METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING CONDUCTIVE STRUCTURES
Номер патента: US20160163589A1
Опубликовано: 09-06-2016
Автор(ы): Ahn Sang-hoon, Baek Jong-min, Kim Byung-hee, Lee Nae-In, LEE Woo-jin, You Woo-Kyung
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-06-2016
Автор(ы): Ahn Sang-hoon, Baek Jong-min, Kim Byung-hee, Lee Nae-In, LEE Woo-jin, You Woo-Kyung
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells
Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.