• Главная
  • METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CONDUCTIVE STRUCTURES

METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CONDUCTIVE STRUCTURES

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Conductive structures, systems and devices including conductive structures and related methods

Номер патента: US09536823B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Conductive structures, systems and devices including conductive structures and related methods

Номер патента: US9911692B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory devices, semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20190267323A1. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20160005743A1. Автор: Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device including data storage material pattern

Номер патента: US20200388758A1. Автор: Jiho Park,Hideki Horii,Gyuhwan Oh,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Jungmoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20220181207A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20210134672A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US11984359B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09530736B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor

Номер патента: US5913146A. Автор: Sailesh M. Merchant,Binh Nguyenphu. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09466697B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Sang-Jine Park,Myung-Geun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583594B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing multilayer structured semiconductor device

Номер патента: US20040067636A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09633941B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Shu-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20210366762A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US12087620B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240096797A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Yeonggil Kim,Minjae KANG,Jayeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US20240188289A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Chi-Wei Ho,Chen-Ming Huang,Josh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Contact Pad for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170179051A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10978308B2. Автор: Masaaki Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20240098986A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20220415902A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US11871563B2. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor devices including support pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130950A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Reduced Size Semiconductor Device And Method For Manufacture Thereof

Номер патента: US20160005468A1. Автор: Ya Jui Lee,Kaun Fu Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor devices including support pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210043722A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US4425700A. Автор: Nobuo Sasaki,Motoo Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Semiconductor device interconnection pattern with rim

Номер патента: CA1203643A. Автор: Johannes A. Appels,Henricus G.R. Maas. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-04-22.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device including contacts

Номер патента: KR100301050B1. Автор: 신지철,이세형. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-20.

Structure and formation method of chip package with fan-out feature

Номер патента: US11784091B2. Автор: Cheng-Lin Huang,Jung-Hua Chang,Ling-Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425288B2. Автор: Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09666584B2. Автор: Masaaki Shinohara,Satoshi Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing solid-state imaging device

Номер патента: US20200314373A1. Автор: Noriyuki Miura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: EP1768194B1. Автор: Kunio Takeuchi,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Semiconductor structures including dual fins and methods of fabrication

Номер патента: US20120175748A1. Автор: David Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5889335A. Автор: Takashi Kuroi,Hirokazu Sayama,Maiko Sakai,Katsuyuki Horita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: USRE41696E1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6642124B1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09530848B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing a ferroelectric-capacitor memory device including recovery annealing

Номер патента: US8628981B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including a transistor with a vertical channel

Номер патента: US09837470B2. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: US09679835B2. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods of manufacturing a phase change memory device including a heat sink

Номер патента: US09431610B2. Автор: Tae-Jin Park,Yoon-Jong Song,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Display substrates, methods of manufacturing the same and display devices including the same

Номер патента: US09806137B2. Автор: Sung-Ho Kim,Jong-Moo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device, method of manufacturing the same and electronic device including the device

Номер патента: US20230369489A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Parallel structure, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US11942474B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-03-26.

Parallel structure, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US20230215865A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Mram, method of manufacturing the same, and electronic device including the mram

Номер патента: US20190157345A1. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Junjie Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of manufacturing a tab semiconductor device

Номер патента: US5972739A. Автор: Koji Matsui,Yoshitsugu Funada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US4806457A. Автор: Masayuki Yanagisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-21.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of manufacturing radiation-emitting semiconductor devices

Номер патента: US5358897A. Автор: Adriaan Valster,Coen T. H. F. Liedenbaum. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US09466765B1. Автор: Tae Hun Kim,Yong Seok Kim,Yeon Ji Kim,Ju Heon YOON,Tae Kang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Dry etching method of manufacturing semiconductor light emitting device substrate

Номер патента: US09748441B2. Автор: Kei Shinotsuka,Kotaro Dai,Yoshihisa Hatta,Yasuhito KAJITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502525B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Kenji Imanishi,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09799580B2. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09472522B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09418952B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Packaged semiconductor device with a lead frame and method for forming

Номер патента: US09640466B1. Автор: Varughese Mathew,Sheila Chopin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A3. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US12125716B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Electronic device having quantum dots and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601340B2. Автор: Jaesoong LEE,Hyoin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US10854773B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu,Kazushige IGARASHI. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20170372894A1. Автор: Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Yukinori Aburatani,Shin Hiyama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-28.

Power device including a field stop layer

Номер патента: US09685335B2. Автор: Young-Chul Kim,Bong-Yong Lee,Kyu-Hyun Lee,Young-Chul Choi,Kyeong-Seok Park. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130001549A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09640658B2. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170200805A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716159B1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods of Forming Integrated Circuit Devices Having Different Gate Electrode Cross Sections

Номер патента: US20100144134A1. Автор: Dae-Joong Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09450096B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Trench MOSFET with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US10832915B2. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170012111A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20190115218A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of preparing active silicon regions for cmos or other devices

Номер патента: US20090170279A1. Автор: Willy Rachmady,Peter L. D. Chang,Seiyon Kim,Ibrahim Ban. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of FinFET formation

Номер патента: US09660058B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20180012815A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170278763A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Method of forming device and package structure

Номер патента: US11929322B2. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040287B2. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614B1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-13.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Method of manufacturing a lateral semiconductor device

Номер патента: EP1914797B1. Автор: Puo-Yu Chiang,Shun-Liang Hsu,Tsung-Yi Huang,Ruey-Hsien Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Method of manufacturing base for semiconductor device

Номер патента: JPS5270764A. Автор: Tokuo Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-06-13.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US11950400B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Semiconductor nanocrystal particles and devices including the same

Номер патента: US12060510B2. Автор: Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Dae Young Chung,Hyun A Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor nanocrystal particles and devices including the same

Номер патента: US20230272277A1. Автор: Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Dae Young Chung,Hyun A Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8697466B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Photovoltaic cell device and manufacturing method of template thereof

Номер патента: US20210313180A1. Автор: Sheng-Hui Chen,Bo-Huei Liao,Shao-Ze Tseng. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2021-10-07.

Quantum dots and devices including the same

Номер патента: US20240254388A1. Автор: Sung Woo Kim,Eun Joo Jang,Tae Hyung Kim,Yuho WON,Jeong Hee Lee,Jin A Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Power device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140312382A1. Автор: Young-Chul Kim,Bong-Yong Lee,Kyu-Hyun Lee,Young-Chul Choi,Kyeong-Seok Park. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240038891A1. Автор: Hyangsook LEE,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200274332A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2019020871A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11824118B2. Автор: Hyangsook LEE,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: WO2019020869A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3796393A1. Автор: Hyangsook LEE,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-24.

Electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210083121A1. Автор: Hyangsook LEE,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US09525040B2. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE DEVICE

Номер патента: US20210074857A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE DEVICE

Номер патента: US20180097065A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE DEVICE

Номер патента: US20180097111A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE DEVICE

Номер патента: US20190279980A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device, method of manufacturing the same and electronic device including the device

Номер патента: US10833193B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-11-10.

Multiple well device and process of manufacture

Номер патента: US5698458A. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ming-Tzong Yang,Sun-Chieh Chien,Chung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180097106A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: US7682906B2. Автор: Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Han-mei Choi,Young-Geun Park,Se-hoon Oh,Sun-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20190252366A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230369502A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Cheng-Yen Wen,Shao-Yang Ma,Chil-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Structure and formation method of chip package with through vias

Номер патента: US20210066179A1. Автор: Cheng-Lin Huang,Jung-Hua Chang,Ling-Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233563A1. Автор: Yasuyuki Sakaguchi,Akihiko Sugai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-09-29.

Method of manufacturing integrated circuit using etching process

Номер патента: US20230110643A1. Автор: JungHwan UM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130237043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Noriaki Tsuchiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Electronic device including a vertical conductive structure

Номер патента: US09490358B2. Автор: Gordon M. Grivna,Gary H. Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Separator, method of manufacturing the separator, and electrochemical device including the separator

Номер патента: EP4379883A1. Автор: Tae Wook Kwon,Heung Taek Bae. Владелец: SK IE Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Composite separator, method of manufacturing the same, and electrochemical device including the same

Номер патента: EP4178022A1. Автор: Yun Bong Kim,Sang Yoon Ji. Владелец: SK IE Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

Separator, method of manufacturing the separator, and electrochemical device including the separator

Номер патента: US12021257B2. Автор: Tae Wook Kwon,Heung Taek Bae. Владелец: SK IE Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200235265A1. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170179277A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812534B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing support structures for lighting devices and corresponding device

Номер патента: US20180062054A1. Автор: Lorenzo Baldo,Alessio Griffoni,Federico Poggi. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080662B2. Автор: Donghyun Lee,Eui Jeong KANG,Sanghyeon Song,Heeju WOO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Display device and method of manufacturing display device

Номер патента: US20240234634A1. Автор: Jin Woo Choi,Dae ho Song,Hyung Il Jeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing an organic EL display device

Номер патента: US09997742B2. Автор: Masumi Nishimura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Organic light emitting display devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09985080B2. Автор: Jun-Ho Choi,Jin-Koo Chung,Young-woo Song,Eun-Kyoung Nam. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12142587B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Methods of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20140004680A1. Автор: Seong-Ho EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Optical device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7233718B2. Автор: Young-hun Kim,Seong-Mo Hwang,Seung-ho Nam,Young-Chan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-19.

Optical device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050169593A1. Автор: Young-hun Kim,Seong-Mo Hwang,Seung-ho Nam,Young-Chan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09525072B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Display Device Having Touch Sensors and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20190179440A1. Автор: Seong-Joo Lee,Jung-Sun Beak,Jung-ho Bang,Seung-hee Nam. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Organic light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170104179A1. Автор: Setsuo Kobayashi. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Organic light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728745B2. Автор: Setsuo Kobayashi. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of Manufacturing flash memory device

Номер патента: US20080081451A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244838A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US20200035696A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-30.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09557599B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Seong-Min Kim,Young-woo Song,Sang-Hoon Yim,Kwan-Hyun Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device

Номер патента: US10586861B2. Автор: Tim BOETTCHER,Soenke Habenicht,Steffen Holland,Stefan Berglund. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-03-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230055755A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Module arrangement for power semiconductor devices

Номер патента: US09601399B2. Автор: Munaf Rahimo,Hamit Duran. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices having a supporter and methods of fabricating the same

Номер патента: US09601494B2. Автор: Seung-Jun Lee,Dae-Ik Kim,Young-Seung Cho,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: US09520494B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20190123194A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Trench MOSFET with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US10825926B2. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of manufacturing point contact semiconductor devices

Номер патента: US3127659A. Автор: John V Jenkinson. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1964-04-07.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

High stack 3D memory and method of making

Номер патента: US09666590B2. Автор: Johann Alsmeier,Henry Chien,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: TW201145361A. Автор: Hitoshi Kuribayashi,Ayako YAJIMA,Akihiko Ohi,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-16.

Cascaded bipolar junction transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230402532A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Image sensor, method of manufacturing image sensor, and electronic device including image sensor

Номер патента: EP4184583B1. Автор: Seokho YUN,Hongkyu PARK,Seaum KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

High power light emitting device and method of making the same

Номер патента: US09997669B2. Автор: Motonobu Takeya,Chung Hoon Lee,Michael Lim,Chang Ik IM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Flexible display device and method of controlling the same

Номер патента: US09570042B2. Автор: Tae-eun Kim,Woo-Suk Jung,Soon-Ryong Park,Chul-Woo Jeong,Jung-Ho So. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing a monolithic ceramic electronic device

Номер патента: US5769985A. Автор: Hiroyuki Kawakami,Yoshiaki Kohno,Noriyuki Kubodera. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-23.

Method of manufacturing a monolithic ceramic electronic device

Номер патента: US5985068A. Автор: Hiroyuki Kawakami,Yoshiaki Kohno,Noriyuki Kubodera. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-16.

Method of manufacturing liquid crystal display device

Номер патента: US20040126917A1. Автор: Heung-Lyul Cho,Seung-hee Nam,Youn-Gyoung Chang,Soon-Sung Yoo. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Solid-state imaging device and method of manufacturing solid-state imaging device

Номер патента: US20110175184A1. Автор: Kazufumi SUGAWARA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

High hole mobility transistor (hhmt) and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220199818A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088260A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Analog front end (afe) device for light-receiving sensor and method of controlling the same

Номер патента: US20240276123A1. Автор: Jun Hee Cho,Hyeong Seok SEO. Владелец: Solidvue Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Composite diode, electronic device, and methods of making the same

Номер патента: US09972798B2. Автор: Ge Jiang,Dipankar Ghosh,Rui Yang. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of fabricating white LED devices

Номер патента: US09728686B2. Автор: Min-Jung Kim,Jeong-hee Kim,Jung-Tae OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Positioning method of photoelectric conversion device, and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US09553214B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Hideyuki Kataoka,Mitsutaka Ide. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425191B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods of manufacturing semiconductor light emitting devices including patternable films comprising phosphor

Номер патента: US7591702B2. Автор: Gerald H. Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230065033A1. Автор: Si Jung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method of electronic board and multilayer wiring board

Номер патента: US20080119067A1. Автор: Tsuyoshi Shintate. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230328993A1. Автор: Sun Woo Kim,Jin Ho Bin,Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device, method of manufacturing memory device and method of operating memory device

Номер патента: US20230058213A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Weighting device, neural network, and operating method of the weighting device

Номер патента: US09767407B2. Автор: Seongho CHO,Hojung Kim,Inkyeong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Номер патента: USRE41632E1. Автор: Kwangjo Hwang,Changwook Han. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20210359001A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang,Wu-Chang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20200119091A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang,Wu-Chang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11832452B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang,Wu-Chang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11088199B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang,Wu-Chang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-10.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030398A1. Автор: Sung Won Cho,Dae ho Song,Ki Beom Lee,Soo Chul Kim,So Young YEO,Eok Yi LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of manufacturing organic light-emitting device

Номер патента: US9553267B2. Автор: Sunghwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170294622A1. Автор: Soyoung LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200343275A1. Автор: Joon Seok Park,Jun Hyung LIM,Tae Sang Kim,Yeon Keon Moon,Kyung Jin JEON,Geun Chul PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of manufacturing organic light-emitting device

Номер патента: US20160315261A1. Автор: Sunghwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US6084269A. Автор: Robert B. Davies,Chandrasekhara Sudhama. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Ferroelectric semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US5874755A. Автор: Daniel S. Marshall,William J. Ooms,Jerald A. Hallmark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-02-23.

Display device and method of manufacturing same

Номер патента: US11856830B2. Автор: Sungwoo Choi,Chulho Kim,Jihun Lee,Jungeun Lee,Namkook Kim,Hwankeon LEE,Youngkyun MOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Display Device and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20240081119A1. Автор: Sungwoo Choi,Chulho Kim,Jihun Lee,Jungeun Lee,Namkook Kim,Hwankeon LEE,Youngkyun MOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device including the device

Номер патента: US20200027879A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4937645A. Автор: Osamu Tsuchiya,Fumio Ootsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Image sensor, method of manufacturing image sensor, and electronic device including image sensor

Номер патента: EP4184583A1. Автор: Seokho YUN,Hongkyu PARK,Seaum KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11804459B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US20210249592A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device

Номер патента: US9461002B2. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230395541A1. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230422481A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240206153A1. Автор: Shuxian Wu,Huihuang TANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

C-SHAPED ACTIVE AREA SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210175365A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

C-SHAPED ACTIVE AREA SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210175366A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8450183B2. Автор: Atsushi Narazaki,Kaoru Motonami,Ryoichi Fujii,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Interdigitated capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6740922B2. Автор: Yiu-Huen Wong,Christopher D. W. Jones,Donald W. Murphy. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-05-25.

Electrically conducting poylmer glue, devices made therewith and methods of manufacture

Номер патента: US20090286097A1. Автор: Yang Yang,Jianyong Ouyang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2009-11-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210280717A1. Автор: Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Chi-Hsuan Tang,Kuang-Hsiu Chen,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230352587A1. Автор: Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Chi-Hsuan Tang,Kuang-Hsiu Chen,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10879323B2. Автор: Seul LEE,YoungGil KWON,Junhwan MOON,Jihee SON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Carrier injection control fast recovery diode structures and methods of fabrication

Номер патента: US20200105866A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: IPOWER SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11974428B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device having an optical device degradation sensor

Номер патента: EP4166957A1. Автор: Hans Reisinger,Thomas Aichinger,Andre Kabakow,Maximilian Wolfgang FEIL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20170098693A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160043235A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20190319101A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US9853105B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11791393B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US10269902B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20180122909A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210126099A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Electronic device including housing and method for manufacturing the housing

Номер патента: US12101901B2. Автор: Yoonhee Lee,Junghyun IM,Hangyu HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Resistor, method of manufacturing same, and device including resistor

Номер патента: US20240266093A1. Автор: Masahiro Kanamori. Владелец: Semitec Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems and leads with a radially segmented electrode array and methods of manufacture

Номер патента: US20130160287A1. Автор: Anne Margaret Pianca. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including an SRAM

Номер патента: US5856216A. Автор: Ryuichi Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-01-05.

Housing, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: WO2016122260A1. Автор: Byoungsoo Lee,Seungsoo Han,Youngbae JI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-08-04.

Window for display device, method of manufacturing the same and display device including the same

Номер патента: US20150064420A1. Автор: Myung An MIN,Kyong Bin JIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Reduced size semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: US09424926B2. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Silicon nitride core rib waveguides and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024186512A1. Автор: Haitao Zhang,Bin Zhu,Barry J. Paddock,Sukru Ekin Kocabas. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing micro flow path device, and micro flow path device

Номер патента: US20230285959A1. Автор: Takayuki Komori. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200225794A1. Автор: Min Soo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Method of adjusting frequency of resonation device and method of manufacturing resonation device

Номер патента: US09444466B2. Автор: Kensaku ISOHATA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Stereoscopic image display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230173801A1. Автор: Jeong Woo Park,Young Sang Ha. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Solid-state image pickup apparatus, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US8233064B2. Автор: Masao Nakamura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-07-31.

Solid-state image pickup apparatus, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US20090141165A1. Автор: Masao Nakamura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Source device and method of transmitting content

Номер патента: US09756385B1. Автор: Sung-Bo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of assigning identification codes to devices in a network

Номер патента: US20130089157A1. Автор: Kai Chi Chan,Man Yin Arthur Newton Chu. Владелец: Defond Components Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Display device and method of compensating for degradation of display device

Номер патента: US20240233664A9. Автор: Seokha Hong,Jong-Woong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Display device and method of compensating for degradation of display device

Номер патента: US12125451B2. Автор: Seokha Hong,Jong-Woong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Video display device and method of displaying video

Номер патента: US09462218B2. Автор: Eunhyung Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of setting button function for device and setting apparatus

Номер патента: US20210048977A1. Автор: Che-Ching Lien. Владелец: Tymphany Acoustic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Medical device and method of operating a medical device

Номер патента: US20230053885A1. Автор: Stefan Dietrich. Владелец: OLYMPUS Winter and Ibe GmbH. Дата публикации: 2023-02-23.

Transmission devices, receiving devices and methods of sharing data

Номер патента: US09661671B2. Автор: Chin-Ying Hsieh,Yanni HUANG,Kai-Wen Liu,Zhonge Wu. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Toe-based network interface device, method of operating the same, and server device including the same

Номер патента: US20240236211A9. Автор: Jangwoo Kim,Junehyuk Boo. Владелец: Mangoboost Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of compensating for luminance of display device

Номер патента: US12073756B2. Автор: Seunghwan Park,Sungjae Park,Jinho Lee,Namjae Lim,Kyung-Sik Joo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Toe-based network interface device, method of operating the same, and server device including the same

Номер патента: US20240137429A1. Автор: Jangwoo Kim,Junehyuk Boo. Владелец: Mangoboost Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Touch display device, method of driving the same, and timing controller

Номер патента: US12026338B2. Автор: Young Gi Kim,Jae Woo Jeon,Hae Won Lee,Woong Jin OH. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of operating nfc device and nfc device performing the same

Номер патента: EP4422231A1. Автор: Jaehun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of fabricating a micro-electromechanical fluid ejection device having enhanced actuator strength

Номер патента: US20050055829A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-03-17.

Method of operating nfc device and nfc device performing the same

Номер патента: US20240291517A1. Автор: Jaehun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Device and method of sound interference avoidance

Номер патента: US09838530B1. Автор: Michael Robustelli,Dror Moshe. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US12075713B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Multimedia device and play mode determination method of the same

Номер патента: US20120140119A1. Автор: Chun Wang,Tsui-Chin Chen,Jian-De Jiang,Hsiao-En CHANG. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-06-07.

Electronic device with flash function and driving method of flash

Номер патента: US12132997B2. Автор: Jo-Fan WU,Hui-Chi Chuang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Flat panel display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8419494B2. Автор: Dong-Won Han,Jae-ho Lee,Seung-Yong Song,Jin-ho Kwack. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11880243B2. Автор: Raesun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of manufacturing surface acoustic wave device

Номер патента: US20060005923A1. Автор: Shiro Ikeda,Satoshi Waga. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Method of handling NFC device with non-fixed low power polling number and NFC device using the same

Номер патента: US09912567B2. Автор: Alan Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory cell with improved insulating structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240206156A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE DEVICE

Номер патента: US20200280700A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

Method of adjusting frequency of resonation device and method of manufacturing resonation device

Номер патента: US20150280719A1. Автор: Kensaku ISOHATA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of manufacturing organic electroluminescence display device

Номер патента: US20130109118A1. Автор: Nobuhiko Sato,Atsushi Shiozaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Piezoelectric device, inkjet print head and method of manufacturing the same

Номер патента: US8567695B2. Автор: Seung Mo Lim,Tae Kyung Lee,Kyo Yeol Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US11950518B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Piezoelectric device, inkjet print head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130050350A1. Автор: Seung Mo Lim,Tae Kyung Lee,Kyo Yeol Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11700750B2. Автор: Seul LEE,YoungGil KWON,Junhwan MOON,Jihee SON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Installment method of fluid control body, and fluid control device including fluid control body

Номер патента: AU2021202638A1. Автор: Shinji YAMANOUCHI. Владелец: Cosmo Koki Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Installment method of fluid control body, and fluid control device including fluid control body

Номер патента: US20210364116A1. Автор: Shinji YAMANOUCHI. Владелец: Cosmo Koki Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of providing user interface of device and device including the user interface

Номер патента: US09904444B2. Автор: Kil-Su Eo,Chi-Hyun CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of operating memory controller and semiconductor storage device including memory controller

Номер патента: US09804790B2. Автор: Ho-Jun SHIM,Jun-bum PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Pixel cache, method of operating pixel cache, and image processing device including pixel cache

Номер патента: US20140204108A1. Автор: Jinhong Oh,Youngin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of operating memory controller and semiconductor storage device including memory controller

Номер патента: US20160216899A1. Автор: Ho-Jun SHIM,Jun-bum PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-28.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240249671A1. Автор: Changhun KIM,Deukgeun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of operating memory controller and data storage device including memory controller

Номер патента: US09588714B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of electrical testing

Номер патента: US20070024303A1. Автор: James Golden,Wayne Rademacher,Calvin Schumacher,Philip Seitzer,Steven Stang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-01.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Operation method of host processor and accelerator, and electronic device including the same

Номер патента: US12039360B2. Автор: Sanggyu SHIN,Yeongsik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Robust nitric oxide-releasing polymers and articles and methods of making and uses thereof

Номер патента: EP3823683A1. Автор: Hitesh Handa,Sean Hopkins. Владелец: University of Georgia. Дата публикации: 2021-05-26.

Method of repairing glass for display device

Номер патента: US20230022346A1. Автор: Jaeho Lee,Hyun-Il Cho,Mincheol Kim,Sookkyung You,Myunghun BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Device to assist in fitting a custom wheel to an automobile & methods of use thereof

Номер патента: US20100212168A1. Автор: Joseph T. Findeis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Method of tracking marker and electronic device thereof

Номер патента: US09424651B2. Автор: Jaroslaw Karciarz,Piotr Malesa,Slawomir Jozef Wojcik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240312457A1. Автор: Chanwoo Kim,Abhinav Garg,Jiyeon Kim,Dhananjaya Nagaraja GOWDA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Control method of aero wind power generation device

Номер патента: US20230250805A1. Автор: Jung Hun Choi,Dong Hyun Ha,Jae Wung Jung. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of screening non-volatile memory devices

Номер патента: US20030147294A1. Автор: Yasuhito Anzai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Foldable device, lamp and method of use thereof

Номер патента: US11774077B1. Автор: Wenfeng Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-03.

Display device and method of driving the display device

Номер патента: US20200312253A1. Автор: Won Tae Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Organic light emitting display device and method of driving the same

Номер патента: US20150070407A1. Автор: Won-Jun Lee,Gi-Chang Lee,Ji-Yeon YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Dynamic arm brace assemblies and methods of use

Номер патента: US20240307207A1. Автор: Ian Kovacevich,Sean Kaminsky,John M. Behles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Gaming system and method of gaming

Номер патента: US09576423B2. Автор: Michael A. Shai-Hee. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Display device and method of controlling therefor

Номер патента: US09460330B2. Автор: Doyoung Lee,Sinae Chun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Organic light emitting display device and method of driving the same

Номер патента: US09430966B2. Автор: Won-Jun Lee,Gi-Chang Lee,Ji-Yeon YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Fitness tracking system and method of operating the same

Номер патента: CA3174586A1. Автор: Robert Andrew Just,Antoine Neidecker. Владелец: Train Fitness Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210319838A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Osteoconductive devices and methods of use

Номер патента: US20220192842A1. Автор: Douglas Neary. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-23.

Display device and driving method of display panel

Номер патента: US09779650B2. Автор: Pei-Lin Hsieh,Hsiang-Tan Lin. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of compensating color of transparent display device

Номер патента: US09508280B2. Автор: Young-Jun Seo,Chi-O Cho,Byung-Choon Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Weight for baseball bat and method of manufacture

Номер патента: US5501450A. Автор: Timothy J. Nolan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-03-26.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Sense amplifier, method of operating the same, and volatile memory device including the same

Номер патента: US20240339151A1. Автор: Dongil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Pharmaceutical storage and retrieval system and methods of storing and retrieving pharmaceuticals

Номер патента: US09868558B2. Автор: William K. Holmes. Владелец: RXSAFE LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods of programming and sensing in a memory device

Номер патента: US10153043B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20210397362A1. Автор: Ki Woong Lee,Sang Jin Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of manufacturing floating magnetic head device

Номер патента: US5548886A. Автор: Takashi Watanabe,Akio Mishima,Naoto Kojima,Hiroyuki Takahashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Cover window, method of manufacturing cover window, and display device including cover window

Номер патента: US9994731B2. Автор: Chul Ho Jeong,Ji Hyuk IM,Young Sang Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Liquid crystal display device and method of manufacturing the liquid crystal display device

Номер патента: EP2023194A1. Автор: Satoshi Ishida,Masaaki Aota. Владелец: Epson Imaging Devices Corp. Дата публикации: 2009-02-11.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL239947A1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1984-07-16.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL136425B1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1986-02-28.

IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO METHODS OF X'v MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: AU270812B2. Автор: ADRIAAN GROENEWEGEN and NAHUM DEMIROVSKI MARTINIS. Владелец: . Дата публикации: 1964-03-05.

Methods of manufacturing housings for semiconductor devices

Номер патента: CA903930A. Автор: Diel Burkhart,Gregor Kurt,Huber Walther. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120223288A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor Device, Method Of Manufacturing The Same, And Electronic Device Including The Semiconductor Device

Номер патента: US20120248414A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-04.