METHODS OF FORMING FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES USING A REPLACEMENT GATE TECHNIQUE AND THE RESULTING DEVICES
Номер патента: US20150091100A1
Опубликовано: 02-04-2015
Автор(ы): Cai Xiuyu, Cheng Kangguo, Khakifirooz Ali, Xie Ruilong
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-04-2015
Автор(ы): Cai Xiuyu, Cheng Kangguo, Khakifirooz Ali, Xie Ruilong
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor devices
Номер патента: US20240213253A1. Автор: Geumjong BAE,Ho-jun Kim,Jaehyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.