in functional layer of intaglio printing die functional layer at computer-aided engraving hardware-software complex

Номер патента: RU2467859C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Андрей Валерьевич Чеглаков,Александр Георгиевич Писарев,Александр Игоревич Мочалов,Валерий Анатольевич Чеглаков,Дмитрий Николаевич Грачев,Алексей Владимирович Греков,Андрей Владимирович Журавлев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2012-11-27.

Method of forming 3d microstructures of engraving patter in functional layer of intaglio printing die functional layer at computer-aided engraving hardware-software complex

Номер патента: RU2467858C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Андрей Валерьевич Чеглаков,Александр Георгиевич Писарев,Александр Игоревич Мочалов,Валерий Анатольевич Чеглаков,Дмитрий Николаевич Грачев,Алексей Владимирович Греков,Андрей Владимирович Журавлев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2012-11-27.

Procedure for pyrolytic growth of nano-crystal layers of graphite

Номер патента: RU2429315C1. Автор: Сергей Константинович Брантов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2011-09-20.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

TESTING METHOD OF CHIPS OF CASCADE PHOTOCONVERTERS BASED ON Al-Ga-In-As-P CONNECTIONS AND DEVICE FOR IMPLEMENTATION THEREOF

Номер патента: RU2384838C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Валерий Дмитриевич Румянцев,Дмитрий Андреевич Малевский,Юрий Владимирович Ащеулов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2010-03-20.

Welded joint of pipes with internal coats and method of connecting pipes with internal coats

Номер патента: RU2140038C1. Автор: В.Л. Пупков,Ю.И. Волков,С.К. Просвирова. Владелец: ОАО "Компания по ремонту нефтяного и бурового оборудования". Дата публикации: 1999-10-20.

Method of manufacture of pipe with inner protective coat

Номер патента: RU2180071C2. Автор: М.И. Старшов,В.М. Айдуганов,Л.И. Волкова,Н.М. Айдуганова,С.Л. Чахеев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерно-производственный центр". Дата публикации: 2002-02-27.

Hetero epitaxial growth method of iii-v group semi-conductors

Номер патента: JPS51126048A. Автор: Tadahiko Mitsuyoshi,Yasutoshi Kurihara,Mitsuru Ura,Teruyuki Kagami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1976-11-02.

Method of lining arches

Номер патента: RU2094720C1. Автор: В.П. Зайко,Д.Ф. Железнов,Л.А. Дьяконова. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Челябинский электрометаллургический комбинат". Дата публикации: 1997-10-27.

Electrochromic composition and method of manufacture of device on basis of such composition

Номер патента: RU2144937C1. Автор: В.И. Гаврилов,А.А. Кириков,И.В. Шелепин. Владелец: Кириков Аркадий Андреевич. Дата публикации: 2000-01-27.

A kind of III-V compound semiconductor wafer chemical cleaning fixture

Номер патента: CN207303068U. Автор: 李朋朋,雷冬,宋舒婷,彭罗汉. Владелец: Wuhan Optics Valley Quantum Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Epitaxial growth method for atomic layer of iii-v compound semiconductor

Номер патента: JPS63222421A. Автор: Akira Usui,彰 碓井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-09-16.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Electronic element and method of its manufacturing

Номер патента: RU2545522C2. Автор: Владимир Алексеевич Попов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-04-10.

Manufacturing method of decorative ceramic wares

Номер патента: RU2365558C2. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2009-08-27.

Mixture for sample preparing for x-ray spectral determination of elements of iii-v groups of periodic system and becoming part of langacites and garnets

Номер патента: RU2054661C1. Автор: В.А. Кутвицкий,В.А. Манасрех,Л.М. Чернышова,М.В. Бобкова. Владелец: Кутвицкий Валентин Александрович. Дата публикации: 1996-02-20.

Surgical suture material and method of manufacturing surgical suture material

Номер патента: RU2497461C1. Автор: Владимир Владимирович Резников,Максим Станиславович Дорохин,Андрей Валериевич Курицын,Андрей Александрович Волков. Владелец: Андрей Александрович Волков. Дата публикации: 2013-11-10.

Arrangement of mixed bases and surfaces by method of wedging

Номер патента: RU2407848C2. Автор: Александр Пантелеевич Курбатский. Владелец: Александр Пантелеевич Курбатский. Дата публикации: 2010-12-27.

Gaseous phase growth method of iii-v group compounded semi-conductors

Номер патента: JPS51126043A. Автор: Hiroyuki Kasano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1976-11-02.

Vapor phase growth method of III-V compound semiconductor

Номер патента: JP3221318B2. Автор: 真佐知 柴田,恒弘 海野,貴士 古屋. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2001-10-22.

Method of thin film transistor manufacturing

Номер патента: RU2522930C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Марьям Мустафаевна Уянаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2014-07-20.

Method of cleaning lubrication system of internal combustion engine

Номер патента: RU2169280C1. Автор: А.А. Лаврик,И.В. Мухортов. Владелец: Лаврик Алексей Александрович. Дата публикации: 2001-06-20.

Method of storing silage and haylage

Номер патента: RU2528710C1. Автор: Илья Васильевич Кобозев,Владимир Хасанович Хотов,Тамара Петровна Кобозева,Татьяна Ивановна Кель. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный аграрный университет-МСХА имени К.А. Тимирязева" (ФГБОУ ВПО РГАУ-МСХА имени К.А. Тимирязева). Дата публикации: 2014-09-20.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2596861C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2016-09-10.

Method of modelling cecum lymphoma

Номер патента: RU2552667C1. Автор: Алла Эдуардовна Лычкова,Александр Михайлович Пузиков,Михаил Юрьевич Бяхов,Мария Михайловна Бяхова. Владелец: Мария Михайловна Бяхова. Дата публикации: 2015-06-10.

Passivation and insulation of iii - v derivatives with¹pnictides

Номер патента: IE841645L. Автор: . Владелец: Stauffer Chemical Co. Дата публикации: 1984-12-29.

SURFACE AND GAS PHASE DOPING OF III-V SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20120018702A1. Автор: Javey Ali,Ford Alexandra C.,Ho Johnny C.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD WITH IMPROVED EPITAXIAL QUALITY OF III-V COMPOUND ON SILICON SURFACES

Номер патента: US20120094467A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-19.

REDUCED S/D CONTACT RESISTANCE OF III-V MOSFET USING LOW TEMPERATURE METAL-INDUCED CRYSTALLIZATION OF n+ Ge

Номер патента: US20120193687A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD WITH IMPROVED EPITAXIAL QUALITY OF III-V COMPOUND ON SILICON SURFACES

Номер патента: US20120211803A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-08-23.

DEPOSITION METHODS FOR THE FORMATION OF III/V SEMICONDUCTOR MATERIALS, AND RELATED STRUCTURES

Номер патента: US20120225539A1. Автор: . Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2012-09-06.

GROWTH OF III-V LED STACKS USING NANO MASKS

Номер патента: US20120235115A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-09-20.

METHOD TO PREVENT SURFACE DECOMPOSITION OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20120305989A1. Автор: Sadana Devendra K.,Fogel Keith E.,Parks Christopher C.,Siddiqui Shahab,de Souza Joel P.,Kiewra Edward W.,Koester Steven J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD TO PREVENT SURFACE DECOMPOSITION OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20120309153A1. Автор: Sadana Devendra K.,Fogel Keith E.,Parks Christopher C.,Siddiqui Shahab,de Souza Joel P.,Kiewra Edward W.,Koester Steven J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

FORMATION OF III-V MATERIALS USING MOCVD WITH CHLORINE CLEANS OPERATIONS

Номер патента: US20130005118A1. Автор: Wang Yan,Jun Sung Won,Chung Hua,Lu Jiang,Shen Kuan Chien Keris,Rai Shiva. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

Process for growing mixed crystal of iii-v group compound

Номер патента: JPS6433097A. Автор: Toshio Fujii,Kazuhiro Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-02.

Production of single crystal of iii-v compound semiconductor

Номер патента: JPS6345200A. Автор: Hiroyuki Hara,Tatsuya Tanabe,Masamichi Yokogawa,Norio Ogata,達也 田辺,原　広之,横川　正道,小片　教男. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-02-26.

Vapor-phase crystal growth of iii-v semiconductor

Номер патента: JPH01192797A. Автор: Eiji Osawa,Shinya Inoue,真也 井上,Tomoo Shimizu,友郎 清水,英治 大沢,Etsuko Fujita,悦子 藤田. Владелец: Toyo Riken Corp. Дата публикации: 1989-08-02.

Vapor growth of iii-v compound semiconductor

Номер патента: JPS62270493A. Автор: Kazuo Mori,Masaji Yoshida,一男 森,吉田　政次. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Mixture for preparation of samples for x-ray analysis of elements of iii-v group of periodic system

Номер патента: SU1693499A1. Автор: Елена Григорьевна Хомутова,Феликс Аронович Гимельфарб,Евгений Николаевич Осокин,Лариса Михайловна Чернышова,Валенин Александрович Кутвицкий,Мохамад Маруф,Марина Валентиновна Бобкова. Владелец: Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1991-11-23.

Manufacture of iii-v group compounds semiconductor epitaxial laminatio n crystal

Номер патента: JPS5267260A. Автор: Osamu Mizuno. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-06-03.

Manufacture of iii-v compound semiconductor element

Номер патента: JPH10189480A. Автор: 泰 家近,Yoshinobu Ono,Yasushi Iechika,善伸 小野. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-21.

Method for controlling conduction type of III-V compound semiconductor growth film

Номер патента: JP2509006B2. Автор: 規矩男 小林,勲 藤本,光浩 繁田,悌二 山本,元忠 藤井,敏彦 武部. Владелец: EI TEI AARU KODENPA TSUSHIN KENKYUSHO KK. Дата публикации: 1996-06-19.

Production of single crystal of iii-v group compound semiconductor

Номер патента: JPH01138190A. Автор: Hisaki Fukui,寿樹 福井,Yumiko Yamanaka,裕美子 山中. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 1989-05-31.

Method and apparatus for vapor phase growth of III-V compound semiconductors

Номер патента: JP3213551B2. Автор: 伸洋 大久保. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-10-02.

Production of single crystal of iii-v compound semiconductor

Номер патента: JPS6287477A. Автор: Seiji Mizuniwa,Michinori Wachi,三千則 和地,Mikio Kashiwa,幹雄 柏,清治 水庭,Masaya Onishi,大西　正哉. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1987-04-21.

Method for vapor phase growth of iii-v compound semiconductor crystal layer

Номер патента: JPH1167667A. Автор: Noriyuki Watanabe,則之 渡邉. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

A kind of III-V race's material nano grating lithographic method

Номер патента: CN109725375A. Автор: 刘昆,田坤,叶嗣荣,段利华,黄茂,莫才平. Владелец: CETC 44 Research Institute. Дата публикации: 2019-05-07.

Production of iii-v compound semiconductor single crystal

Номер патента: JPS61201688A. Автор: Hiroyuki Hoshino,Seiji Mizuniwa,Mikio Kashiwa,幹雄 柏,弘之 星野,清治 水庭. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1986-09-06.

Dry etching process of III-V-semiconductor

Номер патента: SE9902344D0. Автор: Srinivasan Anand,Carl-Fredrik Carlstroem,Gunnar Landgren. Владелец: Carl Fredrik Carlstroem. Дата публикации: 1999-06-21.

Activating photo-electric surface of iii-v family compound

Номер патента: JPS51142961A. Автор: Yoshio Natsume. Владелец: Hamamatsu Terebi KK. Дата публикации: 1976-12-08.

Method of hydrodynamic activation of raw materials (versions) and installation for its realization (versions)

Номер патента: RU2228910C1. Автор: С.Г. Мухамбетжанов,тдинов Р.Х. Зи,Р.Х. Зиятдинов,Е.Ю. Короткова,М.З. Гатауллин. Владелец: Казанский государственный технологический университет. Дата публикации: 2004-05-20.

Method of liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS6153193A. Автор: Hikari Sugano,菅野　光. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-03-17.

A method of measuring the dynamics of growth of tree leaves in clean environmental conditions

Номер патента: RU2015105273A. Автор: Петр Матвеевич Мазуркин,Анастасия Игоревна Кудряшова. Владелец: Петр Матвеевич Мазуркин. Дата публикации: 2016-09-10.

Method of liquid-phase epitaxial growth and device therefor

Номер патента: JPS61261291A. Автор: Kazuhisa Ikeda,Masaya Konishi,昌也 小西,池田　和央. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-11-19.

Method of liquid-phase epitaxial growth

Номер патента: JPS6153191A. Автор: Noriyuki Hirayama,平山　則行. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-03-17.

Method of fastening rope end with opposite direction of layer twisting

Номер патента: SU1413329A1. Автор: Виктор Иванович Рябков,Тамара Павловна Цепляева,Константин Юрьевич Мочар. Владелец: Харьковский авиационный институт им.Н.Е.Жуковского. Дата публикации: 1988-07-30.

Method of treating liquids to inhibit growth of living organisms

Номер патента: ZA958275B. Автор: Ayala Barak. Владелец: A Y Lab Ltd. Дата публикации: 1996-04-24.

Method of treating liquids to inhibit growth of living organisms

Номер патента: IL111150A0. Автор: . Владелец: A Y Lab Ltd. Дата публикации: 1994-12-29.

Method of treating liquids to inhibit growth of living organisms

Номер патента: IL114368A0. Автор: . Владелец: A Y Lab Ltd. Дата публикации: 1995-10-31.

Civil engineering method of and construction for enabling growth of plants on desert

Номер патента: JPS522002A. Автор: Tokujirou Satou. Владелец: SATO TOKUJIROU. Дата публикации: 1977-01-08.

Method of forming dual damascene structure in inter-metal dielectric layer of organic material

Номер патента: TW508734B. Автор: Ren-Cheng Liou,Li-Jr Jau,Jau-Cheng Chen,Jia-Shiung Tsai,Ming-Huei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-11-01.

Method of making composite gas-separating polymer membrane with selective nonporous layer of polytrimethyl silyl propyne

Номер патента: RU2429054C1. Автор: Владимир Васильевич ТЕПЛЯКОВ,Дарья Александровна Сырцова,Андрей Владимирович Яковлев,Анастасия Юрьевна Голуб,Валерий Самуилович Хотимский,Елена Георгиевна Литвинова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева РАН (ИНХС РАН). Дата публикации: 2011-09-20.

Method of producing coarse aggregate for concrete

Номер патента: RU2481287C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2013-05-10.

Method of making thin-film transistor

Номер патента: RU2515334C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Марьям Мустафаевна Уянаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2014-05-10.

Method of making thin layer of silicon dioxide

Номер патента: RU2539801C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2015-01-27.

Air filter and method of material support

Номер патента: CA1251981A. Автор: Larry E. Smith,Daniel S. Jorgensen. Владелец: Teledyne Industries, Inc. D/B/A/ Teledyne Water Pik. Дата публикации: 1989-04-04.

Method of continuous determination of mineral suspension concentration in bottom layer of the sea in zone of intensive disturbance

Номер патента: RU2598397C2. Автор: Владимир Захарович Дыкман. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Морской гидрофизический институт РАН" (ФГБУН "МГИ РАН"). Дата публикации: 2016-09-27.

Method of determination of level of lower boundary of emulsion layer of stratal water in oil in dehydrator

Номер патента: RU2037787C1. Автор: Любовь Анатольевна Демьянова. Владелец: Любовь Анатольевна Демьянова. Дата публикации: 1995-06-19.

METHOD OF MANUFACTURING A WIND TURBINE BLADE BY EMBEDDING A LAYER OF PRE-CURED FIBRE REINFORCED RESIN

Номер патента: US20120039720A1. Автор: . Владелец: VESTAS WIND SYSTEMS A/S. Дата публикации: 2012-02-16.

The method of welding electric rivets and short seams under a layer of flux

Номер патента: SU74664A1. Автор: С.Л. Егоров. Владелец: С.Л. Егоров. Дата публикации: 1948-11-30.

Method of determining kinetic parameters of growth of microorganisms

Номер патента: SU950768A1. Автор: Николай Сергеевич Паников,Татьяна Федоровна Бондаренко,Дмитрий Григорьевич Звягинцев. Владелец: Московский Ордена Ленина,Ордена Трудового Красного Знамени И Ордена Октябрьской Революции Государственный Университет Им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1982-08-15.

The method of washing the steam by bubbling it through a layer of feed water

Номер патента: SU89185A1. Автор: А.А. Кот. Владелец: А.А. Кот. Дата публикации: 1950-11-30.

Method of determining mass of gygroscopic salt in moisture sensitive layer of transducer

Номер патента: SU785715A1. Автор: Юрий Данилович Лукомский. Владелец: Киевский Институт Автоматики Им. 25 Съезда Кпсс. Дата публикации: 1980-12-07.

Method of planarizing interlayer insulating layer and forming diffusion barrier layer of semiconductor device

Номер патента: KR960026354A. Автор: 박상균. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-22.

The method of tracing the traces of charged particles in the layers of the emulsion chamber

Номер патента: SU121202A1. Автор: Ф.Г. Лепехин. Владелец: Ф.Г. Лепехин. Дата публикации: 1958-11-30.

Method of preparation regulator for plants growth of peat

Номер патента: SU1697672A1. Автор: Владимир Михайлович Иванов,Владимир Федорович Платонов,Александр Яковлевич Кулик,Тамара Павловна Чебуркова,Игорь Васильевич Гордин. Владелец: В.М.Иванов, И.В.Гордин, А.Я.Кулик, Т.П.Чебуркова и В.Ф.Платонов. Дата публикации: 1991-12-15.

METHOD OF INCREASING THE SPEED OF GROWTH OF USEFUL PLANTS

Номер патента: UA116260U. Автор: Ніна Георгіївна Стрижельчик. Владелец: Харківський Національний Університет Імені В.Н. Каразіна. Дата публикации: 2017-05-10.

The method of obtaining on the surface of the copper oxide layer of copper

Номер патента: SU22158A1. Автор: Г.Ф. Комовский. Владелец: Г.Ф. Комовский. Дата публикации: 1931-08-31.

The method of determining the change in the thickness of the layer of electroplating

Номер патента: SU123715A1. Автор: Ф.Т. Карпенко. Владелец: Ф.Т. Карпенко. Дата публикации: 1959-11-30.

Method of determining the joining strength of plating and main layers of two-layer specimens

Номер патента: SU1441273A1. Автор: Иван Николаевич Потапов,Евгений Владимирович Кузнецов,Александр Владимирович Нам,Анатолий Германович Кобелев,Александр Меркурьевич Байдуганов,Юрий Николаевич Буленков,Виктор Николаевич Афанасьев. Владелец: Московский институт стали и сплавов. Дата публикации: 1988-11-30.

Construction method of subsurface excavation and layer added by using top layer of existed basement as native cover board

Номер патента: CN100348835C. Автор: 张中杰,徐正良,崔勤,王卓瑛. Владелец: Shanghai Urban Construction Design Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2007-11-14.

The method of obtaining a two-layer metal billet under a layer of heated slag

Номер патента: SU559967A1. Автор: Валентин Александрович Александров,Сергей Александрович Голованенко,Валерий Андреевич Попов,Игорь Антонович Мостовой,Анатолий Андрианович Быков,Спартак Иванович Булат,Николай Александрович Мосендз,Виктор Михайлович Кулик,Юрий Иванович Подгорных,Арсений Мартынович Макара,Анатолий Вас Ильевич Зареченский. Владелец: Ордена Ленина И Трудового Красного Знамени Институт Электросварки Им.Е.О. Патона Ан Украинской Сср. Дата публикации: 1977-05-30.

Method of improving cylinder for vapor growth of organometallic compound

Номер патента: JPS6283400A. Автор: Shinichi Hashimoto,Masao Fujisawa,真一 橋本,藤沢　正男. Владелец: TOYO SUTOUFUAA CHEM KK. Дата публикации: 1987-04-16.

Method of determining the intensity of growth of rice plants

Номер патента: SU1514277A1. Автор: Elmira R Avakyan,Nikolaj E Aleshin,Evgenij P Aleshin. Владелец: Vnii Risa. Дата публикации: 1989-10-15.

Preparation method of high-purity cubic zirconia fine particles for insulating layer of sapphire furnace

Номер патента: CN105084417A. Автор: 潘健武,石详. Владелец: Shanxi Jingke Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-25.

Method of treating liquids to inhibit growth of living organisms

Номер патента: IL111150A. Автор: . Владелец: A Y Lab Ltd. Дата публикации: 1998-01-04.

Method of treating liquids to inhibit growth of living organisms

Номер патента: IL114368A. Автор: . Владелец: A Y Lab Ltd. Дата публикации: 1998-10-30.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of growing epitaxial layers of semiconductor crystals of group three nitrides on layered crystalline structure

Номер патента: RU2543215C2. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2015-02-27.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming epitaxial copper nanostructures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2522844C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2014-07-20.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF SELF-ORGANISING ENDOTAXY OF MONO 3C-SiC ON Si SUBSTRATE

Номер патента: RU2370851C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СиЦ-сенсор". Дата публикации: 2009-10-20.

Method for determining lattice parameter in selected small region of epitaxial layer with chemical composition gradient

Номер патента: RU2581744C1. Автор: Галиб Бариевич Галиев,Евгений Александрович Климов,Алексей Николаевич Клочков,Сергей Сергеевич Пушкарев,Рустам Анварович Хабибуллин,Дмитрий Сергеевич Пономарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2016-04-20.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing epitaxial layer of iii- nitride superconductor on foreign substrate

Номер патента: RU2187172C1. Автор: С.А. Кукушкин,А.В. Осипов,нов А.В. Лукь,А.В. Лукьянов,В.Н. Бессолов. Владелец: Фонд поддержки науки и образования. Дата публикации: 2002-08-10.

Method of manufacturing composite parts

Номер патента: US20120000597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin-walled articles from composite material based on carbon-ceramic matrix with gradient thickness properties

Номер патента: RU2593508C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Сергей Геннадьевич Лунегов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Method of measurement for control of hydrogen in solid-state material

Номер патента: RU2531081C1. Автор: Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Александр Харитонович Антоненко,Дмитрий Игоревич Кошелев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ). Дата публикации: 2014-10-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of growing epitaxial film of group three nitride on growth substrate

Номер патента: RU2543212C2. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2015-02-27.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Recording Media Having a Nanocomposite Protection Layer and Method of Making Same

Номер патента: US20120003399A1. Автор: Li Lei,Kiely James Dillon,Jones Paul Max,Hsia Yiao-Tee,Johns Earl Chrzaszcz. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of preparing epitaxial structures of nitrides of a3 group elements

Номер патента: RU2132890C1. Автор: И.А. Соколов,Д.М. Демидов,А.Л. Тер-Мартиросян,В.П. Чалый,С.Ю. Карпов,Ю.В. Погорельский. Владелец: Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы". Дата публикации: 1999-07-10.

Optical Module, and Optical Printed Circuit Board and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002916A1. Автор: . Владелец: LG Innoteck Co., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING TARGET SUBSTANCE

Номер патента: US20120003666A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making semiconductor light-emitting elements

Номер патента: RU2479892C2. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Сергей Юрьевич Курин,Хелава Хейкки,Татьяна Юрьевна Чемекова,Андрей Алексеевич Антипов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н". Дата публикации: 2013-04-20.

Method of forming protective coats for graphite substrate holders and device for method embodiment

Номер патента: RU2165999C2. Автор: Ю.Н. Баранов,Е.Н. Любушкин,С.Н. Батюк,Э.Б. Сигалов,Н.С. Волков. Владелец: Научно-исследовательский институт молекулярной электроники. Дата публикации: 2001-04-27.

Cloth-shaped laminate with a cruciform arrangement of the layers, a method of its manufacture, a product - mainly a bag made out of the such material and having a shape off a pipe, or of a folded laminate cloth with a cruciform-shaped arrangement of the layers

Номер патента: RU2266824C2. Автор: Оле-Бентт РАСМУССЕН. Владелец: Оле-Бентт РАСМУССЕН. Дата публикации: 2005-12-27.

Method of forming of polycrystalline silicon layers

Номер патента: RU2261937C2. Автор: Н.М. Манжа,А.Н. Долгов,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко. Владелец: Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (АООТ "НИИМЭ и завод "МИКРОН"). Дата публикации: 2005-10-10.

Development method of superviscous oil deposit in layer-by-layer non-homogeneous manifold with partial vertical connectivity

Номер патента: RU2473796C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Фарид Баширович Сулейманов,Илфат Нагимович Файзуллин,Роберт Рафаэлевич Ахмадуллин,Рашит Газнавиевич Рамазанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-01-27.

Method of local liquid epitaxy

Номер патента: RU2072584C1. Автор: Владимир Юрьевич Гершанов,Сергей Иванович Гармашов,Юрий Владимирович Гершанов. Владелец: Юрий Владимирович Гершанов. Дата публикации: 1997-01-27.

Method of producing of composite casting

Номер патента: RU2356711C2. Автор: Анатолий Петрович Пудовкин,Сергей Петрович Москвитин,Евгений Евгеньевич Чванов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственый технический университет" (ГОУ ВПО "ТГТУ"). Дата публикации: 2009-05-27.

Method of manufacturing multilayer article from polymeric composition materials

Номер патента: RU2285613C1. Автор: Михаил Михайлович Смирнов,Алексей Сергеевич Малюгин,Николай Васильевич Давыдкин,Сергей Васильевич Малюгин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское машиностроительное производственное предприятие "САЛЮТ" (ФГУП "ММПП "САЛЮТ"). Дата публикации: 2006-10-20.

Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2593633C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Method of automatic measurement of thickness of layer with fuzzy boundaries using image

Номер патента: RU2550534C1. Автор: Ирина Николаевна Паламарь,Павел Вадимович Сизов,Константин Александрович Рыбаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рыбинский государственный авиационный технический университет имени П.А. Соловьева". Дата публикации: 2015-05-10.

Method of determining amount of change of power of peat layer on reclaimed land

Номер патента: RU2513837C1. Автор: Александр Евгеньевич Касьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет природообустройства". Дата публикации: 2014-04-20.

Method of separating layer of stems of flax fibre into portions

Номер патента: RU2584123C1. Автор: Михаил Михайлович Ковалев,Юрий Федорович Лачуга,Вячеслав Анатольевич Романов,Федор Владимирович Зубов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт механизации льноводства" (ФГБНУ ВНИИМЛ). Дата публикации: 2016-05-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of decorative ceramic products

Номер патента: RU2349561C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина,Юли Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2009-03-20.

Method of making multi-layer coat for cutting tools

Номер патента: RU2268320C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Алексей Валерьевич Циркин,Николай Анатольевич Ширманов,Сергей Сергеевич Порохин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-01-20.

Multilayer structural material and method of its production

Номер патента: RU2402663C2. Автор: Олег Михайлович Сладков,Александр Александрович Артёменко,Галина Павловна Пономарёва. Владелец: Галина Павловна Пономарёва. Дата публикации: 2010-10-27.

Method of determining physical and mechanical properties of multilayer and surface-strengthened materials

Номер патента: RU2227281C1. Автор: А.В. Конаков,нов Е.Н. Емель,Е.Н. Емельянов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Дальневосточная технология". Дата публикации: 2004-04-20.

Method of imaging

Номер патента: RU2560914C1. Автор: Жаргал Борисович Цыбенов,Любовь Георгиевна Цыбенова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Восточно-Сибирский государственный университет технологий и управления". Дата публикации: 2015-08-20.

Method of forming switching jumper

Номер патента: RU2579166C2. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of reducing water influx to multilateral wells

Номер патента: RU2584025C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Илгам Гарифзянович Газизов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д.Шашина. Дата публикации: 2016-05-20.

Method of development of thick steep coal bed in straps downstream

Номер патента: RU2462593C1. Автор: Борис Алексеевич Анферов,Людмила Васильевна Кузнецова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт угля Сибирского отделения РАН (ИУ СО РАН). Дата публикации: 2012-09-27.

Thin-film material that contains functional components and method of preparation of thin-film material that contains functional components

Номер патента: RU2326898C1. Автор: Александр Николаевич Тихонов,Алексей Юрьевич Семенов,Геннадий Борисович Хомутов,Андрей Анатольевич Дементьев. Владелец: Андрей Анатольевич Дементьев. Дата публикации: 2008-06-20.

Method of development of powerful steeply inclined coal bed in stripes downwards

Номер патента: RU2527852C1. Автор: Борис Алексеевич Анферов,Людмила Васильевна Кузнецова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт угля Сибирского отделения Российской академии наук (ИУ СО РАН). Дата публикации: 2014-09-10.

Method of layer mining of high steeply inclined coal bed with extraction of coal from bedding pack

Номер патента: RU2514933C1. Автор: Борис Алексеевич Анферов,Людмила Васильевна Кузнецова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт угля Сибирского отделения Российской академии наук (ИУ СО РАН). Дата публикации: 2014-05-10.

Method of inserting carbides and oxides of refractory metals into surface layer of carbon structural steels by combined plastic deformation

Номер патента: RU2704345C1. Автор: Александр Олегович Горленко,Виталий Михайлович Сканцев,Сергей Васильевич Давыдов,Михаил Юрьевич Шевцов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-10-28.

Method of making double-layer annular heat-resistant seal of gas turbine engine units

Номер патента: RU2704709C1. Автор: Юрий Викторович Крутевич,Валерий Александрович Гейкин,Сергей Викторович Морозов,Николай Васильевич Абраимов. Владелец: Акционерное общество ""Объединенная двигателестроительная корпорация" (АО "ОДК"). Дата публикации: 2019-10-30.

Method of separation of the immiscible liquids

Номер патента: RU2294787C2. Автор: Али Юсупович Аджиев,Александр Викторович Литвиненко,Сергей Иванович Бойко,Татьяна Николаевна Шульга,Сергей Владимирович Килинник,Тать на Николаевна Шульга. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и проектный институт по переработке газа" ОАО "НИПИгазпереработка". Дата публикации: 2007-03-10.

Method of wear-resistant lay-by-layer building-up welding of steel bearing races of rotary supports of jib cranes

Номер патента: RU2530977C1. Автор: Борис Федорович Якушин,Алексей Владимирович Сударев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2014-10-20.

Method of antiwear multiple plating

Номер патента: RU2346078C2. Автор: Владимир Никитович Анциферов,Сергей Михайлович Вдовин,Анна Львовна Каменева,Евгений Александрович Шестаков,Евгений Михайлович Трофимов. Владелец: Пермский край, от имени которого выступает государственный заказчик- Министерство промышленности и природных ресурсов Пермского края. Дата публикации: 2009-02-10.

Layer development method of thick steeply inclined coal formation

Номер патента: RU2470157C1. Автор: Борис Алексеевич Анферов,Людмила Васильевна Кузнецова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт угля Сибирского отделения РАН (ИУ СО РАН). Дата публикации: 2012-12-20.

Method of controlling spacecraft power supply system

Номер патента: RU2593760C2. Автор: Николай Владимирович Рясной,Сергей Иванович Миненко,Виктор Николаевич Фомакин,Людмила Владимировна Безбородова,Константин Сергеевич Колесников. Владелец: Акционерное общество "Ракетно-космический центр "Прогресс" (АО "РКЦ "Прогресс"). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of detection of paraffin0philic microorganisms

Номер патента: RU2161654C2. Автор: Роберт А. Оллар,Митчел С. Фелдер. Владелец: Инфектек, Инк.. Дата публикации: 2001-01-10.

Method of detonation in open-cast minings of rock masses with different strength values

Номер патента: RU2563893C1. Автор: Владимир Арнольдович Белин,Петр Александрович Шеметов,Александр Александрович Трусов,Руслан Азаматович Рахманов,Шерзод Амондулоевич Камолов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-09-27.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PIEZORESISTIVE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND PIEZORESISTIVE-TYPE TOUCH PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001870A1. Автор: LEE Kang Won,Lee Seung Seob. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF AND ARRANGEMENT FOR LINKING IMAGE COORDINATES TO COORDINATES OF REFERENCE MODEL

Номер патента: US20120002840A1. Автор: van Dam Peter Michael,Linnenbank Andreas Christianus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured Mn-Al Permanent Magnets And Methods of Producing Same

Номер патента: US20120003114A1. Автор: Zeng Qi,Baker Ian. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF TREATING DEGENERATIVE BONE CONDITIONS

Номер патента: US20120004594A1. Автор: Howe James,Schulz Olaf,Swaim Rick,Huber Bryan,Batts Joel,Harness David,Belaney Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Formation method of corrosion-resistant coating on titanium items

Номер патента: RU2443800C1. Автор: Владимир Андреевич Батаев,Анатолий Андреевич Батаев,Михаил Гедалиевич Голковский,Иван Константинович Чакин,Татьяна Владимировна Журавина,Павел Сергеевич Прозоренко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2012-02-27.

Method of regulating process of classification of solid material in vertical flow with pulsating agitation

Номер патента: RU2530941C1. Автор: Владислав Александрович Толкачев,Дмитрий Вячеславович Майников,Дмитрий Викторович Кириченко. Владелец: Открытое акционерное общество "Ведущий научно-исследовательский институт химической технологии". Дата публикации: 2014-10-20.

Method of determining geometrical and electrophysical parameters of plane layered medium

Номер патента: RU2421758C1. Автор: Александр Юрьевич Гринев,Владимир Степанович Темченко,Евгений Вячеславович Ильин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (государственный технический университет) (МАИ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of reconditioning of road pavement layers

Номер патента: RU2271415C1. Автор: Георгий Самуилович Бахрах. Владелец: ГП РосдорНИИ. Дата публикации: 2006-03-10.

Production method of armoured helmet made of layered polymer composites and armoured helmet made of layered polymer composites

Номер патента: RU2328193C2. Автор: Евгений Федорович Харченко,Владимир Александрович Анискович,нова Елена Владимировна Купри,Елена Владимировна Куприянова,Анна Станиславовна Твердова. Владелец: Закрытое акционерное общество Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты". Дата публикации: 2008-07-10.

Method of surgical treatment of osteochondral injuries of talus block by method of mosaic autochondroplasty

Номер патента: RU2508060C1. Автор: Гурген Абавенович Кесян,Рашид Загидуллович Уразгильдеев,Андрей Николаевич Левин,Овсеп Гургенович Кесян,Давид Рубенович Мурадян,Артём Владимирович Мазур. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Центральный научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии имени Н.Н. Приорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ЦИТО им. Н.Н. Приорова" Минздрава России). Дата публикации: 2014-02-27.

Method of making part from metal powder material

Номер патента: RU2704360C1. Автор: Владимир Николаевич Елисеев,Жесфина Михайловна Бледнова,Эътибар Юсиф Оглы Балаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2019-10-28.

Developing method of heavy abrupt layer with cast solid stowing

Номер патента: RU2364722C1. Автор: Владимир Афанасьевич Сухоруков,Владислав Владимирович Сухоруков,Евгений Борисович Шенгерей,Виктор Николаевич Фрянов,Светлана Владимировна Шенгерей. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2009-08-20.

Fireproof decorative-finishing material and method of obtaining thereof

Номер патента: RU2523330C2. Автор: Борис Михайлович Михайлов,Семен Семенович Титов,Татьяна Борисовна Сорокина,Ольга Леонидовна Ратаева,Дмитрий Владимирович Лабок,Леонид Витальевич Вершинин,Наталья Александровна Гарькина,Татьяна Николаевна Платуха,Наталия Сергеевна Савичева. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2014-07-20.

Formation method of diffusive corrosion-resistant nanostructured protective coat on surface of metal product

Номер патента: RU2378412C1. Автор: Александр Шотович Чавчанидзе,Надежда Юрьевна Тимофеева,Андрей Юрьевич Базаркин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет пищевых производств" Министерства образования Российской Федерации. Дата публикации: 2010-01-10.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594208C1. Автор: Анастасия Владимировна Федосова. Владелец: Анастасия Владимировна Федосова. Дата публикации: 2016-08-10.

Method of producing composite titanium-aluminium material

Номер патента: RU2370350C1. Автор: Леонид Моисеевич Гуревич,Сергей Петрович Писарев,Виктор Георгиевич Шморгун,Юрий Павлович Трыков,Дмитрий Сергеевич Самарский,Дмитрий Юрьевич Донцов,Олег Викторович Слаутин,Валерий Валерьевич Метёлкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ). Дата публикации: 2009-10-20.

Method of making light optical mirrors

Номер патента: RU2591209C1. Автор: Александр Федорович Ильющенко,Евгений Владимирович Звонарев,Галина Александровна Миронович,Владимир Анатольевич Осипов,Владимир Иванович Беляковский,Юрий Михайлович Поташников. Владелец: Государственное научное учреждение "Институт порошковой металлургии". Дата публикации: 2016-07-20.

Projection screen and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2332696C1. Автор: Николай Иванович Петров. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2008-08-27.

Method of diagnosing semiconductor epitaxial heterostructures

Номер патента: RU2498277C1. Автор: Кира Львовна Енишерлова-Вельяшева,Татьяна Федоровна Русак,Александр Всеволодович Лютцау. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"" (ОАО "НПП "Пульсар"). Дата публикации: 2013-11-10.

Method of obtaining tufting coating

Номер патента: RU2446953C1. Автор: Антонина Николаевна Пономарева,Александр Викторович Просвирницын. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна". Дата публикации: 2012-04-10.

Method of protection against emissions

Номер патента: RU2541001C2. Автор: Михаил Леонидович Сбитной,Вадим Юрьевич Татур,Сергей Вячеславович Бобков,Александр Львович Шишкин,Валерий Андреевич Баранов,Серегй Сергеевич Робатень. Владелец: Закрытое акционерное общество "НТК". Дата публикации: 2015-02-10.

Artificial muscle, method of its manufacturing and compensating suit

Номер патента: RU2458609C1. Автор: Игорь Николаевич Васянин,Николай Игоревич Васянин. Владелец: Николай Игоревич Васянин. Дата публикации: 2012-08-20.

Method of surgical treatment of larynx cancer

Номер патента: RU2487681C1. Автор: Виктор Эдуардович Гюнтер,Иван Геннадьевич Синилкин,Анатолий Владимирович Проскурин,Денис Евгеньевич Кульбакин,Марат Рафкатович Мухамедов,Сергей Геннадьевич Аникеев,Евгений Юрьевич Гарбуков,Александр Александрович Жеравин,Ирина Георгиевна Фролова,Николай Вольтович Васильев,Полина Валерьевна Суркова. Владелец: Полина Валерьевна Суркова. Дата публикации: 2013-07-20.

Method of determining "hidden" soft tissue necrosis in case of purulent-necrotic process

Номер патента: RU2408252C1. Автор: Виктор Иванович Миронов,Ирина Игоревна Гилёва,Наталья Александровна Якобсон. Владелец: Ирина Игоревна Гилёва. Дата публикации: 2011-01-10.

Method of moulding two-layer powder multifunctional products with vertical arrangement of layers

Номер патента: RU2475335C1. Автор: Юрий Григорьевич Дорофеев,Евгений Николаевич Бессарабов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2013-02-20.

METHOD OF PRODUCTION OF LAYERS OF P-TYPE CONDUCTIVITY ON CRYSTALS InAs

Номер патента: RU2541137C1. Автор: Владимир Владимирович Карпов,Владимир Петрович Астахов,Павел Дмитриевич Гиндин,Антон Вячеславович Артамонов,Евгения Зиновьевна Крайтерман. Владелец: Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of forecast of location of lower boundary of explosive gas zone in stope

Номер патента: RU2541347C1. Автор: Виктор Семенович Забурдяев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем комплексного освоения недр Российской академии наук (ИПКОН РАН). Дата публикации: 2015-02-10.

Method of cleaning and maintenance of wells and pipelines

Номер патента: RU2557283C1. Автор: Виктор Петрович Родионов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПРОМГИДРОСЕТИ". Дата публикации: 2015-07-20.

Nondetachably joining method of alloy carbide steel and construction steel

Номер патента: RU2309817C2. Автор: Алексей Трофимович Евтушенко,Станислав Семенович Торбунов,Серуш Пазарэ. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ). Дата публикации: 2007-11-10.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing cleaning web, image-forming device and fixing device

Номер патента: US20120003020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLARED TIP FAN BLADE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003098A1. Автор: . Владелец: SPX Cooling Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE ASSEMBLY, METHOD OF FABRICATING ELECTRODE ASSEMBLY, AND SECONDARY BATTERY INCLUDING ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003506A1. Автор: SHIN Hosik. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Harmonising method of magnetic conductors of rotor and armature in two-dimensional electric machines - generators

Номер патента: RU2496211C1. Автор: Яков Михайлович Кашин,Багаудин Хамидович Гайтов,Тамара Борисовна Гайтова,Александр Яковлевич Кашин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КубГТУ"). Дата публикации: 2013-10-20.

METHOD OF OBTAINING FIRE-PROOF MATERIAL BASED ON SILICON BETA-NITRIDE β-Si3N4

Номер патента: RU2490232C1. Автор: Игорь Михайлович Шатохин,Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Владелец: Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Дата публикации: 2013-08-20.

Method of making film-type electric heater (versions)

Номер патента: RU2394398C1. Автор: Игорь Николаевич Панасюк,Владимир Николаевич Лукьянов,Юрий Васильевич Мантуров,Игорь Николаевич Панасюк (RU),Владимир Николаевич Лукьянов (RU),Юрий Васильевич Мантуров (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Завод "Рациональные отопительные системы". Дата публикации: 2010-07-10.

METHOD OF MAKING NITRIDE FILM ON SURFACE OF GaSb BASED HETEROSTRUCTURE

Номер патента: RU2370854C1. Автор: Владимир Петрович Улин,Юрий Павлович Яковлев,Игорь Анатольевич Андреев,Екатерина Вадимовна Куницына,Владимир Леонидович Берковиц,Татьяна Викторовна Львова. Владелец: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2009-10-20.

Heat and sound insulation unit with compensator and method of its laying (versions)

Номер патента: RU2470124C2. Автор: Ильдус Мухаметгалеевич Закиров,Ниаз Ирекович Акишев,Евгений Павлович Филимонов,Юлия Игоревна Досикова. Владелец: ООО "Научно-исследовательский центр высоких технологий". Дата публикации: 2012-12-20.

Method of producing composite articles with inner cavities by explosion welding

Номер патента: RU2486042C1. Автор: Леонид Моисеевич Гуревич,Сергей Петрович Писарев,Дмитрий Владимирович Проничев,Вячеслав Фёдорович Казак,Виктор Георгиевич Шморгун,Олег Сергеевич Киселев,Артём Игоревич Богданов,Юрий Павлович Трыков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2013-06-27.

Method of manufacturing shell-type ceramic molds

Номер патента: RU2025192C1. Автор: В.А. Андерсон,А.Е. Соколов,Н.И. Шейко,А.А. Померанец,М.Л. Пиевский. Владелец: Киевское научно-производственное объединение по автоматизации и механизации технологий. Дата публикации: 1994-12-30.

Method of mining of jointly occurring steep thin ore bodies in stable and medium-stable rocks

Номер патента: RU2209972C2. Автор: А.А. Решетников,Ю.Н. Галинов,В.А. Овсейчук,В.Б. Колесаев,Н.П. Фофанов,М.И. Капитонов,Н.П. Каюдин,В.К. Сурков. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Приаргунское производственное горно-химическое объединение". Дата публикации: 2003-08-10.

Method of making composite copper-titanium material

Номер патента: RU2560895C1. Автор: Леонид Моисеевич Гуревич,Сергей Петрович Писарев,Дмитрий Владимирович Проничев,Вячеслав Фёдорович Казак,Виктор Георгиевич Шморгун,Дмитрий Анатольевич Евстропов,Роман Евгеньевич Новиков,Юрий Павлович Трыков,Олег Викторович Слаутин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2015-08-20.

Method of increasing soil fertility for woody and herbaceous cultures (variant of russian logic - version 2)

Номер патента: RU2534512C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of making multilayer decorative case of the article

Номер патента: RU2594768C2. Автор: Тенгиз Амиранович Саникидзе. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Часовой Завод Ника". Дата публикации: 2016-08-20.

Method of producing structural parts from composite materials and window composite ring thus produced

Номер патента: RU2481954C1. Автор: Игорь Сергеевич Карпейкин,Андрей Викторович Васечкин,Ольга Сергеевна Кушнарева,Евгений Михайлович Базаев,Олег Викторович Скиба. Владелец: Открытое акционерное общество "Национальный институт авиационных технологий" (ОАО НИАТ). Дата публикации: 2013-05-20.

Method of producing multimode low-dispersion light guides

Номер патента: RU2547032C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян,Константин Владимирович Дукельский,Леонид Григорьевич ЛЕВИТ,Сергей Викторович Буреев,Екатерина Ивановна Ромашова,Валерий Борисович Шилов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2015-04-10.

Method of obtaining of biologically active lipid fraction of siberian fir (abies sibirica) wood green extract

Номер патента: RU2336889C2. Автор: Сергей Александрович Попов,Евгений Васильевич Малыхин,Тамара Андреевна Ваганова,ев Андрей Михайлович Чибир,Андрей Михайлович Чибиряев,Тать на Петровна Кукина,Татьяна Петровна Кукина,Валерий Владимирович Серебров. Владелец: Валерий Владимирович Серебров. Дата публикации: 2008-10-27.

Method of disposal of solid household wastes and device to this end

Номер патента: RU2487767C2. Автор: Владимир Маркович Радомский,Дмитрий Евгеньевич Быков,Константин Львович Чертес,Виталий Николаевич Пыстин,Ольга Владимировна Тупицина,Наталия Вячеславовна Гвоздева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет. Дата публикации: 2013-07-20.

Method of making bimetal sheets and plates

Номер патента: RU2492034C1. Автор: Елена Михайловна Миклашевич,Яков Львович Соломоник,Юрий Александрович Пискарёв. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский институт легких сплавов" (ОАО "ВИЛС"). Дата публикации: 2013-09-10.

Method of continuous sublimation drying of thermolabile materials

Номер патента: RU2187053C1. Автор: Д.П. Лебедев,Б.Н. Быховский. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства. Дата публикации: 2002-08-10.

Method of thermodiffusion strengthening of steel parts

Номер патента: RU2384649C1. Автор: Василий Михайлович Короткий,Владимир Владимирович Коршунов,Валентина Николаевна Саковцева. Владелец: Владимир Владимирович Коршунов. Дата публикации: 2010-03-20.

Method of stabilizing bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2196220C2. Автор: В.Ф. Будников,Ю.М. Басарыгин,В.А. Юрьев,Л.М. Царькова,А.А. Захаров,Н.А. Клименко,В.И. Щербинин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кубаньгазпром". Дата публикации: 2003-01-10.

Method of land drainage in permafrost zone

Номер патента: RU2380480C2. Автор: Николай Васильевич Ухов. Владелец: Государственное научное учреждение Магаданский научно-исследовательский институт сельского хозяйства Россельхозакадемии. Дата публикации: 2010-01-27.

Method of production of composite products with internal cavities of explosion welding

Номер патента: RU2526357C1. Автор: Леонид Моисеевич Гуревич,Сергей Петрович Писарев,Дмитрий Владимирович Проничев,Вячеслав Фёдорович Казак,Виктор Георгиевич Шморгун,Вера Николаевна Арисова,Артём Игоревич Богданов,Юрий Павлович Трыков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2014-08-20.

Method of comparative assessment of material properties by ratio of length of pendulum scribing trace to its width

Номер патента: RU2548057C1. Автор: Борис Яковлевич Мокрицкий,Дмитрий Александрович Пустовалов,Павел Алексеевич Саблин,Александр Сергеевич Мешков,Анастасия Константиновна Дзюба. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Комсомольский-на-Амуре государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО "КнАГТУ"). Дата публикации: 2015-04-10.

Method of mining of tubular kimberlite deposits by powered mining complex

Номер патента: RU2153073C2. Автор: В.Ю. Изаксон,В.Н. Власов,И.Н. Власов,Н.П. Крамсков,В.И. Клишин,М.В. Курленя,М.Д. Новопашин. Владелец: Институт горного дела Севера СО РАН. Дата публикации: 2000-07-20.

Method of measuring level and device for realization of this method

Номер патента: RU2190195C1. Автор: Ю.П. Щуров. Владелец: НПО измерительной техники. Дата публикации: 2002-09-27.

Method of production of quercetin

Номер патента: RU2182907C1. Автор: В.А. Левданский,Н.И. Полежаева,Б.Н. Кузнецов,С.А. Кузнецова. Владелец: Институт химии и химической технологии СО РАН. Дата публикации: 2002-05-27.

Method of mounting cathode section of aluminum electrolyzer

Номер патента: RU2270889C2. Автор: Владимир Александрович Сергеев,Леонид Викторович Рагозин,Александр Алексеевич Ефимов,Алексей Михайлович Надточий,Виктор Алексеевич Любушкин,Виктор Викторович Абрамов. Владелец: Открытое акционерное общество "Сибирский научно-исследовательский, конструкторский и проектный институт алюминиевой и электродной промышленности" (ОАО "СибВАМИ"). Дата публикации: 2006-02-27.

Method of remediation of soils contaminated with radioactive cesium

Номер патента: RU2567869C1. Автор: Владимир Константинович Губин,Владимир Пантелеевич Максименко,Александр Николаевич Николаенко. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт гидротехники и мелиорации им. А.Н. Костякова Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВНИИГиМ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2015-11-10.

Method of excitation of seismic waves

Номер патента: RU2100826C1. Автор: В.А. Казаков,В.Д. Карпов,В.П. Максимов,В.В. Барышев,А.Т. Казаков,В.Э. Анников,Б.Н. Кондриков,А.А. Сомков. Владелец: Казаков Алексей Тихонович. Дата публикации: 1997-12-27.

Protective composition, composition material on its basis for secondary covering of cell and method of material's manufacturing

Номер патента: RU2361017C2. Автор: Игорь Андреевич Годунов,Виктор Васильевич Авдеев,Василий Андреевич Крюковский,Владимир Константинович Фризоргер,Богдан Иосипович Лазоряк,Владимир Анатольевич Морозов,Кирилл Константинович Кобылецкий,Михаил Григорьевич Жижин,Виктор Христианович Манн,Игорь Андреевич Годунов (RU),Виктор Васильевич Авдеев (RU),Владимир Константинович Фризоргер (RU),Василий Андреевич Крюковский (RU),Владимир Анатольевич Морозов (RU),Богдан Иосипович Лазоряк (RU),Кирилл Константинович Кобылецкий (RU),Михаил Григорьевич Жижин (RU),Виктор Христианович Манн (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "УНИХИМТЕК" (ЗАО "УНИХИМТЕК"). Дата публикации: 2009-07-10.

Tool and method of producing parts from composite materials outside autoclave (versions)

Номер патента: RU2420405C2. Автор: МАРТИНЕС Асунсион БУТРАГЕНЬО,ГОМЕС Хосе САНЧЕС,ДОМИНГЕС Рафаэль АВИЛА,МАРТИНЕС Асунсион БУТРАГЕНЬО (ES),ГОМЕС Хосе САНЧЕС (ES),ДОМИНГЕС Рафаэль АВИЛА (ES). Владелец: Айрбус Эспанья, С.Л.. Дата публикации: 2011-06-10.

Method of determining actual values of dynamic modulus of elasticity of layers of road structure at operational stage

Номер патента: RU2451917C1. Автор: Сергей Константинович Илиополов,Евгения Владимировна Углова,Александр Юрьевич Дроздов,Александр Александрович Ляпин,Валентин Владимирович Мизонов,Александр Сергеевич Конорев,Ольга Валериевна Конорева,Артем Николаевич Тиратурян,Владимир Владимирович Акулов. Владелец: Владимир Владимирович Акулов. Дата публикации: 2012-05-27.

Method of forming inner thermal protective coating of rocket engine housing

Номер патента: RU2581516C1. Автор: Галина Ивановна Шайдурова,Марина Юрьевна Ощепкова,Борис Анатольевич Нестеров,Михаил Алексеевич Кустов. Владелец: Публичное акционерное общество Научно-производственное объединение "Искра". Дата публикации: 2016-04-20.

Method of producing composite articles with inner cavities by explosion welding

Номер патента: RU2488468C1. Автор: Леонид Моисеевич Гуревич,Сергей Петрович Писарев,Дмитрий Владимирович Проничев,Вячеслав Фёдорович Казак,Виктор Георгиевич Шморгун,Олег Сергеевич Киселев,Артём Игоревич Богданов,Юрий Павлович Трыков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2013-07-27.

Method of mining kimberlite deposit extended along strike by inclined slicing under flexible guard roofing by powered mining set

Номер патента: RU2151295C1. Автор: В.Ю. Изаксон,В.Н. Власов,И.Н. Власов,В.И. Клишин,М.В. Курленя,М.Д. Новопашин. Владелец: Институт горного дела Севера СО РАН. Дата публикации: 2000-06-20.

Electrochemical element and method of its manufacturing

Номер патента: RU2379670C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Владимир Васильевич Викулин,Елена Алексеевна Кораблева,Валентина Семеновна Якушкина,Надежда Николаевна Саванина,Евгений Викторович Некрасов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2010-01-20.

Glass ceramic coating based on organo-yttrium oxane alumoxane siloxanes and method of obtaining thereof

Номер патента: RU2535537C1. Автор: Павел Аркадьевич Стороженко,Галина Игоревна Щербакова,Максим Сергеевич Варфоломеев,Наталия Сергеевна Кривцова,Денис Викторович Сидоров,Александр Иванович Драчев,Дмитрий Владимирович Жигалов,Татьяна Леонидовна Мовчан. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП "ГНИИХТЭОС"). Дата публикации: 2014-12-20.

Method of developing oil-and-gas pools

Номер патента: RU2390626C1. Автор: Сергей Каснулович Ахмедсафин,Сергей Александрович Кирсанов,Олег Петрович Андреев,Зульфар Салихович Салихов,Роман Владимирович Корытников,Павел Михайлович Зобов,Вадим Николаевич Хлебников,Игорь Александрович Зинченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенный центр исследований и разработок". Дата публикации: 2010-05-27.

Method of quantitative determination of manganese, lead and nickel in bile by method of atomic-absorption analysis with atomisation in flame

Номер патента: RU2410691C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Марина Александровна Баканина,Юлия Васильевна Шардакова,Галина Ивановна Леготкина. Владелец: Федеральное государственное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФГУН "ФНЦ МПТ УРЗН" РОСПОТРЕБНАДЗОРА). Дата публикации: 2011-01-27.

Method of pipe heat-and-water-proofing

Номер патента: RU2584386C2. Автор: Геннадий Петрович Шелудько,Валерий Михайлович Гончаров,Игорь Васильевич Дзюба. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский федеральный университет". Дата публикации: 2016-05-20.

Method of production of the edge-overlock two-thread buttonhole stitch and the edge-overlock two-thread stitch sewing machine for its realization

Номер патента: RU2290464C1. Автор: Евгений Васильевич Бусыгин. Владелец: Евгений Васильевич Бусыгин. Дата публикации: 2006-12-27.

Method of layer-by-layer laying of clay-salt slimes and salt wastes in one chamber

Номер патента: RU2410543C1. Автор: Алексей Николаевич Чистяков,Борис Александрович Борзаковский,Борис Владимирович Бурылов. Владелец: Открытое акционерное общество "Сильвинит" (ОАО "Сильвинит"). Дата публикации: 2011-01-27.

Method of manufacturing of centrifugal compression machine impeller from composite material

Номер патента: RU2432502C1. Автор: Владимир Александрович Грибановский,Валерий Александрович Гейкин,Виктор Леонидович Юрьев,Алла Владиславовна Юсупова. Владелец: Открытое акционерное общество Институт технологии и организации производства (ОАО НИИТ). Дата публикации: 2011-10-27.

Method of layered eyelid reconstruction accompanying anophthalmos

Номер патента: RU2454210C1. Автор: Михаил Германович Катаев. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Московский научно-исследовательский институт глазных болезней им. Гельмгольца" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации. Дата публикации: 2012-06-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRENATAL AND POSTNATAL DNA-DIAGNOSTICS OF DOWN, EDWARDS PATAU SYNDROME MUTATION delF508 IN GENE OF MUCOVISCIDOSIS AND RHESUS-FACTOR OF FOETUS

Номер патента: RU2539778C1. Автор: Виктор Анатольевич Линде,Валерия Викторовна Авруцкая,Виталий Станиславович Гимбут,Наталия Вячеславовна Кривенцова,Наталья Евгеньевна Клочкова,Светлана Юрьевна Кригер,Роман Александрович Шокарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Ростовский научно-исследовательский институт акушерства и педиатрии" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-01-27.

Method of production of phenylalkenes with usage of the adsorptive separation and the composition produced on their basis

Номер патента: RU2296734C2. Автор: Санти КУЛПРАТИПАНДЖА,Ричард Ю. МАРИНАНДЖЕЛИ,Стивен У. СОН,Томас Р. ФРИТЧ,Р. Джо ЛАУСОН. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2007-04-10.

Method of protection of steel parts of machines against salt corrosion and dust and drop impingement erosion

Номер патента: RU2226227C1. Автор: А.М. Смыслов,К.С. Селиванов,Ю.М. Дыбленко,М.К. Смыслова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология". Дата публикации: 2004-03-27.

Electrostatically depositing powder and the method of production of the abrasive flexible tool

Номер патента: RU2261262C2. Автор: Гво Шин СВЕИ,Силвэйн ПЕТИГНИ. Владелец: Сент-Гобэн Абразивс, Инк.. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of carburization

Номер патента: RU2037556C1. Автор: В.А. Ильинский,Л.В. Костылева,А.В. Пожарский,Н.П. Рубцова. Владелец: Ильинский Владимир Александрович. Дата публикации: 1995-06-19.

Method of vacuum deposition of coatings

Номер патента: RU2046835C1. Автор: В.Ф. Нагайцев,П.В. Нагайцев. Владелец: Нагайцев Владимир Федорович. Дата публикации: 1995-10-27.

Method of producing of layered composite materials

Номер патента: RU2562279C1. Автор: Александр Иванович Ковтунов,Юрий Юрьевич Хохлов,Сергей Владимирович Мямин,Денис Иванович Плахотный. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тольяттинский государственный университет". Дата публикации: 2015-09-10.

Method of surgical correction of myopic astigmatism

Номер патента: RU2376964C1. Автор: Александр Иванович Мягких. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ост-Оптик К". Дата публикации: 2009-12-27.

Method of electron-beam zone melting of metal and device for realization of this method

Номер патента: RU2287023C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Алексей Иванович Пашков,Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов,Римма Алексеевна Казанцева,Анастаси Вадимовна Пискунова,Анастасия Вадимовна Пискунова,Виктор Васильевич Ломейко. Владелец: Вадим Георгиевич Глебовский. Дата публикации: 2006-11-10.

Method of molding of the thermoplastic organic polymeric material, the composition of the thermoplastic polymeric material and the lubricant

Номер патента: RU2288095C1. Автор: Олег Леонидович Куликов. Владелец: Олег Леонидович Куликов. Дата публикации: 2006-11-27.

Method of production of bimetallic ingot

Номер патента: RU2083700C1. Автор: А.Н. Рыбкин,В.А. Гришин,И.Г. Родионова,В.М. Архипов,В.Н. Курлыкин,А.А. Шарапов,С.А. Зуев,В.И. Пузачев,О.П. Ефимов. Владелец: Акционерное общество открытого типа Завод "Красный Октябрь". Дата публикации: 1997-07-10.

Method of fabricating items with internal cavities by means of explosive loading

Номер патента: RU2373035C1. Автор: Леонид Моисеевич Гуревич,Сергей Петрович Писарев,Вячеслав Фёдорович Казак,Виктор Георгиевич Шморгун,Юрий Павлович Трыков,Дмитрий Сергеевич Самарский,Дмитрий Юрьевич Донцов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ). Дата публикации: 2009-11-20.

Method of dressing solid minerals in hydraulic mining by boreholes and device to this end

Номер патента: RU2431527C1. Автор: Владимир Иванович Лунев,Александр Иванович Усенко,Михаил Степанович Паровинчак,Владимир Михайлович Зыков,Игорь Борисович Бондарчук,Виктор Григорьевич Лукьянов,Игорь Михайлович Иванюк. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of making laminate metallic tubes

Номер патента: RU2036063C1. Автор: Василий Савельевич Юркин. Владелец: Василий Савельевич Юркин. Дата публикации: 1995-05-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.