Dual shallow trench isolation (STI) structure for field effect transistor (FET) .

Dual shallow trench isolation (STI) structure for field effect transistor (FET)

Номер патента: US9595579B2
Опубликовано: 14-03-2017
Автор(ы): Max G. Levy, Michael J. Zierak, Natalie B. Feilchenfeld, Richard A. Phelps, Santosh Sharma, Yun Shi
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Dual shallow trench isolation (sti) field effect transistor (fet) and methods of forming

Номер патента: US20150255539A1. Автор: Max G. Levy,Yun Shi,Richard A. Phelps,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

FET using trench isolation as the gate dielectric

Номер патента: US11404556B2. Автор: Yuguo Wang,Zachary Ka Fai Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

Fet using trench isolation as the gate dielectric

Номер патента: US20220140105A1. Автор: Yuguo Wang,Zachary Ka Fai Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Field effect transistor high aspect ratio patterning

Номер патента: US20240332295A1. Автор: Wai Kin Li,Domingo Ferrer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Cross-bar vertical transport field effect transistors without corner rounding

Номер патента: US20210288181A1. Автор: Tao Li,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Multi-gate field-effect transistor with enhanced and adaptable low-frequency noise

Номер патента: US20120168868A1. Автор: Hsin Chen,Jeng Gong,Tang-Jung CHIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Method for forming a floating gate in a recess of a shallow trench isolation (STI) region

Номер патента: US09659781B2. Автор: Erwan Dornel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Fin shape for fin field-effect transistors and method of forming

Номер патента: US09460968B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Termination structures for trench-gate field-effect transistors

Номер патента: US20220013647A1. Автор: Takashi Ogura,Takashi Hiroshima,Toshimitsu Taniguchi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-01-13.

Interconnect Structure For Fin-Like Field Effect Transistor

Номер патента: US20200144135A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Interconnect Structure For Fin-Like Field Effect Transistor

Номер патента: US20210098313A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Field-effect transistor with aggressively strained fins

Номер патента: US09859425B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and method for a field effect transistor

Номер патента: US09985111B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

FinFET with Dummy Gate on Non-Recessed Shallow Trench Isolation (STI)

Номер патента: US20160233133A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

FinFET with dummy gate on non-recessed shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US09754842B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Fin field effect transistor and method of making the same

Номер патента: CN102194756A. Автор: 林学仕,林家彬,林献钦,詹前泰. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-21.

Integrated circuits with shallow trench isolations, and methods for producing the same

Номер патента: US09460955B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Alban Zaka,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Shallow trench isolation structure with sigma cavity

Номер патента: US09548357B2. Автор: Min-Hwa Chi,HaoCheng Tsai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor structure with conductive spacer in shallow trench isolation region

Номер патента: US20240120372A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536792B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Circuits employing adjacent low-k dummy gate to a field-effect transistor (fet) to reduce fet source/drain parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: US20200161419A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Extended-drain structures for high voltage field effect transistors

Номер патента: US09911815B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20180254327A1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Single-diffusion break structure for fin-type field effect transistors

Номер патента: US20180374851A1. Автор: Hui Zang,Yanzhen Wang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Fin structure of fin field effect transistor

Номер патента: US09484462B2. Автор: FENG Yuan,Clement Hsingjen Wann,Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang,Hung-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Junction field-effect transistors implemented in a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: US20240063309A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US10256154B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US20180204775A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US20180204774A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Trench isolation structure

Номер патента: US20130069160A1. Автор: Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for fabricating a fin field effect transistor and a shallow trench isolation

Номер патента: US09991154B2. Автор: Hsien-Che Teng,Jia-Ming Lin,Yun-Wen Chu,Wei Ken Lin,Yung-Chou Shih,Kun-Dian She,Lichia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US20140099773A1. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-04-10.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US09502292B2. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-22.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US20240339533A1. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US12040397B2. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20210358800A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of forming a deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US11830765B2. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Trench isolation structure

Номер патента: GB201210467D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US20230299196A1. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US20160013096A1. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-01-14.

Isolation structures for transistors

Номер патента: US20240243189A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Field effect transistor for reducing hot carrier damage and methods for forming the same

Номер патента: US20240274716A1. Автор: Pei-Shan Hsieh,Shiang-Hung HUANG,Hsin Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure with shallow trench isolation and manufacturing method thereof

Номер патента: US09646871B2. Автор: Che-Cheng Chang,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG,Jui Fu Hseih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Isolation structures for transistors

Номер патента: US11973126B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Isolation Structures for Transistors

Номер патента: US20220181502A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Isolation structures for transistors

Номер патента: US20210408230A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Embedded source/drain structure for tall finFET and method of formation

Номер патента: US09818877B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Henry K. Utomo,Reinaldo Ariel Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200090981A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Hybrid orientation fin field effect transistor and planar field effect transistor

Номер патента: WO2014058552A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-17.

Field-effect transistors with a body pedestal

Номер патента: US11764060B2. Автор: Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Michel J. Abou-Khalil,Michael J. Zierak. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20190181234A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer,Viet Thanh Dinh,Valerie Marthe Girault. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-06-13.

Field effect transistors with reduced leakage current

Номер патента: US11955555B2. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz,Rula BADARNEH,Kurt Moen. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Field Effect Transistors with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20230395722A1. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz,Rula BADARNEH,Kurt Moen. Владелец: Newport Fab dba Tower Semiconductor Newport Beach LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Structure for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20070170527A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Structure for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US7355245B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-08.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20210134655A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Method and structure for forming on-chip anti-fuse with reduced breakdown voltage

Номер патента: US09633943B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Stacked field-effect transistors

Номер патента: US20230395600A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Jay William Strane,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated nanosheet field effect transistors and floating gate memory cells

Номер патента: US12009435B2. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20070254443A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20080166848A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20080299732A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US7446004B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Method and structure for controlling stress in a transistor channel

Номер патента: US9006836B2. Автор: Haining S. Yang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11329161B2. Автор: Su Xing,Chung Yi Chiu,Hai Biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Field-effect transistor

Номер патента: US11799031B2. Автор: Su Xing,Chung Yi Chiu,Hai Biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Complementary field-effect transistors

Номер патента: US20210210349A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Nanowire MOSFET with support structures for source and drain

Номер патента: US9263295B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Nanowire mosfet with support structures for source and drain

Номер патента: US20150255306A1. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Vertical resistor adjacent inactive gate over trench isolation

Номер патента: US20200227404A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Garo J. Derderian,Ruilong Xie,Guowei Xu,Jiehui SHU,Shesh M. Pandey,Yurong Wen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Silicon recess etch and epitaxial deposit for shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US09911805B2. Автор: Shih-Ting Hung,Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu,Ching-Feng Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20230377950A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Structure including transistor using buried insulator layer as gate dielectric and trench isolations in source and drain

Номер патента: US20240055434A1. Автор: Alban Zaka,Yiching Chen,Tom Herrmann,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Structure including transistor using buried insulator layer as gate dielectric and trench isolations in source and drain

Номер патента: US11837605B2. Автор: Alban Zaka,Yiching Chen,Tom Herrmann,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Selective shallow trench isolation (sti) fill for stress engineering in semiconductor structures

Номер патента: US20190131452A1. Автор: Hong Yu,Xusheng Wu,Dongil CHOI,Xinyuan Dou,Ashish Kumar JHA,Edmund K. Banghart,Md Khaled HASSAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Field-effect transistors with a gate structure in a dual-depth trench isolation structure

Номер патента: US11955514B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Field effect transistor with shallow trench isolation features within source/drain regions

Номер патента: US11764225B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Different shallow trench isolation fill in fin and non-fin regions of finFET

Номер патента: US09704994B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Field effect transistor, termination structure and associated method for manufacturing

Номер патента: US9362351B2. Автор: Tiesheng Li,Rongyao Ma,Huaifeng Wang. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Stacked field effect transistors

Номер патента: WO2023103750A1. Автор: Chen Zhang,Dechao Guo,Junli Wang,Timothy Mathew Philip,Sung Dae Suk. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Shallow trench isolation process and structure

Номер патента: GB2425889A. Автор: Qi Xiang,James N Pan,Jung-Suk Goo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09646993B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Formation method of shallow trench isolation

Номер патента: US20230377999A1. Автор: Szu-Ying Chen,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Sen-Hong Syue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09653477B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Field effect transistor with shallow trench isolation features within source/drain regions

Номер патента: US20230378183A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Field effect transistor with backside source/drain contact

Номер патента: US20240153990A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Technique of reducing shallow trench isolation loss during fin formation in finFETs

Номер патента: US09646888B2. Автор: HAI Zhao,Lijuan Du. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Different shallow trench isolation fill in fin and non-fin regions of finfet

Номер патента: US20180102277A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

SINGLE-CHIP FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) SWITCH WITH SILICON GERMANIUM (SiGe) POWER AMPLIFIER AND METHODS OF FORMING

Номер патента: US20150364492A1. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Field effect transistors (fets) with inverted source/drain metallic contacts, and method of fabricating same

Номер патента: EP1946366A1. Автор: Carl Radens,Dureseti Chidambarrao,Kaushik Kumar,Michael Belyansky,Lawrence Clevenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-23.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09786751B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Super junction field effect transistor with internal floating ring

Номер патента: US09590092B2. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09496394B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200044071A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US09553171B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Structures for a ferroelectric field-effect transistor and related methods

Номер патента: EP4307387A1. Автор: Robert Binder,Joachim Metzger,Sven Beyer,Stefan Dunkel,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-01-17.

Structures for a ferroelectric field-effect transistor and related methods

Номер патента: US20240014320A1. Автор: Robert Binder,Joachim Metzger,Sven Beyer,Stefan Dunkel,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-01-11.

Epitaxial structures for fin-like field effect transistors

Номер патента: US11735648B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Extended-drain structures for high voltage field effect transistors

Номер патента: US20170092726A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Epitaxial Structures for Fin-Like Field Effect Transistors

Номер патента: US20190148528A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Wang Sheng-Chen,Yeong Sai-Hooi,YU Chia-Ta. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Epitaxial Structures for Fin-Like Field Effect Transistors

Номер патента: US20210280696A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Wang Sheng-Chen,Yeong Sai-Hooi,YU Chia-Ta. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Epitaxial Structures for Fin-Like Field Effect Transistors

Номер патента: US20200303522A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Wang Sheng-Chen,Yeong Sai-Hooi,YU Chia-Ta. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Extended-drain structures for high voltage field effect transistors

Номер патента: CN106463532A. Автор: W·哈菲兹,C-H·简,N·尼迪. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-22.

Epitaxial structures for fin-like field effect transistors

Номер патента: US10680084B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Epitaxial structures for fin-like field effect transistors

Номер патента: US20230387269A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US11855139B2. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Field effect transistor including a downward-protruding gate electrode and methods for forming the same

Номер патента: US12057475B2. Автор: Tsung-Hao YEH,Shiang-Hung HUANG,HsinFu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Field-effect transistors having a gate electrode positioned inside a substrate recess

Номер патента: US20230317776A1. Автор: Steven M. Shank,Rajendran Krishnasamy,Michel Abou-Khalil,Sarah McTaggart,Aaron Vallett. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Gate-all-around field effect transistors with horizontal nanosheet conductive channel structures for MOL/inter-channel spacing and related cell architectures

Номер патента: US09685564B2. Автор: RWIK Sengupta,Titash Rakshit,Joon Goo Hong,Mark Stephen Rodder. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20210028175A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20200273861A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Gate-all-around (gaa) field-effect transistor (fet) device employing strain material in inactive gate region(s) for applying channel strain for increased carrier mobility, and related fabrication methods

Номер патента: US20240363690A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Gate-all-around (gaa) field-effect transistor (fet) device employing strain material in inactive gate region(s) for applying channel strain for increased carrier mobility, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024226310A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Field-effect transistor (FET) devices employing adjacent asymmetric active gate / dummy gate width layout

Номер патента: US09634138B1. Автор: Ukjin Roh,Youn Sung Choi,Shashank Ekbote. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Field-effect transistors having a gate electrode positioned inside a substrate recess

Номер патента: EP4254505A1. Автор: Steven Shank,Rajendran Krishnasamy,Michel Abou-Khalil,Aaron Vallett,Sarah Mc TAGGART. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Vertical field effect transistor with undercut buried insulating layer to improve contact resistance

Номер патента: US09761726B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming a bulk field effect transistor (fet) with sub-source/drain isolation layers and the resulting structures

Номер патента: US20180374946A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor devices with structures for suppression of parasitic bipolar effect in stacked nanosheet FETs and methods of fabricating the same

Номер патента: US09461114B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen,Ryan Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Gaa ldmos structure for hv operation

Номер патента: US20230275149A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Hybrid field-effect transistor

Номер патента: WO2022175064A1. Автор: Dennis A. Dempsey,Seamus P. Whiston,Andrew Christopher Linehan,David J. Rohan. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2022-08-25.

Hybrid field-effect transistor

Номер патента: EP4256614A1. Автор: Dennis A. Dempsey,Seamus P. Whiston,Andrew Christopher Linehan,David J. Rohan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-10-11.

Hybrid field-effect transistor

Номер патента: US11984479B2. Автор: Dennis A. Dempsey,Seamus P. Whiston,Andrew Christopher Linehan,David J. Rohan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-05-14.

Field-effect transistors with semiconducting gate

Номер патента: US20200052071A1. Автор: Jing Chen,Qingkai Qian. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2020-02-13.

Field effect transistor with backside source/drain

Номер патента: US20240112985A1. Автор: Son Nguyen,Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Field effect transistor with backside source/drain

Номер патента: US20240113176A1. Автор: Son Nguyen,Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Vertical field effect transistor with dual threshold voltage

Номер патента: US11855148B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Field-effect transistor with a dielectric structure having a gate dielectric and a shielding dielectric

Номер патента: US20240145580A1. Автор: Andreas Hoffmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Directionally etched nanowire field effect transistors

Номер патента: US20120280204A1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Guy M. Cohen,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Nanowire Field Effect Transistors

Номер патента: US20130175502A1. Автор: Guy Cohen,Jeffrey W. Sleight,Amlan Majumdar,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Nanowire field effect transistors

Номер патента: EP2801105A1. Автор: Guy Cohen,Jeffrey W. Sleight,Amlan Majumdar,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-12.

Directionally etched nanowire field effect transistors

Номер патента: WO2011141193A1. Автор: Guy Cohen,Sarunya Bangsaruntip,Jeffrey Sleight. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-11-17.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Electrode Pick Up Structure In Shallow Trench Isolation Process

Номер патента: US20110156151A1. Автор: FAN CHEN,Haifang Zhang,Wensheng QIAN,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU,Jiong Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Group III-Nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09954085B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li,Lina Cao. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-04-24.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: EP4449502A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Lateral field-effect transistor and preparing method

Номер патента: US20230299128A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Lateral field-effect transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4228006A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Junction field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09947785B2. Автор: Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Group III-nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09905647B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-02-27.

Memory, gate-all-around field-effect transistor, and producing method

Номер патента: EP4261889A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Memory, Gate-All-Around Field-Effect Transistor, and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352552A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Circuits based on complementary field-effect transistors

Номер патента: US20190214469A1. Автор: Ruilong Xie,Bipul C. Paul,Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Vertical-type metal insulator semiconductor field effect transistor device, and production method for manufacturing such transistor device

Номер патента: US20050133856A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Fin structure for vertical field effect transistor having two-dimensional shape in plan view

Номер патента: US20200403086A1. Автор: Ki Il Kim,Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Vertical tunneling field effect transistor with dual liner bottom spacer

Номер патента: US20210104440A1. Автор: Kangguo Cheng,Eric Miller,Marc A. Bergendahl,Sean TEEHAN,John SPORRE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Single-diffusion break structure for fin-type field effect transistors

Номер патента: US20180374851A1. Автор: Hui Zang,Yanzhen Wang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Structure for strained channel field effect transistor pair having a member and a contact via

Номер патента: US7098536B2. Автор: Haining S. Yang,Huilong Zhu,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device with shallow trench isolation (STI) having edge profile

Номер патента: US09653343B1. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Chang-Po Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Structures, fabrication methods, design structures for strained fin field effect transistors (finfets)

Номер патента: US20090321828A1. Автор: Xiaomeng Chen,Byeong Yeol Kim,Huilong Zhu,Mahender Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20220285542A1. Автор: Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-09-08.

Embedded source/drain structure for tall FinFET and method of formation

Номер патента: US10559690B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Henry K. Utomo,Reinaldo Ariel Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-11.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Vertical field effect transistors with controlled overlap between gate electrode and source/drain contacts

Номер патента: US20160149054A1. Автор: Anirban Basu,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Amlan Majumdar,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Implantation for shallow trench isolation (sti) formation and for stress for transistor performance enhancement

Номер патента: SG158008A1. Автор: Zhang Fan,TEH Young Way,Liu Jinping,TAN Juan Boon,HSIA Liang Choo,Sheng Haifeng,SIEW YONG KONG,LIN WENHE,Vincent Ho,Johnny Widodo,Zhang Beichao. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Silicidation of source/drain region of vertical field effect transistor (vfet) structure

Номер патента: US20210242025A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Multiple thickness semiconductor-on-insulator field effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20220328345A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Multiple thickness semiconductor-on-insulator field effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US11817345B2. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Shallow trench isolation area having buried capacitor

Номер патента: US09536872B2. Автор: Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Structure and method to form a stack field effect transistor with different channel oriented gate-all-around devices

Номер патента: US20240203991A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Two dimensional field effect transistors

Номер патента: US20180182849A1. Автор: Alireza Alian,Salim El Kazzi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-28.

Field effect transistor with stacked nanowire-like channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09853114B1. Автор: Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Asymmetrical field-effect semiconductor device with sti region

Номер патента: WO2007072292A1. Автор: Theodore James Letavic. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-06-28.

Asymmetrical field-effect semiconductor device with sti region

Номер патента: EP1966828A1. Автор: Theodore James Letavic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-09-10.

Field effect transistor (fet) comprising channels with silicon germanium (sige)

Номер патента: EP4046202A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) COMPRISING CHANNELS WITH SILICON GERMANIUM (SiGe)

Номер патента: WO2021076241A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: WO2018174999A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20190088765A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20180277657A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: EP3602612A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871123B2. Автор: Chih-Jung Wang,Tong-Yu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20120171842A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20130307077A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Field effect transistor with decoupled channel and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190148508A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Self-aligned gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2013090401A1. Автор: Daniel J. Grimm,Gregory Dix,Harold Kline,Rodney Schroeder. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-20.

Field effect transistor with decoupled channel and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20180166550A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Field effect transistor, method of fabricating field effect transistor, and electronic device

Номер патента: US20200328294A1. Автор: Shibo LIANG. Владелец: Beijing Hua Tan Yuan Xin Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Integrated circuits with deep and ultra shallow trench isolations and methods for fabricating the same

Номер патента: US20170330896A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Field effect transistor using transition metal dichalcogenide and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20180114839A1. Автор: Chi-Wen Liu,Shou-Fang Chen,Yuh-Renn WU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-04-26.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: EP4415051A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Metal gate structures for cmos transistor devices having reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20140138751A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Jin Cai,Chengwen Pei,Robert R. Robison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Logic and flash field-effect transistors

Номер патента: US20180158835A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: US20240274712A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

High performance field effect transistors on SOI substrate with stress-inducing material as buried insulator and methods

Номер патента: US7388278B2. Автор: Judson R. Holt,Oiging C. Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20240379681A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Field-effect transistors with a grown silicon-germanium channel

Номер патента: US20200051808A1. Автор: Simeon MORVAN,Berthold Reimer,Carsten Metze. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Fin structure for vertical transport field effect transistor

Номер патента: US11749744B2. Автор: LAN Yu,Dechao Guo,Ruilong Xie,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Shallow trench isolation structures and contact patterning

Номер патента: US10242918B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Rajasekhar Venigalla,Andrew M. Greene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20170358672A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20180040727A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US09842931B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US09985021B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US20180096989A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US09824934B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming field effect transistors (FETs) with abrupt junctions and integrated circuit chips with the FETs

Номер патента: US09799569B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrating a planar field effect transistor (FET) with a vertical FET

Номер патента: US09502407B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Gate all-around (gaa) field effect transistors (fets) formed on both sides of a substrate

Номер патента: WO2024047479A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US09857328B2. Автор: Paul Hoffman. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Multi-gate field effect transistor (FET) including isolated FIN body

Номер патента: US09954002B2. Автор: Hongmei Li,Junjun Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrating a planar field effect transistor (FET) with a vertical FET

Номер патента: US9887193B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Buried via-to-backside power rail (vbpr) for stacked field-effect transistor (fet)

Номер патента: US20230369217A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Nicholas Anthony Lanzillo,Julien Frougier,Daniel James Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Gate All-Around (GAA) Field Effect Transistors (FETS) Formed on Both Sides of a Substrate

Номер патента: US20240072070A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional cross field effect self-aligned transistors with frontside and backside power connections

Номер патента: WO2024107583A3. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US20180226503A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US09947793B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Номер патента: US09793373B2. Автор: Chia-Hong Jan,Robert S. Chau,Patrick Morrow,Anand S. Murthy,Paul Packan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of forming field effect transistor (fet) and non-fet circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20170243782A1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of fabricating a field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Номер патента: US6887762B1. Автор: Chia-Hong Jan,Robert S. Chau,Patrick Morrow,Anand S. Murthy,Paul Packan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Structure and method for vertical tunneling field effect transistor with leveled source and drain

Номер патента: US11894448B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Three-dimensional cross field effect self-aligned transistors with frontside and backside power connections

Номер патента: US20240162320A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional cross field effect self-aligned transistors with frontside and backside power connections

Номер патента: WO2024107583A2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Structure and Method for Vertical Tunneling Field Effect Transistor with Leveled Source and Drain

Номер патента: US20190097029A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Structure and method for vertical tunneling field effect transistor with leveled source and drain

Номер патента: US20240178303A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Shared source/drain contact for stacked field-effect transistor

Номер патента: US20240170532A1. Автор: Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Leon Sigal,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Reduced Gate Charge Field-Effect Transistor

Номер патента: US20170154993A1. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-01.

Reduced gate charge field-effect transistor

Номер патента: US09755066B2. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Vertical field effect transistors

Номер патента: US09653360B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical field effect transistors

Номер патента: US09570357B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Device with improved shallow trench isolation structure

Номер патента: US20190363023A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Reduced Gate Charge Field-Effect Transistor

Номер патента: US20170345924A1. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Test structure macro for monitoring dimensions of deep trench isolation regions and local trench isolation regions

Номер патента: US20170033023A1. Автор: Hui Zang,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor structure having a junction field effect transistor and a high voltage transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947786B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Contacts for a fin-type field-effect transistor

Номер патента: US09741615B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Fin field effect transistor (FinFET) device with controlled end-to-end critical dimension and method for forming the same

Номер патента: US09508719B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Amorphous oxide and field-effect transistor using said oxide

Номер патента: RU2369940C2. Автор: Хидео ХОСОНО,Кендзи НОМУРА,Масафуми САНО,Кацуми НАКАГАВА,Тосио КАМИЯ. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2009-10-10.

Method for reducing shallow trench isolation edge thinning on tunnel oxides using partial nitride strip and small bird's beak formation for high performance flash memory devices

Номер патента: US6764920B1. Автор: Unsoon Kim,John Jianshi Wang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Field-effect transistors (FETs) employing edge transistor current leakage suppression to reduce FET current leakage

Номер патента: US11948978B2. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Cross field effect transistor (xfet) architecture process

Номер патента: EP4409626A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Enhanced-shaped extension region(s) for gate-all-around (gaa) field effect transistor (fet) device, and related fabrication methods

Номер патента: US20240371924A1. Автор: Yan Sun,Peijie Feng,Shreesh Narasimha. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Vertical field effect transistor including extension and stressors

Номер патента: US09793401B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Field effect transistor (fet) having fingers with rippled edges

Номер патента: US20140054602A1. Автор: Joseph Herbert Johnson. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

III-V vertical field effect transistors with tunable bandgap source/drain regions

Номер патента: US09786768B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

III-V vertical field effect transistors with tunable bandgap source/drain regions

Номер патента: US09640667B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Field effect transistor (fet) stack and methods to form same

Номер патента: US20210336005A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Gate tie-down for top field effect transistor

Номер патента: US20240203992A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20180308967A1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-10-25.

Normally off gallium nitride field effect transistors (FET)

Номер патента: US09520480B1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: US20240258322A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: EP4409638A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of forming a planar field effect transistor with embedded and faceted source/drain stressors on a silicon-on-insulator (S0I) wafer, a planar field effect transistor structure and a design structure for the planar field effect transistor

Номер патента: US7951657B2. Автор: Kangguo Cheng,Toshiharu Furukawa,Johnathan E. Faltermeier,Xuefeng Hua. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-31.

Field effect transistor including gradually varying composition channel

Номер патента: US11888059B2. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Field effect transistor including gradually varying composition channel

Номер патента: US20200388702A1. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Field effect transistor including gradually varying composition channel

Номер патента: US20210313465A1. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-07.

Ferroelectric-based field-effect transistor with threshold voltage switching for enhanced on-state and off-state performance

Номер патента: US20200321445A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Fin structure for fin field effect transistor and method for fabrication the same

Номер патента: US20220052199A1. Автор: Wei-Hao Huang,Shao-Wei Wang,Shih-Wei Su,Hao Che Feng,Hung Jen Huang,Hsin Min Han,Ming Shu Chiu,Pi-Hung Chuang,Ping Wei Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Oxygen vacancy passivation in high-k dielectrics for vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20220130732A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Field effect transistor with fin isolation structure and method

Номер патента: US12080776B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Field effect transistor with fin isolation structure and method

Номер патента: US20240371958A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: US11881393B2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20170084730A1. Автор: TingGang Zhu,Anups Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-23.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: WO2023056167A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2023-04-06.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20160380073A1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-29.

Power field effect transistor, a power field effect transistor device and a method of manufacturing a power field effect transistor

Номер патента: US09660044B2. Автор: Jean Michel Reynes,Pierre Jalbaud,Dale Neil VAUGHAN,Graeme John Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure for HCI improvement in bulk finFET technologies

Номер патента: US09647121B1. Автор: Akira Ito. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Normally off gallium nitride field effect transistors (FET)

Номер патента: US10020389B2. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-07-10.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-type buried shield

Номер патента: EP4411823A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Field effect transistor with self-adjusting threshold voltage

Номер патента: US20140239371A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Kiok Boone Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Nanowire Tunnel Field Effect Transistors

Номер патента: US20120273761A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Amlan Majumdar,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Power field effect transistor

Номер патента: EP2279525A4. Автор: JIAN Li,King Owyang. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Power field effect transistor

Номер патента: WO2009140224A2. Автор: JIAN Li,King Owyang. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2009-11-19.

Power field effect transistor

Номер патента: EP2279525A2. Автор: JIAN Li,King Owyang. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2011-02-02.

BURIED CONTACT STRUCTURES FOR A VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20180254327A1. Автор: Zang Hui,Lee Tek Po Rinus. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

Field Effect Transistor Device

Номер патента: US20240304729A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Field effect transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240213373A1. Автор: Jie Huang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Field effect transistor and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20170104104A1. Автор: Hsiang Chih Hsiao,Hongyuan Xu,Chang I Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Field-Effect Transistor and Method for Producing a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20100308404A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2010-12-09.

Dual channel vertical field effect transistor including an embedded electrode

Номер патента: US09343507B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-05-17.

Field-effect transistor and method for producing a field-effect transistor

Номер патента: WO2009060078A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Metal gate structures for field effect transistors and method of fabrication

Номер патента: WO2014149128A1. Автор: Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

High-power field-effect transistor (fet)

Номер патента: EP4214759A1. Автор: Abhijeet Paul. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09620627B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

High-power field-effect transistor (fet)

Номер патента: WO2022060546A1. Автор: Abhijeet Paul. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-24.

Field effect transistor structure with recessed interlayer dielectric and method

Номер патента: US20180204920A1. Автор: Xusheng Wu,Wenhe Lin,Sipeng Gu,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Field effect transistor structure with recessed interlayer dielectric and method

Номер патента: US20180233566A1. Автор: Xusheng Wu,Wenhe Lin,Sipeng Gu,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Field effect transistor with decoupled channel and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200279849A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-03.

Field effect transistor (FET) devices

Номер патента: GB2616798A. Автор: Ando Takashi,Vega Reinaldo,Adusumilli Praneet,CHI Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Field effect transistor (fet) devices

Номер патента: CA3192560A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Field Effect Transistor and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20190035906A1. Автор: Isao Inoue. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-01-31.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US12125914B2. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with active fins separated by shallow and deep trench isolations and method for fabricating the same

Номер патента: US09627376B2. Автор: Tae-Joong Song,Jae-Ho Park,Kang-Hyun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: EP4141960A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US20230411525A1. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US20220310843A1. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor-on-insulator field effect transistor with performance-enhancing source/drain shapes and/or materials

Номер патента: US11810951B2. Автор: Hong Yu,Viorel Ontalus,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Vertical fin field effect transistor, vertical fin field effect transistor arrangement, and method for forming a vertical fin field effect transistor

Номер патента: US20230118158A1. Автор: Joachim Rudhard,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Jens Baringhaus,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: US20230178636A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor (hangzhou) Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

High-voltage bidirectional field effect transistor

Номер патента: WO2024112426A1. Автор: Chirag Gupta,Shubhra S. Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240371928A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09929282B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of forming field effect transistors relative to a semiconductor substrate and field effect transistors produced according to the method

Номер патента: US5597746A. Автор: Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

Structure integrating field-effect transistor with heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200043913A1. Автор: Chan Shin Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240234498A9. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240136395A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Shallow trench isolation structure having a nitride plug

Номер патента: US09443929B2. Автор: Byeong Y. Kim,Shreesh Narasimha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Shallow trench isolation (STI) structure for CMOS image sensor

Номер патента: US11862509B2. Автор: Xiang Zhang,Seong Yeol Mun,Heesoo Kang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of forming an integrated circuit (ic) with shallow trench isolation (sti) regions and the resulting ic structure

Номер патента: US20180247956A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for Filling the Trenches of Shallow Trench Isolation (STI) Regions

Номер патента: US20160336217A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Method for filling the trenches of shallow trench isolation (STI) regions

Номер патента: US09558988B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: EP1851793A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-07.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: WO2006091434A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-08-31.

Sealed shallow trench isolation region

Номер патента: US20140015092A1. Автор: Ying Li,Xiang Hu,Byeong Y. Kim,Yong M. Lee,Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for manufacturing memory device and method for manufacturing shallow trench isolation

Номер патента: US09799755B2. Автор: Jui-Yu Pan,Cheng-Bo Shu,Chung-Jen Huang,Jing-Ru Lin,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Yueh-Chieh Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Field-effect transistor devices having proximity contact features

Номер патента: US10014331B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Field effect transistors including quantum layers

Номер патента: US12002877B2. Автор: Fei Yao,Huamin Li. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-06-04.

Stacked field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US11049890B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-29.

Stacked field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US20200105803A1. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Switches with multiple field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US10431612B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Deep trench isolation structure for image sensors

Номер патента: US09768220B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Shallow trench isolation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230010227A1. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Field effect transistor comprising edge termination area

Номер патента: US20240105832A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673274B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Self-aligned back side deep trench isolation structure

Номер патента: US09768218B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20170278926A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160284798A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Die size reduction and deep trench density increase using deep trench isolation after shallow trench isolation integration

Номер патента: US20240038579A1. Автор: Hao Yang,ABBAS Ali,Asad Haider,Alexei Sadovnikov,Umamaheswari Aghoram,Guruvayurappan Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Shallow trench isolation filling structure in semiconductor device

Номер патента: US11688630B2. Автор: Nobuyoshi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Shallow trench isolation filling structure in semiconductor device

Номер патента: US20220293454A1. Автор: Nobuyoshi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20210313422A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US20130341754A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Balasubramanian S. Haran,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

FinFET with uniform shallow trench isolation recess

Номер патента: US09865598B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US09548356B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Pranita Kerber,Balasubramanian S. Haran. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20210098571A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Integrated device with deep plug under shallow trench

Номер патента: US20210193658A1. Автор: Simone Dario Mariani,Daniela Brazzelli,Andrea Paleari,Alessandra Piera MERLINI,Irene BALDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-24.

Shallow trench isolating structure and semiconductor device

Номер патента: US11205697B2. Автор: Hsienshih CHU,Dehao HUANG,Yunfan CHOU,Yaoguang XU,Yucheng TUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Shallow trench isolating structure and semiconductor device

Номер патента: US20210050414A1. Автор: Hsienshih CHU,Dehao HUANG,Yunfan CHOU,Yaoguang XU,Yucheng TUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Photonics chips including a fully-depleted silicon-on-insulator field-effect transistor

Номер патента: US20230038887A1. Автор: Yusheng Bian,George R. Mulfinger,Ryan Sporer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US11824087B2. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20240047519A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US20140154865A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Pranita Kerber,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor processing method of providing electrical isolation between adjacent semiconductor diffusion regions of different field effect transistors and integrated circuitry having adjacent electrically isolated field effect transistors

Номер патента: US5895243A. Автор: Trung Tri Doan,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Interconnect structure for fin-like field effect transistor

Номер патента: US12100628B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Interconnect structure for fin-like field effect transistor

Номер патента: US20240379460A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Shallow trench isolation structures having uniform step heights

Номер патента: US20240363433A1. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Chen-Heng LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Field effect transistor having channel silicon germanium

Номер патента: SG168481A1. Автор: Hiroyuki Ota,Vincent Sih. Владелец: Toshiba America Electronic. Дата публикации: 2011-02-28.

Shallow trench isolation structures having uniform step heights

Номер патента: US20230298944A1. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Chen-Heng LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming field effect transistors (FETs) with abrupt junctions and integrated circuit chips with the FETs

Номер патента: US09595595B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Vertical field effect transistor with wrap around metallic bottom contact to improve contact resistance

Номер патента: US09773913B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20080315264A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20110312143A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US8420468B2. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Multiple-layer spacers for field-effect transistors

Номер патента: US09947769B1. Автор: TAO Han,Zhenyu Hu,Jinping Liu,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Field effect transistor contacts

Номер патента: US09761496B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Field effect transistor contacts

Номер патента: US09484264B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Field effect transistor with adjustable effective gate length

Номер патента: US20240097029A1. Автор: NAN Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US6803288B2. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20030013243A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Integrating metal-insulator-metal capacitors with fabrication of vertical field effect transistors

Номер патента: US20190259666A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Xuefeng Liu,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Vertical device with sidewall spacer, methods of forming sidewall spacers and field effect transistors, and patterning method

Номер патента: US20070254442A1. Автор: Christoph Ludwig,Hans Lindemann,Jyoti Gupta,Dirk Manger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Field effect transistor contacts

Номер патента: US20170033016A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US20170243953A1. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20100171186A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US8217471B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US9780198B2. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100571071B1. Автор: 히로지 가와이,슈운지 이마나가. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2006-06-21.

Field effect transistor and process of forming the same

Номер патента: US10580887B2. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-03.

Field effect transistor (fet) and method of forming the fet without damaging the wafer surface

Номер патента: US20120168834A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Yu Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Field effect transistor (FET) and method of forming the FET without damaging the wafer surface

Номер патента: US8598664B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Yu Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Field effect transistor and process of forming the same

Номер патента: US20200161465A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Field effect transistor and process of forming the same

Номер патента: US20190097034A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Stacked nanosheet complementary metal oxide semiconductor field effect transistor devices

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Fin replacement in a field-effect transistor

Номер патента: US09660059B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Field effect transistors having multiple effective work functions

Номер патента: US09484427B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Min Dai,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Step-stacked nanowire cmos structure for low power logic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230335556A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Epitaxial source/drain structures for multigate devices and methods of fabricating thereof

Номер патента: US20240097035A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method and structure for work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: US20110248350A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Self-aligned metal process for field effect transistor integrated circuits using polycrystalline silicon gate electrodes

Номер патента: US4471522A. Автор: Chakrapani G. Jambotkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-09-18.

Epitaxial source/drain structures for multigate devices and methods of fabricating thereof

Номер патента: US11876135B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Fin replacement in a field-effect transistor

Номер патента: US20170148916A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Stacked combsheet field effect transistor

Номер патента: US20240006500A1. Автор: Tao Li,Tsung-Sheng KANG,Ruqiang Bao,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Totally self-aligned transistor with polysilicon shallow trench isolation

Номер патента: US6127717A. Автор: Zoran Krivokapic,Ognjen Milic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09589803B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for fabricating fin structure for fin field effect transistor

Номер патента: US20230135072A1. Автор: Wei-Hao Huang,Shao-Wei Wang,Shih-Wei Su,Hao Che Feng,Hung Jen Huang,Hsin Min Han,Ming Shu Chiu,Pi-Hung Chuang,Ping Wei Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US20180026137A1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US20170148680A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09905694B2. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09799568B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09680019B1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09570443B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09953884B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Method of manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US09853153B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-12-26.

N-type field effect transistors, arrays comprising N-type vertically-oriented transistors, methods of forming an N-type field effect transistor, and methods of forming an array comprising vertically-oriented N-type transistors

Номер патента: US09472663B2. Автор: Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Field-effect transistors with isolation pillars

Номер патента: US20240072050A1. Автор: Tao Li,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20240055528A1. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-15.

A semiconductor device including stress inducing films formed over n-channel and p-channel field effect transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: MY135557A. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Trench isolation interfaces

Номер патента: US11031283B2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Forming vertical and horizontal field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US09741716B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Wrap around gate field effect transistor (WAGFET)

Номер патента: US09882000B2. Автор: Stephen J. Sarkozy,Richard Lai,Yaochung Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: WO2018089424A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-05-17.

Memory bit cells with three-dimensional cross field effect transistors

Номер патента: US20240304241A1. Автор: Richard T. Schultz,Kerrie Vercant Underhill. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory bit cells with three-dimensional cross field effect transistors

Номер патента: WO2024187130A1. Автор: Richard T. Schultz,Kerrie Vercant Underhill. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: EP3539158A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-09-18.

Field-effect heterostructure transistors

Номер патента: WO2008039369A3. Автор: Robert L Willett. Владелец: Robert L Willett. Дата публикации: 2008-05-29.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Split gate field effect transistor (FET) device employing dielectric barrier layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US20020093044A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Chuan-Li Chang,Di-Son Kuo,Jake Yeh,Sheng-Wei Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Wrap around gate field effect transistor (wagfet)

Номер патента: WO2017205015A1. Автор: Richard Lai,Yaochung Chen,Steven J. SARKOZY. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2017-11-30.

Wrap around gate field effect transistor (wagfet)

Номер патента: US20170345895A1. Автор: Stephen J. Sarkozy,Richard Lai,Yaochung Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Cascade Field Effect Transistors

Номер патента: US20190378919A1. Автор: James Charles,Tillmann C. Kubis. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-12-12.

Enhanced cascade field effect transistor

Номер патента: US12132102B2. Автор: James Charles,Tillmann C. Kubis. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-29.

Cross field effect transistor (XFET) library architecture power routing

Номер патента: US11862640B2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: US20180130888A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-05-10.

Field effect power transistors

Номер патента: EP2748855A1. Автор: Gregory Bunin,David Rozman,Tamara Baksht. Владелец: VISIC TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2014-07-02.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon nanoparticle field effect transistor and transistor memory device

Номер патента: CA2393962C. Автор: Munir H. Nayfeh,Gennadiy Belomoin,Joel Therrien. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2007-07-03.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: EP3326205A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-30.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: WO2017074546A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Field-effect transistors, devices containing such field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11751386B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Thin-film field effect transistor, driving method thereof, array substrate, display device, and electronic product

Номер патента: US09515191B2. Автор: Bo Wu,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Stress release structures for metal electrodes of semiconductor devices

Номер патента: US20110291159A1. Автор: Chunong Qiu,Cindy Xing Qiu,Ishiang Shih,Yi-Chi Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Complementary field effect transistor cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240321889A1. Автор: Gaspard Hiblot,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory cells comprising a programmable field effect transistor having a reversibly programmable gate insulator

Номер патента: US09947687B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A2. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-07-29.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A3. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-09-16.

Non-step nanosheet structure for stacked field-effect transistors

Номер патента: US12119264B2. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: WO2024205835A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Hybrid circuit including a tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09748271B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Tamilmani Ethirajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

III-V field effect transistor (FET) with reduced short channel leakage, integrated circuit (IC) chip and method of manufacture

Номер патента: US09515165B1. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Vertical tunnel field effect transistor (FET)

Номер патента: US09647097B2. Автор: Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Monolithic three-dimensional (3d) complementary field effect transistor (cfet) circuits and method of manufacture

Номер патента: US20240047455A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Monolithic three-dimensional (3d) complementary field effect transistor (cfet) circuits and method of manufacture

Номер патента: WO2024035471A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-15.

Forming a backside ground or power plane in a stacked vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20200286793A1. Автор: Chen Zhang,Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Structure for a field effect transistor (fet) device and method of processing a fet device

Номер патента: US20220020882A1. Автор: Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Attilio Belmonte,Nouredine Rassoul. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-20.

Staircase stacked field effect transistor

Номер патента: US20230402520A1. Автор: Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Non-step nanosheet structure for stacked field-effect transistors

Номер патента: US20240006244A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Stacked field effect transistor

Номер патента: US20230402519A1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Non-step nanosheet structure for stacked field-effect transistors

Номер патента: WO2024001468A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-01-04.

Static random access memory using vertical transport field effect transistors

Номер патента: US11956939B2. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Tsung-Sheng KANG,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Stacked field-effect transistors

Номер патента: WO2023161760A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Julien Frougier,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-08-31.

Static random access memory using vertical transport field effect transistors

Номер патента: US20230217639A1. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Tsung-Sheng KANG,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Stacked field-effect transistors

Номер патента: US20230268388A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Julien Frougier,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor structure for fully depleted silicon-on-insulator (fdsoi) transistor

Номер патента: US20200365731A1. Автор: Zheng Zeng,Jen-Wei KO,Sheng-Yi Huang. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of forming source and drain of field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: SG144827A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Mishra Shailendra,Henry K Utomo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Field effect transistor

Номер патента: CA2311778C. Автор: Timothy Ashley,Charles Thomas Elliott,Timothy Jonathan Phillips,Anthony Brian Dean. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2006-05-30.

Field effect transistor

Номер патента: GB2331841A. Автор: Timothy Ashley,Charles Thomas Elliott,Timothy Jonathan Phillips,Anthony Brian Dean. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1999-06-02.

High frequency field effect transistor with carrier extraction to reduce intrinsic conduction

Номер патента: US6624451B2. Автор: Timothy Ashley,Timothy J. Phillips,Charles T. Elliott,Anthony B. Dean. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Gas sensitive field effect transistors

Номер патента: US11293895B2. Автор: Qian Yu,Chi Ying Tsui,Amine Bermak. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2022-04-05.

Gas sensitive field effect transistors

Номер патента: US20190383769A1. Автор: Qian Yu,Chi Ying Tsui,Amine Bermak. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2019-12-19.

Multi-functional field effect transistor with intrinsic self-healing properties

Номер патента: US11563122B2. Автор: Hossam Haick,Muhammad KHATIB. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Vertical field effect transistor including integrated antifuse

Номер патента: US20210408016A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Vertical field effect transistor including integrated antifuse

Номер патента: US20190123056A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Vertical field effect transistor including integrated antifuse

Номер патента: US20200235109A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Vertical field effect transistor including integrated antifuse

Номер патента: US11882695B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Asymmetric gated fin field effect transistor (fet) (finfet) diodes

Номер патента: US20180158935A1. Автор: HAO WANG,Haining Yang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Multi-functional field effect transistor with intrinsic self-healing properties

Номер патента: US11916148B2. Автор: Hossam Haick,Muhammad KHATIB. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Control gate structures for field-effect transistors

Номер патента: US20210151573A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Manufacturing method for field-effect transistor

Номер патента: US20070111408A1. Автор: Tatsuya Arao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Field effect transistor having nanostructure channel

Номер патента: GB2487846B. Автор: Michael Guillorn,Josephine Chang,Eric Andrew Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

Field effect transistor having nanostructure channel

Номер патента: US20120108024A1. Автор: Eric A. Joseph,Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Field effect transistor having nanostructure channel

Номер патента: WO2011064074A1. Автор: Michael Guillorn,Josephine Chang,Eric Andrew Joseph. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-06-03.

Bitcell layout for a two-port sram cell employing vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US20190279990A1. Автор: Bipul C. Paul,Steven Bentley,Joseph Versaggi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09761715B2. Автор: Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Ferroelectric field-effect transistor and a method for forming the same

Номер патента: WO2024177575A1. Автор: Kah-Wee Ang,Heng XIANG,Yu-Chieh CHIEN,Lingqi LI. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4428919A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759A1. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Johan Roger Axel Karlsson. Дата публикации: 1999-08-12.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759C. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-06-22.

Steep-switch vertical field effect transistor

Номер патента: US20200091237A1. Автор: Ruilong Xie,Daniel Chanemougame,Nicolas J. Loubet,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Stress release structures for metal electrodes of semiconductor devices

Номер патента: US20140332854A1. Автор: Chunong Qiu,Cindy Xing Qiu,Ishiang Shih,Yi-Chi Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Field-effect transistors with a non-relaxed strained channel

Номер патента: US09871057B2. Автор: Karen A. Nummy,Claude Ortolland. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Insulated-Gate Field-Effect Transistor

Номер патента: GB1175601A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1969-12-23.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094618A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094650A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US6579768B2. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-17.

Self-stop gate recess etching process for semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09461159B1. Автор: Yeong-Chang Chou,Hsu-Hwei Chen,Sujane C. Wang. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Cavity structures under shallow trench isolation regions

Номер патента: US20200219760A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Field effect transistor, and multilayered epitaxial film for use in preparation of field effect transistor

Номер патента: US09954087B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Naotaka Kuroda,Akio Wakejima,Yasuhiro Murase,Katsumi Yamanoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same

Номер патента: US09506892B2. Автор: Yutaka Yamada,Kazuhiro Nagaike,Hiroshi Mitani,Kazuhiko Matsumoto,Satoru Nagao,Masanori Katou,Atsuhiko Kojima,Yasuo Ifuku. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-11-29.

Field-effect transistor and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20020089006A1. Автор: Federico Pio,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Local interconnects for field effect transistor devices

Номер патента: US20140117453A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: US20240332297A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Heat pipe for vertically stacked field effect transistors

Номер патента: US20230411241A1. Автор: Brent A. Anderson,Terence Hook,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Heat pipe for vertically stacked field effect transistors

Номер патента: US12040250B2. Автор: Brent A. Anderson,Terence Hook,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical iii-v nanowire field-effect transistor using nanosphere lithography

Номер патента: US20150364572A1. Автор: Fei Xue,Jack C. Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2015-12-17.

Apparatus and method of modulating threshold voltage for fin field effect transistor (finfet) and nanosheet fet

Номер патента: US20200403093A1. Автор: Mark Rodder,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

System and method for a field-effect transistor with dual vertical gates

Номер патента: US09972545B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Field-effect transistor with dual vertical gates

Номер патента: US09627531B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Bipolar field effect transistor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20140097472A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Hsiang-Chih Sun. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Commonly-bodied field-effect transistors

Номер патента: US09818652B1. Автор: Ping-Chuan Wang,Chengwen Pei,Kai D. Feng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Field-Effect Transistor With Dual Vertical Gates

Номер патента: US20170125585A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

System and Method for a Field-Effect Transistor with Dual Vertical Gates

Номер патента: US20170221772A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Power field effect transistor

Номер патента: US09634135B2. Автор: Dan GRIMM,Greg A. Dix. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

High density vertical nanowire stack for field effect transistor

Номер патента: US09543440B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Method of manufacturing field-effect transistor array by direct carbon nanotube printing and field effect transistor array manufactured by the same

Номер патента: US20240204078A1. Автор: Yoonhee Lee,Hongki KANG,Soohyun PARK,Minhye Shin. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and structure for improving vertical transistor

Номер патента: US09935102B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240234574A9. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: WO2015023403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09559118B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Field effect transistor

Номер патента: EP4273938A1. Автор: Hideaki Yamada,Takahiro Yamaguchi,Junichi Kaneko,Hitoshi Koizumi,Shinya OHMAGARI,Hitoshi Umezawa,Naohisa HOSHIKAWA. Владелец: Ookuma Diamond Device Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Integrated circuits having strained channel field effect transistors and methods of making

Номер патента: US20070099360A1. Автор: Haining Yang,Yong Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Field effect transistor, manufacturing method therefor, and switching circuit

Номер патента: EP4300587A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: EP4404270A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: US20240250126A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: WO2017030825A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2017-02-23.

Field Effect Transistor Having Loop Distributed Field Effect Transistor Cells

Номер патента: US20170053910A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: EP3338308A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-06-27.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09698144B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Field effect transistor having two-dimensionally distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09685438B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-06-20.

Field effect transistor having a gate dielectric with variable thickness

Номер патента: US5314834A. Автор: Marius K. Orlowski,Carlos A. Mazure. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-05-24.

Field effect power transistors

Номер патента: SG185120A1. Автор: Gregory Bunin,David Rozman,Tamara Baksht. Владелец: VISIC TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Field effect power transistors

Номер патента: EP2567404A1. Автор: Gregory Bunin,David Rozman,Tamara Baksht. Владелец: VISIC TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

Dual-channel field effect transistor device having increased amplifier linearity

Номер патента: US09711616B2. Автор: Ronald G. Freitag,Eric J. Stewart,Bettina A. Nechay,Karen M. Renaldo,Howell G. Henry. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Fabrication of test field effect transistor structure

Номер патента: US6436773B1. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-08-20.

Interconnect Structure For Fin-Like Field Effect Transistor

Номер патента: US20190067131A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Interconnect Structure For Fin-Like Field Effect Transistor

Номер патента: US20210098313A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Interconnect Structure For Fin-Like Field Effect Transistor

Номер патента: US20200144135A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Junction field-effect transistor with raised source and drain regions formed by selective epitaxy

Номер патента: US9236499B2. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Kevin K. Chan,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Non-symmetric body contacts for field-effect transistors

Номер патента: US10847445B2. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Field-effect transistors with interleaved finger configuration

Номер патента: US20240250003A1. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Fin tunnel field effect transistor (FET)

Номер патента: US09614049B2. Автор: Krishna Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Back-to-back power field-effect transistors with associated current sensors

Номер патента: EP3909076A1. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Back-to-back power field-effect transistors with associated current sensors

Номер патента: WO2020146624A1. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-07-16.

Ultrasensitive biosensor using bent and curved field effect transistor by debye length modulation

Номер патента: US20230080531A1. Автор: Rashid Bashir,Jonghyun Choi,Michael Hwang,Catherine J. Murphy,Arend Van Der Zande,SungWoo Nam,Mohammad HEIRANIAN,Narayan ALURU,Yerim KIM. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-03-16.

Random access memory cells using spatial wavefunction switched field-effect transistors

Номер патента: US9000417B1. Автор: John Chandy,Faquir Chand Jain,Evan Heller,Pawan Gogna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-07.

Field-effect transistor including oxide semiconductor, and memory and semiconductor circuit including the same

Номер патента: US09548395B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Double injection field effect transistors

Номер патента: CA1267965C. Автор: Michael Shur,Wolodymyr Czubatyj,Michael G Hack. Владелец: . Дата публикации: 1990-04-17.

Radio-frequency switches having silicon-on-insulator field-effect transistors with reduced linear region resistance

Номер патента: US9159743B2. Автор: Jonathan Christian Crandall. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

A multi-gate hybrid-channel field effect transistor

Номер патента: WO2024002009A1. Автор: Yijian Chen,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-04.

A multi-gate hybrid-channel field effect transistor

Номер патента: EP4300563A1. Автор: Yijian Chen,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Fabricating field-effect transistors with interleaved source and drain finger configuration

Номер патента: US11842947B2. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20130228776A1. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Radio frequency switch based on negative-capacitance field effect transistors

Номер патента: US20210135702A1. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Field effect transistor structure with gate structure having a wall and floor portions

Номер патента: US09843007B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-12-12.

Silicon controlled rectifier ESD structures with trench isolation

Номер патента: US6872987B2. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-03-29.

High Voltage Gallium Nitride Field Effect Transistor

Номер патента: US20220109048A1. Автор: Yan-Fei Liu,Zhanming Li,Wai Tung Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-07.

High voltage gallium nitride field effect transistor

Номер патента: CA3132833A1. Автор: Yan-Fei Liu,Zhanming Li,Wai Tung Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-06.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Self-aligned metal process for field effect transistor integrated circuits

Номер патента: US4359816A. Автор: Ingrid E. Magdo,Shakir A. Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-11-23.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

Field-effect transistor including transparent oxide and light-shielding member, and display utilizing the transistor

Номер патента: US20240266442A1. Автор: Katsumi Abe,Masafumi Sano,Hideya Kumomi,Ryo Hayashi,Kojiro Nishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Field-effect transistor including transparent oxide and light-shielding member, and display utilizing the transistor

Номер патента: US20230307546A1. Автор: Katsumi Abe,Masafumi Sano,Hideya Kumomi,Ryo Hayashi,Kojiro Nishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Microelectronic device with two field-effect transistors

Номер патента: US20240030221A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-25.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: EP3707754A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-09-16.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: WO2019092313A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-16.

Combination metal oxide semi-conductor field effect transistor (MOSFET) and junction field effect transistor (JFET) operable for modulating current voltage response or mitigating electromagnetic or radiation interference effects by altering current flow through the MOSFETs semi-conductive channel region (SCR)

Номер патента: US09595519B2. Автор: Patrick L. Cole,Mark Savage,Jeffrey L. Titus,Adam R. Duncan. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-14.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Improved oxide-based field-effect transistors

Номер патента: WO2008129238A1. Автор: Donal Donat Conor Bradley,Thomas Anthopoulos,Saif Ahmed Haque. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2008-10-30.

Field effect transistor having field plate

Номер патента: AU2020375557B2. Автор: Michael S. Davis,Eduardo M. Chumbes,Brian T. APPLETON JR.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-09-05.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

Enhanced T-gate structure for modulation doped field effect transistors

Номер патента: US6740535B2. Автор: Vishnubhai V. Patel,Alfred Grill,Steven John Koester,Dinkar Singh,Katherine Lynn Saenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-05-25.

Enhanced T-gate structure for modulation doped field effect transistors

Номер патента: TW200411933A. Автор: Alfred Grill,Steven John Koester,Vishnubhai V Patel,Dinkar Singh,Katherine Lynn Saenger. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-07-01.

Embedded hydrogen inhibitors for semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09577083B1. Автор: Richard Lai,Yeong-Chang Chou,Hsu-Hwei Chen,Quin W. Kan,Keang H. Kho,Matthew R. Parlee. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Shallow trench isolation (sti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20210225924A1. Автор: Seong Yeol Mun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US20230197504A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US11688624B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Deep well structures with single depth shallow trench isolation regions

Номер патента: US20110175190A1. Автор: Charles W. Koburger, III,Mariko Takayanagi,Peter Zeitzoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Integrated Circuit with Multi Recessed Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20130267075A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of forming shallow trench isolation (STI) structures

Номер патента: US09627246B2. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

3DIC structure for high voltage device on a SOI substrate

Номер патента: US12136627B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Wen-Tuo Huang,Hsin Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Design structure for semiconductor device having radiation hardened insulators and structure thereof

Номер патента: US20100032795A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for producing a shallow trench isolation for n- and p- channel field-effect transistors in a semiconductor module

Номер патента: US20030181019A1. Автор: Hans-Peter Moll,Andreas Wich-Glasen,Dirk Efferenn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Method of forming shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: US20160365272A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Shallow Trench Isolation Structure, Manufacturing Method Thereof and a Device Based on the Structure

Номер патента: US20130020653A1. Автор: Jiang Yan. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Method of forming a shallow trench isolation structure featuring a group of insulator liner layers located on the surfaces of a shallow trench shape

Номер патента: US6734082B2. Автор: Jia Zhen Zheng,Soh Yun Siah,Chew Hoe Ang. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Image sensor with dual trench isolation structure

Номер патента: US20230290672A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Sheng-Chau Chen,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: EP3308394A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

Method of fabricating a shallow-trench isolation structure in integrated circuit

Номер патента: US5960299A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Avoiding Field Oxide Gouging In Shallow Trench Isolation (STI) Regions

Номер патента: US20070262412A1. Автор: Yider Wu,Jusuke Ogura,Angela Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-11-15.

Shallow trench isolation (sti) processing with local oxidation of silicon (locos)

Номер патента: US20240112947A1. Автор: James Todd,Scott Kelly Montgomery,Yanbiao Pan,Jeffery Nilles. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of making a shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: US20140120693A1. Автор: Yu-Lien Huang,Chii-Ming Wu,Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of fabricating shallow trench isolation structure

Номер патента: US20040147135A1. Автор: Wen-Cheng Lien,Shih-Liang Chou,Tsung-De Lin,Tian-Jue Hong,Hsiao-Kang Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Dual contact trench resistor in shallow trench isolation (sti) and methods of manufacture

Номер патента: US20120205776A1. Автор: James S. Nakos,Steven M. Shank,Timothy W. Kemerer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Application of thin crystalline Si3 N4 liners in shallow trench isolation (STI) structures

Номер патента: US5747866A. Автор: Herbert Palm,Herbert Ho,Erwin Hammerl,David M. Dobuzinsky,Stephen Fugardi,Atul Ajmera,James F. Moseman,Samuel C. Ramac. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-05-05.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020100953A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030030076A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Method for forming the shallow trench isolation

Номер патента: KR100632683B1. Автор: 장승순. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Shallow trench isolation with self aligned PSG layer

Номер патента: US5729043A. Автор: Joseph F. Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Method for manufacturing shallow trench isolation

Номер патента: KR100607770B1. Автор: 이재석. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for forming a shallow trench with tapered profile and round corners for the application of shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US5807789A. Автор: Chao-Cheng Chen,C. H. Yu,C. S. Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-09-15.

Chemical mechanical polishing process for forming shallow trench isolation structure

Номер патента: US20080029478A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Hsiao-Ling Lu,Chia-Jung Hsu,Art Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Inhibited oxide deposition for refilling shallow trench isolation

Номер патента: WO2024081473A1. Автор: Pulkit Agarwal,Dae-Jin Park,Douglas Walter Agnew,Aaron Fellis,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Jonathan Grant BAKER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-04-18.

Chemical mechanical planarization polishing for shallow trench isolation

Номер патента: EP4413088A1. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-14.

Shallow trench isolation (STI) for VLSI applications

Номер патента: EP1026734B1. Автор: Herbert Ho,Erwin Hammerl,Radhika Srinivasan,Bertrand Flietner,Gary Bronner,Farid Agahi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-27.

Formation of thin spacer at corner of shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US6080638A. Автор: Shwangming Jeng,Kong-Beng Thei,Chung-Te Lin,Yuan-Horng Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Deep well structures with single depth shallow trench isolation regions

Номер патента: US20120178237A1. Автор: Charles W. Koburger, III,Mariko Takayanagi,Peter Zeitzoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Nanoscale Granularity Field Effect Transistor Array

Номер патента: US20200348256A1. Автор: Bruce B. Doris,Steven J. Holmes,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Fabrication of reverse shallow trench isolation structures with super-steep retrograde wells

Номер патента: US20140124794A1. Автор: KIM Seung,Kim Sun,LEE YongMeng,KRISHNAN Bharat,LUN Zhao,TONG Weihua. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for filling of a shallow trench isolation

Номер патента: US20020106864A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Applying channel stress to Fin field-effect transistors (FETs) (FinFETs) using a self-aligned single diffusion break (SDB) isolation structure

Номер патента: US09570442B1. Автор: Jun Yuan,Yanxiang Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Field effect transistor

Номер патента: US4698899A. Автор: Sanehiko Kakihana. Владелец: Gould Inc. Дата публикации: 1987-10-13.

High voltage field effect transistors with selective gate depletion

Номер патента: US6054354A. Автор: Edward J. Nowak,Minh Ho Tong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Field-effect transistors with a crystalline body embedded in a trench isolation region

Номер патента: US11862511B2. Автор: Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Shallow trench isolation for strained silicon processes

Номер патента: CN1739196A. Автор: M·V·恩戈,相奇,P·R·贝赛尔,E·N·佩顿,林明仁. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-02-22.

Method of fabricating a shallow trench isolation structure

Номер патента: US20040142562A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Fung-Hsu Cheng,Zhen-Long Chen,Ping-Wei Lin. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Shallow Trench Isolation Method for Semiconductor Devices

Номер патента: KR19980074323A. Автор: 손정환,허기재. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-11-05.

Field-effect transistor (fet) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US20140370681A1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Field-effect transistor (FET) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US8969152B2. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Shallow trench isolation structure

Номер патента: US6958521B2. Автор: Yi-Nan Chen,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Method for preventing sneakage in shallow trench isolation and STI structure thereof

Номер патента: US20040222489A1. Автор: Yi-Nan Chen,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Isolation structures for soi devices with ultrathin soi and ultrathin box

Номер патента: US20120302039A1. Автор: Marwan H. Khater,Leathen Shi,Robert H. Dennard,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Isolation structures for soi devices with ultrathin soi and ultrathin box

Номер патента: WO2011057857A1. Автор: Leathen Shi,Jeng-Bang Yau,Robert Heath Dennard,Marwan Khater. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-05-19.

A method and system for providing a tapered shallow trench isolation structure profile

Номер патента: EP1042804A1. Автор: Kashmir Sahota,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

A method and system for providing a tapered shallow trench isolation structure profile

Номер патента: WO1999031728A1. Автор: Kashmir Sahota,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-06-24.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09934999B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673207B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods for forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20050142802A1. Автор: Young Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Field effect transistor

Номер патента: US20140175517A1. Автор: Tsung-Cheng Chang,Chih-ching Cheng. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A8. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: EP1175699A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-01-30.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-08-02.

Method of manufacturing integrated deep and shallow trench isolation structures

Номер патента: WO2008048985A3. Автор: Christoph Dirnecker,Rupert Wagner,Joerg Haussman. Владелец: Joerg Haussman. Дата публикации: 2008-10-30.

A method of forming shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2004038791A1. Автор: Bradley J. Larsen,Nicolas Degors,Amit S. Kelkar,Donald A. Erickson,Timothy M. Barry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2004-05-06.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20200006118A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for preparing a shallow trench isolation

Номер патента: US7781303B2. Автор: Hai Jun Zhao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Methods for forming air gaps in shallow trench isolation trenches for NAND memory

Номер патента: US09779983B2. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Cells including at least one fin field effect transistor and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US09576978B2. Автор: Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Shallow Trench Isolation for Integrated Circuits

Номер патента: US20200051851A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Shallow trench isolation for integrated circuits

Номер патента: US20190393078A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for fabricating shallow trenches

Номер патента: WO2007001297A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Trench isolation implantation

Номер патента: US09514976B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Shallow trench isolation structures in semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478457B2. Автор: Ming-Shing Chen,Yu-Ting Wang,Ming-Hui Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Trench isolation region for semiconductor device

Номер патента: US5945724A. Автор: Li Li,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

Recessed structure for shallow trench isolation and salicide processes

Номер патента: US5982017A. Автор: Jing-Meng Liu,Chao-Chieh Tsai,Sheng-Jyh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Recessed structure for shallow trench isolation and salicide process

Номер патента: US5891771A. Автор: Jing-Meng Liu,Chao-Chieh Tsai,Sheng-Jyh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-04-06.

Shallow trench isolation

Номер патента: EP2321847A1. Автор: Xia Li,Ming-Chu King. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-05-18.

Shallow trench isolation

Номер патента: WO2010019876A1. Автор: Xia Li,Ming-Chu King. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-02-18.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US8377827B2. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Shallow trench isolation structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20070178664A1. Автор: Ching-Yu Chang,Uway Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming trench isolation using a gas cluster ion beam growth process

Номер патента: WO2010090903A2. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

Deep well structures with single depth shallow trench isolation regions

Номер патента: US8846486B2. Автор: Charles W. Koburger, III,Mariko Takayanagi,Peter Zeitzoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300688A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300698A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Method for shallow trench isolation fabrication and partial oxide layer removal

Номер патента: US6794270B2. Автор: Yi-Nan Chen,Chang Rong Wu,Pei-Ing Lee,Tzu En Ho,Hsien Wen Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-21.

Method of improving a shallow trench isolation gapfill process

Номер патента: US20110198734A1. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: EP3304587A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-11.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: WO2017030636A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-23.

Method for forming trenches and trench isolation on a substrate

Номер патента: US20120190168A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device using shallow trench isolation and method of fabricating the same

Номер патента: US6894363B2. Автор: Kazuhiro Tamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Shallow trench isolation spacers

Номер патента: US20240030058A1. Автор: Chen Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for forming a shallow trench isolation using HDP silicon oxynitride

Номер патента: US6258676B1. Автор: Kong Hean Lee,Peter Chew. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Method for manufacturing shallow trench isolations

Номер патента: US11817344B2. Автор: Li He,Yi Wang,Liyuan LIU,Fulong Qiao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US11908729B2. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for Manufacturing Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20220277986A1. Автор: JIN Xu,Yu Ren,Minjie Chen,Zaifeng TANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Narrow channel width effect modification in a shallow trench isolation device

Номер патента: US20100323494A1. Автор: Tze-Liang Lee,Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20240105501A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20190198382A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: WO2019125867A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-06-27.

Oxynitride shallow trench isolation and method of formation

Номер патента: US20020177270A1. Автор: Fen Jamin,Klaus Beyer,Patrick Varekamp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Integrated circuits with tub-ties and shallow trench isolation

Номер патента: US6358824B1. Автор: Hans-Joachim Ludwig Gossmann,Thi-Hong-Ha Vuong. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Methods for Forming a Gate and a Shallow Trench Isolation Region and for Planarizating an Etched Surface of Silicon Substrate

Номер патента: US20090155977A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160351435A1. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Recessed shallow trench isolation structure nitride liner and method for making same

Номер патента: US5940717A. Автор: Venkatachalam C. Jaiprakash,Rajesh Rengarajan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-17.

Chemical-mechanical polishing for shallow trench isolation

Номер патента: US5958795A. Автор: Juan-Yuan Wu,Water Lur,Coming Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of shallow trench isolation using a single mask

Номер патента: US20030013293A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Process for forming a shallow trench isolation

Номер патента: US6350660B1. Автор: Chun-Hung Lee,Ming-Chung Liang,Shiuh-Sheng Yu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-26.

Method for forming shallow trench isolation

Номер патента: US5712185A. Автор: Water Lur,Meng-Jin Tsai,Chin-Lai Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Implant at shallow trench isolation corner

Номер патента: EP2057675A2. Автор: Eric Gordon Stevens,Hung Quoc Doan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2009-05-13.

Implant at shallow trench isolation corner

Номер патента: WO2008030371A3. Автор: Eric Gordon Stevens,Hung Quoc Doan. Владелец: Hung Quoc Doan. Дата публикации: 2008-04-17.

Implant at shallow trench isolation corner

Номер патента: WO2008030371A2. Автор: Eric Gordon Stevens,Hung Quoc Doan. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2008-03-13.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2011053932A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Isolated gate field effect transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US09722064B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure

Номер патента: US6087262A. Автор: Kuo-Tai Huang,Water Lur,Tri-Rung Yew,Gwo-Shii Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for reducing micro-masking defects in trench isolation regions

Номер патента: US20020182852A1. Автор: Kailash Singh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-12-05.

Low cost shallow trench isolation using non-conformal dielectric material

Номер патента: US6270353B1. Автор: Howard S. Landis,Shaw-Ning Mei,John W. Andrews,Bao T. Hwang,James M. Tyler,Edward J. Vishnesky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-07.

Field-effect transistor with a trench isolation structure and a method for manufacturing the same

Номер патента: US6063694A. Автор: Mitsuhiro Togo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Integrated circuit devices including shallow trench isolation

Номер патента: US5783476A. Автор: Norbert Arnold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-07-21.

Trench isolation process

Номер патента: US20220122880A1. Автор: Clark Lee,Cheng-Hsin Chen,Che-Yi Lin,Chung-Lei Chen,Chung Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Methods of forming a field effect transistors

Номер патента: US20030068865A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Tunneling field effect transistors and transistor circuitry employing same

Номер патента: US09941117B2. Автор: Paul R. Berger. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing field-effect transistor with periodically doped channel

Номер патента: RU2191444C1. Автор: В.К. Смирнов,Д.С. Кибалов,В.А. Гергель. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок". Дата публикации: 2002-10-20.

Method for effective fabrication of a field effect transistor with elevated drain and source contact structures

Номер патента: US6087235A. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Shallow trench air gaps and their formation

Номер патента: US09524973B1. Автор: Masafumi Yoshida,Ryo Nakamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Isolation structure for a memory cell using al2o3 dielectric

Номер патента: US20120083093A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

ISOLATION STRUCTURE FOR A MEMORY CELL USING Al2O3 DIELECTRIC

Номер патента: EP1766677B1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-29.

ISOLATION STRUCTURE FOR A MEMORY CELL USING Al2O3 DIELECTRIC

Номер патента: EP1766677A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

ISOLATION STRUCTURE FOR A MEMORY CELL USING Al2O3 DIELECTRIC

Номер патента: WO2006007462A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-01-19.

Isolation structure for a memory cell using a12o3 dielectric

Номер патента: SG154427A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-28.

High oxide film removal rate shallow trench (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing

Номер патента: US12091581B2. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,Mark Leonard O'Neill,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Self-registering method of fabricating field effect transistors

Номер патента: CA1078077A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-05-20.

Method for fabricating shallow trench isolation and semiconductor structure using the same

Номер патента: US09978634B2. Автор: Ching-Wen Chen,Chun-Hsu YEN,Chui-Ya Peng,Bang-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Field effect transistor with independently biased gates

Номер патента: US20100109050A1. Автор: John F. Palma,Samson Mil'shtein. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2010-05-06.

Monolithic integration of enhancement mode and depletion mode field effect transistors

Номер патента: US20200251469A1. Автор: Chia-Ming Chang,Jung-Tao CHUNG,Yan-Cheng Lin,Lung-Yi TSENG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Monolithic integration of enhancement mode and depletion mode field effect transistors

Номер патента: US20200381425A1. Автор: Chia-Ming Chang,Jung-Tao CHUNG,Yan-Cheng Lin,Lung-Yi TSENG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Ic package with field effect transistor

Номер патента: US20230238350A1. Автор: Makoto Shibuya,Kwang-Soo Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Field-effect transistor stack voltage compensation

Номер патента: US09721936B2. Автор: David Scott Whitefield,Yu Zhu,Guillaume Alexandre Blin,Ambarish Roy. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Contacts for stacked field effect transistor

Номер патента: US20230420367A1. Автор: Albert M. Young,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09711390B2. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure, shallow trench isolation structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230052736A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160343608A1. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Apparatus with overlapping deep trench and shallow trench and method of fabricating the same with low defect density

Номер патента: WO2019165107A1. Автор: Thomas Edward Lillibridge. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-08-29.

Shallow trench isolation for semiconductor devices

Номер патента: US09698043B1. Автор: Alfred Grill,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Stephan A. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Three-dimensional monolithic vertical field effect transistor logic gates

Номер патента: US20190181055A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: US12041770B2. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Hybrid bipolar/field-effect power transistor in group III-V material system

Номер патента: US5359220A. Автор: Julia J. Brown,Lawrence E. Larson,Peter Asbeck. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-10-25.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: US20230209821A1. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: WO2023129203A1. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

Compact layout of a plurality of field effect transistor logic cells

Номер патента: WO2022144781A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Lior Dagan. Дата публикации: 2022-07-07.

Field effect transistor (fet) with self-aligned contacts, integrated circuit (ic) chip and method of manufacture

Номер патента: US20160035743A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Novel UMOS-like gate-controlled thyristor structure for ESD protection

Номер патента: US20020130365A1. Автор: Jun Song,Keng-Foo Lo,Guang Hua. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Umos-like gate-controlled thyristor structure for esd proection

Номер патента: SG139551A1. Автор: SONG JUN,Lo Keng Foo,Hua Guang Ping. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-02-29.

Integration of field effect transistors and schottky diodes on a substrate

Номер патента: WO2024064145A1. Автор: Pierre Dermy. Владелец: Schottky Lsi, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Elevated temperature gallium arsenide field effect transistor with aluminum arsenide to aluminum gallium arsenide mole fractioned buffer layer

Номер патента: US5594262A. Автор: Chris Ito,Hyong Y. Lee,Belinda Johnson,Rocky Reston,Gerald Trombley,Charles Havasy. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1997-01-14.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Electrochemically-gated field-effect transistor, methods for its manufacture, its use, and electronics comprising said field-effect transistor

Номер патента: US20140319466A1. Автор: Horst Hahn,Subho Dasgupta,Babak Nasr. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2014-10-30.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US11695420B2. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-07-04.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US20230012345A1. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-01-12.

Deep buried channel junction field effect transistor (DBCJFET)

Номер патента: US20070275515A1. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Hybrid junction field-effect transistor and active matrix structure

Номер патента: US09620726B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Silicon carbide power field effect transistor

Номер патента: US5821576A. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Field-effect transistors with independently-tuned threshold voltages

Номер патента: US20210091202A1. Автор: Xiaoli He,Bingwu Liu,Tao Chu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Field effect transistor

Номер патента: CA1294064C. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-07.

Semiconductor heterostructure of field-effect transistor

Номер патента: RU2316076C1. Автор: Дмитрий Михайлович Красовицкий,Алексей Николаевич Алексеев,Юрий Васильевич Погорельский,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко,Игорь Альбертович Соколов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост". Дата публикации: 2008-01-27.

Scaled equivalent oxide thickness for field effect transistor devices

Номер патента: US20140199828A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Field-effect transistor having dual channels

Номер патента: US20200328211A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Field-effect transistor

Номер патента: RU2222845C1. Автор: А.Н. Алексеев,И.А. Соколов,В.П. Чалый,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2004-01-27.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

Fabrication of complementary field-effect transistors with vertical body-material dopant profiles tailored to alleviate punchthrough and reduce current leakage

Номер патента: US7785971B1. Автор: Fu-Cheng Wang,Constantin Bulucea,Prasad Chaparala. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Field effect transistor

Номер патента: US20240282831A1. Автор: Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and Structure for Vertical Tunneling Field Effect Transistor and Planar Devices

Номер патента: US20140252442A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Methods and structure for an improved floating gate memory cell

Номер патента: US7015098B2. Автор: Paul J. Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-03-21.

Semiconductor device having shallow trench isolation and gate groove

Номер патента: US09437265B2. Автор: Migaku Kobayashi,Shinya Iwasa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Monolithic temperature compensation scheme for field effect transistor integrated circuits

Номер патента: EP1273044A2. Автор: Carl W. Pobanz,Mehran M. Matloubian. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2003-01-08.

Integrated diamond substrate for thermal management of a field effet transistor (fet)

Номер патента: WO2023192693A1. Автор: Matthew C. Tyhach,Jarrod Vaillancourt. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-10-05.

Field effect transistor switching circuit

Номер патента: US20150222259A1. Автор: George Nohra. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Sensor using sensing mechanism having combined static charge and field effect transistor

Номер патента: US09634153B2. Автор: James Edward West,Won Kyu MOON,Yub JE,Min Sung,Kum Jae Shin. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-04-25.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: CA2589028A1. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey B. Casady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Pixel device on deep trench isolation (dti) structure for image sensor

Номер патента: US20240282797A1. Автор: JHY-JYI SZE,Seiji Takahashi,Tzu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Pixel device on deep trench isolation (DTI) structure for image sensor

Номер патента: US11996431B2. Автор: JHY-JYI SZE,Seiji Takahashi,Tzu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Chemical mechanical planarization for shallow trench isolation

Номер патента: WO2024173029A1. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,LU Gan,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Sub-Device Field-Effect Transistor Architecture for Integrated Circuits

Номер патента: US20200066706A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit device with series-connected field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device

Номер патента: US20120208329A1. Автор: Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

High Oxide Removal Rates Shallow Trench Isolation Chemical Mechanical Planarization Compositions

Номер патента: US20240297049A1. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Enhanced Thin Film Field Effect Transistor Integration into Back End of Line

Номер патента: US20120126330A1. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Vertically-stacked field effect transistor cell

Номер патента: US20230317611A1. Автор: Dechao Guo,Albert M. Young,Junli Wang,Albert M Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Electronic structure having two field effect transistors

Номер патента: US11978744B2. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale,Brian Hardy Cobb,Feras ALKHALIL. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Enhanced thin film field effect transistor integration into back end of line

Номер патента: US8617939B2. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

High ESD immunity field-effect device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11862626B2. Автор: Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

High esd immunity field-effect device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088135A1. Автор: Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Detection structure for chip edge cracks and detection method thereof

Номер патента: US20230184718A1. Автор: Xiong Zhang. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Materials with enhanced properties for shallow trench isolation/premetal dielectric applications

Номер патента: US20060008659A1. Автор: LEI Jin,Victor Lu,Brian Daniels,Ananth Naman,Denis Endisch,Paul Apen,Arlene Suedmeyer,Deling Zhou. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Device structures for reducing device mismatch due to shallow trench isolation induced oxides stresses

Номер патента: US7259393B2. Автор: David Lu,Shine Chien Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-08-21.

Isolation structure for bond pad structure

Номер патента: US20240290740A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Jeng-Shyan Lin,Shih-Pei Chou,Sin-Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Device structure for high fill-factor spad pixel with cmos in-pixel circuits

Номер патента: EP4369406A1. Автор: Tze-Ching Fung,Yibing Michelle Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Image sensors with voltage-biased trench isolation structures

Номер патента: US09584744B2. Автор: Victor Lenchenkov,Hamid Soleimani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Device structure for high fill-factor spad pixel with cmos in-pixel circuits

Номер патента: US20240153983A1. Автор: Yibing Michelle Wang,Tze Ching FUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Pinned photodiode fabricated with shallow trench isolation

Номер патента: US20060125035A1. Автор: Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Field-effect transistor structure for preventing from shorting

Номер патента: US09520343B1. Автор: Chung Hsing Tzu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Dual contact trench resistor and capacitor in shallow trench isolation (sti) and methods of manufacture

Номер патента: US20130292798A1. Автор: James S. Nakos,Steven M. Shank,Timothy W. Kemerer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Power field-effect transistor (FET), pre-driver, controller, and sense resistor integration for multi-phase power applications

Номер патента: US09870984B2. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Distributed inductance integrated field effect transistor structure

Номер патента: US20210320053A1. Автор: Nianhua (Frank) JIANG. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2021-10-14.

Optically controlled field effect transistor

Номер патента: US12113146B2. Автор: Joseph Neil Merrett. Владелец: United States Department of the Air Force. Дата публикации: 2024-10-08.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.

Seal ring structure for integrated circuits

Номер патента: US8212323B2. Автор: Tung-Hsing Lee,Tien-Chang Chang,Yuan-Hung Chung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2012-07-03.

Method for testing junction leakage of salicided devices fabricated using shallow trench and refill techniques

Номер патента: US5913106A. Автор: Robert Dawson,Frederick N. Hause,Charles E. May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Structure for testing junction leakage of salicided devices fabricated using shallow trench and refill techniques

Номер патента: WO1998004925A2. Автор: Robert Dawson,Frederick N. Hause,Charles E. May. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-02-05.

Power field-effect transistor (fet), pre-driver, controller, and sense resistor integration

Номер патента: EP3257336A1. Автор: Indumini W. Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-20.

Power field-effect transistor (fet), pre-driver, controller, and sense resistor integration for multi-phase power applications

Номер патента: US20180138112A1. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

A Field-Effect Transistor (FET) based synchronous rectifier for emulating a diode

Номер патента: GB2590057A. Автор: Lo Verde Domenico,RONSISVALLE Cesare,Ping Tang Chi. Владелец: Steifpower Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-23.

Field-effect transistor (FET) based synchronous rectifier for emulating diode

Номер патента: US11942930B2. Автор: Domenico Lo Verde,Cesare Ronsisvalle,Chi Ping TANG. Владелец: Steifpower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Power converter with co-packaged secondary field effect transistors (FETs)

Номер патента: US11799384B2. Автор: Xin Zhang,Andrew Ferencz,Todd Edward Takken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Field-effect transistor (fet) based synchronous rectifier for emulating diode

Номер патента: EP4005080A1. Автор: Domenico Lo Verde,Cesare Ronsisvalle,Chi Ping TANG. Владелец: Steifpower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Optically controlled field effect transistor

Номер патента: US20230070932A1. Автор: Joseph Neil Merrett. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2023-03-09.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: US20160181557A1. Автор: Matthew J. Walker,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER,John X. Przybysz, SR.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Plasmon field effect transistor

Номер патента: US9368667B1. Автор: Sung Jin Kim,Juhyung Yun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-14.

Cmos depth image sensor with integrated shallow trench isolation structures

Номер патента: EP3254311A1. Автор: Onur Can Akkaya,Cyrus Bamji,Swati Mehta,Tamer Elkhatib. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-12-13.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: US20110181324A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,Ibrahim M. Khalil. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2011-07-28.

Radiation detector including field effect transistor in resonant cavity nanostructure

Номер патента: CA3053488A1. Автор: Saeed Assadi,James Pogge. Владелец: TEL Timbre Technologies Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Hybrid field effect transistor and surface enhanced infrared absorption based biosensor

Номер патента: US20210181098A1. Автор: Abram L. Falk,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Radiation detector including field effect transistor in resonant cavity nanostructure

Номер патента: US11835391B2. Автор: Saeed Assadi,James Pogge. Владелец: TEL Timbre Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Solid-state imaging device and camera including discrete trench isolation structure

Номер патента: US09711561B2. Автор: Kazuichiro Itonaga,Yu Oya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Solid-state imaging device and camera including discrete trench isolation structure

Номер патента: US09543350B2. Автор: Kazuichiro Itonaga,Yu Oya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of making a monitoring pattern to measure a depth and a profile of a shallow trench isolation

Номер патента: US7452734B2. Автор: Jung Ho Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-18.

Ac-coupled switch and metal capacitor structure for nanometer or low metal layer count processes

Номер патента: US20180145068A1. Автор: Baker Scott,Marcus Granger-Jones,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Buried photodiode for image sensor with shallow trench isolation technology

Номер патента: US20070045794A1. Автор: Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Aligned carbon nanotubes for use in high performance field effect transistors

Номер патента: US9728734B2. Автор: Padma Gopalan,Michael Scott Arnold,Gerald Joseph Brady,Yongho Joo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-08.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Merged Field Effect Transistor Cells For Switching

Номер патента: US20090224334A1. Автор: Randy L. Wolf,Lawrence F. Wagner, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Using a field effect device for identifying translocating charge-tagged molecules in a nanopore sequencing device

Номер патента: US09488636B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Andres JARAMILLO-BOTERO. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing a shallow trench isolation alignment mark

Номер патента: US6015744A. Автор: Chin-Hung Tseng. Владелец: United Silicon Inc. Дата публикации: 2000-01-18.

Field effect transistor and solid state image pickup device

Номер патента: US20070290238A1. Автор: Satoru Adachi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Diketopyrrolopyrrole Polymers for Use in Organic Field Effect Transistors

Номер патента: US20180331296A1. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-11-15.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: US20190027690A9. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G.R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Olivier Frédéric AEBISCHER,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-01-24.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20020036329A1. Автор: Robert Baird,Steven Merchant,Phillipe Dupuy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: US09893288B2. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-02-13.

Field-effect nanosensor for detecting simple metabolites in living organisms

Номер патента: US20210239645A1. Автор: Andres JARAMILLO BOTERO,Juan Marmolejo Tejada. Владелец: PONTIFICIA UNIVERSIDAD JAVERIANA. Дата публикации: 2021-08-05.

Field-effect nanosensor for detecting simple metabolites in living organisms

Номер патента: US11977049B2. Автор: Andres JARAMILLO BOTERO,Juan Manuel Marmolejo Tejada. Владелец: PONTIFICIA UNIVERSIDAD JAVERIANA. Дата публикации: 2024-05-07.

A Method for Producing an Organic Field Effect Transistor and an Organic Field Effect Transistor

Номер патента: US20160049603A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2016-02-18.

Active layer and method for preparing the same, organic field-effect transistor and array substrate

Номер патента: US20170012210A1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09978967B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Organic field effect transistor and method for producing the same

Номер патента: US09899616B2. Автор: Karl Leo,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem,Hans Kleeman. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

N-stacked field effect transistor based traveling wave power amplifier for monolithic microwave integrated circuits

Номер патента: US09780746B1. Автор: Kohei Fujii. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09722196B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09705098B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-07-11.

Modeling circuit of field effect transistor for symmetric modeling of electrostatic discharge characteristic, method of designing integrated circuit using the same and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US11907635B2. Автор: Seongjin MUN,Kiyoung MOON,Hyein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory devices based on ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US20200083234A1. Автор: Jan Van Houdt,Julien Ryckaert,Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-12.

Mounting structure for temperature-sensitive fuse on circuit board

Номер патента: EP1079674B1. Автор: Mitsunori Rohm Co. Ltd. NAGASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-10-09.

Linearizing field effect transistors in the ohmic region

Номер патента: US20130187683A1. Автор: Omid Foroudi. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

A method and device for lowering the impedance of a fet (field effect transistor)

Номер патента: EP1900086A1. Автор: Timothy D. F. Ford,Bernard Moffett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-19.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Field effect transistor (fet) and fet circuitry

Номер патента: WO2001035500A3. Автор: William Eccleston,Giles Christian Rome Lloyd. Владелец: Giles Christian Rome Lloyd. Дата публикации: 2002-05-10.

Thermal droop compensation in power amplifiers with field-effect transistors (fets)

Номер патента: US20240275339A1. Автор: John Bellantoni,Michael Simcoe,Michael Kevin O'Neal. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Circuit for the fast turn off of a field effect transistor

Номер патента: US5313109A. Автор: David A. Smith. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 1994-05-17.

Systems and methods for controlling inrush electrical currents using a virtual miller capacitor and a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

Номер патента: US09513681B2. Автор: Lei Wang,Mehran Mirjafari,Padmanabh R. Gharpure. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-12-06.

Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2736548C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: US20240056042A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Dual-mode high-side power field-effect transistor driver for power regulators

Номер патента: US12057765B2. Автор: Mengmeng Du,Matthew Alan Grant,Daniel Dahua ZHENG. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

A method and device for lowering the impedance of a fet (field effect transistor)

Номер патента: WO2006136034B1. Автор: Bernard Moffett,Timothy D F Ford. Владелец: Flewelling Ford Family Trust. Дата публикации: 2007-02-15.

Circuit assembly for limiting the gate current at a field-effect transistor

Номер патента: US20230308087A1. Автор: Sascha Krause. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2023-09-28.

Dead-time calibration scheme for active clamp flyback (acf) primary field-effect transistors (fet)

Номер патента: US20240048060A1. Автор: Hariom Rai,Arun Khamesra,Jojy JOSE,Soon Hwei Tan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Optically coupled field effect transistor switch

Номер патента: CA1123064A. Автор: William C. King. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-04.

Transformerless drive circuit for field-effect transistors

Номер патента: WO1985005742A1. Автор: John J. Nesler. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1985-12-19.

Non-complementary active clamp flyback (acf) primary field-effect transistors (fet) control

Номер патента: US20240048053A1. Автор: Rajesh Karri,Hung-Chun Chen,Soon Hwei Tan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: WO2016099668A1. Автор: Matthew J. Walker,John X. Przybysz,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: EP3234989A1. Автор: Matthew J. Walker,John X. Przybysz,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

Field-effect transistor driver

Номер патента: US09467140B2. Автор: Erik WORMMEESTER. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Enhanced schottky diode field effect transistor logic circuits

Номер патента: CA1245304A. Автор: Tho T. Vu. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1988-11-22.

P-channel thin film transistor having a gate on the drain region of a field effect transistor

Номер патента: US6046478A. Автор: Richard K. Klein. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-04-04.

Apparatus for protecting field effect transistor and system for preventing over-current using the same

Номер патента: KR102416199B1. Автор: 유선욱. Владелец: 주식회사 엘지에너지솔루션. Дата публикации: 2022-07-01.

Leakage regulator circuit for a field effect transistor

Номер патента: US4785207A. Автор: John E. Eng. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-11-15.

Power management integrated circuit integrating field effect transistors and programmable fabric

Номер патента: US20170115717A1. Автор: Thomas Chan,Kapil Shankar,Patrick J. Crotty,John Birkner. Владелец: Andapt Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: WO2022164601A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Dual-mode high-side power field-effect transistor driver for power regulators

Номер патента: US20230318436A1. Автор: Mengmeng Du,Matthew Alan Grant,Daniel Dahua ZHENG. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Protective circuit for field effect transistor amplifier

Номер патента: US3912981A. Автор: Katsuaki Tsurushima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1975-10-14.

Structure for a duty cycle correction circuit

Номер патента: US8381143B2. Автор: David W. Boerstler,Eskinder Hailu,Jieming Qi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Controlled gate-source voltage n-channel field effect transistor (nfet) gate driver

Номер патента: WO2021034458A1. Автор: Pulkit Shah. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-02-25.

Selective solid-state isolation of NMR circuit elements using back-to-back field effect transistors

Номер патента: US12066588B2. Автор: David Walsh,Elliot Grunewald. Владелец: VISTA CLARA Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Design structure for implementing oxide leakage based voltage divider network for integrated circuit devices

Номер патента: US7579897B2. Автор: Edward J. Nowak,Joseph A. Iadanza,Kenneth J. Goodnow,Douglas W. Stout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-25.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Protection circuit for field effect transistor

Номер патента: EP1211809A1. Автор: Sang.Hee. Sumitomo Wiring Systems Ltd Chung. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2002-06-05.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Trigger logic element and-not/or-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2756096C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-09-28.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Method for processing input variables by means of a processing device comprising at least two field-effect transistors, device for executing the method, computing device, and use

Номер патента: US20240259031A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Trigger logic element on field-effect transistors

Номер патента: RU2715178C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-25.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Control of threshold voltage in organic field effect transistors

Номер патента: WO2006052625A1. Автор: Vladimir Bulovic,Akintunde I. Akinwande,Ioannis Kymissis,Annie I. Wang. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2006-05-18.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Current sensing in power tool devices using a field effect transistor

Номер патента: US12105149B2. Автор: Timothy R. Obermann,Alexander T. Huber. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Discrete circuit for driving field effect transistors

Номер патента: EP1635463A3. Автор: Balakrishnan V. Nair,Gerald A. Kilgour. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Differential amplifier with increased slope on field-effect transistors

Номер патента: RU2770915C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors

Номер патента: RU2770912C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Photo-switchable and electrically-switchable organic field-effect transistor, manufacturing method thereof and use thereof as storage device

Номер патента: RU2580905C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Павел Анатольевич Трошин,Наталия Алексеевна Санина,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Switching device with series connection of junction field-effect transistors

Номер патента: RU2550551C2. Автор: Йюрген БИЛА,Даниэль АГГЕЛЕР,Иоганн Вальтер КОЛАР. Владелец: Этх Цюрих. Дата публикации: 2015-05-10.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2766864C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дарья Юрьевна Денисенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Input stage of differential operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2721945C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Operational amplifier with low zero offset voltage on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770913C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Trigger logic element and/and-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2763585C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-12-30.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Switching circuit with mos field effect transistor

Номер патента: CA1127724A. Автор: Tadao Yoshida,Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1982-07-13.

Series biasing scheme for field effect transistors

Номер патента: US4677391A. Автор: Kenneth Kawakami. Владелец: Microwave Technology Inc. Дата публикации: 1987-06-30.

High voltage system using enhancement and depletion field effect transistors

Номер патента: US5051618A. Автор: Perry W. Lou. Владелец: Idesco Oy. Дата публикации: 1991-09-24.

Structures for In-Band Communications in Wireless Charging

Номер патента: US20240171010A1. Автор: Zhijun Luo,Ikgyoo SONG. Владелец: Nuvolta Technologies Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: WO2014173738A1. Автор: Karl Leo,Björn Lüssem,Hans Kleemann,Alrun Günther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2014-10-30.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Field effect transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2005086253A1. Автор: Makoto Kubota,Daisuke Miura,Satomi Sugiyama,Tomonari Nakayama,Akane Masumoto,Toshinobu Ohnishi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Driver for a power field-effect transistor, related system and integrated circuit

Номер патента: US09935626B2. Автор: Aldo Davide Gariboldi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-03.

Field effect transistor current mode logic with changeable bulk configuration of load transistors

Номер патента: US09838019B2. Автор: Lauri Koskinen,Matthew Turnquist,Jani Mäkipää,Erkka Laulainen. Владелец: MINIMA PROCESSOR OY. Дата публикации: 2017-12-05.

Nanoscale field-effect transistors for biomolecular sensors and other applications

Номер патента: US09541522B2. Автор: Charles M. Lieber,Xueliang Liu,Hwan Sung Choe. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2017-01-10.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Trigger two-stage d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2734428C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования. "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-10-16.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Composition for making hole injecting or hole transporting layers in electroluminescent devices, organic solar cells, organic laser diodes, organic thin-film transistors or organic field effect transistors of for making electrodes or electroconductive coatings, electroluminescent device, as well as organic light-emitting diode

Номер патента: RU2382809C2. Автор: Кнуд РОЙТЕР,Андреас ЭЛЬШНЕР,Петер Вилфрид ЛЕВЕНИХ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2010-02-27.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Field effect transistor circuit for modulator and demodulator applications

Номер патента: US4413239A. Автор: George W. McIver,Donald E. Romeo. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1983-11-01.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Input differential cascade on complementary field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2712416C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Олег Владимирович Олег Владимирович Дворников. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Static MOS memory cell using inverted N-channel field-effect transistor

Номер патента: US4352997A. Автор: Joseph H. Raymond, Jr.,Keith H. Gudger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-10-05.

Field-effect transistor amplifier

Номер патента: GB1215590A. Автор: Robert William Polkinghorn,Arthur Francis Pfeifer. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1970-12-09.

Modeling the performance of a field effect transistor having a dynamically depleted channel region

Номер патента: US20160275225A1. Автор: Tamilmani Ethirajan,Anupam DUTTA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Modeling the performance of a field effect transistor having a dynamically depleted channel region

Номер патента: US09996650B2. Автор: Tamilmani Ethirajan,Anupam DUTTA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Reference voltage generator based on threshold voltage difference of field effect transistors

Номер патента: WO2023132918A1. Автор: HUI Wang,John ABCARIUS,Debesh BHATTA,Shitong ZHAO,Sulin LI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-13.

Biomolecule detector based on field effect transistor arrays containing reference electrodes and detection method for biomolecules using the same

Номер патента: US20080315861A1. Автор: Jeo Young SHIM,Kyu Tae YOO,Won Seok CHUNG,Jung Im HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Graphene-based field-effect transistor biosensors

Номер патента: US09676621B2. Автор: Junhong Chen,Ganhua Lu,Shun MAO. Владелец: UWM Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Magnetic resonance imaging with switched-mode current-source amplifier having gallium nitride field effect transistors for parallel transmission in MRI

Номер патента: US09747789B2. Автор: Michael Twieg,Mark Griswold. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-29.

Mxene-graphene field effect transistor virus sensor

Номер патента: WO2023034113A3. Автор: Yang Wang,Donghyun Kim,Chenglin Wu,Risheng Wang,Yuwei Zhang,Yue-Wern HUANG,Yanxiao LI,Jiaoli LI. Владелец: The Curators of the University of Missouri. Дата публикации: 2023-04-13.

Devices and methods for detecting/discriminating complementary and mismatched nucleic acids using ultrathin film field-effect transistors

Номер патента: US12025581B2. Автор: Paul S. Weiss,Anne M. Andrews,Kevin M. CHEUNG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-02.

Mixed functionalized graphene structure and corresponding field-effect transistor biosensor

Номер патента: EP4320431A1. Автор: Amaia REBOLLO PIÑEIRO,María ARRASTUA CEBERIO. Владелец: Attenbio SL. Дата публикации: 2024-02-14.

Mixed functionalized graphene structure and corresponding field-effect transistor biosensor

Номер патента: WO2022214698A1. Автор: Amaia REBOLLO PIÑEIRO,María ARRASTUA CEBERIO. Владелец: Attenbio S.L.. Дата публикации: 2022-10-13.

Zno nanorod-based field-effect transistors for detection of bacteria

Номер патента: WO2023073571A1. Автор: Yaser Abdi,Shahrzad Molavi,Ali Bozorg. Владелец: Ali Bozorg. Дата публикации: 2023-05-04.

Wearable aptamer field-effect transistor sensing system for noninvasive cortisol monitoring and wearable system for stress sensing

Номер патента: WO2023133159A1. Автор: BO Wang,Sam Emaminejad,Chuanzhen Zhao,Anne ANDREWS. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-07-13.

Wearable aptamer field-effect transistor sensing system for noninvasive cortisol monitoring and wearable system for stress sensing

Номер патента: WO2023133159A8. Автор: BO Wang,Sam Emaminejad,Chuanzhen Zhao,Anne ANDREWS. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-02-22.

One device field effect transistor (fet) ac stable random access memory (ram) array

Номер патента: CA1163714A. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-13.

Field effect transistor with buried fluid-based gate and method

Номер патента: US20230324332A1. Автор: Mark D. Levy,Aaron L. Vallett,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Dual function electro-optical silicon field-effect transistor molecular sensor

Номер патента: US20220178873A1. Автор: ChiiDong CHEN,Pradhana Jati Budhi LAKSANA,Chia-Jung CHU. Владелец: Silicon Based Molecular Sensoring Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Quasi-rms measurement circuit utilizing field effect transistor as a switch

Номер патента: US3723763A. Автор: D Udovic. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-03-27.

Label Free Analyte Detection by Electronic Desalting and Field Effect Transistors

Номер патента: US20170176379A1. Автор: Rashid Bashir,Bobby Reddy, JR.,Vikhram VILASUR SWAMINATHAN,Eric M. SALM,Carlos DUARTE-GUEVARA. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2017-06-22.

System and method for generating a field effect transistor corner model

Номер патента: US20150089464A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Label Free Analyte Detection by Electronic Desalting and Field Effect Transistors

Номер патента: US20200103370A1. Автор: Rashid Bashir,Bobby Reddy, JR.,Vikhram VILASUR SWAMINATHAN,Eric M. SALM,Carlos DUARTE-GUEVARA. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-02.

Mixed functionalized graphene structure and corresponding field-effect transistor biosensor

Номер патента: US20240182669A1. Автор: Amaia REBOLLO PIÑEIRO,María ARRASTUA CEBERIO. Владелец: Attenbio SL. Дата публикации: 2024-06-06.

Devices with field effect transistors

Номер патента: EP4176250A1. Автор: Boyan Boyanov,Jeffrey G. MANDELL,Rico OTTO. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Devices with field effect transistors

Номер патента: US11898983B2. Автор: Boyan Boyanov,Jeffrey G. MANDELL,Rico OTTO. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Devices with field effect transistors

Номер патента: ZA202213365B. Автор: Otto Rico,Boyanov Boyan,G Mandell Jeffrey. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

Magneto-resistive field effect transistor

Номер патента: WO2014199144A1. Автор: Daniel Anthony Allwood,Hadi Rasam Alqahtani,Matthew Thomas BRYAN,Martin Friedrich GRELL. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2014-12-18.

Connected field effect transistors

Номер патента: US11827512B2. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-28.

Fluid actuators connected to field effect transistors

Номер патента: US20210206161A1. Автор: Eric Martin,James R Przybyla,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-07-08.

Connected field effect transistors

Номер патента: EP3857599A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-08-04.

Connected field effect transistors

Номер патента: WO2020068035A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-04-02.

Electric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, and memory cell

Номер патента: US20240055036A1. Автор: Thomas KÄMPFE,Nelli Laleni. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-02-15.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US9683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US09683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Determining correlation coefficient(s) among different field effect transistor types and/or among different electrical parameter types

Номер патента: US09679094B2. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit device implemented by bipolar and field effect transistors and having stable sense amplifier

Номер патента: US5550778A. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Co2 sensor based on a diamond field effect transistor

Номер патента: US20150177184A1. Автор: Bogdan Catalin Serban,Mihai Brezeanu,Octavian Buiu,Viorel Georgel Dumitru. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Integrated circuit comprising field effect transistors and a programmable read-only memory

Номер патента: IE56337B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-19.

Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09984730B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Wordline negative boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09842634B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR DISSIPATING HEAT AWAY FROM A RESISTOR HAVING NEIGHBORING DEVICES AND INTERCONNECTS

Номер патента: US20120002375A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Tzu-Li,TSAI CHIEN SHIH,Lin Bi-Ling,Wei Bor-Jou,PENG Chin Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Enhanced-shaped extension region(s) for gate-all-around (gaa) field effect transistor (fet) device, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024233059A1. Автор: Yan Sun,Peijie Feng,Shreesh Narasimha. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-14.