Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER CHIP

Номер патента: US20210050710A1
Опубликовано: 18-02-2021
Автор(ы): HALBRITTER Hubert, Rügheimer Tilman
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Surface-emitting semiconductor laser chip

Номер патента: US11979000B2. Автор: Hubert Halbritter,Tilman Rügheimer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-05-07.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11437783B2. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-06.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210075192A1. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

Surface-emitting semiconductor laser with lateral heat dissipation

Номер патента: DE102004032696A1. Автор: Jürgen Dr.-Ing. Mähnß. Владелец: Universitaet Ulm. Дата публикации: 2006-02-16.

Surface emitting semiconductor laser array structure with vertical resonator without substrate

Номер патента: EP0499659A1. Автор: Gerhard Dipl.-Ing. Schraud. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-08-26.

Surface emitting semiconductor laser array and optical transmission system using the same

Номер патента: CN100409516C. Автор: 吉川昌宏,坂本朗,大森诚也,宫本育昌,半田孝太郎. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-06.

Optically pumpable surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20050259700A1. Автор: Stephan Lutgen,Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder,Werner Späth,Ulrich STEEGMÜLLER. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-11-24.

Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device and method for the manufacture thereof

Номер патента: US6954479B2. Автор: Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-10-11.

Surface-emitting semiconductor laser, manufacturing method thereof, and surface-emitting semiconductor laser array using the same

Номер патента: JPH10200204A. Автор: Yasuji Seko,保次 瀬古. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-31.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240097401A1. Автор: Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method

Номер патента: US20040028109A1. Автор: Robert Morgan,Robert Rice,Neil Ruggieri,J. Whiteley,Richard Skogman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-02-12.

Non-collinearly pumped linearly polarized external cavity surface emitting semiconductor lasers

Номер патента: WO2024154091A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-07-25.

Ring cavity type surface emitting semiconductor laser and fabrication method thereof

Номер патента: US6088378A. Автор: Yukio Furukawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Tilted cavity semiconductor laser (tcsl) and method of making same

Номер патента: WO2003069737A2. Автор: Nikolai Nikolaevich Ledentsov,Vitaly Alexandrovich Shchukin. Владелец: Vitaly Alexandrovich Shchukin. Дата публикации: 2003-08-21.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US09444223B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Masaya KUMEI,Junichiro Hayakawa. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Step-tunable external-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: WO2003028172A2. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara,Briggs Atherton. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2003-04-03.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US09653883B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20230246420A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US12068581B2. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Surface emitting semiconductor laser device and fabricating method of the same

Номер патента: US5821566A. Автор: Seok-Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-13.

High-density, independently addressable surface emitting semiconductor laser/light emitting diode array

Номер патента: CA2051223C. Автор: Thomas L. Paoli. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

Surface-emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030016713A1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Surface emitting semiconductor laser diode

Номер патента: WO2023247129A1. Автор: Christoph Eichler,Hubert Halbritter,Jelena Ristic,Damir Borovac,Åsa HAGLUND,Joachim CIERS. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20160276808A1. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210265819A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Fabrication method for surface emitting semiconductor device and surface emitting semiconductor device

Номер патента: US20040144984A1. Автор: Markus Weyers,Hans Wenzel,Martin Zorn,Andrea Knigge. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2004-07-29.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: GB201207790D0. Автор: . Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Semiconductor Laser, Laser Assembly and Method of Making a Semiconductor Laser

Номер патента: US20180212404A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter,Roland Enzmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-07-26.

High-frequency modulated surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: TW200715678A. Автор: Thomas Schwarz,Michael Kuehnelt,Ulrich Steegmueller,Josip Maric. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-04-16.

Semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser, semiconductor laser module, and non-linear optical device

Номер патента: US20120320447A1. Автор: Norihiro Iwai,Hirotatsu Ishii,Shinya Ootomo,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

METHOD FOR PRODUCING SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASERS, AND LASERS OBTAINED BY THE PROCESS.

Номер патента: FR2671238B1. Автор: FAIST Jérôme,Reinhart Franz Karl. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1993-03-12.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser element, light emitting device, and optical transmission system

Номер патента: JP4602685B2. Автор: 孝志 高橋. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-22.

Optically pumped surface-emitting semiconductor laser device and method for the production thereof

Номер патента: EP1281222B1. Автор: Tony Albrecht. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2004-04-21.

Method for manufacture of optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US8592236B2. Автор: Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2013-11-26.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US8428094B2. Автор: Stefan Illek,Hans Lindberg. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-04-23.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser, light emission device, and optical transmission system

Номер патента: US20070071054A1. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

High frequency modulated surface emitting semiconductor laser

Номер патента: DE102005055159B4. Автор: Thomas Schwarz,Josip Maric,Dr. Kühnelt Michael,Dr. Steegmüller Ulrich. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-02-21.

Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20020001328A1. Автор: Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Lateral optically pumped surface-emitting semiconductor laser on a heat sink

Номер патента: US7817695B2. Автор: Thomas Schwarz,Stephan Lutgen,Tony Albrecht,Ulrich STEEGMÜLLER,Wolfgang Reill. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2010-10-19.

Radio-frequency-modulated surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: WO2007036192A1. Автор: Thomas Schwarz,Ulrich STEEGMÜLLER,Josip Maric,Michael Kühnelt. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-04-05.

Optical pumped surface-emitting semiconductor-laser device and its production method

Номер патента: TW520578B. Автор: Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2003-02-11.

Surface-emitting semiconductor laser and sensing module

Номер патента: EP3611812A1. Автор: Yuji Masui,Hidehiko Nakata,Yuji Furushima. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-02-19.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

Номер патента: US20160276808A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi,JOGAN Naoki. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-09-22.

High coherent power, two-dimensional surface­emitting semiconductor diode array laser

Номер патента: AU2003207591A1. Автор: Dan Botez. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2003-09-02.

High coherent power, two-dimensional surface-emitting semiconductor diode array laser

Номер патента: EP1472763A2. Автор: Dan Botez. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2004-11-03.

High coherent power, two-dimensional surface­emitting semiconductor diode array laser

Номер патента: WO2003063305A3. Автор: Dan Botez. Владелец: Wisconsin Alumni Res Found. Дата публикации: 2003-11-13.

High coherent power, two-dimensional surface­emitting semiconductor diode array laser

Номер патента: WO2003063305A2. Автор: Dan Botez. Владелец: Wisconsin Alumini Research Foundation. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09882354B2. Автор: Hirofumi Kan,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-01-30.

Surface emitting semiconductor laser and surface emitting semiconductor laser array

Номер патента: JP3791584B2. Автор: 貴幸 近藤,剛 金子,哲朗 西田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-28.

Method for producing a buried tunnel junction in a surface emitting semiconductor laser and surface emitting semiconductor laser

Номер патента: DE10305079B4. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2005-04-28.

The surface emitting semiconductor laser

Номер патента: DK1808944T3. Автор: Masamitsu Mochizuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-05-04.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4548345B2. Автор: 理光 望月. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-09-22.

Surface emitting semiconductor laser device and optical projection device comprising the same

Номер патента: EP1770835B1. Автор: Stephan Lutgen. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-06-08.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20020146053A1. Автор: Norihiro Iwai. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US20200067282A1. Автор: Hiroyuki Yoshinaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor laser epitaxial structure

Номер патента: US20230396040A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai,Chien-Hung Pan,Chun-huang WU. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing surface-emitting semiconductor laser element

Номер патента: US09762030B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20080285612A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser diode with the mode filter

Номер патента: US20230116144A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truoung Dai,Van-Chien Nguyen. Владелец: Visual Photonics Expitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method

Номер патента: US20090074025A1. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11979001B2. Автор: Hiroshi Nakajima,Rintaro Koda,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Surface emitting semiconductor laser and method of manufacture thereof

Номер патента: EP2550711A1. Автор: Hans Zogg,Mohamed Rahim,Ferdinand Felder,Matthias Fill,Martin Arnild. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2013-01-30.

Semiconductor laser

Номер патента: US20210281041A1. Автор: Jörg Erich SORG,Frank Singer,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor laser

Номер патента: US11749959B2. Автор: Jörg Erich SORG,Frank Singer,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor laser

Номер патента: US20240030677A1. Автор: Jörg Erich SORG,Frank Singer,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor laser and lidar system and also laser system with the semiconductor laser

Номер патента: US20230208110A1. Автор: Peter Fuchs,Alvaro Gomez-Iglesias,Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Bruno Jentzsch,Tomasz Swietlik,Dean Maximilian SCHOKE. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor laser device, method for manufacturing a semiconductor laser device and projection device

Номер патента: WO2023088859A1. Автор: Hubert Halbritter,Ann RUSSELL. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor laser device, method for manufacturing a semiconductor laser device and projection device

Номер патента: US20230163565A1. Автор: Hubert Halbritter,Ann RUSSELL. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Surface-emitting semiconductor laser based on a triple-lattice photonic crystal structure

Номер патента: US20230231363A1. Автор: Lijun Wang,Huanyu Lu,Ziye WANG,Cunzhu Tong,Pinyao WANG. Владелец: Changchun Institute Of Optics Fine Mechanics And Physics Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor laser device and optoelectronic component

Номер патента: US20240235150A1. Автор: Johann Ramchen,Joerg Erich Sorg. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Surface-Emitting Semiconductor Laser, Surface-Emitting Semiconductor Laser Array, Surface-Emitting Semiconductor Laser Device, Optical Transmission Device, And Information Processing Device

Номер патента: CN105914581A. Автор: 樱井淳,近藤崇,村上朱实,城岸直辉,早川纯朗,早川纯一朗,武田隆,武田一隆. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-31.

Surface emitting semiconductor laser, manufacturing method for surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US8842709B2. Автор: Takashi Kondo,Kazutaka Takeda. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-23.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20060292868A1. Автор: Masahiro Yoshikawa. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Optically-pumped surface-emitting semiconductor laser with heat-spreading compound mirror-structure

Номер патента: WO2012148757A1. Автор: Sergei V. Govorkov,Luis A. Spinelli. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2012-11-01.

High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers

Номер патента: US20020024987A1. Автор: Andrea Caprara,Luis Spinelli,Juan Chilla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20160006214A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-01-07.

Surface emitting semiconductor laser, method for fabricating surface emitting semiconductor laser, module, light source apparatus, data processing apparatus, light sending apparatus, optical spatial transmission apparatus, and optical spatial transmission system

Номер патента: KR101121114B1. Автор: 데이이치 스즈키,다이스케 나가오. Владелец: 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2012-03-19.

Surface emitting semiconductor laser, method for manufacturing surface emitting semiconductor laser, optical apparatus, light irradiation apparatus, information processing apparatus, optical transmission apparatus, optical space transmission apparatus, and optical transmission system

Номер патента: JP5092432B2. Автор: 将央 山本,昌宏 吉川,崇 近藤. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and optical information processing device

Номер патента: US8023543B2. Автор: Jun Sakurai,Ryoji Ishii,Hiromi Otoma. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, light transmission device and information processing apparatus

Номер патента: JP2014022672A. Автор: Takashi Kondo,崇 近藤,Kazutaka Takeda,一隆 武田. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-03.

Surface emitting semiconductor laser, method for fabricating surface emitting semiconductor laser, module, light source apparatus, data processing apparatus, light sending apparatus, optical spatial transmission apparatus, and optical spatial transmission system

Номер патента: US7944957B2. Автор: Teiichi Suzuki,Daisuke Nagao. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-17.

Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: JP5998701B2. Автор: 近藤　崇,崇 近藤,一隆 武田. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: JP5381526B2. Автор: 広己 乙間,淳 櫻井,亮次 石井. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

Surface emitting semiconductor laser, method for fabricating surface emitting semiconductor laser, module, light source apparatus, data processing apparatus, light sending apparatus, optical spatial transmission apparatus, and optical spatial transmission system

Номер патента: KR20080100118A. Автор: 데이이치 스즈키,다이스케 나가오. Владелец: 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-11-14.

Surface emitting semiconductor laser, method for fabricating surface emitting semiconductor laser, module, light source apparatus, data processing apparatus, light sending apparatus, optical spatial transmission apparatus, and optical spatial transmission system

Номер патента: US20110183450A1. Автор: Teiichi Suzuki,Daisuke Nagao. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Laser apparatus including surface-emitting semiconductor excited with semiconductor laser element, and directly modulated

Номер патента: US20010012307A1. Автор: Toshiro Hayakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, optical module, and light-transmission device

Номер патента: EP1341278B1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

Surface-emitting semiconductor laser comprising a structured wavegoude

Номер патента: IL174806A0. Автор: . Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2006-08-20.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE AND SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20180287346A1. Автор: TSUJI Yukihiro. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-10-04.

METHOD OF MANUFACTURING SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

Номер патента: US20170070033A1. Автор: Kondo Takashi,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi,JOGAN Naoki. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2017-03-09.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20180183210A1. Автор: Babu Dayal PADULLAPARTHI. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20210265819A1. Автор: Kawasumi Takayuki,Watanabe Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: FR2743195B1. Автор: Paul Salet. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1998-02-06.

METHOD FOR MANUFACTURING A SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: FR2753576B1. Автор: Paul Salet,Joel Jacquet,Leon Goldstein,Francois Brillouet,Catherine Fortin. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1998-11-13.

METHOD FOR MANUFACTURING A SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: FR2743196B1. Автор: Antonina Plais,Paul Salet,Joel Jacquet,Leon Goldstein,Francois Brillouet. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1998-02-06.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101304157B. Автор: 铃木贞一,长尾太介. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-05.

Surface emitting semiconductor laser, method for manufacturing the same, and optical module

Номер патента: JP4203747B2. Автор: 剛 金子. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-01-07.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP5055717B2. Автор: 広己 乙間. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-24.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US8270448B2. Автор: Takashi Kondo,Kazutaka Takeda. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-18.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4117499B2. Автор: 理光 望月. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-07-16.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4024471B2. Автор: 明 田中. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-19.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser with triangle prism optical cavity resonator

Номер патента: US6924511B2. Автор: Wang Nang Wang,Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

METHOD FOR MANUFACTURING A SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: FR2743196A1. Автор: Antonina Plais,Paul Salet,Joel Jacquet,Leon Goldstein,Francois Brillouet. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1997-07-04.

Tunnel junction type surface emitting semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5017804B2. Автор: 伸明 植木. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-05.

Surface emitting semiconductor laser, optical device, light irradiation device, information processing device, light transmission device, space optical transmission device, and light transmission system

Номер патента: JP5092533B2. Автор: 将央 山本,昌宏 吉川,崇 近藤. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

Surface emitting semiconductor laser diode integrated with photo detector and its manufacturing method

Номер патента: KR100363243B1. Автор: 김태경. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-02-05.

Optically-pumped external-cavity surface-emitting semiconductor lasers with front-cooled gain-structures

Номер патента: US20110064099A1. Автор: Sergei V. Govorkov,R. Russel Austin. Владелец: Coherent Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Manufacturing method of surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4265875B2. Автор: 正彦 近藤,真 工藤,健 北谷. Владелец: 日本オプネクスト株式会社. Дата публикации: 2009-05-20.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20110182316A1. Автор: Takashi Kondo,Kazutaka Takeda. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP4124017B2. Автор: 啓修 成井,義昭 渡部,嘉幸 田中,義則 山内,勇一 黒水. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-07-23.

Surface emitting semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3928695B2. Автор: 淳史 佐藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-06-13.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor light-emitting structure and preparation method thereof

Номер патента: CN114899707B. Автор: 王俊,刘恒,肖垚,郭路安,苗霈,张宇荧. Владелец: Suzhou Everbright Semiconductor Laser Innovation Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Surface Emitting Semiconductor Body with Vertical Emission Direction and Stabilized Emission Wavelength

Номер патента: US20100014549A1. Автор: Stephan Lutgen,Peter Brick,Wolfgang Diehl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09935423B2. Автор: Kyosuke Kuramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09853415B2. Автор: Takayuki Yoshida,Jing-bo WANG. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230110167A1. Автор: Hideo Yamaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor laser device and method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240120704A1. Автор: Akitsugu Niwa,Hodaka SHIRATAKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Surface-emitting semiconductor laser and its manufacturing method

Номер патента: KR100363503B1. Автор: 히데아키이와노,가쯔미모리,다카유끼곤도,타쯔야아사카. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-02-05.

Semiconductor laser package including a lead frame and plastic resin housing

Номер патента: US5939773A. Автор: Michael S. Lebby,Wenbin Jiang,Craig A. Gaw. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Surface light emitting type semiconductor laser having a vertical cavity

Номер патента: US20030076864A1. Автор: Jun Ichihara,Hironobu Sai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: US11777275B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: CA3166664C. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: AU2021238958B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4019895A1. Автор: Takashi Kobayashi,Nobuaki Kaji,Motoi Kimura,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor laser with reduced heat loss

Номер патента: US20080212626A1. Автор: Peter Brick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Control system for a semiconductor laser

Номер патента: WO2004093271A2. Автор: Robert L. Thornton. Владелец: Thornton Robert L. Дата публикации: 2004-10-28.

Self-monitoring semiconductor laser device

Номер патента: US5136603A. Автор: Kuochou Tai,Ghulam Hasnain. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1992-08-04.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND SENSING MODULE

Номер патента: US20210083454A1. Автор: NAKATA HIDEHIKO,FURUSHIMA YUJI,MASUI YUJI. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Surface emitting semiconductor laser manufacturing method

Номер патента: JP3147328B2. Автор: 隆志 黒川,義孝 大礒. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2001-03-19.

Surface emitting semiconductor laser and sensing module

Номер патента: CN110720163A. Автор: 中田英彦,增井勇志,古嵨裕司. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-01-21.

Surface-emitting semiconductor laser and method for manufacturing thereof as well as optical device

Номер патента: EP1528647A3. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-11.

Method for manufacturing surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20070202622A1. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240332901A1. Автор: Lutz Hoeppel,Sven GERHARD,Hubert Halbritter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US09466945B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11881674B2. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230027967A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Surface emitting semiconductor device

Номер патента: US20080019410A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Method for producing a multiplicity of semiconductor laser chips, and semiconductor laser chip

Номер патента: US20240364073A1. Автор: Norwin von Malm,Martin Rudolf Behringer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US20230344195A1. Автор: Yutaka Inoue,Masato Hagimoto,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-10-26.

INP-Based Monolithic Integrated Chaotic Semiconductor Laser Chip Capable Of Feeding Back Randomly Diffused Light

Номер патента: US20200412092A1. Автор: Yi Liu,TONG Zhao,Jianzhong Zhang,Mingjiang Zhang,Lijun Qiao,Anbang Wang,Yuncai Wang,Ya'nan Niu. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor laser chip and preperation method therefor

Номер патента: US20220059986A1. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Laser Institute. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230387653A1. Автор: Yutaka Inoue,Masato Hagimoto,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-11-30.

Electrically-pumped organic semiconductor laser arrangement

Номер патента: WO2024175876A1. Автор: Ifor Samuel,Kou Yoshida,Graham TURNBULL,Junyi GONG. Владелец: UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF ST ANDREWS. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20050169335A1. Автор: Xin Gao,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2005-08-04.

Tunable semiconductor laser based on reconstruction-equivalent chirp and series mode or series and parallel hybrid integration, and preparation thereof

Номер патента: US09742152B2. Автор: Jun Lu,Song Tang,Yunshan ZHANG,Xiangfei Chen,Lianyan LI. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-22.

Laser component comprising a laser chip

Номер патента: US12027817B2. Автор: Thomas Schwarz,Jörg SORG. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20200194957A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor laser device

Номер патента: US20240283219A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: WO2010065731A3. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: EP2371044A2. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2011-10-05.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: WO2010065731A9. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor laser

Номер патента: WO1992015136A1. Автор: Rodney Stuart Tucker. Владелец: THE UNIVERSITY OF MELBOURNE. Дата публикации: 1992-09-03.

Edge emitting semiconductor laser

Номер патента: US09559494B2. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4035236A1. Автор: Nobuaki Kaji,Tatsuya Oiwa,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-03.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: US20220344897A1. Автор: Nobuaki Kaji,Tatsuya Oiwa,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Tunable semiconductor laser based on reconstruction-equivalent chirp and series mode or series and parallel hybrid integration, and preparation thereof

Номер патента: US20160134082A1. Автор: Jun Lu,Song Tang,Yunshan ZHANG,Xiangfei Chen,Lianyan LI. Владелец: Nanjing University Science Park Development Co ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor laser light source

Номер патента: CA2928970C. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor laser device having a transparent waveguide and a large second harmonic generation output

Номер патента: US5208827A. Автор: Hiroaki Inoue,Misuzu Sagawa,Masahiro Ojima,Kimio Tatsuno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Semiconductor laser, operating method for a semiconductor laser, and method for determining the optimum fill factor of a semiconductor laser

Номер патента: US11942763B2. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Bernhard Stojetz,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-03-26.

Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency

Номер патента: US20170093125A1. Автор: Matthew Glenn Peters,Abdullah Demir. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20190027892A1. Автор: Shingo Tanisaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US4847844A. Автор: Keisuke Kojima,Susumu Noda,Kazuo Kyuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-07-11.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A2. Автор: Luis A. Spinelli,Hailong Zhou,Russel R. Austin. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2005-12-29.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A3. Автор: Luis A Spinelli,Hailong Zhou,Russel R Austin. Владелец: Russel R Austin. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US20200395737A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai,Hung-Chi Hsiao,Jhao-Hang He. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20080144683A1. Автор: Koichiro Adachi,Tomonobu Tsuchiya,Kouji Nakahara,Takashi Shiota,Kazunori Shinoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Surface-emission semiconductor laser device

Номер патента: US7881359B2. Автор: Norihiro Iwai,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser

Номер патента: EP1125350B2. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara. Владелец: Coherent Inc. Дата публикации: 2008-12-03.

Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser

Номер патента: US6167068A. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara. Владелец: Coherent Inc. Дата публикации: 2000-12-26.

Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, light transmission apparatus, and information processing apparatus

Номер патента: US20130243023A1. Автор: Takashi Kondo. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, light transmission apparatus, and information processing apparatus

Номер патента: US8780950B2. Автор: Takashi Kondo. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US12107383B2. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2024-10-01.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20220077655A1. Автор: Koyama Yuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2022-03-10.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20210075192A1. Автор: Yamamoto Masashi,Tsuji Yuji,MURAYAMA Minoru,TAKAMIZU Daiju. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160118773A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,KUMEI Masaya,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-04-28.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20210249844A1. Автор: Nakajima Hiroshi,Koda Rintaro,HAMAGUCHI TATSUSHI. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20180269655A1. Автор: Koyama Yuji,YANAGISAWA Masaki,KOBAYASHI Hirohiko,YOSHINAGA Hiroyuki,TSUJI Yukihiro. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-09-20.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP5304694B2. Автор: 修 前田,政貴 汐先,孝博 荒木田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-02.

Surface emitting semiconductor laser, and its manufacturing method, and manufacturing method of electron device

Номер патента: KR101164240B1. Автор: 히로노부 나루이,요시아끼 와따나베,유이찌 구로미즈,요시노리 야마우찌,요시유끼 다나까. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2012-07-09.

Method for driving surface emitting semiconductor laser, optical transmission module, and handheld electronic device

Номер патента: US8023539B2. Автор: Kazuhiro Sakai,Akira Sakamoto,Akemi Murakami,Hideo Nakayama,Osamu Ueno. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP4592873B2. Автор: 則之 横内. Владелец: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2010-12-08.

Surface emitting semiconductor laser device and process for producing the same

Номер патента: US6201825B1. Автор: Jun Sakurai,Hideo Nakayama,Yasuaki Miyamoto,Hiromi Otoma. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-13.

Surface emitting semiconductor laser array having a matrix driving type arrangement

Номер патента: US6259715B1. Автор: Hideo Nakayama. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US7885307B2. Автор: Hirokazu Yoshikawa,Norihiro Iwai,Koji Hiraiwa,Yoshihiko Ikenaga,Kinuka Tanabe,Takeo Kageyama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US6816527B2. Автор: Nobuaki Ueki. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-09.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: DE10122063B4. Автор: Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20070091965A1. Автор: Hirokazu Yoshikawa,Norihiro Iwai,Koji Hiraiwa,Yoshihiko Ikenaga,Kinuka Tanabe,Takeo Kageyama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Surface-emitting semiconductor laser and method of manufacturing same

Номер патента: JP2007129010A. Автор: Takeshi Kaneko,剛 金子. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4582237B2. Автор: 修 前田,政貴 汐先,孝博 荒木田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-11-17.

Manufacturing method of surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP3713956B2. Автор: 広己 乙間,淳 櫻井,育昌 宮本,秀生 中山. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-09.

Tunable surface emitting semiconductor laser

Номер патента: DE69404701D1. Автор: Niloy Kumar Dutta,Daryoosh Vakhshoori. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1997-09-11.

Surface emitting semiconductor laser, its manufacturing method, and manufacturing method of electron device

Номер патента: US7858410B2. Автор: Yoshinori Yamauchi,Yoshiyuki Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Hironobu Narui,Yuichi Kuromizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Surface emitting semiconductor laser with lateral electrode contact.

Номер патента: DE69007461T2. Автор: Ya-Hong Xie,Sergey Luryi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-07-07.

Method for driving surface emitting semiconductor laser, optical transmission module, and handheld electronic device

Номер патента: KR20090007203A. Автор: 아키라 사카모토,가즈히로 사카이,히데오 나카야마,오사무 우에노,아케미 무라카미. Владелец: 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2009-01-16.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US6529541B1. Автор: Akira Sakamoto,Masahiro Yoshikawa,Hideo Nakayama,Nobuaki Ueki,Hiromi Otoma. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-04.

Surface emitting semiconductor laser with lateral electrode contact.

Номер патента: DE69007461D1. Автор: Ya-Hong Xie,Sergey Luryi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-04-21.

Surface emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US6597720B2. Автор: Takayuki Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Semiconductor laser device including heat sink with pn junction

Номер патента: US5636234A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US20220247147A1. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2022-08-04.

Surface emitting semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3095545B2. Автор: 秀人 菅原,和彦 板谷. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Narrow linewidth semiconductor laser device

Номер патента: US11848539B2. Автор: Georgios Margaritis. Владелец: Ioptis Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor Laser Equipment

Номер патента: US20080043791A1. Автор: Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima,Masanobu Yamanaka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor laser device and laser module using same

Номер патента: US20040179565A1. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-16.

Tunable laser assembly including tunable semiconductor laser apparatus and photodetector outside of laser housing

Номер патента: US12100933B2. Автор: Liang Luo,Yuzhou SUN,Wenkai Tu,Jinan GU. Владелец: Innolight Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Alingaas/ingaasp/inp edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes

Номер патента: US20230223742A1. Автор: David M. Bean,Sidi Aboujja. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2023-07-13.

Alingaas/ingaasp/inp edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes

Номер патента: EP4158741A1. Автор: David M. Bean,Sidi Aboujja. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor laser element, laser module using it

Номер патента: EP1437810A4. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20090285254A1. Автор: Hitoshi Sato,Toru Takayama,Hiroki Nagai,Isao Kidoguchi,Tomoya Satoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor laser apparatus and semiconductor laser device

Номер патента: US12119611B2. Автор: Masayuki Ono,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Hiroshi Asaka,Tohru Nishikawa,Katsuya Samonji. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

System for electronically controlling and driving independently addressable semiconductor lasers

Номер патента: US11984701B2. Автор: Joerg Martini,David K. Biegelsen,Sourobh Raychaudhuri,Joseph Lee,Christopher Chua. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US8494019B2. Автор: Yutaka Inoue,Hideki Hara,Hiroshi Moriya,Yoshihiko IGA,Keiichi Miyauchi. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor laser device, light source device, method of producing semiconductor laser device, and method of producing light source device

Номер патента: US09559489B2. Автор: Eiichiro OKAHISA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240128711A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US09722394B2. Автор: Harald KÖNIG,Alexander Bachmann,Christian Lauer,Uwe Strauβ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor laser element and method of making semiconductor laser device

Номер патента: US09692204B2. Автор: Shintaro MIYAMOTO,Koichi Kozu,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-06-27.

Cooler, semiconductor laser light source, semiconductor laser light source unit, method for producing semiconductor laser light source unit, and solid laser

Номер патента: EP1253685A4. Автор: Toru Sugiyama,Jiro Kitayama,Mitsuyasu Matsuo,Youichi Hisamori,Kyoko Fukumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-09-20.

Semiconductor laser device and driving method of the same

Номер патента: US20120147910A1. Автор: Chikara Amano,Nobuyuki Kondo. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Cooling module for laser, fabricating method thereof, and semiconductor laser fabricated from the module

Номер патента: US20140204968A1. Автор: Xingsheng Liu. Владелец: Xian Focuslight Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor laser device and external resonance-type laser device

Номер патента: US20220255293A1. Автор: Takashi Kano,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20230223740A1. Автор: Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20020117678A1. Автор: Michio Ohkubo,Yutaka Ohki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Diode laser package for bidirectionally emitting semiconductor laser devices

Номер патента: US11824323B1. Автор: Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

A semiconductor laser diode bar assembly

Номер патента: WO1999017411A1. Автор: Peter Hutchinson Hall. Владелец: Gec-Marconi Avionics (Holdings) Ltd. Дата публикации: 1999-04-08.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20160064900A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi,JOGAN Naoki. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-03-03.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP3467593B2. Автор: 克己 森,達也 浅賀,英明 岩野. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-17.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP3240636B2. Автор: 克己 森,達也 浅賀,英明 岩野. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-12-17.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP3395194B2. Автор: 克己 森,達也 浅賀,英明 岩野. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-04-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110013655A1. Автор: Hiroaki Maehara,Hitoshi Tada,Yoshihiro Hisa,Hitoshi Sakuma,Tadashi Takase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Nitride semiconductor laser chip, nitride semiconductor laser device, and manufacturing method of nitride semiconductor laser chip

Номер патента: US20090180507A1. Автор: Yasuhiko Matsushita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus

Номер патента: US7489716B2. Автор: Osamu Hamaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-02-10.

Method for fabricating semiconductor laser device by aligning semiconductor laser chips based on light emission measurements

Номер патента: US6440758B1. Автор: Masayuki Tamaishi,Hiroshi Kanishi,Yoshiyuki Itoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-08-27.

Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus

Номер патента: US20070165684A1. Автор: Osamu Hamaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for assembling array-type semiconductor laser device

Номер патента: US20090042327A1. Автор: Shinichi Nakatsuka. Владелец: Ricoh Printing Systems Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Monolithically Integrated Tunable Semiconductor Laser

Номер патента: US20150010033A1. Автор: Robert Griffin,Andrew John Ward,Sam Davies,Neil David Whitbread. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2015-01-08.

Method and apparatus for fabricating semiconductor laser device

Номер патента: US20020022289A1. Автор: Masayuki Tamaishi,Hiroshi Kanishi,Yoshiyuki Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method and apparatus for fabricating semiconductor laser device

Номер патента: US20020142502A1. Автор: Masayuki Tamaishi,Hiroshi Kanishi,Yoshiyuki Itoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor laser chip having a layer structure to reduce the probability of an ungrown region

Номер патента: US4731790A. Автор: Masaaki Sawai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-03-15.

Laser light output apparatus, image display apparatus, and semiconductor laser driving control method

Номер патента: US20040240495A1. Автор: Naoki Akamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor laser unit and method for manufacturing optical reflection film

Номер патента: US20070071049A1. Автор: Naoki Kohara,Hironari Takehara,Hisatada Yasukawa,Takai Iwai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240146035A1. Автор: Seiji Kitamura. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for producing semiconductor lasers and semiconductor lasers

Номер патента: US12057676B2. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Plossl,Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Laser support for semiconductor laser fixation and laser support element assembly

Номер патента: US20160141829A1. Автор: Nicolas Abele,Lucio Kilcher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor laser array

Номер патента: US09466946B2. Автор: Toru Yoshihara,Tetsuya Nishimura,Yuki Hasegawa,Mitsuaki Futami,Shinji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: EP1897190A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-03-12.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: WO2007000615A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Broadband light source composed of supercontinuum light source and single-wavelength semiconductor laser diodes

Номер патента: US10277000B2. Автор: Weijia Yang,Kangkang CHEN. Владелец: Wuhan Yangtze Soton Laser Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and semiconductor laser control method

Номер патента: US20030063646A1. Автор: Junji Yoshida. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor laser module, laser oscillator, and laser machining apparatus

Номер патента: US20240339809A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Ultra fast semiconductor laser

Номер патента: US09601895B2. Автор: Konstantinos Papadopoulos,Idan Mandelbaum. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240305060A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor laser module constituted by optically coupling optical fiber having fiber grating and laser diode

Номер патента: US20020097757A1. Автор: Takeshi Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor Laser Diode and Method for Producing a Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20180152002A1. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor Laser and Optical Transmitter

Номер патента: US20240266799A1. Автор: Takahiko Shindo,Shigeru Kanazawa,Meishin Chin. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Edge Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20110317732A1. Автор: Wolfgang Schmid,Uwe D. ZEITNER,Hans-Christoph Eckstein. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-12-29.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8594145B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency

Номер патента: US09647416B2. Автор: Matthew Glenn Peters,Abdullah Demir. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor laser light-emitting device and method for manufacturing semiconductor laser light-emitting device

Номер патента: US20240006843A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Hiroki SHIROZONO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-01-04.

Novel package designs to enable dual-sided cooling on a laser chip

Номер патента: US20220123521A1. Автор: Chia-Pin Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for manufacturing semiconductor laser device and method for inspecting semiconductor laser bar

Номер патента: US20090053838A1. Автор: Keiji Ito,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: CA3186204A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: WO2022016281A9. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: TERAXION INC.. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: EP4186131A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: US12040597B2. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser device, optical apparatus, and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20240250499A1. Автор: Daisuke Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor laser device, diffraction grating structure, and diffraction grating

Номер патента: US20180351328A1. Автор: Yasumasa Kawakita,Kazuaki Kiyota. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Segmented contact for current control in semiconductor lasers and optical amplifiers

Номер патента: EP4406079A1. Автор: Paul Orville LEISHER,Jenna Nicole CAMPBELL,Michelle Helena LABRECQUE. Владелец: Freedom Photonics Llc. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: US20240356305A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Improved semiconductor laser

Номер патента: WO2002011257A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter Kowalski. Владелец: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150357789A1. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20020172252A1. Автор: Masahiro Kanda,Masahiko Namiwaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor laser

Номер патента: US20240113498A1. Автор: Atsushi Nakamura. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for producing a plurality of semiconductor lasers and semiconductor laser

Номер патента: US20240047935A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Improved semiconductor laser

Номер патента: EP1413020A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter c/o University of Glasgow KOWALSKI. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2004-04-28.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9397472B2. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Single mode semiconductor laser with phase control

Номер патента: US20210376559A1. Автор: Nicolas Koslowski,Tim Koslowski. Владелец: Nanoplus Nanosystems And Technologies Gmbh. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor laser light source and fabrication method

Номер патента: US09948059B2. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Tokuharu Kimura,Kazumasa Takabayashi,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1313184A4. Автор: Yasuhiro Watanabe,Shoji Honda,Yasuyuki Bessho,Kentarou Tanaka. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-07.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US9214785B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-12-15.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US20160099547A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor laser device with first order diffraction grating extending to facet

Номер патента: US20230344197A1. Автор: Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor laser element and laser module

Номер патента: US20240120712A1. Автор: Kyogo Kaneko,Kousuke Torii. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09800021B2. Автор: Masami Ishiura. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor laser diode with shortened cavity length

Номер патента: US09466947B2. Автор: Nobumasa Okada. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor laser array

Номер патента: CA2875175C. Автор: Toru Yoshihara,Tetsuya Nishimura,Yuki Hasegawa,Mitsuaki Futami,Shinji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US7149235B2. Автор: Osamu Goto,Masao Ikeda,Shiro Uchida,Tsuyoshi Tojo,Tomonori Hino,Yoshifumi Yabuki,Shinichi Ansai. Владелец: Sony Shiroishi Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Semiconductor laser element, integrated semiconductor laser element, and method for producing semiconductor laser element

Номер патента: US9509121B2. Автор: Go Kobayashi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor laser light source device, semiconductor laser light source system, and image display aparatus

Номер патента: CA2979520C. Автор: Hideyuki Murai,Tatsuro Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20180054038A1. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Phovel Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230108080A1. Автор: Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220231478A1. Автор: Takeshi YAMATOYA,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20240235154A9. Автор: Hideki Watanabe,Yasuhiro Kadowaki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US20150085889A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US9385507B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for manufacturing semiconductor laser device, and semiconductor laser device

Номер патента: US20240283212A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Wafer-level etched facet for perpendicular coupling of light from a semiconductor laser device

Номер патента: US20240275123A1. Автор: Stephen B. Krasulick,John Zyskind,Majid Sodagar,Murtaza Askari. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Wavelength tunable semiconductor laser

Номер патента: US09450372B1. Автор: Leonard Jan-Peter Ketelsen. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of fabricating semiconductor laser diode apparatus and semiconductor laser diode apparatus

Номер патента: US8085825B2. Автор: Masayuki Hata,Yasuyuki Bessho,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor laser apparatus and optical apparatus

Номер патента: US20050232321A1. Автор: Masayuki Hata,Daijiro Inoue,Yasuhiko Nomura,Yasuyuki Bessho. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230275401A1. Автор: Seiji Kitamura,Shintaro MIYAMOTO. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230246412A1. Автор: Nobuyuki Ogawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor laser, semiconductor laser array and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US11870213B2. Автор: Yosuke Suzuki,Yohei HOKAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor Laser Using External Resonator

Номер патента: US20110211602A1. Автор: Jeong Soo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Method and Apparatus For Driving Semiconductor Lasers, and Method and Apparatus For Deriving Drive Current Patterns For Semiconductor Lasers

Номер патента: US20080279235A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Non-refrigerated tunable semiconductor laser based on multi-wavelength array and preparation method

Номер патента: US20210336415A1. Автор: Jun Lu,Tao FANG,Xiangfei Chen,Rulei XIAO,Yuechun Shi. Владелец: Nanjing Huafei Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor laser array and semiconductor laser array circuit arrangement

Номер патента: US11228161B2. Автор: Martin Mueller,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-01-18.

Semiconductor laser array and semiconductor laser array circuit arrangement

Номер патента: US20200321753A1. Автор: Martin Mueller,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor laser module

Номер патента: US9203212B2. Автор: Hideaki Hasegawa,Tatsuya Kimoto,Tatsuro Kurobe. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor laser mount

Номер патента: US4802177A. Автор: Hiromi Ishikawa,Kazuo Horikawa,Kenichi Yamagishi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-31.

Method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20170201064A1. Автор: Hitoshi Sakuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Multiplewavelength semiconductor laser device array and production method

Номер патента: US20010040906A1. Автор: Kenichi Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor laser beam combining device

Номер патента: US11784465B2. Автор: Qian Zhang,Quan Zhou,Dashan Li,Yaping Zhao. Владелец: II VI Suwtech Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor laser

Номер патента: US20040233957A1. Автор: Keiji Ito,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Osamu Imafuji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-25.

Semiconductor laser module

Номер патента: EP1363147A3. Автор: Masahiko c/o Nec Corporation Namiwaka,Masahiro c/o NEC Corporation Kanda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-18.

Automatic power control of a semiconductor laser array

Номер патента: US6115398A. Автор: Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Semiconductor laser module

Номер патента: EP1087477A2. Автор: Yutaka The Furukawa Electric Co. Ltd. Ohki,Takeharu The Furukawa Electric Co. Ltd Yamaguchi,Yuichiro The Furukawa Electric Co. Ltd. IRIE. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-28.

Semiconductor laser and method of production of the same

Номер патента: US20040097000A1. Автор: Kazuhiko Nemoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor laser resonator and semiconductor laser device including the same

Номер патента: US10211597B2. Автор: Hyochul KIM,Yeonsang Park,Chanwook BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-19.

Semiconductor laser light source module, semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20220109285A1. Автор: Hitoshi Yamada,Yoshiaki Hoashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor laser diode and method for producing a semiconductor laser diode

Номер патента: US10270223B2. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-23.

Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency

Номер патента: US20150333472A1. Автор: Matthew Glenn Peters,Abdullah Demir. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130308670A1. Автор: Koji Katayama,Hiroshi Nakajima,Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takatoshi Ikegami,Katsunori Yanashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240088620A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor laser device with wavelength selection and high-frequency modulation of driving current

Номер патента: US6678306B1. Автор: Shinichiro Sonoda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-13.

Passivated faceted article comprising a semiconductor laser

Номер патента: US5665637A. Автор: Naresh Chand. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-09-09.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1253946A. Автор: Masayuki Yamaguchi,Mitsuhiro Kitamura,Ikuo Mito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-05-09.

Multi-wavelength semiconductor laser device

Номер патента: GB2470984A. Автор: Yuji Okura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-12-15.

Semiconductor Laser Device and Method for Fabrication Thereof

Номер патента: US20080247439A1. Автор: Seiji Kawamoto,Kenji Nakashima,Yozo Uchida. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

n-TYPE MODULATION DOPE MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: EP1071180A1. Автор: Hitoshi The Furukawa Electric Co. Ltd. SHIMIZU,Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA,Kouji The Furukawa Electric Co. Ltd. KUMADA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-24.

Semiconductor lasers

Номер патента: EP4309252A1. Автор: Yifan Jiang,Lihua Hu,Malcolm R. Green,Wolfgang PARZ. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Electro-absorption modulated laser chip and fabrication method thereof

Номер патента: US11831124B1. Автор: Haichao Zhang,Yuchen SHI,Mahui LI,Yenting Pan,Yao MU. Владелец: Yuanjie Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Multi-beam semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230198228A1. Автор: Tadashi Okumura,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030118070A1. Автор: Won Lim,Shi Leem. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220263288A1. Автор: Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Electro-absorption modulated laser chip and fabrication method thereof

Номер патента: US20230361526A1. Автор: Haichao Zhang,Yuchen SHI,Mahui LI,Yenting Pan,Yao MU. Владелец: Yuanjie Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and method and device for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: EP4358323A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor lasers

Номер патента: WO2022197646A1. Автор: Yifan Jiang,Lihua Hu,Malcolm R. Green,Wolfgang PARZ. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for manufacturing semiconductor laser apparatus, semiconductor laser apparatus, and optical apparatus

Номер патента: US20120093185A1. Автор: Gen Shimizu,Shinichiro Akiyoshi. Владелец: Sanyo Optec Design Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Edge-emitting semiconductor laser with high thermal conductivity and low reflection front mirror surface

Номер патента: US20230387656A1. Автор: Jung Min Hwang,Chen Yu Chiang. Владелец: Arima Lasers Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Electro-absorption modulated distributed feedback laser chip and laser chip encapsulation structure

Номер патента: US20240213740A1. Автор: Zhenzhong Wang. Владелец: Innolight Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor laser, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20240170922A1. Автор: Takashi Mizuno,Yuichiro Kikuchi,Hidekazu Kawanishi,Yuta Isozaki,Shinsuke Nozawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Array type semiconductor laser device

Номер патента: US20230054731A1. Автор: Masayuki Hata,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Tohru Nishikawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11128105B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Teruyoshi Takakura,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Edge-Emitting Semiconductor Laser Diode and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20220102941A1. Автор: Uwe Strauss,Petrus Sundgren,Jens Ebbecke,Martin Hetzl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor laser

Номер патента: US12027823B2. Автор: Atsushi Nakamura,Shoko Yokokawa. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor laser and electronic device

Номер патента: US20080095205A1. Автор: Tadashi Takeoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor laser

Номер патента: US12027818B2. Автор: Koji Takeda,Shinji Matsuo,Takaaki Kakitsuka,Erina Kanno. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor laser element having tensile-strained quantum-well active layer

Номер патента: US7362786B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-04-22.

Method, system and apparatus for hybrid optical and electrical pumping of semiconductor lasers and leds for improved reliability at high temperatures

Номер патента: US20150333477A1. Автор: Duane Louderback. Владелец: Zephyr Photonics Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Method, system and apparatus for hybrid optical and electrical pumping of semiconductor lasers and LEDs for improved reliability at high temperatures

Номер патента: US09728936B2. Автор: Duane Louderback. Владелец: Zephyr Photonics Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor laser and method for processing semiconductor laser

Номер патента: US20180212403A1. Автор: Jian Chen,Zhiguang Xu,Jing Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: GB2369929A. Автор: Arnaud GARNACHE-CREUILLOT. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2002-06-12.

Electronic driver circuit for directly modulated semiconductor lasers

Номер патента: US20040081212A1. Автор: Karl SCHRÖDINGER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US09502863B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US20160064899A1. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package

Номер патента: US10804675B2. Автор: Yasushi Takizawa,Shintaro MIYAMOTO,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030193976A1. Автор: Takehiro Shiomoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09780523B2. Автор: Hideyuki Fujimoto,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5729561A. Автор: Misao Hironaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Semiconductor laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US6845112B2. Автор: Takeshi Yamamoto,Masayoshi Muranishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-01-18.

Mounting semiconductor lasers on heat sinks

Номер патента: GB2304995A. Автор: Misao Hironaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-03-26.

Semiconductor laser bonding technique

Номер патента: CA1152231A. Автор: Tibor F. I. Kovats,Tibor F. Devenyi,Christopher Michael Look. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1983-08-16.

Semiconductor laser excited solid state laser device and laser light output method

Номер патента: US20150078407A1. Автор: Kazuya Inoue,Katsuhiko Tokuda,Mamoru Hisamitsu,Kazutomo Kadokura. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9780526B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US09780526B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor laser based on epitaxial heterostructure

Номер патента: RU2582302C1. Автор: Виктор Владимирович Безотосный,Владислав Александрович Олещенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2016-04-20.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050265413A1. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: US20180006428A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: Provenance Asset Group LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor laser assembly

Номер патента: WO1990010312A1. Автор: Wai-Hon Lee. Владелец: Pencom International Corporation. Дата публикации: 1990-09-07.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: WO2016116565A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP2642622A3. Автор: Tsuyoshi Hirao,Shingo Masui,Yasuhiro Kawata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-11.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: EP1195862A3. Автор: Toshio c/o The Furukawa Electric Co. Ltd. Kimura,Sadayoshi c/o Furukawa Electric Co. Ltd Kanamaru,Tomoya c/o The Furukawa Electric Co. Ltd Kato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-02.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: US20020122446A1. Автор: Toshio Kimura,Tomoya Kato,Sadayoshi Kanamaru. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor laser with integrated heating element and method of manufacturing same

Номер патента: US20060039427A1. Автор: Paul Charles. Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: US6804277B2. Автор: Toshio Kimura,Tomoya Kato,Sadayoshi Kanamaru. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09979154B2. Автор: Masashi Tatsukawa,Mitsuyuki Mochizuki,Yuichi Shibata. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Two-section semiconductor laser with modulation-independent grating section to reduce chirp

Номер патента: US09762028B2. Автор: Jun Zheng,Klaus Alexander Anselm,Stefan Murry,Huanlin Zhang,Dion McIntosh-Dorsey. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240030678A1. Автор: Nobutaka Suzuki,Tadataka Edamura,Naota Akikusa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20190379179A1. Автор: Yasuo Kan,Ryuhichi Sogabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Optical pumping-type solid-state laser apparatus with a semiconductor laser device

Номер патента: US5025449A. Автор: Osamu Yamamoto,Toshihiko Yoshida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220294179A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4024627A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Semiconductor laser

Номер патента: US20060239318A1. Автор: Fumie Kunimasa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US20190081454A1. Автор: Shinji Saito,Osamu Yamane,Akira Tsumura,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Integrated semiconductor laser with electronic directivity and focusing control

Номер патента: US5233623A. Автор: Sheldon S. L. Chang. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 1993-08-03.

Semiconductor laser element and semiconductor laser device

Номер патента: US09735548B2. Автор: Susumu Harada,Yasuhiro Kawata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof, and submount manufacturing method

Номер патента: US09496680B2. Автор: Hiroki Sakata,Eiichiro OKAHISA,Kazuma KOZURU,Hiroaki YUTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Article comprising a wavelength-stabilized semiconductor laser

Номер патента: US5299212A. Автор: Sheryl L. Woodward,Thomas L. Koch. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-03-29.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US20160111857A1. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9184560B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor Laser Module and Method for Controlling the Same

Номер патента: US20070242712A1. Автор: Tomoyuki Funada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor laser element and semiconductor laser element array

Номер патента: EP1796233A4. Автор: You Wang,Akiyoshi Watanabe,Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-03-25.

Optical transmission apparatus, semiconductor laser device for use in optical transmission apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20030043454A1. Автор: Youngduk Yoon,Takayuki Okazaki,Sakiko Sugihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor laser element and laser beam deflecting device

Номер патента: US9048624B2. Автор: Susumu Noda,Akiyoshi Watanabe,Takahiro Sugiyama,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2015-06-02.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7573924B2. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20030231672A1. Автор: Satoshi Komoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor laser unit having optical guide layers with increased total thickness and employing junction-up configuration

Номер патента: US6665324B1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-16.

Two-section semiconductor laser with modulation-independent grating section to reduce chirp

Номер патента: EP3243249A1. Автор: Jun Zheng,Stefan J. Murry,Klaus Alexander Anselm,Huanlin Zhang,Dion McIntosh-Dorsey. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2017-11-15.

Two-section semiconductor laser with modulation-independent grating section to reduce chirp

Номер патента: WO2016112087A1. Автор: Jun Zheng,Stefan J. Murry,Dion McIntosh-Dorsey,Klaus Alexander ANSELM,Huanlin ZHANG. Владелец: APPLIED OPTOELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser

Номер патента: US20200144794A1. Автор: Frank Singer,Norwin von Malm,Thomas Kippes,Tilman Ruegheimer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050117619A1. Автор: Kenji Yoshikawa,Takayuki Kashima,Hideto Adachi,Kouji Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for producing a waveguide structure in a surface-emitting semiconductor laser and surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20060078029A1. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Method for producing a waveguide structure in a surface-emitting semiconductor laser and surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: AU2003293705A8. Автор: Markus Christian Amann. Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2004-08-30.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, MANUFACTURING METHOD FOR SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20140044438A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

Visible light surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US5258990A. Автор: Jack L. Jewell,Gregory R. Olbright. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1993-11-02.

Semiconductor device and surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20030015726A1. Автор: Norihiro Iwai,Noriyuki Yokouchi,Tatsuyuki Shinagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device and surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US6636543B2. Автор: Norihiro Iwai,Noriyuki Yokouchi,Tatsuyuki Shinagawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US4949350A. Автор: Axel Scherer,Jack L. Jewell. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1990-08-14.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for fabricating the same, and surface-emitting semiconductor laser array employing the laser device

Номер патента: US6737290B2. Автор: Akihiko Kasukawa,Noriyuki Yokouchi,Toshikazu Mukaihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-18.

Semiconductor device, surface emitting semiconductor laser and edge emitting semiconductor laser

Номер патента: US6597017B1. Автор: Akira Sakamoto,Yasuji Seko. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-22.

Surface-emitting semiconductor laser for optically/electrically pumped radiation has cavity mirrors, a laser resonator, an interference filter and a semiconductor chip for emitting pumped radiation

Номер патента: DE102004011456A1. Автор: Thomas Schwarz,Ulrich Dr. Steegmüller,Michael Dr. Kühnelt. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2005-08-18.

Surface-emitting semiconductor laser and method for manufacturing thereof as well as optical device

Номер патента: EP1528647B1. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160099549A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi,JOGAN Naoki. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-04-07.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20180278022A1. Автор: WANG LI,ONISHI Yutaka,LI Nein-Yi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-09-27.

Method of manufacturing surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP2961191B2. Автор: 徹 石川,晃 茨木,浩太郎 古沢. Владелец: Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan. Дата публикации: 1999-10-12.

Surface emitting semiconductor laser and manufacture thereof

Номер патента: JPH11112088A. Автор: Yasuhiro Kobayashi,康宏 小林. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-23.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser with upper and lower electrodes arranged in staggered manner

Номер патента: CN112490851B. Автор: 李辉,冯源,晏长岭,逄超,杨静航,岳云震,郝永芹,钱冉. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-07-12.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4069383B2. Автор: 伸明 植木. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-02.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser with upper and lower electrodes arranged in staggered manner

Номер патента: CN112490851A. Автор: 李辉,冯源,晏长岭,逄超,杨静航,岳云震,郝永芹,钱冉. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-03-12.

Vertical cavity surface emitting semiconductor lasers and their method of fabrication

Номер патента: EP0924822A2. Автор: Philip D. Floyd,Decai Sun. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1999-06-23.

Apparatus for fabricating surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20050180478A1. Автор: Jun Sakurai,Akira Sakamoto,Hideo Nakayama,Yasuaki Miyamoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser structure

Номер патента: CN111435781B. Автор: 韦欣,郭文涛,廖文渊,谭满清. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2022-03-18.

Fabrication method of a vertical cavity surface emitting semiconductor laser

Номер патента: EP0924822B1. Автор: Philip D. Floyd,Decai Sun. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2005-01-26.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: EP0939471A1. Автор: Hiroyuki Nippon Telegr. & Teleph. Corp. Uenohara,Kouta Nippon Telegr. & Teleph. Corp. Tateno,Toshiaki Nippon Telegr. & Teleph. Corp. Kagawa,Osamu Nippon Telegr. & Teleph. Corp. Tadanaga,Chikara Nippon Telegr. & Teleph. Corp. Amano,Takashi Nippon Telegr. & Teleph. Corp. Kurokawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1999-09-01.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US6846685B2. Автор: Takashi Kurokawa,Toshiaki Kagawa,Chikara Amano,Kouta Tateno,Osamu Tadanaga,Hiroyuki Uenohara. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Method for producing a buried tunnel junction in a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: AU2003286155A1. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2004-06-18.

Surface emitting semiconductor laser and communication system using the same

Номер патента: US20040213310A1. Автор: Hiromi Otoma. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Long wavelength surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP3123030B2. Автор: 隆志 黒川,貴志 田所,剛孝 小濱,義孝 大磯. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2001-01-09.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JPH0773139B2. Автор: 健一 笠原. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-08-02.

Surface emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US6631152B2. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Takayuki Kondo,Tetsuo Nishida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-10-07.

Surface emitting semiconductor laser and process for producing the same

Номер патента: US6898226B2. Автор: Jun Sakurai,Hiromi Otoma. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-24.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP3123846B2. Автор: 徹 石川,晃 茨木,浩太郎 古沢,輝明 三宅. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-15.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20030156613A1. Автор: Takashi Kurokawa,Toshiaki Kagawa,Chikara Amano,Kouta Tateno,Osamu Tadanaga,Hiroyuki Uenohara. Владелец: Hiroyuki Uenohara. Дата публикации: 2003-08-21.

Surface emitting semiconductor laser diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US7443899B2. Автор: Nobuaki Ueki. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser with distributed Bragg reflector on asymmetric annular structure

Номер патента: CN111129952A. Автор: 冯源,晏长岭,逄超,杨静航,郝永芹,张剑家. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2020-05-08.

Method for producing a buried tunnel junction in a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: WO2004049461A3. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: Markus-Christian Amann. Дата публикации: 2004-09-23.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: DE60019257D1. Автор: Akihiko Kasukawa,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Method for adjusting divergence angle of light beam of vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: CN111244760A. Автор: 高阳,蒋锴,仇伯仓,徐化勇. Владелец: Jiangxi Deray Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-06-05.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP2962881B2. Автор: 徹 石川,晃 茨木,浩太郎 古沢. Владелец: Sanyo Denki Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-12.

Surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: WO2001037386A1. Автор: Akihiko Kasukawa,Noriyuki Yokouchi. Владелец: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2001-05-25.

Dual-wavelength vertical cavity surface emitting semiconductor laser, optical device and preparation method

Номер патента: CN115425520A. Автор: 张俊,张建伟,彭航宇,王立军,张继业,王靖博. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2022-12-02.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: DE602007000751D1. Автор: Masamitsu Mochizuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: CA2232585A1. Автор: Paul Salet,Joel Jacquet,Leon Goldstein,Francois Brillouet,Christophe Starck,Patrick Garabedian,Julien Boucart. Владелец: Julien Boucart. Дата публикации: 1998-10-03.

Surface-emitting semiconductor light emitting device

Номер патента: KR960006102A. Автор: 아끼라 이시바시,노리가즈 나까야마,사또루 기지마. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 1996-02-23.

Semiconductor optical element and surface-emitting semiconductor optical element

Номер патента: US20160156154A1. Автор: Naoki Nakamura,Ayumi FUCHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor optical element and surface-emitting semiconductor optical element

Номер патента: US9685764B2. Автор: Naoki Nakamura,Ayumi FUCHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical surface emitting semiconductor device

Номер патента: US8000371B2. Автор: Christopher L. Chua,Noble M. Johnson,Peter Kiesel,Andre Strittmatter. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Surface emitting semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4138629B2. Автор: 圭児 高岡,亨彦 西垣,瑞仙 江崎. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-27.

Vertical Surface Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20110069729A1. Автор: Christopher L. Chua,Noble M. Johnson,Peter Kiesel,Andre Strittmatter. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2011-03-24.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US20020102756A1. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor laser apparatus and method of observing semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20010046770A1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and laser bar locking apparatus

Номер патента: US20030122136A1. Автор: Noboru Oshima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12113330B2. Автор: Kenji Sakai,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor laser apparatus and method of producing the same

Номер патента: US20030063640A1. Автор: Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Method for producing nitride semiconductor laser light source and apparatus for producing nitride semiconductor laser light source

Номер патента: US20060068516A1. Автор: Masaya Ishida,Atsushi Ogawa,Takuro Ishikura,Yoshihiko Tani,Daisuke Hanaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12040590B2. Автор: Kenji Sakai,Hiroyuki Tajiri,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser chip package with encapsulated recess molded on substrate and method for forming same

Номер патента: WO2013130580A8. Автор: Jerry Deleon,Jin Han Ju,Robert Burman. Владелец: Excelitas Canada, Inc.. Дата публикации: 2014-01-03.

Method of stacking semiconductor laser devices in a sub-mount and heatsink

Номер патента: US6479325B2. Автор: Masafumi Ozawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-11-12.

Solderless mounting for semiconductor lasers

Номер патента: US09646949B2. Автор: Gabi Neubauer,Alfred Feitisch,Mathias Schrempel. Владелец: SpectraSensors Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US6836500B2. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-28.

Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Номер патента: US20010002916A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Osamu Hamaoka,Ikuo Kohashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor laser device and semiconductor laser module

Номер патента: US5353294A. Автор: Kazuo Shigeno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-10-04.

Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Номер патента: US20040053430A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Osamu Hamaoka,Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US7414949B2. Автор: Toshihiro Kuroda,Shouichi Takasuka,Makoto Atoji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Semiconductor laser device and its manufacturing method, and optical communication system and optical sensor system

Номер патента: US6778574B1. Автор: Kazuhiro Emoto,Hidenori Kawanishi,Atsushi Shimonaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-17.

Semiconductor laser mounting for improved frequency stability

Номер патента: CA2829946C. Автор: Gabi Neubauer,Alfred Feitisch,Mathias Schrempel. Владелец: SpectraSensors Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Solderless mounting for semiconductor lasers

Номер патента: US9166130B2. Автор: Gabi Neubauer,Alfred Feitisch,Mathias Schrempel. Владелец: SpectraSensors Inc. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor laser device, optical pickup and fabrication method of semiconductor laser device

Номер патента: US20040004983A1. Автор: Masayuki Honda,Takehiro Shiomoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor laser device with integrated reflector on a (511) tilted lattice plane silicon substrate

Номер патента: US5479426A. Автор: Akio Yoshikawa,Hirokazu Shimizu,Hideyuki Nakanishi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1995-12-26.

Submount for semiconductor laser device

Номер патента: US5016083A. Автор: Mitsuo Ishii,Hidenori Nishihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-05-14.

Semiconductor laser apparatus for optical head

Номер патента: AU5642786A. Автор: Akira Nakamura,Hiroshi Oinoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1986-10-30.

Semiconductor laser apparatus for optical head

Номер патента: AU584188B2. Автор: Akira Nakamura,Hiroshi Oinoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-05-18.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4033619A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220166185A1. Автор: Naoki Nakamura,Naoki Kosaka,Ryosuke MIYAGOSHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US20160285237A1. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Wavelength-stabilized semiconductor laser source

Номер патента: US20190097385A1. Автор: Henry A. Blauvelt. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor laser light source device, semiconductor laser light source system, and image display apparatus

Номер патента: US09899795B2. Автор: Hideyuki Murai,Tatsuro Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US09711945B2. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same, and optical transmission module and optical disk apparatus using the semiconductor laser device

Номер патента: US20070243644A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Shuichi Hirukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser

Номер патента: US12040588B2. Автор: Peter Jander. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser device and method of controlling light amount of semiconductor laser

Номер патента: US20010048697A1. Автор: Kiyoshi Kondou. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4207520A1. Автор: Liang Hao,Rui Liu,Xiaoguang He. Владелец: Nanjing Fiber Foton Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12080990B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09746627B2. Автор: Toshio Kimura,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09692205B2. Автор: Toshio Kimura,Tetsuya Matsuyama,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Jun Miyokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09373932B2. Автор: Toshio Kimura,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Method for manufacturing semiconductor laser diode

Номер патента: RU2205485C1. Автор: А.Н. Алексеев,В.П. Чалый,А.П. Шкурко,А.А. Веденеев,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий,В.М. Щевлюга,К.Н. Ельцов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2003-05-27.

Semiconductor laser device capable of suppressing leakage current in a light emitting and surface and method for manufacturing same

Номер патента: US20020064200A1. Автор: Masahiko Sakata,Noboru Oshima,Makoto Yokota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Soldering system of semiconductor laser element

Номер патента: US20170373466A1. Автор: Tetsuhisa Takazane. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US20040066813A1. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US6983002B2. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-01-03.

Passivation layer for semiconductor laser and semiconductor laser and laser module using the same

Номер патента: US20020021727A1. Автор: Michio Ohkubo,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor Laser Component and Method for Operating at Least One Semiconductor Laser

Номер патента: US20230198231A1. Автор: Jörg Erich SORG,Harald KÖNIG,Jan Seidenfaden,Markus Reinhard Horn. Владелец: Ams Osram Lnternational GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor laser device and backlight device using the semiconductor laser device

Номер патента: US09748733B2. Автор: Eiichiro OKAHISA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for producing semiconductor laser elements and semi-conductor laser element

Номер патента: US09608401B2. Автор: Thomas Veit,Markus Horn,Roland Enzmann,Markus Arzberger,Stefan Listl,Markus Graul,Juergen Dachs. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor laser apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484711B2. Автор: Babu Dayal PADULLAPARTHI. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20050147149A1. Автор: Kazuyoshi Fuse. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070063212A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kouji Ueyama,Shinichirou Akiyoshi. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor laser

Номер патента: US10811843B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Clemens Vierheilig,Andreas LOEFFLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-20.

Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device

Номер патента: US7970035B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor laser assembly and packaging system

Номер патента: US09537284B2. Автор: David M. Bean,John J. Callahan. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor laser light source

Номер патента: US09450380B2. Автор: Akira Nakamura,Shuhei Yamamoto,Kazutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20190252851A1. Автор: Shingo Tanisaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor laser micro-heating element structure

Номер патента: WO2008013712A1. Автор: Martin H. Hu,Chung-En Zah,Xingsheng Liu. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor laser apparatus and optical pickup apparatus using same

Номер патента: US20030174748A1. Автор: Kazunori Matsubara,Ayumi Yagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: WO2013069301A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080008221A1. Автор: Takashi Ueda,Koji Yamada,Yoshihiko Kobayashi,Tomoki Nozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor laser element, testing method, and testing device

Номер патента: US11824326B2. Автор: Hiroki Nagai,Kazumasa Nagano. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US7088754B2. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: EP2777108A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

Method for the production of a semiconductor laser device

Номер патента: US5171706A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Masaki Kondo,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Method of fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20100291718A1. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Multimode semiconductor laser module, wavelength detector, wavelength stabilizer, and raman amplifier

Номер патента: WO2003030310A2. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Asia Ltd.. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US20040165627A1. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor laser unit and optical pick-up device using the same

Номер патента: US20020044589A1. Автор: Takahiro Miyake,Kentaro Terashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor laser

Номер патента: US20090185595A1. Автор: Yasuyuki Nakagawa,Yosuke Suzuki,Harumi Nishiguchi,Kyosuke Kuramoto,Masatsugu Kusunoki,Hiromasu Matsuoka,Takeo Shirahama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet

Номер патента: EP1060545A1. Автор: Mark McElhinney,Paul Colombo. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Semiconductor laser oscillator

Номер патента: US09917416B2. Автор: Minoru Ogata,Kaori USUDA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor laser apparatus assembly

Номер патента: US09906000B2. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US09774168B2. Автор: Jun-Ichi Hashimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor laser module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647421B2. Автор: Naoki Kimura,Susumu Nakaya. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11081857B2. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Nitride-composite semiconductor laser element, its manufacturing method, and semiconductor optical device

Номер патента: US20100278205A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control

Номер патента: US7781244B2. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1286440A3. Автор: Masayuki Iwami,Hirotatsu Ishii,Mikihiro Yokozeki,Kaname Saito. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-27.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200185878A1. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor laser having fabry-perot resonator

Номер патента: US20080240198A1. Автор: Tetsuya Yagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240283213A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Induction of force performed by the semiconductor laser diodes

Номер патента: US09882348B2. Автор: Elio Battista Porcelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US09531163B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-12-27.

Laser chip for flip-chip bonding on silicon photonics chips

Номер патента: US11888286B2. Автор: Radhakrishnan L. Nagarajan,Xiaoguang He. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor-laser-pumped, solid-state laser

Номер патента: US5257277A. Автор: Takashi Yamamoto,Shigenori Yagi,Mayumi Fujimura,Toyohiro Uchiumi,Akira Ishimori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20200373733A1. Автор: Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor laser module

Номер патента: US11962120B2. Автор: Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Submount for semiconductor laser and optical fibers

Номер патента: US20200044412A1. Автор: Jock T. Bovington,Ashley J. MAKER,Kumar Satya Harinadh Potluri. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020075915A1. Автор: Ayumi Yagi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor laser and method of fabricating the same

Номер патента: US20020027934A1. Автор: Yoshihiro Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Nitride based semiconductor laser diode device with a bar mask

Номер патента: US7126972B2. Автор: Wen-How Lan,Yuh-Der Shiang,Jia-Ching Lin,Ker-Jun Lin,Kai-Fung Perng,Ya-Tung Cherng. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2006-10-24.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090116528A1. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7792172B2. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor laser element and method of obtaining information from the semiconductor laser element

Номер патента: US09870525B2. Автор: Atsushi Tanaka,Mitsuhiro Nonaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09685759B2. Автор: Takashi Nakagawa,Naoto Morizumi,Daisuke Komoda,Takashi Namie,Hiroaki Shozui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for making a semiconductor laser by cleaving a cantilever heterostructure

Номер патента: US4769342A. Автор: Tetsuya Yagi,Hitoshi Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-09-06.

Semiconductor laser device and optical fiber amplifier

Номер патента: CA2371504C. Автор: Yasuaki Yoshida,Takeshi Fujita,Kimio Shigihara,Kiyohide Sakai,Tatsuo Hatta,Yuuhiko Hamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Inspection method for semiconductor laser device and inspection device for semiconductor laser device

Номер патента: US20220376465A1. Автор: Akio SHIRASAKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4007091A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor laser and laser radar device having the semiconductor laser

Номер патента: US11817678B2. Автор: Seiichi Takayama,Ryuji Fujii,Ryo Hosoi,Kang GAO. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor Laser and Laser Radar Device Having the Semiconductor Laser

Номер патента: US20220311217A1. Автор: Seiichi Takayama,Ryuji Fujii,Ryo Hosoi,Kang GAO. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor laser device

Номер патента: US6021148A. Автор: Eitaro Ishimura,Keisuke Matsumoto,Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20040120378A1. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230019645A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor laser device and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20230333396A1. Автор: Hideo Yamaguchi,Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method and apparatus for wafer-level testing of semiconductor lasers

Номер патента: US20020109520A1. Автор: David Heald,Legardo REYES. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor laser

Номер патента: US20090141763A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Katsumi Kishino,Shigehisa Tanaka,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240291227A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US09419411B2. Автор: Toshiyuki Taguchi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US09331457B2. Автор: Satoshi Nishida,Susumu Konno,Shuichi Fujikawa,Naoki Miyamoto,Kenji Kumamoto,Tomotaka Katsura,Daiji Morita,Hiroaki Kurokawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor laser module and method for forming semiconductor laser module

Номер патента: US6836497B1. Автор: Masami Hatori. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-28.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5590144A. Автор: Akira Amano,Shoji Kitamura,Yoichi Shindo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-31.

Seminconductor laser and method for producing a semiconductor laser

Номер патента: US20220013979A1. Автор: Peter Jander. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-01-13.

End-face-processing jig, and method of manufacturing semiconductor laser using end-face-processing jig

Номер патента: US20090181479A1. Автор: Yasuyuki Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Generating optical pulses via a soliton state of an optical microresonator coupled with a chip based semiconductor laser

Номер патента: US20220050356A1. Автор: Tobias Kippenberg,Hairun GUO,Arslan Sajid Raja,Michael L. Gorodetsky. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor laser

Номер патента: US20190393676A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Clemens Vierheilig,Andreas LOEFFLER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-12-26.

Edge-emitting laser chip wafer layout that facilitates on-wafer testing of the lasers

Номер патента: US20160211644A1. Автор: Yufei Gao,Elaine R. Kleinfeld,James R. Lothian,John J. Leiby. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor laser module

Номер патента: CA2779062C. Автор: Akira Nakamura,Motoaki Tamaya,Chise Nanba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Fabrication of cleaved semiconductor lasers

Номер патента: CA1201520A. Автор: Paul A. Kohl,Charles A. Burrus, Jr.,Tien P. Lee,Frederick W. Ostermayer, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-03-04.

Semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: US5850410A. Автор: Akito Kuramata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-15.

Semiconductor laser device and analysis apparatus

Номер патента: US11949210B2. Автор: Shintaro Masuda,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kimihiko Arimoto,Hirotaka ISEKI. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts

Номер патента: US11870214B2. Автор: Jörg Erich SORG,Herbert Brunner,Frank Singer,Harald KÖNIG,Alfred Lell,Roland Hüttinger,Karsten Auen,Florian Peskoller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US20190027893A1. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US10361535B2. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7106767B2. Автор: Tetsuyoshi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20040228378A1. Автор: Tetsuyoshi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor laser, method of designing diffraction grating layer of semiconductor laser, and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: WO2024100836A1. Автор: Shinji Matsuo,Takuma AIHARA,Nikolaos-Panteleimon DIAMANTOPOULOS. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corporation. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240146020A1. Автор: Takuya Ido,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kosuke TSUKATANI,Kodai Niina. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4303564A1. Автор: Takuya Ido,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kosuke TSUKATANI,Kodai Niina. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts

Номер патента: US20240088622A1. Автор: Jörg Erich SORG,Herbert Brunner,Frank Singer,Harald KÖNIG,Alfred Lell,Roland Hüttinger,Karsten Auen,Florian Peskoller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts

Номер патента: US20230068945A1. Автор: Jörg Erich SORG,Herbert Brunner,Frank Singer,Harald KÖNIG,Alfred Lell,Roland Hüttinger,Karsten Auen,Florian Peskoller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor laser structure and manufacture

Номер патента: CA1128634A. Автор: Peter Marschall,Ewald Schlosser,Claus Wolk. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1982-07-27.

Integrated semiconductor laser element, semiconductor laser module, and optical transmission system

Номер патента: US20120128375A1. Автор: Tatsuya Kimoto,Toshikazu Mukaihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor laser assembly and packaging system

Номер патента: US20140322840A1. Автор: David M. Bean,John J. Callahan. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor laser module and optical transmission apparatus using the semiconductor laser module

Номер патента: US7593448B2. Автор: Junji Yoshida,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-22.

Semiconductor laser module and optical transmission apparatus using the semiconductor laser module

Номер патента: US20050249259A1. Автор: Junji Yoshida,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Nitride semiconductor laser device and method for producing its electrode

Номер патента: RU2238607C2. Автор: Масахико САНО. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2004-10-20.

Method of manufacturing masked semiconductor laser

Номер патента: US4840922A. Автор: Hiroshi Kobayashi,Makoto Harigaya,Hideaki Ema,Haruhiko Machida,Yasushi Ide,Jun Akedo. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-20.

Semiconductor laser including a reflection film

Номер патента: US4914668A. Автор: Kenji Ikeda,Yoichiro Ota,Yutaka Mihashi,Yutaka Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-04-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5825794A. Автор: Shoji Kitamura,Yoichi Shindo,Koji Nemoto,Shinji Ogino,Naokazu Sakamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-20.

Semiconductor laser diode and semiconductor laser diode assembly containing the same

Номер патента: US20040174918A1. Автор: Su-hee Chae,Joon-seop Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-09.

Apparatus and method for adjusting the optical axis of a semiconductor laser apparatus

Номер патента: US5408493A. Автор: Naofumi Aoki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-04-18.

Jig for Can-Package Semiconductor Laser

Номер патента: US20150349489A1. Автор: Kenichi Tamura,Yoshinori Sunaga. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor laser element, testing method, and testing device

Номер патента: US20240055830A1. Автор: Hiroki Nagai,Kazumasa Nagano. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-02-15.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20110026554A1. Автор: Shingo Masui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor laser and manufacturing method for a semiconductor laser

Номер патента: US20210257812A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor laser and manufacturing method for a semiconductor laser

Номер патента: US11804696B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-10-31.

Optical Interference Light Source Device of Current-Temperature Controlled Semiconductor Laser and Measurement System Including the Same

Номер патента: US20200313388A1. Автор: Haochuan Zhang,Shengli Xie,Kan Xie,Yanzhou Zhou. Владелец: Duangdong University Of Technology. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor laser micro-heating element structure

Номер патента: EP2044662A1. Автор: Martin H. Hu,Chung-En Zah,Xingsheng Liu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-04-08.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110128986A1. Автор: Shinji Abe,Kimio Shigihara,Akihito Ono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Manufacturing method for laser chip and laser chip

Номер патента: US20220136125A1. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Laser Institute. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor laser device, submount, submount assembly, and method of testing semiconductor laser device

Номер патента: US20240178632A1. Автор: Yasuo Baba,Tohru Nishikawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-30.

Conformal metallization process for the fabrication of semiconductor laser devices

Номер патента: US20130163631A1. Автор: Jia-Sheng Huang,Phong Thai. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20080304530A1. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090175305A1. Автор: Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US20020001326A1. Автор: Toyoji Chino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

High-power edge-emitting semiconductor laser with asymmetric structure

Номер патента: US20230387665A1. Автор: Jung Min Hwang,Chen Yu Chiang,Jin Yuan Hsing. Владелец: Arima Lasers Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20140112364A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

A kind of surface-emitting semiconductor laser coherence array device and preparation method thereof

Номер патента: CN107872006B. Автор: 张建伟,王立军,贾鹏,秦莉,陈泳屹,宁永强. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2019-10-01.

Apparatus, system, and method for wavelength conversion of mode-locked extended cavity surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP2008508561A. Автор: アラム ムラディアン，,アンドレイ， ヴイ． シチェグロヴ，,ジェイソン， ピー． ワトソン，. Владелец: ノバラックス，インコーポレイティド. Дата публикации: 2008-03-21.

Method for fabricating surface-emitting semiconductor device, surface-emitting semiconductor device fabricated by the method, and display device using the device

Номер патента: EP0896405A3. Автор: Toshihiko Ouchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

A method of manufacturing a surface emitting semiconductor device

Номер патента: DE69841235D1. Автор: Toshihiko Ouchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Bar-shaped semiconductor laser chip and method of fabrication thereof

Номер патента: US20100103968A1. Автор: Yasuo Baba,Yasuhiko Matsushita,Yukio Gotoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130077648A1. Автор: ARNOLD Martin,Felder Ferdinand,Rahim Mohamed,Fill Matthias,Zogg Hans. Владелец: ETH ZURICH, ETH TRANSFER. Дата публикации: 2013-03-28.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7184456B2. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050243880A1. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: EP1442509A2. Автор: Neal Tsunami Photonics Limited O'GORMAN. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: AU2002237484A1. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2003-05-12.

Wavelength Selective and Tunable Semiconductor Laser Device With Coupled Cavities

Номер патента: US20080181265A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2008-07-31.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: WO2003038954A3. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-01-22.

Method of tuning a semiconductor laser device having coupled cavities

Номер патента: US20110019702A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Wavelength Tunable Semiconductor Laser Having Multiple Sets of Intercavity Spacings

Номер патента: US20110019703A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of operating a semiconductor laser as a mode-locked semiconductor laser and devices for implementing the method

Номер патента: CA2069657A1. Автор: Michael Schilling,Olaf Hildebrand,Klaus Wunstel,Dieter Baums,Heinz Schweizer,Kaspar Dütting,Wilfried Idler,Gert Laube. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-01.

Semiconductor laser emitting apparatus

Номер патента: US20010043631A1. Автор: Yuichi Hamaguchi,Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor laser emitting apparatus

Номер патента: US6628687B2. Автор: Yuichi Hamaguchi,Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-09-30.

Semiconductor laser pump locker incorporating multiple gratings

Номер патента: WO2002075390A2. Автор: Dmitry S. Starobudov. Владелец: Sabeus Photonics, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

Ridge-shaped laser structure and surface etched grating semiconductor laser with periodic pumping

Номер патента: US20230216274A1. Автор: Fang Wu,Yury Logvin,Kirill Y. PIMENOV,Christopher D. WATSON,Yongbo TANG. Владелец: Shenzhen Banyan Photonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Low noise non-resonant gain structure semiconductor lasers

Номер патента: WO2024121825A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor laser with conductive current mask

Номер патента: WO1983001155A1. Автор: Inc. Western Electric Company,Larry Allen Coldren. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1983-03-31.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US09537288B2. Автор: Hideki Watanabe,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser comprising a feedback element

Номер патента: US20150318669A1. Автор: Lars Nähle,Johannes Koeth. Владелец: Nanoplus Nanosystems And Technologies Gmbh. Дата публикации: 2015-11-05.

Method and device for testing semiconductor laser

Номер патента: US20050164415A1. Автор: Yuichiro Okunuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Ridge-structure DFB semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020064199A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Kiyoshi Takei,Kiyofumi Chikuma,Nong Chen. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: US20200287353A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-09-10.

Tunable semiconductor laser device and method for operating a tunable semiconductor laser device

Номер патента: EP2647092A1. Автор: Michael Engelmann,Bob Van Someren. Владелец: Euphoenix Bv. Дата публикации: 2013-10-09.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US12062887B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-13.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: EP3692609A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-08-12.

Semiconductor laser and semiconductor optical integrated device

Номер патента: US20090059988A1. Автор: Shigeaki Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Distributed feedback semiconductor laser element

Номер патента: US09859683B2. Автор: Yutaka Takagi,Takahiro Sugiyama,Masahiro HITAKA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and apparatus for stabilizing the spectral characteristics of a semiconductor laser diode

Номер патента: CA1277701C. Автор: Bruce A. Richardson. Владелец: Bell Northern Research Ltd. Дата публикации: 1990-12-11.

Two-section complex coupled distributed feedback semiconductor laser with enhanced wavelength tuning range

Номер патента: US5936994A. Автор: Jin Hong,Hyung B. Kim,Toshi Makino. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Continuous-wave organic thin-film distributed feedback laser and electrically driven organic semiconductor laser diode

Номер патента: US11909177B2. Автор: Chihaya Adachi,Toshinori Matsushima,Sangarange Don Atula SANDANAYAKA,Fatima BENCHEIKH,Kenichi Goushi,Jean-Charles RIBIERRE,Takashi Fujihara,Kou Yoshida. Владелец: Koala Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: WO2007057715A1. Автор: Berthold Schmidt,Susanne Pawlik. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-05-24.

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: US20090141754A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: US7970029B2. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor laser with a weakly coupled grating

Номер патента: US20090117678A1. Автор: Lars Bach,Johann Peter Reithmaier. Владелец: Nanoplus GmbH. Дата публикации: 2009-05-07.

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: WO2007043597A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2007-04-19.

Continuous-wave organic thin-film distributed feedback laser and electrically driven organic semiconductor laser diode

Номер патента: US12015248B2. Автор: Chihaya Adachi,Toshinori Matsushima,Sangarange Don Atula SANDANAYAKA,Fatima BENCHEIKH,Kenichi Goushi,Jean-Charles RIBIERRE,Takashi Fujihara,Kou Yoshida. Владелец: Koala Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Resonating cavity system for broadly tunable multi-wavelength semiconductor lasers

Номер патента: US6687275B2. Автор: Ching-Fuh Lin. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor laser driving circuit and semiconductor laser driving method therefor

Номер патента: US6920163B2. Автор: Mitsuo Ishii. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-19.

Tunable semiconductor laser having cavity with ring resonator mirror and mach-zehnder interferometer

Номер патента: US20020085609A1. Автор: Alexander Ksendzov,Randy May. Владелец: Tunable Photonics Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor laser driving circuit and semiconductor laser driving method therefor

Номер патента: US20030052370A1. Автор: Mitsuo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor laser and optical pickup with the same

Номер патента: US6122304A. Автор: Minoru Ohyama. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor laser with conductive current mask

Номер патента: CA1194971A. Автор: Larry A. Coldren. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-10-08.

Tunable semiconductor laser having a cavity with wavelength selective mirror and mach-tehnder interferometer

Номер патента: WO2002054544A2. Автор: Alexander Ksendzov,Randy Dean May. Владелец: Fiberspace, Inc.. Дата публикации: 2002-07-11.

Characterization of multiple section semiconductor lasers

Номер патента: WO2002013341A3. Автор: Dan Sadot,Shmuel Rubin,Efraim Buimovich. Владелец: Xlight Photonics Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Phase-locked semiconductor laser device

Номер патента: CA1150811A. Автор: Hiroshi Matsuda,Takashi Kajimura,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda,Hisao Nakashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-07-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA2018928C. Автор: Akihiko Oka,Shinji Sakano,Kazuhisa Uomi,Makoto Okai,Naoki Chinone,Tomonobu Tsuchiya,Tsukuru Ohtoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-07-26.

Method for controlling a unipolar semiconductor laser

Номер патента: US6738404B1. Автор: Vincent Berger,Carlo Sirtori. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2004-05-18.

Semiconductor laser device with plural active layers and changing optical properties

Номер патента: US5177758A. Автор: Akihiko Oka,Shinji Sakano,Kazuhisa Uomi,Makoto Okai,Naoki Chinone,Tomonobu Tsuchiya,Tsukuru Ohtoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-01-05.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US4633474A. Автор: Kazuo Sakai,Yuichi Matsushima,Shigeyuki Akiba,Katsuyuki Utaka. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1986-12-30.

Semiconductor laser comprising a plurality of optically active regions

Номер патента: US20040120377A1. Автор: John Marsh,Shin-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Method for manufacturing monolithic semiconductor laser

Номер патента: US20090093076A1. Автор: Nobuyuki Kasai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for manufacturing monolithic semiconductor laser

Номер патента: US7678596B2. Автор: Nobuyuki Kasai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor laser comprising a plurality of optically active regions

Номер патента: EP1362395B1. Автор: John Haig Marsh,Shin-Sung Kim. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2005-04-13.

Semiconductor laser having improved facet reliability

Номер патента: US20240039239A1. Автор: Yifan Jiang,Wolfgang PARZ,Jason Daniel BOWKER,Akshitha Gadde. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090017570A1. Автор: Hisashi Nakayama,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Yasuhiro Fujimoto,Satoshi Murasawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor laser with a mode expansion layer

Номер патента: WO2020263747A1. Автор: XIANG Liu,Frank Effenberger,Ning Cheng. Владелец: Futurewei Technologies, Inc.. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20210194211A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi. Владелец: Sharp Fukuyama Laser Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor laser

Номер патента: WO2012153136A1. Автор: Alf Adams. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2012-11-15.

Unitized laser chip with double topological structures

Номер патента: US20230411925A1. Автор: Junbin HUANG,Quanfei FU,Xiaoqin Tong. Владелец: Shenzhen Afalight Co ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Surface-emitting type semiconductor laser, optical transmission apparatus, and manufacturing method of surface-emitting type semiconductor laser

Номер патента: US20240250501A1. Автор: Atsushi Mukai,Kazutaka Takeda,Takeshi MINAMIRU,Naoya SEKITA,Yuto IWANE,Koga MIZUNO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Surface emission semiconductor laser device

Номер патента: US20030152121A1. Автор: Kazushi Mori,Ryoji Hiroyama,Koji Tominaga,Atsushi Tajiri,Yasuhiko Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

External cavity semiconductor laser

Номер патента: US11962127B2. Автор: Yushi Kaneda. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2024-04-16.

Fiber extended, semiconductor laser

Номер патента: WO2004093270A3. Автор: Robert L Thornton. Владелец: Robert L Thornton. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor laser, electronic device and method of manufacturing a semiconductor laser

Номер патента: WO2023224546A1. Автор: Feng Zhao,Qing Wang,Jean Francois Seurin,Baiming Guo,Wei Ting Chen,Amtout ABDENOUR. Владелец: Ams-Osram Asia Pacific Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

A semiconductor laser

Номер патента: WO2003021726A3. Автор: Vitaly Shchukin,Nikolai Ledenstov. Владелец: PBC Lasers Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor laser with integrated phototransistor

Номер патента: US09735546B2. Автор: Marcel Franz Christian Schemmann. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor laser

Номер патента: US20050232325A1. Автор: Masahiro Kume,Isao Kidoguchi,Tetsuo Ueda,Toshiya Kawata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Edge-emitting semiconductor laser with photonic-bandgap structure formed by intermixing

Номер патента: US20100142575A1. Автор: Jason P. Watson,Thomas C. Hasenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor laser driving device, lidar provided with semiconductor laser driving device, and vehicle provided with semiconductor laser driving device

Номер патента: EP4242686A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor laser driving apparatus, lidar including semiconductor laser driving apparatus, and vehicle including semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20240006850A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Dual-wavelength semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US7706423B2. Автор: Masahiro Kume,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Shouichi Takasuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Semiconductor laser device manufacturing method and semiconductor laser device

Номер патента: US20060121633A1. Автор: Tadashi Takeoka,Takuroh Ishikura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor laser source unit

Номер патента: US4953171A. Автор: Tomohiro Nakajima,Kazuyuki Shimada,Katsumi Yamaguchi,Nobuo Sakuma,Seizoh Suzuki. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1990-08-28.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20170315311A1. Автор: Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Etsuji Katayama,Toshia KIMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor laser drive circuit and photoelectric sensor

Номер патента: EP1494324A3. Автор: Takayuki Takeda,Takayuki Ochiai. Владелец: Sunx Ltd. Дата публикации: 2005-01-12.

Driving device for semiconductor laser

Номер патента: US5084887A. Автор: Tsuyoshi Ohashi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-28.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: EP2062336A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: WO2008039313A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-03.

Wavelength control in phase region of semiconductor lasers

Номер патента: EP2220732A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Semiconductor laser drive circuit and light beam scanning system using semiconductor laser

Номер патента: US6091748A. Автор: Hiroaki Yasuda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-18.

Circuit for preventing destruction of semiconductor laser element, and optical disc device provided with the circuit

Номер патента: US20120300605A1. Автор: Tsutomu Asai. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor laser apparatus, information recording/reproduction apparatus and image recording apparatus

Номер патента: US20020057721A1. Автор: Toyoki Taguchi,Tetsuya Nagahama,Masayuki Tazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module

Номер патента: US20080044936A1. Автор: Toshio Kimura,Takeshi Aikiyo,Masashi Nakae. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor laser wavelength control device

Номер патента: US7372881B2. Автор: Akio Mukai,Zhigang Peng,Izumi Kawata. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor laser drive device and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20120027037A1. Автор: Hiroaki Kyogoku,Daijiroh SUMINO. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor laser wavelength control device

Номер патента: US20050105570A1. Автор: Akio Mukai,Zhigang Peng,Izumi Kawata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US20190027894A1. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method and apparatus for semiconductor laser driving capable of stably generating consistent optical pulse widths of laser diodes

Номер патента: US20050141576A1. Автор: Junichi Ikeda,Hiroaki Kyougoku. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor laser module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859679B2. Автор: Naoki Kimura. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US09735538B2. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor laser system for laser medical cosmetology

Номер патента: US09510908B2. Автор: Yao Sun,Di Wu,Xingsheng Liu,Lei CAI,Ye Dai,Hengjun ZONG,Lishun TONG. Владелец: Focuslight Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

High-power single-mode triple-ridge waveguide semiconductor laser

Номер патента: US20220368109A1. Автор: LIN ZHU,Xiaolei Zhao,Yeyu ZHU,Siwei Zeng. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor laser

Номер патента: US20060182161A1. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09766466B2. Автор: Arne Heinrich,Clemens HAGEN. Владелец: Pantec Engineering AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Testing method of semiconductor laser and laser testing device

Номер патента: US20100238426A1. Автор: Isao Baba,Makoto Sugiyama,Haruyoshi Ono. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor laser

Номер патента: US7369594B2. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090180505A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110096805A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor Laser Device

Номер патента: US20080285611A1. Автор: Tsuyoshi Fujimoto. Владелец: Optoenergy Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor laser device with an inspection window, and an inspection method therefor

Номер патента: US6553047B1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-04-22.

Semiconductor laser driving apparatus and method and image-forming apparatus

Номер патента: US20010017869A1. Автор: Takuya Takata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor laser diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09997893B2. Автор: Jaesoong LEE,Youngho SONG,Jinwoo JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

A semiconductor laser

Номер патента: WO1996024972A1. Автор: Gregory Jason Parker. Владелец: British Technology Group Limited. Дата публикации: 1996-08-15.

Forced wavelength chirping in semiconductor lasers

Номер патента: US20080175285A1. Автор: Martin Hai Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Solar-panel-based power supply system for driving semiconductor laser

Номер патента: NL2029408B1. Автор: Liu Qing,Li Ke,ZHAO Xiaolong,ZHANG Mingxia,Ling Weijun,Dong Zhong,Lu Feiping,Li Xiangbing,Xin Jianyuan. Владелец: Univ Tianshui Normal. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US7912103B2. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11967802B2. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US20070115227A1. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor laser and production method thereof

Номер патента: US20020181531A1. Автор: Masakazu Ukita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

High speed semiconductor laser driver circuits

Номер патента: WO1999001914A2. Автор: Garry N. Link. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 1999-01-14.

High speed semiconductor laser driver circuits

Номер патента: WO1999001914A3. Автор: Garry N Link. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS. Дата публикации: 1999-03-25.

Semiconductor laser array

Номер патента: EP1143584A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaaki Yuri,Masaru Kazamura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

High-powered semiconductor laser array apparatus

Номер патента: EP1146617A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaru Kazumura,Masaaki Yuri,Toru Takayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220302674A1. Автор: Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor laser driving device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor laser driving device

Номер патента: EP4027379A1. Автор: Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220190224A1. Автор: Kazuma KOZURU,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: US20200274331A1. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: US11114821B2. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US11133651B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20200244041A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Driver circuit and method for a semiconductor laser

Номер патента: US20240243547A1. Автор: Jon C. Zeisler. Владелец: Streamlight Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: EP3703200A2. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-02.

Control of current spreading in semiconductor laser diodes

Номер патента: US6931043B2. Автор: John C. Connolly,Louis A. Dimarco. Владелец: Trumpf Photonics Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Semiconductor laser element and method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20160276804A1. Автор: Takeshi Namegaya,Hirotatsu Ishii,Hidehiro Taniguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Fracture resistant metallization pattern for semiconductor lasers

Номер патента: WO2010123807A1. Автор: Chung-En Zah,Martin H Hu,Lawrence C. Hughes, Jr.,Satish C Chaparala. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor laser element and method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US09478944B2. Автор: Takeshi Namegaya,Hirotatsu Ishii,Hidehiro Taniguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor laser light source and solid-state laser apparatus

Номер патента: CA2233473C. Автор: Yasuo Oeda,Kouichi Igarashi,Kiyofumi Muro. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2001-09-25.

Semiconductor laser driving apparatus to be used for optical information recording and reproducing apparatus

Номер патента: US5018155A. Автор: Nobuo Miyairi. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-21.

Method of detecting semiconductor laser mode hopping and semiconductor laser beam source apparatus

Номер патента: US4807992A. Автор: Masaru Noguchi,Kazuo Horikawa,Ichirou Miyagawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-28.

Method of characterizing bistable semiconductor lasers

Номер патента: US5007735A. Автор: Riccardo Calvani,Renato Caponi. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1991-04-16.

Method and device for controlling a semiconductor laser

Номер патента: US5778017A. Автор: Shinichi Sato,Ichiro Shinoda,Isao Iwaguchi,Munenori Ohtsuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Semiconductor laser drive system and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090147809A1. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor laser drive system and semiconductor laser driving method

Номер патента: US7620083B2. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2009-11-17.

Method for making a high power semiconductor laser diode

Номер патента: US20080123697A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-05-29.

High power semiconductor laser diode and method for making such a diode

Номер патента: EP1547216A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Method for making a high power semiconductor laser diode

Номер патента: US20050201438A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor laser

Номер патента: US20040258120A1. Автор: Takashi Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20210005800A1. Автор: Kazuma KOZURU,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Two-level semiconductor laser driver

Номер патента: WO1999000764A2. Автор: Douglas S. Goodman,William T. Plummer,Marc Thompson,Peter P. Clark. Владелец: Polaroid Corporation. Дата публикации: 1999-01-07.

High power semiconductor laser device

Номер патента: US7466737B2. Автор: Byung Jin MA,Seong Ju Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

Method of characterizing bistable semiconductor lasers

Номер патента: CA1321484C. Автор: Riccardo Calvani,Renato Caponi. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1993-08-24.

Method and apparatus for extending and confirming the service life of semiconductor laser of bar code reader by detecting current increase corresponding to temperature of semiconductor laser

Номер патента: US5334826A. Автор: Shinichi Sato,Hiroaki Katoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-08-02.

Semiconductor laser control apparatus

Номер патента: US4888777A. Автор: Yoshinobu Takeyama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-12-19.

Laser oscillation amplifier comprising semiconductor laser shaping device

Номер патента: US20230253752A1. Автор: Huaping Zhang,Shaofeng Zhang,Xingduan Huang,Guanglei Ding,Jianyang Yang,Haocheng Hu,Chengkai Ding,Jiwu Ling. Владелец: Fujian Hitronics Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

System and method for modulating a semiconductor laser

Номер патента: US20060159139A1. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Martin Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor laser module, method of controlling a semiconductor laser beam and video display apparatus

Номер патента: US20050063436A1. Автор: Nobuyuki Nishimura,Toshitaka Yamada,Tooru Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Wavelength control in semiconductor lasers

Номер патента: US7483458B2. Автор: Jacques Gollier,Daniel Ohen Ricketts,Vikram Bhatia,Martin H. Hu,David A. Loeber,Chung-En Zah. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Driving apparatus for semiconductor laser and method for controlling driving of semiconductor laser

Номер патента: US6104736A. Автор: Kweon Kim. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US4998256A. Автор: Mitsuko Nakamura,Shigeru Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US20150236474A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor laser shaping device

Номер патента: US20210255467A1. Автор: Huaping Zhang,Shaofeng Zhang,Guanglei Ding,Jianyang Yang,Haocheng Hu,Yawei Yan,Renliang Wan. Владелец: Fujian Haichuang Photoelectric Co ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Alignment method in wavelength-converted, wavelength-modulated semiconductor lasers

Номер патента: EP2179481A1. Автор: Jacques Gollier,Dragan Pikula,Etienne Almoric,Vikram Bhatia,Daniel O Ricketts. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-04-28.

Alignment method in wavelength-converted, wavelength-modulated semiconductor lasers

Номер патента: WO2009014662A1. Автор: Jacques Gollier,Dragan Pikula,Etienne Almoric,Vikram Bhatia,Daniel O. Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor laser drive circuit with peak detection and control

Номер патента: US4701609A. Автор: Kenji Koishi,Tamotsu Matsuo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-10-20.

Semiconductor laser structures

Номер патента: CA1295722C. Автор: Leslie David Westbrook,Michael John Adams. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1992-02-11.

Excessive current input suppressing semiconductor laser light emitting circuit

Номер патента: US20080225916A1. Автор: Junichi Ikeda,Hiroaki Kyougoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Circular polarization spin semiconductor laser using magnetic semiconductor and laser beam generating method

Номер патента: EP1478066A4. Автор: Kazunori Sato,Hiroshi Yoshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-12-13.

Radiant beam combining of multiple multimode semiconductor laser diodes for directional laser beam delivery applications

Номер патента: US11973319B2. Автор: Augustinas VIZBARAS,Kristijonas Vizbaras,Edgaras Dvinelis. Владелец: Uab Brolis Semiconductors. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

Semiconductor laser modulation control system

Номер патента: CA1281075C. Автор: Hiroshi Nishimoto,Naoki Kuwata,Tadashi Okiyama,Yasunari Arai,Takashi Touge. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-03-05.

Focusing optical system for semiconductor lasers

Номер патента: US5465178A. Автор: Koji Ishikawa,Tsuyoshi Sato,Sadao Nakai,Kimiaki Yamamoto,Masanobu Yamanaka,Mikihiko Terashima. Владелец: Kimnon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-07.

Semiconductor laser control device

Номер патента: US5138623A. Автор: Hidetoshi Ema,Masaaki Ishida. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-11.

Semiconductor laser device

Номер патента: GB2304993A. Автор: Jeremy Burroughes,Angus North. Владелец: Toshiba Cambridge Research Centre Ltd. Дата публикации: 1997-03-26.

Buried type semiconductor laser device

Номер патента: US4908830A. Автор: Toshihiko Yoshida,Haruhisa Takiguchi,Hiroaki Kudo,Shinji Kaneiwa,Sadayoshi Matsui. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-03-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4430741A. Автор: Susumu Takahashi,Michiharu Nakamura,Tadashi Fukuzawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-02-07.

Semiconductor laser device, and optical pickup apparatus using the device

Номер патента: US20030123499A1. Автор: Toshio Takeuchi,Koji Yamashita,Susumu Ishida,Kiyoaki Tsumura,Kenji Kan,Kenji Ohgiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20110228034A1. Автор: Hiroaki Kyogoku. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Signs-of-deterioration detector for semiconductor laser

Номер патента: US20130056621A1. Автор: Takeshi Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of and apparatus for controlling wavelength variable semiconductor laser without preparing a high-precision current table

Номер патента: US20040008743A1. Автор: Tetsuya Nishimura,Yoshihito Hirano,Mitsunobu Gotoda,Masao Imaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20120201262A1. Автор: Christoph Eichler,Marc Schillgalies,Teresa Lermer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-09.

Edge-emitting semiconductor laser

Номер патента: US8625648B2. Автор: Christoph Eichler,Marc Schillgalies,Teresa Lermer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-01-07.

Method to drive semiconductor laser diode and method to assemble optical transceiver implemented with the same

Номер патента: US20130272331A1. Автор: Kentaro Kitagawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF PRODUCING SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20150099317A1. Автор: TAKEDA Kazutaka,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-09.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20160248228A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi,JOGAN Naoki. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-08-25.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20140022326A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,NAKAYAMA Hideo. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20140023380A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20160064899A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,SAKURAI Jun,HAYAKAWA Junichiro,MURAKAMI Akemi,JOGAN Naoki. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2016-03-03.

Surface emitting semiconductor laser array and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100428253B1. Автор: 김성우,손정환. Владелец: (주)옵토웨이. Дата публикации: 2004-04-28.

Surface emitting semiconductor laser with light receiver, manufacturing method, and sensor using the same

Номер патента: DE69600713T2. Автор: Takeo Kaneko,Katsumi Mori,Takayuki Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-04-15.

Heterostructure semiconductor laser diode

Номер патента: US4794610A. Автор: Werner Schairer,Jochen Gerner. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1988-12-27.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070058687A1. Автор: Masaya Mannoh,Toshiya Fukuhisa,Tsutomu Ukai,Yoshiyuki Matsuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090080483A1. Автор: Kenji Yoshikawa,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor laser

Номер патента: US20190273362A1. Автор: Christian Lauer,Tomasz Swietlik. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-05.

Method and apparatus for efficient operation of a solid-state laser optically pumped by an unstable resonator semiconductor laser

Номер патента: WO1993022809A1. Автор: Brian Baird,Richard DeFreez. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 1993-11-11.

Distributed feedback semiconductor laser element and method for making the same

Номер патента: US20010039069A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Kiyoshi Takei,Kiyofumi Chikuma,Nong Chen. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Branching optical waveguide for an index-guided semiconductor laser device

Номер патента: US4752932A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-06-21.

Semiconductor laser

Номер патента: US20050207462A1. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020196828A1. Автор: Shinji Abe,Tetsuya Yagi,Harumi Nishiguchi,Nobuyuki Kasai,Junji Tanimura,Yoshihisa Tashiro,Motoharu Miyashita,Yuji Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20040101010A1. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Semiconductor laser device with multi-dimensional-photonic-crystallized region

Номер патента: US7248612B2. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-24.

Semiconductor laser

Номер патента: US5715266A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20100220759A1. Автор: Masahide Kobayashi,Kenji Endo,Kentaro Tada,Tetsuro Okuda,Kazuo Fukagai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1037342A3. Автор: Masato Ishino,Yoshiaki Nakano,Masahiro Kito,Tomoaki Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240291241A1. Автор: Takahiro Nakamura,Yasuhiko Arakawa,Jinkwan Kwoen,Masahiro Kakuda. Владелец: Aio Core Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser array

Номер патента: US4694461A. Автор: Saburo Yamamoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya,Seiki Yano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-09-15.

Edge emitter semiconductor laser type of device with end segments for mirrors protection

Номер патента: US09755402B2. Автор: Iulian Basarab Petrescu-Prahova. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-05.

Optical information recording/reproducing apparatus supplying a smaller high-frequency current to a first semiconductor laser for generating a light beam to record information than to a second semiconductor laser for reproducing recorded information

Номер патента: US5781222A. Автор: Akira Miyashita,Takeshi Yamawaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Semiconductor laser device including columns of semiconductor lasers with non-central light emitting regions

Номер патента: US5636235A. Автор: Yasunori Miyazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20020146857A1. Автор: Jun Ichihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-10-10.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US8551797B2. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-08.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20130217157A1. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US8228966B2. Автор: Masahide Kobayashi,Kenji Endo,Kentaro Tada,Tetsuro Okuda,Kazuo Fukagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Semiconductor laser with a lattice structure

Номер патента: US20040072379A1. Автор: Alfred Forchel,Martin Kamp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Distributed Feedback Semiconductor Laser Based on Reconstruction-Equivalent-Chirp Technology and the Manufacture Method of the Same

Номер патента: US20090010295A1. Автор: Xiangfei Chen. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor Laser Pumped molecular gas lasers

Номер патента: US5506857A. Автор: Richard A. Meinzer. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1996-04-09.

Phase-locked semiconductor laser device

Номер патента: CA1190635A. Автор: Takashi Kajimura,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda,Hisao Nakashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-07-16.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US4648096A. Автор: Kazuo Sakai,Yuichi Matsushima,Shigeyuki Akiba,Katsuyuki Utaka. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1987-03-03.

Semiconductor laser with non-absorbing mirror facet

Номер патента: CA1206572A. Автор: Dan Botez. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1986-06-24.

Semiconductor laser

Номер патента: US4961196A. Автор: Kenji Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-10-02.

Complex-coupled distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US20070053404A1. Автор: Toshihiko Makino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-08.

Arrangement comprising a semiconductor laser diode

Номер патента: CA1157930A. Автор: Giok D. Khoe,Christiaan H.F. Velzel. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1983-11-29.

Semiconductor laser with aperiodic photonic lattice

Номер патента: WO2008012527A1. Автор: Alexander Giles Davies,Edmund Harold Linfield,Subhasish Chakraborty. Владелец: UNIVERSITY OF LEEDS. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1125898A. Автор: Ryoichi Ito,Satoshi Nakamura,Kunio Aiki,Naoki Chinone,Atsutoshi Doi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-06-15.

Method of making a semiconductor laser

Номер патента: US5045500A. Автор: Tetsuya Yagi,Shigeru Mitsui,Ryo Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-09-03.

Heterostructure semiconductor laser diode

Номер патента: US4796268A. Автор: Werner Schairer. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1989-01-03.

Long semiconductor laser cavity in a compact chip

Номер патента: EP2643907A1. Автор: Alex Behfar,Cristian Stagarescu. Владелец: BinOptics LLC. Дата публикации: 2013-10-02.

Edge-emitting semiconductor laser and method for the production thereof

Номер патента: US20160141837A1. Автор: Harald KÖNIG,Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09793681B2. Автор: Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09660415B2. Автор: Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09948060B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of packaging a semiconductor laser and photosensitive semiconductor device

Номер патента: US4877756A. Автор: Isamu Yamamoto,Jiro Fukushima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-10-31.

Semiconductor laser module and semiconductor laser

Номер патента: EP4235987A1. Автор: Ning Li,Ziwei Wang,Huixuan HU,Mengdi WU,Kunzhong LU,Dapeng Yan. Владелец: Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor laser driving device and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090232174A1. Автор: Junichi Furukawa,Kiyoshi Tateishi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor laser module and three-dimensional laminating and shaping apparatus

Номер патента: US20180231724A1. Автор: Hajime Mori,Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Technology Research Association for Future Additive Manufacturing (TRAFAM). Дата публикации: 2018-08-16.

Wavelength normalization in phase section of semiconductor lasers

Номер патента: WO2010002471A1. Автор: Dragan Pikula,Martin H Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030202551A1. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7113532B2. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-26.

Semiconductor laser, light source device, image forming apparatus, image display device, object device, and colored-light generation method

Номер патента: EP3449539A1. Автор: Kohji Sakai,Miho HIGUCHI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-06.

Method for controlling a semiconductor-laser-diode-based ss- interferometer system

Номер патента: US20220244178A1. Автор: Thomas Pabst,Manfred Dick,Roland Bergner,Ralf Ebersbach,Rainer Leitgeb. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor laser, light source device, image forming apparatus, image display device, object device, and colored-light generation method

Номер патента: WO2017188100A1. Автор: Kohji Sakai,Miho HIGUCHI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-11-02.

Process for the production of a semiconductor laser with tape geometry and laser obtained by this process

Номер патента: US4742013A. Автор: Louis Menigaux. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-05-03.

Semiconductor laser structure

Номер патента: US09653382B2. Автор: Jui-Ying Lin,Chia-Hsin Chao,Yao-Jun Tsai,Yen-Hsiang Fang,Yi-Chen Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-05-16.

Device comprising a high brightness broad-area edge-emitting semiconductor laser and method of making the same

Номер патента: US09705285B2. Автор: Dieter Bimberg,Vladimir Kalosha. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20150023380A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor laser diode device

Номер патента: US20080049803A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Katsumi Kishino,Shigehisa Tanaka,Tsukuru Ohtoshi,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor laser

Номер патента: US9099841B2. Автор: Satoshi Uchida,Tsutomu Ishikawa,Tsuguki Noma,Miroru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-08-04.

Semiconductor laser including N-doped quaternary layer

Номер патента: US20030086458A1. Автор: Kenneth Bacher. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor laser

Номер патента: US09407065B2. Автор: Shigeyuki Takagi,Takayoshi Fujii,Akira Maekawa,Yasutomo Shiomi,Hidehiko Yabuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220346288A1. Автор: Masayuki Nagao,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Solid-state laser apparatus excited by laser light from semiconductor laser unit having increased resonator length

Номер патента: US6795475B1. Автор: Yoji Okazaki,Hisashi Ohtsuka. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-21.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4040615A1. Автор: Masayuki Nagao,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Bulk avalanche semiconductor laser

Номер патента: WO1989003602A1. Автор: Stephen J. Davis,Larry O. Ragle. Владелец: Power Spectra, Inc.. Дата публикации: 1989-04-20.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20140211821A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Koenig,Christian Lauer,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor laser and method of producing the same

Номер патента: US20020080837A1. Автор: Minoru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1130721A3. Автор: Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA,Mikihiro The Furukawa Electric Co. Ltd. Yokozeki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09564739B2. Автор: Tsuguki Noma,Minoru Akutsu,Yoshito NISHIOKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Wavelength control in wavelength selective, phase, and gain regions of semiconductor lasers

Номер патента: US20080089370A1. Автор: Jacques Gollier,Daniel Ohen Ricketts,Vikram Bhatia,David August Sniezek Loeber,Martin Hai Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11962123B2. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240154385A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210143607A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor laser drive device and method for manufacturing same

Номер патента: EP3783759A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-02-24.

Wavelength control in wavelength selective, phase, and gain regions of semiconductor lasers

Номер патента: WO2008048474A1. Автор: Jacques Gollier,Vikram Bhatia,Martin H. Hu,David A. Loeber,Daniel O. Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-24.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20120263205A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Koenig,Christian Lauer,Guenther Groenninger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor laser device and a method of growing a semiconductor laser device

Номер патента: US5828685A. Автор: Geoffrey Duggan. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Semiconductor laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050121680A1. Автор: Ki Kim,Yong Baek,Chul Lee,Jung Song. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020187576A1. Автор: Tetsuya Hosoda. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20030092211A1. Автор: Tetsuya Hosoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20010015991A1. Автор: Akihiko Kasukawa,Mikihiro Yokozeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor laser and method of producing the same

Номер патента: US6683899B2. Автор: Minoru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-01-27.

Light source arrangement having a plurality of semiconductor laser light sources

Номер патента: US9822935B2. Автор: Martin Daniels. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor laser optical waveguide telecommunications module and method of making

Номер патента: EP1192518A2. Автор: Dana C. Bookbinder. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-04-03.

Semiconductor laser device, and image display device

Номер патента: US20080192787A1. Автор: Kiminori Mizuuchi,Kazuhisa Yamamoto,Shinichi Kadowaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor laser apparatus for optical head

Номер патента: CA1277406C. Автор: Yoshiyuki Matsumoto,You Yoshitoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1990-12-04.

Method of fabricating semiconductor laser device using the light generated by the laser to disorder its active layer at the end surfaces thereby forming window regions

Номер патента: US5171707A. Автор: Kazuhisa Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Two-wavelength semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050224837A1. Автор: Chong Koh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device

Номер патента: US6377597B1. Автор: Toshiyuki Okumura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Two-wavelength semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7071497B2. Автор: Chong Mann Koh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-04.

Method of fabricating semiconductor laser device

Номер патента: CA2051254A1. Автор: Kazuhisa Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-03-14.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7016386B2. Автор: Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-03-21.

Semiconductor laser element and laser device using the same element

Номер патента: CA2106562C. Автор: YOSHIKAZU Yamada,Yuji Yoshida,Tsuyoshi Fujimoto,Shoji Ishizaka,Kiyofumi Muro. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 1999-05-04.

Optical amplifier using semiconductor laser as multiplexer

Номер патента: US5235604A. Автор: Koyu Chinen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Semiconductor laser device and method of manufacture

Номер патента: GB1476118A. Автор: . Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-06-10.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5282218A. Автор: Yukie Nishikawa,Kazuhiko Itaya,Koichi Nitta,Genichi Hatakoshi,Masaki Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-01-25.

Semiconductor laser with low beam divergence

Номер патента: US5815521A. Автор: Daryoosh Vakhshoori,William Scott Hobson. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

Semiconductor laser

Номер патента: CA1241422A. Автор: Adriaan Valster,Lambertus J. Meuleman. Владелец: Uniphase Opto Holdings, Inc.. Дата публикации: 1988-08-30.

Semiconductor laser, semiconductor laser set and display device

Номер патента: US10429664B2. Автор: Shinichi Komura,Toshihiko FUKUMA,Ken Onoda,Youichi ASAKAWA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US8559476B2. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-15.

Semiconductor laser, semiconductor laser set and display device

Номер патента: US20180329224A1. Автор: Shinichi Komura,Toshihiko FUKUMA,Ken Onoda,Youichi ASAKAWA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor Laser Device and Semiconductor Laser Element Array

Номер патента: US20070230528A1. Автор: Akiyoshi Watanabe,Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2007-10-04.

Folded adjustable optical path in a frequency doubled semiconductor laser

Номер патента: EP2288950A1. Автор: Jacques Gollier,Etienne Almoric,Garrett A. Piech,Lawrence C. Hughes, Jr.. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Folded adjustable optical path in a frequency doubled semiconductor laser

Номер патента: WO2009151559A1. Автор: Jacques Gollier,Etienne Almoric,Garrett A. Piech,Lawrence C. Hughes, Jr.. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-12-17.

Stripe waveguide structure type semiconductor laser device and fabricating method therefor

Номер патента: US20030152122A1. Автор: Syuzo Ohbuchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Surface-emitting semiconductor light-emitting diode

Номер патента: EP2553727B1. Автор: Bernd Kloth,Torsten Trenkler,Vera Abrosimova. Владелец: JENOPTIK OPTICAL SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2021-06-09.

Surface-emitting semiconductor light-emitting diode

Номер патента: WO2011120513A1. Автор: Bernd Kloth,Torsten Trenkler,Vera Abrosimova. Владелец: JENOPTIK Polymer Systems GmbH. Дата публикации: 2011-10-06.

Bilateral cooling type semiconductor laser system for medical beauty use

Номер патента: US09510907B2. Автор: Yao Sun,Di Wu,Xingsheng Liu,Lei CAI,Ye Dai,Hengjun ZONG,Lishun TONG. Владелец: Focuslight Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Optic coupler with semiconductor laser

Номер патента: RU2752615C1. Автор: Игорь Григорьевич Кирин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Оренбургский государственный университет». Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20170219951A1. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for evenly coating semiconductor laser end faces and frame used in the method

Номер патента: US20020076943A1. Автор: Masayuki Ohta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US9983503B2. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Two-color signature simulation using mid-infrared test source semiconductor lasers

Номер патента: US09791558B2. Автор: Steven C. Tidwell. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor laser drive control apparatus

Номер патента: US20090129416A1. Автор: Tsuyoshi Moriyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Optical transmitter using surface emitting semiconductor laser as light source

Номер патента: JP4193709B2. Автор: 淳 櫻井,修 上野,秀生 中山,雅夫 舟田,勉 浜田,信也 経塚,朗 坂本,紀 高梨,昌明 三浦. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Semiconductor laser based sensing device

Номер патента: NZ511043A. Автор: Valentin Morozov,Chong Chang Mao,John K Korah,Kristina M Ohnson. Владелец: Univ Technology Corp. Дата публикации: 2003-12-19.

Gyro Employing Semiconductor Laser

Номер патента: US20080037027A1. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2008-02-14.

Gyro employing semiconductor laser

Номер патента: EP1724552B1. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2012-05-09.

Gyro employing semiconductor laser

Номер патента: US7835008B2. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2010-11-16.

Semiconductor laser and optical system having a collimator lens

Номер патента: US20020008893A1. Автор: Naotaro Nakata,Akihisa Yoshida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-24.

Scanning optical device including first semiconductor laser, second semiconductor laser, first optical sensor, and second optical sensor which are mounted on circuit board

Номер патента: US20240168402A1. Автор: Koji Abe,Junichi Yokoi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor laser control method and semiconductor laser control device

Номер патента: US20020070329A1. Автор: Kenji Koishi,Makoto Usui,Yasuhiro Ueki,Tomonori Ueno,Yutaka Osada,Toru Fujimoto,Kohjyu Konno,Yoshiyuki Miyabata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor laser light source device and optical pickup device

Номер патента: US20050047315A1. Автор: Yuichi Atarashi. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup

Номер патента: US20030142897A1. Автор: Susumu Koike,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup

Номер патента: US6941046B2. Автор: Susumu Koike,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-06.

Coherent lidar system based on semiconductor laser and amplifier

Номер патента: RU2484500C2. Автор: Христиан ПЕДЕРСЕН,Рене Сков ХАНСЕН. Владелец: Данмаркс Текниске Университет. Дата публикации: 2013-06-10.

Coupling alignment device and method for laser chip and silicon-based optoelectronic chip

Номер патента: US11803019B2. Автор: Chao Peng,Heng ZHAO,Junbo FENG. Владелец: United Microelectronics Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor laser treatment unit

Номер патента: CA1284186C. Автор: Toshio Ohshiro,Tokuharu Hayashi. Владелец: MEDICAL LASER RESEARCH Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-14.

Optical disk device and luminescent power control method for semiconductor laser

Номер патента: US20030099174A1. Автор: Hisataka Sugiyama,Masataka Ota,Masanori Matsuzaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-29.

High-power-laser chip-fabrication apparatus and method thereof

Номер патента: US20070111479A1. Автор: Chih-Ming Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor laser driving apparatus and laser scanner

Номер патента: US20020180862A1. Автор: Tadaaki Suda. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor laser module and manufacturing method therefor

Номер патента: US20110317735A1. Автор: Jun Miyokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Sensor detecting attenuated total reflection angle by using semiconductor laser unit driven with driving current on which high frequency component is superimposed

Номер патента: US20020109846A1. Автор: Masayuki Naya. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Optoelectronic device having a coupling comprising a lens and arranged between an optical transmission fiber and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5107537A. Автор: Jan W. Kokkelink,Cornelis G. Schriks,Hermanus A. van de Pas,Hendricus F. J. J. van Tongeren. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1992-04-21.

Semiconductor laser module

Номер патента: US5584569A. Автор: Chaochi Huang. Владелец: Quarton Inc. Дата публикации: 1996-12-17.

Multi-beam measuring device for 3d scanning of an environment having multiple semiconductor laser arrays and uniform beam distribution

Номер патента: EP3816661A2. Автор: Jürg Hinderling,Simon Bestler,Rainer Wohlgenannt. Владелец: HEXAGON TECHNOLOGY CENTER GMBH. Дата публикации: 2021-05-05.

Multi-beam measuring device for 3d scanning of an environment having multiple semiconductor laser arrays and uniform beam distribution

Номер патента: EP3816661A3. Автор: Jürg Hinderling,Simon Bestler,Rainer Wohlgenannt. Владелец: HEXAGON TECHNOLOGY CENTER GMBH. Дата публикации: 2021-09-29.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: US20040215176A1. Автор: Jong-Yoon Bahk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor laser module

Номер патента: US5751877A. Автор: Tetsuo Ishizaka,Manabu Komiyama,Noboru Sonetsuji,Toshio Ohya,Shunichi Satoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-05-12.

Method for coupling semiconductor laser with optical fiber

Номер патента: US5087109A. Автор: Osamu Kato,Satoshi Ishizuka,Kazuro Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1992-02-11.

Optical head using semiconductor laser array as light source

Номер патента: US5289313A. Автор: Kazuhiko Matsuoka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-02-22.

Optical data recording/reproduction apparatus for use with semiconductor lasers as a light source

Номер патента: US5337302A. Автор: Kiyoshi Yokomori,Masami Emoto,Hiroshi Gotoh. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Semiconductor laser source optical reading head and device for reading by reflection an information carrier incorporating such a head

Номер патента: CA1155218A. Автор: Claude Bricot,Louis Arquie,Michel Thirouard. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1983-10-11.

Clamping jig for semiconductor laser bars

Номер патента: US20050000451A1. Автор: Hiroshi Inada,Nobuyuki Mitsui. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Surface emitting semiconductor laser element, surface emitting semiconductor laser array, surface emitting semiconductor laser beam scanner, surface emitting laser beam recording apparatus, and laser recording method

Номер патента: JP3677883B2. Автор: 将央 山本,泉 岩佐,朗 坂本,茂行 大竹. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-03.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION APPARATUS, AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20120170084A1. Автор: TAKEDA Kazutaka,NAKAYAMA Hideo. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-05.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMITTER, AND INFORMATION PROCESSOR

Номер патента: US20130188659A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-25.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION DEVICE, AND INFORMATION PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20130188993A1. Автор: Kondo Takashi,TAKEDA Kazutaka,NAKAYAMA Hideo. Владелец: FUJI XEROX CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-25.

Surface emitting semiconductor laser device manufacturing method, surface emitting semiconductor laser device, and optical transmission system

Номер патента: JP4141172B2. Автор: 彰浩 伊藤. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-27.

Electrode structure for surface emitting semiconductor laser and surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4363394B2. Автор: 淳史 佐藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-11-11.

Surface emitting semiconductor laser element, its manufacturing method, surface emitting semiconductor laser array, light transmitting module, light transmitting and receiving module and optical communication system

Номер патента: JP2003101140A. Автор: Akihiro Ito,Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Takashi Takahashi,俊一 佐藤,彰浩 伊藤,直人 軸谷,孝志 高橋,Morimasa Uenishi,盛聖 上西. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-04.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE IN WHICH AN EDGE-EMITTING LASER IS INTEGRATED WITH A DIFFRACTIVE OR REFRACTIVE LENS ON THE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

Номер патента: US20120183007A1. Автор: . Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

SEMICONDUCTOR LASER DEVICE IN WHICH AN EDGE-EMITTING LASER IS INTEGRATED WITH A REFLECTOR TO FORM A SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

Номер патента: US20120195336A1. Автор: Fang Rui Yu,Roggero Guido Alberto,Morello Giuliana,Paoletti Roberto,Agresti Michele. Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-08-02.

SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, SEMICONDUCTOR LASER MODULE, AND NON-LINEAR OPTICAL DEVICE

Номер патента: US20120320447A1. Автор: TAKAKI Keishi,ISHII Hirotatsu,IWAI Norihiro,OOTOMO Shinya. Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-20.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: AU2002250958A1. Автор: Markus-Christian Amann,Markus Ortsiefer. Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2002-08-28.

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE IN WHICH AN EDGE-EMITTING LASER IS INTEGRATED WITH A DIFFRACTIVE LENS, AND A METHOD FOR MAKING THE DEVICE

Номер патента: US20120281727A1. Автор: Fang Rui Yu,Roggero Guido Alberto,Tallone Luigi. Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-11-08.

Manufacturing method for surface-emitting semiconductor element, and semiconductor laser device using the element

Номер патента: JP2001168451A. Автор: Toshiro Hayakawa,利郎 早川. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-22.

Semiconductor distributed Bragg reflector, surface emitting semiconductor laser, optical transmission module, optical transmission / reception module, and optical communication system using the same

Номер патента: JP4046466B2. Автор: 俊一 佐藤,直人 軸谷. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-13.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL RECORDING HEAD, AND OPTICAL RECORDING APPARATUS

Номер патента: US20120072931A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER COMPONENT HAVING A VERTICAL EMISSION DIRECTION

Номер патента: US20120134382A1. Автор: . Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-05-31.

OPTICALLY-PUMPED SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER WITH HEAT-SPREADING COMPOUND MIRROR-STRUCTURE

Номер патента: US20120269216A1. Автор: . Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2012-10-25.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3666444B2. Автор: 貴幸 近藤,克己 森,淳史 佐藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-29.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2005093634A. Автор: Takashi Hara,敬 原. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Surface emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3188658B2. Автор: 康宏 小林. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2001-07-16.

Manufacturing method of surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP3876886B2. Автор: 淳 櫻井,秀生 中山,朗 坂本. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-07.

Surface emitting semiconductor laser manufacturing method and electronic device manufacturing method

Номер патента: JP3876910B2. Автор: 啓修 成井,義昭 渡部,嘉幸 田中,義則 山内,勇一 黒水. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-07.

Surface emitting semiconductor laser and optical encoder using the same

Номер патента: JP3122710B2. Автор: 英二 山本,岩男 駒崎,栄 橋本,賢治 村上,博志 宮島,正孝 伊藤. Владелец: Olympus Optic Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-09.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4561042B2. Автор: 育昌 宮本. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-13.

Long wavelength surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4722404B2. Автор: 博之 鈴木,義孝 大礒,学 満原,航太 浅香. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Surface emitting semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4821961B2. Автор: 亮次 石井,秀生 中山,朱実 村上,靖章 桑田,尚孝 向山. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5087874B2. Автор: 誠也 大森. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: JPH10200200A. Автор: Yukio Furukawa,幸生 古川. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-07-31.

Surface-emitting semiconductor laser having dielectric dbr mirror and its manufacturing method

Номер патента: JP2007250669A. Автор: Kenichiro Yashiki,健一郎 屋敷. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP3802465B2. Автор: 圭児 高岡,亨彦 西垣,玄一 波多腰,瑞仙 江崎. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-26.

Surface emitting semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3075824B2. Автор: 徹 石川,晃 茨木,浩太郎 古沢,輝明 三宅. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-14.

Surface emitting semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3546630B2. Автор: 育昌 宮本. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP5181420B2. Автор: 伸行 光井. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Surface emitting semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4892941B2. Автор: 誠也 大森. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-07.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4915197B2. Автор: 将央 山本,昌宏 吉川,崇 近藤. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-11.

Outer-cavity high-power photonic-crystal vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser with three active areas

Номер патента: CN201435526Y. Автор: 刘英明,王宝强,徐晨,王春霞,阚强,解意洋. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-03-31.

Green light vertical cavity surface emitting semiconductor laser

Номер патента: CN211556423U. Автор: 李林,乔忠良,李再金,曾丽娜,曲轶,彭鸿雁. Владелец: Hainan Normal University. Дата публикации: 2020-09-22.

Surface emitting semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5151317B2. Автор: 淳 櫻井,昌宏 吉川. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-27.

Surface emitting semiconductor laser array

Номер патента: JPH11261162A. Автор: Takeo Kaneko,Takayuki Kondo,貴幸 近藤,Takeshi Kaneko,剛 金子,丈夫 金子. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-09-24.

Manufacturing method of surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: JP4931304B2. Автор: 俊一 佐藤,彰浩 伊藤,直人 軸谷,孝志 高橋,盛聖 上西. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-16.

Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4205208B2. Автор: 則広 岩井,智一 向原. Владелец: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2009-01-07.

Surface-Emitting Semiconductor Light-Emitting Diode

Номер патента: US20130026447A1. Автор: Kloth Bernd,Abrosimova Vera,Trenkler Torsten. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

METHOD FOR PRODUCING SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120094408A1. Автор: ONISHI Yutaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-19.

Vertical Surface Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20130016746A1. Автор: Kiesel Peter,Martini Joerg,Chua Christopher L.,Johnson Noble M.,STRITTMATTER André. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of making semiconductor laser device

Номер патента: CA2103716C. Автор: Hitoshi Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-12-12.

Semiconductor laser driver

Номер патента: RU2529053C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Геннадий Андреевич Гаврилов,Галина Юрьевна Сотникова,Александр Леонович Тер-Мартиросян. Владелец: Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы". Дата публикации: 2014-09-27.

Method of determining amplitude of nanovibrations from spectrum of frequency-modulated semiconductor laser autodyne

Номер патента: RU2520945C1. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Анатолий Владимирович Скрипаль,Елисей Игоревич Астахов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2014-06-27.

Semiconductor laser unit and its manufacturing process

Номер патента: RU2262171C2. Автор: Хироаки МАТСУМУРА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2005-10-10.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2153745C1. Автор: И.Д. Залевский,В.В. Безотосный. Владелец: Безотосный Виктор Владимирович. Дата публикации: 2000-07-27.

Method of heat removal from heat dissipating electronic components on basis of use of semiconductor lasers

Номер патента: RU2562742C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Тимур Декартович Нежведилов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor laser (versions)

Номер патента: RU2529450C2. Автор: Борис Николаевич Звонков,Александр Алексеевич Дубинов,Владимир Яковлевич Алешкин,Сергей Михайлович Некоркин,Михаил Николаевич Колесников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН). Дата публикации: 2014-09-27.

Optically pumped semiconductor laser

Номер патента: RU2047935C1. Автор: А.А. Чельный. Владелец: Акционерное общество "Сигма-Плюс". Дата публикации: 1995-11-10.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2535649C1. Автор: Андрей Владимирович Крюков,Андрей Георгиевич Шаврин,Владимир Анатольевич Токарев,Борис Николаевич Звонков,Александр Алексеевич Дубинов,Владимир Яковлевич Алешкин,Сергей Михайлович Некоркин. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2014-12-20.

Distributed feedback and distributed bragg reflector semiconductor lasers

Номер патента: SG139547A1. Автор: Chua Soo Jin,Teng Jinghua,DONG Jianrong. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2008-02-29.

Method for passivation and protection of resonator end faces of semiconductor lasers

Номер патента: RU2421856C1. Автор: Сергей Олегович Слипченко,Илья Сергеевич Тарасов,Никита Александрович Пихтин,Татьяна Андреевна Налет,Сергей Олегович Слипченко (RU),Илья Сергеевич Тарасов (RU),Никита Александрович Пихтин (RU),Татьяна Андреевна Налет (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Эльфолюм". Дата публикации: 2011-06-20.

Pulse amplifier suitable for use in the semiconductor laser driving device

Номер патента: CA1275149C. Автор: Kazuhiro Suzuki,Masakazu Mori,Takashi Tsuda,Kazuo Yamane,Yoshinori Ohkuma. Владелец: . Дата публикации: 1990-10-09.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2119704C1. Автор: В.В. Безотосный. Владелец: Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН. Дата публикации: 1998-09-27.

Injection semiconductor laser

Номер патента: RU2110874C1. Автор: Д.М. Демидов,А.Л. Тер-Мартиросян,В.П. Чалый,А.П. Шкурко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы". Дата публикации: 1998-05-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.