Transistors comprising doped region-gap-doped region structures and methods of fabrication

14-06-2016 дата публикации

Номер:

US9368591B2

Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob, Chia-Yu Chen, Steven J. Bentley, Tenko Yamashita

Принадлежит: Globalfoundries Inc

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L21 H01L21/H01L21/0 H01L21/02 H01L21/021 H01L21/0217 H01L21/022 H01L21/0228 H01L21/025 H01L21/0253 H01L21/02532 H01L29 H01L29/H01L29/0 H01L29/08 H01L29/084 H01L29/0847 H01L29/1 H01L29/10 H01L29/103 H01L29/1033 H01L29/16 H01L29/167 H01L29/4 H01L29/42 H01L29/423 H01L29/4237 H01L29/42376 H01L29/45 H01L29/49 H01L29/495 H01L29/5 H01L29/51 H01L29/517 H01L29/6 H01L29/66 H01L29/665 H01L29/6654 H01L29/66545 H01L29/6655 H01L29/66553 H01L29/6656 H01L29/7 H01L29/78

IPC - классификация

C C3 C30 C30B C30B2 C30B29 C30B29/C30B29/0 C30B29/08 H H0 H01 H01L H01L2 H01L29 H01L29/H01L29/1 H01L29/16 H01L29/167 H01L29/5 H01L29/51 H01L29/513

Получить PDF