MEMORY CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING A MEMORY CIRCUIT
Номер патента: US20180151244A1
Опубликовано: 31-05-2018
Автор(ы): Boch Robin, Dirscherl Gerd, Meyer Bernd, Otterstedt Jan, Peters Christian, Sonnekalb Steffen
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-05-2018
Автор(ы): Boch Robin, Dirscherl Gerd, Meyer Bernd, Otterstedt Jan, Peters Christian, Sonnekalb Steffen
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Systems and methods for sub-zero threshold characterization in a memory cell
Номер патента: US20160379718A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-12-29.