Method and structure for fabricating solar cells using a layer transfer process
Номер патента: WO2007118121A2
Опубликовано: 18-10-2007
Автор(ы): Francois J. Henley
Принадлежит: Silicon Genesis Corporation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-10-2007
Автор(ы): Francois J. Henley
Принадлежит: Silicon Genesis Corporation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method and apparatus for breaking semiconductor substrate, method for breaking solar cell and method for fabrication of solar cell module
Номер патента: EP1939948A3. Автор: Hiroyuki Kannou. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-17.