使用热和等离子体增强方法的选择性沉积
Номер патента: CN116065133A
Опубликовано: 05-05-2023
Автор(ы): A.伊利贝里, A.钱德拉塞卡兰, D.基亚佩, E.托伊斯, M.吉文斯, M.图米恩, V.万达隆, V.马德希瓦拉, 邓少任, 韩镕圭
Принадлежит: ASM IP Holding BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-05-2023
Автор(ы): A.伊利贝里, A.钱德拉塞卡兰, D.基亚佩, E.托伊斯, M.吉文斯, M.图米恩, V.万达隆, V.马德希瓦拉, 邓少任, 韩镕圭
Принадлежит: ASM IP Holding BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process
Номер патента: US20230143580A1. Автор: Atsuki Fukazawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-11.