Multiple programming of spare memory region for nonvolatile memory.

Multiple programming of spare memory region for nonvolatile memory

Номер патента: US20090129147A1
Опубликовано: 21-05-2009
Автор(ы): Akira Ogawa, Masaru Yano
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US11763901B2. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20130250696A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

Nonvolatile memory device, memory system comprising nonvolatile memory device, and wear leveling method for nonvolatile memory device

Номер патента: US8495283B2. Автор: Ki Tae Park,Min Gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-23.

Page buffer circuit and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US11996154B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Vertical Nonvolatile Memory Devices and Methods of Operating Same

Номер патента: US20120170375A1. Автор: Jungdal CHOI,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Methods and apparatus utilizing expected coupling effect in the programming of memory cells

Номер патента: US20100259978A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US20240312534A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Adaptive determination of program parameter using program of erase rate

Номер патента: US09852800B2. Автор: Deepanshu Dutta,Cynthia Hsu,Murong Lang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of compensating charge loss and source line bias in programing of non-volatile memory device

Номер патента: US20200219561A1. Автор: Ming-Chang Tsai,Chun-Yi Tu,Jui-Lung Weng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: WO2021138016A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Device, system, and method to verify data programming of a multi-level cell memory

Номер патента: EP3866167A1. Автор: Xiang Yang,Shantanu Rajwade,Tarek Ameen Beshari,Arun THATHACHARY,Narayanan RAMANAN,Matin Amani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-18.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US11989228B2. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Shanky K. Jain,William A. Melton,Richard K Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: EP4085462A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Device, system, and method to verify data programming of a multi-level cell memory based on one of temperature, pressure, wear condition or relative position of the memory cell

Номер патента: US20210257036A1. Автор: Xiang Yang,Shantanu Rajwade,Arun THATHACHARY,Narayanan RAMANAN,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI,Matin Amani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Nonvolatile memory with data recovery

Номер патента: US20220392555A1. Автор: Hiroyuki Mizukoshi,Qihan Li,Heguang Li,Althaf Rahamathulla. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Unipolar programming of memory cells

Номер патента: US20240029796A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impala'. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US11783902B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor nonvolatile memory device and computer system using the same

Номер патента: US5748532A. Автор: Toshihiro Tanaka,Masataka Kato,Katsutaka Kimura,Kazuyoshi Oshima,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-05-05.

Methods of operating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20090016107A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Jae-woong Hyun,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20150029789A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-29.

Nonvolatile memory device with intermediate switching transistors and programming method

Номер патента: US11961564B2. Автор: Joon-Young Park,Il-han Park,Bong-Soon Lim,Chang-Yeon YU,Joo-Yong Park,June-Hong PARK,Kui-han Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200395090A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230253059A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210391000A1. Автор: Soo-Woong Lee,Sang Soo Park,Yongkyu Lee,Doo-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Nonvolatile Memory Device and Read Method Thereof

Номер патента: US20140254271A1. Автор: Byeong-In Choe,Changhyun LEE,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile memory devices having wide operation range

Номер патента: US20170243640A1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Nonvolatile memory device and read method thereof

Номер патента: US20160078955A1. Автор: Changhyun LEE,Jungdal CHOI,Byeong-ln Choe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-17.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220139470A1. Автор: Sang-Hyun Joo,Myoung-Won Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210225452A1. Автор: Sang-Hyun Joo,Myoung-Won Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Nonvolatile memory device, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US10566064B2. Автор: Takeshi Miyazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Data Retention in Nonvolatile Memory with Multiple Data Storage Formats

Номер патента: US20130279248A1. Автор: Chris Nga Yee Avila,Steven T. Sprouse,Zac Shepard. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20220262441A1. Автор: Katsuya KANAMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Storage device including nonvolatile memory device, operating method of storage device, and operating method of electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11887684B2. Автор: Haedong No,Youjin JEON,Hyeji Yun,Jongtaek Seong,Jungeol Baek,Youn-Soo CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Nonvolatile memory device and method for operating the same

Номер патента: US8677053B2. Автор: Ji-Hyae Bae,Kyoung-Wook Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Nonvolatile memory and memory system

Номер патента: US20210295908A1. Автор: Tomoya Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Operating method of nonvolatile memory device and operating method of memory controller controlling the nonvolatile memory device

Номер патента: US20150036431A1. Автор: Hyung Suk Kim,Kiwhan Song,Boh-Chang KIM,Hai-Seok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US20170069386A1. Автор: Jeong Hoon Kim,Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of operating nonvolatile memory device controlled by controlling coupling resistance value between bit line and page buffer

Номер патента: US8867274B2. Автор: Eun Jong Lee,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Page buffer of nonvolatile memory device and method of performing program verification operation using the same

Номер патента: US20100315879A1. Автор: Myung Cho,Hwang Huh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-16.

Nonvolatile memory device and method of operating a nonvolatile memory

Номер патента: US11798626B2. Автор: Sangwan Nam,Hojun Lee,ChaeHoon KIM,Junyoung Ko,Minjae Seo,Jiwon SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of writing data in nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and method of operating memory system using the same

Номер патента: US11862261B2. Автор: Heewon Lee,Chanha KIM,Kwangwoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of searching read voltage of nonvolatile memory device using regression analysis and method of reading data from nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11961553B2. Автор: Wijik LEE,Kwanwoo NOH,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Nonvolatile memory apparatus for mitigating read disturbance and system using the same

Номер патента: US11984159B2. Автор: Seok Joon KANG,Moo Hui PARK,Jun Ho Cheon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Nonvolatile memory device

Номер патента: EP4177894A1. Автор: Yohan Lee,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Jungyun Yun,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Nonvolatile memory device performing incremental step pulse program operation and operating method thereof

Номер патента: US11901022B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and apparatus for estimating read levels of nonvolatile memory and for programming pilot signals used for such estimation

Номер патента: US20170133097A1. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-11.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20170004886A1. Автор: Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon,Myoung-Won Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-05.

Method and system for program pulse generation during programming of nonvolatile electronic devices

Номер патента: WO2006119327A3. Автор: Mauro Chinosi,Stefano Surico,Mirella Marsella,Monica Marziani. Владелец: Monica Marziani. Дата публикации: 2007-12-13.

Memory system with multiple programming modes

Номер патента: US09852802B2. Автор: Sang-Wook Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Method and system for program pulse generation during programming of nonvolatile electronic devices

Номер патента: US7570519B2. Автор: Mauro Chinosi,Stefano Surico,Mirella Marsella,Monica Marziani. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Method and system for program pulse generation during programming of nonvolatile electronic devices

Номер патента: US8120963B2. Автор: Mauro Chinosi,Stefano Surico,Mirella Marsella,Monica Marziani. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Nonvolatile memory and electronic device for use therewith

Номер патента: US20070028032A1. Автор: Tsutomu Baba. Владелец: Nidec Sankyo Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Nonvolatile memory and electronic device for use therewith

Номер патента: US7818491B2. Автор: Tsutomu Baba. Владелец: Nidec Sankyo Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Memory system with memory region read counts and a memory group read count and operating method thereof

Номер патента: US20200051647A1. Автор: Yong Il JUNG,Dae Seok SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US11948643B2. Автор: SeungGu JI,Yong Il JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20240233827A1. Автор: SeungGu JI,Yong ll Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Circuitry and method for selecting a drain programming voltage for a nonvolatile memory

Номер патента: WO1995007536A1. Автор: Albert Fazio,Gregory E. Atwood,James Brennan, Jr.,Marc E. Landgraf. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1995-03-16.

Method for programming of memory cells, in particular of the flash type, and corresponding programming architecture

Номер патента: US7944751B2. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-17.

Method for Programming of Memory Cells, in Particular of the Flash Type, and Corresponding Programming Architecture

Номер патента: US20100002521A1. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-07.

Techniques for programming of select gates in NAND memory

Номер патента: US09947407B2. Автор: Hao Nguyen,Khanh Nguyen,Toru Ishigaki,Man Mui,Yingda Dong,Seungpil Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Two-part programming of memory cells

Номер патента: US20220115071A1. Автор: Vishal Sarin,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Nonvolatile memory erasure techniques

Номер патента: WO2013147818A1. Автор: Xin Guo,Kiran Pangal,Hiroyuki SANDA,Kaoru NAGANUMA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Programming of memory devices

Номер патента: US20180308552A1. Автор: Angelo Visconti,Silvia Beltrami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Programming of memory devices

Номер патента: US20190355423A1. Автор: Angelo Visconti,Silvia Beltrami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Two-part programming of memory cells

Номер патента: US11948644B2. Автор: Vishal Sarin,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Two-part programming of memory cells

Номер патента: US20240185923A1. Автор: Vishal Sarin,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Method and circuit for simultaneously programming and verifying the programming of selected EEPROM cells

Номер патента: US5532964A. Автор: Raul-Adrian Cernea,Douglas J. Lee,Sanjay Mehrotra. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 1996-07-02.

Method for programming a nonvolatile memory

Номер патента: US5566111A. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-15.

Techniques for programming of select gates in nand memory

Номер патента: US20160189778A1. Автор: Hao Nguyen,Khanh Nguyen,Toru Ishigaki,Man Mui,Yingda Dong,Seungpil Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-30.

Double programming methods of a multi-level-cell nonvolatile memory

Номер патента: US20090219759A1. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-03.

Nonvolatile memory system, semiconductor memory, and writing method

Номер патента: US7283399B2. Автор: Shooji Kubono,Osamu Tsuchiya,Hitoshi Miwa,Tatsuya Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US11462260B2. Автор: Hee-Won Lee,Dong-Hun Kwak,Jun-Ho SEO,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100008145A1. Автор: Jong Hyun Wang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Monolithic, combo nonvolatile memory allowing byte, page and block write with no disturb and divided-well in the cell array using a unified cell structure and technology with a new scheme of decoder and layout

Номер патента: US7110302B2. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma,Koucheng Wu. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-19.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US7170795B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100329021A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US20050237783A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-27.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US10373691B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-06.

Nonvolatile memory with a unified cell structure

Номер патента: US20110170357A1. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma,Koucheng Wu. Владелец: Abedneja Assets AG LLC. Дата публикации: 2011-07-14.

Method and apparatus for performing memory cell verification on a nonvolatile memory circuit

Номер патента: US5677879A. Автор: Michael S. Briner,Fariborz F. Roohparvar. Владелец: Micron Quantum Devices Inc. Дата публикации: 1997-10-14.

Nonvolatile memory device, memory system incorporating same, and method of operating same

Номер патента: US20110051514A1. Автор: Sangyong Yoon,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US11942140B2. Автор: Hee-Won Lee,Dong-Hun Kwak,Jun-Ho SEO,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180190363A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Nonvolatile memory device and sub-block managing method thereof

Номер патента: US20150149710A1. Автор: Junjin Kong,Eun Chu Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-28.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20170315723A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20230307084A1. Автор: Katsuhiko Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20170345507A1. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20160343444A1. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Nonvolatile memory apparatus, program method thereof, and data processing system using the same

Номер патента: US20150085583A1. Автор: Chul Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-26.

Circuit for supplying well voltages in nonvolatile memory device

Номер патента: US20100329037A1. Автор: Gyo Soo Chu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20200379884A1. Автор: Bong-Kil Jung,Donghoon Jeong,Myung-Hoon Choi,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory system including a nonvolatile memory device, and an erasing method thereof

Номер патента: US11894092B2. Автор: Wontaeck Jung,Buil Nam,Myoungho Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11646087B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210343352A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

User device including a nonvolatile memory device and a data write method thereof

Номер патента: US11860774B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sung Won Jung,Sangkwon Moon,Seunguk SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20130088930A1. Автор: Ji Hwan Kim,Jung Hwan Lee,Seong Je Park,Myung Cho,Beom Seok HAH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US8902651B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Nonvolatile memory device, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20180336952A1. Автор: Takeshi Miyazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20170103804A1. Автор: Makoto Mitani,Hironori Hayashida. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-04-13.

Nonvolatile memory and programming method thereof

Номер патента: US20200194076A1. Автор: Xiao Luo,Chunhui Chen,Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Shanghai Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Nonvolatile memory devices and memory systems

Номер патента: US20190074048A1. Автор: Hee-Won Lee,Dong-Hun Kwak,Jun-Ho SEO,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-07.

Nonvolatile memory device and method of programming in a nonvolatile memory

Номер патента: US11881272B2. Автор: Sangwan Nam,Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Nonvolatile memory system and programming method including reprogram operation

Номер патента: US20150039809A1. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Sihwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Nonvolatile memory device including transfer element

Номер патента: US20200152265A1. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Ji-Hoon Lim,June-Hong PARK,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Obsolete Block Management for Data Retention in Nonvolatile Memory

Номер патента: US20130282958A1. Автор: Chris Nga Yee Avila,Steven T. Sprouse,Neil David Hutchison,Zac Shepard. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-10-24.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160179684A1. Автор: Sung-Hyun Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and test system having the same

Номер патента: US20160276033A1. Автор: Jae Won Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of erasing a nonvolatile memory for preventing over-soft-program

Номер патента: US20160078961A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Storage device supporting multi-streaming and method of controlling operation of nonvolatile memory device

Номер патента: US11314452B2. Автор: Kyungduk Lee,Jinwoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100246268A1. Автор: Hee Youl Lee,Ki Seog Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Nonvolatile memory device and wordline driving method thereof

Номер патента: US20160365149A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-15.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11967367B2. Автор: Nari Lee,Gyu-Ha Park,Jeongyeol Kim,Daehan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11817158B2. Автор: Young-Jin Cho,Nari Lee,Sangyong Yoon,Doo-Yeun Jung,Bu-il NAM,Yeji Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Nonvolatile memory with variable drain voltage

Номер патента: WO2008003032A1. Автор: Johnny Javanifard,Robert Melcher,Trismardawi Tanadi,Subramanyam Chandramouli. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of reducing reliability degradation of nonvolatile memory device, nonvolatile memory device using the same and method of testing nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11915770B2. Автор: Minseok Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile memory system and data recovery method thereof

Номер патента: US20160124804A1. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20130070535A1. Автор: Byoung Sung YOO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Nonvolatile memories and reading methods thereof

Номер патента: US20180144803A1. Автор: Yao Zhou,Hao Ni. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Nonvolatile memory with data clearing functionality

Номер патента: US20070279970A1. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Non-volatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US11942154B2. Автор: Sangwan Nam,Bongsoon LIM,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20080205157A1. Автор: Sang-jin Park,Sung-Il Park,Jong-Seob Kim,Kwang-Soo Seol,Sung-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Method for determining programming voltage of nonvolatile memory

Номер патента: US20060083067A1. Автор: Naoki Ueda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Nonvolatile memory device for performing double sensing operation

Номер патента: US20220284933A1. Автор: Tae Hun Park,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Nonvolatile memory device and worldline driving method thereof

Номер патента: US20160035423A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Nonvolatile memory apparatus, program method thereof, and data processing system using the same

Номер патента: US20130201769A1. Автор: Chul Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Nonvolatile memory apparatus capable of determining an application time of a program voltage applied to a selected word line

Номер патента: US8929150B2. Автор: Chul Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Nonvolatile memory device including artificial neural network, memory system including same, and operating method of nonvolatile memory device including artificial neural network

Номер патента: US11763903B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230253057A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11942166B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Nonvolatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US20120008412A1. Автор: Young Soo Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Nonvolatile memory apparatus, write method of the nonvolatile memory apparatus, and system using the nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20200321043A1. Автор: Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US09852786B2. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US20170117032A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Nonvolatile memory device including reference memory cell with fixed state

Номер патента: US20180137913A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-17.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US10872672B2. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-22.

Sensing circuits of nonvolatile memory devices and methods of operating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20200111529A1. Автор: Hyun-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20140177368A1. Автор: Yoon Jae Shin,Chang Yong AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and method of operating memory system using the same

Номер патента: US20210090657A1. Автор: Seongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Fast sense amplifier for nonvolatile memories

Номер патента: US20020051386A1. Автор: Thomas Kern,Esther Ordonez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-02.

Sense amplifier for nonvolatile semiconductor storage devices

Номер патента: US5243573A. Автор: Hiroyasu Makihara,Kenji Kohda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-09-07.

Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices

Номер патента: WO2023064548A1. Автор: Pawan Singh,Yoram Betser,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices

Номер патента: US11978528B2. Автор: Pawan Singh,Yoram Betser,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices

Номер патента: WO2023064548A9. Автор: Pawan Singh,Yoram Betser,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-10.

FLASH-EPROM with enhanced immunity from soft-programming of reference cells

Номер патента: US5311466A. Автор: Virginia Natale,Gianluca Petrosino,Flavio Scarra. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1994-05-10.

Semiconductor nonvolatile memory apparatus including threshold voltage shift circuitry

Номер патента: US5331597A. Автор: Sumio Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

Improved nonvolatile memory circuit using a dual node floating gate memory cell

Номер патента: US4685083A. Автор: Horst Leuschner. Владелец: Thomson Components-Mostek Corp. Дата публикации: 1987-08-04.

Ultraviolet erasable nonvolatile memory with current mirror circuit type sense amplifier

Номер патента: US5198997A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1993-03-30.

Nonvolatile memory device and method of operating and fabricating the same

Номер патента: US8004906B2. Автор: Sung-Il Park,Young-Gu Jin,Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-woong Hyun,Ki-ha Hong,Sung-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-23.

Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system

Номер патента: US6504754B2. Автор: Hieu Van Tran,Sakhawat M. Khan,George J. Korsh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

Nonvolatile memory device with reduced current consumption

Номер патента: US20110292735A1. Автор: Kazuhiko Oyama. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Bias circuitry for content addressable memory cells of a floating gate nonvolatile memory

Номер патента: US5267213A. Автор: Alan E. Baker,Jerry G. Jex,Chih-Ta Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Embedded nonvolatile memory having metal contact pads

Номер патента: US20040129954A1. Автор: Chien-Hung Ho,Ching-Yuan Lin,Yen-Tai Lin,Yu-Ming Hsu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Nonvolatile memory device and method of detecting wordline defect of the same

Номер патента: US11915773B2. Автор: Sangwan Nam,JaeIn LEE,Kyunghae Lee,Buil Nam,Jinsun YEOM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile memory device changing a period of an internal clock

Номер патента: US9318212B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and operating method of nonvolatile memory

Номер патента: US20170032824A1. Автор: Sung-Hyun Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US20100302859A1. Автор: In Suk YUN,Kee Han Rho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile memory apparatus with changeable operation speed and related signal control method

Номер патента: US20120081981A1. Автор: Seung Min Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Selfcalibration method and circuit of nonvolatile memory and nonvolatile memory circuit

Номер патента: US20100014363A1. Автор: Xiang Yao,Nan Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Self-calibration method of a reading circuit of a nonvolatile memory

Номер патента: US8184490B2. Автор: Xiang Yao,Nan Wang. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-22.

Semiconductor nonvolatile memory device

Номер патента: US8565028B2. Автор: Hiroyuki Tanikawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-22.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20140226408A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Control gate signal for data retention in nonvolatile memory

Номер патента: US20220284961A1. Автор: Anubhav Khandelwal,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-08.

All level coarse/fine programming of memory cells

Номер патента: US20230317171A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20120002480A1. Автор: In Suk YUN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Nonvolatile memory including on-die-termination circuit and storage device including the nonvolatile memory

Номер патента: US10340022B2. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Eun-ji Kim,Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-02.

Nonvolatile memory with blocks and circuitry for selectively protecting the blocks for memory operations

Номер патента: US5513136A. Автор: Virgil N. Kynett,Mickey L. Fandrich,Salim B. Fedel,Thomas C. Price. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-04-30.

Nonvolatile memory including on-die-termination circuit and storage device including the nonvolatile memory

Номер патента: US20220215892A1. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Eun-ji Kim,Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Nonvolatile memory device and related driving method

Номер патента: US11056195B1. Автор: Yi-Ching Liu,Chin-Ming Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Combined program and data nonvolatile memory with concurrent program-read/data write capability

Номер патента: US5732017A. Автор: Steven J. Schumann,Fai Ching,Sai K. Tsang. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Method for reading nonvolatile memory at power-on stage

Номер патента: US20090154250A1. Автор: Yung Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Nonvolatile memory device and method of controlling read operation of the same

Номер патента: EP4300497A1. Автор: Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-03.

Nonvolatile memory including on-die-termination circuit and storage device including the nonvolatile memory

Номер патента: US20240021259A1. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Eun-ji Kim,Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Nonvolatile memory device

Номер патента: EP4174863A1. Автор: Sang-Wan Nam,You-Se Kim,Kee Ho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Highly vertically integrated nonvolatile memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20240049471A1. Автор: Jiyoung Kim,Jaeeun Lee,Kiwhan Song,SeungYeon Kim,Woosung YANG,Inho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Nonvolatile memory devices and memory systems including the same

Номер патента: EP4319533A2. Автор: Jiyoung Kim,Jaeeun Lee,Kiwhan Song,SeungYeon Kim,Woosung YANG,Inho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Nonvolatile memory, memory system, and control method of nonvolatile memory

Номер патента: US11847050B2. Автор: Toshio Fujisawa,Daisuke Iwai,Keigo Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Nonvolatile memory, memory system, and control method of nonvolatile memory

Номер патента: US20240070062A1. Автор: Toshio Fujisawa,Daisuke Iwai,Keigo Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Nonvolatile memory apparatus and operating method of the nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20190325976A1. Автор: Keun Sik KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Spiking neural network device, nonvolatile memory device, and operation method thereof

Номер патента: EP4216218A1. Автор: Byung-gook Park,Seunghwan Song,Bosung Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20120002480A1. Автор: In Suk YUN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and System for Reducing the Size of Nonvolatile Memories

Номер патента: US20150179270A1. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-06-25.

Method and device for reading data in a nonvolatile memory device based on cell counts of two states

Номер патента: US11972791B2. Автор: Jinyoung Kim,Sehwan Park,Jisang LEE,Hyojung Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US10593408B2. Автор: Seong-jin Kim,Jin-Young Kim,Bong-Soon Lim,Ki-whan Song,Chang-Yeon YU,Su-Chang Jeon,June-Hong PARK,Dong-Kyo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-17.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20190088337A1. Автор: Seong-jin Kim,Jin-Young Kim,Bong-Soon Lim,Ki-whan Song,Chang-Yeon YU,Su-Chang Jeon,June-Hong PARK,Dong-Kyo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-21.

Precharge arrangement for read access for integrated nonvolatile memories

Номер патента: US7236403B2. Автор: Thomas Liebermann,Edvin Paparisto,Christoph Deml,Stephan Rogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-06-26.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US10170192B2. Автор: Seong-jin Kim,Jin-Young Kim,Bong-Soon Lim,Ki-whan Song,Chang-Yeon YU,Su-Chang Jeon,June-Hong PARK,Dong-Kyo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-01.

Nonvolatile memory device, memory system, and operating methods

Номер патента: EP1501100A3. Автор: Jung-Hoon Park,Soo-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-14.

Nonvolatile memory apparatus and resistance compensation circuit thereof

Номер патента: US20180040371A1. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Methods of testing nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US20240127883A1. Автор: Jongchul Park,Myeongwoo Lee,Yeonwook JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nonvolatile memory device having resistance change structure

Номер патента: US20210202514A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20030017672A1. Автор: Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Shinichi Minami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-01-23.

Nonvolatile memory device and method of controlling read operation of the same

Номер патента: US20230420058A1. Автор: Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20180226128A1. Автор: Seong-jin Kim,Jin-Young Kim,Bong-Soon Lim,Ki-whan Song,Chang-Yeon YU,Su-Chang Jeon,June-Hong PARK,Dong-Kyo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Nonvolatile memory devices and memory systems including the same

Номер патента: EP4319533A3. Автор: Jiyoung Kim,Jaeeun Lee,Kiwhan Song,SeungYeon Kim,Woosung YANG,Inho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Erasing method for nonvolatile memory

Номер патента: US7869284B1. Автор: Ting-Chang Chang,Hung-Wei Li,Fu-Yen Jian. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2011-01-11.

Erasing method for nonvolatile memory

Номер патента: US20100322014A1. Автор: Ting-Chang Chang,Hung-Wei Li,Fu-Yen Jian. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Nonvolatile memory system, and data read/write method for nonvolatile memory system

Номер патента: US20080028131A1. Автор: Yasuo Kudo,Hiroshi Sukegawa,Kazuya Kawamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Control circuit for nonvolatile memory device

Номер патента: RU2221286C2. Автор: Томас Цеттлер. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-01-10.

Reference voltage generator circuit for nonvolatile memory

Номер патента: EP1211691A3. Автор: Yasuhiro NEC Micro Systems Ltd. Tonda,Gou NEC Micro Systems Ltd. Tamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-28.

Structure and operating method for nonvolatile memory cell

Номер патента: US20040037116A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Tung-Cheng Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Weighted read scrub for nonvolatile memory including memory holes

Номер патента: US09760307B2. Автор: Chris Avila,Yingda Dong,Steven T. Sprouse,Alexander Kwok-Tung Mak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor devices including a peripheral circuit region and first and second memory regions, and related programming methods

Номер патента: US09887199B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Granular error reporting on multi-pass programming of non-volatile memory

Номер патента: US20210397509A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Jiangang WU,Vamsi Pavan Rayaprolu,Sivagnanam Parthasarathy,Qisong Lin,Sho Chun Shi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for accessing a multilevel nonvolatile memory device of the flash nand type

Номер патента: US20070047299A1. Автор: Rino Micheloni,Roberto Ravasio,Angelo Bovino,Vincenzo Altieri,Mario De Matteis. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Accelerating programming of a flash memory module

Номер патента: US09972393B1. Автор: Avigdor Segal. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Mixed signal neuromorphic computing with nonvolatile memory devices

Номер патента: US12106211B2. Автор: Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Mohammad Reza Mahmoodi,Mohammad Bavandpour. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile memory cell

Номер патента: WO1988002173A3. Автор: George Corbin Lockwood,James Anthony Topich,Raymond Alexander Turi. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1988-05-19.

Nonvolatile memory and method with reduced program verify by ignoring fastest and/or slowest programming bits

Номер патента: EP2335244A1. Автор: Yan Li,Yupin Kawing Fong,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-06-22.

Nonvolatile memory and method with reduced program verify by ignoring fastest and/or slowest programming bits

Номер патента: WO2010042587A1. Автор: Yan Li,Yupin Kawing Fong,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2010-04-15.

Nonvolatile memory circuit and structure

Номер патента: US6246088B1. Автор: Kuo-Tung Chang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-06-12.

Single-polycrystalline silicon electrically erasable and programmable nonvolatile memory device

Номер патента: US8472251B2. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Nonvolatile memory cell with multiple floating gates formed after the select gate

Номер патента: US20070007575A1. Автор: Yi Ding. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Methods for performing fail test, block management, erasing and programming in a nonvolatile memory device

Номер патента: US8365026B2. Автор: Chae Kyu Jang,Jong Hyun Wang,Se Chun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

CMOS memory margining control circuit for a nonvolatile memory

Номер патента: US4658380A. Автор: Michael D. Eby. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1987-04-14.

Nonvolatile memory and a method of writing data thereto

Номер патента: US5400280A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Semiconductor device including nonvolatile memories

Номер патента: US5654568A. Автор: Hironobu Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1997-08-05.

Nonvolatile memory device, controller for controlling the same and read voltage adjustment method

Номер патента: EP3996097A1. Автор: Jinyoung Kim,Ilhan Park,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-11.

Nonvolatile memory devices and driving methods thereof

Номер патента: US9666283B2. Автор: Kyung-Hwa Kang,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile memory with controlled voltage boosting speed

Номер патента: US6853582B1. Автор: Tadashi Oda,Yuki Matsuda. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-08.

Arrays of nonvolatile memory cells

Номер патента: WO2012074662A3. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-26.

Nonvolatile memory, method of fabricating the same, and method of reading information from the same

Номер патента: US5414286A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Two terminal nonvolatile memory using gate controlled diode elements

Номер патента: US7764534B2. Автор: Tyler J. Thorp,Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-07-27.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US9792989B2. Автор: Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

System and method for programming nonvolatile memory

Номер патента: US6097639A. Автор: Woong Lim Choi,Seok Ho Seo. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Nonvolatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20060071265A1. Автор: Jeong-Uk Han,Kwang-Wook Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-06.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US20110095356A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Nonvolatile memory with enhanced carrier generation and method for programming the same

Номер патента: US5258949A. Автор: Ming-Bing Chang,Ko-Min Chang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Nonvolatile memory

Номер патента: US5926418A. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 1999-07-20.

Method of inputting address in nonvolatile memory device and method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US20090290433A1. Автор: Young Soo Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20220319602A1. Автор: Hyeonjin Shin,Changseok Lee,Minhyun LEE,Taein KIM,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Nonvolatile memory device, storage device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11798629B2. Автор: Sang-Won Shim,Jae-Duk Yu,Bongsoon LIM,Kang-Bin Lee,Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Neural network circuit comprising nonvolatile memory cells and reference-current cells

Номер патента: US11942163B2. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Nonvolatile memory device having a dummy bit line driver and operation method thereof

Номер патента: US11887672B2. Автор: Dongha Shin,SeungYeon Kim,Beakhyung Cho,Myeong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Nonvolatile memory device supporting protection mode and memory system including the same

Номер патента: US11853601B2. Автор: Do Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Nonvolatile memory multilevel cell programming

Номер патента: US11967368B2. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Nonvolatile memory and storage device including nonvolatile memory

Номер патента: US20180240522A1. Автор: Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-08-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210255796A1. Автор: Takayuki Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Nonvolatile memory device having cell on periphery structure

Номер патента: US11895842B2. Автор: Changyeon Yu,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multipage data

Номер патента: US11815982B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Nonvolatile memory and writing method

Номер патента: US20240005988A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20150206591A1. Автор: Seiichi Aritome,Hyun-Seung Yoo,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210020247A1. Автор: LIANG Yi,Chi REN,Zhaobing Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: US20240020187A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20220109004A1. Автор: Geunwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-07.

Nonvolatile memory device including a plurality of input/output units and an operating method thereof

Номер патента: US20180122496A1. Автор: Hyunjin Kim,Kwang Won Kim,Dongku Kang,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Nonvolatile memory device including a plurality of input/output units and an operating method thereof

Номер патента: US20210057037A1. Автор: Hyunjin Kim,Kwang Won Kim,Dongku Kang,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Nonvolatile memory device including a plurality of input/output units and an operating method thereof

Номер патента: US20200105362A1. Автор: Hyunjin Kim,Kwang Won Kim,Dongku Kang,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Nonvolatile memory device, with valley search for threshold voltage, memory controller, and reading method of storage device including the same

Номер патента: US11868647B2. Автор: Jinyoung Kim,Ilhan Park,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory device having a plurality of memory blocks

Номер патента: US20110002177A1. Автор: Takaaki Furuyama,Masahiro Niimi,Makoto Niimi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Nonvolatile memory device, system including the same and method for fabricating the same

Номер патента: US11769546B2. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Programming method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20140063966A1. Автор: Tae-gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for rewriting data in nonvolatile memory and semiconductor device

Номер патента: US20190115080A1. Автор: Tomomi Watanabe. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Nonvolatile memory device, memory system, and programming method

Номер патента: US20230343401A1. Автор: Tianyu Wang,Xueqing Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US11869599B2. Автор: Jungmin Park,Ilhan Park,Sanghyun Joo,Joon Suc Jang,Jisang LEE,Kyunghoon Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10847230B2. Автор: Shuou Nomura,Yuki Ando. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200090761A1. Автор: Shuou Nomura,Yuki Ando. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Nonvolatile Memory Devices Having Gate Structures Therein with Improved Blocking Layers

Номер патента: US20110101438A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Han-mei Choi,Byong-ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-05.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11742052B2. Автор: Hyungsoo KIM,Sang-Hyun Joo,Jaewoo Im,Won-Taeck JUNG,Tae-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Three-dimensional nonvolatile memory device, semiconductor system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9287286B2. Автор: Tae Kyung Kim,Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Nonvolatile memory device having multiple numbers of channel layers

Номер патента: US11871569B2. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Ju Ry SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor

Номер патента: WO2013116003A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2013-08-08.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US11837290B2. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Nonvolatile memory device including a logic circuit to control word and bitline voltages

Номер патента: US11869594B2. Автор: Sung-Min JOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory using a universal technology suitable for sim-card, smart-card and e-passport applications

Номер патента: WO2006058070A2. Автор: Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-01.

Method and Apparatus for Operating Nonvolatile Memory With Floating Voltage at One of the Source and Drain Regions

Номер патента: US20080117690A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Serial-gate transistor and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: EP4322164A1. Автор: Kiwhan Song,Sukkang SUNG,Gyosoo Choo,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-14.

Nonvolatile memory device and memory package including the same

Номер патента: US20240062819A1. Автор: Ahreum Kim,Pansuk Kwak,Hyunkook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220223223A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200395094A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210118520A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230245710A1. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US11804279B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Organization of blocks within a nonvolatile memory unit to effectively decrease sector write operation time

Номер патента: AU6942100A. Автор: Petro Estakhri,Berhanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2001-04-10.

Space management for managing high capacity nonvolatile memory

Номер патента: EP1228510A4. Автор: Min Guo,Petro Estakhri,Berhanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2005-01-19.

Array architecture and process flow of nonvolatile memory devices for mass storage applications

Номер патента: US20040165459A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Peter Lee,Vei-Han Chan. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-26.

Nonvolatile memory device including two-dimensional material and apparatus including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20180358470A1. Автор: Jaeho Lee,Hyeonjin Shin,Haeryong Kim,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-13.

Nonvolatile memory apparatus and method of using thin film transistor as nonvolatile memory

Номер патента: US7983092B2. Автор: Ting-Chang Chang,Te-Chih Chen,Fu-Yen Jian. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2011-07-19.

Nonvolatile memory apparatus and method of using thin film transistor as nonvolatile memory

Номер патента: US20100254185A1. Автор: Ting-Chang Chang,Te-Chih Chen,Fu-Yen Jian. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Nonvolatile memory and writing method

Номер патента: US11763883B2. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Charge-trapping nonvolatile memory devices having gate structures therein with improved blocking layers

Номер патента: US8410542B2. Автор: Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Han-mei Choi,Byong-ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-02.

Nonvolatile memory device, an operating method thereof, and a storage system including the nonvolatile memory device

Номер патента: US10923195B2. Автор: Tae Hun Kim,Bongyong Lee,Minkyung BAE,Myunghun Woo,Doohee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-16.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332970A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: WO2004044921A3. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Han-Rei Ma. Дата публикации: 2004-07-01.

Bad Block Reconfiguration in Nonvolatile Memory

Номер патента: US20150063028A1. Автор: Man Mui,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Chris Avila,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-05.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US9691756B2. Автор: Euipil Kwon. Владелец: Rangduru Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method and System for Switchable Erase or Write Operations in Nonvolatile Memory

Номер патента: US20140056079A1. Автор: Christian Peters,Jan Otterstedt,Edvin Paparisto,Mihail Jefremow,Wolf Allers,Leonardo Castro. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-02-27.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: US20230044730A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Nonvolatile Memory Devices Including Variable Resistive Elements

Номер патента: US20100061146A1. Автор: Hye-jin Kim,Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-11.

Nonvolatile memory device, storage device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210065806A1. Автор: Sang-Won Shim,Jae-Duk Yu,Bongsoon LIM,Kang-Bin Lee,Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Serial-gate transistor and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20240046994A1. Автор: Kiwhan Song,Sukkang SUNG,Gyosoo Choo,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Nonvolatile memory device, system including the same and method for fabricating the same

Номер патента: US20240062808A1. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20200381478A1. Автор: Youngbae Kim,Changhyun Cho,Dueung Kim,Si-Ho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Serial-parallel interface circuit with nonvolatile memory

Номер патента: US20150039802A1. Автор: Sheng-Yu Peng,Tzu-Yun Wang,Chi-An Lai,Chiang-Hsi Lee. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2015-02-05.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20150214243A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-30.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20140104945A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20180019258A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210193225A1. Автор: Jong-Chul Park,Youn-yeol Lee,Seul-bee LEE,Kyung-sub LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20200402584A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Nonvolatile memory multilevel cell programming

Номер патента: US20230238059A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US9286988B2. Автор: Seiichi Aritome,Hyun-Seung Yoo,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Electronic device including a nonvolatile memory cell

Номер патента: US20130175593A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190371411A1. Автор: Jin-Young Kim,Hyun SEO,Bong Soon LIM,II Han Park,Kui Han KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Nonvolatile memory device compensating for voltage drop of target gate line

Номер патента: US20190198513A1. Автор: Bong-Soon Lim,June-Hong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Nonvolatile memory and storage device including same

Номер патента: US12002514B2. Автор: Sang-Won Park,Won-Taeck JUNG,Su Chang Jeon,Han-Jun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20220173060A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US20230221870A1. Автор: Sang-Wan Nam,Euihyun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Nonvolatile memory device including multi-plane

Номер патента: US20160343440A1. Автор: Younghwan RYU,Pansuk Kwak,Chul-Jin Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Nonvolatile memory cells having an embedded selection element and nonvolatile memory cell arrays including the nonvolatile memory cells

Номер патента: US20210066585A1. Автор: Sang Min Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20200372956A1. Автор: Sang-Wan Nam,Euihyun Cheon,Byungjun Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-26.

Nonvolatile memory device having a plurality of memory blocks

Номер патента: US20090034334A1. Автор: Takaaki Furuyama,Masahiro Niimi,Makoto Niimi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-05.

Programming of analog memory cells using a single programming pulse per state transition

Номер патента: US7924587B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Oren Golov,Uri Perlmutter,Shai Winter. Владелец: ANOBIT TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2011-04-12.

Test method for nonvolatile memory device

Номер патента: US20090287972A1. Автор: Jin Yong Seong,Wan Seob LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Reading of start-up information from different memory regions of a memory system

Номер патента: US20190332285A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20060146620A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US7038969B2. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20050088874A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Clearing poison status on read accesses to volatile memory regions allocated in non-volatile memory

Номер патента: US09817738B2. Автор: Richard P. Mangold,Raj K. Ramanujan,Camille C. Raad,Theodros Yigzaw. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory, processor system and method for performing write operations on a memory region

Номер патента: US20030126382A1. Автор: Robert Feurle,Andreas Täuber,Paul Schmölz,Jean-Marc Dortu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Configurable spare memory chips

Номер патента: US5392292A. Автор: Richard D. Pribnow,Thomas J. Davis,Michael T. Bye,Bricky A. Stephenson. Владелец: Cray Research LLC. Дата публикации: 1995-02-21.

Clearing poison status on read accesses to volatile memory regions allocated in non-volatile memory

Номер патента: WO2017039841A1. Автор: Richard P. Mangold,Raj K. Ramanujan,Camille C. Raad,Theodros Yigzaw. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210223989A1. Автор: Hyun Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Split protocol approaches for enabling devices with enhanced persistent memory region access

Номер патента: US20230297286A1. Автор: Luca Bert,Joseph H. Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory module that includes a memory module copy engine for copying data from an active memory die to a spare memory die

Номер патента: US9292392B2. Автор: Lidia Warnes. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-03-22.

A memory module that includes a memory module copy engine for copying data from an active memory die to a spare memory die

Номер патента: GB2506041A. Автор: Linda Warnes. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-03-19.

A memory module that includes a memory module copy engine for copying data from an active memory die to a spare memory die

Номер патента: WO2013002799A1. Автор: Linda Warnes. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2013-01-03.

Split protocol approaches for enabling devices with enhanced persistent memory region access

Номер патента: US12086468B2. Автор: Luca Bert,Joseph H. Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Bit-accurate-tracing analysis with applied memory region lifetimes

Номер патента: WO2019139739A1. Автор: Jordi Mola,Henry Gabryjelski. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-07-18.

Method and apparatus for supporting the use of interleaved memory regions

Номер патента: US20160246714A1. Автор: Valerio Catalano,Riccardo Locatelli,Giuseppe Guarnaccia,Giuseppe Maruccia,Michael SOULIE,Raffaele Guarrasi. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2016-08-25.

Method and apparatus for supporting the use of interleaved memory regions

Номер патента: WO2015055728A1. Автор: Valerio Catalano,Riccardo Locatelli,Giuseppe Guarnaccia,Giuseppe Maruccia,Michael SOULIE,Raffaele Guarrasi. Владелец: STMicroelectronics (Grenoble2) SAS. Дата публикации: 2015-04-23.

Bit-accurate-tracing analysis with applied memory region lifetimes

Номер патента: EP3721346A1. Автор: Jordi Mola,Henry Gabryjelski. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-10-14.

Differential programming of two-terminal resistive switching memory with program soaking and adjacent path disablement

Номер патента: US12080347B1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and method for parallel programming of antifuses

Номер патента: US20030112693A1. Автор: Scott Gatzemeier,Wallace Fister. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-19.

Method and apparatus for performing close-loop programming of resistive memory devices in crossbar array based hardware circuits and systems

Номер патента: US09715655B2. Автор: Miao HU,Hai Li,Yiran Chen,Qing Wu,Richard Linderman,Garrett Rose. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2017-07-25.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606730B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

High voltage sense circuit for programming of programmable devices

Номер патента: US20020084827A1. Автор: Martin Denham. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US20180047449A1. Автор: Sang-Wan Nam,Sang-In Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

Differential programming of two-terminal memory with program detection and multi-path disablement

Номер патента: US20230317162A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-state programming of memory cells

Номер патента: US11869588B2. Автор: Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Hernan A Castro,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-state programming of memory cells

Номер патента: US20240120006A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Differential programming of two-terminal memory with program detection and multi-path disablement

Номер патента: WO2023192965A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Differential programming of two-terminal memory with intrinsic error suppression and wordline coupling

Номер патента: US20240071490A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Nonvolatile memory element having a tantalum oxide variable resistance layer

Номер патента: US8217489B2. Автор: Satoru Fujii,Shunsaku Muraoka,Koichi Osano. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Variable resistance nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US8058636B2. Автор: Satoru Fujii,Shunsaku Muraoka,Koichi Osano. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Method of programming variable resistance nonvolatile memory element

Номер патента: US8867259B2. Автор: Shunsaku Muraoka,Kazuhiko Shimakawa,Ken Kawai,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Nonvolatile memory element and nonvolatile memory device

Номер патента: US9082479B2. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Koji Katayama,Satoru Mitani,Zhiqiang Wei. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Nonvolatile memory cell comprising switchable resistor and transistor

Номер патента: EP1908110B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-12-29.

Nonvolatile memory and nonvolatile memory reproducing apparatus

Номер патента: CA2299908C. Автор: Nobuyuki Kihara,Teppei Yokota. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-09-25.

Memory controller for non-interfering accesses to nonvolatile memory by different masters, and related systems and methods

Номер патента: US11385829B2. Автор: Cliff Zitlaw,Hans Van Antwerpen,Morgan Andrew Whately. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-07-12.

Nonvolatile memory devices having vertically integrated nonvolatile memory cell sub-strings therein

Номер патента: US9000508B2. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Sunhil Shim,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-07.

Architecture of a phase-change nonvolatile memory array

Номер патента: US6816404B2. Автор: Osama Khouri,Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer,Giorgio Bosisio. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Nonvolatile memory

Номер патента: US6437396B1. Автор: Kuo-Yu Chou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-08-20.

Method fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20100159675A1. Автор: Ji-Hyun Jeong,Jae-hee Oh,Jae-Hyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-24.

Nonvolatile Memory with Convolutional Coding

Номер патента: US20070266296A1. Автор: Kevin Conley. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Ferroelectric nonvolatile memory element having capacitors of same dielectric constant and method thereof

Номер патента: US6094369A. Автор: Takaaki Fuchikami,Takanori Ozawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-07-25.

Nonvolatile memory devices using variable resistive elements

Номер патента: US20090285009A1. Автор: Jong-Chul Park,Byung-Gil Choi,Ki-Sung Kim,Young-Ran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Sense amplifier, nonvolatile memory device including the sense amplifier and sensing method of the sense amplifier

Номер патента: US9349428B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-24.

Nonvolatile memory programmable by a heat induced chemical reaction

Номер патента: US20050122781A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Rui-Chen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Nonvolatile memory utilizing MIS memory transistors with bit mask function

Номер патента: US7460400B1. Автор: TAKASHI KIKUCHI. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2008-12-02.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US11200002B2. Автор: Sangwan Nam,Sangwon Park,Daeseok Byeon,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-14.

High density nonvolatile memory

Номер патента: US9530822B2. Автор: Alexander Mikhailovich Shukh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory storage device and electronic device including nonvolatile memory

Номер патента: EP3955117A1. Автор: Jung Hoon Kim,Seong Hun Kim,Hong Kug Kim,Won Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Storage system, information processing system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240045619A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US11696440B2. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Variable resistance nonvolatile memory

Номер патента: US20230065167A1. Автор: Tomoki Chiba,Daisaburo Takashima,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US11915763B2. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile memory device and latch including the same

Номер патента: US11955155B2. Автор: Seong Ook Jung,Tae Woo Oh,Dong Han KO,Se Hee LIM,Se Keon KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of operating selector device, method of operating nonvolatile memory apparatus using the same, electronic circuit device including selector device, and nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20230326523A1. Автор: Jeong Hwan Song,Ha Young Lee,Byung Joon Choi,Tae Jung Ha,Soo Gil Kim. Владелец: Foundation for Research and Business of Seoul National University of Science and Technology. Дата публикации: 2023-10-12.

Multi-channel nonvolatile memory management

Номер патента: US20180356982A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Kevin Mcilvain,Adam J. McPadden,Nandita A. Mitra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: EP2943959A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-11-18.

Ferroelectric nonvolatile memory device and integration schemes

Номер патента: US11825663B2. Автор: Johannes Müller,Ralf Richter,Thomas Melde,Stefan Dunkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory system for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240061574A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20150318039A1. Автор: Chulhyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Nonvolatile memory module

Номер патента: WO2016048553A1. Автор: Mani Prakash,Dong Wang,Dimitrios Ziakas,Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa,John K. Grooms,Edward L. Payton. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-03-31.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190057742A1. Автор: Jin-Young Kim,Dong-Hun Kwak,Su-Chang Jeon,Kui-han Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-21.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20210217477A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Anti-fuse nonvolatile memory devices employing lateral bipolar junction transistors as selection transistors

Номер патента: US20170271346A1. Автор: Kwang Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150249095A1. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Byung-Ho Lee,Jin-Hae Choi,Joo-Hee Han,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230333980A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Nonvolatile memory module, memory system including nonvolatile memory module, and controlling method of nonvolatile memory module

Номер патента: US20150279475A1. Автор: Wonseok Lee,Youngkug Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20150214497A1. Автор: Jea Gun Park,Jong Sun Lee,Sung Ho Seo,Woo Sik Nam. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2015-07-30.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: WO2014109771A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2014-07-17.

Nonvolatile memory apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20150235697A1. Автор: Jun Rye Rho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Nonvolatile memory apparatus and operating method thereof

Номер патента: US9171611B2. Автор: Jun Rye Rho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Nonvolatile memory device for performing urgent read operation based on suspend command and method of operating the same

Номер патента: US10692578B2. Автор: Jin-Young Kim,Dong-Hun Kwak,Su-Chang Jeon,Kui-han Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-23.

Nonvolatile memory device including temperature compensation circuit

Номер патента: US11790988B2. Автор: Bilal Ahmad Janjua,Ji-Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Nonvolatile memory device including temperature compensation circuit

Номер патента: US20210312982A1. Автор: Bilal Ahmad Janjua,Ji-Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-07.

Nonvolatile memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140011297A1. Автор: Soon Won Jung,Seung Youl Kang,Byoung Gon Yu,Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Sung Min Yoon,Shin Hyuk Yang,Chun Won Byun. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-09.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US11894053B2. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20220020818A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Write Operations with Full Sequence Programming for Defect Management in Nonvolatile Memory

Номер патента: US20150012684A1. Автор: Jian Chen,Chris Nga Yee Avila,Seungpil Lee,Mrinal Kochar,Pao-Ling Koh,Alexander Kwok-Tung Mak,Gautam Ashok Dusija. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-01-08.

Memory system for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11847318B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20170364309A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Nonvolatile memory apparatus for performing a read operation and a method of operating the same

Номер патента: US11024377B2. Автор: Seok Joon KANG,Moo Hui PARK,Jun Ho Cheon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Method of writing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20230350578A1. Автор: Wonhee CHO,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Storage system, information processing system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11847350B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: EP4284143A1. Автор: JUNG Tae Sung,Moo Rym CHOI,Yun Sun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20230154534A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory device having resistance change memory layer

Номер патента: US20210074354A1. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Partially bad block operation in 3-d nand nonvolatile memory

Номер патента: WO2017058303A1. Автор: Aaron Lee,Mrinal Kochar,Dennis Ea,Mikhail Palityka,Ivan Baran,Yew Yin Ng,Abhijeet Bhalerao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US20160291870A1. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Nonvolatile memory device with vertical string including semiconductor and resistance change layers, and method of operating the same

Номер патента: US20210350851A1. Автор: Youngjin Cho,Cheol Seong Hwang,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US20200183784A1. Автор: SUNGKYU Park,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Nonvolatile memory device and method of fabricating same

Номер патента: US11856772B2. Автор: Tae Hun Kim,Seung Won Lee,Min Cheol Park,Jun Hee Lim,Hye Ri Shin,Si Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Method and system for providing word addressable nonvolatile memory in a programmable logic device

Номер патента: US20210281264A1. Автор: Jinghui Zhu. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method and system for providing word addressable nonvolatile memory in a programmable logic device

Номер патента: US11637556B2. Автор: Jinghui Zhu. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

Load reduced nonvolatile memory interface

Номер патента: US11789880B2. Автор: George Vergis,Frank T. Hady,Emily P. Chung. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Nonvolatile memory system and related method of preserving stored data during power interruption

Номер патента: US20140025874A1. Автор: Dong Jun Shin,Shine KIM,Min Cheol Kwon,Woon Hyug JEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

Nonvolatile memory system and related method of preserving stored data during power interruption

Номер патента: US8554990B2. Автор: Dong Jun Shin,Shine KIM,Min Cheol Kwon,Woon Hyug JEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-08.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US11777006B2. Автор: Koichi Mizushima,Yoshifumi Nishi,Kumiko Nomura,Takao Marukame. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Nonvolatile Memory Device Using A Tunnel Nitride As A Current Limiter Element

Номер патента: US20130200325A1. Автор: Yun Wang,Mihir Tendulkar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: EP3832468A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-09.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090206318A1. Автор: Yong-ho Ha,Hee-Ju SHIN,Doo-Hwan Park,Bong-Jin Kuh,Han-Bong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of measuring durability of nonvolatile memory device and method of performing wear-leveling in storage device using the same

Номер патента: US11928338B2. Автор: Sanghyun Choi,Kangho Roh,Hyunkyo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Nonvolatile Memory Device Using a Tunnel Nitride As A Current Limiter Element

Номер патента: US20130337606A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Mihir Tendulkar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Nonvolatile memory

Номер патента: US20160276010A1. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita,Satoshi TAKAYA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Nonvolatile memory device and system comprising the same

Номер патента: US20230369212A1. Автор: JUNG Tae Sung,Moo Rym CHOI,Yun Sun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory, and operation method of memory controller

Номер патента: US11954340B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Nonvolatile memory device having cell-over-periphery (COP) structure with address re-mapping

Номер патента: US11797405B2. Автор: Sangwan Nam,Sangwon Park,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile memory device, data storage device including the same and operating method thereof

Номер патента: US20200073804A1. Автор: Min Gu Kang,Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Data input circuit of nonvolatile memory device

Номер патента: US20120057414A1. Автор: Jong Tai Park,Won Sub SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-08.

Nonvolatile memory device and method of throttling temperature of nonvolatile memory device

Номер патента: US10445010B2. Автор: Sung-Won Jeong,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20060002199A1. Автор: Tsutomu Nakajima,Satoshi Noda,Kenji Kozakai,Atsushi Tokairin. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

Nonvolatile memory device using a variable resistive element and associated operating method

Номер патента: US20090003048A1. Автор: Byung-Gil Choi,Yu-Hwan Ro,In-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Nonvolatile memory device using variable resistive element

Номер патента: US20100091552A1. Автор: Sang-beom Kang,Ho-Jung Kim,Young-Sun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-15.

Nonvolatile memory control method, control device, and semiconductor storage device

Номер патента: US20180108404A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-19.

Method of operating selector device, method of operating nonvolatile memory apparatus applying the same, electronic circuit device including selector device, and nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20230005537A1. Автор: TAE JOO Park,Hye Rim Kim,Jeong Hwan Song,Tae Jung Ha,Soo Gil Kim,Tae Jun Seok,Hyun Seung CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-01-05.

Variable resistance nonvolatile memory device

Номер патента: US20130114327A1. Автор: Kazuhiko Shimakawa,Yuichiro Ikeda,Ken Kawai,Ryotaro Azuma. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Methods and apparatus to read from a nonvolatile memory device

Номер патента: US20180004419A1. Автор: Sachin Thakur. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Systems and methods for providing nonvolatile memory management in wireless phones

Номер патента: EP1797645A2. Автор: Schweiray Joseph Lee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: EP4325502A1. Автор: PARK Garam,Jinwoo Lee,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Nonvolatile memory circuit using spin mos transistors

Номер патента: US20110194342A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Tetsufumi Tanamoto,Takao Marukame,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory using namespace attributes

Номер патента: US11836381B2. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Nonvolatile memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20210233929A1. Автор: Tae Hun Kim,Seung Won Lee,Min Cheol Park,Jun Hee Lim,Hye Ri Shin,Si Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20170125093A1. Автор: Chulhyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US11984170B2. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Nonvolatile memory device using serial diode cell

Номер патента: US20050169036A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-04.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20100290274A1. Автор: Joo-Ae Lee,Tae-Hun Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20240065000A1. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell strings

Номер патента: US20240096415A1. Автор: Changseok Lee,Seunggeol NAM,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of operating selector device, method of operating nonvolatile memory apparatus applying the same, electronic circuit device including selector device, and nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US11830549B2. Автор: TAE JOO Park,Hye Rim Kim,Jeong Hwan Song,Tae Jung Ha,Soo Gil Kim,Tae Jun Seok,Hyun Seung CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-28.

Nonvolatile memory device including nonvolatile memory and resistance-time converter, and integrated circuit card including nonvolatile memory device

Номер патента: US20170294227A1. Автор: Yoshikazu Katoh,Hiroyuki Tezuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332968A2. Автор: Kui-Yon Mun,Junyeong HAN,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332971A2. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Gyeongmin Kim,Keunsan Park,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US20160293241A1. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332971A3. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Gyeongmin Kim,Keunsan Park,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Nonvolatile memory device and nonvolatile memory system including the same

Номер патента: US20220190131A1. Автор: Dae Seok Byeon,Kyung Min Ko,Myung Hun LEE,Pan Suk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Variable resistance nonvolatile memory

Номер патента: US11972798B2. Автор: Tomoki Chiba,Daisaburo Takashima,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US11716849B2. Автор: Ho Jin Kim,Young-jin Kwon,Dong Seog EUN,Gi Yong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230297247A1. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332968A3. Автор: Kui-Yon Mun,Junyeong HAN,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Nonvolatile memory and memory system

Номер патента: US20110119558A1. Автор: Kenichi Nakanishi,Keiichi Tsutsui,Junichi Koshiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory cell array, and information writing method of nonvolatile memory cell array

Номер патента: US11996130B2. Автор: Takashi Yokoyama,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Nonvolatile memory device and method of writing signal in nonvolatile memory device

Номер патента: US20180114560A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Multi-channel nonvolatile memory power loss management

Номер патента: US20180356981A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Kevin Mcilvain,Adam J. McPadden,Nandita A. Mitra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Nonvolatile memory element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230066075A1. Автор: Hiroki Tanabe,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: US20210217473A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20220100651A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor element, nonvolatile memory device, multiply-accumulate operation device, and method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20220342640A1. Автор: Masanori Tsukamoto,Toshiyuki Kobayash. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory system and controller for storing map data of volatile memory into nonvolatile memory device during power off operation

Номер патента: US11422889B2. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Operation method of controller configured to control nonvolatile memory device and operation method of storage device

Номер патента: US12002519B2. Автор: Heewon Lee,Kwangwoo Lee,Yunjung LEE,Sangjin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory system and controller for storing map data of volatile memory into nonvolatile memory device during power off operation

Номер патента: US20220121517A1. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Nonvolatile memory device including temperature compensation circuit

Номер патента: US20210005253A1. Автор: Bilal Ahmad Janjua,Ji-Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: EP3944326A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-26.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210035635A1. Автор: Youngjin Cho,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON,Cheolseong HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: EP3852144A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-21.

Nonvolatile memory cell and nonvolatile memory device comprising the same

Номер патента: US20210193207A1. Автор: Youngjin Cho,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Nonvolatile Memory Devices and Related Methods and Systems

Номер патента: US20110157960A1. Автор: Shoichi Kawamura. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-30.

Methods and apparatus for three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: WO2018231296A1. Автор: Srikanth Ranganathan,Tanmay Kumar,Ming-Che Wu,Juan P. Saenz,Sebastian J.M. WICKLEIN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

Nonvolatile memory device having cell-over-periphery (cop) structure with address re-mapping

Номер патента: US20210096967A1. Автор: Sangwan Nam,Sangwon Park,Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Method and system for simultaneous recording of multiple programs on a dvr

Номер патента: EP2474114A1. Автор: Trevor Smith,Ray Taylor,James Geoffrey Walker,Kevin A. Murray,Pete Rai,Alex Ashley. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Method and System for Simultaneous Recording of Multiple Programs on a DVR

Номер патента: US20120189285A1. Автор: Trevor Smith,Ray Taylor,James Geoffrey Walker,Kevin A. Murray,Pete Rai,Alex Ashley. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Hard disk device having normal and low density memory regions

Номер патента: US7362532B2. Автор: Hideki Iwama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-04-22.

Hard disk device having normal and low density memory regions

Номер патента: US20060285382A1. Автор: Hideki Iwama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Automatic checking device for preset recording program of recording and reproducing apparatus

Номер патента: CA1112355A. Автор: Tadahiko Nakamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1981-11-10.

Storage device having a nonvolatile memory for storing user changeable operating parameters

Номер патента: US5930358A. Автор: Mahesh Chandra Rao. Владелец: Mitsubishi Chemical America Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Method, system and computer program product for introducing personalization data in nonvolatile memories of a plurality of integrated circuits

Номер патента: US11675001B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-13.

Asymmetric Dense Floating Gate Nonvolatile Memory with Decoupled Capacitor

Номер патента: US20150001603A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Execution method and architecture of multiple-program-banks firmware

Номер патента: US20060161767A1. Автор: Chanson Lin,Yu-Hsien Wang,Hunk Hung. Владелец: Prolific Technology Inc. Дата публикации: 2006-07-20.

System and method for determination of label state in roll of spare labels

Номер патента: RU2321900C2. Автор: Джеймс КРЕЙГ. Владелец: Даймо Корпорейшн. Дата публикации: 2008-04-10.

System for planning and coordination of spare parts for agricultural machines

Номер патента: WO2024165907A1. Автор: Scott Wellensiek,Robin Monkenbusch,Christoph Tetzlaff,Mark Turnis,Patricio Frangella,Reinhard Hesse,Jordan HELLBUSCH,Ray OCHSNER,Jeff TILDEN,Adam Lee HAWORTH. Владелец: CLAAS Omaha Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Raid system including nonvolatile memory and operating method of the same

Номер патента: US20180150354A1. Автор: Ju Pyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Joint multiple program coding for digital audio broadcasting and other applications

Номер патента: CA2295283C. Автор: Carl-Erik Wilhelm Sundberg,Deepen Sinha. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-08-17.

Method for testing a data processing distributed to multiple programs

Номер патента: US20230315616A1. Автор: Fabian Franzelin,Jochen Kokemueller. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-10-05.

Data management method for nonvolatile memory

Номер патента: US9152560B2. Автор: Joo-young Hwang,Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-06.

Method of determination of the effective concentration of antiscalant for suppression of crystallization of sparingly soluble salts in water

Номер патента: RU2648351C1. Автор: Владимир Александрович Колесников,Ирина Александровна Почиталкина,Дмитрий Феликсович Кондаков,Павел Александрович Кекин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2018-03-23.

Efficient use of spare device(s) associated with a group of devices

Номер патента: US09990263B1. Автор: LEI Tian,Edward K. Lee,Shobhit Dayal. Владелец: Tintri Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Address generation for page collision prevention in memory regions

Номер патента: US11748253B1. Автор: Kun Xu,Suresh Hariharan. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Operation method of storage controller for nonvolatile memory device

Номер патента: US20240176700A1. Автор: Jisoo Kim,Sangkwon Moon,Heewon Lee,Youngdeok SEO,Hyunkyo Oh,Youngjoo Seo,Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Data management method for nonvolatile memory

Номер патента: US20130080686A1. Автор: Joo-young Hwang,Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Apparatus and method for distributing and storing write data in plural memory regions

Номер патента: US20240232015A9. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Ordering updates for nonvolatile memory accesses

Номер патента: US10997064B2. Автор: Haris Volos,Kimberly Keeton,Sanketh Nalli. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2021-05-04.

Automatic shadowing for nonvolatile memory express (nvme) inline encryption

Номер патента: WO2024196453A1. Автор: Amit Gil,Kishalay Haldar,Tanya Mahajan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Region protection unit, instruction set and method for protecting a memory region

Номер патента: EP1979820A1. Автор: Nagaraju Bussa,Hubertus G. H. Vermeulen,Udaya Seshua. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-15.

Method for influencing a control program of a control device

Номер патента: US09791844B2. Автор: Thorsten Hufnagel,Andre Rolfsmeier. Владелец: dSPACE digital signal processing and control engineering GmbH. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of spare capacity use for fault detection in a multiprocessor system

Номер патента: CA1291268C. Автор: Krishan Kumar Sabnani,Anton Timothy Dahbura,William John Hery. Владелец: William John Hery. Дата публикации: 1991-10-22.

Architecture of spare wiring structures for improved engineering change orders

Номер патента: US9236343B2. Автор: James Cicalo,Peter Hallschmid,A. K. M. Kamruzzaman Mollah. Владелец: BLACKCOMB DESIGN AUTOMATION Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Storing microcode for a virtual function in a trusted memory region

Номер патента: EP3899729A1. Автор: Kathirkamanathan Nadarajah,Anthony Asaro. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2021-10-27.

Scrub-commit state for memory region

Номер патента: US20200226061A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Djordje KOVACEVIC. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory region locking using lock/unlock flag state for exclusive rights to control memory access

Номер патента: US11016910B2. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Djordje KOVACEVIC. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-05-25.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: WO2017039598A1. Автор: Melvin K. Benedict,Eric L. POPE. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-09.

Realm management unit-private memory regions

Номер патента: WO2019002814A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Djordje KOVACEVIC. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-01-03.

Elastic persistent memory regions

Номер патента: WO2022221715A1. Автор: Luca Bert,Joseph H. Steinmetz,William Akin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-20.

Access control system for nonvolatile memory

Номер патента: US20040186947A1. Автор: Yusuke Nemoto,Taichi Nagata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

Memory mapping management method for nonvolatile main memory system

Номер патента: US10185654B2. Автор: Ji Won Kim,Jung Sik Choi,Hwan Soo Han. Владелец: Research & Businessfoundation Sungkyunkwan University. Дата публикации: 2019-01-22.

Ordering updates for nonvolatile memory accesses

Номер патента: US20180018258A1. Автор: Haris Volos,Kimberly Keeton,Sanketh Nalli. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-18.

Ordering updates for nonvolatile memory accesses

Номер патента: US20190317891A1. Автор: Haris Volos,Kimberly Keeton,Sanketh Nalli. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-10-17.

Inline encryption solution for nonvolatile memory express (nvme) storage devices

Номер патента: WO2024102225A1. Автор: Amit Gil,Kishalay Haldar,William Kimberly,Tanya Mahajan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-16.

METHOD OF ACCESSING NVMeoF MEMORY REGION OF A REMOTE TARGET DEVICE BY A HOST CPU

Номер патента: US20230056733A1. Автор: Venkataratnam NIMMAGADDA,Sandeep Kumar ANANTHAPALLI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Protecting memory regions based on occurrence of an event

Номер патента: EP4399611A1. Автор: Aneesh Bansal,Priyanka DOSI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Processor with conditional-fence commands excluding designated memory regions

Номер патента: US20230036954A1. Автор: Ilan Pardo,George Elias,Shahaf Shuler,Nizan Atias,Adi Maymon. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-02-02.

FIFO memory having a memory region modifiable during operation

Номер патента: US09996318B2. Автор: Rainer Dorsch,Timo Giesselmann,Konstantin Buck. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-06-12.

Apparatus and method for distributing and storing write data in plural memory regions

Номер патента: US20240134747A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Providing memory region prefetching in processor-based devices

Номер патента: US20240176742A1. Автор: Suryanarayana Murthy Durbhakula. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Systems and methods for performing instruction fetches based on privilege states and code memory regions

Номер патента: US20170242803A1. Автор: Joseph C. Circello,Daniel M. McCarthy,Kristen A. Hausman. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: US20240264941A1. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Storage device providing a virtual memory region, electronic system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US20200042459A1. Автор: Dong-Uk Kim,Joo-young Hwang,Kwang-Hyun La,Duck-Ho Bae,Hyung-Woo RYU,You-Ra Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Exclusive memory region control system utilizing software and hardware locks

Номер патента: CA2032367C. Автор: Hiroyuki Sekizuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-12-31.

Interrupting export of memory regions

Номер патента: WO2019002815A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Djordje KOVACEVIC. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-01-03.

Elastic persistent memory regions

Номер патента: EP4323876A1. Автор: Luca Bert,Joseph H. Steinmetz,William Akin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Speculation-restricted memory region type

Номер патента: US11809316B2. Автор: Richard William Earnshaw. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Allocation of memory regions of a nonvolatile semiconductor memory for stream-based data writing

Номер патента: US20180150238A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Motohiro Matsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Allocation of memory regions of a nonvolatile semiconductor memory for stream-based data writing

Номер патента: US20200341654A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Motohiro Matsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory region locking

Номер патента: WO2019002816A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Djordje KOVACEVIC. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-01-03.

Scrub-commit state for memory region

Номер патента: WO2019102177A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Djordje KOVACEVIC. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-05-31.

System and method for memory region protection

Номер патента: US20210389884A1. Автор: Ramacharan Sundararaman,Nithyananda Miyar,Hakseon Lee. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: US20190026026A1. Автор: Melvin K Benedict,Eric L Pope. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-24.

Speculation-restricted memory region type

Номер патента: WO2019229414A1. Автор: Richard William Earnshaw. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory region locking

Номер патента: US20200201790A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Djordje KOVACEVIC. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

System and method for secure movement of trusted memory regions across NUMA nodes

Номер патента: US12019760B2. Автор: Vinod Parackal Saby,Krishnaprasad Koladi,Gobind Vijayakumar. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-06-25.

Private Memory Regions and Coherence Optimizations

Номер патента: US20140325154A1. Автор: Jan Gray,Ali-Reza Adl-Tabatabai,Gad Sheaffer,David Callahn,Burton Jordan Smith. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2014-10-30.

Private memory regions and coherency optimization by controlling snoop traffic volume in multi-level cache hierarchy

Номер патента: US09767027B2. Автор: Jan Gray,Ali-Reza Adl-Tabatabai,Gad Sheaffer,David Callahn,Burton Jordan Smith. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for managing access rights of memory regions and corresponding system on chip

Номер патента: US20240004804A1. Автор: Loic Pallardy,Lionel Debieve. Владелец: STMicroelectronics Grand Ouest SAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory systems and devices including examples of generating access codes for memory regions using authentication logic

Номер патента: US11899829B2. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Realm management unit-private memory regions

Номер патента: US11874778B2. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Djordje KOVACEVIC. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-16.

Protecting memory regions based on occurrence of an event

Номер патента: WO2023038812A1. Автор: Aneesh Bansal,Priyanka DOSI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-16.

Protecting memory regions based on occurrence of an event

Номер патента: US20230079183A1. Автор: Aneesh Bansal,Priyanka DOSI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Protecting memory regions based on occurrence of an event

Номер патента: US11644999B2. Автор: Aneesh Bansal,Priyanka DOSI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-05-09.

Memory systems and devices including examples of generating access codes for memory regions using authentication logic

Номер патента: US20240176916A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Securing memory using protected memory regions

Номер патента: US20210034547A1. Автор: Dwight D. Riley,Shiva R. Dasari. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2021-02-04.

Using addresses to detect overlapping memory regions

Номер патента: US20110320763A1. Автор: Jeffry E. Gonion. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Operation based on consolidated memory region description data

Номер патента: US20240319912A1. Автор: David Matthew Springberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

System and Method for Flexible Emergency Power Fail Management for Multiple Persistent Memory Regions

Номер патента: US20240329860A1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Shay Benisty,Alexander Bazarsky. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Elastic persistent memory regions

Номер патента: US12118220B2. Автор: Luca Bert,Joseph H. Steinmetz,William Akin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

System and method for flexible emergency power fail management for multiple persistent memory regions

Номер патента: WO2024205695A1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Shay Benisty,Alexander Bazarsky. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Maintaining shadow page tables in a sequestered memory region

Номер патента: US20070028074A1. Автор: Uday Savagaonkar,Priya Rajagopal,Hormuzd Khosravi,Ravi Sahita. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: US11983111B2. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Exposing pre-registered memory regions for remote direct memory access in a distributed file system

Номер патента: US20170199842A1. Автор: Benjamin Moses England,Mohammed Rafi Kavungal Chundattu Parambil,Raghavendra Talur. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: EP4388421A1. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Access to persistent memory regions of computing devices

Номер патента: US20180032449A1. Автор: Sudish Mukunan. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-02-01.

Processing system and method of managing access to a memory region

Номер патента: IL182733A. Автор: . Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-05-31.

Apparatus and method for dynamically reconfiguring memory region of memory device

Номер патента: EP4365747A1. Автор: Maksim OSTAPENKO,Youngsam Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Integration of disparate system architectures using configurable isolated memory regions and trust domain conversion bridge

Номер патента: US20190042482A1. Автор: Peter Munguia,Gregg Lahti,Aditya Katragada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Operation based on consolidated memory region description data

Номер патента: US20220413749A1. Автор: David Matthew Springberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Interrupting export of memory regions

Номер патента: US11816227B2. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Djordje KOVACEVIC. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Elastic persistent memory regions

Номер патента: US20230297256A1. Автор: Luca Bert,Joseph H. Steinmetz,William Akin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatus and method for dynamically reconfiguring memory region of memory device

Номер патента: US20240152278A1. Автор: Maksim OSTAPENKO,Youngsam Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Operation based on consolidated memory region description data

Номер патента: US12026395B2. Автор: David Matthew Springberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for predicting the presence of chromosomal abnormalities in embryos of satisfactory and poor quality on the basis of estimation of the transcriptional profile in cumulus cells in the program of in vitro fertilization

Номер патента: RU2657769C1. Автор: Геннадий Тихонович Сухих,Наталья Александровна Сафонова,Ольга Владимировна Бурменская,Андрей Евгеньевич Донников,Елена Анатольевна Калинина,Наталья Петровна Макарова,Наталья Витальевна Долгушина,Виктория Константиновна Горшинова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр акушерства, гинекологии и перинатологии имени академика В.И. Кулакова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-15.

A method of using a virtual digital model of a patient's walking for the differentiated construction of an individual program of physical rehabilitation in the early recovery period of ischemic stroke, depending on the affected region

Номер патента: RU2741860C1. Автор: Анатолий Дмитриевич Фесюн,Евгений Иванович Гусев,Михаил Юрьевич Мартынов,Андрей Петрович Рачин,Ирина Анатольевна Беляева,Яна Геннадьевна Пёхова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный медицинский исследовательский центр реабилитации и курортологии» Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ «НМИЦ РК» Минздрава России). Дата публикации: 2021-01-29.

Managing persistent memory regions across multiple protocols

Номер патента: US11907587B2. Автор: Ramanathan Muthiah,Pradeep Sreedhar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Managing persistent memory regions across multi protocols

Номер патента: WO2022260727A1. Автор: Ramanathan Muthiah,Pradeep Sreedhar. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-12-15.

Unit of background lighting, liquid crystal display device, method of brightness control, program of brightness control and record medium

Номер патента: RU2483497C2. Автор: Кохдзи ФУДЗИВАРА,Синдзи СУМИНОЕ. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-05-27.

Device for image processing, method of image processing and program of image display

Номер патента: RU2441268C2. Автор: Хироюки ОЗАВА,Нобуки ФУРУЭ,Аяко ИВАСЕ,Сатоси АКАГАВА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2012-01-27.

Location based on region for terminals in wireless communication network

Номер патента: RU2354990C2. Автор: Уайатт РАЙЛИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-05-10.

Computer program of device calibration for borehole resistivity logging

Номер патента: RU2641628C2. Автор: Буркай ДОНДЕРИДЖИ. Владелец: Хэллибертон Энерджи Сервисиз Инк.. Дата публикации: 2018-01-18.

Electronic device, method and program of its control, and accumulator providing for operation of electronic device

Номер патента: RU2369945C2. Автор: Момое КАЦУМАТА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-10-10.

System and way of installation and execution of application programs of preferences

Номер патента: RU2364917C2. Автор: Холли НАЙТ,Роберт Х. ГЕРБЕР,Мурали М. КРУШНА,Нираньян НИЛАКАНТАН,Шахаф АБИЛЕА,Шьямалан ПАТХЕР. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2009-08-20.

Programming of notifications based on following user activity

Номер патента: RU2678088C1. Автор: Джастин ЛЬЮИС,Руксандра Джорджиана ДЭЙВИС. Владелец: Гугл Ллс. Дата публикации: 2019-01-23.

Imaging apparatus, finder display control method of imaging apparatus, finder display control program of imaging apparatus, and viewfinder

Номер патента: US20200257182A1. Автор: Kosuke Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Self-propelled device, and travelling control method and travelling control program of self-propelled device

Номер патента: EP3680742A1. Автор: Satoshi Ozaki,Mayuko Mori,Masaaki Tanoue,Kazuteru TOBITA. Владелец: NSK LTD. Дата публикации: 2020-07-15.

Method for controlling an automation system having visualization of program objects of a control program of the automation system, and automation system

Номер патента: US12032962B2. Автор: Ralf Dreesen. Владелец: Beckhoff Automation GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Self-propelled device, and method and travel control computer program of controlling traveling of self-propelled device

Номер патента: US20200080850A1. Автор: Satoshi Ozaki,Mayuko Mori,Masaaki Tanoue,Kazuteru TOBITA. Владелец: NSK LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory device and method for saving and restoring data using nonvolatile memory

Номер патента: US09946610B2. Автор: Tadaaki Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Device to process data, method and program of data processing

Номер патента: RU2510929C2. Автор: Фуминори ХОММА,Тацуси НАСИДА,Коуити МАЦУДА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-04-10.

Secondary battery management system, secondary battery management method and secondary battery management program of said secondary battery management system

Номер патента: GB2592774A. Автор: YASUGI Akira. Владелец: Mitsubishi Power Ltd. Дата публикации: 2021-09-08.

Method for interrupting the execution of an overall program of an electronic control unit

Номер патента: US20150378754A1. Автор: Lars STOCKMANN,Fabian EDLING. Владелец: dSPACE digital signal processing and control engineering GmbH. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of setting driver program of image processing device and image processing system with transparent function

Номер патента: US20130239035A1. Автор: Yang-moon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-12.

Fraudulence monitoring system of table game and fraudulence monitoring program of table game

Номер патента: SG10201808203XA. Автор: Yasushi Shigeta. Владелец: Angel Playing Cards Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-29.

Maintenance computer of plant monitoring and control system and non-transitory computer-readable recording medium storing maintenance program of plant monitoring and control system

Номер патента: US10663962B2. Автор: Masashi HIRAHATAKE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Method for manipulating a control program of a control device

Номер патента: US20160282831A1. Автор: Marc Dressler,Thorsten Hufnagel,Bastian Kellers. Владелец: dSPACE digital signal processing and control engineering GmbH. Дата публикации: 2016-09-29.

Maintenance computer of plant monitoring and control system and non-transitory computer-readable recording medium storing maintenance program of plant monitoring and control system

Номер патента: US20180341256A1. Автор: Masashi HIRAHATAKE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Acoustic pressure estimation system, acoustic pressure estimation method and acoustic pressure estimation program of the same

Номер патента: EP3882592A3. Автор: Kentaro Hayashi,Takahiro Nakano,Hiroyuki Hosoya. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Method to manage driver program of image forming apparatus, and apparatus thereof

Номер патента: US20090083651A1. Автор: Young-Gu Kim,Sang-Hyup Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

System and method for downloading application program of industrial electric vehicle driver

Номер патента: LU502888B1. Автор: Hao Chen,Sheng Zhang,Huan Ma,Haidong Ji,Xun Hao,Jianning Gong,Yuntong Wang. Владелец: Machinery Technology Dev Co. Дата публикации: 2023-06-19.

Microcontroller and assigned method for processing the programming of the microcontroller

Номер патента: EP1565800A1. Автор: Juergen c/o Philips IP & Standards GmbH SCHROEDER,Detlef c/o Philips IP & Standards GmbH MUELLER. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-08-24.

Technologies for secure authentication and programming of accelerator devices

Номер патента: US11720503B2. Автор: Reshma Lal,Vincent Scarlata,Alpa NARENDRA TRIVEDI,Eric Innis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

System and method for downloading application program of industrial electric vehicle driver

Номер патента: US20230199072A1. Автор: Hao Chen,Sheng Zhang,Huan Ma,Haidong Ji,Xun Hao,Jianning Gong,Yuntong Wang. Владелец: MACHINERY TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Acoustic pressure estimation system, acoustic pressure estimation method and acoustic pressure estimation program of the same

Номер патента: EP3882592A2. Автор: Kentaro Hayashi,Takahiro Nakano,Hiroyuki Hosoya. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Data input device and method, and computer system using the same and method for running program of computer system

Номер патента: EP1073948A1. Автор: Jong Woo 101-901 Hansung Apt. LEE. Владелец: Alop Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-07.

Devices and methods for remote programming of implanted neurostimulation systems

Номер патента: AU2021369686A9. Автор: Guangqiang Jiang,John WOOCK,Prabodh Mathur,Rinda Sama,Faizal Abdeen,Charles Borlase. Владелец: Axonics Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for Outputting a Starting Region for a Parking Process of a Motor Vehicle, Electronic Computing Apparatus, and Motor Vehicle

Номер патента: US20240290205A1. Автор: Philipp Hüger,Sascha Ziebart. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-08-29.

System and method for downloading application program of industrial electric vehicle driver

Номер патента: US11778042B2. Автор: Hao Chen,Sheng Zhang,Huan Ma,Haidong Ji,Xun Hao,Jianning Gong,Yuntong Wang. Владелец: MACHINERY TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Operational programming of a facility

Номер патента: US09946252B2. Автор: Philip H. Warrick,Anantha Sundaram,Joseph W. Evans,Jayanth Balasubramanian,Victor P. DePAOLA,Stephen R. BRADSHAW,Gary Robert KOCIS,Nicholas J. BOOKER,George E. FRIEDRICH,Eric A. WINKLER. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2018-04-17.

System and method for collaborative programming of data entry workflows between system developers, end users, and third party developers

Номер патента: US09928340B2. Автор: Massoud Alibakhsh,Shahram Famorzadeh. Владелец: Nuesoft Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for online updating program of network power supply, network power supply and communication system

Номер патента: US20240231800A1. Автор: Jian Zhou,Yu Shen,Hui Huang. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

A method for calibrating and programming of a robot application

Номер патента: EP1631422A1. Автор: Zhongxue Gan,Gregory Rossano,Xiongzi Li,Yunquan Sun,Quing Tang,Torgny Brog Rdh,H Kan Brantmark. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 2006-03-08.

Method for Running Startup Program of Electronic Device, and Electronic Device

Номер патента: US20240176887A1. Автор: Fei Zhou,Deyuan DONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Transient response analysis program of capacitor, recording medium, method of analysis, and simulator

Номер патента: US20040249603A1. Автор: Hiroyuki Maeshima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Method and system for ontology-driven querying and programming of sensors

Номер патента: EP2446364A1. Автор: Kerry Lea Taylor. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2012-05-02.

System and method for ai-based programming of battery agnostic energy storage system

Номер патента: US20240297522A1. Автор: Xi Wang,Eric C. Lundgren,Marshall Neipert,Xiao Ren Dong. Владелец: BigBattery Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of user proportion investigation and population estimation in a region for mobile communication operators

Номер патента: US20200213865A1. Автор: Peiqun LIN,Yongwei LEI,Litian CHEN. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2020-07-02.

Developing and implementing programs of applied behavioral analysis

Номер патента: US20240274268A1. Автор: J.J. Tomash,Seidy Snyder,Nicole Da Lima Leitao,Alex Eakins. Владелец: Behaviorspan LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method for data interrogation and/or remote programming of a medical device

Номер патента: US20240245922A1. Автор: James Lowry,James Horton,Alan Fryer,Lauren Kraiter,Dean Bergstrom,Rainer Joerg Grosskopf,Dawn Gayle FLAKNE,Yarisa JAROCH GONZALEZ. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2024-07-25.

Scalable scribe regions for implementing user circuit designs in an integrated circuit using dynamic function exchange

Номер патента: US20230098098A1. Автор: Adam P. Donlin,Kyle Corbett,Christopher J. Case. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

System for the programming of a measuring instrument installed in an automotive vehicle

Номер патента: US4824378A. Автор: Egon Betz. Владелец: Mannesmann VDO AG. Дата публикации: 1989-04-25.

Method for starting a software program of an automotive computing unit, automotive computing unit and computing system for a motor vehicle

Номер патента: WO2024194256A1. Автор: Mena Nagiub Takwa Hanna. Владелец: VALEO SCHALTER UND SENSOREN GMBH. Дата публикации: 2024-09-26.

Automatic synthesis of a content-aware sampling region for a content-aware fill

Номер патента: US12136199B2. Автор: Elya Shechtman,Sohrab Amirghodsi,Derek Novo. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Method and apparatus for detecting biometric region for user authentication

Номер патента: US09875418B2. Автор: JaeJoon HAN,Wonjun Hwang,Changkyo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

System and method for wireless re-programming of memory in a communication system

Номер патента: US09819498B2. Автор: Steven L. Geerlings,Todd R. Witkowski,Carl L. Shearer,Thomas D. Klaver,Chris H. Vuyst. Владелец: Gentex Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Technologies for secure programming of a cryptographic engine for secure i/o

Номер патента: EP3326105A1. Автор: Steven B. McGowan,Siddhartha Chhabra,Reshma Lal,Bin Xing,Pradeep M. Pappachan,Gideon Gerzon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-30.

Technologies for secure programming of a cryptographic engine for trusted i/o

Номер патента: US20170024584A1. Автор: Steven B. McGowan,Siddhartha Chhabra,Reshma Lal,Bin Xing,Pradeep M. Pappachan,Gideon Gerzon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Surgical microscope having a connection region for attaching a protective glass module

Номер патента: US20230093637A1. Автор: Andreas Raab,Manuel Steidle. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2023-03-23.

Automatically suggesting regions for blur kernel estimation

Номер патента: US09779489B2. Автор: Dong Feng,Jue Wang,Sunghyun Cho,Jen-Chan Chien. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and magnetic resonance system for automated determination of an acquisition volume related to an examination region for the acquisition of a magnetic resonance data set

Номер патента: US09689943B2. Автор: Radhouene Neji,Martin Requardt. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Identifying gray regions for auto white balancing

Номер патента: US20160309132A1. Автор: Meng Yao. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-10-20.

Identifying gray regions for auto white balancing

Номер патента: US09826210B2. Автор: Meng Yao. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Remote programming of serialised semiconductor devices using web or internet protocols

Номер патента: EP1343081A3. Автор: David Watson,Francis Zhu. Владелец: Mitel Knowledge Corp. Дата публикации: 2003-12-17.

Embedded programming language to facilitate programming of an information packet processing unit

Номер патента: US20040103403A1. Автор: Viswanath Nanjundiah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Devices and methods for improved remote programming of implanted neurostimulation systems

Номер патента: AU2023264531A1. Автор: Guangqiang Jiang,John WOOCK,Prabodh Mathur,Rinda Sama,Faizal Abdeen,Charles Borlase. Владелец: Axonics Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Multi-step programming of heat-sensitive non-volatile memory (NVM) in processor-based systems

Номер патента: US09753874B2. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Rashid Ahmed Akbar Attar,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Adam Edward NEWHAM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

System of paper sheet manipulation, device of paper sheet recognition, device of paper sheet manipulation, method of paper sheet manipulation and program of paper sheet manipulation

Номер патента: RU2471242C2. Автор: Гуи ФУ,Тосио НУМАТА,Содзи ТОМИЯ,Хадзиме МОРИНО. Владелец: Глори Лтд.. Дата публикации: 2012-12-27.

Device for determining rational program of maintenance and operation of article

Номер патента: RU2701484C1. Автор: Николай Иванович Крылов,Дмитрий Александрович Ефремов,Александр Дмитриевич Козлов,Лев Николаевич Муравьев,Константин Константинович Бессонов,Татьяна Валентиновна Сёмина,Светлана Александровна Слободскова,Елена Львовна Тарасова,Юрий Михайлович Фоминых. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "4 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-09-26.

Navigation device, method and program of navigation

Номер патента: RU2328702C2. Автор: Син КИКУТИ,Кесуке ОНИСИ,Юсуке СУЗУКИ,Син КИКУТИ (JP),Кесуке ОНИСИ (JP),Юсуке СУЗУКИ (JP). Владелец: Навитайм Джапэн Ко., Лтд. Дата публикации: 2008-07-10.

Decoder of speech, coder of speech, method of decoding the speech, method of coding the speech, program of decoding the speech and program of coding the speech

Номер патента: RU2630379C1. Автор: Кей КИКУИРИ,Ацуси ЯМАГУТИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2017-09-07.

System for time programming of states by communicating time data via a continuously rotatable potentiometer

Номер патента: US4837731A. Автор: James Russo,Victor Rigotti,Matthew Levine,Roger Clark,Anthony Cairo. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1989-06-06.

Control device of propeller for ship, control method of propeller for ship, and control program of propeller for ship

Номер патента: US20210004007A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Takashi Hashizume,Akifumi Fujima. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Visual programming of machine learning state machines

Номер патента: US20230385083A1. Автор: Yueqi LI. Владелец: Mineral Earth Sciences LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-transitory computer-readable storage medium storing a program of screen control and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US10559277B2. Автор: Takamasa Nakamura,Tsuneo Torikoshi. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2020-02-11.

Camera, display control method of camera, and display control program of camera

Номер патента: US20190199936A1. Автор: Yuichi Fujimura,Atsushi Misawa,Takeshi Misawa,Hirofumi Horii,Kentaro Tokiwa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Method and system for synchronously updating programs of intelligent apparatuses

Номер патента: US20160224330A1. Автор: Chung-Chiu Lai. Владелец: Gemtek Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Methods and Systems for Voice-Based Programming of a Voice-Controlled Device

Номер патента: US20190074003A1. Автор: Scott B. Guthery. Владелец: 4q Catalyst LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Computing device and method for outputting programs of a workpiece

Номер патента: US20160147218A1. Автор: Chih-Kuang Chang,Xin-Yuan Wu,Zong-Tao Yang. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Method for running startup program of electronic device, and electronic device

Номер патента: EP4296860A1. Автор: Fei Zhou,Deyuan DONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Imaging control device, operation method and program of imaging control device, and imaging device

Номер патента: US20230171474A1. Автор: Tetsuya Fujikawa,Masahiko Sugimoto,Shinichi Shimotsu,Toshihiro AOI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Visual programming of machine learning state machines

Номер патента: US11755345B2. Автор: Yueqi LI. Владелец: Mineral Earth Sciences LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Formal Verification of a Program of a Control Device

Номер патента: US20240086303A1. Автор: Vladislav Nenchev. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for estimating a dynamic molecular program of a cell

Номер патента: WO2023225618A2. Автор: Christine CHAFFER,Smita Krishnaswamy,Manik KUCHROO,Alex TONG. Владелец: GARVAN INSTITUTE OF MEDICAL RESEARCH. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of rewriting programs of plurality of electronic devices in watercraft system and watercraft system

Номер патента: EP4303722A1. Автор: Takaaki Bamba. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Method of rewriting programs of plurality of electronic devices in watercraft system and watercraft system

Номер патента: US20240012622A1. Автор: Takaaki Bamba. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of rewriting programs of plurality of electronic devices in watercraft system and watercraft system

Номер патента: US20240012621A1. Автор: Takaaki Bamba. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of rewriting programs of plurality of electronic devices in watercraft system and watercraft system

Номер патента: EP4303721A1. Автор: Takaaki Bamba. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Medical image processing device, operation method of medical image processing device, and operation program of medical image processing device

Номер патента: US20240020838A1. Автор: Mizuki Takei,Aya OGASAWARA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method, system, and program of searching for a pair of fragments from two data sequences

Номер патента: US20020120403A1. Автор: Wen-Hsuang Yao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-08-29.

Recommendation information presentation device, operation method of recommendation information presentation device, operation program of recommendation information presentation device

Номер патента: US20230351122A1. Автор: Yasuhiko Kaneko. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Learning device, operating method of learning device, operating program of learning device, and operating device

Номер патента: EP3995997A1. Автор: Masataka Hasegawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-05-11.

Learning apparatus, operation method of learning apparatus, operation program of learning apparatus, and operating apparatus

Номер патента: US20220091589A1. Автор: Masataka Hasegawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Information processing apparatus, operation method of information processing apparatus, and operation program of information processing apparatus

Номер патента: US20240004523A1. Автор: Masako Yoshida. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Non-transitory computer-readable storage medium storing a program of screen control and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20190043443A1. Автор: Takamasa Nakamura,Tsuneo Torikoshi. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Communication apparatus, control program of communication apparatus, and relay apparatus providing efficient download of electronic data

Номер патента: US20180375923A1. Автор: Satoshi Watanabe,Katsuaki Ito,Kazutaka Yamamoto,Takeshi Nagasaki,Masafumi Miyazawa,Hirokazu Banno,Yutaka Urakawa,Yusuke Shimada. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Camera, setting method of camera, and setting program of camera

Номер патента: US20190155129A1. Автор: Yuichi Fujimura,Atsushi Misawa,Takeshi Misawa,Hirofumi Horii,Kentaro Tokiwa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Disaster information processing apparatus, operation method of disaster information processing apparatus, operation program of disaster information processing apparatus, and disaster information processing system

Номер патента: US20230239437A1. Автор: Mikihiko KARUBE. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Disaster information processing apparatus, operation method of disaster information processing apparatus, operation program of disaster information processing apparatus, and disaster information processing system

Номер патента: US20230231975A1. Автор: Mikihiko KARUBE. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Imaging apparatus, finder display control method of imaging apparatus, and finder display control program of imaging apparatus

Номер патента: US11233947B2. Автор: Kosuke Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-01-25.

Instructions providing new functionality for utilization by a target system program of host system container words during computer system emulation with host word size larger than that of the emulated machine

Номер патента: US20080208562A1. Автор: Russell W. Guenthner,John Heath,Sidney L. Andress. Владелец: Bull HN Information Systems Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Method for estimating a dynamic molecular program of a cell

Номер патента: WO2023225618A3. Автор: Christine CHAFFER,Smita Krishnaswamy,Manik KUCHROO,Alex TONG. Владелец: GARVAN INSTITUTE OF MEDICAL RESEARCH. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of generating a structured program of adapted physical activities, and which is articulated temporally with a program of feeding activities

Номер патента: US20160110521A1. Автор: Sébastien Marcel PASCAL. Владелец: BIOMOUV. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for controlling an automation system having visualization of program objects of a control program of the automation system, and automation system

Номер патента: US20230146492A1. Автор: Ralf Dreesen. Владелец: Beckhoff Automation GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-05-11.

Operational programming of a facility

Номер патента: US20180231964A1. Автор: Philip H. Warrick,Anantha Sundaram,Joseph W. Evans,Jayanth Balasubramanian,Victor P. DePAOLA,Stephen R. BRADSHAW,Gary Robert KOCIS,Nicholas J. BOOKER,George E. FRIEDRICH,Eric A. WINKLER. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2018-08-16.

Program module management system and method thereof and storing medium of management programs of the system

Номер патента: US20020023196A1. Автор: Nobuyuki Hirai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Apparatus and method for motion detection and tracking of objects in a region for collision avoidance utilizing a real-time adaptive probabilistic neural network

Номер патента: US5613039A. Автор: C. David Wang,James P. Thompson. Владелец: AIL Systems Inc. Дата публикации: 1997-03-18.

Devices and methods for remote programming of implanted neurostimulation systems

Номер патента: AU2021369686A1. Автор: Guangqiang Jiang,John WOOCK,Prabodh Mathur,Rinda Sama,Faizal Abdeen,Charles Borlase. Владелец: Axonics Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for debugging program of manycore parallel processor based on code execution and apparatus using the same

Номер патента: US20230130429A1. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-04-27.

A method for optimizing a robot program of a welding robot unit

Номер патента: WO2016107639A1. Автор: Tommy Svensson. Владелец: ABB TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Method and system for pre-flight programming of a remote identification (remote ID) system for monitoring the flight of an unmanned aircraft system (UAS) in the national airspace system (NAS)

Номер патента: US11837100B2. Автор: David Dale Jensen. Владелец: Rumfert LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Connection control method and system for vehicle control program of vehicle

Номер патента: US10470227B2. Автор: Sang Yong Jung. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Connection control method and system for vehicle control program of vehicle

Номер патента: US20180124845A1. Автор: Sang Yong Jung. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Camera, setting method of camera, and setting program of camera

Номер патента: US20230291996A1. Автор: Yuichi Fujimura,Atsushi Misawa,Takeshi Misawa,Hirofumi Horii,Kentaro Tokiwa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Electronic apparatus, control method of electronic apparatus, and control program of electronic apparatus

Номер патента: US20160231922A1. Автор: Sunao Hashimoto,Hideki Morita,Yasuhiro Ueno,Shigeki Tanabe,Isao MASUIKE,Daisuke Tsuiki,Atsuo Chiba,Daisuke Ibuki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Imaging device, and operation method and imaging control program of imaging device

Номер патента: US20200217781A1. Автор: Takashi Murooka. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Remote programming of unique and secure supply tags

Номер патента: EP4062323A1. Автор: Ryan Boudreau,Jagdish Rebello,Mark Oeltjenbruns,Tyler Nehowig,Tom WAGENER,Travis Morrison. Владелец: Entrust Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Updating boot program of an air conditioning control apparatus

Номер патента: US11543144B2. Автор: Kensuke Nakajima. Владелец: Denso Wave Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Devices and methods for remote programming of implanted neurostimulation systems

Номер патента: WO2022094135A1. Автор: Guangqiang Jiang,John WOOCK,Prabodh Mathur,Rinda Sama,Faizal Abdeen,Charles Borlase. Владелец: Axonics, Inc.. Дата публикации: 2022-05-05.

A method and system for remote chlorophyll detection and determination of measurement regions for chlorophyll direct measurement

Номер патента: EP4343312A1. Автор: Stefan Reusch. Владелец: Yara International ASA. Дата публикации: 2024-03-27.

Devices and methods for remote programming of implanted neurostimulation systems

Номер патента: CA3200264A1. Автор: Guangqiang Jiang,John WOOCK,Prabodh Mathur,Rinda Sama,Faizal Abdeen,Charles Borlase. Владелец: Axonics Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Devices and methods for remote programming of implanted neurostimulation systems

Номер патента: EP4237940A1. Автор: Guangqiang Jiang,John WOOCK,Prabodh Mathur,Rinda Sama,Faizal Abdeen,Charles Borlase. Владелец: Axonics Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

System and method for data interrogation and/or remote programming of a medical device

Номер патента: CA3217695A1. Автор: James Lowry,James Horton,Alan Fryer,Lauren Kraiter,Dean Bergstrom,Rainer Joerg Grosskopf,Dawn Gayle FLAKNE,Yarisa JAROCH GONZALEZ. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2022-12-08.

System and method for data interrogation and/or remote programming of a medical device

Номер патента: EP4347006A1. Автор: James Lowry,James Horton,Alan Fryer,Lauren Kraiter,Dean Bergstrom,Rainer Joerg Grosskopf,Dawn Gayle FLAKNE,Yarisa JAROCH GONZALEZ. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2024-04-10.

Camera, setting method of camera, and setting program of camera

Номер патента: US12003847B2. Автор: Yuichi Fujimura,Atsushi Misawa,Takeshi Misawa,Hirofumi Horii,Kentaro Tokiwa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

A method for optimizing a robot program of a welding robot unit

Номер патента: EP3241083A1. Автор: Tommy Svensson. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-11-08.

System and method for data interrogation and/or remote programming of a medical device

Номер патента: AU2022285809A1. Автор: James Lowry,James Horton,Alan Fryer,Lauren Kraiter,Dean Bergstrom,Rainer Joerg Grosskopf,Dawn Gayle FLAKNE,Yarisa JAROCH GONZALEZ. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2023-11-30.

Receiving device of a detection device for monitoring at least one monitoring region for objects, detection device, vehicle comprising at least one detection device, and method for operating a selection device

Номер патента: US20230417922A1. Автор: Thomas Schuler,Christoph Parl,Wensi Zheng. Владелец: VALEO SCHALTER UND SENSOREN GMBH. Дата публикации: 2023-12-28.

A method and system for remote chlorophyll detection and determination of measurement regions for chlorophyll direct measurement

Номер патента: WO2024061801A1. Автор: Stefan Reusch. Владелец: Yara International ASA. Дата публикации: 2024-03-28.

A method for controlling an industrial robot during lead-through programming of the robot and an industrial robot

Номер патента: EP3582934A1. Автор: Elina Vartiainen,Adam HENRIKSSON,Jonatan Blom,Alvaro ARANDA MUNOZ,Maria RALPH. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-12-25.

Apparatus and method for in-system programming of integrated circuits containing programmable elements

Номер патента: US6134707A. Автор: Alan L. Herrmann,Timothy J. Southgate. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Non-transitory computer readable medium for image processing searching colored regions for region satisfying searching condition, and image-processing apparatus for performing the image processing

Номер патента: US7949180B2. Автор: Kazuya Hashimoto,Yasuaki Mitobe,Kazunori Kurokawa,Aki Maeda,Fumio Takatani. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Coupling region for optical systems

Номер патента: US20070009208A1. Автор: James Guenter,Jack Gilkerson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

Broadcast regions for multi-processor arrangement

Номер патента: US20230315670A1. Автор: Erik Persson,Rune Holm,Graeme Leslie Ingram,John Wakefield BROTHERS, III. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Automatic determination method of inspection region for substrate holding state abnormality inspection and substrate processing system

Номер патента: US10242459B2. Автор: Hiroshi Sano. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Devices and methods for improved remote programming of implanted neurostimulation systems

Номер патента: WO2023215420A1. Автор: Guangqiang Jiang,John WOOCK,Prabodh Mathur,Rinda Sama,Faizal Abdeen,Charles Borlase. Владелец: Axonics, Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Automatically suggesting regions for blur kernel estimation

Номер патента: US20160267629A1. Автор: Dong Feng,Jue Wang,Sunghyun Cho,Jen-Chan Chien. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Automatically suggesting regions for blur kernel estimation

Номер патента: US20170243333A1. Автор: Dong Feng,Jue Wang,Sunghyun Cho,Jen-Chan Chien. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Automatic determination method of inspection region for substrate holding state abnormality inspection and substrate processing system

Номер патента: US20170236303A1. Автор: Hiroshi Sano. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Selecting geographic regions for evaluation of content presented by an online system based on characteristics of online system users

Номер патента: US20180218378A1. Автор: Anusaya Kukade,Patrick James Kemp,Nikhil Tarun Shah. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Method and system for generating a perception scene graph having a focus region for a motor vehicle

Номер патента: US20180342065A1. Автор: Jeffrey Gene Hovis,Michael Bernhard Szczerba. Владелец: DURA OPERATING LLC. Дата публикации: 2018-11-29.

In-View and Out-of-View Request-Related Result Regions for Respective Result Categories

Номер патента: US20160078106A1. Автор: Michael R. Kennewick, SR.. Владелец: VoiceBox Technologies Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method and system for identification of target sites in protein coding regions for combating pathogens

Номер патента: WO2020245783A3. Автор: Sharmila Shekhar Mande,Swadha Anand,Preethi Alagarai SAMPATH. Владелец: TATA CONSULTANCY SERVICES LIMITED. Дата публикации: 2021-05-14.

Methods, systems, articles of manufacture, and apparatus to dynamically determine interaction display regions for screen sharing

Номер патента: US20220334790A1. Автор: Sean J. W. Lawrence. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-20.

Method utilizing dummy patterns to fabricate active region for stabilizing lithographic process

Номер патента: US20030212981A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Jia-Rong Chiou,Kuong-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Devices and methods for improved remote programming of implanted neurostimulation systems

Номер патента: US20230355996A1. Автор: Guangqiang Jiang,John WOOCK,Prabodh Mathur,Rinda Sama,Faizal Abdeen,Charles Borlase. Владелец: Axonics Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Broadcast regions for multi-processor arrangement

Номер патента: US12001369B2. Автор: Erik Persson,Rune Holm,Graeme Leslie Ingram,John Wakefield BROTHERS, III. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Method and system for identification of target sites in protein coding regions for combating pathogens

Номер патента: US20220235352A1. Автор: Sharmila Shekhar Mande,Swadha Anand,Preethi Alagarai SAMPATH. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method and system for identification of target sites in protein coding regions for combating pathogens

Номер патента: EP3981002A2. Автор: Sharmila Shekhar Mande,Swadha Anand,Preethi Alagarai SAMPATH. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2022-04-13.

Identification of unit overlap regions for concatenative speech synthesis system

Номер патента: EP1035537A3. Автор: Steve Pearson,Nicholas Kibre. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-17.

Method of performing reliable updates in a symmetrically blocked nonvolatile memory having a bifurcated storage architecture

Номер патента: US6622200B1. Автор: David A. Edwards,Andrew H. Gafken,Robert N. Hasbun,Christopher J. Spiegel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Electronic apparatus having nonvolatile memory and program writing method for updating

Номер патента: US9665484B2. Автор: Akihiko Ikazaki. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

JTAG component description via nonvolatile memory

Номер патента: US5325368A. Автор: David L. Simpson,Mark A. Taylor,Larry C. James,Chris A. Harrison. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Dynamic nonvolatile memory update in a computer system

Номер патента: US5930504A. Автор: Douglas L. Gabel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10209894B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

One chip microcomputer having programmable I/O terminals programmed according to data stored in nonvolatile memory

Номер патента: US5396639A. Автор: Yoshiaki Suenaga,Shigemi Chimura,Hiroaki Masumoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-03-07.

Storage control system with improved system and technique for destaging data from nonvolatile memory

Номер патента: US5404500A. Автор: Vern J. Legvold,Steven C. Cowley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-04-04.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240070033A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240069782A1. Автор: Kui-Yon Mun,Junyeong HAN,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Storage device, nonvolatile memory system including memory controller, and operating method of the storage device

Номер патента: US11947466B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Myeongjong Ju,Mingon Shin,Hwasoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11947837B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Copying data from a linear tape file system-based storage system to a random access nonvolatile memory drive

Номер патента: EP4256425A1. Автор: Atsushi Abe,Hiroshi Itagaki,Noriko Yamamoto,Tohru Hasegawa,Tsuyoshi Miyamura,Shinsuke Mitsuma,Sosuke Matsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Copying data from a linear tape file system-based storage system to a random access nonvolatile memory drive

Номер патента: WO2022117344A1. Автор: Atsushi Abe,Hiroshi Itagaki,Noriko Yamamoto,Tohru Hasegawa,Tsuyoshi Miyamura,Shinsuke Mitsuma,Sosuke Matsui. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230297289A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Computer system and method for redundantizing nonvolatile memory

Номер патента: US10552088B2. Автор: Masanori Takada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-02-04.

Method for controlling nonvolatile memory and storage medium storing program

Номер патента: US20160267003A1. Автор: Minako Morio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230333978A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Electronic device and method for determining lifespan and failure of nonvolatile memory storage device

Номер патента: US20230333748A1. Автор: Dae Won Kim. Владелец: Thinkware Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US10324869B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-18.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US11216394B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US11543969B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US11068167B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Nonvolatile memory scheduling method, system and device, and readable storage medium

Номер патента: US11789615B2. Автор: Zhen Feng,Dong Zhang,Bingheng Yan. Владелец: Inspur Electronic Information Industry Co Ltd . Дата публикации: 2023-10-17.

Nonvolatile memory scheduling method, system and device, and readable storage medium

Номер патента: US20230195315A1. Автор: Zhen Feng,Dong Zhang,Bingheng Yan. Владелец: Inspur Electronic Information Industry Co Ltd . Дата публикации: 2023-06-22.

Memory system locking or unlocking data read to nonvolatile memory and control method thereof

Номер патента: US20200125279A1. Автор: Kazuhiro KUSHIYA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory system and control method controlling nonvolatile memory in accordance with command issued by processor

Номер патента: US11762597B2. Автор: Tomoya Suzuki,Shuou Nomura,Hirotsugu KAJIHARA,Kazuhiro Hiwada,Shintaro Sano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11861218B2. Автор: Hiroshi Nishimura,Hideki Yoshida,Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Reducing power consumption by preventing memory image destaging to a nonvolatile memory device

Номер патента: US11880262B2. Автор: Adam Kupczyk,Gabriel Benhanokh. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230387942A1. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Hardware anti-piracy via nonvolatile memory devices

Номер патента: WO2009058691A1. Автор: William Michael Beals. Владелец: EchoStar Technologies L.L.C.. Дата публикации: 2009-05-07.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190094927A1. Автор: Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shohei Asami,Yuka Kuwano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20170262377A1. Автор: Hiroshi Yao,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

System and Method for Securing Nonvolatile Memory for Execute-in-Place

Номер патента: US20230418603A1. Автор: Joshua Norem,Marius Grannaes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11954368B2. Автор: Tatsuya Sasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods for fast, secure boot from nonvolatile memory device and corresponding systems and devices for the same

Номер патента: US11809566B2. Автор: Shinsuke Okada,Daisuke Nakata. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Enhanced first level storage cache using nonvolatile memory

Номер патента: WO2007056669A3. Автор: E Earle Thompson,Kevin M Conley. Владелец: Kevin M Conley. Дата публикации: 2007-09-20.

Systems, methods, and devices for secured nonvolatile memories

Номер патента: US11954206B2. Автор: Zhi Feng,Sandeep Krishnegowda. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Method and apparatus for server platform architectures that enable serviceable nonvolatile memory modules

Номер патента: EP3074878A1. Автор: Dimitrios Ziakas,Mohan J. Kumar,Bassam N. Coury,Murugasamy K. Nachimuthu,Russell J. Wunderlich,Thi Dang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-05.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240070067A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Information processing apparatus having volatile memory used to cache write data to nonvolatile memory, power supply method therefor, and storage medium storing program therefor

Номер патента: US11301026B2. Автор: Tsutomu Kubota. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Techniques for managing writes in nonvolatile memory

Номер патента: US11972153B1. Автор: Robert Lercari,Mike Jadon,Andrey V. Kuzmin. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell strings

Номер патента: US20230157022A1. Автор: Hyunwoo Kim,Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN,Changseok Lee,Dongjin Yun,Sehun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10310810B2. Автор: Naoya Fukuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220292030A1. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Methods, devices and systems for high speed transactions with nonvolatile memory on a double data rate memory bus

Номер патента: US11971832B2. Автор: Stephan Rosner,Hans Van Antwerpen,Morgan Andrew Whately,Clifford Zitlaw. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Advanced bitwise operations and apparatus in a multi-level system with nonvolatile memory

Номер патента: US10740173B2. Автор: Stephen P. Van Aken,Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Electronic device and method for determining lifespan and failure of nonvolatile memory storage device

Номер патента: US11720257B2. Автор: Dae Won Kim. Владелец: Thinkware Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240061610A1. Автор: Hiroshi Nishimura,Hideki Yoshida,Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240078027A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Gyeongmin Kim,Keunsan Park,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Advanced bitwise operations and apparatus in a multi-level system with nonvolatile memory

Номер патента: US11804856B2. Автор: Stephen P. Van Aken,Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11983444B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Copying data from a linear tape file system (LTFS)-based storage system to a random access nonvolatile memory (RANVM) drive in units of blocks of the drive

Номер патента: US11886724B2. Автор: Atsushi Abe,Hiroshi Itagaki,Noriko Yamamoto,Tohru Hasegawa,Tsuyoshi Miyamura,Shinsuke Mitsuma,Sosuke Matsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Storage devices including nonvolatile memory and related methods

Номер патента: US20240069751A1. Автор: Jinwook Lee,Bongsoon LIM,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11875059B2. Автор: Hisashi Otani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Information processing apparatus having volatile memory used to cache write data to nonvolatile memory, power supply method therefor, and storage medium storing program therefor

Номер патента: US20200285299A1. Автор: Tsutomu Kubota. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Storage system including nonvolatile memory module and operating method of the nonvolatile memory module

Номер патента: US20210026567A1. Автор: Do-Han Kim,Seung-Woo Lim,Kyu-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory by controlling the writing of data to and reading of data from a plurality of blocks in the nonvalatile memory

Номер патента: US20230376250A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Computer system and method for redundantizing nonvolatile memory

Номер патента: US20190317695A1. Автор: Masanori Takada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Self-measuring nonvolatile memory device systems and methods

Номер патента: US20160147997A1. Автор: Lance Walker Dover. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-05-26.

Graphics memory extended with nonvolatile memory

Номер патента: US20180293173A1. Автор: Bo Qiu,Travis T. Schluessler,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Jonathan Kennedy,Ankur N. Shah,Jianfang Zhu,Kim Pallister,Deepak Gandiga Shivakumar,Ajit Krisshna Nandyal Lakshman,Nikhil Talpallikar,Cristiano J. Ferreira,Brandt M. Guttridge,Frank J. Soqui,Anand Srivatsa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

System and method of utilizing nonvolatile memory media associated with an information handling system

Номер патента: US20240020030A1. Автор: Vivek Sundaresan,Ashokan Vellimalai,Shashi Kiran Belur. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-01-18.

Nonvolatile memory

Номер патента: US20200301602A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Heuristic interface for enabling a computer device to utilize data property-based data placement inside a nonvolatile memory device

Номер патента: US11989160B2. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN,Derrick Tseng,Jianjian Huo,Praveen Krishnamoorthy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Apparatus and method for fast persistent writing to nonvolatile memory

Номер патента: US20230168828A1. Автор: Sang-min Lee,Myung-Hoon CHA,Hong-Yeon Kim,Baik-Song AN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-06-01.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US20230376422A1. Автор: Shuichi Watanabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Nonvolatile memory device with regions having separately programmable secure access features and related methods and systems

Номер патента: EP4005149A1. Автор: Steven Wilson,Cliff Zitlaw,Yoav Yogev,Stephan Rosner,Hans Van Antwerpen,Sandeep Krishnegowda. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-01.

Electronic device and method for determining lifespan and failure of nonvolatile memory storage device

Номер патента: US20220027057A1. Автор: Dae Won Kim. Владелец: Thinkware Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Memory system for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200301847A1. Автор: Takashi Miura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Systems and Methods for Improved Communications in a Nonvolatile Memory System

Номер патента: US20140164717A1. Автор: Nir Jacob Wakrat,Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US20210286524A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US20230056583A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US20240176490A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Nonvolatile memory including intermediate buffer and input/output buffer and memory system including the nonvolatile memory

Номер патента: US11941251B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Kiyotaka Iwasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Advanced bitwise operations and apparatus in a multi-level system with nonvolatile memory

Номер патента: US20140082454A1. Автор: Stephen P. Van Aken,Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Multiple program decoding for digital audio broadcasting and other applications

Номер патента: CA2295281C. Автор: Carl-Erik Wilhelm Sundberg,Deepen Sinha. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-11-04.

Die and printing unit, in particular in form of spare part for die

Номер патента: RU2704912C2. Автор: Хельмут Линднер,Райнхард ЛЯЙБЕЦЕДЕР,Херберт ШАРИНГЕР. Владелец: ТРОДАТ ГМБХ. Дата публикации: 2019-10-31.

Joint multiple program error concealment for digital audio broadcasting and other applications

Номер патента: CA2296138C. Автор: Carl-Erik Wilhelm Sundberg,Deepen Sinha. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-08-17.

Systems and methods for recording multiple programs simultaneously with a single tuner

Номер патента: CA2624915C. Автор: Michael L. Craner. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

A method and system for extracting/storing specific program from mpeg multiple program transport stream

Номер патента: WO2005046242B1. Автор: Jun Shi,Liang Gan,Jinwei Tan. Владелец: Jinwei Tan. Дата публикации: 2005-07-07.

A method and system for extracting/storing specific program from mpeg multiple program transport stream

Номер патента: EP1683359A1. Автор: Liang Philips Electronics China GAN,Jinwei Philips Electronics China TAN,Jun Philips Electronics China SHI. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-26.

Method and device for determining a parameter that characterizes a number of spare positions to be used for cancelling the crosstalk of lines joining a digital subscriber line vectoring group

Номер патента: WO2014032870A1. Автор: Issam Wahibi,Benoît Drooghaag. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2014-03-06.

Work function tailoring for nonvolatile memory applications

Номер патента: US8618525B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Process of sparing poultry from the effect of toxins

Номер патента: US4126701A. Автор: Gregg W. Taylor. Владелец: A H P Inc. Дата публикации: 1978-11-21.

Manufacturing method for nonvolatile charge-trapping memory apparatus

Номер патента: US20230292516A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Tsung-Mu Lai,Chun-Hsiao Li,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Dual thin oxide ESD network for nonvolatile memory applications

Номер патента: US5872378A. Автор: Steven H. Voldman,Robert C. Szafranski,Russell E. Rose. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Die and printing unit, in particular in form of spare part for die

Номер патента: RU2709037C2. Автор: Маркус ЦЕЕТНЕР,Конрад РИГЛЕР,Хельмут Линднер. Владелец: ТРОДАТ ГМБХ. Дата публикации: 2019-12-13.

Emulsion compositions for the parenteral and/or oral administration of sparingly water soluble ionizable hydrophobic drugs

Номер патента: CA1272447A. Автор: Narendra R. Desai,Eugene A. Carpentier,Madurai Ganesan,Edward C. Shinal. Владелец: American Cyanamid Co. Дата публикации: 1990-08-07.

Method of making dual isolation regions for logic and embedded memory devices

Номер патента: US5858830A. Автор: Mong-Song Liang,Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US7605473B2. Автор: Jung-Dal Choi,Yun-Seung Shin,Jong-Sun Sel. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-20.

Device of video coding, method of video coding, program of video coding, device of video coding, method of video coding and program of video coding

Номер патента: RU2391794C2. Автор: Йосинори СУЗУКИ,Чоонг Сенг БООН,Мицуру КОБАЯСИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for stimulating the growth of follicles in the program of in vitro fertilization in patients with infertility and "poor response to stimulation"

Номер патента: RU2665967C1. Автор: Дмитрий Олегович Мазуров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Уральский научно-исследовательский институт охраны материнства и младенчества" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НИИ ОММ" Минздрава России). Дата публикации: 2018-09-05.

Method and device for optical programming of shell

Номер патента: RU2482435C2. Автор: Кевин Майкл САЛЛИВАН,Джейкоб Стефанус БАДРИКС. Владелец: РЕЙНМЕТАЛЬ ВАФФЕ МУНИЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2013-05-20.

Device and method of decoding an image, a durable computer-readable record medium on which the decoding program of the image is recorded, for decoding information

Номер патента: RU2683687C1. Автор: Сигеру ФУКУСИМА,Хиройя НАКАМУРА,Мотохару УЭДА,Тору КУМАКУРА. Владелец: ДжейВиСи КЕНВУД КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-04-01.

Method for off-line programming of manipulator with digital control

Номер патента: RU2549161C2. Автор: Дирк АЙКХОРСТ. Владелец: Брётье Аутомацьён ГмбХ. Дата публикации: 2015-04-20.

Forecast coding method, forecast coding device and forecast coding program of motion vector and forecast decoding method, forecast decoding device and forward-looking software

Номер патента: RU2744696C1. Автор: Чоонг Сенг БООН,Йосинори СУДЗУКИ,Акира ФУДЗИБАЯСИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2021-03-15.

Non-transitory computer-readable storage medium storing a program of stretching operation of elastic membrane, method of stretching operation of elastic membrane, and polishing apparatus

Номер патента: US20190118330A1. Автор: Koichi Takeda,Kunimasa Matsushita,Kazuya Otsu. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Non-transitory computer-readable storage medium storing a program of stretching operation of elastic membrane, method of stretching operation of elastic membrane, and polishing apparatus

Номер патента: SG10201808986PA. Автор: Takeda Koichi,MATSUSHITA KUNIMASA,OTSU Kazuya. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Device for carrying out the programming of rotary dobbies in weaving machines

Номер патента: EP1558799A1. Автор: Gian Luigi Cremonesi,Enrico De Cesaris. Владелец: FIMTEXTILE SpA. Дата публикации: 2005-08-03.

Device for carrying out the programming of rotary dobbies in weaving machines

Номер патента: EP1563131A1. Автор: Stefano Mazzoli,Gian Luigi Cremonesi. Владелец: FIMTEXTILE SpA. Дата публикации: 2005-08-17.

Device, method and program of moving image coding with prediction and device, method and program of moving image coding with prediction decoding

Номер патента: RU2628260C1. Автор: Йосинори СУЗУКИ,Чоонг Сенг БООН,Тиоу Кенг ТАН,Акира ФУДЗИБАЯСИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2017-08-15.

Diesel oxidation catalyst having a capture region for impurities in exhaust gases

Номер патента: RU2750389C2. Автор: Гудмунд СМЕДЛЕР,Ли Александр ГИЛБЕРТ,Колин Расселл НЬЮМЭН,Роберт ХАНЛИ,Киран Джон КОУЛ,Кэйлум РОБЕРТСОН,Изабель Зоуи ТИНГЕЙ. Владелец: Джонсон Мэтти Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2021-06-28.

Non-transitory computer readable storage medium containing program instructions for causing a computer to execute steps for an evaluation program of ship propulsive performance in actual seas

Номер патента: US11981406B2. Автор: Masaru Tsujimoto. Владелец: National Institute of Maritime Port and Aviation Technology. Дата публикации: 2024-05-14.

Laser programming of integrated circuits

Номер патента: US20030006479A1. Автор: Harry Hedler,Roland Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-09.

Device to carry out the programming of rotary dobbies in weaving machines

Номер патента: EP1587975A1. Автор: Gian Luigi Cremonesi,Italo Serturini. Владелец: FIRST SpA. Дата публикации: 2005-10-26.

Method and system for providing measurement regions for providing a fertilizer recommendation

Номер патента: AU2023233783A1. Автор: Miles Harriman,Jörg JASPER. Владелец: Yara International ASA. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and system for encoding and multiplexing programs of a plurality of television channels

Номер патента: US09848220B2. Автор: Olivier Milet,Mederic Blestel,Thomas Fayoux. Владелец: Ericsson IT Solutions and Services SAS. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor construction with isolation regions for dram cell and production method

Номер патента: SG140608A1. Автор: Steven Cummings,Gordon Haller,Randal W Chance,Shanh D Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-28.

Method for fertilizing corn in semi-humid region for one time

Номер патента: US20210289691A1. Автор: Yan Li,Guoliang Zhu,Lihua Jiang,Xiaobin Wu,Zhaohui Liu,Haitao Lin,Zishuang Li,Jianlin Wei,Deshui Tan,Fuli Zheng. Владелец: Institute of Agricultural Resources and Environment of Shandong Academy of Agricultural Sciences. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for constructing riparian buffer zone in cold region for controlling agricultural non-point source pollution

Номер патента: GB2627369A. Автор: Yang Bo,TANG JIE,LI Zhaoyang,Duan Yucong. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2024-08-21.

Methods and apparatus to utilize minimum cross entropy to calculate granular data of a region based on another region for media audience measurement

Номер патента: US09800928B2. Автор: Michael Sheppard,Alejandro Terrazas,Jonathan Sullivan,Peter Lipa. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

LDMOS transistor with enhanced termination region for high breakdown voltage with on-resistance

Номер патента: US7208385B2. Автор: Mohamed Imam,Zia Hossain,Joe Fulton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2007-04-24.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of preparing active silicon regions for cmos or other devices

Номер патента: US20090170279A1. Автор: Willy Rachmady,Peter L. D. Chang,Seiyon Kim,Ibrahim Ban. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Device of blood pressure measurement, recording carrier, which records program of deduction of blood pressure values and method of deduction of blood pressure values

Номер патента: RU2454926C2. Автор: Юкия САВАНОИ,Кендзи ФУДЗИИ,Наоми МАЦУМУРА,Рейдзи ФУДЗИТА,Кенити ЯМАКОСИ,Масамити НОГАВА. Владелец: Омрон Хэлткэа Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-07-10.

Method for prediction of implantation in programs of ancillary reproductive technology in women of senior reproductive age with tuboperitoneal infertility factor

Номер патента: RU2735218C1. Автор: Евгений Леонидович Казачков,Елена Галиевна Чухнина,Екатерина Евгеньевна Воропаева,Элла Алексеевна Казачкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО ЮУГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2020-10-28.

Method of encoding video with prediction of movement, device for encoding video with prediction of motion, program of encoding video with prediction of movement, method of decoding video with prediction of motion, device for decoding video with prediction of movement and program of decoding video with prediction of movement

Номер патента: RU2660619C1. Автор: Чоонг Сенг БООН,Тиоу Кенг ТАН,Йосинори СУДЗУКИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2018-07-06.

Device, method and program of coding moving images, and device, method and program of decoding moving images

Номер патента: RU2633179C1. Автор: Сигеру ФУКУСИМА,Хиройя НАКАМУРА,Масаёси НИСИТАНИ,Мотохару УЭДА. Владелец: ДжейВиСи КЕНВУД КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2017-10-11.

Double density fuse bank for the laser break-link programming of an integrated circuit

Номер патента: US5933714A. Автор: Karl-Heinz Froehner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-03.

Failure prediction system of ultrasonic endoscope apparatus, failure prediction method of ultrasonic endoscope apparatus, and failure prediction program of ultrasonic endoscope apparatus

Номер патента: US20200245979A1. Автор: Kenichi Shidara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Optimized programming of forwarding data in network device hardware

Номер патента: US20230388221A1. Автор: Imtiyaz Mohammad,Sriram Sellappa,Mayukh Saubhasik. Владелец: Arista Networks Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Recording device, recording-medium-management method, program of recording-medium-management method, and recording medium recording program of recording-medium-management method

Номер патента: US7657700B2. Автор: Katsuhiko Watanabe,Keiji Kanota,Ko Kobayashi,Junichi Yokota,Ryogo Ito,Kenichiro Imai,Hirofumi Todo,Hiroshi Shimono,Kunihiko Take,Fumihiko Kaise. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-02.

Exhaust system for an engine with compression ignition having a gripping region for evaporating platinum

Номер патента: RU2730511C2. Автор: Пол Ричард ФИЛЛИПС,Эндрю Фрэнсис ЧИФФИ,Кристофер ДЭЛИ,Дэниел ХЭТЧЕР,Джеймс ЛИЛЭНД,Франсуа МОРО. Владелец: Джонсон Мэтти Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2020-08-24.

Complementarity-determining regions for binding cd3 and a bispecific antigen-binding molecule containing thereof

Номер патента: RU2738802C1. Автор: Антон Николаевич Морозов,Александр Михайлович ШУСТЕР,Александр Александрович Пискунов,Светлана Георгиевна Аббасова,Славни Петер,Гриффитс Даниел,Касзинска Изабеле,МсСафферти Джон,Дайсон Михаел. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Международный Биотехнологический Центр "Генериум". Дата публикации: 2020-12-17.

Process to fabricate the non-silicide region for electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US5998247A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Method and system for inductive programming of a fuze

Номер патента: EP3688403A1. Автор: Jonas Larsson,Mikael Olsson,Thomas SÄRNMAR. Владелец: BAE Systems Bofors AB. Дата публикации: 2020-08-05.

Method and system for inductive programming of a fuze

Номер патента: CA3075261A1. Автор: Jonas Larsson,Mikael Olsson,Thomas SÄRNMAR. Владелец: BAE Systems Bofors AB. Дата публикации: 2019-04-04.

Method and system for inductive programming of a fuze

Номер патента: US20200263966A1. Автор: Jonas Larsson,Mikael Olsson,Thomas SÄRNMAR. Владелец: BAE Systems Bofors AB. Дата публикации: 2020-08-20.

Techniques for signaling dynamic control region for prach transmission

Номер патента: US20220329383A1. Автор: Tao Luo,Hao Xu,Hung Ly. Владелец: Incorporated Qualcomm. Дата публикации: 2022-10-13.

Techniques for signaling dynamic control region for prach transmission

Номер патента: US20180331806A1. Автор: Tao Luo,Hao Xu,Hung Ly. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Techniques for signaling dynamic control region for PRACH transmission

Номер патента: US11882073B2. Автор: Tao Luo,Hao Xu,Hung Ly. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Method and system for inductive programming of a fuze

Номер патента: US11060830B2. Автор: Jonas Larsson,Mikael Olsson,Thomas SÄRNMAR. Владелец: BAE Systems Bofors AB. Дата публикации: 2021-07-13.

Method and system for providing measurement regions for providing a fertilizer recommendation

Номер патента: EP4245112A1. Автор: Miles Harriman,Jörg JASPER. Владелец: Yara International ASA. Дата публикации: 2023-09-20.

Methods and apparatus for presenting location-based food movement notifications in connection with cook programs of grills

Номер патента: US20230255401A1. Автор: Kevin James Glennon,William Alexander Mecker. Владелец: Weber Stephen Products LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Secure Programming of Secret data

Номер патента: EP3314807A1. Автор: Didier Hunacek. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2018-05-02.

Method and apparatus for tracking the programming of a mobile device with multiple service accounts

Номер патента: WO2010138333A1. Автор: Yogesh Tugnawat,Anthony Sanding,Balaji Vaidyanathan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device with void under source/drain region for backside contact

Номер патента: US20240186374A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Programming of telecommunication services by customers

Номер патента: WO1997025807A1. Автор: Soren Nyckelgard. Владелец: Telia AB. Дата публикации: 1997-07-17.

Method and system for providing measurement regions for providing a fertilizer recommendation

Номер патента: WO2023174808A1. Автор: Miles Harriman,Jörg JASPER. Владелец: Yara International ASA. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods and apparatus for presenting location-based food movement notifications in connection with cook programs of grills

Номер патента: CA3236840A1. Автор: Kevin James Glennon,William Alexander Mecker. Владелец: Weber Stephen Products LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Methods and apparatus for presenting location-based food movement notifications in connection with cook programs of grills

Номер патента: WO2023158466A1. Автор: Kevin James Glennon,William Alexander Mecker. Владелец: Weber-Stephen Products LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Methods and apparatus for presenting location-based food movement notifications in connection with cook programs of grills

Номер патента: AU2022441169A1. Автор: Kevin James Glennon,William Alexander Mecker. Владелец: Weber Stephen Products LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Dna fragment containing promoter region for human polypeptide chain elongation factor-1.alpha. and expression plasmid containing the dna fragment

Номер патента: CA2005016C. Автор: Shigekazu Nagata,Sumio Sugano,Taichi Uetsuki,Yoshito Kaziro,Dong W. Kim. Владелец: Mochida Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-18.

Power semiconductor devices having arcuate-shaped source regions for inhibiting parasitic thyristor latch-up

Номер патента: US5753942A. Автор: Kyung-Wook Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-05-19.

Susceptors having disrupted regions for differential heating in a microwave oven

Номер патента: CA1320541C. Автор: Dan J. Wendt,Diane R. Rosenwald,James R. Consaul,Robert B. Shomo, Jr.,Jonathan D. Kemske. Владелец: Pillsbury Co. Дата публикации: 1993-07-20.

Shielded gate trench mosfet having super junction region for dc/ac performance improvement

Номер патента: US20210296488A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Extension region for a semiconductor device

Номер патента: US20200098897A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Transistor having a narrow in-substrate collector region for reduced base-collector junction capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: US20130214275A1. Автор: James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Structure with buried doped region for coupling source line contact to gate structure of memory cell

Номер патента: US20240224515A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Dunkel,Violetta Sessi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Variable resistance nonvolatile memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US9142773B2. Автор: Takeshi Takagi,Koji Katayama,Yoshio Kawashima,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-22.

Nonvolatile memory element having a variable resistance layer whose resistance value changes according to an applied electric signal

Номер патента: US8686390B2. Автор: Takeshi Takagi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Nonvolatile memory, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020113268A1. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells array of nonvolatile memory cells

Номер патента: US8652909B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-18.

Nonvolatile memory device using a tunnel oxide as a passive current steering element

Номер патента: US8901530B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Mihir Tendulkar. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Nonvolatile memory location

Номер патента: RU2205471C2. Автор: Георг ТЕМПЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2003-05-27.

Nonvolatile memory electronic device

Номер патента: CN101252148A. Автор: 金相植,尹昌俊,郑东英,廉东赫. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2008-08-27.

Nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7968405B2. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-28.

Recrystallized silicon-on-insulator nonvolatile memory device

Номер патента: CA1211562A. Автор: John L. Janning. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-09-16.

Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and memory module and system including the nonvolatile memory device

Номер патента: US8877626B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Goo Lee,Byung-Kwan You,Dong-Sik Lee,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-04.

Method of making asymmetric nonvolatile memory cell

Номер патента: US5920776A. Автор: Carlo Riva,Lorenzo Fratin,Leonardo Ravazzi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-07-06.

Manufacturing method for ferroelectric film and nonvolatile memory using the same

Номер патента: US6114199A. Автор: Takaaki Ami,Katsuyuki Hironaka,Chiharu Isobe,Masataka Sugiyama,Christian Gutleben. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-05.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090258473A1. Автор: Hyun Park,Sang-gyun Woo,Byung-hong Chung,Cha-Won Koh,Jeong-lim Nam,Seok-Hwan Oh,Yool Kang,Jai-Hyuk Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Methods and apparatuses for reducing the nonvolatile memory used to support application identifier routing in an NFC controller

Номер патента: US8923763B2. Автор: Alan Gillespie,John Hillan,Jeremy R. O'Donoghue,Neeraj Bhatia,Anssi Kaleva HAVERINEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Method of reducing coupling between floating gates in nonvolatile memory

Номер патента: US8288225B2. Автор: Jeffrey W. Lutze,Tuan Pham,Hidetaka Horiuchi,Nima Mokhlesi,Masaaki Higashitani,Henry Chien,George Matamis,Yupin Kawing Fong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-10-16.

Method of forming nonvolatile memory device

Номер патента: US6867098B2. Автор: Se-Woong Park,Dong-soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Method of fabricating trap type nonvolatile memory device

Номер патента: US20070134868A1. Автор: Chang-Hyun Lee,Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Sung-Jung Kim,Han-mei Choi,Young-Geun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of manufacturing a nonvolatile memory cell and a field effect transistor

Номер патента: US9685453B2. Автор: Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory cell with field-plate switch

Номер патента: US5134449A. Автор: Manzur Gill,Sebastiano D'Arrigo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-07-28.

Nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060226505A1. Автор: Yoo-Cheol Shin,Jung-Dal Dhoi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-12.

Circuit interrupter including nonvolatile memory storing cause-of-trip information

Номер патента: CA2593646A1. Автор: Robert T. Elms,Kevin L. Parker,Thomas A. Domitrovich. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2007-12-23.

High speed PLD "AND" array with separate nonvolatile memory

Номер патента: US5760603A. Автор: Shidong Zhou. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1998-06-02.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices and related devices

Номер патента: US9240458B2. Автор: Chang-Sun Lee,Ji-Hwon Lee,Hyun-Seok Na,Joong-Shik Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-19.

Circuit interrupter including nonvolatile memory storing cause-of-trip information

Номер патента: CA2593646C. Автор: Robert T. Elms,Kevin L. Parker,Thomas A. Domitrovich. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Gate Patterns of Nonvolatile Memory Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20100308396A1. Автор: Wan Sup SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5741719A. Автор: Keon-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-21.

Nonvolatile memory device and process for production of the same

Номер патента: US5614748A. Автор: Hideharu Nakajima,Takeshi Yamazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Nonvolatile memory cell

Номер патента: US6025626A. Автор: Georg Tempel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-02-15.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7560765B2. Автор: Jae-Hyun Park,Chul-soon Kwon,Jung-Ho Moon,Jae-Min Yu,In-Gu Yoon,Young-Cheon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-14.

Method to manufacture nonvolatile memories with a trench-pillar cell structure for high capacitive coupling ratio

Номер патента: US6083793A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060186462A1. Автор: Seung-Hyun Lee,Ju-Hyung Kim,Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han,Youn-seok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-24.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US9196656B2. Автор: Kwang Hee CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Method and apparatus for counting with a nonvolatile memory

Номер патента: US4947410A. Автор: Raymond Lippmann,Michael J. Schnars,Paul L. DuBois. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1990-08-07.

Semiconductor nonvolatile memory

Номер патента: US5053842A. Автор: Yoshikazu Kojima. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1991-10-01.

Nonvolatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US8183610B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070170491A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Suk Choi,Yong-Tae Kim,Hee-Seog Jeon,Seung-Jin Yang,Hyok-Ki Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Nonvolatile memory device having a resistance change layer and a plurality of electrode pattern layers

Номер патента: US11482667B2. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US11864384B2. Автор: Kohji Kanamori,Young Hwan Son,Jee Hoon HAN,Je Suk MOON,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230122331A1. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11910611B2. Автор: Sung Min Hwang,Woo Sung Yang,Dong Hoon Jang,Joon Sung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Storage Memory Unit with a Shared Nonvolatile Memory Interface for a Radio

Номер патента: US20210352132A1. Автор: John A. Nix. Владелец: IoT and M2M Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-11.

Storage Memory Unit with a Shared Nonvolatile Memory Interface for a Radio

Номер патента: US20220360622A1. Автор: John A. Nix. Владелец: IoT and M2M Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-10.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11963357B2. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170110365A1. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110303961A1. Автор: Dong-Ryul Chang,Myoung-Kyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-15.

Three-dimensional nonvolatile memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: US11910600B2. Автор: Seonghun Jeong,Byoungil Lee,Bosuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Nonvolatile memory device with a doped region between a source and a drain and integration schemes

Номер патента: US11810982B2. Автор: Eng Huat Toh,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20230005954A1. Автор: Hyun Min Cho,Jung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for manufacturing a nonvolatile memory device

Номер патента: US9543312B1. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory device and nonvolatile memory system including the same

Номер патента: US20220115344A1. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of fabricating a nonvolatile memory device

Номер патента: US8748286B2. Автор: Tae-Yong Kim,Young-woo Park,Su-Jin Park,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Dong-Hwa Kwak,Jee-hoon Han,Jong-Hoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-10.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180061888A1. Автор: Euipil Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-01.

Nonvolatile memory device and memory system comprising the same

Номер патента: US20220173119A1. Автор: Wooyong Jeon,Junyoung Choi,Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yoonjo Hwang,Sanghee YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170301690A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-19.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200111811A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of forming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100248457A1. Автор: Jin Gyun Kim,Soodoo Chae,Seungmok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-30.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130264629A1. Автор: Min-Soo Kim,Seung-Ho Pyi,Dong-Sun Sheen,Sung-Jin Whang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150099337A1. Автор: Min-Soo Kim,Seung-Ho Pyi,Dong-Sun Sheen,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US8928059B2. Автор: Min-Soo Kim,Seung-Ho Pyi,Dong-Sun Sheen,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Nonvolatile memory devices, methods of manufacturing nonvolatile memory device, and electronic systems including nonvolatile memory device

Номер патента: US20230335520A1. Автор: Seo Jin Park,Eun-ji Kim,Yoon Jo HWANG,Jun Seok BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Nonvolatile memory device, system including the same and method of fabricating the same

Номер патента: US20240014157A1. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

3-D nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8936984B2. Автор: Joo Hee Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9466733B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20140008603A1. Автор: Kensuke Takahashi,Masanobu Baba,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US11800719B2. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile memory device including ferroelectric layer having negative capacitance

Номер патента: US11812618B2. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9698049B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US20140035017A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Oh-Kyum Kwon,Kyoung-Eun Uhn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-06.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US11778833B2. Автор: Bo yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170069731A1. Автор: Jin-Ho Kim,Sung-Lae OH,Chang-Man SON,Go-Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20140134794A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20130217179A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20130095635A1. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11871571B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Phase-change nonvolatile memory and manufacturing method therefor

Номер патента: US8026502B2. Автор: Tomoyasu Kakegawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-09-27.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US20070184616A1. Автор: Hyun-Chul Shin,Hwan-Bae Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20140045311A1. Автор: Hyun-Sik DOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

3-d nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150097229A1. Автор: Joo Hee Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Single Gate Nonvolatile Memory Cell With Transistor and Capacitor

Номер патента: US20090256184A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Chin-Pen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-15.

Nonvolatile memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240040788A1. Автор: Kazuya Saito,Takeshi Masuda,Noriyuki Miyata,Kazumasa Horita,Shutaro Asanuma,Takehito Jinbo,Kyoko Sumita,Yuusuke Miyaguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Structure of nonvolatile memory array

Номер патента: US20050040467A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Nonvolatile memory transistor having poly-silicon fin, stacked nonvolatile memory device having the transistor, method of fabricating the transistor, and method of fabricating the device

Номер патента: US7842994B2. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Young-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-30.

Nonvolatile memory device and apparatus including the same

Номер патента: US20220320135A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Taein KIM,Youngtek OH,Hyeyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US20140120665A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Stacked Bit Line Dual Word Line Nonvolatile Memory

Номер патента: US20110241078A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US20160365349A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Nonvolatile memory device having resistance change layer and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20210202835A1. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US20210175252A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150255472A1. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060244042A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Split gate type nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080318406A1. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11800708B2. Автор: Yoo Jin Choi,Jung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Pre-power-failure storage of television parameters in nonvolatile memory

Номер патента: EP1500265A1. Автор: Aaron Hal Dinwiddie,William John Testin,Gene Harlow Johnson. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2005-01-26.

Single well one transistor and one capacitor nonvolatile memory device and integration schemes

Номер патента: US20220059554A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Nonvolatile memory device, method of fabricating and method of operating the same

Номер патента: US20080087934A1. Автор: Jong-Hyon Ahn,Jin-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210343740A1. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Nonvolatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130285255A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130240822A1. Автор: Junichi Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US8420482B2. Автор: Sungkweon Baek,Kihyun Hwang,Kwangmin Park,Juwan Lim,Seungjae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-16.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US7700426B2. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-Nam Chang,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240081061A1. Автор: Kwang Min Park,Yu Yeon KIM,Si Yeong YANG,Chae Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical nonvolatile memory device having hydrogen diffusion barrier layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130133A1. Автор: Jaeduk LEE,Tackhwi Lee,Sohyeon LEE,Seongpil CHANG,Sea Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200381449A1. Автор: Kohji Kanamori,Young Hwan Son,Jee Hoon HAN,Je Suk MOON,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11233065B2. Автор: Kohji Kanamori,Young Hwan Son,Jee Hoon HAN,Je Suk MOON,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-25.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296358A1. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200388633A1. Автор: Jong Won Kim,Young Hwan Son,Kwang Young Jung,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Partially silicided nonvolatile memory devices and integration schemes

Номер патента: US20220149057A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Method of manufacturing a gate structure for a nonvolatile memory device

Номер патента: US20190244822A1. Автор: Sung Mo GU,Sung Bok Ahn. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Nonvolatile memory, method for manufacturing same, and display device

Номер патента: US20110303964A1. Автор: Naoki Ueda,Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for manufacturing a nonvolatile memory device

Номер патента: US20170018559A1. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Nonvolatile memory device and memory system comprising the same

Номер патента: US20240179912A1. Автор: Wooyong Jeon,Junyoung Choi,Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yoonjo Hwang,Sanghee YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210210505A1. Автор: Yoo Jin Choi,Jung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Nonvolatile memory device and apparatus comprising the same

Номер патента: US20230068706A1. Автор: Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Nonvolatile memory device and memory system comprising the same

Номер патента: US11930638B2. Автор: Wooyong Jeon,Junyoung Choi,Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yoonjo Hwang,Sanghee YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Nonvolatile memory device having resistance change memory layer

Номер патента: US20210074763A1. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240164103A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240155840A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US20220278132A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US11991878B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7994003B2. Автор: Young-sun Kim,Han-mei Choi,Zong-Liang Huo,Seon-ho Jo,Sun-jung Kim,Jun-kyu YANG,Byong-ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Stable supersaturated solutions of sparingly soluble salts

Номер патента: CA1180279A. Автор: Alan S. Michaels,Michael W. Weiner,Hemant Jalan. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 1985-01-02.

Improvements in or relating to the Stowing and Carrying of Spare Tyres on Motor Vehicles.

Номер патента: GB190807465A. Автор: Francis East. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-12-31.

Method of sparing prosthetics with adhesive half-crowns

Номер патента: RU2508069C1. Автор: Елена Анатольевна Булычева,Владимир Владимирович Трезубов,Юлия Викторовна Алпатьева,Сергей Олегович Чикунов. Владелец: Сергей Олегович Чикунов. Дата публикации: 2014-02-27.

A method, a computer program and an apparatus for an enclave entity, for a trusted entity, and for securing information about a master secret key of a backup of a private memory region, an enclave entity and a trusted entity

Номер патента: WO2024194215A1. Автор: Michele Minelli,Dimitri Torfs,Hugo Embrechts,Kasper DE BLIECK,Mykola IVANOV. Владелец: Sony Europe B.V.. Дата публикации: 2024-09-26.

Pixels Having Polarity Extension REgions For Multi-Domain Vertical Alignment Liquid Crystal Displays

Номер патента: US20120002126A1. Автор: Ong Hiap L.. Владелец: Hiap L. Ong and Kyoritsu Optronics Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.