Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Nonvolatile memory, nonvolatile programmable logic switch including nonvolatile memory, and nonvolatile programmable logic circuit

Nonvolatile memory, nonvolatile programmable logic switch including nonvolatile memory, and nonvolatile programmable logic circuit

Номер патента: US9514839B2
Опубликовано: 06-12-2016
Автор(ы): Koichiro ZAITSU, Kosuke Tatsumura, Mari Matsumoto, Shinichi Yasuda
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nonvolatile memory apparatus and an operating method of a nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20190325975A1. Автор: Kwi Dong Kim,Keun Sik KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Nonvolatile memory device including a logic circuit to control word and bitline voltages

Номер патента: US11869594B2. Автор: Sung-Min JOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240096420A1. Автор: Sung-Min JOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230352104A1. Автор: Jung Woo Lee,Yang Kyu Choi,Ji Man YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory

Номер патента: US11990189B2. Автор: Younghwi Yang,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20220172783A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory

Номер патента: US20230207026A1. Автор: Younghwi Yang,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US12112806B2. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile memory

Номер патента: EP1244111A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2002-09-25.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20230307057A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Neural network circuit comprising nonvolatile memory cells and reference-current cells

Номер патента: US11942163B2. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Nonvolatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20160104535A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Arrays of nonvolatile memory cells

Номер патента: WO2012074662A3. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-26.

Nonvolatile memory device including two-dimensional material and apparatus including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20180358470A1. Автор: Jaeho Lee,Hyeonjin Shin,Haeryong Kim,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-13.

Mixed signal neuromorphic computing with nonvolatile memory devices

Номер патента: US12106211B2. Автор: Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Mohammad Reza Mahmoodi,Mohammad Bavandpour. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of reducing reliability degradation of nonvolatile memory device, nonvolatile memory device using the same and method of testing nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11915770B2. Автор: Minseok Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20030017672A1. Автор: Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Shinichi Minami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-01-23.

Circuit for and an electronic device including a nonvolatile memory cell and a process of forming the electronic device

Номер патента: US20090290437A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-11-26.

Nonvolatile memory device, storage device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11798629B2. Автор: Sang-Won Shim,Jae-Duk Yu,Bongsoon LIM,Kang-Bin Lee,Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US8902651B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Nonvolatile memory device, storage device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210065806A1. Автор: Sang-Won Shim,Jae-Duk Yu,Bongsoon LIM,Kang-Bin Lee,Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Circuit for and an electronic device including a nonvolatile memory cell and a process of forming the electronic device

Номер патента: WO2009142824A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-11-26.

Control gate signal for data retention in nonvolatile memory

Номер патента: US20220284961A1. Автор: Anubhav Khandelwal,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-08.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210193225A1. Автор: Jong-Chul Park,Youn-yeol Lee,Seul-bee LEE,Kyung-sub LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Single-poly nonvolatile memory cells

Номер патента: US20170236829A1. Автор: Nam Yoon Kim,Kwang Il Choi,Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210005622A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20220246627A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Nonvolatile memory device and cross point array device including the same

Номер патента: US11729992B2. Автор: Sanghun Jeon,Youngin GOH. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-08-15.

Single-poly nonvolatile memory cell

Номер патента: US20160079251A1. Автор: Yi-Hung Li,Yen-Hsin Lai,Shih-Chan Huang,Ming-Shan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09893208B2. Автор: Tadahiko Horiuchi. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Nonvolatile memory device and method of programming in a nonvolatile memory

Номер патента: US11881272B2. Автор: Sangwan Nam,Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Nonvolatile memory cell employing hot carrier effect for data storage

Номер патента: US09966141B2. Автор: Tadahiko Horiuchi. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11742052B2. Автор: Hyungsoo KIM,Sang-Hyun Joo,Jaewoo Im,Won-Taeck JUNG,Tae-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Nonvolatile memory device having cell on periphery structure

Номер патента: US11895842B2. Автор: Changyeon Yu,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US11869599B2. Автор: Jungmin Park,Ilhan Park,Sanghyun Joo,Joon Suc Jang,Jisang LEE,Kyunghoon Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory and programming method thereof

Номер патента: US20200194076A1. Автор: Xiao Luo,Chunhui Chen,Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Shanghai Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US7170795B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US20050237783A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-27.

Nonvolatile memory

Номер патента: US5926418A. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 1999-07-20.

Nonvolatile memory device, an operating method thereof, and a storage system including the nonvolatile memory device

Номер патента: US10923195B2. Автор: Tae Hun Kim,Bongyong Lee,Minkyung BAE,Myunghun Woo,Doohee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-16.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20200402584A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20200372956A1. Автор: Sang-Wan Nam,Euihyun Cheon,Byungjun Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-26.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US11837290B2. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210083004A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240347490A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US12057421B2. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20220173060A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Nonvolatile memory devices and memory systems including the same

Номер патента: EP4319533A2. Автор: Jiyoung Kim,Jaeeun Lee,Kiwhan Song,SeungYeon Kim,Woosung YANG,Inho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Nonvolatile memory devices and memory systems including the same

Номер патента: EP4319533A3. Автор: Jiyoung Kim,Jaeeun Lee,Kiwhan Song,SeungYeon Kim,Woosung YANG,Inho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Methods of erasing data in nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices performing the same

Номер патента: US20200411106A1. Автор: Sang-Wan Nam,Dong-Hun Kwak,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system including a nonvolatile memory device, and an erasing method thereof

Номер патента: US11894092B2. Автор: Wontaeck Jung,Buil Nam,Myoungho Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Nonvolatile memory with enhanced carrier generation and method for programming the same

Номер патента: US5258949A. Автор: Ming-Bing Chang,Ko-Min Chang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Programmable logic switch

Номер патента: US20130222011A1. Автор: Shinichi Yasuda,Kiwamu Sakuma,Mari Matsumoto,Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU,Masato Oda,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Programmable logic switch

Номер патента: US8884648B2. Автор: Shinichi Yasuda,Kiwamu Sakuma,Mari Matsumoto,Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU,Masato Oda,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Nonvolatile memory device including power gating circuit and input/output circuit of a nonvolatile memory device

Номер патента: US20230410917A1. Автор: Seunghoon Lee,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Jinha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20200303018A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods of operating nonvolatile memory devices, and memory systems including nonvolatile memory devices

Номер патента: US09852795B2. Автор: Dong-ku Kang,Joon-Suc JANG,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US20210005268A1. Автор: Ji-Young Lee,Il-han Park,Seung-Bum Kim,Su-Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Nonvolatile memory and methods for manufacturing the same with molecule-engineered tunneling barriers

Номер патента: US20100246269A1. Автор: Tuo-Hung Hou,Edwin C. Kan. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-09-30.

Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors

Номер патента: US20160056172A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Vertically-Integrated Nonvolatile Memory Devices Having Laterally-Integrated Ground Select Transistors

Номер патента: US20140241065A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Buried bit line anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory

Номер патента: US20130286709A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Buried Bit Line Anti-Fuse One-Time-Programmable Nonvolatile Memory

Номер патента: US20090323388A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Nonvolatile memory device having multi-stack memory block and method of operating the same

Номер патента: US12119046B2. Автор: Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu,Jiho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Nonvolatile programmable logic switches and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120061731A1. Автор: Atsuhiro Kinoshita,Daisuke Hagishima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240221832A1. Автор: Joonsuk Lee,Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US09754957B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile memory device including sub common sources

Номер патента: US09837160B1. Автор: Jin-Ho Kim,Sung-Lae OH,Sang-Hyun Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157284A1. Автор: Il-han Park,Bong-Soon Lim,June-Hong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Structure and operating method for nonvolatile memory cell

Номер патента: US20040037116A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Tung-Cheng Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Nonvolatile memory with self-tracking iref

Номер патента: US20240006000A1. Автор: Yunchen Qiu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20220319602A1. Автор: Hyeonjin Shin,Changseok Lee,Minhyun LEE,Taein KIM,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220130467A1. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Wan Nam,Jae-Duk Yu,Jonghoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Nonvolatile memory device, system including the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US12046274B2. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile memory having multiple narrow tips at floating gate

Номер патента: US11721731B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Zar Lwin Zin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-08.

Nonvolatile memories with tunnel dielectric with chlorine

Номер патента: US20090303787A1. Автор: Zhong Dong,Barbara Haselden. Владелец: Promos Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device including nonvolatile memories

Номер патента: US5654568A. Автор: Hironobu Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1997-08-05.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US20110095356A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Nonvolatile memory cells having an embedded selection element and nonvolatile memory cell arrays including the nonvolatile memory cells

Номер патента: US20210066585A1. Автор: Sang Min Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-04.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US20140145253A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Nonvolatile memory, method of fabricating the same, and method of reading information from the same

Номер патента: US5414286A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US9691756B2. Автор: Euipil Kwon. Владелец: Rangduru Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210020247A1. Автор: LIANG Yi,Chi REN,Zhaobing Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Array architecture and process flow of nonvolatile memory devices for mass storage applications

Номер патента: US20040165459A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Peter Lee,Vei-Han Chan. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-26.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20150214243A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-30.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20140104945A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20180019258A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Electronic device including a nonvolatile memory cell

Номер патента: US20130175593A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Array architecture and process flow of nonvolatile memory devices for mass storage applications

Номер патента: US6891221B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Peter W. Lee,Vei-Han Chan. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-10.

Nonvolatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20060071265A1. Автор: Jeong-Uk Han,Kwang-Wook Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-06.

Nonvolatile memory device and memory package including the same

Номер патента: US20240062819A1. Автор: Ahreum Kim,Pansuk Kwak,Hyunkook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Data line disturbance free memory block divided flash memory and microcomputer having flash memory therein

Номер патента: US20010015912A1. Автор: Kenichi Kuroda,Takashi Ito,Shiro Baba,Kiyoshi Matsubara,Naoki Yashiki,Masaaki Terasawa,Kazuyoshi Shiba,Masanao Sato,Hirofumi Mukai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory cell array, and information writing method of nonvolatile memory cell array

Номер патента: US20220262420A1. Автор: Takashi Yokoyama,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Non-overlapped-extension-implantation nonvolatile memory device capable of being treated with anti-fuse operation

Номер патента: US09991269B2. Автор: Syang-Ywan Jeng. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10103158B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Nonvolatile memory devices, memory systems and methods of operating nonvolatile memory devices for processing user data

Номер патента: US10672479B2. Автор: Chan-Ik Park,Sang-Hoan Chang,Taek-Soo Kim,Hyun-Sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190006379A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10418371B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US12033706B2. Автор: Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US20240311011A1. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210011633A1. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4184512A1. Автор: Sangwan Nam,Bongsoon LIM,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-24.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20130237008A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Yoshio Ozawa,Shinichi Nakao,Ichiro Mizushima,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kei Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Multi-channel nonvolatile memory management

Номер патента: US20180356982A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Kevin Mcilvain,Adam J. McPadden,Nandita A. Mitra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Multi-channel nonvolatile memory power loss management

Номер патента: US20180356981A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Kevin Mcilvain,Adam J. McPadden,Nandita A. Mitra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20120268988A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8848455B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120195116A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile memory cells, nonvolatile memory cell arrays including the same, and methods of fabricating the same

Номер патента: US09741729B2. Автор: Young Joon Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Nonvolatile memory device containing a carbon- or nitrogen-doped diode and methods of making andoperating the same

Номер патента: WO2009002476A3. Автор: Tanmay Kumar,S Brad Herner,Mark H Clark. Владелец: Mark H Clark. Дата публикации: 2009-03-05.

Nonvolatile memory device containing a carbon- or nitrogen-doped diode and methods of making andoperating the same

Номер патента: WO2009002476A2. Автор: Tanmay Kumar,S. Brad Herner,Mark H. Clark. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

Nonvolatile memory device having pad structure for high speed operation

Номер патента: US09899409B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09755169B2. Автор: Jea Gun Park,Jong Sun Lee,Sung Ho Seo,Woo Sik Nam. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Nonvolatile memory device and method of processing in memory (pim) using the same

Номер патента: US20210183446A1. Автор: Se-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory cell array, and information writing method of nonvolatile memory cell array

Номер патента: US11996130B2. Автор: Takashi Yokoyama,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Nonvolatile memory device and method of writing signal in nonvolatile memory device

Номер патента: US20180114560A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Nonvolatile memory cell and nonvolatile memory device comprising the same

Номер патента: US20210193207A1. Автор: Youngjin Cho,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US09887201B2. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: WO2004044921A3. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Han-Rei Ma. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: EP1579458A2. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-28.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: EP1579458A4. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-10.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: WO2004044921A2. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2004-05-27.

Nonvolatile memory with magnetoresistive element and transistor

Номер патента: US09805780B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shogo ITAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile memory devices having vertically integrated nonvolatile memory cell sub-strings therein

Номер патента: US9000508B2. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Sunhil Shim,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-07.

3d nand nonvolatile memory with staggered vertical gates

Номер патента: US20160056168A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180268907A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Nonvolatile memory

Номер патента: US6437396B1. Автор: Kuo-Yu Chou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-08-20.

Nonvolatile memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140011297A1. Автор: Soon Won Jung,Seung Youl Kang,Byoung Gon Yu,Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Sung Min Yoon,Shin Hyuk Yang,Chun Won Byun. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-09.

Nonvolatile Memory Device Using a Tunnel Nitride As A Current Limiter Element

Номер патента: US20130337606A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Mihir Tendulkar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: EP3951784A1. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-09.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US20140217484A1. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor memory and method of setting type

Номер патента: US5539692A. Автор: Yoshinobu Nakagome,Ryoichi Hori,Masashi Horiguchi,Tetsuro Matsumoto,Kazuhiko Kajigaya,Masaharu Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-07-23.

Nonvolatile memory device with vertical string including semiconductor and resistance change layers, and method of operating the same

Номер патента: US20210350851A1. Автор: Youngjin Cho,Cheol Seong Hwang,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of operating selector device, method of operating nonvolatile memory apparatus applying the same, electronic circuit device including selector device, and nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20230005537A1. Автор: TAE JOO Park,Hye Rim Kim,Jeong Hwan Song,Tae Jung Ha,Soo Gil Kim,Tae Jun Seok,Hyun Seung CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-01-05.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210035635A1. Автор: Youngjin Cho,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON,Cheolseong HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210151678A1. Автор: Donhee Ham,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,Haeryong Kim,Houk Jang,Chengye LIU,Henry HINTON. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of making nonvolatile memory cell containing carbon resistivity switching as a storage element by low temperature processing

Номер патента: WO2009126493A1. Автор: Er-Xuan Ping,Alper Ilkbahar,Tammy Kumar. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-10-15.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09887006B1. Автор: Robert Strenz,Robert Allinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Charge trapping nonvolatile memory devices, methods of fabricating the same, and methods of operating the same

Номер патента: US09847343B2. Автор: Young Joon Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Nonvolatile memory circuit and structure

Номер патента: US6246088B1. Автор: Kuo-Tung Chang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-06-12.

Monolithic, combo nonvolatile memory allowing byte, page and block write with no disturb and divided-well in the cell array using a unified cell structure and technology with a new scheme of decoder and layout

Номер патента: US7110302B2. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma,Koucheng Wu. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-19.

Nonvolatile memory with a unified cell structure

Номер патента: US20110170357A1. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma,Koucheng Wu. Владелец: Abedneja Assets AG LLC. Дата публикации: 2011-07-14.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US11894053B2. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20220020818A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Serial-gate transistor and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: EP4322164A1. Автор: Kiwhan Song,Sukkang SUNG,Gyosoo Choo,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-14.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11967367B2. Автор: Nari Lee,Gyu-Ha Park,Jeongyeol Kim,Daehan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US11984170B2. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Serial-gate transistor and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20240046994A1. Автор: Kiwhan Song,Sukkang SUNG,Gyosoo Choo,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20210217473A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: EP3944326A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-26.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: EP3852144A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-21.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20230126012A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Woo Chul Jung,Bong-Kil Jung,Jong Min Baek,Min Ki JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20230170030A1. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Nonvolatile memory cell comprising a reduced height vertical diode

Номер патента: US20110318911A1. Автор: Steven J. Radigan,S. Brad Herner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20230154534A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory and storage device including same

Номер патента: US12002514B2. Автор: Sang-Won Park,Won-Taeck JUNG,Su Chang Jeon,Han-Jun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20150029789A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-29.

Nonvolatile memory device and method of operating a nonvolatile memory

Номер патента: US11798626B2. Автор: Sangwan Nam,Hojun Lee,ChaeHoon KIM,Junyoung Ko,Minjae Seo,Jiwon SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20200091233A1. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

High speed zero dc power programmable logic device (pld) architecture

Номер патента: WO2004027545B1. Автор: Saroj Pathak,James E Payne,Harry H Kuo,Victor V Nguyen. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

High speed zero dc power programmable logic device (pld) architecture

Номер патента: WO2004027545A3. Автор: Saroj Pathak,James E Payne,Harry H Kuo,Victor V Nguyen. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Nonvolatile memory element and nonvolatile memory device

Номер патента: US9082479B2. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Koji Katayama,Satoru Mitani,Zhiqiang Wei. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Nonvolatile memory cell comprising switchable resistor and transistor

Номер патента: EP1908110B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-12-29.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US11200002B2. Автор: Sangwan Nam,Sangwon Park,Daeseok Byeon,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-14.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150249095A1. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Byung-Ho Lee,Jin-Hae Choi,Joo-Hee Han,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20150214497A1. Автор: Jea Gun Park,Jong Sun Lee,Sung Ho Seo,Woo Sik Nam. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2015-07-30.

Nonvolatile memory device and method of fabricating same

Номер патента: US11856772B2. Автор: Tae Hun Kim,Seung Won Lee,Min Cheol Park,Jun Hee Lim,Hye Ri Shin,Si Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Nonvolatile memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20210233929A1. Автор: Tae Hun Kim,Seung Won Lee,Min Cheol Park,Jun Hee Lim,Hye Ri Shin,Si Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Nonvolatile memory device and nonvolatile memory system including the same

Номер патента: US20220190131A1. Автор: Dae Seok Byeon,Kyung Min Ko,Myung Hun LEE,Pan Suk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor element, nonvolatile memory device, multiply-accumulate operation device, and method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20220342640A1. Автор: Masanori Tsukamoto,Toshiyuki Kobayash. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Architecture of a phase-change nonvolatile memory array

Номер патента: US6816404B2. Автор: Osama Khouri,Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer,Giorgio Bosisio. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Anti-fuse nonvolatile memory devices employing lateral bipolar junction transistors as selection transistors

Номер патента: US20170271346A1. Автор: Kwang Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile memory device having resistance change memory layer

Номер патента: US20210074354A1. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Nonvolatile memory device and method of operating and fabricating the same

Номер патента: US8004906B2. Автор: Sung-Il Park,Young-Gu Jin,Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-woong Hyun,Ki-ha Hong,Sung-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-23.

Asymmetric Dense Floating Gate Nonvolatile Memory with Decoupled Capacitor

Номер патента: US20180108666A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: WO2013116002A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2013-08-08.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: US09853036B2. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory with block word line

Номер патента: US09978454B2. Автор: Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110134704A1. Автор: Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Nonvolatile memory and storage device including nonvolatile memory

Номер патента: US20180240522A1. Автор: Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-08-23.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US12027215B2. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Nonvolatile memory device and method of controlling read operation of the same

Номер патента: EP4300497A1. Автор: Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-03.

Nonvolatile memory device and method of controlling read operation of the same

Номер патента: US20230420058A1. Автор: Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Nonvolatile memory device and sub-block managing method thereof

Номер патента: US20150149710A1. Автор: Junjin Kong,Eun Chu Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-28.

Nonvolatile memory device with address re-mapping

Номер патента: US20210098072A1. Автор: Sangwan Nam,Sangwon Park,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287437A1. Автор: In-Mo Kim,Ansoo Park,Jung-Seok HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Programme-controlled logic circuit using spin-torque transfer magnetoresistive devices

Номер патента: RU2420865C1. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Матью Майкл НОВАК,Лью Г. ЧУА-ЕОАН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-06-10.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200081774A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09792172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method and system for providing word addressable nonvolatile memory in a programmable logic device

Номер патента: US20210281264A1. Автор: Jinghui Zhu. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method and system for providing word addressable nonvolatile memory in a programmable logic device

Номер патента: US11637556B2. Автор: Jinghui Zhu. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

Nonvolatile memory apparatus and nonvolatile data storage medium

Номер патента: US8094482B2. Автор: Takeshi Takagi,Kazuhiko Shimakawa,Zhiqiang Wei,Ken Kawai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US20180047449A1. Автор: Sang-Wan Nam,Sang-In Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

Storage device including nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09886219B2. Автор: Dukyoung Yun,Hyoungsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Spin transfer torque magnetoresistive random-access memory and design methods

Номер патента: RU2427045C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Сеи Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Storage device including nonvolatile memory device and controller, controller and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230350609A1. Автор: Young-Ho Park,Yonghwa LEE,Seontaek Kim,Eun Ju Choi,Jesuk YEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: US09846644B2. Автор: Frederick Perner. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US12020758B2. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US11709629B2. Автор: Sangwan Nam,Sangwon Park,Daeseok Byeon,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Storage device including write buffer memory and method of operating storage device

Номер патента: US20190369921A1. Автор: Youngjin Cho,Eun Chu Oh,Jin-Hyeok Choi,Younggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Nonvolatile memory device storing a public key and a secret key, and an electronic device comprising the same

Номер патента: US20210367792A1. Автор: Dae Seok Byeon,Chan Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Nonvolatile Memory Device Using A Tunnel Nitride As A Current Limiter Element

Номер патента: US20130200325A1. Автор: Yun Wang,Mihir Tendulkar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240274173A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK,Cheolhui LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of operating selector device, method of operating nonvolatile memory apparatus using the same, electronic circuit device including selector device, and nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20230326523A1. Автор: Jeong Hwan Song,Ha Young Lee,Byung Joon Choi,Tae Jung Ha,Soo Gil Kim. Владелец: Foundation for Research and Business of Seoul National University of Science and Technology. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of operating selector device, method of operating nonvolatile memory apparatus applying the same, electronic circuit device including selector device, and nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US11830549B2. Автор: TAE JOO Park,Hye Rim Kim,Jeong Hwan Song,Tae Jung Ha,Soo Gil Kim,Tae Jun Seok,Hyun Seung CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods and apparatus for three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: WO2018231296A1. Автор: Srikanth Ranganathan,Tanmay Kumar,Ming-Che Wu,Juan P. Saenz,Sebastian J.M. WICKLEIN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200301777A1. Автор: Daisuke Fujiwara,Daiki Watanabe,Hironori Uchikawa,Naoko KIFUNE,Kosuke Morinaga,Takahiro Fujiki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110024713A1. Автор: Toshiro Hiraoka,Takayuki Tsukamoto,Shinya Aoki,Takahiro Hirai,Chikayoshi Kamata,Kohichi Kubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Variable resistance nonvolatile memory

Номер патента: US20230065167A1. Автор: Tomoki Chiba,Daisaburo Takashima,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: EP2943959A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-11-18.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: WO2014109771A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2014-07-17.

Variable resistance nonvolatile memory

Номер патента: US11972798B2. Автор: Tomoki Chiba,Daisaburo Takashima,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: EP4325502A1. Автор: PARK Garam,Jinwoo Lee,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20240065000A1. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Nonvolatile memory device having cell-over-periphery (COP) structure with address re-mapping

Номер патента: US11797405B2. Автор: Sangwan Nam,Sangwon Park,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and method of manufacturing flat panel display device provided with the nonvolatile memory device

Номер патента: US8216900B2. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method, system and computer program product for introducing personalization data in nonvolatile memories of a plurality of integrated circuits

Номер патента: US11675001B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-13.

Storage device having a nonvolatile memory for storing user changeable operating parameters

Номер патента: US5930358A. Автор: Mahesh Chandra Rao. Владелец: Mitsubishi Chemical America Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor nonvolatile memory device

Номер патента: US20120026798A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Daisuke Okada,Tetsuya Ishimaru,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Improved nonvolatile memory circuit using a dual node floating gate memory cell

Номер патента: US4685083A. Автор: Horst Leuschner. Владелец: Thomson Components-Mostek Corp. Дата публикации: 1987-08-04.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20100148181A1. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US11991878B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US09812214B2. Автор: Dongkyo Shim,Sang-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US20200135281A1. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US20160254038A1. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-01.

Nonvolatile memory device using a variable resistive element

Номер патента: US20100142249A1. Автор: Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-10.

Memory devices supporting read/modify/write memory operations involving both volatile memory and nonvolatile memory

Номер патента: US20230153247A1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Flash-Control LLC. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190278487A1. Автор: Chankyung Kim,Uksong Kang,Youngjin Cho,JinHyeok Choi,Sungyong SEO,Sun-Young Lim,Duckhyun Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Nonvolatile Memory Devices Including Variable Resistive Elements

Номер патента: US20100061146A1. Автор: Hye-jin Kim,Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-11.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US20090161419A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US7936619B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12033700B2. Автор: Katsuya KANAMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory and electronic device for use therewith

Номер патента: US20070028032A1. Автор: Tsutomu Baba. Владелец: Nidec Sankyo Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Nonvolatile memory and electronic device for use therewith

Номер патента: US7818491B2. Автор: Tsutomu Baba. Владелец: Nidec Sankyo Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Nonvolatile memory device for performing a partial read operation and a method of reading the same

Номер патента: US20190206500A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US20150063034A1. Автор: Hidetaka Tsuji,Hiroki Tagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Three-dimensional nonvolatile memory and related read method designed to reduce read disturbance

Номер патента: US09799400B2. Автор: Sang-Wan Nam,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US10872672B2. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-22.

Method and apparatus for providing multi-page read and write using SRAM and nonvolatile memory devices

Номер патента: US09928911B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4177895A1. Автор: Sangwon Park,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, and electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11727965B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Eunji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Nonvolatile memories having data input/output switches for reducing parasitic capacitance of bus channel

Номер патента: US09793000B2. Автор: Su-Jin Kim,Junghee Cho,Jiwoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US20230221870A1. Автор: Sang-Wan Nam,Euihyun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US12062398B2. Автор: Gyu-Ha Park,Hyungsuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory controller, information processing system, and nonvolatile-memory defect determination method

Номер патента: US20190057753A1. Автор: Masazumi Maeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Methods of operating nonvolatile memory devices, methods of operating storage device and storage devices

Номер патента: US20200194072A1. Автор: Sang-Won Jung,Shin-Ho Oh,Sang-Kwon Moon,Min-cheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09953712B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile memory device, memory system, method of operating nonvolatile memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09852804B2. Автор: Jong-Chul Park,Sang-Soo Park,Hyun-Young Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09773560B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory and system

Номер патента: US20110205808A1. Автор: Yasuharu Sato,Motoi Takahashi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20110128783A1. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile memory systems with embedded fast read and write memories

Номер патента: US20170010975A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Si-Flash Drives LLC. Дата публикации: 2017-01-12.

Programming nonvolatile memory cells through a series of predetermined threshold voltages

Номер патента: US20200202945A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: EP4421811A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240290401A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including nonvolatile memory configured to switch between a reference current reading system and a complementary reading system

Номер патента: US09824766B2. Автор: Takanobu Suzuki,Tamiyu Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile memory systems with embedded fast read and write memories

Номер патента: US09792219B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Si-Flash Drives LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US12033707B2. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331785A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Operation method operating nonvolatile memory device having plurality of memory blocks

Номер патента: US09805807B2. Автор: Ji-Young Lee,Yoon-hee Choi,Mu-hui Park,Jiho Cho,Cheon An LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile memory device, controller for controlling the same and read voltage adjustment method

Номер патента: EP3996097A1. Автор: Jinyoung Kim,Ilhan Park,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-11.

Nonvolatile memory devices for reducing degradation due to difference of threshold voltage distributions between outer cells and inner cells

Номер патента: US12094535B2. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile memory including on-die-termination circuit and storage device including the nonvolatile memory

Номер патента: US20240371457A1. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Eun-ji Kim,Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09941014B2. Автор: Chulho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile memory device and methods of operating the same including floating a common source line based on at least one of a program command and an access address

Номер патента: US09905298B2. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory circuit and memory device including same

Номер патента: US09859024B2. Автор: Jae-il Kim,Jong-Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09779790B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Storage device including nonvolatile memory device, operating method of storage device, and operating method of electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11887684B2. Автор: Haedong No,Youjin JEON,Hyeji Yun,Jongtaek Seong,Jungeol Baek,Youn-Soo CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US10593408B2. Автор: Seong-jin Kim,Jin-Young Kim,Bong-Soon Lim,Ki-whan Song,Chang-Yeon YU,Su-Chang Jeon,June-Hong PARK,Dong-Kyo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-17.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20190088337A1. Автор: Seong-jin Kim,Jin-Young Kim,Bong-Soon Lim,Ki-whan Song,Chang-Yeon YU,Su-Chang Jeon,June-Hong PARK,Dong-Kyo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-21.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US10170192B2. Автор: Seong-jin Kim,Jin-Young Kim,Bong-Soon Lim,Ki-whan Song,Chang-Yeon YU,Su-Chang Jeon,June-Hong PARK,Dong-Kyo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-01.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20180226128A1. Автор: Seong-jin Kim,Jin-Young Kim,Bong-Soon Lim,Ki-whan Song,Chang-Yeon YU,Su-Chang Jeon,June-Hong PARK,Dong-Kyo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Nonvolatile Memory Device And Operation Method Thereof

Номер патента: US20230153001A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: US20230197158A1. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: EP4198987A1. Автор: Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-21.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20090285028A1. Автор: Jin Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Nonvolatile memory including on-die-termination circuit and storage device including the nonvolatile memory

Номер патента: US12073898B2. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Eun-ji Kim,Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile memory device and method of controlling suspension of command execution of the same

Номер патента: US09928165B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09899097B2. Автор: Youngmin Kim,Sung-Won Yun,Hyejin YIM,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Devices and methods of managing nonvolatile memory device having single-level cell and multi-level cell areas

Номер патента: US09805799B2. Автор: Kyung-Ho Shin,Mi-Hyang Lee,Gwang-Ok Go,Joon-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile memory device and wordline driving method thereof

Номер патента: US09786372B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11646087B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210343352A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230253057A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11942166B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Nonvolatile memory devices and methods of operating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20240203499A1. Автор: ChiWeon Yoon,Dojeon Lee,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Philkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory device supporting high-efficiency I/O interface

Номер патента: US11714579B2. Автор: ChiWeon Yoon,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Nonvolatile memory device and related programming method

Номер патента: US20120170374A1. Автор: Jae-Woo Park,Jung-no Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200194073A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12020761B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: EP3958265A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-23.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240274206A1. Автор: Sangsoo Park,Jonghoon Park,Yongseok Kwon,Jaeduk Yu,Jauang YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US20170271016A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Hyun Joo,Sungyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile memory device with configuration to apply adjustable voltage to pass transistor gate

Номер патента: US12062395B2. Автор: Yohan Lee,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Jungyun Yun,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for determining native threshold voltage of nonvolatile memory

Номер патента: US20100265774A1. Автор: Chien-Min Wu,Chao-Hua Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Nonvolatile memory device supporting high-efficiency I/O interface

Номер патента: US12112071B2. Автор: ChiWeon Yoon,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Operating method of a nonvolatile memory device

Номер патента: US09892792B2. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Nonvolatile memory device including page buffer and method for verifying program operation thereof

Номер патента: US09870833B2. Автор: Sang-Won Shim,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods of operating nonvolatile memory devices including variable verification voltages based on program/erase cycle information

Номер патента: US09842658B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09837158B2. Автор: Jeong Hoon Kim,Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory device performing incremental step pulse program operation and operating method thereof

Номер патента: US11901022B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Nonvolatile memory device for supporting fast checking function and operating method of data storage device including the same

Номер патента: US09899094B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory system, and data read/write method for nonvolatile memory system

Номер патента: US20080028131A1. Автор: Yasuo Kudo,Hiroshi Sukegawa,Kazuya Kawamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210255796A1. Автор: Takayuki Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Writing a nonvolatile memory to programmed levels

Номер патента: EP3710258A1. Автор: Berkeley Fisher,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-23.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20200258583A1. Автор: Young Don CHOI,Byung Hoon Jeong,Seung Woo Yu,Jeong Don Ihm,Sang Lok Kim,Byung Kwan Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Nonvolatile memory device detecting power noise and operating method thereof

Номер патента: US20180122485A1. Автор: Sang-Soo Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20130044544A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Manabu Sakaniwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Nonvolatile memory device with improved reliability and operating speed

Номер патента: US09842654B2. Автор: Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09711235B2. Автор: Won-Tae Kim,Jin-Yub Lee,Yohan Lee,Venkataramana Gangasani,Sungwhan SEO,Dojeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20220262441A1. Автор: Katsuya KANAMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20220005529A1. Автор: Makoto Hirano. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-06.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160203870A1. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-14.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09728264B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Control circuit for nonvolatile memory device

Номер патента: RU2221286C2. Автор: Томас Цеттлер. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-01-10.

Nonvolatile memory system, semiconductor memory, and writing method

Номер патента: US7283399B2. Автор: Shooji Kubono,Osamu Tsuchiya,Hitoshi Miwa,Tatsuya Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Combined program and data nonvolatile memory with concurrent program-read/data write capability

Номер патента: US5732017A. Автор: Steven J. Schumann,Fai Ching,Sai K. Tsang. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Method and System for Reducing the Size of Nonvolatile Memories

Номер патента: US20150179270A1. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-06-25.

Method and apparatus for estimating read levels of nonvolatile memory and for programming pilot signals used for such estimation

Номер патента: US20170133097A1. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-11.

Nonvolatile memory apparatus, write method of the nonvolatile memory apparatus, and system using the nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20200321043A1. Автор: Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and method of operating memory system using the same

Номер патента: US20210090657A1. Автор: Seongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Three-dimensional nonvolatile memory and method of performing read operation in the nonvolatile memory

Номер патента: US20200411097A1. Автор: Sang-Wan Nam,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Nonvolatile memory device including multi-plane structure

Номер патента: US20170140824A1. Автор: Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-18.

Methods of detecting a shift in the threshold voltage for a nonvolatile memory cell

Номер патента: US20100008151A1. Автор: Sangwon Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-14.

Nonvolatile memory devices, systems and methods with switching charge pump architectures

Номер патента: US11705163B1. Автор: Hendrik Hartono,John Dinh,Shane Charles Hollmer,Stephen Trinh,Duong Vinh Hao,Nguyen Khac Hieu. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

High Endurance Nonvolatile Memory

Номер патента: US20140293699A1. Автор: Abhijeet Manohar,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-10-02.

Nonvolatile memory device and method of programming and reading the same

Номер патента: US20100302856A1. Автор: Sung Hoon Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile memory multilevel cell programming

Номер патента: US11967368B2. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Nonvolatile memory multilevel cell programming

Номер патента: US20230238059A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20170004886A1. Автор: Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon,Myoung-Won Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-05.

Storage device including nonvolatile memory device, nonvolatile memory device, operating method of storage device

Номер патента: US20190206508A1. Автор: Shin-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Nonvolatile memory devices and methods of reading the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20210090664A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK Hynix System IC Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile memory and method for ramp-down programming

Номер патента: WO2010025058A1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2010-03-04.

Non-volatile memory and method for ramp-down programming

Номер патента: EP2319046A1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-05-11.

Methods of operating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20090016107A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Jae-woong Hyun,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20170345507A1. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20160343444A1. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Nonvolatile memory, memory system, and control method of nonvolatile memory

Номер патента: US11847050B2. Автор: Toshio Fujisawa,Daisuke Iwai,Keigo Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Nonvolatile memory device, with valley search for threshold voltage, memory controller, and reading method of storage device including the same

Номер патента: US11868647B2. Автор: Jinyoung Kim,Ilhan Park,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory and memory system

Номер патента: US20210295908A1. Автор: Tomoya Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Nonvolatile memory, memory system, and control method of nonvolatile memory

Номер патента: US20240070062A1. Автор: Toshio Fujisawa,Daisuke Iwai,Keigo Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Organization of blocks within a nonvolatile memory unit to effectively decrease sector write operation time

Номер патента: AU6942100A. Автор: Petro Estakhri,Berhanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2001-04-10.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190371411A1. Автор: Jin-Young Kim,Hyun SEO,Bong Soon LIM,II Han Park,Kui Han KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240221844A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20100124107A1. Автор: Mi Sun Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US8743602B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20130083596A1. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-04.

Nonvolatile memory system and sequential reading and programming methods thereof

Номер патента: US09851899B2. Автор: Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory device having a dummy bit line driver and operation method thereof

Номер патента: US11887672B2. Автор: Dongha Shin,SeungYeon Kim,Beakhyung Cho,Myeong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

User device including a nonvolatile memory device and a data write method thereof

Номер патента: US11860774B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sung Won Jung,Sangkwon Moon,Seunguk SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods of testing nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US20240127883A1. Автор: Jongchul Park,Myeongwoo Lee,Yeonwook JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332970A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Memory control circuit, memory, and memory control method

Номер патента: US20190035469A1. Автор: Masahiro Ise,Masazumi Maeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory control circuit, memory, and memory control method

Номер патента: US10497445B2. Автор: Masahiro Ise,Masazumi Maeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-12-03.

Nonvolatile memory device including artificial neural network, memory system including same, and operating method of nonvolatile memory device including artificial neural network

Номер патента: US11763903B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of counting number of cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20220093160A1. Автор: Minseok Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US7898865B2. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-01.

Nonvolatile memory device, memory system including same, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220230695A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of programming data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20240212761A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonvolatile memory for storing multivalue data

Номер патента: EP1168361A3. Автор: Shoichi c/o Fujitsu Limited Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-09-01.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200395090A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230253059A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nonvolatile Memory Device and Read Method Thereof

Номер патента: US20140254271A1. Автор: Byeong-In Choe,Changhyun LEE,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile memory device and read method thereof

Номер патента: US20160078955A1. Автор: Changhyun LEE,Jungdal CHOI,Byeong-ln Choe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-17.

Nonvolatile memory device, memory system, and programming method

Номер патента: US20230343401A1. Автор: Tianyu Wang,Xueqing Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of writing data in nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and method of operating memory system using the same

Номер патента: US11862261B2. Автор: Heewon Lee,Chanha KIM,Kwangwoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Nonvolatile memory including on-die-termination circuit and storage device including the nonvolatile memory

Номер патента: US10340022B2. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Eun-ji Kim,Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-02.

Nonvolatile memory including on-die-termination circuit and storage device including the nonvolatile memory

Номер патента: US20220215892A1. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Eun-ji Kim,Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Nonvolatile memory device and related driving method

Номер патента: US11056195B1. Автор: Yi-Ching Liu,Chin-Ming Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Information setting method of nonvolatile storage device, and nonvolatile storage device

Номер патента: GB2434674A. Автор: Kenta Kato,Shozo Kawabata,Mitsuhiro Nagao. Владелец: Spansion Japan Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Method of inputting address in nonvolatile memory device and method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US20090290433A1. Автор: Young Soo Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Nonvolatile memory including on-die-termination circuit and storage device including the nonvolatile memory

Номер патента: US20240021259A1. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Eun-ji Kim,Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US11948643B2. Автор: SeungGu JI,Yong Il JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20240233827A1. Автор: SeungGu JI,Yong ll Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system

Номер патента: US6504754B2. Автор: Hieu Van Tran,Sakhawat M. Khan,George J. Korsh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

System and method for programming nonvolatile memory

Номер патента: US6097639A. Автор: Woong Lim Choi,Seok Ho Seo. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180190363A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210391000A1. Автор: Soo-Woong Lee,Sang Soo Park,Yongkyu Lee,Doo-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multipage data

Номер патента: US11815982B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: US20240020187A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US20100302859A1. Автор: In Suk YUN,Kee Han Rho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile memory devices and memory systems

Номер патента: US20190074048A1. Автор: Hee-Won Lee,Dong-Hun Kwak,Jun-Ho SEO,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-07.

Nonvolatile memory system and programming method including reprogram operation

Номер патента: US20150039809A1. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Sihwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160179684A1. Автор: Sung-Hyun Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200395094A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US11804279B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Nonvolatile memory device and wordline driving method thereof

Номер патента: US20160365149A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-15.

Operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11817158B2. Автор: Young-Jin Cho,Nari Lee,Sangyong Yoon,Doo-Yeun Jung,Bu-il NAM,Yeji Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: US20230044730A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Nonvolatile memory device and worldline driving method thereof

Номер патента: US20160035423A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12009046B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: US20160027513A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

Nonvolatile memory device supporting high-efficiency i/o interface

Номер патента: US20230342085A1. Автор: ChiWeon Yoon,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US11462260B2. Автор: Hee-Won Lee,Dong-Hun Kwak,Jun-Ho SEO,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US10373691B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-06.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US11942140B2. Автор: Hee-Won Lee,Dong-Hun Kwak,Jun-Ho SEO,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Nonvolatile memory device with intermediate switching transistors and programming method

Номер патента: US11961564B2. Автор: Joon-Young Park,Il-han Park,Bong-Soon Lim,Chang-Yeon YU,Joo-Yong Park,June-Hong PARK,Kui-han Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Programming method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20140063966A1. Автор: Tae-gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US20170069386A1. Автор: Jeong Hoon Kim,Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of operating nonvolatile memory device controlled by controlling coupling resistance value between bit line and page buffer

Номер патента: US8867274B2. Автор: Eun Jong Lee,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Nonvolatile memory device including transfer element

Номер патента: US20200152265A1. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Ji-Hoon Lim,June-Hong PARK,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220223223A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210118520A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230245710A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Storage devices including nonvolatile memory and related methods

Номер патента: EP4332775A1. Автор: Jinwook Lee,Bongsoon LIM,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Nonvolatile memory devices using variable resistive elements

Номер патента: US20090285009A1. Автор: Jong-Chul Park,Byung-Gil Choi,Ki-Sung Kim,Young-Ran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Method of programming variable resistance nonvolatile memory element

Номер патента: US8867259B2. Автор: Shunsaku Muraoka,Kazuhiko Shimakawa,Ken Kawai,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Data reading method, low voltage detection logic circuit, integrated circuit and chip

Номер патента: US10811106B2. Автор: Li Fang,Heng Chen,Langming Wen,Dongbai YI. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2020-10-20.

Data Reading Method, Low Voltage Detection Logic Circuit, Integrated Circuit and Chip

Номер патента: US20200234773A1. Автор: Li Fang,Heng Chen,Langming Wen,Dongbai YI. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor nonvolatile memory device

Номер патента: US8565028B2. Автор: Hiroyuki Tanikawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-22.

Semiconductor nonvolatile memory device

Номер патента: US20110261627A1. Автор: Hiroyuki Tanikawa. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Nonvolatile memory package, storage device including the same, and method of operating the same

Номер патента: EP4425347A1. Автор: Hyunjin KWON,ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of time multiplexing a programmable logic device

Номер патента: US6263430B1. Автор: Stephen M. Trimberger,Richard A. Carberry,Jennifer Wong,Robert Anders Johnson. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Power Management using Voltage Islands on Programmable Logic Devices

Номер патента: US20220116041A1. Автор: Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Atul Maheshwari,Mahesh A. Iyer,Mahesh K. Kumashikar,Yuet Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-14.

Devices, systems, and methods related to controlling machines using operator control units and programmable logic controllers

Номер патента: CA3079677A1. Автор: David STAGG. Владелец: Cattron North America Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Devices, systems, and methods related to controlling machines using operator control units and programmable logic controllers

Номер патента: EP3707568A1. Автор: David STAGG. Владелец: Cattron North America Inc. Дата публикации: 2020-09-16.

Devices, systems, and methods related to controlling machines using operator control units and programmable logic controllers

Номер патента: US20190113902A1. Автор: David STAGG. Владелец: Control Solutions Enterprises Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Ethernet transfer device with an embedded programmable logic controller

Номер патента: WO2001050678A3. Автор: Alain Marbach,Richard A Baker. Владелец: Schneider Automation. Дата публикации: 2002-01-24.

Devices, Systems, And Methods Related To Controlling Machines Using Operator Control Units And Programmable Logic Controllers

Номер патента: US20200192320A1. Автор: David STAGG. Владелец: Cattron North America Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and operating method of nonvolatile memory

Номер патента: US09928885B2. Автор: Sung-Hyun Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09773561B1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09852796B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Kee-Ho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory device and method of erasing nonvolatile memory device

Номер патента: US09659662B2. Автор: Kihwan Choi,Sang-Wan Nam,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and test system for optimizing erase loop operations

Номер патента: US09786374B2. Автор: Jae Won Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Controlled bit line discharge for channel erases in nonvolatile memory

Номер патента: US20090119447A1. Автор: Aaron Lee,Nian Yang,Jiani Zhang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-05-07.

Vertical Nonvolatile Memory Devices and Methods of Operating Same

Номер патента: US20120170375A1. Автор: Jungdal CHOI,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile memory programmable by a heat induced chemical reaction

Номер патента: US20050122798A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Rui-Chen Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Memory system controlling data erase for nonvolatile memory and control method for erasing data

Номер патента: US20180286485A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Operation method of nonvolatile memory system and operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20180005700A1. Автор: Ju Seok Lee,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210233597A1. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae Woo Im,Myoung-Won Yoon,Jae-Hak Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Erasing method for nonvolatile memory

Номер патента: US7869284B1. Автор: Ting-Chang Chang,Hung-Wei Li,Fu-Yen Jian. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of erasing data stored in a nonvolatile memory

Номер патента: US20030043635A1. Автор: Kenichi Watanabe,Takuji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Erasing method for nonvolatile memory

Номер патента: US20100322014A1. Автор: Ting-Chang Chang,Hung-Wei Li,Fu-Yen Jian. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and operating method of nonvolatile memory

Номер патента: US20170032824A1. Автор: Sung-Hyun Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Nonvolatile Memory Card and Configuration Conversion Adapter

Номер патента: US20080320206A1. Автор: Masaharu Adachi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Writing a nonvolatile memory to programmed levels

Номер патента: US20210221123A1. Автор: Berkeley Fisher,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods and system for erasing data stored in nonvolatile memory in low power applications

Номер патента: EP2498259A3. Автор: Gordon Alexander Charles,Maxim Moiseev,Jonathan Simon. Владелец: Dust Networks Inc. Дата публикации: 2013-02-27.

Methods and system for erasing data stored in nonvolatile memory in low power applications

Номер патента: US20120233384A1. Автор: Gordon Alexander Charles,Maxim Moiseev,Jonathan Simon. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2012-09-13.

Space management for managing high capacity nonvolatile memory

Номер патента: EP1228510A4. Автор: Min Guo,Petro Estakhri,Berhanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2005-01-19.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US11763901B2. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Reference voltage generator circuit for nonvolatile memory

Номер патента: EP1211691A3. Автор: Yasuhiro NEC Micro Systems Ltd. Tonda,Gou NEC Micro Systems Ltd. Tamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-28.

Clamping Circuit and nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US20030214843A1. Автор: Dae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-11-20.

Nonvolatile memory erasure techniques

Номер патента: WO2013147818A1. Автор: Xin Guo,Kiran Pangal,Hiroyuki SANDA,Kaoru NAGANUMA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and test system having the same

Номер патента: US20160276033A1. Автор: Jae Won Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Nonvolatile memory programmable by a heat induced chemical reaction

Номер патента: US20050122781A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Rui-Chen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Nonvolatile memory device having a plurality of memory blocks

Номер патента: US20110002177A1. Автор: Takaaki Furuyama,Masahiro Niimi,Makoto Niimi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Nonvolatile memory device having a plurality of memory blocks

Номер патента: US20090034334A1. Автор: Takaaki Furuyama,Masahiro Niimi,Makoto Niimi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-05.

Nonvolatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US20120008412A1. Автор: Young Soo Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Ultraviolet erasable nonvolatile memory with current mirror circuit type sense amplifier

Номер патента: US5198997A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1993-03-30.

Method of erasing a nonvolatile memory for preventing over-soft-program

Номер патента: US20160078961A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Nonvolatile memory device having multi-level resistance and capacitance characteristics, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200313085A1. Автор: Jae Hyung JANG,Rani Anoop,Se I Oh. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-10-01.

Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and method of manufacturing flat panel display device provided with the nonvolatile memory device

Номер патента: TW200950102A. Автор: Dae-Young Kim. Владелец: Dongbu Hitek Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-01.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US11543969B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US11068167B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US20210286524A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US20230056583A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US20240176490A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US11941251B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory system including nonvolatile and volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US9411719B2. Автор: Gi Ho Park. Владелец: Seong University Industry Academy Cooperation Foundation. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile memory with blocks and circuitry for selectively protecting the blocks for memory operations

Номер патента: US5513136A. Автор: Virgil N. Kynett,Mickey L. Fandrich,Salim B. Fedel,Thomas C. Price. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-04-30.

Circuitry and method for selecting a drain programming voltage for a nonvolatile memory

Номер патента: WO1995007536A1. Автор: Albert Fazio,Gregory E. Atwood,James Brennan, Jr.,Marc E. Landgraf. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1995-03-16.

Nonvolatile memory with data clearing functionality

Номер патента: EP2024976A2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-02-18.

Nonvolatile memory module having backup function

Номер патента: US09824734B2. Автор: Youngjin Cho,Hyo-Deok Shin,Han-Ju Lee,Younggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of programming/erasing the nonvolatile memory

Номер патента: US20110013459A1. Автор: Kai-Yuan Hsiao,Yun-Jen Ting. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile memory device performing a multiplicaiton and accumulation operation

Номер патента: US20210072956A1. Автор: Hyuk-Jin Lee,Seonghwan Cho,Jin-O SEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-03-11.

Inspection method for memory integrity, nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US10762970B2. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Nonvolatile memory apparatus and method of using thin film transistor as nonvolatile memory

Номер патента: US7983092B2. Автор: Ting-Chang Chang,Te-Chih Chen,Fu-Yen Jian. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2011-07-19.

Nonvolatile memory apparatus and method of using thin film transistor as nonvolatile memory

Номер патента: US20100254185A1. Автор: Ting-Chang Chang,Te-Chih Chen,Fu-Yen Jian. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor device including nonvolatile memory

Номер патента: US20090316497A1. Автор: Kenichiro Kuroki,Andreas BANDT. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Storage device and control method of nonvolatile memory

Номер патента: US20140043900A1. Автор: Satoshi Sakamoto,Hitoshi Shimono,Akinori Kamizono,Kazutoshi Noda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-13.

Nonvolatile memory device having multiple read circuits and using variable resistive materials

Номер патента: US20140247646A1. Автор: Hyo-Jin KWON,Chae-Hoon Kim,Yong-Jun Lee,Yong-Jin KWON,Eun-Hye PARK,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09990130B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile memory devices having variable resistive load portion

Номер патента: US09837150B2. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory system and data recovery method thereof

Номер патента: US09824778B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Selfcalibration method and circuit of nonvolatile memory and nonvolatile memory circuit

Номер патента: US20100014363A1. Автор: Xiang Yao,Nan Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Nonvolatile memory

Номер патента: US20030231522A1. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Method of setting a reference current in a nonvolatile memory device

Номер патента: US09934864B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Hsu-Shun Chen,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20130272052A1. Автор: Jin-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Nonvolatile memory, verify method therefor, and semiconductor device using the nonvolatile memory

Номер патента: US20040252567A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240282377A1. Автор: Woojae Jang,Jaeduk LEE,Sejun Park,YuJeong Seo,Chaehyeon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Weighted read scrub for nonvolatile memory including memory holes

Номер патента: US09760307B2. Автор: Chris Avila,Yingda Dong,Steven T. Sprouse,Alexander Kwok-Tung Mak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4181142A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Nonvolatile memory devices and methods of driving the same

Номер патента: US20130051164A1. Автор: Chang-Jung Kim,Chang-Bum Lee,Young-Bae Kim,Myoung-Jae Lee,Dong-Soo Lee,Man Chang,Seung-Ryul Lee,Kyung-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Pumping circuit for multiple nonvolatile memories

Номер патента: US20090225619A1. Автор: Chun-Yao Liao. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US9792989B2. Автор: Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Control arrangements and methods for accessing block oriented nonvolatile memory

Номер патента: WO2012106107A2. Автор: Stephen P. Van Aken. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Spiking neural network device, nonvolatile memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20230215498A1. Автор: Byung-gook Park,Seunghwan Song,Bosung Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of testing for a leakage current between bit lines of nonvolatile memory device

Номер патента: US20100302866A1. Автор: Jae Won Cha,Duck Ju Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile memory device and method of programming/reading the same

Номер патента: US20060152977A1. Автор: Seok Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-13.

Nonvolatile memory device using variable resistance material and method for driving the same

Номер патента: US20140119095A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Sung Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Nonvolatile memory device, storage device including the same, and method of testing nonvolatile memory device

Номер патента: US20240331774A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Jaehue Shin,Gangmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile memory device and calibration method for the same

Номер патента: US09972400B1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Data storage device with nonvolatile memory

Номер патента: US09911502B2. Автор: Katsuya Murakami,Koichi Nagai,Isao Ozawa,Akira Tanimoto,Satoru Fukuchi,Shinji Honjo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Data storage device including nonvolatile memory in which on/off state of power source voltage is controlled

Номер патента: US09704593B2. Автор: Katsuya Murakami,Koichi Nagai,Isao Ozawa,Akira Tanimoto,Satoru Fukuchi,Shinji Honjo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10847230B2. Автор: Shuou Nomura,Yuki Ando. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200090761A1. Автор: Shuou Nomura,Yuki Ando. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Nonvolatile memory using a universal technology suitable for sim-card, smart-card and e-passport applications

Номер патента: WO2006058070A2. Автор: Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-01.

Nonvolatile memory using a universal technology suitable for sim-card, smart-card and e-passport applications

Номер патента: WO2006058070A3. Автор: Peter W Lee. Владелец: Peter W Lee. Дата публикации: 2007-02-08.

Nonvolatile memory structure

Номер патента: US20060067118A1. Автор: Chien-Hsing Lee,Jhyy-Cheng Liou,Chin-Hsi Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Record medium and data transferring method using nonvolatile memory

Номер патента: US20020001238A1. Автор: Hiromi Nobukata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Nonvolatile memory device and related method for reducing access latency

Номер патента: US20140247645A1. Автор: Hyo-Jin KWON,Yong-Jun Lee,Yong-Jin KWON,Eun-Hye PARK,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Nonvolatile memory and a method of writing data thereto

Номер патента: US5400280A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09905301B2. Автор: Ji-Sang LEE,Pil Seon YOO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory device and storage device having the same and operation method thereof

Номер патента: US09864682B2. Автор: Kitae Park,Doohyun Kim,BoGeun Kim,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile memory device, memory system comprising nonvolatile memory device, and wear leveling method for nonvolatile memory device

Номер патента: US8495283B2. Автор: Ki Tae Park,Min Gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-23.

Self-calibration method of a reading circuit of a nonvolatile memory

Номер патента: US8184490B2. Автор: Xiang Yao,Nan Wang. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-22.

Method and device for fast addressing redundant columns in a nonvolatile memory

Номер патента: US6310801B1. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa,Carmelo Condemi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-10-30.

Fast sense amplifier for nonvolatile memories

Номер патента: US20020051386A1. Автор: Thomas Kern,Esther Ordonez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-02.

Nonvolatile memory device with multiple clocks

Номер патента: US12125544B2. Автор: Sang-Wan Nam,You-Se Kim,Kee Ho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Embedded nonvolatile memory having metal contact pads

Номер патента: US20040129954A1. Автор: Chien-Hung Ho,Ching-Yuan Lin,Yen-Tai Lin,Yu-Ming Hsu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20230307084A1. Автор: Katsuhiko Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Operating method of nonvolatile memory device and operating method of memory controller controlling the nonvolatile memory device

Номер патента: US20150036431A1. Автор: Hyung Suk Kim,Kiwhan Song,Boh-Chang KIM,Hai-Seok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

2-transistor nonvolatile memory cell

Номер патента: SG141293A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Hsiang-Tai Lu,I-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-04-28.

Nonvolatile memory devices, storage devices including the same, and methods of operating the same

Номер патента: US20240363172A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Jaehue Shin,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09773566B2. Автор: Taesung Lee,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20200379884A1. Автор: Bong-Kil Jung,Donghoon Jeong,Myung-Hoon Choi,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of searching read voltage of nonvolatile memory device using regression analysis and method of reading data from nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11961553B2. Автор: Wijik LEE,Kwanwoo NOH,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20120002480A1. Автор: In Suk YUN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Nonvolatile memory cell

Номер патента: WO1988002173A3. Автор: George Corbin Lockwood,James Anthony Topich,Raymond Alexander Turi. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1988-05-19.

Nonvolatile memory apparatus and operating method of the nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20190325976A1. Автор: Keun Sik KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Nonvolatile memory and memory system

Номер патента: US20200402596A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Riki SUZUKI,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Multiple programming of spare memory region for nonvolatile memory

Номер патента: US20090129147A1. Автор: Akira Ogawa,Masaru Yano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

Nonvolatile memory device, storage device including the same, and method of operating the same

Номер патента: US20240194273A1. Автор: ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI,Philkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Storage device supporting multi-streaming and method of controlling operation of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200393992A1. Автор: Kyungduk Lee,Jinwoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Nonvolatile memory cell array

Номер патента: WO1988002174A2. Автор: Raymond Alexander Turi,Alan David Poeppelman. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1988-03-24.

Semiconductor nonvolatile memory for performing read operations while performing write operations

Номер патента: US20030151951A1. Автор: Hajime Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Sense amplifier, and nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: US09997243B2. Автор: Seung Han OAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Protecting embedded nonvolatile memory from interference

Номер патента: US09946597B2. Автор: YIN Guo,Zhihong CHENG. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and apparatus for performing memory cell verification on a nonvolatile memory circuit

Номер патента: US5677879A. Автор: Michael S. Briner,Fariborz F. Roohparvar. Владелец: Micron Quantum Devices Inc. Дата публикации: 1997-10-14.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20170315723A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Nonvolatile memory devices having wide operation range

Номер патента: US20170243640A1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Nonvolatile memory apparatus and resistance compensation circuit thereof

Номер патента: US20180040371A1. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Nonvolatile memory system and data recovery method thereof

Номер патента: US20160124804A1. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Nonvolatile memory with data clearing functionality

Номер патента: US20070279970A1. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Sensing circuits of nonvolatile memory devices and methods of operating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20200111529A1. Автор: Hyun-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Nonvolatile memory device for suppressing read disturbances

Номер патента: US20170294232A1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20130151758A1. Автор: Jae-Won Cha,Sung-Hoon AHN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-13.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20150243348A1. Автор: Tadahiko Horiuchi. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Methods for performing fail test, block management, erasing and programming in a nonvolatile memory device

Номер патента: US8365026B2. Автор: Chae Kyu Jang,Jong Hyun Wang,Se Chun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Semiconductor nonvolatile memory device and computer system using the same

Номер патента: US5748532A. Автор: Toshihiro Tanaka,Masataka Kato,Katsutaka Kimura,Kazuyoshi Oshima,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-05-05.

Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices

Номер патента: WO2023064548A1. Автор: Pawan Singh,Yoram Betser,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices

Номер патента: US11978528B2. Автор: Pawan Singh,Yoram Betser,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Serial-parallel interface circuit with nonvolatile memory

Номер патента: US20150039802A1. Автор: Sheng-Yu Peng,Tzu-Yun Wang,Chi-An Lai,Chiang-Hsi Lee. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2015-02-05.

Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices

Номер патента: WO2023064548A9. Автор: Pawan Singh,Yoram Betser,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-10.

Semiconductor nonvolatile memory apparatus including threshold voltage shift circuitry

Номер патента: US5331597A. Автор: Sumio Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100329021A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Nonvolatile memory device and method of detecting wordline defect of the same

Номер патента: US11915773B2. Автор: Sangwan Nam,JaeIn LEE,Kyunghae Lee,Buil Nam,Jinsun YEOM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile memory and writing method

Номер патента: US20240005988A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile memory device including reference memory cell with fixed state

Номер патента: US20180137913A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-17.

Spiking neural network device, nonvolatile memory device, and operation method thereof

Номер патента: EP4216218A1. Автор: Byung-gook Park,Seunghwan Song,Bosung Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Nonvolatile memory device, memory system, and operating methods

Номер патента: EP1501100A3. Автор: Jung-Hoon Park,Soo-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-14.

Nonvolatile memory apparatus for mitigating read disturbance and system using the same

Номер патента: US11984159B2. Автор: Seok Joon KANG,Moo Hui PARK,Jun Ho Cheon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Nonvolatile memory and writing method

Номер патента: US11763883B2. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20130250696A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20080205157A1. Автор: Sang-jin Park,Sung-Il Park,Jong-Seob Kim,Kwang-Soo Seol,Sung-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Write Operations for Defect Management in Nonvolatile Memory

Номер патента: US20150012685A1. Автор: Jian Chen,Abhijeet Manohar,Mrinal Kochar,Gautam Ashok Dusija,Chris Nga-Yee Avila. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-01-08.

Nonvolatile memory device, memory system incorporating same, and method of operating same

Номер патента: US20110051514A1. Автор: Sangyong Yoon,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Nonvolatile programmable logic circuit

Номер патента: US20090091965A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20090154280A1. Автор: Tetsuya Murakami,Kenichi Imamiya,Nobuyoshi Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Memory device including volatile memory, nonvolatile memory and controller

Номер патента: US20190287608A1. Автор: Yu Nakanishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory device including volatile memory, nonvolatile memory and controller

Номер патента: US09865323B1. Автор: Yu Nakanishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory storage device and electronic device including nonvolatile memory

Номер патента: US20220050593A1. Автор: Jung Hoon Kim,Seong Hun Kim,Hong Kug Kim,Won Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Nonvolatile memory device including nonvolatile memory and resistance-time converter, and integrated circuit card including nonvolatile memory device

Номер патента: US09842645B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Hiroyuki Tezuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Systems and Methods for Internal Initialization of a Nonvolatile Memory

Номер патента: US20130091336A1. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Systems and methods for internal initialization of a nonvolatile memory

Номер патента: US10290351B2. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-14.

Nonvolatile memory, IC card and data processing system

Номер патента: US20030202381A1. Автор: Minoru Kato,Yuki Matsuda,Kenya Otani,Takeo Kon. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Systems and Methods for Internal Initialization of a Nonvolatile Memory

Номер патента: US20140331002A1. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Solid state driving including nonvolatile memory, random access memory and memory controller

Номер патента: US09886379B2. Автор: Hyunjin Kim,Kitae Park,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system with improved efficiency of data transfer between host, buffer, and nonvolatile memory

Номер патента: US09904619B2. Автор: Hiroyuki Goto,Yasuhiro Nakamura,Fumio Hara,Hirofumi Shibuya,Shigemasa Shiota. Владелец: Emergence Memory Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US20160266638A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Nonvolatile memory devices having enhanced write drivers therein

Номер патента: US11908503B2. Автор: ANTONYAN Artur,Hyuntaek JUNG,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12093172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory controller systems with nonvolatile memory for storing operating parameters

Номер патента: US12050787B2. Автор: Christopher Haywood,Shih-Ho Wu. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09891848B2. Автор: Hiroshi Yao,Osamu Torii,Tokumasa Hara,Kenichiro Yoshii,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Shohei Asami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory device that stores data from completed write requests on a power abnormality

Номер патента: US09984746B2. Автор: Tatsunori Kanai,Yusuke Shirota,Tetsuro Kimura,Masaya Tarui,Shiyo Yoshimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Photochromic nonvolatile memory and partial erasing method

Номер патента: EP1528573A1. Автор: Tsuyoshi Tsujioka. Владелец: Osaka Kyoiku University NUC. Дата публикации: 2005-05-04.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Data Storage Device and Method for Operating Nonvolatile Memory

Номер патента: US20180365143A1. Автор: Ying-Chun Hung. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Nonvolatile memory system using control signals to transmit varied signals via data pins

Номер патента: US09886378B2. Автор: Hyotaek Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Nonvolatile memory device using resistive elements and an associated driving method

Номер патента: US20090040819A1. Автор: Byung-Gil Choi,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20240241648A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of writing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US12045470B2. Автор: Wonhee CHO,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory

Номер патента: EP1410399A1. Автор: Petro Estakhri,Behanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2004-04-21.

Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory

Номер патента: WO2000077791A1. Автор: Petro Estakhri,Behanu Iman. Владелец: Lexar Media, Inc.. Дата публикации: 2000-12-21.

Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory

Номер патента: EP1410399A4. Автор: Petro Estakhri,Behanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2007-08-01.

Nonvolatile memory device and storage device for storing bad block management information with high reliability

Номер патента: US09916093B2. Автор: Min-Soo Shim,Jinsung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods and systems for detecting and correcting errors in nonvolatile memory

Номер патента: US09836349B2. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of operation for a nonvolatile memory system and method of operating a memory controller

Номер патента: US09778851B2. Автор: Young-Ho Park,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Nonvolatile memory device including nonvolatile memory and resistance-time converter, and integrated circuit card including nonvolatile memory device

Номер патента: US20170294227A1. Автор: Yoshikazu Katoh,Hiroyuki Tezuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332969A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20230170020A1. Автор: Jeong Hwan Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Nonvolatile memory module, memory system including nonvolatile memory module, and controlling method of nonvolatile memory module

Номер патента: US20150279475A1. Автор: Wonseok Lee,Youngkug Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Nonvolatile memory sensing circuit including variable current source

Номер патента: US20220068341A1. Автор: Thinh Tran,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US09792052B2. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile memory and nonvolatile memory reproducing apparatus

Номер патента: CA2299908C. Автор: Nobuyuki Kihara,Teppei Yokota. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-09-25.

Memory system and controller for storing map data of volatile memory into nonvolatile memory device during power off operation

Номер патента: US11422889B2. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Memory system and controller for storing map data of volatile memory into nonvolatile memory device during power off operation

Номер патента: US20220121517A1. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Systems and methods for internal initialization of a nonvolatile memory

Номер патента: US8725959B2. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-13.

Nonvolatile memory edvice and operating method

Номер патента: US20210264974A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Nonvolatile memory device and opeation method thereof

Номер патента: US20240177764A1. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Seungkyung Ro,Su Chang Jeon,Woohyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory during command processing without replacing defective blocks

Номер патента: US12038834B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Nonvolatile memory device supporting high-efficiency i/o interface

Номер патента: US20220011974A1. Автор: ChiWeon Yoon,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210223989A1. Автор: Hyun Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Nonvolatile memory apparatus, repair circuit for the same, and method for reading code addressable memory data

Номер патента: US20120106224A1. Автор: Sang Kyu Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US11915763B2. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile memory device, data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180018106A1. Автор: Sok Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Storage device and method for updating meta slice including map chunks stored in nonvolatile memory device according to journal entries

Номер патента: US11734167B2. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09785383B2. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory storage device and electronic device including nonvolatile memory

Номер патента: EP3955117A1. Автор: Jung Hoon Kim,Seong Hun Kim,Hong Kug Kim,Won Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230333980A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: EP3832468A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-09.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20220100651A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Nonvolatile memory utilizing MIS memory transistors with bit mask function

Номер патента: US7460400B1. Автор: TAKASHI KIKUCHI. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2008-12-02.

Methods and apparatus to read from a nonvolatile memory device

Номер патента: US20180004419A1. Автор: Sachin Thakur. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory and method for testing the same

Номер патента: US8174909B2. Автор: Satoru Oku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332971A2. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Gyeongmin Kim,Keunsan Park,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332971A3. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Gyeongmin Kim,Keunsan Park,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Operation method of controller configured to control nonvolatile memory device and operation method of storage device

Номер патента: US12002519B2. Автор: Heewon Lee,Kwangwoo Lee,Yunjung LEE,Sangjin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Nonvolatile Memory Devices and Related Methods and Systems

Номер патента: US20110157960A1. Автор: Shoichi Kawamura. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-30.

Flip-flop based on nonvolatile memory and backup operation method thereof

Номер патента: US11048431B2. Автор: Jongsun Park,Gyuseong KANG. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2021-06-29.

Nonvolatile memory device and method of throttling temperature of nonvolatile memory device

Номер патента: US10445010B2. Автор: Sung-Won Jeong,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Nonvolatile memory device using a variable resistive element and associated operating method

Номер патента: US20090003048A1. Автор: Byung-Gil Choi,Yu-Hwan Ro,In-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Operation method of nonvolatile memory system

Номер патента: US09977711B2. Автор: Young-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory, and operation method of memory controller

Номер патента: US11954340B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Nonvolatile memory device using variable resistive element

Номер патента: US20100091552A1. Автор: Sang-beom Kang,Ho-Jung Kim,Young-Sun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-15.

Semiconductor storage device with volatile and nonvolatile memories to allocate blocks to a memory and release allocated blocks

Номер патента: US11960719B2. Автор: Shigehiro Asano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Hirokuni Yano,Kazuya Kitsunai,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of writing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20230350578A1. Автор: Wonhee CHO,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile memory and memory system

Номер патента: US20110119558A1. Автор: Kenichi Nakanishi,Keiichi Tsutsui,Junichi Koshiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Nonvolatile memory with self recovery

Номер патента: EP2193523A1. Автор: Steven S. Cheng. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-06-09.

Test method for nonvolatile memory device

Номер патента: US20090287972A1. Автор: Jin Yong Seong,Wan Seob LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180122467A1. Автор: Suk-Soo Pyo,BoYoung Seo,Taejoong Song,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190164603A1. Автор: Suk-Soo Pyo,BoYoung Seo,Taejoong Song,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

Data input circuit of nonvolatile memory device

Номер патента: US8780645B2. Автор: Jong Tai Park,Won Sub SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Nonvolatile memory device and method of testing the same

Номер патента: US20090290435A1. Автор: Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Nonvolatile memory adaptive to host boot up routine

Номер патента: US09804785B2. Автор: Inon Cohen,Volodymyr Ivantsiv. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Partially-bad block operation in 3-D nonvolatile memory

Номер патента: US09760303B2. Автор: Aaron Lee,Mrinal Kochar,Mikhail Palityka,Ivan Baran,Yew Yin Ng,Abhijeet Bhalerao,Dennis S. Ea. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonvolatile memory module

Номер патента: WO2016048553A1. Автор: Mani Prakash,Dong Wang,Dimitrios Ziakas,Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa,John K. Grooms,Edward L. Payton. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-03-31.

Variable resistance nonvolatile memory device

Номер патента: US20130114327A1. Автор: Kazuhiko Shimakawa,Yuichiro Ikeda,Ken Kawai,Ryotaro Azuma. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Systems and methods for providing nonvolatile memory management in wireless phones

Номер патента: EP1797645A2. Автор: Schweiray Joseph Lee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Nonvolatile memory device including banks operating in different operation modes, operation method of memory controller, and storage device comprising nonvolatile memory device and memory controller

Номер патента: US20200335163A1. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US12013754B2. Автор: SUNGKYU Park,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Nonvolatile memory device for performing multi-plane read operation and operation method thereof

Номер патента: US20240203478A1. Автор: Seokin Hong,Yeji Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US20200183784A1. Автор: SUNGKYU Park,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Nonvolatile memory device using serial diode cell

Номер патента: US20050169036A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-04.

Write Operations with Full Sequence Programming for Defect Management in Nonvolatile Memory

Номер патента: US20150012684A1. Автор: Jian Chen,Chris Nga Yee Avila,Seungpil Lee,Mrinal Kochar,Pao-Ling Koh,Alexander Kwok-Tung Mak,Gautam Ashok Dusija. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-01-08.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US20160291870A1. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Load reduced nonvolatile memory interface

Номер патента: US11789880B2. Автор: George Vergis,Frank T. Hady,Emily P. Chung. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Nonvolatile memory system and related method of preserving stored data during power interruption

Номер патента: US20140025874A1. Автор: Dong Jun Shin,Shine KIM,Min Cheol Kwon,Woon Hyug JEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

Nonvolatile memory system and related method of preserving stored data during power interruption

Номер патента: US8554990B2. Автор: Dong Jun Shin,Shine KIM,Min Cheol Kwon,Woon Hyug JEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-08.

Method of measuring durability of nonvolatile memory device and method of performing wear-leveling in storage device using the same

Номер патента: US11928338B2. Автор: Sanghyun Choi,Kangho Roh,Hyunkyo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Nonvolatile memory

Номер патента: US20160276010A1. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20060002199A1. Автор: Tsutomu Nakajima,Satoshi Noda,Kenji Kozakai,Atsushi Tokairin. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

Nonvolatile memory control method, control device, and semiconductor storage device

Номер патента: US20180108404A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-19.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US20160293241A1. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor memory device with volatile memory and non-volatile memory in latched arrangement

Номер патента: US5262986A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Ferroelectric nonvolatile memory element having capacitors of same dielectric constant and method thereof

Номер патента: US6094369A. Автор: Takaaki Fuchikami,Takanori Ozawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-07-25.

Nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20150318039A1. Автор: Chulhyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Nonvolatile memory apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20150235697A1. Автор: Jun Rye Rho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Nonvolatile memory apparatus and operating method thereof

Номер патента: US9171611B2. Автор: Jun Rye Rho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20170364309A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Nonvolatile memory apparatus for performing a read operation and a method of operating the same

Номер патента: US11024377B2. Автор: Seok Joon KANG,Moo Hui PARK,Jun Ho Cheon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12052034B2. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: EP1166364A1. Автор: John Caywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-02.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2000057483A1. Автор: John Caywood. Владелец: John Caywood. Дата публикации: 2000-09-28.

Methods and apparatus for three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US20180247975A1. Автор: Tanmay Kumar,Ming-Che Wu,Deepak Kamalanathan,Juan Saenz,Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-30.

Nonvolatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100052022A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Bipolar Multistate Nonvolatile Memory

Номер патента: US20130313509A1. Автор: Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20240320089A1. Автор: Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile memory apparatus and control method of nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US09804921B2. Автор: Masato Suto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Self-measuring nonvolatile memory device systems and methods

Номер патента: US20190034638A1. Автор: Lance Walker Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Nonvolatile memory package, storage device including the same, and method of operating the same

Номер патента: US20240295989A1. Автор: Hyunjin KWON,ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Controlling memory cell size in three dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US09741768B1. Автор: Ashot Melik-Martirosian,Juan Saenz. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system locking or unlocking data read to nonvolatile memory and control method thereof

Номер патента: US20200125279A1. Автор: Kazuhiro KUSHIYA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Logic circuit system and method of changing operating voltage of a programmable logic circuit

Номер патента: US20070268040A1. Автор: Shinichi Kanno,Yukimasa Miyamoto,Masaya Tarui,Taku Ohneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-22.

Logic circuit system and method of changing operating voltage of a programmable logic circuit

Номер патента: US7434074B2. Автор: Shinichi Kanno,Yukimasa Miyamoto,Masaya Tarui,Taku Ohneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Logic circuit system and method of changing operating voltage of a programmable logic circuit

Номер патента: US20080016376A1. Автор: Shinichi Kanno,Yukimasa Miyamoto,Masaya Tarui,Taku Ooneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-17.

Logic circuit system and method of changing operating voltage of a programmable logic circuit

Номер патента: US20070257703A1. Автор: Shinichi Kanno,Yukimasa Miyamoto,Masaya Tarui,Taku Ooneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Logic circuit system and method of changing operating voltage of a programmable logic circuit

Номер патента: US7600140B2. Автор: Shinichi Kanno,Yukimasa Miyamoto,Masaya Tarui,Taku Ohneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Logic circuit system and method of changing operating voltage of a programmable logic circuit

Номер патента: US7330985B2. Автор: Shinichi Kanno,Yukimasa Miyamoto,Masaya Tarui,Taku Ohneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-02-12.

Programmable logic circuit for controlling electrical plant, in particular nuclear plant, associated with control device and method

Номер патента: RU2769961C2. Автор: Матьё АЛЛОРИ,Никола ДЮПЮИ. Владелец: Фраматом. Дата публикации: 2022-04-11.

Methods and apparatus for three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: WO2018236432A1. Автор: Tomohiro Uno,Yusuke Yoshida,Takeki Ninomiya,Tomoyuki OBU,Toshihiro Iizuka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-27.

Nonvolatile Memory Device Including Dual Memory Layers

Номер патента: US20240268125A1. Автор: Yiming Huai,Zhiqiang Wei,Zihui Wang,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230387942A1. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210083000A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Multi-bit nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060157753A1. Автор: Sung-min Kim,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Nonvolatile memory location

Номер патента: RU2205471C2. Автор: Георг ТЕМПЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2003-05-27.

Three-Dimensional Nonvolatile Memory Device

Номер патента: US20140327067A1. Автор: Myoungbum Lee,Soodoo Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20130217179A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Nonvolatile memory device using a tunnel oxide as a passive current steering element

Номер патента: US8901530B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Mihir Tendulkar. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20140134794A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Programmable logic circuit

Номер патента: US20240372551A1. Автор: Kang Yu,Min Zhang,Heng Zhang,Beibei Liu,Qipan FU,Changlong WANG,Peifu Shen. Владелец: Shenzhen Pango Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Access transistor of a nonvolatile memory device and method for fabricating same

Номер патента: US09893076B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Nonvolatile memory device having resistance change memory layer

Номер патента: US11469272B2. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and memory module and system including the nonvolatile memory device

Номер патента: US8877626B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Goo Lee,Byung-Kwan You,Dong-Sik Lee,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-04.

Programmable logic device, information processing system, method of reconfiguring programmable logic device and method compressing circuit information for programmable logic device

Номер патента: US6304101B1. Автор: Yoshio Nishihara. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Self-measuring nonvolatile memory device systems and methods

Номер патента: US20160147997A1. Автор: Lance Walker Dover. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-05-26.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120104340A1. Автор: Takashi Nakao,Atsushi Fukumoto,Yasuhito Yoshimizu,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Method of fabricating erasable programmable single-ploy nonvolatile memory

Номер патента: US20130237048A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Te-Hsun Hsu,Wei-Ren Chen,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20040157395A1. Автор: Seung Yoo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-12.

Nonvolatile memory device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09905568B2. Автор: Kyung-hyun Kim,Young-woo Park,Jong-won Kim,Yong-Hoon Son,Jae-Duk Lee,Chang-seok Kang,Byeong-Ju Kim,Phil-ouk Nam,Yeon-Sil Sohn,Jin-I LEE,Won-Bong Jung,Kwang-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09825045B2. Автор: Jung-Hoon Kim,Sung-Kun Park,Nam-Yoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile memory element having a variable resistance layer whose resistance value changes according to an applied electric signal

Номер патента: US8686390B2. Автор: Takeshi Takagi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Programmable logic circuit

Номер патента: GB1430151A. Автор: . Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1976-03-31.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210083003A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US20150207069A1. Автор: Kwang Hee CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Charge-trap nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20080006872A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sang-Hun Jeon,Jong-Sun Sel,Chang-seok Kang,Jae-Sung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Nonvolatile memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20240079280A1. Автор: Ji Young Kim,Do Hyung Kim,Ji Won Kim,Woo Sung Yang,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090258473A1. Автор: Hyun Park,Sang-gyun Woo,Byung-hong Chung,Cha-Won Koh,Jeong-lim Nam,Seok-Hwan Oh,Yool Kang,Jai-Hyuk Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Integrated circuit devices with highly integrated memory and peripheral circuits therein

Номер патента: US20220028877A1. Автор: Gihwan KIM,Changsun Hwang,Hansol Seok,JongHeun Lim,Kiseok JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Nonvolatile memory device and process for production of the same

Номер патента: US5614748A. Автор: Hideharu Nakajima,Takeshi Yamazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20230005954A1. Автор: Hyun Min Cho,Jung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Nonvolatile memory device having resistance change layer and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20210202835A1. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11800708B2. Автор: Yoo Jin Choi,Jung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210343740A1. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Advanced bitwise operations and apparatus in a multi-level system with nonvolatile memory

Номер патента: US11804856B2. Автор: Stephen P. Van Aken,Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210210505A1. Автор: Yoo Jin Choi,Jung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Advanced bitwise operations and apparatus in a multi-level system with nonvolatile memory

Номер патента: US20140082454A1. Автор: Stephen P. Van Aken,Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Advanced Bitwise Operations and Apparatus in a Multi-Level System with Nonvolatile Memory

Номер патента: US20220029640A1. Автор: Stephen P. Van Aken,Robert B. Eisenhuth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-27.

Advanced bitwise operations and apparatus in a multi-level system with nonvolatile memory

Номер патента: US20220209795A1. Автор: Stephen P. Van Aken,Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Nonvolatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US8183610B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20140008603A1. Автор: Kensuke Takahashi,Masanobu Baba,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND LOGIC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND LOGIC DEVICE

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Kim Hyun Chul,Lee Jung Hwan,KIM Kwang Il,CHO Min Kuck,KANG Yang Beom. Владелец: KEY FOUNDRY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7948023B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US10847721B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Nonvolatile memory, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020113268A1. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060244042A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080318406A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Disk drive having mulitple disk surfaces accessible by a read/write head and nonvolatile memory for continuous data transfer

Номер патента: US20100182716A1. Автор: Zvonimir Z. Bandic,Marco Sanvido. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2010-07-22.

Storage device managing nonvolatile memory differently depending on tendency of interruption of power supply

Номер патента: US20170060426A1. Автор: Woonjae Chung,Bumhee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

High speed PLD "AND" array with separate nonvolatile memory

Номер патента: US5760603A. Автор: Shidong Zhou. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1998-06-02.

Storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US09875038B2. Автор: Songho Yoon,Bomi KIM,Dae-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Dynamic nonvolatile memory update in a computer system

Номер патента: US5930504A. Автор: Douglas L. Gabel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Programmable logic array interconnection matrix

Номер патента: US4433331A. Автор: Paul W. Kollaritsch. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1984-02-21.

Apparatus and method for generating configuration and test files for programmable logic devices

Номер патента: US6112020A. Автор: Adam Wright. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Programmable logic device

Номер патента: US6255847B1. Автор: Ju Shen,Albert Chan,Rafael C. Camarota,Cyrus Y. Tsui. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-07-03.

Programmable logic device

Номер патента: USRE34444E. Автор: Cecil H. Kaplinsky. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1993-11-16.

Time synchronization method,programmable logic device,single board and network element

Номер патента: US20180205476A1. Автор: Lilin Wang,Yangfeng Wang,Xiaoming Fu,Juan WAN. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Buffered configurable nonvolatile programmable digital potentiometer

Номер патента: US20030155902A1. Автор: Adam Cosmin,Cornel Stanescu,Adrian Tache,Horia Profeta,Radu Iacob. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

MEMORY SYSTEM INCLUDING NONVOLATILE AND VOLATILE MEMORY AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140019674A1. Автор: Park Gi Ho. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Nonvolatile memory crossbar array

Номер патента: WO2016130117A1. Автор: Zhiyong Li,R. Stanley Williams,Minxian Max Zhang,Kathryn SAMUELS,Jianhua Joshua YANG. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-08-18.

Nonvolatile memory crossbar array

Номер патента: EP3257081A1. Автор: Zhiyong Li,R. Stanley Williams,Minxian Max Zhang,Kathryn SAMUELS,Jianhua Joshua YANG. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-20.

Nonvolatile memory package, storage device having the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240284683A1. Автор: Jungmin Seo,Manho Lee,Sukkang SUNG,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile memory and semiconductor device

Номер патента: US20030168702A9. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-11.

Bipolar multistate nonvolatile memory

Номер патента: US8742392B2. Автор: Tony Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US20220399371A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Nonvolatile Memory Devices Having Memory Cell Transistors Therein with Lower Bandgap Source/Drain Regions

Номер патента: US20110233610A1. Автор: Sung-Hoi Hur,Jung-Dal Choi,Kwang-Soo Seol,Byung-Kyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Methods and apparatus for three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US09768180B1. Автор: Tanmay Kumar,Yubao Li,Yangyin Chen,Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US12108606B2. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing nonvolatile memory thin film device by using neutral particle beam generation apparatus

Номер патента: US20170301547A1. Автор: Jin Nyeong JANG,Mun Pyo Hong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-19.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9136394B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-15.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (vtctf) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US20180053777A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (VTCTF) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US9972637B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Nonvolatile memory device, system including the same and method of fabricating the same

Номер патента: US12094846B2. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile memory device with a metal-insulator-metal (mim) capacitor in a substrate and integration schemes

Номер патента: US20220165739A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Nonvolatile memory device, system including the same and method of fabricating the same

Номер патента: US20220102306A1. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (VTCTF) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US9793285B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile memory cell

Номер патента: US8148766B2. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Shin-Bin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (vtctf) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US20170256557A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Nonvolatile memory cell

Номер патента: US20100013062A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Shin-Bin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Magnetic-Floating Field-Assisted Thermionic Solar Cell With Semiconductor Nonvolatile Memories and Rechargeable Batteries

Номер патента: US20210111663A1. Автор: James Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-15.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (VTCTF) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US09972637B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Work function tailoring for nonvolatile memory applications

Номер патента: US8618525B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170110365A1. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9698049B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Single Gate Nonvolatile Memory Cell With Transistor and Capacitor

Номер патента: US20090256184A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Chin-Pen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-15.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20100164019A1. Автор: Heedon Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20120052673A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Han-mei Choi,Jin-Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-01.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09799663B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US7700426B2. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-Nam Chang,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080158944A1. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Nonvolatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324206A1. Автор: Seungmin Lee,Chadong Yeo,Taemok Gwon,Seulji Lee,Seungbeom KO,Byungik Yoo,Changjin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US20220278132A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7679958B2. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09831264B2. Автор: Eun-Seok Choi,Sung-wook Jung,Jung-Seok Oh,Sa-Yong SHIM,In-Hey LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing a nonvolatile memory cell and a field effect transistor

Номер патента: US9685453B2. Автор: Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US11800719B2. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Structure of nonvolatile memory array

Номер патента: US20050040467A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US20210175252A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells array of nonvolatile memory cells

Номер патента: US8652909B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-18.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20110207287A1. Автор: Jin Gu Kim,Myung Shik LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the same

Номер патента: US20100072560A1. Автор: Hee Youl Lee,Jae Yoon Noh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120012803A1. Автор: Shigeto OSHINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US8093124B2. Автор: Jin Gu Kim,Myung Shik LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9070781B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Nonvolatile memory

Номер патента: US20140284680A1. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of diffusing nitrogen into a tunnel layer of a nonvolatile memory

Номер патента: US11764291B2. Автор: Se Ho LEE,Bo yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212206A1. Автор: Se Ho LEE,Bo yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Dielectric structure in nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100181611A1. Автор: Kwon Hong,Kwan-Yong Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Nonvolatile memory device having resistance change layer

Номер патента: US12108611B2. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile memory device having resistance change layer

Номер патента: US20240357836A1. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of fabricating an embedded nonvolatile memory device

Номер патента: US09954082B1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Sheng-Hao Lin,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Fin-based nonvolatile memory structures, integrated circuits with such structures, and methods for fabricating same

Номер патента: US09911867B2. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Ming-Tsang Tsai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Single poly nonvolatile memory cells, arrays thereof, and methods of operating the same

Номер патента: US09659951B1. Автор: Jeong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile memory devices, methods of manufacturing nonvolatile memory device, and electronic systems including nonvolatile memory device

Номер патента: US20230335520A1. Автор: Seo Jin Park,Eun-ji Kim,Yoon Jo HWANG,Jun Seok BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Nonvolatile memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240040788A1. Автор: Kazuya Saito,Takeshi Masuda,Noriyuki Miyata,Kazumasa Horita,Shutaro Asanuma,Takehito Jinbo,Kyoko Sumita,Yuusuke Miyaguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Nonvolatile memory transistor having poly-silicon fin, stacked nonvolatile memory device having the transistor, method of fabricating the transistor, and method of fabricating the device

Номер патента: US7842994B2. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Young-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-30.

Nonvolatile memory devices and methods for fabricating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20090014781A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Sang-Jin Hyun,Hong-suk Kim,Si-Young Choi,Seung-Jae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240114701A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi,Takeyuki Sone,Katsuhisa Aratani,Jun Sumino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Nonvolatile memory

Номер патента: US9209030B2. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-08.

Nonvolatile memory

Номер патента: EP1793424A4. Автор: Motoyasu Terao,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-10.

Nonvolatile memory

Номер патента: US20070080394A1. Автор: Akihiko Ohara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Recrystallized silicon-on-insulator nonvolatile memory device

Номер патента: CA1211562A. Автор: John L. Janning. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-09-16.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110303961A1. Автор: Dong-Ryul Chang,Myoung-Kyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-15.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9466733B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20140045311A1. Автор: Hyun-Sik DOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150348990A1. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7968405B2. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-28.

Dual thin oxide ESD network for nonvolatile memory applications

Номер патента: US5872378A. Автор: Steven H. Voldman,Robert C. Szafranski,Russell E. Rose. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230122331A1. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11963357B2. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Nonvolatile memory device with a doped region between a source and a drain and integration schemes

Номер патента: US11810982B2. Автор: Eng Huat Toh,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Nonvolatile memory device and nonvolatile memory system including the same

Номер патента: US20220115344A1. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Nonvolatile memory device, system including the same and method of fabricating the same

Номер патента: US20240014157A1. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Single well one transistor and one capacitor nonvolatile memory device and integration schemes

Номер патента: US20220059554A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US8420482B2. Автор: Sungkweon Baek,Kihyun Hwang,Kwangmin Park,Juwan Lim,Seungjae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296358A1. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Partially silicided nonvolatile memory devices and integration schemes

Номер патента: US20220149057A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Nonvolatile memory, method for manufacturing same, and display device

Номер патента: US20110303964A1. Автор: Naoki Ueda,Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Nonvolatile memory devices with multiple layers having band gap relationships among the layers

Номер патента: US7973355B2. Автор: Ki-Hyun Hwang,Sang-Jin Hyun,Hong-suk Kim,Si-Young Choi,Seung-Jae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-05.

Nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100187595A1. Автор: Young-sun Kim,Sung-Hae Lee,Byong-sun Ju,Suk-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-29.

Contoured nonvolatile memory cell

Номер патента: WO1997019472A1. Автор: Mark R. Simpson. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-05-29.

Programmable logic device with fine-grained disaggregation

Номер патента: US20230198526A1. Автор: Ravindranath Mahajan,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Robert Sankman,Gregg William Baeckler. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170301690A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-19.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200111811A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11871571B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for fabricating a nonvolatile memory element and a nonvolatile memory element

Номер патента: US7410868B2. Автор: Klaus-Dieter Ufert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-12.

Nonvolatile memory device and manufacturing process thereof

Номер патента: US20100078616A1. Автор: Isamu Asano,Natsuki Sato,Akiyoshi Seko. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Electronic device including nonvolatile memory, display panel and display driver circuit, and operating method of electronic device

Номер патента: US20240021177A1. Автор: Sunyoung Kim,Joongmin Ra. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system that stores data designated by a deletion request in nonvolatile memory

Номер патента: US10949090B2. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Raid system including nonvolatile memory and operating method of the same

Номер патента: US20180150354A1. Автор: Ju Pyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Data management method for nonvolatile memory

Номер патента: US9152560B2. Автор: Joo-young Hwang,Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-06.

Method and apparatus for server platform architectures that enable serviceable nonvolatile memory modules

Номер патента: WO2015080717A1. Автор: Dimitrios Ziakas,Mohan J. Kumar,Bassam N. Coury,Murugasamy K. Nachimuthu,Russell J. Wunderlich,Thi Dang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-04.

Reconfigurable programmable logic device with P-channel non-volatile memory cells

Номер патента: US20080024164A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Storage array controller with a nonvolatile memory as a cache memory and control method of the same

Номер патента: US7055001B2. Автор: Sumihiro Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-05-30.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190102086A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Nonvolatile memory capable of outputting data using wraparound scheme, computing system having the same, and read method thereof

Номер патента: US20200183619A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240256184A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for controlling nonvolatile memory and storage medium storing program

Номер патента: US09952967B2. Автор: Minako Morio. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20220334771A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20240264776A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of operating memory system including nonvolatile memory and memory controller

Номер патента: US09870160B2. Автор: In-Hwan Choi,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Nonvolatile memory system and operation method of the same

Номер патента: US09760308B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20230297288A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Dedicated nonvolatile memory

Номер патента: EP1345438A3. Автор: Raynold M. Kahn,Christopher P. Curren,Ronald P. Cocchi. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-02.

Method for automatic correction of nonvolatile memory in information handling systems

Номер патента: US20180173587A1. Автор: Anand Prakash Joshi,Craig Lawrence Chaiken,Balasingh Ponraj Samuel. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-06-21.

Memory system with nonvolatile memory

Номер патента: US09823852B2. Автор: Kazuhito Okita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Volatile and nonvolatile memory management method and electronic device

Номер патента: US10831392B2. Автор: Chulmin Kim,Sooyong SUK,Sunae SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-10.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: EP4404064A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Memory device and method for saving and restoring data using nonvolatile memory

Номер патента: US09946610B2. Автор: Tadaaki Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile memory data security

Номер патента: US09760504B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Stephen P. Glancy,Vipin Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Active field semiconductor or optoelectronic device with non-volatile memory and method for manufacture of such device

Номер патента: RU2498461C2. Автор: ДИ ПАЙВА МАРТИНШ Родригу ФЕРРАН,ФОРТУНАТУ Элвира Мария КОРРЕЯ,ПЕРЕЙРА Луиш Мигел НУНИШ,БАРКИНЬЯ Педру Мигел КАНДИДУ,ОЛИВЕЙРА КОРРЕЯ Нуну Филипи ДИ. Владелец: Факулдади Ди Сиенсьяш И Текнология Да Универсидади Нова Ди Лижбуа. Дата публикации: 2013-11-10.

Operation method of memory controller and nonvolatile memory system including the memory controller

Номер патента: US09760503B2. Автор: Jisoo Kim,Seung-jae Lee,Sang-Jin Oh,Moonsang Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonvolatile memory data security

Номер патента: US09734095B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Stephen P. Glancy,Vipin Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Nonvolatile memory card adaptable to plural specifications

Номер патента: WO2006101057A1. Автор: Masaharu Adachi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2006-09-28.

Multiple nonvolatile memories

Номер патента: EP1345439A3. Автор: Christopher P. Curren,Ronald P. Cocchi,Raymond M. Kahn. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-17.

Data storage in nonvolatile memory

Номер патента: US20130031304A1. Автор: Kenneth Kay Smith,David G. Butler,Adam J. Snyder. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-01-31.

Multistage boot image loading and configuration of programmable logic devices

Номер патента: EP3360039A1. Автор: Mrinal J. Sarmah,Bokka Abhiram Sai Krishna,Anil Kumar A V. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-08-15.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240248648A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Virtualized system and method of controlling access to nonvolatile memory device in virtualization environment

Номер патента: US12124369B2. Автор: Dongouk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Nonvolatile memory control device, nonvolatile memory control method and computer readable storage medium

Номер патента: US09898211B2. Автор: Takashi Hasebe,Kosuke MASUMOTO. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2018-02-20.

Operating method of nonvolatile memory device and nonvolatile memory system

Номер патента: US09785379B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Acceleration Module Supporting Controlled Configuration of a Programmable Logic Device

Номер патента: US20200348944A1. Автор: Noam Cohen,Oren Ish-Am,Guy Heller. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Nonvolatile memory device and method of programming a nonvolatile memory

Номер патента: US20240241649A1. Автор: Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory by controlling the writing of data to and reading of data from a plurality of blocks in the nonvolatile memory

Номер патента: US11762591B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Operation method of storage controller for nonvolatile memory device

Номер патента: US20240176700A1. Автор: Jisoo Kim,Sangkwon Moon,Heewon Lee,Youngdeok SEO,Hyunkyo Oh,Youngjoo Seo,Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20180196744A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Testing and repair of a hardware accelerator image in a programmable logic circuit

Номер патента: US09990212B2. Автор: Ezekiel Kruglick. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09946643B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Storage device comprising volatile and nonvolatile memory devices, and related methods of operation

Номер патента: US09772940B2. Автор: Eun-Ju Park,Wan-soo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Storage controller having additional cache memory and a means for recovering from failure and reconfiguring a control unit thereof in response thereto

Номер патента: US5437022A. Автор: Brent C. Beardsley,Susan K. Candelaria,Bradley S. Powers,Mark A. Reid. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Information processing apparatus having volatile memory used to cache write data to nonvolatile memory, power supply method therefor, and storage medium storing program therefor

Номер патента: US11301026B2. Автор: Tsutomu Kubota. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Storage devices including nonvolatile memory and related methods

Номер патента: US20240069751A1. Автор: Jinwook Lee,Bongsoon LIM,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Information processing apparatus having volatile memory used to cache write data to nonvolatile memory, power supply method therefor, and storage medium storing program therefor

Номер патента: US20200285299A1. Автор: Tsutomu Kubota. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for reading a data block of a nonvolatile memory of a control unit

Номер патента: US9390005B2. Автор: Michael Besemer,Thomas MUNZ,Steffen LEIPOLD. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for reading a data block of a nonvolatile memory of a control unit

Номер патента: US20150106552A1. Автор: Michael Besemer,Thomas MUNZ,Steffen LEIPOLD. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-04-16.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Data management method for nonvolatile memory

Номер патента: US20130080686A1. Автор: Joo-young Hwang,Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11747989B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Heuristic interface for enabling a computer device to utilize data property-based data placement inside a nonvolatile memory device

Номер патента: US20240303222A1. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN,Derrick Tseng,Jianjian Huo,Praveen Krishnamoorthy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and control method controlling nonvolatile memory in accordance with command issued by processor

Номер патента: US11762597B2. Автор: Tomoya Suzuki,Shuou Nomura,Hirotsugu KAJIHARA,Kazuhiro Hiwada,Shintaro Sano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Nonvolatile Programmable Logic Switch

Номер патента: US20150244373A1. Автор: Shinichi Yasuda,Mari Matsumoto,Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210064290A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile memory card

Номер патента: US7483297B2. Автор: Makoto Mori,Atsushi Shikata,Seisuke Hirosawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-27.

Nonvolatile memory system for creating and updating program time stamp and operating method thereof

Номер патента: US09798478B2. Автор: In-Hwan Choi,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Systems, methods, and devices for secured nonvolatile memories

Номер патента: US11954206B2. Автор: Zhi Feng,Sandeep Krishnegowda. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory system and control method controlling nonvolatile memory in accordance with command issued by processor

Номер патента: US20220357892A1. Автор: Tomoya Suzuki,Shuou Nomura,Hirotsugu KAJIHARA,Kazuhiro Hiwada,Shintaro Sano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Nonvolatile memory module and operating method for the same

Номер патента: US20170277464A1. Автор: Hyunju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Graphics memory extended with nonvolatile memory

Номер патента: US20210011853A1. Автор: Bo Qiu,Travis T. Schluessler,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Jonathan Kennedy,Ankur N. Shah,Jianfang Zhu,Kim Pallister,Deepak Gandiga Shivakumar,Ajit Krisshna Nandyal Lakshman,Nikhil Talpallikar,Cristiano J. Ferreira,Brandt M. Guttridge,Frank J. Soqui,Anand Srivatsa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12086073B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12093185B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus for verifying logic circuits using vector emulation with vector substitution

Номер патента: WO2010141512A1. Автор: Thomas B. Huang,Ting-Mao Chang,Chioumin M. Chang,Huan-Chih Tsai. Владелец: Inpa Systems, Inc.. Дата публикации: 2010-12-09.

Electronic apparatus having nonvolatile memory and program writing method for updating

Номер патента: US9665484B2. Автор: Akihiko Ikazaki. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

JTAG component description via nonvolatile memory

Номер патента: US5325368A. Автор: David L. Simpson,Mark A. Taylor,Larry C. James,Chris A. Harrison. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Method and apparatus for server platform architectures that enable serviceable nonvolatile memory modules

Номер патента: EP3074878A1. Автор: Dimitrios Ziakas,Mohan J. Kumar,Bassam N. Coury,Murugasamy K. Nachimuthu,Russell J. Wunderlich,Thi Dang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-05.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10310810B2. Автор: Naoya Fukuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11875059B2. Автор: Hisashi Otani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12066931B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Executing Applications From a Semiconductor Nonvolatile Memory

Номер патента: US20110161572A1. Автор: John C. Rudelic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Executing applications from a semiconductor nonvolatile memory

Номер патента: US20190146812A1. Автор: John C. Rudelic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Executing applications from a semiconductor nonvolatile memory

Номер патента: US10146561B2. Автор: John C. Rudelic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-04.

Methods, devices and systems for high speed transactions with nonvolatile memory on a double data rate memory bus

Номер патента: US20240345972A1. Автор: Stephan Rosner,Hans Van Antwerpen,Morgan Andrew Whately,Clifford Zitlaw. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240362162A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Conditional processor auto boot with no boot loader when coupled with a nonvolatile memory

Номер патента: US09928079B2. Автор: Philip Todd. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Storage control system with improved system and technique for destaging data from nonvolatile memory

Номер патента: US5404500A. Автор: Vern J. Legvold,Steven C. Cowley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-04-04.

Computer system and method for redundantizing nonvolatile memory

Номер патента: US10552088B2. Автор: Masanori Takada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-02-04.

Method for controlling nonvolatile memory and storage medium storing program

Номер патента: US20160267003A1. Автор: Minako Morio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Reducing power consumption by preventing memory image destaging to a nonvolatile memory device

Номер патента: US11880262B2. Автор: Adam Kupczyk,Gabriel Benhanokh. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20170262377A1. Автор: Hiroshi Yao,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240078027A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Gyeongmin Kim,Keunsan Park,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Computer system and method for redundantizing nonvolatile memory

Номер патента: US20190317695A1. Автор: Masanori Takada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Ordering updates for nonvolatile memory accesses

Номер патента: US10997064B2. Автор: Haris Volos,Kimberly Keeton,Sanketh Nalli. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2021-05-04.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11947837B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Hardware anti-piracy via nonvolatile memory devices

Номер патента: WO2009058691A1. Автор: William Michael Beals. Владелец: EchoStar Technologies L.L.C.. Дата публикации: 2009-05-07.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190094927A1. Автор: Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shohei Asami,Yuka Kuwano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240061610A1. Автор: Hiroshi Nishimura,Hideki Yoshida,Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10908659B2. Автор: Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shohei Asami,Yuka Kuwano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-02.

High speed nonvolatile memory device

Номер патента: WO2007145869A2. Автор: Ruston Panabaker. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2007-12-21.

Nonvolatile memory system compression

Номер патента: WO2015034623A1. Автор: Lee M. Gavens,Xinde Hu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-03-12.

Storage memory unit with a shared nonvolatile memory interface for a radio

Номер патента: US12069123B2. Автор: John A. Nix. Владелец: IoT and M2M Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10209894B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Storage device, nonvolatile memory system including memory controller, and operating method of the storage device

Номер патента: US11947466B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Myeongjong Ju,Mingon Shin,Hwasoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11861218B2. Автор: Hiroshi Nishimura,Hideki Yoshida,Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

System and Method for Securing Nonvolatile Memory for Execute-in-Place

Номер патента: US20230418603A1. Автор: Joshua Norem,Marius Grannaes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

System and method of utilizing nonvolatile memory media associated with an information handling system

Номер патента: US20240020030A1. Автор: Vivek Sundaresan,Ashokan Vellimalai,Shashi Kiran Belur. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-01-18.

Nonvolatile memory scheduling method, system and device, and readable storage medium

Номер патента: US20230195315A1. Автор: Zhen Feng,Dong Zhang,Bingheng Yan. Владелец: Inspur Electronic Information Industry Co Ltd . Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory and memory system

Номер патента: US20230062773A1. Автор: Akiyuki Kaneko. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Automatic shadowing for nonvolatile memory express (nvme) inline encryption

Номер патента: WO2024196453A1. Автор: Amit Gil,Kishalay Haldar,Tanya Mahajan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

One chip microcomputer having programmable I/O terminals programmed according to data stored in nonvolatile memory

Номер патента: US5396639A. Автор: Yoshiaki Suenaga,Shigemi Chimura,Hiroaki Masumoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-03-07.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230297289A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US10324869B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-18.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US11216394B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240070067A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11983444B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240069750A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Printed circuit board comprising memory, and data processing method thereof

Номер патента: US20240211271A1. Автор: Haksoo Kim,Jaehoon Jung,Byungjun Kim,Heonjin PARK,Taeheum LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US12014090B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Programmable Array logic Circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: US20030222675A1. Автор: Richard Lienau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

A programmable array logic circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: WO2001054133A9. Автор: Richard M Lienau. Владелец: Richard M Lienau. Дата публикации: 2002-10-17.

Heuristic interface for enabling a computer device to utilize data property-based data placement inside a nonvolatile memory device

Номер патента: US11989160B2. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN,Derrick Tseng,Jianjian Huo,Praveen Krishnamoorthy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory system for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200301847A1. Автор: Takashi Miura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Extended logical scale structure of a programmable logic array

Номер патента: US5132570A. Автор: Minoru Takeno,Fumihiro Suenaga,Hideki Shutou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-07-21.

Storage system including nonvolatile memory module and operating method of the nonvolatile memory module

Номер патента: US20210026567A1. Автор: Do-Han Kim,Seung-Woo Lim,Kyu-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240069777A1. Автор: Gyeongmin Kim,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240070066A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Programmable Logic Circuits Using Lookup Tables (LUTs) Augmented with Configurable Logic Gates

Номер патента: US20240354480A1. Автор: Bee Yee Ng,Jeffrey Chromczak,Ilya Ganusov,Grace Zgheib. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of performing reliable updates in a symmetrically blocked nonvolatile memory having a bifurcated storage architecture

Номер патента: US6622200B1. Автор: David A. Edwards,Andrew H. Gafken,Robert N. Hasbun,Christopher J. Spiegel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Circuit interrupter including nonvolatile memory storing cause-of-trip information

Номер патента: CA2593646A1. Автор: Robert T. Elms,Kevin L. Parker,Thomas A. Domitrovich. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2007-12-23.

Circuit interrupter including nonvolatile memory storing cause-of-trip information

Номер патента: CA2593646C. Автор: Robert T. Elms,Kevin L. Parker,Thomas A. Domitrovich. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Enhanced first level storage cache using nonvolatile memory

Номер патента: WO2007056669A3. Автор: E Earle Thompson,Kevin M Conley. Владелец: Kevin M Conley. Дата публикации: 2007-09-20.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220292030A1. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Apparatus and method for fast persistent writing to nonvolatile memory

Номер патента: US20230168828A1. Автор: Sang-min Lee,Myung-Hoon CHA,Hong-Yeon Kim,Baik-Song AN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-06-01.

Programmable logic base cell and array

Номер патента: GB2343281A. Автор: Masato Motomura,Taro Fujii,Koichiro Furuta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-05-03.

Dynamically programmable logic circuits

Номер патента: US4292548A. Автор: Ricardo Suarez,Oscar Chang,Vladimir Adam. Владелец: Instituto Venezolano de Investigaciones Cientificas IVIC. Дата публикации: 1981-09-29.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240070033A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US20160321013A1. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-03.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US20190056889A1. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-21.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US20200125296A1. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US10140060B2. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-27.

Nonvolatile memory scheduling method, system and device, and readable storage medium

Номер патента: US11789615B2. Автор: Zhen Feng,Dong Zhang,Bingheng Yan. Владелец: Inspur Electronic Information Industry Co Ltd . Дата публикации: 2023-10-17.

Programmable logic device

Номер патента: US20060091899A1. Автор: Toshikado Akimichi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-05-04.

NONVOLATILE MEMORY, DATA PROCESSING APPARATUS, AND MICROCOMPUTER APPLICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002498A1. Автор: MATSUBARA Ken,Setogawa Jun,IWASE Takashi,Matsushita Toru,Mitani Hidenori,Yamada Fumiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002486A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002487A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel Use of Integrated Non-Volatile Memory and Main Volatile Memory within a Mobile Device

Номер патента: US20120004011A1. Автор: CHUN Christopher Kong Yee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for concealed storage of confidential data in secure non-volatile memory and device therefor

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

Nonvolatile memory matrix location

Номер патента: RU2302058C2. Автор: Виктор Матвеевич Мордвинцев,Сергей Евгеньевич Кудрявцев,вцев Сергей Евгеньевич Кудр. Владелец: Институт микроэлектроники и информатики РАН. Дата публикации: 2007-06-27.

Nonvolatile memory device

Номер патента: RU2374704C1. Автор: Борис Аронович Гурович. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2009-11-27.

Nonvolatile memory location

Номер патента: RU2215337C2. Автор: Л.Б. Егоров,И.В. Цетлин. Владелец: Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики. Дата публикации: 2003-10-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.