Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for producing a semiconductor including a material layer

Method for producing a semiconductor including a material layer

Номер патента: US20090325361A1
Опубликовано: 31-12-2009
Автор(ы): Anton Mauder, Frank Pfirsch, Raimund Foerg, Rudolf Berger, Stefan Sedlmaier, Wolfgang Lehnert
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structure and a method for processing a carrier

Номер патента: US20160099311A1. Автор: Erhard Landgraf,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl,Steffen Rothenhaeusser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor structure and a method for processing a carrier

Номер патента: US09679963B2. Автор: Erhard Landgraf,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl,Steffen Rothenhaeusser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US11824122B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US20210296500A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-09-23.

Systems and methods for increasing packing density in a semiconductor cell array

Номер патента: US20160358909A1. Автор: Sehat Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for manufacturing semiconductor device using a semiconductor substrate including silicon and a first conductivity type body region

Номер патента: US09412826B2. Автор: Akinori Sakakibara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Gate structure with hard mask structure formed thereon and method for forming the same

Номер патента: US09449963B2. Автор: Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09466667B2. Автор: Mitsuru Sato,Megumi Ishiduki,Soichirou Kitazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor component and method for fabricating the same

Номер патента: US09570568B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yu-Hsun Chen,Yung-Hsien Wu,Cheng-Chieh LAI,Shih-Kai FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for forming dual gate of a semiconductor device

Номер патента: US20020164857A1. Автор: Jae-Hee Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for making a transistor of which the active region includes a semimetal material

Номер патента: US11239347B2. Автор: Yves Morand,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-02-01.

Method for making a transistor of which the active region includes a semimetal material

Номер патента: US20200343374A1. Автор: Yves Morand,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US09899490B2. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure with fin structure and wire structure and method for forming the same

Номер патента: US09450046B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09837510B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertical junction FinFET device and method for manufacture

Номер патента: US09543304B2. Автор: Qing Liu,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9852906B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Low-temperature method for transfer and healing of a semiconductor layer

Номер патента: US12027421B2. Автор: Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-02.

Spacer formation in a semiconductor structure

Номер патента: US5424572A. Автор: Alan G. Solheim. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-06-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064952A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Bo-Rong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339498A1. Автор: Jong Ryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for causing tensile strain in a semiconductor film

Номер патента: US09704709B2. Автор: Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Aomar Halimaoui. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20080026521A1. Автор: Woo Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

A method for making a semiconductor device that includes a metal gate electrode

Номер патента: WO2005067026A1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Manufacturing method for a film stack of a semiconductor device

Номер патента: US10978305B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Jian-Shiou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for Forming a Vertical Hetero-stack and a Device Including a Vertical Hetero-stack

Номер патента: US20170352766A1. Автор: Silvia Armini,Annelies Delabie. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09525045B1. Автор: Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor isolation structure and method for making the semiconductor isolation structure

Номер патента: US20220293723A1. Автор: Chih-Wei Hung,Chien-Hung Liu,Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH,Tung-Yang Lin,Shiang-Hung HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20190157405A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods for forming integrated circuits that include a dummy gate structure

Номер патента: US20170345914A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20140043093A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device with a core-shell feature and method for forming the same

Номер патента: US12113113B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Chung-Ting Ko,Chih-Chung Chang,Chi On Chui,Sung-En Lin,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Yi-Hsiu Liu,Po-Wei Liang,You-Ting Lin,Jen-Hong Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US09559165B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786752B2. Автор: Chikara Terada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Replacement channels for semiconductor devices and methods for forming the same using dopant concentration boost

Номер патента: US09627539B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: WO2007112171A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Frescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor substrate structures, semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09978867B1. Автор: Manoj Kumar,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure with resistor layer and method for forming the same

Номер патента: US09773779B2. Автор: Yu-Hung Lin,Hon-Lin Huang,Chun-Hsien Huang,I-Tseng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09837490B2. Автор: Tae-Woo Jung,Hae-Jung Park,Jung-Taik Cheong,Yun-Je CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for performing deep n-typed well-correlated (DNW-correlated) antenna rule check of integrated circuit and semiconductor structure complying with DNW-correlated antenna rule

Номер патента: US09607123B2. Автор: Hui Yang,Hong Liao,Ye Chao Li,Chi-Fa Ku,Xing Hua Zhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170294540A1. Автор: Shu-Yen Chan,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu,Kai-Hsiang Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Dielectrically isolated semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170179227A1. Автор: Feng Ji,PING Wang,Changjun Zhang,Zuyin Chen. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Semiconductor device, semiconductor package comprising same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230096863A1. Автор: Akira Sagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor Structure and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120292689A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for performing selective etching of a semiconductor material in solution

Номер патента: US09831095B2. Автор: Pascal Besson,Virginie Loup. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for roughening a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20030109101A1. Автор: Annalisa Cappellani,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for roughening a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US6812094B2. Автор: Annalisa Cappellani,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-02.

Method for suppressing lattice defects in a semiconductor substrate

Номер патента: US09472423B2. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for forming narrow structures in a semiconductor device

Номер патента: WO2007037934A1. Автор: Michael Brennan,Scott Bell. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-04-05.

Methods for reusing substrates during manufacture of a bonded assembly including a logic die and a memory die

Номер патента: US11398451B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Peter Rabkin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-26.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Systems and methods for monitoring junction temperature of a semiconductor switch

Номер патента: US20190376850A1. Автор: Peter Almern Losee,Ruxi Wang,Juan Antonio Sabate,Tomas Sadilek,Krishna Mainali. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Isolation structure, semiconductor device having the same, and method for fabricating the isolation structure

Номер патента: US9105684B2. Автор: Hyun-Tae JUNG,Hyung-Suk Choi,Da-soon Lee,Eung-ryul Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09524979B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09847342B2. Автор: Katsumi Yamamoto,Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Shunichi Takeuchi,Katsuyuki Sekine,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani,Kohei SAKAIKE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for forming a capacitor in a semiconductor and a capacitor using the same

Номер патента: US20060292811A1. Автор: Sang Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for Manufacturing a Structure in a Semiconductor Device and a Structure in a Semiconductor Device

Номер патента: US20080090398A1. Автор: Christoph Noelscher,Sebastian Mosler. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-17.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for forming multilevel interconnection in a semiconductor device

Номер патента: US5219792A. Автор: Han-su Kim,Jang-Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-15.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240224499A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230021017A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for Producing a Semiconductor Component

Номер патента: US20140357048A1. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for manufacturing semiconductor structure with enlarged volumes of source-drain regions

Номер патента: US20220293773A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Che-Yu Lin,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor element, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09711597B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for manufacturing electronic devices integrated in a semiconductor substrate and corresponding devices

Номер патента: US7713853B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Ferrucio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-05-11.

Methods for forming vertical semiconductor pillars

Номер патента: US09548359B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor structure with insertion layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960246B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Cheng-Wei LIAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure with recessed source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US09922978B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Gate structure with multiple spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653302B2. Автор: Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN,Ping-Pang Hsieh,Pei-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structure with interfacial layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595593B2. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Yuh-Ta FAN,Wei-Fan Lee,Chin-Kun Wang,Tzu-Yao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12034073B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4372824A3. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US20160099337A1. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09818841B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US09716161B2. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100006939A1. Автор: Joong Sik Kim,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8115255B2. Автор: Joong Sik Kim,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-14.

Method for preparing semiconductor device structure with multiple liners

Номер патента: US11764105B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4456130A1. Автор: Gibum Kim,Sangdeok KWON,Duckseoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363493A1. Автор: Gibum Kim,Sangdeok KWON,Duckseoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for manufacturing oxide semiconductor transistor with low-nitrogen, low-defect insulating film

Номер патента: US09748355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Structure and method for FinFET device with buried sige oxide

Номер патента: US09559181B2. Автор: Chih-Hao Wang,Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20190164848A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor wafer and method for processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20180247857A1. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Ravi Joshi,Martin Sporn,Matthias Kuenle,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor wafer and method for processing a semiconductor wafer

Номер патента: US09984915B2. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Ravi Joshi,Martin Sporn,Matthias Kuenle,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Structure and method for compressively strained silicon germanium fins for pFET devices and tensily strained silicon fins for nFET devices

Номер патента: US09997540B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Structure and method for compressively strained silicon germanium fins for pFET devices and tensily strained silicon fins for nFET devices

Номер патента: US09548386B1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09646988B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Structure and method for finfet device with source/drain modulation

Номер патента: US20240363435A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

MOSFETs with channels on nothing and methods for forming the same

Номер патента: US10699941B2. Автор: Georgios Vellianitis,Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Method for transferring a layer of a semiconductor and substrate comprising a confinement structure

Номер патента: US09716029B2. Автор: Daniel Delprat,Christophe Figuet,Fabrice Lallement. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09412768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11862464B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258404A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258405A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12100743B2. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure with enlarged gate electrode structure and method for forming the same

Номер патента: US09748350B2. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH,Mi-Hua LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090194807A1. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Double gate ferroelectric field effect transistor devices and methods for forming the same

Номер патента: US11908936B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin,Song-Fu Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Double gate ferroelectric field effect transistor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230411522A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin,Song-Fu Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230154994A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110316066A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110101354A1. Автор: Yuichi Saito,Masao Moriguchi,Akihiro Kohno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290826A1. Автор: Seung Bum Kim,Il Do KIM,Ji Hee YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Thin body semiconductor devices having improved contact resistance and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US20110062443A1. Автор: Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230387276A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Circuits and methods for controlling a voltage of a semiconductor substrate

Номер патента: US12057824B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ren Huei Tzeng. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Circuits and methods for controlling a voltage of a semiconductor substrate

Номер патента: US11870429B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ren Huei Tzeng. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for manufacturing semiconductor package structure

Номер патента: US12062590B2. Автор: Shang-Yun Hou,Chia-Hao Hsu,Ting-Yu Yeh,Weiming Chris Chen,Kuo-Chiang Ting,Tu-Hao Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09704862B2. Автор: Donghyun Kim,Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Ha-young Kim,Sanghoon Baek,Panjae PARK,Sutae Kim,Jaewan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing semiconductor device structure

Номер патента: US20240274472A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device structure

Номер патента: US12068203B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for making radio frequency silicon-on-insulator (rfsoi) structure including a superlattice

Номер патента: US20240304493A1. Автор: Hideki Takeuchi,Susumu Kuwabara. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for making radio frequency silicon-on-insulator (rfsoi) structure including a superlattice

Номер патента: WO2024191733A1. Автор: Hideki Takeuchi,Susumu Kuwabara. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020094657A1. Автор: Woo-Seok Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09985055B2. Автор: Naoki Makita,Satoru Tone. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8629433B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Method for producing a semiconductor integrated circuit including a thin film transistor and a capacitor

Номер патента: US5814529A. Автор: Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for checking and producing a composite of a substrate stack, and hermetically sealed enclosure produced according to said method

Номер патента: AU2021374806A9. Автор: Jens Ulrich Thomas,Antti Määttänen,Petri Rokka. Владелец: Schott Primoceler Oy. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for checking and producing a composite of a substrate stack, and hermetically sealed enclosure produced according to said method

Номер патента: AU2021374806A1. Автор: Jens Ulrich Thomas,Antti Määttänen,Petri Rokka. Владелец: Schott Primoceler Oy. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for texturing a surface of a semiconductor substrate and device for carrying out the method

Номер патента: SG176140A1. Автор: Giso Hahn,Helge Haverkamp,Jose Nestor Ximello-Quiebras. Владелец: Univ Konstanz. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for checking and producing a composite of a substrate stack, and hermetically sealed enclosure produced according to said method

Номер патента: US20230274991A1. Автор: Jens Ulrich Thomas,Antti Määttänen,Petri Rokka. Владелец: Schott Primoceler Oy. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09321269B1. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-04-26.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09724921B2. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing a circular wafer by polishing the periphery, including a notch or orientation flat, of a wafer comprising crystal material, by use of polishing tape

Номер патента: US09496129B2. Автор: Naohiro Yamaguchi. Владелец: Mipox Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems And Methods For Improved Delamination Characteristics In A Semiconductor Package

Номер патента: US20180308713A1. Автор: Taweesak Laevohan,Philbert Reyes,Jaggrit Vilairat,Sutee Thanaisawn,Janpen Phimphuang,Somsak Chunpangam. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Systems and methods for improved delamination characteristics in a semiconductor package

Номер патента: WO2018200609A1. Автор: Taweesak Laevohan,Philbert Reyes,Jaggrit Vilairat,Sutee Thanaisawn,Janpen Phimphuang,Somsak Chunpangam. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for forming a dielectric on a semiconductor substrate

Номер патента: US20010046787A1. Автор: Helmut Wurzer,Martin Kerber,Thomas Pompl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09691674B2. Автор: Yoshihiro Kodaira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240203963A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for forming different patterns in a semiconductor structure using a single mask

Номер патента: US09679803B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Device, system and method for providing MEMS structures of a semiconductor package

Номер патента: US09505610B2. Автор: Telesphor Kamgaing,Weng Hong Teh,Daniel N Sobieski,Tarek A Ibrahim,Sarah K Haney,Parshuram B Zantye,Chad E Mair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for manufacturing an underfill in a semiconductor chip package

Номер патента: GB201213365D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-12.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: EP2208220A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: WO2009058450A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for the local polishing of a semiconductor wafer

Номер патента: US09533394B2. Автор: Juergen Schwandner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for etching a compound semiconductor, a semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6127201A. Автор: Toyoji Chino,Isao Kidoguchi,Hideto Adachi,Yasuhito Kumabuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for fabricating a contact on a semiconductor substrate by depositing an aluminum oxide diffusion barrier layer

Номер патента: US4307132A. Автор: James F. White,James K. Howard,Wei-Kan Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-12-22.

Sawing device and method for forming saw-cuts into a semiconductor product

Номер патента: US11935764B2. Автор: Mark Hermans. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method

Номер патента: US8945988B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Methods for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20020197817A1. Автор: Ki Shin,Cheol Bok. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for cleaning the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US6303482B1. Автор: Chan-Lon Yang,Chih-Ning Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for forming metal silicide on a semiconductor surface with minimal effect on pre-existing implants

Номер патента: US5679585A. Автор: Fred N. Hause,Mark I. Gardner,Derick J. Wristers,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-10-21.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US11942460B2. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160225685A1. Автор: Yoshihiro Kodaira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for forming tungsten structures in a semiconductor

Номер патента: US4925524A. Автор: Christopher C. Beatty. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1990-05-15.

Method for forming complementary patterns in a semiconductor material while using a single masking step

Номер патента: US4956306A. Автор: William R. Richards, Jr.,Robert T. Fuller,Joseph C. Tsang. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1990-09-11.

Method for forming a wiring layer a semiconductor device

Номер патента: US5843843A. Автор: Gil-heyun Choi,Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-01.

Method for preparing a nanoporous ultra-low dielectric thin film including a high-temperature ozone treatment and a nanoporous ultra-low dielectric thin film prepared by the same method

Номер патента: US09679761B2. Автор: Bum Suk Kim,Bo Ra Shin,Hee Woo Rhee,Kyu Yoon CHOI. Владелец: Sogang University. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for forming copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US8252686B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Soon Park,Choon Kun Ryu,Seung Jin Yeom,Sung Jun Kim,Noh Jung Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-28.

Method for forming an interconnection in a semiconductor element

Номер патента: US6103618A. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Method for controlling dielectric isolation of a semiconductor device

Номер патента: US3886000A. Автор: Robert L Bratter,Arun K Gaind. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-05-27.

Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece

Номер патента: US6277263B1. Автор: LinLin Chen. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 2001-08-21.

Method for quantitating impurity concentration in a semiconductor device

Номер патента: US6130542A. Автор: Toshiyuki Syo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece

Номер патента: US20040035708A1. Автор: LinLin Chen,Thomas Taylor. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Method for treating the surface of a silicon-carbide substrate including a removal step in which a modified layer produced by polishing is removed by heating under Si vapor pressure

Номер патента: US09978597B2. Автор: Noboru Ohtani,Tadaaki Kaneko,Kenta Hagiwara. Владелец: KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for fabricating via holes in a semiconductor wafer

Номер патента: US4348253A. Автор: Saligrama N. Subbarao,Ho-Chung Huang. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-09-07.

Method for forming electrical contacts in a semiconductor device

Номер патента: US5502006A. Автор: Yasuo Kasagi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-03-26.

Method for forming an interconnection in a semiconductor device

Номер патента: US5522520A. Автор: Hideaki Kawamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-04.

Method for forming solder balls on a semiconductor substrate

Номер патента: CA2135508C. Автор: Robert J. Lyn,Anthony M. Aulicino. Владелец: IBM Canada Ltd. Дата публикации: 1998-11-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09608077B1. Автор: Jae-Sung Kim,Kun-Young Lee,Jeong-Seob KYE,Tae-Kyum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for forming integrated semiconductor device with 2D material layer

Номер патента: US11935890B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Cheng-Yi Peng,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh,Meng-Hsuan Hsiao,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09754961B2. Автор: Hiroyuki Yamasaki,Makoto Fujiwara,Daisuke Nishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12089410B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966381B2. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520407B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140239373A1. Автор: Atsushi Murakoshi,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09960179B2. Автор: Kenta Yamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09917096B2. Автор: Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502291B2. Автор: Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

A method for making a semiconductor device that includes a metal gate electrode

Номер патента: TWI292181B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Brian Doyle,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-01-01.

Apparatus and method for etching one side of a semiconductor substrate

Номер патента: US20180374723A1. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2018-12-27.

Component arrangement and method for determining the temperature in a semiconductor component

Номер патента: US20070200193A1. Автор: Wolfgang Horn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor switch and method for determining a current through a semiconductor switch

Номер патента: US09903905B2. Автор: Stefan Butzmann,Peter Feuerstack,Holger Sievert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-02-27.

Method For Texturing A Surface Of A Semiconductor Material And Device For Carrying Out The Method

Номер патента: US20200044100A1. Автор: John BURSCHIK,Holger Kuehnlein,Benedikt Straub,Wolfgang Duempelfeld. Владелец: RENA Technologies GmbH. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US09676892B2. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20020192906A1. Автор: Sang-Ho Woo,Eui-Sik Kim,Kwang-seok Jeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for assembling a carrier and a semiconductor device

Номер патента: US20010007288A1. Автор: Jeffrey Coffin,Peter Brofman,Kathleen Stalter,Anson Call. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Group-III nitride structure including a fine wall-shaped structure containing a group-III nitridesemiconductor crystal and method for producing a group-III nitride structure including a fine wall-shaped structure containing a group-III nitride semiconductor crystal

Номер патента: US09680058B2. Автор: Katsumi Kishino,Akihiko Kikuchi. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Structure and method for test-point access in a semiconductor

Номер патента: US20240047281A1. Автор: SWAMINATHAN Subramanian,Hubert Martin Bode,Kristofor Jason Dickson,Kent Bradley Erington,Kurt Ulrich Neugebauer,William Franklin Johnstone. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Apparatus and method for measuring a layer of a semiconductor device using x-ray diffraction

Номер патента: US20240241067A1. Автор: Seungchul Lee,Younghoon Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for analying an impurity on a semiconductor substrate

Номер патента: US5633172A. Автор: Ayako Shimazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Apparatus and method for measuring electrical characteristics of a semiconductor element in a packaged semiconductor device

Номер патента: US20020063570A1. Автор: In-ho Song,Byong-Mo Moon,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

Method for forming electrical connections between a semiconductor die and a semiconductor package

Номер патента: US5911112A. Автор: Scott Kirkman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

System and method for analyzing error information from a semiconductor fabrication process

Номер патента: US20030055592A1. Автор: Weidong Wang,Jonathan Buckheit. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

System and method for suppressing RF resonance in a semiconductor package

Номер патента: US20020113300A1. Автор: John Geary,Joseph Freund,Mindaugas Dautartas. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-22.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US20160266494A1. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US5728597A. Автор: Suk Soo Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Method for manufacturing a bump on a semiconductor chip

Номер патента: US5418186A. Автор: Jong-han Park,Chun-Geun Park,Seon-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-05-23.

Method for forming conductive bumps on a semiconductor device

Номер патента: US5492863A. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-02-20.

Methods for forming a fuse in a semiconductor device

Номер патента: US20040005776A1. Автор: Robert Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-01-08.

Production method for a semiconductor device

Номер патента: US5030589A. Автор: Minoru Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-07-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09613990B2. Автор: Seiichi Uchida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09818754B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for writing thereto

Номер патента: US09859016B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240114674A1. Автор: Chang Sik Kim,Jae Won Na,Jun Hwa Song,Ji Hee Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device including a front side strained superlattice layer and a back side stress layer and associated methods

Номер патента: EP1941548A1. Автор: Kalipatnam Vivek Rao. Владелец: Mears Technologies Inc. Дата публикации: 2008-07-09.

Method for manufacturing self-alignment type bipolar transistor having epitaxial base layer

Номер патента: US6080631A. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050285217A1. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7446015B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor chip including integrated circuit including at least five gate level conductive structures having particular spatial and electrical relationship and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425273B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor chip including integrated circuit including four transistors of first transistor type and four transistors of second transistor type with electrical connections between various transistors and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09425272B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09935007B2. Автор: Joo-Young Moon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230282487A1. Автор: Wen-Chieh Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

METHOD FOR FORMING OHMIC CONTACTS, PARTICULARLY OF Ni(GeSn) TYPE IMPLEMENTING LASER ANNEALING

Номер патента: US20220037477A1. Автор: Philippe Rodriguez,Pablo Acosta Alba,Andréa-Carolina QUINTERO COLMENA. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for forming ohmic contacts, particularly of Ni(GeSn) type implementing laser annealing

Номер патента: US11973118B2. Автор: Philippe Rodriguez,Pablo Acosta Alba,Andréa-Carolina QUINTERO COLMENA. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-04-30.

Production method for semiconductor element, and semiconductor element

Номер патента: US09721838B2. Автор: Fumiaki Matsuura,Tomotoshi Satoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device by Thermal Treatment with Hydrogen

Номер патента: US20150056784A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070131964A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for manufacturing a semiconductor device by thermal treatment with hydrogen

Номер патента: US09449847B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor Substrate Arrangements and a Method for Forming a Semiconductor Substrate Arrangement

Номер патента: US20160247703A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190319043A1. Автор: Akira Takashima,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino,Ayaka SUKO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Fuse of Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20090236687A1. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Fuse of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8017454B2. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180061954A1. Автор: Takahiro Yamada,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mikito NOZAKI. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09892930B1. Автор: Masayuki Tanaka,Shinji Mori,Keiichi SAWA,Katsuyuki KITAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor substrate structures and methods for forming the same

Номер патента: US09799512B1. Автор: Shin-Cheng Lin,Yu-Lung Chin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09530697B1. Автор: Hiroshi Nakaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor substrate, method for producing same, apparatus for producing same, and template substrate

Номер патента: EP4300605A1. Автор: Toshihiro Kobayashi,Yuichiro Hayashi,Takeshi Kamikawa,Yuta Aoki,Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for fabricating floating gate

Номер патента: US20040110342A1. Автор: Yu-Chi Sun,Tse-Yao Huang,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Fuse of a semiconductor device

Номер патента: US8324664B2. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Method for forming CMOS device with self-aligned contacts and region formed using salicide process

Номер патента: US7582567B1. Автор: Tsengyou Syau,Shih-Ked Lee,Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160300846A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230298634A1. Автор: Yusuke Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09673291B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09397109B1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240282833A1. Автор: Wonsok Lee,Min Hee Cho,Sanghoon Uhm,Wooje Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271350A1. Автор: Hiroshi NAKAKl,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10186517B2. Автор: Hiroshi Nakaki,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09698150B2. Автор: Hiroshi Nakaki,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor crystal substrate, infrared detector, method for producing semiconductor crystal substrate, and method for producing infrared detector

Номер патента: US20200295059A1. Автор: Ryo Suzuki,Shigekazu Okumura,Shuichi Tomabechi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for producing array substrate and array substrate

Номер патента: US09818813B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device having multilayered storage node contact plug and method for fabricating the same

Номер патента: US20020093035A1. Автор: Byeong-Yun Nam,Beom-jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230043936A1. Автор: Yoo Sang Hwang,Tae Jin Park,Hui-jung Kim,Jun Soo Kim,Gyul GO,Gyung Hyun YOON,Eui Jun CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947683B2. Автор: Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for manufacturing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US10658187B2. Автор: Tolga Tekin,Martin Wilke,Kai Zoschke,Hans-Hermann Oppermann,Charles-Alix Manier,Robert Gernhardt. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2020-05-19.

Method for manufacturing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US20190088490A1. Автор: Tolga Tekin,Martin Wilke,Kai Zoschke,Hans-Hermann Oppermann,Charles-Alix Manier,Robert Gernhardt. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230024469A1. Автор: Masaki Iwamoto,Kouhei Sonoda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Imaging apparatus and method for manufacturing imaging apparatus

Номер патента: US11735608B2. Автор: Kosaku Saeki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Imaging apparatus and method for manufacturing imaging apparatus

Номер патента: US20210217786A1. Автор: Kosaku Saeki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for fabricating photo detector having sensor element array and photo conversion element

Номер патента: US09653505B2. Автор: Te-Ming Chen,Chin-Mao Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device including a capacitor

Номер патента: US09577028B2. Автор: Dongwon Lim,Kweonjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160268274A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US20230156999A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device and method for biasing same

Номер патента: US09559216B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa Rao Banna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20180331251A1. Автор: Dominik Scholz,Alexander F. Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-11-15.

Solid-state imaging device and method for driving the same

Номер патента: US09653514B2. Автор: Takahisa Yamashiro,Yoshihide Tachino,Yukiaki Yogo. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09614115B2. Автор: Manabu Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090166778A1. Автор: Sung-ho Jun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060244025A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Light receiving apparatus, method for fabricating light receiving apparatus

Номер патента: US09685570B2. Автор: Kohei Miura,Yasuhiro Iguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device including a capacitor

Номер патента: US20160358998A1. Автор: Dongwon Lim,Kweonjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Image sensor and a method for manufacturing the same

Номер патента: US7915654B2. Автор: Jeong Su Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Image Sensor and a Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20090057733A1. Автор: Jeong Su Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Solid state image pickup device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060060854A1. Автор: Keiji Mabuchi,Toshifumi Wakano,Kazunari Matsubayashi,Takashi Nakashikiryo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230017651A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for producing a semiconductor component having an insulating substrate, and semiconductor component having an insulating substrate

Номер патента: US12100791B2. Автор: Benjamin Michaelis. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for direct chip attach by solder bumps and an underfill layer

Номер патента: US20020062556A1. Автор: Peter Gruber,Michael Liehr,David Danovitch,Carlos Sambucetti,Guy Brouillette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor package substrate and method for producing same

Номер патента: EP3886161A1. Автор: Fusao Takagi. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-29.

Adhesive sheet for producing semiconductor device and production method for semiconductor device using the same

Номер патента: MY193145A. Автор: Yuuki Matsunaga,Takamasa Ichikawa,Yasufumi Kondou,Shouji IWASAKI,Wenfeng Fu. Владелец: Tomoegawa Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-26.

Method for reducing charging of semiconductor wafers

Номер патента: US11769662B2. Автор: Ching-Sen Kuo,Chien-Hung Lin,Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Chun-Chang Chen,Wei-Lin Chang,Chihy-Yuan Cheng,Sz-Fan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for wafer bonding and compound semiconductor wafer

Номер патента: US12068296B2. Автор: Stefan Hampl,Kerstin Kaemmer,Marco Haubold,Norbert Thyssen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A3. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for producing electronic component, bump-formed plate-like member, electronic component, and method for producing bump-formed plate-like member

Номер патента: US09580827B2. Автор: Hirokazu Okada,Hiroshi Uragami,Muneo Miura,Tsuyoshi Amakawa. Владелец: Towa Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for measuring impurity concentration profile, wafer used for same, and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20130161617A1. Автор: Kazuya Nishihori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Material layer deposition methods, material layer stacks, semiconductor processing systems, and related computer program products

Номер патента: US20240203733A1. Автор: Alexandros Demos,Caleb Miskin,Yanfu Lu,Omar Elleuch. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203831A1. Автор: Young Woo Kim,Jin Kyu Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Yun Suk NAM,Hidenobu Fukutome,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of semiconductor manufacturing using hard mask, method for forming pattern, and semiconductor structure

Номер патента: US20230086464A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US09922844B2. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

System and method for gas-phase passivation of a semiconductor surface

Номер патента: US09911676B2. Автор: Petri Raisanen,Michael E. Givens,Qi Xie,Fu Tang,Xiaoqiang Jiang,Pauline Calka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

System and method for gas-phase passivation of a semiconductor surface

Номер патента: US09905492B2. Автор: Petri Raisanen,Michael E. Givens,Qi Xie,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Temperature controller for semiconductor manufacturing equipment, method for calculating PID constants in semiconductor manufacturing, and method for operating temperature controller for semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US09484231B2. Автор: Kazuhiro Mimura. Владелец: Kelk Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor test structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230290696A1. Автор: Rui Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Fan-out semiconductor package and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20240250011A1. Автор: Hyunseok Choi,Myeongho HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for cleaning semiconductor wafers

Номер патента: US11752529B2. Автор: Xi Wang,HUI Wang,Jun Wang,Jian Wang,Yinuo JIN,Zhaowei Jia,Xiaoyan Zhang,Xuejun Li,Fuping CHEN,Liangzhi Xie,Fufa Chen. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180076177A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Surface treatment method for imparting alcohol repellency to semiconductor substrate

Номер патента: EP3633711A1. Автор: Kenji Shimada,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-04-08.

Method of etching a semiconductor device

Номер патента: US7144749B2. Автор: Khim Hong Ng,Chin Ling Pong. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2006-12-05.

Method for removing mottled etch in semiconductor fabricating process

Номер патента: US7276452B2. Автор: Hyung Seok Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device including fluorine diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080054465A1. Автор: Jong-Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030040190A1. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20150262840A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus and method for manufacturing metal gate structures

Номер патента: US20240337012A1. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4443481A2. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Apparatus and method for manufacturing metal gate structures

Номер патента: US12054823B2. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for repairing semiconductor processing components

Номер патента: US09956589B2. Автор: Joung Il Kim. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09911752B2. Автор: Masahiro Fukuda,Takayuki Kashima,Takashi Hirotani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Package structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240055385A1. Автор: Kuo-Hua Hsieh,Chao-Chieh Chan,Ming-Jhe Wu,Chih-Yang Weng. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor stack and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305186A1. Автор: Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon,Hakseung LEE,Hyoukyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor package including test pad and bonding pad structure for die connection and methods for forming the same

Номер патента: US12094844B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347374A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor Package Including Test Pad and Bonding Pad Structure for Die Connection and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240363565A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347375A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332258A1. Автор: Da Il RIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842849B1. Автор: Hiroyuki Yamasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device arrangement and a method for forming a semiconductor device arrangement

Номер патента: US09793182B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210125911A1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Cheng Yuan CHEN,Kuo-Hua Chen,Hui-Ying HSIEH. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Heating header of semiconductor mounting apparatus and bonding method for semiconductor

Номер патента: US09536857B1. Автор: Norio Kainuma,Hidehiko Kira,Takumi Masuyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Substrate stripping method for semiconductor structure

Номер патента: US20230317873A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US12051644B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor packages and method for fabricating the same

Номер патента: US20240258276A1. Автор: Jingu Kim,Wooyoung Kim,Sangkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated package and method for making the same

Номер патента: US20240079759A1. Автор: Yaojian Lin,PeiEe Linda CHUA,HinHwa GOH. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271249A1. Автор: Yasumasa Kasuya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for adjusting wafer deformation and semiconductor structure

Номер патента: US12051608B2. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266293A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09627202B2. Автор: DAE-YONG KANG,Sung-Wook Hwang,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09543204B2. Автор: Yoshihiro Saeki,Nobuaki Hoshi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508619B2. Автор: Tomoyuki Aoki,Hisashi Ohtani,Hiroki Adachi,Takuya Tsurume,Nozomi Horikoshi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234313A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234314A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040312B2. Автор: Min Lung Huang,Chien-Wei Chang,Chung-Hsi Wu,Shang-Wei Yeh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240258231A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080111249A1. Автор: Takashi Miyazaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266294A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device containing divot-fill dielectric barrier for metal-to-metal contacts and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240282710A1. Автор: Fumitaka Amano,Linghan CHEN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Substrate structure, semiconductor package structure and method for manufacturing a substrate structure

Номер патента: US20220115288A1. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen,Kay Stefan ESSIG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210020594A1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Cheng Yuan CHEN,Hui-Ying HSIEH,Hui Hua LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for fabricating thin insulating films, a semiconductor device and a method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20010046788A1. Автор: Ramesh Kakkad. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Fuse of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090166801A1. Автор: Won Ho Shin,Hyung Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor package structure, product and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200312730A1. Автор: Yu-Ming Chen,Yu-Sung Lin,Tai-Hung KUO. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355794A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240332168A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09953930B1. Автор: Dao-Long Chen,Chiu-Wen Lee,Kwang-Lung Lin,Ying-Ta CHIU,Po-Hsien Sung,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929078B2. Автор: Wen-Long Lu,Wei-Min Hsiao,Chi-Chang Lee,Yuan-Feng CHIANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device having coplanar digit line contacts and storage node contacts in memory array and method for fabricating the same

Номер патента: US09881924B2. Автор: Sanh Tang,Shih-Fan Kuan,Kuo-Chen Wang,Lars Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09853011B2. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09837430B2. Автор: Toshihiko Iinuma,Osamu Arisumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Using a cut mask to form spaces representing spacing violations in a semiconductor structure

Номер патента: US09710589B2. Автор: Pankaj Kumar,Kalpeshkumar Girishchandra Dave,Naveen Chandra Srivastava,Janardhan Achanta,Shreekanth Karandoor Sampigethaya. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Package structure and method for forming the same

Номер патента: US09633924B1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Tsei-Chung Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Cleaning composition and method for cleaning a semiconductor device substrate after chemical mechanical polishing

Номер патента: US09481855B2. Автор: Atsushi Otake,Akira Kuroda. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437461B2. Автор: Makoto Higashidate. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US10658298B1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-05-19.

Structure and method for semiconductor packaging

Номер патента: US20230299027A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Injector for a semiconductor fabrication tool

Номер патента: US20240222149A1. Автор: Mike Halpin,Steve Burch. Владелец: Helios Technical Services LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09852942B2. Автор: Wataru Sakamoto,Osamu Matsuura,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor mounting device and method for manufacturing semiconductor mounting device

Номер патента: US09484276B2. Автор: Masahiro Kaneko,Hiroyuki Watanabe. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for photodepositing a particle on a graphene-semiconductor hybrid panel and a semiconductor structure

Номер патента: US9431258B1. Автор: Cheng-Chi Kuo,Chun-Hu Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for photodepositing a particle on a graphene-semiconductor hybrid panel and a semiconductor structure

Номер патента: US20160233093A1. Автор: Cheng-Chi Kuo,Chun-Hu Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor storage device and method for manufacturing semiconductor storage device

Номер патента: US20200286912A1. Автор: Kenichi Fujii,Kyosuke Nanami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor storage device and method for manufacturing semiconductor storage device

Номер патента: US20200303407A1. Автор: Maki Miyazaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor storage device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12068243B2. Автор: Ryota Suzuki,Ken Komiya,Katsuyuki KITAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor storage device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240371756A1. Автор: Ryota Suzuki,Ken Komiya,Katsuyuki KITAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240332069A1. Автор: Chien-Han Chen,Chien-Chih Chiu,Da-Wei Lin,Shih-Yu Chang,Y.T. Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US20200168548A1. Автор: Hung-Chuan Chen,Yi-Jou Lin,Po-Hao Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238446A1. Автор: Hung-Chuan Chen,Yi-Jou Lin,Po-Hao Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for manufacturing semiconductor device and forming photoresist pattern

Номер патента: US20240153755A1. Автор: Jieun Lee,Jieun SONG,Woojin Jung,Jinpyoung Kim,Janghoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230018973A1. Автор: QIAO LI,Zhaohui Wang,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Package structure and method for forming the same

Номер патента: US20200411440A1. Автор: Tsung-Yu Chen,Hsien-Pin Hu,Tsung-Shu Lin,Wen-Hsin Wei,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US12033947B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12051658B2. Автор: HUNG-YI LIN,Cheng-Yuan KUNG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming pattern using hard mask

Номер патента: US20080160778A1. Автор: Ki-Won Nam,Ky-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Structure and method for forming a faceted opening and a layer filling therein

Номер патента: US20030085444A1. Автор: William Polinsky,Dirk Sundt,Mark Bossler,Gabriel Videla,Chris Inman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Structure and method for forming a faceted opening and layer filling therein

Номер патента: US20040046229A1. Автор: William Polinsky,Dirk Sundt,Mark Bossler,Gabriel Videla,Chris Inman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230245963A1. Автор: Chang-Lin Yeh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for controlling resistivity and crystallinity of low-resistance material through pvd

Номер патента: US20240355626A1. Автор: Takahiro Nakayama,Tomohiro Saitou,Do Hyun Oh,Chang Min SHIM,Hang KANG,Byeong Hwa JEONG. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09922991B2. Автор: Shinichi Ito,Seiji Morita,Soichi Inoue,Isahiro Hasegawa,Tetsuya Kamigaki,Kei Hattori,Koichi Matsuno,Tatsuhiko Higashiki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09502470B2. Автор: Atsushi Takahashi,Toshiyuki Sasaki,Tsubasa IMAMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for producing electronic device

Номер патента: EP4350744A1. Автор: Hiroto Yasui,Jin Kinoshita,Hiroyoshi Kurihara. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for producing electronic device

Номер патента: EP4350741A1. Автор: Hiroto Yasui,Jin Kinoshita,Hiroyoshi Kurihara. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for producing electronic device

Номер патента: EP4353796A1. Автор: Hiroto Yasui,Jin Kinoshita,Hiroyoshi Kurihara. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Component for semiconductor production apparatus and method for producing such component

Номер патента: US20240191345A1. Автор: Koji Kawahara,Tomonori Ogawa,Rui HAYASHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device package, electronic assembly and method for manufacturing the same

Номер патента: US11764137B2. Автор: Cheng-Lin HO,Chih-Cheng LEE,Chun Chen CHEN,Cheng Yuan CHEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Ceramic heater with heater element and method for use thereof

Номер патента: US20020185487A1. Автор: Roger Lin,Ramesh Divakar,Morteza Zandi,Brian LaCourse,Ara Vartabedian,Jeffrey Kutsch. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for producing electronic device

Номер патента: EP4350742A1. Автор: Hiroto Yasui,Jin Kinoshita,Hiroyoshi Kurihara. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for producing a group III compound crystal by hydride vapor phase epitaxy on a seed substrate formed on a group III nitride base substrate

Номер патента: US11932936B2. Автор: Yoshihiro Kubota,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor storage device and method for producing semiconductor storage device

Номер патента: US20210091092A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor storage device and method for producing semiconductor storage device

Номер патента: US11832453B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Systems and methods for purging reactor lower chambers with etchants during film deposition

Номер патента: US20230116427A1. Автор: Xing Lin,Wentao Wang,Junwei Su,Shujin Huang,Jiwen Xiang,Loc Vinh Tran. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-04-13.

Apparatus and method for directional etch with micron zone beam and angle control

Номер патента: US11707803B2. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Method for forming interconnection structure for a semiconductor device

Номер патента: GB9910078D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-30.

Apparatus and Method for Directional Etch with Micron Zone Beam and Angle Control

Номер патента: US20200130102A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and Method for Directional Etch with Micron Zone Beam and Angle Control

Номер патента: US20220297234A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Isolated interconnect studs and method for forming the same

Номер патента: WO2000013231A1. Автор: Bradley J. Howard,David L. Dickerson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-03-09.

Sealed substrate carriers and systems and methods for transporting substrates

Номер патента: US11990358B2. Автор: Michael Robert Rice,Jeffery C. Hudgens. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: TWI333675B. Автор: Seung Bum Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-21.

Method for forming a dielectric on a semiconductor substrate

Номер патента: TW515035B. Автор: Helmut Wurzer,Martin Kerber,Thomas Pompl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-21.

Method for controlling process conditions of a semiconductor fabricating equipments management system

Номер патента: TW368678B. Автор: Dae-Hong Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-09-01.

Method for forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: TW384514B. Автор: Cheol Kyu Bok. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2000-03-11.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: TW200921767A. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-05-16.

Method for manufacturing a base of a semiconductor device

Номер патента: GB1555358A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-11-07.

Method for forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: GB9613344D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-28.

A method for forming a contact on a semiconductor

Номер патента: GB8911307D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1989-07-05.

Semiconductor Module Arrangement and Method for Producing and Operating a Semiconductor Module Arrangement

Номер патента: US20140035118A1. Автор: Bayerer Reinhold. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes

Номер патента: US20090239363A1. Автор: Wenya Fan,De-Ling Zhou,Roger Yu-Kwan Leung. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Method for resin coating of semiconductor device, coating resin and liquid crystal display device

Номер патента: US20010044170A1. Автор: Eiji Muramatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358823A1. Автор: Lu-Ming Lai,Yu-Che Huang,Shih-Chieh Tang,Yu-Min Peng,Chi Sheng Tseng,Hui-Chung Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for manufacturing a pass-through device

Номер патента: US11031554B2. Автор: Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud,Alain Persico. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-06-08.

Cleaning agent composition for substrate for semiconductor devices and method for cleaning substrate for semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240150681A1. Автор: Myungho Lee,Hye Ji KIM,Young Mee Kang,Yu Jin HEO,Jinho You,Hag Sung LEE,Narae YIM,Keon young KIM,Yun sun CHOI. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for manufacturing a pass-through device

Номер патента: US20190252611A1. Автор: Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud,Alain Persico. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for calculating throughput in semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and computer program product

Номер патента: US20240213065A1. Автор: Shunsuke Kagaya. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for monitoring defects of semiconductor device

Номер патента: US6038019A. Автор: Hwan-suk Chang,Hong-bae Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-03-14.

Method for depositing silicon dioxide using low temperatures

Номер патента: US6096661A. Автор: Minh Van Ngo,Khanh Nguyen,Terri Jo Kitson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for producing power semiconductor module arrangement

Номер патента: US11557522B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-17.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Method for producing semiconductor nanoparticle complex, semiconductor nanoparticle complex, and film

Номер патента: US20190189922A1. Автор: Hiroshi ISOJIMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Laminate, curable resin composition, method for manufacturing laminate, method for manufacturing substrate having junction electrode, semiconductor device, and image capturing device

Номер патента: EP4169971A1. Автор: Kenichiro Sato,Hidenobu Deguchi,Munehiro Hatai,Hideaki Ishizawa,Tokushige Shichiri,Taro Shiojima. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

Laminate, curable resin composition, method for manufacturing laminate, method for manufacturing substrate having junction electrode, semiconductor device, and image capturing device

Номер патента: US20230245936A1. Автор: Kenichiro Sato,Hidenobu Deguchi,Munehiro Hatai,Hideaki Ishizawa,Tokushige Shichiri,Taro Shiojima. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor module assembly and method for producing a semiconductor module assembly

Номер патента: US20240371727A1. Автор: Benjamin Pessl. Владелец: Magna Powertrain GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor layer sequence and method for producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US09806224B2. Автор: Patrick Rode,Werner Bergbauer,Philipp Drechsel,Peter Stauβ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Device and Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20180190874A1. Автор: Kai Gehrke,Simeon Katz,Joachim Hertkorn,Massimo DRAGO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor layered structure, method for producing semiconductor layered structure, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09887310B2. Автор: Takashi Kyono,Kaoru Shibata,Katsushi Akita,Koji Nishizuka,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor body and method for producing a semiconductor body

Номер патента: US11502224B2. Автор: Alexander Frey,Joachim Hertkorn,Ingrid Koslow,Massimo DRAGO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-11-15.

Prepreg, laminate, printed wiring board, coreless substrate, semiconductor package and method for producing coreless substrate

Номер патента: MY196822A. Автор: Yukio Nakamura,Shintaro Hashimoto,Shinji Tsuchikawa,Yuichi Shimayama,Yuma Yoshida,Katsuhiko Nawate. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Optoelectronic Semiconductor Chip and Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Chips

Номер патента: US20220393062A1. Автор: Philipp Drechsel,Alvaro Gomez-Iglesias,Heng Wang,Xiaojun Chen,Jürgen Off,Thomas Lehnhardt,Jong Ho Na. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-08.

Method for producing group-iii nitride crystal, group-iii nitride crystal, semiconductor device, and device for producing group-iii nitride crystal

Номер патента: US20170073839A1. Автор: Takehiro Yoshida,Masatomo Shibata,Akira Usui,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Mamoru Imade,Masashi Isemura. Владелец: Itochu Plastics Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180047741A1. Автор: Hideto Onuma,Masayuki Shishido,Akira KURAMOTO,Tatsuya Fujishima,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor chip, semiconductor device, and process for producing a semiconductor device

Номер патента: US20020093014A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Composition for forming resist protection film for lithography and method for forming pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: US09423692B2. Автор: Jae Hyun Kim,Hyun Jin Kim,Man Ho Han,Jong Kyoung Park. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US8477820B2. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

A method for producing a crystalline oxide semiconductor film and a gallium oxide film, and a method for producing a vertical semiconductor device

Номер патента: US20230089169A1. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Multi-level magnetic tunnel junction nor device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20210399045A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09972658B2. Автор: In-Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09679910B2. Автор: Kotaro Nomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor optical device and method for producing semiconductor optical device

Номер патента: US09482834B2. Автор: Hideki Yagi,Yoshihiro Yoneda,Takehiko Kikuchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip

Номер патента: US09689754B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element, method for producing a wavelength conversion element and method for producing a light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element

Номер патента: US09806240B2. Автор: Britta Goeoetz,Christopher A. Tarry. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: US20220177376A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for doping a semiconductor material and method for manufacturing solar cells

Номер патента: WO2012063078A1. Автор: Jonathan Major,Kenneth Durose,Yuri Proskuryakov. Владелец: THE UNIVERSITY OF LIVERPOOL. Дата публикации: 2012-05-18.

Method for the Self-Adjusted Exposure of Side Surfaces of a Semiconductor Body

Номер патента: US20190386172A1. Автор: Sebastian Taeger,Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2019-12-19.

Preform structure for soldering a semiconductor chip arrangement, a method for forming a preform structure for a semiconductor chip arrangement, and a method for soldering a semiconductor chip arrangement

Номер патента: US09536851B2. Автор: Friedrich Kroener. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160155877A1. Автор: Kwangsun Ji,Yujin Lee,Jin-Won Chung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor chip including a bump structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20200013740A1. Автор: Chan-Ho Lee,Hyun-Soo Chung,In-Young Lee,Jin-kuk BAE,Han-Sung RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US8637986B2. Автор: Naomi Masuda,Masataka Hoshino,Ryota Fukuyama. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-01-28.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20090302469A1. Автор: Naomi Masuda,Masataka Hoshino,Ryota Fukuyama. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312940A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hung-Wei TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for forming a patterned layer

Номер патента: US09786504B1. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09437573B2. Автор: Naomi Masuda,Masataka Hoshino,Ryota Fukuyama. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080048228A1. Автор: Takashi Sakoh,Mami Toda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Methods for electromagnetic shielding using an outer cobalt layer

Номер патента: US20210336332A1. Автор: Anthony James LoBianco,Hoang Mong Nguyen. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for determining contour of semiconductor structure

Номер патента: US12094788B2. Автор: Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240088043A1. Автор: Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for doping a semi-conductor material and method for manufacturing solar cells

Номер патента: GB201019039D0. Автор: . Владелец: University of Durham. Дата публикации: 2010-12-22.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US20160299434A1. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US09857689B2. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12148791B2. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100233853A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Memory cell structure with resistance-change material and method for forming the same

Номер патента: US09865655B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130161708A1. Автор: Edward Yi Chang,Chia-Hua Chang,Ming-Tsan Peng,Tsung-Lin Chen,Shyr-Long Jeng,Shih-Tung Cheng,Po-Chien Chou,Jian-Feng Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347503A1. Автор: Kuo-Ming Chen,Yu-Jie Lin,Shing-Ren Sheu,Kai-Kuang Ho,Yi-Feng Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09960178B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor packaging structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09892988B2. Автор: Diann-Fang Lin,Yu-Shan Hu. Владелец: DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09524755B1. Автор: Mitsutoshi Nakamura,Shinya Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor component and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US20200168767A1. Автор: Berthold Hahn,Anna Kasprzak-Zablocka,Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor component having a compressive strain layer and method for producing the semiconductor component having a compressive strain layer

Номер патента: US11705370B2. Автор: Wolfgang Schmid,Michael Huber,Robert Walter,Benjamin Michaelis,Franz Eberhard,Markus Broell. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device module having vertical metallic contacts and a method for fabricating the same

Номер патента: US12080669B2. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Petteri Palm,Mark Thomas,Martin Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200098984A1. Автор: Jae-Hong Kim,Bo-Mi Lee,Min-Suk Lee,Ki-Seon Park,Won-Joon Choi,Cha-deok Dong,Guk-Cheon Kim,Yang-Kon KIM,Jae-Heon KIM,Chan-Sik Park,Jong-koo Lim,Seung-Mo Noh,Choi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09929177B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859194B2. Автор: Akihiro Kimura,Tsunemori Yamaguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09406591B2. Автор: Akihiro Kimura,Tsunemori Yamaguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor layered structure, method for producing semiconductor layered structure, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20160351742A1. Автор: Takashi Kyono,Kaoru Shibata,Katsushi Akita,Koji Nishizuka,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for evaluating stability of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20190229024A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Hot-pressing buffer substrate, display device, hot-pressing process and method for reducing x-line bright line

Номер патента: US20200185659A1. Автор: Ke Cao,Xiehong ZHOU,Hengfei SHI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12057375B2. Автор: Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20190221576A1. Автор: Masaru Kito,Yasuhiro Uchiyama,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Structure and method for bonded wafer barrier

Номер патента: US20240282716A1. Автор: John C. Ehmke,Jennifer Lynne HOLM. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure including a substrate and a semiconductor chip with matching coefficients of thermal expansion

Номер патента: US09659881B2. Автор: Jiun Yi Wu,Yu-Min LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semiconductor device

Номер патента: US09568537B1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

METHOD FOR PRODUCING A COATED PRODUCT AND COATING INCLUDING A THIN FILM FROM ALLOYED CARBON NANOTUBES

Номер патента: RU2012142176A. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2014-04-10.

Solar cell element and method for manufacturing solar cell element

Номер патента: US09431563B2. Автор: Kazunori Hosomi,Kenji Ooba. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor body and method for producing a semiconductor body

Номер патента: US20210091267A1. Автор: Alexander Frey,Joachim Hertkorn,Ingrid Koslow,Massimo DRAGO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device, true random number generator, and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240256224A1. Автор: Xinyu Bao,Jeremy Guy,Elia Ambrosi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Testing apparatus and method for determining an etch bias associated with a semiconductor-processing step

Номер патента: WO2005033720A2. Автор: James Chingwei Li,Richard L. Pierson, Jr.,Berinder S. Brar. Владелец: Rockwell Scientific Licensing, Llc. Дата публикации: 2005-04-14.

Semiconductor storage device and method for manufacturing semiconductor storage device

Номер патента: US20240321743A1. Автор: Keisuke Ishizuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Photovoltaic module and method for producing the same

Номер патента: US12100776B2. Автор: Zhiqiu Guo,Yidong HU,Yichao Yao. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Structure and method for power metal lines

Номер патента: US20240379603A1. Автор: Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120043605A1. Автор: Se In KWON,Hyun Jin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Stack, method for treating substrate material, temporary fixing composition, and semiconductor device

Номер патента: US20160375652A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Katsumi Inomata,Torahiko YAMAGUCHI. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor integrated circuit with multi-cut via and automated layout method for the same

Номер патента: US20110304055A1. Автор: Keiichi Nishimuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor Memory Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20230247823A1. Автор: Youngseok Kim,Jae Seong PARK,Sung-wook Jung,Daeyoung MOON,Young Sin Kim,Suhwan Hwang,Seongkeun CHO,Keum Joo Lee,Sungduk Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240179910A1. Автор: Ji Won Kim,Jun Hyoung KIM,Ah Reum Lee,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

A use of a semiconductor device, a method for controlling the state of a semiconductor switch and an electrical arrangement

Номер патента: AU6603700A. Автор: Hans Bernhoff,Olof Hjortstam,Jan Isberg,Per Skytt,Johan Hammersberg. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2001-04-10.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor integrated circuit with multi-cut via and automated layout method for the same

Номер патента: US20120306083A1. Автор: Keiichi Nishimuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210135102A1. Автор: Chii-Ming Wu,Fu-Ting Sung,Hsing-Lien Lin,Ching Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for manufacturing transparent thin film transistor-based photosensitive device

Номер патента: US20240234619A1. Автор: Po-Tsun Liu,Yu-Chuan Chiu,Jia-Lin Huang. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

Production method for tin-based perovskite layer

Номер патента: EP4394849A1. Автор: Masaki Nakamura,Shuzi Hayase,Takatoshi Nomura,Masahiro Hayashi,Daishiro Nomura,Satoru Kani,Naohiko Noda,Daisuke Hirotani,Tomoyuki Hirami,Takayuki Kuga,Shinpei Sasahara. Владелец: University of Electro Communications NUC. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170110462A1. Автор: Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09853050B2. Автор: Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09818753B2. Автор: Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09728549B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Sunghoi Hur,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09679945B2. Автор: Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09666596B2. Автор: Tomohiro Takamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09659957B2. Автор: Kenji Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Electronic device including a semiconductor memory and method for fabricating the same

Номер патента: US09588890B2. Автор: In-Hoe Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431412B1. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for producing electronic device

Номер патента: EP4350740A1. Автор: Hiroto Yasui,Jin Kinoshita,Hiroyoshi Kurihara. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210217759A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09559145B2. Автор: Joon-Seop Sim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated dicing die bonding sheet and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240087941A1. Автор: Manabu Sutoh,Eiji Kitaura,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US20120093190A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for producing patterns by ion implantation

Номер патента: US9953807B2. Автор: Nicolas Posseme,Lamia NOURI,Stefan Landis,Sebastien Barnola,Thibaut David. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for producing patterns by ion implantation

Номер патента: US09953807B2. Автор: Nicolas Posseme,Lamia NOURI,Stefan Landis,Sebastien Barnola,Thibaut David. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for measuring step difference in a semiconductor device and apparatus for performing the same

Номер патента: TW498473B. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Kye-Won Kim,Hyo-Hoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-11.

POLYIMIDE PRECURSOR COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE PRECURSOR COMPOSITION

Номер патента: US20180079864A1. Автор: Shibuya Akinori,OOHASHI Hidekazu,Kawabata Takeshi,IWAI Yu,AMEMIYA Takuma. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-03-22.

Anatase-type niobium oxynitride, method for producing same, and semiconductor structure

Номер патента: US20180209065A1. Автор: Toru Nakamura,Tetsuya Hasegawa,Kazuhito Hato,Ryosuke Kikuchi,Yasushi Hirose. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Rutile-type niobium oxynitride, method for producing same, and semiconductor structure

Номер патента: US20180209066A1. Автор: Tetsuya Hasegawa,Kazuhito Hato,Ryosuke Kikuchi,Yasushi Hirose. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Method for Transferring Semiconductor Bodies and Semiconductor Chip

Номер патента: US20200035855A1. Автор: Lutz Höppel. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-30.

Package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230075336A1. Автор: Chien-Hua Chen,Cheng-Yuan KUNG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for forming interconnect bumps on a semiconductor die

Номер патента: TW419805B. Автор: Stuart E Greer,Robert A Munroe. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-01-21.

System and method for testing of bonds of a semiconductor assembly

Номер патента: TW201215863A. Автор: Philip John King,Benjamin K Peecock. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2012-04-16.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: TW504625B. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-01.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887353B2. Автор: Wan-Gee KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09619392B2. Автор: Ki-Seon Park,Kwan-Woo Do,Ga-Young Ha,Gil-Jae PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09569358B2. Автор: Gil-Jae PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09564584B2. Автор: Seok-Pyo Song,Jae-Yun YI,Joon-Seop Sim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor light emitting element, display device, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20230395748A1. Автор: Taehoon Kim,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for producing piezoelectric thin-film element, piezoelectric thin-film element, and member for piezoelectric thin-film element

Номер патента: US20130127293A1. Автор: Shinsuke Ikeuchi,Kansho YAMAMOTO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for avoiding warping of substrate, method for manufacturing display panel, and display panel

Номер патента: US20210273206A1. Автор: Chunjing HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor package including a step type substrate

Номер патента: US09515052B1. Автор: Kyu Won Lee,Ki Ill Moon,Cheol Woo Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Luminescent device and manufacturing method for luminescent device and semiconductor device

Номер патента: US20150295129A1. Автор: Yoshitaka Kadowaki,Tatsunori Toyota. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Method for inspecting battery and method for producing battery

Номер патента: US20240204258A1. Автор: Kiwamu Kobayashi,Hideto Mori,Tadashi Teranishi,Toshinori Okura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for producing power storage device

Номер патента: EP4435879A1. Автор: Masahiro Yoshioka. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for producing power storage device

Номер патента: US20240322252A1. Автор: Masahiro Yoshioka. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for producing anion-containing inorganic solid material, device for producing anion-containing inorganic solid material, and anion-containing inorganic solid material

Номер патента: US20240356007A1. Автор: Takashi Nakamura,Takuya Katsumata,Koji Amezawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US20020001326A1. Автор: Toyoji Chino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6674779B2. Автор: Toyoji Chino. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-06.

Method for producing fuel cell electrode catalyst

Номер патента: US09947940B2. Автор: Kunchan Lee,Kunning ZHU. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for producing disulfonylamine alkali metal salt

Номер патента: US09950929B2. Автор: Masamichi Yasuhara,Ken-ichi Hayashi,Hideki Maekawa. Владелец: Nippon Soda Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for producing fuel cell electrode catalyst, fuel cell electrode catalyst, and uses thereof

Номер патента: US09350025B2. Автор: Takashi Sato,Ryuji Monden,Kunchan Lee,Yasuaki Wakizaka,Takuya Imai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for producing lithium metal composite oxide

Номер патента: US20240286923A1. Автор: Takahiro Shoji. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for producing sulfide solid electrolyte materials

Номер патента: US09595735B2. Автор: Yuichi Hashimoto,Takayuki Koyama,Hiroki Kubo,Koichi Sugiura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of producing guest-free silicon clathrate, apparatus for producing guest-free silicon clathrate

Номер патента: US20220393159A1. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of producing guest-free silicon clathrate, apparatus for producing guest-free silicon clathrate

Номер патента: US20240250253A1. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for producing separator

Номер патента: US20170033344A1. Автор: Junji Suzuki. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Battery, separator for a battery and method for preparing separator

Номер патента: US20240128589A1. Автор: Jianqiang Shen,Xiufeng Chen,Yanjie Wang,Zelin Chen,Lujing LIN. Владелец: Senior Material Europe AB. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods for reducing material overhang in a feature of a substrate

Номер патента: US20150221486A1. Автор: Alan A. Ritchie,Zhenbin Ge,Sally Lou,Jenn Yue Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for inspecting nonaqueous electrolyte secondary battery separator, method for producing nonaqueous electrolyte secondary battery separator, device for inspecting nonaqueous electrolyte secondary battery separator, device for producing nonaqueous electrolyte secondary battery separator, and nonaqueous electrolyte secondary battery separator

Номер патента: US20220013858A1. Автор: Yoshinori Sato,Atsuhiro Takata,Yuki YONEGUCHI,Shun Nakazawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Manufacturing method for secondary battery and manufacturing method for doped electrode

Номер патента: EP4246615A1. Автор: Masahiro Yamamoto,Kazunari AITA,Hiroki YAKUSHIJI. Владелец: Musashi Energy Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor optical device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11777274B2. Автор: Naoki Fujiwara,Hideki Yagi,Takuo Hiratani. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods for manufacturing spinel-type lithium manganese and cathode active material for lithium secondary battery

Номер патента: US20100327220A1. Автор: Nobuyuki Kobayashi,Yukinobu Yura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for suppressing thermal runaway of lithium batteries

Номер патента: US20240250285A1. Автор: Szu-Nan Yang. Владелец: Prologium Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for making solid-state lithium-ion batteries

Номер патента: WO2024173383A2. Автор: John C. Brewer,Terrence R. O'Toole,Robert G. ANSTEY,Alexander J. WARREN. Владелец: Graphenix Development, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor Laser Component and Method for Operating at Least One Semiconductor Laser

Номер патента: US20230198231A1. Автор: Jörg Erich SORG,Harald KÖNIG,Jan Seidenfaden,Markus Reinhard Horn. Владелец: Ams Osram Lnternational GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods for making solid-state lithium-ion batteries

Номер патента: WO2024173383A3. Автор: John C. Brewer,Terrence R. O'Toole,Robert G. ANSTEY,Alexander J. WARREN. Владелец: Graphenix Development, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for Measuring Dimensions Relative to Bounded Object

Номер патента: US20230042608A1. Автор: Almambet ISKAKOV,Srinivasa R Kalidindi,Hyung Nun Kim. Владелец: Multiscale Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Magnetic particle having high-reflective protective membrane and method for producing same

Номер патента: US09721705B2. Автор: Won Gyun Choe,Soo Dong Kim. Владелец: Korea Minting Security Printing and ID Card Operating Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Systems and methods for mixing

Номер патента: US20240216880A1. Автор: Johnson Mark,Ki Tae Park,Divyank Sood. Владелец: Rivian IP Holdings LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

All Solid State Battery with Improved Durability and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20220181700A1. Автор: Sang Wan KIM,Jae Min Lim,Young Jin Nam,Hong Suk Choi,Sung Man CHO. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110292959A1. Автор: Yoshiaki Hasegawa,Naoto Shimada,Toshitaka Shimamoto,Kouji Makita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240298555A1. Автор: Tzu-Yu Lin,Yao-Wen Chang,Chia-Wen Zhong,Ching Ju Yang,Chin I WANG,Sheng-Siang Ruan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

System and method for producing power and/or chemicals from coal

Номер патента: US20220376278A1. Автор: Anthony Ku,Surinder Singh,John Lemmon,Wayne Qiang Xu. Владелец: National Institute of Clean and Low Carbon Energy. Дата публикации: 2022-11-24.

System and method for producing power and/or chemicals from coal

Номер патента: US12087979B2. Автор: Anthony Ku,Surinder Singh,John Lemmon,Wayne Qiang Xu. Владелец: National Institute of Clean and Low Carbon Energy. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for producing polyoxyalkylene alkyl ether acetate

Номер патента: US20240337027A1. Автор: Keigo Hanaki,Yusuke Ichikawa,Takuya MORIOKA,Ryotaro KOTOI. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method For Producing Insulator-Coated Soft Magnetic Powder, Insulator-Coated Soft Magnetic Powder, Dust Core, Magnetic Element, Electronic Device, And Vehicle

Номер патента: US20230298813A1. Автор: Atsushi Nakamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Lithium ion secondary battery and method for producing the same

Номер патента: US10629907B2. Автор: Yoichi Koike,Yohei Shindo. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Method for manufacturing electrode for battery

Номер патента: US20110183211A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Yozo Uchida,Yoshiki Ohsawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Lithium ion secondary battery and method for producing the same

Номер патента: US20180102540A1. Автор: Yoichi Koike,Yohei Shindo. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Upper electrode mechanism, current control method for radio frequency coil, and semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20230197407A1. Автор: JING Yang,JING Wei,Gang Wei,Xingfei MAO,Chen NIU. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: GB201016929D0. Автор: . Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2010-11-24.

Semiconductor laser element, integrated semiconductor laser element, and method for producing semiconductor laser element

Номер патента: US9509121B2. Автор: Go Kobayashi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for cleaning off deposit in chamber of same

Номер патента: US12051572B2. Автор: Wulin HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Separator for lithium ion secondary battery with improved charge-discharge performance and thermal stability and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240339725A1. Автор: Min Jeong Lee,Jae Won Park,Kie Yong CHO,Young Je KWON. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2024-10-10.

Solid electrolyte and method for producing same

Номер патента: US20240291021A1. Автор: Dong Kyu Kim,Jung Pil Lee,Hyeaeun HAN,Sunwook HWANG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and apparatus for producing membrane electrode assembly

Номер патента: US10224561B2. Автор: Sozaburo Ohashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Method of producing guest-free silicon clathrate, apparatus for producing guest-free silicon clathrate

Номер патента: US11955628B2. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for producing catalyst-layer-supporting substrate, method for producing membrane-electrode assembly and method for producing fuel cell

Номер патента: US20080230171A1. Автор: Wu Mei,Takahiro Sato,Yoshihiko Nakano,Taishi Fukazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Method for producing a monolithically integrated optical device, including a semiconductor laser, and a device obtained thereby

Номер патента: EP0159258A1. Автор: Pierre Sansonetti,Louis Menigaux,Alain Carenco. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-10-23.

Battery, power consumption device, and method and device for producing battery

Номер патента: US20230352788A1. Автор: Qiu Jin,OU Qian,Xiaobo Chen,Piaopiao YANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for manufacturing quantum cascade laser

Номер патента: US20120309123A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Rechargeable battery and method for manufacturing positive plate of rechargeable battery

Номер патента: US20230178705A1. Автор: Yoshinori Kudo,Kazutaka Yoshikawa,Shotaro Deguchi,Ryotaro SAKAI. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Producing method for lithium-ion secondary battery

Номер патента: EP4283725A1. Автор: Kazuma Mima. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Method for activating electrodes of electrochemical devices on solid electrolytes

Номер патента: RU2760430C1. Автор: Александр Николаевич Волков,Лилия Адибовна Дунюшкина,Анатолий Сергеевич Калякин,Анастасия Васильевна Павлович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук (ИВТЭ УрО РАН). Дата публикации: 2021-11-25.

High pressure discharge lamp, method for producing the same and lamp unit

Номер патента: US20030168980A1. Автор: Kiyoshi Takahashi,Makoto Horiuchi,Makoto Kai,Tomoyuki Seki,Tsuyoshi Ichibakase,Yuriko Kaneko,Shinichiro Hataoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

High pressure discharge lamp, method for producing the same and lamp unit

Номер патента: EP1324368A2. Автор: Kiyoshi Takahashi,Makoto Horiuchi,Makoto Kai,Tomoyuki Seki,Tsuyoshi Ichibakase,Yuriko Kaneko,Shinichiro Hataoka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-02.

Method for manufacturing BAW resonators on a semiconductor wafer

Номер патента: US09647625B2. Автор: Jean-François Carpentier,Pierre Bar,Sylvain Joblot,David Petit,Pierre Dautriche. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Methods for designing and producing a security feature

Номер патента: GB2594474A. Автор: Laird Stewart Robert. Владелец: Koenig and Bauer Banknote Solutions SA. Дата публикации: 2021-11-03.

Methods for designing and producing a security feature

Номер патента: AU2021263958A1. Автор: Robert Laird Stewart. Владелец: Koenig and Bauer Banknote Solutions SA. Дата публикации: 2022-11-17.

Methods for designing and producing a security feature

Номер патента: US20230166557A1. Автор: Robert Laird Stewart. Владелец: Koenig and Bauer Banknote Solutions SA. Дата публикации: 2023-06-01.

Methods for designing and producing a security feature

Номер патента: EP4143034A1. Автор: Robert Laird Stewart. Владелец: Koenig and Bauer Banknote Solutions SA. Дата публикации: 2023-03-08.

Methods for designing and producing a security feature

Номер патента: AU2021263958B2. Автор: Robert Laird Stewart. Владелец: Koenig and Bauer Banknote Solutions SA. Дата публикации: 2023-02-02.

System and method for obfuscating opcode commands in a semiconductor device

Номер патента: US20210351922A1. Автор: Jan-Peter Schat,Fabrice Poulard,Andreas Lentz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-11-11.

Apparatus and method for controlling signal distribution in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120081147A1. Автор: Neil Price. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Apparatuses and methods for identifying memory devices of a semiconductor device sharing an external resistance

Номер патента: US20240030922A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for designing and producing a security feature

Номер патента: US11872834B2. Автор: Robert Laird Stewart. Владелец: Koenig and Bauer Banknote Solutions SA. Дата публикации: 2024-01-16.

Methods for designing and producing a security feature

Номер патента: CA3176847C. Автор: Robert Laird Stewart. Владелец: Koenig and Bauer Banknote Solutions SA. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating

Номер патента: US12069939B2. Автор: Qi Wang,Michael HELANDER,Zhibin Wang,Jacky QIU,Yi-Lu Chang,Dong GAO,Scott Nicholas Genin. Владелец: OTI Lumionics Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating

Номер патента: US12150374B2. Автор: Qi Wang,Michael HELANDER,Zhibin Wang,Yi-Lu Chang,Jacky QUI,Thomas LEVER. Владелец: OTI Lumionics Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating

Номер патента: US20230232700A1. Автор: Qi Wang,Michael HELANDER,Zhibin Wang,Yi-Lu Chang,Jacky QUI,Thomas LEVER. Владелец: OTI Lumionics Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating

Номер патента: US11785831B2. Автор: Qi Wang,Michael HELANDER,Zhibin Wang,Jacky QIU,Yi-Lu Chang,Thomas LEVER. Владелец: OTI Lumionics Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Bonded body, substrate, method for producing bonded body, and method for producing substrate

Номер патента: EP4331835A1. Автор: Akiyoshi Yamauchi,Masayuki Nakao,Shingo Okuno,Hirokazu Komori,Yosuke Kishikawa,Yuki Ueda,Kota Aono,Yusuke Ebihara,Keisuke NAGATO. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for producing a metal composite

Номер патента: US09505177B2. Автор: Masato Honma,Takashi Fujioka. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Preparation method for semiconductor material leg array and batch preparation method for interface layer of semiconductor material leg array

Номер патента: US20240357934A1. Автор: Xun SHI,Ming Gu,Lidong Chen,Pengfei Qiu. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237562A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing compound diaphragm

Номер патента: US09424829B2. Автор: Bingke Zhu. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Phase change material switch with ovonic threshold switching material selector and methods for forming the same

Номер патента: US20240276893A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having trench capacitors formed on channel structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315011A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having trench capacitors formed on channel structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315012A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20240306366A1. Автор: Ya Wang,Xing Zhang,Fandong LIU,Wenyu HUA,Kuan HU. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor storage device and method for manufacturing semiconductor storage device

Номер патента: US12041778B2. Автор: Tatsufumi Hamada,Shinichi Sotome,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080165591A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US7936635B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100165762A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for limiting current and circuit therefor

Номер патента: US20100118462A1. Автор: Thomas Duffy,Bryan McCoy,Thomas William Ciccone,Timothy Kaske,John Ciccone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Apparatus and methods for local oscillator interface circuits with quadrature clock generation and phase correction

Номер патента: US20240291431A1. Автор: Xuesong Jiang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor storage device and method for manufacturing semiconductor storage device

Номер патента: US20240324208A1. Автор: Daichi KAWASAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor storage device and method for manufacturing semiconductor storage device

Номер патента: US20240324212A1. Автор: Katsuyuki KITAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus and methods for local oscillator interface circuits with quadrature clock generation and phase correction

Номер патента: EP4422069A1. Автор: JIANG Xuesong. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240315015A1. Автор: Masashi ARINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09419599B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Wiring board and production method for same

Номер патента: US20220071019A1. Автор: Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinichiro Abe,Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Cover member and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3041383A1. Автор: Young-Jae Lee,Byoung-Uk Yoon,Chang-Youn Hwang,Kyoung-Bin HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-13.

Waterproof sound transmitting sheet, and method for producing same

Номер патента: US09510075B2. Автор: Jun-Sik Hwang,Seung-Hoon Lee,In-Yong Seo,Kyung-su Kim,Yong-sik JUNG. Владелец: Amogreentech Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Apparatus and method for high voltage switches

Номер патента: WO2013169516A1. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US12022653B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Sunghoi Hur,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240244821A1. Автор: Xiaobing Chen,Yu-Hsien Li,Daochu Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for forming a semiconductor memory device

Номер патента: US20240260489A1. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240306370A1. Автор: Jang Eun Lee,Byoung Hoon Lee,Sungnam LYU,Hyo Jung Noh,Eul Ji JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240315036A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Shin Ishimatsu,Daisuke Nishida,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Wataru Matsuura,Junichi KANEYAMA,Tomoyuki Takemoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method for fast binaural rendering of complex acoustic scenes

Номер патента: US09641951B2. Автор: James Edward West,Joshua David Atkins. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-02.

Multi-level magnetic tunnel junction nor device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20240090236A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Multi-level magnetic tunnel junction NOR device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US11864392B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Systems and methods for initializing bandgap circuits

Номер патента: US20210232171A1. Автор: Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100032747A1. Автор: Takayuki Okamura,Keiko ARIYOSHI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240224501A1. Автор: Kang-Uk Kim,Jooncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Process for producing sintered thermoelectric semiconductor and sintered thermoelectric semiconductor

Номер патента: US6147293A. Автор: Makoto Yamazaki,Satoru Hori,Masayoshi Ando,Hitoshi Tauchi,Joji Hachisuka. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-14.

Apparatus and method for determining electrical properties of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1363323A3. Автор: William H. Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09981471B2. Автор: Fabrizio Porro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-29.

Climbing product having an extendable section lock assembly, and methods for using and producing a climbing product

Номер патента: EP3945200A1. Автор: Thomas W. Parker,Scott J. Rote,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER,III Philip M. Anthony. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2022-02-02.

Climbing Product Having an Extendable Section Lock Assembly, and Methods for Using and Producing a Climbing Product

Номер патента: US20220034164A1. Автор: Thomas W. Parker,Scott J. Rote,Philip M. Anthony, III,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2022-02-03.

Climbing product having an extendable section lock assembly, and methods for using and producing a climbing product

Номер патента: CA3126531A1. Автор: Thomas W. Parker,Scott J. Rote,Philip M. Anthony,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2022-01-30.

Method for processing and producing a surface with a degree of lustre

Номер патента: US20040239003A1. Автор: Oliver Espe,Rolf Espe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Method for forming saw-cuts into a semiconductor product

Номер патента: NL2034529B1. Автор: Hermans Mark. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-10-14.

System and method for scheduling manufacturing jobs for a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: US20050203654A1. Автор: Hui-Tang Liu,Ko-Pin Chang,Jui-An Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

System and method for analyzing crosstalk occurring in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7519932B2. Автор: Toshiyuki Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Climbing product having an extendable section lock assembly, and methods for using and producing a climbing product

Номер патента: EP3945199A1. Автор: Thomas W. Parker,David Pozgay,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER,Bryan E. WOLFS,III Philip M. Anthony. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2022-02-02.

Climbing product having an extendable section lock assembly, and methods for using and producing a climbing product

Номер патента: CA3126530A1. Автор: David S. Pozgay,Thomas W. Parker,Philip M. Anthony, III,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER,Bryan E. WOLFS. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2022-01-30.

Climbing product having an extendable section lock assembly, and methods for using and producing a climbing product

Номер патента: CA3126528A1. Автор: David S. Pozgay,Thomas W. Parker,Philip M. Anthony, III,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER,Bryan E. WOLFS. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2022-01-30.

Climbing Product Having an Extendable Section Lock Assembly, and Methods for Using and Producing a Climbing Product

Номер патента: AU2023202288A1. Автор: David S. Pozgay,Bryan E. Rolfs,Thomas W. Parker,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER,Philip M. Anthony Iii. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2023-05-11.

Climbing Product Having an Extendable Section Lock Assembly, and Methods for Using and Producing a Climbing Product

Номер патента: AU2021209237A1. Автор: David S. Pozgay,Thomas W. Parker,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER,Bryan E. WOLFS,Philip M. Anthony Iii. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for machining and producing a toothed portion on a workpiece

Номер патента: US20230264280A1. Автор: Jürgen KRESCHEL. Владелец: Gleason Pfauter Maschinenfabrik GmbH. Дата публикации: 2023-08-24.

Bracket system and method for planning and producing a bracket system for the correction of tooth malpositions

Номер патента: US09700383B2. Автор: Christian Schiemann. Владелец: SIRONA DENTAL SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2017-07-11.

System and method for managing and producing a dataset image across multiple storage systems

Номер патента: US20190286528A1. Автор: Manan Patel,Stephen Wu,Prathamesh Deshpande. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Climbing product having an extendable section lock assembly, and methods for using and producing a climbing product

Номер патента: CA3126531C. Автор: Thomas W. Parker,Scott J. Rote,Philip M. Anthony,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2023-12-12.

A method for manufacturing a product according to a production plan including a plurality of production steps and a manufacturing facility

Номер патента: WO2016134761A1. Автор: Jan-Gregor Fischer,Michael Pirker,Silvio Becher,Steffen Lamparter,Dagmar Beyer. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2016-09-01.

Climbing product having an extendable section lock assembly, and methods for using and producing a climbing product

Номер патента: EP4242414A2. Автор: David S. Pozgay,Thomas W. Parker,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER,Bryan E. WOLFS,III Philip M. Anthony. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for placing operational cells in a semiconductor device

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Asher BERKOVITZ. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-27.

Assembly of conducting tracks, device, and method for the fault detection of a semiconductor circuit

Номер патента: US20180143243A1. Автор: Franz Dietz,Lichao Teng,Markus OST. Владелец: Autolus Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for measuring the poisson' s ratio and the residual stress of a material

Номер патента: EP2805145A1. Автор: Marco Sebastiani,Edoardo Bemporad. Владелец: Universita degli Studi di Roma Tre. Дата публикации: 2014-11-26.

Method for determining the temperature of a semiconductor component

Номер патента: US20020101906A1. Автор: Wolfgang Spirkl,Jens Braun,Detlev Richter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Operating method for a vehicle drive train of a working machine including a drive motor, a transmission and an output

Номер патента: US20170203761A1. Автор: Jürgen LEGNER,Marcus Hiemer,Jan-Frederik Kuhn,Stephan Schinacher,Sven Bieber. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2017-07-20.

Reset signal generator and a method for generating reset signal of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7795932B2. Автор: Nak-Kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

System and method for vehicle flow synchronization with respect to a work machine in a material loading cycle

Номер патента: AU2022202362A1. Автор: Francois Stander,Jonathan Spendlove,Cory M. Ouellette. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for the creation of an iridescent effect on the surface of a material, and devices for carrying out said method

Номер патента: US11833616B2. Автор: Jean-Michel Damasse,Baptiste Latouche,Ismael Guillotte,Marcos Vinicius Lopes,Francis Diet. Владелец: Aperam SA. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for designing and producing a renovation element for a windowsi ll

Номер патента: NL2032442B1. Автор: Frederikus Antonius Steyvers Rick,Liefhebber Frederik,Gerardus Van Elk Michel,Matheus Hendrikus Steyvers Johannes. Владелец: Sip B V. Дата публикации: 2024-01-23.

Rotor blade, wind turbine and method for installing and producing a rotor blade

Номер патента: US11215162B2. Автор: Florian Rubner. Владелец: Wobben Properties GMBH. Дата публикации: 2022-01-04.

Method for Characterizing a Test Bench and Associated Method for Testing and Producing a Component

Номер патента: US20240176849A1. Автор: Jakob Bonart. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2024-05-30.

System and method for managing and producing a dataset image across multiple storage systems

Номер патента: US20160026538A1. Автор: Manan Patel,Stephen Wu,Prathamesh Deshpande. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Read process in a semiconductor memory device including a memory cell transistor

Номер патента: US10593405B2. Автор: Makoto Morimoto,Kan Shimizu,Yumi Takada,Shigehito Saigusa,Hitoshi Shiga,Ryuichi Fujimoto,Motoki NAGATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

System and method for managing and producing a dataset image across multiple storage systems

Номер патента: US11966301B2. Автор: Manan Patel,Stephen Wu,Prathamesh Deshpande. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

System and method for managing and producing a dataset image across multiple storage systems

Номер патента: US20220012133A1. Автор: Manan Patel,Stephen Wu,Prathamesh Deshpande. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

System and method for managing and producing a dataset image across multiple storage systems

Номер патента: US20190286529A1. Автор: Manan Patel,Stephen Wu,Prathamesh Deshpande. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

System and method for managing and producing a dataset image across multiple storage systems

Номер патента: US20140359235A1. Автор: Manan Patel,Stephen Wu,Prathamesh Deshpande. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

System and method for managing and producing a dataset image across multiple storage systems

Номер патента: US20180024891A1. Автор: Manan Patel,Stephen Wu,Prathamesh Deshpande. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Climbing product having an extendable section lock assembly, and methods for using and producing a climbing product

Номер патента: EP4253713A2. Автор: Thomas W. Parker,Scott J. Rote,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER,III Philip M. Anthony. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2023-10-04.

Climbing product having an extendable section lock assembly, and methods for using and producing a climbing product

Номер патента: EP4242414A3. Автор: David S. Pozgay,Thomas W. Parker,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER,Bryan E. WOLFS,III Philip M. Anthony. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2023-11-01.

Climbing product having an extendable section lock assembly, and methods for using and producing a climbing product

Номер патента: EP4253713A3. Автор: Thomas W. Parker,Scott J. Rote,Tek LENTINE,Jackson W. MILLER,III Philip M. Anthony. Владелец: Werner Co. Дата публикации: 2023-11-01.

Methods and systems for capturing carbon dioxide and producing a fuel using a solvent including a nanoparticle organic hybrid material and a secondary fluid

Номер патента: US09662608B2. Автор: Ah-Hyung Alissa Park,Camille PETIT,Youngjune Park,Kun-yi Andrew LIN. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2017-05-30.

Systems and methods for sealing and dissecting tissue using an electrosurgical forceps including a thermal cutting element

Номер патента: EP4125655A1. Автор: Michael B. Lyons,Daniel A. Joseph,Iv James D. Allen,William E. Robinson,John A. Hammerland,Ken Netzel. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2023-02-08.

Systems and methods for sealing and dissecting tissue using an electrosurgical forceps including a thermal cutting element

Номер патента: WO2021202044A1. Автор: Michael B. Lyons,Daniel A. Joseph,Iv James D. Allen,William E. Robinson,John A. Hammerland,Ken Netzel. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2021-10-07.

System and method for improving the detection efficiency of an identification system including a transponder and a reader

Номер патента: US20070046429A1. Автор: Enrico Malacarne,Carlo Mutti,Mauro Di Domenico,Hassan-Zade Parvis. Владелец: DATAMARS SA. Дата публикации: 2007-03-01.

Method for oligomerisation in a reactor comprising variable-diameter zones, including a step of recycling a pre-cooled solvent

Номер патента: AU2022283549A1. Автор: Pierre-Alain BREUIL,Olivier COTTE. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2023-12-07.

System and method for power generation using a hybrid geothermal power plant including a nuclear plant

Номер патента: AU2012286516B2. Автор: Garry HINE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-09.

Method and device for producing a three-dimensional shaped object by means of layer-by-layer material application

Номер патента: US11745411B2. Автор: Martin Bohn,Hans Mathea. Владелец: DP Polar GmbH. Дата публикации: 2023-09-05.

Process for producing metal oxides

Номер патента: US09963354B2. Автор: Michael Hagemann,Christian Schulze Isfort. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Glycan, and method for producing medicine containing glycan

Номер патента: US20240279364A1. Автор: Keisuke Suzuki,Tsuyoshi Ueda,Ryusei Itoh. Владелец: Daiichi Sankyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing dental prosthesis, method for producing lithium disilicate blank for dental prosthesis and lithium disilicate blank for dental prosthesis

Номер патента: US20190328495A1. Автор: Tatsuya Fujimoto,Tomohiro Hoshino,Masatoshi Yoshinaga,Go Mashio,Hayato YOKOHARA,Daisuke Ohta. Владелец: GC Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Multipoint sensor for determining an existing temperature profile of a medium, and method for producing same

Номер патента: US20190003894A1. Автор: Alfred Umkehrer,Luca Palma. Владелец: Endress and Hauser Wetzer GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for producing copolymer for semiconductor lithography containing reduced amount of metal impurities, and method for purifying polymerization initiator for production of copolymer

Номер патента: US09546133B2. Автор: Youji Suzuki. Владелец: Maruzen Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for producing a transmissive optics

Номер патента: AU2017376731B2. Автор: Reinhart Poprawe,Edgar Willenborg,Axel Von Wallfeld,Christian Fornaroli,Christian Weingarten,Uwe Clasen. Владелец: Aixlens GmbH. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for producing chloroprene graft copolymer latex, adhesive containing same and adhesion method

Номер патента: US12018109B2. Автор: Naoki Sekioka,Noriko Ogawa,Masanao Kamijo. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for producing composite material molded article, method for producing retainer and rolling bearing, and method for producing gearbox constituent component

Номер патента: US20240269946A1. Автор: Tomoaki Matsumoto,Takuya Tsunemasu. Владелец: NSK LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods and systems for producing improved fermented beverage concentrate

Номер патента: WO2024136896A1. Автор: Patrick J. Tatera,Raphael BROH. Владелец: Sustainable Beverage Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for cultivating a crop, crop production unit and crop production system

Номер патента: WO2018101829A2. Автор: Martinus Kers,Klaas Heijmans,Leendert Pieter Jacob van Duijn. Владелец: Plantlab Groep B.V.. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for producing platinum group alloy

Номер патента: US20170043393A1. Автор: Yoshinori Doi,Daisuke Kon. Владелец: Ishifuku Metal Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for producing (meth)acrylic monomer

Номер патента: US20240217914A1. Автор: Kiyoshi Tsunoda,Akiyori Hagimoto,Yukari Deguchi,Tomohisa Yamauchi. Владелец: Microwave Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for producing platinum group alloy

Номер патента: US09737931B2. Автор: Yoshinori Doi,Daisuke Kon. Владелец: Ishifuku Metal Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Hexagonal boron nitride powder and method for producing same, and cosmetic preparation and method for producing same

Номер патента: US20240277586A1. Автор: Ryuki MATSUI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing resin composition comprising modified microfibrillated plant fibers, and same resin composition

Номер патента: US09512304B2. Автор: Hiroyuki Yano,Akihiro Sato,Kazuo Kitagawa,Hiroaki Okumura,Fumiaki Nakatsubo,Tomoaki Yoshimura,Kazuhiro Shintani,Takeshi Semba,Yuko Igarashi,Hiromasa Kataoka,Daisuke Kabusaki. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for producing waterproof organic thin film

Номер патента: US20130209691A1. Автор: Shoichi Matsuda,Hiroshi TOMOHISA,Tadayuki Kameyama,Toru Umemoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for producing transition metal-isocyanide complex

Номер патента: US20200071347A1. Автор: Hideo Nagashima,Daisuke Noda,Koji Sakuta,Atsushi Sanagawa. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2020-03-05.

Method and apparatus for producing regulatory-compliant software

Номер патента: US20160188436A1. Автор: Glen de Vries,Isaac Wong,Johnlouis PETITBON,Anthony Hewer. Владелец: Medidata Solutions Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for producing heterophasic propylene polymerization material and method for producing olefin polymer

Номер патента: US20240301100A1. Автор: Masaki Ito,Masayuki Hasegawa,Katsumi Sakakibara. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for producing multilayer film

Номер патента: US20200223205A1. Автор: Kohei NAKASHIMA,Hideaki YAMBE. Владелец: Riken Technos Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Apparatus and method for recording fresnel holograms

Номер патента: US20160320751A1. Автор: Joseph Rosen. Владелец: Celloptic Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Apparatus and method for recording fresnel holograms

Номер патента: US20130258430A1. Автор: Joseph Rosen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-03.

Apparatus and method for recording fresnel holograms

Номер патента: US20110267665A1. Автор: Joseph Rosen. Владелец: Celloptic Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Apparatus and method for recording fresnel holograms

Номер патента: US20170293262A1. Автор: Joseph Rosen. Владелец: Celloptic Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Apparatus and method for recording Fresnel holograms

Номер патента: US09690255B2. Автор: Joseph Rosen. Владелец: Celloptic Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Apparatus and method for recording fresnel holograms

Номер патента: US09417609B2. Автор: Joseph Rosen. Владелец: Celloptic Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Vinyl sulfonic anhydride, method for its preparation and method for producing vinylsulfonyl fluoride

Номер патента: RU2762629C1. Автор: Нобуюки УЕМАЦУ,Ясухиро Нагато,Кенити ЯКИГАЯ,Хидеки ДАТЕ,Акитаке НАКАМУРА. Владелец: Асахи Касеи Кабусики Кайся. Дата публикации: 2021-12-21.

Method for producing a totally endogenous bioengineered tissue and tissue obtained thereby

Номер патента: EP3137594A1. Автор: Paolo Netti,Giorgia Imparato,Costantino CASALE,Francesco Urciuolo,Sara SCAMARDELLA. Владелец: FONDAZIONE ISTITUTO ITALIANO DI TECNOLOGIA. Дата публикации: 2017-03-08.

Coloring composition and method for producing film

Номер патента: US20190113840A1. Автор: Kaoru Aoyagi,Hisamitsu Tomeba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for producing mature adipocyte-containing composition

Номер патента: US20230174941A1. Автор: Hiroko Yanaga,Katsu Yanaga. Владелец: Medical Corp Yanaga Clinic. Дата публикации: 2023-06-08.

System and method for powder manufacturing

Номер патента: US12059725B2. Автор: John E. Barnes,Christopher B. ALDRIDGE. Владелец: Metal Powder Works LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Cell composition, method for producing cell composition, and pharmaceutical composition containing cell composition

Номер патента: US20240254441A1. Автор: Shinichiro Takayanagi,Ken Fukumoto. Владелец: Kirin Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for producing radiation-sensitive resin composition

Номер патента: US12122883B2. Автор: Kenichi Harada,Takumi Tanaka,Hiroyuki Ezoe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for producing hydrogenated conjugated diene copolymer

Номер патента: US09546238B2. Автор: Yoshifumi Araki,Eiji Sasaya,Kenta SHIBUYA. Владелец: Asahi Kasei Chemicals Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Reinforced thermoplastic composite material and a method for the production thereof

Номер патента: RU2670896C1. Автор: Андрей Евгеньевич Ушаков,Юрий Георгиевич Кленин,Татьяна Георгиевна СОРИНА,Денис Сергеевич Цветков,Алексей Сергеевич Соловьев,Александр Хайдярович ХАЙРЕТДИНОВ,Максим Андреевич Хруленко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Прикладные перспективные технологии АпАТэК" (ООО НПП "АпАТэК"). Дата публикации: 2018-10-25.

Method for producing photoresponsive nanoparticle with perovskite-type crystalline structure

Номер патента: US20240174528A1. Автор: Takayuki Teshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for producing thin film magnetic head having magnetoresistive effect element

Номер патента: US20110100953A1. Автор: Daisuke Miyauchi,Kosuke Tanaka,Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Method for producing liquid mixture, liquid mixture, and solid composition

Номер патента: EP4417220A1. Автор: Yutaka Okuda,Isamu Saeki,Kayo Yuminoki,Tatsuya Honjo,Yoshihito YAMASHITA. Владелец: Towa Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Vehicle seating system and method for producing same

Номер патента: EP4440877A2. Автор: William Webster,Joshua Hallock,Samuel Blair,David Abdella,Patrick J. Carlsen. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for producing thiocarbonylthio group-removed polymer

Номер патента: US20230391898A1. Автор: Kenji Wada. Владелец: Fujifilm Wako Pure Chemical Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Hexagonal boron nitride powder, and method for producing same

Номер патента: EP4299511A1. Автор: Shota Daiki,Tomoyuki Kakigi. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for creating biomarker set for detecting cancer

Номер патента: EP4417704A1. Автор: Naoko Yamaguchi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for producing glass sheet, and glass sheet

Номер патента: US20160340231A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yasuhiro Saito,Kazuishi Mitani,Hirotaka Koyo,Keiko TSURI. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for producing pellets, method for producing resin molded article, and pellets

Номер патента: US11999081B2. Автор: Yuichiro Sumi,Shigeki Kuroki. Владелец: TBM Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for producing halogenated zinc phthalocyanine pigment

Номер патента: US12139615B2. Автор: Mayumi Tokuoka,Kentaro Oishi,Katsunori Shimada,Keisuke Sakamoto,Ryousuke Asami. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

System and method for producing methane from a methane hydrate formation

Номер патента: NO20181506A1. Автор: Xiaowei Wang,Terry Bussear,Ian AYLING. Владелец: Baker Hughes a GE Co LLC. Дата публикации: 2018-11-23.

Method for manufacturing chloroprene-based polymer composition, chloroprene-based polymer composition, dip-molded body and method for manufacturing dip-molded body

Номер патента: US20240309197A1. Автор: Naoki Kobayashi,Gaito Kiyofuji,Seiya TOMIZAWA. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: US20050216799A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375B1. Автор: Mohamed c/o NXP Semiconductors AZIMANE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-05-21.

Method for roll-to-roll imprinting of components

Номер патента: WO2020120836A1. Автор: Olli-Heikki Huttunen,Johanna Hiitola-Keinänen,Jenni TOMPERI. Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY. Дата публикации: 2020-06-18.

Composite laminate and method for producing same, and metal resin bonded product and method for producing same

Номер патента: US11773286B2. Автор: Kazuo Otani,Shinji Numao. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Systems and methods for improving input signal quality in memory devices

Номер патента: WO2019160589A1. Автор: Michael V. Ho. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-08-22.

Method for producing a fuel rod

Номер патента: US6103996A. Автор: Eiji Yoneda,Mitsuteru Sugano. Владелец: Mitsubishi Nuclear Fuel Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Portion capsule and method for producing a beverage by means of a portion capsule

Номер патента: US20230286733A1. Автор: Günter EMPL. Владелец: K Fee System Gmbh. Дата публикации: 2023-09-14.

Device and method for producing group iii nitride crystal

Номер патента: US20240271323A1. Автор: Masayuki Hoteida,Shunichi Matsuno,Junichi TAKINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing water-insoluble molded article and water-insoluble molded article

Номер патента: US09879124B2. Автор: Yasuyuki Isono,Yasuharu Noishiki. Владелец: Dainichiseika Color and Chemicals Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Polypeptide particle and method for producing same

Номер патента: US09732125B2. Автор: Keisuke Morita,Toshiaki Osawa. Владелец: Spiber Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for producing a three-dimensional photonic crystal using a double inversion technique

Номер патента: CA2573935C. Автор: Geoffrey A. Ozin,Martin Wegener,Georg Ludwig Eberhard Von Freymann,Markus Deubel,Nicolas Tetreault. Владелец: Forschungszentrum Karlsruhe GmbH. Дата публикации: 2013-05-21.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing introduction of dislocation into aluminum nitride growth layer

Номер патента: US20230392282A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara,Taku Murakawa. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-12-07.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Method for producing a panel with a wood based core and a surface layer comprising a thermosetting resin

Номер патента: US09757928B2. Автор: DARKO PERVAN,Tony Pervan. Владелец: CERALOC INNOVATION AB. Дата публикации: 2017-09-12.

Color filter, method for fabricating same, and display panel

Номер патента: US20240192542A1. Автор: Hailong Wen,Yuxiu Zhang. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for producing fine metal hydroxide particles

Номер патента: US20110230673A1. Автор: Yoshiyuki Miyoshi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Method for determining a sampling scheme, a semiconductor substrate measurement apparatus, a lithographic apparatus

Номер патента: EP4235306A3. Автор: Roy Werkman,Erik Jensen,Paul DERWIN,Pieter Gerardus Jacobus SMORENBERG,Putra SAPUTRA,Khalid ELBATTAY,Hyun-Woo Yu,Gautam SARMA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for manufacturing granulated bodies for lithium adsorption

Номер патента: EP4414065A1. Автор: Osamu Ikeda,Satoshi Asano,Masatoshi Takano,Shin-Ichi Heguri,Yohei KUDO,Shin-ya MATSUMOTO. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Anti-pollution eco-friendly material and method for preparing the same

Номер патента: US20240238176A1. Автор: Changsik Song,Younchul KIM,Hwi Hyun MOON. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170722A1. Автор: Young-Jun Ku,Tae-Sik Yun,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Radiation detector and method for producing same

Номер патента: US20230384468A1. Автор: Masashi Yamasaki,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Job Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for producing inner ear stria vascularis marginal cells, chemical agent assessment method, and cell culture for assessing chemical agent

Номер патента: EP4397750A1. Автор: Masato Fujioka,Hideyuki Okano,Chika SAEGUSA. Владелец: Kitasato Institute. Дата публикации: 2024-07-10.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20080062799A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20060221745A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

System and Method for Processing High Purity Materials

Номер патента: US20100307602A1. Автор: Todd Graves,David Kandiyeli,Rhey Yang. Владелец: Mega Fluid Systems Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

System and method for producing methane from a methane hydrate formation

Номер патента: WO2017196462A1. Автор: Xiaowei Wang,Terry Bussear,Ian AYLING. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2017-11-16.

Catalyst for producing carbon nanotubes

Номер патента: US20240286116A1. Автор: Sung Eun Park,Ki Hwan Kim,Eun Jeong Lee,Eui Tae Kim,Eu Gene Oh,Geun Sung LEE. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for producing optically active carboxylic acid ester

Номер патента: US09796640B2. Автор: Isamu Shiina. Владелец: Tokyo University of Science. Дата публикации: 2017-10-24.

Crystal of pyrrole derivative and method for producing the same

Номер патента: US09776961B2. Автор: Hiroshi Nagasawa,Noritada Sato,Masashi Watanabe,Takahiro Okachi,Michiaki KAWAHARA,Takashi Takita,Gen Hasegawa. Владелец: Daiichi Sankyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Crystal of pyrrole derivative and method for producing the same

Номер патента: US09676713B2. Автор: Hiroshi Nagasawa,Noritada Sato,Masashi Watanabe,Takahiro Okachi,Michiaki KAWAHARA,Takashi Takita,Gen Hasegawa. Владелец: Daiichi Sankyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Crystal of pyrrole derivative and method for producing the same

Номер патента: US09499483B2. Автор: Hiroshi Nagasawa,Noritada Sato,Masashi Watanabe,Takahiro Okachi,Michiaki KAWAHARA,Takashi Takita,Gen Hasegawa. Владелец: Daiichi Sankyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Composition of soap bars and methods for production thereof

Номер патента: RU2605426C1. Автор: Лун ПАНЬ,Джайраджх МАТТАИ,Кристин БОЙК,Дунхой У.,Диана СКАЛА,Миньли ШИ,Диана КЕРЛИ. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for partial upgrading of heavy oil and bitumen

Номер патента: RU2664102C2. Автор: Стив Кресняк. Владелец: Экспендер Энерджи Инк.. Дата публикации: 2018-08-15.

Apparatus and method for pressing ceramic powder

Номер патента: RU2705685C1. Автор: Стефано СКАРДОВИ,Клаудио РИЧЧИ. Владелец: Сакми Кооператива Мекканичи Имола Сочиета' Кооператива. Дата публикации: 2019-11-11.

Method for fabricating carbon-based composite material

Номер патента: US20170159205A1. Автор: I-Nan Lin. Владелец: Tamkang University. Дата публикации: 2017-06-08.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Gas sensor comprising carbon structure having high adsorption performance for gas and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240255456A1. Автор: Jung Hwan Seo. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Hongik University. Дата публикации: 2024-08-01.

Heating module and program control method for pumping line of semiconductor processing tool

Номер патента: US20240360551A1. Автор: CHUN Chang,Chih-Yuan Wang,Yi-Ming Lin,Sheng-chun YANG,Weigang Wu,Xuan-Yang Zheng,Ren-Jyue Wang,Che Kang Liu,Kaijun Jan,Tzu-Chuan Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Valve for throttling gas flow from a semiconductor processing tool

Номер патента: US12055228B2. Автор: Chang Chun,Yi-Ming Lin,Sheng-chun YANG,Po-Chih Huang,Xuan-Yang Zheng,Ren-Jyue Wang,Tzu-Chuan Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for reducing glass-ceramic surface adhesion, and pre-form for the same

Номер патента: US09556055B2. Автор: Sumalee Likitvanichkul,Sophie Peschiera,William Edward Lock. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing three dimensional shaped object and three dimensional shaping device

Номер патента: US20230166444A1. Автор: Satoshi Yamazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20150371692A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Plant and method for the production of hydrogen with the use and storage of CO2 using fuels

Номер патента: US11702605B2. Автор: Giovanni Cappello,Dennis Alexander ROSS MORREY,Valdis Bisters,Juris Kalviss. Владелец: Bluerevo Ip BV. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor component, assembly and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US20200386795A1. Автор: Kenichi Suzuki,Kenichi Yoshida,Kazuyuki Sashida,Shinji Kunori,Mizue Yamaji. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor component, assembled body, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: EP3715867A1. Автор: Kenichi Suzuki,Kenichi Yoshida,Kazuyuki Sashida,Shinji Kunori,Mizue Yamaji. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Heat transfer element, method for forming the same and semiconductor structure comprising the same

Номер патента: US12111114B2. Автор: Po-Cheng Huang,Shin-Luh Tarng,Ian HU,Hung-Hsien Huang,Chien-Neng Liao,Jui-Cheng Yu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for producing saccharides containing glucose as main component

Номер патента: US09868968B2. Автор: Daisuke Taneda. Владелец: JGC Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device and method for transferring weak cell information

Номер патента: US09697885B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device, method for designing semiconductor memory device, and recording medium having designing method recorded therein

Номер патента: US09639649B2. Автор: Satoshi Yamano,Jumpei Sato,Tsuyoshi ETOU,Osamu OOTO,Souichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory and method for operating the same

Номер патента: US09601184B2. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for coating synthetic polymer surface with biopolymer

Номер патента: US09585985B2. Автор: Shouji Ooya,Tetsuo Hiratou. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09406360B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Mix for producing a fire-resistant material, a fire-resistant material, a method for producing a fire-resistant material and use of a material as a sintering aid

Номер патента: CN104105677A. Автор: B.德祖里西克,R.尼利卡,K.桑托夫斯基. Владелец: Refractory Intellectual Property GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-10-15.

Polyurethane resin and method for producing the same

Номер патента: US20230159750A1. Автор: Te-Chao Liao,Sen-Huang Hsu,Chuan Chou. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Apparatus and method for controlling voltage of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090230943A1. Автор: Tae-Yong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

α+β or β titanium alloy and method for producing same

Номер патента: US09969004B2. Автор: Satoshi Sugawara,Osamu Kanou,Hideo Takatori. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing exfoliated graphite-polymer composite material

Номер патента: US09884934B2. Автор: Takuya Wada,Akira Nakasuga,Hiroshi Yoshitani,Shouji NOZATO. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Voltage generation circuit, semiconductor memory device including the same, and method for driving the same

Номер патента: US09508398B1. Автор: Jae-Boum Park,Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for calibrating an X-ray fluorescence spectrometer

Номер патента: SE1551044A1. Автор: Johansson Kurt,ERICSSON Kent. Владелец: MULTISCAT AB. Дата публикации: 2017-01-29.

Adhesive tape and method for manufacturing adhesive tape

Номер патента: EP4410914A1. Автор: Kohei Takeda,Shinsuke Ikishima,Sho UCHIDA,Kentaro UCHIDA. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20150371691A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor integrated circuit and unstable bit detection method for the same

Номер патента: US20090168539A1. Автор: Tomonori Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for Making a Microarray Block

Номер патента: US20240248015A1. Автор: William Scott Crawford,Regan Spencer Fulton,Trinh Kiet Hoac. Владелец: Array Science LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09595309B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

System and method for detecting liquid flow from a nozzle in a semiconductor processing device

Номер патента: US20060091335A1. Автор: Kenneth Roberts. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Method for preparing nota derivative

Номер патента: US20190276416A1. Автор: YU Chang,Cheng-Fang Hsu. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2019-09-12.

Assembling apparatus and assembling method for producing multicomponent smoking articles

Номер патента: EP4351365A2. Автор: Giuliano Gamberini,Dalia COPPI,Riccardo VASUMINI. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for producing swelling-inhibiting starch

Номер патента: EP4062768A1. Автор: Kazuki Morimoto,Hitoshi Takaguchi,Yohei Takagi,Misa Hirano. Владелец: Nihon Shokuhin Kako Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-28.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor apparatus capable of compensating for data output time and method for controlling the same

Номер патента: US20160042776A1. Автор: Sung Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for producing hydrocarbons

Номер патента: AU2023279401A1. Автор: Hirotaka Mori,Ken Obata,Keisuke Fujimoto,Koshi Takahama,Yuichi SIBATA. Владелец: Eneos Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Chimeric nucleic acid oligomer including phosphorothioate and boranophosphate, and method for producing same

Номер патента: US20240262859A1. Автор: Kazuki Sato,Takeshi Wada,Yuhei Takahashi. Владелец: Tokyo University of Science. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for manufacturing lens, apparatus for manufacturing lens, and method for manufacturing optical apparatus

Номер патента: US20120061864A1. Автор: Toshiki Ito,Kenichi Akashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-03-15.

Magnetic sensor and method for manufacturing magnetic sensor

Номер патента: US12117507B2. Автор: Akira Sakawaki,Yasumasa Watanabe,Daizo Endo,Tatsunori SHINO,Sho TONEGAWA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Apparatus and method for testing semiconductor

Номер патента: US09921267B2. Автор: Minjung Kim,Sangboo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for producing filler-containing fluororesin sheet

Номер патента: US09914259B2. Автор: Kenichi Tagawa,Yoshinari Takayama,Kimiaki Tauchi,Daisuke Kitagawa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for assessing the depth of a crack

Номер патента: US09874440B2. Автор: Christine Boue,Gilles Tessier,Jean-Paul Roger,Mihaela Streza. Владелец: Universite Pierre et Marie Curie Paris 6. Дата публикации: 2018-01-23.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor optical modulator and method for manufacturing semiconductor optical modulator

Номер патента: US09523871B2. Автор: Hideki Yagi,Hirohiko Kobayashi,Masataka Watanabe,Daisuke Kimura,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device for performing both of static test and dynamic test during wafer burn-in test and method for operating the same

Номер патента: US09520203B2. Автор: Geun-il Lee,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09519336B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Production method for fermented malt beverage and filtration method for fermented liquid

Номер патента: EP3909671A1. Автор: Kohei Watanabe,Shinichi Kosaka,Koji Hieda,Takeyuki FUJIWARA. Владелец: NGK Filtech Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Drill guide for a dental implant and a method for fabricating a drill guide

Номер патента: US09949807B2. Автор: Ulrich Orth,Sascha Schneider. Владелец: SIRONA DENTAL SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2018-04-24.

Unit and method for production of emulsions of fuel mixtures for producing explosive substances based on production waste

Номер патента: RU2765548C1. Автор: Никита Николаевич Ефремовцев,Павел Владимирович Комиссаров,Юрий Викторович Жданов,Саит Ряшитович Андержанов,Сергей Михайлович Левачев,Александр Евгениевич Харлов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью ООО "ТехНаНова". Дата публикации: 2022-02-01.

Glycan, and method for producing medicine containing glycan

Номер патента: EP4306546A1. Автор: Keisuke Suzuki,Tsuyoshi Ueda,Ryusei Itoh. Владелец: Daiichi Sankyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Glycan, and method for producing medicine containing glycan

Номер патента: CA3212691A1. Автор: Keisuke Suzuki,Tsuyoshi Ueda,Ryusei Itoh. Владелец: Daiichi Sankyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for producing pelletizing water and method for producing iron ore pellets

Номер патента: SE2251240A1. Автор: Koichi Morioka,Koji Osuga,Hitoshi TOYOTA. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Microfluidic manifold and method for determination of analyte concentration from temperature-compensated absorbance measurements

Номер патента: EP4359127A1. Автор: Todd Swanson,Timothy Schaefer,Adam Vaccari,Riley LITWILLER. Владелец: PRECISION PLANTING LLC. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor Memory Device and Method for Operating the Same

Номер патента: US20100290279A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Woo-Hyun Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20100085341A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor memory device and method for adjusting threthold voltage thereof

Номер патента: US11100975B2. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor memory apparatus and method for controlling programming current pulse

Номер патента: US20120057417A1. Автор: Yong Bok An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-08.

Semiconductor memory apparatus and a method for reading data stored therein

Номер патента: US20100157696A1. Автор: Kwan Weon Kim,Seung Wook Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20130083617A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device and operating method for controlling driving direction of word line

Номер патента: US20240265970A1. Автор: Moon Soo Sung,Chang Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory apparatus and method for driving the same

Номер патента: US20120250431A1. Автор: Ho Youb Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Methods for inhibiting scale formation in a hydrocarbon well

Номер патента: US09810040B2. Автор: Timothy I. Morrow,Geetha Mahadevan. Владелец: ExxonMobil Upstream Research Co. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09715923B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Lactic acid bacterium-containing beverage and method for producing same

Номер патента: AU2022318979A1. Автор: Takeshi Kokubo,Toshikazu Tsuji,Yu Hirose,Yoshihiko SUGIHARA,Hazuki MURAKAWA. Владелец: Kirin Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for Producing Cellulase Agent, and Method for Producing Saccharification/Fermentation Product in which said Cellulase Agent is Used

Номер патента: PH12020552268A1. Автор: Hideo Noda,Shinji Hama,Maki Kihara. Владелец: Kansai Chemical Eng Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-19.

Method for producing sugar solution

Номер патента: CA2935050C. Автор: Atsushi Minamino,Jumpei Kishimoto,Masashi Higasa,Yuka ASAHI. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2021-10-19.

Method for producing sugar solution

Номер патента: AU2015215753A1. Автор: Atsushi Minamino,Jumpei Kishimoto,Masashi Higasa,Yuka ASAHI. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2016-06-23.

Process for producing frozen fish meat and system for producing the same, and frozen red fish meat

Номер патента: US20160227796A1. Автор: Shinji Kono,Toshio Omura,Madoka Kon,Hayato Usami. Владелец: Mayekawa Manufacturing Co. Дата публикации: 2016-08-11.

System and method for producing rod-shaped steels

Номер патента: US20240271244A1. Автор: Nicola Redolfi,Michael KÖBERICH. Владелец: SMS group GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and operating method for target refresh operation based on number of accesses

Номер патента: US20240274182A1. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Spreading device and method for producing a multilayer spread mat for pressing into a material board, and material board

Номер патента: CN107443538B. Автор: G·冯哈斯. Владелец: Dieffenbacher GmbH Maschinen und Anlagenbau. Дата публикации: 2022-08-30.

A fiber bale and a method for producing the same

Номер патента: WO2006121555A3. Автор: William Sanderson. Владелец: Celanese Acetate LLC. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for producing indium tin oxide particles and method for producing curable composition

Номер патента: US20210162500A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for producing water-soluble polymer and method for producing water-absorbing resin

Номер патента: AU2022251740A1. Автор: Atsushi Tanaka,Tomoyuki Nishimoto,Manabu Miyata,Tetsuya Hosomi,Takahiro Nozaki,Kusuo OTA. Владелец: Hayashibara Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for producing film laminate

Номер патента: EP4316838A1. Автор: Takejiro Inoue,Yurika KAWAI. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for producing carbonic ester

Номер патента: US11970442B2. Автор: Hidefumi Harada,Takehiko Isobe,Hongyu Liu,Yousuke Shinkai,Ryotaro Umezu. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for producing lithium compound

Номер патента: AU2018440774A1. Автор: Dong Soo Kim,Hyun Woo Lee,Juyoung Kim,Kiyoung Kim,Gi-Chun Han,Kee Uek Jeung,Sang Won Kim,Woo Chul Jung,Kwang Seok Park,Sang Gil Lee,Jung Kwan Park,Young-Seon KO,Young Su Kwon,Jin Yeop WI,Woonkyung PARK. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Absorbing articles comprising water absorbing resin and method for producing the same

Номер патента: EP3157589A1. Автор: Peter Dziezok,Yoshiro Mitsukami,Kazuyuki Oshima,Taku Fujimoto,Marion Lutsche,Erina Minami,Gabriela Schaefer. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-04-26.

A fiber bale and a method for producing the same

Номер патента: WO2006121555A8. Автор: William Sanderson,Johan Detaille. Владелец: Celanese Acetate LLC. Дата публикации: 2007-12-27.

A fiber bale and a method for producing the same

Номер патента: WO2006121555A2. Автор: William Sanderson,Johan Detaille. Владелец: Celanese Acetate LLC. Дата публикации: 2006-11-16.

Method for producing conjugated diene polymer

Номер патента: US20190144587A1. Автор: Fumiaki Bando. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for producing composite material molded article, method for producing retainer and rolling bearing, and method for producing gearbox constituent component

Номер патента: EP4338941A1. Автор: Tomoaki Matsumoto,Takuya Tsunemasu. Владелец: NSK LTD. Дата публикации: 2024-03-20.

Method for producing indium tin oxide particles and method for producing curable composition

Номер патента: US11975390B2. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for producing laminated film

Номер патента: US20240166916A1. Автор: Takejiro Inoue,Yurika KAWAI. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-05-23.

System and method for scheduling manufacturing jobs for a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: TW200530893A. Автор: Hui-Tang Liu,Ko-Pin Chang,Jui-An Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-09-16.

System for producing magnesium chloride aqueous solution and system for producing magnesium

Номер патента: US20230030186A1. Автор: Yoshiaki Ito,Masashi Kiyosawa,Kazuhisa Takeuchi. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Devices for producing clear ice products

Номер патента: US20240167747A1. Автор: Nathan Ernst,Ashok Kumar Notaney,Todd Stevenson,James Anthony COLLER,Andrew James Whalen,Larry Allen Mercier, JR.,Kayla Curtis,Guerin Rowland. Владелец: Abstract Ice Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Devices for producing clear ice products

Номер патента: WO2024177741A1. Автор: Nathan Ernst,Ashok Kumar Notaney,Todd Stevenson,James Anthony COLLER,Andrew James Whalen,Kayla Curtis,Guerin Rowland,Larry Allen MERCIER. Владелец: Abstract Ice, Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Devices for producing clear ice products

Номер патента: WO2024112761A1. Автор: Nathan Ernst,Ashok Kumar Notaney,Todd Stevenson,James Anthony COLLER,Andrew James Whalen,Kayla Curtis,Guerin Rowland,Larry Allen MERCIER. Владелец: Abstract Ice, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

Devices and methods for gastrointestinal bypass

Номер патента: US09675489B2. Автор: Cole Chen,Jon St. Germain,Johann Neisz,C. Daniel Smith. Владелец: ValenTx Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Electronic device and method for driving the same

Номер патента: US09607713B1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Devices and methods for gastrointestinal bypass

Номер патента: US09566181B2. Автор: Jesse N. Nelson,Christopher Thierfelder,Heather BENOIT. Владелец: ValenTx Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Devices and methods for gastrointestinal bypass

Номер патента: US09451960B2. Автор: Cole Chen,Johann Neisz,Tyler HUNTLEY. Владелец: ValenTx Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Apparatus and method for moving an object and use in material removal processing of a material layer, in particular a concrete layer

Номер патента: SE508821C2. Автор: Stefan Hilmersson. Владелец: Aquajet Systems Holding AB. Дата публикации: 1998-11-09.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A1. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for producing (meth)acrylic monomer

Номер патента: EP4342876A1. Автор: Akiyori Hagimoto,Yukari Deguchi,Tomohisa Yamauchi,Kei KAKUTA. Владелец: Microwave Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Method for producing 3-hydroxyisobutyric acid ester and methacrylic ester

Номер патента: EP3760725A1. Автор: Kenji Oki,Fujio Yu,Yasuhisa Asano,Kozo Murao,Fumihiro Motojima. Владелец: Toyama Prefectural University. Дата публикации: 2021-01-06.

Method for Producing 3-Hydroxyisobutyric Acid Ester and Methacrylic Ester

Номер патента: US20200392546A1. Автор: Kenji Oki,Fujio Yu,Yasuhisa Asano,Kozo Murao,Fumihiro Motojima. Владелец: Toyama Prefectural University. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for producing a shaped sheet of wrapping

Номер патента: US11806811B2. Автор: Sergio Mansuino. Владелец: Soremartec SA. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for rescuing and producing a virus in avian cells

Номер патента: US12053518B2. Автор: Klaus Schwamborn,Luc Batard,Caroline FRESLON-EVAIN,Fabien PERUGI. Владелец: Valneva SE. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for producing a three-dimensional object with improved separation of hardened material layers from a building level

Номер патента: DE102004022606A1. Автор: Hendrik John,Alexandr Los Angeles Shkolnik,Ali Dearborn Heights El-Siblani. Владелец: Envisiontec GmbH. Дата публикации: 2005-12-15.

Methods for optimal use and enhanced estimation of corrosive oil products and fractions

Номер патента: RU2246725C2. Автор: Роберт Джон Луи ЧИМЕНТИ,Джералд Мартин ХАЛПЕРН,Патриши Х. КАЛАМАРАС,Патришия Х. КАЛАМАРАС,Майкл Пол АНДЕРСОН,Морин АЙАННУЧЧИ. Владелец: Экссонмобайл Рисерч Энд Энджиниринг Компани. Дата публикации: 2005-02-20.

Method for increasing concentration of sulfuric acid and equipment for use in this method

Номер патента: RU2762755C2. Автор: Мартин МЁЛЛЕРХОЙ. Владелец: ХАЛЬДОР ТОПСЕЭ А/С. Дата публикации: 2021-12-22.

Systems and methods for conserving power in signal quality operations for memory devices

Номер патента: US10438649B2. Автор: Michael V. Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Method and apparatus for producing regulatory-compliant software

Номер патента: US9767001B2. Автор: Glen de Vries,Isaac Wong,Johnlouis PETITBON,Anthony Hewer. Владелец: Medidata Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for producing liquid developer

Номер патента: US20190155180A1. Автор: Junji Ito,Waka Hasegawa,Ayano Mashida,Yasuhiro Aichi,Jun Shirakawa,Ryo Natori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for the simultaneous production of two or more fiber composite components and fiber composite component

Номер патента: US20200094488A1. Автор: Christian Freese,Reinhard Raphael. Владелец: Wobben Properties GMBH. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for producing fermented food or beverage, and anaerobic fermentation method

Номер патента: EP4299730A1. Автор: Takuma Hayashi,Masahiro KAMON,Shusaku Tada,Dai HASHIMURA,Kan Yamashiro. Владелец: Amano Enzyme Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor workpieces

Номер патента: WO2007008311A3. Автор: Steve Hummel,Andrzej Buczkowski. Владелец: Andrzej Buczkowski. Дата публикации: 2008-01-10.

System and method for producing a single- or multi-layer nonwoven

Номер патента: US20230304200A1. Автор: Thomas Weigert,Andreas Schilz,Kai Pöhler,Ralf Schröder. Владелец: Truetzschler Group SE. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor workpieces

Номер патента: WO2007008311A2. Автор: Steve Hummel,Andrzej Buczkowski. Владелец: Nanometrics Incorporated. Дата публикации: 2007-01-18.

Apparatus for producing three-dimensional multilayer model, method for producing three-dimensional multilayer model, and flaw detector

Номер патента: US11766824B2. Автор: Takeru OOHASHI. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for producing coating liquid and method for producing thermal insulation material

Номер патента: EP4289911A1. Автор: Hiroshi Yokota,Hiroyuki Izumi,Kei Togasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for producing coating liquid and method for producing thermal insulation material

Номер патента: US20240166897A1. Автор: Hiroshi Yokota,Hiroyuki Izumi,Kei Togasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for producing textured plated steel sheet, and apparatus for producing textured plated steel sheet

Номер патента: US20240149394A1. Автор: Takuya Yokomichi,Takashi FUTABA,Yukihiro UESUGI. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and composition for producing target nucleic acid molecule

Номер патента: US20200131501A1. Автор: Jung Min Kim,Sung Hoon Kwon,Jin Sung NOH,Hui Ran YEOM,Tae Hoon RYU. Владелец: CELEMICS Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Patina solution, method for producing patina on object, and patina kit

Номер патента: US20160325296A1. Автор: Gregory B. Donnelly. Владелец: Patinanow LLC. Дата публикации: 2016-11-10.

Method for producing fermented food or beverage, and anaerobic fermentation method

Номер патента: US20240057625A1. Автор: Takuma Hayashi,Masahiro KAMON,Shusaku Tada,Dai HASHIMURA,Kan Yamashiro. Владелец: Amano Enzyme Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Production method for radiation-sensitive resin composition

Номер патента: EP3992713A1. Автор: Kenichi Harada,Takumi Tanaka,Hiroyuki Ezoe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Ink composition, inkjet recording method and process for producing molded printed material

Номер патента: EP2371910A9. Автор: Kyohei MOCHIZUKI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

System and method for translating natural language traffic rules into formal logic for autonomous moving vehicles

Номер патента: WO2024046787A1. Автор: Stefan ZWICKLBAUER,Daniel Bar,Raffael Schön,Kumar Manas. Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for optimizing element sizes in a semiconductor device

Номер патента: TW445511B. Автор: Joseph Norton,David Blaauw,Satyamurthy Pullela,Timothy J Edwards,Abhijit Dharchoudhury. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Apparatus and method for transmitting/receiving signals at high speed

Номер патента: US20090059689A1. Автор: Jae-il Kim,Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Circuits and methods for changing page length in a semiconductor memory device

Номер патента: TW200425162A. Автор: Yun-sang Lee,One-gyun La. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Electronic device and method for driving the same

Номер патента: US09773548B2. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for forming ice cubes in an ice making device

Номер патента: US09599386B2. Автор: Alexandre D. Grosse,Adriana Syliva Guillen. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Microelectrochemical sensor and method for operating a microelectrochemical sensor

Номер патента: US09513250B2. Автор: Andreas Krauss,Richard Fix,Denis Kunz,Philipp Nolte,Kathy Sahner. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for producing press-molded article and production line thereof

Номер патента: EP3441153A1. Автор: Keiji Ogawa,Ryuichi Nishimura,Yoshiaki Nakazawa,Junki NATORI. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2019-02-13.

Apparatus for detecting acceleration and method for testing this apparatus

Номер патента: US5295386A. Автор: Kazuhiro Okada. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-03-22.

Device and method for calibrating an irradiation system of an apparatus for producing a three-dimensional work piece

Номер патента: US20190070788A1. Автор: Jan Wilkes,Lukas Roesgen. Владелец: SLM Solutions Group AG. Дата публикации: 2019-03-07.

System and method for producing custom fitted face masks and applications thereof

Номер патента: US11887320B1. Автор: Christopher Sullivan,Matthew Williams,Matthew Sullivan. Владелец: Oceanit Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for determining operation conditions for a selected lifetime of a semiconductor device

Номер патента: WO2015050487A1. Автор: Enar Sundell. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2015-04-09.

Method for producing radiation-sensitive resin composition

Номер патента: US20220081518A1. Автор: Kenichi Harada,Takumi Tanaka,Hiroyuki Ezoe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for producing electrostatic charge image development toner

Номер патента: US20230305411A1. Автор: Kotaro Yoshihara. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for producing water-based polyester resin, water-based polyester resin, and water-based coating composition

Номер патента: US20240174799A1. Автор: Teru SAKAKIBARA,Shinya Komabiki. Владелец: Goo Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for roll-to-roll imprinting of components

Номер патента: US11822235B2. Автор: Olli-Heikki Huttunen,Johanna Hiitola-Keinänen,Jenni TOMPERI. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for preparing 2,3,3,3-tetrafluoropropene

Номер патента: US20240208887A1. Автор: Jianjun Zhang,Xia Luo,Minyang LIU,Wanjin YU,Shengda LIN,Xinbao XIAO,Wucan LIU. Владелец: Zhejiang Chemical Industry Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for establishing estimation model for coke strength after reaction, method for estimating coke strength after reaction, and method for manufacturing coke

Номер патента: AU2022403278A1. Автор: Tetsuya Yamamoto,Masao Inose,Tomoharu Ishida,Sara Arakawa,Kohei Tandokoro. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Tool system for producing a workpiece by means of injection molding

Номер патента: US11872734B2. Автор: Dennis Beverung,Andreas Schubart. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-16.

Apparatus for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2107138A3. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-08-04.

Breeding method for yeast, yeast and a production method for glycoprotein or beta-glucan

Номер патента: US20080038778A1. Автор: Hiroko Abe,Kenichi Nakayama,Yasunori Chiba,Yoshifumi Jigami,Yuki Takaoka,Akiko Itadani. Владелец: Neo Morgan Laboratory Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Tool system for producing a workpiece by means of injection molding

Номер патента: US20210354351A1. Автор: Dennis Beverung,Andreas Schubart. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-11-18.

Systems and methods for initializing a memory system

Номер патента: US09983819B2. Автор: Matthew Sanchez,Brian D. HATFIELD,Richard A. Ripberger,Ellen J. GRUSY,Kurt A. Lovrien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Engine valve actuation mechanism for producing a variable engine valve event

Номер патента: US09732643B2. Автор: Zhou Yang. Владелец: Shanghai Universoon Auto Parts Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and device for producing a dental component

Номер патента: US09615902B2. Автор: Gilles Arnaud,Florent Miguel. Владелец: Biocad Medical Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Unit for producing ready-to-use fillers by mixing a binder component and a curing agent component

Номер патента: US09475015B2. Автор: Klaus-Wilhelm Voss. Владелец: VOSSCHEMIE GMBH. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for producing modified xylopolysaccharide

Номер патента: US10858685B2. Автор: Nobuaki Sato,Satoshi Makishima,Tsutomu Arai,Hirofumi Ikeda,Yousuke YAMAKAWA,Yoshihiko Amano. Владелец: B Food Science Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

Equipment for formation of liquid containing superfine bubbles and method for formation of liquid containing ultrafine bubbles

Номер патента: RU2768657C1. Автор: Акитоси ЯМАДА,Йосиюки ИМАНАКА,Масахико КУБОТА,Юми ЯНАИ,Хироюки ИСИНАГА,Теруо ОДЗАКИ,Икуо НАКАДЗАВА,Акира Ямамото,Тосио КАСИНО,Хироаки МИХАРА,Хироюки СИМОЯМА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for producing a free-form solid-phase object from a material in the liquid phase.

Номер патента: EP0538362A1. Автор: David W Gore. Владелец: David W Gore. Дата публикации: 1993-04-28.

Method for producing purified platelets, method for producing platelet product, method for producing blood product, platelet preserving solution, platelet preserving agent, and method for preserving platelets

Номер патента: US11773374B2. Автор: Hidenori Hirose,Junko TOMIZUKA,Haruki Okamoto,Hiroya TAKAHARA. Владелец: Megakaryon Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

SUBSTRATE PROCESSING INCLUDING A MASKING LAYER

Номер патента: US20120001320A1. Автор: Kumar Nitin,Duong Anh,Lang Chi-I,Chiang Tony P.,BOUSSIE Thomas R.,Malhotra Sandra G.,Fresco Zachary,Tong Jinhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR PRODUCING MULTILAYERED GAS-BARRIER FILM

Номер патента: US20120003500A1. Автор: . Владелец: MITSUBISHI PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

N,n-bis(1-adamantyl-1-ethylamine) hydrochloride and method for production thereof

Номер патента: RU2554004C1. Автор: Сергей Владимирович Моисеев,Вадим Анатольевич Меркулов,Вадим Анатольевич Яшкир,Владислав Игоревич Крылов,Александр Аркадьевич Кутин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научный центр экспертизы средств медицинского применения" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НЦЭСМП" Минздрава России). Дата публикации: 2015-06-20.

Method for producing strips of off-gauge lengths of pipe

Номер патента: RU2579856C2. Автор: Юрий Николаевич Логинов,Людмила Алексеевна Мальцева,Елизавета Александровна Батуева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-04-10.

Method for producing fire extinguishing jet and apparatus for producing fire-extinguishing jet

Номер патента: RU2582446C2. Автор: Виктор Алексеевич Пряничников,Александр Владимирович Пряничников,Владимир Васильевич Роенко,Андрей Дмитриевич Ищенко,Антон Владимирович Роенко,Сергей Петрович Храмцов,Ильдар Рафатович Бегишев,Алексей Петрович Кармес. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Аква-ПиРо-Альянс". Дата публикации: 2016-04-27.

Semiconductor circuit and method for mitigating current variation in a semiconductor circuit

Номер патента: TW200935731A. Автор: Chih-Chien Hung,Sy-Chyuan Hwu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

APPARATUS AND METHOD FOR OPTIMIZING MAINTENANCE AND OTHER OPERATIONS OF FIELD DEVICES IN A PROCESS CONTROL SYSTEM USING USER-DEFINED DEVICE CONFIGURATIONS

Номер патента: US20120004743A1. Автор: . Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR MANAGING POWER CONSUMPTION IN A SENSOR NETWORK

Номер патента: US20120004782A1. Автор: KOSKAN PATRICK D.,SWOPE CHARLES B.. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Controlling Communications in an AD HOC Mobile Network

Номер патента: US20120002615A1. Автор: . Владелец: THALES. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for testing for defects in a semiconductor memory

Номер патента: TW201225098A. Автор: Cheng-Chi Liu,Yin-Chin Huang,Yi-Fang Chang,Chu-Pang Huang,Min-Kuang Li,Chang-Chan Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-16.

Device and Method for Task Management for Piloting an Aircraft

Номер патента: US20120004794A1. Автор: . Владелец: THALES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MEASURING SERIAL RESISTANCE OF A SEMICONDUCTOR DIODE BASE

Номер патента: RU2013145530A. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Илья Владимирович Фролов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-04-20.

Method for diffusion of antimony into a semiconductor

Номер патента: CA868645A. Автор: L. Gittler Frank. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1971-04-13.

Manufacturing method for a node contact on a semiconductor chip

Номер патента: TW430976B. Автор: Szu-Min Lin,Chuan-Fu Wang,Chin-Hui Lee,Jung-Chao Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-21.

Method for forming a pattern and a semiconductor device

Номер патента: AU2002219700A1. Автор: Ki-Bum Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-24.

Method for protecting the apparatus in a semiconductor chamber

Номер патента: TW446996B. Автор: Wen-Chin Tzeng,Chuen-Ji Pang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-07-21.

Method for pay isolation at casing cementing

Номер патента: RU2326230C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Владимир Борисович Оснос,Дмитрий Витальевич Страхов,тдинов Радик З уз тович Зи,Рафиль Гиниятуллович Абдулмазитов,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Рафиль Гини туллович Абдулмазитов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2008-06-10.

TAP WITH DRILL AND METHOD FOR CUTTING INTERNAL THREAD

Номер патента: US20120003054A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.