Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Contoured-tub fermi-threshold field effect transistor and method of forming same

Contoured-tub fermi-threshold field effect transistor and method of forming same

Номер патента: CA2206346C
Опубликовано: 07-08-2007
Автор(ы): Michael William Dennen
Принадлежит: Thunderbird Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Contoured-tub fermi-threshold field effect transistor and method of forming same

Номер патента: EP0796507B1. Автор: Michael William Dennen. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 1998-10-14.

Short channel fermi-threshold field effect transistors

Номер патента: CA2227011C. Автор: Michael William Dennen. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 2007-10-16.

Short channel fermi-threshold field effect transistors

Номер патента: CA2227011A1. Автор: Michael William Dennen. Владелец: Michael William Dennen. Дата публикации: 1997-02-06.

Short channel Fermi threshold field effect transistor

Номер патента: JP4338784B2. Автор: デネン，マイケル・ウィリアム. Владелец: サンダーバード・テクノロジーズ，インコーポレイテッド. Дата публикации: 2009-10-07.

Fermi threshold field effect transistor including doping gradient regions

Номер патента: US5525822A. Автор: Albert W. Vinal. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 1996-06-11.

A kind of forming method of MOS transistor and the forming method of cmos image sensor

Номер патента: CN109065456A. Автор: 秋沉沉,曹亚民,梅翠玉. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-21.

Mos field-effect transistor and method for the production thereof

Номер патента: US20160118494A1. Автор: Achim Trautmann,Ning Qu,Michael Grieb. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-04-28.

Transistors having reinforcement layer patterns and methods of forming the same

Номер патента: US20060038200A1. Автор: UENO Tetsuji,Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-23.

Transistors having reinforcement layer patterns and methods of forming the same

Номер патента: US7307274B2. Автор: UENO Tetsuji,Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

P-type field effect transistor (pfet) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI503991B. Автор: Wei Cheng Wu,Po Nien Chen,Harry Hak-Lay Chuang,Bao Ru Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-11.

N-type field effect transistors, arrays comprising N-type vertically-oriented transistors, methods of forming an N-type field effect transistor, and methods of forming an array comprising vertically-oriented N-type transistors

Номер патента: US09472663B2. Автор: Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Offset drain fermi-threshold field effect transistors

Номер патента: EP1153438A2. Автор: William R. Richards, Jr.,Michael W. Dennen. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 2001-11-14.

Offset drain fermi-threshold field effect transistors

Номер патента: WO2000030182A3. Автор: William R Richards Jr,Michael W Dennen. Владелец: Thunderbird Tech Inc. Дата публикации: 2001-02-22.

Self-aligned slotted accumulation-mode field effect transistor (AccuFET) structure and method

Номер патента: US09882049B2. Автор: Francois Hebert,Madhur Bobde,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Self-aligned slotted accumulation-mode field effect transistor (ACCUFET) structure and method

Номер патента: US10468526B2. Автор: Francois Hebert,Madhur Bobde,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2019-11-05.

Manufacturing methods of thin film transistor having an ohmic contact region and array substrate including the same

Номер патента: US09935177B2. Автор: Yueping Zuo,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Vertical field-effect transistor (vfet) devices and methods of forming the same

Номер патента: US20190386136A1. Автор: KANG Ill Seo,Tae Yong Kwon,Oh Seong Kwon,Ki Sik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Junction field effect transistor (jfet) structure and methods to form same

Номер патента: US20210091236A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210126129A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Power MOSFETs and methods for forming the same

Номер патента: US09601616B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and method for forming an oscillating MOS transistor and nonvolatile memory

Номер патента: US20100252876A1. Автор: James Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-07.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09871041B1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US20180012969A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US09905663B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9761665B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9355909B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US09761665B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

고포화전류 및 저누설전류의 페르미 드레시홀드 전계효과 트랜지스터(high saturation current, low leakage current fermi threshold field effect transistor)

Номер патента: KR960701480A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-02-24.

High saturation current, low leakage current fermi threshold field effect transistor

Номер патента: AU6248094A. Автор: Albert W. Vinal,Michael W. Dennen. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 1994-09-14.

Negative-capacitance field effect transistor

Номер патента: US12040387B2. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical field-effect transistor (vfet) devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210111269A1. Автор: Kang-ill Seo,Hwi Chan Jun,Jeong Hyuk YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Amorphous boron nitride film, semiconductor device and field effect transistor including same, and method of manufacturing boron nitride film

Номер патента: US20240242965A1. Автор: Jaewon Kim,Minsu Kim,Taehoon Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin,Van Luan NGUYEN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294846A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US09553171B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US09653605B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Fin-like field effect transistor (FinFET) device and method of manufacturing same

Номер патента: US09911735B2. Автор: Chih-Hao Chang,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230352592A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Short channel fermi-threshold field effect transistors including drain field termination region and methods of fabricating same

Номер патента: CA2241684A1. Автор: Michael William Dennen. Владелец: Michael William Dennen. Дата публикации: 1997-08-14.

Vertical field effect transistor (VFET) structure with dielectric protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11804540B2. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun,Gil-Hwan SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Vertical field effect transistor (vfet) structure with dielectric protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242330A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun,Gil-Hwan SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Vertical field effect transistor (vfet) structure with dielectric protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230103070A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun,Gil-Hwan SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

SELF-ALIGNED SLOTTED ACCUMULATION-MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR (ACCUFET) STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20160099351A1. Автор: Hebert Francois,Bobde Madhur,Bhalla Anup. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210242332A1. Автор: Yeo Yee-Chia,Ma Ta-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-08-05.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20150349125A1. Автор: CHEN Huang-Kui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Vertical device with sidewall spacer, methods of forming sidewall spacers and field effect transistors, and patterning method

Номер патента: US20070254442A1. Автор: Christoph Ludwig,Hans Lindemann,Jyoti Gupta,Dirk Manger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Gate air spacer for fin-like field effect transistor

Номер патента: US11764281B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of forming vertical field effect transistor device

Номер патента: US11088263B2. Автор: Geert Eneman,Anabela Veloso. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-08-10.

Method of forming vertical field effect transistor device

Номер патента: US20200388698A1. Автор: Geert Eneman,Anabela Veloso. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-12-10.

High voltage field effect transistors with superjunctions and method of making the same

Номер патента: US20240250119A1. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Field effect transistor (fet) stack and methods to form same

Номер патента: US20210336005A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Field-effect transistor, field-effect transistor array structure and method of manufacturing field-effect transistor

Номер патента: US20220149166A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Offset drain fermi-threshold field effect transistors

Номер патента: AU1813000A. Автор: Michael W. Dennen,William R. Richards Jr.. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 2000-06-05.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09917163B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09608070B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US12136659B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Ferroelectric capacitor, ferroelectric field effect transistor, and method used in forming an electronic component comprising conductive material and ferroelectric material

Номер патента: US09876018B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240282641A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Shao-Jyun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09799652B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09768028B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Field effect transistor with a high breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060141726A1. Автор: Ji-Su Kim,Sung-Hoan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Field-effect transistor and method for the fabrication thereof

Номер патента: US20150145032A1. Автор: Klaus Kohler,Rüdiger QUAY. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2015-05-28.

Method of forming field effect transistors (FETs) with abrupt junctions and integrated circuit chips with the FETs

Номер патента: US09799569B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of forming field effect transistors (FETs) with abrupt junctions and integrated circuit chips with the FETs

Номер патента: US09595595B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: WO2008084085A9. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: US20100102402A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769B1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-03-16.

Field effect transistor with shallow trench isolation features within source/drain regions

Номер патента: US11764225B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of forming spacers for a gate of a transistor

Номер патента: US09947541B2. Автор: Nicolas Posseme,Olivier POLLET,Maxime GARCIA-BARROS. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-17.

Monolithic three-dimensional (3d) complementary field effect transistor (cfet) circuits and method of manufacture

Номер патента: US20240047455A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Monolithic three-dimensional (3d) complementary field effect transistor (cfet) circuits and method of manufacture

Номер патента: WO2024035471A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-15.

Structure for a field effect transistor (fet) device and method of processing a fet device

Номер патента: US20220020882A1. Автор: Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Attilio Belmonte,Nouredine Rassoul. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-20.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20220149182A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20210296469A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US11777017B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20230369472A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Fin field-effect transistor with void and method of forming the same

Номер патента: US12068398B2. Автор: Yi-Jen Chen,Ming-Jhe Sie,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hsiu-Hao Tsao,Hong Pin Lin,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Fin Field-Effect Transistor With Void and Method of Forming The Same

Номер патента: US20240371980A1. Автор: Yi-Jen Chen,Ming-Jhe Sie,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hsiu-Hao Tsao,Hong Pin Lin,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Fin field-effect transistor with void and method of forming the same

Номер патента: US11664444B2. Автор: Yi-Jen Chen,Ming-Jhe Sie,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hsiu-Hao Tsao,Hong Pin Lin,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Fermi threshold field effect transistor with reduced gate and diffusion capacitance

Номер патента: KR0181742B1. Автор: 알버트 더블유 바이날. Владелец: 썬더버드 테크놀로지스 인코포레이티드. Дата публикации: 1999-03-20.

Fin-like field-effect transistor (finfet) device and method for fabricating the same

Номер патента: TWI545754B. Автор: 志強 吳,江國誠,家馨 馮. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-08-11.

Novel semiconductor field effect positive feedback transistor and method based on bulk silicon substrate

Номер патента: CN110634955A. Автор: 万景. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-31.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

MOS field effect transistor and manufacture method therefor

Номер патента: US20060157793A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Fin field effect transistors having conformal oxide layers and methods of forming same

Номер патента: US09515188B2. Автор: Syun-Ming Jang,Chia-Cheng Chen,Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Meng-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Fin field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240363353A1. Автор: Syun-Ming Jang,Ming-Hsing Tsai,Wei-Jen Lo,Chi-Yuan Chen,Chih-Wei Chang,Wei-Jung Lin,Pin-Wen Chen,Ya-Yi CHENG,Yu-Chen Ko,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240371644A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Source/drain terminal contact and method of forming same

Номер патента: US09583397B1. Автор: Domingo A. Ferrer Luppi,Sunit S. Mahajan,Benjamin G. Moser,Derya Deniz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Metal gate structures for field effect transistors and method of fabrication

Номер патента: WO2014149128A1. Автор: Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of manufacturing a field effect transistor by tilted implantation of dopants into inner sidewalls of gate spacers

Номер патента: US12062707B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of forming spacers for a gate of a transistor

Номер патента: US09780191B2. Автор: Nicolas Posseme. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-03.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200211908A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09553191B1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao,Ying-Min Chou,Mon-Nan How. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Gate structure and method of forming same

Номер патента: US20210074590A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Gate-last process for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: US20200219777A1. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Stepped field plate wide bandgap field-effect transistor and method

Номер патента: US09929243B1. Автор: Keisuke Shinohara,Rongming Chu,Miroslav Micovic,David F. Brown,Andrea Corrion,Alexandros D. Margomenos,Shawn D. Burnham. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583610B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210226057A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Sung-Li Wang,Fang-Wei Lee,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Jung-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Field effect transistor (FET) devices and methods of manufacturing FET devices

Номер патента: US20050255656A1. Автор: Hye-Jin Cho,Young-Joon Ahn,Dong-gun Park,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-17.

Structure and method for a field effect transistor

Номер патента: US09985111B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for fabricating quasi-soi source/drain field effect transistor device

Номер патента: US20160118245A1. Автор: Ming Li,Ru Huang,Yuancheng YANG,Hanming Wu,Jiewen Fan,Weihai Bu,Haoran Xuan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-28.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US09825172B2. Автор: Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240170338A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220165623A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Dual shallow trench isolation (sti) field effect transistor (fet) and methods of forming

Номер патента: US20150255539A1. Автор: Max G. Levy,Yun Shi,Richard A. Phelps,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of forming vertical field-effect transistor devices having gate liner

Номер патента: US11915982B2. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210242091A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Fin field effect transistor device with reduced overlap capacitance and enhanced mechanical stability

Номер патента: US09793378B2. Автор: Shom Ponoth,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR (VFET) DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190386136A1. Автор: KWON Tae Yong,KWON Oh Seong,Seo Kang Ill,Choi Ki Sik. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Vertical field-effect transistor (VFET) devices and methods of forming the same

Номер патента: US10818560B2. Автор: KANG Ill Seo,Yong Hee Park,Sa Hwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-27.

Finfet and method of fabrication thereof

Номер патента: US20170345936A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Field effect transistor (FET) devices and methods of manufacturing FET devices

Номер патента: US7804137B2. Автор: Hye-Jin Cho,Young-Joon Ahn,Dong-gun Park,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-28.

Trench type mosfet device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100155838A1. Автор: Ji-Houn Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Fin-Like Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20200066721A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Fin-Like Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20180175032A1. Автор: Chih-Hao Chang,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Fin-like field effect transistor (finfet) device and method of manufacturing same

Номер патента: CN102468235B. Автор: 张志豪,许俊豪. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-28.

For forming coating fluid, metal-oxide film, field-effect transistor and its manufacture method of metal-oxide film

Номер патента: CN107424910A. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-01.

Fin-like field effect transistor (FinFET) device and method of manufacturing same

Номер патента: US10468408B2. Автор: Chih-Hao Chang,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20210074859A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung,CHENG Tung-Wen,ZHANG ZHE-HAO. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Fin field effect transistor (finfet) device and method for forming the same

Номер патента: US20160111540A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200105603A1. Автор: Chang Shang-Wen,Lin Yi-Hsiung,CHIU Yi-Hsun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-02.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20190115473A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung,CHENG Tung-Wen,ZHANG ZHE-HAO. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20190123205A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200161474A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210226057A1. Автор: Lin Keng-Chu,WANG Sung-Li,CHU Chia-Hung,CHANG Jung-Hao,LEE FANG-WEI,KHADERBAD Mrunal Abhijith. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-07-22.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200220019A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung,CHENG Tung-Wen,ZHANG ZHE-HAO. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20170250286A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200294846A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,You Jia-Chuan,Lin Tien-Lu,Huang Lin-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-09-17.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US10840378B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US10164108B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-25.

N-type field effect thin film transistor and manufacturing method thereof, CMOS inverter and manufacturing method thereof

Номер патента: CN108630760B. Автор: 赵建文,周春山,崔铮,徐文亚,许启启. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2021-11-30.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: EP4415051A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: US20240274712A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Stacked nanosheet complementary metal oxide semiconductor field effect transistor devices

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Combination of tensilely strained n-type fin field effect transistors and compressively strained p-type fin field effect transistors

Номер патента: US20200381308A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Field effect transistor and method for fabricating field effect transistor

Номер патента: US20160013272A1. Автор: Yi Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of source/drain height control in dual epi finFET formation

Номер патента: US09627278B2. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Field effect transistor devices with buried well protection regions

Номер патента: US09570585B2. Автор: LIN Cheng,Anant Agarwal,John Palmour,Vipindas Pala. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Diamond field effect transistor and method for producing same

Номер патента: US20230136477A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Fin-last FinFET and methods of forming same

Номер патента: US09543301B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Tunneling fin type field effect transistor with epitaxial source and drain regions

Номер патента: US09947586B2. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming junction field effect transistor including recessed gate

Номер патента: US09842908B2. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20160111542A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung,CHENG Tung-Wen,ZHANG ZHE-HAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-04-21.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20150236132A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung,LIN Chih-Han,Lin Jr-Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-08-20.

Lateral double-diffused transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100741B2. Автор: YANG LU,Guangtao Han,Weiwei Ge. Владелец: Joulwatt Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240266227A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Jian-Hsuan Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: WO2022178252A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: The Research Foundation for the State Universtiy of New York. Дата публикации: 2022-08-25.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20080315264A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20110312143A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US8420468B2. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Methods of forming an asymmetric field effect transistor

Номер патента: US7442613B2. Автор: Joo-Sung Park,Kyung-Seok Oh,Ki-Jae Hur,Jung-Hyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240258428A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US12051749B2. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210119034A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US20240347633A1. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing junction field effect transistor

Номер патента: US09627433B2. Автор: Hideomi Kumano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Field-effect transistor, and methods for production

Номер патента: US20240234568A9. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Passivated and faceted fin field effect transistor

Номер патента: US09680021B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yen-Yu Chen,Chi-Yuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Field effect semiconductor component and methods for operating and producing it

Номер патента: US09496364B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Peter Irsigler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming source and drain of field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: SG144827A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Mishra Shailendra,Henry K Utomo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Multiple-layer spacers for field-effect transistors

Номер патента: US09947769B1. Автор: TAO Han,Zhenyu Hu,Jinping Liu,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Finfet device and method of forming same

Номер патента: US20240379853A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Field-effect transistors with diffusion blocking spacer sections

Номер патента: US20200287019A1. Автор: Hong Yu,George R. Mulfinger,Jianwei PENG,Man Gu,Michael Aquilino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20220045181A1. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20150295080A1. Автор: Jung-Ho Lee,Suk-Kyun Lee,Heon-Bok Lee,In-Ho YEO,Sae-Choon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-15.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536792B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20210074810A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: US20240128323A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-04-18.

Impact ionization devices, and methods of forming impact ionization devices

Номер патента: US09373716B2. Автор: Venkatesan Ananthan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Field effect thin film transistor and static-type semiconductor memory device provided with memory cell having complementary field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5382807A. Автор: Yasuo Inoue,Motoi Ashida,Kazuhito Tsutsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

3ds fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240379794A1. Автор: PENG Zhao,Huaxiang Yin,Zhenhua Wu,Jiaxin YAO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-14.

Gate structure of vertical FET and method of manufacturing the same

Номер патента: US11233146B2. Автор: Seung Hyun Song,Sa Hwan Hong,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-25.

Gate structure of vertical fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220123143A1. Автор: Seung Hyun Song,Sa Hwan Hong,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Gate structure of vertical fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200357920A1. Автор: Seung Hyun Song,Sa Hwan Hong,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

STRUCTURE FOR A FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) DEVICE AND METHOD OF PROCESSING A FET DEVICE

Номер патента: US20220020882A1. Автор: Kar Gouri Sankar,Delhougne Romain,Rassoul Nouredine,Belmonte Attilio. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-20.

The two-dimensional material field-effect transistor and its manufacture method of a kind of inverted T shape buried grid structure

Номер патента: CN106783623A. Автор: 吴云,曹正义. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2017-05-31.

Dual conducting floating spacer metal oxide semiconductor field effect transistor (DCFS MOSFET) and method to fabricate the same

Номер патента: US8809147B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2014-08-19.

Field effect thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP0513644A2. Автор: Kazuhito c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Tsutsumi,Motoi c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Ashida,Yasuo c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-11-19.

Field effect thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP0513644B1. Автор: Kazuhito c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Tsutsumi,Motoi c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Ashida,Yasuo c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-11-27.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006516A1. Автор: Yong Hae Kim,Chi-Sun Hwang,Jong-Heon Yang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-01-04.

The preparation method of oxide thin film transistor and the preparation method of array substrate

Номер патента: CN109524476A. Автор: 陈蕾,王治,姚琪,曹占锋,袁广才,宁策,许晨,关峰,李禹奉. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

The plough groove type transistor and its manufacture method of a kind of optimization

Номер патента: CN107302021A. Автор: 康晓旭. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-27.

Fin field effect transistor having airgap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230369120A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Fin field effect transistor having airgap and method for manufacturing the same

Номер патента: US11776855B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US9559209B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-31.

Field Effect Transistors and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170098706A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US20160365457A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-15.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09923093B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-03-20.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09490430B1. Автор: Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen,Sheng-Ting Fan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-11-08.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Tunneling field effect transistor and methods of making such a transistor

Номер патента: US09793384B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Fin shape for fin field-effect transistors and method of forming

Номер патента: US09460968B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Power field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7892923B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-02-22.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-type buried shield

Номер патента: EP4411823A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Methods of forming a bulk field effect transistor (fet) with sub-source/drain isolation layers and the resulting structures

Номер патента: US20180374946A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Systems and devices including fin transistors and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: EP2245658A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-11-03.

Systems and devices including fin transistors and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: WO2009105315A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12094778B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240363418A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09653477B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Integration of vertical-transport transistors and electrical fuses

Номер патента: US10439031B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Field effect transistor and method of manufacture

Номер патента: US09847415B2. Автор: Stephen E. Luce,John J. Pekarik,Yun Shi,Alvin J. Joseph,Alan B. Botula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Field-effect transistor, and method of production

Номер патента: US20240234571A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US09525053B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method of manufacture therefor

Номер патента: US20160163849A1. Автор: Philippe Dupuy,Hubert Grandry. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-09.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Multi-gate field effect transistor (FET) including isolated FIN body

Номер патента: US09954002B2. Автор: Hongmei Li,Junjun Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device wtih an interconnecting semiconductor electrode between first and second semiconductor electrodes and method of manufacture therefor

Номер патента: US09837526B2. Автор: Philippe Dupuy,Hubert Grandry. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Self-aligned contacts for nanosheet field effect transistor devices

Номер патента: US20210183711A1. Автор: Juergen Boemmels,Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Eugenio Dentoni Litta,Pieter Weckx. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

Forming an uniform l-shaped inner spacer for a vertical transport fin field effect transistor (vt finfet)

Номер патента: US20190140078A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Jingyun Zhang,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240297237A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Nanostructure field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20210202756A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Hsiu-Hao Tsao,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Nanostructure field-effect transistor device with dielectric layer for reducing substrate leakage or well isolation leakage and methods of forming

Номер патента: US12125877B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Tall single-fin fin-type field effect transistor structures and methods

Номер патента: US09929157B1. Автор: Andreas Knorr,Nigel Graeme Cave,Ruilong Xie,Murat Kerem Akarvardar,Lars Liebmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Nanostructure Field-Effect Transistor Device and Method of Forming

Номер патента: US20240379750A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Integration of vertical-transport transistors and planar transistors

Номер патента: US20190214307A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Uniform interfacial layer on vertical fin sidewalls of vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US20200259000A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Asymmetric field effect transistor structure and method

Номер патента: US20110101449A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Uniform interfacial layer on vertical fin sidewalls of vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US12132098B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12125707B2. Автор: Yu-Li Lin,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Chih Hsuan Cheng,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US09991365B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09985114B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Approach to fabrication of an on-chip resistor with a field effect transistor

Номер патента: US09917082B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Vertical field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09786784B1. Автор: Hyung Suk Lee,Hyun Seung Song,Soo Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240379680A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09646993B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09620416B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Self-aligned metal gate with poly silicide for vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US12034005B2. Автор: Dechao Guo,Brent A. Anderson,Vijay Narayanan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240332085A1. Автор: Meng-Chun Chang,Huan-Just Lin,Chia-Ying Lee,Hao Chiang,Hong-Jie Yang,Meng Jhe Tsai,Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240371650A1. Автор: Yu-Li Lin,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Chih Hsuan Cheng,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Split fin field effect transistor enabling back bias on fin type field effect transistors

Номер патента: US09899524B2. Автор: Xin Miao,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US12040233B2. Автор: Meng-Chun Chang,Huan-Just Lin,Chia-Ying Lee,Hao Chiang,Hong-Jie Yang,Meng Jhe Tsai,Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Reduced resistance source and drain extensions in vertical field effect transistors

Номер патента: US10332995B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Backside gate contact, backside gate etch stop layer, and methods of forming same

Номер патента: US12119271B1. Автор: Wei-De Ho,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Reduced resistance source and drain extensions in vertical field effect transistors

Номер патента: US09935195B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09911598B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09876084B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09613867B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812560B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

FinFET device on silicon-on-insulator and method of forming the same

Номер патента: US09793174B1. Автор: Yu-Ren Wang,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin,Shu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating fin-field effect transistors (finFETs) having different fin widths

Номер патента: US09443935B2. Автор: Chang Woo Oh,Choongho Lee,Jongwook Lee,Shincheol Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US20170040418A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen,Sheng-Ting Fan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-02-09.

Fin field effect transistor devices with modified spacer and gate dielectric thicknesses

Номер патента: US20200075589A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240322016A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Ying Hsin Lu,Ying Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Trench-gate-type field effect transistor device and method of manufacturing

Номер патента: EP4447121A1. Автор: Luther-King Ngwendson,Vinay Suresh,Hongyao LONG. Владелец: NIO Technology Anhui Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09847330B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods of forming semiconductor devices and FinFET devices, and FinFET devices

Номер патента: US09355920B2. Автор: Martin Christopher Holland,Matthias Passlack,Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Self-limiting manufacturing techniques to prevent electrical shorts in a complementary field effect transistor (cfet)

Номер патента: WO2022015927A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

FinFET Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20190131176A1. Автор: Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Self-limiting manufacturing techniques to prevent electrical shorts in a complementary field effect transistor (CFET)

Номер патента: US12080608B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09929268B2. Автор: Chii-Ming Wu,Ru-Shang Hsiao,Sen-Hong Syue,Chi-Cherng Jeng,Hung Pin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

FinFET device and method of forming same

Номер патента: US09812363B1. Автор: Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Devices and methods of forming VFET with self-aligned replacement metal gates aligned to top spacer post top source drain EPI

Номер патента: US09773708B1. Автор: John Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09691766B1. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Jia-Ming Lin,Wei Ken Lin,Kuang Yao Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical field effect transistor with crosslink fin arrangement

Номер патента: US20230207632A1. Автор: Chen Zhang,Ekmini Anuja De Silva,Ruilong Xie,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Gate spacer structure and method of forming same

Номер патента: US12062709B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09825043B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09704752B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Forming symmetrical stress liners for strained CMOS vertical nanowire field-effect transistors

Номер патента: US09570552B1. Автор: Jinping Liu,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230154824A1. Автор: Chia-Che Chung,Ming-Tzong Yang,Hsien-Hsin Lin,Chee-Wee Liu,Wen-Kai Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Vertical field effect transistor with low-resistance bottom source-drain contact

Номер патента: US20200176611A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Non-polar, III-nitride semiconductor fin field-effect transistor

Номер патента: US09978872B1. Автор: Heinz Schmid,Utz Herwig Hahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Fin field effect transistor (FinFET) having air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09865738B2. Автор: Jin Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US09853153B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-12-26.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20240379681A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20210020745A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20230369397A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US11769798B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Air Spacer and Method of Forming Same

Номер патента: US20210408266A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Replacement bottom spacer for vertical transport field effect transistors

Номер патента: US20210098597A1. Автор: Tao Li,LAN Yu,Ruilong Xie,Heng Wu,Hemanth Jagannathan,Jay Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Air spacer and method of forming same

Номер патента: US12107149B2. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Planar III-V field effect transistor (FET) on dielectric layer

Номер патента: US09882021B2. Автор: Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Amlan Majumdar,Yanning Sun,Edward W. Kiewra,Uzma Rana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Air spacer and method of forming same

Номер патента: US20240379820A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of forming metal gate to mitigate antenna defect

Номер патента: US09613959B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated circuit structure to resolve deep-well plasma charging problem and method of forming the same

Номер патента: US09449888B2. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20150236131A1. Автор: Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Bifunctional graphene dielectrophoresis (dep)-graphene field effect transistor (gfet) device and methods for using same

Номер патента: WO2023244489A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Ruixue LI,Steven J. Koester,Nezhueyotl Izquierdo ARRIOLA. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2023-12-21.

Logic elements comprising carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) devices and methods of making same

Номер патента: US10002908B2. Автор: Claude L. Bertin. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09559168B2. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Der-Chuan Lai,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-31.

Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09761715B2. Автор: Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Multi-layer fin field effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09793403B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Titash Rakshit,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

III-V field effect transistor (FET) with reduced short channel leakage, integrated circuit (IC) chip and method of manufacture

Номер патента: US09515165B1. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Annealed metal source drain overlapping the gate of a fin field effect transistor

Номер патента: US09935200B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Hybrid circuit including a tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09748271B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Tamilmani Ethirajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161453A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161454A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A2. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-07-29.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Devices and methods of forming unmerged epitaxy for finfet device

Номер патента: US20180097089A1. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US11380778B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A3. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-09-16.

Nanostructure field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240321581A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Yen Ju Chen,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Devices and methods of forming unmerged epitaxy for FinFET device

Номер патента: US09853128B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

FinFET device and method

Номер патента: US09679992B2. Автор: Sun-Jay Chang,Chia-Hsin Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US9299796B2. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-03-29.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Raised Epitaxial LDD in MuGFETs and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20200006505A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yong-Yan Lu,Shyh-Horng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Raised epitaxial LDD in MuGFETs and methods for forming the same

Номер патента: US9515167B2. Автор: Hou-Yu Chen,Shyh-Horng Yang,Yonag-Yan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Raised Epitaxial LDD in MuGFETs and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20180226479A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yong-Yan Lu,Shyh-Horng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Ldmos transistor and method of making the same

Номер патента: WO2005086237A2. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-15.

Ldmos transistor and method of making the same

Номер патента: EP1719183A2. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-08.

Raised epitaxial LDD in MuGFETs and methods for forming the same

Номер патента: US09941368B2. Автор: Hou-Yu Chen,Shyh-Horng Yang,Yonag-Yan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Field-Effect Transistor and Method for Producing a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20100308404A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2010-12-09.

Field-effect transistor and method for producing a field-effect transistor

Номер патента: WO2009060078A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor structure having a junction field effect transistor and a high voltage transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947786B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US09825138B2. Автор: HONG Yang,Wei Tang,Zachary K. Lee,Yunlong Liu,Yufei Xiong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US09406774B1. Автор: HONG Yang,Wei Tang,Zachary K. Lee,Yunlong Liu,Yufei Xiong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR (JFET) STRUCTURE AND METHODS TO FORM SAME

Номер патента: US20210091236A1. Автор: Liu Qizhi,PEKARIK JOHN J.,Holt Judson R.,Jain Vibhor. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Memcapacitor devices, field effect transistor devices, and, non-volatile memory arrays

Номер патента: US8867261B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Prevention of extension narrowing in nanosheet field effect transistors

Номер патента: US20180315829A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Ferroelectric field-effect transistors with a hybrid well

Номер патента: US20240120420A1. Автор: Stefan Dunkel,Halid MULAOSMANOVIC,Zhixing ZHAO,Dominik Martin Kleimaier. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230420563A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wen-Yen Chen,Tsai-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Junction field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09947785B2. Автор: Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Vertical fin field effect transistor (V-FinFET), semiconductor device having V-FinFET and method of fabricating V-FinFET

Номер патента: US09870957B2. Автор: Myung Gil Kang,Soo Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Field effect transistor with stacked nanowire-like channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09853114B1. Автор: Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Transistor architecture having extended recessed spacer and source/drain regions and method of making same

Номер патента: US09786783B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Structures for a ferroelectric field-effect transistor and related methods

Номер патента: EP4307387A1. Автор: Robert Binder,Joachim Metzger,Sven Beyer,Stefan Dunkel,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-01-17.

Structures for a ferroelectric field-effect transistor and related methods

Номер патента: US20240014320A1. Автор: Robert Binder,Joachim Metzger,Sven Beyer,Stefan Dunkel,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-01-11.

Non-planar transistors and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09735276B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung,Cheng-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit comprising at least one bipolar transistor and a corresponding method of production

Номер патента: US20220375954A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Romeric Gay. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-11-24.

A method for evaluating the quality of a laminate for evaluation of a thin film transistor, And quality management method of oxide semiconductor film

Номер патента: TWI652749B. Автор: 林和志,川上信之,三木綾. Владелец: 神戶製鋼所股份有限公司. Дата публикации: 2019-03-01.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09679968B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180337278A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180269320A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09929282B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Vertically movable gate field effect transistor (VMGFET) on a silicon-on-insulator (SOI) wafer and method of forming a VMGFET

Номер патента: US09450066B2. Автор: Kang-Hee Lee,In-Hyouk Song,Byoung Hee You,Heung Seok Kang. Владелец: Texas State University. Дата публикации: 2016-09-20.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20240055528A1. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-15.

Transistor, method of manufacturing the transistor, electronic device including transistor, and electronic apparatus including the transistor

Номер патента: US20240222524A1. Автор: Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240290886A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Formation of a bottom source-drain for vertical field-effect transistors

Номер патента: US09799765B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Different gate widths for upper and lower transistors in a stacked vertical transport field-effect transistor structure

Номер патента: US20200328120A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Field effect transistor and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20170104104A1. Автор: Hsiang Chih Hsiao,Hongyuan Xu,Chang I Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Tunneling field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10475892B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Tunneling field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10147795B1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-04.

Protrusion field-effect transistor and methods of making the same

Номер патента: US20240266399A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Georgios VALLIANITIS. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Field effect transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240213373A1. Автор: Jie Huang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Nanostructure field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240332354A1. Автор: Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,Chia-Ling Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional memory device containing peripheral circuit with fin and planar field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20240371760A1. Автор: Mohan DUNGA,Satoru Mayuzumi,Sudarshan Narayanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with strained channels

Номер патента: US09755073B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Group III-Nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09954085B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li,Lina Cao. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-04-24.

Performance-enhanced vertical device and method of forming thereof

Номер патента: US09847416B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Robert R. Robison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of forming fin field effect transistor having tapered sidewalls

Номер патента: US09825150B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Power field effect transistor, a power field effect transistor device and a method of manufacturing a power field effect transistor

Номер патента: US09660044B2. Автор: Jean Michel Reynes,Pierre Jalbaud,Dale Neil VAUGHAN,Graeme John Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Replacement metal gate processes for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: EP3711098A1. Автор: ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Electrolyte-based field effect transistor and associated method of fabrication

Номер патента: EP4117049A1. Автор: Sami Oukassi,Ngoc-Anh Nguyen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-01-11.

Electrolyte-based field effect transistor and associated method of fabrication

Номер патента: US20230008734A1. Автор: Sami Oukassi,Ngoc-Anh Nguyen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-01-12.

Group III-nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09905647B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of forming vertical field effect transistors, vertical field effect transistors, and DRAM cells

Номер патента: US8211763B2. Автор: David K. Hwang,Larson D. Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-03.

Circuits based on complementary field-effect transistors

Номер патента: US20190214469A1. Автор: Ruilong Xie,Bipul C. Paul,Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Methods of Forming Vertical Field Effect Transistors, Vertical Field Effect Transistors, And DRAM Cells

Номер патента: US20110140187A1. Автор: David Hwang,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Vertical fin field effect transistor with a reduced gate-to-bottom source/drain parasitic capacitance

Номер патента: US20190198641A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Vertical fin field effect transistor with a reduced gate-to-bottom source/drain parasitic capacitance

Номер патента: US20200083353A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

LATERAL EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (LEDMOSFET) HAVING A HIGH DRAIN-TO-BODY BREAKDOWN VOLTAGE (Vb), A METHOD OF FORMING AN LEDMOSFET, AND A SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) INCORPORATING A COMPLEMENTARY PAIR OF LEDMOSFETS

Номер патента: US20120168817A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Dual-layer channel transistor and methods of forming same

Номер патента: US12125920B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Kuo-Chang Chiang,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09853102B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Chien-Hsun Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Dual-layer channel transistor and methods of forming same

Номер патента: US20240379873A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Kuo-Chang Chiang,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Field Effect Transistors and Methods of Forming Same

Номер патента: US20160293703A1. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Integrated circuit devices including stacked field effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20240136354A1. Автор: Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Jaejik Baek,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Trench field-effect transistor and method for manufacturing trench fet

Номер патента: US20240105843A1. Автор: Jian Liu,Jinyong Cai,Shida DONG,Zhenhan Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Co-fabrication of vertical diodes and fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20170287902A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Co-fabrication of vertical diodes and fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US09780088B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Transistor and switching system comprising silicon carbide and oxides of varying thicknesses, and method for providing the same

Номер патента: US09735263B2. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit devices including stacked field effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP4358138A1. Автор: Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Jaejik Baek,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Multi-state field effect transistor device

Номер патента: US20230411533A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Yogendra,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Lateral field-effect transistor and preparing method

Номер патента: US20230299128A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837530B2. Автор: Thorsten Meyer,Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Self-aligned, planarized thin-film transistors, devices employing the same, and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20020117717A1. Автор: Louis Hsu,Jack Mandelman,Li-Kong Wang,William Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Optimum high density 3d device layout and method of fabrication

Номер патента: US20220059413A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Lateral field-effect transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4228006A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Device integrated with junction field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190252537A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

High Voltage Double-Diffused MOS (DMOS) Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20150200198A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Ferroelectric field-effect transistor and a method for forming the same

Номер патента: WO2024177575A1. Автор: Kah-Wee Ang,Heng XIANG,Yu-Chieh CHIEN,Lingqi LI. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-29.

Transistor, memory and method of forming same

Номер патента: US12069851B2. Автор: Chung-Yen Chou,Chih-Yuan Chen,Jen-Chieh Cheng,Chao-Wei Lin,Qinfu ZHANG,Chia-Yi Chu,Huixian Lai,Jen-Kuo WU. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Thermal history devices, systems for thermal history detection, and methods for thermal history detection

Номер патента: US09976913B2. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Husam Alshareef. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2018-05-22.

High voltage double-diffused MOS (DMOS) device and method of manufacture

Номер патента: US09786779B2. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US09704998B2. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09704960B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09620627B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

High voltage double-diffused MOS (DMOS) device and method of manufacture

Номер патента: US09601615B2. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Formation of a bottom source-drain for vertical field-effect transistors

Номер патента: US10326017B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

High voltage double-diffused mos ( dmos) device and method of manufacture

Номер патента: WO2015108903A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-23.

Vertical field effect transistor

Номер патента: US09837553B1. Автор: John H. Zhang,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

System and method of manufacturing a fin field-effect transistor having multiple fin heights

Номер патента: US09412818B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US20120292669A1. Автор: Yun Shi,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Panglijen Candra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Logic Elements Comprising Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) Devices and Methods of Making Same

Номер патента: US20130181189A1. Автор: Bertin Claude L.. Владелец: Nantero, Inc.. Дата публикации: 2013-07-18.

The manufacture method of bipolar junction transistor and the preparation method of semiconductor chip

Номер патента: CN107481930A. Автор: 吴健,张焕云. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US7825493B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US8187957B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP1763084A3. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US7989340B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US8435889B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-07.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2012024037A2. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with controlled gate length

Номер патента: US09711618B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20130187244A1. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2012024037A3. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

Logic and flash field-effect transistors

Номер патента: US20180158835A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: EP4404270A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: US20240250126A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Commonly-bodied field-effect transistors

Номер патента: US09818652B1. Автор: Ping-Chuan Wang,Chengwen Pei,Kai D. Feng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of forming a field effect transistors

Номер патента: US20030068865A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09634112B2. Автор: Chull Won JU,Jae Kyoung Mun,Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Sang Heung LEE,Hokyun Ahn,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-25.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170271494A1. Автор: Takahiro Nakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

MIS field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030211718A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US12125886B2. Автор: Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240371946A1. Автор: Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturiang Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming a metal semiconductor field effect transistor

Номер патента: US4358891A. Автор: Bruce Roesner. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Field-effect transistors with vertically-serpentine gates

Номер патента: US20200357892A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with controlled gate length

Номер патента: US09917162B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09559118B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Devices including ultra-short gates and methods of forming same

Номер патента: US09530647B2. Автор: Zoltan Ring,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Device and methods for high-K and metal gate slacks

Номер патента: US09865510B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Backside power rail structure and methods of forming same

Номер патента: US20240063125A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods of forming a device including an interfacial dipole layer

Номер патента: US20170179261A1. Автор: Xia Li,Jeffrey Junhao XU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Source/Drain Contacts and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240290852A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Bipolar field effect transistor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20140097472A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Hsiang-Chih Sun. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR (VFET) DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210013112A1. Автор: PARK Yong Hee,Seo Kang Ill,Hong Sa Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR (VFET) DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200020599A1. Автор: PARK Yong Hee,Seo Kang Ill,Hong Sa Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Fin-Like Field Effect Transistor (FinFET) Device And Method Of Manufacturing Same

Номер патента: US20160064381A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

FIN-LIKE FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20160104706A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING AIRGAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200043796A1. Автор: Lin Yu-Ming,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,Chui Chi-On. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-06.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method

Номер патента: US20200066719A1. Автор: Chang Che-Cheng,Wu Po-Chi,CHANG Chai-Wei,CHAO Yi-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Field effect transistor, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: CN104638002A. Автор: 肖德元. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-05-20.

Fin field effect transistor having airgap and method for manufacturing the same

Номер патента: US11557517B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Fin field effect transistor having airgap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230123292A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

A kind of transistor, the radiator structure of transistor and the production method of transistor

Номер патента: CN103887339B. Автор: 赵志勇,王大朋,曾武,崔亦军,宗柏青,穆学禄. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Field effect transistor and an operation method of the field effect transistor

Номер патента: US7592659B2. Автор: Kazunori Isogai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-09-22.

Field effect transistor and an operation method of the field effect transistor

Номер патента: US20060223251A1. Автор: Kazunori Isogai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-05.

Fermi threshold field effect transistor

Номер патента: EP0463067B1. Автор: Albert W. Vinal. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 1996-06-05.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Field-effect transistors with a body pedestal

Номер патента: US11764060B2. Автор: Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Michel J. Abou-Khalil,Michael J. Zierak. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile N-type fin field effect transistor and silicon containing compressive P-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US09842929B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09748239B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09536789B1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Metal-semiconductor field effect transistors (mesfets) having drains coupled to the substrate and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2006049677A2. Автор: Saptharishi Sriram,Scott Allen. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2006-05-11.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4428919A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US20170213824A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Junction field effect transistor, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20150102391A1. Автор: Edward John Coyne. Владелец: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-04-16.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile n-type fin field effect transistor and silicon containing compressive p-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US20170358677A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR ARRAY STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20220149166A1. Автор: LEE Kwanghee,Kim Sangwook. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-05-12.

Logic Elements Comprising Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) Devices and Methods of Making Same

Номер патента: US20180301508A1. Автор: Bertin Claude L.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

The manufacturing method of field effect transistor and the manufacturing method of wireless telecom equipment

Номер патента: CN109716491A. Автор: 村濑清一郎,清水浩二,河井翔太. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2019-05-03.

Dual Conducting Floating Spacer Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DCFS MOSFET) and Method to Fabricate the Same

Номер патента: US20130224917A1. Автор: WANG Lee. Владелец: FLASHSILICON, INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

SELF-ALIGNED SLOTTED ACCUMULATION-MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR (ACCUFET) STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20180102435A1. Автор: Hebert Francois,Bhalla Anup,Bobde Madjur. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF CHARGE STORAGE STRUCTURE

Номер патента: US20180366547A1. Автор: LIU FU-CHOU. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Thin film transistor and method for manufacturing a display panel

Номер патента: US7923732B2. Автор: Sung-Hoon Yang,Kap-Soo Yoon,Sang-Gab Kim,Ki-Hun Jeong,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Young-Wook Lee,Min-Seok Oh,Jang-Soo Kim,Woo-Geun Lee,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi,Seung-Hwan Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-12.

Thin film transistor and method for manufacturing a display panel

Номер патента: US20090152635A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kap-Soo Yoon,Sang-Gab Kim,Ki-Hun Jeong,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Young-Wook Lee,Min-Seok Oh,Jang-Soo Kim,Woo-Geun Lee,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi,Seung-Hwan Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Thin Film Transistor and Method for Manufacturing a Display Panel

Номер патента: US20140147947A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kap-Soo Yoon,Sang-Gab Kim,Ki-Hun Jeong,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Young-Wook Lee,Min-Seok Oh,Jang-Soo Kim,Woo-Geun Lee,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi,Seung-Hwan Shim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

VERTICAL STACK TRANSISTOR, A DISPLAY DEVICE INCLUDING THE VERTICAL STACK TRANSISTOR, AND A MANUFACTURING METHOD OF THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20190206967A1. Автор: Kim Tae Young,Kim Dae-Hwan,KIM Hee-Joong,PARK Jong Woo,KWON Hyuck-ln,HONG Sae-Young. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Methods of forming integrated circuitry, methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor, and methods of forming field effect transistors

Номер патента: US20020197804A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Fin field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US12087639B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Chih-Chang Hung,Chieh-Ning Feng,Chun-Liang Lai,Yih-Ann Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Fin field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240363431A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Chih-Chang Hung,Chieh-Ning Feng,Chun-Liang Lai,Yih-Ann Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Fin field effect transistor (FinFET) device with controlled end-to-end critical dimension and method for forming the same

Номер патента: US09508719B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Method of forming field effect transistors relative to a semiconductor substrate and field effect transistors produced according to the method

Номер патента: US5597746A. Автор: Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US09935104B1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US20180226503A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US09947793B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Field-effect transistors with a non-relaxed strained channel

Номер патента: US09871057B2. Автор: Karen A. Nummy,Claude Ortolland. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Image forming device, image forming system and method of manufacturing image forming device

Номер патента: RU2638108C1. Автор: Масахиро КОБАЯСИ,Махито СИНОХАРА,Масацугу ИТАХАСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2017-12-11.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US12094944B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Hiroshi Nakatsuji,Dai Iwata,Eiichi Fujikura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Junction field effect transistor structure with p-type silicon germanium or silicon germanium carbide gate(s) and method of forming the structure

Номер патента: US20120168820A1. Автор: Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Xiaowei Tian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Asymmetric junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2010094541A1. Автор: David Collins,Robert Mark Rassel,Michael Joseph Zierak,Richard Phelps,Frederick Gustav Anderson. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-08-26.

Folded channel gallium nitride based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355921A1. Автор: Xinyu Liu,Xinhua Wang,Qimeng JIANG,Sen Huang,Xinyue DAI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Vertical fin field effect transistor with reduced gate length variations

Номер патента: US20190312140A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Fabrication of strained vertical p-type field effect transistors by bottom condensation

Номер патента: US20180350953A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20190181234A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer,Viet Thanh Dinh,Valerie Marthe Girault. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-06-13.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US20240249980A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Complimentary metal-oxide-semiconductor circuit having transistors with different threshold voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Wei-E Wang,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Methods of forming epitaxial structures in fin-like field effect transistors

Номер патента: US12068204B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US09768072B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Fabrication of strained vertical P-type field effect transistors by bottom condensation

Номер патента: US09647112B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit (IC) with offset gate sidewall contacts and method of manufacture

Номер патента: US09704760B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Fin field effect transistor, semiconductor device including the same and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09391134B2. Автор: Jung-Dal Choi,Jae-Hwan Lee,Sang-Su Kim,Chang-Jae Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Vertical field effect transistor and method of manufacturing a vertical field effect transistor

Номер патента: US11201241B2. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Xin Miao,Richard Glen Southwick, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-14.

Field-effect transistors with a grown silicon-germanium channel

Номер патента: US20200051808A1. Автор: Simeon MORVAN,Berthold Reimer,Carsten Metze. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US20240258317A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Koichi Matsuno,Dai Iwata,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and method of forming groove

Номер патента: US8450782B2. Автор: Takehiko Nomura,Yoshihiro Sato,Masayuki Iwami,Sadahiro Kato,Nariaki Ikeda,Takuya Kokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-28.

Si/sige vertical junction field effect transistor

Номер патента: MY120718A. Автор: Khalid Ezzeldin Ismail,Bernard S Meyerson. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-30.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09893169B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09837405B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertical gate-all-around field effect transistors

Номер патента: US09768252B2. Автор: Martin Christopher Holland,Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing field-effect transistor array by direct carbon nanotube printing and field effect transistor array manufactured by the same

Номер патента: US20240204078A1. Автор: Yoonhee Lee,Hongki KANG,Soohyun PARK,Minhye Shin. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with improved contact structure and method of forming same

Номер патента: US09564433B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming a field effect transistor and methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US6939799B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US20180323191A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

A high electron mobility field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2013176905A4. Автор: Karim S. Boutros,Sameh Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2014-01-23.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09768170B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of forming field effect transistor (fet) and non-fet circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20170243782A1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Monolithic vertical junction field effect transistor and Schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: AU2005333516A1. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: EP1779435B1. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-12-07.

Monolithic vertical junction field effect transistor and Schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: AU2005333516A8. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: EP1779435A4. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-10-24.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A8. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-03-08.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A3. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2603681A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Field-effect transistors with buried gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312970A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated circuit comprising a jfet transistor and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20210151559A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-20.

Gate-all-around field-effect transistor device

Номер патента: US20240250123A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Multiple thickness semiconductor-on-insulator field effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20220328345A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Multiple thickness semiconductor-on-insulator field effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US11817345B2. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: WO2015023403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Gate stack for integrated circuit structure and method of forming same

Номер патента: US09748235B2. Автор: Joyeeta Nag,Shafaat Ahmed,Murshed M. Chowdhury,Shahrukh A. Khan,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser,Aritra Dasgupta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Isolated gate field effect transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US09722064B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Integrated circuits having strained channel field effect transistors and methods of making

Номер патента: US20070099360A1. Автор: Haining Yang,Yong Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Shallow trench isolation (STI) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US12068368B2. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit with electrical fuse and method of forming the same

Номер патента: US20170062335A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of forming a fin-like bjt

Номер патента: US20150236116A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Chih-Sheng Chang,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220181490A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: US20240319135A1. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US20140217512A1. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US8928088B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Shallow trench isolation (sti) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US20240355875A1. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Embedded SRAM and methods of forming the same

Номер патента: US09812459B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Field-effect transistors, devices containing such field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11751386B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: US20210134811A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Combination metal oxide semi-conductor field effect transistor (MOSFET) and junction field effect transistor (JFET) operable for modulating current voltage response or mitigating electromagnetic or radiation interference effects by altering current flow through the MOSFETs semi-conductive channel region (SCR)

Номер патента: US09595519B2. Автор: Patrick L. Cole,Mark Savage,Jeffrey L. Titus,Adam R. Duncan. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-14.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Techniques for ion implantation of non-planar field effect transistors

Номер патента: US09455335B2. Автор: Anthony Renau,Hans-Joachim L. Gossmann. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09947664B1. Автор: Terence B. Hook,Brent Alan Anderson,Shawn P. Fetterolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Microelectronic device with two field-effect transistors

Номер патента: US20240030221A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-25.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09857329B2. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09494550B1. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240234498A9. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

Double diffused field effect transistor having reduced on-resistance

Номер патента: EP1382071A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2011053932A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Circuit comprising a cascode device and method of operating circuit

Номер патента: EP4170905A1. Автор: Maarten Jacobus Swanenberg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Improved oxide-based field-effect transistors

Номер патента: WO2008129238A1. Автор: Donal Donat Conor Bradley,Thomas Anthopoulos,Saif Ahmed Haque. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2008-10-30.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US09356129B2. Автор: Saptharishi Sriram,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Germanium-based sensor with junction-gate field effect transistor and method of fabricating thereof

Номер патента: US12148853B2. Автор: JHY-JYI SZE,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Hsiang-Lin Chen,Yin-Kai Liao,Sin-Yi Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Complementary field effect transistor cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240321889A1. Автор: Gaspard Hiblot,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-26.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Field effect transistors, field emission apparatuses, and a thin film transistor

Номер патента: US6504170B1. Автор: John Lee,Benham Moradi,J. Ung Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130109139A1. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8557653B2. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-15.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Transistor, method of manufacturing the transistor, and electronic device including the transistor

Номер патента: US09412769B2. Автор: Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Sun-Jae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Field-effect transistor, display element, display, system, and method of manufacturing field-effective transistor

Номер патента: US20170141237A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Self-aligned thin-film transistor and method of forming same

Номер патента: US20090298240A1. Автор: William S. Wong,Rene Lujan. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Field effect transistor, display device , sensor, and method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20130328045A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20110215383A1. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2011-09-08.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A3. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-04-01.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A2. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-01-28.

Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09608118B2. Автор: Sheng Wang,Lei Du,Xiangyang Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8350304B2. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Thermal history devices, systems for thermal history detection, and methods for thermal history detection

Номер патента: US20150146761A1. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Husam Alshareef. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2015-05-28.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

Ion sensitive field effect transistors with protection diodes and methods of their fabrication

Номер патента: US09978689B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Richard De Souza,Patrice Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240136395A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Electrostatic discharge protection circuits using carbon nanotube field effect transistor (cntfet) devices and methods of making same

Номер патента: US20140268444A1. Автор: Claude L. Bertin. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Finfet integrated circuits and methods for their fabrication

Номер патента: US20150179644A1. Автор: Xiuyu Cai,Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Tunnel field effect transistor, semiconductor device and method

Номер патента: DE102013101162B4. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094618A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094650A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Edge rounded field effect transistors and methods of manufacturing

Номер патента: US09412598B2. Автор: Shenqing Fang,Tung-Sheng Chen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Field-effect transistors with independently-tuned threshold voltages

Номер патента: US20210091202A1. Автор: Xiaoli He,Bingwu Liu,Tao Chu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of forming a complementary metal oxide semiconductor structure with N-type and P-type field effect transistors having symmetric source/drain junctions and optional dual silicides

Номер патента: US09548306B2. Автор: Andres Bryant,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect device

Номер патента: EP1759415A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Cem Basceri,Kunal R. Parekh,Montgomery H. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect device

Номер патента: WO2005122270A9. Автор: Cem Basceri,Gurtej S Sandhu,Kunal R Parekh,Montgomery H Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect devices

Номер патента: SG138602A1. Автор: Cem Basceri,Gurtej S Sandhu,Kunal R Parekh,Montgomery H Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-28.

Tunneling field effect transistors and transistor circuitry employing same

Номер патента: US09941117B2. Автор: Paul R. Berger. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2018-04-10.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

A semiconductor integrated circuit device comprising an mos transistor and a bipolar transistor and a manufacturing method of the same

Номер патента: EP0139266B1. Автор: Hiroshi C/O Patent Division Iwasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-01-25.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, BIOSENSOR COMPRISING THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING BIOSENSOR

Номер патента: US20180364194A1. Автор: KIM Sang Kyung,Lee Seok,PARK Sungwook,Lee Kwan Hyi,Jeun Minhong. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Field effect transistor, and multilayered epitaxial film for use in preparation of field effect transistor

Номер патента: US09954087B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Naotaka Kuroda,Akio Wakejima,Yasuhiro Murase,Katsumi Yamanoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Structure and method of high-performance extremely thin silicon on insulator complementary metal-oxide-semiconductor transistors with dual stress buried insulators

Номер патента: US20150001625A1. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054302A1. Автор: Akira Fujihara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: CA2589028A1. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey B. Casady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same

Номер патента: US09506892B2. Автор: Yutaka Yamada,Kazuhiro Nagaike,Hiroshi Mitani,Kazuhiko Matsumoto,Satoru Nagao,Masanori Katou,Atsuhiko Kojima,Yasuo Ifuku. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-11-29.

Junction gate type gaas field-effect transistor and method of forming

Номер патента: US4075652A. Автор: Morio Inoue,Shotaro Umebachi,Gota Kano. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1978-02-21.

Field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11824096B2. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and intergrated circuits incorperating the transistors

Номер патента: NZ555625A. Автор: Igor Sankin,Jeffrey B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2011-01-28.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: US12041770B2. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR (VFET) DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200357701A1. Автор: Kim Min Gyu,Hong Sa Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20160111420A1. Автор: Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung,CHENG Tung-Wen,ZHANG ZHE-HAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-04-21.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170316982A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Tseng Horng-Huei. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Power switch circuit, IC structure of power switch circuit, and method of forming IC structure

Номер патента: US11855619B2. Автор: Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Chien-Chi TIEN,Tzung-Yo HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Power switch circuit, ic structure of power switch circuit, and method of forming ic structure

Номер патента: US20240056074A1. Автор: Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Chien-Chi TIEN,Tzung-Yo HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of forming material on a substrate, and a method of forming a field effect transistor gate oxide on a substrate

Номер патента: US20060040056A1. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of Forming Material on a Substrate, and a Method of Forming a Field Effect Transistor Gate Oxide on a Substrate

Номер патента: US20120021610A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2626075C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"). Дата публикации: 2017-07-21.

Stacked vertical field-effect transistors with sacrificial layer patterning

Номер патента: US20200303263A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods of forming circuit-protection devices

Номер патента: US12015026B2. Автор: Michael A. Smith,Kenneth W. Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Conformal titanium silicon nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20220301928A1. Автор: Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of forming source/drain contacts in unmerged FinFETs

Номер патента: US09379025B1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Current source and method of forming same

Номер патента: US20200273859A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: US20160181557A1. Автор: Matthew J. Walker,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER,John X. Przybysz, SR.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Back-gate field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: WO2019148170A3. Автор: Denis Murphy,Samuel Fuller,Max SHULAKER,Tathagata Srimani,Yosi Stein. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-04-16.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Logic Elements Comprising Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) Devices and Methods of Making Same

Номер патента: US20170005140A1. Автор: Bertin Claude L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Fin-Like Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20130140637A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-06.

METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTOR USING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING WIRELESS COMMUNICATION DEVICE

Номер патента: US20200203292A1. Автор: MURASE Seiichiro,Wakita Junji,KAWAI Shota. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2020-06-25.

Organic thin film transistor and a manufacturing method of the same

Номер патента: US09887374B2. Автор: Hongyuan Xu,Changi Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Lateral bipolar field effect mode hybrid transistor and method for the same

Номер патента: TW367595B. Автор: Anders Shederberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 1999-08-21.

Lateral bipolar field effect mode hybrid transistor and method for the same

Номер патента: CA2271313A1. Автор: Anders Soderbarg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-05-22.

Multivibrator employing field effect devices as transistors and voltage variable resistors in integrated semiconductive structure

Номер патента: US3134912A. Автор: Arthur D Evans. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1964-05-26.

Semiconductor resist composition, and method and system of forming patterns using the composition

Номер патента: TW202007691A. Автор: 田桓承,文京守,金宰賢,南宮爛,蔡承龍,羅隆熙. Владелец: 南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司. Дата публикации: 2020-02-16.

Organic thin film transistor and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20170237028A1. Автор: Hongyuan Xu,Changi Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20170237028A1. Автор: XU Hongyuan,Su Changi. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING AT LEAST ONE BIPOLAR TRANSISTOR AND A CORRESPONDING METHOD OF PRODUCTION

Номер патента: US20220375954A1. Автор: Marzaki Abderrezak,GAY Romeric. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2022-11-24.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods of forming an array of flash field effect transistors and circuitry peripheral to such array

Номер патента: US20030235963A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200075875A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20240284688A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Fin-type field-effect transistor

Номер патента: US09859302B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Forming a wrap-around contact to connect a source or drain epitaxial growth of a complimentary field effect transistor (cfet) to a buried power rail (bpr) of the cfet

Номер патента: WO2022015926A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455255B2. Автор: Shuai ZHANG,Shaofeng Yu,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Power amplifier modules with power amplifier and transmission line and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09887668B2. Автор: Hardik Bhupendra Modi,Sandra Louise Petty-Weeks,Peter J. Zampardi, JR.,Guohao Zhang,Hsiang-Chih Sun. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Power amplifier modules including tantalum nitride terminated through wafer via and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09755592B2. Автор: HONG Shen,Peter J. Zampardi, JR.,Hsiang-Chih Sun,Mehran JANANI,Jens Albrecht RIEGE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

CFET with Different Channel Materials for NFET and PFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240274474A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Low-profile local interconnect and method of making the same

Номер патента: WO2013002851A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

Integrated circuit device with series-connected field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device

Номер патента: US20120208329A1. Автор: Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Sheet of semiconducting material, system for forming same, and method of forming same

Номер патента: WO2014058698A1. Автор: Prantik Mazumder,Samir Biswas,Glen Bennett Cook,Balram Suman,Kamal Kishore Soni,Douglass Lane Blanding. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09576892B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit dies having alignment marks and methods of forming same

Номер патента: US09685411B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09646944B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Interconnect structures and methods of forming same

Номер патента: US09589862B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Yuan Yu,Hsuan-Ting Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09355979B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

IC structure with recessed solder bump area and methods of forming same

Номер патента: US09472490B1. Автор: Timothy D. Sullivan,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Processes of forming insulated gate field effect transistors with channel lengths of one micron in integrated circuits with component isolated and product

Номер патента: US3996655A. Автор: James A. Cunningham,James E. Schroeder,Mark Roman Guidry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-12-14.

Semiconductor processing methods of forming transistors, semiconductor processing methods of forming dynamic random access memory circuitry, and related integrated circuitry

Номер патента: US20020072199A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Method of forming high stability self-registered field effect transistors

Номер патента: US3614829A. Автор: James F Burgess,Constantine A Neugebauer,Reuben E Joynson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1971-10-26.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20220367824A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US12010856B2. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200358015A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of forming a si-comprising epitaxial layer selectively on a substrate

Номер патента: US20240087888A1. Автор: Rami KHAZAKA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-14.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US20240266304A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method of forming the same, memory and method of forming the same

Номер патента: US12101927B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Recessed contacts at line end and methods forming same

Номер патента: US12107007B2. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09966310B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US09850126B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Yu-feng Chen,Yu-Jen Cheng,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Hybrid fin structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12148672B2. Автор: Shu Ling LIAO,Yu-Chang Lin,Yen-Chun Huang,Fang-Yi LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Active layer and method for preparing the same, organic field-effect transistor and array substrate

Номер патента: US20170012210A1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20020036329A1. Автор: Robert Baird,Steven Merchant,Phillipe Dupuy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Apparatus and methods for voltage regulation

Номер патента: US09971377B2. Автор: Florinel G. Balteanu,Peter Harris Robert Popplewell,Jakub F. Pingot. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Organic field effect transistor and method for producing the same

Номер патента: US09899616B2. Автор: Karl Leo,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem,Hans Kleeman. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating a diode protecting a gate electrode of a field effect transistor

Номер патента: US20030224576A1. Автор: Yasuo Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Deep trench isolation structure and method of forming same

Номер патента: US09799702B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Wei-li CHEN,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Merged Field Effect Transistor Cells For Switching

Номер патента: US20090224334A1. Автор: Randy L. Wolf,Lawrence F. Wagner, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semicondutor device using the same

Номер патента: US09928333B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

BSI image sensor and method of forming same

Номер патента: US09917121B2. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Yeur-Luen Tu,Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Biosensor based on carbon nanotube-electric field effect transistor and method for producing the same

Номер патента: US09880126B2. Автор: Sung-Wook Choi,Jae-ho Kim,Jae-Hyeok Lee,Gwang Hyeon Nam. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2018-01-30.

Connector structure and method of forming same

Номер патента: US09646943B1. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Sheng-Yu Wu,Chita Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Modeling circuit of field effect transistor for symmetric modeling of electrostatic discharge characteristic, method of designing integrated circuit using the same and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US11907635B2. Автор: Seongjin MUN,Kiyoung MOON,Hyein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: US20160258941A1. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-08.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: EP4235174A3. Автор: JAIN Abhinav,Bharath Takulapalli. Владелец: Inanobio LLC. Дата публикации: 2024-01-24.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: US20200096505A1. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: US12007389B2. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Inanobio Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Field effect transistor and solid state image pickup device

Номер патента: US20070290238A1. Автор: Satoru Adachi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Photoreceptor protein-based spectrophotometer, method for manufacturing the same and method for light detection using the same

Номер патента: US09903761B2. Автор: Seok Lee,Sun Ho Kim,Jae Hun Kim,Chulki Kim,Deok Ha Woo,Hyun Seok Song,Taikjin Lee,Ju Yeong Oh,Jun Hyong CHO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-02-27.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US11411190B2. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2022-08-09.

Hybrid field effect transistor and surface enhanced infrared absorption based biosensor

Номер патента: US20210181098A1. Автор: Abram L. Falk,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US20210210704A1. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2021-07-08.

A Method for Producing an Organic Field Effect Transistor and an Organic Field Effect Transistor

Номер патента: US20160049603A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2016-02-18.

Capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1061582A3. Автор: Yasuhiro Uemoto,Keisaku Nakao,Atsushi Noma. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-19.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09978967B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09722196B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09705098B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-07-11.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Using a field effect device for identifying translocating charge-tagged molecules in a nanopore sequencing device

Номер патента: US09488636B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Andres JARAMILLO-BOTERO. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-11-08.

Circuit and method of driving the same

Номер патента: US09444457B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of fabricating image sensor having reduced dark current

Номер патента: US7955888B2. Автор: Jong-Won Choi,Tae-Seok Oh,Hyoun-Min Beak,Su-Young Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Super-saturation current field effect transistor and trans-impedance mos device

Номер патента: US20200027880A1. Автор: Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Organic thin film transistors and methods for their manufacturing and use

Номер патента: US09680097B2. Автор: Monica Katiyar,Saumen MANDAL. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2017-06-13.

Circuitry including resistive random access memory storage cells and methods for forming same

Номер патента: US09444048B2. Автор: FENG Zhou,Peter J. Kuhn. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Robust anode materials, anode layers and methods of making and forming same

Номер патента: WO2024147842A2. Автор: Arrelaine Dameron,David M. King,Jaime DUMONT,Barbara HUGHES,Madison MARTINEZ,Brianna Boeyink,Meghan HERBERT-WALTERS. Владелец: Forge Nano, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

MONOBAGNET FIELD EFFECT EMITTER STRUCTURES WITH PORTES AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: FR2889840A1. Автор: Joleyn Eileen Balch,Ji Ung Lee,Anping Zhang,Heather Diane Hudspeth,Reed Roeder Corderman,Renee Bushey Rohling,Lauraine Denault. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-02-23.

Composite article with lightning strike protection and method and release film for forming same

Номер патента: US11820916B2. Автор: Clay Parten. Владелец: Wichita State University. Дата публикации: 2023-11-21.

Field effect type organic transistor and process for production thereof

Номер патента: WO2005029605A1. Автор: Shinichi Nakamura. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-03-31.

Method of using a field-effect transistor as a current sensing device

Номер патента: US09813063B2. Автор: Gary L. Stirk,Karthik Kadirvel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Battery separator, battery including the separator, and method and system for forming same

Номер патента: EP4022112A1. Автор: William Winchin YEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-06.

Nanofiber electrode and method of forming same

Номер патента: US09905870B2. Автор: Peter N. Pintauro,Wenjing Zhang. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-27.

Solid carbon products comprising carbon nanotubes and methods of forming same

Номер патента: US09604848B2. Автор: Dallas B. Noyes. Владелец: Seerstone LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: WO2016099668A1. Автор: Matthew J. Walker,John X. Przybysz,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: EP3234989A1. Автор: Matthew J. Walker,John X. Przybysz,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUITS USING CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR (CNTFET) DEVICES AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20140268444A1. Автор: Bertin Claude L.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Biocompatible hydrogels, systems including the hydrogels, and methods of using and forming same

Номер патента: WO2016100355A1. Автор: Amir H. TORBATI,Christopher Bowman,Naresh MANDAVA,Malik Y. Kahook,Devatha P. Nair,Saikripa RADHAKRISHNAN,Srinidhi RADHAKRISHNAN. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2016-06-23.

Biomarker sensor array and circuit and methods of using and forming same

Номер патента: EP2973456A2. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-20.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Field effect transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2005086253A1. Автор: Makoto Kubota,Daisuke Miura,Satomi Sugiyama,Tomonari Nakayama,Akane Masumoto,Toshinobu Ohnishi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Submodule, protective unit, transducer and method of controlling transducer

Номер патента: RU2674989C2. Автор: Юньлун Дун,Хайин Ли,Наньнань ВАН,Дунмин ЦАО,Цзе ТЯНЬ. Владелец: Нр Инжиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-12-14.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US20240357840A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US12075636B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US12069874B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Process for fabricating a field-effect transistor with a buried Mott material oxide channel

Номер патента: US20010055818A1. Автор: BRUCE Scott,Alejandro Schrott,James Misewich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Method of driving FETs in saturating self-oscillating push-pull isolated DC-DC converter

Номер патента: US09917526B2. Автор: Rohit Sidapara. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Apparatus and method for hybrid differential envelope detector and full-wave rectifier

Номер патента: US20160072481A1. Автор: Thomas Cho,Siddharth Seth,Sang Won Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Method of forming nanotube vertical field effect transistor

Номер патента: WO2009045585A1. Автор: Reginald C. Farrow,Amit Goyal. Владелец: New Jersey Institute Technology. Дата публикации: 2009-04-09.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

Semiconductor device iincluding delay-enhanced inverter circuit and method of forming same

Номер патента: US20240267049A1. Автор: FENG Lin,Pingping Liu,Qingchao Meng,Yi Yun Huang,SiLiang Xie. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of fabricating organic fets

Номер патента: WO2007022130A2. Автор: Klaus Dimmler,Robert R. Rotzoll. Владелец: Organicid, Inc.. Дата публикации: 2007-02-22.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Power supply branching control apparatus and method for supplying power to electric loads

Номер патента: US9385529B2. Автор: Koji Hashimoto,Tomohiro Kimura,Shozo Kanzaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010045557A1. Автор: Hidetaka Natsume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Reconfigurable switched-capacitor voltage converter circuit, integrated circuit (ic) chip including the circuit and method of switching voltage on chip

Номер патента: US20140152382A1. Автор: Leland Chang,Jae-sun Seo,Robert Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Device comprising a plurality of fdsoi static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US20160343428A1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US7858968B2. Автор: Takayuki Takeuchi,Naohide Wakita,Norishige Nanai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Device comprising a plurality of FDSOI static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US09490007B1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Electronic circuit including a switch having an associated breakdown voltage and a method of using the same

Номер патента: US09413348B2. Автор: Jaume Roig-Guitart,Filip Bauwens,Chin Foong TONG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming integrated circuit structures for capacitive sense NAND memory

Номер патента: US12080356B2. Автор: Shuji Tanaka,Yoshihiko Kamata,Masashi Yoshida,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Device and method for short-circuit protection of semiconductor switch

Номер патента: RU2212098C2. Автор: Мартти САИРАНЕН. Владелец: Ой Лексел Финланд Аб. Дата публикации: 2003-09-10.

A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: WO2014173738A1. Автор: Karl Leo,Björn Lüssem,Hans Kleemann,Alrun Günther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2014-10-30.

Nanoscale field-effect transistors for biomolecular sensors and other applications

Номер патента: US09541522B2. Автор: Charles M. Lieber,Xueliang Liu,Hwan Sung Choe. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2017-01-10.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Semiconductor device with daisy-chained delay cells and method of forming same

Номер патента: US12015410B2. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Qingchao Meng,Zhang-Ying YAN,Huaixin XIAN,Longbiao LEI,Sinpei GOA. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Nanovesicle comprising heterodimeric G-protein coupled receptor, method for preparing nanovesicle, field effect transistor-based taste sensor comprising nanovesicle, and method for manufacturing taste sensor

Номер патента: US12099060B2. Автор: Seung Hun Hong,Hyun Seok Song,Tai Hyun Park,Hye Jun Jin,Sae Ryun Ahn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of and apparatus for biasing switches

Номер патента: US09667244B1. Автор: Bilal Tarik Cavus,Turusan Kolcuoglu,Yusuf Alperen Atesal. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-05-30.

Systems and methods for controlling inrush electrical currents using a virtual miller capacitor and a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

Номер патента: US09513681B2. Автор: Lei Wang,Mehran Mirjafari,Padmanabh R. Gharpure. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-12-06.

Inverted isfet and method of producing thereof

Номер патента: MY162299A. Автор: Hing Wah Lee,Bien Chia Sheng Daniel,Ismahadi Syono Mohd. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2017-05-31.

Catalytic method of removing oxygen from water

Номер патента: RU2636996C2. Автор: Юрий Алексеевич Кныш,Владимир Васильевич Бирюк,Леонид Павлович Шелудько,Александра Борисовна Цапкова,Юрий Ильич Цыбизов,Владимир Васильевич Солодянников. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П.Королева". Дата публикации: 2017-11-29.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Reserve winding of yarn on a tube of a cross-wound bobbin and method and appartus of forming same

Номер патента: US4878629A. Автор: Hans Grecksch,Josef Bertrams,Rene Bucken. Владелец: W Schlafhorst AG and Co. Дата публикации: 1989-11-07.

Woven fabric having a bulging zone and method and apparatus of forming same

Номер патента: US6000442A. Автор: Alexander Busgen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-14.

Dispensing capsule and method and apparatus of forming same

Номер патента: US20230365322A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Turkey product in a form ready for cooking and a method of cutting to form same

Номер патента: US4849245A. Автор: Robert H. Galbraith. Владелец: Cuddy Farms Inc. Дата публикации: 1989-07-18.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

DISPENSING CAPSULE AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200231370A1. Автор: Gordon Stuart,Appleford Mark. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Electrically Conductive Confined Space Ventilator Conduit Formed of Conductive Polymer, Electrical Grounding Circuit for Ventilation System Using Same, and Methods of Using and Forming Same

Номер патента: AU2004202394B2. Автор: David Frank Angelico. Владелец: Air Systems Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Electrically conductive confined space ventilator conduit formed of conductive polymer, electrical grounding circuit for ventilation systems using same, and methods of using and forming same

Номер патента: US7992593B2. Автор: David Frank Angelico. Владелец: Air Systems International Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Electrically conductive confined space ventilator conduit formed of conductive polymer, electrical grounding circuit for ventilation system using same, and methods of using and forming same

Номер патента: TW200504292A. Автор: David Frank Angelico. Владелец: Air Systems Inc. Дата публикации: 2005-02-01.

Electrophotographic photoreceptor, and method and apparatus of forming electrophotographic image

Номер патента: US20160054668A1. Автор: Masanori Yumita,Daisuke Kodama,Mari Konishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-02-25.

Electrophotographic photoreceptor, and method and apparatus of forming electrophotographic image

Номер патента: US09423707B2. Автор: Masanori Yumita,Daisuke Kodama,Mari Konishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: WO2003083901A3. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Nancy Iwamoto. Дата публикации: 2004-03-25.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: WO2003083901A2. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

Polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: US6852354B2. Автор: Nancy E. Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-02-08.

BIOMARKER SENSOR ARRAY AND CIRCUIT AND METHODS OF USING AND FORMING SAME

Номер патента: US20160041155A1. Автор: Takulapalli Bharath. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

HIGHLY POROUS CERAMIC MATERIAL AND METHOD OF USING AND FORMING SAME

Номер патента: US20140158613A1. Автор: Weimer Alan W.,Liang Xinhua. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF COLORADO. Дата публикации: 2014-06-12.

TEMPLATED MATERIALS, STRUCTURES INCLUDING THE MATERIALS, AND METHODS OF USING AND FORMING SAME

Номер патента: US20210247557A1. Автор: Liu Quingkun,Smalyukh Ivan I.,De La Cruz Joshua A.,Fleury Blaise,Abraham Eldho,Cherpak Vladyslav,Senyuk Bohdan,Hess Andrew Johnston. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Migraine relief composition and methods of using and forming same

Номер патента: US20040219229A1. Автор: Tim Clarot. Владелец: Matrixx Initiatives Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Highly porous ceramic material and method of using and forming same

Номер патента: US10138169B2. Автор: Alan W. Weimer,Xinhua Liang. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2018-11-27.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: US20020157788A1. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: AU2003223267A8. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-10-13.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: AU2003223267A1. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-10-13.

Method for staining inhibition of donepezil-containing adhesive composition and method for reduction of formed donepezil-related compounds

Номер патента: RU2460520C2. Автор: Дзунити СЕКИЯ,Хитоси АКЕМИ,Акинори ХАНАТАНИ,Сатико ТЕРАСИ,Сумийо НИСИ,Сатоко ВАСИРО. Владелец: Нитто Денко Корпорейшн. Дата публикации: 2012-09-10.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING ELECTROPHOTOGRAPHIC IMAGE

Номер патента: US20160054668A1. Автор: KONISHI Mari,KODAMA Daisuke,YUMITA Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Detecting Apparatus and Method for Signs of Form Collapse

Номер патента: KR101284752B1. Автор: 박상준,함상규,진상윤,양병혁. Владелец: (주) 희림종합건축사사무소. Дата публикации: 2013-07-17.

Combination of setter used in firing and to-be-fired body and method for firing of formed honeycomb body

Номер патента: CN102351544A. Автор: 末信宏之,中村知雄,野口康,渡边武彦. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-02-15.

Device and method of implementing subpass interleaving of tiled image rendering

Номер патента: US20240104685A1. Автор: Michael John Livesley,Mika Tuomi,Ruijin Wu,Kiia Kallio,Jan H. Achrenius. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Soil Removal System and Method, Method of Manufacture of the System, and Use of a Cleaning Wipe

Номер патента: DE102019006721A1. Автор: Julia Becker,Julia Christina Gwendolin Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: TWI572992B. Автор: 阿曼帝 席恩,漢瑞克 皮杜斯 瑪利亞 皮勒曼,派翠克 華那爾. Владелец: Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2017-03-01.

Method of selective determination of the concentration of gas-containing mercapt-containing and/or amine-containing compounds by means of a gas sensor on the basis of organic field transistor and device for selective determination of the concentration of gas-bearing and/or amine-containing compounds

Номер патента: RU2675667C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Елена Валериевна Агина,Алексей Сергеевич Сизов,Михаил Юрьевич Яблоков,Алексей Андреевич Васильев,Аскольд Альбертович Труль,Виктория Петровна Чекусова,Александр Анатольевич Пермяков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технологии Печатной Электроники" (ООО "ПРИНТЭЛТЕХ"). Дата публикации: 2018-12-21.

Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control

Номер патента: RU2685769C1. Автор: Николай Николаевич Беспалов,Владислав Геннадьевич Мясин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2019-04-23.

Magneto-resistive field effect transistor

Номер патента: WO2014199144A1. Автор: Daniel Anthony Allwood,Hadi Rasam Alqahtani,Matthew Thomas BRYAN,Martin Friedrich GRELL. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2014-12-18.

System, apparatus, and method for viral monitoring in effluent

Номер патента: WO2022081330A1. Автор: Morton M. Mower. Владелец: Mower Morton M. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of non-marking single-molecular sequency of dna and device for its implementation

Номер патента: RU2679494C1. Автор: Алексей Олегович Мантуров,Михаил Александрович Гуторов,Владимир Иванович Башкиров,Эдуард Анатольевич Ильичев,Владимир Владимирович Колесов,Антон Владимирович Григорьев,Константин Валерьевич Крутовский. Владелец: Ооо "Гамма-Днк". Дата публикации: 2019-02-11.

Sulphur-containing fullerene derivatives and method for production thereof

Номер патента: RU2477273C2. Автор: Павел Анатольевич Трошин,Владимир Федорович Разумов,Екатерина Александровна Хакина. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2013-03-10.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

Honeycomb structure and method of forming same

Номер патента: RU2650364C2. Автор: Томас А. ДИН,Бренда К. БЕНЕДЕТТИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-04-11.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240274190A1. Автор: Chia-En HUANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Ion-sensitive field-effect transistors with local-field bias

Номер патента: US20240159701A1. Автор: Vibhor Jain,Judson Holt,Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Tubular members and methods of forming same

Номер патента: EP2026919A1. Автор: John Peter Booth. Владелец: Helical Pipelines Ltd. Дата публикации: 2009-02-25.

Tubular members and methods of forming same

Номер патента: WO2007141573A1. Автор: John Peter Booth. Владелец: Helical Pipelines Limited. Дата публикации: 2007-12-13.

Field-Effect Transistor and Method and Control Unit for Operating a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20160305904A1. Автор: Philipp Nolte. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of measuring medium flow rate

Номер патента: RU2401991C2. Автор: Герд ШТАНГЕ. Владелец: Цилум Бетайлигунгсгезелльшафт Мбх & Ко. Патенте Ii Кг. Дата публикации: 2010-10-20.

Bulkhead adapter assembly having integrally molded body and method of forming same

Номер патента: US20240151910A1. Автор: Steven E. Kaplan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Superoleophobic substrates and methods of forming same

Номер патента: WO2011146357A1. Автор: Prantik Mazumder,Robert S. Wagner. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-24.

Bulkhead adapter assembly having integrally molded body and method forming same

Номер патента: CA3219265A1. Автор: Steven E. Kaplan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-07.

Superoleophobic substrates and methods of forming same

Номер патента: EP2571826A1. Автор: Prantik Mazumder,Robert S. Wagner. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-03-27.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US9683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US20220347908A1. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: Pactiv Evergreen Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Polycrystalline compacts including nanoparticulate inclusions, cutting elements and earth-boring tools including such compacts, and methods of forming same

Номер патента: EP2638234A1. Автор: Anthony A. DiGiovanni. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2013-09-18.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US12011856B2. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: PACTIV LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US09683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Multi-pane insulated glass unit having a relaxed film forming a third pane and method of making the same

Номер патента: EP4295006A1. Автор: James W. Mccamy,Roxana SHABANI,William II DAVIS. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Back gate ion-sensitive field effect transistor sensing with stacked high-k nanosheets

Номер патента: US20240219343A1. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Chia Ching YEO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Vehicle interior component having high surface energy bonding interface and methods of forming same

Номер патента: US20240239275A1. Автор: Jen-Chieh Lin,Arlin Lee Weikel. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Electric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, and memory cell

Номер патента: US20240055036A1. Автор: Thomas KÄMPFE,Nelli Laleni. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-02-15.

Ballistic glass and methods of forming same

Номер патента: US20240151500A1. Автор: Joshua Arthur Lyon,James Eldon Lytle. Владелец: Armitek LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Mxene-graphene field effect transistor virus sensor

Номер патента: WO2023034113A3. Автор: Yang Wang,Donghyun Kim,Chenglin Wu,Risheng Wang,Yuwei Zhang,Yue-Wern HUANG,Yanxiao LI,Jiaoli LI. Владелец: The Curators of the University of Missouri. Дата публикации: 2023-04-13.

Releasable photopolymer printing plate and method of forming same

Номер патента: EP1005668A1. Автор: Ravi Venkataraman. Владелец: Identity Group Inc. Дата публикации: 2000-06-07.

Ballistic glass and methods of forming same

Номер патента: WO2024177698A2. Автор: Joshua Arthur Lyon,James Eldon Lytle. Владелец: Armitek LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Multi-pane insulated glass unit having a relaxed film forming a third pane and method of making the same

Номер патента: US12116832B2. Автор: James W. Mccamy,Roxana SHABANI,II William Davis. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09984730B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Wordline negative boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09842634B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Transverse trough coil car with modular trough forming assemblies and method of forming same

Номер патента: US09387864B2. Автор: Todd L Lydic,Jeffrey W Boring. Владелец: JAC Operations Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Field-effect p-n transistor and its manufacturing process

Номер патента: RU2102818C1. Автор: Соломон Давидович Эдлин. Владелец: Соломон Давидович Эдлин. Дата публикации: 1998-01-20.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2596861C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2016-09-10.

Joint nail package and method and means of forming same

Номер патента: CA632681A. Автор: Ferguson Richard,Gettys D. Hoyle, Jr.. Владелец: Terrell Machine Co. Дата публикации: 1961-12-12.

FIN-LIKE FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120012932A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-19.

FIN-LIKE FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120091528A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-19.

FIN-LIKE FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120104472A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-03.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120205747A1. Автор: HATA Masahiko,Urabe Yuji,TAKENAKA Mitsuru,TAKAGI Shinichi,TAKAGI Hideki,Yasuda Tetsuji,Yokoyama Masafumi,YAMADA Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

Electrically conductive confined space ventilator conduit formed of conductive polymer, electrical grounding circuit for ventilation systems using same, and methods of using and forming same

Номер патента: CA2561299A1. Автор: David Frank Angelico. Владелец: David Frank Angelico. Дата публикации: 2004-12-25.

Texturizing additive for formed meat products and method for obtaining of formed meat products with the use of texturizing additive

Номер патента: RU2249417C1. Автор: Т.В. Каренгина,И.Ф. Горлов. Владелец: ГУ Волгоградский научно-исследовательский технологический институт мясо-молочного скотоводства и переработки продукции животноводства РАСХН. Дата публикации: 2005-04-10.

Metal semiconductor field effect light emitting transistor and preparing method thereof

Номер патента: CN101308895A. Автор: 郭志友,孙慧卿,曾坤,赵华雄,范广涵,高小奇. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-11-19.

The preparation method of MOS transistor and the preparation method of semiconductor devices

Номер патента: CN104900522B. Автор: 何永根. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-03.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER AMPLIFIER AMPLITUDE MODULATOR SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001693A1. Автор: Aoki Ichiro,Hajimiri Seyed-Ali,Kee Scott D.,Damgaard Morten,Magoon Rahul,Mohta Setu,Aparicio Joo Roberto,Hatcher Geoff. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

AUDIO DRIVER SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120002819A1. Автор: Thormundsson Trausti,Jonsson Ragnar H.,Thorvaldsson Vilhjalmur S.,Wihardja James Walter. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making selective gas pickup on basis of system of oscillating carbon nano-pipes

Номер патента: RU2314252C1. Автор: Михаил Максимович Симунин,Станислав Викторович Хартов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РПСЛ". Дата публикации: 2008-01-10.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Measurement Device and Method Utilizing the Same

Номер патента: US20120000796A1. Автор: . Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field Effect Resistor for ESD Protection

Номер патента: US20120003818A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Flip-flop logic element not on field-effect transistors

Номер патента: RU2704748C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Максим Сергеевич Брусов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-10-30.

Method of making microwave field-effect transistor

Номер патента: RU2523060C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Елена Васильевна Бутенко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2014-07-20.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PURIFICATION AND USE OF INORGANIC PYROPHOSPHATASE FROM AQUIFEX AEOLICUS

Номер патента: US20120004115A1. Автор: Shenoy Suresh Gopalkrishna,Link Kristian Hurd,Pino Luan,Gratalo Dawn,Sangan Pitchai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of field effect transistor production with schottky barrier

Номер патента: RU2349987C1. Автор: Вадим Леонидович Романов,Максим Викторович Драгуть. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2009-03-20.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in tubular bodies and methods of forming same

Номер патента: MY144256A. Автор: Booth John Peter,Lovis Gordon David. Владелец: ITI Scotland Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2591236C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Магомед-Али Вахаевич Зубхаджиев,Асламбек Идрисович Хасанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"). Дата публикации: 2016-07-20.

Method of producing high-frequency transistor with nanometer gates

Номер патента: RU2578517C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП"). Дата публикации: 2016-03-27.

Method of producing 1,8-{bis[(pent-2,4-dion-3-yl)methylsulphanyl]}-3,6-dioxaoctane and 4,4'-{bis[(pent-2,4-dion-3-yl)methylsulphanyl]}-diphenyl oxide

Номер патента: RU2529512C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Асхат Габдрахманович Ибрагимов,Внира Рахимовна Ахметова,Виталий Александрович Веклов,Рушана Флоридовна Габдрахманова,Наиль Салаватович Ахмедиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нефтехимии и катализа Российской академии наук. Дата публикации: 2014-09-27.

Hydrosol for forming coatings of electrochemical peroxide-sensitive sensors and biosensors, method of producing said hydrosol, electrochemical sensor and biosensor, use and production methods thereof

Номер патента: RU2419785C1. Автор: Илья Николаевич Курочкин,Екатерина Александровна Донцова,Аркадий Вениаминович Еременко,Сергей Леонидович Кальнов,Дэвид Трудил. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧипДетект". Дата публикации: 2011-05-27.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

Radiator tube and method and apparatus for forming same

Номер патента: WO1995005571B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-04-13.

GLOVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000005A1. Автор: KISHIHARA Hidetoshi,II Yasuyuki. Владелец: SHOWA GLOVE CO.. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.