Asynchronous process topology in a memory device.

Asynchronous process topology in a memory device

Номер патента: US20220326889A1
Опубликовано: 13-10-2022
Автор(ы): Glen E. Hush, Honglin Sun, Richard C. Murphy
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Asynchronous process topology in a memory device

Номер патента: US11893283B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Asynchronous process topology in a memory device

Номер патента: WO2021225839A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20170185315A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US09747041B2. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20180004433A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Current management during data burst operations in a multi-die memory device

Номер патента: US20240241643A1. Автор: Liang Yu,Walter Di Francesco,Ali Mohammadzadeh,Jeremy Binfet,Luca Nubile,Biagio Iorio,Yankang He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Managing swappable data structures in a plurality of memory devices based on access counts of the data structures

Номер патента: US11907543B2. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Matthew G. Borlick,Beth Ann Peterson,Matthew Richard Craig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Managing data structures in a plurality of memory devices that are indicated to demote after initialization of data structures

Номер патента: AU2020421460B2. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Beth Ann Peterson,Matthew BORLICK,Matthew Richard Craig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Managing data structures in a plurality of memory devices that are indicated to demote after initialization of the data structures

Номер патента: US20210208790A1. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Matthew G. Borlick,Beth Ann Peterson,Matthew Richard Craig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Managing data structures in a plurality of memory devices that are indicated to demote after initialization of data structures

Номер патента: GB2607478A. Автор: Borlick Matthew,Mohan Gupta Lokesh,Ann Peterson Beth,Richard Craig Matthew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-07.

Managing data structures in a plurality of memory devices that are indicated to demote after initialization of data structures

Номер патента: WO2021140385A1. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Beth Ann Peterson,Matthew BORLICK,Matthew Richard Craig. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-07-15.

Managing data structures in a plurality of memory devices that are indicated to demote after initialization of data structures

Номер патента: AU2020421460A1. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Beth Ann Peterson,Matthew BORLICK,Matthew Richard Craig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

MANAGEMENT OF WRITE OPERATIONS IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING A VARIABLE PRE-READ VOLTAGE LEVEL

Номер патента: US20220035572A1. Автор: TAI YING YU,Zhu Jiangli. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

Headroom management during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20230105208A1. Автор: Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Cryptographic block locking in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230384951A1. Автор: Tommaso Vali,Walter Di Francesco,Jeremy Binfet,Lance Walker Dover,Jeffrey Scott McNeil, Jr.,Robert William STRONG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

System, apparatus, and method for anti-replay protection of data stored in a non-volatile memory device

Номер патента: US09690922B2. Автор: Mark Buer,Jaku Jose,Weiyang Zhou,Kunyan Liu. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US12067264B2. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Concurrent page cache resource access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20240311307A1. Автор: Eric N. Lee,Sundararajan Sankaranarayanan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240312526A1. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

MANAGEMENT OF WRITE OPERATIONS IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING A VARIABLE PRE-READ VOLTAGE LEVEL

Номер патента: US20210240385A1. Автор: TAI YING YU,Zhu Jiangli. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

INDEPENDENT PARALLEL PLANE ACCESS IN A MULTI-PLANE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220365697A1. Автор: PEKNY Theodore T.. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230393765A1. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230386578A1. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US12027211B2. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Concurrent page cache resource access in a multi-plane memory device

Номер патента: US12019550B2. Автор: Eric N. Lee,Sundararajan Sankaranarayanan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Management of write operations in a non-volatile memory device using a variable pre-read voltage level

Номер патента: US20210240385A1. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Management of write operations in a non-volatile memory device using a variable pre-read voltage level

Номер патента: WO2021155275A1. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-05.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240028216A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Asymmetric plane driver circuits in a multi-plane memory device

Номер патента: US11861236B2. Автор: Shigekazu Yamada,Chang H. Siau,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Asymmetric plane driver circuits in a multi-plane memory device

Номер патента: WO2022031860A1. Автор: Shigekazu Yamada,Chang H. Siau,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-10.

Asymmetric plane driver circuits in a multi-plane memory device

Номер патента: US20220043597A1. Автор: Shigekazu Yamada,Chang H. Siau,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Method and apparatus for defect management in a non-volatile memory device

Номер патента: WO2017027142A1. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,David J. Pelster,Eric L. Hoffman,Jing-Jing Li. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-02-16.

Method and apparatus for defect management in a non-volatile memory device

Номер патента: US09766814B2. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,David J. Pelster,Eric L. Hoffman,Jing-Jing Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Efficient command fetching in a memory sub-system

Номер патента: US12131066B2. Автор: Eldhose Peter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US20240329874A1. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US12039192B2. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Asynchronous processing of mapping information

Номер патента: US09513833B2. Автор: Anup Talwalkar,Seth William Markle,Steven Michael Hershey. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Systems and methods for hard error reduction in a solid state memory device

Номер патента: US09576683B2. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Error correction code offload for a serially-attached memory device

Номер патента: US20230297244A1. Автор: Jonathan Hinkle. Владелец: Lenovo Global Technology United States Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Error correction code offload for a serially-attached memory device

Номер патента: US11809272B2. Автор: Jonathan Hinkle. Владелец: Lenovo Global Technology United States Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Maintaining data structures in a memory subsystem comprised of a plurality of memory devices

Номер патента: US20210208792A1. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Matthew G. Borlick,Beth Ann Peterson,Matthew Richard Craig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Managing swappable data structures in plurality of memory devices based on access counts of data structures

Номер патента: WO2021140384A1. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Beth Ann Peterson,Matthew BORLICK,Matthew Richard Craig. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-07-15.

DATA STORAGE IN A MULTI-LEVEL MEMORY DEVICE USING ONE-PASS PROGRAMMING

Номер патента: US20180032276A1. Автор: Gurgi Eyal,Srinivasan Charan. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

DATA STORAGE IN A MULTI-LEVEL MEMORY DEVICE USING ONE-PASS PROGRAMMING

Номер патента: US20170177265A1. Автор: Gurgi Eyal,Srinivasan Charan. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

MANAGING DATA STRUCTURES IN A PLURALITY OF MEMORY DEVICES THAT ARE INDICATED TO DEMOTE AFTER INITIALIZATION OF THE DATA STRUCTURES

Номер патента: US20210208790A1. Автор: GUPTA Lokesh Mohan,Borlick Matthew G.,Peterson Beth Ann,CRAIG Matthew Richard. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

MANAGING SWAPPABLE DATA STRUCTURES IN A PLURALITY OF MEMORY DEVICES BASED ON ACCESS COUNTS OF THE DATA STRUCTURES

Номер патента: US20210208791A1. Автор: GUPTA Lokesh Mohan,Borlick Matthew G.,Peterson Beth Ann,CRAIG Matthew Richard. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Managing data structures in a plurality of memory devices that are indicated to demote after initialization of data structures

Номер патента: GB202211240D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-14.

Inter-memory movement in a multi-memory system

Номер патента: US20240201885A1. Автор: Sourabh Dhir,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of operating a memory device

Номер патента: US09971549B2. Автор: In-su Choi,Yong-Jun Yu,Doo-Hwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

System and method to control temperature in a memory device

Номер патента: US12026373B2. Автор: Yi-Jhong HUANG. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Bad block mapping based on bad block distribution in a memory sub-system

Номер патента: US20240295977A1. Автор: Jiankun Li,Dahai Tian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Suspending operations of a memory system

Номер патента: US12105959B2. Автор: Giuseppe Cariello,David Aaron Palmer,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

APPARATUS AND METHOD FOR A NON-POWER-OF-2 SIZE CACHE IN A FIRST LEVEL MEMORY DEVICE TO CACHE DATA PRESENT IN A SECOND LEVEL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170185315A1. Автор: Geetha Vedaraman,Morris Brian S.,NEEFS Henk G.,MANDAVA Sreenivas,SUTERA Massimo. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

STORING A PLURALITY OF CONTEXTS IN A SINGLE BAND IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180181323A1. Автор: GUO XIN,Zhang Ye,Watt Brennan A.,LI Jing-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

SYSTEM, APPARATUS, AND METHOD FOR ANTI-REPLAY PROTECTION OF DATA STORED IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160026783A1. Автор: BUER Mark,JOSE JAKU,Liu Kunyan,Zhou Weiyang. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-28.

ASYMMETRIC PLANE DRIVER CIRCUITS IN A MULTI-PLANE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220043597A1. Автор: Yamada Shigekazu,Siau Chang H.,Kavalipurapu Kalyan Chakravarthy C.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

ASYMMETRIC PLANE DRIVER CIRCUITS IN A MULTI-PLANE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220276806A1. Автор: Yamada Shigekazu,Siau Chang H.,Kavalipurapu Kalyan Chakravarthy C.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: EP4399595A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Virtual management unit scheme for two-pass programming in a memory sub-system

Номер патента: EP4396688A1. Автор: Johnny A. LAM,Daniel A. Boals,Byron D. Harris,Sanjay Subbarao,Samyukta Mudugal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device log data storage

Номер патента: US12039163B2. Автор: Scheheresade Virani,Jeffrey Lee Munsil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Virtual management unit scheme for two-pass programming in a memory sub-system

Номер патента: WO2023034535A8. Автор: Johnny A. LAM,Daniel A. Boals,Byron D. Harris,Sanjay Subbarao,Samyukta Mudugal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-03-21.

Reduced-voltage operation of a memory device

Номер патента: US20220415410A1. Автор: Vipul Patel,Ezra E. Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Bit error management in memory devices

Номер патента: US20230393739A1. Автор: Tommaso Vali,Luigi Pilolli,Cristina Lattaro,Agostino Macerola,Walter Di Francesco,Jeremy Binfet,Andrea D'Alessandro,Angelo COVELLO,Claudia CIASCHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Programmable on-die termination timing in a multi-rank system

Номер патента: WO2017052853A1. Автор: Kuljit Bains,Alexey KOSTINSKY,Nadav Bonen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Host controlled enablement of automatic background operations in a memory device, and associated memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240311012A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Multi-tier health status in a memory device

Номер патента: US20240220110A1. Автор: LU Tong,Lawrence Celso Miranda,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Lakshmi Kalpana Vakati,Sheng-Huang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Peak power management in a memory device

Номер патента: US20230067294A1. Автор: Liang Yu,Luigi Pilolli,Jonathan Scott Parry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory system for binding data to a memory namespace

Номер патента: US20240248854A1. Автор: Hongyu Wang,Samuel E. Bradshaw,Shivasankar Gunasekaran,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US20220068366A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Systems and methods for providing load isolation in a solid-state device

Номер патента: US8578085B2. Автор: IRFAN SYED,Stephen R. BOORMAN,Omid NASIBY. Владелец: Stec Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Systems and methods for providing load isolation in a solid-state device

Номер патента: US20130159611A1. Автор: IRFAN SYED,Stephen R. BOORMAN,Omid NASIBY. Владелец: Stec Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Balancing performance between interface ports in a memory sub-system

Номер патента: US12086412B2. Автор: Prateek Sharma,Raja V. S. Halaharivi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory devices and systems for host controlled enablement of automatic background operations in a memory device

Номер патента: US12032827B2. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

One-pass programming in a multi-level nonvolatile memory device with improved write amplification

Номер патента: US09811284B2. Автор: Eyal Gurgi,Charan Srinivasan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US12032833B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Hybrid memory device for storing write data based on attribution of data stored therein

Номер патента: US09804801B2. Автор: Kyung Ho Kim,Jin-soo Kim,Young-Sik Lee,Sangkwon Moon,Jinkyu JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device, memory module including the memory device, and operating method of memory controller

Номер патента: US12141478B2. Автор: Dohan Kim,Hoyoung Lee,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Taekyeong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

A memory matrix and method of operating the same

Номер патента: WO2002091382A3. Автор: Yan Chiew Chow,James R Hsia. Владелец: James R Hsia. Дата публикации: 2003-05-01.

Scheduling memory requests for a ganged memory device

Номер патента: EP4361827A3. Автор: James Raymond Magro. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Scheduling memory requests for a ganged memory device

Номер патента: US20190196721A1. Автор: James Raymond Magro. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US20240289032A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Electronic data file access management in a distributed computer system

Номер патента: US20240231688A1. Автор: Patrick McCarthy,Michael Todd MOORE,Ashwin Reghunandanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic data file access management in a distributed computer system

Номер патента: US12056398B2. Автор: Patrick McCarthy,Michael Todd MOORE,Ashwin Reghunandanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-08-06.

Data shaping to reduce memory wear in a multi-tenant database

Номер патента: US12067249B2. Автор: Adam Douglas Morley. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile memory devices, systems including same and associated methods

Номер патента: WO2008115970A2. Автор: Frank J. Sepulveda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-09-25.

Restoring ECC syndrome in non-volatile memory devices

Номер патента: US09910729B1. Автор: Amit Shefi,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile memory devices, systems including same and associated methods

Номер патента: WO2008115970A3. Автор: Frank J. Sepulveda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-01-07.

Non-volatile memory device and method for programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145016A1. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory device and method for programming the same using multiple program operations under different conditions

Номер патента: US11901021B2. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Balancing memory utilization in a dispersed storage network

Номер патента: EP2638470A1. Автор: Andrew Baptist,Manish Motwani. Владелец: Cleversafe Inc. Дата публикации: 2013-09-18.

METHOD OF WRITING IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND CORRESPONDING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180300085A1. Автор: Tailliet François,Battista Marc. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

WRITING METHOD IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND CORRESPONDING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: FR3065303A1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-10-19.

METHOD AND APPARATUS FOR A VOLUME MANAGEMENT SYSTEM IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170024277A1. Автор: Wong Wanmo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-01-26.

METHOD AND APPARATUS FOR DEFECT MANAGEMENT IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170046073A1. Автор: GUO XIN,Zhu Feng,PELSTER David J.,HOFFMAN Eric L.,LI Jing-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Scheduling requests in a solid state memory device

Номер патента: US20150268861A1. Автор: Robert Haas,Xiao-yu HU,Ilias Iliadis,Roman Pletka,Werner Bux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

DATA RELIABILITY INFORMATION IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170269992A1. Автор: Bandic Zvonimir Z.,GUNNAM Kiran Kumar,Song Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

APPARATUS AND METHOD FOR PROGRAMMING DATA IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220415401A1. Автор: CHOI Hyung Jin,PARK Tae Hun,Kwak Dong Hun. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Page migration in a hybrid memory device

Номер патента: US09910605B2. Автор: Niladrish Chatterjee,James M. O'Connor,Gabriel H. Loh,Nuwan S. Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Managing allocation of sub-blocks in a memory sub-system

Номер патента: US20240231641A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Managing write command execution during a power failure in a memory sub-system

Номер патента: US20240319873A1. Автор: Yoav Weinberg,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Page migration in a 3D stacked hybrid memory

Номер патента: US09535831B2. Автор: Niladrish Chatterjee,James M. O'Connor,Gabriel H. Loh,Nuwan S. Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Remapping bad blocks in a memory sub-system

Номер патента: US20240192875A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Aaron Lee,Wenyen CHANG,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20210173562A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20230014955A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Power management in a memory device based on a host device configuration

Номер патента: US20240264753A1. Автор: Marco Redaelli,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Access suppression in a memory device

Номер патента: US09600179B2. Автор: Gus Yeung,Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Michael Alan Filippo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Apparatus and method for performing garbage collection in a memory system

Номер патента: US12039184B2. Автор: Hyoung Pil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device configuration based on host behavior

Номер патента: US20240256160A1. Автор: Kazuaki Ohara,Rachael R. Skreen,Soujanya Venigalla,Jihye Gale Shin,Rosa Maria Avila-Hernandez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device configuration commands

Номер патента: US09940052B2. Автор: Umberto Siciliani,Anna Chiara Siviero,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Sense operation flags in a memory device

Номер патента: US09519582B2. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory device repair method and system

Номер патента: EP4084005A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Heuristic interface for enabling a computer device to utilize data property-based data placement inside a nonvolatile memory device

Номер патента: US20240303222A1. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN,Derrick Tseng,Jianjian Huo,Praveen Krishnamoorthy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Fast programming memory device

Номер патента: US09779821B2. Автор: Giuseppe Giannini,Marco Maccarrone,Demetrio Pellicone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Address Hashing in a Multiple Memory Controller System

Номер патента: US20220342588A1. Автор: Steven Fishwick. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Operation management in a memory device

Номер патента: EP3014453A1. Автор: Robert Melcher,Nicholas Hendrickson,Anthony R. CABRERA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-04.

Operation management in a memory device

Номер патента: WO2014209986A1. Автор: Robert Melcher,Nicholas Hendrickson,Anthony R. CABRERA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Two-stage voltage calibration upon power-up of memory device

Номер патента: US12073866B2. Автор: Steven Michael Kientz,Chia-Yu Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Operating a memory array based on an indicated temperature

Номер патента: US11762585B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Maintenance operations in a DRAM

Номер патента: US09933960B2. Автор: Frederick A. Ware,John W. Poulton,Robert E. Palmer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: EP4416730A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240311004A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US12026372B2. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device and storage device

Номер патента: US20240315022A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Signal development caching in a memory device

Номер патента: US20240329885A1. Автор: Dmitri A. Yudanov,Shanky Kumar Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Topology-based retirement in a memory system

Номер патента: US20240290411A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun S. Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240061575A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of writing data in memory device, method of reading data from memory device and method of operating memory device including the same

Номер патента: US20210181984A1. Автор: Youngsun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240201851A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: US20160232109A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods of operating nonvolatile memory devices, methods of operating storage device and storage devices

Номер патента: US20200194072A1. Автор: Sang-Won Jung,Shin-Ho Oh,Sang-Kwon Moon,Min-cheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240302968A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Systems and methods for implementing error correcting code regions in a memory

Номер патента: US09983930B2. Автор: Yanru Li,Nhon Quach,Rahul Gulati. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory device having a controller to enable and disable mode control circuitry of the controller

Номер патента: US09965208B1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Adaptive time sense parameters and overdrive voltage parameters for respective groups of wordlines in a memory sub-system

Номер патента: US12014050B2. Автор: Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Data retention in memory devices

Номер патента: US20230015202A1. Автор: Shuo-Nan Hung,E-Yuan Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Method and apparatus for performing access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of automatic parameter setting

Номер патента: US20240232067A1. Автор: Shen-Ting Chiu,Te-Kai WANG,Po-Lin WU,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240069803A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US12045511B2. Автор: Xiang Yang,Wei Cao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Data retention in memory devices

Номер патента: US20220137842A1. Автор: Shuo-Nan Hung,E-Yuan Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

ECC buffer reduction in a memory device

Номер патента: US12040033B2. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and memory device for atomic processing of fused commands

Номер патента: US11762587B2. Автор: Yong Yang,Chun-Chu Chen-Jhy Archie Wu,Fnu VIKRAM SINGH,Syed KAISER,Daniel Lee HELMICK,Vasili ZHDANKIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

On-die cross-temperature management for a memory device

Номер патента: US12067290B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Ecc buffer reduction in a memory device

Номер патента: US20230238074A1. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of identifying information related to an eye open monitor (EOM) operation performed in a memory device, and memory system performing the method

Номер патента: US12067292B2. Автор: Won Ho Kang,Chang Min Jeon,Young San KANG,Sung Tack HONG,Kwang Won Park,YeJin Cho,Hyunsoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Adaptive time sense parameters and overdrive voltage parameters for respective groups of wordlines in a memory sub-system

Номер патента: US20240319881A1. Автор: Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Copyback clear command for performing a scan and read in a memory device

Номер патента: US12105961B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US20240329852A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

On-die cross-temperature management for a memory device

Номер патента: US20240370206A1. Автор: Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240053893A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Drift correction in slc and mlc memory devices

Номер патента: US20240071483A1. Автор: Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina,Francesco Mastroianni,Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto,Zhongyuan Lu,Lucia Di Martino. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and memory device for atomic processing of fused commands

Номер патента: US20230401009A1. Автор: Yong Yang,Chun-Chu Chen-Jhy Archie Wu,Fnu VIKRAM SINGH,Syed KAISER,Daniel Lee HELMICK,Vasili ZHDANKIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US12068037B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory controller performing selective and parallel error correction, system including the same and operating method of memory device

Номер патента: US12079080B2. Автор: Jeongho Lee,Heehyun Nam,Younho Jeon,Hyeokjun Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210011633A1. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Direct cache hit and transfer in a memory sub-system that programs sequentially

Номер патента: US20220269611A1. Автор: Johnny A. LAM,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Method and memory device for atomic processing of fused commands

Номер патента: US12112072B2. Автор: Yong Yang,Chun-Chu Chen-Jhy Archie Wu,Fnu VIKRAM SINGH,Syed KAISER,Daniel Lee HELMICK,Vasili ZHDANKIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190051357A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US20180322925A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10049746B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-14.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Direct cache hit and transfer in a memory sub-system that programs sequentially

Номер патента: US20210406185A1. Автор: Johnny A. LAM,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Software filtered memory devices in computing systems

Номер патента: US20220413717A1. Автор: Liang Yang,David Hepkin,Matthew David Kurjanowicz,Martijn de Kort,Murtaza Ghiya. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Software filtered memory devices in computing systems

Номер патента: US20240256151A1. Автор: Liang Yang,David Hepkin,Matthew David Kurjanowicz,Martijn de Kort,Murtaza Ghiya. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Remapping bad blocks in a memory sub-system

Номер патента: US20240256132A1. Автор: Amit Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Reduced peak self-refresh current in a memory device

Номер патента: US20200219557A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Programmable peak-current control in non-volatile memory devices

Номер патента: US09671968B2. Автор: Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Bank-level fault management in a memory system

Номер патента: US09600189B2. Автор: Timothy J. Dell,Girisankar Paulraj,Diyanesh B.Chinnakkonda Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory device and method for organizing a homogeneous memory

Номер патента: US09529547B2. Автор: Michael Staudenmaier,Vincent Aubineau,Iosef E. Martinez-Pelayo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and apparatus for performing data access performance shaping of memory device

Номер патента: US20230315337A1. Автор: Cheng Yi,Kaihong Wang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10503439B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US20230289062A1. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for performing table management of memory device in predetermined communications architecture with aid of table error correction

Номер патента: US12050783B1. Автор: Jie-Hao LEE,Chia-Chin Hsieh,Chian-Wen Chiu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12073910B2. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device security and row hammer mitigation

Номер патента: US12067270B2. Автор: YANG LU,Robert M. Walker,Elliott C. Cooper-Balis,Sujeet Ayyapureddi,Danilo Caraccio,Amitava Majumdar,Ameen D. Akel,Cagdas Dirik,Edmund J. Gieske. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US11749353B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device having a controller unit and an information-processing device including a memory device having a controller unit

Номер патента: US09524121B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for copying data within memory device, memory device, and electronic device thereof

Номер патента: US11983113B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for copying data within memory device, memory device, and electronic device thereof

Номер патента: US20240256451A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory device and method for performing error check and scrub (ecs) operation

Номер патента: EP4383261A3. Автор: Youngbin LEE,Doohee Hwang,Kiseok Oh,Kangil Kim,Junha Hwang,SONG Saemi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Copy-back operations in a memory device

Номер патента: US20200278907A1. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Copy-back operations in a memory device

Номер патента: US11042438B2. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240233788A9. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240135977A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: EP4362018A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US12020767B2. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Asynchronous processing of transaction log requests in a database transaction log service

Номер патента: EP4348438A1. Автор: Alexander BUDOVSKI,Srikanth Sampath,Eric Dean LEE,Ashmita RAJU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Noise reduction during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20220013179A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Noise reduction during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: WO2022011309A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Asynchronous processing of transaction log requests in a database transaction log service

Номер патента: WO2022250876A1. Автор: Alexander BUDOVSKI,Srikanth Sampath,Eric Dean LEE,Ashmita RAJU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for reading a multilevel cell in a non-volatile memory device

Номер патента: US20130339577A1. Автор: Chan Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Apparatus and method to preserve data in a set associative memory device

Номер патента: US5584014A. Автор: Yousef A. Khalidi,Basem A. Nayfeh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1996-12-10.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09582417B2. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Shutdowns and data recovery to avoid read errors weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09921896B2. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Vibhor Patale. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Reducing power consumption by preventing memory image destaging to a nonvolatile memory device

Номер патента: US11880262B2. Автор: Adam Kupczyk,Gabriel Benhanokh. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Processing unit reclaiming requests in a solid state memory device

Номер патента: US9274945B2. Автор: Robert Haas,Roman Pletka. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-01.

Compute architecture in a memory device of distributed computing system

Номер патента: US20170052858A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Wesley B. Leggette,Andrew D. Baptist,Greg R. Dhuse,S. Christopher Gladwin,Thomas F. Shirley, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Deterministic shut down of memory devices in response to a system warm reset

Номер патента: US20050091481A1. Автор: Anoop Mukker,David Sastry,Surya Kareenahalli,Zohar Bogin,Tuong Trieu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Memory controller and system for storing blocks of data in non-volatile memory devices in a redundant manner

Номер патента: EP2638545A1. Автор: Siamak Arya. Владелец: Greenliant LLC. Дата публикации: 2013-09-18.

A memory controller for controlling the wear in a non-volatile memory device and a method of operation therefor

Номер патента: TW201023198A. Автор: Prasanth Kumar,Dongsheng Xing,Fong-Long Lin. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

Non-volatile Memory Device With Secure Read

Номер патента: US20190050602A1. Автор: Rotem Sela,Enosh Levi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Status bus accessing only available quadrants during loop mode operation in a multi-queue first-in first-out memory system

Номер патента: US20060020742A1. Автор: Mario Au,Jason Mo,Cheng-Han Wu. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for reading a multilevel cell in a non-volatile memory device

Номер патента: US20130339577A1. Автор: Chan Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Method and apparatus for a volume management system in a non-volatile memory device

Номер патента: US20180329775A1. Автор: Wanmo Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Method and apparatus for a volume management system in a non-volatile memory device

Номер патента: US9477587B2. Автор: Wanmo Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-25.

SCHEDULING REQUESTS IN A SOLID STATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130138912A1. Автор: Haas Robert,Hu Xiao-Yu,Pletka Roman,Iliadis Ilias,Bux Werner. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-30.

PROCESSING UNIT RECLAIMING REQUESTS IN A SOLID STATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130159609A1. Автор: Haas Robert,Pletka Roman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-20.

PROCESSING UNIT RECLAIMING REQUESTS IN A SOLID STATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160217070A1. Автор: Haas Robert,Pletka Roman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-07-28.

Systems and Methods for Hard Error Reduction in a Solid State Memory Device

Номер патента: US20150220388A1. Автор: Haratsch Erich F.,WU Yunxiang,CAI Yu. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2015-08-06.

Cache auto-flush in a solid state memory device

Номер патента: US8271737B2. Автор: Richard Chen,Rex Hsueh,Ping Hou. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-09-18.

Inter-port communication in a multi- port memory device

Номер патента: CN101449262A. Автор: D·李,S·金,D·沈,A·鲁贝格,D·K·金,M·R·崔. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2009-06-03.

method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: KR101588293B1. Автор: 이진욱,황상원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-26.

Inter-port communication in a multi-port memory device

Номер патента: KR101341286B1. Автор: 동윤 이,대윤 심,성준 김,명 래 조,알랜 루베르그,대 케이. 김. Владелец: 실리콘 이미지, 인크.. Дата публикации: 2013-12-12.

Noise reduction during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: US11222702B1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-11.

Methods of writing data in a non-volatile memory device to place data in an in-place arrangement

Номер патента: US20080195828A1. Автор: Jin-Hyuk Kim,Young-Gon Kim,Jae-wook Cheong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09740407B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09552889B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Protocol For Refresh Between A Memory Controller And A Memory Device

Номер патента: US20240242751A1. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Protocol for refresh between a memory controller and a memory device

Номер патента: US09570145B2. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: US12086062B2. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Dynamic allocation of a capacitive component in a memory device

Номер патента: US20240257841A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: EP3844754A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: WO2020046970A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

System and method for informing hardware to limit writing in a memory hierarchy

Номер патента: US09645936B1. Автор: Richard Bryant,Kim SCHUTTENBERG. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

A memory device including an associative memory for the storage of data belonging to a plurality of classes

Номер патента: US20020038295A1. Автор: Alan Kramer,Roberto Canegallo,Mauro Chinosi,Giovanni Gozzini,Pierluigi Rolandi,Loris Navoni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2002-03-28.

Memory device having an improved ecc architecture

Номер патента: US20240221856A1. Автор: Christophe Laurent,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method for thermally coupling memory devices to a memory controller in a computer memory board

Номер патента: US09848517B2. Автор: Douglas Cowles,Allan Jeffrey Koeppel. Владелец: Saint Regis Mohawk Tribe. Дата публикации: 2017-12-19.

Drift adjustment in timing signal forwarded from memory controller to memory device based on a detected phase delay occurring on a second timing signal with a different frequency

Номер патента: US09568942B2. Автор: Jun Kim,Wayne S. Richardson,Pak Shing Chau. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Host assisted operations in managed memory devices

Номер патента: US20240256468A1. Автор: Nadav Grosz,Jonathan Scott Parry. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Stacked memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210240615A1. Автор: Hyunjoong Kim,Jihyun Choi,Seunghyun CHO,Joonsik Sohn,Woongjae SONG,Soowoong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Asynchronous processing of messages from multiple search peers

Номер патента: US09509765B2. Автор: Christopher Madden Pride,Sourav Pal. Владелец: Splunk Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Resource allocation for a memory built-in self-test

Номер патента: US20240362134A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20240231985A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device

Номер патента: EP2351040A1. Автор: Luca Fasoli,Yuheng Zhang,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-03.

Placement of instructions in a memory system

Номер патента: US20140130022A1. Автор: Tong Chen,John K. O'Brien,Zehra Sura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory controller with ring bus for interconnecting memory clients to memory devices

Номер патента: WO2008008220A1. Автор: Patrick Law,Alex Miretsky,Warren F. Kruger. Владелец: Ati Technologies, U.L.C.. Дата публикации: 2008-01-17.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Methods and apparatus for byte alignment operations for a memory device that stores an odd number of bytes

Номер патента: US20010032302A1. Автор: Raymond Chan,Mario Au. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Selection of erase policy in a memory device

Номер патента: US20240370364A1. Автор: Peng Zhang,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US12066958B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and system for validating a memory device

Номер патента: US20220043708A1. Автор: Abhinav Sharma,Rengaraja Sudarmani,Sachin Suresh Upadhya,Prathiksha Gautham,Uday Kumar N B. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US09569640B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US09563228B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

RAM memory device selectively protectable with ECC

Номер патента: US8566670B2. Автор: Andre Roger,Charles Aubenas,Sergio Bacchin. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2013-10-22.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005241A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: EP3563214A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: WO2018125475A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Method and system for managing memory leaks in a linear memory model

Номер патента: US11755473B2. Автор: TUSHAR Vrind,Surendra Singh,Venkata Raju Indukuri,Raju Udava SIDDAPPA,Mallikarjun Shivappa BIDARI,Dinesh GEHLOT,Shashank Vimal,Shreya GANATRA,Sujay Shankar GAITONDE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Read performance improvement using memory device latches

Номер патента: US20240264933A1. Автор: Amiya Banerjee,Jameer Mulani,Sriraman Sridharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Skipping pages for weak wordlines of a memory device during pre-programming

Номер патента: US12080376B2. Автор: Ting Luo,Cheng Cheng Ang,Chun Lei Kong,Aik Boon Edmund Yap. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Management of power loss in a memory device

Номер патента: US09921916B2. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU,Mike M. Ngo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Backup memory administration using an active memory device and a backup memory device

Номер патента: US09836370B2. Автор: Jeffrey R. Hamilton,Ross L. Mickens,Markesha F. Parker,Melba I. Lopez. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory device and method for content virtualization

Номер патента: US09514142B2. Автор: Fabrice E. Jogand-Coulomb,Robert Chin-Tse Chang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory device and method for content virtualization

Номер патента: US09514141B2. Автор: Fabrice E. Jogand-Coulomb,Robert Chin-Tse Chang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Memory device and password storing method thereof

Номер патента: WO2008076999A3. Автор: Mitsuhiro Nagao. Владелец: Mitsuhiro Nagao. Дата публикации: 2008-08-14.

Method and apparatus for concurrently communicating with multiple embedded dynamic random access memory devices

Номер патента: US20030014606A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Apparatuses and methods for setting operational parameters of a memory included in a memory module based on location information

Номер патента: US20210050041A1. Автор: Elancheren Durai,Quincy R. Holton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US12061561B2. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

System and method for providing client-side address translation in a memory management system

Номер патента: WO2015085247A1. Автор: Pavan Kumar,Azzedine Touzni,Olav Haugan,Tarek Zghal,Satyaki MUKHERJEE,Victor K. Wong,Thomas M. Zeng,Tzung Ren TZENG,Pawan Chhabra,Stephen A. Molloy,Zhurang Zhao,Abhirami SENTHILKUMARAN,Jean-louis O. TARDIEUX,Ajay UPADHYAYA,Subrahmanyam MOOLA,Jaydeep R. CHOKSHI,Vipul C. GANDHI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-11.

Voting scheme in a memory page

Номер патента: US20240281322A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Managing data placement for direct assigned virtual machines in a memory sub-system

Номер патента: US20240320029A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus and method for supporting data input/output operation based on a data attribute in a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240338330A1. Автор: Sung Hyun Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US20240370386A1. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US20240369416A1. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Mapping a physical address differently to different memory devices in a group

Номер патента: US09934143B2. Автор: Kuljit S. Bains,John H. Crawford,Brian S. Morris,Suneeta Sah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory device, memory system and access method to semiconductor memory device

Номер патента: US09633705B2. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Protecting a memory device from becoming unusable

Номер патента: US09606853B2. Автор: Nitin V. Sarangdhar,Sudhakar Otturu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Improving reliability, availability, and serviceability in a memory device

Номер патента: EP2035938A2. Автор: Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

Memory device for cryptographic operations and method for interacting therewith

Номер патента: WO2008027165A3. Автор: Kevin Lewis,Susan Cannon. Владелец: Susan Cannon. Дата публикации: 2008-07-31.

Purging data from a memory device

Номер патента: WO2022115828A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Temperature-dependent operations in a memory device

Номер патента: US20220293184A1. Автор: Giuseppina Puzzilli,Pitamber Shukla,Priya Venkataraman,Scott A. Stoller,Niccolo' Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory device and multi physical cells error correction method thereof

Номер патента: US20210141689A1. Автор: Seow Fong Lim,Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin,Ngatik Cheung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Portable memory device and method of securing the integrity of stored data therein

Номер патента: WO1994015320A1. Автор: Alan J. Eisenberg. Владелец: Base 10 Systems, Inc.. Дата публикации: 1994-07-07.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: EP3794454A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: WO2019222488A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-21.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: US20190354421A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Pre-load techniques for improved sequential memory access in a memory device

Номер патента: US20220300409A1. Автор: Bin Zhao,Xinghui DUAN,Jianxiong Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Memory device for processing in memory and operating method of memory device

Номер патента: US20240330171A1. Автор: Byeongho Kim,Yuhwan Ro,Sungjoo YOO,Suk Han Lee,Jaeyoung HEO. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Purging data at a memory device

Номер патента: US20240330519A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method to select phys and a configuration of the data path in a multi phy dram

Номер патента: US20240362178A1. Автор: Jaewoo Shin,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Minhwan AN,Jin Suk CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09941304B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Compact memory device

Номер патента: US09645617B2. Автор: Renae Martinez,Anthony J. Zychal,Meredith L. Chow. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Low power management for sleep mode operation of a memory device

Номер патента: US12027227B2. Автор: Jun Shen,June Lee,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Scott A. Stoller,Arvind Muralidharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Isolating functions in a memory device

Номер патента: US20240078192A1. Автор: Michael Burk,Lance Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Automated optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240256375A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Dynamically Rebuilding Encoded Data Slices in a Storage Network

Номер патента: US20230185773A1. Автор: Andrew D. Baptist,Thomas D. Cocagne. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Nonvolatile memory devices, memory systems and methods of operating nonvolatile memory devices for processing user data

Номер патента: US10672479B2. Автор: Chan-Ik Park,Sang-Hoan Chang,Taek-Soo Kim,Hyun-Sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Adaptive error recovery when program status failure occurs in a memory device

Номер патента: US20240272983A1. Автор: Kyungjin Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: EP2954415A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

Apparatus and method for handling a data error in a memory system

Номер патента: US11762734B2. Автор: Jaeyoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory devices performing selective post package repair, electronic devices including the same, and operating methods of the same

Номер патента: US20240362109A1. Автор: Taekhoon KIM,June-Hyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and apparatus for performing mapping table management of memory device in predetermined communications architecture with aid of table analysis

Номер патента: US20240296126A1. Автор: Jie-Hao LEE,Chun-Ju Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device and method having on-board processing logic for facilitating interface with multiple processors, and computer system using same

Номер патента: US09959929B2. Автор: David Resnick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Impedance adjustment in a memory device

Номер патента: US09779039B2. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods for manufacturing and operating a memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09753849B2. Автор: Young Jin Cho,Kui Yon MUN,Young Kwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system including a memory device, and methods of operating the memory system and the memory device

Номер патента: US09728279B2. Автор: Sang-Yong Yoon,Hye-Jin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device and computing system including the same

Номер патента: US20150169333A1. Автор: Do-Geun Kim,Dong-yang Lee,Ju-Yun JUNG,Bu-Il Jung,Min-Yeab CHOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-18.

Global redundant column select implementation for boundary faults in a memory device

Номер патента: US20220343993A1. Автор: Harish V. Gadamsetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory device and program/erase method therefor

Номер патента: US20190244670A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Methods and systems for managing physical information of memory units in a memory device

Номер патента: US20190272231A1. Автор: Yi-Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

System and method for providing configurable latency and/or density in memory devices

Номер патента: WO2010151481A1. Автор: Christopher S. Johnson,Todd D. Farrell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-12-29.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160344427A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

System and method for providing configurable latency and/or density in memory devices

Номер патента: EP2446366A1. Автор: Christopher S. Johnson,Todd D. Farrell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-02.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory device, storage method and control device

Номер патента: US9542285B2. Автор: Osamu Ishibashi,Sadao Miyazaki,Jin Abe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Access schemes for access line faults in a memory device

Номер патента: US20200051659A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Methods and devices for accessing a memory using multiple separate address mapped temporary storage areas

Номер патента: US20050018521A1. Автор: Chul-Sung Park,Byong-Kwon Lee,Cheol-Shin Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-27.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: EP4181143A3. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Memory device storing logical page data and operating method of the memory device

Номер патента: US12106806B2. Автор: Jeong Hwan Kim,Jae Woong Kim,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Low power management for sleep mode operation of a memory device

Номер патента: US20240312494A1. Автор: Jun Shen,June Lee,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Scott A. Stoller,Arvind Muralidharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US09917601B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory device and computing system including the same

Номер патента: US09601218B2. Автор: Do-Geun Kim,Dong-yang Lee,Ju-Yun JUNG,Bu-Il Jung,Min-Yeab CHOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Data management in a data storage device

Номер патента: US09558112B1. Автор: Albert T. Borchers. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Error correction with syndrome computation in a memory device

Номер патента: US12032444B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Techniques for error detection and correction in a memory system

Номер патента: WO2022046440A1. Автор: Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Dynamic memory cache size adjustment in a memory device

Номер патента: EP2715548A2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Michael George,Ruchir Shah,William E. Benson,Farshid TABRIZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-09.

Automated optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240070008A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Peak power management connectivity check in a memory device

Номер патента: US11990197B2. Автор: Massimo Rossini,Eleuterio Mannella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20210026765A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20240061771A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Peak power management connectivity check in a memory device

Номер патента: US20240257892A1. Автор: Massimo Rossini,Eleuterio Mannella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240257851A1. Автор: Sanghoon Cha,Yuhwan Ro,Seungwoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Error correction with syndrome computation in a memory device

Номер патента: US11709734B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Memory device deserializer circuit with a reduced form factor

Номер патента: US12073918B2. Автор: Guan Wang,Luigi Pilolli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Electronically moveable terminator and method for using same in a memory system

Номер патента: EP1226502A1. Автор: James A. Gasbarro. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2002-07-31.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145010A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: EP2263154A2. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-22.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: US20120057408A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-08.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: WO2009126516A2. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-10-15.

Program and sense operations in a non-volatile memory device

Номер патента: US20100124115A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Apparatus, system and method to sense a logic state of a memory cell in a three-dimensional memory device

Номер патента: US12062410B2. Автор: Balaji Srinivasan,Ashraf B. Islam,Nicolas L. IRIZARRY,Yasir Mohsin Husain,Jaydip Bharatkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for reducing a memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: US20180151231A1. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for reducing a memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: US10147490B2. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-12-04.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US11901014B2. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230360704A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Layout for equalizer and data line sense amplifier employed in a high speed memory device

Номер патента: US20070041256A1. Автор: Chi-wook Kim,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Improved safety and correctness data reading and programming in a non-volatile memory device

Номер патента: US20210407608A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Ghost command suppression in a half-frequency memory device

Номер патента: US11804251B2. Автор: Kallol Mazumder,Navya Sri Sreeram. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: WO2013170387A1. Автор: Steven Smith. Владелец: SIDENSE CORP.. Дата публикации: 2013-11-21.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: US20130308365A1. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: US20160180963A1. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Method of forming a conductive filament in a living resistive memory device including a pre-forming step to form a localised path of oxygen vacancies from an interface layer

Номер патента: US09748477B2. Автор: Gabriel Molas,Marinela Barci. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-08-29.

Method and apparatus for information setting in a non-volatile memory device

Номер патента: US20060023508A1. Автор: Kenta Kato,Satoru Sugimoto. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-02-02.

Ferrimagnetic/ferromagnetic exchange bilayers for use as a fixed magnetic layer in a superconducting-based memory device

Номер патента: WO2020205031A2. Автор: Thomas F. Ambrose,Melissa Loving. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2020-10-08.

Ferrimagnetic/ferromagnetic exchange bilayers for use as a fixed magnetic layer in a superconducting-based memory device

Номер патента: WO2020205031A3. Автор: Thomas F. Ambrose,Melissa Loving. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2020-11-26.

Ferrimagnetic/ferromagnetic exchange bilayers for use as a fixed magnetic layer in a superconducting-based memory device

Номер патента: CA3125216A1. Автор: Thomas F. Ambrose,Melissa Loving. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Ferrimagnetic/ferromagnetic exchange bilayers for use as a fixed magnetic layer in a superconducting-based memory device

Номер патента: EP3888143A2. Автор: Thomas F. Ambrose,Melissa Loving. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-10-06.

Analog sensing of memory cells in a solid-state memory device

Номер патента: EP2469539A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Power Savings in a Content Addressable Memory Device Using Masked Pre-Compare Operations

Номер патента: US20140218994A1. Автор: Dimitri Argyres. Владелец: Netlogic Microsystems Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of verifying a program operation in a non-volatile memory device

Номер патента: US20090290418A1. Автор: Jung Chul Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Read disturb control in a nonvolatile semiconductor memory device having P-type memory cell transistor

Номер патента: US8964463B2. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

System and method for addressing errors in a multiple-chip memory device

Номер патента: US20090006887A1. Автор: Hoon Ryu,Ryan Patterson,Klaus Nierle,Koonhee Lee. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Номер патента: WO2013054098A1. Автор: Atsufumi Hirohata,Kevin O'Grady,Gonzalo Vallejo Fernandez. Владелец: UNIVERSITY OF YORK. Дата публикации: 2013-04-18.

Voltage regulator in a non-volatile memory device

Номер патента: US20080089141A1. Автор: Prajit Nandi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Reducing neighbor word line interference in a two-tier memory device by modifying word line programming order

Номер патента: US20200202962A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Neuromorphic computing device, memory device, system, and method to maintain a spike history for neurons in a neuromorphic computing environment

Номер патента: US20180082176A1. Автор: Wei Wu,Somnath Paul,Charles Augustine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory device based on phase change memory for deep neural network and method for storing weight thereof

Номер патента: US20240161823A1. Автор: Joon-Sung Yang. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-16.

Cashless Gaming Through Virtual Ticketing in a Gaming System

Номер патента: AU2018271271B2. Автор: Erik Petersen,Kevin Higgins. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-08-01.

Cashless gaming through virtual ticketing in a gaming system

Номер патента: US20190206190A1. Автор: Erik Petersen,Kevin Higgins. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory device and image processing apparatus using same

Номер патента: US6985155B2. Автор: Tetsujiro Kondo,Akihiro Okumura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-01-10.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240334706A1. Автор: Ki Deok KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for programming a memory device

Номер патента: WO2007008477A3. Автор: Yi He,Zhizheng Liu,Shankar Sinha. Владелец: Shankar Sinha. Дата публикации: 2007-04-26.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6636437B2. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040052114A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Non-volatile memory devices and systems including bad blocks address re-mapped and methods of operating the same

Номер патента: US20080285347A1. Автор: Dae Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of reading data in non-volatile memory device, and device thereof

Номер патента: US20120033502A1. Автор: Jae Hong Kim,Kyoung Lae Cho,Hee Seok EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-09.

Non-volatile memory device which supplies erasable voltage to a flash memory cell

Номер патента: US5787037A. Автор: Masakazu Amanai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-07-28.

Non-volatile memory device and corresponding method of operation

Номер патента: EP4339953A1. Автор: Vincenzo Russo,Thomas Jouanneau,Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-03-20.

Nand flash memory devices and methods of lsb/msb programming the same

Номер патента: US20090080251A1. Автор: Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Methods and systems for memory devices with asymmetric switching characteristics

Номер патента: US20130223162A1. Автор: An Chen,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor memory device with plural trigger circuits for data output

Номер патента: US6154080A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Synchronous semiconductor memory device capable of improving load of clock signal line

Номер патента: US5881019A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Non-volatile memory device and corresponding method of operation

Номер патента: US20240096412A1. Автор: Vincenzo Russo,Thomas Jouanneau,Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor nonvolatile memory device

Номер патента: US8565028B2. Автор: Hiroyuki Tanikawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-22.

Non-volatile multi-level semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20030214850A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Tetsuya Tsujikawa. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor nonvolatile memory device

Номер патента: US20110261627A1. Автор: Hiroyuki Tanikawa. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Non-volatile multi-level, semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20050013167A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Systems and methods for erasing a memory

Номер патента: US20120106261A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Systems and methods for erasing a memory

Номер патента: WO2010056551A2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory device programming second dynamic reference cell according to threshold value of first dynamic reference cell

Номер патента: US20030161188A1. Автор: Satoshi Takahashi,Minoru Yamashita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

METHOD FOR REDUCING A MEMORY OPERATION TIME IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND CORRESPONDING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180151231A1. Автор: La Rosa Francesco,MATRANGA Giovanni,GRANDE Francesca,Lo Giudice Gianbattista. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

METHOD OF REDUCING THE DURATION OF A MEMORY OPERATION IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND ITS RELATIVE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: IT201600121618A1. Автор: Rosa Francesco La,Giudice Gianbattista Lo,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: St Microelectronics Rousset. Дата публикации: 2018-05-30.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070297208A1. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Charge-Trapping Memory Device and Methods for its Manufacturing and Operation

Номер патента: US20080279004A1. Автор: Tholasampatti Subramanian Sudhindra Prasad. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

APPARATUS, SYSTEM AND METHOD TO SENSE A LOGIC STATE OF A MEMORY CELL IN A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220180905A1. Автор: Srinivasan Balaji,Islam Ashraf B.,Patel Jaydip Bharatkumar,Husain Yasir Mohsin,Irizarry Nicolas L.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-06-09.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11737263B2. Автор: Fushan Zhang,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of programming multi-level cells in non-volatile memory device

Номер патента: US20130135929A1. Автор: Ki-hwan Choi,Chung-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-30.

Process for synthesizing halogenated derivatives of fluorescein for use in the production of non-volatile memory devices

Номер патента: US20080061289A1. Автор: Angela Cimmino,Maria Volpe,Alessandro Pezzella,Aniello Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-03-13.

Systems and methods for erasing a memory

Номер патента: WO2010056551A3. Автор: Vishal Sarin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-22.

Characterizing and operating a non-volatile memory device

Номер патента: US10068650B1. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Mahesh Mandya Vardhamanaiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Characterizing and operating a non-volatile memory device

Номер патента: US20190066801A1. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Mahesh Mandya Vardhamanaiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Characterizing and operating a non-volatile memory device

Номер патента: US09620227B1. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Mahesh Mandya Vardhamanaiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and system for providing sensing circuitry in a multi-bank memory device

Номер патента: WO2006044942A3. Автор: Mauro Chinosi,Massimiliano Frulio,Fabio Tassan Caser,Stefano Sivero. Владелец: Stefano Sivero. Дата публикации: 2006-12-07.

Method and apparatus for implementing a learn instruction in a content addressable memory device

Номер патента: TW457424B. Автор: Varadarajan Srinivasan,Sandeep Khanna,Bindiganavale S Nataraj. Владелец: Netlogic Microsystems Inc. Дата публикации: 2001-10-01.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: EP2263154A4. Автор: Vishal Sarin,Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-31.

Method and system for providing sensing circuitry in a multi-bank memory device

Номер патента: TWI290716B. Автор: Mauro Chinosi,Massimiliano Frulio,Fabio Tassan Caser,Stefano Sivero. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-12-01.

Method and system for providing sensing circuitry in a multi-bank memory device

Номер патента: TW200625309A. Автор: Mauro Chinosi,Massimiliano Frulio,Fabio Tassan Caser,Stefano Sivero. Владелец: Atmel Corportion. Дата публикации: 2006-07-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7755941B2. Автор: Toshiaki Kawasaki,Masanori Shirahama,Yasue Yamamoto,Yasuhiro Agata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Defective cell repairing circuit and method of semiconductor memory device

Номер патента: US5657280A. Автор: Choong-Sun Shin,Yong-Sik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7542364B2. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070217246A1. Автор: Mitsuaki Hayashi,Masakazu Kurata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-20.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5818760A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-10-06.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5659501A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-08-19.

Magnetic bubble memory device

Номер патента: US4837741A. Автор: Ryo Suzuki,Toshihiro Sato,Masatoshi Takeshita,Takashi Toyooka,Naoki Kodama,Teruaki Takeuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-06-06.

Redundant circuit incorporated in semiconductor memory device

Номер патента: US5018104A. Автор: Takahiko Urai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-05-21.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5528536A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-06-18.

Synchronous semiconductor memory device capable of reducing power dissipation by suppressing leakage current during stand-by and in active operation

Номер патента: US6055206A. Автор: Shigeki Tomishima,Tsukasa Ooishi,Hideto Hidaka,Hiroaki Tanizaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Non-volatile memory device

Номер патента: US4962484A. Автор: Naoki Mitsuishi,Masahiko Takeshima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-10-09.

Programmable semiconductor memory device having grouped high voltage supply circuits for writing data

Номер патента: US4805150A. Автор: Hiroshi Iwahashi,Masami Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-02-14.

Method for erasing and verifying nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5400287A. Автор: Keisuke Fuchigami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Novel 3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230337423A1. Автор: Fushan Zhang,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Magnetic bubble memory device

Номер патента: US4769783A. Автор: Ryo Suzuki,Toshihiro Sato,Tadashi Ikeda,Masatoshi Takeshita,Takashi Toyooka,Naoki Kodama,Teruaki Takeuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-09-06.

Non-volatile memory device and method of preventing hot electron program disturb phenomenon

Номер патента: US7428166B2. Автор: Seok-Jin JOO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-23.

Conductive-bridge memory device and production method therefor, and switch element

Номер патента: EP3809456A1. Автор: Shigeki Morii,Kentaro Kinoshita,Toshiki Nokami,Toshiyuki Itoh. Владелец: Tottori University NUC. Дата публикации: 2021-04-21.

Non-volatile memory device and method of preventing hot electron program disturb phenomenon

Номер патента: US20080055981A1. Автор: Seok Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Non-volatile memory device and method of preventing hot electron program disturb phenomenon

Номер патента: US20080055982A1. Автор: Seok Jin Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Method and apparatus for programming data in non-volatile memory device

Номер патента: US20130308390A1. Автор: Jun-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Data input device in a synchronous semiconductor memory device and method of inputting a data using the same

Номер патента: KR100520677B1. Автор: 이승민,윤영진,김시홍. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-11.

NOR flash memory device with a serial sensing operation and method of sensing data bits in a NOR flash memory device

Номер патента: US7773419B2. Автор: Young-Ho Lim,Dae-Han Kim,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-10.

Matrix selection amplifier circuit for low impedance heads in a magnetic disc memory device

Номер патента: CA1081805A. Автор: William A. Palm,Duane A. Young. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1980-07-15.

Magnetic bubble memory device

Номер патента: US4473891A. Автор: Minoru Hiroshima,Shinzo Matsumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-09-25.

Bit line biasing method to eliminate program disturbance in a non-volatile memory device and memory device employing the same

Номер патента: KR100604457B1. Автор: 첸포-링,청마이클에스.씨.,홀머쉐인챨스,령빈센트,르빈쾅,야노마사루,가와무라쇼이치,밴버스커크마이클. Владелец: 스펜션 엘엘씨. Дата публикации: 2006-07-26.

Method of managing fails in a non-volatile memory device and relative memory device

Номер патента: US7571362B2. Автор: Demetrio Pellicone,Gianfranco Ferrante,Procolo Carannante,Adamo Corsi,Marco Roveda,Concetta Di Tuoro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-04.

Method of Programming in a Non-Volatile Memory Device and Non-Volatile Memory Device for Performing the Same

Номер патента: US20080151633A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-nam Kim,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Non-volatile memory device and method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20100315881A1. Автор: Jae-ho Kim,Hyun-Sil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for reducing an erase memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: EP3330969B1. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-03-11.

FERRIMAGNETIC/FERROMAGNETIC EXCHANGE BILAYERS FOR USE AS A FIXED MAGNETIC LAYER IN A SUPERCONDUCTING-BASED MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200243132A1. Автор: AMBROSE THOMAS F.,LOVING MELISSA G.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of measuring a channel boosting voltage in a NAND flash memory device

Номер патента: KR100861647B1. Автор: 심근수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-02.

Method of driving a program operation in a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: CN1811982A. Автор: 李真烨. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-02.

A sense amplifier circuit for use in a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100322471B1. Автор: 조성희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-02-07.

Method and apparatus for performing a read next highest priority match instruction in a content addressable memory device

Номер патента: TW445410B. Автор: Varadarajan Srinivasan,Sandeep Khanna,Bindiganavale S Nataraj. Владелец: Netlogic Microsystems Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Method for writing in a mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: US20120008380A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2012-01-12.

OPERATING METHOD IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130148433A1. Автор: Park Seong Je. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-06-13.

CIRCUIT AND METHOD FOR REDUCING WRITE DISTURB IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130308365A1. Автор: Smith Steven. Владелец: SIDENSE CORP.. Дата публикации: 2013-11-21.

METHOD AND MEMORY SYSTEM FOR OPTIMIZING ON-DIE TERMINATION SETTINGS OF MULTI-RANKS IN A MULTI-RANK MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220093144A1. Автор: SOHN Young-Soo,OH KI-SEOK,HA KYUNG-SOO,Hyun Seok-hun,JANG JIN-HOON,LEE CHANG-KYO,CHOI Yeon-Kyu,MOON DAE-SIK. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

METHOD AND MEMORY SYSTEM FOR OPTIMIZING ON-DIE TERMINATION SETTINGS OF MULTI-RANKS IN A MULTI-RANK MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210082479A1. Автор: SOHN Young-Soo,OH KI-SEOK,HA KYUNG-SOO,Hyun Seok-hun,JANG JIN-HOON,LEE CHANG-KYO,CHOI Yeon-Kyu,MOON DAE-SIK. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

STAGGERING INITIATION OF REFRESH IN A GROUP OF MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180096719A1. Автор: Bains Kuljit S.,Halbert John B.,Tomishima Shigeki. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Power Savings in a Content Addressable Memory Device Using Masked Pre-Compare Operations

Номер патента: US20140218994A1. Автор: Argyres Dimitri. Владелец: NetLogic Microsystems, Inc.. Дата публикации: 2014-08-07.

CIRCUIT AND METHOD FOR REDUCING WRITE DISTURB IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160180963A1. Автор: Smith Steven. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

REDUCING NEIGHBOR WORD LINE INTERFERENCE IN A TWO-TIER MEMORY DEVICE BY MODIFYING WORD LINE PROGRAMMING ORDER

Номер патента: US20200202962A1. Автор: Dong Yingda,Chen Hong-Yan,Zhang Zhengyi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

METHOD OF PINNING DOMAIN WALLS IN A NANOWIRE MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140355337A1. Автор: "OGRADY Kevin",Vallejo Fernandez Gonzalo,Hirohata Atsufumui. Владелец: UNIVERSITY OF YORK. Дата публикации: 2014-12-04.

METHOD AND MEMORY SYSTEM FOR OPTIMIZING ON-DIE TERMINATION SETTINGS OF MULTI-RANKS IN A MULTI-RANK MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190304517A1. Автор: SOHN Young-Soo,OH KI-SEOK,HA KYUNG-SOO,Hyun Seok-hun,JANG JIN-HOON,LEE CHANG-KYO,CHOI Yeon-Kyu,MOON DAE-SIK. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Method and system for increasing programming bandwidth in a non-volatile memory device

Номер патента: US6515904B2. Автор: James M. Cleeves,Bendik Kleveland,Roy E. Scheuerlein,Christopher S. Moore,Roger W. March. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: CN101266838B. Автор: 朴成济. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-16.

Method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: US8760951B2. Автор: Jin Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Method for programming in a non-volatile memory device by applying multiple bit line bias voltages

Номер патента: CN110140174B. Автор: 张超,李海波,林燕霞. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Entry relocation in a content addressable memory device

Номер патента: US6700809B1. Автор: David W. Ng,Sunder R. Rathnavelu,Jose P. Pereira. Владелец: Netlogic Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-03-02.

Method of erasing data with improving reliability in a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7403429B2. Автор: Young-Ho Lim,Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-22.

Operating method in a non-volatile memory device

Номер патента: US8369155B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Burst write in a non-volatile memory device

Номер патента: US7278004B2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Row redundancy in a content addressable memory device

Номер патента: US6865098B1. Автор: Masaru Shinohara,Lan Lee,Michael Edwin Ichiriu,Yuefei Ge. Владелец: Netlogic Microsystems Inc. Дата публикации: 2005-03-08.

Fowler-Nordheim (F-N) tunneling for pre-programming in a floating gate memory device

Номер патента: EP1306856B1. Автор: Fuchia Shone,Chun Hsiung Hung,Ray-Lin Wan,Yao-Wu Cheng,Tzeng-Huei Shiau,I. Long Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-29.

Analog sensing of memory cells in a solid state memory device

Номер патента: US20090021987A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Decoding circuit for use in a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: DE602005020066D1. Автор: Tae-gyun Kim,Jin-Yub Lee,Seok-Heon Lee,Young-Joon Choi,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-29.

Sensing for memory read and program verify operations in a non-volatile memory device

Номер патента: TWI424439B. Автор: Ebrahim Abedifard,Uday Chandrasekhar,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-21.

Multiple level programming in a non-volatile memory device

Номер патента: KR100904352B1. Автор: 디 리. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2009-06-23.

Erase voltage reduction in a non-volatile memory device

Номер патента: WO2010056504A2. Автор: Vishal Sarin,Dzung H. Nguyen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-05-20.

Method of programing in a NAND flash memory device

Номер патента: KR100705219B1. Автор: 이주엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-06.

Method of inputting address in a non volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: KR100953062B1. Автор: 박영수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-13.

Burst read addressing in a non-volatile memory device

Номер патента: US6654313B2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-11-25.

Multi-level cell copyback program method in a non-volatile memory device

Номер патента: US7848141B2. Автор: Seong Je Park,Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-07.

Analog sensing of memory cells in a solid-state memory device

Номер патента: EP2171720B1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: KR20230041330A. Автор: 최형진. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2023-03-24.

"METHOD AND SYSTEM FOR THE DELIVERY OF DETECTION IN A MULTIPLE BENCH MEMORY DEVICE."

Номер патента: ITMI20041988A1. Автор: Mauro Chinosi,Massimiliano Frulio,Stefano Sivero,Caser Fabio Tassan. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-01-20.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: US8068366B2. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-29.

Program and sense operations in a non-volatile memory device

Номер патента: US8379461B2. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Analog sensing of memory cells in a solid-state memory device

Номер патента: US8976582B2. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-10.

Sensing for memory read and program verify operations in a non-volatile memory device

Номер патента: US20100074015A1. Автор: Ebrahim Abedifard,Uday Chandrasekhar,Allahyar Vahidimowlavi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Structure and method for reducing stress in a three-dimensional memory device

Номер патента: TWI674666B. Автор: 夏季,李思晢,魏勤香,孫堅華. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2019-10-11.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: US20090251969A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230017178A1. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Structure and method for reducing stress in a three-dimensional memory device

Номер патента: TW202027259A. Автор: 夏季,李思晢,魏勤香,孫堅華. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2020-07-16.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: KR20100126600A. Автор: 비샬 사린,프랭키 에프. 루파바르. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2010-12-01.

Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Номер патента: US9293184B2. Автор: Atsufumi Hirohata,Kevin O'Grady,Gonzalo Vallejo Fernandez. Владелец: UNIVERSITY OF YORK. Дата публикации: 2016-03-22.

Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Номер патента: GB201218010D0. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF YORK. Дата публикации: 2012-11-21.

Mitigation of data corruption from back pattern and program disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: TW200933634A. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-01.

Ridged word lines for increasing control gate lengths in a three-dimensional memory device

Номер патента: US09893081B1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Yao-Sheng Lee,Somesh Peri. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09601178B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory devices and methods for managing error regions

Номер патента: US09953724B2. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory device operation based on device characteristics

Номер патента: US20240255567A1. Автор: Kazuaki Ohara,Rachael R. Skreen,Soujanya Venigalla,Jihye Gale Shin,Rosa Maria Avila-Hernandez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Eliminating write disturb for system metadata in a memory sub-system

Номер патента: WO2023028166A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Interrupting a memory built-in self-test

Номер патента: US12040037B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071509A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Interrupting a memory built-in self-test

Номер патента: US20240339170A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Transistor configurations for multi-deck memory devices

Номер патента: US20240194671A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory device with extended write data window

Номер патента: WO2024050265A1. Автор: Christopher Haywood,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-03-07.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4177895A1. Автор: Sangwon Park,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Memory device

Номер патента: US20230134975A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for testing memory device

Номер патента: US7307903B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-11.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Matrix-addressable apparatus with one or more memory devices

Номер патента: US20030099126A1. Автор: Hans Gudesen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Memory device

Номер патента: US12087354B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Programming delay scheme for in a memory sub-system based on memory reliability

Номер патента: US20240304256A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09978449B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device, memory system, and method for operating memory device

Номер патента: US09818493B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09691481B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device and systems and methods for selecting memory cells in the memory device

Номер патента: US09595335B2. Автор: Tsung-Ching Wu,Philip S. Ng,Geeng-Chuan Chern,Steven Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20220375950A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: WO2010083087A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-22.

Source bias temperature compensation for read and program verify operations on a memory device

Номер патента: US20230197175A1. Автор: Ching-Huang Lu,Ronit Roneel Prakash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20240276736A1. Автор: Daniele Vimercati,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Multi-column addressing mode memory system including an intergrated circuit memory device

Номер патента: EP1800311A1. Автор: Frederick A. c/o Rambus Inc. WARE,Lawrence c/o Rambus Inc. LAI,Chad A. c/o Rambus Inc. BELLOWS,Wayne S. c/o Rambus Inc. RICHARDSON. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2007-06-27.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US12069847B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20100039863A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Memory device, operation method of memory device, and page buffer included in memory device

Номер патента: US12073915B2. Автор: Yongsung CHO,Ji-Sang LEE,Min Hwi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for testing a memory device and memory device for carrying out the method

Номер патента: US7219029B2. Автор: Sven Boldt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-15.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220051724A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20110096608A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220351782A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Divided quad clock-based inter-die clocking in a three-dimensional stacked memory device

Номер патента: US20240223196A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device health monitoring and dynamic adjustment of device parameters

Номер патента: US20240347127A1. Автор: Dongxiang Liao,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Non-volatile memory device readable only a predetermined number of times

Номер патента: US12125533B2. Автор: Marco Bildgen,Francesco La Rosa. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory apparatus and memory device

Номер патента: US09767874B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09697897B2. Автор: Anirban Roy,Michael A Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile memory device and method of setting a reference current in a nonvolatile memory device

Номер патента: US09595340B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Hsu-Shun Chen,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory apparatus and memory device

Номер патента: US09424903B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash Memory Device

Номер патента: US20130077406A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: EP2377128A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005533A1. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005532A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: WO2023278073A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2023-01-05.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: US20230197158A1. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: EP4198987A1. Автор: Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-21.

Memory device and a storage system using the same

Номер патента: US20200365211A1. Автор: Jun Yong Park,Yong Hyuk Choi,Sang Wan NAM,Jung No Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Three-dimensional memory devices with drain select gate cut and methods for forming and operating the same

Номер патента: US12058857B2. Автор: Lichuan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device and system having a variable depth write buffer and preload method

Номер патента: US20040066673A1. Автор: Richard Perego,Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2004-04-08.

Enabling or disabling on-die error-correcting code for a memory built-in self-test

Номер патента: US20240274216A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Method for activating a plurality of word lines in a refresh cycle, and electronic memory device

Номер патента: US20060126414A1. Автор: Manfred Moser,Richard Antretter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Corrective read with partial block offset in a memory device

Номер патента: US20240312529A1. Автор: Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee,Waing Pyie Soe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US20240347116A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device

Номер патента: US20240371437A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim,Chao-Yuan Chang,Jui-Wen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A3. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09966132B2. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US09929173B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Reducing leakage current in a memory device

Номер патента: US09916904B2. Автор: Nan Chen,Mehdi Hamidi Sani,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Error-resilient memory device with row and/or column folding with redundant resources and repair method thereof

Номер патента: US09905315B1. Автор: Sourav Roy,Prokash Ghosh,Neha Raj. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US09741440B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Nonvolatile memory device and method of erasing nonvolatile memory device

Номер патента: US09659662B2. Автор: Kihwan Choi,Sang-Wan Nam,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory devices, memory systems including refresh control circuit and method of performing weak refresh operation on the weak pages thereof

Номер патента: US09620193B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Dong-yang Lee,Jae-Yeon Choi,Sang-Kyu Kang,Doo-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Content addressable memory device

Номер патента: US8400803B2. Автор: Mihoko Akiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Memory device including semiconductor element

Номер патента: US20240206150A1. Автор: Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20210027828A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20230335180A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12020753B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080117659A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Signal development circuitry layouts in a memory device

Номер патента: US20240221806A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

One-time programmable memory device

Номер патента: WO2023247645A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2023-12-28.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20230420063A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced wall displacement

Номер патента: US20110007559A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Compensating a long read time of a memory device in data comparison and write operations

Номер патента: EP1649468A1. Автор: Eric H. J. Persoon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-26.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: WO2009072819A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: KOREA UNIVERSITY INDUSTRIAL & ACADEMIC COLLABORATION FOUNDATION. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory device and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US20240244842A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having asymmetric page buffer array architecture

Номер патента: EP4386752A1. Автор: Daeseok Byeon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Read techniques to reduce read errors in a memory device

Номер патента: US11972806B2. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Transient and stable state read operations of a memory device

Номер патента: US20240062829A1. Автор: Ugo Russo,Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Enhanced valley tracking with trim setting updates in a memory device

Номер патента: US20240096408A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080159037A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Myeong-o Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Memory device with high data bandwidth

Номер патента: US11875841B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Chong-Jen Huang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved program and erase operations and operating method of the memory device

Номер патента: US20200211650A1. Автор: Sang Heon Lee,Keon Soo Shim,Byung In Lee,Hee Joung PARK,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Method and apparatus for providing debug functionality in a buffered memory channel

Номер патента: US20050259480A1. Автор: Robert Ellis,David Zimmerman,John Halbert,Kuljit Bains,Chris Freeman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-11-24.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Bitline driver isolation from page buffer circuitry in memory device

Номер патента: US20220180936A1. Автор: Violante Moschiano,Dheeraj Srinivasan,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: US8300445B2. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2012-10-30.

Capacitive sensing with a micro pump in a memory device

Номер патента: US20240257842A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Yoshihiko Kamata,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and data erasing method

Номер патента: US9355731B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US12057169B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116239A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017884A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Phase change memory device and control method

Номер патента: EP2291846A1. Автор: Ludovic Goux. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-09.

Memory device with post package repair function and method for operating the same

Номер патента: US20210366568A1. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory device and method of fabricating memory device

Номер патента: US20240282395A1. Автор: Jungpil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and apparatus for connecting memory dies to form a memory system

Номер патента: US20130193582A1. Автор: Byoung Jin Choi. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240296893A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Decoding for a memory device

Номер патента: US20220189549A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180075916A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Memory device with high data bandwidth

Номер патента: US20230186972A1. Автор: Chun-Cheng Chen,Chong-Jen Huang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US20210391024A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US20220189565A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US11749359B2. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: US20040071023A1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Memory devices having a carbon nanotube

Номер патента: US20090289322A1. Автор: Xiaofeng Wang,Dong-Woo Kim,Sun-Woo Lee,Hong-Sik Yoon,Seong-ho Moon,Subramanya Mayya. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-26.

Defective memory block identification in a memory device

Номер патента: US20100017665A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-21.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240282394A1. Автор: Chang Beom WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20240282393A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device performing signed multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240304252A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Access line grain modulation in a memory device

Номер патента: US12087358B2. Автор: David Ross Economy,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12100452B2. Автор: Sangwon Park,Junho Choi,Kuihan KO,Minyong Kim,Jekyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Packaged integrated device with memory buffer integrated circuit die and memory devices on module substrate

Номер патента: US12087681B2. Автор: Ming Li,Shahram Nikoukary,Jonghyun CHO,Nitin Juneja. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Sub-block definition in a memory device using segmented source plates

Номер патента: US20240312535A1. Автор: Aaron S. Yip,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device capable of performing in-memory computing

Номер патента: US20240304232A1. Автор: Shu-Sen Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Controlling pillar voltage using wordline boost voltage and select gate leakage during all levels programming of a memory device

Номер патента: US20240339158A1. Автор: Lee-Eun Yu,Tomoko Ogura Iwasaki,Fulvio Rori,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Albert Fayrushin,Jeffrey S. McNeil,Justin Bates,Yeang Meng Hern. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Boost-by-deck during a program operation on a memory device

Номер патента: US20240339163A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Shyam Sunder Raghunathan,Leo Raimondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Triggering of stronger write pulses in a memory device based on prior read operations

Номер патента: US12131778B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert John Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: EP4449417A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Feedback for multi-level signaling in a memory device

Номер патента: EP4366167A3. Автор: M. Ataul Karim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

System and method for programming a memory device with multiple writes without an intervening erase

Номер патента: US09972396B1. Автор: Himanshu Naik,Biswajit Ray,Changyuan Chen,Mohan DUNGA. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09941333B2. Автор: Ji-Hyun Jeong,Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240373640A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Single-semiconductor-layer channel in a memory opening for a three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US09799669B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Partial block erase operations in memory devices

Номер патента: US20240379176A1. Автор: Violante Moschiano,Walter Di Francesco,Shyam Sunder Raghunathan,Haiou Che. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Resistive memory devices and methods of controlling resistive memory devices according to selected pulse power specifications

Номер патента: US09633727B2. Автор: Man Chang,Hyun-Sang Hwang,In-Gyu Baek,Sang-Heon Lee. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of operating memory device including multi-level memory cells

Номер патента: US09613664B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Provision of structural integrity in memory device

Номер патента: US09608202B1. Автор: Michael J. Bernhardt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Retention control in a memory device

Номер патента: US09542994B1. Автор: James Edward Myers,Pranay Prabhat. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device

Номер патента: US20240144986A1. Автор: Kazuma Tamura,Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device testing

Номер патента: US20020172086A1. Автор: Ebrahim Abedifard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20220172783A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Bitline voltage adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203502A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Pass voltage adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203513A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Program verify level adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203503A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Sensing time adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203504A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatuses and methods for parallel i/o operations in a memory

Номер патента: WO2019074796A1. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-04-18.

System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US6999334B2. Автор: Frederick A. Perner,Anthony Holden. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-14.

Memory device having an increased sensing margin

Номер патента: US20210012835A1. Автор: Makoto Hirano,Yongsung CHO,Junho SHIN,Taehui Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Programming techniques in a memory device to reduce a hybrid slc ratio

Номер патента: US20240242764A1. Автор: JIA Li,Huiwen Xu,Ken Oowada,Bo Lei,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Configurable resistivity for lines in a memory device

Номер патента: US12040014B2. Автор: Jian Jiao,Michael P. O'Toole,Jason R. Johnson,William L. Cooper,Koushik Banerjee,Isaiah O. Gyan,Robert Cassel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device and memory device operating method

Номер патента: US20240242766A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and system for adaptively adjusting control signal timing in a memory device

Номер патента: WO2001043137A1. Автор: John D. Porter,Dean Gans,John R. Wilford. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2001-06-14.

Temperature dependent programming techniques in a memory device

Номер патента: US12046306B2. Автор: Ravi Kumar,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071508A1. Автор: Xiang Yang,Takayuki Inoue,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257843A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Deck selection layouts in a memory device

Номер патента: US20230292527A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Write assist circuit for memory device

Номер патента: US20230335186A1. Автор: Chia-Che Chung,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-19.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20230307057A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20240274205A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG,Young Seung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Charge loss compensation during read operations in a memory device

Номер патента: US12057174B2. Автор: Theodore T. Pekny,Taehyun Kim,Michele Piccardi,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8848455B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120195116A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070230246A1. Автор: Akira Umezawa,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Open block-based read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20220293187A1. Автор: Xiaojiang Guo,Youxin He,Jong Hoon Kang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Ganged single level cell verify in a memory device

Номер патента: US12073895B2. Автор: Eric N. Lee,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Using non-segregated cells as drain-side select gates for sub-blocks in a memory device

Номер патента: US12080351B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device

Номер патента: US20210335427A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US20140301149A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Programmable magnetic memory device

Номер патента: WO2004032145A3. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Gavin N Phillips. Владелец: Gavin N Phillips. Дата публикации: 2005-06-16.

Gate voltage step and program verify level adjustment in a memory device

Номер патента: US20240290404A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210383848A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20240290389A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230057303A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

All levels dynamic start voltage programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: US11756612B2. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device and control method for the semiconductor memory device

Номер патента: US20070011512A1. Автор: Makoto Arita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Nonvolatile memory device using resistive elements and an associated driving method

Номер патента: US20090040819A1. Автор: Byung-Gil Choi,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20230170020A1. Автор: Jeong Hwan Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Method and system for reading from memory cells in a memory device

Номер патента: US20120218830A1. Автор: Cyrille Dray,Alexandre Ney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-30.

Gate voltage step and program verify level adjustment in a memory device

Номер патента: WO2024178393A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Partial block erase operations in memory devices

Номер патента: US12087372B2. Автор: Violante Moschiano,Walter Di Francesco,Shyam Sunder Raghunathan,Haiou Che. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US12096611B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and multi-pass program operation thereof

Номер патента: US12100462B2. Автор: Chao Zhang,Haibo Li,Yueping Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Nonvolatile memory devices for reducing degradation due to difference of threshold voltage distributions between outer cells and inner cells

Номер патента: US12094535B2. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device for storing plurality of data bits and method of operating the same

Номер патента: US20240304225A1. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Kyu Nam LIM,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and read operation during suspension of program operation thereof

Номер патента: US12087366B2. Автор: Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Circuit for reducing voltage degradation caused by parasitic resistance in a memory device

Номер патента: US12106801B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and asynchronous multi-plane independent read operation thereof

Номер патента: US12106810B2. Автор: Lei Shi,Bo Li,Yanlan Liu,Jialiang DENG,Zhuqin DUAN,Yuesong Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device for controlling a data output order and an operating method thereof

Номер патента: US20240321381A1. Автор: Jiwon SEO,KeeHo JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Charge loss compensation during read operations in a memory device

Номер патента: US20240355397A1. Автор: Theodore T. Pekny,Taehyun Kim,Michele Piccardi,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Nonvolatile memory device having multi-stack memory block and method of operating the same

Номер патента: US12119046B2. Автор: Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu,Jiho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US12112806B2. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Power reduction for a sensing operation of a memory cell

Номер патента: US09990977B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of setting a reference current in a nonvolatile memory device

Номер патента: US09934864B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Hsu-Shun Chen,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Multi-communication device in a memory system

Номер патента: US09934830B2. Автор: Jongmin Park,Do-Han Kim,Tae-Kyeong Ko,Sungup Moon,Kyoyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Performing read operations on a memory device

Номер патента: US09865357B1. Автор: Deepak Thimmegowda,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Shantanu R. Rajwade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory devices with improved refreshing operation

Номер патента: US09812182B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Chien-Yin Liu,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Conductive metal oxide structures in non-volatile re-writable memory devices

Номер патента: US09767897B2. Автор: Wayne Kinney,Lawrence Schloss,Rene Meyer,Julie Casperson Brewer. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Three dimensional memory device

Номер патента: US12137570B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Chia-Ta Yu,Sai-Hooi Yeong,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Ganged single level cell verify in a memory device

Номер патента: US20240379178A1. Автор: Eric N. Lee,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory device and stress testing method of same

Номер патента: US09627091B1. Автор: Johnny Chan,Hsi-Hsien Hung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device and access method

Номер патента: US09627053B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20150117111A9. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconducting metal oxide memory device using hydrogen-mediated threshold voltage modulation and methods for forming the same

Номер патента: US11942147B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Blandine Duriez,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190304515A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Voltage kick for improved erase efficiency in a memory device

Номер патента: US20230223086A1. Автор: Liang Li,Xuan Tian. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device

Номер патента: US20190057734A1. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Memory device

Номер патента: US20220059136A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Mlc programming techniques in a memory device

Номер патента: US20230290419A1. Автор: Xiang Yang,Takayuki Inoue,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory device and repair method of the memory device

Номер патента: EP4407621A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device and repair method of the memory device

Номер патента: US20240257898A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Counter-based read in memory device

Номер патента: US20210225454A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Reducing spurious write operations in a memory device

Номер патента: US20230307019A1. Автор: Vinay Kumar,Shishir Kumar. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device

Номер патента: US20200302989A1. Автор: Kosuke Hatsuda,Yoshiaki Osada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory device for write operation including verification and operating method thereof

Номер патента: US20210319839A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120236664A1. Автор: Masahiro Kamoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8644069B2. Автор: Masahiro Kamoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-04.

Quick pass write programming techniques in a memory device

Номер патента: US20230307072A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-28.

Data input/output (i/o) apparatus for use in a memory device

Номер патента: US20070091693A1. Автор: Seung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Memory devices and operations thereof using program state determination based on data value distribution

Номер патента: US20100315876A1. Автор: Kitae Park,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20140219032A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory device with multi-mode deserializer

Номер патента: US20140029331A1. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Renu Rangnekar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor memory device allowing high-speed data reading

Номер патента: US20060023555A1. Автор: Chikayoshi Morishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Flash memory device employing disturbance monitoring scheme

Номер патента: US20080049507A1. Автор: Jong-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Memory device having different numbers of bits stored in memory cells

Номер патента: US20210043244A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory device with a three-dimensional vertical structure and driving method thereof

Номер патента: WO2024153970A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and memory writing method

Номер патента: US20200273505A1. Автор: Jui-Jen Wu,Fan-yi Jien,Chengyu Xu,Junhua Zheng. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory device and memory writing method

Номер патента: US10770121B1. Автор: Jui-Jen Wu,Fan-yi Jien,Chengyu Xu,Junhua Zheng. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Memory device for performing read operation

Номер патента: US20240290394A1. Автор: Dong Hun Kwak,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157284A1. Автор: Il-han Park,Bong-Soon Lim,June-Hong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Memory devices

Номер патента: US11765913B2. Автор: Minchul Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device

Номер патента: US11735238B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Chien-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040229432A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7041558B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US20220310845A1. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US11728438B2. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Dielectric thin film on electrodes for resistance change memory devices

Номер патента: US09698344B2. Автор: DerChang Kau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Applying inert ion beam etching for improving a profile and repairing sidewall damage for phase change memory devices

Номер патента: US20230165169A1. Автор: Robert L. Bruce,Sebastian Ulrich Engelmann,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac,Thitima Suwannasiri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100123184A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120146128A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes

Номер патента: US09859211B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Three-dimensional memory device with partially discrete charge storage regions and method of making thereof

Номер патента: US09960180B1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Fei Zhou,Rahul Sharangpani,Keerti Shukla,Raghuveer Makala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Non-volatile memory device containing oxygen-scavenging material portions and method of making thereof

Номер патента: US09812505B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Portable memory device for a mobile repair unit

Номер патента: CA2525172A1. Автор: John Charles Hood,W. Bruce Lowe. Владелец: W. Bruce Lowe. Дата публикации: 2004-12-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090072323A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Three-dimensional memory device containing etch-stop structures and self-aligned insulating spacers and method of making the same

Номер патента: US20230275026A1. Автор: Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Three-dimensional memory device containing etch-stop structures and self-aligned insulating spacers and method of making the same

Номер патента: WO2023163740A1. Автор: Kazuto Watanabe,Koichi Matsuno,Kota Funayama,Youko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: WO2010125540A3. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Harry Wondergem. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-04-07.

Phase Change Material for a Phase Change Memory Device and Method for Adjusting the Resistivity of the Material

Номер патента: US20120091416A1. Автор: Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Robertus Adrainus Maria Wolters. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: US8792265B2. Автор: Robertus Andrianus Maria Wolters,Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-29.

Method of forming a stepped surface in a three-dimensional memory device and structures incorporating the same

Номер патента: US12010842B2. Автор: Akira Yoshida,Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of forming a dielectric spacer in a NAND flash memory device

Номер патента: KR100680487B1. Автор: 권일영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of forming a transistor in a non-volatile memory device

Номер патента: US20070238240A1. Автор: Dominik Olligs,Florian Beug,Ricardo Mikalo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-11.

RIDGED WORD LINES FOR INCREASING CONTROL GATE LENGTHS IN A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180040627A1. Автор: Lee Yao-Sheng,Makala Raghuveer S.,SHARANGPANI Rahul,KANAKAMEDALA Senaka,Peri Somesh. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

SPLIT MEMORY CELLS WITH UNSPLIT SELECT GATES IN A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170148809A1. Автор: OGAWA Hiroyuki,NISHIKAWA Masatoshi,Miyamoto Masafumi. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

METHOD FOR FORMING HYDROGEN-PASSIVATED SEMICONDUCTOR CHANNELS IN A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190312035A1. Автор: Shimabukuro Seiji,Tobita Hirotada,TAKUMA Shunsuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Through-memory-level via structures between staircase regions in a three-dimensional memory device and method of making thereof

Номер патента: US20170352678A1. Автор: Yan Li,Zhenyu Lu,Yanli Zhang,Hiroyuki Ogawa,Daxin Mao,Johann Alsmeier,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Jixin Yu,Alexander Chu,Chun GE. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Method of forming transistor using the step shallow trench isolation profile in a nand flash memory device

Номер патента: KR100729923B1. Автор: 허현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-18.

Array of vertical bipolar junction transistors, in particular selectors in a phase change memory device

Номер патента: EP1965427A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Augusto Benvenuti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2008-09-03.

Atomic layer deposition of interpoly oxides in a non-volatile memory device

Номер патента: US20060008997A1. Автор: Zhong Dong,Vei-Han Chan,Chuck Jang,Ching-Hwa Chen. Владелец: Ching-Hwa Chen. Дата публикации: 2006-01-12.

Atomic layer deposition of interpoly oxides in a non-volatile memory device

Номер патента: US7122415B2. Автор: Zhong Dong,Vei-Han Chan,Chuck Jang,Ching-Hwa Chen. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-10-17.

Split memory cells with unsplit select gates in a three-dimensional memory device

Номер патента: US9935124B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Masafumi Miyamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacture process for erase improvement in a non-volatile memory device

Номер патента: CN100423239C. Автор: 蔡嘉雄,朱文定,刘世昌,罗际兴,谢佳达,傅士奇. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-01.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Synchronous interface to asynchronous processes

Номер патента: US09674226B2. Автор: Alexander Lerner,Taras Shkvarchuk,Thomas Nabiel Boulos. Владелец: Salesforce com Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Through-memory-level via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09818693B2. Автор: Jin Liu,Hiroyuki Ogawa,James Kai,Johann Alsmeier,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Jixin Yu,Yoko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Through-memory-level via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09806093B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230380133A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-23.

Through-memory-level via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09818759B2. Автор: Jin Liu,Hiroyuki Ogawa,James Kai,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Yoko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Memory device with vertical field effect transistor

Номер патента: US20230276613A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12048149B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240260274A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: EP4407658A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240365534A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device having cell over periphery (COP) structure, memory package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799672B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-volatile memory devices with vertically integrated capacitor electrodes

Номер патента: US09659954B2. Автор: Hyun-Suk Kim,Kee-jeong Rho,Joon-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Methods for forming three-dimensional memory devices with supporting structure for staircase region

Номер патента: US20220293533A1. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Contact formation for a memory device

Номер патента: US20240357837A1. Автор: ZHAO Zhao,Farrell M. Good,Nirav Vora,Kolya Yastrebenetsky,Darwin A. Clampitt,Stephen W. Russell,Steven P. Turini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory hole size variation in a 3D stacked memory

Номер патента: US09812462B1. Автор: Yanli Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-10-14.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: WO2014088489A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-06-12.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Microelectronic devices and memory devices

Номер патента: WO2024155421A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor

Номер патента: US11690233B2. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Memory device and method of manufacturing memory device

Номер патента: US20240260269A1. Автор: Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device

Номер патента: US20240292621A1. Автор: Yugo Masuda,Takahito Nishimura,Shota URATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09691782B1. Автор: Bong-Soon Lim,Ki-tae Park,Chul-Jin Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory devices having low permittivity layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US9362340B2. Автор: Masayuki Terai,Jung-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A3. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: US20130009208A1. Автор: Chandra Mouli,Suraj J Mathew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A2. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Vertical memory device

Номер патента: EP4105992A2. Автор: Sangwon Park,Yongseok Kwon,Jaeyong Jeong,Dongkyu LEE,Youngsik Rho,Sungwhan SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Three-dimensional memory device and method of making thereof by non-conformal selective deposition of insulating spacers in a memory opening

Номер патента: US20240237346A1. Автор: Bing Zhou,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Structure and Method for Single Gate Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190088666A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Huang-Wen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9012969B2. Автор: Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Capacitor in a three-dimensional memory structure

Номер патента: US12068240B2. Автор: June Lee,Naveen KAUSHIK,Shuai Xu,Xiaojiang Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of forming memory device

Номер патента: US20240276700A1. Автор: Yasuyuki Sakogawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US12082411B2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12089417B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Capacitor in a three-dimensional memory structure

Номер патента: US20240371749A1. Автор: June Lee,Naveen KAUSHIK,Shuai Xu,Xiaojiang Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Recessed salicide structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09735245B2. Автор: Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device including a protection insulating pattern

Номер патента: US09698198B2. Автор: Jongchul Park,Young-Seok Choi,Jaehun SEO,Hyun-woo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Three-dimensional memory device with layer contact via structures located in a memory array region and methods of forming the same

Номер патента: US20240381639A1. Автор: Takaaki IWAI,Yuji TOTOKI,Keisuke Izumi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US20210359203A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Three-dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230309306A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Shi-Wei He,Yun-Fan CHOU,Guoguo Kong,Meng Qi ZHUANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024103281A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210066333A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: EP3867953A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: WO2020124879A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240298442A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Storing Blocks Of Data In A Plurality Of Memory Devices In A Redundant Manner, A Memory Controller And A Memory System

Номер патента: US20120117444A1. Автор: Arya Siamak. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

Method Of Storing Blocks Of Data In A Plurality Of Memory Devices For High Speed Sequential Read, A Memory Controller And A Memory System

Номер патента: US20120117305A1. Автор: Arya Siamak. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

Method of programming data in a non-volatile memory device and non-volatile memory device for performing the method

Номер патента: CN118942514A. Автор: 朴贤国,尹铉竣,尹盛远,申祐卨. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Method and Controller for Identifying a Unit in a Solid State Memory Device for Writing Data To

Номер патента: US20120303860A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

Method and Controller for Identifying a Unit in a Solid State Memory Device for Writing Data to

Номер патента: US20120303878A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

METHODS, APPARATUSES AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS FOR GENERATING INDEXES USING A JOURNAL IN A KEY VALUE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130132397A1. Автор: Oikarinen Matti Juhani,MacMillan David Gordon. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2013-05-23.

Word line driver having a divided bias line in a non-volatile memory device and method for driving word lines

Номер патента: TWI293760B. Автор: Kim Jong-jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-21.

ERASE VOLTAGE REDUCTION IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120033504A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-09.

MULTIPLE LEVEL PROGRAMMING IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120039123A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-02-16.

ANALOG READ AND WRITE PATHS IN A SOLID STATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120057408A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

METHOD OF READING DATA IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120099391A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-04-26.

MITIGATION OF DATA CORRUPTION FROM BACK PATTERN AND PROGRAM DISTURB IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120113723A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

Cache Control in a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20120173807A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

CHARGE PUMP OPERATION IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120224428A1. Автор: Ha Chang Wan. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

SYSTEM AND METHOD FOR EMULATING AN EEPROM IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140052896A1. Автор: Nirschl Thomas,Backhausen Ulrich,Kern Thomas,Rosenbusch Jens,Paparisto Edvin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-02-20.

Recessed Access Device for a Memory

Номер патента: US20120001245A1. Автор: Beigel Kurt D.,Trivedi Jigish D.,Duesman Kevin G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Asynchronous process topology in a memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты