Composite structure having a plurality of microelectronic components and a growth substrate having a diamond layer and a method of manufacturing the composite structure
Номер патента: JP3191152B2
Опубликовано: 23-07-2001
Автор(ы): ブリギツテ・コンラート, ヘルベルト・ギユツトレル
Принадлежит: ダイムラークライスラー・アクチエンゲゼルシヤフト
Опубликовано: 23-07-2001
Автор(ы): ブリギツテ・コンラート, ヘルベルト・ギユツトレル
Принадлежит: ダイムラークライスラー・アクチエンゲゼルシヤフト
Semiconductor device having a planar III-N semiconductor layer and fabrication method
Номер патента: US11862459B2. Автор: Lars Samuelson,Jonas Ohlsson,Rafal CIECHONSKI,Kristian Storm,Bart Markus. Владелец: Hexagem Ab. Дата публикации: 2024-01-02.