薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管
Номер патента: CN110211874B
Опубликовано: 23-07-2021
Автор(ы): 陈梦
Принадлежит: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-07-2021
Автор(ы): 陈梦
Принадлежит: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate
Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.