Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

메모리 셀 및 메모리 셀의 동작 방법

Номер патента: KR20220030125A
Опубликовано: 10-03-2022
Автор(ы): 한재현
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

MEMORY CELLS, METHODS OF FORMING MEMORY CELLS, AND METHODS OF FORMING PROGRAMMED MEMORY CELLS& xA;

Номер патента: EP2257980A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Memory cells, methods of forming memory cells, and methods of forming programmed memory cells

Номер патента: WO2009099732A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-08-13.

Methods Of Forming Programmed Memory Cells

Номер патента: US20120212999A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Resistive memory cell programmed by metal alloy formation and method of operating thereof

Номер патента: US20190172532A1. Автор: Takuya Futase. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-06.

Resistive memory devices and methods of operating resistive memory devices

Номер патента: US20210020236A1. Автор: Jinyoung Kim,Jongmin Baek,Junho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Method of forming a memory cell array circuit

Номер патента: US11922108B2. Автор: Yu-Der Chih,Chi-Hsiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: US20210351234A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: WO2021225783A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Apparatus and methods for forming a memory cell using charge monitoring

Номер патента: US20150124517A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Brent Keeth,Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Memory cells, integrated devices, and methods of forming memory cells

Номер патента: US09570677B2. Автор: Ugo Russo,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Simone LAVIZZARI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US09911489B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11672130B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210151506A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory cells, methods of forming memory cells, and methods of forming programmed memory cells

Номер патента: TW200941782A. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Memory Cells

Номер патента: US20110095256A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US10783961B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-22.

RESISTIVE MEMORY CELL PROGRAMMED BY METAL ALLOY FORMATION AND METHOD OF OPERATING THEREOF

Номер патента: US20190172532A1. Автор: FUTASE TAKUYA. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Writing To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20140104932A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of writing to and reading from a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: US8634224B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-21.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of reading to and writing from a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: TWI490860B. Автор: Bhaskar Srinivasan,Gurtej S Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of reading to and writing a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: SG188200A1. Автор: Bhaskar Srinivasan,Gurtej S Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-30.

METHOD FOR FORMING NON-VOLATILE MEMORY CELL, NON-VOLATILE MEMORY CELL FORMED ACCORDING TO SAID METHOD AND MICROELECTRONIC DEVICE COMPRISING SUCH MEMORY CELLS

Номер патента: US20180277760A1. Автор: WACQUEZ Romain,COIGNUS Jean,KRAKOVINSKY Alexis,BOCQUET Marc,DELLA MARCA Vincenzo,PORTAL Jean-Michel. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

METHOD FOR FORMING A NON-VOLATILE MEMORY CELL, NON-VOLATILE MEMORY CELL FORMED ACCORDING TO THIS METHOD AND MICROELECTRONIC DEVICE COMPRISING SUCH MEMORY CELLS

Номер патента: FR3064395A1. Автор: Romain Wacquez,Jean Coignus,Jean-Michel PORTAL,Alexis KRAKOVINSKY,Marc BOCQUET,Vincenzo DELLA MARCA. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2018-09-28.

PROCESS FOR FORMING A NON-VOLATILE MEMORY CELL, NON-VOLATILE MEMORY CELL SHAPED ACCORDING TO THIS PROCESS AND MICROELECTRONIC DEVICE INCLUDING SUCH MEMORY CELLS

Номер патента: FR3064395B1. Автор: Romain Wacquez,Jean Coignus,Jean-Michel PORTAL,Alexis KRAKOVINSKY,Marc BOCQUET,Marca Vincenzo Della. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2021-12-10.

Resistive memory and operating method for performing a forming operation thereof

Номер патента: US09824733B2. Автор: Frederick Chen,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

Vertical 1t-1r memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2015069524A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230394214A1. Автор: Yu-Der Chih,Chi-Hsiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Cross-Point Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods of Reading a Memory Cell, Methods of Programming a Memory Cell, Methods of Writing to and Reading from a Memory Cell, and Computer Systems

Номер патента: US20150085565A1. Автор: Meade Roy E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

Cross-Point Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods of Reading a Memory Cell, Methods of Programming a Memory Cell, Methods of Writing to and Reading from a Memory Cell, and Computer Systems

Номер патента: US20180082730A1. Автор: Meade Roy E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-03-22.

Cross-Point Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods of Reading a Memory Cell, Methods of Programming a Memory Cell, Methods of Writing to and Reading from a Memory Cell, and Computer Systems

Номер патента: US20190311760A1. Автор: Meade Roy E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-10.

Cross-Point Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods of Reading a Memory Cell, Methods of Programming a Memory Cell, Methods of Writing to and Reading from a Memory Cell, and Computer Systems

Номер патента: US20160358641A1. Автор: Meade Roy E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-12-08.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US8902639B2. Автор: Roy E Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-02.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US9830970B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10360967B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US9419215B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-08-16.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: TW201203243A. Автор: Roy E Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-16.

Memory cell in wafer backside

Номер патента: US20230187314A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kohji Hosokawa,Nicholas Anthony Lanzillo,Geoffrey Burr,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US11763857B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

A memory cell that includes a sidewall collar for pillar isolation and methods of forming the same

Номер патента: EP2532028A1. Автор: Brad S. Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-12-12.

Memory cell that includes a sidewall collar for pillar isolation and methods of forming the same

Номер патента: US20130234104A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-09-12.

Vertical nonvolatile memory device including memory cell string

Номер патента: EP3852144A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-21.

Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: US20130320287A1. Автор: S. Brad Herner,April D. Schricker,Mark H. Clark. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-12-05.

Phase-change memory cell

Номер патента: US12114580B2. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-10-08.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20230389450A1. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of making nonvolatile memory cell containing carbon resistivity switching as a storage element by low temperature processing

Номер патента: WO2009126493A1. Автор: Er-Xuan Ping,Alper Ilkbahar,Tammy Kumar. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-10-15.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11948631B2. Автор: Kwang Jin Lee,Yong Jun Lee,Mu Hui Park,Tae Hui Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Differential subthreshold read of memory cell pair in a memory device

Номер патента: US20230377646A1. Автор: Umberto Di Vincenzo,Michele Maria Venturini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Bipolar memory cells, memory devices including the same and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20110220860A1. Автор: Chang-Jung Kim,Chang-Bum Lee,Young-Bae Kim,Ji-hyun Hur,Dong-Soo Lee,Man Chang,Seung-Ryul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-15.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20230269926A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Multi-level memory arrays with memory cells that employ bipolar storage elements and methods of forming the same

Номер патента: TW201232544A. Автор: ANDREI Mihnea,Yung-Tin Chen,Luca Fasoli,Roy E Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-08-01.

Programmable metallization memory cell with planarized silver electrode

Номер патента: US20120142169A1. Автор: Yang Dong,WEI Tian,DeXin Wang,Ming Sun,Dimitar V. Dimitrov,Venugopalan Vaithyanathan,Muralikrishnan Balakrishnan,Ivan Petrov Ivanov. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

Method of making nonvolatile memory cell containing carbon resistivity switching as a storage element by low temperature processing

Номер патента: TW201003910A. Автор: Er-Xuan Ping,Tanmay Kumar,Alper Ilkbahar. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-01-16.

Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: US20090001343A1. Автор: Michael W. Konevecki,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-01-01.

System and method of sensing a memory cell

Номер патента: EP2973575A2. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-01-20.

System and method of sensing a memory cell

Номер патента: WO2014150791A2. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2014-09-25.

Memory operating method for increasing cell capacity based on resistance characteristic of memory and associated memory device

Номер патента: US09627054B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of programming a phase change memory and phase change memory device

Номер патента: US09472271B2. Автор: Quentin Hubert,Carine Jahan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-18.

Operations on memory cells

Номер патента: EP3718110A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-07.

Operations on memory cells

Номер патента: US20210005263A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Nonvolatile memory apparatus, write method of the nonvolatile memory apparatus, and system using the nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20200321043A1. Автор: Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US20240005989A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US11804265B2. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Systems and methods for memory cell accesses

Номер патента: US20220246209A1. Автор: Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Systems and methods for memory cell accesses

Номер патента: US11948634B2. Автор: Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Performing refresh operations on memory cells

Номер патента: US11942139B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Lingming Yang,John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Systems and techniques for accessing multiple memory cells concurrently

Номер патента: US20240013833A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Conditional drift cancellation operations in programming memory cells to store data

Номер патента: US11430518B1. Автор: Hongmei Wang,Nevil N. Gajera,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

Conditional Drift Cancellation Operations in Programming Memory Cells to Store Data

Номер патента: US20220415394A1. Автор: Hongmei Wang,Nevil N. Gajera,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Programming intermediate state to store data in self-selecting memory cells

Номер патента: EP4348649A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Lingming Yang,Yen Chun LEE,Jessica Chen,Francesco Douglas Verna-Ketel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

System and method for extending lifetime of memory device

Номер патента: US20240249792A1. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Dawei Heh,Yung-Huei Lee,Wen Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US20240312534A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Techniques for parallel memory cell access

Номер патента: US20240304244A1. Автор: Andrea Martinelli,Maurizio Rizzi,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: WO2021138016A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US11989228B2. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Shanky K. Jain,William A. Melton,Richard K Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: EP4085462A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US11783902B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Techniques for parallel memory cell access

Номер патента: US11948638B2. Автор: Andrea Martinelli,Maurizio Rizzi,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Resistive memory storage apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20210335421A1. Автор: Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Resistive memory storage apparatus and operating method thereof

Номер патента: EP3901953A1. Автор: Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-27.

Neuromorphic computing device and method of designing the same

Номер патента: US20220366976A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US09691477B2. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US20160240252A1. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Sensing memory cells using array control lines

Номер патента: US20190371380A1. Автор: James Hart,Tz-yi Liu,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee,Yadhu Vamshi Vancha. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Apparatus to store data and methods to read memory cells

Номер патента: US09431103B2. Автор: Siamak Tavallaei. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20130250652A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US09911495B2. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-06.

Neuromorphic computing device and method of designing the same

Номер патента: US11881260B2. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Three-state programming of memory cells

Номер патента: US11869588B2. Автор: Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Hernan A Castro,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-state programming of memory cells

Номер патента: US20240120006A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Circuit and method for programming resistive memory cells

Номер патента: EP3776554A1. Автор: Philip Wong,Elisa Vianello,Subhasish Mitra,Etienne Nowak,Binh Quang Le,Fan Tony WU. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-02-17.

Synapse memory cell driver

Номер патента: US20190228295A1. Автор: Takeo Yasuda,Masatoshi Ishii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US20160351260A1. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-12-01.

Reusing sneak current in accessing memory cells

Номер патента: US20170243642A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Erik Ordentlich,Yoocharn Jeon. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-08-24.

Reading memory cells

Номер патента: EP1225587A3. Автор: Josh N. Hogan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-04-23.

Reading memory cells

Номер патента: EP1225587A2. Автор: Josh N. Hogan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-07-24.

An integrated circuit having a memory cell array and a method of reading a memory cell state using a plurality of sub-read operations

Номер патента: DE102008005338A1. Автор: Detlev Richter,Roberto Ravasio,Girolamo Gallo,Gert Köbernik,Mirko Reissmann,Ramirez Xavier Veredas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-30.

Remapping memory cells based on future endurance measurements

Номер патента: US09442838B2. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonvolatile memory device having variable resistance memory cells and a method of resetting by initially performing pre-read or strong set operation

Номер патента: US09552879B2. Автор: Youngbae Kim,Yongkyu Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US20240321350A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09734908B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory cell retention enhancement through erase state modification

Номер патента: US09672909B2. Автор: Santosh Murali,Jim Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Selecting reversible resistance memory cells based on initial resistance switching

Номер патента: US09837153B1. Автор: Xinde Hu,Christopher Petti,Bijesh Rajamohanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120303871A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of operating memory cell

Номер патента: US20240170059A1. Автор: Min-Hung Lee,Kuo-Yu HSIANG. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2024-05-23.

Predicting and compensating for degradation of memory cells

Номер патента: US20220319613A1. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US12009027B2. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Predicting and compensating for degradation of memory cells

Номер патента: US11823745B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Representing data using a group of multilevel memory cells

Номер патента: US09601189B2. Автор: Doe Hyun Yoon,Robert Schreiber,Naveen Muralimanohar,Jichuan Chang,Norman P. Jouppi. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-21.

Computing-in-Memory Chip and Memory Cell Array Structure

Номер патента: US20210151106A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same

Номер патента: CA2515724A1. Автор: Thomas Rueckes,Jonathan W. Ward,Brent M. Segal,Venkatachalam C. Jaiprakash. Владелец: Nantero, Inc. Дата публикации: 2004-08-26.

Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same

Номер патента: WO2004072335A3. Автор: Thomas Rueckes,Venkatachalam C Jaiprakash,Brent M Segal,Jonathan W Ward. Владелец: Jonathan W Ward. Дата публикации: 2005-05-06.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09536605B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Bo-Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method and apparatus for storing data in a reference layer in magnetoresistive memory cells

Номер патента: US09990976B1. Автор: Jon Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Systems and methods for reading bit state in arrays of memory cells

Номер патента: US20230282263A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device, operation method of the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US09842644B1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09552878B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

CAM cell, CAM device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US12068030B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20240363164A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Remapping Memory Cells Based on Future Endurance Measurements

Номер патента: US20140115296A1. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-04-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory devices, memory systems, and related operating methods

Номер патента: US09406359B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20230036141A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device and memory system capable of using redundancy memory cells

Номер патента: US11901032B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Recovery of interfacial defects in memory cells

Номер патента: US9734919B2. Автор: Mai A. Ghaly. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12020761B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09899072B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09697881B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells

Номер патента: US09460770B1. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory Cell and Method of Manufacturing a Memory Cell

Номер патента: US20130020631A1. Автор: Navab Singh,Vincent Pott. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2013-01-24.

Memory cell and method of forming the memory cell

Номер патента: US11844209B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory cell comprising first and second transistors and methods of operating

Номер патента: US09905564B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory cell with planarized carbon nanotube layer and methods of forming the same

Номер патента: WO2009088890A3. Автор: Mark Clark,Yoichiro Tanaka,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-09-17.

Memory cell and method of forming the memory cell

Номер патента: US20230380150A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Static memory cell and method of forming static memory cell

Номер патента: US6184539B1. Автор: Jeff Zhiqiang Wu,Joseph Karniewicz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-02-06.

Non-volatile associative memory cell, non-volatile associative memory device, monitoring method, and non-volatile memory cell

Номер патента: US20220037587A1. Автор: Yuji Kakinuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Methods of forming magnetic memory cells and semiconductor devices

Номер патента: US20180287053A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Methods of forming magnetic memory cells and semiconductor devices

Номер патента: US20160359105A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of forming a memory cell

Номер патента: US6159800A. Автор: Ting-Wah Wong,David K. Liu. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2000-12-12.

Memory cell comprising first and second transistors and methods of operating

Номер патента: US11974425B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory cell with planarized carbon nanotube layer and methods of forming the same

Номер патента: WO2009088890A2. Автор: Mark Clark,Yoichiro Tanaka,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-07-16.

Magnetic memory cell structure with spin device elements and method of operating the same

Номер патента: US09552860B2. Автор: Hideaki Fukuzawa. Владелец: Bluespin Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

One-time programmable memory cell and method for managing the logic state of the memory cell

Номер патента: US20240292610A1. Автор: Pascal Fornara. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory cells and memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240194264A1. Автор: Ramanathan GANDHI,Dmitry MIKULIK,Leo Lukose. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Non-volatile associative memory cell, non-volatile associative memory device, monitoring method, and non-volatile memory cell

Номер патента: US12009019B2. Автор: Yuji Kakinuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Programming method of non-volatile memory cell

Номер патента: US20240055053A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chun-Yuan Lo,Chang-Chun Lung,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20210082495A1. Автор: Yih Wang,Yen-Huei Chen,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20240290408A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Low power memory cell with high sensing margin

Номер патента: US09583167B2. Автор: Yang Hong,Tze Ho Simon Chan,Yong Wee Francis POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same

Номер патента: US09947416B2. Автор: Jae-Woo Park,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Strapping structure of memory circuit

Номер патента: US09911727B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20190172825A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Vertical memory cell and conductive shield structure

Номер патента: WO2023076261A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Richard E. Fackenthal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-04.

Circuit for enhancing robustness of sub-threshold SRAM memory cell

Номер патента: US9236115B2. Автор: Yue Feng,Yuan Chen,Jun Yang,Hong Chang,Fei Pan,Xinning Liu,Na Bai,Longxing Shi,Jiafeng Zhu,Cai Gong,Yifeng Deng,Yingcheng Xia. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-12.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180090679A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device

Номер патента: US09853211B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Storage device using wafer-to-wafer bonding and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125534B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230343404A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Gu-Huan Li,Chun-Ying LEE LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US12002528B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory cells having a common gate terminal

Номер патента: US09520447B2. Автор: Farid Nemati,Rajesh N. Gupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory cells with p-type diffusion read-only port

Номер патента: US09401200B1. Автор: Mark T. Chan,Shankar Prasad Sinha. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20210005260A1. Автор: Ji Hyun Seo,Hee Youl Lee,Han Soo Joo,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200395079A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Flash memory cell, writing method and erasing method therefor

Номер патента: US20240355396A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Pxmicro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US10388358B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US11837290B2. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190325935A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190035451A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory cell

Номер патента: WO2023111606A1. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Vincenzo DELLA MARCA,Antonino Conte,Nadia Miridi,Franck Melul. Владелец: Université D'aix Marseille. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory device with improved program performance and method of operating the same

Номер патента: US11152074B2. Автор: Sung-Min JOE,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-19.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Write assist for a memory device and methods of forming the same

Номер патента: US11830544B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Write assist for a memory device and methods of forming the same

Номер патента: US10529415B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Memory device comprising an electrically floating body transistor and methods of using

Номер патента: US12046675B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Dinesh Maheshwari. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device comprising an electrically floating body transistor and methods of using

Номер патента: US11769832B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Dinesh Maheshwari. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Electrically programmable and erasable nonvolatile semiconductor memory device and operating method therefor

Номер патента: US5898606A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya,Natsuo Ajika,Hiroshi Onoda,Atsushi Fukumoto,Makoto Ohi,Yuichi Kunori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

Magnetic memory cells and methods of formation

Номер патента: US20150137291A1. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Memory cell, pixel structure and fabrication process of memory cell

Номер патента: US20070099376A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-05-03.

NAND string utilizing floating body memory cell

Номер патента: US09704578B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory cell, memory device, and operation method of memory cell

Номер патента: US20200083236A1. Автор: Jian Shen,Wenxuan WANG,Yunning LI. Владелец: Shenzhen Weitongbo Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Apparatuses and methods for memory including ferroelectric memory cells and dielectric memory cells

Номер патента: US11901005B2. Автор: Scott J. Derner,Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20180158812A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20200111775A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Memory device, semiconductor device, and electronic device each including redundant memory cell

Номер патента: US11823733B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Fabrication process of memory cell

Номер патента: US20080108195A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-05-08.

Bi-directional read/program non-volatile floating gate memory cell and array thereof, and method of formation

Номер патента: US7151021B2. Автор: Bomy Chen,Dana Lee,Jack Frayer. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-19.

Apparatus and methods for programming memory cells

Номер патента: US20230410910A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory cell arrangement

Номер патента: US20210091097A1. Автор: Menno Mennenga. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2021-03-25.

Methods of erasing data in nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices performing the same

Номер патента: US20200411106A1. Автор: Sang-Wan Nam,Dong-Hun Kwak,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US20240233797A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: WO2020139846A8. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Cross-Point Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods of Reading a Memory Cell, Methods of Programming a Memory Cell, Methods of Writing to and Reading from a Memory Cell, and Computer Systems

Номер патента: US20130208532A1. Автор: Meade Roy E. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-08-15.

EEPROM cell and array having stacked nanosheet field effect transistors with a common floating gate

Номер патента: US11145668B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Neural network circuit comprising nonvolatile memory cells and reference-current cells

Номер патента: US11942163B2. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

One transistor and one ferroelectric capacitor memory cells in diagonal arrangements

Номер патента: US20200091162A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same

Номер патента: US20190279985A1. Автор: Pierre C. Fazan. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2019-09-12.

Methods of making flash memory cell arrays having dual control gates per memory cell charge storage element

Номер патента: TW200802735A. Автор: Eliyahou Harari,George Samachisa. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-01-01.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US11856763B2. Автор: Lifang Xu,Harsh Narendrakumar Jain,Sidhartha Gupta,Kar Wui Thong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory cell array having ferroelectric capacitors, method of fabricating the same, and ferroelectric memory device.

Номер патента: US6617627B2. Автор: Eiji Natori,Tatsuya Shimoda,Koichi Oguchi,Kazumasa Hasegawa,Takao Nishikawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Memory cells having a common gate terminal

Номер патента: US20150311254A1. Автор: Farid Nemati,Rajesh N. Gupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Spin torque transfer memory cell structures and methods

Номер патента: EP2617037A2. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-24.

Spin torque transfer memory cell structures and methods

Номер патента: US20130077378A1. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Spin torque transfer memory cell structures and methods

Номер патента: US20130286722A1. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Spin torque transfer memory cell structures and methods

Номер патента: WO2012036734A2. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor device capable of concurrently transferring data over read paths and write paths to a memory cell array

Номер патента: US5657273A. Автор: Yoshinobu Nakagome,Takao Watanabe,Kazushige Ayukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230363148A1. Автор: Tsuyoshi Tomoyama,Yuki Munetaka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Method and system for detecting defective material surrounding flash memory cells

Номер патента: US6765827B1. Автор: JIANG LI,Lee Cleveland,Ming Kwan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: US20150340101A1. Автор: Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: US09543036B2. Автор: Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: US20230043349A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

One transistor SOI non-volatile random access memory cell

Номер патента: US20050250261A1. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

MEMORY CELL, MEMORY ARRAY AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20150063038A1. Автор: Lin Chrong-Jung,King Ya-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Memory cell, memory array and operation method thereof

Номер патента: TW201508753A. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Ya-Chin King. Дата публикации: 2015-03-01.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20220149845A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200313675A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20240063798A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20210234544A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200186150A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory cell

Номер патента: CA1070836A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1980-01-29.

Fabrication process of memory cell

Номер патента: US7445972B2. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-11-04.

Stacked gate memory cell with erase to gate, array, and method of manufacturing

Номер патента: US20050104116A1. Автор: Hieu Tran,Bomy Chen,Dana Lee,Jack Frayer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20190206493A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20200160912A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory Device Comprising an Electrically Floating Body Transistor and Methods of Operating

Номер патента: US20210083110A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Dinesh Maheshwari. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory Device Comprising an Electrically Floating Body Transistor and Methods of Using

Номер патента: US20200083373A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Dinesh Maheshwari. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US11942136B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US20200211615A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US20170062037A1. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

METHODS OF OPERATING FERROELECTRIC MEMORY CELLS, AND RELATED FERROELECTRIC MEMORY CELLS AND CAPACITORS

Номер патента: US20170294219A1. Автор: Rocklein Matthew N.,Chavan Ashonita A.,Nicholes Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Non-volatile memory cells, memory arrays including the same and methods of operating cells and arrays

Номер патента: US20060198190A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-07.

Non-volatile memory cells, memory arrays including the same and methods of operating cells and arrays

Номер патента: US8264028B2. Автор: Hang-Ting Lue,Szu Yu Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Memory Device Comprising an Electrically Floating Body Transistor and Methods of Using

Номер патента: US20230395716A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Dinesh Maheshwari. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of forming split gate memory cells with thinner tunnel oxide

Номер патента: EP4179570A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man Tang Wu,Boolean FAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

MEMORY CELL AND METHOD OF FORMING THE MEMORY CELL

Номер патента: US20210313337A1. Автор: Chang Meng-Sheng,HUANG Chia-En. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element formed over a bottom conductor and methods of forming the same

Номер патента: US8530318B2. Автор: April D. Schricker. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-09-10.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells

Номер патента: TWI638354B. Автор: C 尼可拉斯史帝芬,A 查文亞許尼塔,N 洛克萊馬修. Владелец: 美光科技公司. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory cell and method of manufacturing a memory cell

Номер патента: SG186576A1. Автор: SINGH Navab,Pott Vincent. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2013-01-30.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20190198518A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,John Mark Meldrim,Scott M. Pook,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

NAND String Utilizing Floating Body Memory Cell

Номер патента: US20240040767A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

NAND string utilizing floating body memory cell

Номер патента: US11818878B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20200075620A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,John Mark Meldrim,Scott M. Pook,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinner Tunnel Oxide

Номер патента: US20220013531A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Boolean FAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of forming split gate memory cells with thinner tunnel oxide

Номер патента: WO2022010546A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man Tang Wu,Boolean FAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2022-01-13.

ONE TIME PROGRAMMING MEMORY CELL, ARRAY STRUCTURE AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160013193A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Magnetic random access memory cells, structures thereof and operation methods thereof

Номер патента: KR100505104B1. Автор: 주재현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-07-29.

One time programming memory cell, array structure and operating method thereof

Номер патента: US9431111B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Spin torque transfer memory cell structures and methods

Номер патента: EP2710633A2. Автор: Jun Liu,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-26.

Spin torque transfer memory cell structures and methods

Номер патента: US20130286727A1. Автор: Jun Liu,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Spin torque transfer memory cell structures and methods

Номер патента: WO2012158347A2. Автор: Jun Liu,Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

NON-VOLATILE ASSOCIATIVE MEMORY CELL, NON-VOLATILE ASSOCIATIVE MEMORY DEVICE, MONITORING METHOD, AND NON-VOLATILE MEMORY CELL

Номер патента: US20220037587A1. Автор: KAKINUMA Yuji. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-02-03.

METHODS OF FORMING MAGNETIC MEMORY CELLS AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180287053A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Kula Witold. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

METHODS OF FORMING MAGNETIC MEMORY CELLS AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160359105A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Kula Witold. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: EP2954531A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: US20140219015A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: WO2014123777A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-14.

Memory Cell Comprising First and Second Transistors and Methods of Operating

Номер патента: US20150023105A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-01-22.

Memory Cell Comprising First and Second Transistors and Methods of Operating

Номер патента: US20220278104A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto,Han Jin-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Memory Cell Comprising First and Second Transistors and Methods of Operating

Номер патента: US20190131305A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: US20140219015A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory Cell Comprising First and Second Transistors and Methods of Operating

Номер патента: US20170229466A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto,Han Jin-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Memory Cell Comprising First and Second Transistors and Methods of Operating

Номер патента: US20200411521A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto,Han Jin-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Magnetic thermal random access memory cells having a heat-generating layer and methods of operating the same

Номер патента: KR100568512B1. Автор: 박재현,김형준,정원철,정창욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-07.

Stacked gate memory cell with erase to gate, array, and method of manufacturing

Номер патента: US7439572B2. Автор: Hieu Van Tran,Bomy Chen,Dana Lee,Jack Edward Frayer. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-21.

Method of programming flash memory cell

Номер патента: CN1084931C. Автор: 安秉振,金明变,安在春,孙宰兹. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-15.

Method of producing semiconductor memory cell

Номер патента: JPS5429590A. Автор: Hofuman Kuruto,Angaashiyutain Ieruku. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-03-05.

Memory cell comprising first and second transistors and methods of operating

Номер патента: TWI671886B. Автор: 凡 歐貝克,尤諾歐德 魏迪傑. Владелец: 美商季諾半導體股份有限公司. Дата публикации: 2019-09-11.

Memory cell with planarized carbon nanotube layer and methods of forming the same

Номер патента: TW200943487A. Автор: Mark Clark,Yoichiro Tanaka,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-10-16.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: EP2954531B1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-03-17.

Non-Volatile Memory Cell with Precessional Switching

Номер патента: US20100195380A1. Автор: WEI Tian,Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Haiwen Xi,Yong Lu,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Dimitar Dimitrov,Brian Seungwhan Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-08-05.

Non-volatile MEMS memory cell and method of forming such memory cell

Номер патента: US7626237B1. Автор: Jin Liang,Nader G. Dariavach. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Memory cells, semiconductor device structures, memory systems, and methods of fabrication

Номер патента: CN104395964A. Автор: 韦恩·I·肯尼,维托·库拉,斯蒂芬·J·克拉梅尔. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

Magnetic random access memory cell comprising an oxidation preventing layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1471536A3. Автор: Sang-jin Park,Tae-Wan Kim,Jung-hyun Lee,Wan-jun Park,I-hun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-03.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell array structure and operating method thereof

Номер патента: US09520198B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh,Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Operation method of non-volatile memory cell and applications thereof

Номер патента: US09830992B1. Автор: Wei-Liang Lin,Chih-Chieh Cheng,Wen-Jer Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US09767880B1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Sensing memory cells coupled to different access lines in different blocks of memory cells

Номер патента: US09373404B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Method of dynamically selecting memory cell capacity

Номер патента: US09437254B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory systems and methods of managing failed memory cells of semiconductor memories

Номер патента: US09330791B2. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Coding method of multi-level memory cell

Номер патента: US20020181278A1. Автор: Cheng-Jye Liu,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US11763901B2. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US20170270992A1. Автор: Eric Carman. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-09-21.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190027203A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of combining multilevel memory cells for an error correction scheme

Номер патента: US7243277B2. Автор: Hsie-Chia Chang,Ta-Hui Wang,Jieh-Tsorng Wu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2007-07-10.

Reading of a nonvolatile memory cell by taking account of the stored state of a neighboring memory cell

Номер патента: WO2008083137A1. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of programming a memory cell to contain multiple values

Номер патента: US5831901A. Автор: Yuan Tang,Qimeng Zhou,Hsingya Arthur Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Method of combining multilevel memory cells for an error correction scheme

Номер патента: US20060015793A1. Автор: Hsie-Chia Chang,Ta-Hui Wang,Jieh-Tsorng Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US20050023601A1. Автор: Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US20240345728A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and operation thereof

Номер патента: US20240274197A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of programming memory device and method of reading data of memory device including the same

Номер патента: US09589661B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A2. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A3. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

3d cell and array structures

Номер патента: WO2024167698A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

3d cell and array structures

Номер патента: US20240274193A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

A method of operating a split gate flash memory cell with coupling gate

Номер патента: WO2012158366A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Henry A. Om'Mani,Mandana TADAYONI,Elizabeth A. CUEVAS. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Memory circuit and method of generating the same

Номер патента: US20050128818A1. Автор: Hironori Akamatsu,Yutaka Terada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Latch device and operation method thereof

Номер патента: US11764764B1. Автор: Joseph Iadanza. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of making high density semiconductor memory

Номер патента: US6455367B2. Автор: James E. Green,Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-24.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210134359A1. Автор: Ji Hyun Seo,Jong Kyung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor storage device having first and second memory strings formed on opposite sides of the same pillar and method of performing a read operation therein

Номер патента: US11715527B2. Автор: Takashi Maeda,Takayuki Miyazaki,Kazutaka IKEGAMI,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element formed over a bottom conductor and methods of forming the same

Номер патента: EP2227827A1. Автор: Mark Clark,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-09-15.

Apparatus and methods for programming memory cells

Номер патента: US11908524B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile configuration cells and cell arrays

Номер патента: US6052309A. Автор: Raminda U. Madurawe,James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Stable memory cell identification for hardware security

Номер патента: US20220199151A1. Автор: CHEN ZHOU,Hyung-il Kim,Keshab K. Parhi,Muqing Liu. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2022-06-23.

Calculating soft metrics depending on threshold voltages of memory cells in multiple neighbor word lines

Номер патента: US11874736B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Stable memory cell identification for hardware security

Номер патента: US11769548B2. Автор: CHEN ZHOU,Hyung-il Kim,Keshab K. Parhi,Muqing Liu. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2023-09-26.

Determination of a bias voltage to apply to one or more memory cells in a neural network

Номер патента: US20240062813A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: WO2023014413A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Erasable programmable single-poly non-volatile memory cell and associated array structure

Номер патента: US11818887B2. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen,Woan-Yun HSIAO. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: EP4381505A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Memory cell array

Номер патента: US5804854A. Автор: Sung Mun Jung,Jong Ho Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-08.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: US20210166736A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: US11735234B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Josephson memory cells having improved ndro sensing

Номер патента: CA1101546A. Автор: Walter H. Henkels. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-05-19.

Non-volatile memory cells, memory arrays including the same and methods of operating memory cells and arrays

Номер патента: CN1841782A. Автор: 吕函庭,王嗣裕. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-04.

Method of making magnetoresistive memory cell over a selector pillar

Номер патента: US11765911B2. Автор: Lei Wan,Neil Robertson,Jordan Katine. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Non-volatile memory cell, fabrication method and operating method thereof

Номер патента: US20060039200A1. Автор: Chih-Chen Cho,Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Magnetic memory and memory cell thereof and method of manufacturing the memory cell

Номер патента: TW200844998A. Автор: Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-16.

Integrated circuit with a memory cell arrangement, integrated circuit with a NAND memory cell arrangement and method for producing an integrated circuit with a memory cell arrangement

Номер патента: DE102007022095B4. Автор: Franz Dr. Hofmann,Michael Dr. Specht,Thomas Mikolajick,Nicolas Dr. Nagel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-05-20.

Electrically programmable memory cell and methods for programming and reading from such a memory cell

Номер патента: US7116583B2. Автор: Andreas Meiser,Rainhald Sander. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-03.

Programming method of non-volatile memory cell and non-volatile memory device

Номер патента: TWI770687B. Автор: 宋承桓. Владелец: 南韓商賽米布萊恩有限公司. Дата публикации: 2022-07-11.

Magnetic memory cell with low-resistive electrode via and method of forming same

Номер патента: US11778918B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Circuit and method of fabricating a memory cell for a static random access memory

Номер патента: US20020028548A1. Автор: Mehdi Zamanian,David McClure,Tsiu Chan. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2002-03-07.

Method of forming magnetic memory cell and array thereof by ion beam patterning

Номер патента: EP2896066B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-08.

Method of programming nonvolatile memory cell

Номер патента: US20190080778A1. Автор: Chun-Hung Lu,Kuan-Hsun Chen,Ming-Shan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of operating EEPROM memory cells having transistors with thin gate oxide and reduced disturb

Номер патента: EP1102279A2. Автор: Sunil D. Mehta,Robert H. Tu. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-05-23.

Split-Gate Memory Cell With Field-Enhanced Source Junctions, And Method Of Forming Such Memory Cell

Номер патента: US20190207034A1. Автор: Daryanani Sonu,Walls James,Kabeer Sajid. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device with transistor cells and a drift structure and method of manufacturing

Номер патента: US10700182B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Bernd Zippelius,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor Device with Transistor Cells and a Drift Structure and Method of Manufacturing

Номер патента: US20180331204A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Bernd Zippelius,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-15.

Memory devices with reduced bit line capacitance and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371412A1. Автор: Yen-Huei Chen,Yuichiro Ishii,Chih-Yu Lin,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara,Masaya Hamada. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005241A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Electronic apparatus and operative method

Номер патента: US20200026607A1. Автор: Pil-Sang Ryoo,Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220084597A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09990130B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09720595B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200194073A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Memories and operation methods thereof, memory systems and electronic devices

Номер патента: US20240312536A1. Автор: LEI Jin,An ZHANG,Kaikai You,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US09728265B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device controlling pass voltage and operating method thereof

Номер патента: US20240265971A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated dynamic memory and operating method

Номер патента: US20040090853A1. Автор: Martin Perner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09508458B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

System and method of performing a read operation

Номер патента: US20240272804A1. Автор: Yu Wang,Xiaojiang Guo,Zhichao DU,Daesik Song,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method of performing a read operation

Номер патента: US12061799B1. Автор: Yu Wang,Xiaojiang Guo,Zhichao DU,Daesik Song,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

System and method of performing a read operation

Номер патента: WO2024168527A1. Автор: Yu Wang,Xiaojiang Guo,Zhichao DU,Daesik Song,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Ferroelectric random access memory apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20090052224A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Memory array, memory device, and methods for reading and operating the same

Номер патента: US09418763B2. Автор: Chen-Yi Huang,Jiaqi Yang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09501343B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

One-time programmable memory and an operation method thereof

Номер патента: US20210312998A1. Автор: Ying Yan,Jianming Jin. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuits with programmable memory cells and methods for programming the same

Номер патента: US09799387B1. Автор: Eng Huat Toh,Kangho Lee,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US09424940B1. Автор: Moosung Kim,Dongku Kang,Sungwhan SEO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12014796B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device for performing in-memory-search and operating method thereof

Номер патента: US20240274165A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240312497A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US12119079B2. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US20240371418A1. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US20170271016A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Hyun Joo,Sungyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Data storage apparatus and operation method thereof

Номер патента: US10248501B2. Автор: Jae Yoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-02.

Memory cell with stability switch for stable read operation and improved write operation

Номер патента: US20060171188A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11875845B2. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of improving error checking and correction performance of memory

Номер патента: US9779838B2. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of improving error checking and correction performance of memory

Номер патента: US20160062860A1. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-03-03.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09564229B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09424931B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Apparatus and methods for programming memory cells responsive to an indication of age of the memory cells

Номер патента: US11735253B2. Автор: Pin-Chou Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Sense amplifier, memory device including sense amplifier and operating method of memory device

Номер патента: US20240096402A1. Автор: Kyuchang KANG,Changyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Memory device including memory cell for generating reference voltage

Номер патента: US09972371B2. Автор: Soo-ho Cha,Chankyung Kim,Sungchul Park,Kwangchol CHOE,Hoyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Matrix-vector multiplications based on charge-summing memory cell strings

Номер патента: EP4390926A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

METHOD OF performing A CHIP BURN-IN SCANNING with increased EFFICIENCY

Номер патента: US20120131398A1. Автор: Shi-Huei Liu,Lien-Sheng Yang,Wei-Ju Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-24.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory and method of operating the same

Номер патента: US20150170744A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Xiaojun Yu,Venkatraman Prabhakar,Bo Jin,Igor Kouznetsov. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09837142B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09805823B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Partial local self-boosting of a memory cell channel

Номер патента: US20100238731A1. Автор: Takao Akaogi,Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Wu,Colin Stewart Bill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US09779819B1. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

3d nand flash and operation method thereof

Номер патента: US20230335194A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory cell sensing using two step word line enabling

Номер патента: US12073864B2. Автор: Makoto Kitagawa,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20200350022A1. Автор: Heon Jin CHOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory device and compensation method of data retention thereof

Номер патента: US20240304264A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Non volatile memory cell and memory array

Номер патента: US09627066B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US11914885B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang,Hun Wook LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory device and operating method therefor

Номер патента: US20180322929A1. Автор: Dong Hyuk Chae,Hee Joung PARK,Won Chul SHIN,Kyeong Seung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US12106809B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09899097B2. Автор: Youngmin Kim,Sung-Won Yun,Hyejin YIM,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

One-time programmable (OTP) memory cell and OTP memory device for multi-bit program

Номер патента: US09524795B2. Автор: Joon-Hyung Lee,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Data reading procedure based on voltage values of power supplied to memory cells

Номер патента: US09905284B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Hiroshi Sukegawa,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20200233608A1. Автор: Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory and operating method therefor

Номер патента: US20240096399A1. Автор: Kangling JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Precharging scheme for reading a memory cell

Номер патента: US20040037137A1. Автор: Keith Wong,Michael Chung,Pau-Ling Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20170315723A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US12050782B2. Автор: JeongWoo Park,Seungil Kim,Byungjune SONG,Wonho Kang,Gyeongtae Yu,Kyoungback Lee,Jeongsu Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Nam-Sung Kim,Sang-Uhn CHA,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US10468113B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-05.

Operating method for a memory, a memory and a memory system

Номер патента: US20240233834A9. Автор: Boxuan Cheng,Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of programming MLC memory device and related MLC memory device

Номер патента: US12119053B2. Автор: Chien-Hung Chen,Chia-Wen Wang,Chia-Hui Huang,Chih-Yang Hsu,Jen-Yang Hsueh,Ling-Hsiu Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20170084341A1. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US20030002374A1. Автор: Kerry Tedrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Charge-Trapping Memory Device and Methods for its Manufacturing and Operation

Номер патента: US20080279004A1. Автор: Tholasampatti Subramanian Sudhindra Prasad. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US20030002341A1. Автор: Kerry Tedrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US6597606B2. Автор: Kerry D. Tedrow. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Integrated circuit memory devices that map nondefective memory cell blocks into continuous addresses

Номер патента: US5848009A. Автор: Young-Ho Lim,Sung-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-08.

Ferroelectric memory and method of testing the same

Номер патента: US20040179385A1. Автор: Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Operation methods of ferroelectric memory

Номер патента: US20210142838A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Operation methods of ferroelectric memory

Номер патента: WO2021093263A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-05-20.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20200005849A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20190108866A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: EP3449484A1. Автор: Eric S. CARMEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10395714B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10127963B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US20170316815A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Memory device for controlling a data output order and an operating method thereof

Номер патента: US20240321381A1. Автор: Jiwon SEO,KeeHo JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US09799388B1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Programming memory cells

Номер патента: US09543001B1. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Programmable logic device memory cell circuit

Номер патента: EP1025564A1. Автор: Bruce B. Pedersen,David E. Jefferson. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-08-09.

Memory cell programming

Номер патента: US20210272633A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US20240221840A1. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US20240304250A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Shiftable memory and method of operating a shiftable memory

Номер патента: US11901006B2. Автор: Babak Mohammadi,Reza Meraji,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory macro and method of operating the same

Номер патента: US20210287726A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Pankaj Aggarwal,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chiting Cheng,Chien-Kuo SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: EP4352728A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Parallel programming of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09576647B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Programming nonvolatile memory cells through a series of predetermined threshold voltages

Номер патента: US20200202945A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Mitigation of data retention drift by programming neighboring memory cells

Номер патента: US09583199B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Reading a multi-bit value from a memory cell

Номер патента: US09449682B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory device, operating method thereof, and memory system

Номер патента: WO2024066033A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory device, operating method thereof, and memory system

Номер патента: US20240112741A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US20130128660A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seiichi Aritome,Han-Soo Joo,Sung-Kye Park,Seok-Kiu Lee,Hyun-Seung Yoo,Gyu-Seog Cho,Sung-Joo HONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Memory device for performing foggy-fine program operation and method of operating the memory device

Номер патента: US20240161831A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak,Jae Yeop Jung,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Storage device and the read operating method thereof

Номер патента: US11923011B2. Автор: Do Gyeong Lee,Ju Won Lee,Jun-Ho SEO,Suk-Eun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Forming method of memory device

Номер патента: US20240087629A1. Автор: Naoki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having uniform layout

Номер патента: US5973970A. Автор: Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Ferroelectric memory with series connected memory cells

Номер патента: EP1514275A1. Автор: Michael Jacob. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-16.

Redundancy concept for memory circuits having ROM memory cells

Номер патента: US5986952A. Автор: Manfred Bromba,Eckehard Plättner,Konrad SCHÖNEMANN,Jochen Breilmann,Roderick McConnell,Klaus Bernauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-16.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Soft post package repair of memory devices

Номер патента: US09922729B2. Автор: Jeffrey Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Soft post package repair of memory devices

Номер патента: US09793008B2. Автор: Jeffrey Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Inferring threshold voltage distributions associated with memory cells via interpolation

Номер патента: US09779828B2. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Soft post package repair of memory devices

Номер патента: US09558851B2. Автор: Jeffrey Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Soft post package repair of memory devices

Номер патента: US09343184B2. Автор: Jeffrey Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Methods of operating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20090016107A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Jae-woong Hyun,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Redundancy memory cell access circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080316838A1. Автор: Eunsung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Methods and apparatus to read memory cells based on clock pulse counts

Номер патента: US09928914B2. Автор: Feng Pan,Ramin Ghodsi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of configuring memory cells in a solid state drive and controller therefor

Номер патента: US20170177258A1. Автор: Rahul Advani,Stephen Bates. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US20230282252A1. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Device and method for associating information concerning memory cells of a memory with an external memory

Номер патента: US20030120891A1. Автор: Martin Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Memory array and method of operating one of a plurality of memory cells

Номер патента: US20110019473A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Ultra-precise tuning of neural memory cells

Номер патента: US20220336020A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Nhan Do,Vipin Tiwari,Steven Lemke,Yuri Tkachev,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Direct writing method of magnetic memory cell and magetic memory cell structure

Номер патента: US20080180988A1. Автор: Chien-Chung Hung,Yuan-Jen Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-07-31.

An ultra low power memory cell with a supply feedback loop configured for minimal leakage operation

Номер патента: WO2012153258A3. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2013-01-24.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Method of operating an integrated circuit and integrated circuit

Номер патента: US20230238057A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Non-volatile memory and method of operating the same

Номер патента: WO2015089366A2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Xiaojun Yu,Venkatraman Prabhakar,Bo Jin,Igor Kouznetsov. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-18.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20220130470A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method and system for iteratively testing and repairing an array of memory cells

Номер патента: US20130232384A1. Автор: Yosef Solt,Michael Levi,Reshef Bar Yoel,Yosef Haviv. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device including application of different voltages to memory cells based on their proximity to a selected memory cell

Номер патента: USRE50025E1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory cell array divided type multi-port semiconductor memory device

Номер патента: US5249165A. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-09-28.

Nonvolatile SRAM cells and cell arrays

Номер патента: US5812450A. Автор: Raminda U. Madurawe,James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1998-09-22.

Non-volatile semiconductor memory device having a memory cell group operative as a redundant memory cell group for replacement of another group

Номер патента: US5523976A. Автор: Takeshi Okazawa,Kenji Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-04.

Ternary memory cell for logic-in-memory and memory device comprising same

Номер патента: US11727988B2. Автор: Jae Won Jeong,Kyung Rok Kim,Young Eun Choi. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory cell sensing using two step word line enabling

Номер патента: US20230368831A1. Автор: Makoto Kitagawa,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20200381074A1. Автор: Jui-Wei Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110161606A1. Автор: Shuichi Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230395163A1. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11996155B2. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Random access memory with optional inaccessible memory cells

Номер патента: US20050122822A1. Автор: Torsten Partsch,Thoai Le. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of rewriting data thereof

Номер патента: US20070183217A1. Автор: Yuji Uji,Katsutoshi Urabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Association memory and memory cell thereof

Номер патента: US20030095425A1. Автор: Tsuyoshi Higuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09842661B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09697913B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile configuration cells and cell arrays

Номер патента: US6078521A. Автор: Raminda U. Madurawe,James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Readout circuit, memory, and method of reading out data of memory

Номер патента: US11830569B2. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor memory device detecting program failure, and method of operating the same

Номер патента: US11961571B2. Автор: Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Parallel-dichotomic serial sensing method for sensing multiple-level non-volatile memory cells, and sensing circuit for actuating such method

Номер патента: US5729490A. Автор: Guido Torelli,Vincenzo Daniele,Roberto Gastaldi,Cristiano Calligaro,Alessandro Manstretta,Nicola Telecco. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-03-17.

Method for Inspecting the Electrical Performance of a Flash Memory Cell

Номер патента: US20080133984A1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US20090225605A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US7830723B2. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Method for inspecting the electrical performance of a flash memory cell

Номер патента: US7940584B2. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-05-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of data write therein

Номер патента: US20130088924A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Compact electrically erasable memory cells and arrays

Номер патента: US5914904A. Автор: James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1999-06-22.

Memory cell architecture utilizing a transistor having a dual access gate

Номер патента: US5912840A. Автор: Fernando Gonzalez,David Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Circuit for parallel programming nonvolatile memory cells, with adjustable programming speed

Номер патента: US6163483A. Автор: Roberto Canegallo,Pier Luigi Rolandi,Marco Pasotti,Giovanni Guaitini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-12-19.

Method and apparatus for operating nonvolatile memory cells in a series arrangement

Номер патента: US20060050555A1. Автор: Chih Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-09.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US20230377661A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US11984172B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of improving programming operations in 3d nand systems

Номер патента: US20240168640A1. Автор: Feng Xu,Da Li,Jianquan Jia,Zhe Luo,XiangNan Zhao,Yaoyao TIAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory apparatus and method of operation using one pulse smart verify

Номер патента: US20220165342A1. Автор: Ravi Kumar,Deepanshu Dutta,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-26.

Computational memory cell and processing array device using the memory cells for XOR and XNOR computations

Номер патента: US11763881B2. Автор: Lee-Lean Shu,Eli Ehrman. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory devices having sense amplifiers therein that support offset cancellation and methods of operating same

Номер патента: US20240062806A1. Автор: Eunki Hong,Minsoo Jang,Seungki HONG,Jaeseong Lim,Jinsol PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Data reading procedure based on voltage values of power supplied to memory cells

Номер патента: US20170263301A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Hiroshi Sukegawa,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: WO2017189266A1. Автор: Eric S. CARMEN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-11-02.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20200395055A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: WO2023219813A1. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Performing data operations on grouped memory cells

Номер патента: US20240094942A1. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: US11955184B2. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20230214132A1. Автор: JeongWoo Park,Seungil Kim,Byungjune SONG,Wonho Kang,Gyeongtae Yu,Kyoungback Lee,Jeongsu Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Apparatuses and methods of power supply control for sense amplifiers

Номер патента: US11901036B2. Автор: Katsuhiro Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Apparatuses and methods of power supply control for sense amplifiers

Номер патента: US20230290386A1. Автор: Katsuhiro Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory cell biasing techniques during a read operation

Номер патента: US20210304812A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory cell biasing techniques during a read operation

Номер патента: EP4111451A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Memory cell biasing techniques during a read operation

Номер патента: WO2021202064A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-07.

Performing data operations on grouped memory cells

Номер патента: US11861208B2. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory cell biasing techniques during a read operation

Номер патента: US20220270667A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: US20230368846A1. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of programming mlc memory device and related mlc memory device

Номер патента: US20230238058A1. Автор: Chien-Hung Chen,Chia-Wen Wang,Chia-Hui Huang,Chih-Yang Hsu,Jen-Yang Hsueh,Ling-Hsiu Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Non-volatile multi-level semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20030214850A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Tetsuya Tsujikawa. Дата публикации: 2003-11-20.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: EP4209913A1. Автор: JeongWoo Park,Seungil Kim,Byungjune SONG,Wonho Kang,Gyeongtae Yu,Kyoungback Lee,Jeongsu Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-12.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile multi-level, semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20050013167A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Memory device related to performing a program operation on memory cells

Номер патента: US11942156B2. Автор: Hyeok Jun CHOI,Seung Geun JEONG,Hee Sik Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Managing programming convergence associated with memory cells of a memory sub-system

Номер патента: US11862257B2. Автор: Jun Xu,Violante Moschiano,Erwin E. Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US11961565B2. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Operating method for a memory, a memory and a memory system

Номер патента: US20240135998A1. Автор: Boxuan Cheng,Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for checking the functioning of memory cells of an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20020026608A1. Автор: Erwin Hammerl,Wilfried Daehn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-28.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US11990186B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20200005841A1. Автор: Cheng Hung Lee,Shih-Lien Linus Lu,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory device related to performing a program operation on memory cells

Номер патента: US20240194267A1. Автор: Hyeok Jun CHOI,Seung Geun JEONG,Hee Sik Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Circuit and method for setting the time duration of a write to a memory cell

Номер патента: US5864696A. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1999-01-26.

Memory device included in memory system and method for detecting fail memory cell thereof

Номер патента: US20240079074A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Mitigation of data retention drift by programming neighboring memory cells

Номер патента: US20150348632A1. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Mitigation of data retention drift by progrmming neighboring memory cells

Номер патента: US20160307631A1. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Decoding of high-density memory cells in a solid-state drive

Номер патента: US20200264974A1. Автор: Nilesh N. Khude,Vijay Ahirwar,Sri Varsha Rottela,B. Hari RAM. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device capable of checking deterioration of select transistor and operating method thereof

Номер патента: US20240185919A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG,Young Seung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Programming nonvolatile memory cells using resolution-based and level-based voltage increments

Номер патента: US20180053555A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-22.

SRAM memory cell design having complementary dual pass gates

Номер патента: US5831897A. Автор: Robert Louis Hodges. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1998-11-03.

Memory array circuit with two-bit memory cells

Номер патента: US20060239059A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Anti-fuse memory cell state detection circuit and memory

Номер патента: US11854633B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US20160329100A1. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory cell array and semiconductor memory

Номер патента: US20080291725A1. Автор: Nobukazu Murata,Tomonori Terasawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

MEMORY CELL, MEMORY DEVICE INCLUDING A PLURALITY OF MEMORY CELLS AND METHOD INCLUDING READ AND WRITE OPERATIONS AT A MEMORY CELL

Номер патента: US20160284392A1. Автор: Block Stefan,Dirks Juergen,Preuthen Herbert Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: SG11201807496XA. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Ferroelectric memory cell with access line disturbance mitigation

Номер патента: US20210020222A1. Автор: Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Predictive Thermal Preconditioning and Timing Control for Non-Volatile Memory Cells

Номер патента: US20110128778A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-06-02.

Predictive thermal preconditioning and timing control for non-volatile memory cells

Номер патента: US8154914B2. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-04-10.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: US09373412B2. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THREE-DIMENSIONAL MEMORY CELL ARRAY STRUCTURE AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160027520A1. Автор: CHOI Eun Seok,OH Jung Seok,CHOI Se Kyoung. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor memory device with function of carrying out logic judgement for correct recognition of memory operation

Номер патента: US5557574A. Автор: Masao Nakano,Yukihiro Senoo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-09-17.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell array structure and operating method thereof

Номер патента: TWI633559B. Автор: 崔世卿,崔殷碩,吳政錫. Владелец: 愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2018-08-21.

Non-volatile memory cell read failure reduction

Номер патента: US20090067238A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of operating a memory cell, memory cell and memory unit

Номер патента: US20080205182A1. Автор: Peter Huber,Martin Ostermayr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of trimming reference voltage of a flash memory cell and apparatus of trimming reference voltage of a flash memory cell

Номер патента: KR100685642B1. Автор: 김용환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Latency control circuit and method of latency control

Номер патента: US20040008566A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-15.

DRAM having memory cells each using one transfer gate and one capacitor to store plural bit data

Номер патента: US5995403A. Автор: Isao Naritake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Methods of programming a memory cell and memory cell arrangements

Номер патента: US20080080252A1. Автор: Detlev Richter,Rainer Spielberg. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device configured to store parity data and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240021223A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

A memory system detecting th distributionof unstable memory cell and the method for detecting the distribution of unstable memory cell

Номер патента: KR101603099B1. Автор: 김선택,경윤영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-03-28.

Device for e.g. detecting hardware error during addressing memory cell matrix in safety-critical user-specific integrated circuits, has test memory cell attached to memory cell, where code word is formed from address and parity bits

Номер патента: DE102009001352A1. Автор: Jo Pletinckx. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2010-09-09.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190027203A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

FERROELECTRIC MEMORY CELL APPARATUSES AND METHODS OF OPERATING FERROELECTRIC MEMORY CELLS

Номер патента: US20170270992A1. Автор: CARMAN Eric. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

FERROELECTRIC MEMORY CELL APPARATUSES AND METHODS OF OPERATING FERROELECTRIC MEMORY CELLS

Номер патента: US20180005683A1. Автор: CARMAN Eric. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF DETECTING DEFECTIVE MEMORY CELL BLOCK OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220051738A1. Автор: KIM Daehan,JUNG Wontaeck,LEE Myungnam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory systems and methods of managing failed memory cells of semiconductor memories

Номер патента: US20150143165A1. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

An array of flash memory cells and an integrated circuit comprising an array of memory cells

Номер патента: TW200816457A. Автор: Derek Lin,Yue-Der Chih,Shih-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-04-01.

Read operation performing method for use in memory cell string, involves applying write sense current across magnetic random access memory cell, and determining whether one voltage across string differs from another voltage

Номер патента: DE102004039235A1. Автор: Frederick A. Palo Alto Perner,Kenneth K. Smith,Richard L. Hilton,Corbin L. Pullmann Champion. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-08-18.

SENSING MEMORY CELLS COUPLED TO DIFFERENT ACCESS LINES IN DIFFERENT BLOCKS OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20150162090A1. Автор: Sakui Koji. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-06-11.

SENSING MEMORY CELLS COUPLED TO DIFFERENT ACCESS LINES IN DIFFERENT BLOCKS OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20150294727A1. Автор: Sakui Koji. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-10-15.

Integrated circuit, method of programming a memory cell array of an integrated circuit, and memory module

Номер патента: DE102008003637B4. Автор: Josef Dr. Willer,Gert Koebernik. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-05-12.

A method of programming a nonvolatile semiconductor memory device and methods of reading programmed memory cells

Номер патента: DE102006028967B4. Автор: Jin-Yub Lee,Min-Gun Suwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-18.

PAGE BUFFER, METHOD OF SENSING A MEMORY CELL USING THE SAME, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190019561A1. Автор: LEE Tae-Yun,KIM CHAE-HOON. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

Flash memory device and method of erasing flash memory cell thereof

Номер патента: US20060050594A1. Автор: Jin Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Operating method of multi-level memory cell

Номер патента: CN101494087A. Автор: 郭明昌. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-29.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: US20140219016A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: US20150098270A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: EP2954530A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: WO2014123778A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-14.

SYSTEM AND METHOD OF PROGRAMMING A MEMORY CELL

Номер патента: US20150098270A1. Автор: YANG Bin,Li Xia. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

SYSTEM AND METHOD OF PROGRAMMING A MEMORY CELL

Номер патента: US20140219016A1. Автор: YANG Bin,Li Xia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-07.

SYSTEM AND METHOD OF SENSING A MEMORY CELL

Номер патента: US20140269031A1. Автор: Jung Seong-Ook,Kang Seung H.,Kim Jung Pill,Kim Jisu,Na Taehui. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF DYNAMICALLY SELECTING MEMORY CELL CAPACITY

Номер патента: US20150262628A1. Автор: Pio Federico. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

A MAGNETIC MEMORY CELL STRUCTURE WITH SPIN DEVICE ELEMENTS AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160293240A1. Автор: FUKUZAWA Hideaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

SYSTEM AND METHOD OF PROGRAMMING A MEMORY CELL

Номер патента: US20150340101A1. Автор: Li Xia,Zhu Xiaochun,Kang Seung Hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Hole annealing methods of non-volatile memory cells

Номер патента: US7301818B2. Автор: Wenpin Lu,Shaw Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-27.

Hole annealing methods of non-volatile memory cells

Номер патента: TW200713459A. Автор: Wen-Pin Lu,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-01.

Non-volatile memory cell array for improved data retention and method of operating thereof

Номер патента: US7259999B2. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Paul A. Ingersoll,Ronald J. Syzdek,Peter J. Kuhn. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-08-21.

Programming method of non-volatile memory cell

Номер патента: KR101177278B1. Автор: 이승훈,박주희,박윤동,김영문,조경래,송승환,변성재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-08-24.

Data sensing circuit and method of multi-bit memory cell

Номер патента: KR100192476B1. Автор: 최웅림. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of measuring flash memory cell current

Номер патента: US20100039095A1. Автор: Steve Choi,Boon-Aik Ang,Soo-Yong Park. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-02-18.

METHOD OF TESTING BISTABLE MEMORY CELLS

Номер патента: DE2527486A1. Автор: George Sonoda,William M Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-01-15.

System and method of programming a memory cell

Номер патента: EP2954530B1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Storage device and operating method of the storage device

Номер патента: US20220059142A1. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478304B2. Автор: Dong Wook Lee,Myung Su KIM,Hwang Huh,Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Sang Jo Lee,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee,Chang Jin SUNWOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US09837156B2. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Hyejeong So,Seonghyeog Choi,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US12014777B2. Автор: Li Xiang,Weihua Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Memory device including charge pump, and operation method of the memory device

Номер патента: US20240312531A1. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jihyun Park,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09472300B2. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20080025086A1. Автор: Lu-Ping chiang,Po-An Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory including error correction circuit and operating method thereof

Номер патента: US20240168845A1. Автор: Jin Ho Jeong,Munseon JANG,Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional nonvolatile memory and operating method of three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US09412450B2. Автор: Kihyun Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Gilsung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system to determine interference of a memory cell by adjacent memory cells, and operating method thereof

Номер патента: US09595341B2. Автор: Yong June Kim,Jaehong Kim,Kijun Lee,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory controller, memory system including the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US20240272808A1. Автор: Younsoo Cheon,Haedong No,Youjin JEON,Minjin JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US09761321B2. Автор: Ju Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Blockchain-based Carbon Emission/Energy Consumption Data Management and Operation System and Method of Enterprises

Номер патента: US20230410127A1. Автор: Ye Ye,Xueyan Wang,Hongliang Zou,Xiaocao Zuo,Dengdiao Li,Yongliang Jiang,Yanxiang Fang. Владелец: State Grid Taizhou Power Supply Co. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor Device with Transistor Cells and a Drift Structure and Method of Manufacturing

Номер патента: US20180331204A1. Автор: Siemieniec Ralf,Peters Dethard,AICHINGER Thomas,BERGNER Wolfgang,ESTEVE Romain,KUECK Daniel,ZIPPELIUS Bernd. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Neutrophil gelatinase-associated lipocalin (ngal) protein isoforms enriched from urine and recombinant chinese hamster ovary (cho) cells and related compositions, antibodies, and methods of enrichment, analysis and use

Номер патента: EP2344526A1. Автор: Bailin Tu,Joan D. Tyner,Frank C. Grenier,Salman Ali,Hina N. Syed,Ryan F. Workman,Ryan M. Bonn,Tracey D. Rae,Kevin R. Rupprecht. Владелец: ABBOTT LABORATORIES. Дата публикации: 2011-07-20.

Battery system comprising cylindrical cells and a temperature sensor and method of installing the same

Номер патента: EP4156371A1. Автор: Markus Ridisser,Bernhard Hadler. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of making flash memory cells and peripheral circuits having sti, and flash memory devices and computer systems having the same

Номер патента: US20110117713A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Jang-Hyun You,Jin-Taek Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory cells with three-dimensional gate coupling and methods of forming thereof

Номер патента: US20230345718A1. Автор: Wei Meng,Fan Zhang,Xin Qu,Laiqiang LUO,Fangxin DENG. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of forming magnetic memory cells, and methods of forming arrays of magnetic memory cells

Номер патента: US10103196B2. Автор: KEN Tokashiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Memory cell, semiconductor device having the same, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240284809A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Carlos H. Diaz,Yu-Chao Lin,Da-Ching Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Field effect thin film transistor and static-type semiconductor memory device provided with memory cell having complementary field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5382807A. Автор: Yasuo Inoue,Motoi Ashida,Kazuhito Tsutsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Flash memory cell having buried floating gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1849188A1. Автор: Kwang Park,Bok Nam Song,Han Heung Kim,Yoon Soo 909-604 Yongin-suji Jang,Seounk Ouk Ga-103 KyungNam Villa Choi. Владелец: EXCEL SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2007-10-31.

Method of forming a memory cell by reducing diffusion of dopants under a gate

Номер патента: EP2888759A2. Автор: Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Method of forming a memory cell by reducing diffusion of dopants under a gate

Номер патента: WO2014031286A3. Автор: Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of forming a memory cell by reducing diffusion of dopants under a gate

Номер патента: WO2014031286A2. Автор: Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-02-27.

Memory cell, semiconductor device having the same, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12010928B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Carlos H. Diaz,Yu-Chao Lin,Da-Ching Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Fabricating method of non-volatile memory cell

Номер патента: US7749838B2. Автор: Chi-Pin Lu,Shing-Ann Luo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-06.

Methods Of Forming Dispersions Of Nanoparticles, And Methods Of Forming Flash Memory Cells

Номер патента: US20090215255A1. Автор: Dan Millward. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Memory Cell Comprising First and Second Transistors and Methods of Operating

Номер патента: US20240243492A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Programmable logic device with partially configurable memory cells and a method for configuration

Номер патента: US5781756A. Автор: Lawrence C. Hung. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Display and operating unit and method of operating a field instrument using a display and operating unit

Номер патента: KR102002971B1. Автор: 마르틴 베하. Владелец: 식아게. Дата публикации: 2019-07-23.

Load short track inspection and operating systems, and methods of operation of the fire relay broadcasting equipment

Номер патента: KR101841727B1. Автор: 김대희,김종운. Владелец: 김종운. Дата публикации: 2018-05-08.

Electronic apparatus and operation button guide method of remote control transmitter used therein

Номер патента: KR100808827B1. Автор: 신고 기다,다케루 츠즈키. Владелец: 닛뽕빅터 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-03-07.

Manufacturing method of a flash memory cell

Номер патента: US20060216893A1. Автор: Leo Wang,Cheng-Tung Huang,Saysamone Pittikoun,Chao-Wei Kuo,Chien-Chih Du. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Disaster site integrated commanding and operating system and method of providing the same

Номер патента: CA3110551A1. Автор: Young Gi Lee,Kyo Koan CHU,Seung Bok HONG,Dong Ju Yu. Владелец: WINITECH CO Ltd. Дата публикации: 2021-09-06.

Disaster site integrated commanding and operating system and method of providing the same

Номер патента: US11523463B2. Автор: Young Gi Lee,Kyo Koan CHU,Seung Bok HONG,Dong Ju Yu. Владелец: WINITECH CO Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Disaster site integrated commanding and operating system and method of providing the same

Номер патента: US20210282219A1. Автор: Young Gi Lee,Kyo Koan CHU,Seung Bok HONG,Dong Ju Yu. Владелец: WINITECH CO Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory controller and operation method thereof, memory system and electronic device

Номер патента: US20240160369A1. Автор: Youxin He,Huadong HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US09933972B2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Electronic devices transmitting encoded data, and methods of operating the same

Номер патента: US20240248608A1. Автор: Ho-Youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: EP2684133A2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US20150074370A1. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US20180300079A1. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Operating method for a memory, a memory, and a memory system

Номер патента: US20240168642A1. Автор: Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Storage control apparatus and operating mode control method of storage control apparatus

Номер патента: US20120221801A1. Автор: Tomoaki Okawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-08-30.

Lightguide of eyewear apparatus, eyewear apparatus and operational and manufacturing method of lightguide

Номер патента: EP4229473A4. Автор: Juuso Olkkonen,Toni SAASTAMOINEN,Hanna LAJUNEN. Владелец: DISPELIX OY. Дата публикации: 2024-10-30.

DISPLAY AND OPERATING UNIT AND METHOD OF OPERATING A FIELD INSTRUMENT HAVING A DISPLAY AND OPERATING UNIT

Номер патента: US20170286040A1. Автор: BEHA Martin. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Lightguide of eyewear apparatus, eyewear apparatus and operational and manufacturing method of lightguide

Номер патента: US20230359040A1. Автор: Juuso Olkkonen,Toni SAASTAMOINEN,Hanna LAJUNEN. Владелец: DISPELIX OY. Дата публикации: 2023-11-09.

Lightguide of eyewear apparatus, eyewear apparatus and operational and manufacturing method of lightguide

Номер патента: EP4229473A1. Автор: Juuso Olkkonen,Toni SAASTAMOINEN,Hanna LAJUNEN. Владелец: DISPELIX OY. Дата публикации: 2023-08-23.

Lightguide of eyewear apparatus, eyewear apparatus and operational and manufacturing method of lightguide

Номер патента: CA3191252A1. Автор: Juuso Olkkonen,Toni SAASTAMOINEN,Hanna LAJUNEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-21.

Home position return and operation limit detection method of robot arm

Номер патента: KR950017120A. Автор: 김원경,이기상,박영제. Владелец: 석진철. Дата публикации: 1995-07-20.

Contact sensor device and operation mode switching method of the device

Номер патента: JP5279898B2. Автор: バン−ウォン・イ. Владелец: エーティーラブ・インコーポレーテッド. Дата публикации: 2013-09-04.

Storage control device and operation mode control method of storage control device

Номер патента: JP5514364B2. Автор: 智明 大川. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-06-04.

Storage control apparatus and operating mode control method of storage control apparatus

Номер патента: WO2012025972A1. Автор: Tomoaki Okawa. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2012-03-01.

A Stain for Staining Cells, the Use of the Stain in Histological Applications and a Method of Diagnosis

Номер патента: US20180252622A1. Автор: Hayfaa Abd Ali Mohammed Alshamar. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-09-06.

Stain for staining cells, the use of the stain in histological applications and a method of diagnosis

Номер патента: US11885724B2. Автор: Hayfaa Abd Ali Mohammed Alshamar. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-30.

Identification of immunologically effective epitopes on the surface of red blood cells and their use in a method of inducing tolerance thereto

Номер патента: CA2671912A1. Автор: Robert Norman Barker,Stanislaw Joseph Urbaniak. Владелец: The Common Services Agency For The Scottish Health Service. Дата публикации: 2007-06-14.

Neutrophil gelatinase-associated lipocalin (ngal) protein isoforms enriched from urine and recombinant chinese hamster ovary (cho) cells and related compositions, antibodies, and methods of enrichment, analysis and use

Номер патента: WO2010054025A1. Автор: Bailin Tu,Joan D. Tyner,Frank C. Grenier,Salman Ali,Hina N. Syed,Ryan F. Workman,Ryan M. Bonn,Tracey D. Rae,Kevin R. Rupprecht. Владелец: ABBOTT LABORATORIES. Дата публикации: 2010-05-14.

Apparatus for culturing cell and analyzing cell reaction, and method of analyzing cell reaction using the same

Номер патента: US20130149731A1. Автор: Jeong Won PARK,Moon Youn Jung,Kibong Song,Seungkyoung YANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-06-13.

Enriched stem cell and progenitor cell populations, and methods of producing and using such populations

Номер патента: WO2008058216A9. Автор: Yao Liang Tang,Michael Ian Phillips. Владелец: Michael Ian Phillips. Дата публикации: 2008-09-18.

Dry powder cells and cell culture reagents and methods of production thereof

Номер патента: CA2280741C. Автор: William Biddle,Richard Fike,William Whitford. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Compositions and systems for combinatorial therapies containing fucosylated cells and immune checkpoint inhibitors and methods of production and use thereof

Номер патента: WO2024102467A1. Автор: Reid P. Bissonnette,Lynnet Koh. Владелец: Targazyme, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory cells including dielectric materials, memory devices including the memory cells, and methods of forming same

Номер патента: US09716225B2. Автор: Qian Tao,D. V. Nirmal Ramaswamy,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory cells and semiconductor structures including electrodes comprising a metal, and related methods

Номер патента: US09553264B2. Автор: Dale W. Collins,Scott E. Sills,Marko Milojevic,Si-Young Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory cells and methods of making memory cells

Номер патента: US09515261B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of separating bonded substrate, method of manufacturing semiconductor storage device, and substrate separation apparatus

Номер патента: US20200294963A1. Автор: Eiichi Soda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods of forming microelectronic devices including voids neighboring conductive contacts, and related electronic systems

Номер патента: US20240339357A1. Автор: John D. Hopkins,Madison D. Drake,Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Memory cells and methods of forming memory cells

Номер патента: US09508931B2. Автор: Qian Tao,Scott E. Sills,Shuichiro Yasuda,Noel Rocklein,Durai Vishal Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070145486A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Peripheral circuitry under array memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US12137566B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Peripheral circuitry under array memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US20230371261A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Phase change memory cells

Номер патента: US09773977B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Selective removal of charge-trapping layer for select gate transistor and dummy memory cells in 3D stacked memory

Номер патента: US09490262B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory devices having low permittivity layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US9362340B2. Автор: Masayuki Terai,Jung-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell

Номер патента: US11956966B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory device in which an array chip including three-dimensionally disposed memory cells bonded to a control circuit chip

Номер патента: US10090315B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US09991316B2. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-05.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20170194445A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20160204212A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US09634105B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Ammonia pre-treatment in the fabrication of a memory cell

Номер патента: US20100155815A1. Автор: Bernard John Fischer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780104B2. Автор: Hisashi Kato,Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US20130011988A1. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US8883601B2. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-11-11.

Stagger memory cell array

Номер патента: US20070272985A1. Автор: Yeou-Lang Hsieh,Ching-Kun Huang,Jeng-Dong Sheu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Flash memory cell with a flair gate

Номер патента: US20080277712A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-13.

Flash memory cell with flair gate

Номер патента: US9190531B2. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Flash memory cell with a gate having a flaring shape and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008140661A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-20.

Integrated planar transistors and memory cell array architectures

Номер патента: US20230197571A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Ferroelectric tunnel junction memory device with integrated ovonic threshold switches and methods of making the same

Номер патента: WO2021141616A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09935154B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of making a resistive random access memory device

Номер патента: US09472757B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory Cells and Methods of Making Memory Cells

Номер патента: US20160211448A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Memory Cells and Methods of Making Memory Cells

Номер патента: US20140011322A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20160307965A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180108708A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180323238A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20150333104A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Memory cell of charge-trapping non-volatile memory

Номер патента: US20230240075A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Tsung-Mu Lai,Chun-Hsiao Li,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09419056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Low power flash memory cell and method

Номер патента: US20040140504A1. Автор: Sheng Hsu,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20170148852A1. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: EP3815149A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: WO2019217022A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-11-14.

Methods of making random access memory devices, transistors, and memory cells

Номер патента: US8470666B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US11910591B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264536A1. Автор: Hideto Takekida,Akimichi Goyo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20190296235A1. Автор: Qian Tao,Scott E. Sills,Shuichiro Yasuda,Noel Rocklein,Durai Vishal Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20170040534A1. Автор: Qian Tao,Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Shuichiro Yasuda,Noel Rocklein. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20150140776A1. Автор: Qian Tao,Scott E. Sills,Shuichiro Yasuda,Noel Rocklein,Durai Vishal Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Thin film transistor based memory cells on both sides of a layer of logic devices

Номер патента: US20210125990A1. Автор: Tahir Ghani,Bernhard Sell,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Kevin Fischer,Wilfred Gomes,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Thin film transistor based memory cells on both sides of a layer of logic devices

Номер патента: US20220045065A1. Автор: Tahir Ghani,Bernhard Sell,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Kevin Fischer,Wilfred Gomes,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Novel method to form memory cells to improve programming performance of embedded memory technology

Номер патента: US20070278557A1. Автор: XIN Wang,Jihong Chen,Eddie Hearl Breashears,John Howard Macpeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Use of a polymer spacer and si trench in a bitline junction of a flash memory cell to improve tpd characteristics

Номер патента: US20090042378A1. Автор: Calvin Gabriel,Ning Cheng,Lei Xue,Huaqiang Wu,Hiro Kinoshita,Angela Hui,Harpreet Kaur Sachar,Phillip Lawrence Jones,K.T. Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-12.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240155827A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021678A1. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Method and Structure for Integrating Capacitor-less Memory Cell with Logic

Номер патента: US20140038367A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Method and Structure for Integrating Capacitor-less Memory Cell with Logic

Номер патента: US20130003452A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Method and structure for integrating capacitor-less memory cell with logic

Номер патента: WO2010080277A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5766996A. Автор: Toshiyuki Hayakawa,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Memory cells separated by a void-free dielectric structure

Номер патента: US11839090B2. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods of forming multi-level cell of semiconductor memory

Номер патента: US8187918B2. Автор: Dong-ho Ahn,Gyu-Hwan OH,Soon-Oh Park,Young-Lim Park,Hyeung-Geun An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-29.

Method to form memory cells separated by a void-free dielectric structure

Номер патента: US11980041B2. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method to form memory cells separated by a void-free dielectric structure

Номер патента: US20200295084A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method to form memory cells separated by a void-free dielectric structure

Номер патента: US20200295085A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method to form memory cells separated by a void-free dielectric structure

Номер патента: US20200127053A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Method to form memory cells separated by a void-free dielectric structure

Номер патента: US20210296401A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Structure and formation method of integrated circuit structure

Номер патента: US10134807B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wen-Chun YOU,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Memory cell constructions, and methods for fabricating memory cell constructions

Номер патента: US8921823B2. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Semiconductor memory having an arrangement of memory cells

Номер патента: US20040135190A1. Автор: Dirk Fuhrmann,Reidar Lindstedt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9018076B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Akihisa Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-04-28.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20170373120A1. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110101434A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Akihisa Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8379428B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Akihisa Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130137239A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Akihisa Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Metal filament memory cells

Номер патента: US20200203604A1. Автор: Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods of forming a memory structure

Номер патента: US20190165263A1. Автор: James A. Cultra,Andrew J. Hansen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Memory cell support lattice

Номер патента: US20140054745A1. Автор: Brett Busch,Che-Chi Lee,Zhimin Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Memory cell support lattice

Номер патента: US20160043089A1. Автор: Brett Busch,Che-Chi Lee,Zhimin Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Memory cell with oxide cap and spacer layer for protecting a floating gate from a source implant

Номер патента: WO2019067575A1. Автор: Bomy Chen,James Walls,Mel HYMAS,Greg Stom. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-04.

A memory cell that includes a carbon-based memory element and methods of forming the same

Номер патента: WO2011109271A1. Автор: April D. Schricker,Michael Y. Chan. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2011-09-09.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: WO2024039416A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

3d memory cells and array architectures and processes

Номер патента: US20230269927A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

3d memory cells and array architectures and processes

Номер патента: US20240121938A1. Автор: Richard J. Huang,Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240074205A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12120884B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Chia-Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

METHODS OF FORMING MAGNETIC MEMORY CELLS, AND METHODS OF FORMING ARRAYS OF MAGNETIC MEMORY CELLS

Номер патента: US20180061886A1. Автор: Tokashiki Ken. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Ferroelectric tunnel junction memory device with integrated ovonic threshold switches and methods of making the same

Номер патента: US20210210497A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Reverse construction memory cell

Номер патента: US20100291742A1. Автор: H. Montgomery Manning,David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US10516026B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190097009A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Embedded dram memory cell with additional patterning layer for improved strap formation

Номер патента: US20130228840A1. Автор: David M. Dobuzinsky,Kangguo Cheng,Munir D. Naeem,Byeong Y. Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile Memory Cells And Methods Of Forming Nonvolatile Memory Cells

Номер патента: US20140034896A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

Nonvolatile Memory Cells And Methods Of Forming Nonvolatile Memory Cells

Номер патента: US20140312291A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

Nonvolatile memory cells and methods of forming nonvolatile memory cells

Номер патента: US9117998B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-25.

Memory cell and method of writing to memory cell

Номер патента: JP4481004B2. Автор: ホフマン，フランツ,ヴィラー，ヨーゼフ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140284683A1. Автор: Sachiyo Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: EP3815149A4. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: EP3815149B1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

METHODS OF FORMING A MEMORY CELL MATERIAL, AND RELATED METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, MEMORY CELL MATERIALS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20150311437A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Smythe John A.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-10-29.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: WO2015164215A8. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-04-28.

Memory cell with post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: US20130119339A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

MEMORY CELL HAVING A FREE FERROMAGNETIC MATERIAL LAYER WITH A CURVED, NON-PLANAR SURFACE AND METHODS OF MAKING SUCH MEMORY CELLS

Номер патента: US20220059754A1. Автор: Yamane Kazutaka,NAIK Vinayak Bharat,Dixit Hemant. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Memory cell with a capacitive structure as a control gate and method of forming the memory cell

Номер патента: US6806529B1. Автор: Andy Strachan,Peter J. Hopper,Yuri Mirgorodski. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-10-19.

Memory cell array and method of forming the memory cell array

Номер патента: TW200814298A. Автор: Martin Popp,Lars Heineck. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-03-16.

Method of making flash memory cells and peripheral circuits having sti, and flash memory devices and computer systems having the same

Номер патента: US20090315099A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Jang-Hyun You,Jin-Taek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-24.

A method of fabricating a memory cell array and memory cell array

Номер патента: KR100506101B1. Автор: 다까유끼 니우야. Владелец: 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-04-21.

Memory cell, memory array and method for defining active area of memory cell

Номер патента: US11610899B2. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Non-volatile semiconductor memory cell having a metal oxide dielectric, and method for fabricating the memory cell

Номер патента: US6580118B2. Автор: Christoph Ludwig,Martin Schrems. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-17.

Flash memory cell with entrenched floating gate and method for operating said flash memory cell

Номер патента: EP1430540A1. Автор: Peter Hagemeyer,Wolfram Langheinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-06-23.

NON-VOLATILE MEMORY CELL, NAND-TYPE NON-VOLATILE MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160181267A1. Автор: Chen Chih-Yuan,Wang Zih-Song,Ying Tzung-Hua,Hwang Hann-Ping,Fang Yen-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

MULTI-LEVEL MEMORY ARRAYS WITH MEMORY CELLS THAT EMPLOY BIPOLAR STORAGE ELEMENTS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140346433A1. Автор: Scheuerlein Roy E.,Chen Yung-Tin,Fasoli Luca,Mihnea Andrei. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

Methods of forming at least one conductive element, methods of forming a semiconductor structure, methods of forming a memory cell and related semiconductor structures

Номер патента: EP2686875A2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-22.

Methods of forming at least one conductive element, methods of forming a semiconductor structure, methods of forming a memory cell and related semiconductor structures

Номер патента: CN103503116A. Автор: 斯科特·E·西里斯,尼尚特·辛哈,山·D·唐,惠特尼·L·韦斯特,罗布·B·古德温. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-08.

Semiconductor device including non-volatile memory cell and field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3345880B2. Автор: 幸正 小石川. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-18.

Methods of electrically interconnecting different elevation conductive structures, methods of forming capacitors, methods of forming an interconnect between a substrate bit line contact and a bit line in DRAM, and methods of forming DRAM memory cell

Номер патента: US20060263974A1. Автор: Brett Busch,F. Gealy,David Hwang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-23.

Method Of Forming A Memory Cell By Reducing Diffusion Of Dopants Under A Gate

Номер патента: US20140057422A1. Автор: Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Method Of Making Split Gate Non-Volatile Memory Cells With Three-Dimensional FINFET Structure, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200013788A1. Автор: Zhou Feng,Kim Jinho,Do Nhan,Liu Xian,Jourba Serguei,Decobert Catherine. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Non-volatile memory cell using state of three kinds and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101111917B1. Автор: 김경도. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-06-27.

Non-volatile memory cell using state of three kinds and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100608376B1. Автор: 김경도. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-08.

Methods of forming a metal chalcogenide material and related methods of forming a memory cell

Номер патента: US9496491B2. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming a memory cell by reducing diffusion of dopants under a gate

Номер патента: EP2888759B1. Автор: Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-13.

Split Gate Non-Volatile Memory Cells With Three-Dimensional FINFET Structure, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200013786A1. Автор: Zhou Feng,Kim Jinho,Do Nhan,Liu Xian,Jourba Serguei,Decobert Catherine. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Method of manufacturing flash memory cell

Номер патента: US20140106526A1. Автор: Yung-Chang Lin,Nan-Ray Wu,Le-Tien Jung. Владелец: Taiwan Memory Co. Дата публикации: 2014-04-17.

MEMORY CELL WITH ASYMMETRICAL TRANSISTOR, ASYMMETRICAL TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING

Номер патента: US20180122795A1. Автор: Pei Chengwen,Wu Xusheng,Xu Ziyan. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

METHODS OF FORMING A MEMORY CELL COMPRISING A METAL CHALCOGENIDE MATERIAL

Номер патента: US20190319187A1. Автор: Uhlenbrock Stefan,Marsh Eugene P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Transistor and memory cell with ultra-short gate feature and method of fabricating the same

Номер патента: KR100851664B1. Автор: 랩킨피터,왕싱야아서,츄카이-쳉. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-13.

Method of forming a memory cell

Номер патента: KR100781818B1. Автор: 후아 쉔,게르하르트 쿤켈,마르틴 구췌. Владелец: 지멘스 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 2007-12-03.

Method of forming a memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element

Номер патента: EP2162916B1. Автор: Michael Konevecki,S. Brad Herner,April Schricker. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-03-20.

Integrated circuit memory cell having a small active area and method of forming same

Номер патента: US6287919B1. Автор: Russell C. Zahorik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-11.

Method of manufacturing flash memory cell

Номер патента: US8664062B2. Автор: Yung-Chang Lin,Nan-Ray Wu,Le-Tien Jung. Владелец: Taiwan Memory Co. Дата публикации: 2014-03-04.

Semiconductor devices having phase change memory cells, electronic systems employing the same and methods of fabricating the same

Номер патента: CN1702883A. Автор: 李将银,李智惠,河龙湖,高宽协,李世昊,安洙珍,黄荣南,柳庚昶,李忠满,赵性来,朴淳五,宋胤宗,南相敦,具奉珍,李秀渊,郑椙旭. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-30.

Method of making a memory cell

Номер патента: US7235419B2. Автор: David Q. Wright,Steven T. Harshfield. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Non-volatile memory cell structure with charge trapping layers and method of fabricating the same

Номер патента: US20060086970A1. Автор: Sang-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of making flash memory cell

Номер патента: KR100187679B1. Автор: 김정우. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of manufacturing flash memory cell

Номер патента: KR100609942B1. Автор: 곽노열. Владелец: 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-08-08.

Split gate non-volatile memory cells with three-dimensional finfet structure, and method of making same

Номер патента: TW202018957A. Автор: 周峰,恩漢 杜,金晉浩,祥 呂,瑟古艾 朱爾巴,凱薩琳 迪柯柏爾特. Владелец: 美商超捷公司. Дата публикации: 2020-05-16.

Method of fabricating semiconductor memory cell

Номер патента: KR930008584B1. Автор: 전영권. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-09-09.

Method of manufacturing a memory cell.

Номер патента: DE3884698T2. Автор: Pierre Jeuch. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1994-05-05.

Method of fibricating a memory cell

Номер патента: TWI373103B. Автор: Chung Lin Huang,mao quan Chen,Ching Nan Hsiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-09-21.

Memory cell, semiconductor integrated circuit device, and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JP5956033B1. Автор: 一正 柳沢,泰彦 川嶋,大介 岡田,福夫 大和田,信司 吉田,谷口　泰弘,泰弘 谷口,省史 吉田,柳沢　一正,吉田　省史. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-07-20.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: TWI681543B. Автор: 楊正威,堅昇 蘇,恩漢 杜. Владелец: 美商超捷公司. Дата публикации: 2020-01-01.

Method of fibricating a memory cell

Номер патента: TW200917423A. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Mao-Quan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Memory cell, semiconductor device having the same, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220344582A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Carlos H. Diaz,Yu-Chao Lin,Da-Ching Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of making a memory cell capacitor with Ta2O5 dielectric

Номер патента: US20030207528A1. Автор: Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Method of manufacturing flash memory cell

Номер патента: TW201133721A. Автор: Yung-Chang Lin,Nan-Ray Wu. Владелец: Taiwan Memory Company. Дата публикации: 2011-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH IMPROVED RELIABILITY AND OPERATING LIFE AND METHODS OF MANUFACTUIRNG THE SAME

Номер патента: US20150279945A1. Автор: Francis Daniel,Diduck Quentin,Babic Dubravko,Nasser-Faili Firooz,Ejeckham Felix,Matthews Kristopher,Smart Joseph,Lowe Frank. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor devices with improved reliability and operating life and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2014066740A1. Автор: Daniel Francis,Dubravko Babic,Firooz Nasser-Faili,Felix Ejeckam,Quentin Diduck,Joseph Smart,Kristopher MATTHEWS,Frank Lowe. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES US CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of manufacturing nano paste containing ortho-silicate for dye-sensitized solar cell and the paste thereof and method of manufacturing electrode using the paste and the electrode thereof and dye-sensitized solar cell with the electrode

Номер патента: KR101353954B1. Автор: 박재형,한치환,고관우,송혜진,이영아. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2014-01-28.

Isolated metal plug process for use in fabricating carbon nanotube memory cells

Номер патента: US20100148277A1. Автор: Peter A. Burke,Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,Richard J. Carter,Verne C. Hornback. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Ionic liquids and ionic liquid acids with high temperature stability for fuel cell and other high temperature applications, method of making and cell employing same

Номер патента: EP1618618A1. Автор: WU Xu,C. Austen Angell,Jean-Philippe Belieres,M. Dept. of Biotechnology Tokyo YOSHIZAWA. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2006-01-25.

Ionic liquids and ionic liquid acids with high temperature stability for fuel cell and other high temperature applications, method of making and cell employing same

Номер патента: WO2004114445B1. Автор: WU Xu,Masahiro Yoshizawa,Jean-Philippe Belieres,C Austen Angell. Владелец: C Austen Angell. Дата публикации: 2005-02-10.

Polymer electrolyte, electrochemical cell and battery comprising said electrolyte, method of preparation and uses thereof

Номер патента: WO2024156383A1. Автор: Michel Armand,Vincent Giordani,Maria MARTINEZ-IBANEZ,Mikel ARRESE-IGOR,Leire MEABE,Lorena GARCÍA,Iñigo RAPOSO,Eduardo GIL. Владелец: Basquevolt S.A.U. Дата публикации: 2024-08-02.

Resistor network horizontal geometry having extended trim ratio and trimming and operating characteristics and method of using the same

Номер патента: GB2008856B. Автор: . Владелец: Stackpole Components Co. Дата публикации: 1982-05-19.

Resistor network horizontal geometry having extended trim ratio and trimming and operating characteristics and method of using the same

Номер патента: GB2008856A. Автор: . Владелец: Stackpole Components Co. Дата публикации: 1979-06-06.

Charged particle beam device, and operating system and method of the device

Номер патента: KR20200040290A. Автор: 피터 폴 헴페니우스,웨이밍 렌,중웨이 첸,마르티누스 제라르두스 마리아 요하네스 마쎈. Владелец: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.. Дата публикации: 2020-04-17.

Electrical cells and batteries and methods of making the same

Номер патента: US4172319A. Автор: Charles K. Chiklis,Stanley M. Bloom,Gordon F. Kinsman. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1979-10-30.

Thin flat laminates for cells and batteries

Номер патента: CA1095980A. Автор: Charles K. Chiklis,Stanley M. Bloom,Gordon F. Kinsman. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1981-02-17.

Method of Printing and Articles

Номер патента: US20240039116A1. Автор: Charles John Michael FOOTER,Max William Angus REID. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of printing and articles

Номер патента: EP4260400A1. Автор: Charles John Michael FOOTER,Max William Angus REID. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Solid polymer electrolyte fuel cell and non-humidifying operating method therefor

Номер патента: CA2329644C. Автор: Hideo Kato,Takashi Moriya,Takahiro Yosida. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

INTERGRATED FUEL CELL AND ENERGY STORAGE SYSTEMS AND METHOD OF OPERATING THEREOF

Номер патента: US20170005480A1. Автор: Gurunathan Ranganathan,Gross Peter,Ballantine Arne,Cottuli Carl,PMSVVSV Prasad. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Fuel cartridge of fuel cell and fuel cartridge operation method

Номер патента: CN102130347B. Автор: 王正,洪国泰. Владелец: Young Green Energy Co. Дата публикации: 2013-10-16.

FUEL CELL AND FUEL CELL OPERATING METHOD

Номер патента: JPWO2007010834A1. Автор: 新 中村,隆志 眞子,義徳 渡邉,英明 佐々木,毅 小畑,中村　新,佐々木　英明,眞子　隆志,小畑　毅. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Memory cell based on a phase-change material

Номер патента: US20240334712A1. Автор: DANIEL Benoit. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: WO2013109920A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: EP2805351A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-26.

Non-volatile memory cell and method of manufacturing a non-volatile memory cell

Номер патента: US7052962B1. Автор: Michael L. Lovejoy. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Programmable Array logic Circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: US20030222675A1. Автор: Richard Lienau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

A programmable array logic circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: WO2001054133A9. Автор: Richard M Lienau. Владелец: Richard M Lienau. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory cells and methods of forming memory cells

Номер патента: EP2943982A1. Автор: Qian Tao,Scott E. Sills,D.V. Nirmal Ramaswamy,Shuichiro Yasuda,Noel Rocklein. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-18.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Array of cross point memory cells

Номер патента: WO2017019242A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-02-02.

3d cells and array structures

Номер патента: US20240147688A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-02.

3d cells and array architectures

Номер патента: WO2024097722A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Hsu Fu Chang. Дата публикации: 2024-05-10.

Method of fabricating a self-aligned split gate flash memory cell

Номер патента: US6562673B2. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

3d memory cells and array architectures and processes

Номер патента: WO2024039417A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

Split-gate flash memory cell with separated and self-aligned tunneling regions

Номер патента: US5427968A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Printing apparatus, electronic device, control program, and operation parameter setting method of printing apparatus

Номер патента: US09936087B2. Автор: Tatsuo Akasaka,Yuki Kuwahara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Non-volatile memory cell with enhanced filament formation characteristics

Номер патента: US20100032636A1. Автор: Yang Li,Insik Jin,Song S. Xue,Dadi Setiadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-02-11.

Nonvolatile memory cells and methods of forming nonvolatile memory cells

Номер патента: US8753949B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-17.

Nonvolatile memory cells and methods of forming nonvolatile memory cell

Номер патента: US8796661B2. Автор: Gurtej Sandhu,Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

A method of forming ferroelectric memory cell

Номер патента: TWI237872B. Автор: Hao-Chieh Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor memory device having memory cell section and peripheral circuit section and method of manufacturing the same

Номер патента: US6995425B2. Автор: Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-02-07.

Memory cell array and method of forming a memory cell array

Номер патента: US7589019B2. Автор: Veronika Polei,Dominik Olligs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-09-15.

Memory cell for storing information, memory circuit and method for producing a memory cell

Номер патента: DE102004018715B3. Автор: Ralf Symanczyk. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-17.

A method of manufacturing static memory cell

Номер патента: KR100734982B1. Автор: 몬테 매닝. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2007-07-06.

Manufacturing method of read-only memory cell device

Номер патента: JP3615765B2. Автор: ホフマン、フランツ,レースナー、ウオルフガング,クラウチユナイダー、ウオルフガング,リツシユ、ロタール. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2005-02-02.

Method of fabricating a memory cell

Номер патента: KR940003590B1. Автор: 전영권. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-04-25.

INTEGRATED CIRCUIT, IN PARTICULAR DRAM MEMORY CELL WITH LOW FORM FACTOR CONTACT AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: FR2828763A1. Автор: Pascale Mazoyer,Christian Caillat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-02-21.

INTEGRATED CIRCUIT, IN PARTICULAR DRAM MEMORY CELL WITH LOW FORM FACTOR CONTACT AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: FR2828763B1. Автор: Pascale Mazoyer,Christian Caillat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-01-16.

Fabricating method of a flash memory cell

Номер патента: US7445999B2. Автор: Leo Wang,Cheng-Tung Huang,Saysamone Pittikoun. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Manufacturing method of fast-flash memory cells

Номер патента: TW339471B. Автор: Kim Jong-oh,Cho Min-Kuck. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1998-09-01.

Architecture and fabrication method of a vertical memory cell

Номер патента: US20050036392A1. Автор: Stefan Slesazeck,Bernd Goebel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of non-volatile memory cell

Номер патента: KR0136995B1. Автор: 조병진. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-04-24.

Method of fabricating a memory cell with a single sided buried strap

Номер патента: TW200428593A. Автор: Yi-Nan Chen,Chih-Yuan Hsiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Oscillation circuit, oscillator, and operation mode switching method of oscillation circuit

Номер патента: US20210234510A1. Автор: Nobutaka Shiozaki,Mihiro Nonoyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Oscillation circuit, oscillator, and operation mode switching method of oscillation circuit

Номер патента: US11205996B2. Автор: Nobutaka Shiozaki,Mihiro Nonoyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

OSCILLATION CIRCUIT, OSCILLATOR, AND OPERATION MODE SWITCHING METHOD OF OSCILLATION CIRCUIT

Номер патента: US20210234510A1. Автор: Shiozaki Nobutaka,NONOYAMA Mihiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

DISASTER SITE INTEGRATED COMMANDING AND OPERATING SYSTEM AND METHOD OF PROVIDING THE SAME

Номер патента: US20210282219A1. Автор: CHU Kyo Koan,LEE Young Gi,HONG Seung Bok,Yu Dong Ju. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

PRINTING APPARATUS, ELECTRONIC DEVICE, CONTROL PROGRAM, AND OPERATION PARAMETER SETTING METHOD OF PRINTING APPARATUS

Номер патента: US20170264761A1. Автор: Akasaka Tatsuo,KUWAHARA Yuki. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-14.

Combination and operation system and method of optical monitor for elevator and optical repeaters system for mobile communication

Номер патента: KR101148582B1. Автор: 이승범,양승훈,엄광식. Владелец: (주)인텔리안테크놀로지스. Дата публикации: 2012-05-21.

Switching power supply device, integrated circuit, and operation state setting method of switching power supply device

Номер патента: JP5365686B2. Автор: 建 陳. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

In-Building RF Distributing Repeater and Operation and Maintenance Method of the same

Номер патента: KR100701760B1. Автор: 김태근,한오형,윤찬의. Владелец: 주식회사 케이티. Дата публикации: 2007-03-29.

Integrated circuits including memory cells

Номер патента: US20240116293A1. Автор: Michael W. Cumbie,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of reconstruction of unauthorized dump with conversion thereof into a solid domestic wastes landfill

Номер патента: RU2697095C1. Автор: Елена Ивановна Тихомирова,Алексей Васильевич Кошелев,Ольга Викторовна Атаманова,Валентина Алексеевна Заматырина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-08-12.

Construct and method of transgene expression using bidirectional constitutive brassica promoter

Номер патента: RU2619178C2. Автор: Манджу ГУПТА,Стефен НОВАК,Шон Майкл РАССЕЛЛ,Лю Инь ШЭНЬ,Сиварама Редди ЧЕННАРЕДДИ,Джиоти Р РОУТ. Владелец: ДАУ АГРОСАЙЕНСИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-05-12.

Isolated polynucleotides and polypeptides, and methods of using same for increasing plant yield and/or agricultural characteristics

Номер патента: US09976157B2. Автор: Hagai Karchi,Eyal Emmanuel,Limor Poraty-Gavra. Владелец: Evogene Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

A direct conversion method of human fibroblasts into neural stem cells using small molecules

Номер патента: US20180010094A1. Автор: In Sik Hwang,Kyung-Ah Choi,Sung Hoi Hong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-01-11.

Bioresorbable cardiovascular instruments, and operation and fabrication methods of same

Номер патента: US20240269473A1. Автор: John A. Rogers,Yeonsik Choi,Igor Efimov,Rose T. YIN. Владелец: George Washington University. Дата публикации: 2024-08-15.

A method of treatment and agents useful for same

Номер патента: EP1458406A1. Автор: Derek N.J. c/o Mater Medical Research Inst. HART,G. R. c/o Queensland Inst. of Medical Res. HILL,K.P.A. Queensland Inst. of Medical Res MACDONALD. Владелец: Corporation of the Trustees of the Order of the Sisters of Mercy in Queensland. Дата публикации: 2004-09-22.

A method of treatment and agents useful for same

Номер патента: WO2003035101A1. Автор: Derek Nigel John Hart,Geoffrey Roger Hill,Kelli Patricia Anne Macdonald. Владелец: The Corporation of the Trustees of the Order of the Sisters of Mercy in Queensland. Дата публикации: 2003-05-01.

Stem cell preparations and methods of use

Номер патента: US09468656B2. Автор: Foteini Kakulas. Владелец: MEDELA HOLDING AG. Дата публикации: 2016-10-18.

Stem cell preparations and methods of use

Номер патента: US09464270B2. Автор: Foteini Kakulas. Владелец: MEDELA HOLDING AG. Дата публикации: 2016-10-11.

Isolated polynucleotides and polypeptides, and methods of using same for increasing plant yield and/or agricultural characteristics

Номер патента: US09834782B2. Автор: Hagai Karchi,Limor Poraty-Gavra,Ilya Pankratov. Владелец: Evogene Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Novel polynucleotides, cells and methods

Номер патента: WO2024149907A2. Автор: Vishal MENON,Timothy Allsopp,Vlad SEITAN,Anna KLUCNIKA. Владелец: Laverock Therapeutics Limited. Дата публикации: 2024-07-18.

Novel polynucleotides, cells and methods

Номер патента: WO2024149907A3. Автор: Vishal MENON,Timothy Allsopp,Vlad SEITAN,Anna KLUCNIKA. Владелец: Laverock Therapeutics Limited. Дата публикации: 2024-08-22.

Human adipose stem cell-derived exosomes and methods of treating parkinson's disease

Номер патента: WO2024186658A1. Автор: Niketa Patel,Paula Bickford. Владелец: The United States Government as represented by the Department of Veterans Affairs. Дата публикации: 2024-09-12.

Culture media, cell cultures and methods of culturing pluripotent stem cells in an undifferentiated state

Номер патента: WO2011058558A2. Автор: Michal Amit,Joseph Itskovitz-Eldor. Владелец: Technion Research & Development Foundation Ltd.. Дата публикации: 2011-05-19.

Isolated polynucleotides and polypeptides, and methods of using same for increasing nitrogen use efficiency, yield, growth rate, vigor, biomass, oil content, and/or abiotic stress tolerance

Номер патента: US10457954B2. Автор: Hagai Karchi,Basia Judith Vinocur,David Panik. Владелец: Evogene Ltd. Дата публикации: 2019-10-29.

Isolated polynucleotides and polypeptides, and methods of using same for increasing plant yield and/or agricultural characteristics

Номер патента: AU2018201669B2. Автор: Hagai Karchi,Eyal Emmanuel,Limor Poraty-Gavra. Владелец: Evogene Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Attenuated cells comprising sp12 mutants, carriers and compositions containing same, methods of production and uses thereof

Номер патента: CA2341349C. Автор: David Holden,Carlos Alberto Guzman,Michael Hensel,Jacqueline Shea,Heiko Apfel,Eva Medina,Christoph Hueck. Владелец: Emergent Product Development UK Ltd. Дата публикации: 2013-12-10.

Apparatus for improved transfection and/or intracellular delivery efficiency of an agent into a eukaryotic cell and/or protein expression and method of use thereof

Номер патента: AU2021245088A1. Автор: Jean-Christophe Bourdon,William J. Henry,Anna MONTALI. Владелец: St Andrews Pharmaceutical Technology Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Stem cell preparations and methods of use

Номер патента: WO2013156954A1. Автор: Foteini Hassiotou. Владелец: MEDELA HOLDING AG. Дата публикации: 2013-10-24.

Stem cell preparations and methods of use

Номер патента: US20150023928A1. Автор: Foteini Hassiotou. Владелец: MEDELA HOLDING AG. Дата публикации: 2015-01-22.

Stem cell preparations and methods of use

Номер патента: US20140086882A1. Автор: Foteini Hassiotou. Владелец: MEDELA HOLDING AG. Дата публикации: 2014-03-27.

Apparatus for improved transfection and/or intracellular delivery efficiency of an agent into a eukaryotic cell and/or protein expression and method of use thereof

Номер патента: WO2021191623A1. Автор: Jean-Christophe Bourdon,William J Henry,Anna MONTALI. Владелец: St Andrews Pharmaceutical Technology Limited. Дата публикации: 2021-09-30.

Apparatus for Improved Transfection and / or intracellular delivery efficiency of an Agent into a Eukaryotic Cell and / or Protein Expression and Method of Use Thereof

Номер патента: US20230159954A1. Автор: Jean-Christophe Bourdon,William J. Henry,Anna MONTALI. Владелец: St Andrews Pharmaceutical Technology Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Apparatus for improved transfection and/or intracellular delivery efficiency of an agent into a eukaryotic cell and/or protein expression and method of use

Номер патента: GB2606943A. Автор: Bourdon Jean-Christophe,John Henry William,Montali Anna. Владелец: St Andrews Pharmaceutical Technology Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

Apparatus for improved transfection and/or intracellular delivery efficiency of an agent into a eukaryotic cell and/or protein expression and method of use thereof

Номер патента: CA3163155A1. Автор: Jean-Christophe Bourdon,William J. Henry,Anna MONTALI. Владелец: St Andrews Pharmaceutical Technology Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Apparatus for improved transfection and/or intracellular delivery efficiency of an agent into a eukaryotic cell and/or protein expression and method of use thereof

Номер патента: EP4058135A1. Автор: Jean-Christophe Bourdon,William J Henry,Anna MONTALI. Владелец: St Andrews Pharmaceutical Technology Ltd. Дата публикации: 2022-09-21.

Method of manufacturing a paper core material having a design of continuously geometric pattern and the paper core material manufactured by the method

Номер патента: US6455125B1. Автор: Michiko Morishita. Владелец: Dice Core Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Isolated polynucleotides and polypeptides, and methods of using same for increasing plant yield and/or agricultural characteristics

Номер патента: CA2797200C. Автор: Hagai Karchi,Eyal Emmanuel. Владелец: Evogene Ltd. Дата публикации: 2020-03-31.

Method of selection for spiramycin resistance in streptomyces

Номер патента: US4753880A. Автор: Nancy A. Schaus,Patricia J. Solenberg. Владелец: Eli Lilly and Co. Дата публикации: 1988-06-28.

Discharging and loading integrated system of electrolytic cell and discharging and loading control method of electrolytic cell

Номер патента: CN112011808A. Автор: 陈浩,刘文彬,汪佳良,邓爱民,邵晓光,余智艳. Владелец: Jiangxi Nerin Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

t cell receptor (tcr), tcr binding to a hla-a * 02 complex, tcr anti-cd3 fusion molecule, nucleic acid, expression vector, cell, purified and / or unnaturally occurring cell, and / or designed, pharmaceutical composition, method of treating a human subject in need thereof, injectable formulation for administration to a human subject, and method of producing a triple

Номер патента: BR112018070741A2. Автор: Hayes Conor,LIDDY Nathaniel,MAHON Tara,HIBBERT Linda,RAMAN Marine. Владелец: Immunocore Limited. Дата публикации: 2019-02-12.

Apparatus for improved transfection and/or intracellular delivery efficiency of an agent into a eukaryotic cell and/or protein expression and method of use

Номер патента: GB202210609D0. Автор: . Владелец: St Andrews Pharmaceutical Technology Ltd. Дата публикации: 2022-08-31.

Apparatus for improved transfection and/or intracellular delivery efficiency of an agent into a eukaryotic cell and/or protein expression and method of use thereof

Номер патента: ZA202210031B. Автор: Jean-Christophe Bourdon,William J Henry,Anna MONTALI. Владелец: St Andrews Pharmaceutical Tech Limited. Дата публикации: 2023-04-26.

Apparatus for improved transfection and/or intracellular delivery efficiency of an agent into a eukaryotic cell and/or protein expression and method of use thereof

Номер патента: IL296674A. Автор: . Владелец: St Andrews Pharmaceutical Tech Ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

Methods for culturing and differentiating pluripotent cells into progenitor or mature muscle cells and composition comprising said cells

Номер патента: US20240052315A1. Автор: Gaya SAVYON,Iftach NACHMAN. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods for culturing and differentiating pluripotent cells into progenitor or mature muscle cells and composition comprising said cells

Номер патента: EP4314248A1. Автор: Gaya SAVYON,Iftach NACHMAN. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

New gene with upregulated expression in metastatic human tumor cells and a protein coded thereby, methods of production, and use thereof

Номер патента: AU5267999A. Автор: Ulrich Weidle,Goosen N.P. Van Muijen,Tobias Hildebrandt. Владелец: Roche Diagnostics GmbH. Дата публикации: 2000-05-04.

Recombinant polyclonal proteins targeting covid-19 and methods of use thereof

Номер патента: US20230287112A1. Автор: David Scott Johnson,Adam Shultz ADLER,Rena Aviva MIZRAHI,Michael ASENSIO,Sheila KEATING,Emily BENZIE,Ariel NIEDECKEN,Angelica V. MEDINA-CUCURELLA,Kacy STADTMILLER,Yoong Wearn LIM. Владелец: Gigagen Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

MICROBIAL CELL AND PARTICLE SELECTION SYSTEM AND METHOD OF USE

Номер патента: US20140093933A1. Автор: Toomey Ryan,Stroot Peter George. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2014-04-03.

ENHANCED ACOUSTIC CELL AND ENHANCED ACOUSTIC PANEL, AND METHODS OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20190112803A1. Автор: Godfrey Donald G.,ALSTAD Shawn,McNair Mark,Schuster William. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2019-04-18.

Dry powder cells and cell culture reagents and methods of production thereof

Номер патента: US6383810B2. Автор: William Biddle,Richard Fike,William Whitford. Владелец: Invitrogen Corp. Дата публикации: 2002-05-07.

Dry powder cells and cell culture reagents and methods of production thereof

Номер патента: EP2295533A3. Автор: Richard Milton Fike,Richard Francis Hassett,Barbara Mary Dadey,Robert Chester Radominski. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

New gene with down-regulated expression in metastatic human melanoma cells and a protein coded thereby, methods of production, and use thereof

Номер патента: CA2297137A1. Автор: Albert J. W. Zendman,Goosen N.P. Van Muijen. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2000-07-29.

Dry powder cells and cell culture reagents and methods of production thereof

Номер патента: CA2798535A1. Автор: William Biddle,Richard Fike,William Whitford. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 1998-08-20.

Dry powder cells and cell culture reagents and methods of production thereof

Номер патента: CA2427596A1. Автор: Richard Milton Fike,Richard Francis Hassett,Barbara Mary Dadey,Robert Chester Radominski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-10.

Stable biomass based on yeast cells and lactic acid bacteria and method of production

Номер патента: DE69434289D1. Автор: Patrick Taillade,Christian Roques,Pascal Bonnardel,Philippe Thonart,Slim Zgoulli,Dominique Roblain. Владелец: Lesaffre et Cie SA. Дата публикации: 2005-04-14.

Dry powder cells and cell culture reagents and methods of production thereof

Номер патента: US20040087022A1. Автор: William Biddle,Richard Fike,William Whitford. Владелец: Invitrogen Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Polymer electrolyte membrane, polymer electrolyte membrane / electrode assembly, fuel cell, and fuel cell operating method

Номер патента: JP5470674B2. Автор: 全広 山下,幸太 北村. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-voltaile memory cells, memory arrays including the same and methods of operating cells and arrays

Номер патента: TW200625550A. Автор: Hang-Ting Lue,Sheng-Chih Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-16.

Non-volatile memory cells, memory arrays including the same and methods of operating cells and arrays

Номер патента: TW200636728A. Автор: Tzu-Yu Wang,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-16.

Memory cell for complementary metal-oxide-semiconductor ram structure

Номер патента: RU2580071C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Non-volatile memory cell and fabricating method thereof and method of fabricating non-volatile memory

Номер патента: TW200713511A. Автор: Tzung-Ting Han,Ming-Shang Chen,Meng-Hsuan Weng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-01.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Reading To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20120039109A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Srinivasan Bhaskar. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Reading To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20130001498A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Non-volatile memory cell, NAND-type non-volatile memory and method of manufacturing thereof

Номер патента: TW200917422A. Автор: Houng-Chi Wei,Shi-Hsien Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

A method of operating a memory cell, nonvolatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI260637B. Автор: Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-21.

A method of operating a memory cell, nonvolatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200623131A. Автор: Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-01.

Methods Of Forming Memory Cells And Methods Of Forming Programmed Memory Cells

Номер патента: US20120063198A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-03-15.

Non-voltaile memory cells, memory arrays including the same and methods of operating cells and arrays

Номер патента: TWI309875B. Автор: Hang Ting Lue,Sheng Chih Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-11.

Nonvolatile Memory Cells and Methods Of Forming Nonvolatile Memory Cell

Номер патента: US20120104343A1. Автор: Sandhu Gurtej,Ramaswamy Nirmal. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

Memory Cell and Method of Manufacturing a Memory Cell

Номер патента: US20130020631A1. Автор: SINGH Navab,Pott Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

A non-volatile memory cell for storing two bit data and method of operating the same

Номер патента: TWI295848B. Автор: Chrong Jung Lin,Ya Chin King. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-11.

D.c. stable single device memory cell

Номер патента: CA1058753A. Автор: Shashi D. Malaviya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-17.

Read only memory cell to provide a production method for manufacturing the read only memory cell, and its distinguishing is the MOS transistor is arranged at special angle.

Номер патента: TW331665B. Автор: Klose Helmut. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-05-11.

Method of and plant for complex cleaning of diesel fuel

Номер патента: RU2245452C1. Автор: А.С. Попов,Ю.Н. Жарченков,А.И. Мишин. Владелец: Жарченков Юрий Николаевич. Дата публикации: 2005-01-27.

MULTI-LEVEL MEMORY ARRAYS WITH MEMORY CELLS THAT EMPLOY BIPOLAR STORAGE ELEMENTS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120091427A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

METHODS OF FORMING AT LEAST ONE CONDUCTIVE ELEMENT, METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE, METHODS OF FORMING A MEMORY CELL AND RELATED SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20120235106A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

MEMORY CELLS, SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES, MEMORY SYSTEMS, AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20130334630A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Kula Witold,Kramer Stephen J.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-12-19.

MEMORY CELLS, SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES, MEMORY SYSTEMS, AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20130334631A1. Автор: Kula Witold,Kramer Stephen J.,Kinney Wayne I.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-12-19.

Nonvolatile semiconductor memory and method of accessing nonvolatile memory cell

Номер патента: JP3417937B2. Автор: 村 俊 雄 山,井 弘 人 中,野 正 通 浅,藤 秀 雄 加,重 芳 徳. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-16.

A kind of preparation method of resistor-type memory cell

Номер патента: CN105185903B. Автор: 李同伟,刘汇慧,崔红玲,毛爱霞,王会娴. Владелец: Henan University of Science and Technology. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods Of Forming Programmed Memory Cells

Номер патента: US20120212999A1. Автор: Liu Jun. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-08-23.

MEMORY CELL HAVING FLEXIBLE READ/WRITE ASSIST AND METHOD OF USING

Номер патента: US20130294181A1. Автор: Chang Jonathan Tsung-Yung,CHENG Chiting,LI Kun-Hsi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-11-07.

METHOD OF MAKING TRENCH MEMORY CELLS

Номер патента: DD280851A1. Автор: Ulli Schmidt,Horst Griesbach. Владелец: Dresden Forschzentr Mikroelek. Дата публикации: 1990-07-18.

Operation and control system and operation and control method of engineering machinery

Номер патента: CN102518166B. Автор: 张迁,钟柳芳. Владелец: Zoomlion Heavy Industry Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-12.

STORAGE CONTROL APPARATUS AND OPERATING MODE CONTROL METHOD OF STORAGE CONTROL APPARATUS

Номер патента: US20120221801A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

Thin Film Solar Cells And Other Devices, Systems And Methods Of Fabricating Same, And Products Produced By Processes Thereof

Номер патента: US20120018733A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-26.

Enriched stem cell and progenitor cell populations, and methods of producing and using such populations

Номер патента: US20120034595A1. Автор: . Владелец: Keck Graduate Institute. Дата публикации: 2012-02-09.

COMPOSITIONS COMPRISING PLACENTAL STEM CELLS AND PLATELET RICH PLASMA, AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120171161A1. Автор: Herzberg Uri,Abramson Sascha,Bhatia Mohit B.. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

DRY POWDER CELLS AND CELL CULTURE REAGENTS AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120276630A1. Автор: FIKE Richard,Whitford William,Biddle William. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-01.

DRY POWDER CELLS AND CELL CULTURE REAGENTS AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20130065300A1. Автор: FIKE Richard,Whitford William,Biddle William. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

APPARATUS FOR CULTURING CELL AND ANALYZING CELL REACTION, AND METHOD OF ANALYZING CELL REACTION USING THE SAME

Номер патента: US20130149731A1. Автор: JUNG Moon Youn,PARK Jeong Won,Song Kibong,YANG Seungkyoung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-06-13.

Fallback operation method in case of memory failure

Номер патента: JP2528882B2. Автор: 慈啓 弘山. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-08-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.