Method of testing a gap fill for DRAM
Номер патента: US11621266B2
Опубликовано: 04-04-2023
Автор(ы): Gill Yong Lee, Jorge Pablo Fernandez, Priyadarshi PANDA, Rajib Lochan Swain, Sang Ho Yu, Sanjay Natarajan, Seshadri Ganguli, Sung-Kwan Kang
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-04-2023
Автор(ы): Gill Yong Lee, Jorge Pablo Fernandez, Priyadarshi PANDA, Rajib Lochan Swain, Sang Ho Yu, Sanjay Natarajan, Seshadri Ganguli, Sung-Kwan Kang
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Gap fill methods for dram
Номер патента: US20200286897A1. Автор: Seshadri Ganguli,Sanjay Natarajan,Gill Yong Lee,Sang Ho Yu,Sung-Kwan Kang,Priyadarshi PANDA,Rajib Lochan Swain,Jorge Pablo Fernandez. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-10.