Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • High coherent power, two-dimensional surface­emitting semiconductor diode array laser

High coherent power, two-dimensional surface­emitting semiconductor diode array laser

Номер патента: WO2003063305A2
Опубликовано: 31-07-2003
Автор(ы): Dan Botez
Принадлежит: Wisconsin Alumini Research Foundation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

High coherent power, two-dimensional surface­emitting semiconductor diode array laser

Номер патента: AU2003207591A1. Автор: Dan Botez. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2003-09-02.

High coherent power, two-dimensional surface-emitting semiconductor diode array laser

Номер патента: EP1472763A2. Автор: Dan Botez. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2004-11-03.

High coherent power, two-dimensional surface­emitting semiconductor diode array laser

Номер патента: WO2003063305A3. Автор: Dan Botez. Владелец: Wisconsin Alumni Res Found. Дата публикации: 2003-11-13.

METHOD FOR PRODUCING SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASERS, AND LASERS OBTAINED BY THE PROCESS.

Номер патента: FR2671238B1. Автор: FAIST Jérôme,Reinhart Franz Karl. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1993-03-12.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240097401A1. Автор: Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method

Номер патента: US20090074025A1. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays

Номер патента: US4881237A. Автор: Joseph P. Donnelly. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1989-11-14.

High-density, independently addressable surface emitting semiconductor laser/light emitting diode array

Номер патента: CA2051223C. Автор: Thomas L. Paoli. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

Method of manufacturing surface-emitting semiconductor laser element

Номер патента: US09762030B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210075192A1. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11437783B2. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-06.

Surface-emitting semiconductor laser based on a triple-lattice photonic crystal structure

Номер патента: US20230231363A1. Автор: Lijun Wang,Huanyu Lu,Ziye WANG,Cunzhu Tong,Pinyao WANG. Владелец: Changchun Institute Of Optics Fine Mechanics And Physics Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-07-20.

Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device and method for the manufacture thereof

Номер патента: US6954479B2. Автор: Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-10-11.

Optically pumpable surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20050259700A1. Автор: Stephan Lutgen,Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder,Werner Späth,Ulrich STEEGMÜLLER. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-11-24.

Surface-emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030016713A1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US09466945B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US09653883B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Ring cavity type surface emitting semiconductor laser and fabrication method thereof

Номер патента: US6088378A. Автор: Yukio Furukawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20160276808A1. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Surface emitting semiconductor laser diode

Номер патента: WO2023247129A1. Автор: Christoph Eichler,Hubert Halbritter,Jelena Ristic,Damir Borovac,Åsa HAGLUND,Joachim CIERS. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabrication method for surface emitting semiconductor device and surface emitting semiconductor device

Номер патента: US20040144984A1. Автор: Markus Weyers,Hans Wenzel,Martin Zorn,Andrea Knigge. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor laser diode array and the method for manufacturing a two-dimensional semiconductor laser diode array

Номер патента: US20240178638A1. Автор: Anna Kafar,Piotr Perlin,Szymon STANCZYK,Krzysztof GIBASIEWICZ,Jacek KACPERSKI,Kiran SABA. Владелец: Instytut Wysokich Cisnien of PAN. Дата публикации: 2024-05-30.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser element, light emitting device, and optical transmission system

Номер патента: JP4602685B2. Автор: 孝志 高橋. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-22.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser, light emission device, and optical transmission system

Номер патента: US20070071054A1. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US09444223B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Masaya KUMEI,Junichiro Hayakawa. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Surface-emitting semiconductor laser and sensing module

Номер патента: EP3611812A1. Автор: Yuji Masui,Hidehiko Nakata,Yuji Furushima. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-02-19.

Surface emitting semiconductor device

Номер патента: US20080019410A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11979001B2. Автор: Hiroshi Nakajima,Rintaro Koda,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Surface emitting semiconductor laser device and fabricating method of the same

Номер патента: US5821566A. Автор: Seok-Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-13.

Surface-emitting semiconductor laser chip

Номер патента: US11979000B2. Автор: Hubert Halbritter,Tilman Rügheimer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-05-07.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240332901A1. Автор: Lutz Hoeppel,Sven GERHARD,Hubert Halbritter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20080285612A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: GB201207790D0. Автор: . Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20230246420A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Non-collinearly pumped linearly polarized external cavity surface emitting semiconductor lasers

Номер патента: WO2024154091A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-07-25.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US12068581B2. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Step-tunable external-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: WO2003028172A2. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara,Briggs Atherton. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2003-04-03.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11881674B2. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230027967A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210265819A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Surface emitting semiconductor laser and method of manufacture thereof

Номер патента: EP2550711A1. Автор: Hans Zogg,Mohamed Rahim,Ferdinand Felder,Matthias Fill,Martin Arnild. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2013-01-30.

Method for producing a waveguide structure in a surface-emitting semiconductor laser and surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20060078029A1. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Method for producing a waveguide structure in a surface-emitting semiconductor laser and surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: AU2003293705A8. Автор: Markus Christian Amann. Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2004-08-30.

Optically-pumped surface-emitting semiconductor laser with heat-spreading compound mirror-structure

Номер патента: WO2012148757A1. Автор: Sergei V. Govorkov,Luis A. Spinelli. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2012-11-01.

Surface emitting semiconductor laser, manufacturing method for surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US8842709B2. Автор: Takashi Kondo,Kazutaka Takeda. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-23.

Surface emitting semiconductor laser, method for manufacturing surface emitting semiconductor laser, optical apparatus, light irradiation apparatus, information processing apparatus, optical transmission apparatus, optical space transmission apparatus, and optical transmission system

Номер патента: JP5092432B2. Автор: 将央 山本,昌宏 吉川,崇 近藤. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and optical information processing device

Номер патента: US8023543B2. Автор: Jun Sakurai,Ryoji Ishii,Hiromi Otoma. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: JP5381526B2. Автор: 広己 乙間,淳 櫻井,亮次 石井. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20180183210A1. Автор: Babu Dayal PADULLAPARTHI. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4069383B2. Автор: 伸明 植木. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-02.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP3467593B2. Автор: 克己 森,達也 浅賀,英明 岩野. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-17.

Optically pumped surface-emitting semiconductor laser device and method for the production thereof

Номер патента: EP1281222B1. Автор: Tony Albrecht. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2004-04-21.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4548345B2. Автор: 理光 望月. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-09-22.

Method for manufacture of optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US8592236B2. Автор: Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2013-11-26.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US8428094B2. Автор: Stefan Illek,Hans Lindberg. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-04-23.

Surface emitting semiconductor laser, method for manufacturing the same, and optical module

Номер патента: JP4203747B2. Автор: 剛 金子. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-01-07.

Visible light surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US5258990A. Автор: Jack L. Jewell,Gregory R. Olbright. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1993-11-02.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4117499B2. Автор: 理光 望月. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-07-16.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4024471B2. Автор: 明 田中. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-19.

Tunnel junction type surface emitting semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5017804B2. Автор: 伸明 植木. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-05.

Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20020001328A1. Автор: Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Manufacturing method of surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP4124017B2. Автор: 啓修 成井,義昭 渡部,嘉幸 田中,義則 山内,勇一 黒水. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-07-23.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20020146053A1. Автор: Norihiro Iwai. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Optical pumped surface-emitting semiconductor-laser device and its production method

Номер патента: TW520578B. Автор: Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2003-02-11.

Semiconductor laser diode array and the method for manufacturing a two-dimensional semiconductor laser diode array

Номер патента: EP4309254A1. Автор: Anna Kafar,Piotr Perlin,Szymon STANCZYK,Krzysztof GIBASIEWICZ,Jacek KACPERSKI,Kiran SABA. Владелец: Instytut Wysokich Cisnien of PAN. Дата публикации: 2024-01-24.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser diode with the mode filter

Номер патента: US20230116144A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truoung Dai,Van-Chien Nguyen. Владелец: Visual Photonics Expitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20060292868A1. Автор: Masahiro Yoshikawa. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20080144683A1. Автор: Koichiro Adachi,Tomonobu Tsuchiya,Kouji Nakahara,Takashi Shiota,Kazunori Shinoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20160006214A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-01-07.

Surface-emitting semiconductor laser, manufacturing method thereof, and surface-emitting semiconductor laser array using the same

Номер патента: JPH10200204A. Автор: Yasuji Seko,保次 瀬古. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-31.

High-frequency modulated surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: TW200715678A. Автор: Thomas Schwarz,Michael Kuehnelt,Ulrich Steegmueller,Josip Maric. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-04-16.

METHOD OF MANUFACTURING SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

Номер патента: US20170070033A1. Автор: Kondo Takashi,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi,JOGAN Naoki. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2017-03-09.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160099549A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi,JOGAN Naoki. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-04-07.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP4592873B2. Автор: 則之 横内. Владелец: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2010-12-08.

Surface emitting semiconductor laser device and process for producing the same

Номер патента: US6201825B1. Автор: Jun Sakurai,Hideo Nakayama,Yasuaki Miyamoto,Hiromi Otoma. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-13.

Surface-emitting semiconductor laser and its manufacturing method

Номер патента: KR100363503B1. Автор: 히데아키이와노,가쯔미모리,다카유끼곤도,타쯔야아사카. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-02-05.

Surface emitting semiconductor laser array and optical transmission system using the same

Номер патента: CN100409516C. Автор: 吉川昌宏,坂本朗,大森诚也,宫本育昌,半田孝太郎. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-06.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: DE10122063B4. Автор: Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Surface-emitting semiconductor laser and method of manufacturing same

Номер патента: JP2007129010A. Автор: Takeshi Kaneko,剛 金子. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US8270448B2. Автор: Takashi Kondo,Kazutaka Takeda. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-18.

Manufacturing method of surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP3713956B2. Автор: 広己 乙間,淳 櫻井,育昌 宮本,秀生 中山. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-09.

High frequency modulated surface emitting semiconductor laser

Номер патента: DE102005055159B4. Автор: Thomas Schwarz,Josip Maric,Dr. Kühnelt Michael,Dr. Steegmüller Ulrich. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-02-21.

Lateral optically pumped surface-emitting semiconductor laser on a heat sink

Номер патента: US7817695B2. Автор: Thomas Schwarz,Stephan Lutgen,Tony Albrecht,Ulrich STEEGMÜLLER,Wolfgang Reill. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2010-10-19.

Manufacturing method of surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4265875B2. Автор: 正彦 近藤,真 工藤,健 北谷. Владелец: 日本オプネクスト株式会社. Дата публикации: 2009-05-20.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20110182316A1. Автор: Takashi Kondo,Kazutaka Takeda. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Radio-frequency-modulated surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: WO2007036192A1. Автор: Thomas Schwarz,Ulrich STEEGMÜLLER,Josip Maric,Michael Kühnelt. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-04-05.

Apparatus and method for stacking and coating of very short cavity laser diode arrays

Номер патента: EP4342042A1. Автор: Antti Saarela,Lasse Orsila. Владелец: Modulight Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Apparatus and method for stacking and coating of very short cavity laser diode arrays

Номер патента: US20230081770A1. Автор: Antti Saarela,Lasse Orsila. Владелец: Modulight Oyj. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for manufacturing surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20070202622A1. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Surface-emitting semiconductor laser and method for manufacturing thereof as well as optical device

Номер патента: EP1528647A3. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-11.

Surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US4847844A. Автор: Keisuke Kojima,Susumu Noda,Kazuo Kyuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-07-11.

Optoelectronic systems providing high-power high-brightness laser light based on field coupled arrays, bars and stacks of semiconductor diode lasers

Номер патента: CN102132466A. Автор: V·施丘金,N·莱登斯托夫. Владелец: PBC Lasers GmbH. Дата публикации: 2011-07-20.

Optoelectronic systems providing high-power high-brightness laser light based on field coupled arrays, linear arrays and stacks of semiconductor diode lasers

Номер патента: CN102132466B. Автор: V·施丘金,N·莱登斯托夫. Владелец: PBC Lasers GmbH. Дата публикации: 2013-04-17.

Optoelectronic systems providing high-power high-brightness laser light based on field coupled arrays, bars and stacks of semiconductor diode lasers

Номер патента: EP2329568A2. Автор: Vitaly Shchukin,Nikolai Ledentsov. Владелец: PBC Lasers GmbH. Дата публикации: 2011-06-08.

Semiconductor device, surface emitting semiconductor laser and edge emitting semiconductor laser

Номер патента: US6597017B1. Автор: Akira Sakamoto,Yasuji Seko. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-22.

Surface emitting semiconductor laser and surface emitting semiconductor laser array

Номер патента: JP3791584B2. Автор: 貴幸 近藤,剛 金子,哲朗 西田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-28.

Method for producing a buried tunnel junction in a surface emitting semiconductor laser and surface emitting semiconductor laser

Номер патента: DE10305079B4. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2005-04-28.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US4949350A. Автор: Axel Scherer,Jack L. Jewell. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1990-08-14.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER CHIP

Номер патента: US20210050710A1. Автор: HALBRITTER Hubert,Rügheimer Tilman. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND SENSING MODULE

Номер патента: US20210083454A1. Автор: NAKATA HIDEHIKO,FURUSHIMA YUJI,MASUI YUJI. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20210249844A1. Автор: Nakajima Hiroshi,Koda Rintaro,HAMAGUCHI TATSUSHI. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

Номер патента: US20160276808A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi,JOGAN Naoki. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-09-22.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20180269655A1. Автор: Koyama Yuji,YANAGISAWA Masaki,KOBAYASHI Hirohiko,YOSHINAGA Hiroyuki,TSUJI Yukihiro. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-09-20.

Surface emitting semiconductor laser manufacturing method

Номер патента: JP3147328B2. Автор: 隆志 黒川,義孝 大礒. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2001-03-19.

Surface-emitting semiconductor laser with lateral heat dissipation

Номер патента: DE102004032696A1. Автор: Jürgen Dr.-Ing. Mähnß. Владелец: Universitaet Ulm. Дата публикации: 2006-02-16.

Vertical cavity surface emitting semiconductor lasers and their method of fabrication

Номер патента: EP0924822A2. Автор: Philip D. Floyd,Decai Sun. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1999-06-23.

Surface emitting semiconductor laser array structure with vertical resonator without substrate

Номер патента: EP0499659A1. Автор: Gerhard Dipl.-Ing. Schraud. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-08-26.

Fabrication method of a vertical cavity surface emitting semiconductor laser

Номер патента: EP0924822B1. Автор: Philip D. Floyd,Decai Sun. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2005-01-26.

Vertical surface emitting semiconductor device

Номер патента: US8000371B2. Автор: Christopher L. Chua,Noble M. Johnson,Peter Kiesel,Andre Strittmatter. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Surface emitting semiconductor laser and communication system using the same

Номер патента: US20040213310A1. Автор: Hiromi Otoma. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP5055717B2. Автор: 広己 乙間. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-24.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP3240636B2. Автор: 克己 森,達也 浅賀,英明 岩野. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-12-17.

Surface emitting semiconductor laser and process for producing the same

Номер патента: US6898226B2. Автор: Jun Sakurai,Hiromi Otoma. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-24.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser with triangle prism optical cavity resonator

Номер патента: US6924511B2. Автор: Wang Nang Wang,Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Tunable surface emitting semiconductor laser

Номер патента: DE69404701D1. Автор: Niloy Kumar Dutta,Daryoosh Vakhshoori. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1997-09-11.

Surface emitting semiconductor laser, optical device, light irradiation device, information processing device, light transmission device, space optical transmission device, and light transmission system

Номер патента: JP5092533B2. Автор: 将央 山本,昌宏 吉川,崇 近藤. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP3395194B2. Автор: 克己 森,達也 浅賀,英明 岩野. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-04-07.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: DE60019257D1. Автор: Akihiko Kasukawa,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: WO2001037386A1. Автор: Akihiko Kasukawa,Noriyuki Yokouchi. Владелец: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2001-05-25.

Surface emitting semiconductor laser and sensing module

Номер патента: CN110720163A. Автор: 中田英彦,增井勇志,古嵨裕司. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-01-21.

Vertical Surface Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20110069729A1. Автор: Christopher L. Chua,Noble M. Johnson,Peter Kiesel,Andre Strittmatter. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2011-03-24.

Two-dimensional surface-emitting laser array

Номер патента: US7796667B2. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Monolithic multi-wavelength laser diode array

Номер патента: US5384797A. Автор: David K. Fork,Robert G. Waarts,David F. Welch,Ross D. Bringans,G. A. Neville Connell,Jo S. Major,Robert L. Thornton. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Vcsel diode and vcsel diode array having common anode structure

Номер патента: US20240128714A1. Автор: Keon Hwa Lee. Владелец: Korea Photonics Technology Institute. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor diode laser array

Номер патента: US4975923A. Автор: Jens Buus,Andrew C. Carter. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1990-12-04.

Flared laser diode array

Номер патента: US20240097406A1. Автор: Martin H. Muendel,James J. Morehead,Matthew Glenn Peters,Victor Rossin,John G. Bai. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser, semiconductor laser module, and non-linear optical device

Номер патента: US20120320447A1. Автор: Norihiro Iwai,Hirotatsu Ishii,Shinya Ootomo,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Surface-Emitting Semiconductor Laser, Surface-Emitting Semiconductor Laser Array, Surface-Emitting Semiconductor Laser Device, Optical Transmission Device, And Information Processing Device

Номер патента: CN105914581A. Автор: 樱井淳,近藤崇,村上朱实,城岸直辉,早川纯朗,早川纯一朗,武田隆,武田一隆. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-31.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE AND SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20180287346A1. Автор: TSUJI Yukihiro. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-10-04.

Surface emitting semiconductor laser, method for fabricating surface emitting semiconductor laser, module, light source apparatus, data processing apparatus, light sending apparatus, optical spatial transmission apparatus, and optical spatial transmission system

Номер патента: KR101121114B1. Автор: 데이이치 스즈키,다이스케 나가오. Владелец: 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2012-03-19.

Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, light transmission device and information processing apparatus

Номер патента: JP2014022672A. Автор: Takashi Kondo,崇 近藤,Kazutaka Takeda,一隆 武田. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-03.

Surface emitting semiconductor laser, method for fabricating surface emitting semiconductor laser, module, light source apparatus, data processing apparatus, light sending apparatus, optical spatial transmission apparatus, and optical spatial transmission system

Номер патента: US7944957B2. Автор: Teiichi Suzuki,Daisuke Nagao. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-17.

Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: JP5998701B2. Автор: 近藤　崇,崇 近藤,一隆 武田. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Surface emitting semiconductor laser, method for fabricating surface emitting semiconductor laser, module, light source apparatus, data processing apparatus, light sending apparatus, optical spatial transmission apparatus, and optical spatial transmission system

Номер патента: KR20080100118A. Автор: 데이이치 스즈키,다이스케 나가오. Владелец: 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-11-14.

Semiconductor optical element and surface-emitting semiconductor optical element

Номер патента: US9685764B2. Автор: Naoki Nakamura,Ayumi FUCHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for fabricating the same, and surface-emitting semiconductor laser array employing the laser device

Номер патента: US6737290B2. Автор: Akihiko Kasukawa,Noriyuki Yokouchi,Toshikazu Mukaihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-18.

Surface emitting semiconductor laser, method for fabricating surface emitting semiconductor laser, module, light source apparatus, data processing apparatus, light sending apparatus, optical spatial transmission apparatus, and optical spatial transmission system

Номер патента: US20110183450A1. Автор: Teiichi Suzuki,Daisuke Nagao. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Laser apparatus including surface-emitting semiconductor excited with semiconductor laser element, and directly modulated

Номер патента: US20010012307A1. Автор: Toshiro Hayakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

The surface emitting semiconductor laser

Номер патента: DK1808944T3. Автор: Masamitsu Mochizuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-05-04.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160118773A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,KUMEI Masaya,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-04-28.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20210265819A1. Автор: Kawasumi Takayuki,Watanabe Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Surface emitting semiconductor laser and manufacture thereof

Номер патента: JPH11112088A. Автор: Yasuhiro Kobayashi,康宏 小林. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-23.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: FR2743195B1. Автор: Paul Salet. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1998-02-06.

METHOD FOR MANUFACTURING A SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: FR2753576B1. Автор: Paul Salet,Joel Jacquet,Leon Goldstein,Francois Brillouet,Catherine Fortin. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1998-11-13.

METHOD FOR MANUFACTURING A SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: FR2743196B1. Автор: Antonina Plais,Paul Salet,Joel Jacquet,Leon Goldstein,Francois Brillouet. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1998-02-06.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101304157B. Автор: 铃木贞一,长尾太介. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-05.

Apparatus for fabricating surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20050180478A1. Автор: Jun Sakurai,Akira Sakamoto,Hideo Nakayama,Yasuaki Miyamoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser structure

Номер патента: CN111435781B. Автор: 韦欣,郭文涛,廖文渊,谭满清. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2022-03-18.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US7885307B2. Автор: Hirokazu Yoshikawa,Norihiro Iwai,Koji Hiraiwa,Yoshihiko Ikenaga,Kinuka Tanabe,Takeo Kageyama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Surface-emitting semiconductor laser comprising a structured wavegoude

Номер патента: IL174806A0. Автор: . Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2006-08-20.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: EP0939471A1. Автор: Hiroyuki Nippon Telegr. & Teleph. Corp. Uenohara,Kouta Nippon Telegr. & Teleph. Corp. Tateno,Toshiaki Nippon Telegr. & Teleph. Corp. Kagawa,Osamu Nippon Telegr. & Teleph. Corp. Tadanaga,Chikara Nippon Telegr. & Teleph. Corp. Amano,Takashi Nippon Telegr. & Teleph. Corp. Kurokawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1999-09-01.

Surface emitting semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3095545B2. Автор: 秀人 菅原,和彦 板谷. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US6846685B2. Автор: Takashi Kurokawa,Toshiaki Kagawa,Chikara Amano,Kouta Tateno,Osamu Tadanaga,Hiroyuki Uenohara. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20070091965A1. Автор: Hirokazu Yoshikawa,Norihiro Iwai,Koji Hiraiwa,Yoshihiko Ikenaga,Kinuka Tanabe,Takeo Kageyama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Surface Emitting Semiconductor Body with Vertical Emission Direction and Stabilized Emission Wavelength

Номер патента: US20100014549A1. Автор: Stephan Lutgen,Peter Brick,Wolfgang Diehl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2010-01-21.

Surface emitting semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3928695B2. Автор: 淳史 佐藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-06-13.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20030156613A1. Автор: Takashi Kurokawa,Toshiaki Kagawa,Chikara Amano,Kouta Tateno,Osamu Tadanaga,Hiroyuki Uenohara. Владелец: Hiroyuki Uenohara. Дата публикации: 2003-08-21.

METHOD FOR MANUFACTURING A SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: FR2743196A1. Автор: Antonina Plais,Paul Salet,Joel Jacquet,Leon Goldstein,Francois Brillouet. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1997-07-04.

Surface emitting semiconductor laser device and optical projection device comprising the same

Номер патента: EP1770835B1. Автор: Stephan Lutgen. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-06-08.

Surface emitting semiconductor laser with lateral electrode contact.

Номер патента: DE69007461T2. Автор: Ya-Hong Xie,Sergey Luryi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-07-07.

Surface emitting semiconductor laser diode integrated with photo detector and its manufacturing method

Номер патента: KR100363243B1. Автор: 김태경. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-02-05.

Optically-pumped external-cavity surface-emitting semiconductor lasers with front-cooled gain-structures

Номер патента: US20110064099A1. Автор: Sergei V. Govorkov,R. Russel Austin. Владелец: Coherent Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Surface emitting semiconductor laser with lateral electrode contact.

Номер патента: DE69007461D1. Автор: Ya-Hong Xie,Sergey Luryi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-04-21.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor light-emitting structure and preparation method thereof

Номер патента: CN114899707B. Автор: 王俊,刘恒,肖垚,郭路安,苗霈,张宇荧. Владелец: Suzhou Everbright Semiconductor Laser Innovation Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP2962881B2. Автор: 徹 石川,晃 茨木,浩太郎 古沢. Владелец: Sanyo Denki Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-12.

Dual-wavelength vertical cavity surface emitting semiconductor laser, optical device and preparation method

Номер патента: CN115425520A. Автор: 张俊,张建伟,彭航宇,王立军,张继业,王靖博. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2022-12-02.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, optical module, and light-transmission device

Номер патента: EP1341278B1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

High-coherence semiconductor light sources

Номер патента: US09819151B2. Автор: Amnon Yariv,Christos T Santis,Scott T Steger. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2017-11-14.

High-coherence semiconductor light sources

Номер патента: CA2915690A1. Автор: Amnon Yariv,Christos T. SANTIS,Scott T. STEGER. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-01-08.

High-coherence semiconductor light sources

Номер патента: EP3017514A4. Автор: Amnon Yariv,Christos T. SANTIS,Scott T. STEGER. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2017-03-01.

Semiconductor diode laser amplifier and method of manufacturing same

Номер патента: WO1996019023A3. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-08-15.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US09502863B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US20160064899A1. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US6636543B2. Автор: Norihiro Iwai,Noriyuki Yokouchi,Tatsuyuki Shinagawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Semiconductor device and surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20030015726A1. Автор: Norihiro Iwai,Noriyuki Yokouchi,Tatsuyuki Shinagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, light transmission apparatus, and information processing apparatus

Номер патента: US20130243023A1. Автор: Takashi Kondo. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20160064900A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi,JOGAN Naoki. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor optical element and surface-emitting semiconductor optical element

Номер патента: US20160156154A1. Автор: Naoki Nakamura,Ayumi FUCHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Method for fabricating surface-emitting semiconductor device, surface-emitting semiconductor device fabricated by the method, and display device using the device

Номер патента: EP0896405A3. Автор: Toshihiko Ouchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, light transmission apparatus, and information processing apparatus

Номер патента: US8780950B2. Автор: Takashi Kondo. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20220077655A1. Автор: Koyama Yuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2022-03-10.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20210075192A1. Автор: Yamamoto Masashi,Tsuji Yuji,MURAYAMA Minoru,TAKAMIZU Daiju. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20180278022A1. Автор: WANG LI,ONISHI Yutaka,LI Nein-Yi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-09-27.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP5304694B2. Автор: 修 前田,政貴 汐先,孝博 荒木田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-02.

Method of manufacturing surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP2961191B2. Автор: 徹 石川,晃 茨木,浩太郎 古沢. Владелец: Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan. Дата публикации: 1999-10-12.

Surface emitting semiconductor laser, and its manufacturing method, and manufacturing method of electron device

Номер патента: KR101164240B1. Автор: 히로노부 나루이,요시아끼 와따나베,유이찌 구로미즈,요시노리 야마우찌,요시유끼 다나까. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2012-07-09.

A kind of surface-emitting semiconductor laser coherence array device and preparation method thereof

Номер патента: CN107872006B. Автор: 张建伟,王立军,贾鹏,秦莉,陈泳屹,宁永强. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2019-10-01.

Method for driving surface emitting semiconductor laser, optical transmission module, and handheld electronic device

Номер патента: US8023539B2. Автор: Kazuhiro Sakai,Akira Sakamoto,Akemi Murakami,Hideo Nakayama,Osamu Ueno. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US6816527B2. Автор: Nobuaki Ueki. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-09.

Surface-emitting semiconductor light emitting device

Номер патента: KR960006102A. Автор: 아끼라 이시바시,노리가즈 나까야마,사또루 기지마. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 1996-02-23.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JPH0773139B2. Автор: 健一 笠原. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-08-02.

Surface emitting semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4138629B2. Автор: 圭児 高岡,亨彦 西垣,瑞仙 江崎. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-27.

Surface emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US6631152B2. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Takayuki Kondo,Tetsuo Nishida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-10-07.

A method of manufacturing a surface emitting semiconductor device

Номер патента: DE69841235D1. Автор: Toshihiko Ouchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4582237B2. Автор: 修 前田,政貴 汐先,孝博 荒木田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-11-17.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP3123846B2. Автор: 徹 石川,晃 茨木,浩太郎 古沢,輝明 三宅. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-15.

Surface emitting semiconductor laser, its manufacturing method, and manufacturing method of electron device

Номер патента: US7858410B2. Автор: Yoshinori Yamauchi,Yoshiyuki Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Hironobu Narui,Yuichi Kuromizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Method for driving surface emitting semiconductor laser, optical transmission module, and handheld electronic device

Номер патента: KR20090007203A. Автор: 아키라 사카모토,가즈히로 사카이,히데오 나카야마,오사무 우에노,아케미 무라카미. Владелец: 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2009-01-16.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US6529541B1. Автор: Akira Sakamoto,Masahiro Yoshikawa,Hideo Nakayama,Nobuaki Ueki,Hiromi Otoma. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-04.

Surface emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US6597720B2. Автор: Takayuki Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: CA2232585A1. Автор: Paul Salet,Joel Jacquet,Leon Goldstein,Francois Brillouet,Christophe Starck,Patrick Garabedian,Julien Boucart. Владелец: Julien Boucart. Дата публикации: 1998-10-03.

Distributed laser power architecture for laser diode arrays

Номер патента: US09667022B1. Автор: Gary L. Burkholder. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Distributed laser power architecture for laser diode arrays

Номер патента: US20170244212A1. Автор: Gary L. Burkholder. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Multi-beam laser diode array

Номер патента: US5060237A. Автор: David L. Peterson. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1991-10-22.

Laser diode array, method of manufacturing the same, printer, and optical communication device

Номер патента: US20160308333A1. Автор: Takahiro Arakida,Osamu Maeda,Masaki Shiozaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor diode lasers

Номер патента: US4663761A. Автор: Joseph A. Barnard,Edwin Y. B. Pun. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1987-05-05.

Laser diode array and laser diode unit

Номер патента: US20130243019A1. Автор: Tomoki Ono,Kazuya WAKABAYASHI. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Independently addressable semiconductor diode lasers with integral low loss passive waveguides

Номер патента: EP0602811A1. Автор: Thomas L. Paoli. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1994-06-22.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, MANUFACTURING METHOD FOR SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20140044438A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20140112364A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

Surface-emitting semiconductor laser for optically/electrically pumped radiation has cavity mirrors, a laser resonator, an interference filter and a semiconductor chip for emitting pumped radiation

Номер патента: DE102004011456A1. Автор: Thomas Schwarz,Ulrich Dr. Steegmüller,Michael Dr. Kühnelt. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2005-08-18.

Surface-emitting semiconductor laser and method for manufacturing thereof as well as optical device

Номер патента: EP1528647B1. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser with upper and lower electrodes arranged in staggered manner

Номер патента: CN112490851B. Автор: 李辉,冯源,晏长岭,逄超,杨静航,岳云震,郝永芹,钱冉. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-07-12.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser with upper and lower electrodes arranged in staggered manner

Номер патента: CN112490851A. Автор: 李辉,冯源,晏长岭,逄超,杨静航,岳云震,郝永芹,钱冉. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-03-12.

Method for producing a buried tunnel junction in a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: AU2003286155A1. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2004-06-18.

Apparatus, system, and method for wavelength conversion of mode-locked extended cavity surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP2008508561A. Автор: アラム ムラディアン，,アンドレイ， ヴイ． シチェグロヴ，,ジェイソン， ピー． ワトソン，. Владелец: ノバラックス，インコーポレイティド. Дата публикации: 2008-03-21.

Surface emitting semiconductor laser diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US7443899B2. Автор: Nobuaki Ueki. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser with distributed Bragg reflector on asymmetric annular structure

Номер патента: CN111129952A. Автор: 冯源,晏长岭,逄超,杨静航,郝永芹,张剑家. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2020-05-08.

Method for producing a buried tunnel junction in a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: WO2004049461A3. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: Markus-Christian Amann. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for adjusting divergence angle of light beam of vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: CN111244760A. Автор: 高阳,蒋锴,仇伯仓,徐化勇. Владелец: Jiangxi Deray Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-06-05.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: DE602007000751D1. Автор: Masamitsu Mochizuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Smart laser diode array assembly

Номер патента: US20020006146A1. Автор: Michael Hope,Dana Marshall,Theodore McMinn,Geoffrey Heberle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Pulsed resonant laser diode array driver

Номер патента: US20240291235A1. Автор: Stuart B. Molin,Joseph H. Colles,Steven E. Rosenbaum. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Laser diode array packaging

Номер патента: US5835518A. Автор: Robert E. Grove,David C. Mundinger,James Z. Holtz. Владелец: Star Medical Technologies Inc. Дата публикации: 1998-11-10.

Pulsed resonant laser diode array driver

Номер патента: US20230198225A1. Автор: Stuart B. Molin,Joseph H. Colles,Steven E. Rosenbaum. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Pulsed resonant laser diode array driver

Номер патента: EP4324057A1. Автор: Stuart B. Molin,Joseph H. Colles,Steven E. Rosenbaum. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Pulsed resonant laser diode array driver

Номер патента: US11996676B2. Автор: Stuart B. Molin,Joseph H. Colles,Steven E. Rosenbaum. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Laser diode array

Номер патента: RU2130221C1. Автор: А.М. Прохоров,Ю.П. Коваль,В.В. Аполлонов,С.И. Державин,В.В. Кузьминов,Д.А. Машковский,Б.Ш. Кишмахов,Г.И. Бабаянц,В.П. Смокалин. Владелец: Акционерное общество закрытого типа "Энергомаштехника". Дата публикации: 1999-05-10.

Laser diode array

Номер патента: GB2567880A. Автор: Andrew Holland Graham. Владелец: BAE SYSTEMS plc. Дата публикации: 2019-05-01.

Laser diode array

Номер патента: AU2018359825B2. Автор: Graham Andrew HOLLAND. Владелец: BAE SYSTEMS plc. Дата публикации: 2024-01-04.

Laser diode array

Номер патента: CA3079144C. Автор: Graham Andrew HOLLAND. Владелец: BAE SYSTEMS plc. Дата публикации: 2024-04-30.

Laser diode array

Номер патента: US5627850A. Автор: Michael J. Cook,Timothy L. Irwin,Kirk S. Mellen,Robert J. Kolbet. Владелец: Paradigm Lasers Inc. Дата публикации: 1997-05-06.

Driver circuitry and systems for high current laser diode arrays

Номер патента: US20190052051A1. Автор: Robert J. Deri,Andrew James Bayramian,Steven J. Telford,Glenn Beer,Edward S. Fulkerson,Charles L. Heinbockel,Edward S. Koh,Rodney Kay Lanning. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2019-02-14.

Driver circuitry and systems for high current laser diode arrays

Номер патента: WO2019033127A1. Автор: Robert J. Deri,Andrew James Bayramian,Glenn Beer,Edward S. Fulkerson. Владелец: Lawrence Livermore National Security, LLC. Дата публикации: 2019-02-14.

Tuning arrangement for a semiconductor diode laser with an external resonator

Номер патента: US5867512A. Автор: Joachim Sacher. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-02-02.

Laser diode arrays with reduced heat induced strain and stress

Номер патента: WO2006011059A3. Автор: Peter Blixt,Alfred Feitisch,Carsten Lindstroem. Владелец: Comlase Nt Ab. Дата публикации: 2006-08-24.

Surface emitting semiconductor laser array having a matrix driving type arrangement

Номер патента: US6259715B1. Автор: Hideo Nakayama. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Very low cost surface emitting laser diode arrays

Номер патента: WO2006081173A3. Автор: Mark Osowski. Владелец: Quintessence Photonics Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Very low cost surface emitting laser diode arrays

Номер патента: WO2006081173A2. Автор: Mark Osowski. Владелец: Quintessence Photonics Corporation. Дата публикации: 2006-08-03.

Very low cost surface emitting laser diode arrays

Номер патента: EP1846995A2. Автор: Mark Osowski. Владелец: Quintessence Photonics Corp. Дата публикации: 2007-10-24.

METHOD FOR IMPROVEMENT OF THE BEAM QUALITY OF THE LASER LIGHT GENERATED BY SYSTEMS OF COHERENTLY COUPLED SEMICONDUCTOR DIODE LIGHT SOURCES

Номер патента: US20170201067A1. Автор: Ledentsov Nikolay,Shchukin Vitaly. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor diode laser array

Номер патента: GB2203891A. Автор: Andrew Cannon Carter,Jens Buus. Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1988-10-26.

High-power infrared semiconductor diode light emitting device

Номер патента: US20070002915A1. Автор: Yi Qian,David Bean,Daniel Pulver. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2007-01-04.

Circuit failure detection for diode arrays

Номер патента: US11927644B2. Автор: Rahim Akbari-Dilmaghai. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Method and device for conditioning the light emission of a laser diode array

Номер патента: EP1059713B1. Автор: Giuliano Piccinno,Antoniangelo Agnesi. Владелец: Bright Solutions Soluzioni Laser Innovative Srl. Дата публикации: 2005-08-03.

Arrangement for guiding and shaping beams from a rectilinear laser diode array

Номер патента: US5887096A. Автор: Keming Du,Peter Loosen. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 1999-03-23.

A high power laser diode array comprising at least one high power diode laser and laser light source comprising the same

Номер патента: CA2643923C. Автор: Boris Regaard,Thorsten Schmidt,Stefan Heinemann. Владелец: Fraunhofer USA Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20140022326A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,NAKAYAMA Hideo. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20140023380A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130077648A1. Автор: ARNOLD Martin,Felder Ferdinand,Rahim Mohamed,Fill Matthias,Zogg Hans. Владелец: ETH ZURICH, ETH TRANSFER. Дата публикации: 2013-03-28.

Surface emitting semiconductor laser array and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100428253B1. Автор: 김성우,손정환. Владелец: (주)옵토웨이. Дата публикации: 2004-04-28.

Long wavelength surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP3123030B2. Автор: 隆志 黒川,貴志 田所,剛孝 小濱,義孝 大磯. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2001-01-09.

Vertical external cavity surface emitting laser devices allowing high coherence, high power and large tunability

Номер патента: EP3146601A1. Автор: Vincent Lecocq,Isabelle Sagnes,Arnaud GARNACHE-CREUILLOT,Mikhael MYARA,Gregoire Beaudoin,Stéphane DENET,Laurence FERRIERES. Владелец: INNOPTICS. Дата публикации: 2017-03-29.

Vertical external cavity surface emitting laser devices allowing high coherence, high power and large tunability

Номер патента: WO2015177323A1. Автор: Vincent Lecocq,Isabelle Sagnes,Arnaud GARNACHE-CREUILLOT,Mikhael MYARA,Gregoire Beaudoin,Stéphane DENET,Laurence FERRIERES. Владелец: INNOPTICS. Дата публикации: 2015-11-26.

Vertical external cavity surface emitting laser devices allowing high coherence, high power and large tunability

Номер патента: US9774165B2. Автор: Vincent Lecocq,Isabelle Sagnes,Arnaud GARNACHE-CREUILLOT,Mikhael MYARA,Gregoire Beaudoin,Stéphane DENET,Laurence FERRIERES. Владелец: INNOPTICS. Дата публикации: 2017-09-26.

HIGH-COHERENCE SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES

Номер патента: US20160261091A1. Автор: Satyan Naresh,Rakuljic George,Yariv Amnon,Santis Christos T.,STEGER Scott T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Nanocrystal array, laser device, and display device

Номер патента: US20230369828A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Chun-Yen Peng,Kuo-Bin HONG,Shih-Chen Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Process for manufacturing a semiconductor diode by dry and wet etching

Номер патента: FR3127072B1. Автор: Bertrand Szelag,Laetitia ADELMINI. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-08-04.

Process for manufacturing a semiconductor diode by dry and wet etching

Номер патента: FR3127072A1. Автор: Bertrand Szelag,Laetitia ADELMINI. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-03-17.

Optoelectronic semiconductor device with a semiconductor diode laser

Номер патента: WO1996008044A2. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-03-14.

Semiconductor diode laser

Номер патента: DE3401102A1. Автор: Franz Dr. 8039 Puchheim Kappeler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1985-07-18.

Laser diode array assemblies with optimized brightness conservation

Номер патента: US6240116B1. Автор: Robert J. Lang,John G. Endriz,Alexander Schoenfelder,Michael P. Staskus,James M. Haden. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 2001-05-29.

Semiconductor diode laser spectrometer arrangement and method

Номер патента: CA2482402C. Автор: Erwan Normand,Nigel Langford,Geoffrey Duxbury. Владелец: Cascade Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Diode array package with homogeneous output

Номер патента: WO2001017080A9. Автор: Richard H Moyer. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Diode array package with homogeneous output

Номер патента: EP1208623A1. Автор: Richard H. Moyer. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2002-05-29.

Laser diode array

Номер патента: US4674095A. Автор: Jochen Heinen,Franz Kappeler,Heinz Westermeier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-06-16.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF PRODUCING SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20150099317A1. Автор: TAKEDA Kazutaka,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-09.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20160248228A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi,JOGAN Naoki. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-08-25.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20160064899A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi,JOGAN Naoki. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-03-03.

Surface emitting semiconductor laser with light receiver, manufacturing method, and sensor using the same

Номер патента: DE69600713T2. Автор: Takeo Kaneko,Katsumi Mori,Takayuki Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-04-15.

Surface-emitting laser, surface-emitting laser array, laser apparatus, ignition device and internal combustion engine

Номер патента: EP3070790A1. Автор: Naoto Jikutani,Shinichi Harada,Kazuma Izumiya,Yusuke OKURA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-21.

Integrated semiconductor diode laser and photodiode structure

Номер патента: CA2018502C. Автор: Peter Leo Buchmann,Christoph Stephan Harder,Otto Vogeli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-01-11.

Heterostructure semiconductor laser diode and method for manufacturing a heterostructure semiconductor diode

Номер патента: DE2822146C2. Автор: Peter 7910 Neu-Ulm Marschall,Ewald Dipl.-Phys. 7900 Ulm Schlosser,Claus 7904 Erbach Wölk. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1982-11-25.

Radiation-emitting semiconductor diode, and method of manufacturing such a diode

Номер патента: EP0846342A1. Автор: Johannes Antonius De Poorter,Adrian Valster,Arnoud Adrianus Brouwer. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 1998-06-10.

Emission-emission semiconductor diode and method of manufacturing such a diode

Номер патента: JPH11511908A. Автор: ポールター ヨハネス アントニウス デ,アドリアン ヴァルスター,アーノウド アドリアヌス ブルワー. Владелец: フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ. Дата публикации: 1999-10-12.

Lens support structure for laser diode arrays

Номер патента: US5526373A. Автор: Arthur A. Karpinski. Владелец: Karpinski; Arthur A.. Дата публикации: 1996-06-11.

SURFACE-EMITTING LASER ARRAY, LASER APPARATUS, IGNITION DEVICE AND INTERNAL COMBUSTION ENGINE

Номер патента: US20180034244A1. Автор: Jikutani Naoto,Numata Masayuki,Izumiya Kazuma. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2018-02-01.

Surface-emitting laser array, laser apparatus, ignition device and internal combustion engine

Номер патента: US10498108B2. Автор: Naoto Jikutani,Masayuki Numata,Kazuma Izumiya. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor diode laser

Номер патента: DE69725537D1. Автор: Hideki Goto,Satoru Nagao,Hideyoshi Horie,Toshinari Fujimori. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Integrated semiconductor diode laser and photodiode structure

Номер патента: CA2018502A1. Автор: Peter Leo Buchmann,Christoph Stephan Harder,Otto Vogeli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-27.

Semiconductor diode laser and method of manufacturing same

Номер патента: CN1113354A. Автор: C·J·范德波尔,G·A·阿凯特,M·F·C·森曼. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 1995-12-13.

Integrated semiconductor diode laser and photodiode structure.

Номер патента: DE68909408D1. Автор: Peter Leo Dr Buchmann,Christoph Stephan Dr Harder,Otto Dr Voegeli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-10-28.

Monolithic edge-emitting semiconductor diode arrays

Номер патента: US20230261444A1. Автор: Christian Velez,Marco Rossetti,Marcus DÜLK,Marco MALINVERNI,Antonino Francesco CASTIGLIA. Владелец: EXALOS AG. Дата публикации: 2023-08-17.

Wearable devices comprising semiconductor diode light sources with improved signal-to-noise ratio

Номер патента: US20240180428A1. Автор: Mohammed N. Islam. Владелец: Omni Medsci Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Current peak sensor for pulsed laser diode array

Номер патента: US12085592B2. Автор: Rahim Akbari-Dilmaghani. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Pulsed coherent fiber array laser and its method of operation

Номер патента: WO2008105912A2. Автор: Robert R. Rice,Mark E. Weber,Michael G. Wickham,Eric C.T. Cheung. Владелец: Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp.. Дата публикации: 2008-09-04.

Diode array assembly for diode pumped lasers

Номер патента: US3711789A. Автор: E Dierschke. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1973-01-16.

Vertical external cavity surface emitting laser devices allowing high coherence, high power and large tunability

Номер патента: US20170117684A1. Автор: Vincent Lecocq,Isabelle Sagnes,Arnaud GARNACHE-CREUILLOT,Mikhael MYARA,Stéphane DENET,Laurence FERRIERES,Grégoire BEAUDOUIN. Владелец: INNOPTICS. Дата публикации: 2017-04-27.

Vertical external cavity surface emitting laser devices allowing high coherence, high power and large tunability

Номер патента: US20170117684A1. Автор: Vincent Lecocq,Isabelle Sagnes,Arnaud GARNACHE-CREUILLOT,Mikhael MYARA,Stéphane DENET,Laurence FERRIERES,Grégoire BEAUDOUIN. Владелец: INNOPTICS. Дата публикации: 2017-04-27.

CHIP-BASED LASER RESONATOR DEVICE FOR HIGHLY COHERENT LASER GENERATION

Номер патента: US20150092808A1. Автор: Chen Tong,LI Jiang,VAHALA Kerry,LEE Hansuek. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

CHIP-BASED LASER RESONATOR DEVICE FOR HIGHLY COHERENT LASER GENERATION

Номер патента: US20160190769A1. Автор: Chen Tong,LI Jiang,VAHALA Kerry,LEE Hansuek. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Laser diode array device manufacturing method, laser light emitting circuit, and ranging device

Номер патента: US20210313763A1. Автор: Naoki Fujiwara,Hiroshi Koga. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Laser diode array device manufacturing method, laser light emitting circuit, and ranging device

Номер патента: EP3836319A1. Автор: Naoki Fujiwara,Hiroshi Koga. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2021-06-16.

High resolution wavelength locking technique for one-and two-dimensional arrays of semiconductor diode lasers

Номер патента: TW480798B. Автор: Andrew D Sappey. Владелец: Zolo Technologies Inc. Дата публикации: 2002-03-21.

Smart laser diode array assembly

Номер патента: IL121485A0. Автор: . Владелец: Cutting Edge Optronics Inc. Дата публикации: 1998-02-08.

Smart laser diode array assembly

Номер патента: IL121485A. Автор: . Владелец: Cutting Edge Optronics Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Optical transmitter with a semiconductor diode as a stimulable medium

Номер патента: DE1282211B. Автор: Bankim Ramanlal Shah,Howard Bradbury Williams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1968-11-07.

Stabile mode broad stripe semiconductor diode laser

Номер патента: US20030189962A1. Автор: James Harrison. Владелец: Spectra Physics Semiconductor Lasers Inc. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor diode for an injection laser

Номер патента: CA942880A. Автор: Walter Heywang,Gunter Winstel,Karl-Heinz Zschauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-02-26.

Surface-emitting semiconductor light-emitting diode

Номер патента: EP2553727B1. Автор: Bernd Kloth,Torsten Trenkler,Vera Abrosimova. Владелец: JENOPTIK OPTICAL SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2021-06-09.

Surface-emitting semiconductor light-emitting diode

Номер патента: WO2011120513A1. Автор: Bernd Kloth,Torsten Trenkler,Vera Abrosimova. Владелец: JENOPTIK Polymer Systems GmbH. Дата публикации: 2011-10-06.

Apparatus and method for driving laser diode arrays with high-power pulsed currents using low-side linear drive with laser diode array protection and power efficiency monitoring and adjustment

Номер патента: US09748734B1. Автор: Robert F. Stiffler,Michael S. Lackey,Thomas H. Alford. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-08-29.

OCT swept laser with high coherence signal extraction

Номер патента: US20150184994A1. Автор: Flanders Dale C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

HIGH-COHERENCE SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES

Номер патента: US20150333480A1. Автор: Yariv Amnon,Santis Christos T.,STEGER Scott T.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Surface-emitting laser, surface-emitting laser array, laser apparatus, ignition device and internal combustion engine

Номер патента: US20160276809A1. Автор: Naoto Jikutani,Shinichi Harada,Kazuma Izumiya,Yusuke OKURA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Optical transmitter with a semiconductor diode as a stimulable medium (injection laser diode)

Номер патента: DE1295739B. Автор: Dr Phil Helmut,Salow. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 1969-05-22.

Device and method for driving laser diode array with high power pulse current by low side linear drive with protection of laser diode array and monitoring and adjustment of power efficiency

Номер патента: JP6746710B2. Автор: スティフラー，ロバート，エフ．,ラッキー，マイケル，エス．,アルフォード，トーマス，エイチ．. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-08-26.

Surface-emitting laser array, laser apparatus, ignition device and internal combustion engine

Номер патента: WO2016147608A1. Автор: Naoto Jikutani,Masayuki Numata,Kazuma Izumiya. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2016-09-22.

Individually addressable laser diode arrays based imaging systems with increased redundancy

Номер патента: AU2003214620A1. Автор: Daniel Gelbart,Nissim Pilossof,Alex Weiss. Владелец: Kodak IL Ltd. Дата публикации: 2003-11-11.

Multiwavelength modelocked semiconductor diode laser

Номер патента: US6256328B1. Автор: Hong Shi,Peter J. Delfyett. Владелец: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA. Дата публикации: 2001-07-03.

Semiconductor diode lasers with improved beam divergence priority

Номер патента: CA2398829A1. Автор: Dimitri Z. Garbuzov,Viktor B. Khalfin,John C. Connolly. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

700-850 nanometer semiconductor diode laser

Номер патента: US5222090A. Автор: Harvey B. Serreze. Владелец: McDonnell Douglas Corp. Дата публикации: 1993-06-22.

Semiconductor diode laser, in particular a laser amplifier, and method of manufacturing this laser

Номер патента: US5737352A. Автор: Lukas F. Tiemeijer,Johannes J. M. Binsma,Petrus J. A. Thijs. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Semiconductor diode

Номер патента: EP0908959A2. Автор: Gerard Argant Alphonse,Raymond J. Menna,James T. Andrews. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 1999-04-14.

Radiation emitting semiconductor diode and method of manufacturing the same

Номер патента: JPH11509047A. Автор: アドリアーン ファルスター,アーノルド アドリアヌス ブラウェル. Владелец: フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ. Дата публикации: 1999-08-03.

Semiconductor diode lasers with improved beam divergence

Номер патента: EP1258062B1. Автор: Dimitri Z. Garbuzov,Viktor B. Khalfin,John C. Connolly. Владелец: Trumpf Photonics Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor diode lasers with improved beam divergence priority

Номер патента: WO2001057974A1. Автор: Dimitri Z. Garbuzov,Viktor B. Khalfin,John C. Connolly. Владелец: Princeton Lightwave Inc.. Дата публикации: 2001-08-09.

INDEX-GUIDED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: DE69507438D1. Автор: Marcel Schemmann,Der Poel Carolus Van,Gerard Acket. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 1999-03-04.

Semiconductor diode lasers with improved beam divergence

Номер патента: US6650671B1. Автор: John Charles Connolly,Viktor Borisovich Khalfin,Dmitri Zalmanovich Garbuzov. Владелец: Trumpf Photonics Inc. Дата публикации: 2003-11-18.

Method and device for the synchronous coupling of the longitudinal laser modes of a semiconductor diode laser

Номер патента: EP0156281A2. Автор: Jürgen Dr. Kuhl,Gustav Dr. Veith,Ernst O. Dr. habil. Göbel. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 1985-10-02.

Method for making organic light emitting diode array

Номер патента: US20180315960A1. Автор: Yang Wei,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Hao-Ming Wei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Light-Emitting Diode Array, Light-Emitting Diode, and Printer Head

Номер патента: US20070278505A1. Автор: Hironori Yamamoto,Hajime Kimachi. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

High-coherence semiconductor light sources

Номер патента: US09933554B2. Автор: Amnon Yariv,George Rakuljic,Christos T. SANTIS,Scott T. STEGER,Naresh Satyan. Владелец: Telaris Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Optoelectronic device with a coupling between a semiconductor diode laser modulator or amplifier and two optical glass fibers

Номер патента: US5812715A. Автор: Sven Walczyk,Lukas F. Tiemeijer,Remigius S. M. Van Roemburg. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-09-22.

OCT swept laser with high coherence signal extraction

Номер патента: US9316483B2. Автор: Dale C. Flanders. Владелец: Axsun Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-19.

LASER ARRAY, LASER SOURCE AND LASER PROJECTION DEVICE

Номер патента: US20200201161A1. Автор: Li Wei,Tian Youliang,ZHOU ZINAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Device for providing the cross-section of the radiation emitted by several solid-state and/or semiconductor diode lasers with a specific geometry

Номер патента: US6124973A. Автор: Keming Du,Peter Loosen. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2000-09-26.

Tunable semiconductor diode laser with distributed reflection and method of manufacturing such a semiconductor diode laser

Номер патента: EP0375021A1. Автор: Teunis Van Dongen,Pieter Ids Kuindersma. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-06-27.

Tunable semiconductor diode laser with distributed reflection and method of manufacturing such a semiconductor diode

Номер патента: KR0142587B1. Автор: 이디스 쿠인데르스마 피터,반 돈겐 토이니스. Владелец: 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 1998-08-17.

Solid-state laser system using high-temperature semiconductor diode laser as an optical pump source

Номер патента: WO2000069034A2. Автор: Ronald B. Jones,Gerald P. Griffith,Ralph L. Burnham,Ti Chuang,Michael A. Guy. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2000-11-16.

Close packed, end face, diode pumped, fibre laser bundle, phased-array laser oscillator

Номер патента: WO1990013158A1. Автор: John Leonard Hughes. Владелец: Phased Array Lasers Pty Ltd. Дата публикации: 1990-11-01.

Diode array package with homogeneous output

Номер патента: TW456080B. Автор: Richard H Moyer. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-09-21.

SEMICONDUCTOR DIODE LASER AND ITS REALIZATION PROCESS

Номер патента: FR2294563A1. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1976-07-09.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device, in particular a semiconductor diode laser

Номер патента: WO1996033537A3. Автор: Roijen Raymond Van,Petrus Johannes Adrianus Thijs,Gestel Patrick Henricus Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-12-27.

Semiconductor diode laser spectrometer arrangement and method

Номер патента: CA2482402A1. Автор: Erwan Normand,Nigel Langford,Geoffrey Duxbury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor diode laser spectrometer arrangement and method

Номер патента: KR100959625B1. Автор: 니겔 랭포드,제프리 덕스베리,어완 노만드. Владелец: 캐스케이드 테크놀로지즈 리미티드. Дата публикации: 2010-05-27.

Optocoupler having a semiconductor diode for each voltage source and a tunnel diode formed between each two successive voltage sources

Номер патента: US09972735B2. Автор: Wolfgang Guter,Daniel Fuhrmann,Victor Khorenko. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2018-05-15.

Ceramic chip form semiconductor diode fabrication method

Номер патента: US5550086A. Автор: George Tai. Владелец: Tai; George. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor diodes having low forward conduction voltage drop and low reverse current leakage

Номер патента: AU6027698A. Автор: Vladimir Rodov,Richard A. Metzler. Владелец: Luminous Intent Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Semiconductor diode and manufacturing method

Номер патента: US20230326974A1. Автор: Joachim Weyers,Armin Tilke,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Photo diode array

Номер патента: EP2249388A3. Автор: Akira Miura,Shinji Kobayashi,Tsuyoshi Yakihara,Sadaharu Oka,Makoto Komiyama,Tadashige Fujita,Yasukazu Akasaka,Katsutoshi Sakakibara,Yoshihito Sanpei. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2012-08-22.

Semiconductor diode and electronic circuit arrangement herewith

Номер патента: US20180233602A1. Автор: Christian Göbl,Sven Teuber,Uwe Schilling,Wolfgang-Michael Schulz,Boris Rosensaft. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-08-16.

Organic light emitting diode array substrate having angled micro-cavity

Номер патента: US09799851B2. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Organic light emitting diode array substrate, and display device

Номер патента: US09761639B2. Автор: MINGHUA XUAN,Jingbo Xu,Jiantao Liu,Fengli JI,Shanshan BAI. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Organic light-emitting diode array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09647044B2. Автор: Hongfei Cheng,Lifei Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Organic light emitting diode array substrate, display panel and display apparatus, and fabricating method thereof

Номер патента: US20210359247A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Organic light emitting diode array substrate, manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US20190013336A1. Автор: Xiaochuan Chen,Shengji Yang,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Organic light emitting diode array substrate, its manufacturing method, and display device

Номер патента: US09570533B2. Автор: Libin LIU,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Two semiconductor diode rectifier structure

Номер патента: US4314271A. Автор: Gunter Schmidt,Klaus Heyke,Istvar Ragaly. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1982-02-02.

Semiconductor diode

Номер патента: US20120326263A1. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Stacked high-blocking iii-v power semiconductor diode

Номер патента: US20200287059A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

Stacked iii-v semiconductor diode

Номер патента: US20220254936A1. Автор: JENS Kowalsky,Volker Dudek,Daniel Fuhrmann,Thorsten Wierzkowski,Riteshkumar Bhojani. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Organic light emitting diode array substrate, method for manufacturing the same and display with the same

Номер патента: US20170317152A1. Автор: Minghung Hsu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Stacked III-V semiconductor diode

Номер патента: US11769839B2. Автор: JENS Kowalsky,Volker Dudek,Riteshkumar Bhojani. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2023-09-26.

Stacked iii-v semiconductor diode

Номер патента: US20220254937A1. Автор: JENS Kowalsky,Volker Dudek,Riteshkumar Bhojani. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Diode array, arrangement, and system

Номер патента: US20220130878A1. Автор: Jens Richter,Christopher Söll,Markus Kösler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor diode

Номер патента: US20240258438A1. Автор: Junji Nakajima,Jun-Ichi Okamura,Akimichi Degawa. Владелец: Power Iv Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor diodes, and variable resistance memory devices

Номер патента: US09640586B2. Автор: Youn-Seon Kang,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Polycrystalline silicon schottky diode array

Номер патента: CA1174772A. Автор: Madhukar B. Vora,Hemraj K. Hingarh. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-09-18.

High-resolution light-sensing and light-emitting diode array and fabrication method thereof

Номер патента: US6136627A. Автор: Yukio Nakamura,Masumi Taninaka,Mitsuhiko Ogihara,Takatoku Shimizu. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Method of forming light emitting diode array with dome geometry

Номер патента: US3954534A. Автор: Donald R. Scifres,Robert D. Burnham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1976-05-04.

Semiconductor diode with external field modulation

Номер патента: US6013950A. Автор: Robert D. Nasby. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Photo diode array

Номер патента: CA2308100C. Автор: Akira Miura,Shinji Kobayashi,Tsuyoshi Yakihara,Sadaharu Oka,Makoto Komiyama,Yoshihiro Sanpei,Tadashige Fujita,Yasukazu Akasaka,Katsutoshi Sakakibara. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2004-11-02.

Method for applying metal contacts onto diode array

Номер патента: US3674498A. Автор: John R Rushton. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1972-07-04.

Organic light emitting diode array substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20170033316A1. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Structured epitaxy for light emitting diode array

Номер патента: US20240145629A1. Автор: Thomas Wunderer. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for making organic light emitting diode array

Номер патента: US20150179945A1. Автор: Shou-Shan Fan,zhen-dong Zhu,Qun-Qing Li,I-Wei Wu,Dong An,Chang-Ting Lin,Jung-An Cheng,Liang-Neng Chien. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Organic light emitting diode array substrate, organic light emitting diode display device having the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780153B2. Автор: Jing Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for making organic light emitting diode array

Номер патента: US09634066B2. Автор: Shou-Shan Fan,zhen-dong Zhu,Qun-Qing Li,I-Wei Wu,Dong An,Chang-Ting Lin,Jung-An Cheng,Liang-Neng Chien. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for making organic light emitting diode array

Номер патента: US09406884B2. Автор: Shou-Shan Fan,zhen-dong Zhu,Qun-Qing Li,I-Wei Wu,Dong An,Chang-Ting Lin,Jung-An Cheng,Liang-Neng Chien. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Full color organic light emitting diode array

Номер патента: US5693962A. Автор: Franky So,Thomas B. Harvey, Iii,Song Q. Shi. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-12-02.

Optically isolated monolithic light emitting diode array

Номер патента: CA1108738A. Автор: Kwang K. Shih,Roland Y. Hung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-09-08.

Method of improving cleaving of diode arrays

Номер патента: US4997793A. Автор: Scott D. McClurg. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1991-03-05.

Diode array

Номер патента: US11881540B2. Автор: Hung-Cheng Lin,Hua-Chen Hsu,Hung-Kuang Hsu. Владелец: Visionlabs Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Diode array

Номер патента: US20240047609A1. Автор: Hung-Cheng Lin,Hua-Chen Hsu,Hung-Kuang Hsu. Владелец: Visionlabs Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Light emitting semiconductor diode

Номер патента: US4032945A. Автор: Kazuhiro Ito,Mitsuhiro Mori,Makoto Morioka,Yuichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-06-28.

Stacked III-V semiconductor diode

Номер патента: US11784261B2. Автор: JENS Kowalsky,Volker Dudek,Daniel Fuhrmann,Thorsten Wierzkowski,Riteshkumar Bhojani. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor Diode with Trench Structures

Номер патента: US20150097262A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor diode

Номер патента: US4058824A. Автор: Manfred Claassen. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1977-11-15.

Power Semiconductor Diode Including Field Stop Region

Номер патента: US20220085215A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Christian Jaeger,Daniel Schloegl,Benedikt Stoib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor diode and production method suitable therefor

Номер патента: US7511353B2. Автор: Vytla Rajeev Krishna,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Frank Hille,Helmut Strack,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-31.

Silicon diode array vidicon with electronically controlled sensitivity

Номер патента: US4101931A. Автор: Leon S. Yaggy. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1978-07-18.

Laser encoding of diode arrays

Номер патента: US3584183A. Автор: Frank L Chiaretta,James A Luisi,Allen D Sypherd. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1971-06-08.

High-density light-emitting-diode array utilizing a plurality of isolation channels

Номер патента: US5955747A. Автор: Kazuo Tokura,Yukio Nakamura,Masumi Taninaka,Mitsuhiko Ogihara,Takatoku Shimizu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-21.

Photosensitive diode array storage target

Номер патента: US4021844A. Автор: Daniel Woehrn,Jean-Roger Gilles. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1977-05-03.

Light-emitting-diode array and light-emitting-diode element

Номер патента: US5917227A. Автор: Hiroshi Hamano,Yukio Nakamura,Masumi Taninaka,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Light emitting diode array with aligned solder bumps

Номер патента: US5060027A. Автор: John Gooding,Peter B. Hart. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1991-10-22.

Method of making an optically isolated monolithic light emitting diode array utilizing epitaxial deposition of graded layers and selective diffusion

Номер патента: US4199385A. Автор: Kwang K. Shih,Roland Y. Hung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-04-22.

Device and method for operating a diode array

Номер патента: US11783762B2. Автор: Jens Richter,Christopher Söll. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-10-10.

Light-emitting diode array

Номер патента: US20120097995A1. Автор: Chao-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-26.

Nonlinearity compensation of laser diode and other semiconductor diodes

Номер патента: GB9801810D0. Автор: . Владелец: E Tek Dynamics Inc. Дата публикации: 1998-03-25.

Methods and systems for high current semiconductor diode junction protection

Номер патента: WO2005079248A2. Автор: Joseph Mangano. Владелец: Science Research Laboratory, Inc.. Дата публикации: 2005-09-01.

Radiation-emitting semiconductor diode and method of manufacturing such a diode

Номер патента: WO1996011503A2. Автор: Adriaan Valster,Johannes Antonius De Poorter,Gerard Adriaan Acket. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-04-18.

Methods and systems for semiconductor diode junction protection

Номер патента: US7495874B2. Автор: Joseph Mangano. Владелец: Science Research Laboratory Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Method for manufacturing a semiconductor device and in particular light emitting semiconductor diodes

Номер патента: DE1964837A1. Автор: Henderson George Arthur,Pittman Gary Edmond. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-09-03.

A highly-coherent frequency-agile laser system, notably for use with, or in, cold atom quantum devices

Номер патента: EP4290306A1. Автор: Sachin KINGE,Yu-Hung Lien,Kai BONGS. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

Laser array, laser light source and laser projection device

Номер патента: US20190354000A1. Автор: Youliang Tian,Changming Jia. Владелец: Hisense USA Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Laser array, laser source and laser projection device

Номер патента: US20200201161A1. Автор: Wei Li,Youliang Tian,Zinan Zhou. Владелец: Qingdao Hisense Laser Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Etch method of cleaving semiconductor diode laser wafers

Номер патента: US4236296A. Автор: Harold A. Huggins,Geoffrey R. Woolhouse,Stephen I. Anderson,Frederick R. Scholl. Владелец: Exxon Research and Engineering Co. Дата публикации: 1980-12-02.

Hand-supportable planar laser illumination and imaging (PLIIM) device employing a pair of linear laser diode arrays mounted about an area image detection array, for illuminating an object to be imaged with a plurality of optically-combined spatially-incoherent planar laser illumination beams (PLIBS) scanned through the field of view (FOV) of said area image detection array, and reducing the speckle-pattern noise power in detected 2-D images by temporally-averaging detected speckle-noise patterns during the photo-integration time period of said area image detection array

Номер патента: US20030042314A1. Автор: Xiaoxun Zhu,Constantine Tsikos,C. Knowles,Michael Schnee,Allan Wirth,Timothy Good. Владелец: Metrologic Instruments Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Mixed-material phased array laser radar emitting chip, manufacturing method, and laser radar

Номер патента: EP3889638A1. Автор: Yang Xu,Pengfei Wang,Yejin ZHANG,Hongyan Yu,Jiaoqing Pan,Qingfei WANG,Linyan TIAN. Владелец: Beijing Wanji Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Laser diode array

Номер патента: US20020175714A1. Автор: Timothy Irwin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

LASER ARRAY, LASER LIGHT SOURE AND LASER PROJECTION DEVICE

Номер патента: US20190094673A1. Автор: Tian Youliang,Jia Changming. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

SURFACE-EMITTING LASER, SURFACE-EMITTING LASER ARRAY, LASER DEVICE, IGNITOR, INTERNAL COMBUSTION ENGINE, OPTICAL SCANNER, IMAGE FORMING APPARATUS, LIGHT TRANSMISSION MODULE, AND LIGHT EMISSION SYSTEM

Номер патента: US20170168412A1. Автор: Jikutani Naoto,Harada Shinichi,Izumiya Kazuma,OKURA Yusuke. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-06-15.

LASER ARRAY, LASER LIGHT SOURCE AND LASER PROJECTION DEVICE

Номер патента: US20190354000A1. Автор: Tian Youliang,Jia Changming. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Surface-emitting laser, surface-emitting laser array, laser device, ignitor, internal combustion engine, optical scanner, image forming apparatus, light transmission module, and light emission system

Номер патента: EP3179581A1. Автор: Naoto Jikutani,Shinichi Harada,Kazuma Izumiya,Yusuke OKURA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-14.

Surface emitting laser, surface emitting laser array, laser device, ignition device, internal combustion engine, optical scanning device, image forming device, optical transmission module, and optical transmission system

Номер патента: JP6662013B2. Автор: 直人 軸谷,軸谷　直人,原田　慎一,慎一 原田,一磨 泉谷,佑介 大倉. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-11.

Hand-supportable planar laser illumination and imaging (pliim) device employing a pair of linear laser diode arrays mounted about an area image detection array, for illuminating an object to be imaged with a plurality of optically-combined spatially-incoherent planar laser illumination beams (plibs) scanned through the field of view (fov) of said area image detection array, and reducing the speckle-pattern noise power in detected 2-d images by temporally-averaging detected speckle-noise patterns

Номер патента: US6971575B2. Автор: Xiaoxun Zhu,C. Harry Knowles,Constantine J. Tsikos,Michael D. Schnee,Allan Wirth,Timothy A. Good. Владелец: Metrologic Instruments Inc. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor diodes-based physiological measurement device with improved signal-to-noise ratio

Номер патента: US10517484B2. Автор: Mohammed N. Islam. Владелец: Omni Medsci Inc. Дата публикации: 2019-12-31.

Mixed-material phased array laser radar emitting chip, manufacturing method, and laser radar

Номер патента: EP3889638B1. Автор: Yang Xu,Pengfei Wang,Yejin ZHANG,Hongyan Yu,Jiaoqing Pan,Qingfei WANG,Linyan TIAN. Владелец: Vanjee Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Mixed-material phased array laser radar emitting chip, manufacturing method, and laser radar

Номер патента: EP3889638B8. Автор: Yang Xu,Pengfei Wang,Yejin ZHANG,Hongyan Yu,Jiaoqing Pan,Qingfei WANG,Linyan TIAN. Владелец: Wuhan Vanjee Optoelectronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Mixed-material phased array laser radar emitting chip, manufacturing method, and laser radar

Номер патента: EP3889638A4. Автор: Yang Xu,Pengfei Wang,Yejin ZHANG,Hongyan Yu,Jiaoqing Pan,Qingfei WANG,Linyan TIAN. Владелец: Beijing Wanji Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Optical and rf techniques for aggregation of photo diode arrays

Номер патента: US20170245031A1. Автор: Venkatesh G. Mutalik,Marcel F. Schemmann,Amarildo Vieira,John Chrostowski. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2017-08-24.

Optical and rf techniques for aggregation of photo diode arrays

Номер патента: EP3134984A1. Автор: Venkatesh G. Mutalik,Marcel F. Schemmann,Amarildo Vieira,John Chrostowski. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2017-03-01.

Monolithic edge-emitting semicon-ductor diode arrays

Номер патента: GB202202159D0. Автор: . Владелец: EXALOS AG. Дата публикации: 2022-04-06.

Optical and rf techniques for aggregation of photo diode arrays

Номер патента: US20150304042A1. Автор: Venkatesh G. Mutalik,Marcel F. Schemmann,Amarildo Vieira,John Chrostowski. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2015-10-22.

Optical and RF techniques for aggregation of photo diode arrays

Номер патента: US09686014B2. Автор: Venkatesh G. Mutalik,Marcel F. Schemmann,Amarildo Vieira,John Chrostowski. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Frequency-chirped semiconductor diode laser phase-locked optical system

Номер патента: US20130044770A1. Автор: George Rakuljic. Владелец: George Rakuljic. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor diodes-based physiological measurement device with improved signal-to-noise ratio

Номер патента: US20190328235A1. Автор: Mohammed N. Islam. Владелец: Omni Medsci Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated semiconductor diode laser pumped solid state laser

Номер патента: AU4555399A. Автор: Leonard P. Pearson,Jeffrey Pierce,Charles I. Miyake. Владелец: Aculight Corp. Дата публикации: 2000-01-05.

Low resistance contact semiconductor diode

Номер патента: CA2238952A1. Автор: Timothy Ashley,Graham John Pryce. Владелец: Flir Systems Trading Belgium. Дата публикации: 1997-06-05.

Semiconductor-diode-pumped solid state laser device

Номер патента: US20060251133A1. Автор: Koji Tojo. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2006-11-09.

Optoelectronic device with a semiconductor diode laser amplifier

Номер патента: EP0904617A2. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 1999-03-31.

Low resistance contact semiconductor diode

Номер патента: KR19990071863A. Автор: 티모시 아슬리,그라함 존 프리스. Владелец: 더 세크리터리 오브 스테이트 포 디펜스. Дата публикации: 1999-09-27.

SEMICONDUCTOR DIODE WITH LOW-OHM CONTACT

Номер патента: DE69632961D1. Автор: Timothy Ashley,John Pryce. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2004-08-26.

Low resistance contact semiconductor diode

Номер патента: AU721907B2. Автор: Timothy Ashley,Graham John Pryce. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 2000-07-20.

A kind of wireless self-networking carrier wave detection channel access method kept out of the way based on time/power two-dimensional

Номер патента: CN108601067A. Автор: 吴俊�,雷磊,蔡圣所,王中正,陈礼桃. Владелец: NANJING HUAXUN ARK COMMUNICATION EQUIPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-28.

Light emitting diode array

Номер патента: CA2015358C. Автор: Shigeo Tsuda,Takafumi Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-08-23.

System and methods for producing light emitting diode array

Номер патента: WO2006076209A3. Автор: Trung Tri Doan,Chuong Anh Tran. Владелец: Chuong Anh Tran. Дата публикации: 2007-02-22.

System and methods for producing light emitting diode array

Номер патента: WO2006076209A2. Автор: Trung Tri Doan,Chuong Anh Tran. Владелец: Semileds Corporation. Дата публикации: 2006-07-20.

Light emitting diode array structure, and printing head and printing device thereof

Номер патента: US20140118458A1. Автор: Tz-Liang Chang,Po-Hsiung Peng. Владелец: Nisho Image Tech Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Light emitting diode array integrated with lens, line printer head, and method of fabricating the light emitting diode array

Номер патента: KR101616027B1. Автор: 최형,강석진,윤응률. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-04-27.

Light emitting diode array integrated with lens, line printer head, and method of manufacturing the light emitting diode array

Номер патента: US20110097113A1. Автор: Hyung Choi,Seok-Jin Kang,Eung-Yeoul Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Edge emitting type light emitting diode array heads

Номер патента: US5606181A. Автор: Takeshi Ueda,Yasutaka Izumi,Seizo Suzuki,Nobuo Sakuma,Hiromichi Atsuumi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-25.

Light emitting diode array and optical image forming apparatus with light emitting diode array

Номер патента: US6188086B1. Автор: SUZUKI Seizo,Kouji Masuda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-13.

Light emitting diode array including apertures, line printer head, and method of manufacturing the light emitting diode array

Номер патента: US8581945B2. Автор: Hyung Choi,Seok-Jin Kang,Eung-Yeoul Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-12.

Flexible transparent membrane light emitting diode array and systems containing the same

Номер патента: US11893149B2. Автор: Susanna THON,Charbel RIZK,Botong QIU. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for the production of light-emitting semiconductor diodes

Номер патента: US20070117248A1. Автор: Thorsten Ricking,Cem Olkay,Thomas Manth,Jochen Kunze,Veit Schwegler. Владелец: Odelo Led GmbH. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor diode array vidicon target and method of preparing said target

Номер патента: CA967219A. Автор: Robert S. Silver,John Jaklik (Jr.). Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-05-06.

Semiconductor diode and method of manufacture

Номер патента: US20130288449A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna,Mohammed Tanvir Quddus. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor diode and method of manufacture

Номер патента: US20140319644A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna,Mohammed Tanvir Quddus. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-10-30.

Source sensitive optic with reconfigurable chip-on-board light emitting diode array

Номер патента: US20190123095A1. Автор: Charles Schrama,Erno Fancsali,Varun Dev KAKKAR. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2019-04-25.

Light emitting diode array structure and display device

Номер патента: US20190371771A1. Автор: Qi Shan,Xiaolong Yang,Jiantai WANG,Rubo Xing. Владелец: Yungu Guan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

High Coherence, Small Footprint Superconducting Qubit Made By Stacking Up Atomically Thin Crystals

Номер патента: US20210343923A1. Автор: William D. Oliver,Simon Gustavsson,I-Jan Wang. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2021-11-04.

High Coherence, Small Footprint Superconducting Qubit Made By Stacking Up Atomically Thin Crystals

Номер патента: US20210343923A1. Автор: William D. Oliver,Simon Gustavsson,I-Jan Wang. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2021-11-04.

High coherence, small footprint superconducting qubit made by stacking up atomically thin crystals

Номер патента: US11342493B2. Автор: William D. Oliver,Simon Gustavsson,I-Jan Wang. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2022-05-24.

Light Emitting Diode Array

Номер патента: US20090050921A1. Автор: Gerard Harbers,Serge J. Bierhuizen. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor diode

Номер патента: GB986507A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1965-03-17.

Dual line diode array device and measurement method and measurement device for particle velocity

Номер патента: FI130492B. Автор: Xiaoqing Zhang,Hengchi Lei,Jiatian Chen,Minsong Huang,Shouyin Zheng. Владелец: Inst Of Atmospheric Physics Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing organic light emitting diode arrays and system for eliminating defects in organic light emitting diode arrays

Номер патента: US20130288557A1. Автор: Amalkumar P. Ghosh. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Bonding of light emitting diode arrays

Номер патента: WO2021101650A1. Автор: John Goward,Michael Grundmann. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor diode and method of manufacture

Номер патента: US20120292732A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna,Mohammed Tanvir Quddus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: WO2020107216A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

Light emitting diode array containing a black matrix and an optical bonding layer and method of making the same

Номер патента: EP3841614A1. Автор: Brian Kim. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2021-06-30.

Light emitting diode array containing a black matrix and an optical bonding layer and method of making the same

Номер патента: US20240113084A1. Автор: Brian Kim. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: EP3888130A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Organic light-emitting diode array substrate and display apparatus

Номер патента: US20160365389A1. Автор: NA Li,Xinwei Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Light emitting diode array and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120292633A1. Автор: Chia-Hui Shen,Tzu-Chien Hung. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

A Process for the Production of Semiconductor Diodes

Номер патента: GB1196515A. Автор: . Владелец: CIT Compagnie Industrielle des Telecommunications SA. Дата публикации: 1970-06-24.

Alternator semiconductor diode and rectifying circuit assembly

Номер патента: GB1100697A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1968-01-24.

Programmable memory cell having semiconductor diodes

Номер патента: CA1135855A. Автор: Michel Moussie. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

Programmable memory cell having semiconductor diodes

Номер патента: US4229757A. Автор: Michel Moussie. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1980-10-21.

Dual line diode array device and measurement method and measurement device for particle velocity

Номер патента: US11828905B2. Автор: Xiaoqing Zhang,Hengchi Lei,Jiatian Chen,Minsong Huang,Shouyin Zheng. Владелец: Institute of Atmospheric Physics of CAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Light emitting diode array containing a multilayer bus electrode and method of making the same

Номер патента: WO2019194931A1. Автор: Brian Kim,Michael Joseph CICH,Ansel Saneyuki REED. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of manufacturing organic light emitting diode arrays and system for eliminating defects in organic light emitting diode arrays

Номер патента: US20110250708A1. Автор: Amalkumar P. Ghosh. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Method of manufacturing organic light emitting diode arrays and system for eliminating defects in organic light emitting diode arrays

Номер патента: US20120244774A1. Автор: Amalkumar P. Ghosh. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Light emitting diode array containing a multilayer bus electrode and method of making the same

Номер патента: US20190310514A1. Автор: Brian Kim,Michael Joseph CICH,Ansel Saneyuki REED. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2019-10-10.

Bonding of light emitting diode arrays

Номер патента: EP4062452A1. Автор: John Goward,Michael Grundmann. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-28.

Semiconductor diode and method therefor

Номер патента: US20060084221A1. Автор: John Moran,Jose Moreno,Blanca Kruse. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2006-04-20.

Light emitting diode array containing a black matrix and an optical bonding layer and method of making the same

Номер патента: WO2020040998A1. Автор: Brian Kim. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2020-02-27.

Light emitting diode array containing a black matrix and an optical bonding layer and method of making the same

Номер патента: US20220122949A1. Автор: Brian Kim. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Growth substrate of a diode array, including mesas having different porosification levels

Номер патента: US20240153986A1. Автор: Ludovic Dupre,Carole Pernel,Amélie DUSSAIGNE,Fabien Rol. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor diode structure

Номер патента: US20240312979A1. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area

Номер патента: EP4427273A1. Автор: Toni LOPÉZ,Erik William Young,Rajiv Pathak. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Organic light-emitting diode array substrate and display apparatus

Номер патента: US09923031B2. Автор: NA Li,Xinwei Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Organic light-emitting diode array substrate, manufacturing method thereof and display apparatus

Номер патента: US10818740B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor diode-type source of nanosecond light pulses

Номер патента: GB1253987A. Автор: Vladimir Ivanovich Rykalin,Tatiana Georgievna Kmita,Igor Veniaminovich Ryzhikov,Vadim Ivanovich Pavlichenko. Владелец: Individual. Дата публикации: 1971-11-17.

Integrated light-emitting diode arrays for displays

Номер патента: US20190333442A1. Автор: Shaoher Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-31.

Surge-current-resistant semiconductor diode with soft recovery behavior and methods for producing a semiconductor diode

Номер патента: US8476712B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Ralf Siemieniec,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-07-02.

Integrated light-emitting diodes array for displays

Номер патента: WO2018071696A1. Автор: Shaoher X. Pan. Владелец: Pan Shaoher X. Дата публикации: 2018-04-19.

High sensitivity single-photon avalanche diode array

Номер патента: WO2021089115A1. Автор: Edoardo Charbon,Ivan Michel ANTOLOVIC,Claudio BRUSCHINI. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2021-05-14.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: EP3888130A4. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-19.

Organic light-emitting diode, array substrate and preparation method thereof, and display device

Номер патента: US09893318B2. Автор: Qing Dai,Ze Liu,Wenjun HOU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Light emitting diode array and method of producing the same

Номер патента: CA1236908A. Автор: Donald T. Dolan. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1988-05-17.

Method of producing a light emiting diode array

Номер патента: US4566170A. Автор: Donald T. Dolan. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1986-01-28.

Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area

Номер патента: US11935987B2. Автор: Toni LOPÉZ,Erik William Young,Rajiv Pathak. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Light emitting diode array containing a black matrix and an optical bonding layer and method of making the same

Номер патента: US11769758B2. Автор: Brian Kim. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Light emitting diode array with inactive implanted isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: EP4427272A1. Автор: Saket Chadda,Zhen Chen,Shuke YAN. Владелец: GLO Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Latch-up free vertical TVS diode array structure using trench isolation

Номер патента: US09461031B1. Автор: Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor Diode and Method for Forming a Semiconductor Diode

Номер патента: US20130175529A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-07-11.

SEMICONDUCTOR DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A DIODE

Номер патента: US20220037538A1. Автор: Buckley Julien. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor Diode and Method of Manufacturing a Semiconductor Diode

Номер патента: US20150206983A1. Автор: Felsl Hans Peter,HILLE Frank,SCHULZE Holger,PFAFFENLEHNER Manfred,Falck Elmar,Schloegl Daniel,Haertl Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

High-Voltage Cascaded Diode with HEMT and Monolithically Integrated Semiconductor Diode

Номер патента: US20140367700A1. Автор: Prechtl Gerhard,Häberlen Oliver,Ostermaier Clemens. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor diode and method for producing a semiconductor diode

Номер патента: DE102010002204A1. Автор: Tony 80796 Albrecht,Markus 93053 Maute,Martin 85296 Reufer,Heribert 93049 Zull. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor diode stack for use with contactors - uses sprung spacing and contacting elements holding diodes firmly in place

Номер патента: FR2324107A1. Автор: . Владелец: Merlin Gerin SA. Дата публикации: 1977-04-08.

SURFACE MOUNT SEMICONDUCTOR DIODE DEVICE

Номер патента: FR2748856A1. Автор: Jean Baptiste Martin,William Wasmer. Владелец: Motorola Semiconducteurs SA. Дата публикации: 1997-11-21.

Semiconductor diode and the method for forming semiconductor diode

Номер патента: CN103208529B. Автор: A.毛德,H-J.舒尔策,P.森格. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor diode and method for manufacturing a semiconductor diode

Номер патента: TW201145610A. Автор: Tony Albrecht,Heribert Zull,Markus Maute,Martin Reufer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-12-16.

Detector circuit with a semiconductor diode working as a detector and an amplifier circuit integrated with the diode

Номер патента: SE470116B. Автор: Jonas Tirén,Paul Stephansson,Richard Arbus,Kjell Bohlin. Владелец: Asea Brown Boveri. Дата публикации: 1993-11-08.

Semiconductor diode and method of making semiconductor diodes

Номер патента: GB2294583B. Автор: George Tai. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-05-06.

Metal oxide semiconductor diode element with terminal structure and manufacturing method for metal oxide semiconductor diode element

Номер патента: CN103872143A. Автор: 陈美玲,赵国梁,郭鸿鑫,高隆庆. Владелец: BVI BRITISH VIRGIN ISLANDS ENERGY SAVING PARTS Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

IMPROVEMENT IN SEMICONDUCTOR DIODE PACKAGES, IN PARTICULAR PAD DIODES

Номер патента: IT8247549D0. Автор: David Lesue Addie,Kenneth Abner Ellsworth. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-01-13.

Semiconductor diode and method of manufacturing a semiconductor diode

Номер патента: US9385181B2. Автор: Frank Hille,Holger Schulze,Manfred Pfaffenlehner,Daniel Schloegl,Elmar Falck,Hans Peter Felsl,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor diode and electric circuitry packages with semiconductor diode

Номер патента: CN108447917A. Автор: C·格约博,B·罗森萨夫,U·席林,W·M·舒尔茨,S·托伊伯. Владелец: Semikron GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-08-24.

Rectifier diodes assembly - comprises semiconductor diodes contacting cooling plates at both ends to ensure interconnection

Номер патента: DE2856193A1. Автор: Nichtnennung Beantragt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1981-02-05.

Detector circuit with a semiconductor diode working as a detector and an amplifier circuit integrated with the diode

Номер патента: SE9201062L. Автор: Jonas Tirén,Paul Stephansson,Richard Arbus,Kjell Bohlin. Владелец: Asea Brown Boveri. Дата публикации: 1993-10-04.

Method of making metal semiconductor diodes having plated heat sink members

Номер патента: US3820236A. Автор: R Haitz. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-06-28.

Semiconductor diode and method of manufacturing such a diode

Номер патента: FR3113187B1. Автор: Julien Buckley. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-09-02.

Semiconductor diode and method

Номер патента: US5066991A. Автор: Kevin B. Jackson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-11-19.

Method of manufacturing organic light emitting diode arrays and system for eliminating defects in organic light emitting diode arrays

Номер патента: US20120244774A1. Автор: Amalkumar P. Ghosh. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

CROSS-POINT DIODE ARRAYS AND METHODS OF MANUFACTURING CROSS-POINT DIODE ARRAYS

Номер патента: US20130134503A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.,Zahurak John. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

Method of manufacturing organic light emitting diode arrays and system for eliminating defects in organic light emitting diode arrays

Номер патента: US20130288557A1. Автор: Amalkumar P. Ghosh. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

MICRO LIGHT EMITTING DIODE, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20220037555A1. Автор: Zhang Zhenhua,WANG Yangpeng. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

CROSS-POINT DIODE ARRAYS AND METHODS OF MANUFACTURING CROSS-POINT DIODE ARRAYS

Номер патента: US20140170822A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh Dang,Zahurak John. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

method for manufacturing light emitting diode array substrate with surface type and the light emitting diode array substrate thereby

Номер патента: KR101233121B1. Автор: 박승호,안범모. Владелец: (주)포인트엔지니어링. Дата публикации: 2013-02-14.

Cross-point diode arrays and methods of manufacturing cross-point diode arrays

Номер патента: KR101414351B1. Автор: 산 디. 탱,거티 에스. 샌듀,존 자허락. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2014-07-01.

Cross-point diode arrays and methods of manufacturing cross-point diode arrays

Номер патента: US9117928B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh Dang Tang,John Zahurak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-25.

Method of fabricating an active device array and fabricating an organic light emitting diode array

Номер патента: US8263433B2. Автор: Chih-Ming Lai,Yung-Hui Yeh,Chun-Cheng Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-09-11.

Method for manufacturing light emitting diode array with surface type and the light emitting diode array thereby

Номер патента: KR20120140454A. Автор: 박승호,안범모. Владелец: (주)포인트엔지니어링. Дата публикации: 2012-12-31.

Cross-point diode arrays and methods of manufacturing cross-point diode arrays

Номер патента: TWI456698B. Автор: Gurtej S Sandhu,Sanh D Tang,John Zahurak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-11.

Diode array architecture for addressing nanoscale resistance memory arrays

Номер патента: DE112005002818B4. Автор: Suzette K. Pangrle,Steven Avanzino,Michael A. Vanbuskirk,Nicholas H. Tripsas,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang,Matthew Buynoski,Wei Daisy Cai. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Light emitting diode and light emitting diode array having uniform light distribution

Номер патента: US5420444A. Автор: Kensuke Sawase,Hiromi Ogata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-05-30.

Cross-point diode arrays and methods of manufacturing cross-point diode arrays

Номер патента: CN102714185B. Автор: 古尔特杰·S·桑胡,山·D·唐,约翰·扎胡拉克. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

LED and laser diode array cooling

Номер патента: GB2387025A. Автор: Gareth Peter Evans,Kenneth Board. Владелец: Enfis Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Diode array and method of manufacturing a diode array

Номер патента: DE102009041641B4. Автор: Ghassem Azdasht,Dr. Zakel Elke,Dr. Teutsch Thorsten,Siavash Tabrizi. Владелец: Pac Tech Packaging Technologies GmbH. Дата публикации: 2020-09-24.

Diode Array and Method for Producing a Diode Array

Номер патента: US20120228772A1. Автор: Ghassem Azdasht,Elke Zakel,Thorsten Teutsch,Siavash Tabrizi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Diode array and method for producing a diode array

Номер патента: US8742571B2. Автор: Ghassem Azdasht,Elke Zakel,Thorsten Teutsch,Siavash Tabrizi. Владелец: Pac Tech Packaging Technologies GmbH. Дата публикации: 2014-06-03.

Self-aligned rear electrode for diode array element

Номер патента: US20050145973A1. Автор: Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Light-emitting diode, light-emitting diode array and method of manufacturing a light-emitting diode die

Номер патента: WO2024107371A1. Автор: Brendan J. Moran. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Micro light emitting diode array and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210043808A1. Автор: Yi-Shan Lin,Chun-Yu Lin,Ching-Fuh Lin,Jung-Kuan Huang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-02-11.

Self-aligned rear electrode for diode array element

Номер патента: US20040178416A1. Автор: Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor diode and method therefor

Номер патента: HK1093118A1. Автор: Blanca Estela Kruse,John David Moran,Jose Rogelio Moreno. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2007-02-23.

Semiconductor diode and manufacturing mehod thereof

Номер патента: EP1463122A3. Автор: Narakazu Shimomura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-05-18.

A sheet type semiconductor diode tube apparatus and method of making the same

Номер патента: TW351841B. Автор: Jr-Jung LIN,Jr-Chau Dai,Yu-Peng Jung. Владелец: Zowie Technolgy Corp. Дата публикации: 1999-02-01.

Semiconductor diodes having low forward conduction voltage drop and low reverse current leakage

Номер патента: TW368757B. Автор: Vladimir Rodov,Richard A Metzler. Владелец: Luminous Intent Inc. Дата публикации: 1999-09-01.

Semiconductor diodes having low forward conduction voltage drop and low reverse current leakage

Номер патента: IL130973A. Автор: . Владелец: Vram Technologies Llc. Дата публикации: 2003-03-12.

Stacked III-V semiconductor diode

Номер патента: US11791423B2. Автор: JENS Kowalsky,Volker Dudek,Riteshkumar Bhojani. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2023-10-17.

Stacked iii-v semiconductor diode

Номер патента: US20220254938A1. Автор: JENS Kowalsky,Volker Dudek,Riteshkumar Bhojani. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor diode constructions for use in gas detection

Номер патента: US2940041A. Автор: Moses G Jacobson. Владелец: Mine Safety Appliances Co. Дата публикации: 1960-06-07.

Semiconductor diode having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: US20020005558A1. Автор: Wiebe B. De Boer,Godefridus A.M. Hurkx,Adam R. Brown,Michael S. Peter,Hendrik G.A. Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Cooling a semiconductor diode wafer

Номер патента: GB2110469B. Автор: Manfred Frister. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1986-04-30.

Image sensors employing sensitized semiconductor diodes

Номер патента: US09972653B2. Автор: Hui Tian,Edward Hartley Sargent,Igor Constantin Ivanov. Владелец: InVisage Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Image sensors employing sensitized semiconductor diodes

Номер патента: US09666634B2. Автор: Hui Tian,Edward Hartley Sargent,Igor Constantin Ivanov. Владелец: InVisage Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Thermal mitigation of single photon avalanche diode arrays in head-mounted displays

Номер патента: EP4295197A1. Автор: Raymond Kirk Price,Michael Bleyer,Christopher Douglas Edmonds. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Thermal mitigation of single photon avalanche diode arrays in head-mounted displays

Номер патента: WO2022177668A1. Автор: Raymond Kirk Price,Michael Bleyer,Christopher Douglas Edmonds. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-08-25.

Light emitting diode array containing a black matrix and an optical bonding layer and method of making the same

Номер патента: EP3841614A4. Автор: Brian Kim. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Light-emitting diode array with precise position assembly for automotive headlight applications

Номер патента: WO2024129313A1. Автор: Axel Mehnert,Chee Ming THOE,Say Chun OOI. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Light-emitting diode arrays and methods of manufacture

Номер патента: TWI372372B. Автор: Jan Hermans,Hendrik Klaas Louwsma,Pieter Goldhoorn. Владелец: Chimei Innolux Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Electrode structure for light-emitting diode array

Номер патента: EP2741338B1. Автор: Yong Gyeong Lee,Myeong Soo Kim,Hee Young Beom,Hyun Seoung Ju,Gi Seok Hong,Byung Yeon CHOI. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-20.

Programmable diode array for high density otp application

Номер патента: US20150078062A1. Автор: Yong Lu,Roy Milton Carlson. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Mask for spectrophotometer diode array

Номер патента: SG89592G. Автор: . Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1992-12-04.

Mask for spectrophotometer diode array

Номер патента: HK4293A. Автор: George William Hopkins. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1993-01-29.

Light-emitting diode array with precise position assembly for automotive headlight applications

Номер патента: US20240206072A1. Автор: Axel Mehnert,Chee Ming THOE,Say Chun OOI. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Photo diode array

Номер патента: EP1052697B1. Автор: Makoto Yokogawa Electric Corp. Komiyama,Yoshihito Yokogawa Electric Corp. Sanpei,Akira Yokogawa Electric Corp. Miura,Katsutoshi Yokogawa Electric Corp. Sakakibara,Tsuyoshi Yokogawa Electric Corp. Yakihara,Tadashige Yokogawa Electric Corp. Fujita,Shinji Yokogawa Electric Corp. Kobayashi,Sadaharu Yokogawa Electric Corp. Oka,Yasukazu Yokogawa Electric Corp. Akasaka. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Method of making a monolithic diode array

Номер патента: US5631181A. Автор: Robert Pezzani. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-05-20.

Semiconductor diodes with low reverse bias currents

Номер патента: US20120223319A1. Автор: Yuvaraj Dora. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2012-09-06.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20130134443A1. Автор: TSUCHIYA Tomonobu,MOCHIZUKI Kazuhiro,TERANO Akihisa. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-30.

SEMICONDUCTOR DIODE AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20130288449A1. Автор: Grivna Gordon M.,Quddus Mohammed Tanvir,Hall Jefferson W.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20160013327A1. Автор: TSUCHIYA Tomonobu,TERANO Akihisa,OHTOSHI Tsukuru. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor diodes with low reverse bias currents

Номер патента: US20150041864A1. Автор: Yuvaraj Dora. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor Devices, a Semiconductor Diode and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170040431A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Mahler Joachim,BASLER Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Vertical semiconductor diode manufactured with an engineered substrate

Номер патента: US20180061630A1. Автор: Cem Basceri,Vladimir Odnoblyudov,Dilip Risbud,Ozgur Aktas. Владелец: Qromis Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Power Semiconductor Diode Including Field Stop Region

Номер патента: US20220085215A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Jaeger Christian,Jelinek Moriz,Schloegl Daniel,Stoib Benedikt. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Transistor Cell Array Including Semiconductor Diode

Номер патента: US20140167154A1. Автор: Zundel Markus,Nelle Peter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

SEMICONDUCTOR DIODE ASSEMBLY

Номер патента: US20140167204A1. Автор: FRENCH MARK,Earnshaw John,Kemper Wofgang,Lin Yen-Yi,Badcock Steve. Владелец: DIODES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor Diode with Trench Structures

Номер патента: US20150097262A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Niedernostheide Franz-Josef,SCHULZE Holger. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DIODE DEVICE

Номер патента: US20220140106A1. Автор: TSAI CHUN-HSIEN,LEE Ting-Chuan,TSAI Chun-Jung,YEN Tsung-Fu,CHANG Kuang-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

SEMICONDUCTOR DIODES EMPLOYING BACK-SIDE SEIMCONDUCTOR OR METAL

Номер патента: US20190096917A1. Автор: Mehandru Rishabh,MORROW Patrick,Jack Nathan D.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-03-28.

METHODS OF MANUFACTURING VERTICAL SEMICONDUCTOR DIODES USING AN ENGINEERED SUBSTRATE

Номер патента: US20200111698A1. Автор: Odnoblyudov Vladimir,BASCERI CEM,Aktas Ozgur,Risbud Dilip. Владелец: QROMIS, Inc.. Дата публикации: 2020-04-09.

VERTICAL SEMICONDUCTOR DIODE MANUFACTURED WITH AN ENGINEERED SUBSTRATE

Номер патента: US20190122916A1. Автор: Odnoblyudov Vladimir,BASCERI CEM,Aktas Ozgur,Risbud Dilip. Владелец: QROMIS, Inc.. Дата публикации: 2019-04-25.

III-V SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20180138043A1. Автор: DUDEK Volker. Владелец: 3-5 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2018-05-17.

III-V SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20180138320A1. Автор: DUDEK Volker. Владелец: 3-5 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2018-05-17.

SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20150162325A1. Автор: Mauder Anton,Seng Philipp. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor Diodes Fabricated by Aspect Ratio Trapping with Coalesced Films

Номер патента: US20140264272A1. Автор: Lochtefeld Anthony J.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD FOR MAKING SEMICONDUCTOR DIODES WITH LOW REVERSE BIAS CURRENTS

Номер патента: US20140273422A1. Автор: Dora Yuvaraj. Владелец: Transphorm, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

IMAGE SENSORS EMPLOYING SENSITIZED SEMICONDUCTOR DIODES

Номер патента: US20160190201A1. Автор: Tian Hui,Sargent Edward Hartley,Ivanov Igor Constantin. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor diode assembly

Номер патента: US20150206985A1. Автор: Wolfgang Kemper,Mark French,John Earnshaw,Yen-Yi Lin,Steve Badcock. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor Diodes Fabricated by Aspect Ratio Trapping with Coalesced Films

Номер патента: US20150221546A1. Автор: Lochtefeld Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

HOLE-ONLY ORGANIC SEMICONDUCTOR DIODE DEVICE

Номер патента: US20190207121A1. Автор: Cai Lifei,Dai Lei,LI Zhe,LOW Kam-Hung,CHEN Chin-Hsin. Владелец: GUANGDONG AGLAIA OPTOELECTRONIC MATERIALS CO. LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Image sensors employing sensitized semiconductor diodes

Номер патента: US20180219043A1. Автор: Tian Hui,Sargent Edward Hartley,Ivanov Igor Constantin. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

SEMICONDUCTOR DIODE AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20140319644A1. Автор: Grivna Gordon M.,Quddus Mohammed Tanvir,Hall Jefferson W.. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

STACKED III-V SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20190221676A1. Автор: DUDEK Volker. Владелец: 3-5 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2019-07-18.

SEMICONDUCTOR DIODE AND ELECTRONIC CIRCUIT ARRANGEMENT HEREWITH

Номер патента: US20180233602A1. Автор: GÖBL Christian,TEUBER Sven,SCHULZ Wolfgang-Michael,Rosensaft Boris,Schilling Uwe. Владелец: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2018-08-16.

IMAGE SENSORS EMPLOYING SENSITIZED SEMICONDUCTOR DIODES

Номер патента: US20170263668A1. Автор: Tian Hui,Sargent Edward Hartley,Ivanov Igor Constantin. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

IMAGE SENSORS EMPLOYING SENSITIZED SEMICONDUCTOR DIODES

Номер патента: US20140367823A1. Автор: Tian Hui,Sargent Edward Hartley,Ivanov Igor Constantin. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

III-V SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20180277686A1. Автор: DUDEK Volker. Владелец: 3-5 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2018-09-27.

III-V SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20180277687A1. Автор: DUDEK Volker. Владелец: 3-5 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2018-09-27.

STACKED HIGH-BLOCKING III-V POWER SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20200287059A1. Автор: DUDEK Volker. Владелец: 3-5 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

SEMICONDUCTOR DIODE AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150325567A1. Автор: Grivna Gordon M.,Quddus Mohammed Tanvir,Hall Jefferson W.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2015-11-12.

III-V SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20190326446A1. Автор: DUDEK Volker. Владелец: 3-5 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2019-10-24.

ELECTRONIC-ONLY ORGANIC SEMICONDUCTOR DIODE DEVICE

Номер патента: US20180337362A1. Автор: Cai Lifei,Dai Lei,LI Zhe,LOW Kam-Hung,CHEN Chin-Hsin. Владелец: GUANGDONG AGLAIA OPTOELECTRONIC MATERIALS CO. LTD. Дата публикации: 2018-11-22.

SEMICONDUCTOR DIODES, AND VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150372056A1. Автор: Seong Dong-jun,KANG YOUN-SEON. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

STACKED HIGH BARRIER III-V POWER SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20200350408A1. Автор: FUHRMANN Daniel,KELLER Gregor,WAECHTER Clemens. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2020-11-05.

III-V semiconductor diode

Номер патента: DE102016013540A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2018-05-17.

III-V semiconductor diode

Номер патента: DE102016013541A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2018-05-17.

III-V semiconductor diode

Номер патента: DE102017002935A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2018-09-27.

III-V semiconductor diode

Номер патента: DE102017002936A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2018-09-27.

Oxide semiconductor diode with thermal treatment or uv treatment

Номер патента: KR102001341B1. Автор: 김명호,최덕균. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-10-01.

nitride-based semiconductor diode

Номер патента: KR20160040783A. Автор: 모토노부 타케야. Владелец: 서울반도체 주식회사. Дата публикации: 2016-04-15.

Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films

Номер патента: US8304805B2. Автор: Anthony J. Lochtefeld. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-06.

Methods of forming semiconductor diodes by aspect ratio trapping with coalesced films

Номер патента: US9449868B2. Автор: Anthony J. Lochtefeld. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films

Номер патента: US9029908B2. Автор: Anthony J. Lochtefeld. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-12.

Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films

Номер патента: US8765510B2. Автор: Anthony J. Lochtefeld. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films

Номер патента: EP2343742B1. Автор: Anthony Lochtefeld. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-13.

Semiconductor diodes with low reverse bias currents

Номер патента: US8772842B2. Автор: Yuvaraj Dora. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2014-07-08.

Preparation of semiconductor diode

Номер патента: JPS5866369A. Автор: Yoshihito Amamiya,Yoshihiko Mizushima,Yasuo Hasegawa,宜彦 水島,好仁 雨宮,長谷川　泰男. Владелец: Origin Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-04-20.

Improvements to microwave semiconductor diodes

Номер патента: FR1267262A. Автор: A J Regeffe. Владелец: Lignes Telegraphiques et Telephoniques LTT SA. Дата публикации: 1961-07-21.

Semiconductor diode

Номер патента: FR1284371A. Автор: Herbert Schlosshauer,Horst Wahl. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1962-02-09.

Fast response signal multiplexer - uses semiconductor diodes scanned by electron beam to create electron-hole pairs

Номер патента: FR2296972A1. Автор: Gerard Kantorowicz,Alain Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1976-07-30.

Microwave cavity coupling modified by - semiconductor diode

Номер патента: FR2041588A5. Автор: . Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1971-01-29.

SURFACE MOUNT SEMICONDUCTOR DIODE DEVICE

Номер патента: FR2748856B1. Автор: Jean Baptiste Martin,William Wasmer. Владелец: Motorola Semiconducteurs SA. Дата публикации: 1998-08-21.

Semiconductor diode

Номер патента: FR1269094A. Автор: . Владелец: Societe Industrielle de Liaisons Electriques SA. Дата публикации: 1961-08-11.

Semiconductor diode with protective substance - which is onto lower surface of trench in PN slice and prevents adhesion of metal

Номер патента: FR2359508A1. Автор: Pierre Rossetti. Владелец: Silec Semi Conducteurs SA. Дата публикации: 1978-02-17.

Semiconductor diodes

Номер патента: FR1230268A. Автор: . Владелец: Siemens Edison Swan Ltd. Дата публикации: 1960-09-14.

Semiconductor diode with improved forward characteristics - has diffusion produced pn-junction with one side impurities connection

Номер патента: FR2266308A1. Автор: . Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1975-10-24.

Gallium arsenide semiconductor diode and method for its manufacture

Номер патента: FR1372252A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1964-09-11.

Semiconductor diode

Номер патента: FR1275946A. Автор: . Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1961-11-10.

Semiconductor diode

Номер патента: FR1264382A. Автор: . Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1961-06-19.

Voltage dependent resistor for LCD screen control - uses two semiconductor diodes opposed in series between supply terminals and formed of amorphous silicon

Номер патента: FR2518788A1. Автор: Nicolas Szydlo,Francois Buchy,Jose Magarino,Pierre Landouar. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1983-06-24.

Controllable semiconductor diode with partially negative current-voltage characteristic

Номер патента: DE1228343B. Автор: Dr Heinz-Herbert Arndt,Dr Juergen Schaedel,Dipl-Chem Theodor Renner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1966-11-10.

Assembly jig for semiconductor diodes - where rectifier chip and two solder preforms are aligned between two connector pins, and then jig is heated so the chip is soldered

Номер патента: FR2487579A1. Автор: Lucien Barre. Владелец: SILICIUM SEMICONDUCTEUR SSC. Дата публикации: 1982-01-29.

Point-contact semiconductor diodes

Номер патента: GB1035714A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1966-07-13.

Integrated semiconductor diode

Номер патента: EP0685891B1. Автор: Ubaldo Mastromatteo,Paola Galbiati. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2001-08-08.

Target for a semiconductor diode vidicon and its production

Номер патента: DE1960705A1. Автор: Werner Dr Veith. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1971-06-09.

Semiconductor diode having a semiconductor die with a substrate and multiple films applied thereover

Номер патента: US6858873B2. Автор: Ming-Kwei Lee. Владелец: CHIA TA WORLD Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

Group III-V semiconductor diode

Номер патента: CN108630744A. Автор: V·杜德克. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2018-10-09.

High-density nonvolatile memory array fabricated at low temperature comprising semiconductor diodes

Номер патента: EP1883963A2. Автор: Samuel V. Dunton,S. Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-02-06.

Methods of forming a vertical semiconductor diode using an engineered substrate

Номер патента: US10535547B2. Автор: Cem Basceri,Vladimir Odnoblyudov,Dilip Risbud,Ozgur Aktas. Владелец: Qromis Inc. Дата публикации: 2020-01-14.

Radiation-emitting semiconductor diode

Номер патента: DE2755433C2. Автор: Werner Dipl.-Phys. Dr. 7101 Flein Schairer. Владелец: Telefunken Electronic 7100 Heilbronn GmbH. Дата публикации: 1986-09-25.

Silicon semiconductor diode, its circuit module and structure with an insulation body and preparation method thereof

Номер патента: EP0762494B1. Автор: Chao-Chih Tai. Владелец: Zowie Technology Corp. Дата публикации: 2002-07-24.

Use of a superlattice structure comprising a plurality of heterojunction layer layers arranged one behind the other to improve the lateral current propagation in a light-emitting semiconductor diode

Номер патента: DE19741609C2. Автор: Christian Geng,Jochen Gerner. Владелец: Vishay Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2003-02-27.

Semiconductor diode construction with heat dissipating housing

Номер патента: US3217213A. Автор: Saul I Slater. Владелец: Slater Electric Inc. Дата публикации: 1965-11-09.

Semiconductor diode and method of producing same

Номер патента: JPS6086874A. Автор: ヤーコプ、フーバー,エワルト、ペツテンパウル. Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1985-05-16.

Electron bombarded semiconductor diode - has two zone substrate with passivating ring and metal ring smaller than one face of substrate

Номер патента: FR2326043A1. Автор: Alain Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1977-04-22.

Polycrystal semiconductor diode

Номер патента: JPS6381984A. Автор: Koji Muto,Yukio Tsuzuki,幸夫 都築,浩司 武藤. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1988-04-12.

TRANSISTOR CELL ARRANGEMENT WITH SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: DE102013113540B4. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-11.

Integrated semiconductor diode arrangement and integrated semiconductor component

Номер патента: US20050189564A1. Автор: Andreas Meiser,Nils Jensen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor diode assembly

Номер патента: TW201423943A. Автор: Wolfgang Kemper,Mark French,John Earnshaw,Yen-Li Lin,Stephen Badcock. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2014-06-16.

Producing method of semiconductor diode with laminar material strecture

Номер патента: CN1054236C. Автор: 戴超智. Владелец: 戴超智. Дата публикации: 2000-07-05.

Stack type III-V semiconductor diode

Номер патента: JP6713669B2. Автор: ドゥーデク フォルカー. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-06-24.

Field effect semiconductor diode with vertical junction

Номер патента: CN1312779C. Автор: R·A·梅茨勒. Владелец: Integrated Discrete Devices LLC. Дата публикации: 2007-04-25.

Semiconductor diode for electron beam radiation type amplification

Номер патента: JPS55162274A. Автор: Osamu Mitomi,Hideo Makishima. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1980-12-17.

Metal-semiconductor diode with outer metal layer

Номер патента: DE19820734A1. Автор: Robert Plikat,Dieter Silber. Владелец: Dieter Silber. Дата публикации: 1999-11-18.

Image sensors employing sensitized semiconductor diodes

Номер патента: KR101605424B1. Автор: 후이 티안,이고르 씨. 이바노브,에드워드 에이치. 사르젠트. Владелец: 인비사지 테크놀로지스, 인크.. Дата публикации: 2016-03-22.

SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: DE1514867B2. Автор: Gerald Richardson Tex Luecke (V St A). Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1971-06-03.

Planar semiconductor diode with diffusion zone metallised contact - has second silicon oxide layer with window with metal coating including aluminium and nickel films

Номер патента: DE2838605A1. Автор: Ivana Tomc. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1980-03-06.

Iii-v semiconductor diode

Номер патента: EP3514837B1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-06-03.

METHOD OF MANUFACTURING AND TREATING A PHOTOVOLTAIC SEMICONDUCTOR DIODE FROM ELEMENTS OF GROUP IV AND VI OF THE PERIODIC SYSTEM

Номер патента: DE2813176A1. Автор: Henry Holloway. Владелец: Ford Werke GmbH. Дата публикации: 1978-10-05.

Semiconductor diode

Номер патента: FR1232232A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1960-10-06.

Integrated p-i-n semiconductor diodes

Номер патента: CA1006274A. Автор: Karel P. Van Rooij,Johannes T. Schrama,Adrianus W. Ludikhuize. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1977-03-01.

Encapsulated semiconductor diode mfr. - includes forming metallised surface around dielectric enabling operation at 30 ghz range

Номер патента: FR2447609A1. Автор: Jacques Simon,Raymond Henry. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1980-08-22.

Iii-v semiconductor diode

Номер патента: EP3611766A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-02-19.

Semiconductor diode

Номер патента: DE1132249B. Автор: Edwin Nosch. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1962-06-28.

Semiconductor diode, electronic component, voltage source inverter and control method

Номер патента: WO2004077573A2. Автор: Mark-Matthias Bakran,Hans-Günter Eckel. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2004-09-10.

Integrated circuit semiconductor diodes - are used in logic circuits and have plastics housings with interspaces filled with casting resin as insulation

Номер патента: DE2556562A1. Автор: Heinz Hofmann,Kurt Eichenmueller,Alfred Feulner,Johann Kraess. Владелец: Tekade Felten and Guilleaume Fernmeldeanlagen GmbH. Дата публикации: 1977-06-23.

High-density nonvolatile memory array fabricated at low temperature comprising semiconductor diodes

Номер патента: CN101297402A. Автор: S·布拉德·赫纳,塞缪尔·V·邓顿. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-10-29.

A kind of semiconductor diode production technology

Номер патента: CN108677244A. Автор: 陈涛. Владелец: 陈涛. Дата публикации: 2018-10-19.

Semiconductor diode

Номер патента: EP1033761A3. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-13.

Metal oxide semiconductor diode with accumulation layer

Номер патента: CN105810754A. Автор: 张波,陈哲,李爽,任敏,李泽宏,张金平,曹晓峰,高巍. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-07-27.

Semiconductor diode for rectifier or radiation source - has forward bias volts reduced by having NPN or PNP structure of given doping

Номер патента: FR2308207A1. Автор: . Владелец: WERK fur FERNSEHELEKTRONIK. Дата публикации: 1976-11-12.

Gan semiconductor diode

Номер патента: KR101339762B1. Автор: 이정호,이준호,한철구,하민우,노정현. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2013-12-10.

Semiconductor diode for generating or amplifying microwaves and methods for their operation

Номер патента: DE2002810C3. Автор: Peter Jan De Eindhoven Waard (Niederlande). Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1978-09-28.

Semiconductor diode and method for producing the same

Номер патента: WO2001013434A1. Автор: Herbert Goebel,Vesna Goebel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2001-02-22.

SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: DE2800820A1. Автор: Hermann Dr Ing Mader. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-09-27.

A kind of semiconductor diode lead sealing system

Номер патента: CN108461430A. Автор: 兰凤,方明进. Владелец: 兰凤. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor diode using Auger generation process suppression.

Номер патента: JPH11512884A. Автор: ホワイト，アンソニー・マイケル. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1999-11-02.

Three-layer semiconductor diode and its application

Номер патента: EP0003130B1. Автор: Hermann Dr. Mader. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-02-11.

Semiconductor diode having a p-n junction and little or no diffusion voltage

Номер патента: DE3631641A1. Автор: Friedrich Wilhelm Prof Dehmelt. Владелец: Dehmelt friedrich Wilhelm profdr-Ing. Дата публикации: 1987-03-26.

Semiconductor diode

Номер патента: FR1143171A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1957-09-27.

SEMICONDUCTOR DIODE WITH SUPPRESSION OF AUGER GENERATION PROCESSES

Номер патента: DE69624833D1. Автор: Michael White. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Method of producing amd using ivviv group semiconductor diode

Номер патента: JPS53119696A. Автор: Horouei Henrii. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1978-10-19.

Method for manufacturing a semiconductor diode

Номер патента: DE1514654C2. Автор: Günther Dr. 8000 München Kesel,Günter Dr. Olk. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-11-25.

Electroluminescent semiconductor diode

Номер патента: DE1802350C3. Автор: Tatjana G. Kmita. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-01-24.

Semiconductor diode

Номер патента: US9093568B1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-28.

Image sensors employing sensitized semiconductor diodes

Номер патента: US20110226934A1. Автор: Hui Tian,Edward Hartley Sargent,Igor Constantin Ivanov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-22.

Process for the production of an electrically conductive composite polymer molded body, Schottky junction or semiconductor diodes and patterned electrodes

Номер патента: DE3544957C3. Автор: Seizo Miyata,Takeaki Ozio. Владелец: Hoechst Gosei KK. Дата публикации: 1995-12-07.

DARLINGTON SWITCHING WITH AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR DIOD.

Номер патента: NL184185B. Автор: Antonius Johannes Janssen,Theodoor Henri Enzlin. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-12-01.

A method for manufacturing three-dimensional semiconductor diode device

Номер патента: TWI784335B. Автор: 蔡群賢,李庭鵑,蔡群榮,顏聰富,張光瑞. Владелец: 台灣奈米碳素股份有限公司. Дата публикации: 2022-11-21.

A variable capacitance semiconductor diode

Номер патента: WO1996007197A3. Автор: Kenneth Ronald Whight. Владелец: Philips Electronics UK Ltd. Дата публикации: 1996-04-11.

A kind of semiconductor diode chip encapsulating structure and preparation method thereof

Номер патента: CN108777264A. Автор: 张娟. Владелец: Beijing Jing Yi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-09.

Semiconductor diode for switching circuits

Номер патента: DE1021891B. Автор: William Shockley. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1958-01-02.

Semiconductor diode structure operation method

Номер патента: US8178925B2. Автор: Steven Howard Voldman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-15.

Nitride semiconductor diode

Номер патента: US8896027B2. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Akihisa Terano,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-11-25.

Semiconductor diode with barrier layer - allowing current-voltage characteristic modification by light radiation

Номер патента: DE3916205A1. Автор: Heinz Prof Dr Rer Nat Beneking. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1990-11-29.

Semiconductor diode assembly and housing therefor

Номер патента: US3030558A. Автор: Calvin A Berg,Myron J Johnson. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1962-04-17.

Semiconductor diode with electron injector

Номер патента: EP0709899A3. Автор: Friedhelm Dr Bauer. Владелец: ABB Management AG. Дата публикации: 1996-07-31.

Semiconductor diode with suppression of auger generation processes

Номер патента: WO1997013278A1. Автор: Anthony Michael White. Владелец: The Secretary of State For Defence. Дата публикации: 1997-04-10.

Image sensors employing sensitized semiconductor diodes

Номер патента: US9293487B2. Автор: Hui Tian,Edward Hartley Sargent,Igor Constantin Ivanov. Владелец: InVisage Technologies Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

LOW-LOSS SEMICONDUCTOR DIODE FOR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: DE2728144A1. Автор: Bruno Pacor. Владелец: ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1978-01-05.

Semiconductor diode assembly

Номер патента: KR101812861B1. Автор: 존 언쇼,울프강 캠퍼,옌-리 린,마크 프렌치,스티븐 배드콕. Владелец: 다이오드 인코포레이티드. Дата публикации: 2018-01-30.

Light emitting semiconductor diode, comprises primary and secondary silicon containing layers of one conductivity, and a third of the opposite conductivity

Номер патента: DE102004042997A1. Автор: Tzanimir Arguirov,Armin Dr. Fischer,Winfried Dr. Seifert,Martin Dr. Kittler. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2005-12-08.

PROCEDURE FOR THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DIODE-CONDENSER AND PRODUCT OBTAINED

Номер патента: IT1162419B. Автор: Walter L Wills,Herchel A Vaughn,Larry L Miller. Владелец: Varo Semiconductor. Дата публикации: 1987-04-01.

Flat package for semiconductor diodes

Номер патента: US20020063257A1. Автор: Bily Wang. Владелец: Harvatek Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor diode with a pn junction exhibiting a tunnel effect

Номер патента: DE1212222B. Автор: William Gardner Pfann. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1966-03-10.

Semiconductor diode for emitting light.

Номер патента: NL163677B. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-04-15.

Method of producing stable gallium arsenide and semiconductor diodes made therefrom

Номер патента: US3245847A. Автор: Frank A Pizzarello. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1966-04-12.

High-voltage rectifier with several semiconductor diodes connected in series

Номер патента: DE1130077B. Автор: Clinton Elwood Maiden. Владелец: Pacific Semiconductors Inc. Дата публикации: 1962-05-24.

Light transmitting and receiving arrangement with a semiconductor diode

Номер патента: DE2828195C2. Автор: Jean Claude Le Chesnay Carballes. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-10-10.

Lateral semiconductor diode and method for fabricating it

Номер патента: US20060071235A1. Автор: Michael Treu,Gabriel Dehlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-06.

Gaas-based iii-v semiconductor diode

Номер патента: EP3379581A1. Автор: DUDEK Volker. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2018-09-26.

Fast switching semiconductor diode with reduced recovery time and epitaxial process for its manufacture

Номер патента: DE1228340B. Автор: Richard L Anderson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1966-11-10.

Concentric Semiconductor Diode

Номер патента: FR1196142A. Автор: Stanislas Teszner. Владелец: . Дата публикации: 1959-11-20.

Lateral semiconductor diode and method for fabricating it

Номер патента: US7538362B2. Автор: Michael Treu,Gabriel Konrad Dehlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-05-26.

Control of a light emitting diode array

Номер патента: CA1182512A. Автор: Donald T. Dolan,Henry Stalzer. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1985-02-12.

Projection system employing semiconductor diode

Номер патента: US8002412B2. Автор: Jae-hee Cho. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-23.

Optical print head with LED diode array

Номер патента: US4734714A. Автор: Hiromi Takasu,Shigeru Sakaguchi. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-29.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits having flip-chip arrangements with high coherence devices

Номер патента: WO2024102504A2. Автор: Andrew J. Berkley,Mohammad H. Amin,Timothy L. DUTY,Berta TRULLAS CLAVERA. Владелец: 1372934 B.C. Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.

Display device, method of controlling light emitting diode array of display device, and computer programme product

Номер патента: RU2516284C2. Автор: Альфред ПЕТЕРС,Дирк СЕЙНАВЕ,Кристоф ХУБЕК,Филип БРЮЙНЕЛЬ. Владелец: ТП Вижн Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2014-05-20.

Organic light emitting diode array substrate, display panel and display apparatus, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3766100A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-20.

Circuit with light-emitting diodes, as well as light-emitting diode array and device

Номер патента: RU2420043C2. Автор: Бернд АКЕРМАНН,Георг ЗАУРЛЕНДЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2011-05-27.

Organic light-emitting diode array substrate and display device

Номер патента: EP3203520A1. Автор: MINGHUA XUAN,Jingbo Xu,Jiantao Liu,Fengli JI,Shanshan BAI. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

Self-scanning photo diode array

Номер патента: US3822362A. Автор: E Snow,G Weckler. Владелец: Reticon Corp. Дата публикации: 1974-07-02.

Light emitting diode array imaging system - parallel approach

Номер патента: CA1124832A. Автор: Wilbur H. Goldschmidt,Hansjuergen H. Henning,William J. Kapes, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-06-01.

Method of fabricating organic light emitting diode array

Номер патента: US20070141234A1. Автор: Tzu-Yang Peng,Chin Huang,Jeng-Rong Ho,Nan-Yi Wu,Jungwei Cheng. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-06-21.

Full color organic light emitting diode array

Номер патента: US5736754A. Автор: Franky So,Song Q. Shi. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Optical transmitter using surface emitting semiconductor laser as light source

Номер патента: JP4193709B2. Автор: 淳 櫻井,修 上野,秀生 中山,雅夫 舟田,勉 浜田,信也 経塚,朗 坂本,紀 高梨,昌明 三浦. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Light emitting diodes and diode arrays for smart ring visual output

Номер патента: US12027048B2. Автор: Kenneth Jason Sanchez. Владелец: BlueOwl LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Control of light emitting diode array

Номер патента: GB8423544D0. Автор: . Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1984-10-24.

Light emitting diodes and diode arrays for smart ring visual output

Номер патента: US20240355201A1. Автор: Kenneth Jason Sanchez. Владелец: Quanata LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for hydrotreatment of gas-oil fractions using catalyst based on amorphous mesoporous aluminium oxide having high coherence of structure

Номер патента: RU2689116C2. Автор: Бертран ГИШАР,Малика БУАЛЛЕГ,Элоди ДЕВЕР. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2019-05-24.

Preparation and application of highly coherent diamond nitrogen vacancy and diamond anvil

Номер патента: US20230383437A1. Автор: Xiaobing LIU,Xiaoran ZHANG. Владелец: Qufu Normal University. Дата публикации: 2023-11-30.

Preparation and application of highly coherent diamond nitrogen vacancy and diamond anvil

Номер патента: US11905620B2. Автор: Xiaobing LIU,Xiaoran ZHANG. Владелец: Qufu Normal University. Дата публикации: 2024-02-20.

Diode array-based digitized miniature ultra-low-power-consumption impact monitoring system

Номер патента: US20170292880A1. Автор: Lei QIU,Hanfei MEI,Yuanqiang REN,Shenfang YUAN,Qianyun ZHENG,Qiao BAO. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2017-10-12.

Irradiation devices with laser diode arrays for additively manufacturing three-dimensional objects

Номер патента: EP4387796A1. Автор: Mary Kathryn Thompson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-06-26.

Image aware laser diode array shutter for reduced incident energy on dmd chip set

Номер патента: US20180067300A1. Автор: Paul J. McConville,Steven R. Moore,Douglas K. Herrmann,Jason M. LeFevre. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Device for measuring amplitude-phase noise of microwave radio-pulse signal sources with high duty cycle of transmitters of high-coherence detection and communication systems

Номер патента: RU2694451C2. Автор: Алексей Борисович Шталев. Владелец: Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега". Дата публикации: 2019-07-15.

Standardless highly coherent interferometer

Номер патента: RU2760920C1. Автор: Николай Николаевич Салащенко,Николай Иванович Чхало,Михаил Николаевич Торопов,Илья Вячеславович Малышев,Борис Александрович Уласевич,Антон Арамович Ахсахалян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2021-12-01.

High coherency shirred casings

Номер патента: CA1205670A. Автор: Merlan E. Mcallister,Robert W. Snedeker. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1986-06-10.

Method of measuring thermal impedance of semiconductor diodes using amplitude-pulse modulation of the grapping capacity

Номер патента: RU2630191C1. Автор: Виталий Иванович Смирнов,Андрей Анатольевич Гавриков,Антон Михайлович Шорин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-09-05.

Method and apparatus for automatically testing semiconductor diodes

Номер патента: CA2162653C. Автор: Todd E. Holmdahl,Robert T. Gibson. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 1998-11-10.

Beam expansion and relay optics for laser diode array

Номер патента: US4520472A. Автор: Charles W. Reno. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-05-28.

Low power semiconductor diode signal storage device

Номер патента: US3569945A. Автор: Irving T Ho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-03-09.

Multi-channel recording/playback optics for laser diode arrays

Номер патента: US4520471A. Автор: Donald B. Carlin. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-05-28.

Compressive Line Sensing Imaging Using Individually Addressable Laser Diode Array

Номер патента: US20170299722A1. Автор: Cuiling Gong,Bing Ouyang,Frank Caimi,Fraser Dalgleish,Weilin Hou,Anni Dalgleish. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-10-19.

Interleaving driving method of light emitting diode array and light emitting diode device

Номер патента: US20240153440A1. Автор: Che Wei Chang,Kai En LIN,Ming Jia WU. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Detection device and detection method using avalanche diode array and calibration matrix generating method thereof

Номер патента: US12132882B2. Автор: TSO-SHENG TSAI. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

AC powered light emitting diode array circuits for use in traffic signal displays

Номер патента: US5936599A. Автор: Welles Reymond. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-08-10.

Depth sensing using a time of flight system including a scanning beam in combination with a single photon avalanche diode array

Номер патента: US11920916B1. Автор: Michael Hall,Xinqiao Liu. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Power supply for light emitting diode array

Номер патента: US5661645A. Автор: Peter A. Hochstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-08-26.

Control of dynamic brightness of light-emitting diode array

Номер патента: US20240276615A1. Автор: Marshall Charles Capps,Mihailo Slobodan Zivkovic,Howard Russell Cohen,Christopher F. Davis. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Drive circuit for light emitting diode array based on sepic or cuk topology

Номер патента: US8742676B2. Автор: Timothy A. Taubert. Владелец: ABL IP HOLDING LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

A system and apparatus for controlling light intensity output of light emitting diode arrays

Номер патента: CA2754674A1. Автор: Ian Ashdown. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-09-16.

Control of dynamic brightness of light-emitting diode array

Номер патента: US11991805B2. Автор: Marshall Charles Capps,Mihailo Slobodan Zivkovic,Howard Russell Cohen,Christopher F. Davis. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Peak power pulse energizing circuit for a light emitting diode array

Номер патента: US20070223220A1. Автор: Harry Flagle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Amplifier with two highly conductive semiconductor diodes (switching diodes)

Номер патента: DE1061830B. Автор: Edward A Petrocelli. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1959-07-23.

Circuit arrangement with transistor and semiconductor diode - uses diode for current flow control enabling transistor output control

Номер патента: DE2822341A1. Автор: Rolf Badenhausen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-12-06.

MULTI-LINE ARRAY LASER THREE-DIMENSIONAL SCANNING SYSTEM, AND MULTI-LINE ARRAY LASER THREE-DIMENSIONAL SCANNING METHOD

Номер патента: US20180180408A1. Автор: Du Hua,LI Renju,YE Chengwei. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

Two dimensional organic light emitting diode array for high density information image manifestation apparatus

Номер патента: US5587589A. Автор: Franky So,Thomas B. Harvey, Iii,Song Q. Shi. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-12-24.

Multi-thread array laser 3 D scanning system and multi-thread array laser 3-D scanning method

Номер патента: CN105222724B. Автор: 杜华,李仁举,叶成蔚. Владелец: Beijing Tianyuan Three Dimensional Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

A method of manufacturing a light emitting diode array and light emitting diode array having a plurality of LED modules arranged in a chain

Номер патента: DE102007003809B4. Автор: Harald Stoyan. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2012-03-08.

Display device, method of controlling a light emitting diode array of the display device, and computer program product

Номер патента: US20110194047A1. Автор: Dirck Seynaeve,Filip Bruyneel,Christophe Hoebeeck,Alfred Peeters. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2011-08-11.

Multi-line array laser three-dimensional scanning system, and multi-line array laser three-dimensional scanning method

Номер патента: EP3348958C0. Автор: Hua Du,Renju LI,Chengwei Ye. Владелец: Tenyoun 3d (tianjin) Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Reducing peak current usage in light emitting diode array

Номер патента: US20200357331A1. Автор: Ilias Pappas,William Thomas Blank,Michael Yee. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Reducing peak current usage in light emitting diode array

Номер патента: WO2020227242A1. Автор: Yee Michael,Ilias Pappas,William Thomas Blank. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Reducing peak current usage in light emitting diode array

Номер патента: EP3932052A1. Автор: Ilias Pappas,William Thomas Blank,Michael Yee. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2022-01-05.

Control of dynamic brightness of light-emitting diode array

Номер патента: US20210195710A1. Автор: Marshall Charles Capps,Mihailo Slobodan Zivkovic,Howard Russell Cohen,Christopher F. Davis. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Hybrid electron-beam, semiconductor-diode amplifying device

Номер патента: CA990807A. Автор: Max N. Yoder. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1976-06-08.

Control of dynamic brightness of light-emitting diode array

Номер патента: EP4079102A4. Автор: Marshall Charles Capps,Mihailo Slobodan Zivkovic,Howard Russell Cohen,Christopher F. Davis. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Diode array

Номер патента: US2848664A. Автор: Arthur J Critchlow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1958-08-19.

Method of fabricating organic light emitting diode array

Номер патента: TW200627666A. Автор: Chin-Min Huang,Tzu-Yang Peng,Jeng-Rong Ho,Nan-Yi Wu,Jung-Wei John Cheng. Владелец: Nat Univ Chung Cheng. Дата публикации: 2006-08-01.

Light-emitting diode arrays and methods of manufacture

Номер патента: TW200849578A. Автор: Jan Hermans,Hendrik Klaas Louwsma,Pieter Goldhoorn. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Temperature sensor manufacturing method using semiconductor diode

Номер патента: KR950009245A. Автор: 황성보,이근육. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-04-21.

Semiconductor diodes, variable resistance memory devices and methods of manufacturing variable resistance memory devices

Номер патента: KR102195003B1. Автор: 강윤선,성동준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-24.

Only electronics organic semiconductor diodes device

Номер патента: CN106356452B. Автор: 戴雷,李哲,陈金鑫,蔡丽菲,鲁锦鸿. Владелец: Guangdong Aglaia Optoelectronic Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-18.

Protective circuit for controllable semiconductor diode - has current transformer which delivers signal which activates disconnection element

Номер патента: DE2646612A1. Автор: Friedrich Ing Grad Weber. Владелец: Koepfer & Soehne Jos GmbH. Дата публикации: 1978-04-20.

Linear frequency sweep of resonant circuit by exponentially varying reverse bias on semiconductor diode

Номер патента: ES271866A1. Автор: . Владелец: Marconis Wireless Telegraph Co Ltd. Дата публикации: 1962-05-01.

Organic semiconductor diode

Номер патента: US20070096089A1. Автор: Pavel Lazarev. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Circuit arrangement for telephone exchanges with semiconductor diodes which are arranged in a voice current transmission path

Номер патента: DE1176708B. Автор: Harold James Stirling. Владелец: Associated Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1964-08-27.

A method for manufacturing for thermal sensor using semiconductor diode

Номер патента: KR970004497B1. Автор: 황성보,이근육. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-03-28.

Circuit arrangement for switching through an alternating voltage or pulses with a semiconductor diode with a negative resistance part

Номер патента: DE1131736B. Автор: Leonard Johan Tummers,Johannes Wilhelmus Ma Adrianus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1962-06-20.

Cavity-only organic semiconductor diode device

Номер патента: CN106410054A. Автор: 戴雷,李哲,陈金鑫,蔡丽菲,鲁锦鸿. Владелец: Guangdong Aglaia Optoelectronic Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Apparatus for automatically measuring the reverse recovery transient of a semiconductor diode

Номер патента: US3462685A. Автор: Tomas Hornak. Владелец: Vyzkumny Ustav Matematickych Stroju. Дата публикации: 1969-08-19.

Current converter circuit with semiconductor diodes - operates as rectifier and has two rectifiers connected in antiparallel supplying load currents of opposite polarities

Номер патента: DE2659314A1. Автор: Erich Schroeter. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1978-07-06.

Additive manufacturing in metals with a fiber array laser source and adaptive multi-beam shaping

Номер патента: US20190009369A1. Автор: Mikhail A. Vorontsov. Владелец: Mv Innovative Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-10.

Method for hydrotreatment of distillate fractions using catalyst based on amorphous mesoporous aluminium oxide having high coherence of structure

Номер патента: RU2690843C2. Автор: Антуан ЮГОН,Малика БУАЛЛЕГ. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2019-06-06.

Laser welding system and methods with an laser diodes array with a common spaceed apart from the laser diodes array

Номер патента: GB2440087A. Автор: Qiong Chen,Jamie Neo,Marjan S Amesbury. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-01-16.

Additive manufacture in metals with a fiber array laser source and adaptive multi-beam shaping

Номер патента: US20230405721A1. Автор: Mikhail A. Vorontsov. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Additive manufacture in metals with a fiber array laser source and adaptive multi-beam shaping

Номер патента: US11780030B2. Автор: Mikhail A. Vorontsov. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Additive manufacturing in metals with a fiber array laser source and adaptive multi-beam shaping

Номер патента: US11731213B2. Автор: Abtin Ataei,Mikhail A. Vorontsov. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Additive manufacturing in metals with a fiber array laser source and adaptive multi-beam shaping

Номер патента: US20200306880A1. Автор: Abtin Ataei,Mikhail A. Vorontsov. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Additive manufacturing in metals with a fiber array laser source and adaptive multi-beam shaping

Номер патента: US20230339045A1. Автор: Abtin Ataei,Mikhail A. Vorontsov. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Exposure apparatus adopting organic light-emitting diode array as light source

Номер патента: US20070040888A1. Автор: Woon-ho Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Light emitting diode based PAPI method and system incorporating diode arrays and cylindrical optics

Номер патента: US09863601B2. Автор: David Mark Shemwell,Alan August Vetter. Владелец: Laser Guidance Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Imaging head with laser diode array and a beam-shaping micro light-pipe array

Номер патента: WO2002047915A1. Автор: Nissim Pilossof,Alex Weiss,Igal Koifman. Владелец: Creo Il. Ltd.. Дата публикации: 2002-06-20.

Laser welding system and methods with an laser diodes array with a common spaced apart from the laser diodes array

Номер патента: WO2006115807A1. Автор: Qiong Chen,Marjan S. Amesbury,Jamie Neo. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2006-11-02.

Writing head with individually addressed laser diode array

Номер патента: IL120841A0. Автор: . Владелец: Scitex Corp Ltd. Дата публикации: 1997-09-30.

Motor vehicle parking aid using pulsed laser - evaluates signal reflected from obstacle and received by semiconductor diode at rear corner of vehicle

Номер патента: DE4040894C1. Автор: Guenter 6900 Heidelberg De Wichmann. Владелец: Eltro Gesellschaft fur Strahlungstechnik 6900 Heidelberg De GmbH. Дата публикации: 1992-04-30.

Semiconductor diode

Номер патента: AU453969B2. Автор: Ohnsorge Horst. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1974-10-17.

Carbon nanotubes with properties of semiconductor diode and the fabrication method of porous anodic alumina templates for them

Номер патента: KR100401304B1. Автор: 정광석,김호성,윤선미,이진승,서정쌍,정성미,배지은,채조석. Владелец: 서정쌍. Дата публикации: 2003-10-10.

Low coherence measurement / high coherence measurement common interferometer apparatus and measurement method thereof

Номер патента: JP4062606B2. Автор: 伸明 植木. Владелец: Fujinon Corp. Дата публикации: 2008-03-19.

System for preparing highly coherent air jet textured yarn

Номер патента: WO1996028593A1. Автор: Jagdish Navnitlal Shah. Владелец: Heberlein Fibertechnology, Inc.. Дата публикации: 1996-09-19.

MANAGING HIGH-COHERENCE-MISS CACHE LINES IN MULTI-PROCESSOR COMPUTING ENVIRONMENTS

Номер патента: US20150089154A1. Автор: Cain,III Harold W.,Michael Maged M.,Gschwind Michael K.,Salapura Valentina,Shum Chung-Lung K.,Busaba Fadi Y.,Schwarz Eric M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-26.

The equipment of preparation highly coherent air jet textured yarn

Номер патента: CN1036806A. Автор: 阿德利·阿德尔-蒙尼埃姆·戈拉法. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1989-11-01.

System for preparing highly coherent air jet textured yarn

Номер патента: AU605457B2. Автор: Adly Adbel-Moniem Gorrafa. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1991-01-10.

Time sequence InSAR high-coherence point selection method considering homogeneity

Номер патента: CN113281749A. Автор: 刘涛,刘伟,张涛,曹敏,高贵,高昇,尹文禄,刘宏立. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2021-08-20.

Method and system for synchronizing high coherence between chips of echo signal of radar

Номер патента: CN114217288B. Автор: 梁璟玥. Владелец: Hunan Nanoradar Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

System, device, and method for quantum correlation measurement with single photon avalanche diode arrays

Номер патента: US11982566B2. Автор: Edoardo Charbon,Dan Oron,Uri Rossman,Ron Tenne,Gur LUBIN,Ivan Michel ANTOLOVIC,Claudio BRUSCHINI. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays

Номер патента: US20060139945A1. Автор: Gerald Negley,Norbert Hiller,Antony Ven. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Single chip superluminous light emitting diode array for waveguide displays

Номер патента: EP3765891A1. Автор: Maxwell Parsons. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-01-20.

Single chip superluminous light emitting diode array for waveguide displays

Номер патента: WO2019177728A1. Автор: Maxwell Parsons. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2019-09-19.

Beam shaper system for laser diode array

Номер патента: US09513483B2. Автор: Igor Gurevich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-06.

System, device and method for quantum correlation measurement with single photon avalanche diode arrays

Номер патента: EP3948183A1. Автор: Edoardo Charbon,Dan Oron,Uri Rossman,Ron Tenne,Gur LUBIN,Ivan Michel ANTOLOVIC,Claudio BRUSCHINI. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Catheter tracking and placement system including light emitting diode array

Номер патента: US12011255B2. Автор: Chase Thompson,Jerry Zhao,Clark KNUDSEN. Владелец: Bard Access Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Cross-talk and back side shielding in a front side illuminated photo detector diode array

Номер патента: WO2007121000A3. Автор: David B Kerwin,Rockford Curby. Владелец: Rockford Curby. Дата публикации: 2008-04-17.

Cross-talk and back side shielding in a front side illuminated photo detector diode array

Номер патента: WO2007121000A2. Автор: David B. Kerwin,Rockford Curby. Владелец: Aeroflex Colorado Springs Inc.. Дата публикации: 2007-10-25.

Integrated laser diode array and applications

Номер патента: US20020171047A1. Автор: Akira Ishikawa,Jinhui Zhai,Wenhui Mei,Kin Chan. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Electronic device with light-emitting diode array

Номер патента: US09739929B2. Автор: Jun Qi,Victor H. Yin,Dinesh C. Mathew,Christopher L. Boitnott,Adam T. Garelli,Nathan K. Gupta,Nicholas A. Rundle. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

CURRENT DRIVER ARRAY TEST APPARATUS, TEST METHOD THEREOF, AND MICRO LIGHT EMITTING DIODE ARRAY TEST METHOD

Номер патента: US20200341050A1. Автор: Hsiao Sheng-Wen. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2020-10-29.

Surface emitting laser (VCSEL) array laser scanner

Номер патента: JP5096008B2. Автор: マイケル・アール・ティー・タン,ウィリアム・アール・トルトナ，ジュニア,ジョージャス・パノトポウロス. Владелец: アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド. Дата публикации: 2012-12-12.

Diode Array (ARRAY) Test Device

Номер патента: KR940004380U. Автор: 임영빈. Владелец: 대우전자부품 주식회사. Дата публикации: 1994-02-24.

Multi-thread array laser 3 D scanning system and multi-thread array laser 3-D scanning method

Номер патента: CN105203046B. Автор: 杜华,李仁举,叶成蔚. Владелец: Beijing Tianyuan Three Dimensional Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Laser body and phased-array laser radar

Номер патента: CN109444851A. Автор: 邱纯鑫,刘乐天. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

Spectrophotometer with light source in the form of a light emitting diode array

Номер патента: US5477322A. Автор: Donald R. Webster. Владелец: NIRSystems Inc. Дата публикации: 1995-12-19.

Laser receiving array, laser radar and intelligent sensing equipment

Номер патента: CN110678780B. Автор: 叶高山. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Area array laser radar, laser module and detector module

Номер патента: CN112835016A. Автор: 姜波,金元浩,赵忠尧. Владелец: Ruichi Zhiguang Beijing Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Laser radar and its phased-array laser transmitter unit

Номер патента: CN108693505A. Автор: 牛犇,任亚林. Владелец: Shenzhen City Han Guang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Endoscope lighting unit for medical use has diode array on heat sink in a concave array

Номер патента: DE20205469U1. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Double-sided lenslet array, laser beam shaping and homogenizing device and laser light source system

Номер патента: TW201100862A. Автор: Chien-Chuan Chen,Po-Chou Chen,Po-Hung Yao,Cheng-Huan Chen. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2011-01-01.

Improved structure of semiconductor diode leadframe

Номер патента: TW470216U. Автор: Shang-Min Tsai. Владелец: Jih Long Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-21.

Incremental method and system for absolute measurement of coherent power at millimeter and submillimeter wavelengths

Номер патента: US4045730A. Автор: Abraham Singer,Jan M. Minkowski. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1977-08-30.

Systems and methods for coherent power management

Номер патента: US11868192B2. Автор: Inder M. Sodhi,Keith Cox,II Joseph T. DiBene,Gerard R. Williams, III. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Systems and Methods for Coherent Power Management

Номер патента: US20240160268A1. Автор: Inder M. Sodhi,Keith Cox,II Joseph T. DiBene,Gerard R. Williams, III. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Light emitting diode array illuminant and backlight module by using the same

Номер патента: TW200420854A. Автор: Yi-Hui Chang. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-10-16.

Light emitting diode array illumination system with recycling

Номер патента: TW201243236A. Автор: Kenneth Li. Владелец: Wavien Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Light emitting diode array illumination system with recycling

Номер патента: EP2678604A1. Автор: Kenneth Li. Владелец: Wavien Inc. Дата публикации: 2014-01-01.

Laser diode array downhole spectrometer

Номер патента: GB201002587D0. Автор: . Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2010-03-31.

Apparatus, Systems, and Methods for Neurostimulation and Neurotelemetry Using Semiconductor Diode Systems

Номер патента: US20130144361A1. Автор: Bruce C. Towe. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2013-06-06.

Microwave radar for vehicle or intruder alarm - uses semiconductor diode oscillator in transmitter

Номер патента: FR2265105A1. Автор: . Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1975-10-17.

Temp. rise detector for fire alarm - has differential amplifier triggering thyristor in lamp circuit when temp. unbalance in two semiconductor diodes occurs

Номер патента: FR2412829A1. Автор: . Владелец: CACHERA DOMINIQUE. Дата публикации: 1979-07-20.

Nuclear radiation detection device for use in key chain for detection of gamma and beta particles during disaster at nuclear power plant, has detection system including semiconductor diodes, charge amplifier and discriminator

Номер патента: FR2973116A1. Автор: Grégory Jean. Владелец: Grégory Jean. Дата публикации: 2012-09-28.

Bulk semiconductor diode devices

Номер патента: FR2057522A5. Автор: . Владелец: ULBRICHT WALTER VEB. Дата публикации: 1971-05-21.

Portable Semiconductor Diode Laser for Medical Treatment

Номер патента: US20110040358A1. Автор: David M. Bean,Donald C. Freeman. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor diode laser photo-analyzing system

Номер патента: KR100481433B1. Автор: 신명철,김세원,차학주. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2005-04-14.

Method and apparatus for automatic testing of semiconductor diodes

Номер патента: DE69525437D1. Автор: Todd E Holmdahl,Robert T Gibson. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Collimator for parallel light beam from semiconductor diode laser - uses coiled glass fibre wave guide with transparent plastics outer skin

Номер патента: DE2936268A1. Автор: Gerhard Dr. 8000 München Schiffner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1981-04-09.

Two-dimensional surface emitting laser array element, surface emitting laser device, and light source

Номер патента: JP2012028412A. Автор: Tomohiro Takagi,Norihiro Iwai,則広 岩井,均 清水,Hirotatsu Ishii,宏辰 石井,Junji Yoshida,Hitoshi Shimizu,順自 吉田,智洋 高木,啓史 高木,Keishi Takaki,Suguru Imai,英 今井. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

High-power two-dimensional traveling wave CMOS power amplifier

Номер патента: CN211046870U. Автор: 林倩,邬海峰,陈善继,胡单辉. Владелец: Qinghai Nationalities University. Дата публикации: 2020-07-17.

SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SEMICONDUCTOR LASER MODULE, AND NON-LINEAR OPTICAL DEVICE

Номер патента: US20120320447A1. Автор: TAKAKI Keishi,ISHII Hirotatsu,IWAI Norihiro,OOTOMO Shinya. Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-20.

Surface emitting semiconductor laser element, surface emitting semiconductor laser array, surface emitting semiconductor laser beam scanner, surface emitting laser beam recording apparatus, and laser recording method

Номер патента: JP3677883B2. Автор: 将央 山本,泉 岩佐,朗 坂本,茂行 大竹. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-03.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION APPARATUS, AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20120170084A1. Автор: TAKEDA Kazutaka,NAKAYAMA Hideo. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-05.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE IN WHICH AN EDGE-EMITTING LASER IS INTEGRATED WITH A DIFFRACTIVE OR REFRACTIVE LENS ON THE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

Номер патента: US20120183007A1. Автор: . Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

SEMICONDUCTOR LASER DEVICE IN WHICH AN EDGE-EMITTING LASER IS INTEGRATED WITH A REFLECTOR TO FORM A SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

Номер патента: US20120195336A1. Автор: Fang Rui Yu,Roggero Guido Alberto,Morello Giuliana,Paoletti Roberto,Agresti Michele. Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-08-02.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMITTER, AND INFORMATION PROCESSOR

Номер патента: US20130188659A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-25.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20130188993A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,NAKAYAMA Hideo. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-25.

Surface emitting semiconductor laser device manufacturing method, surface emitting semiconductor laser device, and optical transmission system

Номер патента: JP4141172B2. Автор: 彰浩 伊藤. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-27.

Electrode structure for surface emitting semiconductor laser and surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4363394B2. Автор: 淳史 佐藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-11-11.

Manufacturing method for surface-emitting semiconductor element, and semiconductor laser device using the element

Номер патента: JP2001168451A. Автор: Toshiro Hayakawa,利郎 早川. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-22.

Semiconductor distributed Bragg reflector, surface emitting semiconductor laser, optical transmission module, optical transmission / reception module, and optical communication system using the same

Номер патента: JP4046466B2. Автор: 俊一 佐藤,直人 軸谷. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-13.

Surface emitting semiconductor laser element, its manufacturing method, surface emitting semiconductor laser array, light transmitting module, light transmitting and receiving module and optical communication system

Номер патента: JP2003101140A. Автор: Akihiro Ito,Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Takashi Takahashi,俊一 佐藤,彰浩 伊藤,直人 軸谷,孝志 高橋,Morimasa Uenishi,盛聖 上西. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-04.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: AU2002250958A1. Автор: Markus-Christian Amann,Markus Ortsiefer. Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2002-08-28.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL RECORDING HEAD, AND OPTICAL RECORDING APPARATUS

Номер патента: US20120072931A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

METHOD FOR PRODUCING SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120094408A1. Автор: ONISHI Yutaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-19.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER COMPONENT HAVING A VERTICAL EMISSION DIRECTION

Номер патента: US20120134382A1. Автор: . Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-05-31.

OPTICALLY-PUMPED SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER WITH HEAT-SPREADING COMPOUND MIRROR-STRUCTURE

Номер патента: US20120269216A1. Автор: . Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2012-10-25.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE IN WHICH AN EDGE-EMITTING LASER IS INTEGRATED WITH A DIFFRACTIVE LENS, AND A METHOD FOR MAKING THE DEVICE

Номер патента: US20120281727A1. Автор: Fang Rui Yu,Roggero Guido Alberto,Tallone Luigi. Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-11-08.

Vertical Surface Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20130016746A1. Автор: Kiesel Peter,Martini Joerg,Chua Christopher L.,Johnson Noble M.,STRITTMATTER André. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2013-01-17.

Surface-Emitting Semiconductor Light-Emitting Diode

Номер патента: US20130026447A1. Автор: Kloth Bernd,Abrosimova Vera,Trenkler Torsten. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3666444B2. Автор: 貴幸 近藤,克己 森,淳史 佐藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-29.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2005093634A. Автор: Takashi Hara,敬 原. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Surface emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3188658B2. Автор: 康宏 小林. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2001-07-16.

Manufacturing method of surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP3876886B2. Автор: 淳 櫻井,秀生 中山,朗 坂本. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-07.

Surface emitting semiconductor laser manufacturing method and electronic device manufacturing method

Номер патента: JP3876910B2. Автор: 啓修 成井,義昭 渡部,嘉幸 田中,義則 山内,勇一 黒水. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-07.

Surface emitting semiconductor laser and optical encoder using the same

Номер патента: JP3122710B2. Автор: 英二 山本,岩男 駒崎,栄 橋本,賢治 村上,博志 宮島,正孝 伊藤. Владелец: Olympus Optic Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-09.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4561042B2. Автор: 育昌 宮本. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-13.

Long wavelength surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4722404B2. Автор: 博之 鈴木,義孝 大礒,学 満原,航太 浅香. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Surface emitting semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4821961B2. Автор: 亮次 石井,秀生 中山,朱実 村上,靖章 桑田,尚孝 向山. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5087874B2. Автор: 誠也 大森. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: JPH10200200A. Автор: Yukio Furukawa,幸生 古川. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-07-31.

Surface-emitting semiconductor laser having dielectric dbr mirror and its manufacturing method

Номер патента: JP2007250669A. Автор: Kenichiro Yashiki,健一郎 屋敷. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP3802465B2. Автор: 圭児 高岡,亨彦 西垣,玄一 波多腰,瑞仙 江崎. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-26.

Surface emitting semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3075824B2. Автор: 徹 石川,晃 茨木,浩太郎 古沢,輝明 三宅. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-14.

Surface emitting semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3546630B2. Автор: 育昌 宮本. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP5181420B2. Автор: 伸行 光井. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Surface emitting semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4892941B2. Автор: 誠也 大森. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-07.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4915197B2. Автор: 将央 山本,昌宏 吉川,崇 近藤. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-11.

Outer-cavity high-power photonic-crystal vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser with three active areas

Номер патента: CN201435526Y. Автор: 刘英明,王宝强,徐晨,王春霞,阚强,解意洋. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-03-31.

Green light vertical cavity surface emitting semiconductor laser

Номер патента: CN211556423U. Автор: 李林,乔忠良,李再金,曾丽娜,曲轶,彭鸿雁. Владелец: Hainan Normal University. Дата публикации: 2020-09-22.

Surface emitting semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5151317B2. Автор: 淳 櫻井,昌宏 吉川. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-27.

Surface emitting semiconductor laser array

Номер патента: JPH11261162A. Автор: Takeo Kaneko,Takayuki Kondo,貴幸 近藤,Takeshi Kaneko,剛 金子,丈夫 金子. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-09-24.

Manufacturing method of surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP4931304B2. Автор: 俊一 佐藤,彰浩 伊藤,直人 軸谷,孝志 高橋,盛聖 上西. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-16.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4205208B2. Автор: 則広 岩井,智一 向原. Владелец: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2009-01-07.

Semiconductor diode for ir spectral range

Номер патента: RU2286618C2. Автор: Борис Анатольевич Матвеев. Владелец: Борис Анатольевич Матвеев. Дата публикации: 2006-10-27.

Method of measuring thermal impedance of semiconductor diodes

Номер патента: RU2402783C1. Автор: Виталий Иванович Смирнов,Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Андрей Анатольевич Гавриков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-10-27.

Process determining thermal resistance of junction-package of semiconductor diodes

Номер патента: RU2178893C1. Автор: В.А. Сергеев. Владелец: Ульяновский государственный технический университет. Дата публикации: 2002-01-27.

Semiconductor diode

Номер патента: RU2561779C1. Автор: Игорь Владимирович Юнусов,Вадим Станиславович Арыков,Анастасия Михайловна Ющенко,Александра Юрьевна Плотникова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран". Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor diode condition indicating device

Номер патента: RU2226310C1. Автор: И.И. Левченко,А.С. Засыпкин,А.А. Аллилуев. Владелец: Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт). Дата публикации: 2004-03-27.

Improvements in high intensity - high coherence laser system

Номер патента: AU5822669A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1971-01-21.

Semiconductor diode array vidicon target and method of preparing said target

Номер патента: AU2158370A. Автор: ROBERT STEVEN SILVER and JOHN JAHOR, JR. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-05-04.

Semiconductor diode array vidicon target and method of preparing said target

Номер патента: AU453404B2. Автор: ROBERT STEVEN SILVER and JOHN JAHOR, JR. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-05-04.

Improvements in high intensity - high coherence laser system

Номер патента: AU428916B2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1971-01-21.

Device for measuring junction-to-case thermal resistance of semiconductor diodes

Номер патента: RU2087919C1. Автор: В.А. Сергеев,В.В. Юдин. Владелец: Ульяновский государственный технический университет. Дата публикации: 1997-08-20.

Ultra-wideband and high coherent optical sweep generator from infrared to ultraviolet

Номер патента: JP2863564B2. Автор: 元一 大津. Владелец: Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan. Дата публикации: 1999-03-03.

Semiconductor diode and diode circuit

Номер патента: AU2345756A. Автор: Jules Achille Robillard Jean. Владелец: Individual. Дата публикации: 1957-05-30.

Surge-Current-Resistant Semiconductor Diode With Soft Recovery Behavior and Methods for Producing a Semiconductor Diode

Номер патента: US20120018846A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Siemieniec Ralf,Baburske Roman,Lutz Josef. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor Diode and Method for Producing a Semiconductor Diode

Номер патента: US20120319299A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

METHOD OF FABRICATING AN ACTIVE DEVICE ARRAY AND FABRICATING AN ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE ARRAY

Номер патента: US20120164766A1. Автор: Lai Chih-Ming,Yeh Yung-Hui,Cheng Chun-Cheng. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-06-28.

CROSS-POINT DIODE ARRAYS AND METHODS OF MANUFACTURING CROSS-POINT DIODE ARRAYS

Номер патента: US20120193703A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.,Zahurak John. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-02.

Diode Array and Method for Producing a Diode Array

Номер патента: US20120228772A1. Автор: Zakel Elke,Azdasht Ghassem,Teutsch Thorsten,Tabrizi Siavash. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

METHOD FOR MEASURING SERIAL RESISTANCE OF A SEMICONDUCTOR DIODE BASE

Номер патента: RU2013145530A. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Илья Владимирович Фролов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-04-20.

SEMICONDUCTOR DIODE OF THE MIDWAVE INFRARED SPECTRUM RANGE

Номер патента: RU2011152863A. Автор: Наталья Дмитриевна Ильинская,Борис Анатольевич Матвеев,Максим Анатольевич Ременный. Владелец: ООО "Иоффе ЛЕД". Дата публикации: 2013-06-27.

Linear array laser detection device for surface mounting technology (SMT) laser processing

Номер патента: CN202614688U. Автор: 魏志凌,宁军,龚关. Владелец: Kunshan Theta Micro Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-19.

Integral cutting equipment for linear array laser sensor and method for detecting and repairing hole of linear array laser sensor

Номер патента: CN103212813A. Автор: 魏志凌,宁军,龚关. Владелец: Kunshan Theta Micro Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-24.

Improvements in or relating to circuit arrangements including a semiconductor diode

Номер патента: AU247429B2. Автор: Johan Timmers and Adrianus Johannes Wilhelmus Marie Van Overbeek Leonard. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1962-12-13.

Semiconductor diode device

Номер патента: AU256806B2. Автор: REINHOLD HABERECHT and WALLACE DALE LOFTUS ROLF. Владелец: PR Mallory and Co Inc. Дата публикации: 1963-05-02.

Surface-oriented semiconductor diode

Номер патента: AU406945B2. Автор: Luecke Gerald. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1967-03-09.

Semiconductor diode base

Номер патента: CA692043A. Автор: C. Kosco John,J. Schutz Alfred. Владелец: Stackpole Carbon Co. Дата публикации: 1964-08-04.

Improvements in or relating to semiconductor diodes

Номер патента: AU1041261A. Автор: OSCAR EDGAR LINDELL and TERENCE HUNTER OXLEY AUBREY. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1963-05-02.

Gallium arsenide semiconductor diode and method

Номер патента: CA756784A. Автор: C. Irvin John. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1967-04-11.

Gallium arsenide semiconductor diode and method

Номер патента: CA737634A. Автор: C. Irvin John. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1966-06-28.

Semiconductor diode

Номер патента: AU219830B2. Автор: Robert Godai Andre. Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1957-06-20.

Semiconductor diode device

Номер патента: AU614661A. Автор: REINHOLD HABERECHT and WALLACE DALE LOFTUS ROLF. Владелец: PR Mallory and Co Inc. Дата публикации: 1963-05-02.

Semiconductor diode

Номер патента: AU2396356A. Автор: Robert Godai Andre. Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1957-06-20.

Semiconductor diode circuits

Номер патента: CA584879A. Автор: D. Odell Alexander,F. Hartley Henry. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1959-10-13.

Circuit for the simulation of a semiconductor diode with improved properties

Номер патента: CA864693A. Автор: O. Luetze Wilhelm. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-02-23.

Improvements in or relating to circuit arrangements including a semiconductor diode

Номер патента: AU6733860A. Автор: Johan Timmers and Adrianus Johannes Wilhelmus Marie Van Overbeek Leonard. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1962-12-13.

Semiconductor diode

Номер патента: CA602046A. Автор: W. West John,L. Howland Frank. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1960-07-19.

Semiconductor diode

Номер патента: CA599061A. Автор: Arthur Uhlir, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1960-05-31.

Fabrication method for ceramic chip of semiconductor diode

Номер патента: TW398060B. Автор: Jia-Ruei Jang,Shr-Chang Lin,Jau-He Jian. Владелец: Advanced Ceramic X Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Surface-oriented semiconductor diode

Номер патента: AU6363065A. Автор: Luecke Gerald. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1967-03-09.

Semiconductor diode

Номер патента: AU2457667A. Автор: MICIC and GUNTER SCHUMICKI LJUBOMIR. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1969-01-16.

Semiconductor diode

Номер патента: AU835466A. Автор: Bene King Heinz. Владелец: . Дата публикации: 1968-01-18.

Semiconductor diode and method of producing sam

Номер патента: AU817566A. Автор: William Ziegler John. Владелец: Amalgamated Wireless Australasia Ltd. Дата публикации: 1968-10-10.

Semiconductor diode

Номер патента: AU1664767A. Автор: Bachmeier Alfred. Владелец: . Дата публикации: 1968-07-25.

Method of and system for measuring equivalent resistance of serial semiconductor diode in hf range

Номер патента: PL270026A1. Автор: Michal Polowczyk. Владелец: Politechnika Gdanska. Дата публикации: 1989-07-10.

Car alternator semiconductor diode and rectifying circuit assembly

Номер патента: CA864746A. Автор: TAKADA Shunsuke. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1971-02-23.

Semiconductor diode device

Номер патента: CA667797A. Автор: D. Loftus Wallace,R. Haberecht Rolf. Владелец: Wallace D Loftus. Дата публикации: 1963-07-30.

Rectifier assembly having a plurality of parallel connected semiconductor diodes

Номер патента: CA741029A. Автор: J. Riley Joseph. Владелец: Taylor Winfield Corp. Дата публикации: 1966-08-16.

Chip and insulator structure of silicon semiconductor diode device and component and process thereof

Номер патента: TW257882B. Автор: Chau-Jyh Day. Владелец: Chau-Jyh Day. Дата публикации: 1995-09-21.

Microminiature diode array

Номер патента: CA816925A. Автор: M. Ashby Robert,H. Smith Gordon,J. Lachapelle Theodore. Владелец: North American Aviation Corp. Дата публикации: 1969-07-01.

Driving device and method for light emitting diode array

Номер патента: TW201223327A. Автор: Yung-Chuan Chen,Wun-Long Yu. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2012-06-01.

Focussed laser diode array

Номер патента: AUPM362494A0. Автор: . Владелец: ADLASER Pty Ltd. Дата публикации: 1994-02-24.

Camera tube diode array target and method of forming

Номер патента: CA907757A. Автор: H. Wilson Ronald,L. Schaefer Donald. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1972-08-15.

Gated silicon diode array camera tube

Номер патента: CA970423A. Автор: Joze Kostelec. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1975-07-01.

Light-emitting diode array

Номер патента: USD681563S1. Автор: Yi-Ming Chen,Chia-Liang Hsu,Jhih-Sian Wang,Yi-Tang Lai. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2013-05-07.

Light emitting diode array and its manufacturing method

Номер патента: TWI239664B. Автор: Hsin-I Chen,I-Hsiu Chen,Li-Ching Ma,Hsiang-Chih Meng,Jr-Ming Ke. Владелец: Vtera Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-11.

Gated silicon diode array camera tube

Номер патента: CA1033801B. Автор: Joze Kostelec. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1978-06-27.

Light emitting diode array and its manufacturing method

Номер патента: TW200541103A. Автор: Hsin-I Chen,I-Hsiu Chen,zhi-ming Ke,Li-Ching Ma,Hsiang-Chih Meng. Владелец: Vtera Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-16.

SYSTEMS, AND METHODS FOR NEUROSTIMULATION AND NEUROTELEMETRY USING SEMICONDUCTOR DIODE SYSTEMS

Номер патента: US20120197342A1. Автор: Towe Bruce C.. Владелец: Arizona Board of Regents for and on behalf of Arizona State University. Дата публикации: 2012-08-02.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20120223337A1. Автор: Ishigaki Takashi,MOCHIZUKI Kazuhiro,TERANO Akihisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

SEMICONDUCTOR DIODE AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120292732A1. Автор: Grivna Gordon M.,Quddus Mohammed Tanvir,Hall Jefferson W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20120313108A1. Автор: . Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-12-13.

SEMICONDUCTOR DIODE

Номер патента: US20120326263A1. Автор: . Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor Diodes Fabricated by Aspect Ratio Trapping with Coalesced Films

Номер патента: US20130034924A1. Автор: Lochtefeld Anthony J.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-07.

POWER SEMICONDUCTOR DIODE, IGBT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20130092977A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Huesken Holger,Roesner Wolfgang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-04-18.

Device for measuring semiconductor diode parameters

Номер патента: SU1064244A1. Автор: Марат Махметович Телемтаев,Василий Никифорович Терехин,Константин Георгиевич Тер-Погосов,Виктор Дмитриевич Колмогоров. Владелец: Алма-Атинское Проектно-Конструкторское Бюро Автоматизированных Систем Управления. Дата публикации: 1983-12-30.

Method of determination of thermal resistance of junction-can of semiconductor diodes

Номер патента: RU2003128C1. Автор: В чеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин. Владелец: Уль новский политехнический институт. Дата публикации: 1993-11-15.

Device for visual checking of semiconductor diode characteristics

Номер патента: SU951200A1. Автор: Александр Михайлович Шадрин,Александр Викторович Астахов. Владелец: Опытно-Конструкторское Бюро Приборов Контроля И Автоматики. Дата публикации: 1982-08-15.

Method of determining radiation power of semiconductor diode

Номер патента: SU1550443A1. Автор: Юрий Николаевич Николаев,Александр Алексеевич Колесников,Елена Михайловна Мусатова,Леонид Семенович Ловинский. Владелец: Предприятие П/Я Х-5594. Дата публикации: 1990-03-15.

CHARGE METER FOR SWITCHING SEMICONDUCTOR DIODES

Номер патента: SU399798A1. Автор: П. Урбонас В.. Владелец: . Дата публикации: 1973-10-03.

Phase demodulator on semiconductor diodes

Номер патента: SU132682A1. Автор: М.И. Кузнецов. Владелец: М.И. Кузнецов. Дата публикации: 1960-11-30.

Apparatus for investigating capacity relaxation processes of semiconductor diodes

Номер патента: SU1196784A1. Автор: Александр Иванович Хорунжий,Игорь Борисович Пузин. Владелец: Институт Полупроводников Ан Усср. Дата публикации: 1985-12-07.

Device for checking electric parameters of semiconductor diodes

Номер патента: SU1265662A1. Автор: Аухат Муртазинович Муртазин,Владимир Иванович Габов. Владелец: Gabov Vladimir. Дата публикации: 1986-10-23.

Semiconductor diode single-end pumped 355nm ultraviolet laser

Номер патента: CN202405611U. Автор: 赵裕兴,李立卫. Владелец: Suzhou Delphi Laser Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-29.

Design method of semiconductor diode both-end pumping high power UV laser

Номер патента: CN101232148A. Автор: 赵裕兴,李立卫,吕楠楠. Владелец: Suzhou Delphi Laser Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-30.

Device for measuring switch-over charge of semiconductor diodes

Номер патента: SU575585A1. Автор: Израиль Меерович Блюменау,Эвалд Хугович Херманис. Владелец: Институт Электроники И Вычислительной Техники Ан Латвийской Сср. Дата публикации: 1977-10-05.

Inertia-free resistance on semiconductor diodes

Номер патента: SU119602A1. Автор: П.В. Новицкий,Е.П. Осадчий. Владелец: Е.П. Осадчий. Дата публикации: 1958-11-30.

DEVICE FOR THE CONTROL OF ELECTRICAL PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR DIODES

Номер патента: SU391475A1. Автор: Б. П. бинин О. Е. Ларин. Владелец: . Дата публикации: 1973-07-25.

Semiconductor diode pump10W-graded 355nm ultraviolet laser

Номер патента: CN201937162U. Автор: 赵裕兴,李立卫. Владелец: Suzhou Delphi Laser Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

Device for checking semiconductor diodes

Номер патента: SU1064243A1. Автор: Борис Иванович Бровко,Владимир Витальевич Белогуб,Валерий Иванович Разлом,Георгий Леонидович Смирнов. Владелец: Предприятие П/Я Р-6668. Дата публикации: 1983-12-30.

Apparatus for monitoring semiconductor diode parameters

Номер патента: SU773536A1. Автор: Владимир Степанович Хотько. Владелец: Предприятие П/Я В-8772. Дата публикации: 1980-10-23.

Method for electric forming semiconductor diodes

Номер патента: SU133953A1. Автор: Э.Н. Улановский. Владелец: Э.Н. Улановский. Дата публикации: 1959-11-30.

Planar semiconductor diode with a thin base

Номер патента: SU119271A1. Автор: Ю.Р. Носов. Владелец: Ю.Р. Носов. Дата публикации: 1958-11-30.

Semiconductor diode for switching to microwave

Номер патента: SU152035A1. Автор: Л.С. Либерман. Владелец: Л.С. Либерман. Дата публикации: 1962-11-30.

Device for classifying semiconductor diodes

Номер патента: SU443340A1. Автор: Василий Семенович Тверезовский,Виктор Захарович Лубяный,Виктор Матвеевич Маслов,Александр Васильевич Божко. Владелец: Предприятие П/Я Г-4618. Дата публикации: 1974-09-15.

Device for checking semiconductor diode electrical parameters

Номер патента: SU1138768A1. Автор: Валерий Павлович Карасев,Аухат Муртазинович Муртазин,Владимир Иванович Габов. Владелец: Предприятие П/Я В-2769. Дата публикации: 1985-02-07.

Semiconductor diode for infrared spectrum

Номер патента: RU2002119616A. Автор: Борис Анатольевич Матвеев. Владелец: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2004-03-10.

Device for semiconductor diode classification

Номер патента: SU960672A2. Автор: Георгий Порфирьевич Романов,Андрей Петрович Баринов,Владимир Евгеньевич Щепетов. Владелец: Предприятие П/Я В-2347. Дата публикации: 1982-09-23.

Device for grading and rejecting semiconductor diodes

Номер патента: SU1164636A1. Автор: Анатолий Михайлович Кощей,Владимир Викторович Баканов,Александр Викторович Загинайлов,Артур Альбертович Сатонин. Владелец: Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро Вычислительной Техники Черновицкого Производственного Объединения "Электронмаш". Дата публикации: 1985-06-30.

Sheet carrying basket for semiconductor diode spacing sheet

Номер патента: CN212648199U. Автор: 魏兴政,魏继孝. Владелец: Jinan Lanxing Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-03-02.

Device for light emission with series/parallel semiconductor diodes

Номер патента: IT1276573B1. Автор: Andrea Caimmi. Владелец: Caimmi Ing Andrea. Дата публикации: 1997-11-03.

Microwave power stabilizer on semiconductor diodes

Номер патента: SU145914A1. Автор: М.В. Фомин,Г.И. Рабинович. Владелец: Г.И. Рабинович. Дата публикации: 1961-11-30.

Semiconductor diode structure

Номер патента: CN202855743U. Автор: 林小青,卢桦岗. Владелец: ZHONGSHAN POWER-TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

Semiconductor diode with plug fastening structure

Номер патента: CN217788388U. Автор: 王辉,杨梅,韩伟,陈彬. Владелец: Maisipu Semiconductor Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2022-11-11.

Semiconductor diode with polynomial volt-ampere characteristic

Номер патента: CN1212514A. Автор: 钟国群. Владелец: Guangzhou Institute of Electronic Technology of CAS. Дата публикации: 1999-03-31.

Flash jewelery using semiconductor diode

Номер патента: CN2047500U. Автор: 李杰峰,黎兰英. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-11-15.

Semiconductor diode

Номер патента: CA1001770A. Автор: Sergei F. Kausov. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-12-14.

Semiconductor diode with negative resistance

Номер патента: RU2550310C2. Автор: Василий Иванович Юркин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-05-10.

SEMICONDUCTOR DIODE WITH NEGATIVE RESISTANCE

Номер патента: RU2012147078A. Автор: Василий Иванович Юркин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-05-20.

Device for checking parameters and rejecting semiconductor diodes

Номер патента: SU800913A1. Автор: Михаил Августинович Кисляков. Владелец: Предприятие П/Я М-5813. Дата публикации: 1981-01-30.

Microwave unit for fixing semiconductor diode

Номер патента: SU1109829A1. Автор: Иван Иванович Соколовский,Владимир Федорович Коломойцев,Владимир Ильич Самойлов,Виталий Сергеевич Лукаш. Владелец: Предприятие П/Я Г-4467. Дата публикации: 1984-08-23.

Method of determination of parameters of volt-fard characteristic of semiconductor diode

Номер патента: SU1817559A1. Автор: В.С. Питанов. Владелец: Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола. Дата публикации: 1996-06-10.

Device for measuring d.c.in circuit with semiconductor diode

Номер патента: SU1307357A1. Автор: Александр Николаевич Комов,Хасян Харисович Девликамов,Нина Борисовна Рафаевич,Людмила Львовна Дорофеева,Владимир Петрович Растегаев. Владелец: Куйбышевский государственный университет. Дата публикации: 1987-04-30.

Arrangement for reliability testing of semiconductor diode terminals

Номер патента: SU673940A1. Автор: Виктор Григорьевич Зебрев,Александр Юрьевич Обрезков. Владелец: Предприятие П/Я В-2969. Дата публикации: 1979-07-15.

Shop for small semiconductor diodes

Номер патента: SU138980A1. Автор: Б.А. Тафеев. Владелец: Б.А. Тафеев. Дата публикации: 1960-11-30.

Method of powering parametrons made on semiconductor diodes

Номер патента: SU151114A1. Автор: Ю.П. Соборников,Н.А. Долинская,Н.А. Долинска. Владелец: Н.А. Долинска. Дата публикации: 1961-11-30.

Fast recovery metal oxide semiconductor diode with low power consumption

Номер патента: CN101976687B. Автор: 张超,张波,李婷,任敏,李泽宏,刘小龙,姜贯军,邓光平,余士江,谢加雄. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-04-25.

Medium-wave infrared semiconductor diode

Номер патента: RU2570603C2. Автор: Наталья Дмитриевна Ильинская,Борис Анатольевич Матвеев,Максим Анатольевич Ременный. Владелец: ООО "Иоффе ЛЕД". Дата публикации: 2015-12-10.

Cassette for fusing elements of power semiconductor diodes

Номер патента: RU2555209C1. Автор: Всеволод Анатольевич Колпаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2015-07-10.

Device to protect semiconductor diodes from short circuits

Номер патента: SU147663A1. Автор: А.И. Чабанов,К.Е. Земсков. Владелец: К.Е. Земсков. Дата публикации: 1961-11-30.

Process of manufacture of semiconductor diode

Номер патента: RU2034367C1. Автор: В.Н. Поярков,Т.В. Пояркова,Ю.В. Круглов,В.И. Верховодов. Владелец: Акционерное общество "Бэта". Дата публикации: 1995-04-30.

Semiconductor diode with accurate power voltampere characteristic

Номер патента: CN1212513A. Автор: 钟国群. Владелец: Guangzhou Institute of Electronic Technology of CAS. Дата публикации: 1999-03-31.

Method for semiconductor diodes manufacturing

Номер патента: RU1817867C. Автор: Владимир Николаевич Тихонов,Роберт Артурович Церфас,Владимир Петрович Головнин,Олег Маркович Рифтин,Надежда Тораевна Джуманова. Владелец: Производственное объединение "Фотон". Дата публикации: 1993-05-23.

A method of manufacturing semiconductor diodes based on compounds a in

Номер патента: SU251096A1. Автор: В.М. Андреев,В.И. Корольков,Д.Н. Третьяков,Ж.И. Алферов,Ю.Р. Носов,Е.Л. Портной. Владелец: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе. Дата публикации: 1977-01-05.

Metal-semiconductor diodes

Номер патента: CA896788A. Автор: Reindl Klaus. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-03-28.

Semiconductor diode

Номер патента: CA655209A. Автор: Z. Leinkram Charles,Belmont Emanuel. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1963-01-01.

Automatic feeding clamp of solder paste printing machine for semiconductor diode

Номер патента: CN214563696U. Автор: 宋波,王明涛. Владелец: Zibo Chenqi Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Semiconductor diode pin shearing mechanism

Номер патента: CN217044405U. Автор: 蒋凯,张凌鹓. Владелец: Anhui Lingbo Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

High-power green laser for pumps at two ends of semiconductor diode

Номер патента: CN102044837A. Автор: 刘辉,陈文胜,范琴,于连君. Владелец: ZHUHAI CITY YUEMAO TECHNOLOGY INDUSTRY Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-04.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.