積體電路３ｄ記憶體陣列及製造方法.

積體電路３ｄ記憶體陣列及製造方法

Номер патента: TWI489592B
Опубликовано: 21-06-2015
Автор(ы): Hang Ting Lue, Hsiang Lan Lung
Принадлежит: Macronix Int Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Doped metal-insulator-metal (mim) capacitor of a memory array

Номер патента: US20230290812A1. Автор: Travis LAJOIE,André BARAN,Yixiong Zheng,Yu-Che Chiu,Alexandra De Denko,Christine RADLINGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit self aligned 3d memory array and manufacturing method

Номер патента: CN101826545B. Автор: 吕函庭. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-01.

Integrated circuit self aligned 3d memory array and manufacturing method

Номер патента: US20120236642A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Integrated circuit self aligned 3d memory array and manufacturing method

Номер патента: TWI433302B. Автор: Hang Ting Lue. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-01.

Integrated circuit structure including three-dimensional memory array

Номер патента: US6385074B1. Автор: James M. Cleeves,Thomas H. Lee,Mark G. Johnson,Vivek Subramanian,Paul Michael Farmwald. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413514A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Programmable and convertible non-volatile memory array

Номер патента: US5717634A. Автор: Michael C. Smayling,Giovanni Santin,Giulio Marotta,Pietro Piersimoni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

Memory device with peripheral circuitry which extends under a back end memory array

Номер патента: US20230397410A1. Автор: OZDEMIR Akin,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Pulkit JAIN,Juan ALZATE VINASCO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09911745B2. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Infrared sensor, infrared sensor array, and infrared sensor manufacturing method

Номер патента: EP3933358B1. Автор: Kunihiko Nakamura,Yasuyuki Naito,Masaki Fujikane,Naoki Tambo,Kouhei Takahashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit including a passive component in an interconnection part, and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20240178053A1. Автор: Houssein EL DIRANI,Marouane Mastari,Mohamed Ali Nsibi. Владелец: STMicroelectronics France SAS. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Pixel-level encapsulation structure of uncooled infrared detector, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4421871A1. Автор: Jie Shi,Jinhua Wang,Wenli CHEN,Jiwei Liu,Wenguang Zhao,Hanlin HU. Владелец: YANTAI RAYTRON TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated Circuits, Methods for Manufacturing Integrated Circuits, Integrated Memory Arrays

Номер патента: US20080225587A1. Автор: Josef Willer,Nicolas Nagel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100244051A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Sensor device, image sensor array and manufacturing method of sensor device

Номер патента: US09923013B1. Автор: Alexander Kalnitsky,Kuo-Chin Huang,Yuichiro Yamashita,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Radiation imaging apparatus and manufacturing method of same

Номер патента: US20220187481A1. Автор: Yoshito Sasaki,Masato Inoue,Takamasa Ishii,Masato Ofuji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Circular display device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09954049B2. Автор: Il-Ho Park,Chung-Hyoun Gyoung,Woo-Bin Im,Kee-Yong OH. Владелец: Kolonauto Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit for a stable electrical connection and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170365503A1. Автор: Seung-Soo Ryu,Byoung Yong Kim,Jeong Ho Hwang,Seung-Hwa HA,Sang Hyeon SONG,Jeong Do Yang,Jung Yun Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Integrated circuit having field-effect trasistors with dielectric fin sidewall structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922975B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Integrated circuit comprising an assembly of an electronic chip, an optical element and a substrate and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20240168245A1. Автор: Romain Coffy,Younes BOUTALEB. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Fiber SOI substrate, semiconductor device using this, and manufacturing method thereof

Номер патента: US8598017B2. Автор: Kenkichi Suzuki,Takashi Fuyuki,Hisashi Koaizawa,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-03.

Fiber soi substrate, semiconductor device using this, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130023090A1. Автор: Kenkichi Suzuki,Takashi Fuyuki,Hisashi Koaizawa,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991290B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050130389A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Mai Akiba. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Integrated circuit device and fabrication method thereof

Номер патента: US12132011B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit package

Номер патента: US09754913B2. Автор: Jurgen Leonardus Theodorus Maria Raben. Владелец: Sencio BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Manufacturing method and integrated circuit having a light path to a pixilated element

Номер патента: WO2009113004A2. Автор: Benoit Bataillou,Viet Nguyen Hoang,Radu Surdeanu. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-09-17.

TFT array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761613B2. Автор: Cheng Li,Jidong ZHANG,Hailin XUE,Yubo Xu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Preventing unauthorized use of integrated circuits for radiation-hard applications

Номер патента: US09741672B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

On-chip emf isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Номер патента: WO2023023238A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Susan C. Trulli,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-02-23.

Image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243159A1. Автор: Sang Hoon Kim,Jeong Woo Park,Dongwoo Suh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-07-18.

On-chip emf isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Номер патента: EP4388588A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Susan C. Trulli,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated circuit chip including gate electrode with oblique cut surface, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240274540A1. Автор: Deokhan Bae,Juhun PARK,Jinwook Kim,Junghoon Seo,Myungyoon Um,Inyeal Lee,Dongbeen KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit chip including gate electrode with oblique cut surface, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220336357A1. Автор: Deokhan Bae,Juhun PARK,Jinwook Kim,Junghoon Seo,Myungyoon Um,Inyeal Lee,Dongbeen KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Integrated circuit chip including gate electrode with oblique cut surface, and manufacturing method of the same

Номер патента: US11996364B2. Автор: Deokhan Bae,Juhun PARK,Jinwook Kim,Junghoon Seo,Myungyoon Um,Inyeal Lee,Dongbeen KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Laser element, laser element array, and laser element manufacturing method

Номер патента: EP4297207A1. Автор: Susumu Sato,Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Transistor, 3d memory and manufacturing method therefor, electronic device

Номер патента: EP4380329A1. Автор: Jin Dai,Yong Yu,Jing Liang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-06-05.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: US7355443B2. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-08.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: EP1520298B1. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-29.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

A method of determining the location of a defect in an integrated circuit and how to use this integrated circuit

Номер патента: EP1204122A3. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-02.

Damaging integrated circuit components

Номер патента: US09859227B1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Dual encapsulation integration scheme for fabricating integrated circuits with magnetic random access memory structures

Номер патента: US09564575B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114504B2. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US20220393089A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

INTEGRATED CIRCUIT SELF ALIGNED 3D MEMORY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130270626A1. Автор: Lue Hang-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

Integrated circuit assembly and liquid metal heat conducting element therefor and manufacturing method.

Номер патента: FR2703511A1. Автор: Layton Wilbur Terry,Morange Blanquita Ortega,Torres Angela Marie. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1994-10-07.

Integrated circuit package with different hardness bump pad and bump and manufacturing method therefor

Номер патента: US20050242446A1. Автор: Yonggang Jin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor integrated circuit device with multilayer wiring structure without dot pattern and manufacturing process

Номер патента: KR970018416A. Автор: 가즈유끼 미즈시마. Владелец: 닛본덴기 가부시끼가이사. Дата публикации: 1997-04-30.

DEVICE WITH INTEGRATED CIRCUITS, ELECTRONIC MODULE FOR CHIP CARDS USING THE DEVICE AND MANUFACTURING PROCESS OF SUCH DEVICE.

Номер патента: ES2293891T3. Автор: Eric Daniel,Yves Reignoux. Владелец: Axalto SA. Дата публикации: 2008-04-01.

Integrated circuit packaging system with routed circuit lead array and method of manufacture thereof

Номер патента: TW201250942A. Автор: Arnel Senosa Trasporto,Zigmund Ramirez Camacho,Byung-Tai Do. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-12-16.

Radiation detector, scintillator array, and scintillator array manufacturing method

Номер патента: JP6951092B2. Автор: 一登西澤. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2021-10-20.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9761665B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9355909B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-31.

Integrated circuit with reduced stress on circuit components and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP3872849A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield SPALDING. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-09-01.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US09761665B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243057A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor integrated circuit apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US09935097B2. Автор: Katsuyoshi Matsuura,Junichi Ariyoshi. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Three-dimensional (3d) memory cell with read/write ports and access logic on different tiers of the integrated circuit

Номер патента: EP2973706A1. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186323A1. Автор: Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Hsiang-Hung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

3D memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US12041791B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240206194A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259773A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US11929361B2. Автор: Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Xin-Yong WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US20230282639A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Yi-Hsun CHIU,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355820A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324228A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit with 3D partitioning

Номер патента: US11822475B2. Автор: Geert Van Der Plas,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Power delivery network (pdn) design for monolithic three-dimensional (3-d) integrated circuit (ic)

Номер патента: EP3289610A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-07.

Power delivery network (PDN) design for monolithic three-dimensional (3-D) integrated circuit (IC)

Номер патента: US09741691B2. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Sung Kyu Lim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated Circuit Package and Method of Forming Same

Номер патента: US20230253351A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Wei Ling Chang,Chieh-Yen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274598A1. Автор: Jinwoo Lee,Hojun CHOI,Sutae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit package with plated heat spreader

Номер патента: US09559036B1. Автор: Yuanlin Xie,Steven Hsieh. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Integrated circuits with deep trench isolations and methods for producing the same

Номер патента: US09831304B1. Автор: Jeoung Mo KOO,Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Mun Tat Yap,Tat Wei Chua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Multi-orientation integrated cell, in particular input/output cell of an integrated circuit

Номер патента: US09735772B2. Автор: Emmanuel Josse,Alexandre Dray. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Device architecture and process for improved vertical memory arrays

Номер патента: US20040245569A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Felber,Juergen Lindolf,Bernhard Kowalski,Valentin Rosskopf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Integrated circuit with backside power rail and backside interconnect

Номер патента: US20240258298A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Guo-Huei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20210343645A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Integrated circuits including abutted blocks and methods of designing layouts of the integrated circuits

Номер патента: US20230297752A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Sanghoon Baek,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US9275994B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Integrated circuits using guard rings for esd systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20170186741A9. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Integrated circuits using guard rings for esd systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20140299913A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Integrated circuits using guard rings for ESD systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US9748361B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit power device with automatic removal of defective devices

Номер патента: WO1991018417A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1991-11-28.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240332280A1. Автор: Wen-Hao Chen,Ming-Tao Yu,Chun-Yao Ku,Kuan-Ting Chen,Jyun-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuits using guard rings for ESD systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US09748361B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit having field effect transistors and manufacturing method

Номер патента: US20100230764A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US20160260803A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-08.

Integrated circuit having field effect transistors and manufacturing method

Номер патента: US20140120673A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: EP1982352A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-22.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit and related manufacturing method

Номер патента: US20150303193A1. Автор: Hao ZHONG,Yi Hua SHEN,Yun Chu YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: WO2007086019A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-08-02.

Structure for realizing integrated circuit having schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20080096361A1. Автор: Seong-Hearn Lee,Sang-wook Kwon,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit with protective element

Номер патента: US20240274595A1. Автор: Edgardo Laber,James Edwin Vinson. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Cmos integrated circuit and amplifying circuit

Номер патента: US20130127539A1. Автор: Tadamasa Murakami. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Integrated circuits

Номер патента: GB2176352B. Автор: Daniel Vincent Mccaughan,Michael Geoffrey Pitt. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1988-11-23.

Integrated circuits

Номер патента: GB8514621D0. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1985-07-10.

Monolithic integrated circuit based on semiconductor compound

Номер патента: RU2601203C1. Автор: Вадим Станиславович Арыков,Екатерина Валентиновна Анищенко,Евгений Викторович Ерофеев,Валерий Алексеевич Кагадей,Сергей Владимирович Ишуткин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран". Дата публикации: 2016-10-27.

System for designing integrated circuit using extracted model parameter and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US20200004911A1. Автор: Yo-Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Middle-of-line interconnect structure and manufacturing method

Номер патента: US20220367348A1. Автор: Sung-Li Wang,Fang-Wei Lee,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Integrated circuit including cell array and backside power rail

Номер патента: US20240172407A1. Автор: Taehyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for designing integrated circuit layout by using analog/mixed-signal standard cells that do not violate layout rules of digital standard cells and associated computer system

Номер патента: US20240211673A1. Автор: Wei-Hsin Tseng,Kuan-Ta Chen,Chia-Hsin Hu,Pang-yen Chin,Yu-Sian Lin,Ri-cheng ZENG,Chi-Shun CHENG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuit device

Номер патента: EP3640984A1. Автор: Zheng Zeng,Kuo-En HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Capacitance memories operated with intermittently-energized integrated circuits

Номер патента: US4034239A. Автор: Otto Heinrich Schade, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-07-05.

Laser element, laser element array, and laser element manufacturing method

Номер патента: EP4297207A4. Автор: Susumu Sato,Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

3D Semiconductor Package Including Memory Array

Номер патента: US20210407980A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363593A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062640B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190189494A1. Автор: Nan-Chun Lin,Kuo-Ting Lin,Yong-Cheng Chuang,Hsing-Te Chung. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Microwave integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240347485A1. Автор: Wei Zhao,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Zlichen WANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Optical proximity sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180164409A1. Автор: Ting-Yi Chen. Владелец: Dapa Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Light Sensing Integrated Circuit and Manufacturing Method of Sensing Integrated Circuit

Номер патента: US20150200215A1. Автор: Tzo-Hung Luo,Chin-Hung Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Integrated circuit and manufacturing method

Номер патента: US20140191348A1. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit and manufacturing method

Номер патента: US09818905B2. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721883B1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Wen-Lung Lai,Shiu-Ko Jangjian,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory array staircase structure

Номер патента: US11776602B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: EP3945582A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Direct cooling device for integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266253A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory array staircase structure

Номер патента: US12148505B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Chip structure with moisture barrier along opening in edge thereof and manufacturing method of the chip structure

Номер патента: EP4400885A1. Автор: Zhuojie Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Crystal controlled oscillator and manufacturing method of crystal controlled oscillator

Номер патента: US20180248556A1. Автор: Hiroyasu Kunitomo. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Technologies for fabricating a 3d memory structure

Номер патента: US20230133927A1. Автор: Soo Doo Chae,Sang Cheol Han,Sunghil Lee,Iljung Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP4408152A2. Автор: Stephen H. Tang,Stephen W. Russell,Hernan A Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20100155743A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Auerbach,Michael Treu,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-06-24.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: US20190326356A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

3d voltage switching transistors for 3d vertical gate memory array

Номер патента: US20160329344A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Integrated circuit and computer-implemented method of manufacturing the same

Номер патента: US09991249B2. Автор: Hyo-sig Won,Seong-Min Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Electronic high frequency device and manufacturing method

Номер патента: US09620854B2. Автор: Ralf Reuter. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Package having multiple chips integrated therein and manufacturing method thereof

Номер патента: US12051673B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

X-ray detector and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090202042A1. Автор: Dae-ho Choo,Kwan-Wook Jung,Kyung-Sang GOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-13.

Wire-bonded integrated circuit package and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2005067041A1. Автор: Tian Siang Yip,How Mong Yeow,Bee Ngoh Kee. Владелец: Bee Ngoh Kee. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

X-ray detector and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2090901A3. Автор: Dae-ho Choo,Kwan-Wook Jung,Kyung-Sang GOO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-07.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090008782A1. Автор: Ping-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691667B2. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194234A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated Circuit of Driving Device and Manufacture Method thereof

Номер патента: US20160005812A1. Автор: Yu-Hao Hsu,Jui-Chang Lin. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-01-07.

Through-silicon via layout for multi-die integrated circuits

Номер патента: US12107076B2. Автор: Edward Chang,Alan D. Smith,Jasmeet Singh Narang,John Wuu,Wonjun Jung,Tyrone HUANG,Christopher KLEMENT. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit common-mode filters with ESD protection and manufacturing method

Номер патента: US09741655B2. Автор: Shijun Wang,Nan Zhang,Wen-Chin Wu,Albert Z. WANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and apparatus for performing rlc modeling and extraction for three-dimensional integrated circuit (3d-ic) designs

Номер патента: EP2392026A2. Автор: Mathew Koshy,Xiaoping Hu,Charles C. Chiang,Beifang Qiu,Qiushi Chen,Baribrata Biswas. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2011-12-07.

Method and apparatus for performing rlc modeling and extraction for three-dimensional integrated circuit (3d-ic) designs

Номер патента: WO2010088140A2. Автор: Mathew Koshy,Xiaoping Hu,Charles C. Chiang,Beifang Qiu,Qiushi Chen,Baribrata Biswas. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2010-08-05.

Ceramic wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240246258A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang,Rui-Feng Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4362077A3. Автор: Jinyong OH. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Memory integrated circuit

Номер патента: US11895832B2. Автор: Chia-En HUANG,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory integrated circuit

Номер патента: US20230041409A1. Автор: Chia-En HUANG,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Integrated Circuit Chip Design Flow Methodology Including Insertion of On-Chip or Scribe Line Wireless Process Monitoring and Feedback Circuitry

Номер патента: US20090239313A1. Автор: Sebastian T. Ventrone,Ezra D.B. Hall,Theodoros Anemikos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method, circuit board and electronic device thereof

Номер патента: US20040212100A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Package having multiple chips integrated therein and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125821B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory array with bit-lines connected to different sub-arrays through jumper structures

Номер патента: US09659635B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Single-crystal module for integrated circuit

Номер патента: RU2134465C1. Автор: А.И. Таран. Владелец: Таран Александр Иванович. Дата публикации: 1999-08-10.

Memory cell, memory array and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397426A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: US20210351234A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: WO2021225783A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US8709873B2. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-04-29.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100140765A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110285001A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

3d stacked integrated circuits having failure management

Номер патента: US20200195252A1. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

3D Stacked Integrated Circuits Having Failure Management

Номер патента: US20200244268A1. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, integrated circuit element, and integrated circuit element manufacturing method

Номер патента: US20240170447A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

High density flip chip memory arrays

Номер патента: US20020058395A1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,Warren M. Farnworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

High density flip chip memory arrays

Номер патента: US20010030371A1. Автор: Salman Akram,Alan Wood,Warren Farnworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Microelectromechanical system (mems) bond release structure and method of wafer transfer for three-dimensional integrated circuit (3d ic) integration

Номер патента: WO2016048649A1. Автор: Yang Du,Shiqun Gu,Yong Ju Lee,Jing Xie,Wenyue Zhang,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Three-dimensional integrated circuit (3D IC) low-dropout (LDO) regulator power delivery

Номер патента: US12046580B2. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Stefan Rusu,Eric Soenen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Microelectromechanical system (mems) bond release structure and method of wafer transfer for three-dimensional integrated circuit (3d ic) integration

Номер патента: EP3198634A1. Автор: Yang Du,Shiqun Gu,Yong Ju Lee,Jing Xie,Wenyue Zhang,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Integrated circuits and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12094880B2. Автор: Min Cao,Shyue-Shyh Lin,Ali Keshavarzi,Chung-Cheng Wu,Li-Chun Tien,Ta-Pen Guo,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Hsiang-Jen TSENG,Ting Yu CHEN,Yung-Chin Hou,Shu-Hui Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Photoelectric transceiver assembly and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240302611A1. Автор: Meng Wang,Wenqi Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional integrated circuit (3d ic) low-dropout (ldo) regulator power delivery

Номер патента: US20240347513A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Stefan Rusu,Eric Soenen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit, package structure, and manufacturing method of package structure

Номер патента: US12132023B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chia-Wei Wang,Hui-Jung TSAI,Tai-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

3D stacked integrated circuits having failure management

Номер патента: US12074599B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985031B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Tamper-resistant non-volatile memory device and integrated circuit card

Номер патента: US09948471B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Microelectromechanical system (MEMS) bond release structure and method of wafer transfer for three-dimensional integrated circuit (3D IC) integration

Номер патента: US09922956B2. Автор: Yang Du,Shiqun Gu,Yong Ju Lee,Jing Xie,Wenyue Zhang,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371932A1. Автор: Yi-Chun Liu,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Kung-Ying Chiu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit comprising a substrate, a die and an improved die attachment layer, as well as corresponding method of die bonding

Номер патента: WO2022124895A3. Автор: John Suman Nakka. Владелец: Stichting Chip Integration Technology Centre. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Method for optical proximity correction, design and manufacturing of a reticle using variable shaped beam lithography

Номер патента: WO2010025032A3. Автор: Akira Fujimura,Lance Glasser. Владелец: D2S, INC.. Дата публикации: 2010-06-17.

Integrated Circuits and Methods of Design and Manufacture Thereof

Номер патента: US20100276759A1. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Integrated circuit and method for preparing same, and power amplifier and electronic device

Номер патента: EP4411827A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN,Ruxue NI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Integrated circuit, manufacturing method thereof, power amplifier, and electronic device

Номер патента: US20240297245A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN,Ruxue NI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Pads and pin-outs in three dimensional integrated circuits

Номер патента: US09978773B2. Автор: Raminda Udaya Madurawe. Владелец: Callahan Cellular LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuits and methods of design and manufacture thereof

Номер патента: US09767244B2. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Pads and pin-outs in three dimensional integrated circuits

Номер патента: US09679914B2. Автор: Raminda Udaya Madurawe. Владелец: Callahan Cellular LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321786A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tzu-Chun Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187415A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Integration techniques for micromachined pmut arrays and electronics using thermocompression bonding, eutectic bonding, and solder bonding

Номер патента: EP3793752A1. Автор: Sandeep Akkaraju,Brian Bircumshaw. Владелец: Exo Imaging Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

INTEGRATION TECHNIQUES FOR MICROMACHINED pMUT ARRAYS AND ELECTRONICS USING THERMOCOMPRESSION BONDING, EUTECTIC BONDING, AND SOLDER BONDING

Номер патента: US20210094070A1. Автор: Sandeep Akkaraju,Brian Bircumshaw. Владелец: Exo Imaging Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

INTEGRATION TECHNIQUES FOR MICROMACHINED pMUT ARRAYS AND ELECTRONICS USING THERMOCOMPRESSION BONDING, EUTECTIC BONDING, AND SOLDER BONDING

Номер патента: US20210086231A1. Автор: Sandeep Akkaraju,Brian Bircumshaw. Владелец: Exo Imaging Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

INTEGRATION TECHNIQUES FOR MICROMACHINED pMUT ARRAYS AND ELECTRONICS USING THERMOCOMPRESSION BONDING, EUTECTIC BONDING, AND SOLDER BONDING

Номер патента: WO2019222118A1. Автор: Sandeep Akkaraju,Brian Bircumshaw. Владелец: Exo Imaging, Inc.. Дата публикации: 2019-11-21.

A three-dimensional integrated circuit with a chipping and delamination barrier and its fabrication method

Номер патента: WO2024206149A1. Автор: Tran KONONOVA,Kouassi Sebastien Kouassi,Doug Hawks. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Integrated Circuit Shielding Film and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130193566A1. Автор: Chuan-Li Cheng,Hsueh-Tsu Chang. Владелец: Chenming Mold Industrial Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Integrated circuit manufacturing method and integrated circuit

Номер патента: EP2283517A1. Автор: Didem Ernur,Romano Hoofman. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-16.

Integrated circuit with a reduced pad bump area and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080093737A1. Автор: Ming-Cheng Chiu,Chien-Pin Chen,Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Manufacturing method of an electronic device package

Номер патента: US20020093120A1. Автор: Pierangelo Magni,Andrea Cigada. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-18.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Substrate structure for an integrated circuit package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050012207A1. Автор: Jackson Hsieh,Jichen Wu. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: EP1756867A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Printed circuit boards including direct routing from integrated circuit packages

Номер патента: US20240334600A1. Автор: Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Rijo Kizhakkedathu Avarachan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fringe capacitor, integrated circuit and manufacturing process for the fringe capacitor

Номер патента: US12113062B2. Автор: Michael Lueders,Naveen Tipirneni,Jungwoo Joh,Maik Peter Kaufmann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: US12135667B2. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Three dimensional structure integrated circuit

Номер патента: US20030173608A1. Автор: Glenn Leedy. Владелец: Elm Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Integrated circuit devices and methods of forming memory array and peripheral circuitry isolation

Номер патента: US20130249050A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20200365557A1. Автор: Ying-Ching Shih,Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Integrated Circuit Devices And Methods Of Forming Memory Array And Peripheral Circuitry Isolation

Номер патента: US20130087883A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Heterogeneous integrated circuit for short wavelengths

Номер патента: US20220270977A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

3D memory with graphite conductive strips

Номер патента: US12041776B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Integrated circuit packages

Номер патента: US12057439B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith

Номер патента: US20130171933A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US8650633B2. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus for sharing clocks between separate integrated circuit chips

Номер патента: US12095463B1. Автор: Hongwei Dai,Xiaofeng Tang,Gongqiong Li. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus providing optical input/output through the back side of an integrated circuit die

Номер патента: WO1999032910A1. Автор: Mario J. Paniccia,Valluri R. M. Rao. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-07-01.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: AU2021366690A9. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: US12085442B2. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit packages

Номер патента: US20240355782A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: EP4443484A2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

3d memory with graphite conductive strips

Номер патента: US20240315033A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods and apparatus for integrated circuit failsafe fuse package with arc arrest

Номер патента: US09865537B1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Steve Kummerl,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Apparatus and method for integrated circuit bit line sharing

Номер патента: US09583494B2. Автор: Yi-Tzu Chen,Hao-I Yang,Yu-Hao Hu,Cheng-Jen Chang,Geng-Cing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Integral circuit assembly

Номер патента: RU2145732C1. Автор: Удо Детлеф,Киршбауер Йозеф,Менш Ханс-Георг,Штампка Петер,Штекхан Ханс-Хиннерк. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2000-02-20.

Array substrate, liquid crystal display panel and manufacture method of liquid crystal display panel

Номер патента: US20180180924A1. Автор: Xinglong He,Shihpo Chou,Yao-Li Huang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit package system with integrated circuit support

Номер патента: US20070108559A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan,Henry Bathan,Zigmund Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated circuit package architecture

Номер патента: US20120159779A1. Автор: William Y. Hata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Integrated circuit package system with adhesive segment spacer

Номер патента: US20100072630A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

3d memory array contact structures

Номер патента: US20240276726A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

Alignment of integrated circuit chip stack

Номер патента: US20150024549A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Qinghuang Lin,Sri M. Sri-Jayantha,Vijayeshwar D. Khanna,Roy R. Yu,Evan G. Colgan,Robert L. Wisnieff,Peter J. Sorce,Steven A. Cordes,Kenneth Latzko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A4. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2006-05-31.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: WO1999046965A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Technology, LLC. Дата публикации: 1999-09-16.

Beamforming integrated circuit having rf signal ports using a ground-signal transition for high isolation in a phased antenna array system and related methods

Номер патента: US20220285837A1. Автор: Kevin Greene,Vipul Jain,Amr IBRAHIM. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit

Номер патента: US20070065983A1. Автор: Robert Vinson,Donald Beck,Gregory Jandzio,Joseph Brief. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-03-22.

Apparatus and Method for Preventing Configurable System-on-a-Chip Integrated Circuits from Becoming I/O Limited

Номер патента: US20090273101A1. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Metal mesh array and manufacturing method thereof, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240211082A1. Автор: Feng Qu,Kui Liang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Enhanced jet impingement leak prevention for integrated circuit

Номер патента: US20240175917A1. Автор: Kelly Lofgreen,Joseph Petrini,Paul Diglio,Sami Alelyani,Craig Yost,Ruben NUNEZ BLANCO,Christopher Ackerman,Varun NARAYAN,Jensen STENBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Hybrid system including photonic and electronic integrated circuits and cooling plate

Номер патента: US12100701B1. Автор: Ramakanth Alapati,Gabriel J. Mendoza. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2000-12-27.

Apparatus and method for preventing configurable system-on-a-chip integrated circuits from beginning I/O limited

Номер патента: US7982321B2. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance

Номер патента: US09899329B2. Автор: Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit dies with through-die vias

Номер патента: US09799629B2. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748203B2. Автор: Kyunghwan Kim,DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuit package with embedded passive structures

Номер патента: US09673173B1. Автор: Zhe Li,Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379482A1. Автор: Hung-Pin Chang,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Integrated-circuit protective system

Номер патента: RU2232420C2. Автор: Михель СМОЛА,Ян ОТТЕРШТЕДТ,Михель РИХТЕР,Мартин АЙЗЕЛЕ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-07-10.

Package to mount chip in integrated circuit and process of its assembly

Номер патента: RU2191445C2. Автор: Стефен Уэсли МАККВЭРРИ,Уэйн Расселл СТОРР,Джеймс Уоррен УИЛСОН. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2002-10-20.

Optical transceiver and manufacturing method thereof

Номер патента: US11454773B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsing-Kuo Hsia,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-27.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20220036931A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Optical Transceiver and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230350142A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsing-Kuo Hsia,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated circuit device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230394216A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20210305112A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Dual mode memory array security apparatus, systems and methods

Номер патента: US20190019545A1. Автор: Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Srinath Ramswamy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20230377624A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory arrays with bonded and shared logic circuitry

Номер патента: US20200395328A1. Автор: Richard Fastow,Owen W. Jungroth,Prashant Majhi,Krishna Parat,Khaled Hasnat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Stacked integrated circuit chip assembly

Номер патента: WO2007047808A2. Автор: Chad A. Vos. Владелец: LITTELFUSE, INC.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of providing a gettering scheme in the manufacture of silicon-on-insulator (soi) integrated circuits

Номер патента: WO1999034432A1. Автор: Rene P. Zingg,Theodore J. Letavic. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-07-08.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A3. Автор: Duncan Stewart,Frederick A Perner,R Stanley Williams,Gregory S Snider,Phillip J Kuekes. Владелец: Phillip J Kuekes. Дата публикации: 2007-08-16.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: EP1872398A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-01-02.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2006-11-02.

Three-dimensional integrated circuit, and process and device for three-dimensional integrated circuit alignment

Номер патента: EP4099369A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Riqing Zhang,Weihua Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Integrated circuit package

Номер патента: US20140070421A1. Автор: Martin Mchugh,Michael Anthony Higgins,Piers Tremlett. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US12027472B2. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Ramji Sitaraman LAKSHMANAN,Laurence Brendan O'Sullivan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Three-dimensional electronic device and relative manufacture method

Номер патента: WO2002091469A3. Автор: Mario Palazzetti,Eugenio Faggioli,Riccardo Groppo. Владелец: Riccardo Groppo. Дата публикации: 2004-03-04.

Three-dimensional electronic device and relative manufacture method

Номер патента: WO2002091469A2. Автор: Mario Palazzetti,Eugenio Faggioli,Riccardo Groppo. Владелец: C.R.F. Societa Consortile per Azioni. Дата публикации: 2002-11-14.

Three-dimensional electronic device and relative manufacture method

Номер патента: EP1419529A2. Автор: Mario Palazzetti,Eugenio Faggioli,Riccardo Groppo. Владелец: Centro Ricerche Fiat SCpA. Дата публикации: 2004-05-19.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Stackable integrated circuit package and method therefor

Номер патента: EP1644976A2. Автор: Hem P. Takiar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Integrated circuit package system with interconnect support

Номер патента: US20090250798A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey D. Punzalan,Henry D. Bathan,Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Structure and method for determining a defect in integrated circuit manufacturing process

Номер патента: US9035674B2. Автор: HONG Xiao,Jack Y. Jau,CHANG CHUN YEH. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure

Номер патента: US20240258220A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Power integrated circuit with high insensitivity to parasitic inductances of wires for connection to a package and package for said integrated circuit

Номер патента: US20090073625A1. Автор: Edoardo Botti,Pietro Mario Adduci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-19.

90 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6541873B1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

120 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6617699B2. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Integrated circuit packaging configuration for rapid customized design and unique test capability

Номер патента: WO1988002553A2. Автор: Robert John Wojnarowski,Charles William Eichelberger,Kenneth Brakeley Ii Welles. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 1988-04-07.

Integrated circuit package with improved electro-static discharge protection

Номер патента: US20050242415A1. Автор: Robert Abraham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for improving prompt dose radiation response of mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US20120306050A1. Автор: John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Photonic integrated circuit package

Номер патента: US20170194309A1. Автор: Jiaming Zhang,Fred A. Kish, Jr.,John W. Osenbach,Peter W. Evans,Miguel Iglesias Olmedo,Maria Anagnosti. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Apparatus For Implementing Multiple Integrated Circuits Using Different Gate Oxide Thicknesses On A Single Integrated Circuit Die

Номер патента: US20090289323A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210020584A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzu Yun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

An integrated circuit package, and a method for producing an integrated circuit package having two dies with input and output terminals of integrated circuits of the dies directly addressable for testing of the package

Номер патента: EP1979757A1. Автор: Noel A. Mcnamara. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-10-15.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Multiple ball grid array (bga) configurations for a single integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20210066178A1. Автор: Dinesh Somasekhar,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Transfer molding of integrated circuit packages

Номер патента: US20050275091A1. Автор: Marie-Claude Paquet,Catherine Dufort,Marie-France Boyaud,Real Tetreault. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Thyristor radiation detector array and applications thereof

Номер патента: EP2104146A3. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Integrated circuit package system with leadframe substrate

Номер патента: SG142329A1. Автор: Cheonhee Lee,Youngnam Choi. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Integrated circuit to dielectric substrate transition

Номер патента: EP4395066A2. Автор: Ekrem Oran,Fatih Kocer,Arun Raj,Santosh Anil Kudtarkar,Christoph Maximilian STEINBRECHER,Sacid Oruc. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-03.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

120 Degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US20030098508A1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Enhanced static-dynamic stress techniques to accelerate latent defects for integrated circuits

Номер патента: US20240210466A1. Автор: Thomas Pompl,Steve Herndon,Andres Maldonado. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit to dielectric substrate transition

Номер патента: EP4395066A3. Автор: Ekrem Oran,Fatih Kocer,Arun Raj,Santosh Anil Kudtarkar,Christoph Maximilian STEINBRECHER,Sacid Oruc. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-25.

Vertical semiconductor device, manufacturing method therefor, integrated circuit and electronic device

Номер патента: US12096623B2. Автор: Huilong Zhu,Kunpeng JIA,Weixing Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-09-17.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: ZA202301991B. Автор: Nikolas Radosevic (Deceased),Wijk Adrian Van. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US20240304569A1. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Laurence Brendan O'Sullivan,Ramji Sitaraman Lakshmanan et al.. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-12.

Structural and thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US12046534B2. Автор: Brett W. Degner,Michael E. Leclerc,Kevin J. Ryan,Eric R. Prather,Simon J. TRIVETT,Mahesh S. Hardikar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and device for removing integrated circuits

Номер патента: US09987836B2. Автор: Wei Wang,LONG Yan,Jun Zhang,Yong Sun,Daocheng Zhu,Zhiyu QIAN,Xianzhen TANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit having slot via and method of forming the same

Номер патента: US09984964B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Praneeth NARAYANASETTI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Millimeter wave integrated circuit with ball grid array package including transmit and receive channels

Номер патента: US09941228B2. Автор: Jie Chen,Rajen Manicon Murugan,Minhong Mi,Stanley Craig Beddingfield,Kenneth Robert Rhyner,Django Earl Trombley,Chittranjan Mohan GUPTA,Gary Paul Morrison. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuit wafer integration with catalytic laminate or adhesive

Номер патента: US09922951B1. Автор: Konstantine Karavakis,Kenneth S. Bahl. Владелец: Sierra Circuits Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US09917087B2. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09875913B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Three-dimensional integrated circuit structures providing thermoelectric cooling and methods for cooling such integrated circuit structures

Номер патента: US09847272B2. Автор: WEI Liu,Kheng Chok Tee,Juan Boon Tan,Kam Chew Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuits and molding approaches therefor

Номер патента: US09842776B2. Автор: Roelf Anco Jacob Groenhuis,Tonny Kamphuis,John Suman Nakka. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of making thermally-isolated silicon-based integrated circuits

Номер патента: US09824932B1. Автор: Roy Olsson,Kenneth Wojciechowski,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Packages for integrated circuits and methods of packaging integrated circuits

Номер патента: US09786838B2. Автор: Angelo V. Ugge. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

High density integrated circuit package structure and integrated circuit

Номер патента: US09768101B2. Автор: Dazhong LIANG. Владелец: CHINA CHIPPACKING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US09716056B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuit package

Номер патента: US09685425B2. Автор: Matthias Sauer. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated circuit manufacture using direct write lithography

Номер патента: US09672316B2. Автор: Gregory Munson Yeric. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Millimeter wave integrated circuit with ball grid array package including transmit and receive channels

Номер патента: US09666553B2. Автор: Jie Chen,Rajen Manicon Murugan,Minhong Mi,Stanley Craig Beddingfield,Kenneth Robert Rhyner,Django Earl Trombley,Chittranjan Mohan GUPTA,Gary Paul Morrison. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Architectures for an implantable stimulator device having a plurality of electrode driver integrated circuits with shorted electrode outputs

Номер патента: US09656081B2. Автор: Jordi Parramon,Emanuel Feldman,Göran MARNFELDT,Paul J. Griffith,Jess Shi,Robert Tong. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09653417B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Thermally-isolated silicon-based integrated circuits and related methods

Номер патента: US09646874B1. Автор: Roy H. Olsson,Kenneth Wojciechowski,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Methods for fabricating integrated circuits with a high-voltage MOSFET

Номер патента: US9054135B2. Автор: Bing Li,Sung Mun Jung,Yi Tat Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-06-09.

Through silicon via structure for three-dimensional integrated circuit packaging and manufacturing method thereof

Номер патента: US11887912B2. Автор: Lin Chen,Wei Zhang,Bao Zhu,Qingqing Sun. Владелец: Shanghai IC Manufacturing Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

3D stacked integrated circuits having functional blocks configured to accelerate artificial neural network (ANN) computation

Номер патента: US11688734B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Memory device with multiple memory arrays to facilitate in-memory computation

Номер патента: US20190205273A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Sasikanth Manipatruni,Ram Krishnamurthy,Jack Kavalieros,Amrita MATHURIYA,Raghavan Kumar,Phil Knag,Van Le,Gregory Chen,Huseyin SUMBUL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080085578A1. Автор: Michihiro Kanno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Manufacturing method of sensing integrated circuit

Номер патента: US20150380446A1. Автор: Tzo-Hung Luo,Chin-Hung Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230268258A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: EP1465249A3. Автор: Anthony M Chiu,Tom Q Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-20.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: EP1616380A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-18.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: WO2004091067A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Integrated circuit, circuit board, and electronic apparatus

Номер патента: US20220385289A1. Автор: Yohei Ogawa,Yukio Ito,Keisuke Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Nano-wall Integrated Circuit Structure with High Integrated Density

Номер патента: US20220149198A1. Автор: Ke Feng,FAN Lin,Ping Li,Tao He,Xianghe ZENG,Yongbo Liao,Zhaoxi Hu,Yaosen LI,Chenxi PENG,Xuanlin XIONG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-05-12.

Optical bus in 3d integrated circuit stack

Номер патента: WO2012003530A9. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-08.

Power grid layout techniques on integrated circuits

Номер патента: EP1503416A3. Автор: John Campbell,Kim R. Stevens,Luigi De Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

System For Shielding Integrated Circuits

Номер патента: US20080093742A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit formed with microphone transducer

Номер патента: WO2011081998A2. Автор: Marie Denison,Wei-Yan Shih,Brian E. Goodlin,Lance W. Barron. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-07-07.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: US20040195685A1. Автор: Anthony Chiu,Tom Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-07.

Method of manufacturing modules with an integrated circuit

Номер патента: US20030087474A1. Автор: Christian Brugger,Reinhard Fritz,Johannus Weekamp,Anthonie De Lange,Johannes Van Roosmalen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Integrated circuit tester information processing system

Номер патента: US20090076750A1. Автор: Judy Xilin An,Sushant S. Suryagandh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Etchant compositions for metal-containing films and methods of manufacturing integrated circuit devices using the etchant compositions

Номер патента: US20210115334A1. Автор: Kihun Song,Hyosan Lee,Minjung Kim,Jungmin Oh,Hyojoong YOON,Jongwook Baek. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Electronic die manufacturing method

Номер патента: US20230021534A1. Автор: Olivier Ory,Philippe Rabier. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2023-01-26.

Integrated circuit devices and fabrication techniques

Номер патента: US20240145480A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatus and method for direct power delivery to integrated circuit package

Номер патента: US12107047B2. Автор: Joel Richard Goergen,Victor Liu,Stephen Aubrey Scearce,Louis Smidt,Kadin Stephens. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: US20240361546A1. Автор: Hui Yu Lee,Yu-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods for producing integrated circuits with interposers and integrated circuits produced from such methods

Номер патента: US09799571B2. Автор: Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Stacking arrangement for integration of multiple integrated circuits

Номер патента: US09741644B2. Автор: Romney R. Katti,James L. Tucker. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Source driving integrated circuits including an electrostatic discharge circuit and related layout method

Номер патента: US09735053B2. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Manufacturing method of sensing integrated circuit

Номер патента: US09653497B2. Автор: Tzo-Hung Luo,Chin-Hung Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Hybrid integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6975024B2. Автор: Yasuhiro Koike,Hidefumi Saito,Junichi Iimura,Katsumi Okawa. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-13.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11823980B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Three-dimensional Integrated Circuit (3D IC) Low-dropout (LDO) Regulator Power Delivery

Номер патента: US20220302089A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Stefan Rusu,Eric Soenen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

3d stacked integrated circuits having functional blocks configured to accelerate artificial neural network (ann) computation

Номер патента: US20210151431A1. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

3d stacked integrated circuits having functional blocks configured to accelerate artificial neural network (ann) computation

Номер патента: US20200135720A1. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

3d stacked integrated circuits having functional blocks configured to accelerate artificial neural network (ann) computation

Номер патента: WO2020086374A1. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-30.

Integrated circuit memory and manufacturing method thereof, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11862723B2. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit and manufacturing method

Номер патента: US20160043265A1. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-02-11.

Integrated circuit and manufacturing method

Номер патента: US9188540B2. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-11-17.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369172A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Damascene process for aligning and bonding through-silicon-via based 3d integrated circuit stacks

Номер патента: US20130069232A1. Автор: Huang Liu,Hong Yu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027494B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Tzuan-Horng LIU,Chien-Ling Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: EP2404320A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-01-11.

Integrated circuit metallic ion diffusion defect validation

Номер патента: WO2020154082A1. Автор: Mark Thomas McCormack,Anik MEHTA,Louis Charles II KORDUS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Integrated circuit metallic ion diffusion defect validation

Номер патента: EP3915140A1. Автор: Mark Thomas McCormack,Anik MEHTA,Louis Charles II KORDUS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-12-01.

Process for Precision Placement of Integrated Circuit Overcoat Material

Номер патента: US20100072610A1. Автор: Rex W. Pirkle,Sean M. Malolepszy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Process for precision placement of integrated circuit overcoat material

Номер патента: US7884449B2. Автор: Rex W Pirkle,Sean M Malolepszy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-08.

Thermal conductivity for integrated circuit packaging

Номер патента: US20200323076A1. Автор: Brian J. Long. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

An integrated circuit package having interchip bonding and method therefor

Номер патента: WO1999045591A9. Автор: Steve V Drehobl,Joseph D Fernandez,Mike Charles. Владелец: Microchip Tech Inc. Дата публикации: 1999-11-11.

System and method for wireless and dynamic intra-process measurement of integrated circuit parameters

Номер патента: US20090240452A1. Автор: Mete Erturk,Sebastian T. Ventrone,Ezra D.B. Hall,Anthony J. Perri,Theodoros E. Anemikos,Phillip L. Corson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Integrated circuit packages having electrical and optical connectivity and methods of making the same

Номер патента: US12032216B2. Автор: Jin Su Kim,Lars Martin Otfried BRUSBERG,Aramais Robert Zakharian. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20240234185A9. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Device, method and system for providing a stacked arrangement of integrated circuit dies

Номер патента: US20210074695A1. Автор: Rajesh Kumar,Glenn J. Hinton,Mark Bohr,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Integrated circuit package with warpage control using cavity formed in laminated substrate below the integrated circuit die

Номер патента: EP4135022A3. Автор: Roseanne Duca. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: WO2005022597A3. Автор: Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Kang Yoon Lee,Hyungki Huh. Владелец: Hyungki Huh. Дата публикации: 2005-08-04.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: WO2005022597A2. Автор: Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Kang Yoon Lee,Hyungki Huh. Владелец: GCT Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-03-10.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: EP1665383A2. Автор: Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Kang Yoon Lee,Hyungki Huh. Владелец: Gct Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Method of optimizing laser cutting of wafers for producing integrated circuit dies

Номер патента: US20230415269A1. Автор: Miguel CAMARGO SOTO,Juan Arturo Jerez,Luis Enrique Velazquez Cardenas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for designing and manufacturing a PMOS device with drain junction breakdown point located for reduced drain breakdown voltage walk-in

Номер патента: US20070264768A1. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Hybrid Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210134776A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Integrated circuit having state machine-driven flops in wrapper chains for device testing

Номер патента: US20210399729A1. Автор: Gustav Laub, III. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Substrate for integrated circuit package

Номер патента: US20170243799A1. Автор: Jae Young Choi,Hyung Soo Moon,Joon Soo Kim. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, circuit board, and electronic appliance

Номер патента: US20050199997A1. Автор: Terunao Hanaoka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120074548A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

A method of manufacturing integrated circuit sensors

Номер патента: AU2003249497A1. Автор: William Robert Betts,Steven Verlinden. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2004-02-25.

A method of manufacturing integrated circuit sensors

Номер патента: WO2004015400A1. Автор: William Robert Betts,Steven Verlinden. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2004-02-19.

A method of manufacturing integrated circuit sensors

Номер патента: EP1546681A1. Автор: William Robert Betts,Steven Verlinden. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2005-06-29.

A controlled collapse chip connection (c4) integrated circuit package that has a filler which seals an underfill material

Номер патента: WO2000052739A3. Автор: Suresh Ramalingam. Владелец: Suresh Ramalingam. Дата публикации: 2001-01-11.

Carbon nanotube bond pad structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1866962A2. Автор: Chris Wyland. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-12-19.

Carbon nanotube bond pad srtucture and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006103620A2. Автор: Chris Wyland. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-10-05.

Embedded photonics integrated circuit in glass core of substrate

Номер патента: US20240027710A1. Автор: Xiaoqian Li,Srinivas V. Pietambaram,Brandon Christian Marin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated circuit system with carbon enhancement

Номер патента: SG146528A1. Автор: Li Wai-Kin,Liu Wuping,Lawrence A Clevenger,Kevin S Petrarca,Johnny Widodo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-10-30.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20200211922A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Chien Ling Hwang,Pei-Hsuan Lee,Yu-Chia Lai,Shu-Rong Chun,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240071939A1. Автор: Tsung-Ding Wang,Yu-Min LIANG,Hao-Cheng Hou,Jung-Wei CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Electroosmotic pumps using porous frits for cooling integrated circuit stacks

Номер патента: US20060226541A1. Автор: Alan Myers,Sarah Kim,R. List,James Maveety,Quat Vu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Electroosmotic pumps using porous frits for cooling integrated circuit stacks

Номер патента: EP1676315A1. Автор: Alan Myers,Sarah Kim,James Maveety,Quat Vu,Scott R. List. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Radiation shield and radiation shielded integrated circuit device

Номер патента: WO2001039255A9. Автор: Joseph M Benedetto. Владелец: Aeroflex Utmc Microelectronic. Дата публикации: 2002-08-15.

Package Having Exposed Integrated Circuit Device

Номер патента: US20090215244A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico S. San Antonio,Michael H. McKerreghan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: WO2004053931A3. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Antonio Rico San. Дата публикации: 2004-08-05.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: US20130127014A1. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-05-23.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: WO2010101858A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-10.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20240258187A1. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen,Yu-Ling Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Large scale integrated circuit chip and large scale integrated circuit wafer

Номер патента: US20170278805A1. Автор: Atsushi Obuchi,Hiroshi Kaga,Takashi Yoneoka. Владелец: Wells Fargo Bank NA. Дата публикации: 2017-09-28.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US20160133581A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Vertical stacking of multiple integrated circuits including soi-based optical components

Номер патента: WO2006084237A9. Автор: Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,John Fangman,Dave Piede. Владелец: Dave Piede. Дата публикации: 2006-11-09.

Gate driver integrated circuit

Номер патента: US20200195248A1. Автор: Weicheng YANG,Xuhong YAO. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Fabrication of integrated circuit structures having uniformity among varying gate trench widths

Номер патента: US20240178227A1. Автор: Venkata Aditya Addepalli,Shyam Benegal KADALI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A4. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: EP1570524A2. Автор: Shafidul Islam,Michael H. McKerreghan,Rico San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same

Номер патента: US20200348587A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Johannes Cobussen,Leendertjan Mekking. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device

Номер патента: EP1021837A1. Автор: Thomas P. Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Methods and apparatus for integrated circuit ball bonding with substantially perpendicular wire bond profiles

Номер патента: US20050176232A1. Автор: Curtis Miller,Nelson Troncoso. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Monitoring physical operating parameters of an integrated circuit

Номер патента: US7928882B2. Автор: Marcel Pelgrom,Violeta Petrescu,Hendricus J M Veendrick. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-19.

Integrated circuits having cascode transistor

Номер патента: US9170596B2. Автор: Yvonne Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-27.

Integrated circuits having cascode transistor

Номер патента: US20140285255A1. Автор: Yvonne Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Integrated Circuit Constructions Having Through Substrate Vias And Methods Of Forming Integrated Circuit Constructions Having Through Substrate Vias

Номер патента: US20130175698A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Integrated circuit constructions having through substrate vias and methods of forming integrated circuit constructions having through substrate vias

Номер патента: EP2801111A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-12.

A controlled collapse chip connection (c4) integrated circuit package that has a filler which seals an underfill material

Номер патента: WO2000052739A2. Автор: Suresh Ramalingam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2000-09-08.

Process and structure for masking integrated capacitors of particular utility for ferroelectric memory integrated circuits

Номер патента: US20030071294A1. Автор: Masahisa Ueda,Shan Sun,George Hickert,Diana Johnson,John Ortega,Eric Dale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Process and structure for masking integrated capacitors of particular utility for ferroelectric memory integrated circuits

Номер патента: US20020117701A1. Автор: Masahisa Ueda,Shan Sun,George Hickert,Diana Johnson,John Ortega,Eric Dale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: US20050045986A1. Автор: Kang Lee,Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Hyungki Huh. Владелец: Gct Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Integrated circuit system employing low-k dielectrics and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100314763A1. Автор: WEI Liu,Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Dong Kyun Sohn,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Jing Hui Li,Luying Du. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Hybrid integrated circuit package

Номер патента: US12068297B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20230245939A1. Автор: Ming-Che Ho,Chi-Ming Tsai,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Ming Hung TSENG,Yen-Liang Lin,Tzu-Sung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20240251540A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Hidehiro Fujiwara,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Dual phased array with single polarity beam steering integrated circuits

Номер патента: WO2019027981A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert Mcmorrow. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Radio frequency oscillator with ceramic resonator and surface-mounted integrated circuit package

Номер патента: WO2024205890A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09960801B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09698854B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Multi-channel transceiver with laser array and photonic integrated circuit

Номер патента: US09847840B2. Автор: Xiaojie Xu,Mark Donovan. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuit to waveguide transitional structures and related sensor assemblies

Номер патента: WO2024005880A1. Автор: Scott B. Doyle. Владелец: Veoneer US, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Optical integrated circuit device array having bi-directional characteristics and optical system using the same

Номер патента: US20190227150A1. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Bum Lee,Kyoung-ho Ha,Dong-Jae Shin,Seong-Gu Kim,Jung-Ho Cha,Chang-Gyun Shin,Yong-Hwack SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Integrated circuit package comprising a crossed dipole antenna

Номер патента: US12021297B2. Автор: Imran Aziz,Dragos Dancila,Erik Öjefors,Johanna Hanning. Владелец: Sivers Wireless AB. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device, memory integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215463A1. Автор: Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: WO2019209441A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240349629A1. Автор: Yu Liu,Yajun Zhang,Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN,Szu-Chun Kang. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US12035543B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US20240292632A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240324166A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230320238A1. Автор: Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit 3D phase change memory array and manufacturing method

Номер патента: TW201429014A. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-16.

Integrated photonic integrated circuit (pic) and readout integrated circuit (roic) for high-speed data output from focal plane array

Номер патента: WO2024112367A2. Автор: George T. Paloczi,Justin G. A. Wehner,Shelly J. Mechery. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2024-05-30.

Radio frequency integrated circuit with on-chip noise source for self-test and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101493498A. Автор: B·A·弗洛伊德,S·K·雷诺兹,D·R·格林伯格,R·M·马拉迪,B·A·厄纳. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Integrated circuit that includes a field-programmable gate array and a hard gate array having the same underlying structure

Номер патента: US6211697B1. Автор: SHENG Feng,Jung-Cheun Lien,Chung-yuan Sun,Eddy Chieh Huang. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2001-04-03.

Integrated circuit with nanowire ChemFET-sensors, sensing apparatus, measuring method and manufacturing method

Номер патента: US09823218B2. Автор: Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marleen MESCHER,Manuel Eduardo ALARCON-RIVERO. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20220215868A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US11769539B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20230290395A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Ultrasonic array and ultrasonic array manufacturing method

Номер патента: US20240149301A1. Автор: Fu-Sheng Jiang. Владелец: Qisda Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Vertically integrated micro-bolometer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240219239A1. Автор: Chao-Ta Huang,Yu-Wen Hsu,Lu-Pu Liao,Bo-Kai CHAO. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-07-04.

Amplifying element and manufacturing method thereof

Номер патента: US8107644B2. Автор: Eio ONODERA. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-01-31.

Integrated circuit including dedicated and programmable logic

Номер патента: EP1219031A1. Автор: David D. Eaton,Ket-Chong Yap,Kevin K. Yee,E. Thomas Hart,Andrew K. Chan,Neal A. Palmer,Michael W Dini,James Apland,Panawalge S. N. Gunaratna. Владелец: QuickLogic Corp. Дата публикации: 2002-07-03.

Integrated circuit including dedicated and programmable logic

Номер патента: WO2001017112A1. Автор: David D. Eaton,Ket-Chong Yap,Kevin K. Yee,E. Thomas Hart,Andrew K. Chan,Neal A. Palmer,Michael W Dini,James Apland,Panawalge S. N. Gunaratna. Владелец: Quicklogic Corporation. Дата публикации: 2001-03-08.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: WO2000051379A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-31.

Polar coder with logical three-dimensional memory, communicaton unit, integrated circuit and method therefor

Номер патента: US20210159916A1. Автор: Robert Maunder,Matthew Brejza,Shida Zhong,Taihai Chen,Isaac ANDRADE. Владелец: AccelerComm Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Terminal, method of terminal control, terminal manufacturing method and data medium

Номер патента: RU2713853C1. Автор: Чжуншен ЦЗЯН,Аньюй ЛЮ,Сун ЛИ. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-07.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Combined memories in integrated circuits

Номер патента: US8347254B2. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-01-01.

Combined memories in integrated circuits

Номер патента: US20080109775A1. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

System level integrated circuit chip

Номер патента: US20190114268A1. Автор: Ning Song,Jinghui Zhu,ChienKuang Chen,Diwakar Chopperla,San-Ta Kow,Tun Jun Gao. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Method and apparatus for controlling or managing bandwidth of a filter circuit within a system having two integrated circuits

Номер патента: US20140084996A1. Автор: Dale G. Schwent,Ryan J. Goedken. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Integrated circuit system and integrated circuit

Номер патента: US09854531B2. Автор: Kentaro Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus and method for providing a public key for authenticating an integrated circuit

Номер патента: US09813392B2. Автор: Ivan Hugh Mclean,Roberto Avanzi,Dean Lorenz,Boris Dolgunov. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Integrated circuits having memory with flexible input-output circuits

Номер патента: US11979152B2. Автор: Chee Hak Teh,Chang Kian TAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

Integrated circuit-based nano-relay

Номер патента: US12088082B2. Автор: Wei Xi,Yang Yu,Peng Li,Xiaobo Li,Hao Yao,Xiangjun Zeng,Tiantian CAI. Владелец: Digital Grid Research Institute China Southern Power Grid. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US09755867B2. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method and apparatus for multiplexing pins of an integrated circuit

Номер патента: US20140091728A1. Автор: Donald Pannell. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Integrated circuit with logic circuitry and multiple concealing circuits

Номер патента: US20130111224A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Jay Scott Fuller. Владелец: Certicom Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board

Номер патента: WO2024155292A1. Автор: Zhiyang Wang,Bianca Kwok,Benson Tu,Adrian Ocampo. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Integrated circuit and an electronic device including integrated circuit

Номер патента: US20230097976A1. Автор: Jae Ho Lee,Jae Seung Choi,Chan Wook Park,Yeon Ho Jung,Jong Wook Kye,Min Woo Kwak,Mi Joung Kim,Do Hoon Byun,Kwan Seong Lee,Je Kyun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12095380B2. Автор: Shinji Matsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: US20240354483A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

A buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: EP4451565A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Interface for data communication between chiplets or other integrated circuits on an interposer

Номер патента: US11809800B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Programmable application-specific integrated circuit

Номер патента: US09893731B1. Автор: Eric T. Pancoast. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Systems for provisioning universal integrated circuit cards

Номер патента: US09886690B2. Автор: David K. Smith,Walter Cooper Chastain,David Harber,Brian Keith Rainer,Shih-Ming Wang,Stephen Emille Chin,Clifton Ashman Campbell. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2018-02-06.

Integrated circuit having flexible reference

Номер патента: US09661248B2. Автор: Guangbin Zhang,Dennis Tunglin LEE. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Integrated circuit packages including damming and charge protection cover for harsh environments

Номер патента: US20080112143A1. Автор: Hugh Patton Hanley. Владелец: PathFinder Energy Services Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Amplifier circuit, integrating circuit, and light-detection device

Номер патента: US20130038393A1. Автор: Shinya Ito,Haruhiro Funakoshi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-02-14.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US20050117266A1. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US7215523B2. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: US20040051516A1. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: EP1547246A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2005-06-29.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: WO2004027827A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 2004-04-01.

Circuits and methods for transferring two differentially encoded client clock domains over a third carrier clock domain between integrated circuits

Номер патента: WO2021127772A1. Автор: Kamran Rahbar,Peter Meyer,Drew Jenkins. Владелец: Microsemi Semiconductor ULC. Дата публикации: 2021-07-01.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US20170103157A1. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Coupling of speakers with integrated circuit

Номер патента: US20100220868A1. Автор: Srinath Sridharan,Lionel Cimaz,Shyam Somayajula,Ramkishore Ganti,Sanjeev Ranganathan,Arnold D'Souza. Владелец: ST Ericsson India Pvt Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Modifying clock signals output by an integrated circuit

Номер патента: US20060139083A1. Автор: Ban Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-29.

Method and apparatus for fully integrating a voltage controlled oscillator on an integrated circuit

Номер патента: WO2000067376A1. Автор: Christopher D. Hull,Lars G. Jansson,Lars Henrick Mucke. Владелец: Silicon Wave, Inc.. Дата публикации: 2000-11-09.

Integrated circuit and power supply device

Номер патента: US12068694B2. Автор: Yuta Endo,Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Integrated circuit apparatus

Номер патента: US20080174355A1. Автор: Masahiro Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Socket for integrated circuit component

Номер патента: WO1986003647A1. Автор: Timothy Brian Billman,James Ray Coller,Gary Ray Marpoe, Jr.. Владелец: Amp Incorporated. Дата публикации: 1986-06-19.

Integrated circuit and method

Номер патента: US12100445B2. Автор: Mei-Chen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Electrical equipment, integrated circuit's loop thereof and circuit connecting method

Номер патента: US09730350B2. Автор: Lun LV,Lifa Wu. Владелец: SHENZHEN SIGMA MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Circuits for and methods of reducing duty-cycle distortion in an integrated circuit implementing dual-edge clocking

Номер патента: US09577615B1. Автор: Ilya K. Ganusov,Benjamin S. Devlin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit, test method for testing integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20210083672A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods and apparatus for improving reliability of an optical device using auxiliary lasers in a photonic integrated circuit

Номер патента: US20180183513A1. Автор: Gilbert Levesque,Nirmal S. Virdee. Владелец: Calix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Adc sampling data identification method and system, integrated circuit and decoding device

Номер патента: US20220123760A1. Автор: Bo Yan,TieJun Wang,Yue Wang,Weisen Li,Chaomin FANG. Владелец: Rigol Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-04-21.

Method and system for encryption-based design obfuscation for an integrated circuit

Номер патента: WO2007011507A2. Автор: John Fagan. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-25.

Integrated Circuit and Method of Arbitration in a Network on an Integrated Circuit

Номер патента: US20080186991A1. Автор: Kees Gerard Willem Goossens,Andrei Radulescu,Rikard Lennart Thid. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-08-07.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US8354826B2. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2013-01-15.

Circuits and methods of generating and controlling signals on an integrated circuit

Номер патента: WO2006078736A3. Автор: Paul William Ronald Self. Владелец: Paul William Ronald Self. Дата публикации: 2006-12-21.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Extending a processor system within an integrated circuit

Номер патента: WO2012096735A1. Автор: Ting Lu,Bradley L. Taylor. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-07-19.

Integrated circuit and method of arbitration in a network on an integrated circuit

Номер патента: WO2006123287A2. Автор: Andrei Radulescu,Rikart L. Thid,Kees G. W. Goosens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-11-23.

Integrated circuit and method of arbitration in a network on an integrated circuit

Номер патента: EP1884084A2. Автор: Andrei Radulescu,Rikart L. Thid,Kees G. W. Goosens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-02-06.

Inverter unit, integrated circuit chip, and vehicle drive apparatus

Номер патента: US20130113412A1. Автор: Hitoshi Sumida,Akinobu Teramoto,Toshio Naka,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Circuits and methods of generating and controlling signals on an integrated circuit

Номер патента: EP1842288A2. Автор: Paul William Ronald Self. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-10.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US20100296323A1. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2010-11-25.

Electrical Screening of Static Random Access Memories at Varying Locations in a Large-Scale Integrated Circuit

Номер патента: US20130176772A1. Автор: Yang Yi,Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

INTEGRATED CIRCUIT 3D PHASE CHANGE MEMORY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140198553A1. Автор: LUNG HSIANG-LAN. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-17.

Integrated circuits, systems, and methods for reducing leakage currents in a retention mode

Номер патента: US20120147688A1. Автор: Yen-Huei Chen,Cheng Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Integrated circuits, systems, and methods for reducing leakage currents in a retention mode

Номер патента: US20100238753A1. Автор: Yen-Huei Chen,Cheng Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20230377623A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Reduced gate delay multiplexed interface and output buffer circuit for integrated circuit devices incorporating random access memory arrays

Номер патента: US7161214B2. Автор: Michael C. Parris. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2007-01-09.

INTEGRATED CIRCUIT WITH NANOWIRE CHEMFET-SENSORS, SENSING APPARATUS, MEASURING METHOD AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150276668A1. Автор: Klootwijk Johan Hendrik,De Wild Nico Maris Adriaan,ALARCON-RIVERO MANUEL EDUARDO,Mescher Marleen. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

MICRONEEDLE ARRAY AND MICRONEEDLE ARRAY MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160158512A1. Автор: OGAI Noriyuki,TAMARU Takuya,INOUE Akifumi,TOMITA Sigeru,WADA Ikuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

LENS ARRAY, AND LENS ARRAY MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140293428A1. Автор: SHIMIZU Keishi,YASUDA Shin. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-02.

Microneedle array and microneedle array manufacturing method

Номер патента: JP7051815B2. Автор: 雅浩瀧川,教幸小粥. Владелец: Asti Corp. Дата публикации: 2022-04-11.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Multi-bank memory array architecture utilizing topologically non-uniform blocks of sub-arrays and input/output assignments in an integrated circuit memory device

Номер патента: US20040095796A1. Автор: John Heightley,Jon Faue. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Waveguide structure and manufacturing method therefor, and photonic integrated circuit and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451023A1. Автор: Yunpeng Zhu,Dadi Setiadi,Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Jianhua Wu,Yelong Xu,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Shanghai Xizhi Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Methods and circuits for disrupting integrated circuit function

Номер патента: US20140201579A1. Автор: Igor Arsovski,Sebastian T. Ventrone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Package, optical device, and manufacturing method of package

Номер патента: US20210239904A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Package, optical device, and manufacturing method of package

Номер патента: US20230358956A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Peak power management extensions to application-specific integrated circuits

Номер патента: US20240168536A1. Автор: Liang Yu,Jonathan S. Parry,Stephen Hanna,Tal Sharifie,Chulbum Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Input/output compression and pin reduction in an integrated circuit

Номер патента: WO2008103793A1. Автор: Benjamin Louie,Adam Johnson,Frankie F. Roohparvar,Scott N. Gatzemeier. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-08-28.

Integrated circuit with CO2 sensor, composition and manufacturing method of such an IC

Номер патента: US09683099B2. Автор: Rafael Sablong,Aurelie Humbert,Cornelis Bastiaansen,Dimitri Soccol,Jan KOLIJN,Dirk Gravesteijn,Bjorn Tuerlings. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09875815B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09767924B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Optical phased array chip using mems switch and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220229233A1. Автор: Hyo-Hoon Park,In Ki Kim,Jong-Bum You,Tae Joon SEOK,Hyeonho YOON,Nam-Hyun Kwon,Dong-Eun Yoo,Ju-Beom Lee,Geumbong Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-07-21.

Optical phased array chip using MEMS switch and manufacturing method thereof

Номер патента: US11640030B2. Автор: Hyo-Hoon Park,In Ki Kim,Jong-Bum You,Tae Joon SEOK,Hyeonho YOON,Nam-Hyun Kwon,Dong-Eun Yoo,Ju-Beom Lee,Geumbong Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-05-02.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for designing and manufacturing an integrated circuit, system for carrying out the method, and system for verifying an integrated circuit

Номер патента: US09965579B2. Автор: Sung-wook Ahn,Seung-Jae Jung,Su-Hyeon Kim,Sang-hoon BAEK,Chul-Hong Park,Sang-Kyu Oh,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Photonic semiconductor device, photonic semiconductor package using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240118491A1. Автор: Kuo-Chung Yee,Hsing-Kuo Hsia,Chih-Hao Yu,Shih-Peng Tai,Jui Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method and apparatus for use in the design and manufacture of integrated circuits

Номер патента: US20230409284A1. Автор: Theo Alan Drane,Wai-Chuen Cheung. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and apparatus for use in the design and manufacture of integrated circuits

Номер патента: US20180239585A1. Автор: Theo Alan Drane,Wai-Chuen Cheung. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Method and apparatus for use in the design and manufacture of integrated circuits

Номер патента: US09933997B2. Автор: Theo Alan Drane,Wai-Chuen Cheung. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8199605B2. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090296513A1. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Compact integrated circuit with memory array

Номер патента: US20030099146A1. Автор: Chin-Hsi Lin,Ful-Long Ni,Chun-Li Chen,Meng-Chu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Method and apparatus for use in the design and manufacture of integrated circuits

Номер патента: US20190187956A1. Автор: Theo Alan Drane,Wai-Chuen Cheung. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Method and apparatus for use in the design and manufacture of integrated circuits

Номер патента: US20200089471A1. Автор: Theo Alan Drane,Wai-Chuen Cheung. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Method and apparatus for use in the design and manufacture of integrated circuits

Номер патента: US11748060B2. Автор: Theo Alan Drane,Wai-Chuen Cheung. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

CMUT-on-CMOS Ultrasonic Transducer by Bonding Active Wafers and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230302495A1. Автор: HUI Li,Feng Yin. Владелец: Zhejiang Xiansheng Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Photonic integrated circuit-based imaging systems

Номер патента: US20230288634A1. Автор: Richard L. Kendrick,Joseph Marron,Stephen P. Palese. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-09-14.

Display driver integrated circuit, system-on-chip, and display system including the system-on-chip

Номер патента: EP4383245A1. Автор: Sang Hoon Lee,Chang-Ju Lee,Soo Yong KIM,Jun Ho Huh,Kyoung Hwan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Stochastic analysis process optimization for integrated circuit design and manufacture

Номер патента: WO2006063359A3. Автор: Jun Li,Meiling Wang,Hsien-Yen Chiu. Владелец: Anova Solutions Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

A dual interface smart card with metal face layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240242055A1. Автор: Abhay GUPTE,Sushir Rao,Shrikanth N. DEVADIGA,Nishanth N. SHET,Nagabhushan S. BHAT,Sudhish S. RAO. Владелец: Mct Cards & Technology Private Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Single Event Effect Test Laser Facility for Integrated Circuits used in Aerospace

Номер патента: NL2028645B1. Автор: Zhu Xiang,Han Jianwei,Ma Yingqi,Shangguan Shipeng. Владелец: Nat Space Science Center Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-01-12.

Programmable integrated circuits with in-operation reconfiguration capability

Номер патента: US09984734B2. Автор: Andy L. Lee,Ning Cheng,Shankar Sinha. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Electrically and optically accessible memory array

Номер патента: GB1328283A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-08-30.

A media player an integrated circuit for a media player and a method of producing both

Номер патента: WO2008004235A3. Автор: Amir Geva,Rafi Mosseri. Владелец: Musicpump Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

A media player an integrated circuit for a media player and a method of producing both

Номер патента: WO2008004235A2. Автор: Amir Geva,Rafi Mosseri. Владелец: Musicpump Ltd.. Дата публикации: 2008-01-10.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2007-08-02.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: EP1864291B1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-13.

Methods of preparing photo mask data and manufacturing a photo mask

Номер патента: US20240362396A1. Автор: Yan Feng,LIN Zhang,Danping Peng,Zhiru YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of preparing photo mask data and manufacturing a photo mask

Номер патента: US12056431B2. Автор: Yan Feng,LIN Zhang,Danping Peng,Zhiru YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Liquid ejection head and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US20190344567A1. Автор: Yohei Nakamura,Toru Nakakubo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Phase change memory dynamic resistance test and manufacturing methods

Номер патента: US20090175071A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Systems and methods for designing and making integrated circuits with consideration of wiring demand ratio

Номер патента: US8875081B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Wai-Kei Mak,Ren-Song Tsay,Tung-Chieh Chen. Владелец: Synopsys Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Integrated Circuit Using Topology Configurations

Номер патента: US20170178700A1. Автор: Fakhruddin Ali Bohra,Mahmood Khayatzadeh,David Theodore Blaauw,Dennis Michael Chen Sylvester,Massimo Bruno Alioto. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

Multi-layer semiconductor integrated circuits enabling stabilizing photolithography process parameters, the photomask being used, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20040087181A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor die manufacture method to limit a voltage drop on a power plane thereof by noninvasively measuring voltages on a power plane

Номер патента: US20020073386A1. Автор: Stefan Rusu,Gary Woods,Dean Grannes,Travis Eiles,Steven Seidel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Peripheral access control for secondary communication channels in power management integrated circuits

Номер патента: EP4292006A1. Автор: Chris Rosolowski,Uma Mahesh Revuri,Aruna Kumar Tripathy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

Contemporaneous Margin Verification And Memory Access For Memory Cells In Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20110267871A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Integrated circuit image sensor for wheel alignment systems

Номер патента: US20030025901A1. Автор: Leigh Burns. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Photomask defect testing method, photomask manufacturing method and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20040086791A1. Автор: EIJI Aoki,Shinji Kobayashi,Toshiyuki Marumo,Shinji Akima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

mmWave Array and Implanted Susceptors for Hyperthermia-Based Anti-Cancer Treatments

Номер патента: US20240293684A1. Автор: Seyed A Tabatabaei. Владелец: Mmtron Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Fast quasi-parity checker for correlated electron switch (CES) memory array

Номер патента: US09953726B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Circuit design implementations in secure partitions of an integrated circuit

Номер патента: US09946826B1. Автор: Herman Schmit,Ting Lu,Dana How,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit device having a memory array with segmented bit lines and method of operation

Номер патента: US6023428A. Автор: Hiep Van Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

A method for controlling transaction exchanges between two integrated circuits

Номер патента: EP2729863A1. Автор: Abdelaziz Goulahsen,Bipin Balakrishnan. Владелец: ERICSSON MODEMS SA. Дата публикации: 2014-05-14.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US09665141B2. Автор: Gaurav Kapoor,Kit-Man Wan,Keith Cox. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Device for testing an integrated circuit and method for implementing same

Номер патента: US20120001088A1. Автор: Florent Miller,Cecile Weulersse,Thierry Carriere,Patrick Heins,Antonin Bougerol,Samuel Hazo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Maximizing improvement to fault coverage of system logic of an integrated circuit with embedded memory arrays

Номер патента: US5379303A. Автор: Marc E. Levitt. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1995-01-03.

Integrated circuit development using machine learning-based prediction of power, performance, and area

Номер патента: US11775720B2. Автор: Abraham Mathews,Geoffrey Wang,Saiful Islam,Tuhin Mahmud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20180203953A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20200074018A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US10503852B2. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240233663A9. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240135892A1. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Digital denture manufacturing method and manufacturing system, and denture hole guider applied thereto and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3649984A1. Автор: Jin Cheol Kim,Jin Baek Kim,Byung Ho Choi,Seung Mi Jung. Владелец: Dio Corp. Дата публикации: 2020-05-13.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A3. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Eijk Cornelis Van. Владелец: Eijk Cornelis Van. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US12050341B2. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A2. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Cornelis Van Eijk. Владелец: Magma Design Automation, Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US20240272353A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design

Номер патента: SG160271A1. Автор: Laertis Economikos,Ruchir Puri,Hua Xiang,Stephen Edward Greco,Mohammed Fazil Fayaz,Neil Patricia A O. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-29.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12085607B2. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE87492B1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-03-27.

Display driver integrated circuit architecture with shared reference voltages

Номер патента: US09952264B2. Автор: Hopil Bae,Kingsuk Brahma,David A. STRONKS,Wei H. Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method and an integrated circuit for executing a trusted application within a trusted runtime environment

Номер патента: US09927995B2. Автор: Patrik Ekdahl,Arash VAHIDI. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrating manufacturing feedback into integrated circuit structure design

Номер патента: US09858368B2. Автор: Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Xiaoyue Wang,Jeffrey G. Hemmett,Nathan C. Buck,John P. Dubuque,Brian M. Dreibelbis,Vladmimir Zolotov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040076066A1. Автор: Shinichiro Shiratake,Daisaburo Takashima,Kohei Oikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Integrated circuit power management for reducing leakage current in circuit arrays and method therefor

Номер патента: WO2005034189A3. Автор: Christopher K Y Chun,Ryan D Bedwell,Qadeer A Qureshi,John J Vagilca. Владелец: John J Vagilca. Дата публикации: 2007-02-08.

Integrated circuit power management for reducing leakage current in circuit arrays and method therefor

Номер патента: EP1671352A4. Автор: Christopher K Y Chun,Ryan D Bedwell,Qadeer A Qureshi,John J Vagilca. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-09.

Integrated circuit generator using a provider

Номер патента: US20240211665A1. Автор: Henry Cook,Megan Wachs,Jack Koenig. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190347380A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190065657A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20210117608A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10534891B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10977419B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Tester for integrated circuits on a silicon wafer and integrated circuit

Номер патента: US20160259002A1. Автор: Alexandre Croguennec,Cyrille LAMBERT,Sébastien Bayon. Владелец: Starchip SAS. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20220138391A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Check tool and check method for design rule check rule deck of integrated circuit layout

Номер патента: US20210383053A1. Автор: Li Bai,Kang Zhao,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Recommending changes in the design of an integrated circuit using a rules-based analysis of failures

Номер патента: WO2024078160A1. Автор: Charles Gates,Kerim Kalafala,Steven Joseph Kurtz,Chaitra M. Bhat,Morgan D. Davis,SheshaShayee K. Raghunathan,Debra Dean,Chris Cavitt,Richard William Taggart. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-18.

Touch sensing integrated circuit system, touch sensing system, and method for writing firmware

Номер патента: US20230251868A1. Автор: Gyu Chul Lee. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20210248295A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US11657200B2. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-05-23.

Touch sensing integrated circuit system, touch sensing system, and method for writing firmware

Номер патента: US20210182076A1. Автор: Gyu Chul Lee. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089187A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-09-29.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089178A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

System and method for evaluating the electromagnetic compatibility of integrated circuits in an in-situ environment

Номер патента: US8803543B2. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-08-12.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: WO2022035850A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-02-17.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Socket for testing of an integrated circuit

Номер патента: EP4407323A1. Автор: Gianluigi Frigerio,Alessandro Copeta. Владелец: Officina Meccanica Di Precisione G3. Дата публикации: 2024-07-31.

Photonic integrated circuit, light detection and ranging system and method for operating the same

Номер патента: WO2021133445A1. Автор: Amnon Yariv,George Rakuljic,Naresh Satyan,Israel Petronius,Yaakov VILENCHIK,Daniel Grodensky,Ron Friedman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A4. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-12-13.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Methods and systems for performing timing sign-off of an integrated circuit design

Номер патента: US20120089383A1. Автор: Rajkumar Agrawal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of testing multiple modules on an integrated circuit

Номер патента: US20030221150A1. Автор: Prashant Balakrishnan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-27.

Method, computer system and computer-readable storage medium for creating a layout of an integrated circuit

Номер патента: US20150213185A1. Автор: Rainer Mann,Ulrich Hensel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit card for reducing power consumption

Номер патента: US20060085655A1. Автор: Hyuk-Jun Sung,Ki-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-20.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Management method for information of universal integrated circuit card and device thereof

Номер патента: EP2538374A4. Автор: Heyong WANG. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-16.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Design system of integrated circuit and its design method and program

Номер патента: US20030061585A1. Автор: Sho Matsumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Apparatuses, test cards and methods for testing photonic integrated circuits, and photonic integrated circuits

Номер патента: WO2023156271A1. Автор: Stefan Richter,Tobias Härter,Heiner Zwickel. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

System and Method for Evaluating the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits in an In-Situ Environment

Номер патента: US20120068730A1. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-22.

Integrated circuit assembly cleaning apparatus and method

Номер патента: US20020134408A1. Автор: John Pratt,William Hanna,Pamela Christison,Lawrence Houdek,Russell Bjorlie,Perry Pierce. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-09-26.

System for testing integrated circuits

Номер патента: US20050283331A1. Автор: Yih-Min Lin. Владелец: PROGenic Tech Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Power optimization of a mixed-signal system on an integrated circuit

Номер патента: US20060217920A1. Автор: Matthew Felder,Marcus May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Method and apparatus for increasing security in a system using an integrated circuit

Номер патента: US20100244888A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Thomas E. Tkacik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

All-resonant actuation of photonic integrated circuits

Номер патента: US20240118537A1. Автор: Dirk Robert Englund,Mark DONG,Gerald Neal GILBERT,Matthew Scott EICHENFIELD. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: US20220049945A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-02-17.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: EP4196744A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-06-21.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace, Inc.. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-01-11.

Latency reduction for transitions between active state and sleep state of an integrated circuit

Номер патента: US20240319781A1. Автор: Ashish Jain,Randall Brown,Gia Tung Phan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: WO2002086884A2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrated circuit

Номер патента: US20240319266A1. Автор: Takahiro Yoneda. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit generation with improved interconnect

Номер патента: US20240338329A1. Автор: David Parry,Henry Cook,Robert P. Adler,Rick H. Y. Chen. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Timing analysis of a digital integrated circuit using intent based timing constraints

Номер патента: US20240330551A1. Автор: Hemlata Gupta,Kerim Kalafala,Eric Foreman,Manish Verma,Adil Bhanji,Jack DiLullo,Jennifer Elizabeth Basile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Electrical design rule checking method and device for integrated circuit

Номер патента: US12086527B2. Автор: Yaquan TANG. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US12067339B2. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit modeling method using resistive capacitance information

Номер патента: US09996643B2. Автор: Chin-Sheng Chen,Tsun-Yu YANG,Wei-Yi Hu,Jui-Feng Kuan,Ching-Shun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Accommodating engineering change orders in integrated circuit design

Номер патента: US09953121B2. Автор: Alok Verma,Saurabh Gupta,Jayaprakash Udhayakumar,Ayan Datta,Rajesh Veerabhadraiah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Apparatus for three dimensional integrated circuit testing

Номер патента: US09952279B2. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin,Ching-Fang Chen,Chung-Sheng Yuan,Chung-Han Huang,Meng-Lin Chung,Wen-Wen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit and method for detecting a stress condition in the integrated circuit

Номер патента: US09910087B2. Автор: William P. Taylor,Jeffrey Eagen,Maxim Klebanov. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US20240370630A1. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Touch sensing integrated circuit system, touch sensing system, and method for writing firmware

Номер патента: US12118364B2. Автор: Gyu Chul Lee. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Machine-learning accelerator (MLA) integrated circuit for extracting features from signals and performing inference computations

Номер патента: US09691034B2. Автор: Kyong Ho Lee,Naveen Verma. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-27.

High diagnosability, quality managed-compliant integrated circuit for implementing ASIL B-compliant automotive safety-related functions

Номер патента: US09677480B2. Автор: Giovanni Dallara,Piero Carbonaro,Loris Lambertini,Alberto Pezzoli,Alessandro Fusari,Francesco Traversi. Владелец: Magneti Marelli SpA. Дата публикации: 2017-06-13.

Method, computer system and computer-readable storage medium for creating a layout of an integrated circuit

Номер патента: US09613175B2. Автор: Rainer Mann,Ulrich Hensel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated circuit memory device having built-in self test circuit with monitor and tester modes

Номер патента: US5936900A. Автор: Kuong Hua Hii,Theo J. Powell,Daniel R. Cline. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Serial core memory array

Номер патента: CA1069210A. Автор: Morris O. Stein,J. Fred Rathjen,Peter A. Jager. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1980-01-01.

Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor

Номер патента: US6768685B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2004-07-27.

Memory array with two-phase bit line precharge

Номер патента: US8693260B2. Автор: Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-08.

Package, optical device, and manufacturing method of package

Номер патента: US11789201B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor package, integrated optical communication system and manufacturing method of integrated optical communication system

Номер патента: US20200271860A1. Автор: Szu-Wei Lu,Chih-hao Chen,Chin-Fu Kao,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Pressure sensor and manufacturing method of pressure sensor

Номер патента: US20030213308A1. Автор: Koichi Kusuyama,Masao Tsukada. Владелец: Hitachi Unisia Automotive Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US20140320160A1. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Method and system for powering an integrated circuit

Номер патента: US7446559B2. Автор: Emmanuel Alie. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-11-04.

Print head with shielding element and its manufacturing method

Номер патента: EP1306214A3. Автор: Simon Dodd,Frank Randolph Bryant,Paul I. Mikulan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-03-03.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of searching for wiring route in integrated circuit, automatic wiring device for integrated circuit, and program therefor

Номер патента: US20080209384A1. Автор: Ikuo Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Layout data generation equipment of semiconductor integrated circuit, data generation method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080141196A1. Автор: Kazuhiro Yamada,Kiminobu Suzuki,Shigeo Ohshima,Takamichi Arizono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for designing and manufacturing an integrated circuit, system for carrying out the method, and system for verifying an integrated circuit

Номер патента: US20150302135A1. Автор: Sung-wook Ahn,Seung-Jae Jung,Su-Hyeon Kim,Sang-hoon BAEK,Chul-Hong Park,Sang-Kyu Oh,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A3. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Method and System for Synthesizing Relative Timing Constraints on an Integrated Circuit Design to Facilitate Timing Verification

Номер патента: US20110161902A1. Автор: Yang Yu,Kenneth S. Stevens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method and system for synthesizing relative timing constraints on an integrated circuit design to facilitate timing verification

Номер патента: US8239796B2. Автор: Yang Xu,Kenneth S. Stevens. Владелец: UNIVERSITY OF UTAH. Дата публикации: 2012-08-07.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: US20040177329A1. Автор: Wolfdietrich Kasperkobitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2099817C1. Автор: Юрий Иванович Щетинин,Александр Владимирович Зеленцов,Василий Васильевич Дерендяев,Евгений Степанович Сельков,Борис Александрович Бабаев,Сергей Александрович Гуреев. Владелец: Сергей Александрович Гуреев. Дата публикации: 1997-12-20.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Manufacturing method of nano-electromechanical converter, and nano-electromechanical converter with autoelectronic emission

Номер патента: RU2484483C1. Автор: Виктор Акиндинович Солдатенков,Юрий Кириллович Грузевич,Владимир Михайлович Ачильдиев,Николай Анатольевич Бедро,Мария Николаевна Комарова,Игорь Владимирович Воронин. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Геофизика-НВ". Дата публикации: 2013-06-10.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.