Techniques for electromigration stress determination in interconnects of an integrated circuit
Номер патента: US8793632B2
Опубликовано: 29-07-2014
Автор(ы): Ertugrul Demircan, Mehul D. Shroff
Принадлежит: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-07-2014
Автор(ы): Ertugrul Demircan, Mehul D. Shroff
Принадлежит: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Techniques for electromigration stress mitigation in interconnects of an integrated circuit design
Номер патента: US20150046893A1. Автор: Ertugrul Demircan,Mehul D. Schroff. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-02-12.