CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS AND METHOD OF FORMING FILM.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS AND METHOD OF FORMING FILM

Номер патента: US20220033964A1
Опубликовано: 03-02-2022
Автор(ы): Chen Pei-Yu, Hung Wan-Yu
Принадлежит: WINBOND ELECTRONICS CORP.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for preventing vacuum pump pipeline from blockage, and chemical vapor deposition machine

Номер патента: US20200208262A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for direct formation of origami 3d graphene on copper foil using chemical vapor deposition

Номер патента: US20240052481A1. Автор: Haijun LIU,Thuc Hue LY,Quoc Huy THI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-02-15.

Metal organic chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240167159A1. Автор: Sung-Chul Choi,Kwang-Il Cho. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for chemical vapor deposition of silicon on to substrates for use in corrosive and vacuum environments

Номер патента: US20040175578A1. Автор: David Smith,Bruce Kendall,Martin Higgins,Gary Barone,David Lavrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Process and apparatus for supplying zinc vapor continuously to a chemical vapor deposition process from a continuous supply of solid zinc

Номер патента: US5383969A. Автор: Michael A. Pickering,Jeffery L. Kirsch,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Apparatus of chemical vapor deposition with a shower head and method therof

Номер патента: KR100731164B1. Автор: 변철수. Владелец: 주식회사 피에조닉스. Дата публикации: 2007-06-20.

Processing system and method for chemical vapor deposition

Номер патента: EP1100980A2. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-05-23.

Method of operating filament assisted chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2012112334A2. Автор: Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2012-08-23.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: EP1230420A1. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-14.

Shell connection device and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: LU505605B1. Автор: Haibo Huo. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2024-05-24.

Method and apparatus of forming thin films

Номер патента: US5755888A. Автор: Shigenori Hayashi,Hideo Torii,Ryoichi Takayama,Eiji Fujii. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: US20220372201A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-24.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: WO2021163025A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: Drexel Uniiversity. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of making a multilayer tool surface with PCNA interruption of CVD, and tool made by the process

Номер патента: US5869147A. Автор: Udo KÖNIG. Владелец: Widia GmbH. Дата публикации: 1999-02-09.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: EP1204782A1. Автор: Robert J. Bailey,Thomas E. Kane,Lisa H. Michael. Владелец: Silicon Valley Group Thermal Systems LLC. Дата публикации: 2002-05-15.

Method of producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition

Номер патента: US20010048171A1. Автор: Jitendra Goela,Michael Pickering,Zlatko Salihbegovic,Mitch Boudreaux. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2001-12-06.

Manufacturing method of thermoacoustic emitter based on graphene

Номер патента: RU2724227C1. Автор: Дмитрий Владимирович Смовж,Павел Евгеньевич Маточкин,Илья Алексеевич Костогруд,Евгений Викторович Бойко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2020-06-22.

Aerosol-assisted chemical vapor deposition of nickel sulfide nanowires for electrochemical water oxidation

Номер патента: US20230407497A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-12-21.

Chemical vapor deposition method of growing oxide films with giant magnetoresistance

Номер патента: US5487356A. Автор: Jiming Zhang,Yi-Oun Li. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1996-01-30.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: WO2014100401A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron D. RHODES. Владелец: GTAT CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

System and method for chemical vapor deposition process control

Номер патента: EP2109878A1. Автор: Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-10-21.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: MY174019A. Автор: Wenjun Qin,Aaron D Rhodes,Chad Fero,Jeffrey C Gum. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Methods and Systems for Stabilizing Filaments in a Chemical Vapor Deposition Reactor

Номер патента: US20140170337A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron Dean Rhodes. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Pvd-coated cutting tools and method for making the same

Номер патента: US20160265106A1. Автор: Yixiong Liu,Vineet Kumar,Mark S. Greenfield,Ronald M. Penich,Peter R. Leicht. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Laser-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230203660A1. Автор: Rodney S. Harris,Stephen G. Topping. Владелец: River Electro Optics LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Continuous chemical vapor deposition reactor

Номер патента: CA1068582A. Автор: Roger N. Anderson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-12-25.

Apparatus and method for chemical vapor deposition control

Номер патента: EP2580368A1. Автор: Eric J. Strang,Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Cold thermal chemical vapor deposition

Номер патента: US20240117495A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,Jesse BISCHOF,James B. Mattzela,Gary A. Barone,Geoffrey K. WHITE,Nicholas P. DESKEVICH,Pierre A. LECLAIR. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689048A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim,Moonkap Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

Chemical vapor deposition of thick inorganic coating on a polarizer

Номер патента: US11746418B2. Автор: Brian Johnson,Matthew R. Linford,Anubhav Diwan. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Fluidized bed reactor to deposit a material on a surface by chemical vapour deposition, and methods of forming a coated substrate therewith

Номер патента: WO1998049366A1. Автор: David M. Lowe,Angel Sanjurjo,Kai-Hung Lau,Liqiang Jiang. Владелец: SRI INTERNATIONAL. Дата публикации: 1998-11-05.

Method of in-situ cleaning for LPCVD TEOS pump

Номер патента: US6498104B1. Автор: David Chi,Kent Kuohua Chang,Fuodoor Gologhlan,Hector Serrato. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-12-24.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20200048769A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2020-02-13.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20190093227A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-03-28.

Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11111584B2. Автор: Nai-Chang Yeh,Chen-Chih Hsu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2021-09-07.

Chemical vapor deposition furnace with a cleaning gas system to provide a cleaning gas

Номер патента: US12077854B2. Автор: Herbert Terhorst,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Theodorus G. M. Oosterlaken,Lucian JDIRA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

High-strength material coated article made from metal, solid alloy, cermet or ceramic and method of making said articles

Номер патента: RU2588933C2. Автор: Ингольф ЭНДЛЕР,Себастьян ШОЛЬЦ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-07-10.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: WO2001029281A9. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2001-09-27.

Chemical vapor deposition film profile uniformity control

Номер патента: US20130149871A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chia-Ho Chen,Chih-Tsung Lee,You-Hua Chou,Ming-Chin Tsai,Ming-Shiou Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Metal-organic (MO) chemical vapor deposition method and MO chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US6180541B1. Автор: Jae-Hyun Joo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-30.

Triangular deposition chamber for a vapor deposition system

Номер патента: CA2120092C. Автор: Jitendra S. Goela,Lee E. Burns,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US20160115587A1. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-04-28.

Chamber for reducing contamination during chemical vapor deposition

Номер патента: US6114227A. Автор: Joseph P. Ellul,Stephen M. Campbell,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato,David Leksell,Ming Xi Chan,Jeanne L. Luce,David T. Ryan,Iqbal A. Shareef. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

CVD method of depositing copper films by using improved organocopper precursor blend

Номер патента: US6110530A. Автор: Ling Chen,Bo Zheng,Seshadri Ganguli,Christophe Marcadal,Samuel Wilson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

Chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: EP3377671A1. Автор: Daniel J. DESROSIER,Chad R. FERO. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2018-09-26.

Method of manufacturing an injector for chemical vapor deposition processing

Номер патента: US5935647A. Автор: Jay B. DeDontney,Nicholas M. Gralenski,Adam Q. Miller. Владелец: WJ Semiconductor Equipment Group Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Method of forming a zinc oxide coated article

Номер патента: WO2008027087A1. Автор: Gary S. Silverman,Ryan Smith,Michael B. Abrams,Roman Y. Korotkov,Jeffery L. Stricker. Владелец: Arkema, Inc.. Дата публикации: 2008-03-06.

Chemical vapor deposition apparatus and method for forming parylene film

Номер патента: US20110151121A1. Автор: Chun-Hao Chang,Chuan-Sheng Zhuang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Precursor selection method for chemical vapor deposition techniques

Номер патента: US20080243460A1. Автор: Timothy P. Holme,Masayuki Sugawara,Friedrick B. Prinz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-02.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4107352A. Автор: Mohammad Javid Hakim. Владелец: Westinghouse Canada Inc. Дата публикации: 1978-08-15.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: US20230115177A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Chemical vapor deposition tool and operating method thereof

Номер патента: US20170032940A1. Автор: Chien-Ta Lee,Pen-Li HUNG,Yu-Shan SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-04-13.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A9. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413177A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20200040447A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US10975467B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20190085446A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413176A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Auxiliary gasline-heating unit in chemical vapor deposition

Номер патента: US20010042930A1. Автор: Chien-Hsin Lai,Juen-Kuen Lin,Peng-Yih Peng,Fu-Yang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US9878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

개시제를 이용한 화학 기상 증착법(iCVD, initiated chemical vapor deposition)을 통해 전자 부품에 고분자 박막을 형성하는 장치 및 그 제조 방법

Номер патента: KR20220168089A. Автор: 김하영,김호연,김용호,김창재,김광순,이다미. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-12-22.

Systems and methods for improved gas delivery

Номер патента: WO2004032200A2. Автор: Gi-Youl Kim,Marbert G. Moore Iii,Adrian Jansz,David Foote,Richard Hendrickson,Ken Doering. Владелец: Genus, Inc.. Дата публикации: 2004-04-15.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US6110283A. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Method of chemical vapor deposition of metal films

Номер патента: EP1021589A1. Автор: Chantal Arena,Joseph T. Hillman,Emmanuel Guidotti,Ronald T. Bertram. Владелец: Tokyo Electron Arizona Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Method of manufacturing antifouling coating polymer using initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US20230140401A1. Автор: Chang Hoon Kim,Jeong Heon Lee,Jae Bok KWAK. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chosun National University. Дата публикации: 2023-05-04.

System for chemical vapor deposition at ambient temperature using electron cyclotron resonance and method for depositing metal composite film using the same

Номер патента: US20030000827A1. Автор: Byung-Won Cho,Joong-Kee Lee,Dal-Keun Park,Joo-Man Woo,Bup-Ju Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2003-01-02.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: SE2250842A1. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Choolakkal Arun Haridas. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-01-05.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2024008472A2. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Arun HARIDAS CHOOLAKKAL. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-01-11.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2024008472A3. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Arun HARIDAS CHOOLAKKAL. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-02-29.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US8298338B2. Автор: Ji Hye Shim,Changsung Sean KIM,Sang Duk Yoo,Jong Pa HONG,Won Shin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-30.

Method and apparatus for the combustion chemical vapor deposition of films and coatings

Номер патента: CA2158568C. Автор: Andrew T. Hunt,Joe K. Cochran,William Brent Carter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Vacuum deposition process and apparatus for producing films having high uniformity

Номер патента: US5063086A. Автор: Douglas B. Meakin. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1991-11-05.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods

Номер патента: US20230072705A1. Автор: Prerna Goradia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Chemical vapor deposition apparatus and methods of using the apparatus

Номер патента: SG153849A1. Автор: Michael Howard Rucker,Scott Andrew Weaver,George Theodore Dalakos,Daniel Joseph Lewis,Matthew David Saylor,Victor Lienkong Lou. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2009-07-29.

Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20150191822A1. Автор: Sang-Joon SEO,Jae-eung Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of making large surface area filaments for the production of polysilicon in a cvd reactor

Номер патента: US20110271718A1. Автор: Carl Chartier,Chandra P. Khattak,Yuepeng Wan,Santhana Raghavan Parthasarathy,Adrian Servini. Владелец: G T Equipment Technologies Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of depositing films by using carboxylate complexes

Номер патента: US20010008111A1. Автор: Brian Vaartstra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Method for improving film uniformity in plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: US20050025906A1. Автор: Hui-Chu Lin,Wen-Cheng Lu. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Apparatus and method for managing a temperature profile using reflective energy in a thermal decomposition reactor

Номер патента: US20160177447A1. Автор: Timothy Troutman,Bryan J. Loushin,Joe Ruschetti. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of manufacturing tantalum carbide coating layer using chemical vapor deposition and tantalum carbide manufactured using the same

Номер патента: US20190185995A1. Автор: Dong Wan Jo. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

AEROSOL-ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND NiVOx MATERIAL FOR ELECTROCHEMICAL WATER OXIDATION

Номер патента: US20240044026A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-02-08.

Apparatus and methods for pumping gases from a chamber

Номер патента: US20200095679A1. Автор: Fung-Chih HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Apparatus for low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US5441570A. Автор: Chul-Ju Hwang. Владелец: Jein Technics Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-15.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US10556799B2. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-02-11.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20170096345A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-06.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20180339907A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-11-29.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell

Номер патента: US20160225933A1. Автор: Heonmin Lee,Dongjoo YOU,Wonki Yoon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-04.

Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem

Номер патента: US5362328A. Автор: Peter S. Kirlin,Peter Van Buskirk,Robin A. Gardiner. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1994-11-08.

Chemical vapor deposition system with a plasma chamber having separate process gas and cleaning gas injection ports

Номер патента: USRE38097E1. Автор: Felix Kozakevich,David Trussell,C. Robert Koemtzopoulos. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-04-29.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4539933A. Автор: Dale R. DuBois,Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller,Ralph F. Manriquez. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1985-09-10.

Method of determining a time to clean a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) system

Номер патента: US6099902A. Автор: Tang Yu,Eddie Chen,Jumn-Min Fam. Владелец: United Silicon Inc. Дата публикации: 2000-08-08.

Chemical vapor deposition of metal sulfide films from metal thiocarboxylate complexes with monodentate or multidentate ligands

Номер патента: WO1997032056A1. Автор: Klaus Kunze,Mark Hampden-Smith,May Nyman. Владелец: The University Of New Mexico. Дата публикации: 1997-09-04.

Method of coating particles by vapor deposition

Номер патента: US20030059530A1. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Deposition metalizing bulk material by chemical vapor

Номер патента: US4606941A. Автор: William C. Jenkin. Владелец: Jenkin William C. Дата публикации: 1986-08-19.

Apparatus for chemical vapor deposition (CVD) with showerhead

Номер патента: US8298370B2. Автор: Chul Soo Byun. Владелец: Piezonics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-30.

Additive chemical vapor deposition methods and systems

Номер патента: EP4208583A1. Автор: Dmitri S. Terekhov. Владелец: Tcm Research Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Additive chemical vapor deposition methods and systems

Номер патента: CA3193161A1. Автор: Dmitri S. Terekhov. Владелец: Tcm Research Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Method of cleaning for coating application plants

Номер патента: RU2554838C2. Автор: Петер НЕФФ. Владелец: Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Трюббах. Дата публикации: 2015-06-27.

Process and method for in-situ dry cleaning of thin film deposition reactors and thin film layers

Номер патента: WO2014094103A1. Автор: Rajesh Odedra. Владелец: SEASTAR CHEMICALS INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

Method for chemical vapor deposition of silicon on to substrates for use in corrosive and vacuum environments

Номер патента: US7070833B2. Автор: David A. Smith,Martin E. Higgins,Gary A. Barone,Bruce R. F. Kendall,David J. Lavrich. Владелец: Restek Corp. Дата публикации: 2006-07-04.

Process for the elaboration of powders uniformly coated with ultrafine silicon-base particles using chemical vapor decomposition in the presence of core powders

Номер патента: US5298296A. Автор: Jean-Marie Friedt,Masahiko Matsukata,Toshinori Kojima,Eiichi Ozawa. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1994-03-29.

Exhaust system for chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4608063A. Автор: Takashi Kurokawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1986-08-26.

Chemical vapor deposition system cleaner

Номер патента: US5109562A. Автор: John W. Albrecht. Владелец: C V D System Cleaners Corp. Дата публикации: 1992-05-05.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: CA1216419A. Автор: Dale R. DuBois,Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller,Ralph F. Manriquez. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1987-01-13.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US10480065B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Single ended ultra-high vacuum chemical vapor deposition (uhv/cvd) reactor

Номер патента: US5181964A. Автор: Bernard S. Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-01-26.

Vertical chemical vapor deposition apparatus having nozzle for spraying reaction gas toward wafers

Номер патента: US20090159004A1. Автор: Takahiro Yoshioka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

In-situ solid chemical vapor deposition precursor delivery

Номер патента: US20240060178A1. Автор: Ying She,Olivier H. Sudre,Jun NABLE. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

In-situ solid chemical vapor deposition precursor delivery

Номер патента: EP4328351A1. Автор: Ying She,Olivier H. Sudre,Jun NABLE. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Multi-disc chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2024118468A1. Автор: Bojan Mitrovic,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-disc chemical vapor deposition system with cross flow gas injection

Номер патента: WO2024118472A1. Автор: Johannes Kaeppeler,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-disc chemical vapor deposition system with cross flow gas injection

Номер патента: US20240175133A1. Автор: Johannes Kaeppeler,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Multi-disc chemical vapor deposition system

Номер патента: US20240175132A1. Автор: Bojan Mitrovic,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Species controlled chemical vapor deposition

Номер патента: US20170327950A1. Автор: Keith Daniel Humfeld,De'Andre James Cherry. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-11-16.

Method and apparatus for monitoring generation of liquid chemical vapor

Номер патента: EP1015659A1. Автор: John Vincent Schmitt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-05.

Coating Having Solar Control Properties for a Substrate, and Method and System for Depositing Said Coating on the Substrate

Номер патента: US20200199016A1. Автор: Miguel Arroyo Ortega,Mario MIKI YOSHIDA,Patricia AMEZAGA MADRID,Pedro PIZA RUIZ,Wilber ANTUNEZ FLOREZ,Oscar VEGA BECERRA,Sandra Viridiana FLORES AREVALO,Rosa Elena RAMIREZ GARCIA,Zoulfia NAGAMEDIANOVA. Владелец: Vitro Vidrio y Cristal SA de CV. Дата публикации: 2020-06-25.

Coating Having Solar Control Properties for a Substrate, and Method and System for Depositing Said Coating on the Substrate

Номер патента: US20230038481A1. Автор: Miguel Arroyo Ortega,Mario MIKI YOSHIDA,Patricia AMEZAGA MADRID,Pedro PIZA RUIZ,Wilber ANTUNEZ FLOREZ,Oscar VEGA BECERRA,Sandra Viridiana FLORES AREVALO,Rosa Elena RAMIREZ GARCIA,Zoulfia NAGAMEDIANOVA. Владелец: Vitro Vidrio y Cristal SA de CV. Дата публикации: 2023-02-09.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20140322849A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US9543518B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Compounds for forming alumina films using chemical vapor deposition method and process for preparing the compound

Номер патента: US20030010256A1. Автор: Hyun-koock Shin. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2003-01-16.

Chemical vapor deposition system arrangement

Номер патента: US20160053375A1. Автор: William David Grove,Nicholas Peter Deskevich. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US20160060763A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Continuous-feed chemical vapor deposition system

Номер патента: US20230002906A1. Автор: Yaakov Gridish,Elad Mentovich,Yaniv Rotem,Doron NAVEH,Chen STERN,Yosi BEN-NAIM,Ariel Ismach,Tal KAUFMAN,Eran BAR-RABI. Владелец: Simtal Nano Coatings Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Novel group IV metal precursors and a method of chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20020058843A1. Автор: Dae Kim,Young Cho,Wan Lee,Ik Lee,Yo Min,Sun Lim,Bo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Prevention of low pressure chemical vapor deposition silicon dioxide undercutting and flaking

Номер патента: CA1166129A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: WO2006116776A3. Автор: Eunsung Park,Kevin Casey,Catherine E Talor. Владелец: Catherine E Talor. Дата публикации: 2007-05-03.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20240175135A1. Автор: Sung-Chul Choi,Kwang-Il Cho. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of forming a carbon doped oxide layer on a substrate

Номер патента: US20030211325A1. Автор: Steven Towle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Method of determining deposition temperature

Номер патента: US20040146643A1. Автор: Wen-Cheng Lien,Shih-Liang Chou,Tsung-De Lin,Tian-Jue Hong,Tsung-Chin Wu,Kou-Yow Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Methods of forming cover lens structures for display devices, and related apparatus and devices

Номер патента: WO2023192104A1. Автор: Han Nguyen,Soo Young Choi,Tae Kyung Won,Helinda Nominanda,Seong Ho YOO. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Process for the deposition of thin layers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20020127338A1. Автор: Annette Saenger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Methods of protecting aerospace components against corrosion and oxidation

Номер патента: EP3959356A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Kenichi Ohno,Sukti Chatterjee,Thomas Knisley,Lance A Scudder,David A. BRITZ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Method of reducing stress-induced mechanical problems in optical-quality thin films

Номер патента: EP1302792A3. Автор: Luc Ouellet,Jonathan Lachance. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-04.

Methods of forming overcoats on magnetic storage media and magnetic storage media formed thereby

Номер патента: US20170069345A1. Автор: Yang Yang,Xiaoding Ma,Qian GUO,Michael J. Stirniman,Christopher L. Platt,Paul M. Jones,Tommy T. Cheung,Hamid R. Samani. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Chemical vapor deposition method of silicon dioxide film

Номер патента: US5360646A. Автор: Katsumi Morita. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-11-01.

Organometallic chemical vapor deposition of films utilizing organic heterocyclic compounds

Номер патента: US4509997A. Автор: Peter J. Wright,Brian Cockayne,Richard J. M. Griffiths. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1985-04-09.

Method of applying hermetic coating on optical fiber

Номер патента: US4790625A. Автор: Satyabrata Raychaudhuri,Dipak R. Biswas. Владелец: Alcatel USA Corp. Дата публикации: 1988-12-13.

Apparatus and method for preparing superconducting joints

Номер патента: GB2262106A. Автор: Daniel Scott McAtee,Clifford Lawrence Spiro,Philip George Kosky,Herbert Clark Peters. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-06-09.

Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide with oxygen enhancement of the chlorosilane- nitrous oxide reaction

Номер патента: CA1166128A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Chemical vapor deposition process

Номер патента: US4547404A. Автор: Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1985-10-15.

Materials and methods for growing complex perovskite oxide thin films

Номер патента: EP1081154A3. Автор: Hideaki Intern. Superconductivity Techn C. Zama,Keiichi Intern Superconductivity Techn C. Tanabe,Tadataka Intern Superc. Techn. Center Morishita. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2003-03-19.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Chemical vapor deposition apparatus for forming thin film

Номер патента: US5209182A. Автор: Tomohiro Ohta,Eiichi Kondoh,Kenichi Otsuka,Tohru Mitomo,Hiroshi Sekihashi. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1993-05-11.

Device and methods for chemical vapor deposition

Номер патента: US20230257882A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Chih-Tsung Lee,Kuang-Wei Cheng,Yung-Tsun LIU,Sung-Ju Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5803974A. Автор: Tadahiro Ohmi,Nobumasa Suzuki,Nobuo Mikoshiba,Kazuo Tsubouchi,Kazuya Masu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus, and manufacturing method of nano-structured particles

Номер патента: KR100779082B1. Автор: 정우석,백문철,유용구. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2007-11-27.

Chemical vapor deposition of mullite coatings and powders

Номер патента: AU4963496A. Автор: Rao Mulpuri,Vinod Sarin. Владелец: Boston University. Дата публикации: 1996-07-24.

Method and a device for epitaxial growth of objects by chemical vapor deposition

Номер патента: US6093253A. Автор: Yujing Liu,Christer Hallin,Peter Lofgren,Chun Yuan Gu. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 2000-07-25.

Precursor for chemical vapor deposition and thin film formation process using the same

Номер патента: US20040086643A1. Автор: Hiroki Sato,Kazuhisa Onozawa. Владелец: Asahi Denka Kogyo KK. Дата публикации: 2004-05-06.

Chemical vapor deposition method and coatings produced therefrom

Номер патента: CA2393531C. Автор: William J. Dalzell, Jr.,Miodrag Oljaca,Andrew T. Hunt,Subramaniam Shanmugham,Girish Deshpande,Shara S. Shoup,Jan Tzyy-Jiuan Hwang,Nii Sowa Laye,Trifon Tomov,Aimee Poda,Michelle Hendrick. Владелец: Microcoating Technologies Inc. Дата публикации: 2011-02-15.

Method of producing a coated glass article

Номер патента: EP4392594A1. Автор: Srikanth Varanasi,Michael Remington. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

COATED BODY WHEREIN THE COATING SCHEME INCLUDES A COATING OF LAYER OF TiAL2O3 AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: WO2014153324A1. Автор: Zhenyu Liu,Yixiong Liu,Mark S. Greenfield,Peter R. Leicht,Rodrigo A. COOPER. Владелец: KENNAMETAL INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

Organometallic Precursors and Related Intermediates for Deposition Processes, Their Production and Methods of Use

Номер патента: US20110198756A1. Автор: Min Li,Mikko Ritala,David Nalewajek,Markku Leskelä,Jingyu Lao,Chien-Wei Li,Martin Cheney,Kaupo Kukli,ü Thenappan,Eric Eisenbraun,Nathaniel Berliner,Linda Cheney. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Dispenser system for atomic beam assisted metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)

Номер патента: US20080026575A1. Автор: Supratik Guha,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Physical vapor deposition system comprising positioning marker and method for adjusting distance between crucible and substrate

Номер патента: EP3717675A1. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,MICHAEL HARR,SHOU PENG,Bettina Späth,Xinjian Yin,Ganhua FU,Marcel MISCHKE. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Physical vapor deposition system comprising positioning marker and method for adjusting distance between crucible and substrate

Номер патента: WO2019104727A1. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,MICHAEL HARR,SHOU PENG,Bettina Späth,Xinjian Yin,Ganhua FU,Marcel MISCHKE. Владелец: CTF SOLAR GMBH. Дата публикации: 2019-06-06.

Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article

Номер патента: US20180163308A1. Автор: David A. Smith. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Novel compound, precursor composition comprising same, and method for preparing thin film using same

Номер патента: US20240218005A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Process and aparatus for atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2009073292A1. Автор: Robert P. Haley,Mark G.C. Vreys,Christina A. Rhoton,Alphonsus J.P. De Rijcke. Владелец: Dow Global Technologies Inc.. Дата публикации: 2009-06-11.

Systems and methods for production of graphene by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20140255621A1. Автор: Peter V. Bedworth,Steven W. Sinton. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

High-k perovskite material and methods of making and using the same

Номер патента: WO2012177642A3. Автор: Jeffrey F. Roeder,Steven M. Bilodeau,Bryan C. Hendrix,Gregory T. Stauf,Ing-Shin Barry Chen. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

Method of forming a film on a substrate by chemical vapor deposition

Номер патента: US11885022B2. Автор: Waichi Yamamura,Chikara MORI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20180258529A1. Автор: James B. Mattzela,Paul H. Silvis,Gary A. Barone,Thomas F. Vezza,William David Grove. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Binary and ternary metal chalcogenide materials and method of making the same

Номер патента: EP2130942A3. Автор: Liu Yang,Manchao Xiao. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

High strength alloys and methods for making same

Номер патента: WO2002044437A8. Автор: Robert A Holzl,Robert J Shinavski. Владелец: Composite Tool Company Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

High strength alloys and methods for making same

Номер патента: WO2002044437A3. Автор: Robert A Holzl,Robert J Shinavski. Владелец: Composite Tool Company Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

Selective area chemical vapor deposition

Номер патента: CA2028438C. Автор: Michael A. Pickering,Raymond L. Taylor,Joseph T. Keeley,Jitendra Singh Goela. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1993-11-30.

Method of selective metal deposition using separated reactant activation and plasma discharging zones

Номер патента: WO2024123432A1. Автор: Jiang Lu,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Joseph Hernandez,Xianmin Tang,Dien-Yeh Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Ying-Bing JIANG,Gary HOW. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Novel coating method of complex 3d structures using low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US20240102167A1. Автор: William C. West,Matthew R. Dickie,Harold Frank GREER,Billy Chun-Yip Li,Su C. Chi. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-03-28.

Apparatus and method for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow

Номер патента: GB2181460A. Автор: Mcdonald Robinson,Klavs F Jensen,Wayne L Johnson,Wiebe B Deboer,Gary W Read. Владелец: Epsilon LP. Дата публикации: 1987-04-23.

Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films

Номер патента: US20190300468A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Miika Mattinen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatus for forming single crystal piezoelectric layers using low-vapor pressure metalorganic precursors in cvd reactors with temperature-controlled injector columns and methods of forming single crystal piezoelectric layers using the same

Номер патента: WO2023141620A2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2023-07-27.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process and system

Номер патента: WO2022036147A3. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-04-14.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process and system

Номер патента: WO2022036147A4. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

Methods of vapor deposition of ruthenium using an oxygen-free co-reactant

Номер патента: US11976352B2. Автор: Jacob Woodruff,Guo Liu,Ravindra Kanjolia. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of forming a silicon comprising layer

Номер патента: US20230360905A1. Автор: Werner Knaepen,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Arjen KLAVER. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-09.

Chemical vapor deposition apparatus and blocker plate

Номер патента: US20200131640A1. Автор: Chao-chun WANG,Keith Kuang-Kuo Koai,Chih-Yu Wu,Huan-Chieh CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

High density plasma chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20020112666A1. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Metal organic chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: US20130095658A1. Автор: Chien-Chih Chen,Ching-Chiun Wang,Chih-Yung Huang,Szu-Hao Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-04-18.

Wafer carrier and metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20220064791A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Shen-Jie Wang,Chien-Chih Yen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US10151033B2. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20160376707A1. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4834020A. Автор: Lawrence D. Bartholomew,Nicholas M. Gralenski,Michael A. Richie,Michael L. Hersh. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1989-05-30.

Gas injection system for chemical vapor deposition using sequenced valves

Номер патента: WO2012082225A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Gas Injection System For Chemical Vapor Deposition Using Sequenced Valves

Номер патента: US20160168710A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process, system, and coated vessels

Номер патента: US20230340670A1. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Technique for high efficiency metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US20030049932A1. Автор: Sam Yang,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Methods of depositing aluminum nitride templating layers using thermal pulsed chemical vapor deposition for the enhancement of aluminum nitride thick films and related films

Номер патента: US20240052493A1. Автор: Andrew Kummel,Aaron McLeod,Scott UEDA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-15.

Chemical vapor deposition

Номер патента: CA1251100A. Автор: Guy Brien,Richard Cloutier,Laszlo Szolgyemy,Edward C.D. Darwall. Владелец: Edward C.D. Darwall. Дата публикации: 1989-03-14.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5576071A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-11-19.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods

Номер патента: US6112697A. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Chemical vapor deposition process for producing diamond

Номер патента: US11905594B2. Автор: Neil Fox,Hugo DOMINGUEZ ANDRADE,Thomas B SCOTT,Edward JD MAHONEY,Alexander CROOT. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom

Номер патента: US5204145A. Автор: Steven M. Gasworth. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-04-20.

Organometallic compound, precursor composition comprising same, and method for manufacturing thin film using same

Номер патента: US20230257406A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Chemical vapor deposition wafer boat

Номер патента: CA1234972A. Автор: Arthur J. Learn,Dale R. DuBois. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1988-04-12.

Method of chemical vapor deposition in a continuous treatment line

Номер патента: US5352490A. Автор: Masahiro Abe,Kazuhisa Okada,Shuzo Fukuda. Владелец: NKK Corp. Дата публикации: 1994-10-04.

Chemical vapor deposition reactor to grow diamond film by microwave plasma chemical vapor deposition

Номер патента: US11214871B2. Автор: Elgin E. Eissler,David SABENS,Charles D. Tanner. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

High density plasma chemical vapor deposition chamber and method of using

Номер патента: US20210125811A1. Автор: Ding-I Liu,Wen-Long Lee,Wei-Ching Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of depositing a transition metal dichalcogenide

Номер патента: US20240124975A1. Автор: Benjamin Groven,Vladislav VORONENKOV,Dries VRANCKX. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-18.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: US20220275509A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: EP4298665A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Integration of vapor deposition process into plasma etch reactor

Номер патента: US20230260759A1. Автор: Eric A. Hudson,Ramesh Chandrasekharan,Andrew Clark SERINO,Alan M. Schoepp,Thad NICHOLSON. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods of making and deposition methods using hafnium- or zirconium-containing compounds

Номер патента: WO2011057114A2. Автор: Christian Dussarrat,Vincent M. Omarjee,Venkateswara Pallem. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-05-12.

Inverted diffusion stagnation point flow reactor for vapor deposition of thin films

Номер патента: CA2016970A1. Автор: Prasad N. Gadgil. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 1991-11-16.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US5871586A. Автор: John A. Crawley,Victor J. Saywell. Владелец: Thomas Swan and Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Gas delivering apparatus for chemical vapor deposition

Номер патента: US6123776A. Автор: Kuen-Jian Chen,Horng-Bor Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689049A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

Chemical vapor deposition manifold

Номер патента: US6024799A. Автор: Karl Anthony Littau,Chen-An Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates

Номер патента: US4263872A. Автор: Vladimir S. Ban. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-04-28.

Chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US8778079B2. Автор: Michael J. Begarney,Frank J. Campanale. Владелец: Valence Process Equipment Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: CA1268688A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-05-08.

Method for chemical vapor deposition of titanium nitride films at low temperatures

Номер патента: US5378501A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: US4705700A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-11-10.

High strength alloys and methods for making same

Номер патента: US20020088508A1. Автор: Robert Hölzl,Robert Shinavski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Unitary wafer plasma enhanced chemical vapor deposition holding device

Номер патента: US5478399A. Автор: Calvin K. Willard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-12-26.

Chemical vapor deposition wafer boat

Номер патента: US4694778A. Автор: Arthur J. Learn,Dale R. DuBois. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1987-09-22.

Chemical vapor deposition chamber having an adjustable flow flange

Номер патента: US6080241A. Автор: Tingkai Li,Dane C. Scott,Brian Wyckoff. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Organometallic precursors for deposition of ruthenium metal and/or ruthenium oxide thin films, and deposition process of the thin films

Номер патента: KR20100060482A. Автор: 박정우,김준영,신현국,이경은,류경희. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2010-06-07.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US7217326B2. Автор: Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-15.

Chemical vapor deposition apparatus having a gas diffusing nozzle designed to diffuse gas equally at all levels

Номер патента: US6146461A. Автор: Tae-Chul Kim,Chang-Zip Yang,Jae-Hyuck An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-14.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20040200413A1. Автор: Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: US4638762A. Автор: Montri Viriyayuthakorn,Myung K. Kim. Владелец: AT&T Technologies Inc. Дата публикации: 1987-01-27.

Chemical vapor deposition apparatus for flat display

Номер патента: CN101016622A. Автор: 金南珍,金俊洙. Владелец: SFA Engineering Corp. Дата публикации: 2007-08-15.

Wafter carrier for chemical vapor deposition systems

Номер патента: US10316412B2. Автор: Yuliy Rashkovsky,Sandeep Krishnan,Alexander I. Gurary,Lukas Urban,Jeffrey Scott Montgomery. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Multiple Chamber System for Plasma Chemical Vapor Deposition of Diamond and Related Materials

Номер патента: US20230392255A1. Автор: William Holber. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20230105104A1. Автор: Jinsan Moon,Wonbae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-04-06.

Wafer carrier for metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: EP3907308A1. Автор: Yuxi Wan,Zetao PENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-10.

Method of Selective Metal Deposition Using Separated Reactant Activation and Plasma Discharging Zone

Номер патента: US20240191354A1. Автор: Jiang Lu,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Joseph Hernandez,Xianmin Tang,Dien-Yeh Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Ying-Bing JIANG,Gary HOW. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Induction heater, chemical vapor deposition apparatus comprising the same and method of controlling temperature distribution of chemical vapor deposition apparatus comprising induction heater

Номер патента: KR101223246B1. Автор: 이창엽. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2013-01-17.

Organometallic precursors and related intermediates for deposition processes, their production and methods of use

Номер патента: KR100891779B1. Автор: 민 리,아라가판 테나판,친-웨이 리,데이비드 네일와제크,마틴 체니,징유 라오,에릭 에이센브라운,나타니엘 버리너,미코 리타라,마르쿠 레스케라,카우포 쿡리. Владелец: 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-04-07.

Organometallic precursors and related intermediates for deposition processes, their production and methods of use

Номер патента: KR20070088277A. Автор: 민 리,아라가판 테나판,친-웨이 리,데이비드 네일와제크,마틴 체니,징유 라오,에릭 에이센브라운,나타니엘 버리너,미코 리타라,마르쿠 레스케라,카우포 쿡리. Владелец: 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-08-29.

Method to reduce plasma charge damage from high density plasma chemical vapor deposition (hdp-cvd) process

Номер патента: US20080146039A1. Автор: Daewon Yang,Jeffery B. Maxson,Ann N. McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Variable-temperature vapor deposition process

Номер патента: US20240209498A1. Автор: Paul Connolly Quayle. Владелец: Great Lakes Crystal Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20020051847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: WO2002086189A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2002-10-31.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: EP1387898A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-11.

Precursor with (methoxy)(methyl) silyolefin ligand to deposit copper and method for the same

Номер патента: MY128338A. Автор: Masato Kobayashi,Tue Nguyen,Yoshihide Senzaki,Lawrence Joel Charneski. Владелец: Sharp Microelect Tech Inc. Дата публикации: 2007-01-31.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230349046A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Centrotherm International AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Diamond films and methods of making diamond films

Номер патента: CA2548782A1. Автор: John Harvie Chaffin Iii. Владелец: Nanotech Llc. Дата публикации: 2005-06-23.

Wear parts having coating run-out and methods of producing the same

Номер патента: EP2636766A3. Автор: Liam PINGREE,Michael Ware. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-09-21.

Reductive elimination chemical vapor deposition processes utilizing organometallic precursor compounds in semiconductor wafer processing

Номер патента: US5384289A. Автор: Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same

Номер патента: US20210363630A1. Автор: Yuriy Melnik,Lance A. Scudder,Sukti Chatterjee,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CuInXGa1- X(SeyS1-y)2 THIN FILMS AND USES THEREOF

Номер патента: WO2008151067A3. Автор: Tim Anderson,W K Kim. Владелец: W K Kim. Дата публикации: 2009-02-19.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA3192596A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of forming highly adhesive copper thin films on metal nitride substrates via CVD

Номер патента: US20030031790A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Pvd-coated cutting tools and method for making the same

Номер патента: US20170218511A1. Автор: Yixiong Liu,Vineet Kumar,Mark S. Greenfield,Ronald M. Penich,Peter R. Leicht. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Fixed abrasive planarization pad conditioner incorporating chemical vapor deposited polycrystalline diamond and method for making same

Номер патента: US6632127B1. Автор: Jerry W. Zimmer,Todd W. Buley,Albert B. Stubbmann. Владелец: Albert B. Stubbmann. Дата публикации: 2003-10-14.

Method of producing tungsten rhenium alloys by chemical vapor deposition

Номер патента: US3637374A. Автор: Frederick A Glaski,Robert A Holzi,James R Humphrey. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1972-01-25.

Methods of forming cover lens structures for display devices, and related apparatus and devices

Номер патента: US20240019606A1. Автор: Han Nguyen,Soo Young Choi,Tae Kyung Won,Helinda Nominanda,Seong Ho YOO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: US20120156894A1. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20030165619A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Method for producing articles by chemical vapor deposition and the articles produced therefrom

Номер патента: CA2068152A1. Автор: Thomas R. Anthony,Robert H. Ettinger,Charles D. Iacovangelo,William L. Mowrey,Sidney P. Young,David W. Woodruff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-12-13.

Method of forming composite articles from CVD gas streams and solid particles or fibers

Номер патента: US5348765A. Автор: Peter Reagan,Ann N. Scoville,Rebecca Leaf. Владелец: Thermo Electron Corp. Дата публикации: 1994-09-20.

Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum

Номер патента: US5783716A. Автор: Thomas H. Baum,Peter S. Kirlin,Sofia Pombrik. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Organometallic antimony compounds useful in chemical vapor deposition processes

Номер патента: US4960916A. Автор: John C. Pazik. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1990-10-02.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US9447495B2. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-09-20.

Chemical vapor deposition method

Номер патента: US3565676A. Автор: Robert A Holzl. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1971-02-23.

Method of forming silicon nitride films

Номер патента: US20090087586A1. Автор: Toshiya Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

High speed chemical vapor deposition process utilizing a reactor having a fiber coating liquid seal and a gas sea;

Номер патента: US4863760A. Автор: Christopher A. Schantz,Ronald Hiskes. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1989-09-05.

Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor

Номер патента: US6186090B1. Автор: Joachim Doehler,Herbert C. Ovshinsky,II Buddy R. Dotter,Timothy Ellison,Masatsugo Izu. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2001-02-13.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A3. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-01-03.

Thin film diamond coating system and method

Номер патента: US20180127871A1. Автор: Adam Khan,Robert Polak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of making nucleation layer for diamond growth

Номер патента: EP2257658A1. Автор: Milan Vanecek,Bohuslav Rezek,Alexander Kromka,Stepan Potocky,Jiri Potmesil. Владелец: Institute of Physics Czech Academy of Sciences. Дата публикации: 2010-12-08.

Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy

Номер патента: EP3291279A1. Автор: Elena PALACIOS ZAMBRANO,Pedro Julián MARTÍN VELASCO,Vasily LENNIKOV,Susana Maria LUACES OROBITG. Владелец: Nano Coatings SL. Дата публикации: 2018-03-07.

Apparatus and method for large-scale production of graphene

Номер патента: US20230357017A1. Автор: Marius Andreassen Jakobsen,Vitali Datsyuk. Владелец: CealTech AS. Дата публикации: 2023-11-09.

Carbon hard masks for patterning applications and methods related thereto

Номер патента: US11784042B2. Автор: Yang Yang,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Kartik Ramaswamy,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Takehito KOSHIZAWA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Microwave plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240158910A1. Автор: Zhiwen Kang,Bingfeng CAI,Kangfu GUO. Владелец: Wuhan Youmeike Automation Co ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Thin metal coating methods for high conductivity graphane-metal composites and methods of manufacture

Номер патента: US20180100233A1. Автор: James J. Farquhar,Choon Ming SEAH. Владелец: Fourte' International Sdn Bhd. Дата публикации: 2018-04-12.

Chemical vapor deposition coatings on titanium

Номер патента: US3787223A. Автор: C Reedy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-01-22.

Colourless monocrystalline diamond and method for production thereof

Номер патента: RU2473720C2. Автор: Стивен Дейвид УИЛЛЬЯМС,Даниел Джеймс ТУИТЧЕН,Филип Морис МАРТИНОУ,Джеффри Алан СКАРСБРУК,Айан ФРИЛ. Владелец: Элемент Сикс Лимитед. Дата публикации: 2013-01-27.

Method of producing articles by chemical vapor deposition and the support mandrels used therein

Номер патента: US5869133A. Автор: Thomas Richard Anthony,Robert Helmut Ettinger,James Fulton Fleischer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-02-09.

3d metal printhead assembly method of manufacture

Номер патента: US20210102286A1. Автор: Jeffrey Herman,Charles Pateros,David Pain,Andrew Edmonds,Edward White,Kareemullah Shaik. Владелец: Fabric8Labs Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11702749B2. Автор: Jing Lu,Jes Asmussen,Yajun Gu,Shreya Nad. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-07-18.

Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process

Номер патента: US20230143580A1. Автор: Atsuki Fukazawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Chemical vapor deposition improvements through radical-component modification

Номер патента: WO2011090592A2. Автор: Xiuyu Cai,Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Yue Zhao,Shankar Venkataraman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-07-28.

Apparatus and and method for growing discrete ultralong cylindrical sp2 carbon structures

Номер патента: EP3810547A1. Автор: F. Keith Perkins,Adam L. Friedman,Erin Cleveland,Ignacio Perez De Leon,Paul M. Campbell. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2021-04-28.

Method of growing a graphene coating or carbon nanotubes on a catalytic substrate

Номер патента: US20160376156A1. Автор: Pierre Levesque,Richard Martel,Philippe Gagnon,Saman Choubak,Patrick Desjardins. Владелец: Valorisation-Recherche LP. Дата публикации: 2016-12-29.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11854775B2. Автор: Timothy A. Grotjohn,Jes Asmussen. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-12-26.

Deposition of silicon nitride by plasma-enchanced chemical vapor deposition

Номер патента: US5508067A. Автор: Atsushi Tabata,Tatsuya Sato,Naoaki Kobayashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-04-16.

Method for low temperature chemical vapor deposition of aluminides containing easily oxidized metals

Номер патента: US5503874A. Автор: John F. Ackerman,William R. Stowell,John H. Wood,Adrian M. Beltran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-04-02.

Metal organic vapor deposition procedure for preparing group III--V compounds on a heated substrate

Номер патента: US4436769A. Автор: Rodney H. Moss,Marc M. Faktor. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1984-03-13.

Method of depositing a wear-protective layer on a cutting tool and wear protective layer produced by the method

Номер патента: US4842937A. Автор: Hans-Robert Meyer,Hans-Joachim Wiemann. Владелец: Ernst Winter and Sohn Diamantwekzeuge GmbH and Co. Дата публикации: 1989-06-27.

Method of coating complex substrates

Номер патента: US5139824A. Автор: Paul Lowden,Joseph Liburdi,Alina Aguero. Владелец: Liburdi Engineering Ltd. Дата публикации: 1992-08-18.

Chemical vapor deposition during additive manufacturing

Номер патента: US11851763B2. Автор: Scott Alan Gold. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-26.

Selenophene-Based Low Band Gap Active Layers by Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20130089659A1. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-04-11.

Chemical vapor deposition during additive manufacturing

Номер патента: US20240076779A1. Автор: Scott Alan Gold. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-03-07.

Hardmasks and processes for forming hardmasks by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20220119953A1. Автор: Pramit MANNA,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Jui-Yuan Hsu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Hardmasks and processes for forming hardmasks by plasma- enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2022086708A1. Автор: Pramit MANNA,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Jui-Yuan Hsu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-04-28.

Selenophene-based low band gap active layers by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013095733A3. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-08-22.

Selenophene-based low band gap active layers by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013095733A2. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-06-27.

Halogen-assisted chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: US5071677A. Автор: Donald E. Patterson,Robert H. Hauge,John L. Margrave,C. Judith Chu. Владелец: Houston Advanced Research Center HARC. Дата публикации: 1991-12-10.

Halogen-assisted chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: WO1992019791A1. Автор: Donald E. Patterson,Robert H. Hauge,Judith C. Chu,John L. Margrave. Владелец: Houston Advanced Research Center. Дата публикации: 1992-11-12.

Multi-showerhead chemical vapor deposition reactor, process and products

Номер патента: EP3931368A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus

Номер патента: US9662450B2. Автор: Steven J. Martin,Christopher Weikart,Joseph A. Jones. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of forming a multilayer substrate comprising a layer of silicon and a layer of diamond having an optically finished (or a dense) silicon-diamond interface

Номер патента: US11891691B2. Автор: Chao Liu,Wen-Qing Xu,Thomas E. Anderson,Giovanni Barbarossa,Elgin E. Eissler. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

METHOD FOR PREPARING THICKNESS-CONTROLLED GRAPHENE USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND Cu-Ni THIN FILM LAMINATE CATALYST

Номер патента: KR101999564B1. Автор: 조길원,이효찬,유민석. Владелец: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단. Дата публикации: 2019-07-12.

Chemical vapor deposition of polycrystalline diamond with orientation and growth facets

Номер патента: US5437891A. Автор: Thomas R. Anthony,James F. Fleischer,David E. Slutz. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-08-01.

Cooled mirror construction by chemical vapor deposition

Номер патента: US4378626A. Автор: Frederick G. Eitel. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1983-04-05.

Chemical vapor deposition of aluminum films using dimethylethylamine alane

Номер патента: US5191099A. Автор: Everett C. Phillips,Wayne L. Gladfelter. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 1993-03-02.

Chemical vapor deposition

Номер патента: CA1087040A. Автор: Jeffrey N. Crosby,Robert S. Hanley. Владелец: Vale Canada Ltd. Дата публикации: 1980-10-07.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4250210A. Автор: Jeffrey N. Crosby,Robert S. Hanley. Владелец: International Nickel Co Inc. Дата публикации: 1981-02-10.

Chemical vapor deposition apparatus of in-line type

Номер патента: US5288329A. Автор: Kazuyuki Ito,Masanori Hashimoto,Michio Ishikawa,Yoshifumi Ota,Kyuzo Nakamura,Noriaki Tani. Владелец: Nihon Shinku Gijutsu KK. Дата публикации: 1994-02-22.

Chemical vapor deposition of perovskite thin films

Номер патента: US20190074439A1. Автор: Xiao Chen,Parag Banerjee,Peifu Cheng,Yoon Myung. Владелец: Washington University in St Louis WUSTL. Дата публикации: 2019-03-07.

Cleaning apparatus of a high density plasma chemical vapor deposition chamber and cleaning thereof

Номер патента: US20050211279A1. Автор: Sung Hwang,Kyoung Chin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: WO2005038871A2. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2005-04-28.

Method for growing halide perovskite nanocrystals through in-situ chemical vapor deposition

Номер патента: US20240035194A1. Автор: Chao FAN,Haiping He,Xingliang DAI. Владелец: Wenzhou Xinxin Taijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Tool, especially cutting tool and method for the cvd deposition of a two phase layer on a substrate body

Номер патента: CA2524643A1. Автор: Volkmar Sottke,Hartmut Westphal,Hendrikus van den Berg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-18.

Photo-induced hydrophilic article and method of making same

Номер патента: US20070218265A1. Автор: Caroline Harris,Janos Szanyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Photo-induced hydrophilic article and method of making same

Номер патента: WO2002085809A8. Автор: Janos Szanyi,Caroline S Harris. Владелец: Ppg Ind Ohio Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Sputtering targets, sputter reactors, methods of forming cast ingots, and methods of forming metallic articles

Номер патента: WO2003008656B1. Автор: Wuwen Yi,Chi Tse Wu,Frederick B Hidden. Владелец: Frederick B Hidden. Дата публикации: 2004-04-08.

GAS PIPING SYSTEM, CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE, FILM DEPOSITION METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SiC EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20190169742A1. Автор: Bando Akira,ISHIBASHI Naoto,FUKADA Keisuke,UTASHIRO Tomoya. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2019-06-06.

Chemical vapor deposition apparatus, film forming method, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090286398A1. Автор: Hiroyuki Uesugi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

Gas piping system, chemical vapor deposition equipment, film formation method and method for manufacturing SiC epitaxial wafer

Номер патента: JP6814561B2. Автор: 章坂東,直人石橋,啓介深田,智也歌代. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-01-20.

Sputtering targets, sputter reactors, methods of forming cast ingots, and methods of forming metallic articles

Номер патента: EP1407058A2. Автор: Wuwen Yi,Chi Tse Wu,Frederick B. Hidden. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-04-14.

Method for forming composite vapor-deposited films with varied compositions formed in the initial and final stages of deposition, composite vapor-deposition material for the film and method for manufacture thereof

Номер патента: US6372362B1. Автор: Shinji Furuichi,Shigetoshi Takashima. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2002-04-16.

Physical vapor deposition system comprising positioning marker and method for adjusting distance between crucible and substrate

Номер патента: EP3717675A4. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,MICHAEL HARR,SHOU PENG,Bettina Späth,Xinjian Yin,Ganhua FU,Marcel MISCHKE. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

DEPOSITION PROCESS MONITORING SYSTEM, AND METHOD OF CONTROLLING DEPOSITION PROCESS AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SYSTEM

Номер патента: US20180010243A1. Автор: Han Kyu-hee,Lee Ju-Hyun,Lee Seung-Hun,Lee Chang-yun,Park Kee-soo,Jeon Byung-chul. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Physical Vapor Deposition Chamber Particle Reduction Apparatus And Methods

Номер патента: US20190057849A1. Автор: Sanjay Bhat,Majeed A. Foad,Vibhu Jindal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Vapor deposition material for organic device and method for manufacturing organic device

Номер патента: WO2011013626A1. Автор: 誠之林. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2011-02-03.

Vapor deposition mask, manufacturing method thereof, and manufacturing method of organic EL display device

Номер патента: JP6462157B2. Автор: 克彦岸本,耕三矢野,光志西田. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-30.

Vapor deposition material for organic device and method for manufacturing organic device

Номер патента: KR20120030163A. Автор: 마사유키 하야시. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-03-27.

A kind of vapor deposition contraposition effect detection device and method

Номер патента: CN108118291A. Автор: 吴俊雄,陈聪,李建华,苏君海,柯贤军,周扬川. Владелец: Truly Huizhou Smart Display Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Physical vapor deposition chamber particle reduction apparatus and methods

Номер патента: US10763091B2. Автор: Sanjay Bhat,Majeed A. Foad,Vibhu Jindal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Embedded wire chemical vapor deposition (ewcvd)

Номер патента: EP4363630A1. Автор: Joseph Pegna,Kirk L. Williams,Shay L. Harrison. Владелец: Free Form Fibers LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Compound and method for producing the same

Номер патента: US20100136712A1. Автор: Hui-Yun Bor,Cuo-Yo Nieh,Chao-Nan Wei,Yuan-Pang Wu,jian-hong Liao. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2010-06-03.

Composite sic-substrate and method of its production

Номер патента: RU2726283C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-10.

Method of forming a conformal and continuous crystalline silicon nanosheet with improved electrical properties at low doping levels

Номер патента: US20240222114A1. Автор: Jean-Marc Girard,Venkateswara R. Pallem,Nathan Stafford,Claudia Fafard,Sana RANI. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20030170982A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20060172087A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device having a passivation layer and method of making the same

Номер патента: US20180166406A1. Автор: Yi-An Lin,C. C. Chang,Yu-Lung Shih,Alan KUO,Chao-Keng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Titanium containing dielectric films and methods of forming same

Номер патента: AU7083400A. Автор: Cem Basceri,Dan Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-03-26.

Titanium containing dielectric films and methods of forming same

Номер патента: EP1212476A1. Автор: Cem Basceri,Dan Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-12.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US12055863B2. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: WO2007001296A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of manufacturing electrical conductors

Номер патента: EP2815427A1. Автор: Min Zheng,Jessica Henderson Brown Hemond,Robert Daniel Hilty,Zhengwei Liu,Rodney Ivan Martens,Mary Elizabeth Sullivan Malervy. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-24.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: EP1897131A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-03-12.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials

Номер патента: CA2595761A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of forming refractory metal contact in an opening, and resulting structure

Номер патента: US20040191562A1. Автор: Jed Rankin,William Murphy,Randy Mann,Jonathan Chapple-Sokol,Daniel Vanslette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Method of forming refractory metal contact in an opening, and resulting structure

Номер патента: US20030165705A1. Автор: Jed Rankin,William Murphy,Randy Mann,Jonathan Chapple-Sokol,Daniel Vanslette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-04.

Tantalum and tantalum-based films formed using fluorine-containing source precursors and methods of making the same

Номер патента: WO2000070118A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2000-11-23.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: EP2906738A1. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2015-08-19.

Method of sputtering a carbon protective film on a magnetic disk with high sp3 carbon.

Номер патента: MY124998A. Автор: PENG Gang,YAMASHITA Tsutomu,Chen Tu,Hong Liu Wen. Владелец: Komag Incorporated. Дата публикации: 2006-07-31.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230215725A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Methods for area-selective deposition of polymer films using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019842A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Low thermal budget chemical vapor deposition processing

Номер патента: US20080119059A1. Автор: Yuji Maeda,R. Suryanarayanan Iyer,Jacob W. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-22.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A4. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A1. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

Low Interface State Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160268124A1. Автор: Ke Wei,Chao Zhao,Xinyu Liu,Junfeng Li,Xinhua Wang,Wenwu Wang,Sen Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-15.

Low interface state device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10276366B2. Автор: Ke Wei,Chao Zhao,Xinyu Liu,Junfeng Li,Xinhua Wang,Wenwu Wang,Sen Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of making composite articles from silicon carbide

Номер патента: US20200040449A1. Автор: William F Fischer, III,Walter Wrigglesworth, III,Lauren Montgomery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of forming ferroelectric film

Номер патента: US20040259275A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: US20200115800A1. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-04-16.

Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof

Номер патента: US20120029219A1. Автор: Scott Houston Meiere,James Philip Natwora, Jr.. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2728484C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-29.

Methods of preparation of omniphobic surfaces

Номер патента: US20220145037A1. Автор: Siamak Nejati,Mona Bavarian,Mahdi Mohammadi Ghaleni. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Method and apparatus of forming a sputtered doped seed layer

Номер патента: US20020182887A1. Автор: Vikram Pavate,Murali Narasimhan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Composition control of chemical vapor deposition nitrogen doped germanium antimony tellurium

Номер патента: US20190345607A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Matthew J. BrightSky,Norma Edith Sosa,Fabio Carta,Gloria W.Y. Fraczak. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of forming memory device with physical vapor deposition system

Номер патента: US12035538B2. Автор: Chin-Szu Lee,Yu-Jen Chien,I-Pin CHIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Electroless deposition apparatus and method

Номер патента: WO2003065423A3. Автор: Dmitry Lubomirsky,Yeuk-Fai Edwin Mok,Joseph J Stevens,Ian Pancham,Donald J Olgado,Howard E Grunes. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes

Номер патента: US20030049376A1. Автор: Arulkumar Shanmugasundram,Manuel Hernandez,Rong Pan,Alexander Schwarm,Amna Mohammad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

Oxide/organic polymer multilayer thin films deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: WO1999057330A9. Автор: Seshu B Desu,John J Senkevich. Владелец: Seshu B Desu. Дата публикации: 2000-02-10.

Corrosion-resistant coated article and thermal chemical vapor deposition coating process

Номер патента: US12036765B2. Автор: Min YUAN. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing a semiconductor device with a contact hole

Номер патента: US20020182854A1. Автор: Junichi Miyano,Kiyohiko Toshikawa,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for manufacturing cigs light absorption layer for solar cell through chemical vapor deposition

Номер патента: EP4340047A1. Автор: Seung Hyun Lee,Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,Hea Yong KWON,Tae Yeop Jeon,Tae Woo Eom. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

A chemical vapor deposition chamber article

Номер патента: WO2020242292A8. Автор: Marcus Gerardus Van Munster,Guiming SONG. Владелец: Schunk Xycarb Technology B.V.. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming a conformal and continuous crystalline silicon nanosheet with improved electrical properties at low doping levels

Номер патента: WO2024145172A1. Автор: Jean-Marc Girard,Venkateswara R. Pallem,Nathan Stafford,Claudia Fafard,Sana RANI. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-07-04.

Selective deposition process

Номер патента: WO1987003741A1. Автор: George Joseph Collins,Werner Adam Metz, Jr.. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1987-06-18.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Silicon Compounds And Methods For Depositing Films Using Same

Номер патента: US20230123377A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,William R. Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131950A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Methods of forming films including scandium at low temperatures using chemical vapor deposition to provide piezoelectric resonator devices and/or high electron mobility transistor devices

Номер патента: US20210280634A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5661115A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

Very low pressure chemical vapor deposition process for deposition of titanium silicide films

Номер патента: US4957777A. Автор: Vida Ilderem,L. Rafael Reif,Prabha K. Tedrow. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1990-09-18.

Method and system for inline chemical vapor deposition

Номер патента: WO2012170166A3. Автор: Piero Sferlazzo,Thomas Michael Lampros. Владелец: AVENTA TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

Physical vapor deposition target assemblies, and methods of forming physical vapor deposition target assemblies

Номер патента: EP1335994A2. Автор: Jianxing Li,Timothy Scott. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-08-20.

Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6120846A. Автор: Thomas H. Baum,Frank Hintermaier,Bryan Hendrix,Peter Van Buskirk,Jeff Roeder. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Apparatus for forming single crystal piezoelectric layers using low-vapor pressure metalorganic precursors in cvd reactors with temperature-controlled injector columns and methods of forming single crystal piezoelectric layers using the same

Номер патента: US20230235459A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials via alternating layers

Номер патента: US20090022883A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film

Номер патента: US12063023B2. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Substrate and method for the formation of continuous magnesium diboride and doped magnesium diboride wires

Номер патента: US20050127353A1. Автор: Raymond Suplinskas,Douglas Finnemore,Paul Canfield,Serquei Bud'ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Substrate and method for the formation of continuous magnesium diboride and doped magnesium diboride wires

Номер патента: US20120178631A1. Автор: Raymond J. Suplinskas,Janet Suplinskas. Владелец: Specialty Materials Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Substrate and method for the formation of continuous magnesium diboride and doped magnesium diboride wires

Номер патента: WO2004048292A1. Автор: Raymond J. Suplinskas. Владелец: Suplinskas Raymond J. Дата публикации: 2004-06-10.

Coated bodies made of metal, solid alloy, cermet or ceramic and method of coating said bodies

Номер патента: RU2563080C2. Автор: Ингольф ЭНДЛЕР,Мэнди ХЁН. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2015-09-20.

Method of ensuring adhesion of chemically vapor deposited oxide to gold integrated circuit interconnect lines

Номер патента: US4716071A. Автор: Dyer A. Matlock,Bruce E. Roberts,Jimmy C. Black. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1987-12-29.

Method of fabricating a MOS device

Номер патента: US20020168855A1. Автор: John Smythe,John Berg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

System and method for polycrystalline silicon deposition

Номер патента: EP2547624A2. Автор: Wenjun Qin. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20130341513A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2013-12-26.

Method of obtaining epitaxial layer of binary semiconductor material on monocrystalline substrate by organometallic chemical vapour deposition

Номер патента: RU2548578C2. Автор: Валерий Анатольевич Буробин,Андрей Владимирович Зверев,Алексей Андреевич Арендаренко. Владелец: Алексей Андреевич Арендаренко. Дата публикации: 2015-04-20.

DRAM circuitry, method of forming a field emission device, and field emission device

Номер патента: US20020068448A1. Автор: Richard Lane,Brenda Kraus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Plasma Chemical Vapor Deposition Process

Номер патента: US20230312392A1. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of forming refractory metal contact in an opening, and resulting structure

Номер патента: US6900505B2. Автор: Randy W. Mann,Jed H. Rankin,William J. Murphy,Daniel S. Vanslette,Jonanthan D. Chapple-Sokol. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-31.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20100200757A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Methods of forming layers over substrates; and methods of forming trenched isolation regions

Номер патента: US20040266197A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Cem Basceri,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Chemical Vapor Deposition Diamond (CVDD) Wires for Thermal Transport

Номер патента: US20210143080A1. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: WO2023160793A1. Автор: Hristo Strakov,Vasileios PAPAGEORGIOU,Manfred Pfitzner,Anja BÄUMCHEN. Владелец: Ihi Bernex Ag. Дата публикации: 2023-08-31.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US20240209502A1. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-06-27.

Atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition process

Номер патента: US20100323127A1. Автор: John Matthew Warakomski,Christina Ann Rhoton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Methods of forming a metal-insulator-semiconductor (mis) structure and a dual contact device

Номер патента: WO2015142438A3. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-17.

Methods of forming a metal-insulator-semiconductor (mis) structure and a dual contact device

Номер патента: WO2015142438A2. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-24.

Haloalkynyl dicobalt hexacarbonyl precursors for chemical vapor deposition of cobalt

Номер патента: US11804375B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Seobong CHANG,Sangbum Han,JaeEon Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US20220019149A1. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-01-20.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US20230259043A1. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-17.

Haloalkynyl dicobalt hexacarbonyl precursors for chemical vapor deposition of cobalt

Номер патента: US20240096631A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Seobong CHANG,Sangbum Han,JaeEon Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: US20060290013A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Protective coatings for aluminum mirrors and methods of forming the same

Номер патента: US20230168417A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Method of forming an electrical contact to a silicon substrate

Номер патента: US6054191A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Method of depositing a conformal hydrogen-rich silicon nitride layer onto a patterned structure

Номер патента: US20020039835A1. Автор: Stephane Thioliere,Corinne Buchet,Patrick Raffin,Christophe Balsan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-04-04.

Liquid delivery and vaporization apparatus and method

Номер патента: US20200095681A1. Автор: Chui-Ya Peng,Hsin-Lung Yang,Chih-Ta KUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Methods for depositing amorphous silicon layers or silicon oxycarbide layers via physical vapor deposition

Номер патента: US20180142343A1. Автор: Yong Cao,Huixiong Dai,Khoi Phan,Xianmin Tang,Christopher Ngai,Rongjun Wang,Weimin Zeng,Daniel Lee Diehl. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device

Номер патента: US5240505A. Автор: Masanobu Iwasaki,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4503807A. Автор: Satoshi Nakayama,Shigeru Takeda,Masuo Suzuki,Hideaki Takeuchi,Harushige Kurokawa,Junichi Murota,Tatuhiko Hurukado,Humihide Ikeda. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-03-12.

Method of making a low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface, an amorphous titanium nitride barrier layer and a conductive plug

Номер патента: US5723382A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-03.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US11842883B2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A3. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: EP3551780A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Organometallic compounds and their use as precursors for forming films and powders of metal or metal derivatives

Номер патента: EP1299404A1. Автор: Hyungsoo Choi. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2003-04-09.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: WO2018106886A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-06-14.

Methods of forming semiconductor films and methods of manufacturing transistors including semiconductor films

Номер патента: US20150064860A1. Автор: Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jong-baek Seon,Chil Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Particle reduction in physical vapor deposition of amorphous silicon

Номер патента: WO2024081221A1. Автор: Mingdong Li,Chengyu Liu,Peijiao FANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Film quality control in a linear scan physical vapor deposition process

Номер патента: US20190311905A1. Автор: Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Bencherki Mebarki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Temperature-controlled purge gate valve for chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20090205563A1. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of forming aluminum interconnection layer

Номер патента: US6123992A. Автор: Kazumi Sugai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

Surface mounted circuits including hybrid circuits, having cvd interconnects, and method of preparing the circuits

Номер патента: CA1242810A. Автор: Jaime Reyes,David Allred. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1988-10-04.

Organometallic compounds and their use as precursors for forming films and powders of metal or metal derivatives

Номер патента: US20020015789A1. Автор: Hyungsoo Choi. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2002-02-07.

Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof for suppressing background carbon incorporation

Номер патента: US11846024B2. Автор: Hongping Zhao,Yuxuan ZHANG,Zhaoying Chen. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2023-12-19.

Dynamic wafer leveling/tilting/swiveling during a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2017184293A1. Автор: Tuan Anh Nguyen,Karthik Janakiraman,Juan Carlos Rocha-Alvarez,Amit Kumar BANSAL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-10-26.

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: US11661655B2. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2023-05-30.

Metal organic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: EP3652358A1. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-05-20.

Organometallic compounds and their use as precursors for forming films and powders of metal or metal derivatives

Номер патента: AU2001271770A1. Автор: Hyungsoo Choi. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2002-01-14.

Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof

Номер патента: US20210355581A1. Автор: Hongping Zhao,Zhaoying Chen. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2021-11-18.

Organometallic compounds and their use as precursors for forming films and powders of metal or metal derivatives

Номер патента: US20030073860A1. Автор: Hyungsoo Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Organometallic compounds and their use as precursors for forming films and powders of metal or metal derivatives

Номер патента: WO2002002574A1. Автор: Hyungsoo Choi. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2002-01-10.

Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition

Номер патента: US6086679A. Автор: HUI Wang,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Method to deposit functionally graded dielectric films via chemical vapor deposition using viscous precursors

Номер патента: US20060046520A1. Автор: Li-Qun Xia,Deenesh Padhi,Derek Witty,Hichem M'Saad,Juan Rocha-Alvarez,Ganesh Balasubramanian,Sohyun Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-03-02.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Rapid hybrid chemical vapor deposition for perovskite solar modules

Номер патента: WO2021250499A1. Автор: Yabing Qi,Luis Katsuya ONO,Longbin Qiu,Sisi He. Владелец: OKINAWA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY SCHOOL CORPORATION. Дата публикации: 2021-12-16.

Rapid hybrid chemical vapor deposition for perovskite solar modules

Номер патента: EP4143363A1. Автор: Yabing Qi,Luis Katsuya ONO,Longbin Qiu,Sisi He. Владелец: Okinawa Institute of Science and Technology School Corp. Дата публикации: 2023-03-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110287621A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method for tungsten chemical vapor deposition on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1219725A1. Автор: Joris Baele,Hans Vercammen. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-07-03.

Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5843233A. Автор: Barry L. Chin,Eliot K. Broadbent,Jeffrey C. Benzing,Christopher W. Burkhart,Edward J. McInerney,Everhardus P. van de Ven,Lawrence C. Lane. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: US20020132721A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Method of making a device comprising a patterned aluminum layer

Номер патента: CA1283006C. Автор: Ralph George Nuzzo,Martin Laurence Green,Roland Albert Levy. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-04-16.

Phosphorus-nitrogen-oxygen composition and method for making such composition and applications of the same

Номер патента: US4289539A. Автор: Pei-Ching Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-09-15.

Methods of forming a film on a substrate using complexes having tris(pyrazolyl) methanate ligands

Номер патента: US6133161A. Автор: Brian A. Vaartstra,Stefan Uhlenbrock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film

Номер патента: US4588610A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA2756994C. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of making a nanostructure

Номер патента: EP2566681A1. Автор: Moses M. David,Andrew K. Hartzell,Ta-Hua Yu. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2013-03-13.

Method of manufacturing water-repelling film

Номер патента: US20050089647A1. Автор: Junichi Miyano,Kiyohiko Toshikawa,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: WO2001044535A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2001-06-21.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20090042383A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Jin Gyun Kim,Bon-young Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Silicon Bond Coat With Columnar Grains and Methods of its Formation

Номер патента: US20200039892A1. Автор: Glen Harold Kirby,Brian Harvey Pilsner,John Tam Nguyen,Justin Michael Nagy,Jeffery Allen Bross,Robert Martin Fecke. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-02-06.

Apparatus for plasma chemical vapor deposition and method for fabricating semiconductor device by using the same

Номер патента: US20080194104A1. Автор: Sang-Tae Ahn,Dong-Sun Sheen,Seok-Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-14.

Apparatus for plasma chemical vapor deposition and method for fabricating semiconductor device by using the same

Номер патента: US20060094218A1. Автор: Sang-Tae Ahn,Dong-Sun Sheen,Seok-Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition methods for graphene deposition

Номер патента: US20170253962A1. Автор: Zhihong Chen,Sunny Chugh,Ruchit Mehta. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-07.

Method of controlling contamination of vapor deposition apparatus and method of producing epitaxial wafer

Номер патента: US20200392618A1. Автор: Shota Kinose. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Unusually stable glasses and methods for forming same

Номер патента: US20080213365A1. Автор: TIAN Wu,Lian YU,Mark D. Ediger,Stephen Swallen,Ken Kearns. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of structuring layers with a polysilicon layer and an overlying metal or metal silicide layer using a three step etching process with fluorine, chlorine, bromine containing gases

Номер патента: US6479373B2. Автор: Ralf Zedlitz,Stephan Wege,Joerg Dreybrodt,Dirk Drescher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-12.

Plasma-activated chemical vapor deposition of fluoridated cyclic siloxanes

Номер патента: US5230929A. Автор: Gerardo Caporiccio,Riccardo D'agostino,Pietro Favia. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1993-07-27.

Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films

Номер патента: US6054206A. Автор: Thomas Weller Mountsier. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Plasma chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US11956884B2. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Plasma Chemical Vapor Deposition Apparatus

Номер патента: US20220377871A1. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2022-11-24.

Physical vapor deposition system and methods of operating the same

Номер патента: US20240271271A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chia-Hsi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus and method for introducing small amounts of refractory elements into a vapor deposition coating

Номер патента: US20030140856A1. Автор: Reed Corderman,Melvin Jackson,Richard Nardi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Coated article and method of manufacturing the article

Номер патента: CA1329567C. Автор: Stephen J. Hudgens,Annette Johncock,Kevin Dean,Arnold Register,Russell C. Custer,Robert Burkhardt. Владелец: Ovonic Synthetic Materials Co Inc. Дата публикации: 1994-05-17.

Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen

Номер патента: US7825038B2. Автор: ZHENG Yuan,Nitin K. Ingle,Paul Gee,Kedar Sapre. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-11-02.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: EP4259845A1. Автор: Sung-hoon Jung,Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Method of forming a dielectric film

Номер патента: US5763021A. Автор: Andrew W. Young,Don D. Smith. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Method for etching and controlled chemical vapor deposition

Номер патента: US4468283A. Автор: Irfan Ahmed. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-08-28.

Catalytic carbon--carbon deposition process

Номер патента: US5690997A. Автор: Dana T. Grow. Владелец: Sioux Manufacturing Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Apparatus and method for depositing coating onto porous substrate

Номер патента: US4609562A. Автор: Arnold O. Isenberg,Gregory E. Zymboly. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1986-09-02.

Wafer support, chemical vapor phase growth device, epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US10208398B2. Автор: Daisuke Muto,Jun NORIMATSU. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-02-19.

Moisture-resistant electroluminescent phosphor with high initial brightness and method of making

Номер патента: WO2007087479A3. Автор: Frank Schwab,Chen-Wen Fan,Tuan Dang,Joan Coveleskie,Dale Benjamin,David Sheppeck. Владелец: David Sheppeck. Дата публикации: 2008-05-15.

Inverted positive vertical flow chemical vapor deposition chamber

Номер патента: CA1209330A. Автор: James D. Parsons. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1986-08-12.

Equipment for chemical vapor deposition

Номер патента: KR20070002277A. Автор: 나민재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-05.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US11885018B2. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-01-30.

Silicon compounds and methods for depositing films using same

Номер патента: EP4325548A2. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway,Raymond Nicholas VIRTIS. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-21.

Methods for the photo-initiated chemical vapor deposition (picvd) of coatings and coatings produced by these methods

Номер патента: EP2989229A1. Автор: Christopher Alex DORVAL DION,Jason Robert TAVARES. Владелец: Polyvalor LP. Дата публикации: 2016-03-02.

Thermal chemical vapor deposition system and operating method thereof

Номер патента: US20170107619A1. Автор: Ding-I Liu,Si-Wen Liao,Po-Hsiung Leu,Kai-Shiung Hsu,Jui-Fu Hsu,Cheng-Tsung WU,Yi-Fang Lai,Yen-Chan LO,Jheng-Uei HSIEH,Shian-Huei LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Method for Fabricating Solar Cell Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20120077306A1. Автор: Jong Ho Lee,Ho-Sung Kim,Chaehwan JEONG,Seongjae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2012-03-29.

Silicon compounds and methods for depositing films using same

Номер патента: EP4325548A3. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway,Raymond Nicholas VIRTIS. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131951A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Method for recycling organic ruthenium compound for chemical vapor deposition

Номер патента: US20150087851A1. Автор: Masayuki Saito,Ryosuke Harada,Toshiyuki Shigetomi,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2015-03-26.

Method of producing polycrystalline silicon and reactor for producing polycrystalline silicon

Номер патента: RU2581090C2. Автор: Ясуси КУРОСАВА,Сигейоси НЕЦУ,Нарухиро ХОСИНО,Тецуро ОКАДА. Владелец: Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-04-10.

Method of obtaining films of porous crystalline tin dioxide

Номер патента: RU2671361C1. Автор: Сергей Николаевич Поворознюк,Сергей Николаевич Несов,Петр Михайлович Корусенко,Валерий Викторович Болотов,Константин Евгеньевич Ивлев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ОНЦ СО РАН). Дата публикации: 2018-10-30.

Device for vacuum coating and method of substrate coating

Номер патента: RU2744334C1. Автор: Эрик СИЛЬБЕРБЕРГ,Сержио ПАС,Реми БОННЕМАН,Бруно ШМИЦ,Дидье МАРНЕФФЕ. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2021-03-05.

Alkoxysilacyclic or acyloxysilacyclic compounds and methods for depositing films using same

Номер патента: US11884689B2. Автор: XINJIAN LEI,Raymond Nicholas Vrtis,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Alkoxysilacyclic or acyloxysilacyclic compounds and methods for depositing films using same

Номер патента: US20240182499A1. Автор: XINJIAN LEI,Raymond Nicholas Vrtis,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

System and method to control pvd deposition uniformity

Номер патента: WO2020214908A1. Автор: Wen Xiao,Sanjay Bhat,Vibhu Jindal. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-10-22.

Chemical vapor deposition methods and methods of etching a contact opening over a node location on a semiconductor substrate

Номер патента: US20020123221A1. Автор: Chris Hill,Mark Jost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of tisin deposition using a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2003056060A1. Автор: Mei Chang,Roderick Mosely,Chien-Teh Kao,Fufa Chen,Chiukin Steven Lai,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-07-10.

Process for chemical vapor deposition of materials with via filling capability and structure formed thereby

Номер патента: US20080164579A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

A coated article of martensitic steel and a method of forming a coated article of steel

Номер патента: EP2628817A1. Автор: Jürgen Gierl,Yashar Musayev,Tim Matthias Hosenfeldt,Bertram Haag,Paul Peeters,Juhana Kostamo,Serge Kursawe,Ivan KOLEV,Roland Tap. Владелец: Schaeffler AG. Дата публикации: 2013-08-21.

Method of depositing polysilicon, method of fabricating a field effect transistor, method of forming a contact to a substrate, method of forming a capacitor

Номер патента: US6159852A. Автор: Er-Xuan Ping,Michael Nuttall,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Composite coating based on carbon nanotubes and method of its production

Номер патента: RU2727604C2. Автор: Науфаль БАЛАВАН. Владелец: Люксембург Инститьют Оф Сайенс Энд Текнолоджи (Лист). Дата публикации: 2020-07-22.

Method of depositing textured tin oxide

Номер патента: CA1333461C. Автор: Anthony W. Catalano,Charles M. Fortmann,James G. O'dowd,Ora Jean Lee. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1994-12-13.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene on optical fibers

Номер патента: US20230212743A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Deepan Kishore Kumar. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-07-06.

Superhard dielectric compounds and methods of preparation

Номер патента: WO2003058644A2. Автор: John Kouvetakis,John Tolle,I. S. T. Tsong,Levi Torrison. Владелец: Arizona Board of Regents. Дата публикации: 2003-07-17.

Superhard dielectric compounds and methods of preparation

Номер патента: US20040191151A1. Автор: John Kouvetakis,John Tolle,Levi Torrison,I S T Tsong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: WO2009131842A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: Lumenz, Inc.. Дата публикации: 2009-10-29.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method of forming vanadium oxide films and vanadium oxide thin-films prepared thereby

Номер патента: US6156395A. Автор: Ping Liu,David K. Benson,C. Edwin Tracy,Ji-Guang Zhang,John A. Turner. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-12-05.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: EP2279284A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: LUMENZ Inc. Дата публикации: 2011-02-02.

Chemical vapor deposition epitaxial growth

Номер патента: EP1620294A2. Автор: Olof Claes Erik Kordina. Владелец: CARACAL Inc. Дата публикации: 2006-02-01.

Chemical vapor deposition epitaxial growth

Номер патента: WO2004102619A2. Автор: Olof Claes Erik Kordina. Владелец: CARACAL, INC.. Дата публикации: 2004-11-25.

Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20030111009A1. Автор: Vadim Boguslavskiy,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature

Номер патента: US20020001928A1. Автор: Mei Chang,Ming Xi,Keith K. Koai,Shulin Wang,Huan LUO,Russell C. Ellwanger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20220025515A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20180010245A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Method and apparatus of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene

Номер патента: WO2022173543A1. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian Valencia,Chikuang Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

Chemical vapor deposition processes using ruthenium precursor and reducing gas

Номер патента: WO2020096976A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S.H. Chen. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2020-05-14.

Chemical-vapor-deposition silicon carbide bulk having improved etching characteristic

Номер патента: US11859309B2. Автор: Kang Suk Kim,Young Ju Kim,Hak Jun AHN,Youn Woong JUNG,Jun Baek SONG,Won Geun SON. Владелец: DS TECHNO Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Chemical vapor deposition processes using ruthenium precursor and reducing gas

Номер патента: US11987878B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Thin film batteries and methods for manufacturing same

Номер патента: EP2291876A2. Автор: Michael Stowell,Nety Krishna,Byung Sung Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-03-09.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US11901183B2. Автор: Chien Chang,Chih-Wei Chang,Hung-Yi Huang,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240136191A1. Автор: Chien Chang,Chih-Wei Chang,Hung-Yi Huang,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of making primary current detector using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US4851367A. Автор: David J. Wolf. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1989-07-25.

Precursor for formation of europium-containing thin film, and method for forming europium-containing thin film

Номер патента: US8747965B2. Автор: Takayuki Mogi,Yoshinori Kuboshima,Shintaro Higashi,Kaoru KIKUKAWA. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2014-06-10.

Manufacturing method of phase difference element, phase difference element, and projection image display device

Номер патента: US20200018882A1. Автор: Junichi Sugawara,Toshiaki Sugawara,Yoshi Kanega. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US11898244B2. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Metal structures, devices, and methods

Номер патента: US11769729B2. Автор: Jason Farmer,Daniel J. Zierath,Michael Mcswiney,Akm Shaestagir CHOWDHURY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Aerosol assisted chemical vapor deposition methods useful for making dye-sensitized solar cells with platinum dialkyldithiocarbamate complexes

Номер патента: US11742151B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abdul REHMAN,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-08-29.

Low κ dielectric inorganic/organic hybrid films and method of making

Номер патента: US7153580B2. Автор: John Felts,Peter Rose,Eugene Lopata. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-26.

Method of forming bonded body and bonded body

Номер патента: US20090186215A1. Автор: Mitsuru Sato,Takatoshi Yamamoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon, silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US7786320B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan C. Hendrix,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Chemical vapor deposition of titanium

Номер патента: US6903462B2. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Chemical vapor deposition of titanium

Номер патента: US20090039517A1. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Pyrolytic chemical vapor deposition of silicone films

Номер патента: US6045877A. Автор: Karen K. Gleason,Michael C. Kwan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2000-04-04.

Method and system for producing graphene on a copper substrate by modified chemical vapor deposition (AP-CVD)

Номер патента: US11624114B2. Автор: Patricio HÄBERLE TAPIA,Christian ORELLANA GÓMEZ. Владелец: Universidad Tecnica Federico Santa Maria USM. Дата публикации: 2023-04-11.

Process-specific wafer carrier correction to improve thermal uniformity in chemical vapor deposition systems and processes

Номер патента: US20170053049A1. Автор: Sandeep Krishnan,Lukas Urban. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Method and apparatus of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene

Номер патента: EP4292124A1. Автор: Hanh Nguyen,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Bencherki Mebarki,Christian Valencia,Chikuang Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Single-step synthesis of nanostructured thin films by a chemical vapor and aerosol deposition process

Номер патента: US20160056448A1. Автор: Pratim Biswas,Tandeep Singh Chadha,Woo-Jin An. Владелец: Washington University in St Louis WUSTL. Дата публикации: 2016-02-25.

Method of transferring graphene from a metal substrate to a polymer material

Номер патента: RU2688628C1. Автор: Дмитрий Владимирович Смовж,Илья Алексеевич Костогруд,Евгений Викторович Бойко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2019-05-21.

Method of manufacturing large capacity preforms by MCVD

Номер патента: US6988379B2. Автор: Marc Nicolardot,Jean-Florent Campion,Gerard Orcel. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-01-24.

SINGLE-STEP SYNTHESIS OF NANOSTRUCTURED THIN FILMS BY A CHEMICAL VAPOR AND AEROSOL DEPOSITION PROCESS

Номер патента: US20160056448A1. Автор: Biswas Pratim,Chadha Tandeep Singh,An Woo-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Photosensitive polymer compositions, electrophoretic deposition processes using same, and the use of same in forming films on substrates

Номер патента: EP0176356A2. Автор: William David Emmons,Mark Robert Winkle. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 1986-04-02.

Photosensitive polymer compositions, electrophoretic deposition processes using same, and the use of same in forming films on substrates

Номер патента: EP0176356B1. Автор: William David Emmons,Mark Robert Winkle. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 1988-11-02.

Method of synthesis of olefin oxides by direct oxidation of olefins, catalytic composition for this process and method of its regeneration

Номер патента: RU2189378C2. Автор: Говард В. КЛАРК,Джордж Е. ХАРТВЕЛЛ,Роберт Дж. Боуман,Джозеф Дж. Мадж,Джозеф Л. Вомэк,Саймон Р. Бэр. Владелец: Дзе Дау Кемикал Компани. Дата публикации: 2002-09-20.

Method of organic and biological wastes processing into complex organomineral fertilizers

Номер патента: RU2726650C1. Автор: Григорий Семенович Хулап,Сергей Николаевич Рязанцев,Виктор Степанович Бык,Сергей Николаевич Гулей,Федор Ильич Сидоренко,Александр Васильевич Цветков. Владелец: Александр Васильевич Цветков. Дата публикации: 2020-07-15.

Semiconductor resist composition, and method and system of forming patterns using the composition

Номер патента: TW202007691A. Автор: 田桓承,文京守,金宰賢,南宮爛,蔡承龍,羅隆熙. Владелец: 南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司. Дата публикации: 2020-02-16.

Combination of setter used in firing and to-be-fired body and method for firing of formed honeycomb body

Номер патента: CN102351544A. Автор: 末信宏之,中村知雄,野口康,渡边武彦. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-02-15.

Urea production process and plant (versions), method of improving plant (versions)

Номер патента: RU2132843C1. Автор: Пагани Джорджио,Царди Умберто. Владелец: Уреа Касале С.А.. Дата публикации: 1999-07-10.

A apparatus for preventing bubble of electro deposition process for body and method for preventing bubble

Номер патента: KR101330053B1. Автор: 김상구. Владелец: 주식회사 디피코. Дата публикации: 2013-11-18.

Decoration glass and manufacturing method of the same

Номер патента: WO2009028785A1. Автор: Ki Su Yoo. Владелец: Samsung Gwangju Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-03-05.

Cleaning composition for liquid crystal alignment layer and manufacturing method of liquid crystal alignment layer using the same

Номер патента: US20190016998A1. Автор: Soon Ho Kwon,Hang Ah PARK,Hyeong Seuk YUN,Jung Ho Jo,Hee Han,Jun Young Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Comprehensive utilization process and stability control method of PMDI wastewater

Номер патента: CN113929596A. Автор: 张宏科,吴雪峰,李永锋,梁高珲,章靓,文放. Владелец: Wanhua Chemical Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-14.

Composition for polishing and use its Ginding process and the manufacture method of substrate

Номер патента: CN103975037B. Автор: 玉井一诚,坪田翔吾,芦高圭史. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2015-11-25.

Lithium deuteride production process and purity detection method of lithium deuteride

Номер патента: CN106698345A. Автор: 陈昱,赵海燕,车瀛照,车荣睿. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-24.

Composition for polishing, employ its Ginding process and the manufacture method of substrate

Номер патента: CN103890114B. Автор: 高桥修平,森嘉男,高见信一郎,土屋公亮. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2015-08-26.

The laminate for semiconductor processing, the adhesive tape for semiconductor processing, and the manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: KR20220092814A. Автор: 사토시 하야시,마코토 히시다. Владелец: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-04.

Chemical film on substrate and method of forming the same, method of forming paracyclophane containing functional ground with disulfide bond

Номер патента: US10246412B2. Автор: Chih-Yu Wu,Hsien-Yeh Chen,Zhen-Yu Guan. Владелец: May-Hwa Enterprise Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of forming paracyclophane containing functional group with disulfide bond

Номер патента: US10336692B2. Автор: Chih-Yu Wu,Hsien-Yeh Chen,Zhen-Yu Guan. Владелец: May-Hwa Enterprise Corp. Дата публикации: 2019-07-02.

Enhanced particle deposition system and method

Номер патента: US20240270624A1. Автор: David McDonald Stirling. Владелец: ASI/Silica Machinery LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing quartz light guide preform

Номер патента: RU2649989C1. Автор: Алексей Юрьевич КУЛЕШ,Петр Андреевич Злобин,Сергей Валерьевич УСТИНОВ,Иван Анатольевич Клочков. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НПО ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2018-04-06.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: WO2024168346A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: US20240282546A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

A method of fabricating rare earth doped optical fibre

Номер патента: EP1487751A1. Автор: Ranjan Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. SEN,Mrinmay Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. PAL,Mukul C. Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. PAUL,Shyamal Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. BHADRA,Somesh Cent. Glass & Ceramic Res.Inst CHATTERJEE,Kamal Cent. Glass & Ceramic Res. Inst. DASGUPTA. Владелец: Ministry Of Information Techno. Дата публикации: 2004-12-22.

Silicon-based explosive devices and methods of manufacture

Номер патента: US20120174808A1. Автор: Ronald G. Polcawich,Luke J. Currano,Wayne Churaman,Mark Gelak. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2012-07-12.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003232015A1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-11-17.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1502292B1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Method of obtaining a graded pecvd layer and plasma source assembly

Номер патента: WO2017164742A1. Автор: Arthur Wouter Weeber,Machteld Willemijn Petronel Elisabeth Lamers. Владелец: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND. Дата публикации: 2017-09-28.

Chemical film on substrate and method of forming the same, method of forming paracyclophane containing functional ground with disulfide bond

Номер патента: US20170166520A1. Автор: Chih-Yu Wu,Hsien-Yeh Chen,Zhen-Yu Guan. Владелец: May-Hwa Enterprise Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of obtaining a graded PECVD layer and plasma source assembly.

Номер патента: NL2016487A. Автор: Willemijn Petronel Elisabeth Lamers Machteld,Wouter Weeber Arthur. Владелец: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND. Дата публикации: 2017-10-02.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20150318167A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Method of manufacturing film structure, method of manufacturing optical waveguide substrate and method of manufacturing second harmonic generation device

Номер патента: US20010046552A1. Автор: Takashi Yoshino,Makoto Iwai,Makoto Ohmori. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Surface modified diamond materials and methods of manufacturing

Номер патента: US20180212026A1. Автор: Mark A. Hollis,Theodore H. Fedynyshyn,Michael W. Geis. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of luminescent quartzoid bismuth-containing material producing based on high-silica porous glass

Номер патента: RU2605711C2. Автор: Татьяна Викторовна Антропова,Ирина Николаевна Анфимова,Марина Андреевна Гирсова,Галина Николаевна Головина,Людмила Николаевна Куриленко,Сергей Владимирович Фирстов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН). Дата публикации: 2016-12-27.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: EP4329948A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Mcvd method of manufacturing light-guide fibers with core made from quartz glass ligated with nitrogen

Номер патента: RU2668677C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян. Владелец: Михаил Артемьевич Ероньян. Дата публикации: 2018-10-02.

Mcvd method of making workpieces for single-mode light guides

Номер патента: RU2576686C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян. Владелец: Михаил Артемьевич Ероньян. Дата публикации: 2016-03-10.

Methods of peeling and transferring hetero-epitaxially grown graphene films and products containing said films

Номер патента: RU2568718C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-11-20.

Electrode membrane assembly and method for manufacturing the same

Номер патента: US5750013A. Автор: Andrew S. Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-05-12.

Solar Cell With Selectively Doped Conductive Oxide Layer and Method of Making the Same

Номер патента: US20180190844A1. Автор: James W. Mccamy,Ashtosh Ganjoo,Gary J. Nelis,Peter Tausch. Владелец: Vitro SAB de CV. Дата публикации: 2018-07-05.

Enhanced particle deposition system and method

Номер патента: US11993532B2. Автор: David McDonald Stirling. Владелец: ASI/Silica Machinery LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of manufacturing silicon carbide structure

Номер патента: US8865519B2. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Method of forming paracyclophane containing functional ground with disulfide bond

Номер патента: US20180265460A1. Автор: Chih-Yu Wu,Hsien-Yeh Chen,Zhen-Yu Guan. Владелец: May-Hwa Enterprise Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: US20240141503A1. Автор: Todd Michael KLEIN,John Snyder,Ryan Patrick Shea,Christopher Todd DeRose,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard,Michael Ryan Gehl. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-02.

Sic composite and method of production thereof

Номер патента: US20010033936A1. Автор: Yasuhiro Akune,Kichiya Tanino. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-25.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (CVD) in liquid crystals

Номер патента: US10907038B2. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-02-02.

Methods and devices for graphene formation on flexible substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11823895B2. Автор: Chyi-Ming Leu,Chih-Cheng Lin,Nai-Chang Yeh,Chi-Fu Tseng,Chen-Hsuan LU. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-11-21.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US20160059260A1. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Carbon nanotube films and methods of forming films of carbon nanotubes by dispersing in a superacid

Номер патента: EP2219995A1. Автор: Amy M. Heintz,Steven M. Risser,Joel D. Elhard,Bryon P. Moore,Chad M. Cucksey. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Carbon nanotube films and methods of forming films of carbon nanotubes by dispersing in a superacid

Номер патента: WO2009055831A9. Автор: Steven M Risser,Joel D Elhard,Chad M Cucksey,Amy M Heintz,Bryon P Moore. Владелец: Bryon P Moore. Дата публикации: 2009-07-16.

PLASMA-CHEMICAL METHOD OF PRODUCING CHALCOGENIDE GLASS OF As-S SYSTEM AND DEVICE THEREFOR

Номер патента: RU2585479C1. Автор: Александр Владимирович Костров,Аскольд Витальевич Стриковский,Владимир Михайлович Воротынцев,Леонид Александрович Мочалов,Алексей Сергеевич Лобанов,Андрей Николаевич Степанов,Алексей Владимирович Нежданов,Александр Иванович Машин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН). Дата публикации: 2016-05-27.

Method of producing a collagen-based coating by aerosol spraying from an aqueous dispersion

Номер патента: RU2730839C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-08-26.

Particle deposition system and method

Номер патента: US20050109066A1. Автор: Bedros Orchanian,Franklin Dabby. Владелец: ASI/Silica Machinery LLC. Дата публикации: 2005-05-26.

Chemical vapor deposition of dense and transparent zirconia films

Номер патента: US5145720A. Автор: Toshio Hirai,Hisanori Yamane. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1992-09-08.

Multiple metal coated superabrasive grit and methods for their manufacture

Номер патента: IE72188B1. Автор: Chien-Min Sung,Sy-Hwa Chen. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1997-03-26.

Method for preparing perovskite solar cell absorbing layer by means of chemical vapor deposition

Номер патента: US20220230813A1. Автор: Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,So Yeon Lee. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Nanocrystalline graphene and method of forming nanocrystalline graphene

Номер патента: US20220048773A1. Автор: Seungwon Lee,Changhyun KIM,Kyungeun Byun,Hyeonjin Shin,Keunwook SHIN,Changseok Lee,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Glass sheets forming device and method

Номер патента: RU2719872C2. Автор: Джеймс П. Мл. ШНАБЕЛЬ,Дин М. НИТШКЕ,Дэвид Б. НИТШКЕ. Владелец: Гласстек, Инк.. Дата публикации: 2020-04-23.

Silicon carbide carrier for wafer processing and method for making same

Номер патента: US5776391A. Автор: Thomas Sibley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-07-07.

Chemical vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1305910C. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-04.

Core-shell composite material and method for manufacturing the same

Номер патента: US10974994B1. Автор: sheng-min Yu,Ming-Hui Chang,Kai-Hsiang Chuang,Chien-Chung Hsu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-04-13.

Metal organic chemical vapor depostion (mocvd) tunnel junction growth in iii-nitride devices

Номер патента: US20220029049A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Ahmed Alyamani,Abdulrahman Albadri,Abdullah Ibrahim Alhassan. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2022-01-27.

Silicon precursor and method of fabricating silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20210348026A1. Автор: Yeong-eun Kim,Jang-Hyun Seok,Jae-Seok AN,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Metal organic chemical vapor depostion (mocvd) tunnel junction growth in iii-nitride devices

Номер патента: US20190245112A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Abdullah Ibrahim Alhassan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-08-08.

Microwell array chip and method of manufacturing same

Номер патента: CA2544470A1. Автор: Yoshiyuki Yokoyama,Satoshi Fujiki,Katsumi Tanino,Atsushi Muraguchi,Hiroyuki Kishi,Yoshiharu Tokimitsu,Tsutomu Obata,Sotohiro Takabayashi,Hirofumi Nabesawa,Sachiko Kondo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Apparatus for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US6547876B2. Автор: Michael Spencer,Ian Ferguson,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-04-15.

Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor

Номер патента: US5480818A. Автор: Yuji Murata,Junichi Watanabe,Kenichi Oki,Masahiro Okabe,Jun Inoue,Teruhiko Ichimura,Tomotaka Matsumoto,Mari Hodate,Yoshio Nagahiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-01-02.

Combination gas curtains for continuous chemical vapor deposition production of silicon bodies

Номер патента: CA1178179A. Автор: Henry W. Gutsche. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1984-11-20.

Chemical vapor deposition reactor having ceramic lining for production of polysilicon

Номер патента: US20140235041A1. Автор: Anatoly Alexandrovich Goncharov,Yury Dmitrievich Kalashnikov. Владелец: Ecolive Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Compounds for use as chemical vapor deposition precursors, thermochromic materials light-emitting diodes, and molecular charge-transfer salts and methods of making these compounds

Номер патента: US6103459A. Автор: Bruce Diel. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-08-15.

Method of forming a tin oxide coating

Номер патента: WO2023214161A1. Автор: David Alan Strickler,Vikash RANJAN. Владелец: Pilkington Group Limited. Дата публикации: 2023-11-09.

Novel combination catalysts based on iron for the substantial synthesis of multi-walled carbon nanotubes by chemical vapor deposition

Номер патента: US20120177545A1. Автор: Abdulaziz A. Bagabas,Mohammed Abdullah Bahattab,Ibrahim M. Al-Najjar. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2012-07-12.

Methods of synthesizing three-dimensional heteroatom-doped carbon nanotube macro materials and compositions thereof

Номер патента: US20190225516A1. Автор: Mauricio Terrones,Pulickel M. Ajayan,Daniel Paul Hashim. Владелец: Css Nanotech Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Methods of synthesizing three-dimensional heteroatom-doped carbon nanotube macro materials and compositions thereof

Номер патента: US10737960B2. Автор: Mauricio Terrones,Pulickel M. Ajayan,Daniel Hashim. Владелец: Css Nanotech Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

METHOD OF GROWING PURE Ge THIN FILM WITH LOW THREADING DISLOCATION DENSITY

Номер патента: US20100144124A1. Автор: Sang Hoon Kim,Hyun Tak Kim,Dong Woo Suh,Gyung Ock Kim,Ji Ho Joo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of using carbon nanotubes fuel production

Номер патента: US20140330059A1. Автор: Kanchan Mondal,Saikat Talapatra. Владелец: Southern Illinois University System. Дата публикации: 2014-11-06.

Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide

Номер патента: EP4407079A2. Автор: Mark S. Land. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Carbon nanomaterials produced from heavy oil fractions and method for producing same

Номер патента: US20110280792A1. Автор: Luiz Depine De Castro,Alexandre Taschetto De Castro,Adelci Menezes de Oliveira. Владелец: Petroleo Brasileiro SA Petrobras. Дата публикации: 2011-11-17.

Method of Growing Personalized Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240240354A1. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Integral reactor (versions), the method of its manufacture, the method of simultaneous realization of the exothermal and endothermal reactions (versions)

Номер патента: RU2290257C2. Автор: Анна Ли И. ТОНКОВИЧ,Стивен Т. ПЕРРИ,Син П. ФИТЦЖЕРАЛЬД,Гэри Л. РОБЕРТС. Владелец: Баттелл Мемориал инститьют. Дата публикации: 2006-12-27.

Multiple metal coated superabrasive grit and methods for their manufacture

Номер патента: CA2002385A1. Автор: Chien-Min Sung,Sy-Hwa Chen. Владелец: Sy-Hwa Chen. Дата публикации: 1990-05-07.

Localized atmospheric laser chemical vapor deposition

Номер патента: EP2842156A1. Автор: Selim Elhadj,Manyalibo Joseph Matthews. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2015-03-04.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: WO2022232583A8. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn, Llc. Дата публикации: 2023-12-21.

Chemical vapor deposition reactor in polysilicon production process

Номер патента: US20240084480A1. Автор: David Keck,Chad Fero. Владелец: Advanced Material Solutions. Дата публикации: 2024-03-14.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US20240209567A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Systems and methods for synthesis of extended length nanostructures

Номер патента: EP1709213A2. Автор: Robert C. Dean, Jr.,David S. Lashmore,Joseph J. Brown,Peter L. Antoinette. Владелец: Nanocomp Technologies Inc. Дата публикации: 2006-10-11.

Ceramic laminated article, a method of producing the same and a ceramic laminate

Номер патента: US20030072930A1. Автор: Hiromichi Kobayashi,Toshio Oda,Hirotake Yamada. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

METHODS OF FORMING SiAlON IN CARBON/CARBON COMPOSITES

Номер патента: US20230242454A1. Автор: Jean-Francois Lecostaouec. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of producing electroconductive films from a graphene oxide dispersion

Номер патента: RU2701005C1. Автор: Сергей Павлович Губин,Денис Юрьевич Корнилов. Владелец: Чеглаков Андрей Валерьевич. Дата публикации: 2019-09-24.

Method of forming a carbon coated optical fiber with co-current reactant flow

Номер патента: US5320659A. Автор: Gotaro Tanaka,Yoichi Ishiguro,Minoru Watanabe,Kohei Kobayashi,Masaharu Ooe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-06-14.

Metal-coated substrate articles responsive to electromagnetic radiation, and method of making the same

Номер патента: US5686178A. Автор: Edward A. Sturm,Ward C. Stevens. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1997-11-11.

Chemical vapor deposition graphene foam electrodes for pseudo-capacitors

Номер патента: US9263196B2. Автор: Thomas A. Yager. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-02-16.

Method for making compound semiconductor and method for making semiconductor device

Номер патента: US20050205873A1. Автор: Yasuo Sato,Hironobu Narui,Tomonori Hino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Method of producing a synthetic diamond

Номер патента: US12037703B2. Автор: Dale Vince. Владелец: Ecotricity Group Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Growth of non-polar m-plane iii-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)

Номер патента: US20080026502A1. Автор: James Speck,Steven DenBaars,Bilge Imer. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of making boron nitride nanotubes and reactor therefore

Номер патента: WO2023177807A1. Автор: Siqi Zhang,Dongyan Zhang,Yoke Khin Yap,Rodney OAKLEY,Sambhawana SHARMA,Bishnu TIWARI. Владелец: MICHIGAN TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-21.

Beta-(AIxGa1-x)2O3 FILMS ON Beta-Ga2O3 SUBSTRATES, METHODS OF MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20210388526A1. Автор: Hongping Zhao,A F M Anhar Uddin Bhuiyan,Zixuan Feng. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of manufacturing carbon nanotube composite and laminate

Номер патента: US20180290431A1. Автор: Gang Xie,Tomoya Tagami. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

High throughput chemical vapor deposition electrode

Номер патента: US20160329456A1. Автор: Moon Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-10.

High throughput chemical vapor deposition electrode

Номер патента: WO2016182824A1. Автор: Moon Chun. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of selective growth of van der waals heterostructures on a graphene substrate by chemical vapor deposition using electron-beam irradiation and a heterostructure manufactured by this method

Номер патента: WO2024058678A1. Автор: Jakub SITEK,Karolina CZERNIAK-ŁOSIEWICZ. Владелец: Politechnika Warszawska. Дата публикации: 2024-03-21.

Article and method of preparing pigments using multiple deposition sources

Номер патента: US6777085B1. Автор: Roger W. Phillips,Alberto Argoitia,Ludvik Martinu,Jolanta E. Klemberg-Sapieha. Владелец: Optical Coating Laboratory Inc. Дата публикации: 2004-08-17.

Vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1274429A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-09-25.

Method for enhancing growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US8405128B2. Автор: Hitoshi Sato,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Benjamin A. Haskell,John F. Kaeding,Michael Iza,Troy J. Baker. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-03-26.

Process for preparing contact lens with film by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20190310494A1. Автор: Wen-Pin Lin,Meng-Jiy WANG. Владелец: Brighten Optix Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Chemical vapor deposition method for fabricating two-dimensional materials

Номер патента: EP3443138A1. Автор: Nigel Pickett,Ombretta Masala,Nicky Prabhudas SAVJANI. Владелец: Nanoco Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-02-20.

Manufacturing method of substrate graphene growth and substrate graphene growth

Номер патента: KR20160096846A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-17.

Manufacturing method of substrate graphene growth and substrate graphene growth

Номер патента: KR20160096424A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-16.

Manufacturing method of substrate graphene growth and substrate graphene growth and manufacturing device

Номер патента: KR20160051243A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-05-11.

Internal coating of a glass tube by plasma pulse-induced chemical vapor deposition

Номер патента: US5059231A. Автор: Volker Paquet,Ulrich Ackermann,Hartmut Bauch. Владелец: Schott Glaswerke AG. Дата публикации: 1991-10-22.

Manufacturing method of low-temperature substrate graphene growth and low-temperature substrate graphene growth and manufacturing device

Номер патента: KR20160002174U. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-06-23.

Manufacturing method of substrate graphene growth without using metal catalyst and substrate graphene growth without using metal catalyst

Номер патента: KR20160102598A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-31.

Manufacturing method of substrate graphene growth without using metal catalyst and substrate graphene growth without using metal catalyst

Номер патента: KR20160104858A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method of substrate graphene growth and substrate graphene growth and manufacturing device

Номер патента: KR20160002264U. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-06-29.

Vapor phase epitaxial growth method by organometallic chemical vapor deposition

Номер патента: CA1242623A. Автор: Yoshinobu Matsuda,Akio Sasaki,Shigeo Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-10-04.

Manufacturing method of substrate graphene growth without using metal catalyst and substrate graphene growth without using metal catalyst

Номер патента: KR20160103879A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-09-02.

Method of producing an optical fiber

Номер патента: CA1107576A. Автор: Koji Okamura,Takeshi Akamatsu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-08-25.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: US20190136033A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-05-09.

Multi-deposition process for high quality gallium nitride device manufacturing

Номер патента: US20200258741A1. Автор: Cem Basceri,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Qromis Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: WO2017181108A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2017-10-19.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: EP3442901A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-02-20.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Apparatus for forming a thin layer and method of forming a thin layer on a substrate usnig the same

Номер патента: US20160181167A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Sang-Kil Lee,Young-Jee Yoon,Min-Kook Kim,Bang-Won KIM,Yoo-seok Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of obscuring the location of a radiation-detectable object in a warfare theatre

Номер патента: US5880692A. Автор: Edward A. Sturm,Ward C. Stevens. Владелец: Alliant Defense Electronics Systems Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Method of manufacturing optical fibers

Номер патента: US4372767A. Автор: Mokhtar S. Maklad. Владелец: Eotec Corp. Дата публикации: 1983-02-08.

Method of fabricating an optical fiber preform using mcvd and nonlinear optical fiber fabricated using the method

Номер патента: CA2409187A1. Автор: Won-Taek Han,Jung-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Chemical vapor condensation deposition of photoresist films

Номер патента: WO2022177704A1. Автор: Kelvin Chan,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Mark Joseph Saly. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same

Номер патента: US9481944B2. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven,Ed Lindow,Ronald Thomas Bertram, JR.. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-11-01.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition.

Номер патента: NL2005365C2. Автор: Rutger Alexander David Raalten,Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2012-03-20.

Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness

Номер патента: US4992301A. Автор: Masao Mikami,Fumitoshi Toyokawa,Seiichi Shishiguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-02-12.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2812166A1. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Delft Enterprises BV. Дата публикации: 2012-03-22.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2812166C. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx BV. Дата публикации: 2021-04-06.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system for forming carbon nanotubes

Номер патента: US20060008594A1. Автор: Sung Kang,Woo Bae. Владелец: JAPAN ASIA INVESTMENT Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Silicon Compounds and Methods for Depositing Films Using Same

Номер патента: US20190385840A1. Автор: XINJIAN LEI,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-12-19.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system for forming carbon nanotubes

Номер патента: WO2006017340A2. Автор: Sung Gu Kang,Woo Kyung Bae. Владелец: Cdream Corporation. Дата публикации: 2006-02-16.

Reduced manufacturing cycle time of polymer-based aerogel materials and method of forming

Номер патента: US20240218130A1. Автор: Haibo Zhao,Elena Sharnowski. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Composition of concentrate, method of its production and method of increasing viscosity of polymers

Номер патента: RU2703130C1. Автор: Алексей Михайлович Волков,Ирина Геннадьевна Рыжикова. Владелец: Публичное акционерное общество "СИБУР Холдинг". Дата публикации: 2019-10-15.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

An aid to idea processing and/or a method of planning or holding a meeting

Номер патента: WO2004079621A1. Автор: David Lawrence Herman,Lee Whitney Herman. Владелец: Lee Whitney Herman. Дата публикации: 2004-09-16.

Woven fabric having a bulging zone and method and apparatus of forming same

Номер патента: US6000442A. Автор: Alexander Busgen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-14.

Bilayer hdp cvd/pe cvd cap in advanced beol interconnect structure and method thereof

Номер патента: IL162435A. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2008-11-26.

Physical vapor deposition process for semiconductor interconnection structures

Номер патента: US20190164825A1. Автор: Hung-Wen Su,Nai-Hao YANG,Kuan-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Physical Vapor Deposition Process for Semiconductor Interconnection Structures

Номер патента: US20200144112A1. Автор: Hung-Wen Su,Nai-Hao YANG,Kuan-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Physical Vapor Deposition Process for Semiconductor Interconnection Structures

Номер патента: US20190164827A1. Автор: Hung-Wen Su,Nai-Hao YANG,Kuan-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of Arranging and Setting Spray Cooling Nozzles and Hot Steel Plate Cooling Apparatus

Номер патента: US20090045557A1. Автор: Shigeru Ogawa,Yoshihiro Serizawa,Masahiro Doki,Ryuji Yamamoto,Yasuhiro Nishiyama,Hironori Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Method of arranging and setting spray cooling nozzles and hot steel plate cooling apparatus

Номер патента: US20110233831A1. Автор: Shigeru Ogawa,Yoshihiro Serizawa,Masahiro Doki,Ryuji Yamamoto,Yasuhiro Nishiyama,Hironori Ueno. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Preparation method of freeze-banana

Номер патента: WO2008032888A1. Автор: Woon Ho Bak. Владелец: Woon Ho Bak. Дата публикации: 2008-03-20.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Electrophotographic photoreceptor, and method and apparatus of forming electrophotographic image

Номер патента: US20160054668A1. Автор: Masanori Yumita,Daisuke Kodama,Mari Konishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-02-25.

VAPOR-DEPOSITED COATING FOR BARRIER FILMS AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20130302627A1. Автор: Klun Thomas P.,Roehrig Mark A.,Nachtigal Alan K.,Iyer Suresh. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2013-11-14.

Reserve winding of yarn on a tube of a cross-wound bobbin and method and appartus of forming same

Номер патента: US4878629A. Автор: Hans Grecksch,Josef Bertrams,Rene Bucken. Владелец: W Schlafhorst AG and Co. Дата публикации: 1989-11-07.

Dispensing capsule and method and apparatus of forming same

Номер патента: US20230365322A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for staining inhibition of donepezil-containing adhesive composition and method for reduction of formed donepezil-related compounds

Номер патента: RU2460520C2. Автор: Дзунити СЕКИЯ,Хитоси АКЕМИ,Акинори ХАНАТАНИ,Сатико ТЕРАСИ,Сумийо НИСИ,Сатоко ВАСИРО. Владелец: Нитто Денко Корпорейшн. Дата публикации: 2012-09-10.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING ELECTROPHOTOGRAPHIC IMAGE

Номер патента: US20160054668A1. Автор: KONISHI Mari,KODAMA Daisuke,YUMITA Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

DISPENSING CAPSULE AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200231370A1. Автор: Gordon Stuart,Appleford Mark. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Detecting Apparatus and Method for Signs of Form Collapse

Номер патента: KR101284752B1. Автор: 박상준,함상규,진상윤,양병혁. Владелец: (주) 희림종합건축사사무소. Дата публикации: 2013-07-17.

Device and method of implementing subpass interleaving of tiled image rendering

Номер патента: US20240104685A1. Автор: Michael John Livesley,Mika Tuomi,Ruijin Wu,Kiia Kallio,Jan H. Achrenius. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of applying electric arc furnace dust in chemical looping combusion process

Номер патента: US20150167965A1. Автор: Chung-Sung Tan,Young Ku,Yao-Hsuan Tseng,Wei-Chen Huang,Yu-Lin Kuo. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2015-06-18.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Soil Removal System and Method, Method of Manufacture of the System, and Use of a Cleaning Wipe

Номер патента: DE102019006721A1. Автор: Julia Becker,Julia Christina Gwendolin Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: TWI572992B. Автор: 阿曼帝席恩,漢瑞克皮杜斯瑪利亞皮勒曼,派翠克華那爾. Владелец: Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2017-03-01.

Non-transitory computer-readable storage medium storing printer driver causing computing device to perform prohibition processing, and print control method of the printer driver

Номер патента: US9652189B2. Автор: Yoshiyuki Harada. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

Corrugated steel pipe pipe using connection processing and that a method of coupling

Номер патента: KR100787212B1. Автор: 김충환. Владелец: 대왕철강 (주). Дата публикации: 2007-12-21.

Preparation process and quality control method of channel warming soup

Номер патента: CN113759020A. Автор: 付静,张志强,张蓓,周海凤,李默影,刘利娟,韩妮娜,梁勇满,栾仲欣. Владелец: Beijing Tcmages Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

The extraction and purification process and its detection method of high-purity cashew nut shell oil active material

Номер патента: CN109580855A. Автор: 王勤,林玉峰,陈清西,苏伟超,庄江兴,王碧雪. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-05.

Optically clear, durable infrared windows, and method of making the same

Номер патента: WO2000022206A1. Автор: Stephen A. Gabelich,William W. Chen,Norman H. Harris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2000-04-20.

Fuel tank and method of its making

Номер патента: RU2565857C2. Автор: Мехмет Челаль ГЁКЦЕН. Владелец: Полимтек Инжиниринг Аг, Морен (Фл), Суккурсале Ди Лугано. Дата публикации: 2015-10-20.

Capacitor for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20070004133A1. Автор: Moon-han Park,Ho-kyu Kang,Seok-jun Won,Yong-kuk Jeong,Hong-Ki Kim,Kyung-hun Kim,Myong-Geun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-04.

Ono dielectric for memory cells and method for fabricating the same

Номер патента: US20040207000A1. Автор: Jung-Yu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20050048322A1. Автор: Hitoshi Wako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

PROTECTIVE SPINEL COATING FOR Ni-Mn-Co (NMC) CATHODE WITH HIGH Li CONTENT FOR LITHIUM-ION BATTERIES, METHOD OF APPLYING SAID COATING ON CATHODE AND CATHODE WITH SAID COATING

Номер патента: RU2702785C1. Автор: Артем Михайлович Абакумов,Евгений Владимирович Дикарев,Хан Хайшанг,Андрей Олегович Шевцов. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-10-14.

Gate Structures in Transistor Devices and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240249938A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Kun-Yu LEE,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods of forming films including scandium at low temperatures using chemical vapor deposition to provide piezoelectric resonator devices and/or high electron mobility transistor devices

Номер патента: US12102010B2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050181528A1. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US7265432B2. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Saw for cutting silicon into seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: EP2731770A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2014-05-21.

Method of fabricating active layers in a laser utilizing InP-based active regions

Номер патента: US20040165631A1. Автор: YING-LAN Chang,Ashish Tandon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Multi-Value Nonvolatile Organic Resistive Random Access Memory and Method for Preparing the Same

Номер патента: US20160240778A1. Автор: QIANG LI,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yichen FANG,Zongwei Wang,Muxi Yu,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of forming an intermetal dielectric layer

Номер патента: US20010001678A1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of forming an intermetal dielectric layer

Номер патента: US6410106B2. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

High density plasma chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020030033A1. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Chih-Chien Liu,Ta-Shan Tseng,W.B. Shieh,J.Y. Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Embedded Resistors for ReRAM Cells

Номер патента: US20150179937A1. Автор: Yun Wang,Chien-Lan Hsueh. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of forming nitride capped cu lines with reduced electromigration along the cu/nitride interface

Номер патента: WO2003007368A3. Автор: Minh Van Ngo,Larry Zhao,Paul R Besser. Владелец: Paul R Besser. Дата публикации: 2003-03-27.

Superconducting wire and method of formation thereof

Номер патента: RU2767282C1. Автор: Сын-Хён МУН,Джудит ДРИСКОЛЛ,Ахмед КУРУСУМОВИЧ,Джон ФЕЙГАН. Владелец: Санам Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods of forming memory device with reduced resistivity

Номер патента: WO2023278296A1. Автор: Deenesh Padhi,Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Hang Yu,Sung-Kwan Kang,Chuanxi YANG,Hailing Liu,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: US11982918B2. Автор: Michiel Koen CALLENS,Thomas Johansson,Robert J. Fleming,Steven GOU,Graham Beales. Владелец: Wuxi Clearink Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: EP3785063A1. Автор: Michiel Koen CALLENS,Thomas Johansson,Robert J. Fleming,Steven GOU,Graham Beales. Владелец: Concord HK International Education Ltd. Дата публикации: 2021-03-03.

Method of manufacturing semiconductor device including bonding pad and fuse elements

Номер патента: US20070176258A1. Автор: Takashi Yamashita,Noriaki Fujiki,Junko Izumitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of manufacturing semiconductor device including bonding pad and fuse elements

Номер патента: US7335537B2. Автор: Takashi Yamashita,Noriaki Fujiki,Junko Izumitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-02-26.

Semiconductor interconnection structure and method of fabrication

Номер патента: EP1317772A1. Автор: Stefan Weber,Roy Iggulden. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2002062593A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2002-08-15.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1397260A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Interconnection system and method for producing the same

Номер патента: US20020045334A1. Автор: Kazunori Matsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of forming a conformal oxide film

Номер патента: US20020106907A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Silicon fixtures for supporting wafers during thermal processing and method of fabrication

Номер патента: EP1297558A2. Автор: Robert L. Davis,Raanan Y. Zehavi,James E. Boyle,Laurence D. Delaney. Владелец: Integrated Materials Inc. Дата публикации: 2003-04-02.

Method of forming a Ta2 O5 dielectric layer, method of forming a capacitor having a Ta2 O5 dielectric layer, and capacitor construction

Номер патента: US5814852A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

Optically clear, durable infrared windows, and method of making the same

Номер патента: EP1040213A1. Автор: Stephen A. Gabelich,William W. Chen,Norman H. Harris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2000-10-04.

Liquid chemical vapor recovery device, wet stripping device, photoresist stripping process, and method for manufacturing thin film transistor-liquid crystal display using the same

Номер патента: US20190064674A1. Автор: Hao Yin,Xiaoning Liu,Qianqian Li,Mingming Wang,Dongseob Kim,Shikai Wang,Yadong Xu,Jun Geng,Yadong Liang,Zhongren JIANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of producing zeolites and zeolite-like structures doped with metals, and methods for use thereof for catalytic reduction of nitrogen oxides

Номер патента: RU2595336C2. Автор: Даниель ХЕРАЙН,Фэй ВЭНЬ,Барри У. Л. САУТУОРД,Лисбет ЙОНГЕН,Александр ХОФМАНН. Владелец: Умикоре Аг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-08-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Methods for stabilization of self-assembled monolayers (sams) using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019841A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods For Stabilization Of Self-Assembled Monolayers (SAMs) Using Sequentially Pulsed Initiated Chemical Vapor Deposition (spiCVD)

Номер патента: US20240017290A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Manufacturing method of group of whiskers

Номер патента: US20120094420A1. Автор: Makoto Ishikawa,Toshihiko Takeuchi,Yuki Murakami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Low resistivity tungsten film and method of manufacture

Номер патента: WO2022046320A1. Автор: Wei Lei,Joung Joo Lee,Kai Wu,Zhebo CHEN,Xi CEN,Feihu Wang,Chunming Zhou,Zhibo YUAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Metal silicide nanowires and methods of their production

Номер патента: US20100279115A1. Автор: Song Jin,Andrew L. Schmitt,Yipu Song. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2010-11-04.

Solar cell and method and system for making said solar cell

Номер патента: RU2467851C2. Автор: Реийо ЛАППАЛАИНЕН,Веса МЮЛЛЮМЯКИ,Лассе ПУЛЛИ,Яри РУУТУ,Юха МЯКИТАЛО. Владелец: Пикодеон Лтд Ой. Дата публикации: 2012-11-27.

Method of making a field effect transistor having an elevated source and an elevated drain

Номер патента: US6057200A. Автор: Sujit Sharan,Kirk Prall,Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Integrated circuit devices and methods of forming memory array and peripheral circuitry isolation

Номер патента: US20130249050A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Integrated Circuit Devices And Methods Of Forming Memory Array And Peripheral Circuitry Isolation

Номер патента: US20130087883A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20210043833A1. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Mixing or dispersing element and method of static mixing or dispersing

Номер патента: RU2538879C2. Автор: Себастьян ХИРШБЕРГ,Марсель ЗУНЕР. Владелец: Зульцер Хемтех Аг. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming multilayer interconnection structure

Номер патента: US5312773A. Автор: Naoki Nagashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6137176A. Автор: Michio Asahina,Yukio Morozumi,Eiji Suzuki,Kazuki Matsumoto,Naohiro Moriya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Transistor isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: US11908751B2. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Transistor isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: US20230378000A1. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2014086742A1. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2014-06-12.

Display panel and method for manufacturing same

Номер патента: US20200043959A1. Автор: Huailiang He. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Low contact resistance semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120241752A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Te-Chung Wang,Hsiu-Mu Tang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Thermal-emitting radiator and method for thermal emission implementing said radiator

Номер патента: RU2262815C2. Автор: Масами КУДЗИРАИ. Владелец: Кабусикикайся Секуто Кагаку. Дата публикации: 2005-10-20.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: EP2959500A1. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-12-30.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US9691632B2. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150303071A1. Автор: Norbert Werner,Peter Storck,Martin Vorderwestner,Peter Tolchinsky,Irwin Yablok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Apparatus and method for manufacturing thin film encapsulation

Номер патента: EP4033559A1. Автор: Yong-Suk Lee,Myung-Soo Huh,Jeong-Ho Yi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of dielectric material fill and treatment

Номер патента: US12046508B2. Автор: Nikolaos Bekiaris,He REN,Mehul Naik,Naomi Yoshida,Jingmei Liang,Martin Jay Seamons,Mei-Yee Shek,Shi YOU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of producing strong and current-conducting fiber by drawing films from carbon nanotubes

Номер патента: RU2690821C1. Автор: Альберт Галийевич Насибулин,Мария Алексеевна Жиляева,Евгений Шульга. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования Сколковский институт науки и технологий. Дата публикации: 2019-06-05.

Organic EL lighting emitting device, method of manufacturing the same, and organic EL light source device

Номер патента: US9196854B2. Автор: Yasuhiko Takamatsu. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Silicon thin film transistors, systems, and methods of making same

Номер патента: WO2009094639A1. Автор: John Snyder,John M. Heitzinger. Владелец: Soligie, Inc.. Дата публикации: 2009-07-30.

In situ plasma pre-deposition wafer treatment in chemical vapor deposition technology for semiconductor integrated circuit applications

Номер патента: US20010050435A1. Автор: Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

A method of forming a tantalum-containing gate electrode structure

Номер патента: WO2005104197A1. Автор: Yumiko Kawano,Hideaki Yamasaki,Vijay Narayanan,Kazuhito Nakamura,Gert Leusink,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2005-11-03.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: WO2024097774A1. Автор: Todd Michael KLEIN,John Snyder,Ryan Patrick Shea,Christopher Todd DeRose,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard,Michael Ryan Gehl. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-10.

In situ plasma pre-deposition wafer treatment in chemical vapor deposition technology for semiconductor integrated circuit applications and structures fabricated using the treatment

Номер патента: US20030001263A1. Автор: Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of preparing vse2 material and electrochemical whole cell and electrochemical symmetric cell using the same

Номер патента: US20240072255A1. Автор: Zhengtang Luo,Yuyin LI,Hoi Lun Wong. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of obtaining two-sided superconductor of second generation

Номер патента: RU2386732C1. Автор: Сергей Владимирович Самойленков,Андрей Рафаилович Кауль,Олег Юрьевич Горбенко,Игорь Евгеньевич Корсаков,Вадим Анатольевич Амеличев. Владелец: Закрытое акционерное общество "СуперОкс". Дата публикации: 2010-04-20.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of producing fluid exhaust head

Номер патента: RU2422289C1. Автор: Масатака КАТО,Казухиро ХАЯКАВА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-06-27.

Very low resistance films and methods for modifying or creating them

Номер патента: RU2567021C2. Автор: Дуглас Дж. ГИЛБЕРТ,Тимоти С. КЕЙЛ. Владелец: АМБАЧЕР Эл.Эл.Си.. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of fabricating display substrate, display substrate, and display apparatus

Номер патента: WO2020057053A1. Автор: Wei Song,Bin Zhou,Liangchen YAN,Dongfang Wang,Yingbin HU,Ce ZHAO,Yuankui Ding,Heekyu KIM. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-03-26.

Gate structures in transistor devices and methods of forming same

Номер патента: US11967504B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Kun-Yu LEE,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of fabricating display substrate, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US20210335604A1. Автор: Wei Song,Bin Zhou,Liangchen YAN,Dongfang Wang,Yingbin HU,Ce ZHAO,Yuankui Ding,Heekyu KIM. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of nonstoichiometric cvd dielectric film surface passivation for film roughness control

Номер патента: WO2010056731A1. Автор: Kwanghoon Kim,Lance Kim. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-20.

Process of forming contact holes

Номер патента: US5500080A. Автор: Yang K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-03-19.

Method of forming metal connections

Номер патента: US5328868A. Автор: James F. White,Richard A. Conti,Kenneth DeVries. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same

Номер патента: EP1114449A1. Автор: Brian A. Vaartstra,Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Gate of a transistor and method of forming the same

Номер патента: US20110045667A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Sang-Ryol Yang,Jin-Gyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Method of fabricating a metal plug of a semiconductor device using a novel tin barrier layer

Номер патента: US20020016063A1. Автор: Ming-Shing Chen,Bill Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A4. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2003-10-23.

Gate of a transistor and method of forming the same

Номер патента: US20080048277A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Sang-Ryol Yang,Jin-Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Process of forming epitaxial substrate and semiconductor device provided on the same

Номер патента: US20180174824A1. Автор: Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of making ROM/PLA semiconductor device by late stage personalization

Номер патента: US4536944A. Автор: Arthur R. Edenfeld,Harish N. Kotecha,Al M. Bracco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-08-27.

Thin film semiconductor device and method of production

Номер патента: US5389580A. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8697466B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A3. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Plattenanordnung mit CVDD-(Chemical Vapor Deposition Diamond)-Fenstern für den Wärmetransport

Номер патента: DE112019007581B4. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microchip Tech Caldicot Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

In-situ p-type activation of iii-nitride films grown via metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20210151329A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-05-20.

Growth of carbon nanotube (cnt) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (cvd) process

Номер патента: US20170077370A1. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of producing photoluminescence of individual color centers in vapor-deposited diamond

Номер патента: RU2655026C1. Автор: Владимир Алексеевич Кукушкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2018-05-23.

Method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6432493B1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Nanoscopic wire-based devices, arrays, and method of their manufacture

Номер патента: CA2372707C. Автор: Thomas Rueckes,Kevin Kim,Charles M. Lieber,Ernesto Joselevich. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of forming film bulk acoustic wave filter assembly

Номер патента: US20060208833A1. Автор: Po-Hsun Sung,Yung-Chung Chin,Pei-Zen Chang,Pei-Yen Chen,Yen-Ming Pang,Chi-Ming Fang,Chun-Li Hou. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2006-09-21.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of applying an electrically conducting current collector on a self-supporting electrode and assembly of electrode and current collector

Номер патента: WO2000060685A1. Автор: Rifat A. M. Hikmet. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-10-12.

Apparatus and method for high-accuracy alignment

Номер патента: US5317141A. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-05-31.

Chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020058413A1. Автор: Anand Srinivasan,Raj Narasimhan,Sujit Sharon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Germanium nitride layers on semiconductor structures, and methods for forming the same

Номер патента: US11721721B2. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Miniaturized mr device comprising a cell culture micro-chamber and method for manufacturing such a device

Номер патента: EP3857247A1. Автор: Giovanni Boero,Juergen Brugger,Marco GRISI,Gaurasundar Marc CONLEY. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2021-08-04.

Germanium Nitride Layers on Semiconductor Structures, and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20210296442A1. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Germanium Nitride Layers on Semiconductor Structures, and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20200135855A1. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

2H/1T phase contact engineering for high performance transition metal dichalcogenide chemical vapor sensors

Номер патента: US10436744B2. Автор: F. Keith Perkins,Adam L. Friedman,Paul M. Campbell,James C. Culbertson,Aubrey T. Hanbicki. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-08.

2H/1T Phase Contact Engineering for High Performance Transition Metal Dichalcogenide Chemical Vapor Sensors

Номер патента: US20170299544A1. Автор: F. Keith Perkins,Adam L. Friedman,Paul M. Campbell,James C. Culbertson,Aubrey T. Hanbicki. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-10-19.

Chemical vapor deposition technique for depositing titanium silicide on semiconductor wafers

Номер патента: US5278100A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-01-11.

Method of measuring diamond luminescence

Номер патента: RU2712995C2. Автор: Джеймс Гордон Чартерс СМИТ,Дэвид ФИШЕР,Колин МАКГИННЕСС. Владелец: Де Бирс Юк Лтд. Дата публикации: 2020-02-03.

Apparatus and method for sorting gemstones

Номер патента: RU2754085C2. Автор: Николас Мэттью ДЭВИС,Эндрю Джон ПОРТСМУТ,Дэвид ФИШЕР,Колин МАКГИННЕСС. Владелец: Де Бирс Юк Лимитед. Дата публикации: 2021-08-26.

Diffusion barrier layers and methods of forming same

Номер патента: US6323081B1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

Method of forming an electrically conductive contact plug, method of forming a reactive or diffusion barrier layer over a substrate, integrated circuitry, and method of forming a layer of titanium boride

Номер патента: US5977636A. Автор: Sujit Sharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

System and method for shielding during PECVD deposition processes

Номер патента: EP1921658A2. Автор: Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-05-14.

Multi-layer coating system and method

Номер патента: WO2006125086A2. Автор: David A. Glocker. Владелец: Isoflux, Inc.. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of forming a crown-fin shaped capacitor for a high density DRAM cell

Номер патента: US6100135A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-08-08.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US11908914B2. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Anode Active Material for All-Solid-State Battery Comprising Carbon-Based Material and Silicon-Based Material and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20220166008A1. Автор: HONG Seok Min,Sang Heon Lee,Yun Sung Kim,Yong Gu Kim,Sung Woo Noh,Yong Jun Jang,In Woo Song,Ju Yeong Seong,Yong Sub Yoon,Jae Phil Cho,A Reum Ha,Ki Hong Ahn. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: WO2003079413A3. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-12-18.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: EP1374311A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Srinivas V. Pietambaram,Vidya S. Kaushik,James Kenyon Schaeffer, Iii. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: EP4371150A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: EP1485941A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-12-15.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: WO2003079413A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2003-09-25.

Air gap based low dielectric constant interconnect structure and method of making same

Номер патента: US6057226A. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Organic polymeric antireflective coatings deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2400157A1. Автор: Ram W. Sabnis,Terry Brewer,Douglas Guerrero,Mary J. Spencer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Fabricating method of a barrier layer

Номер патента: US6025264A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Yimin Huang,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-02-15.

Method of forming compressive nitride film and method of manufacturing metal oxide semiconductor

Номер патента: US20070243686A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chien-Chung Huang,Neng-Kuo Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of reducing contact resistance of a metal

Номер патента: US20140035143A1. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Practical method of producing a porous composite continuous thin film thermoelectric semiconductor or strong material by modified mocvd

Номер патента: US20170194551A1. Автор: The Pen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-06.

System for and method of planarizing the contact region of a via by use of a continuous inline vacuum deposition process

Номер патента: WO2006081352A3. Автор: Thomas P Brody,Joseph A Marcanio. Владелец: Joseph A Marcanio. Дата публикации: 2007-04-19.

System for and method of planarizing the contact region of a via by use of a continuous inline vacuum deposition process

Номер патента: WO2006081352A2. Автор: Thomas P. Brody,Joseph A. Marcanio. Владелец: Advantech Global, Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Thin film implantable electrode and method of manufacture

Номер патента: US5324322A. Автор: Warren M. Grill, Jr.,Graham H. Creasey,David A. Ksienski,Claude S. Veraart,J. Thomas Mortimer. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 1994-06-28.

Method of filling gaps on a semiconductor wafer

Номер патента: US20020042186A1. Автор: Markus Kirchhoff. Владелец: Semiconductor 300 GmbH and Co KG. Дата публикации: 2002-04-11.

Method of forming a wiring layer for a semiconductor device

Номер патента: US5633207A. Автор: Hiroyuki Yano,Katsuya Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Device and method for reducing contact resistance of a metal

Номер патента: US20190252247A1. Автор: Hung-Wen Su,Yu-Hung Lin,Ya-Lien Lee,Kuei-Pin Lee,Yu-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: CA3217114A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of forming sheet having foreign material portions used for forming multi-layer wiring board and sheet having foreign portions

Номер патента: US20060223331A1. Автор: Shunji Aoki,Masayuki Yoshida,Genichi Watanabe,Junichi Sutoh. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of manufacturing flash memory

Номер патента: US20020072175A1. Автор: Cheng-Chen Hsueh,Kent Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Salt-doped chaff fiber having an evanescent electromagnetic detection signature, and method of making the same

Номер патента: US5034274A. Автор: Edward A. Sturm,Ward C. Stevens,Bruce C. Roman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-07-23.

Method of sealing open pores on surface of porous dielectric material using iCVD process

Номер патента: US10535514B2. Автор: Sung Gap Im,Byung Jin Cho,Seong Jun Yoon,Hyungsuk Alexander Yoon,Kwanyong Pak. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-01-14.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US5858837A. Автор: Ichiro Honma,Takashi Sakoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

New marking and method of its implementation

Номер патента: RU2405878C2. Автор: Туомас МУСТОНЕН,Теппо ЗАЛЬБЕРГ,Тимо КАЛЛИО. Владелец: М-реал ОИЙ. Дата публикации: 2010-12-10.

Method of providing a thick thermal oxide in trench isolation

Номер патента: US20040038495A1. Автор: Karsten Wieczorek,Stephan Kruegel,Ralf van Bentum. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of forming a metal wire in a semiconductor device

Номер патента: US5573978A. Автор: Gyeong S. Cho. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Method of manufacturing a copper metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20020031911A1. Автор: Sung Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device with memory capacitor and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO1999003152A2. Автор: Wiebe Barteld De Boer,Marieke Cornelia Martens. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-01-21.

Multicomponent and biocompatible nanocomposite materials, methods of synthesizing same and applications of same

Номер патента: US9114134B2. Автор: Alexandru S. Biris,Alexandru R. Biris. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2015-08-25.

Method of forming, filling, and sealing bags continuously and an apparatus for forming, filling and sealing bags

Номер патента: EP1026078A3. Автор: Masao c/o Ishida Co. Ltd. Fukuda. Владелец: Ishida Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-25.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

Magnetic recording head for perpendicular recording with enhanced covering power of protective film, fabrication process, and magnetic disk storage apparatus mounting the magnetic recording head

Номер патента: US20060090329A1. Автор: Tomohiro Okada,Isao Nunokawa,Atsushi Kato,Ichiro Oodake. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-05-04.

Three-dimensional memory device containing composite word lines including a respective fluorine-free capping sublayer and methods of forming the same

Номер патента: US20240306386A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Yusuke Mukae,Tatsuya Hinoue,Shungo ASAEDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Micro-machined thin film sensor arrays for the detection of H2 containing gases, and method of making and using the same

Номер патента: US6596236B2. Автор: Thomas H. Baum,Frank DiMeo, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2003-07-22.

Method of treating CVD titanium nitride with silicon ions

Номер патента: US6080667A. Автор: Koji Urabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Method of producing LED lens array

Номер патента: US5301063A. Автор: Ryoichi Tohmon. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1994-04-05.

System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures

Номер патента: US20170179326A1. Автор: Jiunn Benjamin Heng,Zhigang Xie,Anand J. Reddy,Chunguang Xiao. Владелец: SolarCity Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160013278A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of forming composite opening and method of dual damascene process using the same

Номер патента: SG145607A1. Автор: Hong Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-09-29.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US20160087101A1. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Hoi-sung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US9117676B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Consistent alignment mark profiles on semiconductor wafers using metal organic chemical vapor deposition titanium nitride protective layer

Номер патента: US6157087A. Автор: Joe W. Zhao,Keith K. Chao,Shumay X. Dou. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Selective chemical vapor deposition of tungsten for microdynamic structures

Номер патента: US5149673A. Автор: Liang-Yuh Chen,Noel C. MacDonald,Zuoying L. Zhang. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1992-09-22.

Systems and methods for selective tungsten deposition in vias

Номер патента: WO2012047571A2. Автор: Wei Lei,Michal Danek,Juwen Gao,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Novellus Systems Inc.. Дата публикации: 2012-04-12.

Process of forming a high electron mobility transistor including a gate electrode layer spaced apart from a silicon nitride film

Номер патента: US11710773B2. Автор: Yukinori Nose,Kenta Sugawara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor Device Active Region Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230117516A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Three-dimensional memory device and method of making thereof by non-conformal selective deposition of insulating spacers in a memory opening

Номер патента: US20240237346A1. Автор: Bing Zhou,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Liquid chemical vapor recovery device, wet stripping device, photoresist stripping process, and method for manufacturing thin film transistor-liquid crystal display using the same

Номер патента: US11231652B2. Автор: Hao Yin,Xiaoning Liu,Qianqian Li,Mingming Wang,Dongseob Kim,Shikai Wang,Yadong Xu,Jun Geng,Yadong Liang,Zhongren JIANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-25.

Three-dimensional memory device and method of making thereof including non-conformal selective deposition of spacers in memory openings

Номер патента: US20240244844A1. Автор: Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Microfluidic device for single cell processing and method and system for single cell processing using the microfluidic device

Номер патента: US20220341836A1. Автор: Ye AI,Dahou Yang. Владелец: Singapure University Of Technology And Design. Дата публикации: 2022-10-27.

Stretchable, extensible composite topsheet for absorbent articles and method for making

Номер патента: AU2457997A. Автор: Megan R. Moore,Beverly J. Manring. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1997-10-29.

Photosensitive polymer compositions, electrophoretic deposition processes using same, and the use of same in forming films on substrates

Номер патента: MY103590A. Автор: William David Emmons,Mark Robert Winkle. Владелец: Rohm & Haas. Дата публикации: 1993-08-28.

Номер патента: RU2481280C1. Автор: Игорь Валентинович Пикулин,Александр Николаевич Ховрин,Нина Викторовна Пилипенко. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2013-05-10.

Production method of reconstituted tea

Номер патента: RU2376785C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Олег Иванович Квасенков (RU). Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2009-12-27.

Electochemical method of obtaining element sulphur from hydrogen sulfide in organic solvents

Номер патента: RU2516480C2. Автор: Надежда Титовна Берберова,Елена Андреевна Васильева,Елена Владимировна Шинкарь,Иван Владимирович Смолянинов,Ролина Хаировна Кабылова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный технический университет" ФГБОУ ВПО "АГТУ". Дата публикации: 2014-05-20.

Production method of reconstituted tobacco

Номер патента: RU2361483C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2009-07-20.

Vapor deposition apparatus, film deposition method, and method for manufacturing organic el device

Номер патента: JP2012052187A. Автор: Naomi Nagai,直美永井,Yoshifumi Kuribe,栄史栗部. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Manufacturing method of film molding sheet, color image forming film sheet and molding method of color image forming film sheet

Номер патента: JP6992287B2. Автор: 雄史堀内,秀樹高橋,吉宗本柳,郷史三井. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Joint nail package and method and means of forming same

Номер патента: CA632681A. Автор: Ferguson Richard,Gettys D. Hoyle, Jr.. Владелец: Terrell Machine Co. Дата публикации: 1961-12-12.

Composition for stimulation of energy metabolic processes and method of prevention of patrimonial pathologies and postnatal diseases of cows

Номер патента: RU2553360C2. Автор: Алексей Алексеевич Евглевский,Елена Павловна Евглевская,Татьяна Алексеевна Евглевская,Вячеслав Юрьевич Тарасов,Сергей Александрович Скребнев,Елена Николаевна Скребнева,Николай Васильевич Самбуров,Айди Юсупович Айдиев,Лариса Александровна Кузнецова,Дмитрий Александрович Яшкин,Владимир Васильевич Коварда. Владелец: Областное бюджетное учреждение "Курская областная станция по борьбе с болезнями животных". Дата публикации: 2015-06-10.

Texturizing additive for formed meat products and method for obtaining of formed meat products with the use of texturizing additive

Номер патента: RU2249417C1. Автор: Т.В. Каренгина,И.Ф. Горлов. Владелец: ГУ Волгоградский научно-исследовательский технологический институт мясо-молочного скотоводства и переработки продукции животноводства РАСХН. Дата публикации: 2005-04-10.

The water inlet ratio of a kind of continuum micromeehanics waste water treatment process and the control method of microorganism concn

Номер патента: CN103984368B. Автор: 吴巍,田亮,宋晨,戎非. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-31.

Method of manufacturing hot rolled steel sheet for processing and thermomechanical processing method of hot rolled steel sheet

Номер патента: JP2784207B2. Автор: 茂樹野村,昭夫高橋,和夫宇野,巌水谷,和俊国重,誠住友. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1998-08-06.

Radiation-resistant fibre-optic guide, method for production thereof and method of improving radiation resistance of fibre-optic guide (versions)

Номер патента: RU2537523C1. Автор: Валерий Ефимович Карасик,Алексей Николаевич Гурьянов,Евгений Михайлович Дианов,Алексей Борисович Пнев,Владимир Федорович Хопин,Михаил Юрьевич Салганский,Александр Леонидович Томашук,Павел Федорович Кашайкин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming switching jumper

Номер патента: RU2579166C2. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of production of carbon nanotubes and reactor for their production

Номер патента: RU2493097C2. Автор: Алексей Григорьевич Ткачев,Александр Васильевич Мележик. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НаноТехЦентр". Дата публикации: 2013-09-20.

Manufacturing method of nanowires, matrix of nanowires from nitrides of group iii of periodic table (versions), and substrate (versions)

Номер патента: RU2437180C2. Автор: Синь Ван,Синьюй СУНЬ,Стивен М. ХЕРСИ. Владелец: эСТиСи.ЮэНэМ. Дата публикации: 2011-12-20.

Cvd-reactor and method of synthesis of hetero-epitaxial films of silicon carbide on silicon

Номер патента: RU2394117C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист". Дата публикации: 2010-07-10.

Method of obtaining of arrays of nanodimensional filamentary silicon crystals with controlled surface density

Номер патента: RU2568217C2. Автор: Александр Юрьевич Воробьев,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Максим Алексеевич Завалишин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технологический центр микро- и нанотехнологий". Дата публикации: 2015-11-10.

Method of obtaining carbon nanomaterials

Номер патента: RU2490205C2. Автор: Алексей Григорьевич Ткачев,Александр Васильевич Мележик. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НаноТехЦентр". Дата публикации: 2013-08-20.

Method of producing palladium beta-ketoiminates

Номер патента: RU2506268C1. Автор: Наталья Борисовна Морозова,Игорь Константинович Игуменов,Александр Николаевич Михеев,Галина Ивановна Жаркова,Андрей Васильевич Аржанников,Ксения Васильевна Жерикова,Манфред Каспар Андреас Тумм. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ). Дата публикации: 2014-02-10.

Method of calibrating pipes made from quartz glass

Номер патента: RU2591856C1. Автор: Алексей Юрьевич КУЛЕШ,Сергей Валерьевич УСТИНОВ,Иван Анатольевич Клочков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2016-07-20.

Method of producing isotopically-enriched germanium

Номер патента: RU2483130C1. Автор: Сергей Васильевич Филимонов,Сергей Владимирович Голубев,Сергей Михайлович Зырянов,Леонид Александрович Мочалов,Петр Геннадьевич Сенников,Владимир Иванович Шашкин,Владимир Александрович Колданов,Дмитрий Александрович Пряхин,Роман Алексеевич Корнев,Дмитрий Викторович Рогожин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г.Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН). Дата публикации: 2013-05-27.

Method of producing diamond structure with nitrogen-vacancy defects

Номер патента: RU2448900C2. Автор: Павел Георгиевич Баранов,Александра Андреевна Солтамова,Александр Яковлевич Вуль,Фёдор Михайлович Шахов,Сергей Викторович Кидалов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of forming ultrathin film

Номер патента: RU2486279C1. Автор: Николай Иннокентьевич Плюснин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-06-27.

Method of producing nanosize silicon structures

Номер патента: RU2547016C2. Автор: Анатолий Ильич Сапрыкин,Георгий Алексеевич Поздняков,Владимир Николаевич Яковлев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-04-10.

Номер патента: RU2475463C1. Автор: Виктор Васильевич Авдеев,Валерий Васильевич Кулаков,Алексей Валерьевич Кепман,Артем Петрович Малахо,Алексей Юрьевич Толбин,Евгений Иванович Крамаренко. Владелец: Закрытое акционерное общество "ГрАВИОНИКС-К" (ЗАО "ГрАВИОНИКС-К"). Дата публикации: 2013-02-20.

Masking techniques in chemical vapor deposition

Номер патента: CA1199715A. Автор: Robert D. Burnham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1986-01-21.

Retained form assembly, method of assembly production and method of wall erection with the use of above assembly

Номер патента: RU2253719C1. Автор: С.Г. Степанюк,А.Г. Дорофеев. Владелец: Дорофеев Александр Григорьевич. Дата публикации: 2005-06-10.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS AND METHOD OF FORMING FILM

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты