Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Charged particle beam exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method

Charged particle beam exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US6255663B1
Опубликовано: 03-07-2001
Автор(ы): Atsushi Yamada, Koichi Kamijo
Принадлежит: Nikon Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Charged particle beam lens and exposure apparatus using the same

Номер патента: US20140166894A1. Автор: Takahisa Kato,Yutaka Setomoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Charged particle beam lens and exposure apparatus using the same

Номер патента: WO2012124322A1. Автор: Takahisa Kato,Yutaka Setomoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-09-20.

Charged particle beam lens and exposure apparatus using the same

Номер патента: JP5669636B2. Автор: 貴久 加藤,加藤　貴久,豊 ▲瀬▼戸本. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Charged particle beam lens and exposure apparatus using the same

Номер патента: US20140197325A1. Автор: Takahisa Kato,Yutaka Setomoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Electron beam exposure method and apparatus and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US6403973B1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Koji Nagata,Masahide Okumura,Kimiaki Ando. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-11.

CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING APPARATUS, INFORMATION PROCESSING APPARATUS AND PATTERN INSPECTION APPARATUS

Номер патента: US20150279617A1. Автор: YASUI Kenichi. Владелец: NuFlare Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-10-01.

Charged beam exposure method and apparatus as well as aperture stop and production method thereof

Номер патента: US5334845A. Автор: Shinji Okazaki,Fumio Murai,Hiroaki Wakabayashi,Yoshinori Nakayama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-08-02.

CHARGED PARTICLE BEAM LENS AND EXPOSURE APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20140151570A1. Автор: Setomoto Yutaka,KATO Takahisa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-06-05.

CHARGED PARTICLE BEAM LENS AND EXPOSURE APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20140151571A1. Автор: Setomoto Yutaka,KATO Takahisa. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

Charged particle beam generating apparatus, charged particle beam apparatus, high voltage generating apparatus, and high potential apparatus

Номер патента: US09548182B2. Автор: Takashi Onishi,Shunichi Watanabe,Minoru Kaneda. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Charged particle beam drawing apparatus, information processing apparatus and pattern inspection apparatus

Номер патента: US9659745B2. Автор: Kenichi Yasui. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Charged particle beam drawing apparatus, information processing apparatus and pattern inspection apparatus

Номер патента: US20150279617A1. Автор: Kenichi Yasui. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Charged particle beam drawing apparatus, format check apparatus and format check method

Номер патента: US20140319384A1. Автор: Kenichi Yasui. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Charged particle beam drawing apparatus, format check apparatus and format check method

Номер патента: US9715994B2. Автор: Kenichi Yasui. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Exposure apparatus, exposure method and semiconductor device production method

Номер патента: EP1544895A3. Автор: Shigeru Moriya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-01-17.

Charged particle beam optical apparatus, exposure apparatus, exposure method, control apparatus, control method, information generation apparatus, information generation method and device manufacturing method

Номер патента: US20200051780A1. Автор: Hiroyuki Nagasaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Charged particle beam optical apparatus, exposure apparatus, exposure method, control apparatus, control method, information generation apparatus, information generation method and device manufacturing method

Номер патента: US20210225611A1. Автор: Hiroyuki Nagasaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Writing data generating method, multi charged particle beam writing apparatus, pattern inspecting apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: US11774860B2. Автор: Kenichi Yasui,Noriaki Nakayamada. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Writing data generating method, multi charged particle beam writing apparatus, pattern inspecting apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20200278612A1. Автор: Kenichi Yasui,Noriaki Nakayamada. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Charged particle beam optical system, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method

Номер патента: US20200051774A1. Автор: Takehisa Yahiro. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Apparatus and method fabricating semiconductor device

Номер патента: US12014905B2. Автор: Jinseok Lee,SeungBo SHIM,Sungil Cho,Nam Kyun Kim,Donghyeon NA,Chungho CHO,Sungyong LIM,Minjoon Kim,Tae-Sun Shin,Deokjin Kwon,Jin Young Bang,Bongju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09991082B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09715987B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Apparatus and method fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220165552A1. Автор: Jinseok Lee,SeungBo SHIM,Sungil Cho,Nam Kyun Kim,Donghyeon NA,Chungho CHO,Sungyong LIM,Minjoon Kim,Tae-Sun Shin,Deokjin Kwon,Jin Young Bang,Bongju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Charged particle beam exposure method and apparatus and device manufacturing method using the apparatus

Номер патента: EP1505630A2. Автор: Masato c/o Canon Kabushiki Kaisha Muraki,Yoshinori c/o Hitachi Ltd. Int.Prop.Gp. Nakayama,Hiroya c/o Hitachi Ltd. Int.Prop.Gp. Ohta,Haruo c/o Hitachi High-Technologies Corp. Yoda,Norio c/o Hitachi High-Technologies Corp. Saitou. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2005-02-09.

Charged particle beam exposure method and apparatus and device manufacturing method using the apparatus

Номер патента: US20050029473A1. Автор: Yoshinori Nakayama,Masato Muraki,Haruo Yoda,Norio Saitou,Hiroya Ohta. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

CHARGED PARTICLE BEAM OPTICAL APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, CONTROL APPARATUS, CONTROL METHOD, INFORMATION GENERATION APPARATUS, INFORMATION GENERATION METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200051780A1. Автор: Nagasaka Hiroyuki. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2020-02-13.

CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING APPARATUS, FORMAT CHECK APPARATUS AND FORMAT CHECK METHOD

Номер патента: US20140319384A1. Автор: YASUI Kenichi. Владелец: NUFLARE TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2014-10-30.

WRITING DATA GENERATING METHOD, MULTI CHARGED PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS, PATTERN INSPECTING APPARATUS, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20200278612A1. Автор: NAKAYAMADA Noriaki,YASUI Kenichi. Владелец: NuFlare Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-09-03.

Solid state image pickup device and manufacturing method thereof and semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7427789B2. Автор: Masafumi Muramatsu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-09-23.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20150207074A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20130109170A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Shintaro Sato,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09396971B2. Автор: Yukihiro Sato,Nobuya Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device tape carrier, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor module device

Номер патента: US20080061432A1. Автор: Kenji Toyosawa,Toshiharu Seko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Patterned structure of a semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09755048B2. Автор: I-Ming Tseng,Rai-Min Huang,Tong-Jyun Huang,Kuan-Hsien Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136565B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: RU2544887C2. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Масанори ОГУРА,Тецунобу КОТИ,Масаси КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-03-20.

Apparatuses and methods involving semiconductor device with current-blocking layer

Номер патента: WO2023205169A1. Автор: Ke Zeng,Srabanti Chowdhury. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09806046B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09735123B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US7872730B2. Автор: Tohru Kiuchi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-01-18.

Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US8743341B2. Автор: Tohru Kiuchi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080061327A1. Автор: Yu-Chou Lee,Tsung-Chi Cheng,Hung-Yi Hsu,Yea-Chung Shih,Jui-Chung Chang,Hsiang-Hsien Chung,Wen-Kuang Tsao,Ching-Yeh Kuo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20020180053A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371630A1. Автор: Wei-Ting YEH,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing apparatus and method for semiconductor device and cleaning method of manufacturing apparatus for semiconductor

Номер патента: US20110312187A1. Автор: Kunihiko Suzuki,Hideki Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20130168746A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160172419A1. Автор: Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080111209A1. Автор: Chihiro Shin. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20170179142A1. Автор: YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Etching apparatus and method for semiconductor device

Номер патента: US20080248650A1. Автор: Tae-yong Kwon,Kyung Hyun Han,Kyung Chun Lim,Sang Min Jeong,Dong Yong Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09978760B2. Автор: YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450093B2. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Chih-Ming Hsieh,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing apparatus and method for semiconductor device

Номер патента: US20110092075A1. Автор: Kunihiko Suzuki,Shinichi Mitani. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09972505B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Kazuyoshi Maekawa,Yuichi Kawano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666574B1. Автор: Chen-Yi Lee,Alexander Kalnitsky,Pei-Lun Wang,Mohammad Al-Shyoukh,Yu-Chang Jong,Dah-Chuen Ho,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543439B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09496232B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20150187606A1. Автор: Yukihiro Sato,Nobuya Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20170033074A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device and associated manufacturing method

Номер патента: US20220231147A1. Автор: Nicolas Posseme,Fabrice Nemouchi,Louis HUTIN,Cyrille Le Royer. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213319A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Thyristor semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US12034046B2. Автор: Nicolas Guitard. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090072286A1. Автор: Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device and its manufacturing method, memory and memory system

Номер патента: US20240164096A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051647A1. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Maximilian Treiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09954120B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09929120B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09842878B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09825133B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09685474B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US8304313B2. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Koichiro Tanaka,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-06.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US10109705B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20160181351A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Apparatus and method for semiconductor device bonding

Номер патента: US11990445B2. Автор: Amlan Sen. Владелец: Pyxis CF Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6933575B2. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030155652A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Field effect semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US5034791A. Автор: Shuichi Kameyama,Atsushi Hori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-23.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20120061758A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20060220221A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030107054A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device layout structure manufacturing method

Номер патента: US20210296470A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240055501A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US7855383B2. Автор: Yu-Chou Lee,Tsung-Chi Cheng,Hung-Yi Hsu,Yea-Chung Shih,Jui-Chung Chang,Hsiang-Hsien Chung,Wen-Kuang Tsao,Ching-Yeh Kuo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-12-21.

Substrate material for mounting semiconductor device thereon and manufacturing method thereof

Номер патента: US5167697A. Автор: Yoshihiro Umeda,Takeshie Koumura,Jitsuo Matsumoto. Владелец: Nippon Tungsten Co Ltd. Дата публикации: 1992-12-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6806539B2. Автор: Hitoshi Aoki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-10-19.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20050012172A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: Kohji Kanamori. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US5926694A. Автор: Kenji Matsuda,Ippei Fujiyama,Yasuhide Chigawa. Владелец: PFU Ltd. Дата публикации: 1999-07-20.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20060194398A1. Автор: Amane Oishi,Taiki Komoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160268445A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160329427A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9831318B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20170323983A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device, equipment, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230008401A1. Автор: Takuya Hara,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20070075414A1. Автор: Takashi Miwa,Yasumi Tsutsumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090321896A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210384107A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20170345925A1. Автор: Toshiyuki Syo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20200020610A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160013051A1. Автор: Yizhi Zeng,Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130161753A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hirofumi Shinohara,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device, capacitor, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230329002A1. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yuki Ito,Yasuhiro Jinbo,Fumito Isaka,Tatsuya Onuki,Haruyuki Baba,Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11810970B2. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20110269268A1. Автор: Hiroshi Ono,Tamaki Wada,Naoki Kawanabe,Nobuyasu MUTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10319719B2. Автор: Chen-Yi Lee,Alexander Kalnitsky,Pei-Lun Wang,Mohammad Al-Shyoukh,Yu-Chang Jong,Dah-Chuen Ho,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Semiconductor device, semiconductor device package, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20210021097A1. Автор: Shigeru Matsushita,Takuya Hashimoto,Sumio Uehara,Kazuhito Yumoto,Eiichiro OKAHISA,Katsuya NAKAZAWA,Suguru Kobayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Power semiconductor devices and corresponding manufacturing methods

Номер патента: EP4238134A2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner,Thomas E. HARRINGTON III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

ZnO based semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: EP2093810A3. Автор: Hiroyuki Kato,Akio Ogawa,Hiroshi Kotani,Michihiro Sano,Naochika Horio,Tomofumi Yamamuro. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-16.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9755086B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20180005890A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US9793173B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US11915989B2. Автор: Giovanni Graziosi,Riccardo VILLA,Aurora SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20220238405A1. Автор: Giovanni Graziosi,Riccardo VILLA,Aurora SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-07-28.

Silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20050093000A1. Автор: Satoshi Tanimoto,Hideyo Okushi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device, equipment, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4117031A3. Автор: Takuya Hara,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20230402445A1. Автор: Yoshiaki Toyoda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US7919843B2. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20140319618A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hirofumi Shinohara,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160155747A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220254908A1. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213368A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170154882A1. Автор: Chen-Yi Lee,Alexander Kalnitsky,Pei-Lun Wang,Mohammad Al-Shyoukh,Yu-Chang Jong,Dah-Chuen Ho,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170243865A1. Автор: Chen-Yi Lee,Alexander Kalnitsky,Pei-Lun Wang,Mohammad Al-Shyoukh,Yu-Chang Jong,Dah-Chuen Ho,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11948884B2. Автор: Chen Ying Chieh,Lin TZU HSIANG,Chen CHIH HAO,Wu WEI CHE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Charged particle beam optical apparatus, exposure apparatus, exposure method, control apparatus, control method, information generation apparatus, information generation method and device manufacturing method

Номер патента: US20210225611A1. Автор: Hiroyuki Nagasaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

CHARGED PARTICLE BEAM OPTICAL SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200051774A1. Автор: YAHIRO Takehisa. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2020-02-13.

CHARGED PARTICLE BEAM GENERATING APPARATUS, CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS, HIGH VOLTAGE GENERATING APPARATUS, AND HIGH POTENTIAL APPARATUS

Номер патента: US20150179387A1. Автор: Onishi Takashi,Watanabe Shunichi,Kaneda Minoru. Владелец: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-25.

Writing data generating method, multi charged particle beam writing apparatus, pattern inspecting apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20220100099A1. Автор: Kenichi Yasui,Noriaki Nakayamada. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Exposure apparatus, exposure method and semiconductor device production method

Номер патента: TWI267128B. Автор: Shigeru Moriya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-11-21.

Exposure apparatus, exposure method and semiconductor device production method

Номер патента: TW200532387A. Автор: Shigeru Moriya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150279607A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170294284A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Cured product production method, laminate production method, semiconductor device manufacturing method, and processing liquid

Номер патента: EP4398289A1. Автор: Atsushi Nakamura,Naoki Sato,Atsuyasu Nozaki,Misaki TAKASHIMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20010036685A1. Автор: Michiyoshi Takano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180315603A1. Автор: Guang Li YANG,Dae Sub Jung,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device manufacturing method with reduced gate electrode height loss and related devices

Номер патента: US10535750B2. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Adhesive film for use in semiconductor device manufacture, manufacturing method of said adhesive film, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: SG11202002552PA. Автор: Keisuke Ohkubo,Masanori Natsukawa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170365629A1. Автор: Koichi Kaneko,Hirokazu Fujimaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20030203561A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020027252A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20220149093A1. Автор: Kudoh Yoshiharu,Kataoka Toyotaka,KIMIZUKA Naohiko. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2022-05-12.

Circuit board, semiconductor device, circuit board manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4832369B2. Автор: 信幸 林,佳彦 今中. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-12-07.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170200644A1. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9984956B2. Автор: Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Fumiki Kato,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2018-05-29.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240178312A1. Автор: HUI Zhang,Shigiang LI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322282A1. Автор: Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Fumiki Kato,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-03.

Exposure apparatus, control method of exposure apparatus, information processing apparatus, information processing method, and article manufacturing method

Номер патента: US20240126182A1. Автор: Jun Moizumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method

Номер патента: TWI435048B. Автор: 柴崎祐一. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2014-04-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: EP1860688A4. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: AGC Seimi Chemical Ltd. Дата публикации: 2010-08-18.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: TW200643157A. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: Seimi Chem Kk. Дата публикации: 2006-12-16.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: EP1860688A1. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: AGC Seimi Chemical Ltd. Дата публикации: 2007-11-28.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: WO2006098141A1. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2006-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210183820A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240304720A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679901B1. Автор: Chin-Lung Lin,Shih-Fang Tzou,Le-Tien Jung,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Harn-Jiunn Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Object transfer system, exposure apparatus, method for manufacturing flat panel display, device manufacturing method, object holding apparatus, object transfer apparatus, object transfer method, and object replacing method

Номер патента: WO2013150787A1. Автор: 忠 関. Владелец: 株式会社ニコン. Дата публикации: 2013-10-10.

LC element manufacturing method

Номер патента: US5846845A. Автор: Takeshi Ikeda,Akira Okamoto,Tsutomu Nakanishi. Владелец: TIF Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Semiconductor device tape carrier, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor module device

Номер патента: TW200828467A. Автор: Kenji Toyosawa,Toshiharu Seko. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2008-07-01.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Anodic aluminum oxide film-based interposer for electrical connection and manufacturing method therefor, semiconductor package and manufacturing method therefor, multi-stacked semiconductor device and manufacturing method therefor, display and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240112968A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US09786669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryoji Nomura,Masayuki Sakakura,Tamae Takano,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508620B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method and operating method for the same

Номер патента: US09450048B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE TEMPLATE SEMI-POLAR (20-23) ORIENTATION ON SILICON SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMPTING DEVICE, MANUFACTURING USING THE METHOD

Номер патента: RU2013137514A. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device with multi-layer dielectric

Номер патента: US12040273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200259082A1. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11011703B2. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US12051628B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220246750A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof

Номер патента: US20130082362A1. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243084A1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922865B2. Автор: Hyun Tae Jung,Jeong Gyu PARK,Woo Sig Min,Meng An Jung,Gil Ho LEE,Hyung Suk Choi,Da Soon Lee,Pil Seung Kang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780276B2. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748154B1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Substrate structure, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09607877B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09406710B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Wiring board, semiconductor package, semiconductor device, wiring board manufacturing method, and semiconductor package manufacturing method

Номер патента: JP6584939B2. Автор: 清水　規良,規良 清水,渉 金田. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-02.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230215815A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230230936A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device manufacturing method including doping from a diffused layer

Номер патента: US10573752B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240194607A1. Автор: Wei Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180152801A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220069123A1. Автор: Chen-Yi Lee,Yi-Cheng CHIU,Sheng-Fu Hsu,Chiu-Hua Chung,Tien-Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186308A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Ming-Yu Yen,Hung-Chih Chen,Chin-Wei Liang,Kai-Fung Chang,Sheng-Feng Weng,Yi-Yang Lei,Hung-Chou LIAO,Cheyu LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250133A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Kai-Wen Cheng,Chi-Min Chen,Yin-Hao Wu,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor Device Active Region Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230117516A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190341385A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062696B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Substrate sheet material for a semiconductor device and a manufacturing method thereof, a molding method using a substrate sheet material, a manufacturing method of semiconductor devices

Номер патента: TWI264782B. Автор: Toru Nishino,Noboru Hayasaka,Kouichi Meguro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-21.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20200145771A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180197865A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355936A1. Автор: Boon Keat Toh,Chi REN,Chih-Hsin Chang,Szu Han Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device active region profile and method of forming the same

Номер патента: US20240339541A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US20240363426A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device with tunable epitaxy structures and method of forming the same

Номер патента: US12112989B2. Автор: Chih-Hsiang Huang,Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Tzu-Hsiang HSU,Szu-Chi Yang,Chong-De LIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device for avoiding short circuit between adjacent storage nodes and manufacturing method thereof

Номер патента: US10431587B2. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device with reduced leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US09893107B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Ssu-Chiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786776B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09748360B2. Автор: Takuya Hagiwara,Tetsuro Hanawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09666473B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09633944B2. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09524906B1. Автор: Glenn A. Rinne,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Eun Sook Sohn,In Bae Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466678B2. Автор: Che-Wei Chang,Shih-Hsien Huang,Chih-Chieh Yeh,Tzu-I Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US8054472B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US9423705B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US8854632B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US10234773B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US9857697B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method and device manufacturing method

Номер патента: KR101495471B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2015-02-23.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method and device manufacturing method

Номер патента: KR101356270B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2014-01-28.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: JPWO2007097379A1. Автор: 祐一 柴崎,柴崎　祐一. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor element, semiconductor device, semiconductor element manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: JP3801160B2. Автор: 貴幸 近藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-07-26.

Semiconductor thin film and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR970063764A. Автор: 아키하루 미야나가,준 고야마,순페이 야마자끼,타케시 후쿠나가. Владелец: 순페이 야마자끼. Дата публикации: 1997-09-12.

Semiconductor element and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2003234367A. Автор: Tomohiro Nishiyama,知宏 西山,雅基 田子,Masaki Tago. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-08-22.

Trench filling method and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: JP5977002B2. Автор: 将久 渡邊. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-24.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method and device manufacturing method

Номер патента: CN101385122B. Автор: 柴崎祐一. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

Exposure apparatus, method of manufacturing flat panel display, device manufacturing method, and exposure method

Номер патента: KR20190050827A. Автор: 야스오 아오키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2019-05-13.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US10409173B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor crystal plate and its manufacturing method and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1260804C. Автор: 江头克. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method and device manufacturing method

Номер патента: KR20130057496A. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2013-05-31.

Semiconductor substrate and manufacturing method thereof, and semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN114446936A. Автор: 黄河,汪新学,王敬平,徐海瑛. Владелец: Smic Ningbo Co ltd Shanghai Branch. Дата публикации: 2022-05-06.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method and device manufacturing method

Номер патента: WO2007097379A1. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor chip, semiconductor wafer and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1518105A. Автор: ����һ,原一巳. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-08-04.

Package and semiconductor device for semiconductor device and their manufacturing method

Номер патента: KR100271676B1. Автор: 야수하루 나까무라,아끼요시 나까무라. Владелец: 모기 쥰이찌. Дата публикации: 2001-01-15.

MOBILE DEVICE, EXPOSURE APPARATUS, MOBILE DRIVING METHOD, EXPOSURE METHOD, FLAT PANEL DISPLAY MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP6593662B2. Автор: 保夫 青木. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-10-23.

Semiconductor thin film and its manufacturing method and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080224215A1. Автор: Takeshi Fukunaga,Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Stage apparatus, pattern forming apparatus, exposure apparatus, stage driving method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: JPWO2009133702A1. Автор: 祐一 柴崎,柴崎　祐一. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method and device manufacturing method

Номер патента: EP2003679A2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-12-17.

SOI lateral homogenization field high voltage power semiconductor device, manufacturing method and application thereof

Номер патента: US11888022B2. Автор: Bo Zhang,Ke Zhang,Ming Qiao,Ning Tang,Zhaoji Li,Nailong He,Wentong Zhang. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050116272A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070172746A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7208788B2. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor device and its manufacturing method, electronic device and its manufacturing method

Номер патента: TWI275170B. Автор: Toshiaki Morita,Kenichi Yamamoto,Ryosuke Kimoto,Munehiro Yamada. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10453968B2. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180151696A1. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09553060B2. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US20080068571A1. Автор: Tohru Kiuchi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Stage device, pattern formation apparatus, exposure apparatus, stage drive method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US20090284723A1. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Stage apparatus, exposure apparatus, stage control method, exposure method and device manufacturing method

Номер патента: EP2006899A4. Автор: Kiyoaki Kumazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-12-28.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof, and semiconductor wafer

Номер патента: TW200423315A. Автор: Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Semiconductor device with stepped source structure

Номер патента: US11765896B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2546879A3. Автор: Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363688A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical semiconductor device having a non-conductive substrate and a gallium nitride layer

Номер патента: US09466552B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Apparatus and method of forming thin film, and manufacturing method of electronic component using the apparatus

Номер патента: TW200306565A. Автор: Satoshi Matsui,Masato Koshikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-11-16.

Manufacturing method for semiconductor device carrier and manufacturing method for semiconductor package using the same

Номер патента: TW201209983A. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim,Kian-Hock Lim,Oviso Dominador Fortaleza Jr. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2012-03-01.

Manufacturing method for semiconductor device carrier and manufacturing method for semiconductor package using the same

Номер патента: US20120058604A1. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim,Kian-Hock Lim,Oviso Dominador Fortaleza, JR.. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2012-03-08.

Semiconductor manufacturing method including forming additional active layer

Номер патента: US20040185609A1. Автор: Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Yoshinori Okumura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device and its manufacturing method, a circuit board and an electronic device

Номер патента: US20030218260A1. Автор: Jun Taniguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Liquid immersion exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method

Номер патента: US20060028630A1. Автор: Satoshi Akimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-02-09.

Film-like adhesive and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPWO2019150445A1. Автор: 祐樹 中村,大輔 舛野,慎太郎 橋本,智陽 山崎,健太 菊地. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2021-01-14.

Scanning exposure apparatus, exposure method using the same, and device manufacturing method

Номер патента: EP1115032A2. Автор: Eiichi c/o Canon Kabushiki Kaisha Murakami,Fumio c/o Canon Kabushiki Kaisha Sakai,Shigeyuki c/o Canon Kabushiki Kaisha Uzawa,Shigeki c/o Canon Kabushiki Kaisha Ogawa,Tetsuya c/o Canon Kabushiki Kaisha Mori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Engagement metal thickener, conjugant and its manufacturing method and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN110430951A. Автор: 中子伟夫,石川大,江尻芳则,川名祐贵,根岸征央,须镰千绘. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-08.

Lead frame and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP7145414B2. Автор: 一範 大内,昌博 永田. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2022-10-03.

Exposure apparatus, control method for the same, and device manufacturing method

Номер патента: TW200841131A. Автор: Mitsuo Nishimura. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2008-10-16.

Adhesive film, laminated body and its solidfied material and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN105027273B. Автор: 前岛研三. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Exposure apparatus, surface position adjustment unit, mask, and device manufacturing method

Номер патента: US6900880B2. Автор: Yoshiki Kida,Tsuneo Miyai. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2005-05-31.

SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20160197236A1. Автор: HATTA Yoshihisa,Dai Kotaro,Shinotsuka Kei,Kajita Yasuhito. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Substrate for semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20150221824A1. Автор: Kei Shinotsuka,Kotaro Dai,Yoshihisa Hatta,Yasuhito KAJITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20170309784A1. Автор: HATTA Yoshihisa,Dai Kotaro,Shinotsuka Kei,Kajita Yasuhito. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor apparatus and method for fabricating same

Номер патента: US20230139758A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor apparatus and method for fabricating same

Номер патента: EP4138145A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Insulation gate type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW200707745A. Автор: Tetsuya Okada,Makoto Oikawa,Kazunari Kushiyama. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2007-02-16.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: TW498522B. Автор: Ikuo Yoshida,Hiroshi Kikuchi,Toshihiko Sato,Tomo Shimizu,Hideko Ando. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-11.

Semiconductor device and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW586156B. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW200931665A. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instr Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW461089B. Автор: Takashi Miyato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-10-21.

Organic semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: AU2003261715A1. Автор: Kenji Nakamura,Satoru Ohta. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-03-19.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: TW200514259A. Автор: Shigeyuki Sugihara. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2005-04-16.

A semiconductor device and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW201613089A. Автор: Heng-Kuang Lin,Ya-Yu YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-04-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW399336B. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW465077B. Автор: Tomohiro Saito,Toshihiko Iinuma,Junji Yagishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-21.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: TWI260783B. Автор: Shigeyuki Sugihara. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2006-08-21.

The semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW326558B. Автор: Toshio Miyamoto,Kunihiro Tsubosaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-11.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: TW498549B. Автор: Akira Asai,Teruhito Ohnishi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-11.

Semiconductor device packages and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI376779B. Автор: Seokbong Kim,Yeonsun Yun,Yuyong Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2012-11-11.

Semiconductor devices and the manufacturing method

Номер патента: TW552562B. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-09-11.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI238441B. Автор: Katsuhiko Hieda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-21.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW449818B. Автор: Shoji Seta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-08-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TWI604592B. Автор: Tsutomu Shirakawa,Kenya Sano,Takuma Suzuki,Hirofumi FUJISAWA. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2017-11-01.

Junction type field-effect semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS55143076A. Автор: Tadahiko Tanaka,Takeshi Omukae. Владелец: Tokyo Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-11-08.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20160141241A1. Автор: Akira Nakajima,Yoshiaki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Thin semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW452903B. Автор: Tzung-Je Tsai,Jin-Chiuan Bai. Владелец: United Test Ct Inc. Дата публикации: 2001-09-01.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US8395203B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electric apparatus

Номер патента: WO2003079431A1. Автор: Ikuya Miyazawa. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW447114B. Автор: Hiroshi Miki,Kazunari Torii,Yoshihisa Fujisaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-21.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: TWI562291B. Автор: Yung Sheng Liu,Yi Chen Liu,Yi Jen Lai,Chun Jen Chen,Li Guo Lee,Hsi Kuei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-11.

Semiconductor device and the manufacture method thereof, circuit board and the electronic machine

Номер патента: TW404027B. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-09-01.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW478157B. Автор: Yukihiro Ushiku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW328151B. Автор: Toru Tono. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-03-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW540103B. Автор: Mitsuo Nissa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-01.

Semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electronic apparatus

Номер патента: TW200535982A. Автор: Ikuya Miyazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-11-01.

Stacked layer type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20040130017A1. Автор: Takakazu Fukumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: EP1693896B1. Автор: K. c/o The Kansai Elec. Power Co. Inc. NAKAYAMA,Y. c/o The Kansai Elec. Power Co. Inc. SUGAWARA,K. c/o The Kansai Elec. Power Co. Inc. ASANO,H. c/o Central Research Institute TSUCHIDA,I. c/o Central Research Institute KAMATA,T. c/o Central Research Institute MIYANAGI,T. c/o Central Research Institute NAKAMURA. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW550767B. Автор: Kenichi Yamamoto,Junichi Arita,Kenji Ujiie. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-09-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW515036B. Автор: Shinichiro Kimura,Tomoyuki Hamada,Masahiko Hiratani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-21.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130164927A1. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI251254B. Автор: Akiyoshi Mutou. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2006-03-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW200529408A. Автор: Kazunari Suzuki,Toshihiro Shiotsuki,Hideyuki Suga,Kouichi Kanemoto. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

The semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW328652B. Автор: Masayuki Yasuda,Michio Tanaka,Michio Nishimura,Katsuhiro Saitou,Takashi Hayakawa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-21.

The pellicle film, pellicle frame, pellicle, manufacturing method thereof, photomask, exposure apparatus, the method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR20220165812A. Автор: 가즈오 고무라,요스케 오노,아츠시 오쿠보,아츠코 세키구치,유이치 가토,다케오 야마다. Владелец: 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지. Дата публикации: 2022-12-15.

The pellicle film, pellicle frame, pellicle, manufacturing method thereof, photomask, exposure apparatus, the method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR20220162888A. Автор: 가즈오 고무라,요스케 오노,아츠시 오쿠보,아츠코 세키구치,유이치 가토,다케오 야마다. Владелец: 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지. Дата публикации: 2022-12-08.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE APPARATUS, AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE MANUFACTURED USING THE METHOD

Номер патента: US20140014918A1. Автор: Han Kyu-Seob. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-01-16.

Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light emitting display device using the apparatus, and organic light emitting display device manufactured using the method

Номер патента: US20160111689A1. Автор: Kyu-Seob Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

THIN FILM DEPOSITION APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE APPARATUS, AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE MANUFACTURED BY USING THE METHOD

Номер патента: US20150171148A1. Автор: CHOI Beohm-Rock,Song Jung-Bae,Lee Sang-Pil,Song Young-Rok. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

back grinding method of wafer and semiconductor package thereof and its manufacturing method

Номер патента: KR100388287B1. Автор: 강대병,박인배,한병준,윤주훈. Владелец: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사. Дата публикации: 2003-06-19.

Plate-type heat transport device, electronic apparatus, and plate-type heat transport device manufacturing method

Номер патента: JP6396533B1. Автор: 顕範 内野,厚喜 中村,拓郎 上村. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-09-26.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US9136310B2. Автор: Sang-Pil Lee,Beohm-Rock Choi,Jung-Bae Song,Young-Rok SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method

Номер патента: TWI422982B. Автор: 柴崎祐一. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2014-01-11.

An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method

Номер патента: TWI497220B. Автор: 柴崎祐一. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2015-08-21.

Printed circuit board and Semiconductor package using thereof and Manufacturing method thereof

Номер патента: KR101330780B1. Автор: 김윤태,손진영,류영호. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2013-11-18.

Solid state image pickup device and manufacturing method thereof and semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200603393A. Автор: Masafumi Muramatsu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-01-16.

Thin film deposition apparatus and organic light emitting display device manufacturing method using the same

Номер патента: JP5677785B2. Автор: 鎔 燮 崔,相 洙 金,鍾 憲 金,永 默 崔,永 默 崔,昌 睦 趙,昌 睦 趙,鍾 憲 金,鎔 燮 崔,金　相　洙,煕 哲 姜,煕 哲 姜. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

A moving body device, an exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method

Номер патента: TWI479275B. Автор: 柴崎祐一. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2015-04-01.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210074685A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11830929B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device, electronic device including the same and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20150162247A1. Автор: Myeongcheol Kim,Yong-Joon Choi,Cheol Kim,Geumjung Seong,Hak-sun Lee,Ji-Eun Han,Haegeon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11588025B2. Автор: Jia Ren,Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Pellicle frame, pellicle, exposure original plate with pellicle, exposure method, and semiconductor or liquid-crystal-display manufacturing method

Номер патента: EP4095600A4. Автор: Akinori Nishimura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220045179A1. Автор: Jia Ren,Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20230066077A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090227079A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US10685917B2. Автор: Zhiqi Wang. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Method for manufacturing semiconductor device having thinned fins

Номер патента: US10546946B2. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Manufacturing method for cured substance, manufacturing method for laminate, and manufacturing method for semiconductor device, and treatment liquid

Номер патента: US11934102B2. Автор: Atsushi Nakamura,Naoki Sato,Atsuyasu Nozaki,Misaki TAKASHIMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having a surface insulator layer and manufacturing method therefor

Номер патента: US10312093B2. Автор: FENG CHEN,Xianming Zhang,Ling TANG,Leibin Yuan,Feng DOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20230063993A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20210126097A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semicondcutor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190027452A1. Автор: Chen-Shien Chen,chao-yi Wang,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Chien-Hung Kuo,Ching-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing

Номер патента: US11915946B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190067114A1. Автор: JIQUAN Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device with Multi-Layer Dielectric and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200168555A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor Device with Reduced Contact Resistance and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230377965A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jhy-Huei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with capacitor contact surrounded by conductive ring and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11895823B2. Автор: Noriaki Ikeda. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US10103082B2. Автор: Junhong Feng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220376053A1. Автор: King Yuen Wong,Kye Jin Lee. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and manufacturing method and operating method for the same

Номер патента: US20140191792A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200105920A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Manufacturing method for cured substance, manufacturing method for laminate, and manufacturing method for semiconductor device, and treatment liquid

Номер патента: US20230350305A1. Автор: Atsushi Nakamura,Naoki Sato,Atsuyasu Nozaki,Misaki TAKASHIMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200235233A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190035925A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11164973B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11837639B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof employing an etching transition layer

Номер патента: US11888052B2. Автор: YU Zhou,Qian Sun,Hui Yang,Shuai Su,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Meixin FENG,Hongwei Gao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-01-30.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11967631B1. Автор: Hao Feng,Yong Liu,Jing DENG,Johnny Kin On Sin. Владелец: Jsab Technologies Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US11776848B2. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100108979A1. Автор: Byung-Ho Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160336500A1. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230403856A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20240162059A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20200411550A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230157025A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240064975A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Dual crystal orientation for semiconductor devices

Номер патента: US20230290689A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11569419B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030218230A1. Автор: Hideki Takahashi,Shinji Aono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120386A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230133883A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240006492A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4239687A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20210175344A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180277644A1. Автор: FENG CHEN,Xianming Zhang,Ling TANG,Leibin Yuan,Feng DOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4138144A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11916113B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230103393A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240136348A1. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor Device with Reduced Contact Resistance and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210082756A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jhy-Huei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20140077279A1. Автор: Ajin TU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180005915A1. Автор: Junhong Feng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190006509A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11961944B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220310617A1. Автор: Tong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240162379A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Wuxi Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210043742A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3958329A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Method for forming a semiconductor device comprising a selectively grown graphene layer

Номер патента: US10121872B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230170223A1. Автор: Yang Wu,FAN YANG,Sheng Hu,Daohong YANG,Liliang GU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210376089A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11832445B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220140197A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4383346A1. Автор: Hui Sun,Zhibin Chen,Yong Hou,Biao Gao. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240154002A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240032304A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230163192A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4254508A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device and its manufacturing method, connector for connecting semiconductor device to substrate and method for connecting semiconductor device to substrate

Номер патента: JP2002009235A. Автор: Takakazu Fukumoto,孝和 福元. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, SOI-TYPE SUBSTRATE FOR THIS DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE USING SUCH A SUBSTRATE

Номер патента: FR2837980B1. Автор: Takashi Itoga,Yutaka Takafuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-04-06.

Nitride semiconductor device having a silicon-containing layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US8163576B2. Автор: Yuji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Contact electrode structure for semiconductor device

Номер патента: US5302855A. Автор: Yoshio Nakamura,Masaru Sakamoto,Shigeyuki Matsumoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Semiconductor device, multi-chip semiconductor device, device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5682496B2. Автор: 正司 竹中,克義 山本,竹中　正司,山本　克義. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060208349A1. Автор: Toshiyuki Fukuda,Hiroaki Fujimoto,Mutsuo Tsuji,Takashi Yui,Yoshiaki Takeoka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-21.

Trench power seminconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11049950B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3301722A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-04.

Method for patterning metal foil, electric wiring substrate and its manufacturing method, semiconductor device and its manufacturing method, and circuit board and electronic device

Номер патента: JP2002012988A. Автор: 秀樹 湯澤,Hideki Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Insulated gate-type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7972928B2. Автор: Yukihiro Hisanaga. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220262958A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor devices and preparation methods therefor

Номер патента: US20240040807A1. Автор: Eunseok Lee. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240047212A1. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Xiang Qin,Hongfeng JIN,Ruibin CAO,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11855023B2. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with l-shape conductive feature and methods of forming the same

Номер патента: EP3944295A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210399097A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220367645A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352544A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method therof

Номер патента: US20200075593A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308954A1. Автор: Chia-Wei Huang,Tan-Ya Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322297A1. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20140070287A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150303096A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US11916125B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10204986B1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901284B2. Автор: Tae Kyung Kim,Jeong Yun Lee,Jae Yoon Noh,Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8610175B2. Автор: ZHONGSHAN Hong,Huojin Tu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11749723B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device with corner isolation protection and methods of forming the same

Номер патента: US20230387199A1. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen,Pin-Ju Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20190393049A1. Автор: Shinichi Miyake. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device with epitaxial bridge feature and methods of forming the same

Номер патента: US11855225B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411204A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Chih-Nan Wu,Wei Pang Chen. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device doped from a diffused layer

Номер патента: US10964818B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device with S/D bottom isolation and methods of forming the same

Номер патента: US11854896B2. Автор: Ying-Keung Leung,Xusheng Wu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11869844B2. Автор: Hiroyuki Shinkai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device circuitry formed from remote reservoirs

Номер патента: US20240071989A1. Автор: Kyle K. Kirby,Terrence B. Mcdaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230361177A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device with backside spacer and methods of forming the same

Номер патента: US20230369223A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chia-Hsien Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411479A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Self-aligned scheme for semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11830770B2. Автор: Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150228682A1. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150380360A1. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9048355B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10134849B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180097068A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10903201B2. Автор: Xin Gui ZHANG,Yao QI DONG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190206853A1. Автор: Xin Gui ZHANG,Yao QI DONG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130082277A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8860087B2. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Self-aligned scheme for semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230411210A1. Автор: Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing mehod thereof

Номер патента: US20190088502A1. Автор: Shu-Ming Li,Tzu-Ming Ou Yang,Ko-Po Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US11756835B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device interconnects formed through volumetric expansion

Номер патента: US20240071968A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Terrence B. Mcdaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with backside spacer and methods of forming the same

Номер патента: US11721626B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chia-Hsien Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device with backside spacer and methods of forming the same

Номер патента: EP3944298A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Jason Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20220359699A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220037535A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945598A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US11791422B2. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device with corner isolation protection and methods of forming the same

Номер патента: US11916105B2. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen,Pin-Ju Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20050087800A1. Автор: Naoto Fujishima,Katsuya Tabuchi,Akio Sugi,Mutsumi Kitamura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230420558A1. Автор: Yuan Fang,Ke Jiang,Huiling ZUO,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG,Junli Xiang,Jinshan SHI. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190355686A1. Автор: Jun Zhu,You WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384632A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187484A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Trench-gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4261894A1. Автор: Steven Peake,Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11942525B2. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Trench-gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230335634A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor Device With Fish Bone Structure And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20230387326A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088021A1. Автор: Tae Kyung Kim,Jeong Yun Lee,Jae Yoon Noh,Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170323862A1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Diboride single crystal substrate, semiconductor device using this and its manufacturing method

Номер патента: EP1538243A4. Автор: Satoshi Kamiyama,Hiroyuki Matsunami,Hiroyuki Kinoshita,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Shigeki Otani,Jun Suda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Semiconductor device with s/d bottom isolation and methods of forming the same

Номер патента: US20240105517A1. Автор: Ying-Keung Leung,Xusheng Wu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024113076A1. Автор: Sichao LI,Jianfa Zhang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US11991872B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor Device With Air Gaps Between Metal Gates And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20230369128A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294881A1. Автор: Ying-Ru Shih,Hsien-Chin Chiu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4297096A1. Автор: Yuan Fang,Ke Jiang,Ken Zhang,Huiling ZUO,Chunlin ZHU,Junli Xiang,Jinshan SHI. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187485A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378254A1. Автор: Jong Ho Park,Che-Ming Lin,Kwang Yeon JUN. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Self-Aligned Scheme for Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210098290A1. Автор: Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Power semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3905334A1. Автор: FENG Lin,SHENG Li,Shengli Lu,Longxing Shi,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Rongcheng LOU. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor Device With Air Gaps Between Metal Gates And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20220344216A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180204911A1. Автор: Weili Zhao,Yiqi Wang,XiaoFang Yang,Jianxiang Cai,JingGuo Jia. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365488A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device including air gap

Номер патента: US8071971B2. Автор: Byung-Ho Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Semiconductor Device with Dual Isolation Liner and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210265224A1. Автор: Yu-Kuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

3d stacking semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308748A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210143270A1. Автор: Kai Jen,Hao-Chuan Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230059600A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device active region profile and method of forming the same

Номер патента: US12027626B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12034052B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

DEPOSITION METHOD AND A DEPOSITION APPARATUS OF FINE PARTICLES, A FORMING METHOD AND A FORMING APPARATUS OF CARBON NANOTUBES, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20130109170A1. Автор: Awano Yuji,Shimizu Noriyoshi,Sato Shintaro. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2013-05-02.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130230936A1. Автор: Ikeda Masao,Suzuki Yasuhiko,Goto Osamu,ASANO TAKEHARU,TAKETANI MOTONOBU,SHIBUYA KATSUYOSHI,MIZUNO TAKASHI,TOJO TSUYOSHI,UCHIDA SHIRO. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE, AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20210021097A1. Автор: Hashimoto Takuya,OKAHISA Eiichiro,Kobayashi Suguru,Matsushita Shigeru,Nakazawa Katsuya,Uehara Sumio,Yumoto Kazuhito. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220045093A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-02-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180053744A1. Автор: TANIGUCHI Katsumi. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

DEPOSITION METHOD AND A DEPOSITION APPARATUS OF FINE PARTICLES, A FORMING METHOD AND A FORMING APPARATUS OF CARBON NANOTUBES, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20150207074A1. Автор: Awano Yuji,Shimizu Noriyoshi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2015-07-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200202940A1. Автор: PARK Eun Young. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170263535A1. Автор: Nakamura Hideyo,NAKANO Hayato. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE, AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20190305511A1. Автор: Hashimoto Takuya,OKAHISA Eiichiro,Kobayashi Suguru,Matsushita Shigeru,Nakazawa Katsuya,Uehara Sumio,Yumoto Kazuhito. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method and electronic device

Номер патента: CN108346658A. Автор: 李勇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

A semiconductor device and a manufacturing method for a metal-insulator-metal capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100431810B1. Автор: 김길호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, CIRCUIT BOARD, ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: JP4085788B2. Автор: 栄 北城,博文 井上,英彦 黒田,雅洋 久保,隆雄 山崎,一郎 枦山,禎道 曽川. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-05-14.

Semiconductor devices and its manufacturing method, liquid discharging head and liquid discharge device

Номер патента: CN109203695A. Автор: 成濑裕章,清水昭宏,江藤徹. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-01-15.

Semiconductor device and its manufacturing method, stacked type semiconductor device, circuit substrate and electronic machine

Номер патента: TW492120B. Автор: Kenji Wada,Terunao Hanaoka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8723254B2. Автор: Toshiaki Hikichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor device including magnet

Номер патента: US8237164B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Toshiji Hamatani,Hideaki Kuwabara,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-07.

Spherical semiconductor device and the manufacture method for the same and spherical semiconductor device material

Номер патента: AU736457B2. Автор: Josuke Nakata. Владелец: SPHELAR POWER CORP. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor devices and their manufacturing methods, as well as power conversion devices

Номер патента: JP7045975B2. Автор: 正行 眞舩. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-04-01.

Semiconductor devices and its manufacture method and the electronic equipment including the device

Номер патента: CN107887444A. Автор: 朱慧珑. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-06.

Semiconductor device module and manufacturing method of semiconductor device module

Номер патента: US20060220232A1. Автор: Kazuya Fujita,Yoshinori Tanida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and its manufacture method, and measurement fixture for the semiconductor device

Номер патента: US20060273365A1. Автор: Jeffrey Cross,Mineharu Tsukada,Yoshimasa Horii,Angus Kingon,Alexei Gruverman. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Optical semiconductor device lead frame, optical semiconductor device lead frame manufacturing method, and optical semiconductor device

Номер патента: JPWO2010150824A1. Автор: 伸 菊池,良聡 小林. Владелец: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-10.

Semiconductor devices and its manufacture method and the electronic equipment including the device

Номер патента: CN107887442A. Автор: 朱慧珑. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-06.

Substrate for semiconductor device, semiconductor-chip mounting substrate, semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electronic machine

Номер патента: TW515011B. Автор: Toshiki Nakayama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-12-21.

Semiconductor device, leadframe and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TW200845351A. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-11-16.

Semiconductor device and the manufacture method of semiconductor device

Номер патента: CN103579347B. Автор: 江间泰示,藤田和司,堀充明,鸟居泰伸. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-28.

Light emitting device, semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1970968A1. Автор: Kazuhiro Kamada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2008-09-17.

Semiconductor device module and manufacturing method of semiconductor device module

Номер патента: KR20060105487A. Автор: 요시노리 타니다,카주야 후지타. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-10-11.

Semiconductor light emitting device, its manufacturing method, semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US7964419B2. Автор: Motonobu Takeya,Yasuhiko Suzuki,Osamu Goto,Takashi Mizuno,Masao Ikeda,Shiro Uchida,Takeharu Asano,Tsuyoshi Tojo,Katsuyoshi Shibuya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-06-21.

Capacitor, semiconductor device and its manufacture method, electrooptical device and electronic machine

Номер патента: CN1405805A. Автор: 渡边吉祥. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-03-26.

Semiconductor device and the manufacture method of semiconductor device

Номер патента: CN106133915A. Автор: 原田祐一,星保幸,木下明将,大西泰彦,原田祐. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-16.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method, electronic device

Номер патента: CN105448833B. Автор: 赵猛. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor device and the manufacture method of semiconductor device

Номер патента: CN106128946A. Автор: 小野泽勇一,小野泽勇,吉村尚,尾崎大辅,栗林秀直,仲野逸人. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-16.

Substrates for semiconductor devices and their manufacturing methods, semiconductor devices

Номер патента: JP6846484B2. Автор: 佑也 五郎丸,真幸 林田. Владелец: Maxell Holdings Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Film carrier tapes, semiconductor assemblies, semiconductor devices and their manufacturing methods, mounting substrates and electronic devices

Номер патента: KR20000064743A. Автор: 노부아키 하시모토. Владелец: 야스카와 히데아키. Дата публикации: 2000-11-06.

Capacitor, semiconductor device and its manufacture method, electrooptical device and electronic machine

Номер патента: CN100388395C. Автор: 渡边吉祥. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-14.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Semiconductor device, SRAM, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP4947890B2. Автор: 有一 平野,隆志 一法師. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: JPWO2009123127A1. Автор: 茂 森,浩 田邉,田邉　浩,功 東海林,めぐみ 柴田. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor light emitting device, its manufacturing method, semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US8460958B2. Автор: Motonobu Takeya,Yasuhiko Suzuki,Osamu Goto,Takashi Mizuno,Masao Ikeda,Shiro Uchida,Takeharu Asano,Tsuyoshi Tojo,Katsuyoshi Shibuya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Semiconductor devices and the manufacture method of semiconductor devices

Номер патента: CN103534809B. Автор: 阿部和. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

Optical semiconductor device lead frame, optical semiconductor device lead frame manufacturing method, and optical semiconductor device

Номер патента: JP5089795B2. Автор: 智 鈴木,晃 松田,伸 菊池,悟 座間,良聡 小林. Владелец: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-05.

Semiconductor device and its manufacturing method, and electronic device

Номер патента: WO2003096421A1. Автор: Yasushi Morita,Takashi Nagano. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device, semiconductor device terminal and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104332488A. Автор: 王根毅,钟圣荣,邓小社,周东飞. Владелец: Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-04.

Substrate for semiconductor device and its manufacturing method, semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP6964477B2. Автор: 健太郎 金子,順一 中村,晴信 佐藤,元 中西,孝治 渡邊. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-10.

Power semiconductor device and its manufacturing method and power conversion device

Номер патента: DE102019211221B4. Автор: Yoshihisa Uchida,Yo Tanaka,Yoshiaki Takewaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device, tape carrier, manufacturing method thereof, circuit board, electronic device, and tape carrier manufacturing apparatus

Номер патента: JP3536728B2. Автор: 伸晃 橋元. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-14.

Semiconductor device and its manufacturing method, power-converting device

Номер патента: CN108886055A. Автор: 吉田基,冈部博明,须贺原和之. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-23.

Semiconductor device and manufacturing mehtod thereof

Номер патента: US20190206854A1. Автор: Yu-Lin Chu,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device with improved electrostatic discharge or electro-over stress protection

Номер патента: US11450657B2. Автор: Yu-Lin Chu,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20170287932A1. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Methods, apparatus, and system for a semiconductor device comprising gates with short heights

Номер патента: US20190355615A1. Автор: Hui Zang,John Zhang,Jinping Liu,Jiehui SHU,Haigou Huang,Garo Jacques DERDERIAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11869949B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Self-Aligned Structure For Semiconductor Devices

Номер патента: US20230386933A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Self-aligned structure for semiconductor devices

Номер патента: US11837504B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Post gate dielectric processing for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20230411220A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu,Cheng Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Light sensing element, semiconductor device, electronic equipment, manufacturing method of light sensing element, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120081638A1. Автор: Hiroshi Yumoto,Hideo Yamagata,Yusuke Murakawa,Shuji Yoneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088245A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240170540A1. Автор: Jun Yuan. Владелец: Hubei Jiufengshan Laboratory. Дата публикации: 2024-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4376056A1. Автор: Jun Yuan. Владелец: Hubei Jiufengshan Laboratory. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180351001A1. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and manufacturing mehod thereof

Номер патента: US20170125599A1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110073934A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tamae Takano,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110291173A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tamae Takano,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and its manufacturing method thereof, mask for semiconductor manufacture, and optical proximity correction method

Номер патента: US20130249597A1. Автор: Yusaku Ono,Hironobu Taoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device and its manufacture method, lead frame and its manufacture method

Номер патента: CN106847782A. Автор: 林真太郎. Владелец: Shinko Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and its manufacturing method, lead frame and its manufacturing method

Номер патента: JP3007833B2. Автор: 和人 辻,義之 米田,英治 迫田,政一 織茂,隆司 埜本,正徳 小野寺. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-02-07.

a manufacturing method of semiconductor device and a manufacturing method of a reflective type micro liquid crystal display using the same

Номер патента: KR100356621B1. Автор: 박진우,이상열. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2002-10-18.

Method, non-polar semiconductor device and its manufacturing method of the nonpolar gallium nitride-based semiconductor of manufacture

Номер патента: CN104205297B. Автор: 崔承奎,金材宪,郑廷桓. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-15.

The manufacture method of semiconductor devices and substrate manufacture method and lining processor

Номер патента: CN102763193B. Автор: 佐佐木隆史,今井义则,栗林幸永,中嶋定夫. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-05-11.

Method for preventing deterioration of the film quality of a transparent conductive film, semiconductor device and its manufacturing method.

Номер патента: FR2714523B1. Автор: Yutaka C O Fujitsu Li Takizawa,Ken-Ichi C O Fujitsu Lim Yanai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-04-16.

Method for preventing deterioration of the film quality of a transparent conductive film, semiconductor device and its manufacturing method.

Номер патента: FR2714523A1. Автор: Takizawa Yutaka,Yanai Ken-Ichi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-06-30.

Semiconductor device and its manufacturing method, and film carrier tape and its manufacturing method

Номер патента: JPH10173003A. Автор: Kenji Toyosawa,健司 豊沢,Mitsuaki Osono,光昭 大園. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-06-26.

ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM FORMING COMPOSITION, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP6274529B2. Автор: 博昭 津山,由久 宇佐美,純一 竹谷,岡本　敏宏,敏宏 岡本,宇佐美　由久. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-02-07.

Semiconductor device and its manufacturing method and film carrier tape and its manufacturing method

Номер патента: KR100315138B1. Автор: 미쯔아끼 오소노,겐지 토요사와. Владелец: 마찌다 가쯔히꼬. Дата публикации: 2002-02-28.

Lead frame, the manufacturing method, semiconductor device and the manufacturing method

Номер патента: KR100563177B1. Автор: 겐지 오사와,히데또시 구사노. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2006-05-25.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display and its manufacturing method

Номер патента: CN101689535A. Автор: 龙谷胜弘. Владелец: Shindo Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-31.

Capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US5568352A. Автор: Cheol-Seong Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-10-22.

Semiconductor device and its manufacturing method, semiconductor manufacturing mask, and optical proximity processing method

Номер патента: US8103977B2. Автор: Yusaku Ono,Hironobu Taoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-24.

Semiconductor device and its manufacturing method, semiconductor manufacturing mask, and optical proximity processing method

Номер патента: KR20120074337A. Автор: 히로노부 타오카,유사쿠 오노. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-07-05.

Laser welding method, semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: JP2009190067A. Автор: 克彦 吉原,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device and its manufacturing method and inspection method

Номер патента: JP4610447B2. Автор: 義英 田崎. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-12.

TERMINAL LAND FRAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND RESIN-ENCLOSED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP3916352B2. Автор: 幸雄 山口. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display and its manufacturing method

Номер патента: EP2151862A1. Автор: Katsuhiro Ryutani. Владелец: Shindo Company Ltd. Дата публикации: 2010-02-10.

Vertical type semiconductor device and its manufacturing method and operating method

Номер патента: CN104037188B. Автор: 崔康植. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-06-26.

Manufacturing Apparatus and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20120244685A1. Автор: Kunihiko Suzuki,Shinichi Mitani. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130084690A1. Автор: SUZUKI Kunihiko,Mitani Shinichi. Владелец: NuFlare Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-04-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20130143359A1. Автор: Abe Yoshiyuki,HIGASHINO Tomoko,MIYAZAKI Chuichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: US20130154102A1. Автор: Sadahiro Kishii,Yasushi Kobayashi,Masato Tanaka,Yoshihiro Nakata,Tsuyoshi Kanki,Akio Rokugawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130161753A1. Автор: Shinohara Hirofumi,IWAMATSU Toshiaki,YOSHIMORI Hiromasa. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130164927A1. Автор: Chakihara Hiraku,Ishii Yasushi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE METHOD

Номер патента: US20130171791A1. Автор: SUZUKI Toshihide,JOSHIN Kazukiyo,Shima Masashi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2013-07-04.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130200423A1. Автор: FU Jenn-Hwa,Huang Hsin-Hsiung,YU Tz-Chiang. Владелец: EPISTAR CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130240919A1. Автор: Yoo Myung Cheol,Park Moo Keun,Oh Se Jong. Владелец: VERTICLE, INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130256860A1. Автор: Sato Yukihiro,Koike Nobuya. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130277635A1. Автор: TANAKA Toshihiro,Matsuzaki Nozomu,HANZAWA Satoru,NITTA Fumihiko. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

WAFER LEVEL PACKAGED GAN POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130292689A1. Автор: Kim Dong-Young,Yoon Hyung Sup,Kim Hae Cheon,Nam Eun Soo,CHANG Woo Jin,AHN Ho Kyun,JU Chull Won,LEE Jong Min,LIM Jong-Won,KANG Dong Min,LEE Sang-Heung. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Discrete semiconductor device package and manufacturing method

Номер патента: US20130320551A1. Автор: Rolf Brenner,Roelf Anco Jacob Groenhuis,Sven Walczyk,Emiel de Bruin,Tim BOETTCHER. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-12-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140035027A1. Автор: Chakihara Hiraku,Ishii Yasushi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140054692A1. Автор: Matsuura Nobuyoshi,Shiraishi Masaki,UNO Tomoaki. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20170005089A1. Автор: Matsuura Nobuyoshi,Shiraishi Masaki,UNO Tomoaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160005854A1. Автор: Matsuura Nobuyoshi,Shiraishi Masaki,UNO Tomoaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180005890A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160013051A1. Автор: Zhao Jie,ZENG Yizhi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180019303A1. Автор: YOKOTA Kazuki. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2018-01-18.

Charge-Compensation Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190019887A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Hirler Franz,Wahl Uwe,Willmeroth Armin,Pfirsch Frank Dieter. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20200020610A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

RESIN-ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170033056A1. Автор: Kasuya Yasumasa,Haga Motoharu,Yasunaga Shoji. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170033074A1. Автор: YAJIMA Akira. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160035739A1. Автор: Chakihara Hiraku,Saito Kentaro. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160035826A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190043729A1. Автор: Hung Ching-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170047437A1. Автор: KAWAGUCHI Hiroshi,Miyamoto Hironobu,Nakayama Tatsuo,MASUMOTO Ichiro,MIYAKE Shinichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2017-02-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220068792A1. Автор: TZU HSIANG Lin,CHIH HAO Chen,WEI CHE Wu,YING CHIEH Chen. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051647A1. Автор: Hirler Franz,Weyers Joachim,Treiber Maximilian. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

Field-Effect Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051742A1. Автор: Hans Weber,Andreas Riegler,Christian Fachmann,Gabor Mezoesi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160064344A1. Автор: YAJIMA Akira. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064654A1. Автор: Takashi Tonegawa,Eiji Kariyada,Takayasu Kazamatsuri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180061964A1. Автор: TOKITA Hirofumi,OGATA Tamotsu. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180061997A1. Автор: Kawashima Yoshiyuki,INOUE Masao,YOSHITOMI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180068967A1. Автор: Chen Chun-Jen,LAI Yi-Jen,Cheng Hsi-Kuei,LEE Li-Guo,LIU Yung-Sheng,LIU Yi-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150076566A1. Автор: KAMINO Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180076206A1. Автор: Kawashima Yoshiyuki,YOSHITOMI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180082944A1. Автор: Maeda Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE BONDING

Номер патента: US20200083193A1. Автор: SEN AMLAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHODS

Номер патента: US20160093513A1. Автор: Hong Zhongshan. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160093649A1. Автор: Huang Feng,Wang Xuemei,CHEN FUGANG,LIN Shuaibing. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170092498A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

APPARATUSES AND METHODS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CLOCK SIGNAL LINES

Номер патента: US20210104269A1. Автор: NARUI Seiji,Yatsushiro Ryosuke. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111536A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Chih-Ming Hsieh,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140206115A1. Автор: YU Tz Chiang,FU Jenn Hwa,HUANG Hsin Hsiung. Владелец: EPISTAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170125397A1. Автор: Zhou Fei. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

DISCRETE SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150140739A1. Автор: GROENHUIS Roelf Anco Jacob,WALCZYK Sven,Brenner Rolf,BOETTCHER Tim,DE BRUIN Emiel. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor Device Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20190131264A1. Автор: Chen Chun-Jen,LAI Yi-Jen,Cheng Hsi-Kuei,LEE Li-Guo,LIU Yung-Sheng,LIU Yi-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160141241A1. Автор: Nakajima Akira,Yamamoto Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

RESIN-ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160155689A1. Автор: Kasuya Yasumasa,Haga Motoharu,Yasunaga Shoji. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160155747A1. Автор: MIHARA Tatsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170154882A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Lee Chen-Yi,AL-SHYOUKH Mohammad,Huang Shih-Fen,Wang Pei-Lun,Jong Yu-Chang,HO DAH-CHUEN. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20210184054A1. Автор: Usami Tatsuya,Miyamoto Hironobu,NAKAYAMA Tomoo,SAWADA Masami. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140239367A1. Автор: Chakihara Hiraku,Saito Kentaro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160172419A1. Автор: KAMINO Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140252456A1. Автор: Liao Zhongping. Владелец: SILERGY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (HANGZHOU) LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190164986A1. Автор: TSUDA Shibun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160181184A1. Автор: Maekawa Kazuyoshi,Matsumoto Masahiro,KAWANO Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160181301A1. Автор: Terada Takashi,HORI Shinya. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

ULTRAHIGH VOLTAGE RESISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160181351A1. Автор: KIM Young Bae,KIM Kwang Il. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2016-06-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170179142A1. Автор: Zhang Yiying,ZHENG Erhu. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150187606A1. Автор: Sato Yukihiro,Koike Nobuya. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150187736A1. Автор: LIU Yao,HUANG Herb He,Chen Fucheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor Device Package and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20170186679A1. Автор: Do Won Chul,Kelly Michael G.,Hiner David Jon,Huemoeller Ronald Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor Device and Corresponding Manufacturing Method

Номер патента: US20180190651A1. Автор: Siemieniec Ralf,Konrath Jens Peter,Draghici Mihai. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180197753A1. Автор: Maekawa Kazuyoshi,Matsumoto Masahiro,KAWANO Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180198001A1. Автор: Amo Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170200655A1. Автор: Wang Liang,Zhao Jie,LIU Jia Lei. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170200808A1. Автор: ZHANG Hai Yang,Zheng Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190198660A1. Автор: KACHI Tsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170207233A1. Автор: Shinohara Masaaki,MIHARA Tatsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160218108A1. Автор: TOKITA Hirofumi,OGATA Tamotsu. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150221737A1. Автор: LIAO Chen-Liang,HUANG Yi-Lii,CHEN Chih-Hsiao,LI Yao-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160225904A1. Автор: Chang Shih-Chieh,Liao Chin-I. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20170221942A1. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210249275A1. Автор: Hung Ching-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140319618A1. Автор: Shinohara Hirofumi,IWAMATSU Toshiaki,YOSHIMORI Hiromasa. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

On-Chip Antennas for Semiconductor Devices and Related Manufacturing Methods

Номер патента: US20190221531A1. Автор: Meyer Thorsten,Wojnowski Maciej,Hartner Walter. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150243843A1. Автор: Yoo Myung Cheol,Park Moo Keun,Oh Se Jong. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20150249102A1. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140332878A1. Автор: Matsuura Nobuyoshi,Shiraishi Masaki,UNO Tomoaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

RESIN-ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140332944A1. Автор: Kasuya Yasumasa,Haga Motoharu,Yasunaga Shoji. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170243865A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Lee Chen-Yi,AL-SHYOUKH Mohammad,Huang Shih-Fen,Wang Pei-Lun,Jong Yu-Chang,HO DAH-CHUEN. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150262953A1. Автор: Chen Chun-Jen,LAI Yi-Jen,Cheng Hsi-Kuei,LEE Li-Guo,LIU Yung-Sheng,LIU Yi-Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chen Chun-Jen,LAI Yi-Jen,Cheng Hsi-Kuei,LEE Li-Guo,LIU Yung-Sheng,LIU Yi-Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160268445A1. Автор: Amo Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

THYRISTOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200258981A1. Автор: Guitard Nicolas. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170279005A1. Автор: Lee Rong Ren,LEE Shih Chang,CHEN Meng Yang. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160293427A1. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

PATTERNED STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160293726A1. Автор: Huang Rai-Min,Huang Tong-Jyun,Tseng I-Ming,Li Kuan-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180286881A1. Автор: Hashimoto Takashi,YAMAKOSHI HIDEAKI,ABE SHINICHIRO,Omizu Yuto. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE, RESISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20150303107A1. Автор: EOM Dae Sung. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Field-Effect Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20180294333A1. Автор: Weber Hans,Riegler Andreas,Fachmann Christian,Mezoesi Gabor. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180308884A1. Автор: KAMINO Takeshi,GOTO Yotaro,TAKAHASHI Fumitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150325506A1. Автор: Sato Yukihiro,Koike Nobuya. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160329427A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170323983A1. Автор: Amo Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190326161A1. Автор: Do Won Chul,Kelly Michael G.,Hiner David Jon,Huemoeller Ronald Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170345925A1. Автор: SYO Toshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160359010A1. Автор: LIAO Chen-Liang,HUANG Yi-Lii,CHEN Chih-Hsiao,LI Yao-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.. Дата публикации: 2016-12-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170358539A1. Автор: TSUNEMINE Yoshikazu. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2017-12-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE, RESISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20150371988A1. Автор: EOM Dae Sung. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190348429A1. Автор: Hashimoto Takashi,YAMAKOSHI HIDEAKI,ABE SHINICHIRO,Omizu Yuto. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160372553A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180358301A1. Автор: TSUNEMINE Yoshikazu. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20170373055A1. Автор: Matsuura Nobuyoshi,Shiraishi Masaki,UNO Tomoaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: EP1331664A4. Автор: Hisaya Sakai,Noriyoshi Shimizu,Nobuyuki Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-08.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW490718B. Автор: Hideaki Hirabayashi,Tetsuo Matsuda,Hisashi Kaneko,Hiroshi Toyoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100322821B1. Автор: 미끼히로시,오지유즈루,다찌신이찌,가네호리게이이찌. Владелец: 가나이 쓰도무. Дата публикации: 2002-07-02.

Semiconductor device and the manufacturing method

Номер патента: KR960002990B1. Автор: 교시 마쓰바라,다다시 야마우라,도시마사 기하라,노리시게 가와시모. Владелец: 가부시끼가이샤 히다찌 세이사꾸쇼. Дата публикации: 1996-03-02.

Semiconductor device inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100250225B1. Автор: 이태복. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-04-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS5534488A. Автор: Kunihiko Hirashima. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1980-03-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR0129985B1. Автор: 박규찬,신현국,문종,심태언. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-07.

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP7033445B2. Автор: 光廣 咲間,勝 秋野. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and capacitor manufacturing method including capacitor

Номер патента: KR970063745A. Автор: 요시히로 다카이시. Владелец: 닛폰 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-09-12.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2007075931A. Автор: Satoshi Inaba,聡 稲葉. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-29.

A cof semiconductor device and a manufacturing method for the same

Номер патента: KR100563502B1. Автор: 세꼬도시하루. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-03-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100910614B1. Автор: 모리유카리,에자키다카유키,히라야마데루오,사사키나오토,오자키히로시,이시카와나츠야. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2009-08-04.

SiGe Semiconductor Device And The Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR100877689B1. Автор: 김상훈,배현철,이상흥. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2009-01-09.

Power semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP6979864B2. Автор: 円丈 露野. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100244812B1. Автор: 후미히코 사토. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-02-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100319021B1. Автор: 고바야시다까시,시마모또히로미,우찌노다까시,시바다께오,오오니시가즈히로,다마끼요이찌,기꾸찌도시유끼,이께다다까히데. Владелец: 나시모토 류조. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR900008153B1. Автор: 류우이지 이자와,에이지 다게다,야스오 이구라,아게미 하마다. Владелец: 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼. Дата публикации: 1990-11-03.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100520633B1. Автор: 하라다요시나오. Владелец: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-10-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100712461B1. Автор: 다이 히사모토,요시미 스도우. Владелец: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2007-11-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN108140675A. Автор: 伊东笃,伊东一笃. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-06-08.

Complementary semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR980006025A. Автор: 아키라 히로키,신지 오다나카. Владелец: 마쓰시타 덴키 산교주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

A semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: KR20150102695A. Автор: 다까시 데라다,신야 호리. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-09-07.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2001339011A. Автор: Takashi Kurihara,Masao Aoki,Shigeru Mizuno,茂 水野,孝 栗原,道夫 堀内,Michio Horiuchi,Tomio Nagaoka,富夫 永岡,正夫 青木. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-07.

Semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: JP2008047753A. Автор: Toru Matsumoto,Yoshio Imamura,徹 松本,Yoshihiko Minamoto,良彦 皆本,圭男 今村. Владелец: CMK Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102417710B1. Автор: 김소정. Владелец: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-07-06.

A kind of semiconductor devices and its manufacture method

Номер патента: CN104425384B. Автор: 谢欣云. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1518100A. Автор: ,金志永,朴柄俊. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-04.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR101191818B1. Автор: 준이치 아리요시,아키히로 우스지마,다이지 에마. Владелец: 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-10-16.

Semiconductor devices and its manufacture method

Номер патента: CN107039246A. Автор: 郑圣烨,萧养康. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-11.

Semiconductor devices and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100221622B1. Автор: 이욱하. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-09-15.

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP6790808B2. Автор: 栄亮 伴野. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-11-25.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100544631B1. Автор: 기쿠치고우지. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-01-24.

Transverse diffusion metal oxide semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN108682690A. Автор: 王猛,喻慧,彭川,杜益成,游步东,黄贤国. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-10-19.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN107680931A. Автор: 邱威鸣,曾健旭,张峰荣. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-09.

A kind of semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104362160B. Автор: 黄峰,陈福刚,王雪梅,林率兵. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-25.

Semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: JP2002158258A. Автор: Koji Yoshida,浩二 吉田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-31.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN110085523A. Автор: 都原彻,朴斗铉,白钟植,李志宪,徐成民. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100496716B1. Автор: 미치오 아사히나,나오히로 모리야,가즈키 마츠모토,주니치 다케우치. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-09-30.

Three-dimensional semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN105321952B. Автор: 刘东哲,黄棋铉,延国贤,金东宇,金东谦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-30.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN109786274A. Автор: 吴志伟,林俊成,施应庆,王卜,卢思维,邹贤儒. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100486187B1. Автор: 마나베카즈타카. Владелец: 엘피다 메모리, 아이엔씨.. Дата публикации: 2005-05-03.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR102102252B1. Автор: 심재우,박진홍,장성운. Владелец: 성균관대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-04-20.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR970053866A. Автор: 요꼬 호리구찌,가오루 나리따,다께오 후지. Владелец: 닛본덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-07-31.

Semiconductor device and the manufacturing method

Номер патента: KR950006970B1. Автор: 쯔또무 나까자와. Владелец: 아오이 죠이찌. Дата публикации: 1995-06-26.

Light emitting semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104508842B. Автор: 安相贞. Владелец: 安相贞. Дата публикации: 2017-06-09.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: KR920004028B1. Автор: 김성태,최수한. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1992-05-22.

Semiconductor device array and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4235440B2. Автор: 浩克 宮田,朗 栗山,和彦 福谷,美紀 小川,央 大倉,オットー・アルブレヒト. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-03-11.

Semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electronic equipment

Номер патента: JP3573133B2. Автор: 卓也 高橋. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-06.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH10116969A. Автор: 宏治 金森,Koji Kanamori,Yoshiaki Hisamune,義明 久宗. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-05-06.

Epoxy Resin Compositions for Semiconductor Device Sealing and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR960026689A. Автор: 윤호규,윤제홍. Владелец: 유현식. Дата публикации: 1996-07-22.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1630024A. Автор: 山崎舜平,小山润,早川昌彦,纳光明,滨谷敏次,寺本聪,尾形靖,大谷久. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-22.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: KR960009995B1. Автор: 최정혁,권기호,서강덕. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-07-25.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN101312209A. Автор: 千成吉. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-26.

Semiconductor Device and the Manufacturing Method thereof

Номер патента: KR100642406B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-08.

High voltage semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR0183669B1. Автор: 최영석,유광동. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-20.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100289962B1. Автор: 히로유키 시마. Владелец: 료덴 세미컨덕터 시스템 엔지니어링주식회사. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP7140349B2. Автор: 良一 片岡. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-21.

Semiconductor device, base and manufacturing method thereof

Номер патента: JP6720747B2. Автор: 修司 塩路. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Semiconductor devices and its manufacture method

Номер патента: CN103545351B. Автор: �金钟,金钟一. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS55111135A. Автор: Takeshi Sakashita,Yoshihiro Matsui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-08-27.

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP6930393B2. Автор: 滋春 山上,林　　哲也,林　哲也,亮太 田中,俊治 丸井,山上　滋春,威 倪,圭佑 竹本. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-01.

A semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: KR970000972B1. Автор: 다까오 후지쯔. Владелец: 아오이 죠이찌. Дата публикации: 1997-01-21.

Structure of semiconductor devices and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100223915B1. Автор: 길경선. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH1027887A. Автор: Naoki Kasai,Ichiro Yamamoto,Hiromitsu Namita,一郎 山本,博光 波田,直記 笠井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP6931102B2. Автор: 建廷 陳,耀庭 蔡,修漢 廖. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN100461410C. Автор: 宇佐美光雄. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-02-11.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100235957B1. Автор: 전용주. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-15.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN106170857A. Автор: 金东吉,邱翰,李吉和,金吉翰,杜文秋,贝杰翰,其王门,翰东和,金杜浑,朴金文,孙山南,可提斯·斯文格. Владелец: Imark Technology Co. Дата публикации: 2016-11-30.

Comprise semiconductor device and the manufacture method thereof of resistor

Номер патента: CN102024822B. Автор: 金建秀,辛镇铉,朴允文,沈载煌. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP7189848B2. Автор: 佑樹 藤農. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: JPH11121716A. Автор: 泰示 江間,Taiji Ema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-04-30.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2003158215A. Автор: Akira Takashima,晃 高島,浩 小野寺,正 宇野,Hiroshi Onodera,Tadashi Uno. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-30.

Capacitor for Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100712355B1. Автор: 김수곤. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-05-02.

Semiconductor device and there manufacturing method

Номер патента: KR920007450B1. Автор: 다까시 호리. Владелец: 다니이 아끼오. Дата публикации: 1992-09-01.

The semiconductor devices and its manufacture method of reliability and working life with raising

Номер патента: CN104756245B. Автор: D·巴比克,D·弗朗西斯,F·纳瑟-菲利,F·伊杰克阿姆,Q·迪达克,J·斯马特,K·马修斯,F·Y·洛维. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2017-09-22.

Semiconductor devices and its manufacture method

Номер патента: CN107924912A. Автор: 李光珠,金荣国,金丁鹤,金熹正,金塞拉,南承希. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Multilayer pad of semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100482364B1. Автор: 안경호,최치영,박형무. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1173739A. Автор: 金载甲. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-18.

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP6909666B2. Автор: 尚 長田. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-28.

Semiconductor devices and its manufacture method and memory cell with buried gate structure

Номер патента: CN106941120A. Автор: 金东洙,林成沅,金银贞,张玄鎭,许根,金智炫. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

In-pixel functional liquid form measuring method, in-pixel functional liquid form measuring apparatus and droplet discharge apparatus, electro-optical apparatus manufacturing method, electro-optical apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: JP4245054B2. Автор: 寛文 酒井,誠 阿南. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN108364939A. Автор: 中村弘幸,团野忠敏,锦泽笃志. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-03.

Light emitting semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN104241486B. Автор: 金基石,李相奭,李守烈,林璨默. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-25.

Semiconductor devices and its manufacturing method with multiple threshold voltages

Номер патента: CN104766860B. Автор: 蔡腾群,陈德芳,林正堂,王立廷,张惠政. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-09.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN109860293A. Автор: 王美匀,王朝勋,薛婉容,赵高毅. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-07.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR910008835B1. Автор: 김의송. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1991-10-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN110211943A. Автор: 栗田洋一郎,田嶋尚之,下川一生. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-06.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN104217959B. Автор: 金成玟,李东奎,姜智秀,车东镐. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100259075B1. Автор: 김종채. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-06-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100721073B1. Автор: 사또준이찌. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP7074046B2. Автор: 崇功 川島,明徳 榊原. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104347408B. Автор: 肖德元. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Dynamic type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR920006260B1. Автор: 가츠히코 히에다. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1992-08-01.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: KR100252866B1. Автор: 손정환. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100268453B1. Автор: 구본재. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-11-01.

Probe needle fixing apparatus and method for semiconductor device test equipment

Номер патента: KR100470970B1. Автор: 유현식,최지만,신인대. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2001339012A. Автор: Nobuyuki Umezaki,信之 梅崎. Владелец: NEC Kyushu Ltd. Дата публикации: 2001-12-07.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH1131778A. Автор: Yasuhiro Suzuki,康弘 鈴木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100227766B1. Автор: 도루 야마자끼. Владелец: 닛본덴기 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-11-01.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100244671B1. Автор: 고이치 엔도. Владелец: 사토 후미오. Дата публикации: 2000-02-15.

Insulated gate power semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP6980692B2. Автор: デ−ミキエリス，ルカ,コルバシェ，キアラ. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2021-12-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20140241051A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20110211390A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US20110186820A1. Автор: Un-Cheol Sung,Jung-Yeon Kim. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189136A1. Автор: Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Laminated structure, semiconductor device, laminated structure manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP2009272437A. Автор: 幸栄 鈴木,隆徳 田野,敦 小野寺,Yukie Suzuki,Atsushi Onodera,Takanori Tano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor memory cell and semiconductor component as well as manufacturing methods therefore

Номер патента: US20030099131A1. Автор: Franz Hofmann,Till Schloesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW517381B. Автор: Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-11.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US20150299843A1. Автор: Sang-Pil Lee,Jung-Bae Song,Young-Rok SONG,I Beohm-Rock CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Thin film deposition apparatus and organic light emitting display device manufacturing method using the same

Номер патента: JP5328727B2. Автор: 鎔 燮 崔,昌 睦 ▲曹▼,枝 淑 ▲呉▼,鍾 憲 金,煕 哲 康,潤 美 李. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-30.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: CN102286727A. Автор: 崔凡洛,宋泳录,宋正培,李相泌. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-21.

Organic layer deposition apparatus and organic light emitting display device manufacturing method using the same

Номер патента: JP5882668B2. Автор: 興烈 羅,ワレリー・プルシンスキー,レン・カプラン,世呼 鄭,元植 玄,慶太 朴,炳成 鄭,鎔燮 崔. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-09.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US20110042659A1. Автор: Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Hyun-Sook Park,Ji-Sook Oh,Jae-Kwang Ryu. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Manufacturing method of a semiconductor device with a trench capacitor

Номер патента: US5302541A. Автор: Moriaki Akazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5218218A. Автор: Moriaki Akazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-08.

Organic transistor, compound, organic semiconductor material for non-luminescent organic semiconductor device, organic transistor material, coating solution for non-luminescent organic semiconductor device, organic transistor manufacturing method, organic semiconductor film manufacturing method, non-luminescent organic semiconductor device Organic semiconductor film and organic semiconductor material synthesis method

Номер патента: JP6082927B2. Автор: 哲 北村,博昭 津山,由久 宇佐美,哲也 渡邉,北村　哲,純一 竹谷,岡本　敏宏,敏宏 岡本,英治 福▲崎▼,雅史 小柳,渡邉　哲也,野村　公篤,公篤 野村,宇佐美　由久. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-02-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230225229A1. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and its manufacture method, magnetic detection device and electronic compass

Номер патента: CN107658381A. Автор: 石原祐子,瀬良和彦. Владелец: Asahi Kasei EMD Corp. Дата публикации: 2018-02-02.

The manufacturing method of semiconductor devices and the manufacturing method of memory

Номер патента: CN109461734A. Автор: 周俊,李赟,罗清威. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-12.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20120268981A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20140241051A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN105470260B. Автор: 叶甜春. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-18.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH1056160A. Автор: Yasuo Yamaguchi,Shigenobu Maeda,茂伸 前田,Shigeto Maekawa,繁登 前川,泰男 山口. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN107403803A. Автор: 黄盛珉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Exposure apparatus, exposure method and semiconductor device fabricated with the exposure method

Номер патента: US6717652B2. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-06.

Exposure apparatus, exposure method and semiconductor device fabricated with the exposure method

Номер патента: US20020072000A1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Exposure apparatus, exposure method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190271922A1. Автор: Manabu Takakuwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Support plate, exposure apparatus having the support plate, and a device manufacturing method using the exposure apparatus

Номер патента: US8045138B2. Автор: Makoto Ogusu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-10-25.

Exposure apparatus, exposure method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US10921722B2. Автор: Manabu Takakuwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Three-dimensional powder bed fusion additive manufacturing apparatus and three-dimensional powder bed fusion additive manufacturing method

Номер патента: US12103076B2. Автор: Takashi Sato,Masahiko Kawakami,Yuhei Kaneko,Yohei DAINO,Kozo Koiwa,Nari TSUTAGAWA. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

CHARGED PARTICLE BEAM LENS AND EXPOSURE APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20140166894A1. Автор: Setomoto Yutaka,KATO Takahisa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-06-19.

Exposure apparatus correction system, exposure apparatus correction method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP3959383B2. Автор: 茂樹 野嶋,慶太 浅沼,信洋 小峰. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-15.

Exposure apparatus, exposure method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190271922A1. Автор: Manabu Takakuwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Optical element support structure, optical system, optical system adjustment method, exposure apparatus, exposure method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4174262B2. Автор: 隆一 海老沼. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-10-29.

Exposure apparatus, exposure method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20070081139A1. Автор: Takashi Sato,Kazuya Fukuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Exposure apparatus, exposure method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US6573976B2. Автор: Hiroaki Takeishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-06-03.

Jig, apparatus and method for inspecting semiconductor chip, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TW201013832A. Автор: Nobuhiro Sawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Negative photosensitive resin composition, cured film, cured film manufacturing method, semiconductor device, laminated body manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and polyimide precursor

Номер патента: TWI728137B. Автор: 吉田健太,岩井悠,渋谷明規. Владелец: 日商富士軟片股份有限公司. Дата публикации: 2021-05-21.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180265352A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10351421B2. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

PATTERN FORMING APPARATUS, MARK DETECTING APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, PATTERN FORMING METHOD, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190155175A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-23.

PATTERN FORMING APPARATUS, MARK DETECTING APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, PATTERN FORMING METHOD, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140268089A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

PATTERN FORMING APPARATUS, MARK DETECTING APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, PATTERN FORMING METHOD, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160313657A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2016-10-27.

Laser-excited plasma light source, exposure apparatus and its making method, and device manufacturing method

Номер патента: US6504903B1. Автор: Hiroyuki Kondo,Noriaki Kandaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-01-07.

Position measurement system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method and device manufacturing method, and tool and measuring method

Номер патента: US8243257B2. Автор: Yuho Kanaya. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-08-14.

Position measuring system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: EP2187430B1. Автор: Yuho Kanaya. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-10-03.

Exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method

Номер патента: US20100110406A1. Автор: Yoshiyuki Usui. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Exposure apparatus, control method for the same, and device manufacturing method

Номер патента: TW200745725A. Автор: Shigeru Terashima,Yutaka Watanabe,Masayuki Tanabe,Mika Kanehira. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2007-12-16.

Exposure method, exposure apparatus, condensing pattern forming element, mask, and device manufacturing method

Номер патента: TW200905407A. Автор: Michio Noboru. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Inspection apparatus and methods, lithographic system and device manufacturing method

Номер патента: WO2015086285A1. Автор: Richard Quintanilha. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2015-06-18.

Inspection Apparatus and Methods, Lithographic System and Device Manufacturing Method

Номер патента: US20160320711A1. Автор: QUINTANILHA Richard. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-11-03.

An imaging optical system, an exposure apparatus provided with the imaging optical system, the microdevice manufacturing method using this exposure apparatus, and the exposure method using the imaging optical system

Номер патента: KR100932319B1. Автор: 구마자와마사토. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2009-12-16.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND FLAT PANEL DISPLAY MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190025708A1. Автор: Shibuya Takashi,SHIRATO Akinori. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-24.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND FLAT PANEL DISPLAY MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200142320A1. Автор: SHIMOYAMA Takachika. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2020-05-07.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND FLAT PANEL DISPLAY MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190204752A1. Автор: Shibuya Takashi,SHIRATO Akinori. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2019-07-04.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND FLAT PANEL DISPLAY MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200264516A1. Автор: Shibuya Takashi,SHIRATO Akinori. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2020-08-20.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND FLAT PANEL DISPLAY MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180275533A1. Автор: Shibuya Takashi,SHIRATO Akinori. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-27.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND FLAT PANEL DISPLAY MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180284619A1. Автор: Shibuya Takashi,SHIRATO Akinori. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-10-04.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND FLAT PANEL DISPLAY MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200326638A1. Автор: Shibuya Takashi,SHIRATO Akinori. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2020-10-15.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND FLAT PANEL DISPLAY MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180341183A1. Автор: SHIMOYAMA Takachika. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-11-29.

Exposure apparatus and exposure method, and flat panel display manufacturing method

Номер патента: US20200363730A1. Автор: Takashi Shibuya,Akinori Shirato. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US9279177B2. Автор: Yong-Sup Choi,Myeng-Woo Nam. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-08.

Exposure apparatus and exposure method, and flat panel display manufacturing method

Номер патента: US10585355B2. Автор: Takachika SHIMOYAMA. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-03-10.

Exposure apparatus and exposure method, and flat panel display manufacturing method

Номер патента: US11086236B2. Автор: Takashi Shibuya,Akinori Shirato. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

An exposure apparatus, apparatus and method for producing a three-dimensional object

Номер патента: DE102015226523A1. Автор: Hannes Horst. Владелец: EOS GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and its manufacturing method, system and method for supporting design thereof, and method for verifying performance thereof

Номер патента: JP2006324443A. Автор: Mitsusachi Katsusawa,光幸 勝沢. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device test circuit, semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: US8407539B2. Автор: Satoshi Ishizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-26.

Image data processing apparatus and method for defect inspection, defect inspection apparatus and method using them, plate-like body manufacturing method using them, and recording medium

Номер патента: JP5263291B2. Автор: 信 楜澤. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

A kind of exposure method, exposure machine, semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN110361937A. Автор: 樊春华. Владелец: Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

GRANULAR MATERIAL, GRANULAR MATERIAL MANUFACTURING METHOD, THREE-DIMENSIONAL LAMINATED AND SHAPED MOLD MANUFACTURING APPARATUS, AND THREE-DIMENSIONAL LAMINATED AND SHAPED MOLD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180112067A1. Автор: NAGAI Yasuhiro,Takeshita Kosuke,OKANE Toshimitsu. Владелец: TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION FOR FUTURE ADDITIVE MANUFACTURING. Дата публикации: 2018-04-26.

Crystalline silicon semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2003218030A. Автор: Tadashi Sasaki,信一 村松,Shinichi Muramatsu,Fumito Oka,史人 岡,唯 佐々木. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Charged particle beam lens array, exposure apparatus and device manufacturing method

Номер патента: JP4402077B2. Автор: 兼一 長永,研爾 玉森. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-01-20.

Electron beam exposure apparatus, exposure method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4511707B2. Автор: 正樹 黒川. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2010-07-28.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit board, semiconductor device, circuit board manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP5593897B2. Автор: 正芳 近藤. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

The cleaning solution of semiconductor device substrate, the cleaning method of semiconductor device substrate, the manufacturing method of semiconductor device substrate and semiconductor device substrate

Номер патента: CN110447090A. Автор: 草野智博,河瀬康弘,柴田俊明,原田宪,竹下祐太朗. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Nitride compound semiconductor etching method and semiconductor light emitting device manufacturing method

Номер патента: JP3931777B2. Автор: 清司 大仲,明彦 石橋,正也 萬濃,敏哉 福久. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-06-20.

Silicon carbide semiconductor device manufacturing apparatus and silicon carbide semiconductor device manufacturing method using the manufacturing apparatus

Номер патента: JP4360114B2. Автор: 淳 小島,広希 中村. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-11-11.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4560885B2. Автор: 啓修 成井,重吾 御友. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-13.

Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US20120127479A1. Автор: . Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

Substrate processing apparatus and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: JP4949686B2. Автор: 智佳子 松長. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2012-06-13.

Substrate processing apparatus, substrate transport method, and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: JP5010884B2. Автор: 政利 ▲高▼田. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2012-08-29.

Exposure apparatus, information management apparatus, exposure system, and device manufacturing method

Номер патента: JP6381180B2. Автор: 洋一 浜岡. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

Hollow package structure and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP6625774B1. Автор: 龍彦 相澤,靖雄 齋藤,秀晴 長谷川,憲治 和佐,美郎 野上. Владелец: 中央電子工業株式会社. Дата публикации: 2019-12-25.

Epitaxial silicon wafer and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2006190896A. Автор: Koichi Sakurai,光一 櫻井,嘉彦 草壁,Yoshihiko Kusakabe,隆一 若原,Ryuichi Wakahara,Yasunori Morino,寧規 森野. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

MIM capacitor and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP3324946B2. Автор: 信之 松本. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-09-17.

Reflective projection optical system, exposure apparatus having the projection optical system, and device manufacturing method

Номер патента: JP4387902B2. Автор: 隆洋 佐々木. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Sputtering apparatus, sputtering method, organic EL light emitting device manufacturing apparatus, and organic EL light emitting device manufacturing method

Номер патента: JP4423589B2. Автор: 浩 木村. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Lithography simulation apparatus, lithography simulation program, and semiconductor device design and manufacturing method using the same

Номер патента: JP5374727B2. Автор: 弘展 田岡. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-25.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW416125B. Автор: Hidenori Mochizuki. Владелец: Asahi Chemical Micro Syst. Дата публикации: 2000-12-21.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200624032A. Автор: Jun-Young Yang,You-Ock Joo,Dong-Pil Jung. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2006-07-01.

THIN FILM DEPOSITION APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE APPARATUS, AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE MANUFACTURED BY USING THE METHOD

Номер патента: US20120009706A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

THIN FILM DEPOSITION APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE THIN FILM DEPOSITION APPARATUS, AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE MANUFACTURED BY USING THE METHOD

Номер патента: US20120068199A1. Автор: SUNG Un-Cheol,JEONG Dong-Seob,KIM Jung-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Thin Film Deposition Apparatus, Method of Manufacturing Organic Light-Emitting Display Device by Using the Apparatus, and Organic Light-Emitting Display Device Manufactured by Using the Method

Номер патента: US20120068201A1. Автор: SUNG Un-Cheol,Choi Beom Rak. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3093906C. Автор: YU Zhou,Qian Sun,Hui Yang,Shuai Su,Yaozong ZHONG,Hongwei Gao.,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Meixin FENG. Владелец: Jiangxi Yuhongjin Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

LIGHT SENSING ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT, MANUFACTURING METHOD OF LIGHT SENSING ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120081638A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-05.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method, electronic device

Номер патента: CN105990093B. Автор: 林静. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-18.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method, electronic device

Номер патента: CN105448724B. Автор: 刘杰,李伟,马强,郝龙,金炎,任占强. Владелец: CSMC Technologies Corp. Дата публикации: 2019-03-22.

Semiconductor device and its manufacturing method, and liquid crystal device

Номер патента: JPH10335334A. Автор: 清文 北和田,Kiyobumi Kitawada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method, electronic device

Номер патента: CN105097695B. Автор: 韩秋华,尚飞,李凤莲. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for isolating element of semiconductor device, semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH10209264A. Автор: Takeshi Takahashi,剛 高橋. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-08-07.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method, electronic device

Номер патента: CN105097696B. Автор: 韩秋华. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-20.

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE CARRIER AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME

Номер патента: US20120058604A1. Автор: . Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

The semiconductor device and its manufacture method and operating method that size reduces

Номер патента: CN105321872B. Автор: 李亚叡,陈冠复. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-11.

p-TYPE III NITRIDE SEMICONDUCTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP2003023179A. Автор: Hirokazu Iwata,正二 皿山,浩和 岩田,Shoji Sarayama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-24.

Semiconductor device forming substrate manufacturing method and dry etching method

Номер патента: JP5691357B2. Автор: 久雄 登坂. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

PHOTOMASK, MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND PHOTOMASK FEATURE LAYOUT METHOD

Номер патента: US20120052419A1. Автор: MINAMIDE Ayumi,MONIWA Akemi,Okuno Mitsuru,Ishibashi Manabu. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120061758A1. Автор: Khan Tahir A.,Grote Bernhard H.,Khemka Vishnu K.,Zhu Ronghua. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2012-03-15.

MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120071000A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20120107985A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120119309A1. Автор: HORITA Katsuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120153368A1. Автор: Horii Yoshimasa. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120168869A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120184054A1. Автор: SUZUKI Kunihiko,Hirata Hironobu. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE METHOD

Номер патента: US20120208331A1. Автор: Kikkawa Toshihide. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-08-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120217609A1. Автор: Tanabe Akira. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120286427A1. Автор: Horibe Hiroshi,Sumitomo Kaori,Arakawa Hideyuki,Takata Yasuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120291697A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

DOUBLE-SIDE EXPOSED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130026615A1. Автор: Xue Yan Xun,Gong Yuping. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

FLIP CHIP TYPE FULL WAVE RECTIFICATION SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130075891A1. Автор: HUANG Wen-Ping,Wu Paul. Владелец: FORMOSA MICROSEMI CO., Ltd.. Дата публикации: 2013-03-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130168746A1. Автор: MIENO FUMITAKE. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140001509A1. Автор: Lee Shih-Chang,Chen Cheng-Hong,Lin Yi-Hung. Владелец: EPISTAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS5515230A. Автор: Yasusuke Yamamoto,Tetsushi Sakai,Yoshiharu Kobayashi,Hiroki Yamauchi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1980-02-02.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN105304629B. Автор: 陈邦明,许静,唐波,杨萌萌,王红丽,李春龙,闫江,唐兆云,徐烨锋. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-07-13.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN109786412A. Автор: 陈世杰,黄晓橹,陈�峰,赵强. Владелец: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp. Дата публикации: 2019-05-21.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN104716085B. Автор: 邓浩. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2003264314A. Автор: Tetsuzo Ueda,哲三 上田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN104124164B. Автор: 朱慧珑,殷华湘. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-03-15.

Semiconductor device and the manufacturing method

Номер патента: KR950013739B1. Автор: 유스케 고야마. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1995-11-15.

A semiconductor device and the manufacturing method

Номер патента: KR100230350B1. Автор: 김경태,신윤승. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

A kind of semiconductor devices and its manufacture method

Номер патента: CN107546179A. Автор: 李勇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS55113378A. Автор: Ryoichi Ono,Fujihiko Inomata,Shuichi Shimizu,Toshiaki Kitahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-09-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2003218364A. Автор: Yoshihiro Hara,Akira Asai,Teruto Onishi,義博 原,照人 大西,明 浅井. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN105336784B. Автор: 赵超,徐强,王桂磊. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-01-18.

Multipellet type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS5211779A. Автор: Shigeru Mitsui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1977-01-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2007324225A. Автор: Hiroshi Otani,拡 大谷,Keiichiro Motofusa,敬市郎 本房,Hisahiro Shiraishi,尚寛 白石. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH1140670A. Автор: Yasuhiro Miura,恭裕 三浦. Владелец: NEC Kyushu Ltd. Дата публикации: 1999-02-12.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH10233442A. Автор: Yuuichi Miyamori,雄壱 宮森. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-09-02.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN105322012B. Автор: 陈邦明,许静,唐波,杨萌萌,王红丽,李春龙,闫江,唐兆云,徐烨锋. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-12-04.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH1056147A. Автор: Yasuo Nara,安雄 奈良. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-02-24.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.