Method of intercalating an insulating layer between a metal layer and a graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the intercalation method .

Method of intercalating an insulating layer between a metal layer and a graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the intercalation method

Номер патента: EP3062335B1
Опубликовано: 07-07-2021
Автор(ы): Hyowon KIM, Insu Jeon, Jiyeon Ku
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device

Номер патента: US20200373433A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hironobu Takahashi,Kenichi Okazaki,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai,Mitsuo Mashiyama,Toshikatsu KUNII. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Access transistor including a metal oxide barrier layer and methods for forming the same

Номер патента: US20230369440A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Organic light emitting diode display device and method of manufacturing organic light emitting diode display device

Номер патента: US20200350383A1. Автор: Sung-hoon Lim,Jong-In Kim,Kangnam Kim,Soojung CHAE,Seokhwan BANG,WooGeun LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Formation method of semiconductor device with dielectric isolation structure

Номер патента: US11942329B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Wan-Yi Kao,Chi On Chui,Che-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240014034A1. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of fabricating a flexible substrate and the flexible substrate fabricated thereby

Номер патента: US20180166583A1. Автор: Young Sam Park,Nam Sung Cho,Byoung Gon Yu,Jonghee Lee,Doo-Hee Cho,Hyunkoo Lee,Chunwon Byun. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-06-14.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US10109705B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20160181351A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09837544B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20110294267A1. Автор: Sung-Chul Kim,Ji-Su Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device including the same

Номер патента: US20100001266A1. Автор: Sung-Chul Kim,Ji-Su Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234557A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401145A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Transistor, method of manufacturing transistor, and display device using the same

Номер патента: US20240322047A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Transistor, method of manufacturing transistor, and display device using the same

Номер патента: US12113134B2. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device having the same

Номер патента: US20100224882A1. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Kil-won Lee,Jae-Wan Jung,Tae-Hoon Yang,Maxim Lisachenko. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200052100A1. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US9954006B2. Автор: Kap-Soo Yoon,Ki-Won Kim,Do-Hyun Kim,Je-Hun Lee,Woo-Geun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796675B2. Автор: Kap-Soo Yoon,Ki-Won Kim,Do-Hyun Kim,Je-Hun Lee,Woo-Geun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240088223A1. Автор: Chun-Han Chen,Shu-Wen Shen,Yen-Po Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Oxide semiconductor-based transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170294455A1. Автор: Sung Jin Kim,Ju Song EOM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of CBNU. Дата публикации: 2017-10-12.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210159296A1. Автор: Hun Kim,Namjin Kim,Sucheol Gong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device

Номер патента: US10224400B2. Автор: Yang Wei,JIN Zhang,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US09954114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Transistor, method of manufacturing transistor, and display device using the same

Номер патента: US20220131012A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Transistor, method of manufacturing transistor, and display device using the same

Номер патента: US11929439B2. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Transistor, method of manufacturing transistor, and display device using the same

Номер патента: US20200098933A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Transistor, method of manufacturing transistor, and display device using the same

Номер патента: US20230387323A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Self-aligned contact hard mask structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12087838B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Self-Aligned Contact Hard Mask Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363713A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240096937A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Yulieth ARANGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240136442A1. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11799032B2. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12074021B2. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240363338A1. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220301861A1. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210035800A1. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Conductive structure, method of forming conductive structure, and semiconductor device

Номер патента: US11563086B2. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-24.

Conductive structure, method of forming conductive structure, and semiconductor device

Номер патента: US20210005714A1. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer

Номер патента: US09887297B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming a semiconductor capacitor using amorphous carbon

Номер патента: US7824998B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yuan-Hung Liu,Chi-Hsin Lo,Yeur-Luen Tu,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Nanocrystal memory with differential energy bands and method of formation

Номер патента: US20100155824A1. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-06-24.

Layer structure including metal layer and carbon layer, method of manufacturing the layer structure, electronic device including the layer structure, and electronic apparatus including the electronic device

Номер патента: US20230070355A1. Автор: Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Method of manufacturing active matrix display device using insulation layer formed by the ale method

Номер патента: CA2011627C. Автор: Yasuhiro Nasu,Kenji Okamoto,Tetsuro Endo,Shinichi Soeda,Jun-Ichi Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Method of forming graphene nanopattern by using mask formed from block copolymer

Номер патента: US09748108B2. Автор: Seongjun Park,Yunseong LEE,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11758728B2. Автор: Ryota Fujitsuka,Hiroki Kishi,Takanori Yamanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and inverter circuit

Номер патента: US09685551B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device including GaN-based compound semiconductor stacked layer and method for producing the same

Номер патента: US8981428B2. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Masaki Ueno,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor structure including a first transistor at a semiconductor-on-insulator region and a second transistor at a bulk region and method for the formation thereof

Номер патента: US09847347B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US9941401B2. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US20170125569A1. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of forming a gate insulating layer of a semiconductor device using deuterium gas

Номер патента: US20060134925A1. Автор: Sang-Hun Lee,Jung-Hwan Kim,Woong Lee,Hun-Hyeoung Leam,Jai-Dong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10608093B2. Автор: Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Chia-Wei Wu,Ting-Pang Chung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-31.

Method of forming graphene on a silicon substrate

Номер патента: US11837635B2. Автор: SIMON Thomas,Ivor GUINEY,Sebastian Dixon. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of forming graphene on a silicon substrate

Номер патента: US20240072118A1. Автор: SIMON Thomas,Ivor GUINEY,Sebastian Dixon. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20190157166A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Carbon nanotube neuron device and method for making the same

Номер патента: US09502674B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190081040A1. Автор: Toshiyuki Kanaya,Tsuyoshi Hosono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230155351A1. Автор: Shinya Nishimura,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of manufacturing large area gallium nitride substrate

Номер патента: US20140073115A1. Автор: Sung-soo Park,Young-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of fabricating a structure with an oxide layer of a desired thickness on a Ge or SiGe substrate

Номер патента: US20060270244A1. Автор: Nicolas Daval,Yves-Mathieu Le Vaillant. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced power consumption without a reduction in the source/drain breakdown voltage

Номер патента: US20020094614A1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Shigenobu Maeda,Toshiaki Iwamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240250000A1. Автор: Sunghwan Kim,Wandon Kim,Hyunbae Lee,Jeonghyuk Yim,Junki PARK,Hyoseok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US11777038B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: US20210384310A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: WO2021247167A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: EP4161868A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Low dielectric constant insulation layer for integrated circuit structure and method of making same

Номер патента: US5494859A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

A wafer for the cvd growth of uniform graphene and method of manufacture thereof

Номер патента: EP4314377A1. Автор: Sebastian Dixon,Robert JAGT,Jaspreet KAINTH. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Wafer for the cvd growth of uniform graphene and method of manufacture thereof

Номер патента: US20240153762A1. Автор: Sebastian Dixon,Robert JAGT,Jaspreet KAINTH. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Nanowire structure with selected stack removed for reduced gate resistance and method of fabricating same

Номер патента: US09461149B2. Автор: Hongmei Li,Kai Zhao,Junjun Li,Xiaoping Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor substrate, eletronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09460965B2. Автор: Shigenobu Sekine,Yurina SEKINE. Владелец: Napra Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240363712A1. Автор: Hyo Jin Kim,Sang Moon Lee,Jin Bum Kim,Yong Jun NAM,In Geon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming ferroelectric film

Номер патента: US20040259275A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of forming a gate contact structure for a semiconductor device

Номер патента: US09853110B2. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device utilizing a metal gate material such as tungsten and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100093144A1. Автор: Tae Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09412743B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device with supporting structures and method for forming the same

Номер патента: US20240047549A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Electronic device including an insulating layer having different thicknesses and a conductive electrode and a process of forming the same

Номер патента: US20110233658A1. Автор: Gary H. Loechelt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Flash memory structure and method of making the same

Номер патента: US9437600B2. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Flash memory structure and method of making the same

Номер патента: US20160071854A1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Flash memory structure and method of making the same

Номер патента: US09437600B2. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09941273B2. Автор: Akitaka SOENO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929242B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing interconnecting metal layer thereof

Номер патента: US20240145302A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Bor Chiuan Hsieh,Yu-Shien SHIAH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device including self-aligned gate structure and improved gate spacer topography

Номер патента: US09548250B1. Автор: Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device including self-aligned gate structure and improved gate spacer topography

Номер патента: US09425105B1. Автор: Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device including transistor having offset insulating layers

Номер патента: US09754950B2. Автор: Hyun Heo,Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180350938A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332308A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of forming overlay mark structure

Номер патента: US20200013724A1. Автор: Yi-Ting Chen,En-Chiuan Liou,Hsiao-Lin Hsu,Sho-Shen Lee,zheng-feng Chen,Lu-Wei KUO. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230386892A1. Автор: Ning Xi,Shijie BAI,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160126087A1. Автор: Kazumasa Tanida,Hiroaki ASHIDATE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Seal for a semiconductor device and method therefor

Номер патента: CA1070853A. Автор: Louis N. Pomante. Владелец: Solid State Scientific Inc. Дата публикации: 1980-01-29.

High efficiency lighting device and method for fabricating the same

Номер патента: US7863608B2. Автор: Ching-Fuh Lin,Cha-Hsin Chao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2011-01-04.

High efficiency lighting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100133527A1. Автор: Ching-Fuh Lin,Cha-Hsin Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Manufacturing method of patternig substrate, patterned substrate, and intermediate patterned substrate

Номер патента: US20240072127A1. Автор: Hiroshi Fukui. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing thin-film solar cells with a p-type CdTe layer

Номер патента: US09899560B2. Автор: SHOU PENG,KRISHNAKUMAR VELAPPAN. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240234143A1. Автор: Chin-Ta CHEN,Hua-Tai Lin,Han-Wei Wu,Jiann-Yuan HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing oxide semiconductor

Номер патента: US20210036224A1. Автор: Joosung KIM,Dongsu Kim,Hyungkoun CHO,Youngdae YUN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods of forming a metal-insulator-semiconductor (mis) structure and a dual contact device

Номер патента: WO2015142438A3. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-17.

Methods of forming a metal-insulator-semiconductor (mis) structure and a dual contact device

Номер патента: WO2015142438A2. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-24.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried bit-line and raised source line, and a memory array made thereby

Номер патента: US20030178668A1. Автор: Sohrab Kianian,Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240332427A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Thin film transistor, a thin film transistor array panel including the same, and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09991389B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Chul Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20130277673A1. Автор: Hyun-Sik Seo,Jong-Uk Bae,Chang-Il Ryoo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20140120659A1. Автор: Hyun-Sik Seo,Jong-Uk Bae,Chang-Il Ryoo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Display panel, thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09368634B2. Автор: Henry Wang,Xue-Hung TSAI,Chuang-Chuang Tsai,Wei-Tsung Chen,Hsiao-Wen Zan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Pixel structure and method of manufacturing a pixel structure

Номер патента: US9502573B2. Автор: Wei-Jen Chang,Wan-Yu Lo,Po-Hsueh Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having different types of thin film transistors

Номер патента: US09941413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Pixel structure and method of manufacturing a pixel structure

Номер патента: US09905578B2. Автор: Wei-Jen Chang,Wan-Yu Lo,Po-Hsueh Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240030304A1. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11804530B2. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor

Номер патента: US09735284B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11996416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768280B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20180301561A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Non-planar transistor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12051733B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-planar transistor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347615A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379829A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Metal oxide thin film transistor and a preparation method thereof

Номер патента: US9960260B2. Автор: Miao Xu,Ying Guo,Lang WANG,Dongxiang Luo,Hongmeng LI,Jiawei PANG. Владелец: Guang Zhou New Vision Opto-Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Metal oxide thin film transistor and a preparation method thereof

Номер патента: US20160133729A1. Автор: Miao Xu,Ying Guo,Lang WANG,Dongxiang Luo,Hongmeng LI,Jiawei PANG. Владелец: Guang Zhou New Vision Opto-Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080064151A1. Автор: Woo-Young So. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display panel having the same

Номер патента: US09478667B2. Автор: Masataka Kano,Sung-Hoon Yang,Jun Hyung LIM,Myoung Hwa KIM,Ji Hun LIM,Yeon Keon Moon,So Young Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Co-planar thin film transistor having additional source/drain insulation layer

Номер патента: EP1743382A1. Автор: Kenneth R. Whight,Ian D. French. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-17.

Semiconductor device, display device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09755036B2. Автор: Tadayoshi Miyamoto,Kazuhide Tomiyasu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor and method of making same

Номер патента: US09576990B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin,Chih-Lung Lee,Po-Li Shih. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210265506A1. Автор: Sangwoo SOHN,Sangwon Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Electronic device and a process for forming the electronic device

Номер патента: WO2007106646A3. Автор: Venkat R Kolagunta,Mariam G Sadaka,Victor H Vartanian,William J Talyor. Владелец: William J Talyor. Дата публикации: 2008-10-23.

Soi semiconductor device with body contact and method thereof

Номер патента: US20080254586A1. Автор: Dharmesh Jawarani,Byoung W. Min. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Electronic device and a process for forming the electronic device

Номер патента: WO2007106646A2. Автор: Mariam G. Sadaka,Victor H. Vartanian,Venkat R. Kolagunta,William J. Talyor. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device including gate separation region

Номер патента: US20240203988A1. Автор: Sun Ki MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369511A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit devices including intergate spacer and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240371880A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09391096B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Hirokazu Watanabe,Daisuke Matsubayashi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343838A1. Автор: Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Pixel structure and method of manufacturing a pixel structure

Номер патента: US20140014945A1. Автор: Wei-Jen Chang,Wan-Yu Lo,Po-Hsueh Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093795A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11978795B2. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for forming metal chalcogenide thin films on a semiconductor device

Номер патента: US09711396B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Eugene Givens,Fu Tang,Jacob Huffman Woodruff. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322034A1. Автор: Keita AOYAMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Graphene layer for low resistance contacts and damascene interconnects

Номер патента: US12136570B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Tzer-Min Shen,Cheng-Ming Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250031A1. Автор: Sanghyun Lee,Hongsik SHIN,Youngmook Oh,Hakyoon AHN,Seonghan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US09735016B2. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627548B2. Автор: Dong Hee Lee,Gwang Min CHA,Sang Woo Sohn,Sang Won SHIN,Hyun Ju KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634099B2. Автор: Jui-Chun Chang,Shang-Hui Tu,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor device and photosensitive device

Номер патента: US20240047599A1. Автор: Zhiwei Tan. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859428B1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11830914B2. Автор: Jeong Mok Ha,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US10529866B2. Автор: Elizabeth Kho Ching Tee,Alexander Dietrich Holke,Steven John Pilkington,Deb Kumar Pal. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2020-01-07.

Graphene base transistor and method for making the same

Номер патента: US09590045B2. Автор: Andre Wolff,Christian Wenger,Wolfgang Mehr,Grzegorz Lupina,Gunther Lippert,Chafik Meliani,Jaroslaw Dabrowski,Mindaugas Lukosius. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120025294A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Graphene layer for low resistance contacts and damascene interconnects

Номер патента: US20220285221A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Tzer-Min Shen,Cheng-Ming Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140021528A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11948888B2. Автор: Sanghyun Lee,Hongsik SHIN,Youngmook Oh,Hakyoon AHN,Seonghan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140077292A1. Автор: Hideki Okumura,Takuya Nogami,Takahiro Kawano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device including ferroelectric layer and metal particles embedded in metal-organic framework layer

Номер патента: US11818895B2. Автор: Won Tae KOO,Jae Gil Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device with anti-fuse memory element

Номер патента: US09837424B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722030B1. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor power device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411515A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US20190244961A1. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20210057574A1. Автор: Hiroaki Katou,Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9466607B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US20170301676A1. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-19.

Non-volatile memory device having a vertical structure and method of fabricating the same

Номер патента: US8994091B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Ki-Hyun Hwang,Jin-Gyun Kim,Koong-Hyun Nam,Hun-Hyeong Lim,Dong-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200144105A1. Автор: Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12120884B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Chia-Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of producing a transistor with an insulated control electrode

Номер патента: US3690945A. Автор: Max Kuisl. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1972-09-12.

Bonded structure including a performance-optimized support chip and a stress-optimized three-dimensional memory chip and method for making the same

Номер патента: WO2020146055A1. Автор: Tetsuya Shirasu,Akio Nishida,Yuji Fukano,Naohiro Hosoda,Kazuma Shimamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972717B2. Автор: Dong-Suk Shin,Si-Hyung Lee,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong,Geo-Myung SHIN,Seo-Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Transistor, method of fabricating the same and organic light emitting display including the transistor

Номер патента: US20070262314A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Takashi Noguchi,Hyuck Lim,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-15.

Apparatus and method for reducing photo leakage current for tft lcd

Номер патента: US20120126235A1. Автор: Ching-Chieh Shih,Feng-Yuan Gan,Tsung-Yi Hsu,Yeong-Shyang Lee. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having an effective use of the conductive layer formed in the same process as one electrode

Номер патента: US09917115B2. Автор: Hideki Matsukura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having an effective use of the conductive layer formed in the same process as one electrode

Номер патента: US09461178B2. Автор: Hideki Matsukura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US09614099B2. Автор: Hajime Yamaguchi,Tomomasa Ueda,Masaki Atsuta,Kentaro Miura,Shintaro Nakano,Tatsunori Sakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

A spin coating composition comprising a carbon material, a metal organic compound, and solvent, and a manufacturing method of a metal oxide film above a substrate

Номер патента: US20230236509A1. Автор: Takashi Sekito,Joon Yeon Cho. Владелец: EMD Performance Materials Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

A method of forming electrical conductors on an insulating substrate

Номер патента: GB2213319A. Автор: Roy Charles Winter,Gillian Denise Kellet. Владелец: Marconi Electronic Devices Ltd. Дата публикации: 1989-08-09.

Semiconductor element comprising a MIM capacitor and a via hole, a bottom of the via hole being placed between a rear surface of a source electrode and a rear surface of a barrier metal layer

Номер патента: US11881516B2. Автор: Kohei Nishiguchi,Kohei Miki,Shinichi Miyakuni. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Microelectronic device fabricating method, method of forming a pair of conductive device components of different base widths from a common deposited conductive layer, and integrated circuitry

Номер патента: US6894368B2. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Metal layer protection during wet etching

Номер патента: US20240250147A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09679898B2. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods for manufacturing a semiconductor device having a metal oxide layer with a concentration gradient of oxygen and an insulating layer with excess oxygen

Номер патента: US11817508B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device, inverter circuit, and vehicle

Номер патента: US09728608B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09711515B1. Автор: Masaru Kito,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466704B2. Автор: Changseok Kang,Sung-Il Chang,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241107A1. Автор: Jin Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060017165A1. Автор: Yueh-Chuan Lee,Fang-Yu Yeh,Bai-rou Ni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040121166A1. Автор: Yueh-Chuan Lee,Fang-Yu Yeh,Bai-rou Ni. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130099361A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20030006458A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor substrate and a display device incorporating the semiconductor substrate

Номер патента: US20240160077A1. Автор: Hirotaka Hayashi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Field-effect transistor, display element, display, system, and method of manufacturing field-effective transistor

Номер патента: US20170141237A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Electro-optical device, and method of manufacturing electro-optical device

Номер патента: US20200133086A1. Автор: Satoshi Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240072151A1. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120015508A1. Автор: Shinya Iwasaki,Akira Kamei. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US09825144B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, production method and production device thereof

Номер патента: US7679148B2. Автор: Hirohito Watanabe,Toru Tatsumi,Shinji Fujieda,Heiji Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

SiC semiconductor device

Номер патента: US11916112B2. Автор: Yuki Nakano,Yasuhiro Kawakami,Masaya Ueno,Sawa Haruyama,Seiya Nakazawa,Yasunori Kutsuma. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Ultra-high voltage sige hbt device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130328108A1. Автор: FAN CHEN,Jing Shi,Jun Hu,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Wenting Duan. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Method of making an oxide isolated, lateral bipolar transistor

Номер патента: US5070030A. Автор: Kyusaku Nishioka,Tatsuhiko Ikeda,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-12-03.

Display device comprising a tft with a barrier metal formed of a first layer and a second layer wherein an amount of oxygen in the first layer is larger than in the second layer

Номер патента: US20140340606A1. Автор: Hiroaki Asuma,Makoto Kurita,Eiji Oue,Katsumi Nakayashiki,Jun Gotoh,Taro Asai. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917108B2. Автор: Eun Jeong Cho,Jung Yun Jo,Ki Seong Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240079502A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US11929412B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Iguchi,Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Metal layer protection during wet etching

Номер патента: US20230420540A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Metal layer protection during wet etching

Номер патента: US11984491B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299212A1. Автор: Hiroshi Kono,Katsuhisa Tanaka,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Schottky diode structure and method of fabrication

Номер патента: US09711601B2. Автор: Stefaan Decoutere,Nicolo Ronchi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, power circuit, and computer

Номер патента: US11894452B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Akira Mukai,Masahiko Kuraguchi,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Cmos device, method of manufacturing cmos device, and semiconductor memory device including cmos device

Номер патента: US20240074175A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, power circuit, and computer

Номер патента: US20220102544A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Akira Mukai,Masahiko Kuraguchi,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Display device and method for manufacturing the display device

Номер патента: US11392004B2. Автор: Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor device

Номер патента: US11935963B2. Автор: Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US11791406B2. Автор: Kenichi Ishii. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Vertical III-nitride semiconductor device with a vertically formed two dimensional electron gas

Номер патента: US09490357B2. Автор: Karim S. Boutros,Andrea Corrion,Sameh G. Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device including resistance change layer and metal particle-embedded metal-organic framework layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230292636A1. Автор: Won Tae KOO,Woo Cheol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Structure with a metal silicide trasparent conductive electrode and a method of forming the structure

Номер патента: US20150357512A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Daniel S. Vanslette,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of forming a solder interconnection capable of sustained high power levels between a semiconductor device and a supporting substrate

Номер патента: US4360142A. Автор: Charles Carpenter,Joseph F. Fugardi,Lawrence V. Gregor,Peter S. Grosewald,Morton D. Reeber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-11-23.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20200295007A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20190181142A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20210343719A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Devices having a transistor and a capacitor along a common horizontal level, and methods of forming devices

Номер патента: EP3682477A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Chip scale package camera module with glass interposer having lateral conductive traces between a first and second glass layer and method for making the same

Номер патента: US09997554B2. Автор: Wee Chin Judy Lim,Jean-Michel GREBET. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for the production of an optoelectronic module including a support comprising a metal substrate, a dielectric coating and a conductive layer

Номер патента: US20180005905A1. Автор: Philippe Guaino. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of cooling an electrical device using a heat sink attached to a circuit board containing heat conductive layers and channels

Номер патента: US5339519A. Автор: G. Clark Fortune. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1994-08-23.

Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing

Номер патента: US8581287B2. Автор: Kazuhiko Ueno,Toshihiro Seko,Kosaburo ITO,Soji Owada,Takeshi WARAGAYA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Assembly comprising a support element and a chip, support element, method for shielding, and method for protecting

Номер патента: US20080129394A1. Автор: Jens Kissing,Dietolf Seippel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of manufacturing capacitor array

Номер патента: US12034034B2. Автор: Yu-Shan Wu,Zhi-Xuan Shen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing capacitor array

Номер патента: US20230238424A1. Автор: Yu-Shan Wu,Zhi-Xuan Shen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of forming contact structure, method of fabricating semiconductor device, contact structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230231027A1. Автор: Jae Woo Lee,Hyun Seok Lee,Ka-Hyun KIM,Joon-Ho OH. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of CBNU. Дата публикации: 2023-07-20.

Manufacturing method of circuitry including planar diode

Номер патента: US20240145574A1. Автор: Kazuo Uchida,Yuji Takeda,Shinji Nozaki,Minoru Furukawa. Владелец: Space Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240072043A1. Автор: Koji Tanaka,Hidenori Fujii,Sho Tanaka,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200075622A1. Автор: Satoshi Nagashima,Yumi Nakajima,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Power device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4250369A2. Автор: Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Power device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4250369A3. Автор: Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220310829A1. Автор: Akihiko Furukawa,Koichi Nishi,Tetsuya Nitta,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device having contact plug in two dielectric layers and two etch stop layers

Номер патента: US09673100B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Shih-Fang Tzou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of fabricating gate structure

Номер патента: US7709316B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Shu-Yen Chan,Yun-Ren Wang,Ying-Wei Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-05-04.

Heterojunction semiconductor device with low on-resistance

Номер патента: US20220069115A1. Автор: Li Lu,Chi Zhang,Guipeng Sun,Shengli Lu,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of forming a through-substrate via and a semiconductor device comprising a through-substrate via

Номер патента: WO2019193067A1. Автор: Jörg Siegert,Jochen Kraft,Franz Schrank,Georg Parteder,Stefan Jessenig. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Package structure with an embedded electronic component and method of fabricating the package structure

Номер патента: US09716060B2. Автор: Wei-Chung Hsiao,Chun-Hsien Lin,Chia-Cheng Chen,Ming-Chen Sun,Tzu-Chieh Shen,Shih-Chao Chiu,Yu-Cheng Pai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Via structure and method thereof

Номер патента: US09448401B2. Автор: Niklas Svedin,Thorbjörn Ebefors,Edvard Kalvesten,Peter ÅGREN. Владелец: SILEX MICROSYSTEMS AB. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Hybrid substrates, semiconductor packages including the same and methods for fabricating semiconductor packages

Номер патента: US09620494B2. Автор: Chulwoo Kim,Daewoo SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Hybrid substrates, semiconductor packages including the same and methods for fabricating semiconductor packages

Номер патента: US09460937B2. Автор: Chulwoo Kim,Daewoo SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Antenna-integrated high-frequency semiconductor package and method of manufacturing same

Номер патента: US20240282724A1. Автор: Dong Su Kim,Jong Min YOOK,Je In YU. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090014830A1. Автор: Min-Hyung Lee,Oh-Jin Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203831A1. Автор: Young Woo Kim,Jin Kyu Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Yun Suk NAM,Hidenobu Fukutome,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Resonator Device And Method For Manufacturing Resonator Device

Номер патента: US20220239274A1. Автор: Yusuke Matsuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US7696043B2. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Method of manufacturing semiconductor electrode and semiconductor device provided with electrodes manufactured by the method

Номер патента: US20040033683A1. Автор: Kenji Tanaka,Hirofumi Koike,Kazuya Suzuki,Kouichi Asai,Kazutoshi Sakai,Shunji Yoshikane. Владелец: Fuji Machine Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device and method of forming protection and support structure for conductive interconnect structure

Номер патента: US09484259B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Wafer-level chip scale package and method for fabricating and using the same

Номер патента: WO2005008724A3. Автор: Sang-Do Lee,Ji-Hwan Kim,Rajeev Joshi,Min-hyo Park,Yoon-Hwa Choi,Chung-Li Wu. Владелец: Chung-Li Wu. Дата публикации: 2009-03-26.

Method and apparatus for back end of line semiconductor device processing

Номер патента: US09627250B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of embedding thermally conductive layer in interconnect structure for heat dissipation

Номер патента: US09443828B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Sleeve insulators and semiconductor device including the same

Номер патента: US20110254163A1. Автор: Howard E. Rhodes,Philip J. Ireland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160005745A1. Автор: Jong Man KIM,Won Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09634016B2. Автор: Jong Man KIM,Won Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of forming substrate including embedded component with symmetrical structure

Номер патента: US9837484B2. Автор: Sungsoo Kim,JinHee Jung,Hyungsang PARK. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Interconnect structure to reduce contact resistance, electronic device including the same, and method of manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US20220173221A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN,Changseok Lee,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG,Taejin CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and method of fabrication thereof

Номер патента: US20180151511A1. Автор: Jian-Hong Lin,Tzu-Li Lee,Yu-Ching Lee,Kuo-Yen Liu,Hsin-Chun Chang,Yih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09613979B2. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240105504A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Chia-Shen LIU,Wen-Hua WEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11990365B2. Автор: Ying-Hao Chen,Kao-Tsair Tsai,Chang-Ju HO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Low resistance multi-layer electrode for phase change memory and methods of making the same

Номер патента: US11758831B2. Автор: Takashi Kobayashi,Takuya Futase. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765982B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200136015A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Power semiconductor device, preparation method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: EP4383323A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Package structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230307338A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chia-Hsiang Lin,Chien-Tung Yu,Chi-Pu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of producing ferroelectric capacitor

Номер патента: US20060046316A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-02.

Etching composition for metal nitride layer and etching method using the same

Номер патента: US12031077B2. Автор: Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Seok Hyeon NAM. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842854B2. Автор: Shingo Honda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods of forming wiring structures and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09666478B2. Автор: Nae-in Lee,Thomas Oszinda,Sang-hoon Ahn,Tae-Jin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Metal interconnection structure of a semiconductor device having low resistance and method of fabricating the same

Номер патента: US7714440B2. Автор: In Cheol Ryu,Sung-gon Jin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-11.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11935895B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050189584A1. Автор: Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200045816A1. Автор: Ker-Yih Kao,Chia-Ping TSENG,Po-Yun HSU. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Power semiconductor device, method for preparing power semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240243022A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having an insulating sheet and a conductive film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080612B2. Автор: Katsumi Taniguchi,Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20240030176A1. Автор: Ji-Yong Park,Jeong Hyun Lee,Choon Bin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of forming bit line contact via

Номер патента: US20040198008A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tzu-Ching Tsai,Hui-Min Mao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11742372B2. Автор: Nobutaka Ukigaya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120100658A1. Автор: Jong-Won Choi,Jun-Seok Yang,Sung-Hyun Yoon,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

Package with metal-insulator-metal capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960106B2. Автор: Der-Chyang Yeh,Shuo-Mao Chen,Chiung-Han Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09812352B2. Автор: Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of making a large scale integrated device having a planar surface

Номер патента: CA1088382A. Автор: Ekkehard F. Miersch,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-28.

Method of forming through silicon via of semiconductor device using low-K dielectric material

Номер патента: US8872354B2. Автор: Han Kyu-hee,Byung-hee Kim,Jang-Hee Lee,Kyoung-Hee Kim,Byung-lyul Park,Sang-hoon Ahn,Jong-min Beak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-28.

Method of manufacturing semiconductor structure having dummy pattern around array area

Номер патента: US11557549B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-01-17.

Method of manufacturing semiconductor structure having dummy pattern around array area

Номер патента: US20220122928A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Gap filling method and method for forming semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7855145B2. Автор: Sung-Lae Cho,Choong-Man Lee,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park,Sang-Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-21.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150311150A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method of semiconductor chip, and kit

Номер патента: US11914300B2. Автор: Tetsuya Kamimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Soi substrate and method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20120098086A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Maki Togawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

Method of fabricating package structure

Номер патента: US20230360995A1. Автор: Szu-Wei Lu,Chih-hao Chen,Chin-Fu Kao,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Manufacturing method of semiconductor chip, and kit

Номер патента: US20240152055A1. Автор: Tetsuya Kamimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159980A1. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device with through semiconductor via and method for fabricating the same

Номер патента: US20220310580A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210159184A1. Автор: Naganivetha Thiyagarajah,Suk Hee JANG,Hyunwoo YANG,De Wei Shawn WONG. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Microelectronic build-up layers and methods of forming the same

Номер патента: EP3259774A1. Автор: Yonggang Li,Trina Ghosh Dastidar,Brandon C. MARIN,Dilan Seneviratne. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-27.

Structure formation in a semiconductor device

Номер патента: US12068363B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210134666A1. Автор: Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Chi-Lin Teng,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Structure formation in a semiconductor device

Номер патента: US20240371921A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Contact structure of a wires and method manufacturing the same, and thin film transistor substrate including the contact structure and method manufacturing the same

Номер патента: US20100096176A1. Автор: Mun-Pyo Hong,Young-Joo Song,Keun-Kyu Song,Nam-Seok Roh,Kwon-Young Choi,Sang-Ki Kwak,Seung-Taek Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Wafer-level chip scale package and method for fabricating and using the same

Номер патента: WO2005008724A2. Автор: Sang-Do Lee,Ji-Hwan Kim,Rajeev Joshi,Min-hyo Park,Yoon-Hwa Choi,Chung-Li Wu. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2005-01-27.

Semiconductor structure having verticle conductive graphene and method for forming the same

Номер патента: US20230378067A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI,Tsu-Chun KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190295888A1. Автор: Takahito Nakajima,Shinya Ito,Masaru Hatano. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of forming semiconductor packages having thermal through vias (ttv)

Номер патента: US20220285241A1. Автор: Kai-Chiang Wu,Ching-Feng Yang,Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728455B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583388B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of forming stress relief layer between die and interconnect structure

Номер патента: US9006888B2. Автор: Il Kwon Shim,Seng Guan Chow,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180122654A1. Автор: Haruhiko Harada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9960055B1. Автор: Haruhiko Harada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor Vertical Wire Bonding Structure And Method

Номер патента: US20200043889A1. Автор: Han Huang,Yenheng CHEN,Chengchung LIN,Chengtar WU. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Package with Passive Devices and Method of Forming the Same

Номер патента: US20200328174A1. Автор: Der-Chyang Yeh,Shuo-Mao Chen,Li-Hsien HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Package with passive devices and method of forming the same

Номер патента: US09831200B2. Автор: Der-Chyang Yeh,Shuo-Mao Chen,Li-Hsien HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Lateral semiconductor device

Номер патента: US20140048911A1. Автор: Takashi Suzuki,Akira Yamada,Shigeki Takahashi,Norihito Tokura,Youichi Ashida,Satoshi Shiraki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Magneto-electronic devices and methods of production

Номер патента: US09461241B2. Автор: Weigang Wang,Chia-Ling Chien. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120309184A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8372709B2. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-12.

Lateral semiconductor device

Номер патента: US9240445B2. Автор: Takashi Suzuki,Akira Yamada,Shigeki Takahashi,Norihito Tokura,Youichi Ashida,Satoshi Shiraki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-01-19.

Methods of forming secured metal gate antifuse structures

Номер патента: US20140103448A1. Автор: Walid M. Hafez,Kevin D. Johnson,Zhiyong Ma,Sarvesh H. Kulkarni,Zhanping Chen,Kevin X. Zhang,Xianghong Tong,Matthew B. Pedersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-17.

Organic light emitting diode display with improved on-current, and method for manufacturing the same

Номер патента: US8232123B2. Автор: Jong-Moo Huh,Joon-hoo Choi,Kyu-Sik Cho,Byoung-Seong JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-31.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120262433A1. Автор: Jong-Moo Huh,Joon-hoo Choi,Kyu-Sik Cho,Byoung-Seong JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device of sic with insulating layer and a refractory metal nitride layer

Номер патента: WO1999026292A3. Автор: Christopher Harris,Erik Danielsson. Владелец: Erik Danielsson. Дата публикации: 1999-07-29.

Semiconductor device with reduced potential between adjacent floating regions

Номер патента: US8772903B2. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor wafer, semiconductor device, and method of producing semiconductor wafer

Номер патента: US20140008698A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Masao Shimada,Masahiko Hata,Tomoyuki Takada,Sadanori Yamanaka,Taro Itatani,Eiji Kume. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-09.

Electrical connector having a molded metal support receiving a contact module and a metallic outer cover secured to the support through interposed molded insulators and method of making same

Номер патента: US11677197B2. Автор: Ding-Cherng Chen. Владелец: Foxconn Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Electrical connector having a molded metal support receiving a contact module and a metallic outer cover secured to the support through interposed molded insulators and method of making same

Номер патента: US20210408741A1. Автор: Ding-Cherng Chen. Владелец: Foxconn Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Single-layer and multilayer graphene, method of manufacturing the same, object including the same, and electric device including the same

Номер патента: US20220223866A1. Автор: Takeshi Osada,Toshihiko Takeuchi,Kuniharu Nomoto,Teppei Oguni. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Single-layer and multilayer graphene, method of manufacturing the same, object including the same, and electric device including the same

Номер патента: US20200259179A1. Автор: Takeshi Osada,Toshihiko Takeuchi,Kuniharu Nomoto,Teppei Oguni. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Single-layer and multilayer graphene, method of manufacturing the same, object including the same, and electric device including the same

Номер патента: US20230352687A1. Автор: Takeshi Osada,Toshihiko Takeuchi,Kuniharu Nomoto,Teppei Oguni. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Insulating member, method for manufacturing insulating member, and method for manufacturing cylindrical battery comprising insulating member

Номер патента: EP3618159A1. Автор: Byoung Gu Lee,Do Gyun Kim,Hang Soo Shin,Sang Sok Jung,Byoung Kook Lee,Chan Bae Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Method of making power cable with thermoplastic electric insulating layer

Номер патента: RU2590904C1. Автор: Габриеле ПЕРЕГО. Владелец: Призмиан С.П.А.. Дата публикации: 2016-07-10.

Structure including a thin-film layer and flash-sintering method of forming same

Номер патента: US20200087211A1. Автор: Rishi Raj,Niriaina Andriamady,Thomas Clemenceau,Shikhar Jha. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2020-03-19.

Porous structure, insulating layer, electrode, power storage element, method for manufacturing porous structure, apparatus for manufacturing porous structure, carrier, separation layer, and reaction layer

Номер патента: US11811072B2. Автор: Naoki Sugihara,Daisuke NOSE,Keigo TAKAUJI,Miku OHKIMOTO,Toru Ushirogochi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Composite compound additives including a metal oxide-containing sub-compound and a tungsten-containing sub-compound for fuel cells

Номер патента: US20240170703A1. Автор: Ruichun Jiang,Zhongyi Liu,Nicholas P.W. Pieczonka. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Transition between a central contact of a coaxial component and a transmission line, in particular a radio-frequency transmission line

Номер патента: US20240347888A1. Автор: Fleury GRANDJEAN,Youssef DAHMANI. Владелец: RADIALL SA. Дата публикации: 2024-10-17.

An extrusion die, methods of coating a wire core, and a coated wire by the extrusion die and methods

Номер патента: WO2008098175A3. Автор: Xin Kong,Xiucuo Li,Weiguang Yao,James J Xu,Oliver Guise. Владелец: Oliver Guise. Дата публикации: 2009-02-12.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160276585A1. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn,H.S. Philip Wong. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-09-22.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20190139924A1. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

[method of fabricating a thin film transistor array panelsubstrate]

Номер патента: US20040191968A1. Автор: Ko-Chin Yang. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Micro-fabricated integrated coil and magnetic circuit and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09607748B2. Автор: Robert L. Borwick, III,Jeffrey F. DeNatale,Philip A. Stupar,Rahul Ganguli,Vivek Mehrotra,Robert E. Mihailovich,Alex P. Papavasiliou. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Organic EL display device and method of manufacturing an organic EL display device

Номер патента: US09773992B2. Автор: Hirohisa Tanaka,Satoshi Maruyama,Takanobu Takenaka,Masakazu Kaida,Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of fabricating metal-insulator-metal capacitor and metal-insulator-metal capacitor manufactured by the method

Номер патента: US7732296B2. Автор: Min-Woo Song,Jung-min Park,Seok-jun Won,Yong-kuk Jeong,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-08.

Catheter die and method of fabricating the same

Номер патента: US20130220972A1. Автор: Sisira Kankanam Gamage. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor Device and Method of Forming Bump Structure with Insulating Buffer Layer to Reduce Stress on Semiconductor Wafer

Номер патента: US20120217640A1. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Vertical electro-optical component and method of fabricating the same

Номер патента: US20140209883A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Yu-Chiang Chao,Hsiao-Wen Zan,Wu-Wei Tsai. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-07-31.

Vertical electro-optical component and method of fabricating the same

Номер патента: US9331294B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Yu-Chiang Chao,Hsiao-Wen Zan,Wu-Wei Tsai. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and method of forming bump structure with insulating buffer layer to reduce stress on semiconductor wafer

Номер патента: US09780063B2. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and method for forming the same

Номер патента: US09502494B2. Автор: Ching-Hung Huang,Chieh-Shuo Liang,Chih-Ho Tai,Po-Jung Chiang,Ying-Tsang HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated iii-v / silicon optoelectronic device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20210181546A1. Автор: Frank Peters,Guomin Yu,Aaron John ZILKIE. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of manufacturing

Номер патента: US20230326958A1. Автор: Yuan-Sheng Huang,Kaochao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Fabricating method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US20190018293A1. Автор: Yang Liu,Xianwang WEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Fabricating method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US10416507B2. Автор: Yang Liu,Xianwang WEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Method of manufacturing pram using laser interference lithography

Номер патента: US20130224908A1. Автор: Yong Tae Kim,Young Hwan Kim,Jinn Il CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2013-08-29.

Circuit module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09883587B2. Автор: Petteri Palm,Risto Tuominen,Antti Iihola. Владелец: GE EMBEDDED ELECTRONICS OY. Дата публикации: 2018-01-30.

Electronic device including laterally arranged P-type and N-type regions in a two dimensional (2D) material layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647166B2. Автор: JIA LEE,Seunghwan Lee,Minsup CHOI,Wonjong YOO,Deshun QU,Changho RA,Xiaochi LIU. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory card, printed circuit board for memory card and method of fabricating the same

Номер патента: US09867288B2. Автор: Seol Hee Lim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Light emitting diode for surface mount technology, method of manufacturing the same, and method of manufacturing light emitting diode module

Номер патента: US09859469B2. Автор: Hyun A Kim,Min Woo Kang,Jong Min JANG,Jong Hyeon Chae,Won Young Roh,Dae Woong SUH,Joon Sub LEE. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Fabrication method of active device array substrate

Номер патента: US20080032235A1. Автор: Chia-Ming Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-02-07.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200175933A1. Автор: Huai Liang He. Владелец: HKC Corporation Limited. Дата публикации: 2020-06-04.

Organic el element and method for production thereof

Номер патента: US20180097050A1. Автор: Takahiro Komatsu,Masaki Nishimura,Kazuhiro Yokota,Hideyuki Shirahase. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Foldable display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455306B2. Автор: Hyeong-Gwon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Metal-insulator-metal capacitor and a method of fabricating the same

Номер патента: US20120211866A1. Автор: Chung-Wen Chao. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Circuit part and method of manufacturing circuit part

Номер патента: US20230136337A1. Автор: Toshiyuki Kitamura,Atsushi Yusa,Akiko Kito. Владелец: Sankei Giken Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09991276B2. Автор: Masaru Kito,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit packaging system with plated copper posts and method of manufacture thereof

Номер патента: US09693455B1. Автор: Heesoo Lee,Minjung Kim,Changhwan KIM,Seong Won Park,Hun Teak Lee,GwangTae Kim,WoonJae Beak,ByungHyun Kwak. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Package structure, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US10854569B2. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20220020751A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Methods of manufacturing semiconductor device with bump interconnection

Номер патента: US12002783B2. Автор: Jun Yong Song,Kang Hun KIM,Si Yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Thin-film transistor (TFT) for driving organic light-emitting diode (OLED) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060292757A1. Автор: Yung-Fu Wu,Yu-Jung Liu,Yung-Hui Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-12-28.

Image sensors including conductive pixel separation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US09754994B2. Автор: Jongcheol Shin,Junemo Koo,Byungjun Park,Changrok Moon,Namgil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20190080979A1. Автор: Tatsuo Tonedachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: EP3485513A1. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Xue Gao,Hebin ZHAO,Shuai LIU,Bingqiang GUI,Guangdong SHI,Xiaogai Chun. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-22.

Positioning graphic component for substrate detection and method of manufacturing the same

Номер патента: US09423247B2. Автор: Dongzi Gao,Li Chai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20200312806A1. Автор: Yuji Koga,Shoji Takei. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20190312004A1. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US10510706B2. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor chip and semiconductor device including a copper pillar and an intermediate layer and a concave portion formed at one end surface of the copper pillar

Номер патента: US11961816B2. Автор: Yuji Koga,Shoji Takei. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of manufacturing a chip support board structure

Номер патента: US8887386B2. Автор: Ting-Hao Lin,Yu-Te Lu,De-Hao Lu. Владелец: Kinsus Interconnect Technology Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor chip and semiconductor device including a copper pillar and an intermediate layer

Номер патента: US20240170436A1. Автор: Yuji Koga,Shoji Takei. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of manufacturing a chip support board structure

Номер патента: US20140115888A1. Автор: Ting-Hao Lin,Yu-Te Lu,De-Hao Lu. Владелец: Kinsus Interconnect Technology Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Light emitting element and method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US20240222554A1. Автор: Dong Uk Kim,Hoo Keun PARK,Hyung Rae CHA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing display device and display device

Номер патента: US20210111303A1. Автор: Sung Jin Lee,Sang Ho Park,Tae Hoon Yang,Jin Yeong Kim,Jin Taek Kim,Mi Jin Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Foldable touch display device having an insulating layer with different thicknesses

Номер патента: US12099272B2. Автор: Kuan-Feng Lee,Yuan-Lin Wu,Jui-Jen Yueh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Organic light-emitting device, method of fabricating the same, and organic light-emitting display apparatus including the device

Номер патента: US09905616B2. Автор: Sangwoo Lee,Jihwan YOON,Hajin Song,Sangwoo Pyo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

MIM capacitor and method of fabricating same

Номер патента: US20060234443A1. Автор: Louis Hsu,Timothy Dalton,Chih-Chao Yang,Lawrence Clevenger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Organic el display device and method of manufacturing an organic el display device

Номер патента: US20160293878A1. Автор: Hirohisa Tanaka,Satoshi Maruyama,Takanobu Takenaka,Masakazu Kaida,Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Integrated III-V/silicon optoelectronic device and method of manufacture thereof

Номер патента: GB2589335A. Автор: PETERS Frank,Yu Guomin,Zilkie Aaron-John. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US20240312880A1. Автор: Kazutaka Ikeda,Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO,Yusuke KUSAKABE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Organic EL device and method for producing the same

Номер патента: US09853234B2. Автор: Kazuya Hasegawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Micro-electro mechanical systems (MEMS) device using silicon on insulator (SOI) wafer, and method of fabricating and grounding the same

Номер патента: US20040099909A1. Автор: Ki Kim,Kyu Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-27.

Wiring substrate and method for manufacturing wiring substrate

Номер патента: US9545016B2. Автор: Noriyoshi Shimizu,Kei Imafuji,Hiromu ARISAKA,Kiyoshi Ol. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Via structure and method thereof

Номер патента: US20120019886A1. Автор: Niklas Svedin,Thorbjörn Ebefors,Thomas Ericson,Edvard Kalvesten,Peter ÅGREN. Владелец: SILEX MICROSYSTEMS AB. Дата публикации: 2012-01-26.

Solid-state imaging element and solid-state imaging apparatus having a photoelectric conversion layer and a pair of electrodes

Номер патента: US10903278B2. Автор: Toyotaka Kataoka,Keisuke Hatano,Kyosuke Ito. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Thin film transistor array and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110014737A1. Автор: Hong-Sick Park,Jong-Hyun Choung,Bong-Kyun Kim,Byeong-Jin Lee,Won-Suk Shin,Joo-Ae Youn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-20.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230071284A1. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Chip substrate comprising a plated layer and chip package using the same

Номер патента: US20160380159A1. Автор: Ki Myung Nam,Young Woon JEON,Kyoung Ja Yun. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device with high integration

Номер патента: US09780114B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Storage device with contacts contacting different wiring layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US09754873B2. Автор: Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Display apparatus having auxiliary line and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722202B2. Автор: Mitsuhiro Kashiwabara,Toshiyuki Matsuura. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Chip substrate comprising a plated layer and chip package using the same

Номер патента: US09595642B2. Автор: Ki Myung Nam,Young Woon JEON,Kyoung Ja Yun. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing flexible substrate and flexible substrate

Номер патента: US20190123289A1. Автор: Yun Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237479A9. Автор: Chong Sup Chang,Eui Kang HEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing organic light emitting display apparatus

Номер патента: US09997741B2. Автор: Seong-Hyun Jin,Jong-Hyun Choi,Dae-woo Lee,Dong-Hyun Lee,Guang-Hai Jin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865817B2. Автор: Hiroshi Kawanago,Kazufumi Watabe. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Support body, method of manufacturing support body, method of manufacturing wiring board, method of manufacturing electronic component, and wiring structure

Номер патента: US09763332B2. Автор: Kazuhiro Kobayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Display device including a sealing member and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583730B2. Автор: Hee Chul JEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Component built-in board and method of manufacturing the same, and mounting body

Номер патента: US09560770B2. Автор: Koji Munakata,Shin Hitaka. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory Cell with Phonon-Blocking Insulating Layer

Номер патента: US20130200476A1. Автор: WEI Tian,Zheng Gao,Yuankai Zheng,Haiwen Xi,Xiaohua Lou. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-08-08.

Pad structure and testkey structure and testing method for semiconductor device

Номер патента: US11906577B2. Автор: Le Li,Jiwei He,Linzhi LU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Bump structure and method of manufacturing bump structure

Номер патента: US20240258252A1. Автор: Ching-Yu Chang,Ming-Da Cheng,Ming-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Display device and method of manufacturing the display device

Номер патента: US20240321904A1. Автор: Jihyun Kim,Hyuneok Shin,Taewook Kang,Byungsoo So,Wooseok JEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Light-emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US12087885B2. Автор: Feng Wang,Chia-Hung CHANG,Kang-Wei Peng,Su-Hui Lin,Ling-yuan HONG,Sheng-Hsien Hsu,Sihe CHEN,Dazhong Chen. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905798B2. Автор: Joo-Nyung Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing flexible display

Номер патента: US09748521B2. Автор: HAYK KACHATRYAN,Taewoong Kim,Sunho Kim,Hyunwoo KOO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of testing a semiconductor-on-insulator structure and application of said test to the fabrication of such a structure

Номер патента: US09698063B2. Автор: Patrick Reynaud,Walter Schwarzenbach,Konstantin Bourdelle,Jean-Francois Gilbert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-04.

Light emitting diode chip having distributed Bragg reflector and method of fabricating the same

Номер патента: US09577157B2. Автор: Chung Hoon Lee,Sum Geun Lee,Jong Kyu Kim,So Ra LEE,Jin Cheol Shin,Sang Ki JIN. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and production method of the same semiconductor device

Номер патента: US20080258315A1. Автор: Sadayuki Okuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190139986A1. Автор: Yu-Jen Chen. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049875B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Imaging device and method for manufacturing imaging device

Номер патента: US20240008297A1. Автор: Daisuke Wakabayashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Manufacturing method of a composite photovoltaic structure

Номер патента: US20200402728A1. Автор: Shih-Wen Liao. Владелец: Ways Technical Corp Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Flip chip light emitting diode and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180212105A1. Автор: Tsau-Hua Hsieh,Jong-Jan Lee,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chang-Ho Chen,Chien-Chung Peng,Chien-Shiang Huang,Paul-John Schuele. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Vertical current controlled silicon on insulator (soi) device and method of forming same

Номер патента: EP2165364A2. Автор: Junjun Li,Souvick Mitra,Christopher Stephen Putnam,Mahmoud Mousa,Jr. Robert Gauthier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-24.

Method of manufacturing light emitting element, light emitting element, and display device including light emitting element

Номер патента: US20240243223A1. Автор: Yo Han Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Wiring substrate and method of making wiring substrate

Номер патента: US09668341B2. Автор: Noriyoshi Shimizu,Jun Furuichi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of making demountable interconnect structure

Номер патента: US09610758B2. Автор: Charles Gerard Woychik,Raymond Albert Fillion. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-04-04.

System and method for optical amplification

Номер патента: US09559495B1. Автор: Steven E. Koenck,Robert G. Brown,David W. Jensen. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing an electromechanical transducer

Номер патента: US20130071964A1. Автор: Ayako Kato,Kazutoshi Torashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

Photoelectrodes and methods of making and use thereof

Номер патента: US20240194802A1. Автор: Li Ji,Edward T. Yu,Soonil Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-06-13.

Buried junction mos memory capacitor target for electron beam addressable memory and method of using same

Номер патента: CA1104722A. Автор: Floyd O. Arntz. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1981-07-07.

Circuit module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160212855A1. Автор: Petteri Palm,Risto Tuominen,Antti Iihola. Владелец: GE EMBEDDED ELECTRONICS OY. Дата публикации: 2016-07-21.

Circuit module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150348878A1. Автор: Petteri Palm,Risto Tuominen,Antti Iihola. Владелец: GE EMBEDDED ELECTRONICS OY. Дата публикации: 2015-12-03.

Display device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180026081A1. Автор: Junghyun Kim,Joosun Yoon,Sungeun Lee,Jintaek Kim,Kiwan Ahn,Kwangyoung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Ceramics-metal bonded body and method of manufacturing same, and multi-piece ceramics-metal bonded body and method of manufacturing same

Номер патента: EP3780917A1. Автор: Koya Arai,Masahito Komasaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-02-17.

Semiconductor device including selector layer

Номер патента: US20230301095A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Ceramic-metal joined body and method of manufacturing the same, and multi-piece ceramic-metal joined body and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210107837A1. Автор: Koya Arai,Masahito Komasaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductcor device, and electronic device

Номер патента: US20180182854A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Photoactive devices with improved distribution of charge carriers, and methods of forming same

Номер патента: US20130285015A1. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-10-31.

Solar cell assembly and method of manufacturing solar cell

Номер патента: US20200313020A1. Автор: Masayuki Katagiri,Toshiyuki Sakuma,Kazuya Murata,Akinao Kitahara,Akiyoshi Ogane. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US20200395509A1. Автор: Hirofumi NISHIYAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US11791440B2. Автор: Hirofumi NISHIYAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Light emitting element ink, display device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US12046702B2. Автор: Sang Hoon Park,Sung Jae YUN,Hang Jae Lee,Yuk Hyun NAM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230209951A1. Автор: Hee Tae Lim,Se Jin Kim,Kang Hyun KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Flexible inorganic microled display device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230238476A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Goutham EZHILARASU. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20200235117A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Hisashi Harada,Soichi Yamazaki,Jun Nishimura,Kei Watanabe,Hideyuki Kinoshita,Keisuke Kikutani,Tomo Hasegawa,Kosuke HORIBE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of manufacturing organic el element, organic el element, organic el apparatus, and electronic device

Номер патента: US20150060828A1. Автор: Shotaro Watanabe,Takumi Sago,Kohei Ishida,Seiichi Tanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09971160B2. Автор: Jinseung SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Computer program product and method of controlling polishing of a substrate

Номер патента: US09573242B2. Автор: Jeffrey Drue David. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Photodiode and method of manufacturing the same, and X-ray detector and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570645B2. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508730B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of manufacturing organic EL element, organic EL element, organic EL apparatus, and electronic device

Номер патента: US09490456B2. Автор: Shotaro Watanabe,Takumi Sago,Kohei Ishida,Seiichi Tanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof and manufacturing method of display device

Номер патента: US11955587B2. Автор: Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin,Chi-Hai Kuo,Jeng-Ting LI. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20170077133A1. Автор: Masaru Kito,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Image sensors including conductive pixel separation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20170062513A1. Автор: Jongcheol Shin,Junemo Koo,Byungjun Park,Changrok Moon,Namgil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of manufacturing pixel structure of liquid crystal display panel

Номер патента: US10303010B2. Автор: Yu-Chen Liu,Ya-Ju Lu,Kuo-Wei Wu. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2019-05-28.

Light emitting diodes and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120175630A1. Автор: Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050003563A1. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor device including semiconductor chip, wiring, conductive material, and contact part

Номер патента: US09842821B2. Автор: Masatoshi Tagaki,Takeshi Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device including a buffer layer structure for reducing stress

Номер патента: US09515043B2. Автор: Masatoshi Tagaki,Takeshi Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device module with solder layer

Номер патента: US09508700B2. Автор: Shoji Saito,Hideo KOMO,Takeshi Omaru. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09356165B2. Автор: Youngho Choe,Yoonsil Jin,Changseo Park,Goohwan Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-05-31.

Structure of split gate transistor for use in a non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing such a split gate transistor

Номер патента: US5691937A. Автор: Noriyuki Ohta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Electronic component with an insulating layer formed from fluorinated norbornene polymer and method for manufacturing the insulating layers

Номер патента: US20020103318A1. Автор: Alfred Haimerl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor logic device and system and method of embedded packaging of same

Номер патента: US20190157233A1. Автор: Kaustubh Ravindra Nagarkar,Raymond Albert Fillion. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20090215258A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-27.

Methods of forming electromigration and thermal gradient based fuse structures

Номер патента: US8368171B2. Автор: Jun He,Jose A. Maiz,Mark Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-02-05.

Encapsulation method of an oled and oled device

Номер патента: US20170149009A1. Автор: Deming Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Light emitting element and method of manufacturing the light emitting element

Номер патента: EP4239695A1. Автор: Jin Wan Kim,Young Jin Song,Seung Geun LEE,Sang Jo KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Three-dimensional semiconductor device having variable resistance structure

Номер патента: US12063795B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Encapsulation method of an OLED and OLED device

Номер патента: US09985243B2. Автор: Deming Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

High stack 3D memory and method of making

Номер патента: US09666590B2. Автор: Johann Alsmeier,Henry Chien,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Nitride nanowires and method of producing such

Номер патента: US09660136B2. Автор: Jonas Ohlsson,Werner Seifert,Lars Ivar Samuelson,Zhaoxia Bi,Damir Asoli. Владелец: QUNANO AB. Дата публикации: 2017-05-23.

Resin composition, insulating sheet with base, prepreg, multilayer printed wiring board and semiconductor device

Номер патента: MY154599A. Автор: Kimura Michio. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2015-06-30.

Metallic laminate and manufacturing method of light emitting diode package using the same

Номер патента: US8481171B2. Автор: Myung Gun Chong,Cheol Ho Heo,Sang Hyuk Son,Dae Hyung You. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-09.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096903A1. Автор: VEIDHES Basrur,Ki Nyeng Kang,Yong Tae Cho,Jin Taek Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US4953000A. Автор: Masayoshi Murata,Osamu Hamamoto,Katsumi Komiyama,Noriyuki Kaifu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1990-08-28.

Semiconductor device

Номер патента: US12125943B2. Автор: Huan-Yu LAI,Li-Chi PENG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Device package substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110062533A1. Автор: Seung Wook Park,Young Do Kweon,Hyung Jin Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230411577A1. Автор: Sang Hyun Lee,Ju Won Yoon,Jung Hun NOH,Jae Gwang Um,Hyung Il Jeon,Ki Seong Seo,So Yeon YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Display apparatus having flourine at interfaces of semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US11825704B2. Автор: Moonsung Kim,Sooim JEONG,Jaebum Han,Younggil PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Light-emitting diode element and method for manufacturing display apparatus

Номер патента: US20230378409A1. Автор: Shih-Hsiung Lin,Yang-En Wu. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200168681A1. Автор: Yangho Jung,Jungi KIM,Bogeon JEON,Seonhwa Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Display device and method of manufacturing display device

Номер патента: US20200066826A1. Автор: Tae Young Kim,Jongwoo PARK,Hyojung KIM,Youn Jae JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Apparatus including air gap in scribe region of semiconductor device

Номер патента: US20240243077A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Stress-releasing solder mask pattern for semiconductor devices and related systems and methods

Номер патента: US20240057265A1. Автор: Ling Pan,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of automatically generating the structures from mask layout

Номер патента: WO2005076165A1. Автор: Tae Young Won,Sang Ho Yoon. Владелец: Sanayi System Co., Ltd.. Дата публикации: 2005-08-18.

Method of automatically generating the structures from mask layout

Номер патента: EP1711907A1. Автор: Tae Young Won,Sang Ho Yoon. Владелец: SANAYI SYSTEM CO Ltd YOON SANG HO. Дата публикации: 2006-10-18.

Method of automatically generating the structures from mask layout

Номер патента: EP1711907A4. Автор: Tae Young Won,Sang Ho Yoon. Владелец: SANAYI SYSTEM CO Ltd YOON SANG. Дата публикации: 2007-03-14.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, display unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09502492B2. Автор: Naobumi Toyomura,Yasuhiro Terai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Package for a microwave semiconductor device

Номер патента: US4672151A. Автор: Shigeyuki Yamamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-06-09.

Method of forming metal contact pads and terminals on semiconductor chips

Номер патента: US5137845A. Автор: Georges Robert,Henri Lochon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Multilayer capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312708A1. Автор: Yun Hee Kim,Min Jung Cho,Yun Sung Kang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor light-emitting element, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, and semiconductor device

Номер патента: US20150255950A1. Автор: Kota Tokuda,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Smart heating cable, having smart function and method of this cable manufacturing

Номер патента: RU2576515C2. Автор: Ван-Соо Ли. Владелец: Джинсун Етс. Дата публикации: 2016-03-10.

Connection structure of ground-free cable and connection method of ground-free cable

Номер патента: US20240195101A1. Автор: Jinchuang LAN. Владелец: Dongguan Luxshare Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of making an integrally gated carbon nanotube field ionizer device

Номер патента: US20090224225A1. Автор: Jonathan L. Shaw,David S.Y. Hsu. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2009-09-10.

Electrode, non-aqueous power storage element, and method of manufacturing electrode

Номер патента: WO2024194743A1. Автор: Takuya Saiga,Hiroki Hagiwara,Daisuke NOSE,Keigo TAKAUJI,Miku OHKIMOTO. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2024-09-26.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C2. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2015-08-10.

Synthetic method of suppressing metal nano-particle from having oxidized film and method of manufacturing conductive metal thin film via solution-processed

Номер патента: US09986638B2. Автор: Su Hyun Lee,Young Min Choi,Sun Ho JEONG,Beyong Hwang Ryu,Yeong Hui Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-29.

Insulated electrical wire and method of manufacturing insulated electrical wire

Номер патента: US12080448B2. Автор: Yuki Honda,Hajime Nishi,Takami Ushiwata,Ikumi ANDO. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Large area thin film capacitors on metal foils and methods of manufacturing same

Номер патента: WO2009117544A1. Автор: Seigi Suh,William J. Borland,Esther Kim,Cengiz Ahmet Palanduz. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2009-09-24.

Large area thin film capacitors on metal foils and methods of manufacturing same

Номер патента: EP2258151A1. Автор: Seigi Suh,William J. Borland,Esther Kim,Cengiz Ahmet Palanduz. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2010-12-08.

Electrical connector having inserted insulator and method of making the same

Номер патента: US09748712B2. Автор: Cai-Yun Zhang,Jing-Jie Guo. Владелец: Foxconn Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Multilayer accumulator battery and method of its production

Номер патента: RU2483395C1. Автор: Риуити АМАГАИ,Масаюки НАКАМУРА. Владелец: Кальсоник Кансей Корпорейшн. Дата публикации: 2013-05-27.

Composite current collector, method of making the same, and battery thereof

Номер патента: US20240038999A1. Автор: Sui-Ho Tsai. Владелец: Aplus Semiconductor Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Electrical component of a subsea connector and method of manufacture therefore

Номер патента: US11923648B2. Автор: Wesley Barrett,Alan Crichton,Steven Fitton. Владелец: Siemens Energy Global &co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-03-05.

Field emission display and junction method of spacer in the same

Номер патента: US6716079B2. Автор: Il Sup Jin,Young Hwan Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-04-06.

Method of manufacturing triode carbon nanotube field emitter array

Номер патента: EP1221710A3. Автор: Hang-woo Lee,Nae-sung Lee,Shang-hyeun Park,Deuk-seok 241-804 Hwanggol Ssangyong Apt. Chung,Jong-min 641-1802 Shinnamushil Shinwon Apt. Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-27.

Photoelectrodes and methods of making and use thereof

Номер патента: CA3215037A1. Автор: Li Ji,Edward T. Yu,Soonil Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2022-11-10.

Inductor component and method of manufacturing inductor component

Номер патента: US20230187123A1. Автор: Yoshimasa Yoshioka,Tomomi Higashiyama,Momoka Hori. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Electronic component and method of manufacturing the same

Номер патента: US12094655B2. Автор: Won Hee Yoo,Han Seong Jung,Sang Moon Lee,Jae Young Na,Eun Kwang Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing an embedded magnetic component device

Номер патента: US11894176B2. Автор: Lee Francis,Scott Andrew Parish. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of manufacturing an embedded magnetic component device

Номер патента: US20230420175A1. Автор: Lee Francis,Scott Andrew Parish. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Patch antenna and method of making the same

Номер патента: US20130285278A1. Автор: Shih-Hong Chen,Chang-Hsiu Huang,Chieh-Sheng Hsu,Chi-Chung Chang. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2013-10-31.

Conducting polymer/graphene-based material composites, and methods for preparing the composites

Номер патента: US09734954B2. Автор: Jianyi Lin,Linfei LAI,Zexiang Shen. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2017-08-15.

All-solid-state secondary battery and method of preparing the same

Номер патента: EP4300614A3. Автор: Jusik Kim,Ryounghee Kim,Sewon Kim,Myungjin Lee,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Method of producing superconducting articles

Номер патента: RU2706214C2. Автор: Борис Петрович Михайлов,Валерий Яковлевич Никулин,Анастасия Сергеевна Цаплева,Елена Нинелевна Перегудова,Павел Викторович Силин,Александра Борисовна Михайлова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-11-15.

Battery cell, battery, electrical device, and manufacturing apparatus and method for battery cell

Номер патента: EP4280355A1. Автор: Qingkui Chi,Hui GU,Kun FANG,Dongsheng SUN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

METHOD OF MANUFACTURING Sm-Fe-N MAGNET, Sm-Fe-N MAGNET, AND MOTOR HAVING Sm-Fe-N MAGNET

Номер патента: US20210210996A1. Автор: Hiroo Takahashi,Akihiro Nomura,Hiroki Yoshizawa,Haruki Eguchi,Natsuki Yoneyama,Osamu Harasaki,Isao Nakanowatari. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Battery cell, battery, electric device, and manufacturing device and method of battery cell

Номер патента: US20230207954A1. Автор: Qingkui Chi,Hui GU,Kun FANG,Dongsheng SUN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Noise shield cable and method of manufacturing the same

Номер патента: US09706692B2. Автор: Katsuya Akimoto,Yosuke Sumi,Katsutoshi Nakatani,Hiroshi Okikawa. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Stainless separator for fuel cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US09425450B2. Автор: Yoo Taek JEON,Kyeong Woo Chung. Владелец: Hyundai Steel Co. Дата публикации: 2016-08-23.

Field emission type cold cathode device with conical emitter electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US5739628A. Автор: Naruaki Takada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-04-14.

Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040264111A1. Автор: Yuji Mido,Koji Shimoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of manufacturing an electrical circuit on a substrate

Номер патента: WO2010136596A2. Автор: Peter L.J. Nilsson. Владелец: Brady Converting AB. Дата публикации: 2010-12-02.

Coated magnetic material and method of producing coated magnetic material

Номер патента: US20240347243A1. Автор: Satoshi Abe,Jun Akamatsu,Nobuyoshi Imaoka,Ryoya Okazaki,Jun Nishitsuji. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Positive active material for rechargeable lithium battery, method of preparing same, and rechargeable lithium battery including same

Номер патента: US09466836B2. Автор: Su-Jin Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing of a field emission element

Номер патента: RU2678192C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Александр Александрович Павлов,Сергей Николаевич Козлов,Алексей Васильевич Живихин,Евгений Павлович Кицюк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. Дата публикации: 2019-01-24.

Battery cell including a conductive layer and method of making the same

Номер патента: US20240283015A1. Автор: Mansu Park,Seung-Woo Chu,Hwanchul KIM. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus and methods of preventing power outages

Номер патента: US12051525B2. Автор: Larry MCHENRY. Владелец: Power Grid Professionals Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of forming an anchor on an insulated cable

Номер патента: US09461450B2. Автор: Kimleigh George Montague Pratley. Владелец: Pratley Investments Pty Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Neutron activator includes a metallic plate target configured to produce protons through interaction with a proton beam and method of use

Номер патента: US11430580B2. Автор: Luca Maciocco,Ilyes ZAHI. Владелец: Advanced Accelerator Applications. Дата публикации: 2022-08-30.

Method for operating an inverter and inverter comprising a switch between a center point of a DC link and a connection for a neutral conductor of an AC grid

Номер патента: US09923483B2. Автор: Sven Bremicker. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2018-03-20.

A Method of Forming an Anchor on an Insulated Cable

Номер патента: EP2362509A3. Автор: Kimleigh George Montague Pratley. Владелец: Pratley Investments Pty Ltd. Дата публикации: 2012-08-08.

Method of supplying heat energy to a metal melt or the like and a heating element for use with said method

Номер патента: CA1274874A. Автор: Cato Evensen. Владелец: SCANTHERM AS. Дата публикации: 1990-10-02.

An organic electronic device comprising a substrate, an anode layer, a cathode layer, at least one first emission layer, and a hole injection layer, wherein the hole injection layer comprises a metal complex of formula (i) and a compound of formula (ii), wherein the hole injection layer is arranged between the anode layer and the at least one first emission layer

Номер патента: EP4406387A1. Автор: Steffen Willmann,Vladimir Uvarov,Ulrich Heggemann. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2024-07-31.

Methods of patterning and making masks for three-dimensional substrates

Номер патента: RU2668664C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Джеффри Миллер,Правин ПАНДОДЖИРАО-СУНКОДЖИРАО. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-10-02.

Method of generating a drive signal for a loudspeaker arranged in a motor vehicle, an exhaust system for an engine and a sound system for a passenger cell

Номер патента: US09990913B2. Автор: Martin Unbehaun,Gerhard Zintel. Владелец: Faurecia Emissions Control Technologies Germany GmbH. Дата публикации: 2018-06-05.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

An organic electronic device comprising a substrate, an anode layer, a cathode layer, at least one first emission layer, and a hole injection layer, wherein the hole injection layer comprises a metal complex of formula (i) and a compound of formula (ii), wherein the hole injection layer is arranged between the anode layer and the at least one first emission layer

Номер патента: WO2023041767A1. Автор: Steffen Willmann,Vladimir Uvarov,Ulrich Heggemann. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2023-03-23.

System and method for access and communication between a converged network-based address book system and a user device

Номер патента: EP2327199A1. Автор: Suresh Chitturi,Brian Edward Anthony Mccolgan. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-06-01.

Method of Identifying at Least One Route Satisfying at Least One Constraint Between a Source Node and a Destination Node in a Telecommunications Network

Номер патента: US20090274056A1. Автор: Riadh Kortebi,Yvon Gourhant,Nazim Agoulmine,Djamal-Eddine Meddour. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2009-11-05.

Method for establishing a bidirectional nas signalization channel between a secure element cooperating with a terminal and a distant platform

Номер патента: EP3900476A1. Автор: Jean-Yves Fine. Владелец: THALES DIS FRANCE SA. Дата публикации: 2021-10-27.

Methods and systems for dynamically establishing a video conference connection between a computing device of a first user and a computing device of a second user during a viewing of a video by the first user

Номер патента: US20240129345A1. Автор: Rajen Arun Sheth,Salim Kassam. Владелец: Kyron Learning Pbc. Дата публикации: 2024-04-18.

Device for transmitting data between a data transmission device of a vehicle and a data transmission device of a communications network as part of a charging process of an electrical energy store of the vehicle

Номер патента: US09878630B2. Автор: Christian Jahn,Michael Kaindl,Michael Schwaiger,Harald Thierauf. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for communicating data between a control system of a power tool and a computing device

Номер патента: US09665080B2. Автор: Mikael Larsson,Johan Assargard,Henrik Eklund,Bjorn Lundblad. Владелец: HUSQVARNA AB. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of changing the supervisor program installed in a receiver station for receiving a radio beam, a corresponding receiver station, and a corresponding radio data-transmission system

Номер патента: US6018645A. Автор: Veronique Spatz,Michel Fropier,Nicolas Chastel. Владелец: Alcatel Telspace SA. Дата публикации: 2000-01-25.

A method of performing a control channel decoding, a computer program product, a nontransitory computer-readable storage medium, a processing unit, and a chip therefor

Номер патента: WO2024054148A1. Автор: Bengt Lindoff,Joakim Axmon. Владелец: Beammwave Ab. Дата публикации: 2024-03-14.

Systems, devices, and methods for interworking between a universal mobile telecommunications system (UMTS) network and a wireless local area network (WLAN)

Номер патента: US09877256B2. Автор: Nageen Himayat,Mo-Han Fong,Hyung-Nam Choi,Alexander Sirotkin,Richard Burbidge. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Migrating a web hosting service between a one box per multiple client architecture and a cloud or grid computing architecture with many boxes for many clients

Номер патента: US20110179141A1. Автор: Hari Ravichandran,Mark Moseley,Scott Lovell. Владелец: Endurance International Group Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Process for communication between a device running a mobile device platform and a server over the air, as well as related system

Номер патента: US8478897B2. Автор: Chee Wei Ng. Владелец: CASSIS INTERNATIONAL PTE LTD. Дата публикации: 2013-07-02.

Setting Up a Connection Between a First Application on a First Device and a Second Application on a Second Device

Номер патента: US20220303611A1. Автор: Klaus Merkel,Michael Probst,Christoph Ziegler. Владелец: Institut fuer Rundfunktechnik GmbH. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for transferring a file between a control device of a motor vehicle and a server device outside the vehicle, control device and motor vehicle

Номер патента: US20200045099A1. Автор: Malek Naffati. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2020-02-06.

Methods, systems, and computer readable media for establishing a communication session between a public switched telephone network (pstn) endpoint and a web real time communications (webrtc) endpoint

Номер патента: EP3991382A1. Автор: Weigan Ji,Shuquan Zhang,Michael David MELO,Frank COCO. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Process for communication between a device running a mobile device platform and a server over the air, as well as related system

Номер патента: US8260954B2. Автор: Chee Wei Ng. Владелец: CASSIS INTERNATIONAL PTE LTD. Дата публикации: 2012-09-04.

Process for communication between a device running a mobile device platform and a server over the air, as well as related system

Номер патента: US20130031267A1. Автор: Chee Wei Ng. Владелец: CASSIS INTERNATIONAL PTE LTD. Дата публикации: 2013-01-31.

Adaptive switching between a vision aided intertial camera pose estimation and a vision based only camera pose estimation

Номер патента: EP2862146A1. Автор: Murali Ramaswamy Chari,Daniel Knoblauch,Christopher Brunner,Mahesh Ramachandran,Abhishek Tyagi,Arvind Ramanandan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-22.

Adaptive switching between a vision aided intertial camera pose estimation and a vision based only camera pose estimation

Номер патента: WO2013188308A1. Автор: Murali Ramaswamy Chari,Daniel Knoblauch,Christopher Brunner,Mahesh Ramachandran,Abhishek Tyagi,Arvind Ramanandan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-12-19.

Method for establishing a bidirectional nas signalization channel between a secure element cooperating with a terminal and a distant platform

Номер патента: US20220022037A1. Автор: Jean-Yves Fine. Владелец: THALES DIS FRANCE SA. Дата публикации: 2022-01-20.

Systems, devices, and methods for interworking between a universal mobile telecommunications system (umts) network and a wireless local area network (wlan)

Номер патента: US20180077623A1. Автор: Nageen Himayat,Mo-Han Fong,Hyung-Nam Choi,Alexander Sirotkin,Richard Burbidge. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Transport stream generating device, transmitting device, receiving device, and a digital broadcast system having the same, and method thereof

Номер патента: US20090046795A1. Автор: Eui-jun Park,Yong-Sik Kwon,Yong-Deok Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-19.

Manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240284601A1. Автор: Kazuhiro Yokoi,Yusuke Fujii,Norihide Shimohara,Kazuo Kamohara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical electro-optical component and method of fabricating the same

Номер патента: US20120235120A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Yu-Chiang Chao,Hsiao-Wen Zan,Wu-Wei Tsai. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-09-20.

Vertical electro-optical component and method of fabricating the same

Номер патента: US8723165B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Yu-Chiang Chao,Hsiao-Wen Zan,Wu-Wei Tsai. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-05-13.

Pasting method of non-insulation sheet upon printed circuit board, as well as, printed circuit board and optical disk apparatus

Номер патента: US20090040900A1. Автор: Mitsuo Kurokawa,Koichi Ihara,Masahiro Takasago,Shigehiko Takeshita,Goshi Shiroishi. Владелец: Hitachi LG Data Storage Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Printed wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09510447B2. Автор: Yasushi Inagaki,Toshiki Furutani. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Printed wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160044780A1. Автор: Yasushi Inagaki,Kota Noda. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240298449A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Printed wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09538651B2. Автор: Yasushi Inagaki,Kota Noda. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing pram using laser interference lithography

Номер патента: US8652876B2. Автор: Yong Tae Kim,Young Hwan Kim,Jinn Il CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-02-18.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US20070126043A1. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-07.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US7859035B2. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Mostafa Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324227A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Shin Ishimatsu,Daisuke Nishida,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Wataru Matsuura,Junichi KANEYAMA,Tomoyuki Takemoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of producing patterned organic light-emitting diode

Номер патента: RU2525147C2. Автор: Кун А. ВЕРСЮРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-08-10.

Opto-electric hybrid board and method of manufacturing same

Номер патента: US20130301980A1. Автор: Yasufumi Yamamoto,Naoyuki Tanaka,Yasuto Ishimaru,Hiroyuki Hanazono,Yuichi Tsujita,Mayu Ozaki,shotaro Masuda. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240244841A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240324171A1. Автор: Kotaro Noda,Tsuyoshi Sugisaki,Takeru MAEDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US11930635B2. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237562A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Printed wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160021758A1. Автор: Yasushi Inagaki,Toshiki Furutani. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US11895778B2. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US20230199969A1. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Wiring substrate and semiconductor device

Номер патента: US12133330B2. Автор: Akihiro Takeuchi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing multilayer wiring board, probe card including multilayer wiring board manufactured by the method, and multilayer wiring board

Номер патента: US20150008951A1. Автор: Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Memory device and method of manufacturing memory device

Номер патента: US20240260265A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing multilayer wiring board, probe card including multilayer wiring board manufactured by the method, and multilayer wiring board

Номер патента: US09523709B2. Автор: Yoshihito OTSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Electronic component and method for manufacturing electronic component

Номер патента: EP3852507A1. Автор: Hiroshi Masuda,Yoshiaki Kurihara,Yoshinori Ejiri,Hideo Nakako,Keita Sone,Masaya TOBA,Yuki Kawana,Takaaki Nohdoh,Motoki YONEKURA,Shinichirou Sukata,Kosuke URASHIMA. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-21.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12063785B2. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Acoustic wave device and method of manufacturing acoustic wave device

Номер патента: US20240267021A1. Автор: Hisashi Yamazaki,Takashi Yamane. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20240268152A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Yasuhiro Jinbo,Ryota Hodo,Yoshikazu Hiura,Kentaro SUGAYA,Takahiro FUJIE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Thin film magnetic head comprising metal layer and method of producing the same

Номер патента: US20080291583A1. Автор: Kazuki Sato,Kosuke Tanaka,Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device with high integration

Номер патента: US20240276727A1. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196659A1. Автор: Seunghyun Lee,Sungho Kim,Seunggyu Tae,Wangwoo Lee,Minwoo Woo,Jiseon Lee,Sewan Son,Hyeri Cho,Sugwoo Jung,Kyeongwoo Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Printed circuit board and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070107930A1. Автор: Tatsunori Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324398A1. Автор: Yujin Lee,Meehye Jung,Bonyong KOO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Printed circuit board and method for manufacturing the same

Номер патента: US7807932B2. Автор: Tatsunori Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240040935A1. Автор: Yuji Namba. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing wiring circuit board

Номер патента: US20090263748A1. Автор: Keiji Takemura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Printed circuit board and method for manufacturing the same

Номер патента: US12035485B2. Автор: Eun Sun Kim,Won Seok Lee,Yu Mi Kim,Sang Yun Lee,Jin Oh Park,Chi Seong Kim,Guh Hwan Lim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244883A1. Автор: Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Joonyong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11747924B2. Автор: Yang-Ho Jung,Jaehun Lee,Jungi KIM,Bogeon JEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Electronic device with variable resistance layers and insulating layers alternately stacked and method of manufacturing the same class

Номер патента: US12075632B2. Автор: Si Jung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230371312A1. Автор: Seunghwan Kim,Jaeman LEE,Hwiseong KIM,Hoisoo Kwon,Yujin Ye,Seunghwan Yu,Heewon Yoon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Water heater and method of providing the same

Номер патента: WO2006023979B1. Автор: Richard C Abbott,Gary P Magnant,William A Glenn. Владелец: William A Glenn. Дата публикации: 2006-12-14.

Foldable display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230315185A1. Автор: Hyeong-Gwon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Foldable display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US11687141B2. Автор: Hyeong-Gwon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Organic thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090230385A1. Автор: Seong-sik Shin,Jung-Han Shin,Seon-Pil Jang,Min-Ho Yoon,Jung-Hun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-17.

Phase change memory element and method of making the same

Номер патента: US7456460B2. Автор: Yi-Chou Chen,Hsiang-Lan Lung,Geoffrey W. Burr. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-25.

Semiconductor storage device and method for manufacturing semiconductor storage device

Номер патента: US12041778B2. Автор: Tatsufumi Hamada,Shinichi Sotome,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of fabricating transversely-excited film bulk acoustic resonator

Номер патента: US12095437B2. Автор: Andrew Kay,Patrick Turner,Mike Eddy,Ventsislav Yantchev,Charles Chung. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240315007A1. Автор: Mutsumi Okajima,Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Copper-clad laminate, printed wiring board, semiconductor package and method for producing copper-clad laminate

Номер патента: EP3825121A1. Автор: Hiroshi Kurokawa,Shinichi Kamoshida,Yoshikatsu SHIRAOKAWA. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-26.

Printed circuit board, display device and method of manufacturing printed circuit board

Номер патента: US20140321071A1. Автор: Jong Seo Lee,Seock-Hwan Kang,You Bean KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Method for forming pattern on substrate structure without using mask layer and substrate structure

Номер патента: US20230199968A1. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods of coding images/videos with alpha channels

Номер патента: US12058310B2. Автор: LI ZHANG,Yue Wang,Jizheng Xu,Weijia Zhu. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2024-08-06.

Electrostatic jamming devices and methods of making such devices

Номер патента: US20210257940A1. Автор: Andrew H. Tilstra,David J. Rowe,Thomas R.. Corrigan. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory stacks and methods of forming the same

Номер патента: US12102018B2. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory stacks and methods of forming the same

Номер патента: US20240381791A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2600335C1. Автор: Даниил Дмитриевич Дайнека. Владелец: Даниил Дмитриевич Дайнека. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of making a flexible circuit

Номер патента: CA2862772C. Автор: Philip Johnston. Владелец: Trackwise Designs Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Wiring substrate and method for manufacturing wiring substrate

Номер патента: US11882656B2. Автор: Daisuke Minoura,Takema Adachi. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240074245A1. Автор: Woo Yong Sung,Seungyong Song,Jeongseok LEE,Taewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

System and method for dissipating static charge generated in a surface acoustic wave device

Номер патента: US20020089255A1. Автор: James Flowers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Multilayer circuit board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09801288B2. Автор: Chien-Cheng Wei,Ta-Hsiang CHIANG. Владелец: Tong Hsing Electronic Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of driving semiconductor device

Номер патента: US09503087B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Manufacturing method of a semiconductor device with a trench capacitor

Номер патента: US5302541A. Автор: Moriaki Akazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-12.

Heating pads, and systems and methods for making and using same

Номер патента: US20230319954A1. Автор: Zhaohui Yang,Timothy Allen,Carl Swanson. Владелец: University of Alaska Anchorage. Дата публикации: 2023-10-05.

Organic light emitting diode (OLED) display having sealant formed over sealing structure formed by a first metal layer, an insulating layer and a second metal layer

Номер патента: US11818913B2. Автор: Junyong AN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Capacity transducer obtained by micromachining and method of its manufacture

Номер патента: RU2627062C2. Автор: Боут МАРСЕЛИС,Марсель МЮЛДЕР,Рюдигер МАУКЗОК,Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Корай КАРАКАЯ,Петер ДИРКСЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of forming relief from electronic or photonic material

Номер патента: RU2495515C2. Автор: Хеннинг ЗИРРИНГХАУС,Цзуй-Фэнь ЧАН. Владелец: Кембридж Энтерпрайз Лимитед. Дата публикации: 2013-10-10.

Systems, devices and methods of interconnection network of universal system (umts) of mobile communication and wireless local network (wlan)

Номер патента: RU2634838C1. Автор: Мо-Хан ФОН,Хён-Нам ЦОЙ,Александр СИРОТКИН,Ричард БЁРБРИДЖ,Наджин ХИМАЯТ. Владелец: ИНТЕЛ АйПи КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2017-11-07.

A method of manufacturing a graphene/graphehe oxide layer and a graphene/graphehe oxide-coated support

Номер патента: EP3752672A1. Автор: Goran Bolin,Erkki LAITI,Eric Rousset. Владелец: Ahlstrom Munksjo Oyj. Дата публикации: 2020-12-23.

A method of manufacturing a graphene/graphehe oxide layer and a graphene/graphehe oxide-coated support

Номер патента: US20210009425A1. Автор: Goran Bolin,Erkki LAITI,Eric Rousset. Владелец: Ahlstrom Munksjo Oyj. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of manufacturing a graphene/graphehe oxide layer and a graphene/graphehe oxide-coated support

Номер патента: US12122677B2. Автор: Goran Bolin,Erkki LAITI,Eric Rousset. Владелец: Ahlstrom Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Pigment including a metal core, organic layer, and an inorganic layer

Номер патента: US20240199885A1. Автор: Alberto Argoitia. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of preparing a layer of zirconium(iv) oxide as a catalytic carrier on a metallic substrate

Номер патента: WO2018056849A1. Автор: Roman J. JĘDRZEJCZYK,Przemysław JODŁOWSKI,Damian Chlebda,Anna Dziedzicka. Владелец: POLITECHNIKA KRAKOWSKA IM. TADEUSZA KOSCIUSZKI. Дата публикации: 2018-03-29.

Polymer-graphene liquid crystal fiber and a carbon fiber produced by the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200181808A1. Автор: In Ho Kim,Sang Ouk Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-06-11.

Methods, systems, and tool assemblies for distributing weight-on-bit between a pilot earth-boring rotary drill bit and a reamer device

Номер патента: EP2384387A1. Автор: Mark Anderson,William Thompson,Steven Radford,Jim Powers. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2011-11-09.

Brazing sheets, articles formed from brazing sheets, and methods of forming articles

Номер патента: CA3239375A1. Автор: Harry R. Zonker,Andreas K. KULOVITS. Владелец: Arconic Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Brazing sheets, articles formed from brazing sheets, and methods of forming articles

Номер патента: WO2023122375A1. Автор: Harry R. Zonker,Andreas K. KULOVITS. Владелец: Arconic Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of attaching a functional element to a flat material and connection between a functional element and a flat material

Номер патента: CA2631380A1. Автор: Heiko Schmidt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Brazing sheets, articles formed from brazing sheets, and methods of forming articles

Номер патента: EP4452551A1. Автор: Harry R. Zonker,Andreas K. KULOVITS. Владелец: Arconic Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-30.

Body with a metal based nitride layer and a method for coating the body

Номер патента: US09540722B2. Автор: Magnus ODÉN,Naureen Ghafoor,Jon Andersson,Rickard Forsen,Mats Johansson Jöessar. Владелец: SECO TOOLS AB. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of reducing offset in a capacitive touch panel capable of switching between a differential-input sensor circuit and single-ended sensor circuit

Номер патента: US09367184B2. Автор: Kazuyuki Kobayashi,Yasuhiro Kaneta. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

Pigment including a metal core, organic layer, and an inorganic layer

Номер патента: US11898041B2. Автор: Alberto Argoitia. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2024-02-13.

Pigment including a metal core, organic layer, and an inorganic layer

Номер патента: US20230312933A1. Автор: Alberto Argoitia. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of using a dynamic virtual articulator for simulation modeling of occlusion when designing a dental prosthesis for a patient and a carrier of information

Номер патента: RU2652014C1. Автор: Александр Николаевич Ряховский,Станислав Александрович Ряховский,Мария Александровна Выходцева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Авантис3Д". Дата публикации: 2018-04-24.

Apparatus and method for forming shoulder and neck of metallic container

Номер патента: AU2015332413A1. Автор: Daniel A. Edwards,Jason M. Kaanta. Владелец: Ball Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus and method for simultaneously forming a contoured shoulder and neck portion in a closed end of a metallic container

Номер патента: CA2963481C. Автор: Daniel A. Edwards,Jason M. Kaanta. Владелец: Ball Metalpack LLC. Дата публикации: 2019-01-08.

A metal material with thermodynamic anisotropy and a method of preparing the same

Номер патента: US20210017660A1. Автор: Jing Wang,Yun Zhang,Xingxing Zhang,Peipei Dong. Владелец: Suzhou Shinhao Materials LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

A method of treating a cellulosic material, a method of preparing a hydrolysed cellulosic material, use of a chlorite salt and gaseous pressurized HCl, use of chlorous acid, and a hydrolysed cellulosic material

Номер патента: US20220220225A1. Автор: Eero Kontturi,Timo Paakkonen. Владелец: Aalto Korkeakoulusäätiö sr. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for Preparing an Aqueous Nanocrystalline Suspension Containing Nanocrystals of Pharmaceutically Active Ingredient and a Combination of Stabilizers, Aqueous Nanocrystalline Suspension and Methods of Use Thereof

Номер патента: US20230414502A1. Автор: Eva Kralova,Frantisek STEPANEK,Denisa LIZONOVA,Martin Balouch,Filip Hladek,Stanislav Chvila,Ondrej Navratil,Adela Brejchova. Владелец: Vysoka Skola Chemicko Technologicka V Praze. Дата публикации: 2023-12-28.

Polymeric material including a uretdione-containing material and a thermally activatable amine, two-part compositions, and methods

Номер патента: US12018114B2. Автор: Matthew J. Kryger,Joseph D. Rule,Michael A Kropp,Kolby L. WHITE,Adrian T. Jung. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-06-25.

Process of applying a polymeric adhesive layer between a photochromic spiropyran compound containing layer and a polyester film support

Номер патента: US3794513A. Автор: W Krafft,P Kruck. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 1974-02-26.

Filter system having a primary and a secondary filter element, secondary filter element and method

Номер патента: US12023621B2. Автор: Bharatesh ALAGOUDA. Владелец: Mann and Hummel GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming a butt weld joint having a carbon content-dependent, predetermined quenching factor in a welded steel blank and a hot press-formed part made therefrom

Номер патента: CA3207139A1. Автор: Maria POIRIER,Cristian ALVAREZ,Thierry LIZON. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2019-05-31.

Composition containing sucrafate and a topical anesthetic for humans and animals and method of use thereof

Номер патента: US20010011080A1. Автор: Marie Wharton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Method of manufacturing a plastic container having an enlarged free end portion for receiving a metal end unit by double seaming

Номер патента: US4667384A. Автор: Bryan H. Miller. Владелец: Continental Plastic Beverage Bottles Inc. Дата публикации: 1987-05-26.

Device for measuring the corrosion in a metallic structure or a structure comprising at least one metallic reinforcement, associated uses and method

Номер патента: US09664609B2. Автор: Pierre Ferdinand,Sylvain Magne,Stephane Rougeault,Shamyr Ali Alvarez. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-30.

Catalyst composition and method for preparing same

Номер патента: US09592496B2. Автор: Dong Hyun Ko,Jun Han Kang,Sang Jin Han,Kyong Yong Cha,Dae Chul Kim,Sung June Cho,Myung Ji Suh,Dae Heung Choi,Ye Seul Hwang,Jun Kyu Han,Joo Hyuck Lee,Hyun Seok Nam. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of assessing load-bearing capacity and strength of annular socket joint between a composite and another material

Номер патента: EP4235148A1. Автор: Mateusz Koziol,Lukasz Berestecki,Magdalena Malczewska,Daria Konik,Jakub Jala,Piotr Olesik. Владелец: Politechnika Slaska im Wincentego Pstrowskiego. Дата публикации: 2023-08-30.

A metal frame made up of the union of a plurality of extruded elements, and method for its fabrication

Номер патента: EP1706309A1. Автор: Fabrizio Favaretto. Владелец: Ferrari SpA. Дата публикации: 2006-10-04.

Ink jet recording head with enhanced bonding force between a heat storing layer and substrate, a method of forming the same and a recording apparatus having said recording head

Номер патента: US5612724A. Автор: Hirokazu Komuro,Keiichi Murakami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-03-18.

Process for producing a metal rod for reinforced concrete and a metal rod obtained by said process

Номер патента: GB1508343A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-04-26.

A metal sintered body composite material and a method for producing the same

Номер патента: CA2172029C. Автор: Yoshiaki Kajikawa,Koji Saito,Minoru Yamashita,Manabu Fujine. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2001-05-15.

A metal sintered body composite material and a method for producing the same

Номер патента: CA2172029A1. Автор: Yoshiaki Kajikawa,Koji Saito,Minoru Yamashita,Manabu Fujine. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1996-09-18.

Methods of establishing contact between a probe tip of a probe system and a device under test, probe systems that perform the methods, and storage media that directs probe systems to perform the methods

Номер патента: US20240168058A1. Автор: Martin Schindler,Felix Krug. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods of establishing contact between a probe tip of a probe system and a device under test

Номер патента: WO2024108020A1. Автор: Martin Schindler,Felix Krug. Владелец: FORMFACTOR, INC.. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for producing articles having a metallic luster, and toners with a metallic luster using the same and a printing method using the same

Номер патента: US20200319568A1. Автор: Katsuyoshi Hoshino,Katsuma MIYAMOTO,Terumasa MITOGAWA. Владелец: Chiba University NUC. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of determining location parameters of location objects in radar sensors with frequency manipulation of continuous radiation of radio waves and a device for its realizing

Номер патента: RU2695799C1. Автор: Владислав Яковлевич Носков,Кирилл Александрович Игнатков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2019-07-29.

Method of treating waste water and a system for treatment thereof, as well as a method of producing a molecular sieve and a system for producing it

Номер патента: RU2730338C2. Автор: Ибинь ЛО,Синтянь ШУ,Чжунцин ЛЮ,Лина ЧЖОУ. Владелец: Рисерч Инститьют Оф Петролеум Просессинг, Синопек. Дата публикации: 2020-08-21.

Method of forming a multi-layer plastic pipe for conducting fluids, a multi-layer plastic pipe formed by the method, and a method of connecting a multi-layer plastic pipe

Номер патента: CA2112440A1. Автор: Jyri Jarvenkyla,Mikael Andersson,Anders Vestergaard. Владелец: Uponor N.V.. Дата публикации: 1994-06-29.

Method of microalgal biomass processing for high-value chemicals production, the resulting composition of butyrogenic algal slowly fermenting dietary fiber, and a way to improve colon health using a slowly fermenting butyrogenic algal dietary fiber

Номер патента: US20200046003A1. Автор: Mustapha Benmoussa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-13.

Connection apparatus for establishing a fluidic connection between a storage container and another fluidic device and a corresponding ring element for coding the storage container

Номер патента: AU2019461478B2. Автор: Gerold Carlhoff,Guenter ZETTLITZER. Владелец: ECOLAB USA INC. Дата публикации: 2024-01-04.

Connection apparatus for establishing a fluidic connection between a storage container and another fluidic device and a corresponding ring element for coding the storage container

Номер патента: WO2021028013A1. Автор: Gerold Carlhoff,Guenter ZETTLITZER. Владелец: ECOLAB USA INC.. Дата публикации: 2021-02-18.

Cooking appliance including a cooking chamber and a fan for circulating cooking chamber air, and method for operating the same

Номер патента: US20240263803A1. Автор: Volker Heinz. Владелец: Miele und Cie KG. Дата публикации: 2024-08-08.

NAND flash memory system with programmable connections between a NAND flash memory controller and a plurality of NAND flash memory modules and method thereof

Номер патента: US20080294836A1. Автор: Satoshi Sugawa,Fuja Shone,Ching-Chang Chen,Chuang Cheng,Kai-Hsun Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Assembly for providing a passageway for a beverage line connected between a beverage vessel contained in a cabinet, and a beverage tap secured to a tabletop accessory

Номер патента: US20210323805A1. Автор: Timothy Ohara,Vincent Zuwiala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for mounting a sealing device between a housing of an air-conditioning installation and a partition wall present in or on the vehicle interior of a motor vehicle

Номер патента: US12134299B2. Автор: Michael Sickelmann,Thomas Feith,Ronny Schreiber,Robin Hederer. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2024-11-05.

Connecting device between a liquid tank made of plastic material and a liquid delivery module on board of a vehicle

Номер патента: US12071001B2. Автор: Vincent Cuvelier,Charbel NAHED. Владелец: Plastic Omnium Advanced Innovation and Research SA. Дата публикации: 2024-08-27.

Device for connection between a component of an air-conditioning loop and a heat exchanger

Номер патента: US09885432B2. Автор: Alain POURMARIN,Jimmy Lemee,Christophe Denoual. Владелец: Valeo Systemes Thermiques SAS. Дата публикации: 2018-02-06.

Decoupler for damping a torque transmission between a drive shaft of a motor vehicle and a belt pulley

Номер патента: US09528590B2. Автор: Hartmut Mende,Jürgen Kroll. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and arrangement for identifying a difference between a first 3D model of an environment and a second 3D model of the environment

Номер патента: US09489563B2. Автор: Leif Haglund,Johan Borg,Ingmar Andersson,Folke Isaksson. Владелец: Vricon Systems AB. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of preparing the complex of silibinine with cyclodextrin, inclusion complex of silibinine with cyclodextrin, pharmaceutical composition showing antihepatotoxic activity and a method of its preparing

Номер патента: RU2108109C1. Автор: Сейтли Йожеф,Валкави Умберто,Монтероссо Винценцо,Капони Роберто,Бозоне Энрико,Петер Вахтер Вильфрид. Владелец: Мадаус АГ. Дата публикации: 1998-04-10.

Method of producing transgenic animals for xenotransplantation expressing both an enzyme masking or reducing the level of the gal epitope and a complement inhibitor

Номер патента: US6166288A. Автор: John S. Logan,Lisa E. Diamond,Geurard W. Byrne,Ajay Sharma. Владелец: Nextran Inc. Дата публикации: 2000-12-26.

Method of improving retention and drainage in a papermaking process using a diallyl -n, n-disubstituted ammonium halide/acrylamide copolymer and a structurally modified cationic polymer

Номер патента: CA2458987C. Автор: Jane B. Wong Shing,Jiwei Chen,T. Ross Gray,Andrei S. Zelenev. Владелец: Nalco Co LLC. Дата публикации: 2010-10-26.

Form assembly for forming an eave, a roof slab, and a perimeter beam in a monolithic structure and method of forming the same

Номер патента: US20040139690A1. Автор: Nestor Hernandez,Evelio Pina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of preparing a heat-resistant polyamide

Номер патента: WO2010117098A3. Автор: Jae-Bong Lim,Tae-Young Kim,Dong-June Hwang,Seung-Do Leem,Sung-Su Bae. Владелец: SK Chemicals Co., Ltd.. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of vacuum-sealing each of the first ends of a number of hollow transport means terminating in a header and a method of detecting leaks

Номер патента: GB1496911A. Автор: . Владелец: Neratoom BV. Дата публикации: 1978-01-05.

Elevator installation with a car and a device for determining a car position and method for operating such an elevator installation

Номер патента: CA2515630C. Автор: Enrico Marchesi. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 2013-04-16.

Apparatus for Facilitating Location of an Object and a Corresponding Aperture in a Construction Panel and Method of Use

Номер патента: US20230356426A1. Автор: Eugene M. Giasson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-09.

A method of processing an image of tissue, a system for processing an image of tissue, a method for disease diagnosis and a disease diagnosis system

Номер патента: EP3948768A1. Автор: Muhammad Pandu RAHARJA. Владелец: Panakeia Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Method of determining when tool string parameters should be altered to avoid undesirable effects that would likely occur if the tool string were employed to drill a borehole and method of designing a tool string

Номер патента: WO2016040148A1. Автор: Ingo Forstner,Christian Linke. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-17.

Methods of treatment and/or prevention of major adverse cardiovascular events (mace) with a combination of a bet bromodomain inhibitor and a sodium dependent glucose transport 2 inhibitor

Номер патента: EP4054584A1. Автор: Kenneth Eugene LEBIODA,Christopher Ross Armstrong HALLIDAY,Aziz Naeem KHAN. Владелец: Resverlogix Corp. Дата публикации: 2022-09-14.

Methods of treatment and/or prevention of major adverse cardiovascular events (mace) with a combination of a bet bromodomain inhibitor and a sodium dependent glucose transport 2 inhibitor

Номер патента: CA3160147A1. Автор: Kenneth Eugene LEBIODA,Christopher Ross Armstrong HALLIDAY,Aziz Naeem KHAN. Владелец: Khan Aziz Naeem. Дата публикации: 2021-05-14.

Methods of treatment and/or prevention of major adverse cardiovascular events (mace) with a combination of a bet bromodomain inhibitor and a sodium dependent glucose transport 2 inhibitor

Номер патента: WO2021090061A1. Автор: Kenneth Eugene LEBIODA,Christopher Ross Armstrong HALLIDAY,Aziz Naeem KHAN. Владелец: Resverlogix Corp.. Дата публикации: 2021-05-14.

An apparatus for facilitating location of an object and a corresponding aperture in a construction panel and method of use

Номер патента: WO2023215144A1. Автор: Eugene M. Giasson. Владелец: Giasson Eugene M. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of mixing a hot furnace gas with another gas before the removal of the furnace gas from the furnace and a hood therefore

Номер патента: US4443878A. Автор: Risto M. Heikkila,Frans H. Tuovinen,Bengt J. F. Norrman. Владелец: OUTOKUMPU OYJ. Дата публикации: 1984-04-17.

A method of producing a heat-resistent polymer-coated oven board, an oven board obtainable by the method, a food tray and a food package

Номер патента: CA2943601C. Автор: Kimmo Nevalainen,Ville RIBU. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2022-09-13.

Composition comprising an iodide and a derivative of hyaluronic acid with an oxidative effect, method of preparation thereof and use thereof

Номер патента: EP3840839A1. Автор: Jaroslav Novotny,Kristýna Lipenská,Vladimír Velebný,Josef CHMELAR,Lubos Sobotka,Jaromir KULHANEK,Radovan Buffa,Ivana Basarabova,Stanislav PEPELIAEV,Kateřina Knotková,Veronika Stepankova,Helena KREJCI,Vit SVOZIL,Lucie MARHOLDOVA,Michaela MORAVKOVA. Владелец: Contipro As. Дата публикации: 2021-06-30.

Composition comprising an iodide and a derivative of hyaluronic acid with an oxidative effect, method of preparation thereof and use thereof

Номер патента: WO2020038501A1. Автор: Jaroslav Novotny,Kristýna Lipenská,Vladimír Velebný,Josef CHMELAR,Lubos Sobotka,Jaromir KULHANEK,Radovan Buffa,Ivana Basarabova,Stanislav PEPELIAEV,Kateřina Knotková,Veronika Stepankova,Helena KREJCI,Vit SVOZIL,Lucie MARHOLDOVA,Michaela MORAVKOVA. Владелец: Contipro a.s.. Дата публикации: 2020-02-27.

Apparatus and method for using a hinge to communicate signals between a first circuit in a first housing and a second circuit in a second housing

Номер патента: US5917968A. Автор: Anthony B. Wood. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-06-29.

Coupling device between a towing vehicle, especially an agricultural tractor, and a trailer

Номер патента: AU4522500A. Автор: Josef Scharmüller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-11-17.

A fluid-flow connection between a casing for a refrigerator motor compressor and a pipe

Номер патента: GB1282021A. Автор: . Владелец: Danfoss AS. Дата публикации: 1972-07-19.

Device for wireless transfer of signals between a control system of a printing press and a mobile computer unit

Номер патента: GB2355432A. Автор: Albrecht Voelz,Heiner Sirowitzki,Heiner Schilling. Владелец: MAN Roland Druckmaschinen AG. Дата публикации: 2001-04-25.

Method and arrangement for identifying a difference between a first 3D model of an environment and a second 3D model of the environment

Номер патента: US9460520B2. Автор: Leif Haglund,Johan Borg,Ingmar Andersson,Folke Isaksson. Владелец: Vricon Systems AB. Дата публикации: 2016-10-04.

Method and system for the metrological detection of differences in the visually perceived color impression between a multicolored patterned surface of a reference and a multicolored patterned surface of a specimen

Номер патента: US7596261B2. Автор: Hans-Peter Diehl. Владелец: Massen Machine Vision Systems Gmbh. Дата публикации: 2009-09-29.

Combination of a drilling installation and a control and signal lines deployment module and method of use

Номер патента: US20180363385A1. Автор: Joop Roodenburg,Diederick Bernardus Wijning. Владелец: Itrec BV. Дата публикации: 2018-12-20.

Combination of a drilling installation and a control and signal lines deployment module and method of use

Номер патента: EP3390763A1. Автор: Joop Roodenburg,Diederick Bernardus Wijning. Владелец: Itrec BV. Дата публикации: 2018-10-24.

Connecting device between a liquid tank made of plastic material and a liquid delivery module on board of a vehicle

Номер патента: US20220134872A1. Автор: Vincent Cuvelier,Charbel NAHED. Владелец: Plastic Omnium Advanced Innovation and Research SA. Дата публикации: 2022-05-05.

Data exchange between a qubit in a quantum isolation zone and a storage entity outside of the quantum isolation zone

Номер патента: US20230196159A1. Автор: Stephen Coady,Leigh Griffin. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Non-perpendicular connections between coke oven uptakes and a hot common tunnel, and associated systems and methods

Номер патента: US10047295B2. Автор: Rajat Kapoor,John Francis Quanci,Chun Wai Choi,Ung-Kyung Chun,Milos Kaplarevic. Владелец: SunCoke Technology and Development LLC. Дата публикации: 2018-08-14.

Ultrasonic welding device and method, and a magnetic tape cartridge reel welding device and method

Номер патента: US6152350A. Автор: Shinji Watanabe,Yoichi Hayashi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Multi-Pack Consisting Of A Dimensionally Stable Receiving Container And A Number Of Deformable Cleaning Agent Sachets, And Method For Providing A Multi-Pack

Номер патента: US20200299046A1. Автор: Matthias Sunder,Uwe Trebbe,Frank Meier,Piotr Hamerlak. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2020-09-24.

Neurostimulation waveforms having a base component and a high frequency component, and associated systems and methods

Номер патента: AU2022287979A1. Автор: Kerry Bradley,Dongchul Lee. Владелец: Nevro Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method, measuring device, computer program, computer program-product, and test-device series for measuring a sample, and a data structure and data structure record and method for calibrating a test-device batch

Номер патента: EP4065979A1. Автор: Mika Laitinen,Markus Savonen. Владелец: MAGNASENSE TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2022-10-05.

Neurostimulation waveforms having a base component and a high frequency component, and associated systems and methods

Номер патента: EP4351711A1. Автор: Kerry Bradley,Dongchul Lee. Владелец: Nevro Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Filter system having a primary and a secondary filter element, secondary filter element and method

Номер патента: WO2020260161A1. Автор: Bharatesh ALAGOUDA. Владелец: Mann+Hummel Gmbh. Дата публикации: 2020-12-30.

Pressure-reducing valve and a controller for a blow-molding machine and method thereof

Номер патента: US20040173924A1. Автор: Russell D'Angelo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Assembly for casting molten metal comprising a sand casting mould, a short-shroud, and a mould / shroud coupling mechanism, casting installation and method for casting a molten metal part

Номер патента: WO2024170582A1. Автор: David Hrabina. Владелец: Foseco International Limited. Дата публикации: 2024-08-22.

Neurostimulation waveforms having a base component and a high frequency component, and associated systems and methods

Номер патента: US12133981B2. Автор: Kerry Bradley,Dongchul Lee. Владелец: Nevro Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Methods of fabricating large-area, semiconducting nanoperforated graphene materials

Номер патента: US20120325405A1. Автор: Michael S. Arnold,Padma Gopalan,Nathaniel S. Safron,Myungwoong Kim. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-12-27.

Liquid-discharging-head substrate, liquid discharging head, liquid discharging apparatus, method of manufacturing liquid-discharging-head substrate

Номер патента: US20170225463A1. Автор: Hirokazu Komuro,Soichiro Nagamochi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Liquid-discharging-head substrate, liquid discharging head, liquid discharging apparatus, method of manufacturing liquid-discharging-head substrate

Номер патента: US20190084302A1. Автор: Hirokazu Komuro,Soichiro Nagamochi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Insulation articles including corrosion inhibitors and methods of producing the same

Номер патента: US20240239093A1. Автор: Walter Alexander Johnson,Christopher George HARDY,Gert Rainer Mueller,Michael Dean Hoops. Владелец: Knauf Insulation Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of making a MEMS die having a MEMS device on a suspended structure

Номер патента: US09458008B1. Автор: Ruben B. Montez,Fengyuan LI,Chad S. Dawson,Colin B. Stevens. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Electro-absorption modulator device and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2006135906A3. Автор: Saurabh Gupta,Eugene A Fitzgerald,Carl Dohrman. Владелец: Carl Dohrman. Дата публикации: 2007-03-01.

Display substrate, display apparatus having the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150316692A1. Автор: Hyun-Min Cho,Yu-Kwan KIM,Jae Byung PARK,Sung Sik Yun,Jin Seob BYUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Method of providing heat transfer between metal or non-metal product and liquid heat carrier

Номер патента: RU2700053C1. Автор: ПЕРЕС Давид НОРЬЕГА. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2019-09-12.

Photosensitive matter for electrophotography and method of the production thereof

Номер патента: US3948657A. Автор: Hirokazu Negishi,Hideo Yoshikawa,Takehiko Matsuo,Umi Tosaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1976-04-06.

Method of preparing natural graphene cellulose blended fiber

Номер патента: US10351971B2. Автор: Wen-Tung Chou,Ming-Yi Lai,Kun-Shan Huang,Shao-Hua CHOU,Chia-Yu Hsu. Владелец: Acelon Chemicals and Fiber Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

A roofing system and a panel suitable for such a roofing system

Номер патента: EP1693527A1. Автор: Petrus Frederikus Maria Rensen. Владелец: Isobouw Systems Bv. Дата публикации: 2006-08-23.

Chemically-sensitive field effect transistors, systems, and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US20230408510A1. Автор: Paul Hoffman,Brett R. Goldsmith,Mitchell Lerner. Владелец: Cardea Bio Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Devices, systems and methods for tissue analysis, location determination and tissue ablation

Номер патента: EP4064968A1. Автор: James Wright,Charles Holland Dresser,Vincent Zuo,Joe TING,Tania TO,Ben APOLLONIO. Владелец: Blossom Innovations LLC. Дата публикации: 2022-10-05.

Method of preparing natural graphene cellulose blended fiber

Номер патента: US20170107643A1. Автор: Wen-Tung Chou,Ming-Yi Lai,Kun-Shan Huang,Shao-Hua CHOU,Chia-Yu Hsu. Владелец: Acelon Chemicals and Fiber Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Method Of Making Corrosion Resistant And Glossy Appearance Coating For Light Metal Workpiece

Номер патента: US20150284836A1. Автор: Ming Liu,Lei Gao. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2015-10-08.

Method of protecting the end of a pipe

Номер патента: GB2582705A. Автор: Lang John,Taylor Mike,Millward Keith. Владелец: Polypipe Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Method of making corrosion resistant and glossy appearance coating for light metal workpiece

Номер патента: US09797036B2. Автор: Ming Liu,Lei Gao. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of encapsulating a phase change material with a metal oxide

Номер патента: US09493695B2. Автор: Manoj Kumar Ram,Elias K. Stefanakos,Dharendra Yogi Goswami,Chand K. Jotshi. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2016-11-15.

Plasmonic interface and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150055924A1. Автор: Christopher Fred Keimel,Juan Jose Becerra,John Brian Hewgley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-02-26.

Plasmonic interface and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09465160B2. Автор: Christopher Fred Keimel,Juan Jose Becerra,John Brian Hewgley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-11.

Insulated stock material and containers and methods of making the same

Номер патента: US5840139A. Автор: Michael Schmelzer,Daniel James Geddes,Michael Andrew Breining. Владелец: Fort James Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Insulated stock material and containers and methods of making the same

Номер патента: US6030476A. Автор: Michael Schmelzer,Daniel James Geddes,Michael Andrew Breining. Владелец: Fort James Corp. Дата публикации: 2000-02-29.

Insulated stock material and containers and methods of making the same

Номер патента: US5766709A. Автор: Michael Schmelzer,Daniel James Geddes,Michael Andrew Breining. Владелец: James River Corp of Virginia. Дата публикации: 1998-06-16.

Reaction chamber for a catalytic cracking process in a fluidized layer and a method of realization of the catalytic cracking process in the fluidized layer (versions)

Номер патента: RU2268912C2. Автор: Хендрикус Ариен ДИРКСЕ,Эрнст Антониус БАККЕР,Дейвид Джон БРИДЖЕР,Стивен Брайан ФАУЛЕР. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2006-01-27.

Method to reinforce existing metal structure, method to reinforce pipes and method to attach branches to pipelines

Номер патента: RU2433936C2. Автор: Стефен Дж. КЕННЕДИ. Владелец: Интеллиджент Инджиниринг (Бахамаз) Лимитед. Дата публикации: 2011-11-20.

Insulating stock material and containers and methods of making the same

Номер патента: CA2233356C. Автор: Galyn A. Schulz,Richard P. Mitchell,Gerald John Van Handel. Владелец: Fort James Corp. Дата публикации: 2002-11-05.

Methods of fabricating large-area, semiconducting nanoperforated graphene materials

Номер патента: US9114998B2. Автор: Michael S. Arnold,Padma Gopalan,Nathaniel S. Safron,Myungwoong Kim. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2015-08-25.

Thin-film magnetic head capable of narrowing track width and method of manufacturing the same

Номер патента: US6650502B2. Автор: Hisayuki Yazawa,Naruaki Oki. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Ferroelectric storage apparatus and manufacturing method of conductive probe

Номер патента: US20240282338A1. Автор: Masaaki Yanagisawa. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Thin-film magnetic head capable of narrowing track width and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010010611A1. Автор: Hisayuki Yazawa,Naruaki Oki. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-02.

Method of industrial buildings explosion protection

Номер патента: RU2648090C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-03-22.

Display device including a groove patterned loof layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09638947B2. Автор: Yong Seok Kim,Dae ho Song,Hae Ju Yun,Kwang Soo BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Polycrystalline compacts, earth-boring tools including such compacts, and methods of fabricating polycrystalline compacts

Номер патента: US09498867B2. Автор: Valery N. Khabashesku,Vladimir P. Filonenko. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Photonic device, system and method of making same

Номер патента: US11899240B2. Автор: Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Photonic device, system and method of making same

Номер патента: US20230400627A1. Автор: Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Photonic device, system and method of making same

Номер патента: US20240219626A1. Автор: Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of producing polyurethane foam

Номер патента: RU2536823C2. Автор: Михил Баренд ЭЛЕВЕЛД,ЭТВЕЛДЕ Элс ВАН,Вальтерус Петрус Каспарус МИНЕР,Кристоф Мартин СВОН,Тиев Имм ТАН. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2014-12-27.

Variable loading element for body protection and method of its manufacture

Номер патента: RU2627260C2. Автор: Хенрик ПЕРССОН,Андерс БУРСТРЕМ,Йонас ХАНССОН. Владелец: Метсо Минералс (Свиден) АБ. Дата публикации: 2017-08-04.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Processing agent for the formation of a chrome-free insulating coating, a textured sheet of electrical steel with an insulating coating applied and a method for its manufacture

Номер патента: RU2765649C1. Автор: Тосито ТАКАМИЯ,Такаси ТЭРАСИМА,Карин КОКУФУ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-02-01.

Methods of fabricating micro electro-mechanical systems structures

Номер патента: US11845654B2. Автор: Chang Ge,Edmond CRETU. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2023-12-19.

Liquid-discharging-head substrate, liquid discharging head, liquid discharging apparatus, method of manufacturing liquid-discharging-head substrate

Номер патента: US11110705B2. Автор: Hirokazu Komuro,Soichiro Nagamochi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-09-07.

Additively manufactured armor and method for making the same

Номер патента: US20230392903A1. Автор: Antonio Paesano,Michael D. Nevinsky,Nilay B. Pandya. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-12-07.

Pigment-type hot stamping foil, method of manufacturing same, and hot-stamped member including pigment-type hot stamping foil

Номер патента: WO2022225106A1. Автор: Juwon Kim,Yukyung Shin,Wonkyu NA. Владелец: Geoprint Co.,Ltd.. Дата публикации: 2022-10-27.

Erosion shield, method of fabricating a shield, and method of fabricating an article having a shield

Номер патента: US09695697B2. Автор: II Theodore William FANDREI. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of restoring working metal-ceramic surfaces of parts and articles

Номер патента: RU2736288C1. Автор: Владимир Викторович Денисов,Владимир Ефимович Овчаренко,Николай Николаевич Коваль,Антон Дмитриевич Тересов,Константин Вениаминович Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН). Дата публикации: 2020-11-13.

Coated closed-cell foam tube insulations and methods for producing the same

Номер патента: US11796119B2. Автор: Biju Valakkadavil Thomas. Владелец: L'ISOLANTE K-FLEX SpA. Дата публикации: 2023-10-24.

Coated closed-cell foam tube insulations and methods for producing the same

Номер патента: US11828403B2. Автор: Biju Valakkadavil Thomas. Владелец: L'ISOLANTE K-FLEX SpA. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods of separation of a metal from its liquid-soluble oxide for analysis

Номер патента: US10132788B2. Автор: Henry Ye,Douglas M. Papenmeier,Steven M. Lovejoy. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-11-20.

Prismatic retroreflective article with cross-linked image layer and method of making same

Номер патента: EP2176692A1. Автор: Chester A. Bacon, Jr.,Joy L. Manske,Bradley R. Ray,Rodney A. Ough. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2010-04-21.

Device and method for detecting skin to muscle depth by simultaneous detection of ultrasonic depth sensor and force sensor

Номер патента: US09993226B2. Автор: John W. Denny. Владелец: MYLAN INC. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method of reinforcing structure

Номер патента: US09856009B2. Автор: Taku Yamamori. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of obtaining connective element for carbon fibrous composite material

Номер патента: RU2560372C2. Автор: Масаки ТАКЕУТИ,Тору КАНЕКО. Владелец: Тейдзин Лимитед. Дата публикации: 2015-08-20.

Electro-absorption modulator device and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2006135906A2. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Saurabh Gupta,Carl Dohrman. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2006-12-21.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Combustible structural composites and methods of forming combustible structural composites

Номер патента: US20110281101A1. Автор: Ronald J. Heaps,W. David Swank,Michael A. Daniels,Eric D. Steffler. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2011-11-17.

Porous metal-organic framework, method for producing the same, adsorbent, and method for separating carbon dioxide

Номер патента: GB2618647A8. Автор: Murai Shinji,Saito Satoshi,Kato Yasuhiro,FUJITA Koshito,MORIGAKI Hayato. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for manufacturing a panel for a liquid crystal display with a plasma-treated organic insulating layer

Номер патента: US6300152B1. Автор: Sang-Gab Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-09.

Metallic structural panel and method of fabrication

Номер патента: US5300367A. Автор: Edward D. Bodart,Gerald T. Morgenthaler. Владелец: McDonnell Douglas Corp. Дата публикации: 1994-04-05.

Display device with built-in touch screen and method of fabricating the same

Номер патента: US10394355B2. Автор: Hyunho Kim,Jeongho KIM,Dongmin SEO,SunJa Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Silver halide photographic light-sensitive materials and method for development of the same

Номер патента: US20030235792A1. Автор: Yasutomo Kawanishi,Katsuyuki Watanabe,Tadashi Ito,Mitsunori Hirano,Tokuju Oikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Method of preparing metal oxide-silica composite aerogel and metal oxide-silica composite aerogel prepared by the same

Номер патента: US20200010328A1. Автор: Je Kyun Lee,Jong Hun Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making a body shell for a model automobile

Номер патента: US20080045121A1. Автор: Walter Brown Bailes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Multi-layer nonwoven having a printed layer and products made therefrom

Номер патента: EP2077939A2. Автор: Michael Sean Pratt,Michael Jan Trinkaus,Philip Andrew Sawin,Martin Patrick Lacey. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2009-07-15.

Functional monomer comprising rare earth/metal compound, preparation method thereof, and method of using the same

Номер патента: US20200231777A1. Автор: Feng Wang. Владелец: Shanghai Lufeng Auxiliary Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Multi-layer nonwoven having a printed layer and products made therefrom

Номер патента: WO2008053449A2. Автор: Michael Sean Pratt,Michael Jan Trinkaus,Philip Andrew Sawin,Martin Patrick Lacey. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of preparing metal oxide-silica composite aerogel and metal oxide-silica composite aerogel prepared by the same

Номер патента: US12037253B2. Автор: Je Kyun Lee,Jong Hun Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Fabrication method of display device and display device

Номер патента: US09547197B2. Автор: Ho Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Composite with ceramic matrix and sic reinforcing element and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2193544C2. Автор: Стефан ГУЖАР,Рене Пайе,Себастьян БЕРТРАН,Алэн КАЙО,Жан-Люк ШАРВЕ. Владелец: Сосьете Насьональ Д'Этюд Э Де Констрюксьон Де Мотер Д'Авиасьон (Снекма). Дата публикации: 2002-11-27.

Tissue detection devices, systems and methods

Номер патента: WO2020186164A1. Автор: James Wright,Vincent Zuo,Joe TING,Tania TO,Ben APOLLONIO. Владелец: Blossoms Innovations, Llc. Дата публикации: 2020-09-17.

Insulation wall panel, method of manufacturing such an insulation wall panel, and use of such an insulation wall panel as a container wall

Номер патента: EP3331779A1. Автор: Rene Giesbers. Владелец: Cargoshell Holding BV. Дата публикации: 2018-06-13.

Devices, systems and methods for tissue analysis, location determination and tissue ablation

Номер патента: AU2020391498B2. Автор: James Wright,Charles Holland Dresser,Vincent Zuo,Joe TING,Tania TO,Ben APOLLONIO. Владелец: Blossom Innovations LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Structure with substrate-embedded arrow waveguide and method

Номер патента: US11977258B1. Автор: Yusheng Bian,Steven M. Shank,Judson R. Holt,Laura J. Silverstein. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Structure with substrate-embedded arrow waveguide and method

Номер патента: EP4394464A1. Автор: Yusheng Bian,Steven M. Shank,Judson R. Holt,Laura J. Silverstein. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Multipod Nanostructures and Methods

Номер патента: US20190291179A1. Автор: Geoffrey F. Strouse,Parth Nalin Vakil. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Length measurement pattern, semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060219913A1. Автор: Ryuichi Okamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Length measurement pattern, semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7420190B2. Автор: Ryuichi Okamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-09-02.

Metal containers and methods of manufacture

Номер патента: WO2017134413A1. Автор: Paul Robert Dunwoody. Владелец: Crown Packaging Manufacturing Uk Limited. Дата публикации: 2017-08-10.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080225215A1. Автор: Sang Soo Kim,Kyoung Mook Lee,Sung Hwan Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Phase difference film, polarizing plate, liquid crystal display device, and method of producing phase difference film

Номер патента: US20160146996A1. Автор: Jun Takeda,Nobuhiko ICHIHARA,Yuki Matsuda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Metal containing photoresist developer composition, and method of forming patterns including step of developing using the composition

Номер патента: US20240272556A1. Автор: Minsoo Kim,Taeksoo Kwak,Hyungrang MOON,Ryunmin HEO,Chungheon LEE,Byeonggyu Hwang,Taegeun SEONG,GyeongRyeong BAK. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of surface modification of metal casings and cement sheath bonding

Номер патента: US20240092694A1. Автор: Hasmukh A. Patel,Arpita Pal Bathija. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-03-21.

Composition and method embodiments for plating metal coatings

Номер патента: US20230203697A1. Автор: Ryan Webster,Lance Hubbard,Christina Arendt. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Composition and method embodiments for plating metal coatings

Номер патента: US20200378027A1. Автор: Ryan Webster,Lance Hubbard,Christina Arendt. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Metal containing photoresist developer composition, and method of forming patterns including step of developing using the composition

Номер патента: US20240329537A1. Автор: Daeseok Song,Yoojeong Choi,Hyungrang MOON,Chungheon LEE,Taegeun SEONG,Jun Sakong,Wanhee LIM. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09869893B2. Автор: Hae-hyeon Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of determining strength of ice in ice hummocks and stamukes

Номер патента: RU2717261C1. Автор: Сергей Михайлович Ковалев,Александр Иванович Шушлебин,Виктор Витальевич Харитонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Арктический и Антарктический научно-исследовательский институт" (ФГБУ "ААНИИ"). Дата публикации: 2020-03-19.

Cutting element reinforced with diamonds, drilling tool equipped with them and method of their manufacturing

Номер патента: RU2530105C2. Автор: Дж. ЛАЙОНС Николас,Э. СКОТТ Дэнни. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-10-10.

Production method of multilayer material by application of extruded polymer coating at calendering

Номер патента: RU2632494C1. Автор: Андрей Викторович Сергеев. Владелец: Андрей Викторович Сергеев. Дата публикации: 2017-10-05.

Cylindrical casing and method of making cylindrical casing

Номер патента: RU2599752C1. Автор: Такаси ХАРАДА,Цутому МУРАКАМИ,Икуо ОКУМУРА,Юу СИГЕНАРИ,Юсуке ДАН. Владелец: АйЭйчАй АЭРОСПЕЙС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2016-10-10.

Methods of forming spherical metallic particles

Номер патента: WO2019139777A1. Автор: Steven Jude Duclos,Laura Cerully Dial,Pazhayannur Ramanathan Subramanian,Anthony Joseph VINCIQUERRA. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of layer-by-layer formation of moulds and rods by means of liquid binder-containing binder and binder containing liquid glass

Номер патента: RU2706616C2. Автор: Хайнц ДЕТЕРС,Хеннинг ЦУПАН. Владелец: Аск Кемикалз Гмбх. Дата публикации: 2019-11-19.

Membranes for reverse osmosis of hydrocarbons and a method for production thereof

Номер патента: RU2721915C2. Автор: Гарри В. Декман,Бенджамин А. МАККУЛ,Райан П. ЛАЙВЛИ,Донг-Еун КОХ. Владелец: Джорджия Тек Рисерч Корпорейшн. Дата публикации: 2020-05-25.

Method of intensification of heat convection

Номер патента: RU2652700C2. Автор: Владимир Дмитриевич Шкилев,Алексей Пантелеевич Коржавый,Андрей Сергеевич Голиков,Андрей Александрович Жинов. Владелец: Андрей Александрович Жинов. Дата публикации: 2018-04-28.

Method of producing cleaning web, image-forming device and fixing device

Номер патента: US20120003020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of a dual active protocol stack (daps) handover of a ue between a serving cell and a target cell in a non-terrestrial network

Номер патента: WO2024207198A1. Автор: YANG Tang,Dawei Zhang,Jie Cui,Chunxuan Ye,Qiming Li,Seyed Ali Akbar Fakoorian. Владелец: Qiming Li. Дата публикации: 2024-10-10.

Method and plant for applying a metal heat-conducting layer and a metal coating layer to the bottoms of stainless steel cooking vessels

Номер патента: CA1245065A. Автор: Vitaliano Moroni. Владелец: Lagostina SpA. Дата публикации: 1988-11-22.

A structural assembly and a structural assembly forming a reinforcing system and method

Номер патента: MY157266A. Автор: Tiam Ah Chew. Владелец: Taccon Sdn Bhd. Дата публикации: 2016-05-31.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Security Document Comprising At Least One Combined Image and A Revelation Means, and Associated Method

Номер патента: US20120001411A1. Автор: Rosset Henri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

TISSUE-ACQUISITION AND FASTENING DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120004677A1. Автор: Swope Bretton,Cole David,BALBIERZ DANIEL J.,Hambly Pablo R.,England Justen,Crews Samuel T.,Purdy Craig Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming switching jumper

Номер патента: RU2579166C2. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR SITE-SPECIFIC DELIVERY OF IMATINIB AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003319A9. Автор: Liversidge Gary,Jenkins Scott. Владелец: ELAN PHARMA INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CONFINEMENT GROUP FOR A PLATE HEAT EXCHANGER, A METHOD OF OBTAINING SUCH AN EXCHANGER, AND A METHOD OF ABSORBING STRESS IN A CONFINEMENT GROUP FOR PACK-TYPE PLATE HEAT EXCHANGERS

Номер патента: US20120000638A1. Автор: CIPRIANI Luca. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIGITAL BROADCASTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING DATA IN DIGITAL BROADCASTING SYSTEM

Номер патента: US20120002748A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROLYTIC METHOD OF FUEL

Номер патента: US20120000788A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120000821A1. Автор: Yang Shuwu,Reynolds Bruce Edward,Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: CHEVRON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

UNDERWATER PIPE-LAYING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120003047A1. Автор: Signaroldi Teresio,Giovannini Umberto. Владелец: SAIPEM S.p.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

DETECTOR ASSEMBLY FOR USE IN ENVIRONMENTS CONTAINING BACKGROUND MAGNETIC NOISE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004878A1. Автор: . Владелец: U.S. Government as represented by the Secretary of the Army. Дата публикации: 2012-01-05.

ELLIPTICAL VARIABLE CAPACITY WINE TANK AND METHODS

Номер патента: US20120000917A1. Автор: . Владелец: Spokane Industries, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making composite copper-titanium material

Номер патента: RU2560895C1. Автор: Леонид Моисеевич Гуревич,Сергей Петрович Писарев,Дмитрий Владимирович Проничев,Вячеслав Фёдорович Казак,Виктор Георгиевич Шморгун,Дмитрий Анатольевич Евстропов,Роман Евгеньевич Новиков,Юрий Павлович Трыков,Олег Викторович Слаутин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2015-08-20.

Method of preparing nanostructured metal particles

Номер патента: RU2394668C1. Автор: Валерий Павлович Герасименя,Сергей Викторович Захаров,Владимир Викторович Николотов,Михаил Александрович Клыков. Владелец: Валерий Павлович Герасименя. Дата публикации: 2010-07-20.

Compositions and Methods for the Treatment of Ophthalmic Disease

Номер патента: US20120003275A1. Автор: Donello John E.,Schweighoffer Fabien J.,Rodrigues Gerard A.,McLaughlin Anne P.,Mahé Florence. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of heavy-alloyed stainless steel electroslag remelting

Номер патента: RU2364637C1. Автор: Виктор Иванович Потапов,Юрий Аркадьевич Кулалаев,Олег Степанович Якушев,Владислав Александрович Карев,Анатолий Борисович Бабиков. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт металлургической технологии". Дата публикации: 2009-08-20.

Номер патента: RU2465422C1. Автор: Александр Аркадьевич Пятницкий. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный строительный университет (ГОУ ВПО МГСУ). Дата публикации: 2012-10-27.

SYSTEM AND METHOD FOR FACILITATING SHORT-RANGE WIRELESS COMMUNICATIONS BETWEEN A MOBILE WIRELESS DEVICE AND AN AUXILIARY SYSTEM

Номер патента: US20120003936A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SURGICAL ACCESS APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120004510A1. Автор: Brustad John R.,Hilal Nabil,Ewers Richard C.,Pingleton Edward D.,Dulak Gary R.,Adlparvar Payam,Bowes Robert R.. Владелец: APPLIED MEDICAL RESOURCES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Vascular Introducer And Method Of Using Same

Номер патента: US20120004610A1. Автор: Parker Fred T.. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of hydrosols of silicon and humic asids from alkaline solutions of their salts by ionic exchange intensified by electrolysis

Номер патента: RU2250801C1. Автор: А.Д. Неклюдов,А.И. Поздняков,ков А.И. Поздн,Г.Н. Федотов. Владелец: Московский государственный университет леса. Дата публикации: 2005-04-27.

Nanostructured ceramic matrix composite material and method of producing said material

Номер патента: RU2415109C1. Автор: Владимир Игоревич Румянцев,Роман Леонидович Сапронов,Владимир Александрович Мех. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вириал". Дата публикации: 2011-03-27.

Method of forecast of location of lower boundary of explosive gas zone in stope

Номер патента: RU2541347C1. Автор: Виктор Семенович Забурдяев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем комплексного освоения недр Российской академии наук (ИПКОН РАН). Дата публикации: 2015-02-10.

Method of performing artworks

Номер патента: RU2530841C1. Автор: Наталья Ивановна Савранская. Владелец: Наталья Ивановна Савранская. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of production of 3,28-disulfate betulin

Номер патента: RU2539297C1. Автор: Наталья Ивановна Полежаева,Владимир Александрович Левданский,Александр Владимирович Левданский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный технологический университет" (СибГТУ). Дата публикации: 2015-01-20.

Method of making sensitive element of oxygen or hydrogen concentration sensor

Номер патента: RU2526231C2. Автор: Александр Антонович Колганов,Анатолий Васильевич Мартыненко,Рафаэль Хайбуллович Жалилов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ"). Дата публикации: 2014-08-20.

Method of intercalating an insulating layer between a metal layer and a graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the intercalation method

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты