Barrier layer for interconnect structures of a semiconductor wafer and method for depositing the barrier layer
Номер патента: US20030062626A1
Опубликовано: 03-04-2003
Автор(ы): Darrell Simpson, Sailesh Merchant, Siddhartha Bhowmik
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-04-2003
Автор(ы): Darrell Simpson, Sailesh Merchant, Siddhartha Bhowmik
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
A tungsten layer, methods of forming the same, a semiconductor device including the same, and methods of forming the semiconductor device including the same
Номер патента: KR100830590B1. Автор: 이상우,최길현,박진호,이호기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-21.