Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210143142A1
Опубликовано: 13-05-2021
Автор(ы): Derner Scott J., FUJISAWA Hiroki, Hill Richard J., Ingalls Charles L., Sandhu Gurtej S.
Принадлежит: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210143142A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210066272A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated assemblies comprising sense-amplifier-circuitry and wordline-driver-circuitry under memory cells of a memory array

Номер патента: US10957681B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-23.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210066272A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,FUJISAWA Hiroki,Derner Scott J.,Ingalls Charles L.,Hill Richard J.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated assemblies comprising sense-amplifier-circuitry and wordline-driver-circuitry under memory cells of a memory array

Номер патента: WO2021040822A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Sense amplifier circuitry and architecture to write data into and/or read data from memory cells

Номер патента: WO2006065698A8. Автор: William Kenneth Waller,Eric Carman. Владелец: Eric Carman. Дата публикации: 2006-08-17.

Anti-fuse one-time programmable memory cell and anti-fuse one-time programmable memory array

Номер патента: US09589971B1. Автор: Yu-Wen Chen,Ching-Hsiang Lin,Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Hsuan-Chi Su. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US12114479B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US20210151438A1. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Integrated Assemblies Comprising Ferroelectric Transistors and Non-Ferroelectric Transistors

Номер патента: US20200395382A1. Автор: Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated Assemblies Comprising Ferroelectric Transistors and Non-Ferroelectric Transistors

Номер патента: US20200035704A1. Автор: Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory array with memory cells arranged in pages

Номер патента: US09466392B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Ching-Sung Yang,Shih-Chen Wang,Wei-Chen Chang,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated assemblies having transistor body regions coupled to carrier-sink-structures; and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11910597B2. Автор: Haitao Liu,Sanh D. Tang,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey,Yunfei GAO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated Assemblies Having Transistor Body Regions Coupled to Carrier-Sink-Structures; and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240172432A1. Автор: Haitao Liu,Sanh D. Tang,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey,Yunfei GAO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Memory cell

Номер патента: US09847109B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Device with SRAM memory cells including means for polarizing wells of memory cell transistors

Номер патента: US09542996B2. Автор: Olivier Thomas,Bastien Giraud,Adam Makosiej. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory cell arrangement, method for controlling a memory cell, memory array and electronic device

Номер патента: US9030877B2. Автор: Robert Strenz,Mayk Roehrich,Wolfram Langheinrich,Robert Wiesner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-12.

Memory cell arrangement, method for controlling a memory cell, memory array and electronic device

Номер патента: DE102008044997A1. Автор: Thomas Kern,Achim Gratz,Danny Pak-Chum Shum,Georg Tempel,Mayk Röhrich,Wolfram Langheinrich,Robert Wiesner,Robert Dr. Strenz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Electrically erasable and programmable read only memory, nonvolatile memory, memory cell and method for programming a memory cell

Номер патента: TW434895B. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2001-05-16.

Fin field effect transistor sense amplifier circuitry and related apparatuses and computing systems

Номер патента: US20240112724A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Process for forming a vertical thin-film transistor that serves as a connector to a bit-line of a 3-dimensional memory array

Номер патента: US11910612B2. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Concurrent compensation in a memory system

Номер патента: US20240274720A1. Автор: Hiroshi Akamatsu,Kenji Yoshida,WonJun CHOI,Jacob Rice. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory array

Номер патента: US20140169099A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory array

Номер патента: US20140160853A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US12069847B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory arrays with a memory cell adjacent to a smaller size of a pillar having a greater channel length than a memory cell adjacent to a larger size of the pillar and methods

Номер патента: US09391082B2. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: EP1695356A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-08-30.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: WO2005057586A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

Integrated Assemblies Having Anchoring Structures Proximate Stacked Memory Cells, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210143165A1. Автор: Kunal R. Parekh,Justin B. Dorhout,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Integrated Assemblies Having Anchoring Structures Proximate Stacked Memory Cells, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190189629A1. Автор: Kunal R. Parekh,Justin B. Dorhout,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Integrated assemblies having anchoring structures proximate stacked memory cells, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11348933B2. Автор: Kunal R. Parekh,Justin B. Dorhout,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-31.

Read performance of a non-volatile memory device, in particular a non-volatile memory device with buried selection transistor

Номер патента: US09825186B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile pmos two transistor memory cell and array

Номер патента: WO1999019880A1. Автор: Nader Radjy,Vikram Kowshik,Shang-De Ted Chang,Andy Teng-Feng Yu. Владелец: Programmable Microelectronics Corporation. Дата публикации: 1999-04-22.

Nrom memory cell, memory array, related devices and methods

Номер патента: US20090072303A9. Автор: Leonard Forbes,Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: WO2020131397A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

EEPROM memory cell with low voltage read path and high voltage erase/write path

Номер патента: US09455037B2. Автор: Bomy Chen,Daniel Alvarez,Jeffrey A. Shields,Jack Wong,Mel HYMAS,Kent Hewitt,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried bit-line and raised source line, and a memory array made thereby

Номер патента: US20030178668A1. Автор: Sohrab Kianian,Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US11917809B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20220157364A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: US11955156B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20200234751A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: WO2017184523A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

Two transistor memory cells with angled transistors

Номер патента: WO2023249616A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhiskek A. SHARMA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-12-28.

Two transistor memory cells with angled transistors

Номер патента: US20230410907A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated Assemblies Having Conductive Posts Extending Through Stacks of Alternating Materials

Номер патента: US20240237336A9. Автор: Rita J. Klein,Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Memory array staircase structure

Номер патента: US11776602B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: EP3945582A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

MTP-thyristor memory cell circuits and methods of operation

Номер патента: US09761295B2. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

MTP-thyristor memory cell circuits and methods of operation

Номер патента: US09484068B2. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

MTP-Thyristor Memory Cell Circuits and Methods of Operation

Номер патента: US20160240228A1. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Memory Cell and Method of Manufacturing a Memory Cell

Номер патента: US20130020631A1. Автор: Navab Singh,Vincent Pott. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2013-01-24.

Integrated assemblies containing ferroelectric transistors, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12079415B2. Автор: Pankaj Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film transistor based memory cells on both sides of a layer of logic devices

Номер патента: US20210125990A1. Автор: Tahir Ghani,Bernhard Sell,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Kevin Fischer,Wilfred Gomes,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Thin film transistor based memory cells on both sides of a layer of logic devices

Номер патента: US20220045065A1. Автор: Tahir Ghani,Bernhard Sell,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Kevin Fischer,Wilfred Gomes,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory Arrays

Номер патента: US20190198520A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers of Insulative Material and Memory Cells and Methods of Forming a Memory Array

Номер патента: US20230403867A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: EP3679605A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9972772B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20180226571A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20200083225A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Laser programmable memory array

Номер патента: US4872140A. Автор: Andrew C. Graham,David C. MacMillan. Владелец: Gazelle Microcircuits Inc. Дата публикации: 1989-10-03.

Tri-gate integration with embedded floating body memory cell using a high-k dual metal gate

Номер патента: US20090017589A1. Автор: Ibrahim Ban,Peter L.D. Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Method for manufacturing a memory cell, a method for manufacturing a memory cell arrangement, and a memory cell

Номер патента: US20140097480A1. Автор: John Power,Danny Shum,Martin Stiftinger,Christoph Bukethal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-04-10.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240282856A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Scott E. Sills,Jerome A. Imonigie,Yi Fang Lee,Aaron Michael Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20230215947A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Memory cell array and cell structure thereof

Номер патента: US09768298B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Transistors, Memory Arrays, And Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Transistor

Номер патента: US20210335793A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Transistors, memory arrays, and methods used in forming an array of memory cells individually comprising a transistor

Номер патента: WO2021216249A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of forming a semiconductor array of floating gate memory cells and strap regions, and a memory array and strap regions made thereby

Номер патента: US6743674B2. Автор: Chih Hsin Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-01.

Memory cell and method of manufacturing a memory cell

Номер патента: SG186576A1. Автор: SINGH Navab,Pott Vincent. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2013-01-30.

Integrated Assemblies Having a Portion of a Transistor Gate Extending into a Recessed Region of a Semiconductor Base, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20200083371A1. Автор: Masahiro Yokomichi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Integrated assemblies having metal-containing regions coupled with semiconductor regions

Номер патента: WO2020040819A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory array capable of performing byte erase operation

Номер патента: US09847133B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory array with one shared deep doped region

Номер патента: US09941011B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wen-hao Ching,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP4408152A2. Автор: Stephen H. Tang,Stephen W. Russell,Hernan A Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated Assemblies Comprising Vertically-Stacked Decks

Номер патента: US20220344320A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20230262985A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US12035534B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20220254791A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20240324230A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: US09727680B2. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: US09721050B2. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: US09721049B2. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: US09431098B1. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12029023B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12074156B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20230301049A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20210272967A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US12100447B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: US20210351234A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: WO2021225783A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Foundational Supports within Integrated Assemblies

Номер патента: US20220199644A1. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Foundational Supports within Integrated Assemblies

Номер патента: US20210217766A1. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP3785308A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Foundational supports within integrated assemblies

Номер патента: US12010847B2. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20240357788A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array comprising memory cells individually comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US12004354B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Integrated assemblies comprising hydrogen diffused within two or more different semiconductor materials, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12101946B2. Автор: Haitao Liu,Scott E. Sills,Yi Fang Lee,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari,Ramanathan GANDHI,Sameer Chhajed. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated Assemblies Comprising Hydrogen Diffused Within Two or More Different Semiconductor Materials, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240074216A1. Автор: Haitao Liu,Scott E. Sills,Yi Fang Lee,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari,Ramanathan GANDHI,Sameer Chhajed. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated assemblies comprising hydrogen diffused within two or more different semiconductor materials, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11832454B2. Автор: Haitao Liu,Scott E. Sills,Yi Fang Lee,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari,Ramanathan GANDHI,Sameer Chhajed. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Integrated Assemblies Comprising Hydrogen Diffused Within Two or More Different Semiconductor Materials, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20200295005A1. Автор: Haitao Liu,Scott E. Sills,Yi Fang Lee,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari,Ramanathan GANDHI,Sameer Chhajed. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated assemblies comprising hydrogen diffused within two or more different semiconductor materials, and methods or forming integrated assemblies

Номер патента: WO2020185338A1. Автор: Haitao Liu,Scott E. Sills,Yi Fang Lee,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari,Ramanathan GANDHI,Sameer Chhajed,Durai Vishak Nirmai RAMASWAMY. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-17.

Device including memory array and method thereof

Номер патента: US20110260232A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao,Mark Michael Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Memory cells which include transistors having gap channel material

Номер патента: EP3639298A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Integrated Assemblies Having Polycrystalline First Semiconductor Material Adjacent Conductively-Doped Second Semiconductor Material

Номер патента: US20200287003A1. Автор: Haitao Liu,Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey,Guangyu Huang,Richard J. Hill,Yunfei GAO,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Method and system for forming straight word lines in a flash memory array

Номер патента: US7488657B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kazuhiro Mizutani,Zhigang Wang,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang,Pavel Fastenko. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-10.

Integrated Assemblies Having Vertically-Spaced Channel Material Segments, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20220359565A1. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Integrated Assemblies Having Vertically-Spaced Channel Material Segments, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210335817A1. Автор: Akira Goda,Byeung Chul Kim,Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Integrated Assemblies Having Vertically-Spaced Channel Material Segments, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210057434A1. Автор: Akira Goda,Byeung Chul Kim,Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated assemblies having vertically-spaced channel material segments, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11871572B2. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill,Davide Resnati. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Integrated assemblies having vertically-spaced channel material segments, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: WO2021034465A1. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Jordan D. GREENLEE. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor memory array architecture, and method of controlling same

Номер патента: US20070241405A1. Автор: Gregory Allan Popoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Integrated assemblies having vertically-spaced channel material segments, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: WO2021034432A1. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill,Davide Resnati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated Assemblies Having Vertically-Spaced Channel Material Segments, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210057437A1. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill,Davide Resnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated Assemblies Having Vertically-Spaced Channel Material Segments, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210233933A1. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Integrated assemblies having vertically-spaced channel material segments, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US20210057438A1. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated Assemblies having Transistors Configured for High-Voltage Applications, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240282858A1. Автор: Zia A. Shafi,Durga P. Panda,Luca Laurin,Sara Vigano´. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20220310831A1. Автор: Scott E. Sills,John F. Kaeding,David K. Hwang,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12035536B2. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Devices and memory arrays including bit lines and bit line contacts

Номер патента: US20120104463A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-03.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20220102539A1. Автор: Scott E. Sills,John F. Kaeding,David K. Hwang,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240324236A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Contact strap for memory array

Номер патента: US09842844B2. Автор: Sung Mun Jung,Jianbo Yang,Ling Wu,Kian Hong LIM. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate, pointed floating gate and pointed channel region, and a memory array made thereby

Номер патента: US20040197996A1. Автор: Bomy Chen,Dana Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Method of forming integrated assemblies having transistors configured for high-voltage applications

Номер патента: US12027621B2. Автор: Zia A. Shafi,Durga P. Panda,Luca Laurin,Sara Vigano'. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Memory array with strap cells

Номер патента: US09847120B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory array circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory array circuit

Номер патента: US12112829B2. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Writing To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20140104932A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of writing to and reading from a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: US8634224B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-21.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of reading to and writing from a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: TWI490860B. Автор: Bhaskar Srinivasan,Gurtej S Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of reading to and writing a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: SG188200A1. Автор: Bhaskar Srinivasan,Gurtej S Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-30.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array

Номер патента: US20190074277A1. Автор: Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers of Insulative Material and Memory Cells and Methods of Forming a Memory Array

Номер патента: US20200388617A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers of Insulative Material and Memory Cells and Methods of Forming a Memory Array

Номер патента: US20220352167A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Magnetic memory cells with low switching current density

Номер патента: US09542987B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Magnetic memory cells with fast read/write speed

Номер патента: US09570138B2. Автор: Eng Huat Toh,Chenchen Jacob WANG,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory cell and method for producing a memory device

Номер патента: DE10333557A1. Автор: Cay-Uwe Dr. Pinnow,Michael Dr. Kund,Thomas Dr. Mikolajick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-24.

Memory Cells and Integrated Assemblies having Charge-Trapping-Material with Trap-Enhancing-Additive

Номер патента: US20240297257A1. Автор: Terry H. Kim,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Integrated Assemblies Having Vertically-Spaced Channel Material Segments, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210057435A1. Автор: Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140256100A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140252418A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US09343545B2. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Integrated Assemblies Having Vertically-Extending Channel Material with Alternating Regions of Different Dopant Distributions, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20200373322A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Byeung Chul Kim,Shyam Surthi,Richard J. Hill,Francois H. Fabreguette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Method for programming a one-transistor dram memory cell and memory device

Номер патента: US20190074050A1. Автор: Joris Lacord,François Tcheme Wakam. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory Cells and Integrated Assemblies having Charge-Trapping-Material with Trap-Enhancing-Additive

Номер патента: US20230163219A1. Автор: Terry H. Kim,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory cells and integrated assemblies having charge-trapping-material with trap-enhancing-additive

Номер патента: US12009436B2. Автор: Terry H. Kim,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory Cells and Integrated Assemblies having Charge-Trapping-Material with Trap-Enhancing-Additive

Номер патента: US20210193845A1. Автор: Terry H. Kim,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory array and memory device

Номер патента: US8350320B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-08.

Memory array with surrounding gate access transistors and capacitors with global and staggered local bit lines

Номер патента: US7510954B1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods including a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895835B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4442090A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory cell and methods for processing a memory capacitor

Номер патента: US20240032305A1. Автор: Tony SCHENK,Stefan Ferdinand Müller,Alireza KASHIR. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Programme read-only memory and memory cell for use in such a memory

Номер патента: IE53422B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-11-09.

Integrated Assemblies Which Include Stacked Memory Decks, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210358951A1. Автор: Justin B. Dorhout,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Damir Fazil,Purnima Narayanan,Jivaan Kishore Jhothiraman,Nirup Bandaru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Dual mode memory cell apparatus and methods

Номер патента: US20160365510A1. Автор: Srinath Ramaswamy,Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Methods of forming integrated assemblies include stacked memory decks

Номер патента: US11107831B2. Автор: Justin B. Dorhout,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Damir Fazil,Purnima Narayanan,Jivaan Kishore Jhothiraman,Nirup Bandaru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-31.

Integrated assemblies, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US20240324223A1. Автор: Christopher Larsen,George Matamis,Damir Fazil,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Albert Fayrushin,Rokibul ISLAM,Arun Kumar Dhayalan,Joel D. PETERSON,S. M. Istiaque Hossain. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20220375950A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Integrated Assemblies Which Include Stacked Memory Decks, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210167081A1. Автор: Justin B. Dorhout,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Damir Fazil,Purnima Narayanan,Jivaan Kishore Jhothiraman,Nirup Bandaru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Reference-Voltage-Generators Within Integrated Assemblies

Номер патента: US20220246193A1. Автор: Yasuo Satoh,Takamasa Suzuki,Yuan He,Hyunui LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Implementation of a one time programmable memory using a MRAM stack design

Номер патента: US09805816B2. Автор: Po-Kang Wang,Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Stacked vertical memory array architectures, systems and methods

Номер патента: US09672917B1. Автор: Yanli Zhang,Henry Chien,Yao-Sheng Lee,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated Assemblies, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20220254810A1. Автор: Gordon A. Haller,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: US20190326356A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Integrated assemblies having charge-trapping material arranged in vertically-spaced segments, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12150303B2. Автор: Byeung Chul Kim,Shyam Surthi,Richard J. Hill,Purnima Narayanan,Francois H. Fabreguette. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Clamp elements for phase change memory arrays

Номер патента: US09520554B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210280597A1. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20220367501A1. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11437389B2. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11805651B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-31.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20220336494A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Integrated assemblies, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12004351B2. Автор: Christopher Larsen,George Matamis,Damir Fazil,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Albert Fayrushin,Rokibul ISLAM,Arun Kumar Dhayalan,Joel D. PETERSON,S. M. Istiaque Hossain. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210375911A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US20240057335A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Layout of a memory cell of an integrated circuit

Номер патента: US20200320174A1. Автор: Amira Rozenfeld,Rolf Sautter,Shankar Kalyanasundaram,Rajesh Veerabhadraiah,Ananth Nag Raja Darla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220180926A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

MTJ memory array subgrouping method and related drive circuitry

Номер патента: US09997564B2. Автор: Daniel R. Shepard. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of fabricating memory array having divided apart bit lines and partially divided bit line selector switches

Номер патента: US09887240B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naoki Takeguchi,Teruyuki Mine,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Resistive volatile/non-volatile floating electrode logic/memory cell

Номер патента: US09792985B2. Автор: Tong Liu,Marius Orlowski,Yuhong Kang,Mohini Verma. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method and circuit for controlling programming current in a non-volatile memory array

Номер патента: US09666243B2. Автор: Alexandre Levisse. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of operating memory array having divided apart bit lines and partially divided bit line selector switches

Номер патента: US09608043B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naoki Takeguchi,Teruyuki Mine,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory array comprising a ferroelectric data storage element

Номер патента: US20240112731A1. Автор: Chia-Ching Lin,Sou-Chi Chang,Uygar Avci,Sarah ATANASOV,Bernal Granados Alpizar,Saima Siddiqui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Transformed non-reprogrammable memory array devices and methods of manufacture

Номер патента: US10755777B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-08-25.

Spike current suppression in a memory array

Номер патента: US20220319592A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Quick pass write programming techniques in a memory device

Номер патента: US20230307072A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-28.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09881973B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Three-dimensional memory array incorporating serial chain diode stack

Номер патента: US6631085B2. Автор: Bendik Kleveland,Roy E. Scheuerlein,Thomas H. Lee,Mark G. Johnson,N. Johan Knall. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Programmable and convertible non-volatile memory array

Номер патента: US5732021A. Автор: Michael C. Smayling,Giovanni Santin,Giulio Marotta,Pietro Piersimoni,Cristina Lattaro. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-24.

Methods and apparatus for pattern matching having memory cell pairs coupled in series and coupled in parallel

Номер патента: US10622072B2. Автор: Vishal Sarin,Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-14.

Methods and apparatus for pattern matching in a memory containing sets of memory elements

Номер патента: US10984864B2. Автор: Vishal Sarin,Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory Cell of Static Random Access Memory Based on DICE Structure

Номер патента: US20180174648A1. Автор: LIANG Chen,Li Liu,Jingqiu Wang. Владелец: Institute of Automation of Chinese Academy of Science. Дата публикации: 2018-06-21.

High-density EEPROM arrays having parallel-connected common-floating-gate NFET and PFET as memory cell

Номер патента: US09947677B1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory devices and programming memory arrays thereof

Номер патента: US09437304B2. Автор: Haitao Liu,Krishna Parat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Reference-voltage-generators within integrated assemblies

Номер патента: US11646073B2. Автор: Yasuo Satoh,Takamasa Suzuki,Yuan He,Hyunui LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280594A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210375903A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Device architecture and process for improved vertical memory arrays

Номер патента: US20040245569A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Felber,Juergen Lindolf,Bernhard Kowalski,Valentin Rosskopf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11925016B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Nonvolatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20160104535A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Three-dimensional hexagonal matrix memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2238622A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-10-13.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377652A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230386575A1. Автор: Adam W. Saxler,John D. Hopkins,Collin Howder,Haoyu Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Clamp elements for phase change memory arrays

Номер патента: US20180123039A1. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Microelectronic devices having a memory array region and a control logic region

Номер патента: US20230092320A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory array having air gaps

Номер патента: US20230337441A1. Автор: Enrico Varesi,Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Resistive random-access memory array with reduced switching resistance variability

Номер патента: US20190371857A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using heterostructured cathodes

Номер патента: US20170229464A1. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using buried metal cathode lines

Номер патента: US20170229465A1. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Microelectronic devices having a memory array region, a control logic region, and signal routing structures

Номер патента: US12068272B2. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Supercapacitors and integrated assemblies containing supercapacitors

Номер патента: US12119176B2. Автор: Pankaj Sharma,Sidhartha Gupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using heterostructured cathodes

Номер патента: US09899390B2. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US09865332B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using buried metal cathode lines

Номер патента: US09812454B2. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory array staircase structure

Номер патента: US12148505B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar

Номер патента: US09455266B2. Автор: Theodore T. Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Top-interconnection metal lines for a memory array device and methods for forming the same

Номер патента: US20230329123A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20210242226A1. Автор: Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device, memory cell including connecting structure having base portion and pillar portion, and method of forming the same

Номер патента: US12120968B2. Автор: Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated assemblies having thicker semiconductor material along one region of a conductive structure than along another region, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US10756111B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Integrated Assemblies Comprising Memory Cells and Shielding Material Between the Memory Cells, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20200295008A1. Автор: Yusuke Yamamoto,Sanh D. Tang,Christopher J. KAWAMURA,Mitsunari Sukekawa,Hiroaki Taketani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US09559104B2. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Sense Amplifier Circuitry and Threshold Voltage Compensation

Номер патента: US20240290376A1. Автор: Yuan He,Shinichi Miyatake,Hiroki Fujisawa,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including a cutting region having a height greater than a height of a channel structure

Номер патента: US11791287B2. Автор: Geun Won Lim,Jong Woo Shin,Ji Sung CHEON,Seok Cheon Baek,Bong Hyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Номер патента: EP2593966A2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

3-dimensional NOR memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US12052867B2. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Crossbar resistive memory array with highly conductive copper/copper alloy electrodes and silver/silver alloys electrodes

Номер патента: US20180287061A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Marwan H. Khater. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

3-dimensional nor memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US20240357817A1. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for the allocation of addresses in the memory cells of a rechargeable energy accumulator

Номер патента: US20090207680A1. Автор: Joachim Froeschl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2009-08-20.

Memory cell of charge-trapping non-volatile memory

Номер патента: US20230240075A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Tsung-Mu Lai,Chun-Hsiao Li,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for the allocation of addresses in the memory cells of a rechargeable energy accumulator

Номер патента: US7821226B2. Автор: Joachim Froeschl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2010-10-26.

Minimizing disturbs in dense non volatile memory arrays

Номер патента: US09490261B2. Автор: Boaz Eitan,Amichai GIVANT,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190198509A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057441A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated Assemblies Having One or More Modifying Substances Distributed Within Semiconductor Material, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210175249A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Purnima Narayanan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Integrated assemblies having one or more modifying substances distributed within semiconductor material, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12144176B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Purnima Narayanan. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Block architecture for vertical memory array

Номер патента: US09691820B2. Автор: Jun Sumino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated assemblies, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11744076B2. Автор: Lifang Xu,Aaron R. Wilson,Vinayak Shamanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated Assemblies, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210249433A1. Автор: Lifang Xu,Aaron R. Wilson,Vinayak Shamanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Buried metal signal rail for memory arrays

Номер патента: WO2024051689A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kohji Hosokawa,Nicholas Anthony Lanzillo,Geoffrey Burr,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated Assemblies Which Include Carbon-Doped Oxide, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190348419A1. Автор: Sanh D. Tang,Silvia Borsari,Sau Ha Cheung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Access line formation for a memory array

Номер патента: US12082424B2. Автор: Andrea Redaelli,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated Assemblies Having Structures Along a First Pitch Coupled with Structures Along a Second Pitch Different from the First Pitch, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190304908A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Integrated Assemblies Having Structures Along a First Pitch Coupled with Structures Along a Second Pitch Different from the First Pitch, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190067192A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Integrated Assemblies and Methods Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20230178586A1. Автор: Che-Chi Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240363540A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12057400B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11864387B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory Arrays and Methods Used in Forming a Memory Array Comprising Strings of Memory Cells

Номер патента: US20240081067A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory arrays

Номер патента: US09881971B2. Автор: Tony M. Lindenberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit memory devices having dummy memory cells therein for inhibiting memory failures

Номер патента: US5867434A. Автор: Sang-Seok Kang,Jin-Seok Lee,Chang-hag Oh,Jeon-hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-02-02.

array of vertically extending strings of memory cells and method of forming a memory array

Номер патента: CN110574161A. Автор: R·J·希尔,古尔特杰·S·桑胡,J·A·斯迈思. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-13.

Memory cell isolation

Номер патента: US20230389331A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device

Номер патента: US11812670B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device

Номер патента: US20210336126A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20220037399A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device

Номер патента: US20230078730A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

MEMORY CELL STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING A MEMORY, AND MEMORY APPARATUS

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Higo Yutaka,Hosomi Masanori,Yokoyama Takashi,Umebayashi Taku,Sukegawa Shunichi. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

MEMORY CELL STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING A MEMORY, AND MEMORY APPARATUS

Номер патента: US20180226571A1. Автор: Higo Yutaka,Hosomi Masanori,Yokoyama Takashi,Umebayashi Taku,Sukegawa Shunichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

MEMORY CELL STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING A MEMORY, AND MEMORY APPARATUS

Номер патента: US20160260774A1. Автор: Higo Yutaka,Hosomi Masanori,Yokoyama Takashi,Umebayashi Taku,Sukegawa Shunichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Integrated planar transistors and memory cell array architectures

Номер патента: US20230197571A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Microelectronic devices including control logic circuitry overlying memory arrays, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240071473A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods Of Forming Memory Cells

Номер патента: US20110147826A1. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Scalable split gate memory cell array

Номер патента: US09685339B2. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Ronald J. Syzdek. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated Memory, Integrated Assemblies, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20180269283A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220005819A1. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Arrays of elevationally-extending strings of memory cells and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09985049B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12041779B2. Автор: Kunal Shrotri,Shyam Surthi,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12082416B2. Автор: Byeung Chul Kim,Shyam Surthi,Gianpietro Carnevale,Davide Resnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated Assemblies, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210376083A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated assemblies, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: WO2021247181A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-09.

Integrated assemblies, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11923415B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrated assemblies having metal-containing liners along bottoms of trenches, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12063782B2. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jordan D. GREENLEE,Justin D. Shepherdson. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12096633B2. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230207631A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory array and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022103538A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11737278B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: EP4010923A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated Circuitry, A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells, A Method Used In Forming A Conductive Via, A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203791A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071931A1. Автор: Rita J. Klein,Yongjun Jeff Hu,Daniel Billingsley,Tom George,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4385295A1. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Polymer electrolyte membrane and membrane-electrode assembly comprising same

Номер патента: US20230253594A1. Автор: Donghoon Lee,Junghwa PARK,Eunsu LEE,Hyesong LEE. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-08-10.

Integrated assemblies comprising stud-type capacitors

Номер патента: US10600788B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Matthew N. Rocklein,Brett W. Busch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Integrated Assemblies Comprising Stud-Type Capacitors

Номер патента: US20190027477A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Matthew N. Rocklein,Brett W. Busch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Integrated Assemblies Having Bitline Contacts, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20200043934A1. Автор: Tsuyoshi Tomoyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Memory device having a diagonally opposite gate pair per memory cell

Номер патента: US12004338B2. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12029032B2. Автор: Kunal R. Parekh,Justin B. Dorhout,David Daycock,Chet E. Carter,Martin C. Roberts,Mohd Kamran Akhtar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device having a diagonally opposite gate pair per memory cell

Номер патента: US20240324175A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240315018A1. Автор: Kunal R. Parekh,Justin B. Dorhout,David Daycock,Chet E. Carter,Martin C. Roberts,Mohd Kamran Akhtar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Doped metal-insulator-metal (mim) capacitor of a memory array

Номер патента: US20230290812A1. Автор: Travis LAJOIE,André BARAN,Yixiong Zheng,Yu-Che Chiu,Alexandra De Denko,Christine RADLINGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320091A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jeffrey Ehorn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated assemblies

Номер патента: US09853037B2. Автор: Kunal R. Parekh,Justin B. Dorhout,David Daycock,Chet E. Carter,Martin C. Roberts,Mohd Kamran Akhtar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated Assemblies Having Body Contact Regions Proximate Transistor Body Regions; and Methods Utilizing Bowl Etches During Fabrication of Integrated Assemblies

Номер патента: US20200185390A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A4. Автор: Albert S Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: WO2005104243A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-11-03.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20230118763A1. Автор: David H. Wells,Paolo Tessariol,Aaron R. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Integrated Memory, Integrated Assemblies, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200381290A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated memory, integrated assemblies, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2018128758A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-07-12.

Integrated circuitry, memory arrays comprising strings of memory cells, methods used in forming integrated circuitry, and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12087632B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Corey Staller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Three dimensional memory arrays and stitching thereof

Номер патента: US09627438B1. Автор: Bing K. Yen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory arrays

Номер патента: US09614007B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09461246B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of forming memory cells in an array

Номер патента: US7378311B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-27.

Semiconductor memory cell

Номер патента: EP1280209A3. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-05-12.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory cells and arrays

Номер патента: US09484536B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200051849A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for forming pcm and rram 3-d memory cells

Номер патента: US20170133435A1. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2020209944A1. Автор: George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON,Kunal R. PAREK. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12089403B2. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200328222A1. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays and methods of forming memory cells

Номер патента: US09893277B2. Автор: John K. Zahurak,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09837472B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming memory arrays

Номер патента: US09673393B2. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09570516B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated Assemblies Which Include Stacked Memory Decks, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20200350333A1. Автор: Liu Liu,Minsoo Lee,David Daycock,Jordan D. GREENLEE,Benben Li,Rithu K. Bhonsle,Giovanni Mazzone,Narula Bilik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Integrated Assemblies Which Include Stacked Memory Decks, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20200135751A1. Автор: Liu Liu,Minsoo Lee,David Daycock,Jordan D. GREENLEE,Benben Li,Rithu K. Bhonsle,Giovanni Mazzone,Narula Bilik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Integrated assemblies which include stacked memory decks, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11569258B2. Автор: Liu Liu,Minsoo Lee,David Daycock,Jordan D. GREENLEE,Benben Li,Rithu K. Bhonsle,Giovanni Mazzone,Narula Bilik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Vertical jfet as used for selective component in a memory array

Номер патента: WO2006029280A1. Автор: Michael A. Vanbuskirk,Colin S. Bill. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-16.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210358940A1. Автор: Yiping Wang,Yongjun Jeff Hu,Haoyu Li,Matthew J. King,Andrew Li,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240064982A1. Автор: Yiping Wang,Yongjun Jeff Hu,Haoyu Li,Matthew J. King,Andrew Li,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20230104297A1. Автор: Yiping Wang,Yongjun Jeff Hu,Haoyu Li,Matthew J. King,Andrew Li,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130193403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Integrated Assemblies Having Dielectric Regions Along Conductive Structures, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190378843A1. Автор: Silvia Borsari,Mohd Kamran Akhtar,Alex J. Schrinsky,Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12063783B2. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated assemblies having dielectric regions along conductive structures, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US10700073B2. Автор: Silvia Borsari,Mohd Kamran Akhtar,Alex J. Schrinsky,Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-30.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230345723A1. Автор: Yiping Wang,Adam W. Saxler,Narula Bilik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320092A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20170148852A1. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240244840A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated assemblies having voids along regions of gates, and methods of forming conductive structures

Номер патента: US11456299B2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Integrated Assemblies Having Voids Along Regions of Gates, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20210202489A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated Assemblies Having Voids Along Regions of Gates, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20210265356A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor memory device with electrode connecting to circuit chip through memory array chip

Номер патента: US09558945B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays

Номер патента: US8674336B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Apparatuses and methods for repairing defective memory cells based on a specified error rate for certain memory cells

Номер патента: WO2020263583A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jeremy Chritz,David Hulton,Tamara Schmitz,Kevin Majerus. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-30.

Apparatuses and methods for repairing defective memory cells based on a specified error rate for certain memory cells

Номер патента: US11984186B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jeremy Chritz,David Hulton,Tamara Schmitz,Kevin Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatuses and methods for use in selecting or isolating memory cells

Номер патента: EP2973573A1. Автор: Marco Riva,Augusto Benvenuti,Luca Laurin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Apparatuses and methods for use in selecting or isolating memory cells

Номер патента: WO2014149569A1. Автор: Marco Riva,Augusto Benvenuti,Luca Laurin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

NAND based NMOS NOR flash memory cell, a NAND based NMOS NOR flash memory array, and a method of forming a NAND based NMOS flash memory array

Номер патента: US20120044770A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-23.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Magnetic josephson junction driven flux-biased superconductor memory cell and methods

Номер патента: EP3811362A1. Автор: Thomas F. Ambrose,James M. Murduck. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-04-28.

Magnetic josephson junction driven flux-biased superconductor memory cell and methods

Номер патента: WO2019245790A1. Автор: Thomas F. Ambrose,James M. Murduck. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-12-26.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory cell and methods for processing a memory capacitor

Номер патента: WO2024022788A1. Автор: Tony SCHENK,Stefan Ferdinand Müller,Alireza KASHIR. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-02-01.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, spin orbit torque magnetic random access memory array, and method for calculating hamming distance

Номер патента: US20230280978A1. Автор: LING Li,Ming Liu,Feng Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US20190259451A1. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US10685706B2. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-16.

Memory cell, a method for forming a memory cell, and a method for operating a memory cell

Номер патента: US20130208527A1. Автор: Christian Peters,Jan Otterstedt,Robert Wiesner,Mihail Jefremow,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-15.

Electrode-separator integrated assemblies and lithium-metal electrochemical cells using such assemblies

Номер патента: US20240234831A9. Автор: Alun Thomas. Владелец: Cuberg Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Electrode-separator integrated assemblies and lithium-metal electrochemical cells using such assemblies

Номер патента: US20240136599A1. Автор: Alun Thomas. Владелец: Cuberg Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Flash memory cell and method of forming a flash memory array

Номер патента: TWI264089B. Автор: Everett B Lee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-10-11.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US20240345728A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20240276736A1. Автор: Daniele Vimercati,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: WO2007092536A2. Автор: Aaron Yip. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-16.

Integrated Assemblies Which Include Stacked Memory Decks, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240008275A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Damir Fazil,Purnima Narayanan,Jivaan Kishore Jhothiraman,Nirup Bandaru,Justin Dorhout. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated assemblies which include stacked memory decks, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12010850B2. Автор: Justin B. Dorhout,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Damir Fazil,Purnima Narayanan,Jivaan Kishore Jhothiraman,Nirup Bandaru. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US12035543B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: WO2019209441A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US20240292632A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Control circuitry for memory cells

Номер патента: US20120314508A1. Автор: Luca Milani,Rainer Herberholz,Justin Penfold,Kwangseok Han. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11864380B2. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated assemblies which include stacked memory decks

Номер патента: US11744072B2. Автор: Justin B. Dorhout,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Damir Fazil,Purnima Narayanan,Jivaan Kishore Jhothiraman,Nirup Bandaru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory block select using multiple word lines to address a single memory cell row

Номер патента: WO1998014950A1. Автор: John Christian Holst,Dennis Lee Wendell. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-04-09.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20240345744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus containing memory array structures having multiple sub-blocks

Номер патента: US12112805B2. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional memory array and operation scheme

Номер патента: US20140160836A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: WO2022126065A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-16.

State-by-state program loop delta detection mode for detecting a defective memory array

Номер патента: US11775374B2. Автор: QIN Zhen,Liang Li,Chenxiao Xu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Creating segmented source plates for sub-block definition in a memory device

Номер патента: US20240315028A1. Автор: Matthew King,Aaron S. Yip,Paolo Tessariol,Giovanni Mazzone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: US20100061155A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: US7903464B2. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Memory cell, memory using the memory cell, memory cell manufacturing method, and memory recording/reading method

Номер патента: US7436697B2. Автор: Motoyoshi Murakami,Yasuhiro Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20240305759A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US11915740B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Deck selection layouts in a memory device

Номер патента: US20230292527A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory cell including multi-level sensing

Номер патента: US20190043570A1. Автор: Bruce Querbach,Christopher CONNOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Analog neural memory array in artificial neural network with substantially constant array source impedance with adaptive weight mapping and distributed power

Номер патента: EP4407874A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09691475B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

NROM memory cell, memory array, related devices and methods

Номер патента: US7269071B2. Автор: Leonard Forbes,Kirk D. Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-11.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: US11984161B2. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Ferroelectric memory arrays with low permittivity dielectric barriers

Номер патента: US20230397428A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Hybrid superconducting-magnetic memory cell and array

Номер патента: US20130303379A1. Автор: John F. Bulzacchelli,William J. Gallagher,Mark B. Ketchen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Memory array structures having multiple sub-blocks, apparatus containing such memory array structures, and operation of such apparatus

Номер патента: EP4397151A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008275A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory array with multiplexed digit lines

Номер патента: EP3953934A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-16.

Devices and methods for preventing errors and detecting faults within a memory device

Номер патента: US11769567B2. Автор: Jehoda Refaeli,Glenn Charles Abeln,Jorge Arturo Corso Sarmiento. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory array with multiplexed digit lines

Номер патента: US20240242758A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Nonvolatile memory array organization and usage

Номер патента: WO2005112035A3. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh,Ki-tae Park,Tomoko Ogura. Владелец: Tomoko Ogura. Дата публикации: 2006-12-07.

Nonvolatile memory array organization and usage

Номер патента: WO2005112035A2. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh,Ki-tae Park,Tomoko Ogura. Владелец: HALO LSI, INC.. Дата публикации: 2005-11-24.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20070115723A1. Автор: Yin Chen,Chih Yeh,Chun SU,Ming Chin,Tzung Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Multiple transistor architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12119056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

NAND memory arrays and methods

Номер патента: US7276414B2. Автор: Garo Derderian,Todd R. Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: WO2024044377A1. Автор: June Lee,Tomoko Ogura Iwasaki,Luyen Vu,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-02-29.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US11917833B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US11930643B2. Автор: Daniele Vimercati,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Redundant array of independent NAND for a three-dimensional memory array

Номер патента: US11797383B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Peter Feeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Sivagnanam Parthasarathy,Renato C. Padilla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Neural memory array storing synapsis weights in differential cell pairs

Номер патента: US11908513B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Capacitive pillar architecture for a memory array

Номер патента: US11729999B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Compact non-volatile memory array with reduced disturb

Номер патента: WO2006093683A1. Автор: Alexander B. Hoefler. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for managing a fail bit line of a memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US09984770B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240381638A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Physically unclonable fuse using a NOR type memory array

Номер патента: US09436845B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Subramanian S. Iyer,Toshiaki Kirihata,Sami Rosenblatt,Derek H. Leu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Flash memory array and decoding architecture

Номер патента: US5856942A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Aplus Integrated Circuits Inc. Дата публикации: 1999-01-05.

NAND memory arrays

Номер патента: US20070063262A1. Автор: Garo Derderian,Todd Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: US20070183202A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-08-09.

Integrated Assemblies, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20230284451A1. Автор: Gordon A. Haller,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: WO2022216455A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-13.

Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same

Номер патента: WO2004061863A3. Автор: En-Hsing Chen,Roy E Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Igor Kouznetsov,Andrew J Walker,Christopher Petti,Luca G Fasoli,Sucheta Nallamothu. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US20230307039A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US12062392B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Architecture of a phase-change nonvolatile memory array

Номер патента: US6816404B2. Автор: Osama Khouri,Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer,Giorgio Bosisio. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

An image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: EP3803778A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20210144350A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20190379871A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Performing xnor equivalent operations by adjusting column thresholds of a compute-in-memory array

Номер патента: EP4028956A1. Автор: Max Welling,Edward Teague,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

Method for fabricating an array of ultra-small pores for chalcogenide memory cells

Номер патента: US6104038A. Автор: Raymond A. Turi,Fernando N. M. Gonzalez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-15.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US12041790B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20230180486A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Top electrode for a memory device and methods of making such a memory device

Номер патента: US11785860B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Robotic mower with integrated assemblies

Номер патента: US12109900B2. Автор: Bui Van Cuong,Xian Zhuang,Jie Gao,Jin Cao,Zhiyuan Li,Stefan Strandberg,Huage Wang,Wanghao LI,Zhigao PU,Yupu ZHOU. Владелец: Globe Jiangsu Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210406176A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210294741A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory array voltage source controller for retention and write assist

Номер патента: US20140169075A1. Автор: Ajay Bhatia,Hang HUANG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Apparatuses and methods of reading memory cells based on response to a test pulse

Номер патента: US09672908B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220051724A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220351782A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Apparatus and methods for managing data storage among groups of memory cells of multiple reliability ranks

Номер патента: US20200167087A1. Автор: Carla L. Christensen,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Mixed-use memory array and method for use therewith

Номер патента: WO2008016419A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2008-05-22.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US20240312534A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory array partitioned into memory blocks and sub-blocks and method of addressing

Номер патента: US6026021A. Автор: Loc B. Hoang. Владелец: Winbond Electronics Corp America. Дата публикации: 2000-02-15.

Method for modifying data more than once in a multi-level cell memory location within a memory array

Номер патента: US20130311715A1. Автор: Michael M. Abraham. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Boost-by-deck during a program operation on a memory device

Номер патента: US20240339163A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Shyam Sunder Raghunathan,Leo Raimondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Enhanced gradient seeding scheme during a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US11901010B2. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Vinh Q. Diep. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Enhanced gradient seeding scheme during a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US20240120010A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Vinh Q. Diep. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

On chip voltage regulator for common collection matrix programmable memory array

Номер патента: US5193073A. Автор: Rohit L. Bhuva. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-03-09.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US20230352111A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Systems and methods for controlling power assertion in a memory device

Номер патента: US11915789B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Systems and methods for controlling power assertion in a memory device

Номер патента: US11386942B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Systems and Methods for Controlling Power Assertion In a Memory Device

Номер патента: US20240153545A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Systems and Methods for Controlling Power Assertion In a Memory Device

Номер патента: US20220068330A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method and apparatus with memory array programming

Номер патента: US11990187B2. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Seungchul Jung,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Method and apparatus with memory array programing

Номер патента: US20230170026A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Seungchul Jung,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US12014788B2. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Systems-On-Chips Including Programmed Memory Cells and Programmable and Erasable Memory Cells

Номер патента: US20060250844A1. Автор: Byeong-Hoon Lee,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Method and apparatus for sensing the state of floating gate memory cells by applying a variable gate voltage

Номер патента: US5508958A. Автор: Albert Fazio,Gregory E. Atwood,Mark E. Bauer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Method and apparatus of reducing leakage power in multiple port sram memory cell

Номер патента: EP2761621A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Michael ThaiThanh Phan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-06.

Trapped charge memory cell

Номер патента: US3618053A. Автор: James R Hudson,John G Gregory. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Method for modifying data more than once in a multi-level cell memory location within a memory array

Номер патента: US20120206966A1. Автор: Michael M. Abraham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-16.

Sensing techniques for a memory cell

Номер патента: US20210020221A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Iterative memory cell charging based on reference cell value

Номер патента: WO2007134301A2. Автор: Michael J. Cornwell,Christopher P. Dudte. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: US20210287744A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: EP4059019A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: WO2021096685A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Power reduction for a sensing operation of a memory cell

Номер патента: US09990977B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20200090727A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20180358077A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130272077A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Memory cell with stability switch for stable read operation and improved write operation

Номер патента: US20060171188A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Alternating application of pulses on two sides of a cell

Номер патента: US20040190341A1. Автор: Assaf Shappir. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Memory array reset read operation

Номер патента: US12119051B2. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US09792973B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: CA2341706A1. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-23.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: WO2000016338A9. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2000-08-17.

Memory cell arrangement supporting bit-serial arithmetic

Номер патента: US4970690A. Автор: David Sherman. Владелец: Atari Games Corp. Дата публикации: 1990-11-13.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: WO2021138016A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Segmented reference trimming for memory arrays

Номер патента: US20200066335A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US11989228B2. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Shanky K. Jain,William A. Melton,Richard K Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: EP4085462A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Method for extracting substrate coupling coefficient of a flash memory

Номер патента: US6292393B1. Автор: Chih-Mu Huang,Chuan-Jane Chao,Chi-Hung Kao,Jung-Yu Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-18.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20220130470A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Reprogrammable non-volatile ferroelectric latch for use with a memory controller

Номер патента: US09858979B1. Автор: Charles L. Ingalls,Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for Erasing a Flash Memory Cell or an Array of Such Cells Having Improved Erase Coupling Ratio

Номер патента: US20100157687A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Prateep Tuntasood,Jonathan Pabustan,Ben Sheen,Geeng-Chuan Michael Chern,Yaw Wen Hu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Circuit for parallel programming nonvolatile memory cells, with adjustable programming speed

Номер патента: US6163483A. Автор: Roberto Canegallo,Pier Luigi Rolandi,Marco Pasotti,Giovanni Guaitini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-12-19.

Memory array reset read operation

Номер патента: US11423976B2. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Memory array reset read operation

Номер патента: WO2019046050A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Electronic device and method of operating memory cell in the electronic device

Номер патента: US20210110871A1. Автор: Tae Hoon Kim,Hye Jung Choi,Beom Seok Lee,Woo Tae Lee,Sang Hyun Ban,Hwan Jun Zang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Memory array reset read operation

Номер патента: US20190066771A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory array reset read operation

Номер патента: US20200365201A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory array reset read operation

Номер патента: US20220383949A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Apparatuses and methods for determining stability of a memory cell

Номер патента: US20130094276A1. Автор: Alessandro Torsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Sensing techniques for a memory cell

Номер патента: US20210233578A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130077415A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Apparatuses including memory cells and methods of operation of same

Номер патента: EP4456070A2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Memory cell that can store data nonvolatily using a ferroelectric capacitor, and a semiconductor memory device including such a memory cell

Номер патента: US5751627A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US11682464B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Unipolar programming of memory cells

Номер патента: US20240029796A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impala'. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US20230274784A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: EP3430626A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-23.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: WO2017161103A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-09-21.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20230395114A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20240096390A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: US11908506B2. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: EP3984033A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: US20200395056A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: WO2020251754A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-17.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US11862221B2. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US20190259451A1. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Static ram memory cell

Номер патента: CA1160742A. Автор: David N. Larson. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1984-01-17.

Memory device circuit and method for concurrently addressing columns of multiple banks of a multi-bank memory array

Номер патента: EP0737981A2. Автор: Michael C. Parris,H. Kent Stalnaker. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-10-16.

Memory device circuit and method for concurrently addressing columns of multiple banks of a multi-bank memory array

Номер патента: EP0737981A3. Автор: Michael C Parris,H Kent Stalnaker. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-07-30.

Memory device circuit and method of simultaneous addressing of multi-bank columns of a multi-bank memory array

Номер патента: KR100386442B1. Автор: 시. 파리스 미카엘,켄트 스탈네이커 에이치.. Владелец: 모셀 바이텔릭 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2003-08-14.

Memory system changing a memory cell read voltage upon detecting a memory cell read error

Номер патента: US9524786B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Apparatus for use in reading a memory cell, and method for reading a memory cell

Номер патента: DE102005025149B4. Автор: Edvin 81373 Paparisto,Stephan 84034 Rogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for identifying memory cells storing replacement data on a memory device

Номер патента: US6820185B2. Автор: Christopher S. Moore,Roger W. March,Daniel T. Brown. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-16.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12041787B2. Автор: Lei Wan,Jordan Katine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11765902B2. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: WO2022046368A1. Автор: David H. Wells,Paolo Tessariol,Aaron R. Wilson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11889691B2. Автор: XIAO Li,Dong Wang,Rui Zhang,Xiao Zeng,Shuangqiang Luo,Pei Qiong CHEUNG,Da Xing. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240049468A1. Автор: XIAO Li,Dong Wang,Rui Zhang,Xiao Zeng,Shuangqiang Luo,Pei Qiong CHEUNG,Da Xing. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: WO2022203765A1. Автор: XIAO Li,Dong Wang,Rui Zhang,Xiao Zeng,Shuangqiang Luo,Pei Qiong CHEUNG,Da Xing. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-29.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Integrated assembly for switching optical signals

Номер патента: EP2959649A1. Автор: James A. Hess. Владелец: Xtera Communications Inc. Дата публикации: 2015-12-30.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240357818A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12004356B2. Автор: Lei Wan,Jordan Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12004357B2. Автор: Lei Wan,Chu-Chen Fu,Jordan Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Integrated Assemblies, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240224524A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated assemblies, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11963359B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240251555A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240251554A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated assemblies which include metal-containing interconnects to active-region pillars, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: WO2020117337A1. Автор: Arzum F. Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240315035A1. Автор: James Lattin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20240381646A1. Автор: Byeung Chul Kim,Shyam Surthi,Gianpietro Carnevale,Davide Resnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Process for forming an electrically programmable read-only memory cell

Номер патента: US5382540A. Автор: Hisao Kawasaki,Umesh Sharma. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-01-17.

Segmented non-volatile memory array having multiple sources

Номер патента: US5945717A. Автор: Christophe J. Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US20240114686A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023033948A1. Автор: John D. Hopkins,Haoyu Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Self-aligned process to fabricate a memory cell array with a surrounding-gate access transistor

Номер патента: US20130200330A1. Автор: Chung H. Lam,Matthew J. BrightSky,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Wear leveling of a memory array

Номер патента: US09857986B2. Автор: Roman A. Pletka,Jason Ma,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Ioannis Koltsidas,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Lincoln T. Simmons. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Extending useful life of a non-volatile memory by health grading

Номер патента: US09558107B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Thomas Parnell,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

CYCLING ENDURANCE EXTENDING FOR MEMORY CELLS OF A NON-VOLATILE MEMORY ARRAY

Номер патента: US20140047302A1. Автор: GUO XIN,Ruby Paul D.,Pangal Kiran,WAKCHAURE Yogesh B.,Kumar Ravi J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

Method and Apparatus for Memory Array Access

Номер патента: US20140281291A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Andrew C. Russell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-09-18.

Wear leveling of a memory array

Номер патента: US20180121094A1. Автор: Roman A. Pletka,Jason Ma,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Ioannis Koltsidas,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Lincoln T. Simmons. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Efficient readout from memory cells using data compression

Номер патента: US09671972B2. Автор: Ofir Shalvi,Dotan Sokolov,Oren Golov,Uri Perlmutter. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Efficient readout from analog memory cells using data compression

Номер патента: US20090228761A1. Автор: Ofir Shalvi,Dotan Sokolov,Oren Golov,Uri Perlmutter. Владелец: ANOBIT TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

PERFORMING XNOR EQUIVALENT OPERATIONS BY ADJUSTING COLUMN THRESHOLDS OF A COMPUTE-IN-MEMORY ARRAY

Номер патента: US20210073619A1. Автор: Wang Zhongze,WELLING Max,TEAGUE Edward. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Compute in memory (cim) memory array

Номер патента: US20240347101A1. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: EP3580759A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-18.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180366175A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180226116A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20210104270A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: WO2018148064A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2018-08-16.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20200035286A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US11127450B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

System and method for identification of faulty or weak memory cells under simulated extreme operating conditions

Номер патента: WO2002103706A2. Автор: Dhrumil Gandhi,Mark Templeton. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

System, apparatus and method for simultaneous read and precharge of a memory

Номер патента: EP3570286A3. Автор: KAUSHIK Vaidyanathan,Tanay Karnik,Sreenivas Subramoney,Anant Nori,Lavanya Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-26.

Pre-boosting scheme during a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US11183245B1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US11749359B2. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Digital signaling processing for three dimensional flash memory arrays

Номер патента: US09536612B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of dynamically selecting memory cell capacity

Номер патента: US09437254B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20230012644A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20190295642A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160012888A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: EP3167451A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Techniques to mitigate error during a read operation to a memory array

Номер патента: US20210304817A1. Автор: Kiran Pangal,Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20180268899A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160254050A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US09990989B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Apparatus, system and method to sense a logic state of a memory cell in a three-dimensional memory device

Номер патента: US12062410B2. Автор: Balaji Srinivasan,Ashraf B. Islam,Nicolas L. IRIZARRY,Yasir Mohsin Husain,Jaydip Bharatkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Method and circuit for programming non-volatile memory cells of a volatile/non-volatile memory array

Номер патента: US09640257B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods and systems for improving read and write of memory cells

Номер патента: US12027230B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20070025169A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Circuits and Methods for Efficient Execution of A Read or A Write Operation

Номер патента: US20140355358A1. Автор: Jungyong Lee,Tsunghsun Hsieh,Chienan Lai. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Reference-Voltage-Generators Within Integrated Assemblies

Номер патента: US20220301610A1. Автор: Yasuo Satoh,Takamasa Suzuki,Yuan He,Hyunui LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Systems and methods for driving a control gate with a select gate signal in a split-gate nonvolatile memory cell

Номер патента: US09449703B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Techniques for multi-level chalcogenide memory cell programming

Номер патента: US12033695B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Bit Set Modes for a Resistive Sense Memory Cell Array

Номер патента: US20120033482A1. Автор: Daniel S. Reed,Hai Li,Yong Lu,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Rod V. Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Circuit and method for reading a memory cell of a non-volatile memory device

Номер патента: US09865356B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-09.

Error correction in a memory device

Номер патента: US09575835B2. Автор: Frederick A. Ware,Thomas Vogelsang,Wayne F. Ellis,Ian P. Shaeffer,Suresh N. Rajan. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory module with failed memory cell repair function and method thereof

Номер патента: US20090129182A1. Автор: Chun Shiah,Ho-Yin Chen,Tzu Jen Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

Electronic device including a nonvolatile memory array and methods of using the same

Номер патента: WO2008124269A1. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Thomas Jew,Ronald J. Syzdek. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-10-16.

Memory array with multiple read ports

Номер патента: US20050135179A1. Автор: Juergen Pille,Martin Eckert,Dieter Wendel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183440A1. Автор: Hongmei Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Ganged single level cell verify in a memory device

Номер патента: US12073895B2. Автор: Eric N. Lee,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: EP4078590A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US12131779B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US09978429B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09875815B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09767924B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Ganged single level cell verify in a memory device

Номер патента: US20240379178A1. Автор: Eric N. Lee,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

System for implementing write, initialization, and reset in a memory array using a single cell write port

Номер патента: US5802003A. Автор: Frank Ray Keyser, III,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Memory array utilizing multi-state memory cells

Номер патента: WO1996025742A1. Автор: Manzur Gill. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1996-08-22.

Compute in memory (CIM) memory array

Номер патента: US11996137B2. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Electrical fuse memory arrays

Номер патента: US20120057423A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Po-Hung Chen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: EP4413570A1. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Corrective read with partial block offset in a memory device

Номер патента: US20240312529A1. Автор: Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee,Waing Pyie Soe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods for providing redundancy in a memory array comprising mapping portions of data associated with a defective address

Номер патента: US09779839B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Luigi Pilolli,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory array plane select

Номер патента: US09543003B2. Автор: Jong Won Lee,Gianpaolo Spadini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Non-volatile memory array architecture

Номер патента: US5801994A. Автор: Guy S. Yuen,Shang-De Ted Chang,Chinh D. Nguyen. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Device, system, and method to verify data programming of a multi-level cell memory

Номер патента: EP3866167A1. Автор: Xiang Yang,Shantanu Rajwade,Tarek Ameen Beshari,Arun THATHACHARY,Narayanan RAMANAN,Matin Amani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-18.

Neural processing core, method of programming a synaptic memory array thereof and method of performing neural network inference thereon

Номер патента: WO2023059265A1. Автор: Pengfei Sun,Wenyu Jiang,Piew Yoong Chee. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2023-04-13.

Device, system, and method to verify data programming of a multi-level cell memory based on one of temperature, pressure, wear condition or relative position of the memory cell

Номер патента: US20210257036A1. Автор: Xiang Yang,Shantanu Rajwade,Arun THATHACHARY,Narayanan RAMANAN,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI,Matin Amani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Systems and methods to test a memory device

Номер патента: US20200118639A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Johnathan Tsung-Yung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

High-speed programmable ROM, memory cell structure therefor, and method for writing data on/reading data from the programmable ROM

Номер патента: US20050122760A1. Автор: Young-Keun Lee,Yong-jae Choo,Young-sook Do,Joong-Eon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US09653127B1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09443566B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Out-of-order programming of first wordline in a physical unit of a memory device

Номер патента: US20230418742A1. Автор: Deping He,Ching-Huang Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Current references for memory cells

Номер патента: US11942151B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Counter-based methods and systems for accessing memory cells

Номер патента: US11880571B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory test circuit, memory array, and testing method of memory array

Номер патента: US20240079080A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Differential storage in memory arrays

Номер патента: US20240127877A1. Автор: Marcello Mariani,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Angelo Visconti,Alessandro Calderoni,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Current references for memory cells

Номер патента: US20230335191A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory array, and method for reading, programming and erasing memory array

Номер патента: US20180061502A1. Автор: Yao Zhou,Hao Ni,Tian Shen TANG,Jia Xu PENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Read techniques to reduce read errors in a memory device

Номер патента: US11972806B2. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory array with multiplexed select lines

Номер патента: US20210304804A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US11735244B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Single-Port Read Multiple-Port Write Storage Device Using Single-Port Memory Cells

Номер патента: US20140177324A1. Автор: Sheng Liu,Ting Zhou. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Memory array test method and system

Номер патента: US11715546B2. Автор: Chien-Hao Huang,Chung-Te Lin,Cheng-Yi Wu,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Apparatus and methods for determining memory cell data states

Номер патента: US20230274786A1. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A2. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2005-03-17.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Spatial Correlation of Reference Cells in Resistive Memory Array

Номер патента: US20100110761A1. Автор: Xiaobin Wang,Hai Li,Henry Huang,Yiran Chen,Wenzhong Zhu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Merged bit lines for high density memory array

Номер патента: US20240249785A1. Автор: Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatuses and methods including circuits in gap regions of a memory array

Номер патента: US20240177744A1. Автор: Hirokazu Ato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Distributed write driver for memory array

Номер патента: US20240170051A1. Автор: Mohit Gupta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A3. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2006-06-08.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US20240321350A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20240354027A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus for determining memory cell data states

Номер патента: US12112819B2. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Data shift by elements of a vector in memory

Номер патента: US09928887B2. Автор: Sanjay Tiwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Data shift by elements of a vector in memory

Номер патента: US09741399B2. Автор: Sanjay Tiwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US09715929B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Apparatuses including cross point memory arrays and biasing schemes

Номер патента: US09361979B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Sense flags in a memory device

Номер патента: US20180373451A1. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20220199184A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Access line having a resistive layer for memory cell access

Номер патента: US11862215B2. Автор: Chandrasekhar MANDALAPU,Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan,Sateesh Talasila. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US20230148359A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Simultaneous reading from and writing to different memory cells

Номер патента: EP1609153A1. Автор: Kim Le Phan. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-28.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Systems and methods to test a memory device

Номер патента: US20190096502A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Johnathan Tsung-Yung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US10726888B2. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

Managing data disturbance in a memory with asymmetric disturbance effects

Номер патента: US11087859B2. Автор: Justin Eno,Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-10.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20160104527A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20140208054A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Testing memory cells

Номер патента: US20190066813A1. Автор: Martin Perner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190267095A1. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US20240274180A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for driving memory cells of a dynamic semiconductor memory and circuit configuration

Номер патента: US20030103376A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Sommer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20240290389A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Gate drive voltage boost schemes for memory array ii

Номер патента: EP2467853A1. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Devices, methods, and systems for calibrating a read voltage used for reading memory cells

Номер патента: US20240265959A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Strategic memory cell reliability management

Номер патента: US12112057B2. Автор: Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for operating memory array

Номер патента: US09978457B1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09978449B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory array driver

Номер патента: US09972385B2. Автор: Brent Buchanan,Phillip David Misek. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-15.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US09875792B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US09812183B2. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US09779819B1. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory cell programming utilizing conditional enabling of memory cells

Номер патента: US09767909B1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Devices including memory arrays, row decoder circuitries and column decoder circuitries

Номер патента: US09711224B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09691481B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory device of a single-ended bitline structure including reference voltage generator

Номер патента: US09524772B2. Автор: Woong Choi,Taejoong Song,Jongsun Park,Woojin Rim,Gyuhong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09466365B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Apparatuses and methods for identifying an extremum value stored in an array of memory cells

Номер патента: US09449675B2. Автор: Kyle B. Wheeler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Prioritizing refreshes in a memory device

Номер патента: US09418722B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Joab D. Henderson,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: US09411392B2. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US09406373B2. Автор: Bing Wang,Young Suk Kim,Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG,Derek C. Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Sensing memory cells coupled to different access lines in different blocks of memory cells

Номер патента: US09373404B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Concurrent compensation in a memory system

Номер патента: US20220406358A1. Автор: Hiroshi Akamatsu,Kenji Yoshida,WonJun CHOI,Jacob Rice. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Circuit and method for performing test on memory array cells using external sense amplifier reference current

Номер патента: US6052321A. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Test method of semiconductor memory device and semiconductor memory system transferring fail address data from a volatile to a non-volatile memory array using an error-correction code engine

Номер патента: US9747998B2. Автор: Sua Kim,Sung Hyun Lee,Hak-soo Yu,Jun Hee Yoo,Chulwoo PARK,Jaeyoun Youn,Hyojin Choi,Dongsoo Kang,Jinsu JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Sectored flash memory comprising means for controlling and for refreshing memory cells

Номер патента: US6965526B2. Автор: Bruno Leconte,Sebastien Zink,Paola Cavaleri. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-11-15.

Quasi-static MOS memory array with standby operation

Номер патента: US4120047A. Автор: Andrew G. Varadi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-10-10.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US11769539B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method, system, and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20070153575A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US20220051735A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Method, system and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20080180999A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US20230040099A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US11935604B2. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: WO2022035986A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory cell with temperature modulated read voltage

Номер патента: US20220230680A1. Автор: Chao-I Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor

Номер патента: EP1579479A2. Автор: David Fong,Jack Zezhong Peng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-28.

Pass voltage adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203513A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Sensing time adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203504A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A2. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-12.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A3. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-07.

Adaptive body bias management for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116974A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US11776633B2. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US20200194084A1. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Method and system for defining a redundancy window around a particular column in a memory array

Номер патента: EP1568045A1. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Sense amplifier for bidirectional sensing of memory cells of a non-volatile memory

Номер патента: US20210193230A1. Автор: Seungpil Lee,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for erasing a memory cell

Номер патента: US20040047198A1. Автор: Eli Lusky,Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Control of voltages during erase and re-program operations of memory cells

Номер патента: US7289368B2. Автор: Nicola Del Gatto,Umberto Di Vincenzo,Carlo Lisi,Paolo Turbanti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-10-30.

Circuit and method for controlling write timing of a non-volatile memory

Номер патента: US20130121058A1. Автор: Chih-He Lin,Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pi-Feng Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-05-16.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Methods of driving a memory

Номер патента: US9105339B2. Автор: Jun-Jin Kong,Moshe Twitto. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-11.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Storage device and method for modifying memory cells of a storage device

Номер патента: US12079507B2. Автор: Steffen Sonnekalb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Control of voltages during erase and re-program operations of memory cells

Номер патента: US20060171213A1. Автор: Nicola Del Gatto,Umberto Di Vincenzo,Carlo Lisi,Paolo Turbanti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-08-03.

Structures and methods for enhancing erase uniformity in a nitride read-only memory array

Номер патента: US20070211540A1. Автор: Han Chen,Ken Chen,Chun HUNG,Ching Chung Lin,Wen Hsieh,Nai Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Single ended two-stage memory cell

Номер патента: US20020167846A1. Автор: Spencer Gold,Julie Staraitis. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Fast and efficient verify recovery and array discharge for 3d nand memory arrays

Номер патента: US20240071532A1. Автор: Rohit S. Shenoy,Shantanu R. Rajwade,Sagar UPADHYAY,Golnaz Karbasian,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Generation of quick pass write biases in a memory device

Номер патента: US20240304251A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Devices, methods, and systems for calibrating a sensing capacitor used in a sensing circuit for reading memory cells

Номер патента: US20240312507A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Low resistance bitline and sourceline apparatus for improving read and write operations of a nonvolatile memory

Номер патента: US09865322B2. Автор: Yih Wang,Cyrille Dray,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Managing semiconductor memory array leakage current

Номер патента: US09792967B1. Автор: Tobias Werner,John D. Davis,Paul A. Bunce,Yuen H. Chan,Silke Penth,David E. Schmitt,Brian J. Yavoich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Managing semiconductor memory array leakage current

Номер патента: US09761289B1. Автор: Tobias Werner,John D. Davis,Paul A. Bunce,Yuen H. Chan,Silke Penth,David E. Schmitt,Brian J. Yavoich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods and apparatuses having a voltage generator with an adjustable voltage drop for representing a voltage drop of a memory cell and/or a current mirror circuit and replica circuit

Номер патента: US09728256B2. Автор: Umberto Di Vincenzo,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and apparatus for treatment of state confidence data retrieved from a non-volatile memory array

Номер патента: US09582357B2. Автор: Sungho Park,Aliasgar S. Madraswala,Wayne D. Tran,Matthew Goldman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Low resistance bitline and sourceline apparatus for improving read and write operations of a nonvolatile memory

Номер патента: US09478273B2. Автор: Yih Wang,Cyrille Dray,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for programming selected memory cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device thereof

Номер патента: US09378822B2. Автор: Chung-Shan Kuo. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory systems and methods of managing failed memory cells of semiconductor memories

Номер патента: US09330791B2. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Techniques to mitigate error during a read operation to a memory array

Номер патента: US11145366B1. Автор: Kiran Pangal,Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US11901004B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method, circuit and systems for erasing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: WO2005094178A3. Автор: Boaz Eitan,Assaf Shappir,Ilan Bloom. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Magnetic cache for a memory device

Номер патента: US11948617B2. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Variable resistance memory device having equal resistances between signal paths regardless of location of memory cells within the memory array

Номер патента: US20130215665A1. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Integrated assemblies

Номер патента: US11935583B2. Автор: Yuan He,Beau D. Barry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

Detrapping electrons to prevent quick charge loss during program verify operations in a memory device

Номер патента: US11967387B2. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Vinh Q. Diep. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US20230326525A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Techniques for multi-level memory cell programming

Номер патента: US20230360699A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Programming method of memory array

Номер патента: US9437303B1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Test method for self-refresh frequency of memory array and memory array test device

Номер патента: US20220270704A1. Автор: Tianchen LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Concurrent compensation in a memory system

Номер патента: US11967356B2. Автор: Hiroshi Akamatsu,Kenji Yoshida,WonJun CHOI,Jacob Rice. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Magnetic cache for a memory device

Номер патента: US20220180912A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080019202A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080037346A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Integrated Assemblies

Номер патента: US20240161812A1. Автор: Yuan He,Beau D. Barry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Bitline voltage adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203502A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Program verify level adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203503A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for selecting memory cells within a memory array

Номер патента: US20040141393A1. Автор: James Eaton,Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

Systems and methods for sub-zero threshold characterization in a memory cell

Номер патента: US20160379718A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Bias temperature instability correction in memory arrays

Номер патента: WO2023027903A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Temperature dependent programming techniques in a memory device

Номер патента: US12046306B2. Автор: Ravi Kumar,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Increase of a sense current in memory

Номер патента: US20220108746A1. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: EP4128239A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: EP4150620A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: WO2021230905A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-11-18.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Compensating for off-current in a memory

Номер патента: US8861274B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-10-14.

Two-bit non-volatile flash memory array

Номер патента: US20110002166A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Capacitive sensing with a micro pump in a memory device

Номер патента: US20240257842A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Yoshihiko Kamata,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Content addressable memory cell and content addressable memory

Номер патента: US20160300614A1. Автор: Noboru Sakimura,Ryusuke Nebashi,Tadahiko Sugibayshi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Concurrent slow-fast memory cell programming

Номер патента: US20230307055A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: US20080056015A1. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Using non-segregated cells as drain-side select gates for sub-blocks in a memory device

Номер патента: US12080351B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A3. Автор: Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US20210391024A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US20220189565A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A8. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Johnny Chan. Дата публикации: 2009-02-26.

Method for programming an array of resistive memory cells

Номер патента: US12087360B2. Автор: Gabriel Molas,Guiseppe Piccolboni,Amir REGEV,Alessandro BRICALLI. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory array structures and methods for determination of resistive characteristics of access lines

Номер патента: EP4082014A1. Автор: Jun Xu,Dan Xu,Paolo Tessariol,Erwin E. Yu,Tomoka Ogura IWASAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and device for reading a memory

Номер патента: US09875811B2. Автор: Chun Hsiung Hung,Nai-Ping Kuo,Yi Chun Liu,Shih Chou Juan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09837142B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09805823B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Systems and methods for sub-zero threshold characterization in a memory cell

Номер патента: US09711233B2. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

System and method for adaptive memory layers in a memory device

Номер патента: US09632705B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Programming and/or erasing a memory device in response to its program and/or erase history

Номер патента: US09613706B2. Автор: June Lee,Fred Jaffin, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

System and method to store data in an adjustably partitionable memory array

Номер патента: US09558114B2. Автор: Wolfgang Beck,Thomas Liebermann,Rex Kho,Michael Hassel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Method and system for managing a writing cycle of a data in a EEPROM memory cell

Номер патента: US09455034B1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory array, memory device, and methods for reading and operating the same

Номер патента: US09418763B2. Автор: Chen-Yi Huang,Jiaqi Yang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Two-device memory cell with single floating capacitor

Номер патента: US4103342A. Автор: Ekkehard Fritz Miersch,Dominic Patrick Spampinato. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-07-25.

Write once/read only semiconductor memory array

Номер патента: US3668655A. Автор: Charles A Allen. Владелец: Cogar Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Memory array with multiple read ports

Номер патента: US7092310B2. Автор: Juergen Pille,Martin Eckert,Dieter Wendel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-15.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US11900990B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: US20240071505A1. Автор: June Lee,Tomoko Ogura Iwasaki,Luyen Vu,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and Methods for Controlling Power Management Operations in a Memory Device

Номер патента: US20230386537A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: EP3635721A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20210050046A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20190122718A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20180358072A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Single plate configuration and memory array operation

Номер патента: US20230206977A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Modifiable repair solutions for a memory array

Номер патента: US20210407615A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Jonathan D. Harms,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: WO2018226478A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Fast parity scan of memory arrays

Номер патента: US7565597B1. Автор: Kee W. Park,Kenneth Branth. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Systems and methods for controlling power management operations in a memory device

Номер патента: US11763863B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20220215868A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Deck-level shunting in a memory device

Номер патента: US11978493B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory Device Having Variable Impedance Memory Cells and Time-To-Transition Sensing of Data Stored Therein

Номер патента: US20240127884A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&D 3 LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Non-volatile memory array

Номер патента: WO2005101422A3. Автор: Kyu Hyun Choi,Sheau-Suey Li. Владелец: O2IC Inc. Дата публикации: 2006-08-17.

Rewritable memory device with multi-level, write-once memory cells

Номер патента: EP2517209A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-10-31.

Programming and erasing methods for a reference cell of an NROM array

Номер патента: US20040027871A1. Автор: Boaz Eitan,Eduardo Maayan,Ilan Bloom. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2004-02-12.

Content-addressable memory having six-transistor content-addressable memory cells

Номер патента: US10885981B2. Автор: Hsin-Wen Chen,Zih-Yu Chiu,Yen-Yao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Programming and erasing methods for a reference cell of an NROM array

Номер патента: EP1225596B1. Автор: Boaz Eitan,Eduardo Maayan,Ilan Bloom. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-02-14.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20220199155A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20230290414A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Precharging scheme for reading a memory cell

Номер патента: US20040037137A1. Автор: Keith Wong,Michael Chung,Pau-Ling Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

All level coarse/fine programming of memory cells

Номер патента: US20230317171A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Content addressable memory array with an invalidate feature

Номер патента: US20100002484A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Reduced standby power memory array and method

Номер патента: US20020080676A1. Автор: David Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Content-Addressable Memory having Six-Transistor Content-Addressable Memory Cells

Номер патента: US20200234765A1. Автор: Hsin-Wen Chen,Zih-Yu Chiu,Yen-Yao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for replacing defective memory cells in data processing apparatus

Номер патента: US20030061532A1. Автор: Wolfgang Ruf,Alexander Benedix,Reinhard Dueregger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-27.

Dram memory cells reconfigured to provide bulk capacitance

Номер патента: WO2014008584A1. Автор: Yonghua Liu,James Kosolowski. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-01-16.

Refreshing the content of a memory cell of a memory arrangement

Номер патента: US20080068913A1. Автор: Christian Sichert,Paul Wallner. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-03-20.

Loop dependent bit line and read biases in a memory device

Номер патента: US20240304262A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Refreshing the content of a memory cell of a memory arrangement

Номер патента: US7733732B2. Автор: Christian Sichert,Paul Wallner. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-06-08.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: US20240312516A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Shared decoder architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240321349A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Variable programming voltage step size control during programming of a memory device

Номер патента: US12125537B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Bo Lei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Resistance changing memory cell architecture

Номер патента: US20120051115A1. Автор: Masao Taguchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-03-01.

Systems and methods for managing read voltages in a cross-point memory array

Номер патента: US09842639B1. Автор: Bruce Bateman,Frank Guo. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory devices for reading memory cells of different memory planes

Номер патента: US09779826B1. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Testing for threshold voltage and bit cell current of non-volatile memory arrays

Номер патента: US09691501B2. Автор: Daniel Robert Burggraf, III,Nelson Kei Leung,Trevor John Tarsi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Modular cell for a memory array, the modular cell including a memory circuit and a read circuit

Номер патента: US09502110B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Novel flash memory array and decoding architecture

Номер патента: WO1998056002A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Tsao Hsing Ya. Дата публикации: 1998-12-10.

Multi-port cell of operating memory device

Номер патента: RU2665248C1. Автор: Роман Александрович Федоров,Наталья Иосифовна Малашевич. Владелец: федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр". Дата публикации: 2018-08-28.

Insulated gate field effect transistor memory array

Номер патента: US3609712A. Автор: Robert H Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-09-28.

Device and method for repairing a memory array by storing each bit in multiple memory cells in the array

Номер патента: US6122213A. Автор: Michael A. Shore. Владелец: BOISE IDAHO. Дата публикации: 2000-09-19.

Device and method for repairing a memory array by storing each bit in multiple memory cells in the array

Номер патента: US6023432A. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Creating dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: US20240071430A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20190311757A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Fast program recovery with reduced programing disturbance in a memory device

Номер патента: US20240028253A1. Автор: Shuji Tanaka,Masashi Yoshida,Shinji Sato,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Aman Gupta,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: WO2021126540A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20180151206A1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US9905280B2. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20170221536A1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Memory array and method of operating one of a plurality of memory cells

Номер патента: US20110019473A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Low voltage low capacitance flash memory array

Номер патента: US20080080247A1. Автор: Shang-De Chang. Владелец: Chingis Technology Corp USA. Дата публикации: 2008-04-03.

Counter-based methods and systems for accessing memory cells

Номер патента: US20240134533A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Level shifting in all levels programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: WO2022204608A1. Автор: Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-29.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US20230317165A1. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Temperature compensation for memory cells in an analog neural memory system used in a deep learning neural network

Номер патента: US20200350015A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183421A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of refreshing memory array, driving circuit and display

Номер патента: US20150116306A1. Автор: Tsun-Sen Lin,Chung-Hsin Su. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-04-30.

Circuit and method for refreshing data stored in a memory cell

Номер патента: US20010036117A1. Автор: Patrick Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Three-state spintronic device, memory cell, memory array and read-write circuit

Номер патента: US20240071451A1. Автор: LING Li,Cheng Lu,Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING,Peiwen ZHANG,Zuheng WU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array for compute-in-memory and the operating method thereof

Номер патента: US20240153552A1. Автор: Wei-Zen Chen,Li-Kai Chen,Shyh-Jye Jou,Tian-sheuan Chang,Shu-Hung Kuo,Shih-Hang Kao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-05-09.

Adaptive erase scheme for a memory device

Номер патента: US20240257881A1. Автор: Huiwen Xu,Bo Lei. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory arrays, memory devices and methods of reading memory cells

Номер патента: US20100259990A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US20230267987A1. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US20230289062A1. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Systems and methods for writing zeros to a memory array

Номер патента: WO2019118009A1. Автор: David R. Brown,Harish N. Venkata,Gary L. Howe,Byung S. Moon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-06-20.

Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple partitions of a non-volatile memory

Номер патента: US11768603B2. Автор: RAJESH Sundaram,Daniel Chu,Raymond W. Zeng,Owen W. Jungroth,Shekoufeh Qawami,DerChang Kau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory unit with multi-bit input local computing cell for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, memory array structure with multi-bit input local computing cell for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US11507275B2. Автор: Meng-Fan Chang,Pei-Jung Lu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-11-22.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2007-08-02.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: EP1864291B1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-13.

Compact integrated circuit with memory array

Номер патента: US20030099146A1. Автор: Chin-Hsi Lin,Ful-Long Ni,Chun-Li Chen,Meng-Chu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Voltage generator for memory array

Номер патента: US20100246282A1. Автор: Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US20050169089A1. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-08-04.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US12094516B2. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Address verification at a memory system

Номер патента: US12124738B2. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US12131028B2. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Handling repaired memory array elements in a memory of a computer system

Номер патента: US09965346B2. Автор: Charles A. Kilmer,David D. Cadigan,Adam J. McPadden,Anil B. Lingambudi,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09842661B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09697913B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Programming memory cells

Номер патента: US09543001B1. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Independently addressable memory array address spaces

Номер патента: US09530475B2. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Voltage biasing for magnetic ram with magnetic tunnel memory cells

Номер патента: US5991193A. Автор: William Joseph Gallagher,Roy Edwin Scheuerlein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Method of and apparatus for sharing redundancy circuits between memory arrays within a semiconductor memory device

Номер патента: US6208569B1. Автор: Vipul Patel,Daniel F. McLaughlin,Terry T. Tsai. Владелец: GENESIS SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Non-volatile memory array partitioning architecture and method to utilize single level cells and multi-level cells within the same memory

Номер патента: US20090113115A1. Автор: Hagop Nazarian,Ali Pourkeramati. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Memory array with a simultaneous read or simultaneous write ports

Номер патента: US6104663A. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Device and method having a memory array storing each bit in multiple memory cells

Номер патента: US7558102B2. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-07.

Concurrent compensation in a memory system

Номер патента: US11942171B2. Автор: Harish V. Gadamsetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20200335147A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Cell bottom node reset in a memory array

Номер патента: US20190051343A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Assembly comprising a nut and a retaining system for said nut, mounting system comprising at least one such nut and the retaining system therefor

Номер патента: US20240218900A1. Автор: Gérard Millet,Vincent Delpy,Simon Foucart-Gaudy,Marc-Antoine Brocard. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2024-07-04.

Assembly comprising a door leaf and hinges, and a shower stall

Номер патента: CA2484925C. Автор: Zoltan Anton Kiefer. Владелец: Naomi Rechte GmbH. Дата публикации: 2012-01-10.

Assembly comprising a self-propelled projectile and its case

Номер патента: GB1329489A. Автор: . Владелец: Sarmac SA. Дата публикации: 1973-09-12.

ASSEMBLY COMPRISING AT LEAST TWO TRANSVERSALLY ASSEMBLED BOARDS AND END-TO-END WITH AT LEAST ONE ASSEMBLY ROD AND ITS APPLICATION TO THE MANUFACTURE OF A DOOR OR WINDOW HOUSING

Номер патента: FR2996611A1. Автор: Bernard Proot,Jacques Desmet. Владелец: Findes. Дата публикации: 2014-04-11.

Method and device for determining the frequency distribution of the signal levels of a measured signal measured in overlapping observation intervals

Номер патента: US8380453B2. Автор: Kurt Schmidt. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-02-19.

Method and device for determining the frequency distribution of the signal levels of a measured signal measured in overlapping observation intervals

Номер патента: US20100305894A1. Автор: Kurt Schmidt. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-12-02.

Vertically hybridly integrated assembly having an interposer for stress-decoupling of a MEMS structure, and method for its manufacture

Номер патента: US09499398B2. Автор: Florian Grabmaier. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-11-22.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Reading To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20120039109A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Srinivasan Bhaskar. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Reading To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20130001498A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Номер патента: RU2507611C1. Автор: Роман Александрович Федоров,Наталья Иосифовна Малашевич. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр "МИЭТ". Дата публикации: 2014-02-20.

Standby shut-off modular main line valve for integrated assembly, high pressures and temperatures

Номер патента: RU2347124C1. Автор: Павел Григорьевич Редько,Анатолий Васильевич Амбарников,Константин Викторович Нахамкес,Адольф Сергеевич Чугунов,Александр Борисович Тихонов. Владелец: Открытое акционерное общество "Павловский машиностроительный завод ВОСХОД" (ОАО "ПМЗ ВОСХОД"). Дата публикации: 2009-02-20.

Cell of nonvolatile electrically programmable memory

Номер патента: RU2436190C1. Автор: Виктор Матвеевич Мордвинцев,Сергей Евгеньевич Кудрявцев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН (ФТИАН). Дата публикации: 2011-12-10.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты