Methods of forming dislocation enhanced strain in NMOS structures

27-08-2019 дата публикации

Номер:

US10396201B2

Автор: Anand Murthy, Chandra MOHAPATRA, Glenn Glass, Michael Jackson, Saurabh MORARKA

Принадлежит: Intel Corp

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L21 H01L21/H01L21/2 H01L21/28 H01L21/282 H01L21/2825 H01L21/28255 H01L29 H01L29/H01L29/0 H01L29/06 H01L29/067 H01L29/0673 H01L29/1 H01L29/10 H01L29/103 H01L29/1033 H01L29/105 H01L29/1054 H01L29/16 H01L29/165 H01L29/3 H01L29/32 H01L29/6 H01L29/66 H01L29/665 H01L29/6656 H01L29/66568 H01L29/666 H01L29/6663 H01L29/66636 H01L29/667 H01L29/6679 H01L29/66795 H01L29/7 H01L29/78 H01L29/783 H01L29/7831 H01L29/784 H01L29/7848 H01L29/785

IPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L29 H01L29/H01L29/1 H01L29/16 H01L29/165 H01L29/3 H01L29/32 H01L29/6 H01L29/66 H01L29/667 H01L29/6679 H01L29/66795

Получить PDF