Composition for surface modification of insulator, method for surface modification of insulator, insulator, and thin film transistor
Номер патента: KR102259939B1
Опубликовано: 02-06-2021
Автор(ы): 이은경, 정지영, 최아정
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-06-2021
Автор(ы): 이은경, 정지영, 최아정
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Organic Thin Film Transistor and Method for Surface Modification of Gate Insulating Layer of Organic Thin Film Transistor
Номер патента: US20080315190A1. Автор: Kunji Shigeto,Iwao Yagi,Kazuhito Tsukagoshi,Yoshinobu Aoyagi. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2008-12-25.