Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • MEMORY READ STABILITY ENHANCEMENT WITH SHORT SEGMENTED BIT LINE ARCHITECTURE

MEMORY READ STABILITY ENHANCEMENT WITH SHORT SEGMENTED BIT LINE ARCHITECTURE

Номер патента: US20200075092A1
Опубликовано: 05-03-2020
Автор(ы): Chang Jonathan Tsung-Yung, CHEN Yen-Huei, FUJIWARA Hidehiro, LIAO Hung-Jen, Sinangil Mahmut, Singh Sahil Preet
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory read stability enhancement with short segmented bit line architecture

Номер патента: US09922700B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh,Jonathan Tsung-Yung Chang,Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory read stability enhancement with short segmented bit line architecture

Номер патента: US20180197601A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh,Jonathan Tsung-Yung Chang,Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory read stability enhancement with short segmented bit line architecture

Номер патента: US20200075092A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh,Jonathan Tsung-Yung Chang,Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory read stability enhancement with short segmented bit line architecture

Номер патента: US20190108874A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh,Jonathan Tsung-Yung Chang,Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

MEMORY READ STABILITY ENHANCEMENT WITH SHORT SEGMENTED BIT LINE ARCHITECTURE

Номер патента: US20180197601A1. Автор: LIAO Hung-Jen,CHEN Yen-Huei,Chang Jonathan Tsung-Yung,Singh Sahil Preet,FUJIWARA Hidehiro,Sinangil Mahmut. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

MEMORY READ STABILITY ENHANCEMENT WITH SHORT SEGMENTED BIT LINE ARCHITECTURE

Номер патента: US20170345485A1. Автор: LIAO Hung-Jen,CHEN Yen-Huei,Chang Jonathan Tsung-Yung,Singh Sahil Preet,FUJIWARA Hidehiro,Sinangil Mahmut. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Dual-port sram with bit line clamping

Номер патента: US20130258761A1. Автор: Sam Tsai,Brad Sharpe-Geisler,Fabiano Fontana,Timothy Scott Swensen. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Memory read stability enhancement with short segmented bit line architecture

Номер патента: US20190108874A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh,Jonathan Tsung-Yung Chang,Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory and interface circuit for bit line of memory

Номер патента: US09697890B1. Автор: Bing Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory read circuit with N type and P type pre-charge

Номер патента: US10497405B2. Автор: Rajiv Kumar,Kuan Cheng Tang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Global bit select circuit interface with simplified write bit line precharging

Номер патента: US20110211401A1. Автор: Yuen Hung Chan,Antonia R. Pelella. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: SG11201901324QA. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-29.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: EP3523804A1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-14.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: US09870818B1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Asynchronous static random access memory device for propagating read-out data bit through single bit line

Номер патента: US5414657A. Автор: Yasunori Okimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Improving memory read stability using selective precharge

Номер патента: RU2444073C1. Автор: Нань ЧЭНЬ,Мохамед Х. АБУ-РАХМА,Риту ЧАБА,Сей Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-02-27.

Improving memory read stability using selective precharge of bit line sections

Номер патента: CA2709400C. Автор: Nan Chen,Sei Seung Yoon,Mohamed H. Abu-Rahma,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-17.

Variable voltage bit line precharge

Номер патента: US20240212745A1. Автор: Atul Katoch,Adrian Earle. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory Circuit with Decoupled Read and Write Bit Lines and Improved Write Stability

Номер патента: US20090147592A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jae-Joon Kim,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Variable voltage bit line precharge

Номер патента: US11929113B2. Автор: Atul Katoch,Adrian Earle. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Computer memory systems employing localized generation of global bit line (gbl) clock signal to reduce clock signal read path divergenge for improved signal tracking, and related methods

Номер патента: WO2023235055A1. Автор: Rajesh Kumar,Sai Prakash Reddy BIJIVEMULA. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Computer memory systems employing localized generation of global bit line (gbl) clock signal to reduce clock signal read path divergenge for improved signal tracking, and related methods

Номер патента: US20230395127A1. Автор: Rajesh Kumar,Sai Prakash Reddy BIJIVEMULA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Computer memory systems employing localized generation of global bit line (GBL) clock signal to reduce clock signal read path divergence for improved signal tracking, and related methods

Номер патента: US12033687B2. Автор: Rajesh Kumar,Sai Prakash Reddy BIJIVEMULA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Robust circuit for negative bit line generation in SRAM cells

Номер патента: US12073877B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Robust Circuit for Negative Bit Line Generation in SRAM Cells

Номер патента: US20230037674A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Clamped bit line read circuit

Номер патента: US20120320691A1. Автор: William J. Dally,John W. Poulton. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2012-12-20.

Memory device including separate negative bit line

Номер патента: US20240105241A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Global bit line latch performance and power optimization

Номер патента: US20200194060A1. Автор: Harry Barowski,Alexander Fritsch,Martin Bernhard Schmidt,Matthias Hock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory with a sense amplifier isolation scheme for enhancing memory read bandwidth

Номер патента: EP4405947A1. Автор: Chulmin Jung,Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Dhvani Sheth. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory with a sense amplifier isolation scheme for enhancing memory read bandwidth

Номер патента: US11894050B2. Автор: Chulmin Jung,Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Dhvani Sheth. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Static memory cell capable of balancing bit line leakage currents

Номер патента: US20190206484A1. Автор: Yuejun Zhang,Pengjun WANG,Huihong ZHANG,Keji ZHOU. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2019-07-04.

Static memory cell capable of balancing bit line leakage currents

Номер патента: US10410687B2. Автор: Yuejun Zhang,Pengjun WANG,Huihong ZHANG,Keji ZHOU. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device controlling the supply voltage on BIT lines

Номер патента: US5363336A. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Pulsed sub-vdd precharging of a bit line

Номер патента: US20190272859A1. Автор: Greg M. Hess,Hemangi U. Gajjewar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Bit line logic circuit and method

Номер патента: US20240312501A1. Автор: Jonathan Tsung-Yung Chang,Shang-Chi Wu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Pre-charging bit lines through charge-sharing

Номер патента: US09922701B2. Автор: Hung-jen Liao,Chiting Cheng,Mahmut Sinangil,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Bit-line voltage boosting methods for static RAM and semiconductor device including static RAM

Номер патента: US09589609B2. Автор: Wenhao Wu. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Adaptive negative bit line write assist

Номер патента: EP3353790A1. Автор: Rahul Sahu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-01.

Bit line load circuit

Номер патента: US5508961A. Автор: Gwang M. Han. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-04-16.

Pre-charging bit lines through charge-sharing

Номер патента: US11848047B2. Автор: Hung-jen Liao,Chiting Cheng,Mahmut Sinangil,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Pre-Charging Bit Lines Through Charge-Sharing

Номер патента: US20240079053A1. Автор: Hung-jen Liao,Chiting Cheng,Mahmut Sinangil,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory having self-timed bit line boost circuit and method therefor

Номер патента: WO2010033317A1. Автор: James D. Burnett,Lawrence F. Childs,Craig D. Gunderson,Olga R. Lu. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2010-03-25.

Write assist for memories with resistive bit lines

Номер патента: WO2018106866A1. Автор: Russell Homer,Alfred Yeung,Abhiram Saligram Chandrashekar. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor memory device having transfer gate array associated with monitoring circuit for bit line pair

Номер патента: US5235546A. Автор: Hiroshi Nakayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Bit line logic circuits and methods

Номер патента: US11996163B2. Автор: Jonathan Tsung-Yung Chang,Shang-Chi Wu,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Static memory with pull-up circuit for pulling-up a potential on a bit line

Номер патента: US4813022A. Автор: Mitsuo Isobe,Tetsuya Iizuka,Takayuki Ohtani,Masataka Matsui,Jun-ichi Tsujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-03-14.

Static random access memory device including dual power line and bit line precharge method thereof

Номер патента: US9171610B2. Автор: Jong-Sang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Adaptive negative bit line write assist

Номер патента: WO2017053068A1. Автор: Rahul Sahu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-30.

Negative bit line control mechanism

Номер патента: US20240312514A1. Автор: Jiann-Tseng Huang,Weinan Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Negative bit line control mechanism

Номер патента: EP4432280A1. Автор: Jiann-Tseng Huang,Weinan Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Intelligent bit line precharge for improved dynamic power

Номер патента: US09514805B1. Автор: Ritu Chaba,Arun Babu PALLERLA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Adaptive negative bit line write assist

Номер патента: US09455028B1. Автор: Rahul Sahu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Robust negative bit-line and reliability aware write assist

Номер патента: US10522214B2. Автор: Sudhir Kumar,Nikhil Puri,Vinay Kumar,Sumit Srivastava. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2019-12-31.

Sense amplifier and control method therefor, memory read-write circuit and memory

Номер патента: EP4020473A1. Автор: Weibing SHANG,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Flying and twisted bit line architecture for dual-port static random-access memory (DP SRAM)

Номер патента: US09928899B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Sahil Preet Singh,Avinash Chander,Albert Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Apparatus turning on word line decoder by reference bit line equalization

Номер патента: US20050036360A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor storage device and test method thereof using a common bit line

Номер патента: US09697911B2. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor storage device and test method thereof using a common bit line

Номер патента: US09508419B2. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Selective bit line clamping control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230012303A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Bit line read current mirroring circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230410892A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-12-21.

Bit line read current mirroring circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4307303A3. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-04-24.

Selective bit line clamping control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4270395A2. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-01.

Selective bit line clamping control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116976A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Selective bit line clamping control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4270395A3. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-12-06.

Bit line pre-charge circuit for power management modes in multi bank SRAM

Номер патента: US11626158B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ruchin Jain,Arun Achyuthan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

Bit Line Pre-Charge Circuit for Power Management Modes in Multi Bank SRAM

Номер патента: US20240242762A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ruchin Jain,Arun Achyuthan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Bit line pre-charge circuit and method

Номер патента: US20230053795A1. Автор: Cheng Lee,Yu-Hao Hsu,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Multi-Stage Bit Line Pre-Charge

Номер патента: US20210249057A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chih-Cheng Yu,Pei-Yuan LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Multi-Stage Bit Line Pre-Charge

Номер патента: US20210383847A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chih-Cheng Yu,Pei-Yuan LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Multi-Stage Bit Line Pre-Charge

Номер патента: US20240029769A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chih-Cheng Yu,Pei-Yuan LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Multi-stage bit line pre-charge

Номер патента: US11749321B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chih-Cheng Yu,Pei-Yuan LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Replica bit-line control circuit

Номер патента: US09886206B1. Автор: Pengjun WANG,Huihong ZHANG,Daohui GONG,Keji ZHOU. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2018-02-06.

Bit line read current mirroring circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4307303A2. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-01-17.

Bit Line Pre-Charge Circuit for Power Management Modes in Multi Bank SRAM

Номер патента: US20230223076A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ruchin Jain,Arun Achyuthan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Bit line pre-charge circuit for power management modes in multi bank SRAM

Номер патента: US11935589B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ruchin Jain,Arun Achyuthan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Write assist for memories with resistive bit lines

Номер патента: US20180261279A1. Автор: Russell Homer,Alfred Yeung,Abhiram Saligram Chandrashekar. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Adaptive bit line overdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116977A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Enhanced accuracy of bit line reading for an in-memory compute operation by accounting for variation in read current

Номер патента: EP4287187A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-12-06.

Adaptive bit line overdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (SRAM)

Номер патента: US11984151B2. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-05-14.

Bit Line Pre-Charge Circuit for Power Management Modes in Multi Bank SRAM

Номер патента: US20220130455A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ruchin Jain,Arun Achyuthan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Enhanced accuracy of bit line reading for an in-memory compute operation by accounting for variation in read current

Номер патента: US20230386564A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-30.

Timing control circuit of memory device with tracking word line and tracking bit line

Номер патента: US20230352085A1. Автор: He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng,Lu-Ping KONG. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Bit line accumulation readout scheme for an analog in-memory computation processing circuit

Номер патента: US20240177769A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-05-30.

Bit line negative potential circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20120075936A1. Автор: Yuki Fujimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

High performance embedded semiconductor memory devices with multiple dimension first-level bit-lines

Номер патента: US20030043657A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: UNIRAM Tech Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Replica Bit-Line Control Circuit

Номер патента: US20180024758A1. Автор: Pengjun WANG,Huihong ZHANG,Daohui GONG,Keji ZHOU. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2018-01-25.

High performance embedded semiconductor memory device with multiple dimension first-level bit-lines

Номер патента: WO2002017326A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Shau Jeng Jye. Дата публикации: 2002-02-28.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: EP3523804B1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-11-18.

Semiconductor memory apparatus having open bit line structure in which a sense amplifier array shared between a dummy array and normal array,comparing one bit line of the normal array with two or more bit lines of the dummy array

Номер патента: US09666254B1. Автор: Jai Yong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Static random access memory with symmetric leakage-compensated bit line

Номер патента: WO2004025661A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Steven Hsu,Atila Alvandpour,Ram Krishnamurty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-03-25.

Memory systems including memory arrays employing column read circuits to control floating of column read bit lines, and related methods

Номер патента: WO2023278049A1. Автор: Amlan Ghosh,Sung Hao Lin. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory (SRAM) bit cell circuit and a non-volatile memory (NVM) bit cell circuit and a memory bit cell array circuit

Номер патента: US11749327B2. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory (sram) bit cell circuit and a non-volatile memory (nvm) bit cell circuit and a memory bit cell array circuit

Номер патента: US20220180910A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory systems including memory arrays employing column read circuits to control floating of column read bit lines, and related methods

Номер патента: EP4364140A1. Автор: Amlan Ghosh,Sung Hao Lin. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory (sram) bit cell circuit and a non-volatile memory (nvm) bit cell circuit and a memory bit cell array circuit

Номер патента: EP4260320A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor memory apparatus having open bit line structure

Номер патента: US20170133069A1. Автор: Jai Yong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Ten-transistor dual-port sram with shared bit-line architecture

Номер патента: US20140198562A1. Автор: Wei Hwang,Dao-Ping Wang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-07-17.

Single-ended memory cell with improved read stability, memory using the cell, and methods of operating and designing same

Номер патента: US20080192525A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Keunwoo Kim,Vinod Ramadurai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Sram device including buried bit line and buried word line using backside metal

Номер патента: US20240321344A1. Автор: Tae-hyung Kim,Ji-Hyun Choi,Eo Jin LEE,Ho Young TANG,Yu Tak Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Sram device including buried bit line and buried word line using backside metal

Номер патента: EP4436327A2. Автор: Tae-hyung Kim,Ji-Hyun Choi,Eo Jin LEE,Ho Young TANG,Yu Tak Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Memory array with bit-lines connected to different sub-arrays through jumper structures

Номер патента: US09659635B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory devices with reduced bit line capacitance and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371412A1. Автор: Yen-Huei Chen,Yuichiro Ishii,Chih-Yu Lin,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara,Masaya Hamada. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory devices with improved bit line loading

Номер патента: US20240021240A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Reduced swing bit-line apparatus and method

Номер патента: US09947388B2. Автор: Jaydeep P. Kulkarni,Iqbal R. Rajwani,Eric K. Donkoh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and apparatus for enhancing read stability of a static random access memory circuit in low voltage operation

Номер патента: US09940997B2. Автор: Ashish Kumar,Vinay Kumar,Kedar Janardan Dhori. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory (sram) bit cell circuit and a non-volatile memory (nvm) bit cell circuit and a memory bit cell array circuit

Номер патента: WO2022125172A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-06-16.

Pulse driven single bit line SRAM cell

Номер патента: US6853578B1. Автор: FENG CHEN,Wei Zhang,Jianbin Wu. Владелец: Piconetics Inc. Дата публикации: 2005-02-08.

Method and circuit for reducing leakage and increasing read stability in a memory device

Номер патента: US20060206739A1. Автор: Hyung-il Kim,Jae-Joon Kim,Kaushik Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Improving memory read stability using selective precharge of bit line sections

Номер патента: KR101251360B1. Автор: 난 첸,세승 윤,모하메드 에이치. 아부-라흐마,리투 차바. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-04-05.

Improving memory read stability using selective precharge of bit line sections

Номер патента: CA2709400A1. Автор: Nan Chen,Sei Seung Yoon,Mohamed H. Abu-Rahma,Ritu Chaba. Владелец: Ritu Chaba. Дата публикации: 2009-06-25.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: WO2015081056A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: EP3757998A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: EP3074980A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Memory with local-/global bit line architecture and additional capacitance for global bit line discharge in reading

Номер патента: US20160064044A1. Автор: Anthony Stansfield. Владелец: Surecore Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Integrated circuit device having a memory array with segmented bit lines and method of operation

Номер патента: US6023428A. Автор: Hiep Van Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Systems and methods of sectioned bit line memory arrays, some including hierarchical and/or other features

Номер патента: EP2788986A1. Автор: Leelean SHU,Hsin You S. LEE,Chenming W. TUNG. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Systems and methods of sectioned bit line memory arrays, including hierarchical and/or other features

Номер патента: US20140219011A1. Автор: Lee-Lean Shu,Hsin You S. LEE,Chenming W. TUNG. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory device with hierarchy bit line

Номер патента: US20070201271A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-30.

Dynamic static random access memory (SRAM) array characterization using an isolated bit-line

Номер патента: US09424951B2. Автор: Tzong-Kwang Henry Yeh,Jamil Kawa,Shih-Yao Christine SUN,Raymond Tak-Hoi LEUNG. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device having a hierarchical bit line structure with reduced interference noise

Номер патента: US5610871A. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-03-11.

Dram bit line selection circuit for selecting multiple pairs of lines

Номер патента: US5774407A. Автор: Sam Soo Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-30.

Semiconductor memory device having hierarchical bit line structure

Номер патента: US5815428A. Автор: Masaki Tsukude,Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Bit line powered translinear memory cell

Номер патента: CA1189622A. Автор: William H. Herndon. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-06-25.

Bit line selection circuit

Номер патента: US5781487A. Автор: Seong Jin Jang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Semiconductor memory apparatus having improved charge retention as a result of bit line shielding

Номер патента: US20060267158A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor apparatus with open bit line structure

Номер патента: US8867282B2. Автор: Kee Teok Park,Tae Sik Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Bit line powered translinear memory cell

Номер патента: US4442509A. Автор: William H. Herndon. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-04-10.

Semiconductor memory apparatus and bit line equalizing circuit

Номер патента: US20120327731A1. Автор: Mi Hyeon JO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor memory apparatus and bit line equalizing circuit

Номер патента: US8797816B2. Автор: Mi Hyeon JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Circuit for generating a clock signal to separate bit lines in a semiconductor memory device

Номер патента: US5402378A. Автор: Yong-Sik Seok,Kyung-Youl Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-03-28.

Self-feedback control pipeline architecture for memory read path applications

Номер патента: US20090175101A1. Автор: Jeng-Tzong Shih,Ming Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-09.

Self-feedback control pipeline architecture for memory read path applications

Номер патента: US7796463B2. Автор: Jeng-Tzong Shih,Ming Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Self-feedback control pipeline architecture for memory read path applications

Номер патента: US20080285363A1. Автор: Jeng-Tzong Shih,Ming Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Memory read-write circuit, method for controlling memory, and electronic device

Номер патента: US12073874B2. Автор: Yinchuan GU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods and systems for generating latch clock used in memory reading

Номер патента: US20070041253A1. Автор: Jui-Hsing Tseng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2007-02-22.

Methods and systems for generating latch clock used in memory reading

Номер патента: US20060215466A1. Автор: Jui-Hsing Tseng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Memory reading circuit, memory device and method of operating memory device

Номер патента: US09489991B2. Автор: Cheng Hung Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Hsin-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US20230121199A1. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US20090310432A1. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor memory device using VSS or VDD bit line precharge approach without reference cell

Номер патента: US7031213B2. Автор: Kyong-Jun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-18.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US7889532B2. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US12087351B2. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Bit-line sense amplifier capable of compensating mismatch between transistors, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09431071B2. Автор: Jong-Ho Moon,Tai-Young Ko,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Bit line precharge circuit having precharge elements outside sense amplifier

Номер патента: US20090238019A1. Автор: Seung Bong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Method and apparatus for loading directly onto bit lines in a dynamic random access memory

Номер патента: US6118717A. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-09-12.

Bit line cross-over layout arrangement

Номер патента: US6163475A. Автор: Robert J. Proebsting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-12-19.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: EP4326023A2. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: EP4326023A3. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US8467216B2. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US20110182099A1. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: US20240064973A1. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

High speed dram local bit line sense amplifier

Номер патента: US20020105846A1. Автор: Robert Dennard,Ronald Knepper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Bit line clamp voltage generator for STT MRAM sensing

Номер патента: US09852784B2. Автор: John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Bit line clamp voltage generator for STT MRAM sensing

Номер патента: US09666258B2. Автор: John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device and a method of operating a bit line sense amplifier of the same

Номер патента: US9704545B2. Автор: Ki-Seok OH,Jonghyun Choi,Seong-Heon Yu,Dongwoo Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US20120300529A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US8773884B2. Автор: Seiji Narui. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-07-08.

Bit line sense amplifier and bit line sensing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230395102A1. Автор: Keewon Kwon,Chaehwan PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-12-07.

Bit line sense amplifier, semiconductor memory device and multi bit data sensing method thereof

Номер патента: US20190189192A1. Автор: Kyungryun Kim,Younghun Seo,Soobong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US20140104919A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device having hierarchical bit line structure

Номер патента: US8964439B2. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor device having hierarchical bit line structure

Номер патента: US20130215698A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Dynamic random access memory with well-balanced read-out voltage on bit line pair and operating method therefor

Номер патента: US4982367A. Автор: Hideshi Miyatake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-01-01.

Bit line sense amplifier control circuit

Номер патента: US20070070751A1. Автор: Hee Byun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Fast bit-line pre-charge scheme

Номер патента: US9177621B2. Автор: Hung-Chang Yu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-03.

Bit line control circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US20070070706A1. Автор: Khil-Ohk Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US20130294135A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-11-07.

Fast Bit-Line Pre-Charge Scheme

Номер патента: US20140064000A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Bit switch circuit and bit line selection method

Номер патента: US5963486A. Автор: George McNeil Lattimore,Gus Wai-Yen Yeung,Robert Anthony Ross, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Bit Line Clamp Voltage Generator for STT MRAM Sensing

Номер патента: US20170125080A1. Автор: John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Bit line sensing circuit comprising a sample and hold circuit

Номер патента: US11935601B2. Автор: Yu Lu,Chieh-Yu Lin. Владелец: Supermem Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bit Line Clamp Voltage Generator for STT MRAM Sensing

Номер патента: US20170047102A1. Автор: John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Sensor for Performance Variation of Memory Read and Write Characteristics

Номер патента: US20200143901A1. Автор: Rainer Herberholz,Amit Chhabra. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Sensor for performance variation of memory read and write characteristics

Номер патента: US11742051B2. Автор: Rainer Herberholz,Amit Chhabra. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Sensor for Performance Variation of Memory Read and Write Characteristics

Номер патента: US20210343359A1. Автор: Rainer Herberholz,Amit Chhabra. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Bit line equalization driver circuits and related apparatuses, methods, and computing systems

Номер патента: US20220044721A1. Автор: Yuan He,Sang-Kyun Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor Memory Device Having Dummy Bit Line

Номер патента: US20140022831A1. Автор: Jin-Young Kim,Beak-Hyung Cho,Min-Gu Kang,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

Area-efficient scalable memory read-data multiplexing and latching

Номер патента: US20210294374A1. Автор: Daniel Cummings,Amir JAVIDI,Glenn Starnes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Area-efficient scalable memory read-data multiplexing and latching

Номер патента: US20200333825A1. Автор: Daniel Cummings,Amir JAVIDI,Glenn Starnes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Area-efficient scalable memory read-data multiplexing and latching

Номер патента: US20230137508A1. Автор: Daniel Cummings,Amir JAVIDI,Glenn Starnes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Static random access memory read path with latch

Номер патента: WO2021101709A1. Автор: Arijit Banerjee,Russell Schreiber,Kyle WHITTLE. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2021-05-27.

Static random access memory read path with latch

Номер патента: EP4062408A1. Автор: Arijit Banerjee,Russell Schreiber,Kyle WHITTLE. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-09-28.

Static Random Access Memory Read Path with Latch

Номер патента: US20210158855A1. Автор: Arijit Banerjee,Russell Schreiber,Kyle WHITTLE. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor memory having hierarchical bit line and/or word line architecture

Номер патента: TW419668B. Автор: Gerhard Mueller,Hing Wong,Toshiaki Kirihata. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-01-21.

Sense amplifier and control method therefor, memory read-write circuit and memory

Номер патента: EP4020473B1. Автор: Weibing SHANG,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Bit line decoding scheme and circuit for dual bit memory with a dual bit selection

Номер патента: US20030031048A1. Автор: Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Bit line decoding scheme and circuit for dual bit memory with a dual bit selection

Номер патента: EP1274094A3. Автор: Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-30.

3-D DRAM structure with vertical bit-line

Номер патента: US11763856B2. Автор: Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory device including switches for selectively turning on bit lines

Номер патента: US09659648B2. Автор: Jung Hyuk YOON,In Soo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory read circuitry with a flipped voltage follower

Номер патента: US11742012B2. Автор: Karthik Ramanan,Jon Scott Choy,Padmaraj Sanjeevarao. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US20230036684A1. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,In Jun JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor memory device having bit line disturbance preventing unit

Номер патента: US20100110772A1. Автор: Hyun-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-06.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US12106797B2. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,In Jun JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device with open bit line structure which minimizes loading difference of sense amplifiers arranged outermost part

Номер патента: US09570150B2. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method including redundant bit line provided to replace defective bit line

Номер патента: US20140140155A1. Автор: Hiromasa Noda,Yoshiro Riho,Yoshio Mizukane. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines

Номер патента: US9236149B2. Автор: Noriaki Mochida. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-01-12.

Semiconductor Device Having Hierarchically Structured Bit Lines

Номер патента: US20160125961A1. Автор: Noriaki Mochida. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US8374044B2. Автор: Seiji Narui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines

Номер патента: US09666306B2. Автор: Noriaki Mochida. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and device for detecting whether the alignment of bit line contacts and active areas in DRAM devices is normal

Номер патента: US6844207B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang,Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-18.

Memory component having a novel arrangement of the bit lines

Номер патента: US7414906B2. Автор: Florian Schnabel,Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-19.

Memory component having a novel arrangement of the bit lines

Номер патента: US20060152988A1. Автор: Florian Schnabel,Helmut Schneider. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-13.

Rom array with shared bit-lines

Номер патента: US20100315855A1. Автор: Salwa Bouzekri Alami,Lotfi Ben Ammar. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Symmetric architecture for memory cells having widely spread metal bit lines

Номер патента: US20010046150A1. Автор: Boaz Eitan,Eduardo Maayan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Bias-controlled bit-line sensing scheme for edram

Номер патента: US20190228812A1. Автор: Abraham Mathews,Donald W. Plass. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US12051461B2. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240339153A1. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

A semiconductor device having a electric charge amplifier for amplifying bit line electric charge

Номер патента: GB2326496A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-23.

Reading scheme for 1TNC ferroelectric memory bit-cell with plate-line parallel to bit-line and with individual switches and control on plate-lines of the bit-cell

Номер патента: US11817140B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Writing scheme for multi-element gain ferroelectric memory bit-cell with plate-lines parallel to a bit-line and with individual switches and control on the plate-lines of the bit-cell

Номер патента: US11790972B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Writing scheme for 1TNC ferroelectric memory bit-cell with plate-lines parallel to a bit-line and with individual switches and control on the plate-lines of the bit-cell

Номер патента: US11769543B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device with column to be selected by bit line selection signal

Номер патента: US20060171226A1. Автор: Daisuke Kato,Yasuyuki Kajitani,Mariko Kaku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240135987A1. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory circuits, systems, and methods for providing bit line equalization voltages

Номер патента: US20100202220A1. Автор: Young Suk Kim,TaeHyung Jung,Kuoyuan Peter Hsu,Douk Hyoun Ryu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Bit line bridge detecting method in semiconductor memory device

Номер патента: US20100128544A1. Автор: Hyun-Ki Kim,Chi-wook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US20130301370A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-11-14.

Bit line sense circuit and method for dynamic random access memories

Номер патента: EP1132923A1. Автор: Duane Giles Laurent,James Leon Worley,Elmer Henry Guritz. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2001-09-12.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11482281B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: WO2021050984A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device having bit lines capable of partial operation

Номер патента: US5189639A. Автор: Hideshi Miyatake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Dynamic memory with improved arrangement for precharging bit lines

Номер патента: US4733373A. Автор: Tatsunori Murotani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-03-22.

Bit line structure of dynamic type semiconductor memory device

Номер патента: US4922453A. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-05-01.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device

Номер патента: US5566116A. Автор: Kyung-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-10-15.

Column select signal cell circuit, bit line sense circuit and memory

Номер патента: US20220277785A1. Автор: YING Wang,Jia Wang,Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Bit line sense circuit and memory

Номер патента: US20220093164A1. Автор: YING Wang,Jia Wang,Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Bit line sense circuit and memory

Номер патента: US11862239B2. Автор: YING Wang,Jia Wang,Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatuses and methods for sense line architectures for semicondcutor memories

Номер патента: EP3732684A1. Автор: Charles L. Ingalls,Toby D. Robbs. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Apparatuses and methods for sense line architectures for semiconductor memories

Номер патента: US20190206480A1. Автор: Charles L. Ingalls,Toby D. Robbs. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Apparatuses and methods for sense line architectures for semiconductor memories

Номер патента: US20200211625A1. Автор: Charles L. Ingalls,Toby D. Robbs. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Bonded assembly of a memory die and a logic die including laterally shifted bit-line bonding pads and methods of forming the same

Номер патента: WO2022240454A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Jee-Yeon Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Balanced sense amplifier control for open digit line architecture memory devices

Номер патента: US20020131311A1. Автор: Stephen Porter,Scott Derner,Scot Graham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Method and device for detecting whether the alignment of bit line contacts and active areas in DRAM devices is normal

Номер патента: US20040029301A1. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang,Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device having the same, and method of testing bit-line micro-bridge defect

Номер патента: US20110199836A1. Автор: Jung-Bae Lee,Cheol Kim,Jun-Phyo Lee,Sang-Kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US20130058180A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Column selection signal unit circuit, bit line sensing circuit, and memory

Номер патента: EP4198982A1. Автор: YING Wang,Jia Wang,Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Balanced sense amplifier control for open digit line architecture memory devices

Номер патента: US20030081476A1. Автор: Stephen Porter,Scott Derner,Scot Graham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Column select signal cell circuit, bit line sense circuit and memory

Номер патента: US12027201B2. Автор: YING Wang,Jia Wang,Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Bit line and cell plate clamp circuit for a DRAM

Номер патента: US5253205A. Автор: S. Sheffield Eaton, Jr.. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-10-12.

CMOS dynamic memory device having multiple flip-flop circuits selectively coupled to form sense amplifiers specific to neighboring data bit lines

Номер патента: US5132930A. Автор: Koichiro Mashiko,Kazutami Arimoto,Yoshio Matsuda,Noriaki Matsumoto,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-07-21.

Bit line sense amplifier for inhibiting increase of offset voltage and method for fabricating the same

Номер патента: US20050213407A1. Автор: Kwang Myoung Rho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-29.

Bit line sense amplifier and bit line sensing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230260567A1. Автор: Keewon Kwon,Chaehwan PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-17.

High-density read-only memory employing multiple bit-line interconnection

Номер патента: US5528534A. Автор: Masakazu Shoji. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1996-06-18.

Dram with polysi bit lines and added junction capacitance

Номер патента: US4551741A. Автор: Hideyuki Ozaki,Kazuhiro Shimotori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1985-11-05.

Apparatuses and methods for repairing mutliple bit lines with a same column select value

Номер патента: US20240029781A1. Автор: John F. Schreck,Jason M. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Silicon-on-insulator (soi) circuitry for low-voltage memory bit-line and word-line decoders

Номер патента: US20230162789A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Bit line precharge in embedded memory

Номер патента: US7286423B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-10-23.

Write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: US20240170034A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Nonvolatile memory device having connection unit for allowing precharging of bit lines in single step

Номер патента: US09653155B1. Автор: Ki-Chang Gwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Decoding data using bit line defect information

Номер патента: US09484114B1. Автор: Moshe Cohen,Mark Shlick,Refael BEN-RUBI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Bit line charge accumulation sensing for resistive changing memory

Номер патента: US8638597B2. Автор: Young Pil Kim,Chulmin Jung,Yong Lu,Kang Yong Kim. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-01-28.

A write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: EP4376007A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor integrated circuit device and bit line capacitance adjusting method using the device

Номер патента: US20050152173A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-14.

Decoding data using bit line defect information

Номер патента: WO2017019189A1. Автор: Moshe Cohen,Mark Shlick,Refael BEN-RUBI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-02.

Method for designing circuit layout of non-neighboring metal bit lines to reduce coupling effect

Номер патента: US20020138815A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Kuo-Yu Liao,Yung-Feng Lin,Han-Sung Chen,Ho-Chun Liou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

ROM load balancing for bit lines

Номер патента: US20070064463A1. Автор: Ryan Miller,Todd Christensen,Phil Paone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Non-volatile storage with shared bit lines and flat memory cells

Номер патента: US20140254269A1. Автор: Masaaki Higashitani,Mohan V. Dunga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-09-11.

3D NAND semiconductor device for erasing groups of bit lines

Номер патента: US09875800B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Multiple discharge capable bit line

Номер патента: WO2003028035A1. Автор: Anup S. Mehta,Farzad Chehrazi,Shaishav A. Desai,Devendra N. Tawari. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2003-04-03.

Paritioned bit line structure of EEPROM and method of reading data therefrom

Номер патента: US5253210A. Автор: Yasushi Terada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-12.

Flash array implementation with local and global bit lines

Номер патента: US6847552B2. Автор: Christophe Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-25.

Resistive memory device with boundary and edge transistors coupled to edge bit lines

Номер патента: US11961555B2. Автор: Makoto Hirano. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory arrays employing flying bit lines to increase effective bit line length for supporting higher performance, increased memory density, and related methods

Номер патента: US11967394B2. Автор: Pramod Kolar,Robert A. SWEITZER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory arrays employing flying bit lines to increase effective bit line length for supporting higher performance, increased memory density, and related methods

Номер патента: WO2023239471A1. Автор: Pramod Kolar,Robert A. SWEITZER. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory arrays employing flying bit lines to increase effective bit line length for supporting higher performance, increased memory density, and related methods

Номер патента: US20230402069A1. Автор: Pramod Kolar,Robert A. SWEITZER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Shared bit line string architecture

Номер патента: EP2973582A1. Автор: Tuan Pham,Kwang-Ho Kim,Seungpil Lee,Jongsun Sel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-20.

Shared bit line string architecture

Номер патента: WO2014158738A1. Автор: Tuan Pham,Kwang-Ho Kim,Seungpil Lee,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

Memory array with surrounding gate access transistors and capacitors with global and staggered local bit lines

Номер патента: US7510954B1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Three dimensional non-volatile storage with interleaved vertical select devices above and below vertical bit lines

Номер патента: WO2013173140A3. Автор: Roy E. Scheuerlein,Chang SIAU. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

Write driver circuit of an unmuxed bit line scheme

Номер патента: US20090034348A1. Автор: Chan-Ho Lee,Jong-Hoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Read-only memory with twisted bit lines

Номер патента: US20060256604A1. Автор: Francois Jacquet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-11-16.

2D/3D NAND memory array with bit-line hierarchical structure for multi-page concurrent SLC/MLC program and program-verify

Номер патента: US09613704B2. Автор: Peter Wung Lee. Владелец: Aplus Flash Technology, Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Fast memory read-out

Номер патента: US9064553B2. Автор: Jungyong Lee,Heechoul Park,Singrong Li. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2015-06-23.

Fast memory read-out

Номер патента: US20140146622A1. Автор: Jungyong Lee,Heechoul Park,Singrong Li. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Anti-fuse memory reading circuit with controllable reading time

Номер патента: US12119069B2. Автор: Jie Zhu,Jing Sun,Zhenkai JI,Yanfei Zhang,Zhengzhou CAO,Zhengnan DING. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

One-time programmable memory read-write circuit

Номер патента: US11682466B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

System, method, and computer program product for conditionally eliminating a memory read request

Номер патента: US09720859B1. Автор: Abhishek Roy,Sumit Roy,Venky Ramachandran,Mohit Kumar,Nikhil Tripathi,Anmol Mathur,Malay Haldar. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and apparatus for low power memory bit line precharge

Номер патента: US20020184431A1. Автор: Sudarshan Kumar,Jiann-Cherng Lan,Gaurav Mehta,Sadhana Madhyastha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory read circuit with dynamically controlled precharging device

Номер патента: US6038173A. Автор: Emilio Miguel Yero. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 2000-03-14.

Bypass system and method that mimics clock to data memory read timing

Номер патента: US20150155017A1. Автор: Glenn E. Starnes,Bradley J. Garni,Thomas W. Liston,Huy Van V. Pham,Mark Jetton. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-06-04.

System for blocking multiple memory read port activation

Номер патента: US7672188B2. Автор: Matthew W. Baker,Anthony Correale, Jr.,Benjamin J. Bowers,Michael B. Mitchell,Nishith Rohatgi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

System for Blocking Multiple Memory Read Port Activation

Номер патента: US20090154283A1. Автор: Matthew W. Baker,Anthony Correale, Jr.,Benjamin J. Bowers,Michael B. Mitchell,Nishith Rohatgi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Memory read masking

Номер патента: US10930327B1. Автор: Yoshinori Fujiwara,Jason M. Johnson,Daniel S. Miller,Joshua E. Alzheimer,C. Omar Benitez,Dennis G. Montierth,Kevin G. Werhane,Dave Jefferson,Christopher S. Wieduwilt,Vivek Kotti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-23.

Sensing for all bit line architecture in a memory device

Номер патента: US20110063920A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: EP4181143A3. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Read methods of memory devices using bit line sharing

Номер патента: US09633704B2. Автор: Dongku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20120176848A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Circuits, systems and methods for driving high and low voltages on bit lines in non-volatile memory

Номер патента: US20120014185A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Bit line equalizing control circuit of a semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20090303822A1. Автор: Woo Seok Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Bit line equalizing control circuit of a semiconductor memory apparatus

Номер патента: US7978551B2. Автор: Woo-Seok Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20100008162A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US20070121400A1. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-31.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US7436721B2. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-14.

Sense amplifier local feedback to control bit line voltage

Номер патента: US09830987B2. Автор: Xiaowei Jiang,Yingchang Chen,Chang SIAU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile semiconductor storage device including a discharge transistor for discharging a bit line to a source line

Номер патента: US09830961B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Utilizing NAND strings in dummy blocks for faster bit line precharge

Номер патента: US09595338B2. Автор: Hao Nguyen,Yuki Mizutani,Man Mui,Tien-Chien Kuo,Juan Carlos Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Bit line voltage clamping read circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230386566A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-30.

Bit line voltage clamping read circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4307304A3. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-04-17.

Page buffer circuit with bit line select transistor

Номер патента: US20230154545A1. Автор: Yang Zhang,JING Wei,KURIYAMA MASAO,Yan Wang,Teng CHEN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Bit line pre-settlement circuit and method for flash memory sensing scheme

Номер патента: EP1949542A4. Автор: Poongyeub Lee,Mingchi Mitch Liu. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Bit line pre-settlement circuit and method for flash memory sensing scheme

Номер патента: EP1949542A2. Автор: Poongyeub Lee,Mingchi Mitch Liu. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-07-30.

Page buffer comprising a bit line controller and latch units

Номер патента: US12062403B2. Автор: Jong Woo Kim,Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device with shortened pre-charging time for bit-line

Номер патента: US09972370B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Bit line equalizer

Номер патента: US09842632B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Adjusting bit-line discharge time in memory arrays based on characterized word-line delay and gate delay

Номер патента: US20140071775A1. Автор: Donald Albert Evans,Bijan Kumar Ghosh,Rasoju Veerabadra Chary,Richard John Stephani,Ronald Brian Steele. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Device and method for reducing standby current in a memory device by disconnecting bit line load devices in unused columns of the memory device from a supply voltage

Номер патента: US20020093866A1. Автор: James Wilkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

System and Method for Bit-Line Control

Номер патента: US20110310674A1. Автор: Thomas Nirschl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-22.

Non-volatile memory array with equalized bit line potentials

Номер патента: US20030058690A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Tunable sense amplifier reference for single-ended bit lines

Номер патента: US09754641B1. Автор: Jimmy Lee Reaves. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile, solid-state memory configured to perform logical combination of two or more blocks sharing series-connected bit lines

Номер патента: US09727459B2. Автор: Frank Dropps,Ryan James Goss,Jon Trantham,Antoine Khoueir,Kevin Gomez. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Differential sensing circuit with dynamic voltage reference for single-ended bit line memory

Номер патента: US09659606B2. Автор: Shih-Huang Huang,Rei-Fu Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Bit line noise suppression and related apparatuses, methods, and computing systems

Номер патента: US20230377613A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Nonvolatile memory device having a dummy bit line driver and operation method thereof

Номер патента: US11887672B2. Автор: Dongha Shin,SeungYeon Kim,Beakhyung Cho,Myeong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Minimizing the effect of clock skew in bit line write driver

Номер патента: US20020171463A1. Автор: Tao-ying Yau. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Bit line noise suppression and related apparatuses, methods, and computing systems

Номер патента: US11961579B2. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Negative Kick on Bit Line Control Transistors for Faster Bit Line Settling during Sensing

Номер патента: US20190392874A1. Автор: Hiroki Yabe. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-26.

Sensing circuit for single bit-line semiconductor memory device

Номер патента: US20040186678A1. Автор: Shih-Huang Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Sense amplifier local feedback to control bit line voltage

Номер патента: US20160254048A1. Автор: Xiaowei Jiang,Yingchang Chen,Chang SIAU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor storage device having bit line selection circuit formed in memory cell array

Номер патента: US12014799B2. Автор: Naohito Morozumi. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods, apparatus, and systems for flash memory bit line charging

Номер патента: US20080158999A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-03.

Bit line stability detection

Номер патента: US20110188314A1. Автор: Man L. Mui,Tien-Chien Kuo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2011-08-04.

Bit line stability detection

Номер патента: USRE45567E1. Автор: Man L. Mui,Tien-Chien Kuo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-06-16.

Low couple effect bit-line voltage generator

Номер патента: US20100157694A1. Автор: Yung Feng Lin,Jer-Hau Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Memory having bit line load with automatic bit line precharge and equalization

Номер патента: US5416744A. Автор: Stephen T. Flannagan,Lawrence F. Childs. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Semiconductor memory device with data sensing scheme regardless of bit line coupling

Номер патента: US5949727A. Автор: Young-Ho Lim,Byeng-Sun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-09-07.

Memory array with two-phase bit line precharge

Номер патента: US8693260B2. Автор: Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-08.

Bit line voltage clamping read circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4307304A2. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-01-17.

Boosted voltage driver for bit lines and other circuit nodes

Номер патента: EP3686893A1. Автор: Teng Hao Yeh,Liu Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-29.

Bit line voltage regulation circuit

Номер патента: US20020089375A1. Автор: Ki-Seog Kim,Keun-Woo Lee,Seoung-Ouk Choi,Keon-Soo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Nonvolatile semiconductor storage device having memory strings and bit lines on opposite sides of the memory strings

Номер патента: US11955176B2. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory including bit line reset circuitry and a pulse generator having output delay time dependent on type of transition in an input signal

Номер патента: US5719812A. Автор: Teruo Seki,Akihiro Iwase,Shinzi Nagai. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1998-02-17.

Device and method for reducing standby current in a memory device by disconnecting bit line load devices in unused columns of the memory device from a supply voltage

Номер патента: US6525983B2. Автор: James W. Wilkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-25.

Cascode amplifier circuit for producing a fast, stable and accurate bit line voltage

Номер патента: WO2004049340A1. Автор: Pau-Ling Chen,Lee Cleveland,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-06-10.

NAND flash memory employing bit line charge/discharge circuit

Номер патента: US9190156B2. Автор: Mario Sako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Dynamic interleaver change for bit line failures in nand flash storage

Номер патента: US20190305890A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Current control circuit and discharge enable circuit for discharging bit lines of memory device and operation method thereof

Номер патента: US11915786B2. Автор: Liang Qiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory device and voltage interpreting method for read bit line

Номер патента: US20130182519A1. Автор: shi-wen Chen,Chi-Chang Shuai,Tsan-Tang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Processor with memory delayed bit line precharging

Номер патента: US20130044555A1. Автор: Sehat Sutardja,Jason T. Su,Hong-Yi Chen,Jason Sheu,Jensen Tjeng. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-02-21.

Current control circuit and discharge enable circuit for discharging bit lines of memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240153544A1. Автор: Liang Qiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Cell current based bit line voltage

Номер патента: US20170358365A1. Автор: Biswajit Ray,Changyuan Chen,Gerrit Jan Hemink,Mohan DUNGA,Bijesh Rajamohanan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-14.

Bit line equalizer

Номер патента: US20170084319A1. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Dual bit line driver for memory

Номер патента: US20030012053A1. Автор: Christophe Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Fast sense amplifier with bit-line pre-charging

Номер патента: US09576653B1. Автор: Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Global bit line pre-charge circuit that compensates for process, operating voltage, and temperature variations

Номер патента: US9870823B2. Автор: Chang Hua Siau,Bruce Lynn Bateman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Dynamic bit line bias for programming non-volatile memory

Номер патента: WO2014066263A1. Автор: Ken Oowada,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Deepanshu Dutta. Владелец: Sandisk Technologies,Inc.. Дата публикации: 2014-05-01.

Sense amplifier structure for non-volatile memory with neighbor bit line local data bus data transfer

Номер патента: US11901018B2. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Chia-kai Chou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device having sense amplifier including plural sense circuits for sensing a voltage of a bit line in a read operation

Номер патента: US11721371B2. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara,Takahiko IIZUKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for tracking metal bit line coupling effect

Номер патента: US6385097B1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Kuo-Yu Liao,Han-Sung Chen,Ho-Chun Liou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-07.

Bit Line Equalizer Controller

Номер патента: KR100518247B1. Автор: 이일호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-04.

Bit Line Bias Circuit With Varying Voltage Drop

Номер патента: US20130286744A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Fast sense amplifier with bit-line pre-charging

Номер патента: US9812198B1. Автор: Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Single-ended bit line based storage system

Номер патента: US20100165755A1. Автор: Kedar Janardhan Dhori. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Memory reads of weight values

Номер патента: EP3786956A1. Автор: Thomas Jew,Ronald J Syzdek,Frank Kelsey Baker Jr. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Semiconductor memory device with dual address memory read amplifiers

Номер патента: US5619473A. Автор: Yasuhiro Hotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-04-08.

Integrated circuit including memory array having a segmented bit line architecture and method of controlling and/or operating same

Номер патента: US20080013359A1. Автор: Michel Bron,David Fisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-17.

Integrated circuit including memory array having a segmented bit line architecture and method of controlling and/or operating same

Номер патента: EP2041752A2. Автор: Michel Bron,David Fisch. Владелец: Innovative Silicon ISi SA. Дата публикации: 2009-04-01.

Self-feedback control pipeline architecture for memory read path applications and method for controlling and synchronizing a memory read operation

Номер патента: TW201003664A. Автор: Ming-Hung Wang,Jeng-Tzong Shih. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-16.

MRAM bit line word line architecture

Номер патента: US6584006B2. Автор: Hans-Heinrich Viehmann. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-24.

Complete word line look ahead with efficient data latch assignment in non-volatile memory read operations

Номер патента: WO2008083132A3. Автор: Man Lung Mui,Seungpil Lee. Владелец: Seungpil Lee. Дата публикации: 2008-10-02.

Memory read calibration based on memory device-originated metrics characterizing voltage distributions

Номер патента: US20240029801A1. Автор: Zhengang Chen,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Shantilal Rayshi Doru,Hope Abigail Henry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile ferroelectric memory with folded bit line architecture

Номер патента: US5852571A. Автор: Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Variable bit line bias for nonvolatile memory

Номер патента: US20230298667A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: WO2006007578B1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Richard Hiram Womack. Дата публикации: 2006-04-06.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: EP1774532A1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2007-04-18.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: US20060002178A1. Автор: Richard Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-05.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: WO2006007578A1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-19.

Single bit line smt mram array architecture and the programming method

Номер патента: EP2427884A1. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-03-14.

Programming memory with sensing-based bit line compensation to reduce channel -to-floating gate coupling

Номер патента: EP2504837A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-10-03.

Valley search scan bit line selection method to address memory hole and string process variation

Номер патента: US20240194283A1. Автор: Ravi Kumar,Deepanshu Dutta,Chin-Yi Chen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Single bit line smt mram array architecture and the programming method

Номер патента: WO2010129040A1. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MAGIC TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-11-11.

Resistive memory write circuitry with bit line drive strength based on storage cell line resistance

Номер патента: US09922691B2. Автор: Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Pulkit JAIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory with controlled bit line charging

Номер патента: US09887011B1. Автор: Ji-Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for programming non-volatile memory with reduced bit line interference and associated device

Номер патента: US09437319B1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Chih-Wei Lee,Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

All-bit-line erase verify and soft program verify

Номер патента: US20100202207A1. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Non-volatile memory device and related read method using adjustable bit line connection signal

Номер патента: US09437313B2. Автор: Eun-Jin Yun,Sang-Chul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Variable bit line bias for nonvolatile memory

Номер патента: US11942157B2. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Circuit and method for spin-torque mram bit line and source line voltage regulation

Номер патента: WO2013096582A1. Автор: THOMAS Andre,Syed Alam. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-06-27.

Bit line modulation to compensate for cell source variation

Номер патента: US20240105269A1. Автор: Anirudh Amarnath,Abhijith Prakash,Aravind Suresh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Ground level precharge bit line scheme for read operation in spin transfer torque magnetoresistive random access memory

Номер патента: CA2702487A1. Автор: Seung H. Kang,Sei Seung Yoon. Владелец: Sei Seung Yoon. Дата публикации: 2009-04-23.

Nonvolatile memory devices having enhanced bit line and/or word line driving capability

Номер патента: US20060215440A1. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-28.

Memory circuits employing source-line and/or bit-line-applied variable programming assist voltages

Номер патента: US11869563B2. Автор: Konrad Seidel,Franz Müller. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetic memory write circuitry with bit line drive strength based on storage cell line resistance

Номер патента: EP3238214A1. Автор: Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Pulkit JAIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Resistive memory write circuitry with bit line drive strength based on storage cell line resistance

Номер патента: US20170047105A1. Автор: Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Pulkit JAIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-16.

Programming memory with direct bit line driving to reduce channel-to-floating gate coupling

Номер патента: EP2504839A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-10-03.

Programming memory with direct bit line driving to reduce channel-to-floating gate coupling

Номер патента: WO2011066235A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-06-03.

Program condition dependent bit line charge rate

Номер патента: US20130279258A1. Автор: Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-10-24.

Controlled bit line discharge for channel erases in nonvolatile memory

Номер патента: US20090119447A1. Автор: Aaron Lee,Nian Yang,Jiani Zhang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-05-07.

Bit line current trip point modulation for reading nonvolatile storage elements

Номер патента: US20140269083A1. Автор: Fumitoshi Ito,Ken Oowada,Teruhiko Kamei,Yingda Dong,Man L. Mui,Seungpil Lee,Yosuke Kato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Ferroelectric memory supplying predetermined amount of direct-current bias electricity to first and second bit lines upon reading data from memory cell

Номер патента: CA2430875C. Автор: Shoichi Masui,Yadollah Eslami,Ali Sheikholeslami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-02-05.

Bit cell with shared bit line

Номер патента: WO2016204940A1. Автор: Yu Lu,Xia Li,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-22.

Bit cell with shared bit line

Номер патента: EP3311426A1. Автор: Yu Lu,Xia Li,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-25.

Electronic device including thermal stability enhanced layer including homogeneous material having Fe-O bond

Номер патента: US11730062B2. Автор: Tae Young Lee,Taiga ISODA,Soo Gil Kim,Guk Cheon Kim,Soo Man SEO,Jong Koo LIM. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Method and apparatus for increasing memory programming efficiency through dynamic switching of bit lines

Номер патента: US20110176361A1. Автор: Tsung Yi Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-21.

Memory-read verification

Номер патента: US12051475B2. Автор: Hyungjoong Lee. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-30.

Circuit for fast and accurate memory read operations

Номер патента: WO2004084232A1. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Quang Le,Roger Tsao. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-09-30.

Selection circuit for accurate memory read operations

Номер патента: WO2004072982A1. Автор: Pau-Ling Chen,Lee Cleveland,Binh Quang Le,Michael Achter. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-08-26.

Memory-read verification

Номер патента: US20230335210A1. Автор: Hyungjoong Lee. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory read voltage threshold tracking based on memory device-originated metrics characterizing voltage distributions

Номер патента: US20240161836A1. Автор: Steven Michael Kientz,Sampath K. Ratnam,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Shantilal Rayshi Doru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Determining offsets for memory read operations

Номер патента: US12027213B2. Автор: Jie Zhou,Xiangang Luo,Guang Hu,Min Rui MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Receiver architecture for memory reads

Номер патента: US20150106538A1. Автор: Li Pan,Nan Chen,Narasimhan Vasudevan,Michael Thomas Fertsch. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Memory read calibration based on memory device-originated metadata characterizing voltage distributions

Номер патента: US20230359388A1. Автор: Zhengang Chen,Eric N. Lee,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Three dimensional non-volatile memory with shorting source line/bit line pairs

Номер патента: US09911488B2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Determining offsets for memory read operations

Номер патента: US20240120011A1. Автор: Jie Zhou,Xiangang Luo,Guang Hu,Min Rui MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Intrinsic vertical bit line architecture

Номер патента: US09484092B2. Автор: Perumal Ratnam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays

Номер патента: US10741582B2. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays

Номер патента: US11515328B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Staggered Word Line Architecture for Reduced Disturb in 3-Dimensional NOR Memory Arrays

Номер патента: US20200335519A1. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Staggered Word Line Architecture for Reduced Disturb in 3-Dimensional NOR Memory Arrays

Номер патента: US20210225873A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

3d memory with vertical bit lines and staircase word lines and vertical switches and methods thereof

Номер патента: WO2013188172A1. Автор: Raul-Adrian Cernea,Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional nor memory arrays

Номер патента: US11968837B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Receiver architecture for memory reads

Номер патента: EP3058468A1. Автор: Li Pan,Nan Chen,Narasimhan Vasudevan,Michael Thomas Fertsch. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-24.

Receiver architecture for memory reads

Номер патента: WO2015057878A1. Автор: Li Pan,Nan Chen,Narasimhan Vasudevan,Michael Thomas Fertsch. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-23.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a single-sided word line architecture

Номер патента: US09721653B2. Автор: George Samachisa,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory array with asymmetric bit-line architecture

Номер патента: US11963369B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Non-volatile memory device which utilizes a pulse applied to a bit line and/or a common source line between read operations to reduce noise

Номер патента: US11538533B2. Автор: Se Jun Park,Jin-Kyu Kang,Jae Duk Lee,Rae young Lee,Gu Yeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-27.

Method of fabricating memory array having divided apart bit lines and partially divided bit line selector switches

Номер патента: US09887240B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naoki Takeguchi,Teruyuki Mine,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Sense amplifier and method for bit line voltage compensation thereof

Номер патента: US09881677B1. Автор: Ji-Yu Hung,Kai-Hsiang Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Parallel bit line three-dimensional resistive random access memory

Номер патента: US09698202B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Self-selecting local bit line for a three-dimensional memory array

Номер патента: US09613689B1. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of operating memory array having divided apart bit lines and partially divided bit line selector switches

Номер патента: US09608043B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naoki Takeguchi,Teruyuki Mine,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Monolithic three dimensional memory arrays with staggered vertical bit line select transistors and methods therfor

Номер патента: US09530824B2. Автор: Yoshio Mori,Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Determination of bit line to low voltage signal shorts

Номер патента: US09443612B2. Автор: Sagar Magia,Jagdish M. Sbade. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device with bit lines disconnected from nand strings for fast programming

Номер патента: US20200243138A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Bit lines having high electrical conductivity and low mutual capacitance and related apparatuses, computing systems, and methods

Номер патента: US20230207458A1. Автор: Rita J. Klein,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,David Ross Economy,Jay S. BROWN,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Enhanced bit-line pre-charge scheme for increasing channel boosting in non-volatile storage

Номер патента: WO2009143435A1. Автор: Jeffrey W. Lutze,Shinji Sato,Yingda Dong,Man L. Mui,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2009-11-26.

Method of testing for a leakage current between bit lines of nonvolatile memory device

Номер патента: US20100302866A1. Автор: Jae Won Cha,Duck Ju Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Programming memory with sensing-based bit line compensation to reduce channel -to-floating gate coupling

Номер патента: WO2011066228A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-06-03.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Loop dependent bit line and read biases in a memory device

Номер патента: US20240304262A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US12096636B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device that performs sensing operation during a bit line pre-charge operation to determine adjustment to the bit line charging voltage

Номер патента: US09941013B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Floating staircase word lines and process in a 3D non-volatile memory having vertical bit lines

Номер патента: US09748172B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods and apparatus for vertical bit line structures in three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US09595530B1. Автор: Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Apparatus and method for integrated circuit bit line sharing

Номер патента: US09583494B2. Автор: Yi-Tzu Chen,Hao-I Yang,Yu-Hao Hu,Cheng-Jen Chang,Geng-Cing Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Setting channel voltages of adjustable resistance bit line structures using dummy word lines

Номер патента: US09455301B2. Автор: Perumal Ratnam,Tianhong Yan,Christopher Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory device with high charging voltage bit line

Номер патента: US20040174758A1. Автор: Chieng-Chung Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Method of concurrent multi-state programming of non-volatile memory with bit line voltage step up

Номер патента: US20210134370A1. Автор: Zhiping Zhang,Deepanshu Dutta,Dengtao Zhao,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

ROM with a partitioned source line architecture

Номер патента: US20060187697A1. Автор: Amit Khanuja. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor memory device in which a BIT line pair having a high load is electrically separated from a sense amplifier

Номер патента: US6118718A. Автор: Yoshikazu Yabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor devices including a bit line structure and a contact plug

Номер патента: US20150228574A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Dong-Won Lee,Hoon Jeong,Kyung-Eun KIM,Ji-Hye Hwang,Jung-Gu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-13.

Multi-bank memory with word-line banking, bit-line banking and i/o multiplexing utilizing tilable interconnects

Номер патента: EP1194930A1. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2002-04-10.

High-density memory utilizing multiplexers to reduce bit line pitch constraints

Номер патента: WO2002049040A1. Автор: Mark Francis Hilbert. Владелец: Tachyon Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for managing a fail bit line of a memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US09984770B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-05-29.

Multi-VT sensing method by varying bit line voltage

Номер патента: US09922719B2. Автор: Deepanshu Dutta,Yen-Lung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory hole bit line structures

Номер патента: US09922709B2. Автор: Perumal Ratnam,Tianhong Yan,Christopher Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor devices including a bit line structure and a contact plug

Номер патента: US09786558B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Dong-Won Lee,Hoon Jeong,Kyung-Eun KIM,Ji-Hye Hwang,Jung-Gu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Adaptive selective bit line pre-charge for current savings and fast programming

Номер патента: US09595345B2. Автор: Yee Lih Koh,Cynthia Hsu,YenLung Li,Man L Mui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor devices including a bit line structure and a contact plug

Номер патента: US09418998B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Dong-Won Lee,Hoon Jeong,Kyung-Eun KIM,Ji-Hye Hwang,Jung-Gu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Side wall bit line structures

Номер патента: US09373396B2. Автор: Perumal Ratnam,Tianhong Yan,Christopher Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-21.

Bit lines having high electrical conductivity and low mutual capacitance and related apparatuses, computing systems, and methods

Номер патента: US20230209810A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,David Ross Economy,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Data register with efficient erase, program verify, and direct bit-line memory access features

Номер патента: US20080005416A1. Автор: Nicola Telecco. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Data register with efficient erase, program verify, and direct bit-line memory access features

Номер патента: WO2007146532A3. Автор: Nicola Telecco. Владелец: Nicola Telecco. Дата публикации: 2008-05-08.

Storage module and method for improved error correction by detection of grown bad bit lines

Номер патента: US09436549B2. Автор: Daniel E. Tuers,Abjiheet Manohar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Local bit lines and methods of selecting the same to access memory elements in cross-point arrays

Номер патента: US8897050B2. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Chang Hua Siau,Seow Fong Lim,Sri Namala. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Layout method for bit line sense amplifier driver

Номер патента: US6661722B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Jae-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor memory device having improved bit line structure

Номер патента: US5973953A. Автор: Michio Nakajima,Tuyoshi Saitoh,Makoto Hatakenaka,Takekazu Yamashita,Kiyoyuki Shiroshima,Hideki Toki. Владелец: Renesas Design Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Circuit and method of latching a bit line in a non-volatile memory

Номер патента: US5978262A. Автор: Jean-Claude Tarbouriech,Alexis Marquot,Paul Dechamps. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Defective bit line management in connection with a memory access

Номер патента: US20210193200A1. Автор: Chang Wan Ha,Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Ravi H. MOTWANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Defective bit line management in connection with a memory access

Номер патента: EP3790012A1. Автор: Chang Wan Ha,Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Ravi H. MOTWANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-10.

Multiple bit line column redundancy

Номер патента: US20030035319A1. Автор: Frankie Roohparvar,Ebrahim Abedifard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Electronic memory apparatus, and method for deactivating redundant bit lines or word lines

Номер патента: US20050243636A1. Автор: Sven Boldt,Erwin Thalmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-03.

Memory device having a power supply-independent low power consumption bit line voltage clamp

Номер патента: MY116419A. Автор: Jagdish Pathak. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2004-01-31.

Memory device having switch providing voltage to bit line

Номер патента: US8576639B2. Автор: Giulio Martinozzi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Buried Bit Line Anti-Fuse One-Time-Programmable Nonvolatile Memory

Номер патента: US20090323388A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Buried bit line anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory

Номер патента: US20130286709A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Interconnecting bit lines in memory devices for multiplexing

Номер патента: WO2008027281A2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

Segmentation of blocks for faster bit line settling/recovery in non-volatile memory devices

Номер патента: US09633742B2. Автор: Hao Nguyen,Man Mui,Seungpil Lee,Amul Dhirajbhai Desai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Program method of nonvolatile memory device for having dense threshold voltage distribution by controlling voltage of bit line according to threshold voltage of memory cell

Номер патента: US09627070B2. Автор: Cheul Hee Koo,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Flash EEPROM and EPROM arrays with select transistors within the bit line pitch

Номер патента: US5557124A. Автор: Reza Kazerounian,Anirban Roy. Владелец: Waferscale Integration Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US20230089578A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

Detecting bit line open circuits and short circuits in memory device with memory die bonded to control die

Номер патента: WO2023033879A1. Автор: Brian Murphy. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars

Номер патента: US11854646B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Neighbor bit line coupling enhanced gate-induced drain leakage erase for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11881266B2. Автор: Xiang Yang,Ohwon KWON,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Unselected sub-block source line and bit line pre-charging to reduce read disturb

Номер патента: US11894069B2. Автор: Xiangyu Yang,Ching-Huang Lu,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Defective bit line management in connection with a memory access

Номер патента: US20210074338A1. Автор: Chang Wan Ha,Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Ravi H. MOTWANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Defective bit line management in connection with a memory access

Номер патента: US11429469B2. Автор: Chang Wan Ha,Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Ravi H. MOTWANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Physically unclonable function with precharge through bit lines

Номер патента: US20210328817A1. Автор: Jeffrey L. Sonntag,Gang Yuan,Hatem M. Osman. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Detecting bit line open circuits and short circuits in memory device with memory die bonded to control die

Номер патента: US11830564B2. Автор: Brian Murphy. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Toggling power supply for faster bit line settling during sensing

Номер патента: US20200265899A1. Автор: Anirudh Amarnath,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

3d memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars

Номер патента: US20230395097A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Three dimensional memory device containing truncated channels and method of operating the same with different erase voltages for different bit lines

Номер патента: WO2023287474A1. Автор: Yu-Chung Lien,Keyur Payak,Huai-Yuan Tseng,Shinsuke YADA,Jiahui Yuan,Abhijith Prakash,Kazuki ISOZUMI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Enhanced bit-line pre-charge scheme for increasing channel boosting in non-volatile storage

Номер патента: EP2281290A1. Автор: Jeffrey W. Lutze,Shinji Sato,Yingda Dong,Man L. Mui,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-02-09.

Three-dimensional memory device containing bit line switches

Номер патента: US20200185397A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Naoki Ookuma,Takuya Ariki,Hardwell Chibvongodze. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory device with bit lines disconnected from nand strings for fast programming

Номер патента: US20190371394A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Bit line resistance compensation

Номер патента: US20140133230A1. Автор: Kwang Ho Kim,Teruhiko Kamei,Man Lung Mui,Seungpil Lee,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor memory device which controls sense amplifier for detecting bit line bridge and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US6396754B1. Автор: Hyong-yong Lee,Suk-bae Jun,Choong-Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-28.

Sense amplifier with bit-line derived clocking

Номер патента: US4810910A. Автор: Jean-Pierre Schoellikopf,Yann Boyer-Chammard. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1989-03-07.

Apparatus and method for controlling a bit line sense amplifier having offset compensation

Номер патента: US5754488A. Автор: Jeung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-19.

Circuit configuration and method for automatic recognition and elimination of word line/bit line short circuits

Номер патента: US6125066A. Автор: Patrick Heyne,Dieter Härle,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-09-26.

3-D DRAM Structure With Vertical Bit-Line

Номер патента: US20210272604A1. Автор: Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor memory device with bit lines having reduced cross-talk

Номер патента: US6646312B1. Автор: Hidekazu Kikuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-11.

Utilizing data pattern effect to control read clock timing and bit line kick for read time reduction

Номер патента: US11887674B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Guirong Liang,Xiaoyu Che. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Three-dimensional memory device having bonding structures connected to bit lines and methods of making the same

Номер патента: WO2020040838A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Johann Alsmeier,Tae-Kyung Kim,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Controlling bit line pre-charge voltage separately for multi-level memory cells and single-level memory cells to reduce peak current consumption

Номер патента: US11887670B2. Автор: Deepanshu Dutta,Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of operating nonvolatile memory device controlled by controlling coupling resistance value between bit line and page buffer

Номер патента: US8867274B2. Автор: Eun Jong Lee,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Shared bit lines for memory cells

Номер патента: US20210305262A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu,Ruey-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Controlling bit line pre-charge voltage separately for multi-level memory cells and single-level memory cells to reduce peak current consumption

Номер патента: WO2023022766A1. Автор: Deepanshu Dutta,Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Utilizing data pattern effect to control read clock timing and bit line kick for read time reduction

Номер патента: US20230317174A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Guirong Liang,Xiaoyu Che. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Three dimensional nand memory device with common bit line for multiple nand strings in each memory block

Номер патента: WO2017164970A1. Автор: Jin Liu,Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Andrew Lin,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor memory circuit equipped with multiplexer for reducing coupling capacitance of non-selected main bit lines

Номер патента: US8331181B2. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-11.

Three dimensional nand memory device with common bit line for multiple nand strings in each memory block

Номер патента: EP3375015A1. Автор: Jin Liu,Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Andrew Lin,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-19.

Non-volatile memory and method with bit line compensation dependent on neighboring operating modes

Номер патента: EP1665284A1. Автор: Yan Li,Shahzad Khalid,Raul-Adrian Cernea,Mehrdad Mofidi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-06-07.

Non-volatile memory and method with bit line compensation dependent on neighboring operating modes

Номер патента: EP1665284B1. Автор: Yan Li,Shahzad Khalid,Raul-Adrian Cernea,Mehrdad Mofidi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-02-27.

Semiconductor memory devices including separate upper and lower bit line spacers and methods of forming the same

Номер патента: US11744063B2. Автор: Daeik Kim,Yoosang Hwang,Jemin PARK,Semyeong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Interconnecting bit lines in memory devices for multiplexing

Номер патента: US20100008154A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Interconnecting bit lines in memory devices for multiplexing

Номер патента: US20110233686A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Interconnecting bit lines in memory devices for multiplexing

Номер патента: US7968951B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Memory devices and systems having reduced bit line to drain select gate shorting and associated methods

Номер патента: US09741734B2. Автор: Jun Zhao,Gordon Haller,Hongbin Zhu,Damir Fazil,Purnima Narayanan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines

Номер патента: US09466790B2. Автор: George Samachisa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Vertical bit line wide band gap TFT decoder

Номер патента: US09443907B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Global bit line pre-charge circuit that compensates for process, operating voltage, and temperature variations

Номер патента: US11087841B2. Автор: Chang Hua Siau,Bruce Lynn Bateman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Non-volatile memories, cards, and systems including shallow trench isolation structures with buried bit lines

Номер патента: US20110302363A1. Автор: Wook Hyun Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Dummy bit line MOS capacitor and device using the same

Номер патента: US9236501B2. Автор: Jeong Sub LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Segmentation of Blocks for Faster Bit Line Settling/Recovery in Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20160012903A1. Автор: Hao Nguyen,Man Mui,Seungpil Lee,Amul Dhirajbhai Desai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-14.

Non-volatile memory with adjusted bit line voltage during verify

Номер патента: US11837296B2. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Ohwon KWON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Non-Volatile Memory and Method With Improved Sensing Having Bit-Line Lockout Control

Номер патента: US20120039124A1. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: Nima Mokhlesi. Дата публикации: 2012-02-16.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11967374B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210295911A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210082504A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20230019326A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Test method for screening local bit-line defects in a memory array

Номер патента: US20120263002A1. Автор: Yin Chin Huang,Chu Pang Huang,Yi Fang Chang,Cheng Chi Liu,Chang Chan Yang,Min Kuang Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor memory device capable of operating with potentials of adjacent bit lines inverted during multi-bit test

Номер патента: US5654924A. Автор: Shigeru Mori,Tomio Suzuki,Motoko Hara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-08-05.

Bit line power supply apparatus

Номер патента: KR20190096800A. Автор: 카오루 모리. Владелец: 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2019-08-20.

Semiconductor memory having bit lines with isolation circuits connected between redundant and normal memory cells

Номер патента: US5022006A. Автор: John A. Fifield,Steven W. Tomashot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-06-04.

Eprom bit-line interface for implementing programming, verification and testing

Номер патента: US5636161A. Автор: Eric N. Mann. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Architecture for three dimensional non-volatile storage with vertical bit lines

Номер патента: EP2731108A3. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-09-03.

Sense amplifier powered from bit lines and having regeneratively cross-coupling means

Номер патента: US5384504A. Автор: Mehdi Hatamian,Alexander G. Dickinson,Sailesh K. Rao. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Three-dimensional memory device including three-dimensional bit line discharge transistors and method of making the same

Номер патента: WO2020068184A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Hardwell Chibvongodze. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-02.

Bit line driver device

Номер патента: US20200273527A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Monitoring and charging inhibit bit-line

Номер патента: US10803957B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-13.

Improved sense amplifier with bit line pre-charge circuit for reading flash memory cells in an array

Номер патента: WO2018048682A1. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Lu GUO,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2018-03-15.

Bit line driver device

Номер патента: WO2020172807A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-09-03.

Bit line voltage control for damping memory programming

Номер патента: US20190362799A1. Автор: Yan Li,Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-28.

Bit line voltage control for damping memory programming

Номер патента: US20200227125A1. Автор: Yan Li,Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

Bit line voltage control for damping memory programming

Номер патента: WO2019226223A1. Автор: Yan Li,Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-28.

Memory devices and systems having reduced bit line to drain select gate shorting and associated methods

Номер патента: US20170170190A1. Автор: Jun Zhao,Gordon Haller,Hongbin Zhu,Damir Fazil,Purnima Narayanan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Bit line driver device

Номер патента: EP3853898A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-28.

Improved sense amplifier with bit line pre-charge circuit for reading flash memory cells in an array

Номер патента: EP3485494A1. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Lu GUO,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-22.

Monitoring and charging inhibit bit-line

Номер патента: US20200005876A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Monitoring and charging inhibit bit-line

Номер патента: US20200118634A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Racetrack memory reading device based on josephson diode effect

Номер патента: WO2023208703A1. Автор: Stuart S.P. Parkin,Keerthi Pranava SIVAKUMAR,Banabir Pal. Владелец: MAX PLANCK GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN EV. Дата публикации: 2023-11-02.

Racetrack memory reading device based on josephson diode effect

Номер патента: EP4270503A1. Автор: Keerthi Pranava SIVAKUMAR,Banabir Pal,S.P. Stuart PARKIN. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor memory reading data stored in capacitors in memory cell and method for reading data from the semiconductor memory

Номер патента: KR100315065B1. Автор: 스미오 다나까,류 오기와라. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2002-01-17.

Memory read / write circuit

Номер патента: KR970051199A. Автор: 김태훈. Владелец: Lg 반도체주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

Multilevel storage semiconductor memory read circuit

Номер патента: TW519647B. Автор: Akira Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-01.

Segmented word line architecture for dividing a word line into a plurality of banks for cell fields with long bit lines

Номер патента: KR100633652B1. Автор: 마틴 브록스,칼-페터 페페를. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2006-10-11.

Approach for zero dummy byte flash memory read operation

Номер патента: WO2006026043A1. Автор: Srinivas Perrisetty. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2006-03-09.

Approach for zero dummy byte flash memory read operation

Номер патента: EP1787300A1. Автор: Srinivas Perrisetty. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-23.

Approach for zero dummy byte flash memory read operation

Номер патента: EP1787300A4. Автор: Srinivas Perrisetty. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-01-02.

Power conservation during memory read operations

Номер патента: US6301174B1. Автор: Chih-Hung Chung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-10-09.

Multi-level memory, multi-level memory writing method, and multi-level memory reading method

Номер патента: WO2013128814A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-06.

Multi-level memory, multi-level memory writing method, and multi-level memory reading method

Номер патента: EP2820650A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-07.

MEMORY READING CIRCUIT, MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150248923A1. Автор: LEE Cheng Hung,Chang Jonathan Tsung-Yung,CHENG Chiting,LIN Yangsyu,Ko Hsin-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-09-03.

Comparator, memory device, comparison method, and memory reading method

Номер патента: JP2003506815A. Автор: エリー、ジョージ、クーリー,リチャード、ダブリュ．ウルマー. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 2003-02-18.

Approach for zero dummy byte flash memory read operation

Номер патента: TW200615972A. Автор: Srinivas Perisetty. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-05-16.

Memory read circuitry

Номер патента: US20030067823A1. Автор: Shaishav Desai,Devendra Tawari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Memory read circuitry

Номер патента: US20030016579A1. Автор: Shaishav Desai,Devendra Tawari. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Ferroelectric random-access memory read only memory wordline architecture

Номер патента: US20210366530A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory read methods, apparatus, and systems

Номер патента: US20100309728A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-09.

Memory read methods, apparatus, and systems

Номер патента: US20090135654A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Memory read methods, apparatus, and systems

Номер патента: US20110317491A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Memory read methods, apparatus, and systems

Номер патента: US8018778B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-09-13.

Determining voltage offsets for memory read operations

Номер патента: US20230282293A1. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sivagnanam Parthasarathy,Mustafa N Kaynak,Sampath K Ratnam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Determining voltage offsets for memory read operations

Номер патента: WO2022221713A1. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-20.

Determining voltage offsets for memory read operations

Номер патента: US11823722B2. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sivagnanam Parthasarathy,Mustafa N Kaynak,Sampath K Ratnam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory read methods, apparatus, and systems

Номер патента: US8228742B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-24.

Magnetic memory read circuit and calibration method therefor

Номер патента: US11854591B2. Автор: Thinh Tran,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory read apparatus and methods

Номер патента: US09773564B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Sensing for memory read and program verify operations in a non-volatile memory device

Номер патента: TWI424439B. Автор: Ebrahim Abedifard,Uday Chandrasekhar,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-21.

Sensing for memory read and program verify operations in a non-volatile memory device

Номер патента: US20100074015A1. Автор: Ebrahim Abedifard,Uday Chandrasekhar,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Memory read operation using a voltage pattern based on a read command type

Номер патента: US20240256155A1. Автор: Yu-Chung Lien,Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus for improving sequential memory read preformance

Номер патента: US09411521B2. Автор: Hsing-Chen Lu,Pochao Fang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Systems and methods of memory reads

Номер патента: US09898229B1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Gadi Vishne,Joshua Lehmann. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory read operation using a voltage pattern based on a read command type

Номер патента: US20240045601A1. Автор: Yu-Chung Lien,Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory read operation using a voltage pattern based on a read command type

Номер патента: US11972122B2. Автор: Yu-Chung Lien,Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Mitigation of solid state memory read failures

Номер патента: US20210200621A1. Автор: Antoine Khoueir,Darshana H. Mehta,Mehmet Emin Aklik,Nicholas LIEN. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Mitigation of solid state memory read failures with a testing procedure

Номер патента: US20210200623A1. Автор: Antoine Khoueir,Darshana H. Mehta,Mehmet Emin Aklik,Nicholas LIEN. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Retention-drift-history-based non-volatile memory read threshold optimization

Номер патента: US10460818B2. Автор: Hao ZHONG,Earl T. Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-10-29.

Non-volatile memory read/write disturb monitoring

Номер патента: US09711234B1. Автор: Richard H. Van Gaasbeck. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Systems and methods of memory reads

Номер патента: US20180032282A1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Gadi Vishne,Joshua Lehmann. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-01.

Systems and methods of memory reads

Номер патента: WO2018022188A1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Gadi Vishne,Joshua Lehmann. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-01.

Retention-drift-history-based non-volatile memory read threshold optimization

Номер патента: US09645177B2. Автор: Hao ZHONG,Earl T. Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Retention-drift-history-based non-volatile memory read threshold optimization

Номер патента: US20200013471A1. Автор: Hao ZHONG,Earl T. Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

Methods and devices for memory reads with precharged data lines

Номер патента: US20140029353A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Reading control method of flash memory, memory reading device and memory system

Номер патента: CN108133730B. Автор: 张明,王敏,乔斌,李国阳,陈正亮,吴昭逸,王琛銮,潘永斌. Владелец: Maxio Technology Hangzhou Ltd. Дата публикации: 2020-09-11.

To achieve minimum functionality conditions of memory cells and read circuits, in particular for non-volatile memories, synchronized memory read activation circuit

Номер патента: DE69630108D1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-10-30.

Flash memory read error recovery with soft-decision decode

Номер патента: US20140164868A1. Автор: Ning Chen,Zhengang Chen,Earl T. Cohen,Jeremy Werner,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Mixed flash memory read/write method and mixed read/write flash memory

Номер патента: WO2019051861A1. Автор: 杨文静,陈杰智. Владелец: 山东大学. Дата публикации: 2019-03-21.

Nonvolatile memory, reading method of nonvolatile memory, and memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US20140026232A1. Автор: JINYUB LEE,SEUNGJAE LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

Nonvolatile memory, reading method of nonvolatile memory, and memory system including nonvolatile memory

Номер патента: KR101991905B1. Автор: 이승재,이진엽. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-06-24.

Memory sector with trimmed reference currents and method of improving memory reading window thereof

Номер патента: US11823746B2. Автор: Cheng-Hsiao Lai,Ming-Jen Chang,Yung-Tsai Hsu,Ying-Ting Lin,Ming-Shan Ho,Chung-Yi Luo,Kuo-Cheng Chou,Cheng-Chieh Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory sector with trimmed reference currents and method of improving memory reading window thereof

Номер патента: US20230223091A1. Автор: Cheng-Hsiao Lai,Ming-Jen Chang,Yung-Tsai Hsu,Ying-Ting Lin,Ming-Shan Ho,Chung-Yi Luo,Kuo-Cheng Chou,Cheng-Chieh Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory array with asymmetric bit-line architecture

Номер патента: US20240260279A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

THREE-DIMENSIONAL ARRAY OF RE-PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY ELEMENTS HAVING VERTICAL BIT LINES AND A SINGLE-SIDED WORD LINE ARCHITECTURE

Номер патента: US20130121078A1. Автор: Samachisa George,Yan Tianhong. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-05-16.

Three-Dimensional Array of Re-Programmable Non-Volatile Memory Elements Having Vertical Bit Lines and a Single-Sided Word Line Architecture

Номер патента: US20170004881A1. Автор: Samachisa George,Yan Tianhong. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Three-Dimensional Array of Re-Programmable Non-Volatile Memory Elements Having Vertical Bit Lines and a Single-Sided Word Line Architecture

Номер патента: US20140192595A1. Автор: George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-07-10.

Three dimensional non-volatile memory with shorting source line/bit line pairs

Номер патента: US20170117037A1. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

SECURE MEMORY ACCESS USING MEMORY READ RESTRICTION

Номер патента: US20190179774A1. Автор: Hershman Ziv,Morav Dan. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

REDUCING LATENCY OF MEMORY READ OPERATIONS RETURNING DATA ON A READ DATA PATH ACROSS MULTIPLE CLOCK BOUNDARIES, TO A HOST IMPLEMENTING A HIGH SPEED SERIAL INTERFACE

Номер патента: US20190212769A1. Автор: Carlough Steven R.,Eickhoff Susan M.,Spear Michael B.,Van Huben Gary A.,Wyatt Stephen D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

REDUCING LATENCY OF MEMORY READ OPERATIONS RETURNING DATA ON A READ DATA PATH ACROSS MULTIPLE CLOCK BOUNDARIES, TO A HOST IMPLEMENTING A HIGH SPEED SERIAL INTERFACE

Номер патента: US20190384352A1. Автор: Carlough Steven R.,Eickhoff Susan M.,Spear Michael B.,Van Huben Gary A.,Wyatt Stephen D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Memory and memory-reading method

Номер патента: EP2696349A4. Автор: Tae Sun Hwang,In Sun Park. Владелец: INDUSTRIAL BANK OF KOREA. Дата публикации: 2015-03-04.

Memory, reading operation method thereof and memory system

Номер патента: CN114420185A. Автор: 刘红涛,关蕾,黄莹,靳磊,赵向南,闵园园. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-29.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a single-sided word line architecture

Номер патента: TW201106360A. Автор: George Samachisa,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-02-16.

Margined neighbor reading for non-volatile memory read operations including coupling compensation

Номер патента: WO2008083196A3. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: Nima Mokhlesi. Дата публикации: 2008-08-28.

Reducing latency of memory read operations returning data on a read data path across multiple clock boundaries, to a host implementing a high speed serial interface

Номер патента: US10698440B2. Автор: Gary A. Van Huben,Steven R. Carlough,Stephen D. Wyatt,Susan M. Eickhoff,Michael B. Spear. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Secure memory access using memory read restriction

Номер патента: US10318438B1. Автор: Ziv Hershman,Dan Morav. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a single-sided word line architecture

Номер патента: EP2417599B1. Автор: George Samachisa,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-28.

MEMORY CONTROL DEVICE, CHIP CARD, AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORY READING OPERATION

Номер патента: FR2858874A1. Автор: Min Kyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-18.

Margined neighbor reading for non-volatile memory read operations including coupling compensation

Номер патента: WO2008083196A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Read-only memory read circuit

Номер патента: JPS56105394A. Автор: Hideyuki Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1981-08-21.

Three-dimensional array of re-programmable nonvolatile memory elements having vertical bit lines and a double-global-bit-line architecture

Номер патента: KR20120013970A. Автор: 조지 사마치사,루카 파솔리. Владелец: 쌘디스크 3디 엘엘씨. Дата публикации: 2012-02-15.

Smi memory read data capture margin characterization circuits and methods

Номер патента: US20090322376A1. Автор: Kirk David Lamb. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Non-volatile memory with short prevention

Номер патента: US12046294B2. Автор: Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Selection circuit for accurate memory read operations

Номер патента: TWI348704B. Автор: Lee Cleveland,Binh Quang Le,Michael Achter,Pauling Chen. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-09-11.

Circuit for fast and accurate memory read operations

Номер патента: TWI333215B. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Q Le,Roger Tsao. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-11-11.

MEMORY READING METHOD AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200303016A1. Автор: Amada Tadashi. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Memory and memory reading method

Номер патента: KR101293225B1. Автор: 박인선,황태선. Владелец: (주)아토솔루션. Дата публикации: 2013-08-05.

Flash memory array with separate memory read, program and erase

Номер патента: CN109643564B. Автор: N.杜,V.蒂瓦里,H.V.陈,X.郭,F.M.巴亚特,D.斯特鲁科夫. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-07.

Method and memory device for sequential memory reading with address jump

Номер патента: EP1235225A3. Автор: Yvon Bahout. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-09-18.

Reference voltage generation circuit for semiconductor memory device, memory reading circuit including same, and electronic information device including the same

Номер патента: US6707725B2. Автор: Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-03-16.

Disk speed controller using field memory read/write cycle with adaptive lock

Номер патента: US5253118A. Автор: Yoshikiyo Konno. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1993-10-12.

Dynamic management of memory read requests

Номер патента: US20240220112A1. Автор: Mark Anthony Golez,Sarvesh Varakabe Gangadhar,Jacky Le. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Dynamic management of memory read requests

Номер патента: WO2024145064A1. Автор: Mark Anthony Golez,Sarvesh Varakabe Gangadhar,Jacky Le. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. (dba Solidigm). Дата публикации: 2024-07-04.

Dynamic management of memory read requests

Номер патента: US12118215B2. Автор: Mark Anthony Golez,Sarvesh Varakabe Gangadhar,Jacky Le. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Peripheral component handling of memory read requests

Номер патента: US20230267081A1. Автор: Jacob Joseph,Tessil Thomas,Jamshed Jalal,Anitha Kona,Arthur Brian LAUGHTON. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Hybrid memory module including module control device sourcing strobe signals for memory read operations

Номер патента: US20230280937A1. Автор: Jordan HORWICH,Jeekyoung Park. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Peripheral component handling of memory read requests

Номер патента: WO2023161598A1. Автор: Jacob Joseph,Tessil Thomas,Jamshed Jalal,Anitha Kona,Arthur Brian LAUGHTON. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2023-08-31.

Graphics controller for high speed transmission of memory read commands

Номер патента: US20030052888A1. Автор: Barinder Rai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Reduced latency memory read transactions in storage devices

Номер патента: US8959307B1. Автор: Ricardo H. Bruce,Rey H. Bruce,Elsbeth Lauren Tagayo-Villapaña. Владелец: Bitmicro Networks Inc. Дата публикации: 2015-02-17.

Memory read requests passing memory writes

Номер патента: WO2006012289A2. Автор: Sridhar Muthrasanallur,Kenneth C. Creta. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-02-02.

System and method for bypass memory read request detection

Номер патента: US11892955B2. Автор: Patrick Bailey,Sanjay Goyal,Larrie Simon Carr. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Multi-block memory reads for image de-warping

Номер патента: US10176560B2. Автор: Edwin Van Dalen,Amit Gur,Rakefet Kol,Tamir KLEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Apparatus for detecting, correcting and logging single bit memory read errors

Номер патента: WO1983001320A1. Автор: Dongsung Robert Kim,Corporation Burroughs,Machines Limited Burroughs. Владелец: Burroughs Machines Ltd. Дата публикации: 1983-04-14.

Apparatus for detecting, correcting and logging single bit memory read errors

Номер патента: US4371930A. Автор: Dongsung R. Kim. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1983-02-01.

Using data watchpoints to detect unitialized memory reads

Номер патента: US20140157039A1. Автор: Jason L. Peck. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Optimizing memory reads when computing video quality metrics

Номер патента: US12086972B2. Автор: Harikrishna Madadi Reddy,Visalakshi Vaduganathan,Deepa Palamadai Sundar. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods and apparatus to improve optimizing loops with predictable recurring memory reads

Номер патента: US20210034344A1. Автор: Hideki Ido,Diego Luis Caballero de Gea,Eric N. Garcia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Electroluminescent device with short detection circuit

Номер патента: RU2668946C2. Автор: Дирк ХЕНТЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-10-05.

Scaling ecommerce with short-form video

Номер патента: US20240338739A1. Автор: Jing Xian CHEN,Nga Lun Helen Lam,Ka Ka NG. Владелец: Loop Now Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Streaming engine with short cut start instructions

Номер патента: US20220043670A1. Автор: Timothy Anderson,Joseph Zbiciak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Streaming engine with short cut start instructions

Номер патента: US20240296065A1. Автор: Timothy Anderson,Joseph Zbiciak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of transmitting and receiving data through an air gap with short pulses and a device for its implementation

Номер патента: RU2710301C1. Автор: Виктор Владимирович Карасев,Мария Сергеевна Кузнецова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина". Дата публикации: 2019-12-25.

Similiarity measures for short segments of text

Номер патента: US20090240498A1. Автор: Christopher A. Meek,Wen-tau Yih,Alexei V. Bocharov. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Step down transformer power supply with short circuit protection

Номер патента: CA2170696C. Автор: John R. Baldwin. Владелец: Hubbell Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Streaming engine with short cut start instructions

Номер патента: US11983559B2. Автор: Timothy Anderson,Joseph Zbiciak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Bit line alignment for the reduction of soft errors

Номер патента: US20240184971A1. Автор: K. Paul Muller,William J. Clarke,Steven R. Carlough,Luiz C. Alves. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of utilizing interferometric information from two different holograms exposed with short interval

Номер патента: CA1095296A. Автор: Nils Abramson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-02-10.

Electronic device and modulating device with short frame time length

Номер патента: EP4239622A1. Автор: Yi-Hung Lin,Cheng-Hung Tsai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Multireference procedure to parallelize variational quantum computing and achieve high accuracy with short circuit depths

Номер патента: US20230186133A1. Автор: Ivano Tavernelli,Pauline Ollitrault,Guglielmo Mazzola. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Electronic device and modulating device with short frame time length

Номер патента: US12112719B2. Автор: Yi-Hung Lin,Cheng-Hung Tsai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Multireference procedure to parallelize variational quantum computing and achieve high accuracy with short circuit depths

Номер патента: US12106184B2. Автор: Ivano Tavernelli,Pauline Ollitrault,Guglielmo Mazzola. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Low energy accelerator processor architecture with short parallel instruction word

Номер патента: US09817791B2. Автор: Srinivas Lingam,Seok-jun Lee,Manish Goel,Johann Zipperer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Liquid crystal panel with short response time comprising a liquid crystal having falling and rising states and display device

Номер патента: US09720294B2. Автор: Chang Xie. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Fully automated and computerized conveyor based manufacturing line architectures adapted to pressurized sealable transportable containers

Номер патента: US5388945A. Автор: George Garric,Andre Lafond. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

Liquid Crystal Panel with Short Response Timeand Display Device

Номер патента: US20170131596A1. Автор: Chang Xie. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Low Energy Accelerator Processor Architecture with Short Parallel Instruction Word

Номер патента: US20200334197A1. Автор: Srinivas Lingam,Seok-jun Lee,Manish Goel,Johann Zipperer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Rapid sorting-based supply assignment tool for order fulfillment with short supply

Номер патента: US11966868B2. Автор: Jing Long,Randall B. Smith,Alan P. Wood. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Miniature three-piece optical imaging lens with short back focal length

Номер патента: US20100321795A1. Автор: Ming-Che Kuo,San-Woei Shyu,Bo-Yuan Shih. Владелец: E Pin Optical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of fabricating bit line contacts

Номер патента: US20240008266A1. Автор: Yi-yi Chen,Chih-Ying Tsai,Jui-Seng WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Variable voltage stability enhancement control system and merthod for ultra-high-speed electric air compressor for improving wide-range speed regulation respo

Номер патента: GB2598662A. Автор: Wang Jing,Sun Jun,Li Jianwei,HE HONGWEN,YANG Qingqing,Yin Bifeng,Hu Donghai,Li Zhongyan,Zhou Menglai. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2022-03-09.

Methods and devices for electronic communication enhanced with metadata

Номер патента: WO2021138732A1. Автор: Sherryl Lee Lorraine Scott,Tony CHAHINE,Milad Alizadeh-Meghrazi. Владелец: MYANT INC.. Дата публикации: 2021-07-15.

Ride experience enhancements with external services

Номер патента: WO2024059307A1. Автор: Alexander Brown,Bence Cserna,Kevin C. Gall. Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Real-time low-complexity stereo speech enhancement with spatial cue preservation

Номер патента: WO2024006685A1. Автор: Jean-Marc Valin,Masahito Togami,Michael Mark Goodwin,Karim Helwani. Владелец: Amazon Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

Surface material enhancement with radio frequency identification (RFID) tags

Номер патента: US09881189B2. Автор: Jagatkumar Shah,Scott DeBates,Douglas A Lautner,Mary Hor-Lao. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Speech enhancement with voice clarity

Номер патента: RU2469423C2. Автор: С. Филлип БРАУН,Ронгшан ЮЙ. Владелец: Долби Лэборетериз Лайсенсинг Корпорейшн. Дата публикации: 2012-12-10.

Network Virtualization Platforms Enhanced With Non-Visual Sensory Interactivity

Номер патента: US20220171460A1. Автор: John Oetting,Roger Drew Wickes. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2022-06-02.

Speech quality enhancement with multiple sensors using speech status model

Номер патента: RU2420813C2. Автор: Цзычэн ЛЮ,Чженью ЧЖАН,Алехандро АСЕРО,Амарнаг СУБРАМАНИА,Джеймс Г. ДРОППО. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2011-06-10.

Ride experience enhancements with external services

Номер патента: US20240094012A1. Автор: Alexander Brown,Bence Cserna,Kevin C. Gall. Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Speech enhancement with multiple sensors using preceding clear speech

Номер патента: RU2407074C2. Автор: Цзычэн ЛЮ,Чженью ЧЖАН,Алехандро АСЕРО. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2010-12-20.

Surface Material Enhancement with Radio Frequency Identification (RFID) Tags

Номер патента: US20170116445A1. Автор: Jagatkumar Shah,Scott DeBates,Douglas A Lautner,Mary Hor-Lao. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Real-time low-complexity stereo speech enhancement with spatial cue preservation

Номер патента: US20240007817A1. Автор: Jean-Marc Valin,Masahito Togami,Michael Mark Goodwin,Karim Helwani. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Cache memory reading device

Номер патента: RU2290706C1. Автор: Павел Николаевич Осипенко,Евгений Авенирович Новожилов. Владелец: Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии Наук. Дата публикации: 2006-12-27.

Method and device for paging with short interval of periodical listening of paging channel

Номер патента: RU2347328C2. Автор: Ань Мэй ЧЭНЬ,Рагулан СИННАРАДЖАХ,Баазиз АКХОУР. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-02-20.

Devyatkin device and method for planting multi-month seedlings at the beginning of fruiting for areas with short climatic summer

Номер патента: RU2706476C1. Автор: Викторий Данилович Девяткин. Владелец: Викторий Данилович Девяткин. Дата публикации: 2019-11-19.

Method for preparing ready medicinal formulation of insulin with short effect

Номер патента: RU2261107C2. Автор: Владимир Романович Луцив,Светлана Алексеевна Пояркова,Валерий Николаевич Мельник,Алексей Павлович Лазарев,Валентина Николаевна Рыбачук,ник Людмила Павловна Сол,Людмила Павловна Соляник,Дмитрий Павлович Прудиев,Павел Павлович Сологуб,Виктор Иванович Стадник,Николай Николаевич Власенко,Игорь Павлович Лесик,ркова Светлана Алексеевна По. Владелец: Игорь Павлович Лесик. Дата публикации: 2005-09-27.

Oxygen-absorbing resin with short induction period

Номер патента: RU2534083C2. Автор: Джозеф ДРБОХЛАВ III.,Цзунчжэ ЮАНЬ. Владелец: Инвиста Текнолоджиз С. Ар.Л.. Дата публикации: 2014-11-27.

BRCT clamping absorption circuit with short circuit protection

Номер патента: US12132306B2. Автор: Zhihua Zhang,Wencai WEI. Владелец: Shenzhen Hontech-Wins Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Double-sided segmented line architecture in 3D integration

Номер патента: US09559040B2. Автор: Toshiaki Kirihata,John W. Golz,Pooja R. Batra,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Rechargeable device with short circuit prevention

Номер патента: RU2685248C2. Автор: Доминик Бернауэр. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-04-17.

Elongation, compression and shortening apparatus for treating human and animal tubular bone fractures with short distal fragment

Номер патента: RU2498783C1. Автор: Запир Гулмадович Запиров,Магомедрасул Запирович Запиров,Зайнаб Запировна Запирова. Владелец: Запир Гулмадович Запиров. Дата публикации: 2013-11-20.

Aircraft with short or vertical take-off and landing with hybrid power plant

Номер патента: RU2729750C1. Автор: Борис Никифорович Сушенцев. Владелец: Борис Никифорович Сушенцев. Дата публикации: 2020-08-11.

Voltage stabilized generator based on asynchronous machine with short-closed rotor winding

Номер патента: RU2709101C1. Автор: Геннадий Сергеевич Мыцык,Мин Тант Мьё. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2019-12-16.

Electric switch with shorting contact

Номер патента: CA1074379A. Автор: Allan J. Sykora. Владелец: Stackpole Components Co. Дата публикации: 1980-03-25.

Devices and memory arrays including bit lines and bit line contacts

Номер патента: US20120104463A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-03.

Buried bit line structure, method for fabricating buried bit line structure, and memory

Номер патента: US20230040873A1. Автор: Wei Feng,Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory cell array structure having bit line for reducing signal resistance, memory device including the same, and method of forming the same

Номер патента: US20240196629A1. Автор: Bipul C. Paul,Sandeep Puri,Venkatesh Periyapatna Gopinath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US20240314996A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing memory using pseudo bit line structures and sacrificial layers

Номер патента: US12127398B2. Автор: Er-Xuan Ping,Zhen Zhou,Lingguo ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Buried bit line structure, manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US12114484B2. Автор: Wei Feng,Jingwen Lu,Zhaopei CUI,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Resistive RAM including air gaps between word lines and between vertical bit lines

Номер патента: US09911790B1. Автор: Michiaki Sano,Seiji Shimabukuro,Kan Fujiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Bit line structure, manufacturing method thereof and semiconductor memory

Номер патента: US12150293B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Aircraft with short or vertical take-off and landing

Номер патента: RU2712708C1. Автор: Борис Никифорович Сушенцев. Владелец: Борис Никифорович Сушенцев. Дата публикации: 2020-01-30.

Double-sided segmented line architecture in 3D integration

Номер патента: US9870979B2. Автор: Toshiaki Kirihata,John W. Golz,Pooja R. Batra,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Power controller with short-circuited protection and method of controlling the same

Номер патента: US20220045600A1. Автор: Yi-Lun Shen,Yu-Yun Huang. Владелец: ARK Semiconductor Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Power controller with short-circuited protection and method of controlling the same

Номер патента: US11632036B2. Автор: Yi-Lun Shen,Yu-Yun Huang. Владелец: ARK Semiconductor Corp Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Dram structure with multiple memory cells sharing the same bit-line contact

Номер патента: US5955757A. Автор: Jia-Shyong Cheng,Tean-Sen Jen,Shiou-Yu Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20130228856A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Cmos image sensor with divided bit lines

Номер патента: US20190268556A1. Автор: ZHENG Yang,Rui Wang,Eiichi Funatsu,Hiroaki Ebihara. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor structure with improved capacitance of bit line

Номер патента: US20140054535A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Buried bit line memory circuitry

Номер патента: US20020090785A1. Автор: Scott DeBoer,Pai-Hung Pan,Yongjun Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US8704284B2. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-22.

Dram having isolation layer located between capacitor contact and the bit line structure for preventing short circuit

Номер патента: US20230225103A1. Автор: Shu-Mei Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9231104B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transitor

Номер патента: US8901645B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US20100295130A1. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor structure, manufacturing method thereof, and memory having bit line conducting layers covering the bit line contact layer and the insulating layer

Номер патента: US12069850B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure having a landing area extends from first portion to second portion of an active area across a bit-line

Номер патента: US20230114564A1. Автор: Chih-Wei Huang,Chih-hao Kuo,Hsu-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor memory device having bit lines and isolation fins disposed on the substrate

Номер патента: US12114487B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Vertical bit line non-volatile memory systems and methods of fabrication

Номер патента: US09853090B2. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09799663B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US09786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Vertical bit line non-volatile memory systems and methods of fabrication

Номер патента: US09558949B2. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Early bit line air gap formation

Номер патента: US09524904B2. Автор: Yuji Takahashi,Takuya Futase,Noritaka Fukuo,Kiyokazu Shishido,Toshiyuki Sega,Hiroto Ohori,Kotaro Jinnouchi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09466566B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Vertical bit line non-volatile memory with recessed word lines

Номер патента: US09450023B1. Автор: Michael Konevecki,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicided bit line for reversible-resistivity memory

Номер патента: US09443910B1. Автор: Akio Nishida,Shin Kikuchi,Yoichiro Tanaka,Takuya Futase,Christopher J Petti,Toshihiro Iizuka,Kan Fujiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Combined delivery system with immediate/sustained release of medicinal agents with short period of half-life, including for remogliflozin

Номер патента: RU2596787C2. Автор: Джеймс Тринка ГРИН,Уилльям Оуэн УИЛКИСОН. Владелец: БиЭйчВи ФАРМА, ИНК.. Дата публикации: 2016-09-10.

Aircraft with short or vertical take-off and landing

Номер патента: RU2708120C1. Автор: Борис Никифорович Сушенцев. Владелец: Борис Никифорович Сушенцев. Дата публикации: 2019-12-04.

Catalytic system for processes of partial catalytic oxidation with short duration of contact

Номер патента: RU2561986C2. Автор: Лука Эудженио БАЗИНИ,Лучано Козимо КАРЛУЧЧИО,Алессандра Гуаринони. Владелец: Эни С.П.А.. Дата публикации: 2015-09-10.

Power converter controller with short-circuit protection

Номер патента: US20210328502A1. Автор: Chih-Liang Wang,Chin-Chuan Chen,Shu-Chia Lin. Владелец: Inno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Additive manufacturing of composites with short-fiber reinforcement

Номер патента: WO2021055543A1. Автор: Emrah Celik. Владелец: UNIVERSITY OF MIAMI. Дата публикации: 2021-03-25.

Monos device having buried metal silicide bit line

Номер патента: EP1456885A2. Автор: Minh Van Ngo,Mark T. Ramsbey,Arvind Halliyal,Zoran Krivokapic,Nicholas H. Tripsas,Jusuke Ogura. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2004-09-15.

Monos device having buried metal silicide bit line

Номер патента: WO2003054964A2. Автор: Minh Van Ngo,Mark T. Ramsbey,Arvind Halliyal,Zoran Krivokapic,Nicholas H. Tripsas,Jusuke Ogura. Владелец: Fasl Llc. Дата публикации: 2003-07-03.

Stability enhancement agent for solid detergent compositions

Номер патента: US20130109606A1. Автор: Carter M. Silvernail,Kerrie Walters. Владелец: ECOLAB USA INC. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for preventing bit line to bit line leakage in memory cell

Номер патента: US20030109104A1. Автор: Chen-Chin Liu,Chia-Hsing Chen,Jiunn-Liang Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Cap layer for bit line resistance reduction

Номер патента: WO2020081948A1. Автор: Ning Li,Sanjay Natarajan,Gill Yong Lee,Nobuyuki Sasaki,In Seok Hwang,Mihaela Balseanu,Sung-Kwan Kang,Jianxin Lei,Priyadarshi PANDA,Wenting Hou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for fabricating a buried bit line for a semiconductor memory

Номер патента: US20040018686A1. Автор: Veronika Polei,Mayk Röhrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-29.

Method of fabricating capacitor over bit line and bottom electrode thereof

Номер патента: US20080124886A1. Автор: Cheng-Che Lee,Tsung-De Lin. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

3d cell and array structures with parallel bit lines and source lines

Номер патента: WO2024186945A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Hsu Fu Chang. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory device with vertical semiconductor bit lines located in recesses and method of making thereof

Номер патента: US09859337B2. Автор: Abhijit Bandyopadhyay,Christopher J. Petti,Perumal Ratnam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Reversible resistivity memory with crystalline silicon bit line

Номер патента: US09685484B1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Perumal Ratnam,Chris Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods and apparatus for vertical bit line structures in three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US09673304B1. Автор: Akio Nishida,Takashi Matsubara,Tetsuya Yamada,Akira Nakada,Manabu Hayashi,Michiaki Sano,Sung Tae Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device having bit line structures disposed in trenches

Номер патента: US09666585B2. Автор: Myoung Soo Kim,Jin Ki Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Multi tier three-dimensional memory devices including vertically shared bit lines

Номер патента: US09502471B1. Автор: Wei Zhao,Zhenyu Lu,Koji Miyata,Tong Zhang,James Kai,Johann Alsmeier,Man Mui,Gerrit Jan Hemink,Henry Chien,Wenguang Shi,Christopher Petti,Xiaolong Hu,Jiyin Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Reference line and bit line structure for 3D memory

Номер патента: US09412752B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Yu-Wei Jiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US09379117B2. Автор: Heung-Jae Cho,Eui-Seong Hwang,Eun-Shil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Brake-shoe lining for disc brake with short lining

Номер патента: RU2478844C2. Автор: Анья КЛИМТ,Матиас ВЮРЦ,Кристиан ПИЛЕР. Владелец: КОНТИНЕНТАЛЬ ЭНДЖИНИРИНГ СЕРВИСЕС ГмбХ. Дата публикации: 2013-04-10.

Lock with short locking way

Номер патента: RU2771057C1. Автор: Янис КВИНТИНГ. Владелец: Тиле Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2022-04-25.

Digital cellular telecommunications with short message service over the packet channel

Номер патента: CA2314103C. Автор: Keijo Laiho. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2012-07-31.

Two-stage precision guide and method for fixing to a low-height maxillary bone a tripod with short dental implant function

Номер патента: EP3572034A1. Автор: Oscar Ruesga Delgado. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-11-27.

Medium-voltage switchgear with short-circuit system

Номер патента: RU2474906C2. Автор: Дитмар ГЕНЧ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2013-02-10.

Power steering gear with short piston and fluid bearings

Номер патента: CA1074704A. Автор: Richard H. Sheppard. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-04-01.

Power delivery circuit with short circuit protection

Номер патента: US5986359A. Автор: Mark A. Enderich,Shawn P. Slusser,Chris A. Wunderlich. Владелец: Lear Automotive Dearborn Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Improved decision directed phase locked loop (dd-pll) for use with short block codes in digital communication systems

Номер патента: CA2298863C. Автор: David A. Wright,Gregory S. Caso,Dominic P. Carrozza. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2002-09-17.

Two-stage precision guide and method for fixing to a low-height maxillary bone tripod with short dental implant function

Номер патента: US20230190334A1. Автор: Oscar Ruesga Delgado. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

Amino acid molecule encoding a polypeptide with short-chain dehydrogenase/reductase activity

Номер патента: CA2863742C. Автор: Ian Alexander Graham,Thilo Winzer,Tracy Carol Walker. Владелец: Sun Pharmaceutical Industries Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory device having bit line with stepped profile

Номер патента: US20230345707A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device having bit line with stepped profile

Номер патента: US12022649B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US11367615B2. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-06-21.

Method of forming a dram bit line contact

Номер патента: EP1063698A3. Автор: Charles H. Dennison,Kunal Parekh,Mark Jost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-01-03.

Non-volatile memory with silicided bit line contacts

Номер патента: EP2951862A1. Автор: Hidehiko Shiraiwa,Lei Xue,Ching-Huang Lu,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-12-09.

Non-volatile memory with silicided bit line contacts

Номер патента: WO2014120921A1. Автор: Hidehiko Shiraiwa,Lei Xue,Ching-Huang Lu,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-07.

Method for manufacturing semiconductor components with short switching time

Номер патента: US5371040A. Автор: Werner Zurek,Klaus Graff. Владелец: Temic Telefunken Microelectronic GmbH. Дата публикации: 1994-12-06.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US12057348B2. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Orientation-independent antenna (ORIAN) with shorts

Номер патента: US20090096691A1. Автор: John T. Apostolos. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US20240355674A1. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Non-volatile memory with silicided bit line contacts

Номер патента: US09666591B2. Автор: Hidehiko Shiraiwa,Lei Xue,Ching-Huang Lu,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Forming a bit line configuration for semiconductor memory

Номер патента: US5292678A. Автор: Wei Hwang,Sang H. Dhong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-03-08.

Three-dimensional memory device containing self-aligned bit line contacts and methods for forming the same

Номер патента: WO2022260710A1. Автор: Shigehiro Fujino,Yusuke Osawa,Masato Miyamoto,Takashi Kashimura,Kensuke Ishikawa,Motoki KAWASAKI,Shinsuke YADA,Fumitaka Amano,Mitsuteru Mushiga,Syo FUKATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor memory devices with electrically isolated stacked bit lines and methods of manufacture

Номер патента: US20230380310A1. Автор: Tung Ying Lee,Shao-Ming Yu,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory devices with electrically isolated stacked bit lines and methods of manufacture

Номер патента: US11849655B2. Автор: Tung Ying Lee,Shao-Ming Yu,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Bit line structure including ohmic contact and forming method thereof

Номер патента: US11877440B2. Автор: Penghui Xu,Yong Lu,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Three-dimensional memory device containing self-aligned bit line contacts and methods for forming the same

Номер патента: US11935784B2. Автор: Shigehiro Fujino,Yusuke Osawa,Masato Miyamoto,Takashi Kashimura,Kensuke Ishikawa,Motoki KAWASAKI,Shinsuke YADA,Fumitaka Amano,Mitsuteru Mushiga,Syo FUKATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US20230103902A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Method for fabricating and semiconductor device having the second bit line contact higher than the top surface of the first bit line

Номер патента: US20210066308A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Bit line structure and manufacturing method therefor, and semiconductor memory

Номер патента: EP4002462A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor devices having bit lines

Номер патента: US20240188284A1. Автор: Jongmin Kim,Chansic Yoon,Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Buried bit line and forming method thereof

Номер патента: US20220122989A1. Автор: Penghui Xu,Yong Lu,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device including vertical channel transistor, bit line and peripheral gate

Номер патента: EP4376568A1. Автор: Kiseok LEE,Seokhan Park,Joongchan SHIN,Seokho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Method for forming an electrical insulating layer on bit lines of the flash memory

Номер патента: US20020175139A1. Автор: Chien-Wei Chen,Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Resistive three-dimensional memory device with heterostructure semiconductor local bit line and method of making thereof

Номер патента: US09818801B1. Автор: Peter Rabkin,Christopher J. Petti,Masaaki Higashitani,Perumal Ratnam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing semiconductor bit line contact region with different doped impurity concentrations

Номер патента: US12150296B2. Автор: Xun Yan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device having buried bit lines and method for fabricating the same

Номер патента: US09443858B2. Автор: Tae-Yoon Kim,Eui-Seong Hwang,Eun-Shil Park,Ju-Hyun Myung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of surgical management of cataract in patients with short anteroposterior axis of eye

Номер патента: RU2611886C1. Автор: Алла Алексеевна Рябцева,Мария Павловна Югай. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения Московской области "Московский областной научно-исследовательский клинический институт им. М.Ф. Владимирского" (ГБУЗ МО МОНИКИ им. М.Ф. Владимирского). Дата публикации: 2017-03-01.

Vitamin and mineral additives stability enhancement

Номер патента: RU2460340C2. Автор: Алан М. ГОЛДБЕРГ,Стивен ДИЛС,Вильям МАРК,Брюс САТТОН,Чед БАЙЕРЛИ. Владелец: Вайет. Дата публикации: 2012-09-10.

Light responsive semiconductor switch with shorted load protection

Номер патента: CA2321128C. Автор: Yosuke Hagihara,Kazushi Tomii,Hideo Nagahama. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2003-04-08.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US9236327B2. Автор: Heung-Jae Cho,Bong-Seok Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Regulator with short circuit protection

Номер патента: CA1114943A. Автор: Wolfgang F.W. Dietz. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-12-22.

Method for making self-aligned node contacts to bit lines for capacitor-over-bit-line structures on dynamic random access memory (DRAM) devices

Номер патента: US5837577A. Автор: George Meng-Jaw Cherng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-17.

Bit line structure and method for the production thereof

Номер патента: US8193059B2. Автор: Ronald Kakoschke,Franz Schuler,Georg Tempel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-06-05.

Fabrication of a high density stacked gate eprom split cell with bit line reach-through and interruption immunity

Номер патента: US5091327A. Автор: Albert M. Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-02-25.

Methods of forming buried bit line DRAM circuitry

Номер патента: US20070087498A1. Автор: Michael Westphal,Ann Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor memory device having bit lines less liable to have influences of the adjacent bit lines

Номер патента: US4962476A. Автор: Koji Kawada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-10-09.

Method for forming semiconductor structure by using sacrificial layer configured to be replaced subsequently to form bit line, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US11895852B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Vertical Bit Line Non-Volatile Memory Systems And Methods Of Fabrication

Номер патента: US20170098685A1. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Vertical Bit Line Non-Volatile Memory Systems And Methods Of Fabrication

Номер патента: US20160064222A1. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-03-03.

Silicon-containing layer for bit line resistance reduction

Номер патента: WO2022266409A1. Автор: Nobuyuki Sasaki,Tza-Jing Gung,Rongjun Wang,Jianxin Lei,Wenting Hou,Tom Ho Wing Yu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-12-22.

Memory array with ultra-thin etched pillar surround gate access transistors and buried data/bit lines

Номер патента: US20090256181A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Memory array with ultra-thin etched pillar surround gate access transistors and buried data/bit lines

Номер патента: US20120276699A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Silicided bit line for reversible-resistivity memory

Номер патента: WO2017007563A1. Автор: Akio Nishida,Shin Kikuchi,Yoichiro Tanaka,Takuya Futase,Christopher J Petti,Toshihiro Iizuka,Kan Fujiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-12.

Methods and apparatus for smoothing dynamic random access memory bit line metal

Номер патента: US20210066309A1. Автор: In Seok Hwang,Priyadarshi PANDA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Genetic polymorphisms associated with short stature, methods of detection and uses thereof

Номер патента: WO2012151305A3. Автор: Arunthathi Thiagalingam,Patrice Denefle,Andrew Grupe,Luigi Catanzariti,Joel Hirschhorn,Zhidong Zhang,Mireille BONNEMAIRE. Владелец: IPSEN PHARMA S.A.S.. Дата публикации: 2013-03-14.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US20140120665A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Stacked Bit Line Dual Word Line Nonvolatile Memory

Номер патента: US20110241078A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US20160365349A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Methods of forming capacitor-over-bit line memory cells

Номер патента: EP1196950A1. Автор: Mark Fischer,John K. Zahurak,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-04-17.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US11984395B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Bit line lead-out structure and preparation method therefor

Номер патента: US20210391336A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor structure with chamfered capacitor connection line adjacent bit line and method for manufacturing semiconductor structure thereof

Номер патента: US11800699B2. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

A novel bit line preparation method in mram fabrication

Номер патента: EP2491575A1. Автор: Guomin Mao. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-08-29.

Silicon-Containing Layer for Bit Line Resistance Reduction

Номер патента: US20220406788A1. Автор: Nobuyuki Sasaki,Tza-Jing Gung,Rongjun Wang,Jianxin Lei,Wenting Hou,Tom Ho Wing Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Silicon-Containing Layer for Bit Line Resistance Reduction

Номер патента: US20220406790A1. Автор: Nobuyuki Sasaki,Tza-Jing Gung,Rongjun Wang,Jianxin Lei,Wenting Hou,Tom Ho Wing Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Ga-naphthalocyanine chromophores with short chain alkoxy axial substituents

Номер патента: US20170051166A1. Автор: Helmut Reichelt,Hans Reichert,Marina Schiller,Yves BRON. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2017-02-23.

Method for forming DRAM cell bit-line contact

Номер патента: US20050003307A1. Автор: Shih-Fan Kuan,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor devices including bit line contact plug and buried channel array transistor, methods of fabricating the same, and semiconductor modules, electronic circuit boards and electronic systems including the same

Номер патента: US20110241102A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US20210151316A1. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20150048444A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for treating the surface of a bit line conductive layer

Номер патента: US20020110978A1. Автор: King-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Genetic polymorphisms associated with short stature, methods of detection and uses thereof

Номер патента: WO2012151305A2. Автор: Arunthathi Thiagalingam,Patrice Denefle,Andrew Grupe,Luigi Catanzariti,Joel Hirschhorn,Zhidong Zhang,Mireille BONNEMAIRE. Владелец: IPSEN PHARMA S.A.S.. Дата публикации: 2012-11-08.

Access control for communication in a radio communication system with short range

Номер патента: EP1316229A1. Автор: Magnus Strandh,Mikael Andersin,Oskar Staf. Владелец: Telia AB. Дата публикации: 2003-06-04.

Access control for communication in a radio communication system with short range

Номер патента: EP1316229B1. Автор: Magnus Strandh,Mikael Andersin,Oskar Staf. Владелец: TELIASONERA AB. Дата публикации: 2008-08-13.

Bit line lead-out structure and preparation method therefor

Номер патента: US11985813B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of manufacturing a semiconductor structure by forming a node contact between a bit line and an isolation line

Номер патента: US12010830B2. Автор: Wenli CHEN,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor processing method of forming a conductive line, and buried bit line memory circuitry

Номер патента: US20010021579A1. Автор: Scott DeBoer,Pai-Hung Pan,Yongjun Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Spontaneous peeling of tetragonal microcrystals with short pulses of UV-light

Номер патента: US10179857B1. Автор: Rabih O. Al-Kaysi. Владелец: NATIONAL GUARD HEALTH AFFAIRS. Дата публикации: 2019-01-15.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US12022644B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method and apparatus for vehicle stability enhancement system

Номер патента: US20040098184A1. Автор: Youssef Ghoneim,Thomas Jenny,Christian Bielaczek. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 2004-05-20.

Motor compartment rail assembly with stability enhancement member

Номер патента: US20100213725A1. Автор: Soo A. Tan,Bradley E. Bowers. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2010-08-26.

Subsonic compressor, rotor blade and method for flow stability enhancement

Номер патента: US20240240646A1. Автор: Xiaonan WANG,Fei Yao,Weiwei CUI,Cuiping Wang,Laishun YANG,Guangxi Yue,Changlong RUAN,Haobo CAO,Guozhang CHANG. Владелец: SHANDONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for fabricating dynamic random access memory (DRAM) by simultaneous formation of tungsten bit lines and tungsten landing plug contacts

Номер патента: US5895239A. Автор: Erik S. Jeng,Hung-Yi Luo. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor device including bit line structure of dynamic random access memory (DRAM) and method for fabricating the same

Номер патента: US10770464B2. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Wei-Lun Hsu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Method of fabricating bit line

Номер патента: US6017788A. Автор: Jason Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Memory device having bit lines over a field oxide

Номер патента: US5170372A. Автор: Man Wong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-12-08.

Short segments of dap-kinase

Номер патента: WO2001026678A1. Автор: Matityahu Fridkin,Adi Kimchi,Hanna Berissi,Tal Raveh. Владелец: Mcinnis, Patricia. Дата публикации: 2001-04-19.

Buried bit line DRAM cells and fabricating methods therefor

Номер патента: US5702969A. Автор: Kang-yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-12-30.

Active front steer control for vehicle stability enhancement

Номер патента: US7181326B2. Автор: Youssef A. Ghoneim,William C. Lin. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 2007-02-20.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Integrated circuit device having a bit line and a main insulating spacer with an extended portion

Номер патента: US11908797B2. Автор: Sunghwan Kim,Jiyoung Ahn,Kiseok LEE,Yoonyoung CHOI,Taehee Han,Seunguk Han,Jiseok Hong,Seoryong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure having tapered bit line

Номер патента: US11882690B2. Автор: Chao-Wen Lay,Pei-Rou Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method to scale dram with self aligned bit line process

Номер патента: US11765889B2. Автор: Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device having a reduced bit line parasitic capacitance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130052788A1. Автор: Jeong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Automated planning of shoulder stability enhancement surgeries

Номер патента: EP4316399A2. Автор: Jean Chaoui,Maximilien Mayya. Владелец: Howmedica Osteonics Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

DRAM semiconductor device having reduced parasitic capacitance between capacitor contacts and bit line structures and method for manufacturing the same

Номер патента: US10797057B2. Автор: Wei-Che Chang,Tzu-Ming Ou Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Memory array including epitaxial source lines and bit lines

Номер патента: US11974441B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Automated planning of shoulder stability enhancement surgeries

Номер патента: EP4316399A3. Автор: Jean Chaoui,Maximilien Mayya. Владелец: Howmedica Osteonics Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Non-volatile memory comprising bit line air gaps and word line air gaps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP2583302A1. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Tuan Pham,Eli Harari,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-04-24.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: WO2022203703A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Low parasitic capacitance bit line process for stack DRAM

Номер патента: US8012810B2. Автор: Hsiao-Lei Wang,Chih-Hung Liao. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2011-09-06.

Method of manufacturing semiconductor structure having tapered bit line

Номер патента: US11895829B2. Автор: Chao-Wen Lay,Pei-Rou Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US8643096B2. Автор: Eui-Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Method to scale dram with self aligned bit line process

Номер патента: WO2022232473A1. Автор: Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure having tapered bit line

Номер патента: US20230403845A1. Автор: Chao-Wen Lay,Pei-Rou Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor apparatus having multi-layered bit line contact and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240179893A1. Автор: Hyun-Jung Kim,Hyunyong KIM,Yoonyoung CHOI,Jiwon OH,Junhee Park,Sangkyu SUN,Kyuwon WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with air gap between bit line and capacitor contact and method for forming the same

Номер патента: US20220262802A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for manufacturing bit line structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US11985814B2. Автор: Ning Xi,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Using isolated p-well transistor arrangements to avoid leakage caused by word line/bit line shorts

Номер патента: WO2004042736A3. Автор: Manfred Menke,Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Using isolated p-well transistor arrangements to avoid leakage caused by word line/bit line shorts

Номер патента: WO2004042736A2. Автор: Manfred Menke,Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-21.

Semiconductor device having lower leakage current between semiconductor substrate and bit lines

Номер патента: US8143664B2. Автор: Yukihiro Utsuno,Namjin Heo. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of manufacturing semiconductor structure having tapered bit line

Номер патента: US20230403846A1. Автор: Chao-Wen Lay,Pei-Rou Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US20140110781A1. Автор: Eui-Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20020045313A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20010001489A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Capacitor-over-bit line memory circuitry

Номер патента: EP1210734A2. Автор: Tyler A. Lowrey,D. Mark Durcan,Alan R. Reinberg,Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-05.

Methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry

Номер патента: EP1603152A3. Автор: Tyler A. Lowrey,Alan R. Reinberg,Luan C. Tran,D Mark Durcan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Methods of forming capacitors, methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: EP1589575A3. Автор: Tyler A Lowrey,Luan C Tran,D Mark Durcan,Alan R Reinburg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

Capacitor-over-bit line memory circuitry

Номер патента: EP1210734B1. Автор: Tyler A. Lowrey,D. Mark Durcan,Alan R. Reinberg,Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-19.

Method of forming bit line contact via

Номер патента: US20040198008A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tzu-Ching Tsai,Hui-Min Mao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for fabricating buried bit lines of a mask rom

Номер патента: US20030104670A1. Автор: Yi-Ting Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Method for fabricating capacitor-under-bit line (CUB) dynamic random access memory (DRAM) using tungsten landing plug contacts

Номер патента: US5893734A. Автор: Erik S. Jeng,Kwong Tsai, Jr.. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-04-13.

Method of fabricating bit line

Номер патента: US6051469A. Автор: Gary Hong,Yau-Kae Sheu. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Process for making a buried bit line memory cell

Номер патента: US5536670A. Автор: Chen-Chiu Hsue. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-07-16.

Image sensor with shifted color filter array pattern and bit line pairs

Номер патента: US20210337169A1. Автор: XIN Wang,Rui Wang,Zhiyong Zhan,Kenny Geng,Qingfei Chen,Qingwei Shan,Wei Wei Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Image sensor with shifted color filter array pattern and bit line pairs

Номер патента: US20220159222A1. Автор: XIN Wang,Rui Wang,Zhiyong Zhan,Kenny Geng,Qingfei Chen,Qingwei Shan,Wei Wei Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180053770A1. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device with buried bit lines and method for fabricating the same

Номер патента: US20130292792A1. Автор: Ki-Ro Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device including vertical channel transistor, bit line and peripheral gate

Номер патента: US20240170574A1. Автор: Kiseok LEE,Seokhan Park,Joongchan SHIN,Seokho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device with bit line contacts of different pitches

Номер патента: US20230345701A1. Автор: Yu-Ting Lin,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device including bit line pad, method for manufacturing the same and electronic system including the same

Номер патента: US20230269942A1. Автор: Myunghun Woo,Youngji Noh,Hyunmog Park,Jooheon Kang,Jongho Woo,Suseong NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Dosaging regulations for protein synthesis enhancement with active individuals

Номер патента: RU2503270C1. Автор: Дэниел Райан МОР,Трент ШТЕЛЛЕНГВЕРФ,Эрик ЗАЛТАС,Джон Алан ХОЛИ,Луиз Мэри БЁРК. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2014-01-10.

Method and apparatus for vehicle stability enhancement system

Номер патента: US6865468B2. Автор: Yuen-Kwok Chin,William C. Lin,Shih-Ken Chen,Weiwen Deng,David S. Rule,David P. Lynch. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 2005-03-08.

Channel state information feedback enhancement with separated training

Номер патента: WO2024207339A1. Автор: Yihang HUANG,Chenhui YE. Владелец: Nokia Shanghai Bell Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for forming storage node contacts and bit lines

Номер патента: KR101116732B1. Автор: 유창준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-02-22.

Method of depositing a silicon dioxide-comprising layer in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming trench isolation in the fabrication of integrated circuitry, Method of depositing silicon dioxide-comprising layers in the fabrication of integrated circuitry, and methods of forming bit line over capacitor arrays of memory cells

Номер патента: US20060160375A1. Автор: Gurtej Sandhu,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

mehtod for manufacturing bit line

Номер патента: KR100455723B1. Автор: 이경원,김준동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-12.

Method of reducing electrical shorts from the bit line to the cell plate

Номер патента: US6468859B1. Автор: Charles H. Dennison,Kunal R. Parekh,Jeffrey W. Honeycutt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-22.

Method for suppressing leakage between bit lines of memory array

Номер патента: CN1231962C. Автор: 陈家兴,黎俊良,刘振钦. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of manufacturing memory structure having a hexagonal shaped bit line contact disposed on a source/drain region

Номер патента: US11943914B2. Автор: Yu-Ying Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory structure having a hexagonal shaped bit line contact disposed on a source/drain region

Номер патента: US20230124715A1. Автор: Yu-Ying Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Methods of forming capacitators, methods of forming capacitator-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: EP1589574A3. Автор: Tyler A. Lowrey,Luan C. Tran,Mark D. Durcan,Alan R. Reinburg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

Method of forming bit line contact via

Номер патента: US7195975B2. Автор: Yi-Nan Chen,Tzu-Ching Tsai,Hui-Min Mao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-03-27.

New biodegradable penetration enhancers with multiple hydrophilic moieties

Номер патента: US20050032893A1. Автор: Ooi Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Browser-based communications enhanced with enterprise communication features

Номер патента: US09571529B2. Автор: Joel M. Ezell. Владелец: Avaya Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Plasma source enhanced with booster chamber and low cost plasma strength sensor

Номер патента: US09997335B2. Автор: Ximan Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Plasma source enhanced with booster chamber and low cost plasma strength sensor

Номер патента: US09691592B2. Автор: Ximan Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Method and apparatus for performing audio enhancement with aid of timing control

Номер патента: US20240107250A1. Автор: Yili Wang,Hsi-Hsien Chen,Sheng-Ming Wang,Chia-Wei Tao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Artificial diet for spodoptera litura enhanced with calcium and magnesium elements and its preparation method

Номер патента: LU506594B1. Автор: Jingwei Qi,Chuanren Li. Владелец: Univ Yangtze. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for producing porous starch enhanced with a carbon skeleton

Номер патента: RU2745023C1. Автор: Цзяньвэй ЧЖАО,Чжэнюй ЦЗИНЬ,Эньбо СЮЙ,Чжэнцзун У,Айцюань ЦЗЯО,Син ЧЖОУ,Яоци ТЯНЬ,Цзиньпэн ВАН,Юйсян БАЙ,Чжэнцзюнь СЕ,Сюэмин СЮЙ,На ЯН. Владелец: Цзяннань Юниверсити. Дата публикации: 2021-03-18.

Vaccine composition comprising at least two valences, one enhanced with adjuvant and not the other

Номер патента: US20040170648A1. Автор: Alain Francon. Владелец: Aventis Pasteur SA. Дата публикации: 2004-09-02.

Palatability enhancer with added aroma for application to pet food products

Номер патента: US20160309749A1. Автор: Jamie Russell Perez,Timothy John Dodge. Владелец: Wal Mart Stores Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method And Apparatus For Power Saving Enhancements With A Wake-Up Signal For A Dual-Radio System

Номер патента: US20230345377A1. Автор: Wei-De Wu,Yi-ju LIAO. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Browser-based communications enhanced with enterprise communication features

Номер патента: US20140280995A1. Автор: Joel M. Ezell. Владелец: Avaya Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Station performance enhancement with multi-link operations (mlo)

Номер патента: EP4324105A1. Автор: Lei Li,Sandip Homchaudhuri,Srinivas Katar,Alireza Raissinia,Chao ZOU,Deepak Nagawade. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Station performance enhancement with multi-link operations (MLO)

Номер патента: US11936473B2. Автор: Lei Li,Sandip Homchaudhuri,Srinivas Katar,Alireza Raissinia,Chao ZOU,Deepak Nagawade. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Station performance enhancement with multi-link operations (mlo)

Номер патента: WO2022221849A9. Автор: Lei Li,Sandip Homchaudhuri,Srinivas Katar,Alireza Raissinia,Chao ZOU,Deepak Nagawade. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods and apparatuses for lcp enhancement with shared cot information

Номер патента: WO2024065257A1. Автор: Min Xu,Haiming Wang,Jing HAN,Lianhai WU,Ran YUE. Владелец: LENOVO (BEIJING) LIMITED. Дата публикации: 2024-04-04.

Connected mode discontinuous reception (c-drx) enhancement with wakeup signal for sidelink communication

Номер патента: WO2024108433A1. Автор: Hao Xu,Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Changlong Xu,Shaozhen GUO,Luanxia YANG,Siyi Chen,Chih-Hao Liu,Giovanni Chisci. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-30.

Plasma source enhanced with booster chamber and low cost plasma strength sensor

Номер патента: US20170294290A1. Автор: Ximan Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-12.

Heat exchanger enhanced with thermoelectric generators

Номер патента: WO2024019798A1. Автор: Demis Pandelidis,Korneliusz SIERPOWSKI,Jeffrey PREMER. Владелец: Baryon Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Heat exchanger enhanced with thermoelectric generators

Номер патента: US20240023443A1. Автор: Demis Lukasz Pandelidis,Korneliusz SIERPOWSKI,Jeffrey PREMER. Владелец: B aryon Inc.. Дата публикации: 2024-01-18.

Inclusive and non-inclusive tracking of local cache lines to avoid near memory reads on cache line memory writes into a two level system memory

Номер патента: US09418009B2. Автор: Yen-Cheng Liu,Robert G. Blankenship,Stephen R. Van Doren,Bahaa Fahim,Vedaraman Geetha,Jeffrey D. Chamberlain,Adrian C. Moga. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Method and apparatus for distinguishing register reads from memory reads in a flash memory

Номер патента: US6085282A. Автор: John Phillip Hansen,Erik Metzger. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Memory controllers and flash memory reading methods

Номер патента: US09647695B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Eun-cheol Kim,Se-jin Lim,Ung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory read-channel with signal processing on general purpose processor

Номер патента: US09753877B2. Автор: Erich F. Haratsch,Nils Graef. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory reads based with a limited response time

Номер патента: US20240281150A1. Автор: Yi Zeng,Yuli Barcohen,Kaushik Balasubramanian,Eti BAYEVSKY,Lukasz GOLAWSKI,Yaniv NISSIM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Conditional inclusion of data in a transactional memory read set

Номер патента: US09928173B2. Автор: Michael Karl Gschwind,Eric M. Schwarz,Chung-Lung K. Shum,Timothy J. Slegel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory read/write unit

Номер патента: GB2253083A. Автор: Shinichi Horinouchi,Kunihiko Takeuchi. Владелец: Tokyo Keiki Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-26.

Bypass storage class memory read cache based on a queue depth threshold

Номер патента: US20200174938A1. Автор: Gurinder Shergill,Kouei Yamada. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2020-06-04.

Cache-based memory read commands

Номер патента: US20210157517A1. Автор: Dhawal Bavishi,Patrick A. La Fratta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-27.

Data processing system and data processing method for correlating purchases data from multiple memory read/write devices

Номер патента: CA2606157A1. Автор: Hiroshi Sugaya,Yasuyuki Hattori,Takashi Hosoda,Takuji Maekawa,Takahisa Hakoishi,Akira Yaegashi,Masaki Takemura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Electronic musical instrument of wave memory reading type

Номер патента: US4213366A. Автор: Koji Niimi,Masatada Wachi,Mitsumi Katoh. Владелец: Nippon Gakki Co Ltd. Дата публикации: 1980-07-22.

Data processor and memory read active control method

Номер патента: US8667259B2. Автор: Mitsuaki Hino,Yasuhiro Yamazaki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-04.

Specialized memory disambiguation mechanisms for different memory read access types

Номер патента: US09524164B2. Автор: Yasuko ECKERT,Srilatha Manne,Lena E. Olson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Hard disk simulating device for computer system, has core logic chip controlling read/write of data of main memory module, and conversion interface controller converting hard disk read/write signal to memory read/write signal

Номер патента: FR2891638A1. Автор: An Sheng Chang. Владелец: Giga Byte Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-06.

Control store memory read error resiliency method and apparatus

Номер патента: CA1240067A. Автор: Thomas F. Joyce,Richard P. Kelly. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1988-08-02.

Apparatus for performing a low latency memory read with concurrent snoop

Номер патента: US6018792A. Автор: James Meyer,Jeffrey R. Brown,Joseph Jeddeloh. Владелец: Micron Electronics Inc. Дата публикации: 2000-01-25.

Memory read control circuit

Номер патента: US20090034346A1. Автор: Hidemi Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Conditional inclusion of data in a transactional memory read set

Номер патента: US20150378906A1. Автор: Michael Karl Gschwind,Eric M. Schwarz,Chung-Lung K. Shum,Timothy J. Slegel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Conditional inclusion of data in a transactional memory read set

Номер патента: US20150378902A1. Автор: Michael Karl Gschwind,Eric M. Schwarz,Chung-Lung K. Shum,Timothy J. Slegel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

MULTI-LEVEL MEMORY, MULTI-LEVEL MEMORY WRITING METHOD, AND MULTI-LEVEL MEMORY READING METHOD

Номер патента: US20150019799A1. Автор: Uchida Hiroyuki,Higo Yutaka,Hosomi Masanori,Ohmori Hiroyuki,Bessho Kazuhiro,Asayama Tetsuya,Yamane Kazutaka. Владелец: SONY COPORATION. Дата публикации: 2015-01-15.

Inclusive/Non Inclusive Tracking of Local Cache Lines To Avoid Near Memory Reads On Cache Line Memory Writes Into A Two Level System Memory

Номер патента: US20150186275A1. Автор: Blankenship Robert G.,Moga Adrian C.,Geetha Vedaraman,Liu Yen-Cheng,FAHIM Bahaa,Van Doren Stephen R.,CHAMBERLAIN Jeffrey D.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

MEMORY MODULE, MEMORY CONTROLLER, NONVOLATILE STORAGE DEVICE, NONVOLATILE STORAGE SYSTEM, AND MEMORY READ / WRITE METHOD

Номер патента: JPWO2006093201A1. Автор: 昌之 外山,学 井上,雅浩 中西,智紹 泉,中西　雅浩,泉　智紹,笠原　哲志,哲志 笠原,田村　和明,和明 田村,松野　公則,公則 松野,井上　学,外山　昌之,晋弘 真木. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Memory Module, Memory Controller, Nonvolatile Storage, Nonvolatile Storage System, and Memory Read/Write Method

Номер патента: US20080307152A1. Автор: Masayuki Toyama,Masahiro Nakanishi,Manabu Inoue,Tomoaki Izumi,Tetsushi Kasahara,Kazuaki Tamura,Kiminori Matsuno,Kunihiro Maki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

MEMORY MODULE, MEMORY CONTROLLER, NONVOLATILE STORAGE DEVICE, NONVOLATILE STORAGE SYSTEM, AND MEMORY READ / WRITE METHOD

Номер патента: JP4871260B2. Автор: 昌之 外山,学 井上,雅浩 中西,智紹 泉,哲志 笠原,和明 田村,公則 松野,晋弘 真木. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-08.

Alarm apparatus with short distance wireless communication function

Номер патента: US20160284204A1. Автор: Wei-Chun Huang,Tsung-Hsing Hsieh. Владелец: Jogtek Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Deep reinforcement learning with short-term adjustments

Номер патента: US20220012585A1. Автор: Chi Zhang,Chetan GUPTA,Susumu Serita,Hamed KHORASGANI. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Electroluminescent device with short detection circuit

Номер патента: US09713224B2. Автор: Dirk Hente. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-07-18.

SPECIALIZED MEMORY DISAMBIGUATION MECHANISMS FOR DIFFERENT MEMORY READ ACCESS TYPES

Номер патента: US20150067305A1. Автор: Manne Srilatha,Eckert Yasuko,Olson Lena E.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2015-03-05.

MEMORY CONTROLLERS AND FLASH MEMORY READING METHODS

Номер патента: US20150220389A1. Автор: Kong Jun-Jin,KIM UNG-HWAN,KIM EUN-CHEOL,LIM Se-Jin,Kim Kyung-jin. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Memory read requests passing memory writes in computer systems having both strong and relaxed transaction ordering

Номер патента: TWI332148B. Автор: Sridhar Muthrasanallur,Kenneth C Creta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Model predictive maintenance system with short-term scheduling

Номер патента: US20210072742A1. Автор: Michael J. Wenzel,Mohammad N. ElBsat,Christos T. Maravelias,Yaqing WU. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2021-03-11.

Hardware and firmware paths for performing memory read processes

Номер патента: US09626286B2. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Robert Jackson,Matthew Davidson,Gary J. Lin,Daniel Tuers. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

METHOD FOR WRITING DATA TO STORE IN MICROCIRCUIT MEMORY, READING METHOD, AND MICROCIRCUIT MEMORY THEREFOR

Номер патента: FR3045864A1. Автор: Olivier Chamley. Владелец: Oberthur Technologies SA. Дата публикации: 2017-06-23.

Fast path memory read request processing in a multi-level memory architecture

Номер патента: US7500062B2. Автор: Bruce Leroy Beukema,Michael Bar-Joshua,Alexander Mesh,Shaul Yifrach. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-03.

METHOD FOR WRITING DATA TO STORE IN MICROCIRCUIT MEMORY, READING METHOD, AND MICROCIRCUIT MEMORY THEREFOR

Номер патента: FR3045864B1. Автор: Olivier Chamley. Владелец: Oberthur Technologies SA. Дата публикации: 2018-02-02.

Memory read/write organization for a television signal processor

Номер патента: US4109276A. Автор: Robert Adams Dischert,Robert Sherman Hopkins, Jr.,Arthur James Banks. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-08-22.

Video signal processing apparatus with memory read/write timing related to horizontal scanning period

Номер патента: US5034827A. Автор: Yoshihiro Nakatani,Tsutomu Fukatsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-07-23.

Control receiving device for controlling e.g. lamp, has processor carrying out reading of non volatile memory using memory read unit, and restoring device to state possessed before interruption of power supply

Номер патента: FR2877476A1. Автор: Roux Marc Le. Владелец: ETUDE CONCEPT ELECTRONIQUE SA. Дата публикации: 2006-05-05.

Boost converter with short-circuit protection and method thereof

Номер патента: US09912145B2. Автор: Yike Li,Wangrui Guo. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Electrical connector with short circuit element

Номер патента: US09837771B2. Автор: Tito Alessandro TEDESCHI. Владелец: Industria Lombarda Materiale Elettrico ILME SpA. Дата публикации: 2017-12-05.

System, an apparatus, a device, a computer program and a method for device with short range communication capabilities

Номер патента: US09621231B2. Автор: Wenhui Lu. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2017-04-11.

Detecting unexpected memory read

Номер патента: WO2024187365A1. Автор: Yiwei Huang,Zhenhua Huang,Aiqun Yu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-19.

Sucker-rod pump with short plunger

Номер патента: RU2533280C1. Автор: Евгений Васильевич Рыжов. Владелец: Евгений Васильевич Рыжов. Дата публикации: 2014-11-20.

Breaker with short circuit fault self-blocking function

Номер патента: RU2463680C2. Автор: Джиашенг ВАН,Жиквианг ВАНГ. Владелец: Хубэй Шенгджиа Уиринг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-10-10.

Method to diagnose electric and mechanical damages of induction motor with short-circuit rotor

Номер патента: RU2479096C2. Автор: Виктор Иванович Рожков,Олег Александрович Васин,Дмитрий Викторович Рожков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2013-04-10.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device for controlling three-phased asynchronous electric engine with short-circuited rotor

Номер патента: RU2268525C9. Автор: Владимир Алексеевич Задеренко. Владелец: Владимир Алексеевич Задеренко. Дата публикации: 2006-05-10.

Gas cleaning bag filter with short-pulse blowing

Номер патента: RU2448758C2. Автор: Кирилл Зыськович Бочавер,Роман Юрьевич Шамгулов. Владелец: Кирилл Зыськович Бочавер. Дата публикации: 2012-04-27.

Method for installation of rod with short mandrel of helical rolling mill

Номер патента: RU2341342C2. Автор: Игорь Константинович Тартаковский,Виктор Григорьевич Бородин,Юрий Сергеевич Артемьев,Борис Игоревич Тартаковский,ков Владимир Владимирович Бедн,Владимир Владимирович Бедняков,Дмитрий Давидович Финкельберг. Владелец: Открытое акционерное общество "Электростальский завод тяжелого машиностроения". Дата публикации: 2008-12-20.

Method for control of induction frequency-controlled electric drive with short-circuited rotor and tracking system for its realisation

Номер патента: RU2458447C1. Автор: Борис Владимирович Сухинин,Виктор Васильевич Сурков,Марк Евгеньевич Прокофьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тульский государственный университет" (ТулГУ). Дата публикации: 2012-08-10.

Flushing method for condenser with short-time return water flow

Номер патента: RU2459173C2. Автор: Александр Михайлович Седов. Владелец: Александр Михайлович Седов. Дата публикации: 2012-08-20.

Transistor key with short-circuit protection

Номер патента: RU2553099C1. Автор: Алексей Александрович Ершов,Зуфар Нурлеевич Биктимиров,Андрей Сергеевич Матвеенко,Сергей Михайлович Хлестков,Алексей Григорьевич Маланцев,Наталия Владимировна Сурякова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2015-06-10.

Method for control of automatic reclosure of feeder switch with short-circuiting control in overhead system

Номер патента: RU2498328C1. Автор: Леонид Абрамович Герман,Вадим Леонидович Герман. Владелец: Вадим Леонидович Герман. Дата публикации: 2013-11-10.

Device for controlling three-phased asynchronous electric engine with short-circuited rotor

Номер патента: RU2268525C2. Автор: Владимир Алексеевич Задеренко. Владелец: Владимир Алексеевич Задеренко. Дата публикации: 2006-01-20.

Synchronous-asynchronous electric motor with short- circuited winding of rotor

Номер патента: RU2153755C2. Автор: Валентин Иванович Антипенко,Юрий Валентинович Антипенко,Леонид Петрович Шеремет. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Веста-Электрон". Дата публикации: 2000-07-27.

Method of tooth reconstruction with short clinical crown

Номер патента: RU2332187C1. Автор: Евгений Николаевич Онопа,Дмитрий Сергеевич Павликов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный медицинский университет Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО АГМУ Росздрава). Дата публикации: 2008-08-27.

Winding of electric machine with short overhang of frontal parts

Номер патента: RU2310965C2. Автор: Виктор Владимирович Лыткин. Владелец: Виктор Владимирович Лыткин. Дата публикации: 2007-11-20.

Power steering gear with short piston and fluid bearings

Номер патента: CA1083494A. Автор: Richard H. Sheppard. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-08-12.

Method for mounting rod with short mandrel in piercing mill

Номер патента: RU2159685C2. Автор: И.К. Тартаковский,А.В. Есаков,Б.И. Тартаковский,М.А. Минтаханов,Л.Б. Захаровский,Ю.С. Артемьев,Е.Н. Фоминых. Владелец: Открытое акционерное общество "Электростальский завод тяжелого машиностроения". Дата публикации: 2000-11-27.

Vent for a soffit panel with short top holes

Номер патента: CA110779S. Автор: . Владелец: Certain Teed Corp. Дата публикации: 2005-12-02.

Method of making field-effect nanotransistor with schottky contacts with short nanometre-length control electrode

Номер патента: RU2504861C1. Автор: Александр Александрович Орликовский,Владимир Владимирович Вьюрков,Анатолий Дмитриевич Кривоспицкий,Владимир Федорович Лукичев,Алексей Александрович Окшин,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук. Дата публикации: 2014-01-20.

Device for measuring sliding asynchronous motors with short-circuit rotor

Номер патента: RU2299442C1. Автор: н Николай Гакивович Ники,Николай Гакивович Никиян,Денис Павлович Санков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургский государственный университет". Дата публикации: 2007-05-20.

Sovialem albumin modification as method for stability enhancement for preparing pharmaceutical biological preparation of albimun in complex with gentamycin or stimaden

Номер патента: RU2414237C2. Автор: Александр Иванович Кузнецов,Евгений Фёдорович Панарин,Алексей Константинович Барсуков,Ольга Владимировна Кожевникова,Ольга Юрьевна Нестерова,Ирина Иосифовна Гаврилова,Флюр Минисалихович Касимов,Светлана Александровна Ушнурцева,Александр Иванович Кузнецов (RU),Евгений Фёдорович Панарин (RU),Алексей Константинович Барсуков (RU),Ольга Юрьевна Нестерова (RU),Флюр Минисалихович Касимов (RU),Ольга Владимировна Кожевникова (RU),Светлана Александровна Ушнурцева (RU),Ирина Иосифовна Гаврилова (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное предприятие "Ижбиотех". Дата публикации: 2011-03-20.

一种高速模式下支持Bit Line单独调节的ONFI PHY写方向训练方法

Номер патента: CN118609619A. Автор: 王洪鹏,程庆凯,冒李宸,邹诗赞. Владелец: Boyue Microelectronics Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2024-09-06.

Process of making rice cake enhanced with roasted pulverized moringa (moringa oliefera) leaves

Номер патента: PH22016000371U1. Автор: Francisco Jr F Buctot. Владелец: Southern Leyte State Univ San Juan Campus. Дата публикации: 2018-01-05.

Process of making rice cake enhanced with roasted pulverized moringa (moringa oliefera) leaves

Номер патента: PH22016000371Y1. Автор: Francisco Jr F Buctot. Владелец: Southern Leyte State Univ San Juan Campus. Дата публикации: 2018-01-05.

Process of making cacao spread enhanced with oregano

Номер патента: PH22021050125U1. Автор: John Carlo L Banan,Jr Gilbert C Magulod. Владелец: Cagayan State Univ Lasam Campus. Дата публикации: 2021-10-11.

Lemon grass beverage enhanced with calamansi

Номер патента: PH22018000251Y1. Автор: Dr Reyma P Ed D Albaladejo. Владелец: Univ Capiz State. Дата публикации: 2018-08-22.

Composition of squash (cucurbita maxima) bars enhanced with kalamansi (citrofortunella microcarpa)

Номер патента: PH22019001057U1. Автор: Daisy G Tamayo. Владелец: Daisy G Tamayo. Дата публикации: 2019-10-02.

A COMPOSITION OF SPICY DRIED INDIAN PLUM (Flacourtia jangomas) ENHANCED WITH LEMON EXTRACT

Номер патента: PH22020050663Y1. Автор: Dexter E Samillano,Lovella C Flores,Emmanuel John S Entrina. Владелец: Univ Of Antique Tario Lim Memorial Campus. Дата публикации: 2021-07-30.

Natural dyestuff made from coconut husk enhanced with mordant

Номер патента: PH22018000304U1. Автор: Maria Digna Bose. Владелец: Abra State Institute Of Science And Tech Main Campus. Дата публикации: 2018-07-20.

A COMPOSITION OF SPICY DRIED INDIAN PLUM (Flacourtia jangomas) ENHANCED WITH LEMON EXTRACT

Номер патента: PH22020050663U1. Автор: Dexter E Samillano,Lovella C Flores,Emmanuel John S Entrina. Владелец: Univ Of Antique Tario Lim Memorial Campus. Дата публикации: 2021-07-30.

Memory read control method and program read control method

Номер патента: JP2984649B1. Автор: 宣昌 栗原. Владелец: NEC Saitama Ltd. Дата публикации: 1999-11-29.

Magnetic memory reading system

Номер патента: CA561106A. Автор: Saltz Julian,S. Warren Charles. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1958-07-29.

Memory reading circuitry

Номер патента: CA663369A. Автор: T. Wilson Bernard,A. Bridges Frank. Владелец: National Cash Register Co. Дата публикации: 1963-05-21.

Memory read system

Номер патента: AUPN869596A0. Автор: . Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 1996-04-04.

Multi-functional memory read/write device

Номер патента: TW547731U. Автор: Jin-Min Lin. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2003-08-11.

Memory read system

Номер патента: AUPN165995A0. Автор: . Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 1995-04-06.

Memory read system

Номер патента: AUPM441694A0. Автор: . Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 1994-04-14.

Memory read-out error detector

Номер патента: CA856967A. Автор: V. Dix Westley,C. Mow William. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1970-11-24.

Picture memory reading circuit

Номер патента: JPS57157289A. Автор: Takao Gomikawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-09-28.

Interleaving memory read/write method and apparatu

Номер патента: TWI360051B. Автор: Ming Feng Yu,Hsiu Wen Wang,Chao Chung Chang. Владелец: Alpha Imaging Technology Corp. Дата публикации: 2012-03-11.

Interleaving memory read/write method and apparatus executing same

Номер патента: TW200813711A. Автор: Ming-Feng Yu,Chao-Chung Chang,Hsiu-Wen Wang. Владелец: Alpha Imaging Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, SYSTEMS INCLUDING NON-VOLATILE MEMORY READ THRESHOLD VOLTAGE DETERMINATION

Номер патента: US20120221772A1. Автор: Kong Jun-Jin,Seol Chang-kyu,Son Hong-rak. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

Memory reading method and digital memory device

Номер патента: CN105590648B. Автор: 欧伦·麦克,安尼尔·古普特. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-01.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.