Single crystal semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method, and single crystal ingot
Номер патента: US7918934B2
Опубликовано: 05-04-2011
Автор(ы): Jyunsuke Tomioka, Shigeo Morimoto, Tadayuki Hanamoto, Takehiro Komatsu, Takuji Okumura, Yutaka Shiraishi
Принадлежит: Sumco Techxiv Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-04-2011
Автор(ы): Jyunsuke Tomioka, Shigeo Morimoto, Tadayuki Hanamoto, Takehiro Komatsu, Takuji Okumura, Yutaka Shiraishi
Принадлежит: Sumco Techxiv Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Simple method for detecting temperature distributions in single crystals and method for manufacturing silicon single crystals by employing the simple method
Номер патента: US6042646A. Автор: Kozo Nakamura,Toshiaki Saishoji,Fumitaka Ishikawa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-28.