Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Werkwijze voor het vervaardigen van een silicium lichaam met een n-type toplaag en een daaraan grenzende, hoger gedoteerde n-type basislaag.

Werkwijze voor het vervaardigen van een silicium lichaam met een n-type toplaag en een daaraan grenzende, hoger gedoteerde n-type basislaag.

Номер патента: NL9000972A
Опубликовано: 18-11-1991
Автор(ы):
Принадлежит: Philips Nv
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Conductivity modulation type semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5128277A. Автор: Wataru Takahashi,Makoto Hideshima,Masahi Kuwahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-07.

Method for diffusing an n type impurity from a solid phase source into a iii-v compound semiconductor

Номер патента: US5182229A. Автор: Satoshi Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-01-26.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130341646A1. Автор: Hideto Tamaso,Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Methods for integrating replacement metal gate structures

Номер патента: WO2005067033A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Scott A. Hareland,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Methods for integrating replacement metal gate structures

Номер патента: EP1700338A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Scott A. Hareland,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Cmos integration scheme employing a silicide electrode and a silicide-germanide alloy electrode

Номер патента: WO2009101093A1. Автор: Jack Oon Chu,Young-Hee Kim,Cyril Cabral. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2009-08-20.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: GB1355806A. Автор: J R A Beale. Владелец: Mullard Ltd. Дата публикации: 1974-06-05.

Method for fabricating diffusion self-aligned short channel MOS device

Номер патента: US4062699A. Автор: William Eddie Armstrong. Владелец: Western Digital Corp. Дата публикации: 1977-12-13.

Method for fabricating a semiconductor device having a shallow doped region

Номер патента: US5279976A. Автор: James R. Pfiester,David Burnett,James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-01-18.

Method of manufacturing a device in a silicon wafer

Номер патента: CA1149968A. Автор: Herbert A. Waggener,Richard H. Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1983-07-12.

Improved method for the production of semi-conductor bodies

Номер патента: GB857258A. Автор: . Владелец: Telefunken AG. Дата публикации: 1960-12-29.

Trench gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240250166A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods of fabricating silicon carbide power devices by at least partially removing an n-type silicon carbide substrate, and silicon carbide power devices so fabricated

Номер патента: EP2149154A2. Автор: Mrinal Kanti Das,Matthew Donofrio,Qingchun Zhang,John M. Clayton, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-03.

Method for manufacturing an integrated circuit comprising an N-type laterally diffused metal oxide semiconductor (NLDMOS) transistor

Номер патента: US11823947B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-21.

N-type field effect transistors, arrays comprising N-type vertically-oriented transistors, methods of forming an N-type field effect transistor, and methods of forming an array comprising vertically-oriented N-type transistors

Номер патента: US09472663B2. Автор: Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device including an n-type carrier stored layer, power conversion device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US10916631B2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-09.

Trench MOSFET with an ONO insulating layer sandwiched between an ESD protection module atop and a semiconductor substrate

Номер патента: US7728385B2. Автор: Mengyu Pan,Zengyi He,Kaiyu Chen. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-06-01.

Inorganic/organic hybrid complementary semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240147741A1. Автор: Xiaozhu Wei,Hiroki Sato,Junichi Takeya,Daiji IKEDA,Yasuyuki Akai,Shunichiro Watanabe,Shouhei KUMAGAI. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Inorganic/organic hybrid complementary semiconductor device and method for producing same

Номер патента: EP4300592A1. Автор: Xiaozhu Wei,Hiroki Sato,Junichi Takeya,Daiji IKEDA,Yasuyuki Akai,Shunichiro Watanabe,Shouhei KUMAGAI. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

System for manufacturing a crystalline material by directional crystallization provided with an additional lateral heat source

Номер патента: US09938633B2. Автор: Jean-Paul Garandet,Anis Jouini,David Pelletier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating semiconductor device including a patterned multi-layered dielectric film with an exposed edge

Номер патента: US09412851B2. Автор: Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Yu-Chun Chang,Kuo-Lung Li,Chia-Cheng Hsu,Mu-Jia Liu,Kun-I Chou,Chung-Che Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Wet etching method for an N-type bifacial cell

Номер патента: US09537037B2. Автор: Chen Zhao,Lei Shi,Fei Zheng,Zhongli RUAN,Zhongwei Zhang,Yuxue ZHAO. Владелец: SHANGHAI SHENZHOU NEW ENERGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for obtaining an n-type doped metal chalcogenide quantum dot solid-state film, and an optoelectronic device comprising the obtained film

Номер патента: US11276792B2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Onur Ozdemir,Iñigo Ramiro. Владелец: Institucio Catalana De Recerca | Estudis Avancats. Дата публикации: 2022-03-15.

Method for obtaining an n-type doped metal chalcogenide quantum dot solid-state film, and an optoelectronic device comprising the obtained film

Номер патента: US20200350446A1. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Onur Ozdemir,Iñigo Ramiro. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for fabricating avalanche photodiode

Номер патента: US20020001911A1. Автор: Seung-Kee Yang,Dong-Soo Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for fabricating avalanche photodiode

Номер патента: US6492239B2. Автор: Seung-Kee Yang,Dong-Soo Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-10.

Method for manufacturing a recessed semiconductor device

Номер патента: US4642880A. Автор: Yoshihisa Mizutani,Syunzi Yokogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Silicon Controlled Rectifier and Method for Making the Same

Номер патента: US20210335775A1. Автор: Hua Shao,Haoyu Chen,Tianzhi ZHU,Guanqun Huang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Silicon controlled rectifier and method for making the same

Номер патента: US11532611B2. Автор: Hua Shao,Haoyu Chen,Tianzhi ZHU,Guanqun Huang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-20.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US10566424B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20180097064A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for manufacturing a CMOS device having twin wells and an alignment key region

Номер патента: US5252510A. Автор: Dai H. Lee,Hyung L. Ji. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-10-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB1260544A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1972-01-19.

Method for the prevention of misfit dislocation in silicon wafer and silicon wafer structure manufactured thereby

Номер патента: US5828114A. Автор: Ho Jun Lee,Choong Ki Kim,Chul Hi Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1998-10-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5106782A. Автор: Tadashi Matsuno,Hideki Shibata,Kazuhiko Hashimoto,Hisayo Momose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-04-21.

Method for manufacture of interdigital periodic structure device

Номер патента: US4411728A. Автор: Tsunenori Sakamoto. Владелец: Japan International Trade and Industry Ministry of. Дата публикации: 1983-10-25.

Method for producing an acceleration sensor

Номер патента: US5525549A. Автор: Yukihiko Tanizawa,Yoshimi Yoshino,Tsuyoshi Fukada. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-11.

Method for forming a complementary bipolar transistor structure including a self-aligned vertical PNP transistor

Номер патента: US4997775A. Автор: Chang-Ming Hsieh,Mario M. Pelella,Robert K. Cook,Kiyosi Isihara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

METHOD OF MAKING A HIGH FREQUENCY LIGHT EMITTING GaAs {11 {118 {11 P {11 {0 (0{21 X{21 0.6) DIODE

Номер патента: US3753808A. Автор: Y Ono,K Kurata,M Ogirima,T Shinoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1973-08-21.

Method for forming diffusion regions in a silicon substrate

Номер патента: US20140048133A1. Автор: Steven M. Kraft,Paul LOSCUTOFF,Kahn C. Wu,Steven Edward Molesa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for blister-free passivation of a silicon surface

Номер патента: US20120306058A1. Автор: Bart Vermang. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-12-06.

Photovoltaic device containing an N-type dopant source

Номер патента: US09559247B2. Автор: Markus Gloeckler. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing laterally insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09865702B2. Автор: FENG Lin,Feng Huang,Guipeng Sun,Bing Zhao,Lixiang LIU,Guangtao Han,Longjie ZHAO,Huatang LIN,Liangliang PING,Fengying CHEN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing a semiconductor device having a super junction MOSFET

Номер патента: US09954078B2. Автор: Takahiro Tamura,Yasuhiko Onishi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

N-type MOSFET and method for manufacturing the same

Номер патента: US09934975B2. Автор: HONG Yang,Yanbo ZHANG,Huilong Zhu,Qiuxia Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for manufacturing injection-enhanced insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09583587B2. Автор: Wanli Wang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Xuan Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20230207683A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Silicon controlled rectifier and method for making the same

Номер патента: US20210335997A1. Автор: Tianzhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for fabrication of germanium photodiode with silicon cap

Номер патента: US10892374B2. Автор: Edward Preisler,Difeng Zhu. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-01-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258306A1. Автор: Kenji Harada,Tetsuya Nitta,Munenori Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130149850A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Cmos semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130034953A1. Автор: Nobuyuki Mise,Takahisa Eimori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Method for manufacturing transistor according to selective printing of dopant

Номер патента: US09997709B2. Автор: Yong Young Noh. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for manufacturing vertical device

Номер патента: US20220406918A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacturing vertical device

Номер патента: US12107142B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device including one or more p-type semiconductors provided between an n-type semiconductor layer and an electrode

Номер патента: US12148804B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Reinforced switch device and method for manufacturing same

Номер патента: EP3637475A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Trench gate MOS semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09461154B2. Автор: Eri OGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9190469B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496335B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170309728A1. Автор: Tetsuo Ito,Tetsuya Yoshida,Koji Ogata,Hideki Aono. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for producing a microelectronic device

Номер патента: US20220310394A1. Автор: Cyrille Le Royer,Joël KANYANDEKWE. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-09-29.

High voltage LDMOS device with an increased voltage at source (high side) and a fabricating method thereof

Номер патента: US09543432B2. Автор: Wei Yue,Junjun Xing,Wenqing Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US09825166B2. Автор: Takashi Takahama,Satoru Akiyama,Tadao Morimoto,Ryuta Tsuchiya,Naoki Tega,Digh Hisamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Tunnel field-effect transistor, method for manufacturing same, and switch element

Номер патента: US09634114B2. Автор: Takashi Fukui,Katsuhiro Tomioka. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20240297247A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Diode, field effect transistor having the diode, and method for manufacturing the diode

Номер патента: US20240250164A1. Автор: Jun Saito,Katsumi Suzuki,Takuji Arauchi,Masahiro KUMITA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20240297248A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09608108B2. Автор: Shunji Kubo,Yasuki Yoshihisa,Kouji Tanaka,Mikio Tsujiuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204097A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12034073B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4372824A3. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09722016B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496387B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09608057B2. Автор: Takeyoshi Nishimura,Masanori Inoue,Yasushi Niimura,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing high-breakdown voltage semiconductor device

Номер патента: US4780426A. Автор: Yutaka Koshino,Yoshiro Baba,Jiro Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Method for fabricating super-junction power device with reduced miller capacitance

Номер патента: US20130260523A1. Автор: Yi-Chun Shih,Yung-Fa Lin,Shou-Yi Hsu,Meng-Wei Wu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200203475A1. Автор: Po-An Chen,Syed Neyaz Imam. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Junction barrier Schottky diode device and method for fabricating the same

Номер патента: US11769841B2. Автор: Nobuo Machida,Wen-Tsung Chang,Wen-Chin Wu. Владелец: Taipei Anjet Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070278558A1. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Preparation method for power diode

Номер патента: US09502534B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180286685A1. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka,Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12009360B2. Автор: Kenji Harada,Tetsuya Nitta,Munenori Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285504A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Layered semiconductor, method for producing the same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170207308A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Ishizuka,Yusuke Yoshizumi,Fuminori Mitsuhashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200044035A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09929259B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09620629B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09520475B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

High voltage transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US7247532B2. Автор: Jae-Il Ju. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-07-24.

Method for manufacturing semiconductor power device

Номер патента: US20230274941A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Zhenyi Xu,Zhendong MAO. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138274A1. Автор: Makoto Utsumi,Yasuhiko OONISHI,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for reducing nonuniformity of forward voltage of semiconductor wafer

Номер патента: US20160005622A1. Автор: Shinya Iwasaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Method for forming an undoped region under a source/drain

Номер патента: US12068395B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Meng-Ku Chen,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu,Ji-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing

Номер патента: US20240297220A1. Автор: Shingo Sato,Masatsugu Nagai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for forming an undoped region under a source/drain

Номер патента: US20240363729A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Meng-Ku Chen,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu,Ji-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having silicon-germanium layer on fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09899498B2. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Yi-Fan Li,Zih-Hsuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Low cost and mask reduction method for high voltage devices

Номер патента: US09793153B2. Автор: Sik Lui,Hideaki Tsuchiko. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method for semiconductor device with point defect region doped with transition metal

Номер патента: US09680034B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having silicon-germanium layer on fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680022B1. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Yi-Fan Li,Zih-Hsuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing display device

Номер патента: US8003195B2. Автор: Seokwoo Lee,Suhyuk Kang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-23.

Method for Manufacturing Metal Gate of PMOS

Номер патента: US20230132408A1. Автор: Yu Zhang,YU Bao,Jianhua Xu,Jingxun FANG,Zhaoqin Zeng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8168499B2. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Seiji Inumiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7727832B2. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Seiji Inumiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140073121A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130075758A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Bidirectional MOS device and method for preparing the same

Номер патента: US09905682B2. Автор: Bo Zhang,Min Ren,Jingxiu Liu,Jinping Zhang,Zehong LI,Zhaoji Li. Владелец: Institute of Electronic and Information Engineering of Dongguan UESTC. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09741788B2. Автор: Tetsuo Takahashi,Takami Otsuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing a semiconductor super-junction device

Номер патента: US11658209B2. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Rui Wang,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Method for incorporating impurity element in epi silicon process

Номер патента: US20150364604A1. Автор: Kuan-Yu Chen,Hsueh-Chang Sung,Chien-Chang Su,Tsz-Mei Kwok,Hsien-Hsin Lin,Yi-Fang Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20240213364A1. Автор: Akira Nakajima,Shinsuke Harada,Yoshinao Miura,Hirohisa Hirai,Xu-Qiang Shen. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-06-27.

Self-Aligning Pick-up Head and Method for Manufacturing a Device with the Self-Aligning Pick-up Head

Номер патента: US20140174652A1. Автор: Konrad Roesl,Horst Groeninger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-26.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1355363A2. Автор: Hiroyuki Doi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-22.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2770764A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170373152A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160035825A1. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055306A1. Автор: Shigehisa Yamamoto,Shinya AKAO,Yuichi Nagahisa,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US10249718B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Yuichiro Mitani,Hirotaka Nishino,Masayasu Miyata,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Parasitic pnp bipolar transistor in a silicon-germanium bicmos process

Номер патента: US20120061793A1. Автор: Wensheng QIAN,Donghua Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle and elevator

Номер патента: US20170200787A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110254087A1. Автор: Masatoshi Morikawa,Tomoyuki Miyake,Yutaka Hoshino,Makoto Hatori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240096967A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Diamond semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09478619B2. Автор: Daisuke Takeuchi,Mutsuko Hatano,Takayuki Iwasaki,Satoshi Yamasaki,Hiromitsu Kato,Masahiko Ogura,Toshiharu Makino. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180108774A1. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device exhibiting a high breakdown voltage and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20010038122A1. Автор: Masaru Saito,Kazuo Matsuzaki,Akio Kitamura,Naoto Fujishima,Gen Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-08.

Schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170162665A1. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-06-08.

Schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US9865701B2. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-01-09.

Schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170033240A1. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device with suppression of decrease of withstand voltage, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11984502B2. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230045793A1. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4033519A1. Автор: Makoto Kitabatake,Keisuke Kobayashi,Akio Shima,Satoru Nogami,Norihito YABUKI,Kumiko KONISHI.,Yusuke SUDOH. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200212183A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device exhibiting a high breakdown voltage and the method of manufacturing the same

Номер патента: US7195980B2. Автор: Masaru Saito,Kazuo Matsuzaki,Akio Kitamura,Naoto Fujishima,Gen Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-27.

Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation

Номер патента: US20230145240A1. Автор: John Tolle,Joe Margetis,David Kohen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20180308935A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Yuichiro Mitani,Hirotaka Nishino,Masayasu Miyata,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Variable capacitance device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20040094792A1. Автор: ASAI Akira,Ohnishi Teruhito. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for manufacturing gate stack structure

Номер патента: US10468493B2. Автор: Chih-Wei Lin,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US20150084104A1. Автор: Yuji Ando. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Thin Film Transistor, Method for Manufacturing the Same, and Display Device Including the Same

Номер патента: US20180033804A1. Автор: JongUk BAE,JunHyeon Bae. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4297097A3. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Method for manufacturing gate stack structure

Номер патента: US20190109202A1. Автор: Chih-Wei Lin,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001680A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Oxide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210234009A1. Автор: Yuki Takiguchi,Tatsuro Watahiki,Yohei YUDA,Shinsuke Miyajima. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200273983A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170040413A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240006528A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190237578A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12009420B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384347A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4095928A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-11-30.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4372824A2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3660925A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-06-03.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4297097A2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for dual energy implantation for ultra-shallow junction formation of mos devices

Номер патента: US20110143512A1. Автор: John Chen,Hanming Wu,Chia Hao Lee. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for dual energy implantation for ultra-shallow junction formation of MOS devices

Номер патента: US8466050B2. Автор: John Chen,Hanming Wu,Chia Hao Lee. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Method for manufacturing a doped zone of a microelectronic device

Номер патента: US11942323B2. Автор: Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing a cmos transistor

Номер патента: US20180025948A1. Автор: Myeong Seok KIM,Min Kuck Cho,In Chul Jung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Method of manufacturing a cmos transistor

Номер патента: US20180350696A1. Автор: Myeong Seok KIM,Min Kuck Cho,In Chul Jung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Non-volatile semiconductor memory with nitride sidewall contacting nitride layer of ONO gate stack and methods for producing the same

Номер патента: US09461138B2. Автор: Takaoki Sasaki,Yohei Fukumoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11823898B2. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220320272A1. Автор: Koji Nagatomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047200A1. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for fabricating semiconductor substrate, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US9941361B2. Автор: Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150060763A1. Автор: Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Toshihide Ito,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11688647B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Integrated circuits having improved metal gate structures and methods for fabricating same

Номер патента: US20130270646A1. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358814A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with gate electrode structure protection

Номер патента: US20140273367A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced power consumption without a reduction in the source/drain breakdown voltage

Номер патента: US20020094614A1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Shigenobu Maeda,Toshiaki Iwamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Structure and method for SRAM FinFET device having an oxide feature

Номер патента: US09721955B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming a reduced resistivity poly gate and related structure

Номер патента: US7776675B1. Автор: Dong Gan,Joe W. Adamic. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2010-08-17.

Electronic Device Including a Doped Gate Electrode and a Process of Forming the Same

Номер патента: US20220189780A1. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Coppens,Peter Moens,Petr Kostelnik,Tomas Novak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-06-16.

Stucture and method for sic based protection device

Номер патента: US20200075780A1. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,Blake Powell. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Super-junction structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20200006475A1. Автор: Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20170025520A1. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20180108765A1. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US9842918B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240170339A1. Автор: Chih-Yuan Ting,Huan-Just Lin,Wen-Kuo HSIEH,Te-Chih Hsiung,Yang-Cheng WU,Yun-Hua Chen,Yi-Hsuan Chiu,Bing-Sian WU,Sheng-Hsun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device structure with gate stack and method for forming the same

Номер патента: US20240079277A1. Автор: Pei-Yu Wang,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Isolation NLDMOS device and a manufacturing method therefor

Номер патента: US9484455B2. Автор: Wensheng QIAN,Donghua Liu,Wenting Duan. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Isolation nldmos device and a manufacturing method therefor

Номер патента: US20160233332A1. Автор: Wensheng QIAN,Donghua Liu,Wenting Duan. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device including an IGBT as a power transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09780187B2. Автор: Tsuyoshi Kachi,Yuta IKEGAMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Coating liquid for forming n-type oxide semiconductor film, method for producing n-type oxide semiconductor film, and method for producing field-effect transistor

Номер патента: US11908945B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190259766A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Systems and methods for forming diamond heterojunction junction devices

Номер патента: US20180053827A1. Автор: Anirudha V. Sumant,Kiran Kumar KOVI. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-02-22.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120007043A1. Автор: Shin Yokoyama,Yoshiteru Amemiya. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2012-01-12.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20100193913A1. Автор: Takahisa Kusuura. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2010-08-05.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US8026155B2. Автор: Takahisa Kusuura. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2011-09-27.

Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09837578B2. Автор: Sun Kyung Kim,Jun Ho Jang,Hyun Kyong Cho. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Solar cells and methods for manufacture thereof

Номер патента: US4322571A. Автор: Billy J. Stanbery. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1982-03-30.

Method for manufacturing green light emitting biodes

Номер патента: CA1213028A. Автор: Toshio Matsuda,Susumu Koike,Toshiharu Kawabata,Hitoo Iwasa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-10-21.

Method for manufacturing a semiconductor light emitting device

Номер патента: US5459106A. Автор: Masato Yamada,Tadashi Sakurai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method of manufacturing a semiconductor laser device

Номер патента: US4987097A. Автор: Masayuki Ishikawa,Yukie Nishikawa,Koichi Nitta,Yoshihiro Kokubun,Yasuhiko Tsuburai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-01-22.

A method for forming silicon carbide onto a silicon substrate

Номер патента: WO2019122126A1. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn,Roland PÜSCHE. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2019-06-27.

P-type ZnO based compound semiconductor layer, a ZnO based compound semiconductor element, and an N-type ZnO based compound semiconductor laminate structure

Номер патента: US09496350B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Chizu Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming a transistor with an active area layout having both wide and narrow area portions and a gate formed over the intersection of the two

Номер патента: US09899364B2. Автор: Thomas J. Aton,James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Light emitting device having a composition modulation layer of unequal amounts of at least two elements between an n-type contact layer and a transparent electrode

Номер патента: US7851824B2. Автор: Masato Sawada,Akihiro Ooishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Method for operating vertical Hall sensor plates with increased sensitivity on the basis of an n-type substrate

Номер патента: DE102018118030B3. Автор: Jürgen Niendorf,Marcus Nemes. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2019-11-21.

Super Junction Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20230006036A1. Автор: Shengan Xiao,Dajie Zeng. Владелец: Shenzhen Sanrise Tech Co ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Junction barrier schottky diode and method for manufacturing same

Номер патента: EP4456147A1. Автор: Akio Takatsuka. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Super junction device and method for making the same

Номер патента: US12136648B2. Автор: Shengan Xiao,Dajie Zeng. Владелец: Shenzhen Sanrise Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and power conversion system

Номер патента: US09991336B2. Автор: Masatoshi Wakagi,Mutsuhiro Mori,Tomoyasu Furukawa,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, silicon wafer and method of manufacturing a silicon wafer

Номер патента: US20200161424A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Helmut Oefner,Nico Caspary. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for Manufacturing Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT

Номер патента: US20150031174A1. Автор: Guangran PAN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including Al electrode formed on AlxGa(1-x)N layer

Номер патента: US09985108B2. Автор: Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Ryohei NEGA,Masaaki Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode

Номер патента: US20150076515A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-19.

Schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode

Номер патента: US9006746B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-04-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030064560A1. Автор: Isao Kimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090078994A1. Автор: Yoshinori Takami. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Gate-all-around nanowire device and method for manufacturing such a device

Номер патента: US09991261B2. Автор: Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-05.

Composite power element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358907A1. Автор: Shih-Chieh Hung,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Display panel and method for fabricating same

Номер патента: US20240113204A1. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Silicon-controlled rectifier electrostatic discharge protection device and method for forming the same

Номер патента: US09520488B2. Автор: Meng Dai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190341260A1. Автор: Nariaki Tanaka,Toru Oka,Junya Nishii,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20070176207A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20060032762A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490337B2. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-11-08.

Power semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US8258032B2. Автор: Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-04.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210098475A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190393230A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200083233A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Heterojunction bipolar transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20060030113A1. Автор: Akiyoshi Tamura,Keiichi Murayama,Kenichi Miyajima. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor device having a gate electrode, an interlayer insulating film and a barrier metal provided in a trench

Номер патента: US12094939B2. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871127B2. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing a buried plate type DRAM having a widened trench structure

Номер патента: US5629226A. Автор: Sumito Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-13.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20130168739A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Masaki Ueno,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

A silicon-carbide mosfet cell structure and method for forming same

Номер патента: CA2783438A1. Автор: Peter Sandvik,Stephen Daley Arthur,Kevin Matocha,Zachary Stum,James Mcmahon,Peter Losee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-01-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11855229B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Cmos structure and method for manufacturing cmos structure

Номер патента: US20220045054A9. Автор: Chen Xu,Lei Chen,ZHI Wang,Guangcai Yuan,Feng Guan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Cmos structure and method for manufacturing cmos structure

Номер патента: US20210151435A1. Автор: Chen Xu,Lei Chen,ZHI Wang,Guangcai Yuan,Feng Guan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090206366A1. Автор: Masahiko Niwayama,Yoshimi Shimizu,Kazuyuki Sawada,Yuji Harada,Saichirou Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Trench mosfet with trench contact holes and method for fabricating the same

Номер патента: US20120091523A1. Автор: Gang Ji,Jianping Gu,Kaibin Ni,Tianbing Zhong. Владелец: Will Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for manufacturing display substrate

Номер патента: US12094954B2. Автор: Yu Feng,Liang Tian,Bin Liu,Chenglong Wang,Xinguo WU,Fengguo WANG,Yuxuan Ma. Владелец: Ordos Yuansheng G Roni Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

A lateral field effect transistor of sic, a method for production thereof and a use of such a transistor

Номер патента: CA2361752C. Автор: Andrei Konstantinov,Christopher Harris. Владелец: Cree Sweden AB. Дата публикации: 2011-05-10.

Fabricating method of a high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20070080398A1. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

PREPARATION METHOD FOR GaAs/Ge/GaAs HETEROGENEOUS SPiN DIODE FOR LOOP ANTENNA

Номер патента: US20180175481A1. Автор: Liang Zhang,Xiaoxue YIN. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240204099A1. Автор: Takeshi Ishida,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Dual-mode memory devices and methods for operating same

Номер патента: US09461175B2. Автор: Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100078720A1. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Method for manufacturing a schottky diode and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20240030357A1. Автор: Abderrezak Marzaki. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-01-25.

Thin-film transistor and method for producing same

Номер патента: US20210296505A1. Автор: Hiroyuki Ohta,Tomohiro Inoue. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Composite power element and method for manufacturing the same

Номер патента: US11201147B2. Автор: Shih-Chieh Hung,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-14.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20020098615A1. Автор: Hiroyuki Doi,Katsujirou Arai,Takuo Akashi,Hirotsugu Honda,Naritsugu Yoshii. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Group III-nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09905647B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09698264B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

High-integration semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09515182B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09461173B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8901572B2. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140183560A1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-03.

Display device using semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3837719A1. Автор: Jin Jang,Sunghwan Kim,Jaegwang Um. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070138550A1. Автор: Hitoshi Ninomiya,Yoshinao Miura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20150087118A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20040188707A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Method of manufacturing a P-channel power MOSFET

Номер патента: US09825167B2. Автор: Hitoshi Matsuura,Yoshito Nakazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US7214558B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Driving transistor of organic light-emitting, method for fabricating the transistor, and organic light-emitting device including the transistor

Номер патента: US8304281B2. Автор: Cheol Se Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-06.

Driving transistor of organic light-emitting device, method for fabricating the driving transistor, and organic light-emitting device including the driving transistor

Номер патента: US20080012020A1. Автор: Cheol Se Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-17.

Driving transistor of organic light-emitting, method for fabricating the transistor, and organic light-emitting device including the transistor

Номер патента: US20110210331A1. Автор: Cheol Se Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Single mask process for manufacture of fast recovery diode

Номер патента: US6294445B1. Автор: Iftikhar Ahmed,Igor Bol. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2001-09-25.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20190305124A1. Автор: ATSUSHI Watanabe,Hiroyuki Ueda,Tomohiko Mori. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160365433A1. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180083130A1. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Photoelectric conversion device and method for producing photoelectric conversion device

Номер патента: US20140027875A1. Автор: Isao Hasegawa,Hitoshi Sakata. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for designing and manufacturing a PMOS device with drain junction breakdown point located for reduced drain breakdown voltage walk-in

Номер патента: US20070264768A1. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for Designing and Manufacturing a PMOS Device with Drain Junction Breakdown Point Located for Reduced Drain Breakdown Voltage Walk-in

Номер патента: US20090254872A1. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Method for designing and manufacturing a PMOS device with drain junction breakdown point located for reduced drain breakdown voltage walk-in

Номер патента: US8086979B2. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Method for designing and manufacturing a PMOS device with drain junction breakdown point located for reduced drain breakdown voltage walk-in

Номер патента: US7560348B2. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-07-14.

Method for treating the surface of a silicon-carbide substrate including a removal step in which a modified layer produced by polishing is removed by heating under Si vapor pressure

Номер патента: US09978597B2. Автор: Noboru Ohtani,Tadaaki Kaneko,Kenta Hagiwara. Владелец: KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010027021A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010024875A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US6413885B2. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-02.

Bipolar transistor with an n-type base and method of production

Номер патента: WO2010046449A1. Автор: Leon C. M. Van Den Oever. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for manufacturing a semiconductor package having a conductive pad with an anchor flange

Номер патента: US11848254B2. Автор: Chung-Hsiung Ho,Chi-Hsueh Li. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for manufacturing a semiconductor package having a conductive pad with an anchor flange

Номер патента: US20220122904A1. Автор: Chung-Hsiung Ho,Chi-Hsueh Li. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for use in manufacturing a semiconductor device die

Номер патента: US09553022B1. Автор: Michaela Braun,Markus Menath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for use in manufacturing a bicycle spoked wheel, an accessory for a bicycle, a kit of parts intended for use with the accessory, and a magnetic insert that is destined to be removably attached to a spoke attachment element

Номер патента: US20040139609A1. Автор: Maurizio Passarotto,Mario Meggiolan. Владелец: Campagnolo SRL. Дата публикации: 2004-07-22.

Method for enhancing stability of n-type semiconductor through oxygen elimination

Номер патента: US20240266187A1. Автор: Liqiang LI,Jinbo HE,Wenping Hu,Yinan Huang,Liqian YUAN. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing CI(G)S-based thin film comprising Cu-Se thin film using Cu-Se two-component nanoparticle flux, and CI(G)S-based thin film manufactured by the method

Номер патента: US09496449B2. Автор: Ara Cho,Jae-Ho Yun,Kyung-Hoon YOON,Kee-Shik Shin,SeJin Ahn,Jihye Gwak,SeoungKyu Ahn. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-11-15.

CIGS Solar Cell and Method for Manufacturing thereof

Номер патента: US20120000531A1. Автор: Yan-Way LI. Владелец: GCSOL Tech CO Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar cell and method for manufacturing solar cell

Номер патента: US20170117424A1. Автор: Hiroki Sugimoto,Noriyuki Sakai,Takuya Katou,Homare Hiroi. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-04-27.

Method for manufacturing junction plane of solar cell through aluminum induced crystallization method

Номер патента: US8697482B1. Автор: Jian-Yang Lin,Ting-Jia Chen. Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2014-04-15.

Optoelectronic device and method for making the same

Номер патента: US20180175244A1. Автор: Jiguang Li,Yangang XI. Владелец: Goforward Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

CIGS Solar Cell and Method for Manufacturing thereof

Номер патента: US20120000531A1. Автор: Yan-Way LI. Владелец: GCSOL Tech CO Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure

Номер патента: WO2010085081A2. Автор: Sang In LEE. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-29.

Method for producing differently doped semiconductors

Номер патента: US09887313B2. Автор: Stephan Traut,Christoph Mader,Odo Wunnicke,Christian Guenther,Joachim Erz,Jasmin Lehmkuhl,Susanne Christine MARTENS. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2018-02-06.

Solar cell, and method for manufacturing solar cell

Номер патента: US20210159355A1. Автор: Hirotaka Katayama,Izuru Nakai,Keiichiro Masuko,Daiji KANEMATSU. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Thin-film solar cell and production method for thin-film solar cell

Номер патента: US20160155878A1. Автор: Hiroki Sugimoto,Hideki Hakuma,Yasuaki Iwata. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2016-06-02.

Thin-film solar cell and production method for thin-film solar cell

Номер патента: US09786804B2. Автор: Hiroki Sugimoto,Hideki Hakuma,Yasuaki Iwata. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-10-10.

Area sensor and display apparatus provided with an area sensor

Номер патента: US09941343B2. Автор: Masato Yonezawa,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Jun Koyama,Yu Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Area sensor and display apparatus provided with an area sensor

Номер патента: US09711582B2. Автор: Masato Yonezawa,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Jun Koyama,Yu Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070059909A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods for obtaining an n-type doped metal chalcogenide quantum dot solid-state element with optical gain and a light emitter including the element, and the obtained element and light emitter

Номер патента: US20220235263A1. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Sotirios CHRISTODOULOU. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2022-07-28.

Methods for obtaining an n-type doped metal chalcogenide quantum dot solid-state element with optical gain and a light emitter including the element, and the obtained element and light emitter

Номер патента: WO2020234485A1. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Sotirios CHRISTODOULOU. Владелец: INSTITUCIÓ CATALANA DE RECERCA I ESTUDIS AVANÇATS. Дата публикации: 2020-11-26.

Method for manufacturing a photovoltaic cell and a photovoltaic cell obtained with such a method

Номер патента: US20100236618A1. Автор: Martin Dinant Bijker. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for manufacturing a photovoltaic cell and a photovoltaic cell obtained with such a method

Номер патента: EP2208233A1. Автор: Martin Dinant Bijker. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2010-07-21.

Method for manufacturing a photovoltaic cell and a photovoltaic cell obtained with such a method

Номер патента: WO2009048332A1. Автор: Martin Dinant Bijker. Владелец: OTB Group B.V.. Дата публикации: 2009-04-16.

Thin-film photoelectric conversion device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150221802A1. Автор: Kenji Yamamoto,Tomomi Meguro. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Tunnel oxide layer, n-type bifacial crystalline silicon solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20240145610A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US09431555B2. Автор: Sumito Shimizu,Tomohiro Saitou. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Photoelectric conversion device, method for manufacturing photoelectric conversion device, and electronic apparatus

Номер патента: US09876049B2. Автор: Manabu Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for fabricating a back contact solar cell

Номер патента: US8461011B2. Автор: Won Jae Lee,Joon Sung Lee,Eun Chel Cho,Min Sung Jeon. Владелец: Hyundai Heavy Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Betavoltaic battery and method for manufacturing betavoltaic battery

Номер патента: US20230282384A1. Автор: Dong Seok Kim,Jae Sang LEE,Young Jun YOON. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2023-09-07.

Tandem photovoltaic device combining a silicon-based sub-cell and a perovskite-based sub-cell comprising an n-layer with controlled carbon content

Номер патента: AU2021374854A9. Автор: Noella Lemaitre,Stephane Cros,Matthieu MANCEAU,Pia DALLY,Olivier DUPRE. Владелец: 3Sun SRL. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing solar cell and splittable solar cell for manufacturing solar cell from splittable solar cell that can be split

Номер патента: US20200313011A1. Автор: Toshiyuki Sakuma. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Single junction type cigs thin film solar cell and method for manufacturing the thin film solar cell

Номер патента: US20120103418A1. Автор: Won Seok Han,Yong-Duck Chung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-05-03.

Tandem photovoltaic device combining a silicon-based sub-cell and a perovskite-based sub-cell comprising a p- or n-type material/perovskite composite layer

Номер патента: AU2021375370A1. Автор: Noella Lemaitre,Matthieu MANCEAU,Olivier DUPRE. Владелец: 3Sun SRL. Дата публикации: 2023-06-22.

Intermediate layer for stacked type photoelectric conversion device, stacked type photoelectric conversion device and method for manufacturing stacked type photoelectric conversion device

Номер патента: US20130069193A1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Masanori Mizuta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for Preparing Pixel Cell of CMOS Image Sensor

Номер патента: US20230073606A1. Автор: LU Wang,Cuiyu Mei. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

High-efficiency backside contact solar cell and method for manufacturing thereof

Номер патента: US11984522B2. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami,Hiroyuki Ohtsuka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Solar cell structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20160087115A1. Автор: Chao-Chang Li,Jian-Yang Lin,Huey-Liang Hwang,Cheng-Siang Hu. Владелец: Huey-Liang Hwang. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for forming an electrode

Номер патента: US7344967B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Koji Kaga,Yukitaka Hasegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

Back-Side Metal Electrode of N-Type TOPCon Solar Cell, and Method for Preparing Back-Side Metal Electrode of N-Type TOPCon Solar Cell, and N-type TOPCon Solar Cell

Номер патента: AU2021415703B2. Автор: Jinfang Yang,Wei-Chih Hsu,Sheng HE,Mingzhang FENG. Владелец: Chint New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating a semiconductor device using a porous silicon region

Номер патента: US5445991A. Автор: Jong H. Lee. Владелец: Kyungpook National University KNU. Дата публикации: 1995-08-29.

Method for manufacturing n-type crystalline silicon cell

Номер патента: FI20205765A1. Автор: Zhi Yang,Shude Zhang,Qingzhu WEI,Zhichun NI. Владелец: Suzhou Talesun Solar Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-25.

Tubular perc double-sided photovoltaic cell and method for fabrication thereof and dedicated device

Номер патента: EP3627563A1. Автор: Gang Chen,Kang-Cheng Lin,Chun-Wen Lai,Jiebin Fang,Nailin He,Wenjie YIN,Ta-Neng Ho. Владелец: Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-25.

Method for metallizing front electrode of n-type solar cell

Номер патента: US20220158004A1. Автор: YUAN LIU,Peng ZHU,Mengxue LIU. Владелец: Nantong T Sun New Energy Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Tandem photovoltaic device combining a silicon-based sub-cell and a perovskite-based sub-cell including an n-layer with controlled carbon content

Номер патента: US20240016052A1. Автор: Noella Lemaitre,Stephane Cros,Matthieu MANCEAU,Pia DALLY,Olivier DUPRE. Владелец: Enel Green Power Italia SRL. Дата публикации: 2024-01-11.

Solar cell element and method for manufacturing same

Номер патента: US20140102535A1. Автор: Tomoyuki KOMORI,Hidekazu Arase. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Solar cell and preparation method for solar cell

Номер патента: EP4407695A1. Автор: Bin Chen,Xiulin Jiang,Guangliang DUAN. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

p-type semiconductor, method for manufacturing the p-type semiconductor, semiconductor device, photovoltaic element, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6153895A. Автор: Takayuki Watanabe,Hiroshi Yoshida,Tetsuya Yamamoto. Владелец: Asahi Kasei Kogyo KK. Дата публикации: 2000-11-28.

Dry etch method for texturing silicon and device

Номер патента: US20160351734A1. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Jeehwan Kim,Richard A. Haight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Solar cell, method for producing same and solar module

Номер патента: US11749768B2. Автор: Hao Jin,Jie Yang,Xinyu Zhang,Wenqi Li. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Optoelectronic semiconductor structure and method for transporting charge carriers

Номер патента: US20140299892A1. Автор: Jani Oksanen,Jaakko Tulkki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-09.

Material composition for organic photoelectric conversion layer, organic photoelectric conversion element, method for producing organic photoelectric conversion element, and solar cell

Номер патента: US09660193B2. Автор: Hirohide Ito,Hiroshi Takagi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-05-23.

Photoelectric conversion element and method for producing the same

Номер патента: US20200343465A1. Автор: Daisuke Inokuchi,Giovanni Ferrara. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for manufacturing photoelectric conversion element

Номер патента: US5897332A. Автор: Masahiro Kanai,Shotaro Okabe,Yuzo Kohda,Tadashi Hori,Akira Sakai,Tomonori Nishimoto,Takahiro Yajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-04-27.

Photovoltaic cell, method for manufacturing an encapsulated photovoltaic cell, electrical connection unit for a photovoltaic tile, and photovoltaic tile

Номер патента: EP3920240A1. Автор: Luiz Antonio Lopes,Claiton Abrao,Rodrigo Angelo Inacio. Владелец: TEGULA SOLUCOES PARA TELHADOS Ltda. Дата публикации: 2021-12-08.

Low-cost solar cells and methods for their production

Номер патента: EP2208238A1. Автор: SINHA Ashok. Владелец: SUNPREME Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Conductive silver aluminum paste, method for preparing the same, and electrode using the same

Номер патента: US20240321476A1. Автор: LI ZHANG,TIAN Yue,Xiang Wang,Jie Liu,Bing Liu,Xiaolong Chen,Can MA,Hongxia Ran. Владелец: Shanghai Silver Paste Sci &tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Metal matrix composite and method for producing the same

Номер патента: US09490380B2. Автор: Takashi Naito,Yuichi Sawai,Takuya Aoyagi,Tadashi Fujieda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for manufacturing cis-based thin film solar cell

Номер патента: US20100210064A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Hideki Hakuma,Satoru Kuriyagawa. Владелец: Showa Shell Sekiyu KK. Дата публикации: 2010-08-19.

Photovoltaic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240014339A1. Автор: Damien LACHENAL,Pierre Papet,Till KÖSSLER. Владелец: Meyer Burger Germany GmbH. Дата публикации: 2024-01-11.

Tandem thin-film silicon solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090293936A1. Автор: Seung-Yeop Myong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Photodiode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240186435A1. Автор: Hongwei Zhao,Wenjun Chen,Yuanyuan Wang,Minghui Song,Xiufeng XIN. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Single junction type cigs thin film solar cell and method for manufacturing the thin film solar cell

Номер патента: US20140109963A1. Автор: Won Seok Han,Yong-Duck Chung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-04-24.

Single junction type cigs thin film solar cell and method for manufacturing the thin film solar cell

Номер патента: US8637765B2. Автор: Won Seok Han,Yong-Duck Chung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-28.

Composition for forming n-type diffusion layer, method for producing semiconductor substrate having n-type diffusion layer, and method for producing solar cell element

Номер патента: US20150017754A1. Автор: Masato Yoshida,Yasushi Kurata,Toranosuke Ashizawa,Takeshi Nojiri,Yoichi Machii,Tetsuya Sato,Mari Shimizu,Mitsunori Iwamuro,Akihiro Orita. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Back-Side Metal Electrode of N-Type TOPCon Solar Cell, and Method for Preparing Back-Side Metal Electrode of N-Type TOPCon Solar Cell, and N-type TOPCon Solar Cell

Номер патента: AU2021415703A1. Автор: Jinfang Yang,Wei-Chih Hsu,Sheng HE,Mingzhang FENG. Владелец: Chint New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Organic photosensitive device with an electron-blocking and hole-transport layer

Номер патента: US09876184B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Hsing-Lien Lin,Chin-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Solar cell, method for producing same and solar module

Номер патента: EP4239692A2. Автор: Hao Jin,Jie Yang,Xinyu Zhang,Wenqi Li. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Solar cell, method for producing same and solar module

Номер патента: EP4239692A3. Автор: Hao Jin,Jie Yang,Xinyu Zhang,Wenqi Li. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

N-Type TOPCon Cell with Double-Sided Aluminum Paste Electrodes, and Preparation Method for Preparing N-Type TOPCon Cell with Double-Sided Aluminum Paste Electrodes

Номер патента: US20240097057A1. Автор: Wei-Chih Hsu,Sheng HE,Mingzhang FENG. Владелец: Chint New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Silicon Oxide for Anode of Secondary Battery, Method for Preparing the Same and Anode of Secondary Battery Using the Same

Номер патента: US20140349190A1. Автор: Yun-Kyu Kang. Владелец: YEIL ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Manufacturing device for field pole magnet body and manufacturing method for same

Номер патента: US09899148B2. Автор: Hideki Watanabe,Yasushi Matsushita,Kimio Nishimura,Michito KISHI,Kunitomo Ishiguro,Takumi OHSHIMA,Takashi Sekikawa,Akihisa Hori,Kazuhiro Takaichi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

High-strength electrospun microfiber non-woven web for a separator of a secondary battery, a separator comprising the same and a method for manufacturing the same

Номер патента: US09419265B2. Автор: Young-Deok Kim,Byeong-Gyu Cho,Won-Pill HWANG. Владелец: Toray Battery Separator Film Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240213402A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Silicon controlled rectifier and method for making the same

Номер патента: US20210335777A1. Автор: Tianzhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

MOSFET and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20030230777A1. Автор: Toshimitsu Kato,Yoshiaki Aizawa,Hiromi Tada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

A method for manufacturing a semiconductor device having diffusion junctions

Номер патента: GB1273199A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-05-03.

Method for manufacturing high dielectric constant metal gate for nmos and pmos

Номер патента: US20230420304A1. Автор: Wei Zhou,Weiwei Ma,Ran Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11694900B2. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303197A1. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11158514B2. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220020592A1. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for processing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device in which said processing method is used

Номер патента: US09779968B2. Автор: Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595584B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Apparatus and methods for transceiver interface overvoltage clamping

Номер патента: US09478608B2. Автор: James Zhao,Javier Alejandro Salcedo,Juan Luo. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Device and methods for high-K and metal gate slacks

Номер патента: US09865510B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for forming source/drain contacts

Номер патента: US12009363B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200006049A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for creating the high voltage complementary BJT with lateral collector on bulk substrate with resurf effect

Номер патента: US09741790B2. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Cmos device including a non-straight pn-boundary and methods for generating a layout of a cmos device

Номер патента: US20170004241A1. Автор: Mikhail Yurievich Semenov,Denis Borisovich Malashevich,Viacheslav Sergeyevich Kalashnikov. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170213840A1. Автор: Tadashi Iguchi,Masanobu Baba,Megumi Ishiduki,Gaku Sudo,Murato Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09997526B2. Автор: Tadashi Iguchi,Masanobu Baba,Megumi Ishiduki,Gaku Sudo,Murato Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Compound semiconductor and method for manufacturing same

Номер патента: US11888033B2. Автор: Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Integrated pn Diode Temperature Sensor

Номер патента: US20200006185A1. Автор: Mark Harrison,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240097000A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US9530778B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

n-Type Electrode, Method for Manufacturing n-Type Electrode, and n-Type Laminated Structure wherein n-Type Electrode is Provided on n-Type Group III Nitride Single Crystal Layer

Номер патента: US20190140065A1. Автор: Toshiyuki Obata,Yu Mishima,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020117721A1. Автор: Akihiko Ebina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7541657B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100155851A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7429776B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Semiconductor device with an ohmic ontact and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030132442A1. Автор: Bor-Jen Wu,Liann-Be Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1976002A3. Автор: OSullivan Barry,Stefan Kubicek,Riichiro c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. Mitsuhashi,Kota c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Oikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-08.

Silicon Controlled Rectifier and Method for Making the Same

Номер патента: US20210335776A1. Автор: Hua Shao,Haoyu Chen,Tianzhi ZHU,Guanqun Huang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

No-snapback silicon controlled rectifier and method for making the same

Номер патента: US11545482B2. Автор: Hua Shao,Haoyu Chen,Tianzhi ZHU,Guanqun Huang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

System and method for a field-effect transistor with dual vertical gates

Номер патента: US09972545B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing p-type ZnO based compound semiconductor layer, method for producing ZnO based compound semiconductor element, p-type ZnO based compound semiconductor single crystal layer, ZnO based compound semiconductor element, and n-type ZnO based compound semiconductor laminate structure

Номер патента: US9064790B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Chizu Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-23.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11862672B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20210313324A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Device and methods for high-k and metal gate slacks

Номер патента: US20160190018A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing occurrence of cracks in aluminum nitride layer

Номер патента: US20230197486A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara,Taku Murakawa. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for increasing breaking down voltage of lateral diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20100270615A1. Автор: Kwang-Ming Lin,Shih-Chan Chen,Shih-Chieh Pu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for creating the high voltage complementary bjt with lateral collector on bulk substrate with resurf effect

Номер патента: US20160233294A1. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

A method for obtaining polymer nanoparticle dispersion solution and an n-type conductive ink

Номер патента: EP4247904A1. Автор: Magnus Berggren,Simone FABIANO,Marc-Antoine STOECKEL,Chi-Yuan YANG. Владелец: N Ink AB. Дата публикации: 2023-09-27.

A method for obtaining polymer nanoparticle dispersion solution and an n-type conductive ink

Номер патента: WO2022106017A1. Автор: Magnus Berggren,Simone FABIANO,Marc-Antoine STOECKEL,Chi-Yuan YANG. Владелец: Yang Chi Yuan. Дата публикации: 2022-05-27.

A Method For Obtaining Polymer Nanoparticle Dispersion Solution And An N-Type Conductive Ink

Номер патента: US20240002689A1. Автор: Magnus Berggren,Simone FABIANO,Marc-Antoine STOECKEL,Chi-Yuan YANG. Владелец: N Ink AB. Дата публикации: 2024-01-04.

Article And Method For Producing An Article With A Silicone-Type Base Material And Solid Material Particles Introduced Into A Surface Of The Article

Номер патента: US20150075841A1. Автор: Michael Dreiner,Albert Nording. Владелец: LEONI KABEL HOLDING GMBH. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for spatio-temporal adaptive signal processing in a monopulse shipborne radar with an active phased antenna array

Номер патента: RU2735216C2. Автор: Максим Александрович Лихачев,Валентин Иванович Аржаев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2020-10-28.

Method for verifying the source of a silicon containing material

Номер патента: WO2023172150A1. Автор: Russell David FREW,Samuel James LIND,Joshua WAKEFIELD. Владелец: Oritain Global Limited. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for manufacturing a sensor of a thermal, flow measuring device for measuring mass flow of a medium in a measuring tube and a sensor

Номер патента: US20190301907A1. Автор: Hanno Schultheis,Alexander Grün,Stephan GABERTHÜEL. Владелец: Endress and Hauser Flowtec AG. Дата публикации: 2019-10-03.

System and method for reading one or more RFID tags in a metal cassette with an anticollision protocol

Номер патента: US09727757B2. Автор: Andreas Zielasch,Reinhold Frosch,Nicolas Gehrig. Владелец: SATYATEK SA. Дата публикации: 2017-08-08.

Article and method for producing an article with a silicone-type base material and solid material particles introduced into a surface of the article

Номер патента: US9412501B2. Автор: Michael Dreiner,Albert Nording. Владелец: LEONI KABEL HOLDING GMBH. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for providing a piece of a film of a magnetoelastic material with an enchanced bending stiffness, product obtained by the method and sensor

Номер патента: US20090198202A1. Автор: Stefan Nedestam. Владелец: SCA HYGIENE PRODUCTS AB. Дата публикации: 2009-08-06.

Method for the plasma cleaning of the surface of a material coated with an organic substance and the installation for carrying out said method

Номер патента: AU2003224204A1. Автор: Eric Michel,Eric Silberberg,Francois Reniers,Claudine Buess-Herman. Владелец: USINOR SA. Дата публикации: 2003-09-09.

System And Method For Controlling A Speaker In A Vehicle Cabin To Play Sounds Produced By An Engine And/Or A Driveline During A Vehicle Launch And A Transmission Upshift

Номер патента: US20180281677A1. Автор: Scott M. Reilly,Frank C. Valeri,Roger C. Barlow, Jr.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US09812300B2. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for Manufacturing Simox Wafer

Номер патента: US20070178680A1. Автор: Seiichi Nakamura,Yukio Komatsu,Yoshiro Aoki,Tetsuya Nakai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Solid-state image sensing device and method for manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20180350854A1. Автор: Tomoyuki Hirano,Tsukasa Miura,Shuji Manda,Kazunobu Ota,Junpei Yamamoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030216055A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method for manufacturing a semiconductor device having lateral MOSFET (LDMOS)

Номер патента: US20020190309A1. Автор: Shigeki Takahashi,Masatoshi Kato,Hiroaki Himi,Satoshi Shiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8536633B2. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Method for manufacturing sic substrate

Номер патента: US20240332012A1. Автор: Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080164505A1. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099009A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Mariko SUMIYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20160237589A1. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for manufacturing light emitting diode with InGaN/GaN superlattice

Номер патента: US09991416B2. Автор: Jinyoung Park,Kwangjae Lee,Taeksoo JI,Jinhong LEE,Wangki KIM,Jaesam SHIM. Владелец: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Electrostatic discharge protection device comprising a silicon controlled rectifier

Номер патента: US09704850B2. Автор: Da-Wei Lai,Guido Wouter Willem Quax. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-07-11.

Flip chip light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680059B2. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20070290237A1. Автор: Akio Nakagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Silicon carbide wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230203709A1. Автор: Takashi Kanemura,Masatake Nagaya,Hiroaki FUJIBAYASHI,Shinichi Hoshi,Junji Ohara. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080093623A1. Автор: Yoshinobu Kono. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US20140318948A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US20120138453A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yokio INAZUKI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for manufacturing semiconductor device with a barrier layer having overhung portions

Номер патента: US09502303B2. Автор: Wen-Chin Lin,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Chun-Tsen Lu,Kun-Ju Li,Wu-Sian Sie,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

System and method for removing scalloping and tapering effects in high aspect ratio through-silicon vias of wafers

Номер патента: US11735478B2. Автор: Sandro Carrara,Edoardo Charbon,Simone Frasca,Rebecca Leghziel. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2023-08-22.

System and Method for Removing Scalloping and Tapering Effects in High Aspect Ratio Through-Silicon Vias of Wafers

Номер патента: US20210351075A1. Автор: Sandro Carrara,Edoardo Charbon,Simone Frasca,Rebecca Leghziel. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2021-11-11.

Device and system of a silicon controlled rectifier (SCR)

Номер патента: US09882003B1. Автор: Efraim Aharoni. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Electrostatic discharge protection devices and methods for protecting semiconductor devices against electrostatic discharge events

Номер патента: GB2455682A. Автор: Akram Salman,Stephen Beebe. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-06-24.

Semiconductor device including a high voltage P-channel transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9129841B2. Автор: Hirokazu Sayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070090465A1. Автор: Ken Suzuki,Masafumi Tsutsui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

CFET with Different Channel Materials for NFET and PFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240274474A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing high frequency signal transmission structure and high frequency signal transmission structure obtained thereby

Номер патента: US20180196192A1. Автор: Ming-Jaan Ho,Fu-Yun Shen,Xian-qin HU,Feng-Yuan Hu. Владелец: Avary Holding Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

SiC EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING SIC EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20240274671A1. Автор: Naoto Ishibashi,Keisuke Fukada. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for manufacturing a semiconductor device having more than two conductive layers

Номер патента: US4935378A. Автор: Seiichi Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-06-19.

Method of manufacturing a semiconductor device in a silicon body, a surface of said silicon body being provided with an alignment grating and an at least partly recessed oxide pattern

Номер патента: TW448489B. Автор: Christiaan Johan Muller,Frank Arnoldus Johann Driessen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-08-01.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09496453B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Device for manufacturing semiconductor substrate comprising temperature gradient inversion means and method for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: EP3951026A1. Автор: Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Method for selectively releasing a light-emitting diode chip and method of manufacturing light-emitting device

Номер патента: US12125735B2. Автор: Te-Fu Chang. Владелец: Asti Global Inc Taiwan. Дата публикации: 2024-10-22.

Group iii nitride light-emitting device, group iii nitride epitaxial wafer, and method for producing group iii nitride light-emitting device

Номер патента: EP4401158A1. Автор: Takao Nakamura,Hideto Miyake,Kenjiro Uesugi. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for doping a semiconductor body

Номер патента: US20040185642A1. Автор: Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for doping a semiconductor body

Номер патента: US7091115B2. Автор: Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-08-15.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09850595B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Photodiode array, method for manufacturing photodiode array, epitaxial wafer, and method for manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: US20120196398A1. Автор: Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230154756A1. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for manufacturing light emitting element

Номер патента: MY198985A. Автор: NARITA Junya,Inoue Yoshiki,KITAHAMA Shun,NAGAMINE Kazuhiro. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-06.

Method for controlling dislocation positions in silicon germanium buffer layers

Номер патента: EP1908097A2. Автор: Ya-Hong Xie,Tae-Sik Yoon. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-04-09.

Method for controlling dislocation positions in silicon germanium buffer layers

Номер патента: EP1908097A4. Автор: Ya-Hong Xie,Tae-Sik Yoon. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2009-06-03.

Method for controlling dislocation positions in silicon germanium buffer layers

Номер патента: US20070123008A1. Автор: Ya-Hong Xie,Tae-Sik Yoon. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2007-05-31.

Method for forming trench isolation

Номер патента: US20020098660A1. Автор: Jian Chen,Choh-Fei Yeap,Franklin Nkansah. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070072371A1. Автор: Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7361932B2. Автор: Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09938640B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: GB1336480A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1973-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120153388A1. Автор: Hirokazu Sayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20020030213A1. Автор: Makoto Yoshida,Toshihiko Takakura,Katsuyuki Asaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Methods for pfet fabrication using apm solutions

Номер патента: US20130203244A1. Автор: Richard J. Carter,Stephan Kronholz,Berthold Reimer,Joanna WASYLUK,Yew-Tuck Chow,Kai Tern Sih. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

UV light emitting devices and systems and methods for production

Номер патента: US09793433B2. Автор: Doug Collins,Robert Walker,Yitao Liao. Владелец: RayVio Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing semiconductor structure and same

Номер патента: US12150294B2. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230389271A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing n-type and p-type chalcogenide material, doped homojunction chalcogenide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP2068368A3. Автор: Kibong Song,Sangsu Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-08-05.

Method for reducing the range in resistivities of semiconductor crystalline sheets grown in a multi-lane furnace

Номер патента: EP2643847A2. Автор: Weidong Huang,Scott Reitsma,Christine Richardson,Brian D. Kernan,Gary J. Tarnowski. Владелец: Evergreen Solar Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Method for reducing the range in resistivities of semiconductor crystalline sheets grown in a multi-lane furnace

Номер патента: WO2012071341A2. Автор: Weidong Huang,Scott Reitsma,Christine Richardson,Brian D. Kernan,Gary J. Tarnowski. Владелец: EVERGREEN SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-05-31.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US20240222358A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor crystal substrate, infrared detector, method for producing semiconductor crystal substrate, and method for producing infrared detector

Номер патента: US20200295059A1. Автор: Ryo Suzuki,Shigekazu Okumura,Shuichi Tomabechi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Standard cells and method for placing and routing thereof

Номер патента: EP1065721A3. Автор: Atsuko c/o NEC IC Microcomputers Systems Kozai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-15.

Method for making light emitting diode chip

Номер патента: US20140134774A1. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

A Silicon Nitride Film, A Semiconductor Device, A Display Device and a Method for Manufacturing a Silicon Nitride Film

Номер патента: US20070253881A1. Автор: Shinji Maekawa,Tetsuya Kakehata,Yuuichi Takehara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

A method for fabrication of a high capacitance interpoly dielectric

Номер патента: WO2002080235A2. Автор: Mark A. Good,Amit S. Kelkar. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2002-10-10.

A process for producing an n-type silicon single crystal, an n-type silicon single crystal ingot, a silicon wafer and an epitaxial silicon wafer

Номер патента: DE112018002171T5. Автор: Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa,Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI,Yuuji Tsutsumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Preparation method for platform-shaped active region based p-i-n diode string in reconfigurable loop antenna

Номер патента: US20180175160A1. Автор: Liang Zhang,Xiaoxue YIN. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150287726A1. Автор: Hideyuki Akanuma,Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20080211029A1. Автор: Keiichi Yoshizumi,Hideki Yasuoka,Kazuhisa Higuchi,Takayuki Nakaji,Masami Koketsu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070069326A1. Автор: Keiichi Yoshizumi,Hideki Yasuoka,Kazuhisa Higuchi,Takayuki Nakaji,Masami Koketsu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-03-29.

n-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SAME AND SiC EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20190252504A1. Автор: Tomohisa Kato,Hiromasa SUO,Kazuma ETO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen

Номер патента: US09646827B1. Автор: Arpan Chakraborty,Anurag Tyagi. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09508716B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuo-Yin Lin,Chi-Yuan Chen,Li-Ting Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Cheng-Tung Lin,Huicheng Chang,Wan-Chun Pan,Ming-Liang Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1959491A2. Автор: Raghunath Singanamalla,Riichiro Mitsuhashi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-20.

Kit, detergent composition and method for producing semiconductor element

Номер патента: SG11201900729TA. Автор: Yoshitaka Kamochi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-02-27.

Pixel unit, array substrate, display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160254339A1. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang,Baojiang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Pixel unit, array substrate, display device and method for manufacturing the same including MoW/Cu/MoW conductive line

Номер патента: US09691836B2. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang,Baojiang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US8946786B2. Автор: Goro Nakatani. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-03.

Polishing composition, polishing method and method for producing semiconductor substrate

Номер патента: US20220306900A1. Автор: Ryota Mae. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Photonic silicon-insulator-silicon modulator and methods for forming the same

Номер патента: US20240219634A1. Автор: Kuo-Chung Yee,Jiun Yi Wu,Chun-Heng Liao,Li-Weng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Release film for mold process, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240014049A1. Автор: Chulho Jung,Kunsil Lee,Jihan Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for producing photosemiconductor device

Номер патента: US12136795B2. Автор: Atsushi ERA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09929041B1. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Ultraviolet light emitting diode and method for producing same

Номер патента: US09660140B2. Автор: Hideki Hirayama. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8013395B2. Автор: Naoki Kotani. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240120338A1. Автор: Chih-Hao Chang,Ta-Chun Lin,Ming-Che Chen,Yu-Hsuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20230369534A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Weifang Lu,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Kazuma Ito,Naoki Sone,Motoaki lWAYA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Thyristor combined with monolithically integrated diode and method for producing it

Номер патента: GB1495295A. Автор: . Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1977-12-14.

Method of manufacturing a light generating device and light generating device manufactured through the same

Номер патента: US9287463B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Geun Kim. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Method for producing electronic device

Номер патента: EP4350741A1. Автор: Hiroto Yasui,Jin Kinoshita,Hiroyoshi Kurihara. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Array substrate, method for manufacturing the same and display device

Номер патента: US20140054620A1. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for manufacturing lithium secondary battery and lithium secondary battery manufactured thereby

Номер патента: US12057552B2. Автор: Chang Bum Ahn,Chang Min Han,In Tae Chun,Jae Huoung SON,Ik Soo CHAE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing gas diffusion layer for fuel cell and gas diffusion layer manufactured thereby

Номер патента: US20240105963A1. Автор: Jae Man Park,Won Jong Choi,Jong Hoon Lee,Soo Jin Park,Seul Yi Lee,Seung Tak Noh,Ji Han Lee,In Seok Lee,Choong Hee Kim,Seong Hwang Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Tandem organic solar cell using a polyelectrolyte layer, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120031493A1. Автор: Sun-Hee Kim,Kwanghee Lee,Sung Heum Park,Byoung Hoon Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-02-09.

Proton-conducting structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110305963A1. Автор: Tomoko Suzuki,Takashi Otsuka,Yuji Zenitani,Tomoyuki KOMORI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Proton-conducting structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130071766A1. Автор: Tomoko Suzuki,Takashi Otsuka,Yuji Zenitani,Tomoyuki KOMORI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Proton-conducting structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110053044A1. Автор: Tomoko Suzuki,Takashi Otsuka,Yuji Zenitani,Tomoyuki KOMORI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Proton-conducting structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8518595B2. Автор: Tomoko Suzuki,Takashi Otsuka,Yuji Zenitani,Tomoyuki KOMORI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Method for manufacturing electrochemical device separator

Номер патента: EP4401227A1. Автор: Byeong Kyu Lee,So Mi Jeong,Won Sik Bae,So Yeong Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Battery module and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2015145517A1. Автор: Yoshiaki Tatsumi,Kosuke KUSABA. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2015-10-01.

Electrode assembly and method for manufacturing same

Номер патента: EP4346003A3. Автор: Jihyun Kim,Su Hyun Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Lithium cobalt oxide, method for manufacturing the same, and nonaqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US20080087862A1. Автор: Nobuyuki Yamazaki,Hidekazu Awano,Yoshihide Ooishi. Владелец: Nippon Chemical Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Micro-porous hybrid film having electro-chemical stability and method for preparing the same

Номер патента: US09853273B2. Автор: Jae Woong Kim,Dong Jin Joo,Jung Moon Sung,Yong Kyoung Kim,Young Jun Woo,Kyu Young Cho,Dong Man Cho. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Fuel cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040214068A1. Автор: Chih-Yi Lin,Ching-Feng Huang,Jenn-Kun Kuo,Shou-Shing Hsieh,Huang-Hsiu Tsai,Chi-Hsun Tien,Sheng-Hoang Yang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2004-10-28.

Method for manufacturing spiral-wound battery

Номер патента: US20190296386A1. Автор: Yu-Kuang Chen. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Lithium secondary battery, method for using same, and method for manufacturing lithium secondary battery

Номер патента: EP4343895A1. Автор: Ken Ogata,Gosuke OYAMA. Владелец: Terawatt Technology KK. Дата публикации: 2024-03-27.

Method for producing nitride light-emitting diode

Номер патента: RU2747132C1. Автор: Ирина Павловна Смирнова,Лев Константинович Марков,Алексей Сергеевич Павлюченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-04-28.

Nanofiber-based thermoelectric generator module, method for manufacturing the same, and electrospinning apparatus for manufacturing nanofibers therefore

Номер патента: US09806248B2. Автор: Dong Hoon Lee,Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jin Yong Choi. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-31.

Thin-film transistor (TFT) for driving organic light-emitting diode (OLED) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060292757A1. Автор: Yung-Fu Wu,Yu-Jung Liu,Yung-Hui Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for manufacturing light emitting diode chip

Номер патента: US20140141553A1. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for manufacturing light-emitting element

Номер патента: US12068429B2. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Vertical blue light emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US20240170618A1. Автор: Yongjin Wang,Jialei YUAN,Shuyu NI. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical blue light emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US12125950B2. Автор: Yongjin Wang,Jialei YUAN,Shuyu NI. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090130790A1. Автор: Shinji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Preparation method for solar cell and solar cell

Номер патента: AU2022454233A1. Автор: Jianbin Fan,Guoqiang Xing,Xiajie Meng. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing led die

Номер патента: US20150325753A1. Автор: Chih-Chen Lai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Light emitting device and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: US09660138B2. Автор: Morimichi Watanabe,Masahiko Namerikawa,Yoshitaka Kuraoka,Shohei Oue. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Light emitting diode array and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120292633A1. Автор: Chia-Hui Shen,Tzu-Chien Hung. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Solid state image pickup device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060060854A1. Автор: Keiji Mabuchi,Toshifumi Wakano,Kazunari Matsubayashi,Takashi Nakashikiryo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-03-23.

Vertical deep-ultraviolet light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US20220367755A1. Автор: YUAN Jiang,Yongjin Wang. Владелец: Nanjing Liangxin Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12057525B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Thermoelectric conversion element, method for manufacturing same, and communication device

Номер патента: US20140020729A1. Автор: Sachiko Hayashi,Takanori Nakamura,Shuichi Funahashi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Led chip and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20240258474A1. Автор: Xiaofeng Chen,Zhaobin HUANG,Likai XUN. Владелец: Chongqing Konka Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: US09455378B2. Автор: Chang Youn KIM,Kyung Hee Ye,Joon Hee Lee,Jong Kyun You,Jin Cheol Shin,Hong Chol LIM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Micro light emitting diode chip and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240258292A1. Автор: Kyungwoon Jang,Changjoon LEE,Sungyong Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

A unipolar semiconductor photodetector with suppressed dark current and method for producting the same

Номер патента: IL174844A0. Автор: . Владелец: Klipstein Philip Charles. Дата публикации: 2007-03-08.

Light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190378955A1. Автор: Hirofumi Kawaguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2009707A3. Автор: Dae Sung Kal,Dae Won Kim,Duck Hwan Oh,Hwa Mok Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-25.

Light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274755A1. Автор: Koichi Mizutani,Shinichi Matsui,Hiroaki Makino,Hideki Omoya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Vertical blue light emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US12100787B2. Автор: Yongjin Wang,Jialei YUAN,Shuyu NI. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2024-09-24.

Photodetector using germanium on a silicon substrate

Номер патента: CA2995668C. Автор: Hiroshi Fukuda,Kiyofumi KIKUCHI,Ken Tsuzuki,Shin Kamei,Makoto Jizodo. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Method for producing an organic CMOS circuit and organic CMOS circuit protected against UV radiation

Номер патента: US09935282B2. Автор: Olivier Poncelet,Mohammed Benwadih,Romain Coppard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-03.

Solid-state imaging device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110250717A1. Автор: Hiroyuki Mori,Yasushi Maruyama,Hideshi Abe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Method for manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element and lamp provided with the semiconductor light emitting element

Номер патента: EP2012370A1. Автор: Kenzo c/o SHOWA DENKO K.K. HANAWA,Yasunori c/o SHOWA DENKO K.K. YOKOYAMA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-01-07.

System and method for detecting particles with a detector during inspection

Номер патента: WO2024046685A1. Автор: Yongxin Wang,Rui-Ling Lai,Eunseong Moon,Farhang VESSAL,Chongyang LENG. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-03-07.

Pixel unit and signal processing method for pixel unit

Номер патента: US12003879B2. Автор: Xiaoyan Liu,Gang Du,Liqiao LIU. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-04.

Sensor element and method for manufacturing sensor element

Номер патента: US20230296442A1. Автор: Takuya Kadowaki,Tadashi Kawazoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Image Sensor Structures And Methods For Forming The Same

Номер патента: US20240030262A1. Автор: Kuo-Cheng Lee,Ping-Hao LIN,Po Chun Chang,Kun-Hui Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Micro-LED array device based on III-nitride semiconductors and method for fabricating same

Номер патента: US11721674B2. Автор: Tao Tao,Xuan Wang,Bin Liu,Rong Zhang,Ting Zhi,Feifan XU. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Pixel unit and signal processing method for pixel unit

Номер патента: US20220353451A1. Автор: Xiaoyan Liu,Gang Du,Liqiao LIU. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-03.

Light emitting device and method for making the same

Номер патента: WO2015005997A1. Автор: Yangang XI. Владелец: Xi Yangang. Дата публикации: 2015-01-15.

Surface textured LEDs and method for making the same

Номер патента: US20080105882A1. Автор: Michael H. Leary,Michael R.T. Tan. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2008-05-08.

Thermoelectric Material, Thermoelectric Element, Thermoelectric Module and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20110315182A1. Автор: Koichi Tanaka,Kenichi Tajima. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Isolation trench structure of backside illuminated cmos image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230065976A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Linghao Xiong. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240274749A1. Автор: Seiji Ishimoto,Daiki Jinno. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Oled and method for manufacturing oled

Номер патента: US20180351136A1. Автор: Kaifeng ZHOU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US09991424B2. Автор: Yeo Jin Yoon,Ki Bum Nam,Joon Hee Lee,Chang Yeon Kim,Young Wug Kim,Da Hye KIM,Tae Hyuk IM,Chang Ik IM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabricating a light emitting diode (LED) die having strap layer

Номер патента: US09537073B2. Автор: Yi-Feng Shih. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Light emitting device and method for making the same

Номер патента: US09515226B2. Автор: Yangang XI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-06.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11799051B2. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

N-side electrode, nitride semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20110042681A1. Автор: Keishi Kohno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Systems and methods for led structures that increase current flow density

Номер патента: AU2021417264A9. Автор: Qiming Li,Anle Fang. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Organic light-emitting diode and method for preparing the same

Номер патента: US09673414B2. Автор: Taegyu Kim,Haidong WU,Juanjuan BAI. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070145382A1. Автор: Suk Youn Hong,Pun Jae Choi,Sang Yeob Song. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Solar cell, method for manufacturing solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system

Номер патента: EP4195298A1. Автор: Mutsuki Yamazaki,Kazushige Yamamoto,Yasutaka Nishida,Soichiro Shibasaki,Naoyuki Nakagawa,Yukitami Mizuno,Yuya Honishi. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor light-emitting element, vehicle lamp, and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4369426A1. Автор: Akihiro Nomura,Hiroaki KANAOKA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Method for fabricating solid-state image pickup device using charged-coupled devices

Номер патента: WO2006080595A1. Автор: Kyung-sik Kim. Владелец: International Display Solutions Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

GaN Based LED Having Reduced Thickness and Method for Making the Same

Номер патента: US20150125974A9. Автор: Steven D. Lester,Frank T. Shum. Владелец: Manutius IP Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090166777A1. Автор: Joung-Ho Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Methods for forming three-dimensional memory devices with backside source contacts

Номер патента: US12048151B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for Producing an Optoelectronic Component

Номер патента: US20180254383A1. Автор: Anna Kasprzak-Zablocka,Korbinian Perzlmaier,Christian Leirer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US20110215340A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Yoshiaki Hasegawa,Akihiko Ishibashi,Gaku Sugahara,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Fingerprint sensor, method for manufacturing the same, and display device including the same

Номер патента: US12087788B2. Автор: Ji Hye Kim,Jung Ha SON,Ki June LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Thermoelectric conversion material using substrate having nanostructure, and method for producing same

Номер патента: US09691961B2. Автор: Chihaya Adachi,Koji Miyazaki,Teruaki Hayakawa,Kunihisa Kato. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09647170B2. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Light emitting element and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20020158264A1. Автор: Masayuki Shinohara,Akio Nakamura,Masahisa Endo. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131043A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing same; integrated semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same; image display and method for manufacturing same; and illuminating device and method for manufacturing same

Номер патента: EP1605522A1. Автор: Goshi c/o SONY CORPORATION BIWA,Hiroyuki c/o SONY CORPORATION OKUYAMA,Masato c/o SONY CORPORATION DOI,Toyoharu c/o SONY CORPORATION OOHATA,Jun c/o Sony Corporation SUZUKI. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Solid-state image pickup device using charged-coupled devices and method for fabricating the same

Номер патента: WO2006080594A1. Автор: Kyung-sik Kim. Владелец: International Display Solutions Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

Method for manufacturing wavelength conversion member, and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: US20200176645A1. Автор: Yuji Harada,Takanori AKAISHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Passivated contact solar cell and fabrication method for back passivation assembly thereof

Номер патента: US20230076597A1. Автор: Chun-Kai Huang,Cheng-Yuan HUNG,Wei-Chen Tien,Yii-Der WU,Chung-Sin Ye. Владелец: METAL INDUSTRIES RESEARCH AND DEVELOPMENT CENTRE. Дата публикации: 2023-03-09.

Organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, and electronic apparatus

Номер патента: US20200227680A1. Автор: Ryoichi Nozawa,Suguru Akagawa,Takefumi Fukagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for manufacturing wavelength conversion member, and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: US11101414B2. Автор: Yuji Harada,Takanori AKAISHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Calorimeter and method for designing calorimeter

Номер патента: US09846089B2. Автор: Haruhiko Yao. Владелец: Kyoto Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2017-12-19.

Single photon avalanche detector, method for use therefore and method for its manufacture

Номер патента: US12140707B2. Автор: Peter Vines,Douglas John Paul,Derek DUMAS,Jaroslaw KIRDODA,Kateryna KUZMENKO,Ross W. Millar,Muhammad M. Mirza,Gerald S. Buller. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2024-11-12.

Thermoelectric conversion material and method for producing thermoelectric conversion material

Номер патента: US09525118B2. Автор: Sachiko Hayashi,Shuichi Funahashi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170287970A1. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9721988B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160163758A1. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor structure for preventing row hammering issue in dram cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200266199A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Shih-Fang Tzou,Hsin-Fu Huang,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for reducing substrate capacitive coupling of a thin film inductor by reverse P/N junctions

Номер патента: EP1071132A3. Автор: Min Zhu,Kai Chartered Semiconductor Manuf. Pte Ltd. Shao,Shao-fu Chart. Semicond. Manuf. Ltd Sandford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-06-09.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20020030279A1. Автор: Naoto Akiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: WO2021115793A1. Автор: Ralf Klukas,Corrado CARTA,Goran PANIC. Владелец: Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik. Дата публикации: 2021-06-17.

Structure and method for cooling three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US09748228B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Jui-Feng Kuan,Hui-Yu Lee,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131042A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for manufacturing a semiconductor light emitting device

Номер патента: US6200827B1. Автор: Hiroyuki Ota,Yoshinori Kimura. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 2001-03-13.

Light-emitting epitaxial structure, method for manufacturing the same and infrared light-emitting diode

Номер патента: US20230076489A1. Автор: Qian Liang,Yu-Ren Peng,Chaoyu Wu,Wenhao GAO,Yanbin FENG. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Optoelectronic module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150115218A1. Автор: Ching-Hsueh Chiu,Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Method for manufacturing light-emitting element

Номер патента: US20210328095A1. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Light emitting element, method for fabricating light emitting element, and display device including light emitting element

Номер патента: US20240097069A1. Автор: Sang Ho Jeon,Ji Song Chae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Superluminescent diode and method for implementing the same

Номер патента: US09590135B2. Автор: Min Su Kim,Su Hwan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-03-07.

Superluminescent diode and method for implementing the same

Номер патента: US09397254B2. Автор: Min Su Kim,Su Hwan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US10453990B2. Автор: Yuta Furusawa. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Near-infrared light emitting semiconductor element and method for manufacturing same

Номер патента: US20220278249A1. Автор: Naoki Yoshioka,Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2022-09-01.

Circuit board using thermocouple to dissipate generated heat and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230389170A1. Автор: Biao Li,Jin-Cheng Wu,Mei-Hua Huang,Huan-Yu He. Владелец: Garuda Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Light emitting diode and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20020123165A1. Автор: Makoto Ishimaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Active device which has a high breakdown voltage, is memory-less, traps even harmonic signals and circuits used therewith

Номер патента: US20160020739A1. Автор: Farbod Aram. Владелец: Project FT Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150084069A1. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor light emitting element with quantum well active layer and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2015008871A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for manufacturing light emitting diode chip

Номер патента: US20130252362A1. Автор: Ko-Wei Chien,Yen-Kei Lei. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Group iii nitride light-emitting element and method for producing the light-emitting element

Номер патента: US20190386177A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for clamping a semiconductor region at or near ground

Номер патента: WO2008121597A1. Автор: Robert C. Dobkin,Samuel Patrick Rankin. Владелец: LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for clamping a semiconductor region at or near ground

Номер патента: US20120007649A1. Автор: Robert C. Dobkin,Samuel Patrick Rankin. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2012-01-12.

Method for forming CMOS sensor without blooming effect

Номер патента: US6245592B1. Автор: Sheng-Hsiung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-12.

System and method for cmos image sensing

Номер патента: US20110070677A1. Автор: Hong Zhu,Jim Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240038926A1. Автор: Mitsugu Wada,Shinya Fukahori. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160163928A1. Автор: Kohei Miyoshi,Massashi TSUKIHARA. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120211724A1. Автор: Hidehiko Yabuhara,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11824137B2. Автор: Mitsugu Wada,Shinya Fukahori. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for manufacturing light-emitting element

Номер патента: US20210202790A1. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240038925A1. Автор: Mitsugu Wada,Shinya Fukahori. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20180277714A1. Автор: Yuta Furusawa. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for stabilizing gain of apd in medical laser receiver

Номер патента: US20160373126A1. Автор: Albert E. Cerussi,Se-Hwan Kim,Pil Sang Chung. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dankook University. Дата публикации: 2016-12-22.

Nitride semiconductor device having a silicon-containing layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US8163576B2. Автор: Yuji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Method for determining color using CMOS image sensor

Номер патента: US8383444B2. Автор: Hong Zhu,Jim Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US20170069799A1. Автор: Yeo Jin Yoon,Ki Bum Nam,Joon Hee Lee,Chang Yeon Kim,Young Wug Kim,Da Hye KIM,Tae Hyuk IM,Chang Ik IM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Solid-state imaging device and method for manufacturing same

Номер патента: US7960769B2. Автор: Gaku Sudo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-14.

Led chip and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2013040974A1. Автор: GE ZHANG. Владелец: Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited. Дата публикации: 2013-03-28.

Micro LED chip, display panel and method for welding micro LED chip

Номер патента: US20220302348A1. Автор: Ching-Chung Chen. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130063329A1. Автор: Naoki Makita,Hajime Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF

Номер патента: EP1984955A1. Автор: Hiroshi c/o Showa Denko K.K. OSAWA,Takashi c/o Showa Denko K.K. HODOTA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-29.

Photodiode, electronic device comprising the same, and manufacturing method for the same

Номер патента: US20240250197A1. Автор: Jin Jang,Seongbok Kang. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Organic EL device and method for manufacturing same

Номер патента: US09508959B2. Автор: Takahiro Washio. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Thermoelectric conversion element, manufacturing method for the thermoelectric conversion element, and thermoelectric conversion module

Номер патента: US09455389B2. Автор: Yasuhiro Kawaguchi,Hiroki Kitano,Hideo Yumi,Kenta Takagi,Kimihiro Ozaki. Владелец: Kitagawa Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor light emitting element, group iii nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1981093A1. Автор: Hisashi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. MINEMOTO,Yasuo c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KITAOKA,Yasutoshi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KAWAGUCHI,Yasuhito c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. TAKAHASHI,Yoshiaki c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. HASEGAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Method of manufacturing a gallium phosphide red-emitting device

Номер патента: US3951699A. Автор: Tetsuo Sadamasa,Makoto Naito,Masaru Kawachi,Akinobu Kasami,Hiroki Mineo. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1976-04-20.

Solid state imaging device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020047115A1. Автор: Yukiya Kawakami,Akihito Tanabe,Nobuhiko Mutoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Methods for forming three-dimensional memory devices with backside source contacts

Номер патента: US11963349B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Systems and methods for led structures that increase current flow density

Номер патента: AU2021417264A2. Автор: Qiming Li,Anle Fang. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Systems and methods for led structures that increase current flow density

Номер патента: EP4275232A1. Автор: Qiming Li,Anle Fang. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Systems and methods for led structures that increase current flow density

Номер патента: US20240072202A1. Автор: Qiming Li,Anle Fang. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Single-chip multi-band light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: EP4303939A1. Автор: Yong Hyun Baek,Ji Hun Kang,Dae Hong Min. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Micro light emitting diode (led) structure, method for manufacturing the same and display including the same

Номер патента: US20190123235A1. Автор: Yong-Hoon Cho,Youngchul Sim,Kie Young Woo. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-04-25.

GaN Based LED Having Reduced Thickness and Method for Making the Same

Номер патента: US20140213000A1. Автор: Steven D. Lester,Frank T. Shum. Владелец: Toshiba Techno Center Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Light emitting diode and a method manufacturing the same

Номер патента: US20020053675A1. Автор: Makoto Ishimaru. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor device and a process for producing same

Номер патента: US20030116821A1. Автор: Chihiro Arai,Tomotaka Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device and a process for producing same

Номер патента: US6642605B2. Автор: Chihiro Arai,Tomotaka Fujisawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-11-04.

Structure, methods for producing a structure and optoelectronic device

Номер патента: WO2021185848A1. Автор: Brian Theobald,Joseph Treadway,Erik Johansson. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-09-23.

Light emitting diode device and method for producing same

Номер патента: US5187547A. Автор: Yoshiharu Fujikawa,Yasuhiko Matsushita,Tatsuhiko Niina,Kiyoshi Ohta,Toshitake Nakata,Takahiro Uetani. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1993-02-16.

Liquid crystal display device integrated with driving circuit and method for fabricating the same

Номер патента: US5969377A. Автор: Seong Moh Seo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1999-10-19.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: EP2259341A2. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Group iii nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: CA2567739C. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-09-16.

Method for producing electronic device

Номер патента: EP4350743A1. Автор: Hiroto Yasui,Jin Kinoshita,Hiroyoshi Kurihara. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Spalling techniques for manufacturing photodiodes

Номер патента: US20190115485A1. Автор: James R. Kozloski,Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Print system in which a print job is generated in association with an identification (ID) of at least one printing apparatus, user information and a print code that is issued by server system for printing file, information processing apparatus, and printing apparatus

Номер патента: US11829821B2. Автор: Yosuke Hara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

A process of obtainment of an n-type or a p-type organic semiconductor by uv-vis irradiation

Номер патента: EP3381069A1. Автор: Christian Muller,Mariano Campoy Quiles,Jason Ryan,Alejandro Rodolfo GOÑI TASADA,Bernhard DÖRLING. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2018-10-03.

A process of obtainment of an n-type or a p-type organic semiconductor by uv-vis irradiation

Номер патента: WO2017089351A1. Автор: Christian Muller,Mariano Campoy Quiles,Jason Ryan,Alejandro Rodolfo GOÑI TASADA,Bernhard DÖRLING. Владелец: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Дата публикации: 2017-06-01.

A method for obtaining a water-processable n-type conducting polymer

Номер патента: WO2024165720A1. Автор: Qifan Li,Simone FABIANO,Chi-Yuan YANG,Jun-Da Huang. Владелец: N-Ink Ab. Дата публикации: 2024-08-15.

A method for obtaining water-processable n-type conducting polymer

Номер патента: WO2024165716A1. Автор: Qifan Li,Simone FABIANO,Chi-Yuan YANG,Jun-Da Huang. Владелец: N-Ink Ab. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing ceramic electronic component and ceramic electronic component

Номер патента: US20200066449A1. Автор: Masaki Tsutsumi,Tatsuo Kunishi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

A method for obtaining water-soluble n-type conducting polymer

Номер патента: WO2024165173A1. Автор: Junda Huang,Qifan Li,Simone FABIANO,Chi-Yuan YANG. Владелец: N-Ink Ab. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material

Номер патента: US09755398B2. Автор: James W. RARING,Melvin McLaurin,Po Shan Hsu,Alexander Sztein. Владелец: Soraa Laser Diode Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing a distributed bragg reflector for 1550 nm vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20240146028A1. Автор: Chao-Chieh Chu. Владелец: Well & Fortune Tech LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Quantum size effect type micro electron gun and flat display unit using it and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1302962A4. Автор: Shunri Oda,Katsuhiko Nishiguchi,Xinwei Zhao. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-08-22.

Semiconductor laser and the method for manufacturing the same

Номер патента: US20060159145A1. Автор: Takahiko Kawahara,Nobuyuki Ikoma. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222939A1. Автор: Li Zhou,Jun Wang,Shaoyang TAN,Quanling LI,Yintao GUO,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with isolated cathodes and a common anode

Номер патента: US11855413B2. Автор: Jun Yang,Guowei Zhao,Eric R. Hegblom,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with isolated cathodes and a common anode

Номер патента: US20240146027A1. Автор: Jun Yang,Guowei Zhao,Eric R. Hegblom,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Laser diode epitaxial wafer and method for producing same

Номер патента: US20100150197A1. Автор: Ken Kurosu. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Wiring harness, vehicle component, mold, mold system and method for manufacturing the wiring harness

Номер патента: US11745675B2. Автор: Gotz Roderer,Martin Einert,Dietrich Von Knorre,Adam Neal,Aldo Navarro Málaga. Владелец: YAZAKI SYSTEMS TECHNOLOGIES GMBH. Дата публикации: 2023-09-05.

Method For Tuning Work Function Using Surface Photo Voltage and Producing Ultra-Low-Work-Function Surfaces, and Devices Operational Therewith

Номер патента: US20220093357A1. Автор: Nicholas A. Melosh,Kunal SAHASRABUDDHE,Daniel Riley,Igor Bargatin,Zhixun Shen,Jared Schwede. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for tuning work function using surface photo voltage and producing ultra-low-work-function surfaces, and devices operational therewith

Номер патента: US12046439B2. Автор: Kunal SAHASRABUDDHE,Daniel Riley,Igor Bargatin,Zhixun Shen,Jared Schwede,Nicholas A Melosh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2024-07-23.

Photonic crystal semiconductor laser device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4311045A1. Автор: Heonsu Jeon,Myeong Eun Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-01-24.

Photonic crystal semiconductor laser device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240170918A1. Автор: Heonsu Jeon,Myeong Eun Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Surface plasmon generating apparatus and method for making the same

Номер патента: US20100316078A1. Автор: Tomoki Ono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Nitride insulator material, method for manufacturing same, heat flow switching element and thermoelectric conversion element

Номер патента: EP4299516A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Plastic extruder, and method for manufacturing polypropylene insulated cable

Номер патента: EP4456092A1. Автор: Jianfeng Ma,Weidong Zhang,Zhichao Cui,Yongsheng FENG,Jiye DING,Hongjian HOU,Shuangshuang MIAO. Владелец: Zhongtian Technology Submarine Cable Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Devices and methods for producing layers with an optical effect containing oriented non-spherical magnetic or magnetizable pigment particles

Номер патента: RU2748749C2. Автор: Матье Шмид,Евгений ЛОГИНОВ,Клод-Ален Деспланд. Владелец: Сикпа Холдинг Са. Дата публикации: 2021-05-31.

Mounting jig for manufacturing tiling display device, and tiling display device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240120137A1. Автор: Jae Jun Kim,Han Seok Kim,Sung Hwan Yoon,Sang Ok SEON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

System and method for work function reduction and thermionic energy conversion

Номер патента: US12102005B2. Автор: Jared William SCHWEDE,Lucas Heinrich HESS. Владелец: Spark Thermionics Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Magnetic particle having a highly reflective protective film, and method for manufacturing same

Номер патента: GB2515194A. Автор: Won Gyun Choe,Soo Dong Kim. Владелец: Korea Minting Security Printing and ID Card Operating Corp. Дата публикации: 2014-12-17.

Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material

Номер патента: US20220006256A1. Автор: James W. RARING,Melvin McLaurin,Po Shan Hsu,Alexander Sztein. Владелец: Kyocera SLD Laser Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material

Номер патента: US20170365975A1. Автор: James W. RARING,Melvin McLaurin,Po Shan Hsu,Alexander Sztein. Владелец: Soraa Laser Diode Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Method for forming a semiconductor light-emitting device and a semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090001408A1. Автор: Atsushi Matsumura,Tomokazu Katsuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material

Номер патента: US20200350740A1. Автор: James W. RARING,Melvin McLaurin,Po Shan Hsu,Alexander Sztein. Владелец: Soraa Laser Diode Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Laser diode expitaxial wafer and method for producing same

Номер патента: US20090110018A1. Автор: Ken Kurosu. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Systems and methods for transitioning and updating/tailoring machine instructions from a first system with an older or initial one or set of components to a second system or platform with one or more different components and new or modified operations or functions along with additional potential applications including use in network security and intrusion detection

Номер патента: US20180074719A1. Автор: Eric Morgan,Douglas Morgan,Paul Hager,Nathan Popp,George Vollmann,Dave Nordquist. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for data transmission over an internal bus of a workstation apparatus with an internal bus for implementing the method, and an adapter circuit for the internal bus

Номер патента: US5289465A. Автор: Michel Colin,Alain Mouro. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1994-02-22.

Error correction method for the transfer of blocks of data bits, a device for preforming such a method, a decoder for use with such a method, and a device comprising such a decoder

Номер патента: US4477903A. Автор: Lodewijk B. Vries,Kornelis A. Schouhamer Immink. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-10-16.

Error correction method for the transfer of blocks of data bits, a device for performing such a method, a decoder for use with such a method, and a device comprising such a decoder

Номер патента: CA1201810A. Автор: Lodewijk B. Vries,Kornelis A. Schouhamer Immink. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-03-11.

Method for activating a function of a vehicle by ultra high frequency with an item of portable user equipment and device for activating an associated function

Номер патента: US12026322B2. Автор: Laurent DEMICHEL. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus, Systems, and Methods for Multi-domain Management of a Node-based Logistics Receptacle in Response to a Dispatched Logistics Operation Involving the Node-based Logistics Receptacle and a Mobile Courier Node

Номер патента: US20240211859A1. Автор: Ole-Petter Skaaksrud. Владелец: FedEx Corporate Services Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for activating a function of a vehicle by ultra high frequency with an item of portable user equipment and device for activating an associated function

Номер патента: US11760308B2. Автор: Stephane Billy,Sylvain Godet,Ingrid Horatius. Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for activating a function of a vehicle by ultra high frequency with an item of portable user equipment and device for activating an associated function

Номер патента: US20230192033A1. Автор: Stephane Billy,Sylvain Godet,Ingrid Horatius. Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Image processing apparatus and method for discriminating whether document is color document or black and white document, image forming apparatus and facsimile machine including the image processing apparatus and a computer readable recording medium storing image processing program

Номер патента: US20110317231A1. Автор: Kunihiko Tanaka. Владелец: Kyocera Mita Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for manufacturing multilayer substrate for having bga-type component thereon

Номер патента: US20150366080A1. Автор: Ichiro Yoshida,Hirokazu Saitoh. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Method for manufacturing multilayer substrate for having BGA-type component thereon

Номер патента: US09930790B2. Автор: Ichiro Yoshida,Hirokazu Saitoh. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for manufacturing a motor

Номер патента: US7246426B2. Автор: Shigeyuki Haga. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-24.

Method for manufacturing band-shaped stator core sheets

Номер патента: US09935530B2. Автор: Yohei Toyomaru,Shusaku Munaoka,Yoshiharu Kouno. Владелец: Mitsui High Tec Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for making a protective element for items and casing obtained by said method

Номер патента: US20110056962A1. Автор: MARTIN Arnaud,Frederic Chatelain. Владелец: Faiveley Transport Tours SAS. Дата публикации: 2011-03-10.

Mycoplasma hyopneumoniae bacterin vaccine with an adjuvant system comprising an acrylic acid polymer, a metabolizable oil and a polyoxyehtylene-polyoxypropylene block copolymer

Номер патента: NZ526904A. Автор: Hsien-Jue Steve Chu,Zhichang Xu,Wumin Li. Владелец: Wyeth Corp. Дата публикации: 2005-07-29.

Support pad for a drill head and method for designing and manufacturing a support pad

Номер патента: US09999959B2. Автор: Tony Evans,Simon LAWES. Владелец: Sandvik Intellectual Property AB. Дата публикации: 2018-06-19.

Method for applying a coating onto a silicone hydrogel lens

Номер патента: WO2007115027A3. Автор: Yasuo Matsuzawa. Владелец: Yasuo Matsuzawa. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for applying a coating onto a silicone hydrogel lens

Номер патента: EP1999197A2. Автор: Yasuo Matsuzawa. Владелец: Novartis Pharma Gmbh. Дата публикации: 2008-12-10.

Method for making a honeycomb structure comprising coating a honeycomb body with cement skin layers

Номер патента: US09833927B2. Автор: Jacob George,Amit Halder,Huthavahana Kuchibhotla Sarma,Thomas Richard Chapman,Ralph Henry Hagg. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Support pad for a drill head and method for designing and manufacturing a support pad

Номер патента: US20140056661A1. Автор: Tony Evans,Simon LAWES. Владелец: Sandvik Intellectual Property AB. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for producing ink composition

Номер патента: US12043749B2. Автор: Shiro Katakura,Yuki YOKOI. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for producing ink composition

Номер патента: EP4116381A1. Автор: Shiro Katakura,Yuki YOKOI. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-11.

Method for producing an n-type SiC single crystal from a Si—C solution comprising a nitride

Номер патента: US09702057B2. Автор: Takayuki Shirai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

A method for propelling and manufacturing of a vehicle comprising a power train with an electric motor and a vehicle comprising a power train with an electric motor

Номер патента: WO2021158161A1. Автор: Johannes Stolth. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2021-08-12.

A method for propelling and manufacturing of a vehicle comprising a power train with an electric motor and a vehicle comprising a power train with an electric motor

Номер патента: SE2050121A1. Автор: Johannes Stolth. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2021-08-07.

A method for propelling and manufacturing of a vehicle comprising a power train with an electric motor and a vehicle comprising a power train with an electric motor

Номер патента: EP4100276A1. Автор: Johannes Stolth. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2022-12-14.

Method for connecting a low speed main shaft of a wind turbine to an input shaft of a transmission gearbox of the wind turbine and a connection obtained by said method

Номер патента: CA2646604C. Автор: Wim De LAET,Javier BARANANO ETXEBARRIA,Patrick Saenz De Ugarte. Владелец: Gamesa Innovation and Technology SL. Дата публикации: 2013-02-12.

Method for manufacturing thermoelectric conversion module

Номер патента: US12114568B2. Автор: Kunihisa Kato,Yuta Seki,Wataru Morita,Mutsumi Masumoto. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Hall-effect magnetic sensors with improved magnetic responsivity and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2010011495A2. Автор: Wayne Kilian. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2010-01-28.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312149A1. Автор: Heon Yong Chang,Myoung Sub KIM,Gap Sok DO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Thermoelectric conversion module and method for manufacturing thermoelectric conversion module

Номер патента: US20110088737A1. Автор: Shuji Matsumoto,Takanori Nakamura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Circuit board using thermocouple to dissipate generated heat and method for manufacturing the same

Номер патента: US12101871B2. Автор: Biao Li,Jin-Cheng Wu,Mei-Hua Huang,Huan-Yu He. Владелец: Garuda Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070040199A1. Автор: Naoki Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Method for manufacturing thermoelectric conversion module

Номер патента: US20240023441A1. Автор: Kunihisa Kato,Yuta Seki,Wataru Morita,Mutsumi Masumoto. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Active device which has a high breakdown voltage, is memory-less, traps even harmonic signals and circuits used therewith

Номер патента: US09543916B2. Автор: Farbod Aram. Владелец: Project FT Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Oscillation circuit and the method for using the same

Номер патента: US20080231386A1. Автор: Yu Min Sun,Mao Chuan Chien,Chu Yu Chu. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Oscillation circuit having current scaling relationship and the method for using the same

Номер патента: US7501908B2. Автор: Yu Min Sun,Mao Chuan Chien,Chu Yu Chu. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-10.

Organic electroluminescent device and method for preparing the same

Номер патента: US12075641B2. Автор: Yali HUANG,Yingchang GAO,Qiannan WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

N-type material for thermoelectric conversion, method for producing same, dopant and thermoelectric conversion element

Номер патента: US12108676B2. Автор: Jun Watanabe,Masahide Yamada,Yasuaki Sakurai. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing touch-panel conductive sheet, and touch-panel conductive sheet

Номер патента: US09891777B2. Автор: Akira Ichiki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Portable electronic card system and method for manufacturing a rewritable plastic card

Номер патента: US09959537B2. Автор: Pinsheng Sun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-01.

Control apparatus, and control method for buck-boost power supply with two primary switches

Номер патента: US09590508B2. Автор: Toru Miyamae,Makoto YASHIKI. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Single-phase differential conversion circuit, signal processing method for use therewith, and reception apparatus

Номер патента: US20200076377A1. Автор: Naoto Yoshikawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Thermoelectric conversion element and method for producing same

Номер патента: US20240381774A1. Автор: Takeshi Asami,Ryota Niwa,Yasuaki Sakurai. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Process for manufacturing semiconductors with a trench capacitor

Номер патента: US20030082885A1. Автор: Shu-Ching Chu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Thermoelectric conversion element, method for manufacturing the same, and thermoelectric conversion device

Номер патента: US20240147859A1. Автор: Yukihiro Isoda,Satoki TADA. Владелец: Mitsuba Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Active device which has a high breakdown voltage, is memory-less, traps even harmonic signals and circuits used therewith

Номер патента: US10003314B2. Автор: Farbod Aram. Владелец: Ethertronics Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Active Device Which Has A High Breakdown Voltage, Is Memory-Less, Traps Even Harmonic Signals And Circuits Used Therewith

Номер патента: US20170085237A1. Автор: Farbod Aram. Владелец: Ethertronics Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Active Device Which has a High Breakdown Voltage, is Memory-Less, Traps Even Harmonic Signals and Circuits Used Therewith

Номер патента: US20190319597A1. Автор: Farbod Aram. Владелец: AVX Antenna Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Active Device Which has a High Breakdown Voltage, is Memory-Less, Traps Even Harmonic Signals and Circuits Used Therewith

Номер патента: US20180262172A1. Автор: Farbod Aram. Владелец: AVX Antenna Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Electro-mechanical voltage-controlled oscillator and a method for generating tunable balanced oscillations

Номер патента: US09847753B2. Автор: Stanley Ho,Hormoz Djahanshahi. Владелец: MaxLinear Asia Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

System and method for theatrical followspot control interface

Номер патента: US09526156B2. Автор: Robert Scott Trowbridge,Thomas F. LaDuke. Владелец: Disney Enterprises Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Active Device Which Has A High Breakdown Voltage, Is Memory-Less, Traps Even Harmonic Signals And Circuits Used Therewith

Номер патента: US20170085226A1. Автор: Farbod Aram. Владелец: Ethertronics Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Electrostatic atomizer device and method for producing same

Номер патента: US20130320117A1. Автор: Kentaro Kobayashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Apparatus and method for providing context-aware service

Номер патента: WO2011037329A3. Автор: Dong Wook Lee,Byoung Hoon Lee,Jai Hoon Kim. Владелец: AJOU UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2011-07-07.

System and method for accumulating and measuring a slowly varying electrical charge

Номер патента: US09784778B2. Автор: Zbigniew Sosin,Marek Adamczyk,Maciej Sosin,Paweł Lasko. Владелец: UNIWERSYTET JAGIELLONSKI. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods for forming three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2021237881A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for applying a coating onto a silicone hydrogel lens

Номер патента: US09575332B2. Автор: Arturo Norberto Medina,Yongxing Qiu,John Dallas Pruitt. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for preparing a laminate including a silicone pressure sensitive adhesive adhered to fluorosilicone rubber or silicone foam

Номер патента: WO2023172340A1. Автор: Timothy Mitchell,Binbin LUO. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for determining the location of a point source of gamma radiation with an anisotropic field

Номер патента: RU2770797C1. Автор: Анатолий Юрьевич Лоскутов,Роман Николаевич Садовников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "33 Центральный научно-исследовательский испытательный институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-04-21.

Systems and methods for a rack structure for a transport vessel adapted for use with an offshore self-elevating vessel

Номер патента: WO2022235508A3. Автор: Ante Lovric,Ernest Gene Kamp, Iii,Kyle Alan Littman. Владелец: Friede & Goldman, Llc D/B/A Friede & Goldman Ltd.. Дата публикации: 2023-02-09.

Air separation unit and method for production of nitrogen and argon using a distillation column system with an intermediate pressure kettle column

Номер патента: US12055345B2. Автор: James R. Handley,Neil M. Prosser. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method and apparatus for manufacturing a body made of composite material provided with an inner cavity with an outward opening

Номер патента: US09833933B2. Автор: Javier Cadens Ballarin. Владелец: Mat Global Solutions SL. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for determining at least one optical property of a patient eye with an intraocular lens

Номер патента: US20140078465A1. Автор: Marco Wilzbach. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2014-03-20.

Methods for modelling and manufacturing a device

Номер патента: EP4443325A1. Автор: LIU Jin,Warner Matthew,Bornoff Robin,BLACKMORE Byron,Alkhenaizi Mahmood. Владелец: Siemens Industry Software NV. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for detection and enabling of an evasive manoeuver in a vehicle with an automated manual transmission

Номер патента: US09410617B2. Автор: Witali Maurer. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2016-08-09.

System and method for designing and manufacturing a protective sports helmet

Номер патента: US12059051B2. Автор: Thad M. Ide,Vittorio Bologna,Murphy GILLOGLY. Владелец: Riddell Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Process for manufacturing paper using a base copolymer that has reacted with an aldehyde as a dry strength, retention, drainage and runnability aid

Номер патента: US09506200B2. Автор: Rene Hund,Cyril Barriere. Владелец: SPCM SA. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for high-precision continous pulse-cyclic dimensional electrochemical treatment of parts with an oscillating electrode

Номер патента: RU2747436C1. Автор: Юрий Алексеевич Белобратов. Владелец: Юрий Алексеевич Белобратов. Дата публикации: 2021-05-05.

Method for detecting crystal defects in a silicon single crystal substrate

Номер патента: US5766976A. Автор: Masaki Majima. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

System and method for identifying a target probe from a plurality of probes collaborating with an examination device

Номер патента: US20240315666A1. Автор: Etienne Rousseau,Hélène Sportouche. Владелец: SuperSonic Imagine SA. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for customizing and manufacturing a composite helmet liner

Номер патента: US09545127B1. Автор: Alan T. Sandifer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-17.

A method for mounting a roof window, a kit comprising a roof window and at least two flashing members, a flashing member, a roof window, and a roof structure with a roof window mounted therein

Номер патента: DK202270482A1. Автор: Melsen Michael,Gaw Kevin. Владелец: VKR Holding AS. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for applying a coating onto a silicone hydrogel lens

Номер патента: CA2667781C. Автор: Dawn A. Smith,Lynn Cook Winterton,John Dallas Pruitt,Sai Ramamurthy Kumar. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2015-12-01.

Method for the additive manufacturing of a silicone elastomer article

Номер патента: EP3898241A1. Автор: Jean-Marc Frances,Gerald Guichard,Karsten SCHLICHTER. Владелец: ELKEM SILICONES FRANCE SAS. Дата публикации: 2021-10-27.

Medical grade nanofibrillar cellulose hydrogel, a method for treating a subject in need of treatment of body with implantable material and a method for manufacturing the medical grade nanofibrillar cellulose hydrogel

Номер патента: US20240091399A1. Автор: Lauri Paasonen,Kari Luukko,Tony KIURU,Johana Kuncova-Kallio,Henri Siltanen,Mika V. Kosonen. Владелец: UPM Kymmene Oy. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for the additive manufacturing of a silicone elastomer article

Номер патента: US11760890B2. Автор: Jean-Marc Frances,Gerald Guichard,Karsten SCHLICHTER. Владелец: ELKEM SILICONES FRANCE SAS. Дата публикации: 2023-09-19.

Process for manufacturing an optical microelectromechanical device having a tiltable structure with an antireflective surface

Номер патента: US20240043263A1. Автор: Roberto Carminati,Nicolo' BONI,Laura Oggioni,Luca SEGHIZZI,Marta CARMINATI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-08.

A method for manufacturing a connecting device such as a buckle or a strap adjustment system, particularly for rucksacks, bags and the like, and a buckle and strap adjustment system which can be made by such method

Номер патента: WO2008010194A3. Автор: Attilio Lovato. Владелец: Nat Molding Europ S R L. Дата публикации: 2008-05-02.

A method for manufacturing a connecting device such as a buckle or a strap adjustment system, particularly for rucksacks, bags and the like, and a buckle and strap adjustment system which can be made by such method

Номер патента: WO2008010194A2. Автор: Attilio Lovato. Владелец: National Molding Italia S.R.L.. Дата публикации: 2008-01-24.

A computer implemented method for determining 3d coordinates describing a scene, a computer program, a computer program product, a device for determining 3d coordinates describing a scene and a display device for display of information relating to 3d coordinates describing a scene

Номер патента: EP4365839A1. Автор: Folke Isaksson,Ola Nygren. Владелец: Maxar International Sweden AB. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for designing coil systems for generation of magnetic fields of desired geometry, a magnetic resonance imaging or magnetoencephalography apparatus with a coil assembly and a computer program

Номер патента: US09977764B2. Автор: Juha Simola,Samu Taulu. Владелец: ELEKTA AB. Дата публикации: 2018-05-22.

A method for fastening a tag to a connecting thread to a filter bag for infusion products, a tag-thread assembly for a filter bag and a method for fixing the tag to a connecting thread with a filter bag

Номер патента: US20170253424A1. Автор: Giuseppe Monti. Владелец: Revisioni Industriali SRL. Дата публикации: 2017-09-07.

Method for fastening a tag to a connecting thread to a filter bag for infusion products, a tag-thread assembly for a filter bag and a method for fixing the tag to a connecting thread with a filter bag

Номер патента: US11214435B2. Автор: Giuseppe Monti. Владелец: IMA Industria Macchine Automatiche SpA. Дата публикации: 2022-01-04.

Method for detecting phosphate and/or sulphate salts on the surface of a substrate or within a substrate, use of a LWIR detecting device and a LWIR imaging system

Номер патента: US12050174B2. Автор: Roger BOLLSTRÖM,Kai Max HETTMANN. Владелец: Omya International AG. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for automated control of the dust collection process in granular filters with an unbound structure

Номер патента: RU2746369C1. Автор: Елена Васильевна Романюк,Андрей Владимирович Федоров,Дмитрий Витальевич Поляков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Академия Государственной противопожарной службы Министерства Российской Федерации по делам гражданской обороны, чрезвычайным ситуациям и ликвидации последствий стихийных бедствий (Академия ГПС МЧС России). Дата публикации: 2021-04-12.

Method for treating corneal ectasia of stages i and ii in combination with an extremely thin cornea

Номер патента: RU2765331C1. Автор: Мария Романовна Образцова,Ирина Альфредовна Мушкова,Наталия Владимировна Майчук. Владелец: федеральное государственное автономное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2022-01-28.

Apparatus, systems, and methods for purifying a fluid with a silicon carbide membrane

Номер патента: US20230294048A1. Автор: Brian E. Butters,Anthony L. Powell. Владелец: 1934612 Ontario Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Air separation unit and method for production of nitrogen and argon using a distillation column system with an intermediate pressure kettle column

Номер патента: US20240035744A1. Автор: James R. Handley,Neil M. Prosser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for activating a function of a vehicle via an ultrawide band with an item of portable user equipment, associated system and device for activating a function

Номер патента: US20230334921A1. Автор: Mohamed Cheikh. Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-10-19.

Process for manufacturing an optical microelectromechanical device having a tiltable structure with an antireflective surface

Номер патента: US11787685B2. Автор: Roberto Carminati,Laura Oggioni,Luca SEGHIZZI,Marta CARMINATI,Nicolo′ Boni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-17.

Air separation unit and method for production of nitrogen and argon using a distillation column system with an intermediate pressure kettle column

Номер патента: WO2024026166A1. Автор: James R. Handley,Neil M. Prosser. Владелец: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-02-01.

Device and method for cleaning and/or operating an ink-jet printer head equipped with an upstream pressure absorber

Номер патента: CA3066545C. Автор: Jan Franck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-14.

Method for filtering odors out of an airflow, and filtering device equipped with an odor filter

Номер патента: CA2585519A1. Автор: Manfred H. Langner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Air separation unit and method for production of nitrogen and argon using a distillation column system with an intermediate pressure kettle column

Номер патента: WO2024026167A1. Автор: Neil M. Prosser,Dimitri GOLUBEV. Владелец: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-02-01.

Systems and methods for a rack structure for a transport vessel adapted for use with an offshore self-elevating vessel

Номер патента: EP4334535A2. Автор: Ante Lovric,Ernest Gene Kamp, Iii,Kyle Alan Littman. Владелец: Friede & Goldman D/b/a Friede & Goldman Ltd LLC. Дата публикации: 2024-03-13.

Method for permutation of the time display mode of an electronic watch with an analogue display, and the associated watch

Номер патента: US11906938B2. Автор: Francois Klopfenstein. Владелец: ETA SA Manufacture Horlogere Suisse. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for permutation of the time display mode of an electronic watch with an analogue display, and the associated watch

Номер патента: US20240111252A1. Автор: Francois Klopfenstein. Владелец: ETA SA Manufacture Horlogere Suisse. Дата публикации: 2024-04-04.

System and method for using a near field communication device to conduct a transaction with an alias

Номер патента: WO2013019674A1. Автор: Joseph A. Giordano,Yvette Marie BOHANAN. Владелец: Bank of America Corporation. Дата публикации: 2013-02-07.

Method for recording an X-ray image and X-ray system

Номер патента: US8630387B2. Автор: Rainer Kaltschmidt,Peter Scheuering,Markus Schild,Bernhard Geiger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-01-14.

Extraction interface for connecting a first flow channel to a second flow channel in an airtight manner, base station with an extraction interface and system consisting of a vacuum cleaning appliance and a base station

Номер патента: US20230157508A1. Автор: Helmut Schoenhoff,Bjoern SOIKA. Владелец: Vorwerk and Co Interholding GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Systems and methods for a rack structure for a transport vessel adapted for use with an offshore self-elevating vessel

Номер патента: WO2022235508A8. Автор: Ante Lovric,Ernest Gene Kamp, Iii,Kyle Alan Littman. Владелец: Friede & Goldman, LLC d/b/a Friede & Goldman, Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Systems and methods for a rack structure for a transport vessel adapted for use with an offshore self-elevating vessel

Номер патента: AU2022268885A1. Автор: Ante Lovric,Ernest Gene Kamp, Iii,Kyle Alan Littman. Владелец: Friede & Goldman United BV. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for recording an x-ray image and x-ray system

Номер патента: US20110261930A1. Автор: Rainer Kaltschmidt,Peter Scheuering,Markus Schild,Bernhard Geiger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2011-10-27.

Press with an eccentric crank drive of the unit of the upper plunger and a method of its operation

Номер патента: RU2244627C2. Автор: Николаус ХОППЕНКАМПС,Норберт НИС,Маттиас ХОЛЬТХАУЗЕН,Бернд ХОРН. Владелец: Смс Демаг Аг. Дата публикации: 2005-01-20.

System and method for designing and manufacturing a protective helmet tailored to a selected group of helmet wearers

Номер патента: US20230276891A1. Автор: Thad M. Ide,Vittorio Bologna,Murphy GILLOGLY. Владелец: Riddell Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

System and method for designing and manufacturing a protective helmet tailored to a selected group of helmet wearers

Номер патента: US20230337779A1. Автор: Thad M. Ide,Vittorio Bologna,Murphy GILLOGLY. Владелец: Riddell Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

System and method for designing and manufacturing a protective helmet tailored to a selected group of helmet wearers

Номер патента: US20230301391A1. Автор: Thad M. Ide,Vittorio Bologna,Murphy GILLOGLY. Владелец: Riddell Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

A method for mounting a roof window, a kit comprising a roof window and at least two flashing members, a flashing member, a roof window, and a roof structure with a roof window mounted therein

Номер патента: WO2024074182A1. Автор: Kevin Gaw,Michael Melsen. Владелец: VKR Holding A/S. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for detaching or separating a sealing film or foil sealingly attached to the rim of the neck of a bottle, or the like, and a screw cap for implementation of said method

Номер патента: US9517869B2. Автор: Rainer Ammann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for processing and manufacturing a metal structural material by a coiling, sintering and plastic working of a metal screen mesh

Номер патента: US11407029B2. Автор: Zhaoyao Zhou. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-08-09.

Method for designing and manufacturing a micromechanical device

Номер патента: US6514670B1. Автор: Bernhard Elsner,Josef Hirtreiter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-02-04.

Method for reducing a population of harmful walking aquatic animals in which the animals are lured towards an open feeding tray for natural enemies, and a device for the same.

Номер патента: NL2032351B1. Автор: Herman Bergsma Joost,Johannes Wilhelmus Van De Haterd Robert. Владелец: Buwa Groep B V. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for detecting phosphate and/or sulphate salts on the surface of a substrate or within a substrate, use of a lwir detecting device and a lwir imaging system

Номер патента: EP3824271A1. Автор: Roger BOLLSTRÖM,Kai Max HETTMANN. Владелец: Omya International AG. Дата публикации: 2021-05-26.

Method for detecting phosphate and/or sulphate salts on the surface of a substrate or within a substrate, use of a lwir detecting device and a lwir imaging system

Номер патента: PH12020552029A1. Автор: Kai Max HETTMANN,Roger Bollstr™M. Владелец: Omya Int Ag. Дата публикации: 2021-06-07.

Method for detecting phosphate and/or sulphate salts on the surface of a substrate or within a substrate, use of a lwir detecting device and a lwir imaging system

Номер патента: CA3100114A1. Автор: Roger BOLLSTRÖM,Kai Max HETTMANN. Владелец: Omya International AG. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for detecting phosphate and/or sulphate salts on the surface of a substrate or within a substrate, use of a lwir detecting device and a lwir imaging system

Номер патента: AU2019304063A1. Автор: Roger BOLLSTRÖM,Kai Max HETTMANN. Владелец: Omya International AG. Дата публикации: 2020-12-03.

A control method for actuating a movement inversion of at least one of a boom and an implement in a work vehicle, a corresponding control system and a work vehicle comprising such control system

Номер патента: EP3719218A1. Автор: Adriano GARRAMONE,Andrea Gravili,Stefano Liberti,Antonio Venezia. Владелец: CNH Industrial Italia SpA. Дата публикации: 2020-10-07.

A method for fastening a tag to a connecting thread to a filter bag for infusion products, a tag-thread assembly for a filter bag and a method for fixing the tag to a connecting thread with a filter bag

Номер патента: EP3180273A1. Автор: Giuseppe Monti. Владелец: Revisioni Industriali SRL. Дата публикации: 2017-06-21.

A three-dimensional body with means for transferring a fluid from the body to a narrow orifice and a method and apparatus for making the same

Номер патента: WO1997047408A1. Автор: Delfin Gibert. Владелец: Exal Corporation. Дата публикации: 1997-12-18.

A computing platform, a reconfigurable hardware device and a method for simultaneously executing processes on dynamically reconfigurable hardware device, such as an fpga, as well as instruction set processors, such as a cpu, and a related computer readable medium.

Номер патента: EP3036652A1. Автор: Dirk Otto VAN DEN HEUVEL,René Paul Peter ZENDEN. Владелец: Topic Embedded Systems BV. Дата публикации: 2016-06-29.

Method for out putting, in a motor vehicle, a navigation instruction to head toward a possible stopping point as well as the motor vehicle and a server device

Номер патента: US20240019258A1. Автор: Florian Henkenhaf. Владелец: Cariad SE. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing rigid internal gear of wave gear device

Номер патента: US20100229395A1. Автор: Masaru Kobayashi,Toshihiko Kaji. Владелец: Sumitomo Electric Sintered Alloy Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Laminated Body with Releasing Member and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080131642A1. Автор: Keiji Oka. Владелец: PIAC Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Dummy shaft, apparatus for assembling differential unit using dummy shaft, and method for manufacturing differential unit

Номер патента: US20150176693A1. Автор: Takahisa MASUYAMA,Kenichi SAHO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for manufacturing a composite product

Номер патента: US09943989B2. Автор: Per Nielsen,Sigmund Wenningsted Torgard. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Laminate with peel member and method for producing same

Номер патента: EP1844746A4. Автор: Keiji Oka. Владелец: PIAC Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-12.

Method for making ink jet printheads

Номер патента: WO2003016831A1. Автор: Gary Raymond Williams,Brian Christopher Hart,Shauna Marie Leis. Владелец: Lexmark International, Inc.. Дата публикации: 2003-02-27.

Method of making a heat exchanger with an enhanced material system

Номер патента: US09433996B2. Автор: Douglas C. Wintersteen,Kurt R. MITTLEFEHLDT. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing machining tool

Номер патента: US09987713B2. Автор: Alan Taylor,Virgiliu-Adrian Savu,Steven Aharrah. Владелец: GKN Sinter Metals LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Connecting device, assembly and method for manufacturing an assembly

Номер патента: US09474339B2. Автор: Hermann Benthien,Axel Soeffker. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for making auxiliary waist element

Номер патента: RU2514902C2. Автор: Конни Мэй МАКМОРРОУ,Джон Тимоти ХАН,Сара Джейн Уилли ШТАБЕЛЬФЕЛЬДТ,Томас Харольд РЕССЛЕР. Владелец: Киберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2014-05-10.

Activating washing fluid and method for processing metal substrate

Номер патента: RU2634527C2. Автор: Марк В. МАКМИЛЛЕН,Натан Дж. СИЛВЕРНЕЙЛ,Питер Л. ВОТРУБА-ДРЦАЛЬ. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonwoven fabric having a grooved surface and heat-expanded particles and production method for the nonwoven fabric

Номер патента: US09487894B2. Автор: Takayoshi Konishi,Toshio Hiraoka. Владелец: Unicharm Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Light-emitting device for detecting passage or smoke and method for manufacturing such a device

Номер патента: US09599465B2. Автор: Christophe Bonazzi,Andrew Gilmour. Владелец: Finsecur SAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Driving circuit of display panel and driving module thereof, and display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443486B2. Автор: Ping Lin Liu,Shih Chieh Hung. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-09-13.

Granular material, method for manufacturing the granular material and method for manufacturing sintered ore

Номер патента: RU2765680C1. Автор: Кэнта ТАКЭХАРА,Тэцуя ЯМАМОТО,Масато КУРОИВА,Наото КОБАЯСИ,Тэцуя ДЗИННО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-02-01.

Method for manufacturing electrode, and electrode

Номер патента: US20240263327A1. Автор: Akihiro Kato,Takaaki Nakai,Osamu Arimoto,Awaludin Zaenal,Akihiro Madono,Sayaka FUKUDA. Владелец: DE NORA PERMELEC LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for preparing pn junction, pn junction, and modulator

Номер патента: US20240019756A1. Автор: Yanbo Li,Zhen DONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing pillar-shaped honeycomb structure filter

Номер патента: US11761361B2. Автор: Koichi Sendo. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Steel plate having high strength and excellent impact toughness after deformation, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4455352A1. Автор: Sang-Ho Kim,Woo-Gyeom KIM,Young-Sub BYUN. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Methods for improving the sweep efficiency of gas injection

Номер патента: US09644134B2. Автор: Preeti Kamakoti,Stuart R. Keller,Jasper L. Dickson,Gary F. Teletzke,Yitian Xiao,William B. Maze,Peter G. Smith, JR.. Владелец: ExxonMobil Upstream Research Co. Дата публикации: 2017-05-09.

Fodder compositions for domestic animals and methods for production thereof

Номер патента: RU2727434C1. Автор: Эден Эфраим ГЕБРЕСАЛАСЬЕ,Мэтью ДЖЕКСОН,Дэннис ДЖУЭЛЛ. Владелец: Хиллс Пет Нутришн, Инк.. Дата публикации: 2020-07-22.

Method for controlling exhaust gas recirculation system for engine

Номер патента: US09890749B2. Автор: Dong Hee Han,Jong Il Park,Joowon Lee,Hyun Jun Lim,Yoon Joo Kim,Nahm Roh Joo,Kwanhee Choi. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing N-type SiC single crystal by solution growth using a mixed gas atmosphere

Номер патента: US09512540B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Katsunori Danno,Kouji Moriguchi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for storing emulsion-adjuvanted vaccine in lubricated medical injection device

Номер патента: RU2684400C2. Автор: Себастьян ЖУФФРЕЙ,Жан-Бернар АМЕЛЬ,Фабьен БОНУР,Никола БРАЛЕ. Владелец: Бектон Дикинсон Франс. Дата публикации: 2019-04-09.

Method for manufacturing liquid ejection head having a water-repellent layer at the ejection surface

Номер патента: US20180148556A1. Автор: Ken Ikegame. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Multilayer body and method for producing same

Номер патента: EP3950320A1. Автор: Atsushi Sakai,Yuuki Sato,Nobuhiko Matsumoto,Jin Nakamura. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Silicon-oxide-coated zinc oxide and method for manufacturing same, silicon-oxide-coated-zinc-oxide-containing composition, and cosmetic

Номер патента: US09642785B2. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA,Yoshiki Kusahara. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for producing purified thrombocytes

Номер патента: RU2766177C2. Автор: Хиденори ХИРОСЕ,Митико УЕДА. Владелец: Мегакарион Корпорейшн. Дата публикации: 2022-02-08.

Method for manufacturing a nanocomposite material with biological activity

Номер патента: RU2659997C2. Автор: Вера Матвеевна Елинсон,Ольга Андреевна Сильницкая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2018-07-04.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240328029A1. Автор: Keisuke Mihara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for testing a chip card element

Номер патента: US20230274119A1. Автор: Michael Baldischweiler. Владелец: Giesecke and Devrient Mobile Security GmbH. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for testing a chip card element

Номер патента: US11983592B2. Автор: Michael Baldischweiler. Владелец: Giesecke and Devrient Mobile Security GmbH. Дата публикации: 2024-05-14.

Anti-static silicone release coatings and methods for their preparation and use

Номер патента: EP4396289A1. Автор: Xin Fang,Zhihua Liu,Fuming Huang,Jiayin Zhu. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Anti-static silicone release coatings and methods for their preparation and use

Номер патента: US20240279512A1. Автор: Xin Fang,Zhihua Liu,Fuming Huang,Jiayin Zhu. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing a composite ring, composite ring, use of the ring in a seal assembly and seal assembly

Номер патента: EP2563571A1. Автор: Ludo Van Schepdael,Karel Kenis,Eddy Vanswijgenhoven. Владелец: PARKER HANNIFIN MANUFACTURING BELGIUM. Дата публикации: 2013-03-06.

Manufacturing method for grinding wheel

Номер патента: US09878426B2. Автор: Takashi Kojima,Motohiro Mizuno,Takumi Masuda,Takuma Kono. Владелец: Toyoda Van Moppes Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing a composite ring, composite ring, use of the ring in a seal assembly and seal assembly

Номер патента: US09421747B2. Автор: Ludo Van Schepdael,Karel Kenis,Eddy Vanswijgenhoven. Владелец: PARKER HANNIFIN MANUFACTURING BELGIUM. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for cementing fiberglass casing and device for its implementation

Номер патента: RU2757835C1. Автор: Ильдар Мухаматуллович Зарипов,Альберт Равилевич Исхаков,Анатолий Вениаминович Киршин. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for cementing fiberglass casing pipes and device for its implementation

Номер патента: RU2763560C1. Автор: Ильдар Мухаматуллович Зарипов,Альберт Равилевич Исхаков. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for manufacturing a striking plate of a golf club head

Номер патента: US11911979B2. Автор: Yuan-Jen Hou,Yen-Zhou XIE. Владелец: Advanced International Multitech Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

FERROMAGNETIC p-TYPE SINGLE CRYSTAL ZINC OXIDE AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF

Номер патента: EP1219731A4. Автор: Kazunori Sato,Hiroshi Yoshida. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

Method for manufacturing an article on top of a base device

Номер патента: US20240017324A1. Автор: Per Viklund,Ville-Pekka MATILAINEN. Владелец: Sandvik Machining Solutions AB. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing layered article, layered article, and heated toilet seat device

Номер патента: EP3795356A1. Автор: Hong Wei Yang,Akitsu SHIGETOU. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2021-03-24.

Nozzle for making steel and method for manufacturing the same

Номер патента: US6021929A. Автор: Seijiro Tanaka,Masanobu Saito,Toshio Yamane. Владелец: Kawasaki Refractories Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-08.

Method for manufacturing a precipitation-hardening cold-rolled steel sheet having excellent yield ratios

Номер патента: US20130248059A1. Автор: Sang-Ho Han. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Methods for driving electro-optic displays

Номер патента: EP4427092A1. Автор: Teck Ping SIM,Chih-Hsiang Ho,Karl Raymond Amundson. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Manufacturing method for a building system in regards to structural and environmental factors

Номер патента: US11141881B2. Автор: Sevil YAZICI. Владелец: OZYEGIN UNIVERSITESI. Дата публикации: 2021-10-12.

Method for manufacturing optical bench, optical bench, optical module, silicon wafer substrate in which wiring and groove are formed, and wafer

Номер патента: US20040266093A1. Автор: Tetsuhiko Sanbei,Ryuzou Fukao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for Manufacturing Strain Sensor by Control of Thin-Film Crack Using Stress Concentration Structure and Strain Sensor Manufactured Using Same

Номер патента: US20240142217A1. Автор: Yongtaek Hong,Taehoon Kim,Daesik Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Quenching apparatus and quenching method for metal sheet, and method for manufacturing steel sheet

Номер патента: US20240301524A1. Автор: Soshi Yoshimoto. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Building board package and method for manufacturing building board package

Номер патента: US12122578B2. Автор: Hiroaki Yamamoto,Yudai HASHIMOTO. Владелец: Nichiha Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Tape drive member and manufacturing method for the same

Номер патента: US4553186A. Автор: Hiroshi Kawakami,Shigeyoshi Torii. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-11-12.

Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20210108334A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for manufacturing an ophthalmic lens, support and manufacturing system

Номер патента: WO2019077068A1. Автор: Mathieu Feuillade,Jerome Moine,Xavier Bultez. Владелец: Essilor International. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for manufacturing a packing container having an inlay, insertion device, and packaging machine

Номер патента: US20240270417A1. Автор: Martin Greßler. Владелец: HDG Verpackungsmaschinen GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing magneto-optical recording medium

Номер патента: US20040229085A1. Автор: Takeshi Miki,Kazuhiko Fujiie,Yasuhito Tanaka,Goro Fujita,Tetsuhiro Sakamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Silicone co-extrusion method for LED light strip, mold and its extrusion structure

Номер патента: US12123585B1. Автор: Wenhai Liu,Hailong Zhu,Tiejun Wu,Yongbo Zhu,Ji'an Wei,Wenmao Wei. Владелец: Signcomplex Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing a composite work piece for a drug delivery device and composite work piece for a drug delivery device

Номер патента: US09533447B2. Автор: Michael Harms,Steffen RAAB,Uwe Dasbach. Владелец: Sanofi Aventis Deutschland GmbH. Дата публикации: 2017-01-03.

Cleaning method, method for producing silicon single crystal, and cleaning device

Номер патента: US20200346258A1. Автор: Koichi MAEGAWA,Satoru Hamakawa,Takuya Yotsui. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Display cell, display apparatus and method for making same

Номер патента: WO2011085675A8. Автор: Ming-Wei Tsai,Rong-Chang Liang,Jau-Shiu Chen. Владелец: DELTA ELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2011-09-29.

Shoe article, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: EP4403061A1. Автор: Pei-Ru Chen,Chih-Liang Yao,Yu-Hsi Chung. Владелец: Prime Luck International Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Shoe article, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: EP4403062A1. Автор: Pei-Ru Chen,Chih-Liang Yao,Yu-Hsi Chung. Владелец: Prime Luck International Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Method for manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20150290939A1. Автор: Satoshi Ibe,Jun Yamamuro,Toshiaki Kurosu,Shiro Sujaku. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Method for producing silicon compound

Номер патента: US20160264600A1. Автор: Akira Isobe,Taiki Hoshino,Eisuke Murotani. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Apparatus and method for manufacturing aerogel sheet

Номер патента: US20180354805A1. Автор: Je Kyun Lee,Kyoung Shil Oh,Ye Hon Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Display cell, display apparatus and method for making same

Номер патента: WO2011085675A1. Автор: Ming-Wei Tsai,Rong-Chang Liang,Jau-Shiu Chen. Владелец: DELTA ELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2011-07-21.

Shoe article, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20240246310A1. Автор: Pei-Ru Chen,Chih-Liang Yao,Yu-Hsi Chung. Владелец: Prime Luck International Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Shoe article, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20240245171A1. Автор: Pei-Ru Chen,Chih-Liang Yao,Yu-Hsi Chung. Владелец: Prime Luck International Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing spicule coated with diamond and ingredients effective for skin improvement, and diamond spicule cosmetic composition including the same

Номер патента: US20240325260A1. Автор: Tae Gwang Kwon,Moo Seong JEON,Hong Bo Shim,Hak Ryeol CHOI,Bong Woo Kim. Владелец: Bn Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Epoxy resin composition for neutron shielding, and method for preparing the same

Номер патента: US09745442B2. Автор: Jae-Woo Kim,Ji-Heon Jun,Yeon-Joo Bae. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for producing silicon compound

Номер патента: US09738789B2. Автор: Akira Isobe,Taiki Hoshino,Eisuke Murotani. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US09604454B2. Автор: Satoshi Ibe,Jun Yamamuro,Toshiaki Kurosu,Shiro Sujaku. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing a stent and stent manufactured thereby

Номер патента: US09486340B2. Автор: Mark Dolan,Stuart Kari,Christopher W. Storment. Владелец: Medtronic Vascular Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for producing n-type sic single crystal

Номер патента: US20150299896A1. Автор: Takayuki Shirai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for manufacturing brewed alcoholic beverage using porous membrane

Номер патента: AU2018327797A1. Автор: Yukio Nakazawa. Владелец: Asahi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, method for manufacturing actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, method for manufacturing electronic device, resin, and method for manufacturing resin

Номер патента: US20240248398A1. Автор: Tsutomu Yoshimura,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing a protection device

Номер патента: US20210112892A1. Автор: Luigi Ronco. Владелец: Dainese SpA. Дата публикации: 2021-04-22.

Apparatus and method for updating detailed map

Номер патента: US12055413B2. Автор: Seong Soo Lee. Владелец: SK TELECOM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Transparent laminated film, display device and method for manufacturing transparent laminated film

Номер патента: US11762416B2. Автор: Pao Ming Tsai,Penghao GU,Jiahao Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Low dose antibody-based methods for treating hematologic malignancies

Номер патента: US20190263903A1. Автор: Dragan CICIC. Владелец: Actinium Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Impact element for a sensor device and a manufacturing method

Номер патента: US20190002276A1. Автор: Risto Mutikainen,Juha LAHDENPERÄ. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for manufacturing display panel

Номер патента: US09702919B2. Автор: Mario Amatsuchi. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Activated mineral powder for road concrete mix and method for manufacturing thereof

Номер патента: RU2671227C1. Автор: Владимир Васильевич Баринов,Алексей Рудольфович Евтухович,Андрей Николаевич Емельянов,Анатолий Леонидович Перьков,Елена Дмитриевна Серикова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Воронежский завод минерального порошка". Дата публикации: 2018-10-30.

Method for producing light-emitting material

Номер патента: US6117363A. Автор: Masaru Ihara,Takahiro Igarashi,Katsutoshi Ohno,Mamoru Sennna,Tetsuhiki Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Apparatus and method for manufacturing roller

Номер патента: US20130299069A1. Автор: Chia-Ling Hsu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Method for producing hydrogen-rich gas by gasification of high-humidity sludge based on waste heat recovery from blast furnace slag

Номер патента: NL2030957B1. Автор: Luo Siyi,Zuo Zongliang,Ren Dongdong. Владелец: Univ Qingdao Technology. Дата публикации: 2023-08-21.

Method for manufacturing low modulus articles

Номер патента: WO2024168112A1. Автор: David Sabo,Curtis J. Behrend,Grant Draper. Владелец: 3D Systems, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Sintered friction material and method for producing sintered friction material

Номер патента: US12066071B2. Автор: Hideaki Takahashi,Atsushi Ueno,Masanori Kato,Eri Takada,Katsuhiro Onodera,Marina NIHEI. Владелец: Akebono Brake Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Compositions and methods for degradation of improperly packaged proteins

Номер патента: RU2761564C2. Автор: Сяолу ЯН,Лили ГО. Владелец: Дзе Трастиз Оф Дзе Юниверсити Оф Пенсильвания. Дата публикации: 2021-12-10.

Binding proteins and methods for use thereof

Номер патента: RU2701434C2. Автор: Вэньянь Шэнь,Кальяни МОНДАЛ,Бетти Чан ЛИ,Ю Чэнь,Таруна Арора,Хьюго МАТЕРН. Владелец: Нгм Биофармасьютикалс, Инк.. Дата публикации: 2019-09-26.

Systems and methods for improved additive manufacturing

Номер патента: US20240149351A1. Автор: Abdelmoula Haboub. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Cationic electrodeposition coating composition and method for forming cured electrodeposition coating film

Номер патента: US20200407590A1. Автор: Hiroki ARAI,Keigo Obata,Hiroyoshi Yamazaki,Yuko Hasegawa,Keisuke Tsutsui,Yasuyuki Furuya,Masayuki Kotani. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Cationic electrodeposition coating composition and method for forming cured electrodeposition coating film

Номер патента: US11945962B2. Автор: Hiroki ARAI,Keigo Obata,Hiroyoshi Yamazaki,Yuko Hasegawa,Keisuke Tsutsui,Yasuyuki Furuya,Masayuki Kotani. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Bioactive chemicals with increased activity and methods for making same

Номер патента: US20060216319A1. Автор: Robin Taylor,Andrew Chapple. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Optical body, display device, and method for manufacturing optical body

Номер патента: US12032123B2. Автор: Yutaka Muramoto,Shunichi Kajiya,Hideki Terashima,Masanao KIKUCHI,Takaaki Otowa. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods for reducing cardiovascular risk

Номер патента: AU2024205254A1. Автор: William J. Sasiela,Robert C. PORDY,Corinne HANOTIN,Laurence Bessac,Philippe Gabriel Steg,Gregory G. Schwartz. Владелец: Sanofi Biotechnology SAS. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for predicting non-developing pregnancy associated with chromosomal abnormalities of the embryo

Номер патента: RU2760499C9. Автор: Николай Николаевич Потапов,Владислав Викторович Ковалев,Елена Владимировна Кудрявцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО УГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2021-12-24.

Method for safely following emergency service vehicle to place of call in smoke conditions and car for implementing method

Номер патента: RU2756194C1. Автор: Александр Алексеевич Таранцев,Владимир Ильич Комашинский,Игорь Геннадьевич Малыгин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем транспорта им. Н.С. Соломенко Российской академии наук. Дата публикации: 2021-09-28.

Method for prediction of risk of recurrent laryngitis episodes in children older than 4 years old

Номер патента: RU2723610C1. Автор: Лидия Ивановна Мозжухина,Татьяна Александровна Когут,Александра Леонидовна Салова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-06-16.

Keyboard and method for manufacturing the same

Номер патента: US7034219B2. Автор: Jung-O Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-25.

Optical pulse design method for high-fidelity manipulation over ensemble qubits

Номер патента: US20230025745A1. Автор: Ying Yan,LIN Wan,Jiayi Wang,Tianfeng Chen,Ze MO. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-26.

Steel plate having high strength and excellent low-temperature impact toughness, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4455351A1. Автор: Sang-Ho Kim,Woo-Gyeom KIM,Young-Sub BYUN. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

SiRNA hydrogel and method for manufacturing the same

Номер патента: US09616085B2. Автор: Haeshin Lee,Yoon Sung Nam,Cheol Am Hong. Владелец: KAIST IP Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing rigid polyurethane foam materials

Номер патента: RU2597931C2. Автор: Марк ФРИККЕ,Андреас ЭМГЕ,Маркус Шютте,Андреас КУНСТ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-09-20.

Drilling injector for cementation of rock soil and method for cementation of rock soil using this injector

Номер патента: RU2753303C1. Автор: Дмитрий Алексеевич Малинин,Алексей Генрихович Малинин. Владелец: Алексей Генрихович Малинин. Дата публикации: 2021-08-13.

Method for obtaining lappaconinity hydrobromide

Номер патента: RU2676304C1. Автор: Юрий Ильич Муринов,Марат Сабирович Юнусов,Елена Марковна Цырлина,Светлана Григорьевна Юнусова,Тагир Мазитович Габбасов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Научное Учреждение Уфимский Федеральный Исследовательский Центр Российской Академии Наук (Уфиц Ран). Дата публикации: 2018-12-27.

Method for prediction of colorectal anastomosis inconsistency

Номер патента: RU2625746C1. Автор: Вячеслав Михайлович Субботин,Наталья Александровна Терехина,Дмитрий Валерьевич Зитта. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский государственный медицинский университет имени академика Е.А. Вагнера" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for fabricating silicone-containing copolymer molded article having hydrophilic surface and silicone hydrogel contact lens having hydrophilic surface.

Номер патента: CA2876538C. Автор: Suguru Imafuku. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Lithium niobate having p-type nanowire region or n-type nanowire region and preparation method therefor, and method for converting carrier type thereof

Номер патента: EP4033013A1. Автор: Fang Bo,Xiaojie Wang,Guoquan Zhang,Jingjun Xu,Yuejian JIAO. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2022-07-27.

Lithium niobate having p-type nanowire region or n-type nanowire region, method for preparing the same, and method for converting charge carrier type of nanowire region

Номер патента: US20210238767A1. Автор: Fang Bo,Jing-Jun Xu,Guo-Quan Zhang,Xiao-Jie Wang,Yue-Jian Jiao. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2021-08-05.

Lithium niobate having p-type nanowire region or n-type nanowire region, method for preparing the same, and method for converting charge carrier type of nanowire region

Номер патента: US11834755B2. Автор: Fang Bo,Jing-Jun Xu,Guo-Quan Zhang,Xiao-Jie Wang,Yue-Jian Jiao. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for evaluating covering state of silicone compound

Номер патента: US20230398501A1. Автор: Takeshi Sato,Renjo Takama. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Experimental apparatus and an experimental method for the negative bending moment zone of a continuous beam to bear load under chloride environment

Номер патента: US20230213422A1. Автор: LEI Jing,Xiaoxiao Wang,Ju Zhang,Shuguang LIU,Yanhai LIU,Changwang YAN,Liqiang Yin. Владелец: Inner Mongolia University of Technology. Дата публикации: 2023-07-06.

Element, device and method for generating electromagnetic radiation in the terahertz domain

Номер патента: EP2607945A3. Автор: Hidetoshi Nakanishi,Masayoshi Tonouchi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2014-07-30.

Method for creating technogenic oil deposits in lithosphere

Номер патента: RU2672902C1. Автор: Леонид Васильевич Новиков,Александр Егорович Воробьев,Наталья Алексеевна Соболева. Владелец: Наталья Алексеевна Соболева. Дата публикации: 2018-11-20.

Method for inhalation chamber filling with aerosol during substances inhalation toxicity investigation

Номер патента: RU2646821C2. Автор: Игорь Викторович Мокшанов,Леонид Петрович Эрдниев,Игорь Валентинович Леготин,Ярослав Андреевич Степанов,Марина Александровна Леготина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "33 Центральный научно-исследовательский испытательный институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-03-07.

Method for quantitative determination of novocaine

Номер патента: RU2715997C1. Автор: Сергей Юрьевич Доронин,Татьяна Алексеевна Соколова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2020-03-05.

Method for treating acute widespread purulent peritonitis

Номер патента: RU2631561C1. Автор: Александр Александрович Нестеров,Аркадий Дмитриевич Лелянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Смоленский государственный медицинский университет" министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2017-09-25.

Manufacturing a composite end piece with an integral journal

Номер патента: EP2720846A1. Автор: Mats OHLSSON. Владелец: Examec Holding AB. Дата публикации: 2014-04-23.

Device and method for controlling an optical source driver

Номер патента: US20130182548A1. Автор: Kang-soo Cho. Владелец: Toshiba Samsung Storage Technology Korea Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Multi-omics methods for precision medicine

Номер патента: WO2022133466A1. Автор: Xiaosong Wang. Владелец: UNIVERSITY OF PITTSBURGH-OF THE COMMONWEALTH SYSTEM OF HIGHER EDUCATION. Дата публикации: 2022-06-23.

Computer-implemented method and system for ordering and manufacturing a set of decorative panels

Номер патента: WO2024033478A1. Автор: Li Lin. Владелец: Patentwerk B.V.. Дата публикации: 2024-02-15.

Computer-Implemented Method and System for Ordering and Manufacturing a Set of Decorative Panels

Номер патента: US20240054466A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Tantalum carbide-coated carbon material and method for manufacturing same

Номер патента: US11976353B2. Автор: Dong Wan Jo. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Radiofrequency probe, system, and method for adaptive multivariate control of an ablation procedure

Номер патента: AU2021413865A1. Автор: Lee C. Burnes,Eric A. Schepis,Amol SOIN,Jalpa S. SHAH,Ryan B. Caldwell. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Optical coupling device and method for manufacturing optical coupling device

Номер патента: US20220057579A1. Автор: Tsutomu Okamoto,Masaru Sasaki,Hiroyuki Fujiwara,Tsuyoshi NAMEKAWA. Владелец: Adamant Namiki Precision Jewel Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Device and method for controlling an optical source driver

Номер патента: US8619536B2. Автор: Kang-soo Cho. Владелец: Toshiba Samsung Storage Technology Korea Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

Method for manufacturing an insertion tube of an endoscope and endoscope comprising an insertion tube

Номер патента: US12075972B2. Автор: Anh Minh Do. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and method for fan soft-start controller

Номер патента: US20230374930A1. Автор: Jason L. Sullins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-23.

Resin applicator for coating metal wire and associated method for coating

Номер патента: EP4429830A1. Автор: Jonas EGGERMONT,Jianhui GONG (Kevin). Владелец: Bekaert NV SA. Дата публикации: 2024-09-18.

Hybrid epoxy-polysiloxane waterborne primer, methods for its preparation and methods for using

Номер патента: WO2024220300A1. Автор: Liang Liang,Peter MAASSEN VAN DEN BRINK. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for preparation of diesel fuel hydrotreating catalyst

Номер патента: RU2763723C1. Автор: Олег Владимирович Климов,Ксения Александровна Надеина,Александр Степанович Носков,Галина Ивановна Корякина,Андрей Владимирович Клейменов,Анна Вячеславовна Андреева,Дмитрий Валерьевич Храпов,Владимир Владимирович Данилевич,Анастасия Васильевна Сайко,Александр Анатольевич Никитин,Ирина Дмитриевна Резниченко,Олег Сергеевич Ведерников. Владелец: Акционерное общество «Газпромнефть - Омский НПЗ» (АО «Газпромнефть - ОНПЗ»). Дата публикации: 2021-12-30.

METHOD FOR PRODUCING A PRODUCT CONTAINING A SILICON SUBSTRATE WITH A SILICON CARBIDE FILM ON ITS SURFACE

Номер патента: RU2005103321A. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Сергей Константинович Гордеев (RU),Светлана Борисовна Корчагина (RU),Сергей Арсеньевич Кукушкин (RU),Андрей Викторович Осипов (RU). Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие") (Ru). Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANODE-SUPPORTED SOLID OXIDE FUEL CELL COMPRISING A NANOPOROUS LAYER HAVING A PORE GRADIENT STRUCTURE, AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120003565A1. Автор: Lee Jong Ho,KIM Jong Cheol,LEE Hae-Weon,SON Ji-Won,KIM Hae-Ryoung,Noh Ho-Sung. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC WIRE WITH TERMINAL

Номер патента: US20120000069A1. Автор: Hirai Hiroki,Tanaka Tetsuji,Ono Junichi,Otsuka Takuji,Shimoda Hiroki,HAGI Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DETECTING A VIEWING APPARATUS

Номер патента: US20120002025A1. Автор: Bedingfield,SR. James Carlton. Владелец: AT&T Intellectual Property I, L. P.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS, COMMUNICATION METHOD, AND A COMPUTER-READABLE MEDIUM

Номер патента: US20120002566A1. Автор: . Владелец: BROTHER KOGYO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PREPARING A SITE-SPECIFIC PHYSIOLOGICALLY ACTIVE POLYPEPTIDE CONJUGATE

Номер патента: US20120003712A1. Автор: . Владелец: HANMI HOLDINGS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Composition and method for dust suppression wetting agent

Номер патента: US20120000361A1. Автор: Weatherman Greg,Cash Marcia. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DETERMINING INTENSITY OF GAMMA RADIATION EMISSION OF A RADIOELEMENT

Номер патента: US20120002774A1. Автор: Leconte Pierre. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2012-01-05.

TAP WITH DRILL AND METHOD FOR CUTTING INTERNAL THREAD

Номер патента: US20120003054A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION OF A PROSTHESIS STRUCTURE WITH AN IMPLANT STRUCTURE

Номер патента: US20120003606A1. Автор: FISCHLER Titus,Schaffner Roland,Fischler Elisabeth,Baechler Martin,Baechler Juerg. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Construction Machine, Method for Controlling Construction Machine, and Program for Causing Computer to Execute the Method

Номер патента: US20120004816A1. Автор: OKAMURA Kenji,Ichihara Masashi. Владелец: KOMATSU LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing mousse out of citrus fruits

Номер патента: RU2250665C2. Автор: О.И. Квасенков,Ф.Р. Шаззо. Владелец: ГУ Краснодарский научно-исследовательский институт хранения и переработки сельскохозяйственной продукции. Дата публикации: 2005-04-27.

LIGHTING DEVICE FOR VEHICLES AND A METHOD FOR PRODUCING IT

Номер патента: US20120002432A1. Автор: . Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for prediction of risk of congenital infections

Номер патента: RU2532382C1. Автор: Сергей Владимирович Сидоренко,Ася Степановна Кветная,Людмила Ильинична Железова,Валерий Васильевич Васильев,Елена Александровна Мурина,Зинаида Алексеевна Осипова,Галина Михайловна Ушакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Научно-исследовательский институт детских инфекций. Федеральное медико-биологическое агентство. Дата публикации: 2014-11-10.

Method for prediction of risk of progressing glaucomous optic neuropathy

Номер патента: RU2530588C1. Автор: Владимир Николаевич Алексеев,Евгений Алексеевич Егоров,Дмитрий Николаевич Никитин,Ильмира Рифовна Газизова. Владелец: государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Западный государственный медицинский университет им. И.И. Мечникова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2014-10-10.

Method for preparing anthrax diagnostic serum and diagnostic set

Номер патента: RU2478647C1. Автор: Виктор Васильевич Соболев,Олег Сергеевич Захарченко. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Институт Биотехнологий Ветеринарной Медицины". Дата публикации: 2013-04-10.

Method for guidance of guided missile and guidance system for realization

Номер патента: RU2258887C1. Автор: А.Г. Шипунов,С.Л. Погорельский,М.В. Пальцев,А.И. Галантэ,В.Н. Тикменов,С.В. Карамов,И.В. Степаничев,В.М. Понятский,А.В. Чинарев,А.Г. Шипунов (RU),И.В. Степаничев (RU),С.Л. Погорельский (RU),А.И. Галантэ (RU),М.В. Пальцев (RU),тский В.М. Пон (RU),А.В. Чинарев (RU),С.В. Карамов (RU),В.Н. Тикменов (RU). Владелец: Государственное унитарное предприятие "Конструкторское бюро приборостроения". Дата публикации: 2005-08-20.

Method for producing saturated steam sterilisation indicator

Номер патента: RU2458324C2. Автор: Александр Сергеевич Барыбин,Миша Багратович Матевосян. Владелец: Федеральное государственное учреждение науки "Екатеринбургский научно-исследовательский институт вирусных инфекций" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2012-08-10.

Method for obtaining food selenium-containing composition out of chick-pea

Номер патента: RU2244446C1. Автор: Т.В. Каренгина,И.Ф. Горлов,А.З. Митрофанов,О.П. Серова. Владелец: ГУ Волгоградский научно-исследовательский технологический институт мясо-молочного скотоводства и переработки продукции животноводства РАСХН. Дата публикации: 2005-01-20.

METHOD FOR PRODUCING A PRODUCT CONTAINING A SILICON SUBSTRATE WITH A SILICON CARBIDE FILM ON ITS SURFACE

Номер патента: RU2005124203A. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Сергей Константинович Гордеев (RU),Светлана Борисовна Корчагина (RU),Сергей Арсеньевич Кукушкин (RU),Андрей Викторович Осипов (RU). Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие") (Ru). Дата публикации: 2007-01-27.

Method for testability of realisation of logic converters

Номер патента: RU2497182C2. Автор: Семен Леонидович Подвальный,Сергей Владимирович Тюрин,Андрей Александрович Акинин,Юлия Сергеевна Акинина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-10-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.