存储器电路与存储器电路操作方法
Номер патента: CN101582292A
Опубликовано: 18-11-2009
Автор(ы): 苏布拉马尼·肯基瑞, 蓝丽娇, 陆崇基, 陶昌雄
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-11-2009
Автор(ы): 苏布拉马尼·肯基瑞, 蓝丽娇, 陆崇基, 陶昌雄
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit
Номер патента: US11842769B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.