Three-dimensional field effect device.

Three-dimensional field effect device

Номер патента: US20210118873A1
Опубликовано: 22-04-2021
Автор(ы): Huimei Zhou, Nicolas J. Loubet, Peng Xu, Shogo Mochizuki, Su Chen Fan
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Vertical field effect transistor and method of manufacturing a vertical field effect transistor

Номер патента: US11201241B2. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Xin Miao,Richard Glen Southwick, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-14.

THREE-DIMENSIONAL FIELD EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190355717A1. Автор: Xu Peng,Fan Su Chen,Mochizuki Shogo,Loubet Nicolas J.,Zhou Huimei. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Stressed channel bulk fin field effect transistor

Номер патента: US20160035626A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker,Akira Hokazono. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Stressed channel bulk fin field effect transistor

Номер патента: US09484262B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker,Akira Hokazono. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Multi-fin vertical field effect transistor and single-fin vertical field effect transistor on a single integrated circuit chip

Номер патента: US11901240B2. Автор: KANG Ill Seo,Jeonghyuk Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Multi-fin vertical field effect transistor and single-fin vertical field effect transistor on a single integrated circuit chip

Номер патента: US20240145313A1. Автор: KANG Ill Seo,Jeonghyuk Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Multi-fin vertical field effect transistor and single-fin vertical field effect transistor on a single integrated circuit chip

Номер патента: EP4030478A1. Автор: Kangill Seo,Jeonghyuk Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-20.

High voltage junctionless field effect device and its method of fabrication

Номер патента: US09634151B1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

High voltage junctionless field effect device and its method of fabrication

Номер патента: US20170133510A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertical transport fin field effect transistors on a substrate with varying effective gate lengths

Номер патента: US10381476B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Vertical transport field-effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20200119010A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical field-effect transistor with wrap-around contact structure

Номер патента: US12119346B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Looped long channel field-effect transistor

Номер патента: US20230101235A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie,Heng Wu,Hemanth Jagannathan,Robert Robison,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Three-dimensional field effect device

Номер патента: US20200035823A1. Автор: Peng Xu,Shogo Mochizuki,Nicolas J. Loubet,Su Chen Fan,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Three-dimensional field effect device

Номер патента: US20200035824A1. Автор: Peng Xu,Shogo Mochizuki,Nicolas J. Loubet,Su Chen Fan,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Three-dimensional field effect device

Номер патента: US11817502B2. Автор: Peng Xu,Shogo Mochizuki,Nicolas J. Loubet,Su Chen Fan,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device having field-effect structures with different gate materials, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09773706B2. Автор: Walter Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-26.

Vertical field-effect transistor with isolation pillars

Номер патента: US20240072051A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Vertical field-effect transistor with isolation pillars

Номер патента: WO2024041867A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: EP3539158A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-09-18.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: WO2018089424A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-05-17.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180337278A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180269320A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09853102B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Chien-Hsun Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Hybrid circuit including a tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09748271B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Tamilmani Ethirajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200152629A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119012A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119011A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: US20180130888A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-05-10.

Fin field effect transistor devices with modified spacer and gate dielectric thicknesses

Номер патента: US20200075589A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Fin field effect transistor devices with modified spacer and gate dielectric thicknesses

Номер патента: US20200075587A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Fin field effect transistor devices with modified spacer and gate dielectric thicknesses

Номер патента: US20190378837A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Field effect transistors having multiple effective work functions

Номер патента: US09484427B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Min Dai,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Field-effect transistors with isolation pillars

Номер патента: US20240072050A1. Автор: Tao Li,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US11791215B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20220375794A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

A semiconductor device comprising an insulated gate field transistor connected on series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: WO2019177529A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2019-09-19.

Self-aligned gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2013090401A1. Автор: Daniel J. Grimm,Gregory Dix,Harold Kline,Rodney Schroeder. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-20.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20210118878A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Field-effect transistors with vertically-serpentine gates

Номер патента: US20200357892A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

A semiconductor device comprising a low voltage insulated gate field effect transistor connected in series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: SE1850300A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: Klas Haakan Eklund Med Firma K Eklund Innovation. Дата публикации: 2019-09-17.

Gate-last process for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: US20200219777A1. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20200381426A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for farbricating field-effect transistors in integrated semiconductor circuits and integrated semiconductor circuit fabricated with a field-effect transistor of this type

Номер патента: US20020037639A1. Автор: Wolfgang Angermann,Andreas Bänisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-28.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1189637A. Автор: Yoshio Sakai,Tsuneo Funabashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-06-25.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20180114849A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20190081157A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20170352743A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20180033869A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US10134874B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP3262688A1. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP3916801A1. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-01.

Field-effect transistors with laterally-serpentine gates

Номер патента: US20200357889A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Michel J. Abou-Khalil. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Fin field effect transistors having a nitride containing spacer to reduce lateral growth of epitaxially deposited semiconductor materials

Номер патента: US20140264387A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Field effect transistor including multiple aspect trapping ratio structures

Номер патента: US11843051B2. Автор: Mirco Cantoro,YeonCheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Fin field effect transistor including a single diffusion break with a multi-layer dummy gate

Номер патента: US20200066898A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Bipolar field effect transistor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20140097472A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Hsiang-Chih Sun. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Field effect transistors including fin structures with different doped regions and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09653551B2. Автор: Bomsoo Kim,Myung Gil Kang,Changwoo Oh,Jongshik Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

III-V gate-all-around field effect transistor using aspect ratio trapping

Номер патента: US09583567B2. Автор: SANGHOON Lee,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Insulated gate field-effect transistor device and method of making the same

Номер патента: EP4243080A3. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-11-08.

Field-effect transistor, field-effect transistor array structure and method of manufacturing field-effect transistor

Номер патента: US20220149166A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Integrated circuit including field effect transistors having a contact on active gate compatible with a small cell area having a small contacted poly pitch

Номер патента: US20190148298A1. Автор: RWIK Sengupta,Mark Rodder,Titash Rakshit,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for making field effect transistor and field effect transistor formed

Номер патента: US11322496B2. Автор: Wenyin Weng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-05-03.

Junction field effect transistors for low voltage and low temperature operation

Номер патента: US20230317718A1. Автор: ABHISHEK Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for making field effect transistor and field effect transistor formed

Номер патента: US20220045058A1. Автор: Wenyin Weng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US20170148680A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09953884B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09799568B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09570443B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US09853153B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-12-26.

Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09761715B2. Автор: Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

A semiconductor device including stress inducing films formed over n-channel and p-channel field effect transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: MY135557A. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: WO2021049990A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US20170148684A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: EP4029063A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2022-07-20.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US20170243953A1. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US9780198B2. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor structure having a junction field effect transistor and a high voltage transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947786B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Combination of tensilely strained n-type fin field effect transistors and compressively strained p-type fin field effect transistors

Номер патента: US20200381308A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: US20210083066A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20220149182A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20210296469A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Solid oxygen ionic conductor based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088240A1. Автор: Donghui Ma,Bin LEI,Xianhui Chen,Shihao Liu. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-03-14.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US11777017B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Mechanically stable complementary field effect transistors

Номер патента: US20200286788A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20230369472A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: US09865727B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Robert Kuo-Chang Yang. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: US09496386B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Robert Kuo-Chang Yang. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

THREE-DIMENSIONAL FIELD EFFECT DEVICE

Номер патента: US20200035823A1. Автор: Xu Peng,Fan Su Chen,Mochizuki Shogo,Loubet Nicolas J.,Zhou Huimei. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

THREE-DIMENSIONAL FIELD EFFECT DEVICE

Номер патента: US20200035824A1. Автор: Xu Peng,Fan Su Chen,Mochizuki Shogo,Loubet Nicolas J.,Zhou Huimei. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

THREE-DIMENSIONAL FIELD EFFECT DEVICE

Номер патента: US20190355845A1. Автор: Xu Peng,Fan Su Chen,Mochizuki Shogo,Loubet Nicolas J.,Zhou Huimei. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Vertical field effect transistor with biaxial stressor layer

Номер патента: US09773904B2. Автор: PALLE Dharmendar,Mark Rodder,Titash Rakshit,Borna Obradovic,Chris Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: US20170062606A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Robert Kuo-Chang Yang. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-02.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: US20140145245A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Robert Kuo-Chang Yang. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2014-05-29.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: US20150340454A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Robert Kuo-Chang Yang. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2015-11-26.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: EP2923381A1. Автор: Robert Kuo-Chang Yang,Thomas E. HARRINGTON. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2015-09-30.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: WO2015023403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US09548385B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Three-dimensional stacked vertical transport field effect transistor logic gate with buried power bus

Номер патента: US20190221484A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Three-dimensional stacked vertical transport field effect transistor logic gate with buried power bus

Номер патента: US20190181054A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: EP3033770A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Different gate widths for upper and lower transistors in a stacked vertical transport field-effect transistor structure

Номер патента: US20200328120A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Vertical-transport field-effect transistors with a damascene gate strap

Номер патента: US09911738B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Large area diode co-integrated with vertical field-effect-transistors

Номер патента: US09754933B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US09312383B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistor with self-aligned shared contacts

Номер патента: US20200212220A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Vertical field effect transistor inverter with single fin device

Номер патента: US11817497B2. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistor with self-aligned shared contacts

Номер патента: US20200066903A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200211908A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Static random access memory using vertical transport field effect transistors

Номер патента: US11956939B2. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Tsung-Sheng KANG,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Field effect transistor which can be biased to achieve a uniform depletion region

Номер патента: US20170352757A1. Автор: Alfred I. Grayzel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-07.

Static random access memory using vertical transport field effect transistors

Номер патента: US20230217639A1. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Tsung-Sheng KANG,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Vertical-transport field-effect transistors with an etched-through source/drain cavity

Номер патента: US20190051735A1. Автор: YI Qi,Xusheng Wu,Jianwei PENG,Sipeng Gu,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09559118B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Amorphous oxide and field-effect transistor using said oxide

Номер патента: RU2369940C2. Автор: Хидео ХОСОНО,Кендзи НОМУРА,Масафуми САНО,Кацуми НАКАГАВА,Тосио КАМИЯ. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2009-10-10.

Tunnel field-effect transistor and method for manufacturing tunnel field-effect transistor

Номер патента: US20180261689A1. Автор: Jing Zhao,Chen-Xiong Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Amorphous oxide and field-effect transistor using said oxide

Номер патента: RU2399989C2. Автор: Хидео ХОСОНО,Кендзи НОМУРА,Масафуми САНО,Кацуми НАКАГАВА,Тосио КАМИЯ. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2010-09-20.

Method for fabricating quasi-soi source/drain field effect transistor device

Номер патента: US20160118245A1. Автор: Ming Li,Ru Huang,Yuancheng YANG,Hanming Wu,Jiewen Fan,Weihai Bu,Haoran Xuan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-28.

Field-effect transistors with a grown silicon-germanium channel

Номер патента: US20200051808A1. Автор: Simeon MORVAN,Berthold Reimer,Carsten Metze. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: EP3688812A1. Автор: Damien Lenoble,Renaud Leturcq,Jonathan CREPELLIERE,Petru LUNCA POPA. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2020-08-05.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: WO2019063703A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Дата публикации: 2019-04-04.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: US11316017B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2022-04-26.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: US20200266277A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2020-08-20.

N-type field effect transistors, arrays comprising N-type vertically-oriented transistors, methods of forming an N-type field effect transistor, and methods of forming an array comprising vertically-oriented N-type transistors

Номер патента: US09472663B2. Автор: Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Cmos top source/drain region doping and epitaxial growth for a vertical field effect transistor

Номер патента: US20230154801A1. Автор: Ruilong Xie,Heng Wu,Hemanth Jagannathan,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Cmos top source/drain region doping and epitaxial growth for a vertical field effect transistor

Номер патента: US20210305104A1. Автор: Ruilong Xie,Heng Wu,Hemanth Jagannathan,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device having a vertical insulated gate field effect device and a breakdown region remote from the gate

Номер патента: US5656843A. Автор: Andrew L. Goodyear,Keith M. Hutchings. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Complementary field-effect transistors

Номер патента: US20210210349A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Combination metal oxide semi-conductor field effect transistor (MOSFET) and junction field effect transistor (JFET) operable for modulating current voltage response or mitigating electromagnetic or radiation interference effects by altering current flow through the MOSFETs semi-conductive channel region (SCR)

Номер патента: US09595519B2. Автор: Patrick L. Cole,Mark Savage,Jeffrey L. Titus,Adam R. Duncan. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-14.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Vertical fin field effect transistor, vertical fin field effect transistor arrangement, and method for forming a vertical fin field effect transistor

Номер патента: US20230118158A1. Автор: Joachim Rudhard,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Jens Baringhaus,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Field-effect transistor including oxide semiconductor, and memory and semiconductor circuit including the same

Номер патента: US09548395B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Gate-last ferroelectric field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11996454B2. Автор: Min Liao,Yichun ZHOU,Binjian ZENG,Jiajia LIAO,Qiangxiang PENG,Yanwei HUAN. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Stacked field effect transistor devices with replacement gate

Номер патента: US12094937B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Field-effect transistor

Номер патента: US09698235B2. Автор: Hiroyuki Ota,Koichi Fukuda,Shinji Migita. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-04.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Nanosheet field effect transistor with a source drain epitaxy replacement

Номер патента: US11942374B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Field effect transistor, method of fabricating field effect transistor, and electronic device

Номер патента: US20200328294A1. Автор: Shibo LIANG. Владелец: Beijing Hua Tan Yuan Xin Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Circuits based on complementary field-effect transistors

Номер патента: US20190214469A1. Автор: Ruilong Xie,Bipul C. Paul,Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Stacked field effect transistors with reduced gate-to-drain parasitic capacitance

Номер патента: US20230317793A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Field effect transistor, electronic apparatus including the same, and method of manufacturing the field effect transistor

Номер патента: US20230103876A1. Автор: Minsu Seol,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Logic and flash field-effect transistors

Номер патента: US20180158835A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: US20220344471A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075719A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075717A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: CA3156440A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-15.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468B2. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistors with a body pedestal

Номер патента: US11764060B2. Автор: Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Michel J. Abou-Khalil,Michael J. Zierak. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-Effect Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140061647A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US12136659B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Multiple-layer spacers for field-effect transistors

Номер патента: US09947769B1. Автор: TAO Han,Zhenyu Hu,Jinping Liu,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09917163B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812560B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09608070B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455255B2. Автор: Shuai ZHANG,Shaofeng Yu,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Reduced parasitic resistance two-dimensional material field-effect transistor

Номер патента: US20230163203A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Hybrid orientation fin field effect transistor and planar field effect transistor

Номер патента: WO2014058552A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-17.

Bidirectional output semiconductor field effect transistor and method for its maufacture

Номер патента: US4721986A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1988-01-26.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Semiconductor component which can be controlled by a field effect

Номер патента: US6271562B1. Автор: Jens-Peer Stengl,Jenoe Tihanyi,Heimo Graf,Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-08-07.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20210020745A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20230369397A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20210074810A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Negative-Capacitance and Ferroelectric Field-Effect Transistor (NCFET and FE-FET) Devices

Номер патента: US20220059671A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Field effect transistor including gate insulating layer formed of two-dimensional material

Номер патента: US20230197811A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,Minhyun LEE,Ho Won Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US11817489B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20210296464A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220077321A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US11769798B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US11935790B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallice gate structures

Номер патента: US20200075720A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240186183A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Negative-Capacitance and Ferroelectric Field-Effect Transistor (NCFET and FE-FET) Devices

Номер патента: US20230378310A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Trench field-effect device and method of fabricating same

Номер патента: US09601336B2. Автор: Hongwei Zhou,Dongyue Gao. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Vertical fin field effect transistor devices with reduced top source/drain variability and lower resistance

Номер патента: US11978783B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of manufacturing field-effect transistor array by direct carbon nanotube printing and field effect transistor array manufactured by the same

Номер патента: US20240204078A1. Автор: Yoonhee Lee,Hongki KANG,Soohyun PARK,Minhye Shin. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-20.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Vertical fin field effect transistor devices with reduced top source/drain variability and lower resistance

Номер патента: US20200091317A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Short-gate tunneling field effect transistor having non-uniformly doped vertical channel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508839B2. Автор: Chao Wang,Ru Huang,Jiaxin Wang,Qianqian Huang,Chunlei Wu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-29.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20180254327A1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09748239B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09536789B1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

VFET metal gate patterning for vertical transport field effect transistor

Номер патента: US10615082B2. Автор: Kangguo Cheng,Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Boosted vertical field-effect transistor

Номер патента: US20200091342A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Boosted vertical field-effect transistor

Номер патента: US10879390B2. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-29.

Boosted vertical field-effect transistor

Номер патента: US20190280120A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of forming vertical field effect transistor device

Номер патента: US11088263B2. Автор: Geert Eneman,Anabela Veloso. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-08-10.

Vertical field effect transistors with self aligned source/drain junctions

Номер патента: US20200052095A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US20170213824A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: US09570570B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: WO2015050615A2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-04-09.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: EP3022772A2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: EP3826073A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-05-26.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Field effect transistor

Номер патента: EP4273938A1. Автор: Hideaki Yamada,Takahiro Yamaguchi,Junichi Kaneko,Hitoshi Koizumi,Shinya OHMAGARI,Hitoshi Umezawa,Naohisa HOSHIKAWA. Владелец: Ookuma Diamond Device Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: EP4415051A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of manufacturing a field effect transistor by tilted implantation of dopants into inner sidewalls of gate spacers

Номер патента: US12062707B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming junction field effect transistor including recessed gate

Номер патента: US09842908B2. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Microelectronic device with two field-effect transistors

Номер патента: US20240030221A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-25.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: US20240274712A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Mos field-effect transistor and method for the production thereof

Номер патента: US20160118494A1. Автор: Achim Trautmann,Ning Qu,Michael Grieb. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-04-28.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09589803B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Field-effect transistors with diffusion blocking spacer sections

Номер патента: US20200287019A1. Автор: Hong Yu,George R. Mulfinger,Jianwei PENG,Man Gu,Michael Aquilino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide field effect transistor

Номер патента: US9685552B2. Автор: Cheng-Tyng Yen,Chien-Chung Hung,Chwan-Ying Lee,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Hestia Power Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Hybrid complementary field effect transistor device

Номер патента: US11777034B2. Автор: Chen Zhang,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for preparing diamond-based field effect transistor, and corresponding field effect transistor

Номер патента: US20210066471A1. Автор: CUI Yu,Jingjing Wang,Qingbin Liu,Zhihong FENG,Chuangjie Zhou,Zezhao HE,Xuedong GAO,Jianchao GUO. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2021-03-04.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210226030A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of manufacturing field effect transistor with spacer structure

Номер патента: US20220262918A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Three-Dimensional Field-Effect Transistor on Bulk Silicon Substrate

Номер патента: US20150054079A1. Автор: Park Chang Seo. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-26.

Three-dimensional field-effect transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN108109919A. Автор: 杨东,覃尚育,胡慧雄,梁伟泉. Владелец: Shenzhen Jinyu Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2018-06-01.

Vertical fin field effect transistor with a reduced gate-to-bottom source/drain parasitic capacitance

Номер патента: US20190198641A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Vertical fin field effect transistor with a reduced gate-to-bottom source/drain parasitic capacitance

Номер патента: US20200083353A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Dual channel vertical field effect transistor including an embedded electrode

Номер патента: US09343507B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-05-17.

Reducing direct source-to-drain tunneling in field effect transistors with low effective mass channels

Номер патента: US09337255B1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Anirban Basu,Amlan Majumdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759A1. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Johan Roger Axel Karlsson. Дата публикации: 1999-08-12.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759C. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-06-22.

Resistive random access memory integrated under a vertical field effect transistor

Номер патента: US20210175285A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Field-effect transistor, and method of production

Номер патента: US20240234571A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Pillar-type field effect transistor having low leakage current

Номер патента: US09564200B2. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20240055528A1. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-15.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Formation of a bottom source-drain for vertical field-effect transistors

Номер патента: US09799765B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Vertical field effect transistor including extension and stressors

Номер патента: US09793401B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Tunnelling field effect transistor

Номер патента: US09793351B2. Автор: Jin He,Dan Li,Haijun LOU,Xinnan LIN. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2017-10-17.

Vertical field effect transistor device and method of making thereof

Номер патента: WO2015138314A1. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-09-17.

Vertical field effect transistor device and method of making thereof

Номер патента: EP3108506A1. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-28.

Field effect transistor with a short channel length

Номер патента: CA1081368A. Автор: Jeno Tihanyi,Joachim Hoepfner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-07-08.

Formation of a bottom source-drain for vertical field-effect transistors

Номер патента: US10326017B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Tunnel field effect transistors

Номер патента: US09577079B2. Автор: Harald Gossner,Ramgopal Rao,Ram Asra. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2017-02-21.

Field-effect device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09401352B2. Автор: Maryam Shojaei Baghini,Harald Gossner,Ramgopal Rao,Mayank Shrivastava. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-26.

Field effect structure including carbon alloyed channel region and source/drain region not carbon alloyed

Номер патента: US20090230475A1. Автор: Xuefeng Liu,Ephrem G. Gebreselasie,William F. Clark, Jr.,Robert Russell Robison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

Integrated circuits having strained channel field effect transistors and methods of making

Номер патента: US20070099360A1. Автор: Haining Yang,Yong Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Lateral field-effect transistor and preparing method

Номер патента: US20230299128A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Lateral field-effect transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4228006A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Multi-gate field-effect transistor with enhanced and adaptable low-frequency noise

Номер патента: US20120168868A1. Автор: Hsin Chen,Jeng Gong,Tang-Jung CHIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Junction field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09947785B2. Автор: Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin-film field effect transistor, driving method thereof, array substrate, display device, and electronic product

Номер патента: US09515191B2. Автор: Bo Wu,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US7825493B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Field effect transistor, display device , sensor, and method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20130328045A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Field effect transistor with a high breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060141726A1. Автор: Ji-Su Kim,Sung-Hoan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Multi-fin fin-type field effect transistor with fine-tuned effective channel width

Номер патента: US20240347638A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Romain H.A. Feuillette,David Charles PRITCHARD. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of depositing polysilicon, method of fabricating a field effect transistor, method of forming a contact to a substrate, method of forming a capacitor

Номер патента: US6159852A. Автор: Er-Xuan Ping,Michael Nuttall,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240234498A9. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20120104513A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US6803288B2. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Structure and fabrication of field-effect transistor having source/drain extension defined by multiple local concentration maxima

Номер патента: WO2010110900A8. Автор: Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-07-28.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US8187957B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP1763084A3. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20030013243A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Field-effect transistor and method for the fabrication thereof

Номер патента: US20150145032A1. Автор: Klaus Kohler,Rüdiger QUAY. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2015-05-28.

Methods of forming an asymmetric field effect transistor

Номер патента: US7442613B2. Автор: Joo-Sung Park,Kyung-Seok Oh,Ki-Jae Hur,Jung-Hyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Asymmetric field effect transistor

Номер патента: US20070034926A1. Автор: Joo-Sung Park,Kyung-Seok Oh,Ki-Jae Hur,Jung-Hyun Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20080315264A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20110312143A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US8420468B2. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Annealed metal source drain overlapping the gate of a fin field effect transistor

Номер патента: US09935200B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US09660086B2. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Hsin-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536792B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

Lateral field effect transistor device

Номер патента: US09502501B2. Автор: Priyanka DE SOUZA. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Field effect transistor with adjustable effective gate length

Номер патента: US20240097029A1. Автор: NAN Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Field effect transistor having channel silicon germanium

Номер патента: SG168481A1. Автор: Hiroyuki Ota,Vincent Sih. Владелец: Toshiba America Electronic. Дата публикации: 2011-02-28.

Semiconductor device having a field effect transistor using a high dielectric constant gate insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060125006A1. Автор: Shigenori Hayashi,Masaaki Niwa,Yoshinao Harada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Short channel fermi-threshold field effect transistors

Номер патента: CA2227011C. Автор: Michael William Dennen. Владелец: Thunderbird Technologies Inc. Дата публикации: 2007-10-16.

Method for forming a narrow channel length MOS field effect transistor

Номер патента: US4078947A. Автор: William S. Johnson,Ronald W. Knepper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-03-14.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its method of fabrication

Номер патента: US5498556A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

High voltage field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US5907173A. Автор: Oh Kyong Kwon,Mueng Ryul Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-25.

Method of making MIS-field effect transistor having a short channel length

Номер патента: US4382826A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Dietrich Widmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-05-10.

Fin field effect transistor and method for manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US20060172476A1. Автор: Kuan-Yang Liao,Wen-Shiang Liao,Wei-Tsun Shiau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Field-effect transistor and method for the fabrication thereof

Номер патента: US10115803B2. Автор: Klaus Kohler,Rüdiger QUAY. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-10-30.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20100171186A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9929267B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

N-type fin field-effect transistor

Номер патента: US20180166573A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203531A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20140070283A1. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20150001642A1. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20160099333A1. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170047426A1. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US9245968B2. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Field-effect transistor including localized halo ion regions, and semiconductor memory, memory card, and system including the same

Номер патента: US7816734B2. Автор: Hyuck-Chai Jung,June-Hee LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-19.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20130178056A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20160322494A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US20170047439A1. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Hsin-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US8217471B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of fabricating a double gate field effect transistor device, and such a double gate field effect transistor device

Номер патента: WO2005022648A1. Автор: Youri Ponomarev,Radu Catalin Surdeanu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-03-10.

Stacked field effect transistors

Номер патента: WO2023103750A1. Автор: Chen Zhang,Dechao Guo,Junli Wang,Timothy Mathew Philip,Sung Dae Suk. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Field-effect transistors with a t-shaped gate electrode

Номер патента: US20180269295A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Alvin J. Joseph. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240136395A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Lateral field effect transistor device

Номер патента: US20160118461A1. Автор: Priyanka DE SOUZA. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2016-04-28.

Method of producing field effect transistor

Номер патента: US7998848B2. Автор: Takehiko Nomura,Hiroshi Kambayashi,Seikoh Yoshida,Yuki Niiyama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-16.

Field effect transistor, manufacturing method therefor, and switching circuit

Номер патента: EP4300587A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Field-effect transistors with independently-tuned threshold voltages

Номер патента: US20210091202A1. Автор: Xiaoli He,Bingwu Liu,Tao Chu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Field effect transistor, preparation method thereof, and switch circuit

Номер патента: US20230420537A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A THREE-DIMENSIONAL FIELD PLATE

Номер патента: US20190229208A1. Автор: Ma Jun,Matioli Elison de Nazareth. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Tunable homojunction field effect device-based artificial synapse circuit and implementation method thereof

Номер патента: US20230196084A1. Автор: CHEN Pan,Pengfei Wang,Shijun Liang,Feng Miao,Chenyu Wang. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-22.

An electronic device comprising a trench gate field effect device

Номер патента: WO2000057478A2. Автор: Holger Schligtenhorst,Raymond J. E. Hueting,Adam R. Brown,Mark A. Gajda,Stephen W. Hodgskiss. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-09-28.

An electronic device comprising a trench gate field effect device

Номер патента: EP1145323A2. Автор: Holger Schligtenhorst,Raymond J. E. Hueting,Adam R. Brown,Mark A. Gajda,Stephen W. Hodgskiss. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-10-17.

Device architecture and method for temperature compensation of vertical field effect devices

Номер патента: EP2973720A2. Автор: Thomas E. HARRINGTON. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2016-01-20.

Device architecture and method for temperature compensation of vertical field effect devices

Номер патента: WO2014160453A2. Автор: Thomas E. HARRINGTON. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2014-10-02.

Power field effect transistor, a power field effect transistor device and a method of manufacturing a power field effect transistor

Номер патента: US09660044B2. Автор: Jean Michel Reynes,Pierre Jalbaud,Dale Neil VAUGHAN,Graeme John Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

Field Effect Transistor Device

Номер патента: US20240304729A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

High speed ge channel heterostructures for field effect devices

Номер патента: EP1169737A1. Автор: Jack O. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-01-09.

High-voltage bidirectional field effect transistor

Номер патента: WO2024112426A1. Автор: Chirag Gupta,Shubhra S. Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240234574A9. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-11.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Group III-Nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09954085B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li,Lina Cao. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-04-24.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: EP4449502A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Insulated-gate field-effect devices

Номер патента: GB2156580A. Автор: Dr David James Coe. Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1985-10-09.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A2. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-07-29.

Ferroelectric field-effect transistor and a method for forming the same

Номер патента: WO2024177575A1. Автор: Kah-Wee Ang,Heng XIANG,Yu-Chieh CHIEN,Lingqi LI. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Field Effect Transistor Device, and Method for Improving Short-Channel Effect and Output Characteristic Thereof

Номер патента: US20230223466A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory, gate-all-around field-effect transistor, and producing method

Номер патента: EP4261889A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Memory, Gate-All-Around Field-Effect Transistor, and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352552A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Field effect transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240213373A1. Автор: Jie Huang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Field effect transistor and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20170104104A1. Автор: Hsiang Chih Hsiao,Hongyuan Xu,Chang I Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Field-Effect Transistor and Method for Producing a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20100308404A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2010-12-09.

Field-effect transistors, devices containing such field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11751386B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A3. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-09-16.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240371928A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Group III-nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09905647B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-02-27.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Insulated-Gate Field-Effect Transistor

Номер патента: GB1175601A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1969-12-23.

Synapse array of a neuromorphic device including a synapse array having a plurality of ferroelectricity field effect transistors

Номер патента: US20220058470A1. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Nanowire Field Effect Transistor Detection Device and the Detection Method thereof

Номер патента: US20190206990A1. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2019-07-04.

Nanowire field effect transistor detection device and the detection method thereof

Номер патента: US10784343B2. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2020-09-22.

Method for introducing channel stress and field effect transistor fabricated by the same

Номер патента: US20120032239A1. Автор: Xing Zhang,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: EP3707754A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-09-16.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Self-aligned substrate isolation (sasi) of gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: WO2024175381A1. Автор: Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Eric Miller,Julien Frougier,Anthony I-Chih Chou,Andrew Gaul,Andrew Mark Greene,Nicolas Jean Loubet,Susan Ng Emans,Ronald Newhart,Choudhury Mahboob Ellahi,Curtis Scott DURFEE. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-08-29.

Oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US12027629B2. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Sheng-Yao HUANG,Yen-Chen Chen,Jen-Po Huang,Qinggang Xing,Ding-Lung Chen,Li Li Ding,Yao-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Tunneling field effect transistors and transistor circuitry employing same

Номер патента: US09941117B2. Автор: Paul R. Berger. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2018-04-10.

Field-effect transistor using oxide film to transmit information and preparation method thereof

Номер патента: RU2400865C2. Автор: Тацуя ИВАСАКИ,Хидея КУМОМИ,Тацуя ИВАСАКИ (JP),Хидея КУМОМИ (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-09-27.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

Split gate field effect transistor (FET) device employing dielectric barrier layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US20020093044A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Chuan-Li Chang,Di-Son Kuo,Jake Yeh,Sheng-Wei Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor device

Номер патента: US20230387290A1. Автор: Min Wang,Lijun Li,Yonghong Tao,Zhidong Lin,Zhigao Peng,Yuanxu GUO. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing a vertical field effect transistor structure and corresponding vertical field effect transistor structure

Номер патента: US20240128372A1. Автор: Christian Huber,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Field-Effect Transistor, Production Method Thereof, Switching Circuit, and Circuit Board

Номер патента: US20240030351A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: WO2022216371A2. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-10-13.

High frequency field-effect transistor

Номер патента: EP2269219A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-01-05.

High frequency field-effect transistor

Номер патента: US20110024835A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-03.

High frequency field-effect transistor

Номер патента: WO2009128035A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-10-22.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: US20230187516A1. Автор: Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240136437A1. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-04-25.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120241863A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: EP4141960A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Silicon carbide power device with an enhanced junction field effect transistor region

Номер патента: WO2023278794A3. Автор: Mrinal Kanti Das. Владелец: Mrinal Kanti Das. Дата публикации: 2023-04-06.

Vertical field-effect transistor structure and method for producing a vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240222495A1. Автор: Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Field effect transistor and method for fabricating field effect transistor

Номер патента: US20160013272A1. Автор: Yi Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Improved oxide-based field-effect transistors

Номер патента: WO2008129238A1. Автор: Donal Donat Conor Bradley,Thomas Anthopoulos,Saif Ahmed Haque. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2008-10-30.

Field-effect transistor, and methods for production

Номер патента: US20240234568A9. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: WO2019092313A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-16.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20130089957A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Field effect chalcogenide devices

Номер патента: WO2004100217A3. Автор: Stanford R Ovshinsky. Владелец: Stanford R Ovshinsky. Дата публикации: 2005-02-03.

Field effect chalcogenide devices

Номер патента: EP1644993A2. Автор: Stanford R. Ovshinsky. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2006-04-12.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: Rongwei Yu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

An electrolyte-gated field-effect transistor with surfactant layer

Номер патента: WO2020216901A1. Автор: Qiaoming ZHANG,Marta Mas Torrent,Francesca LEONARDI. Владелец: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Дата публикации: 2020-10-29.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240290880A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

Switch comprising a field effect transistor and integrated circuit

Номер патента: US10582580B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-03.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-type buried shield

Номер патента: EP4411823A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

Field-effect transistor, display element, display, system, and method of manufacturing field-effective transistor

Номер патента: US20170141237A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Self-aligned substrate isolation (sasi) of gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: US20240290860A1. Автор: Andrew M. Greene,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Eric Miller,Julien Frougier,Anthony I. Chou,Andrew Gaul,Nicolas Jean Loubet,Curtis S. Durfee,Susan Ng Emans,Ronald Newhart,Choudhury Mahboob Ellahi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistor and method for producing a field-effect transistor

Номер патента: WO2009060078A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Resin, insulating film and organic field effect transistor comprising same

Номер патента: EP4421851A1. Автор: Takashi Fukuda,Shinya OKU,Shohei YUMINO,Yuta Iijima,Rei SHIWAKU. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Horizontally depleted metal semiconductor field effect transistor

Номер патента: EP2191498A2. Автор: Trevor John Thornton,Joseph E. Ervin. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2010-06-02.

Three-dimensional memory device containing peripheral circuit with fin and planar field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20240371760A1. Автор: Mohan DUNGA,Satoru Mayuzumi,Sudarshan Narayanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Self-aligned channel-only semiconductor-on-insulator field effect transistor

Номер патента: US09935178B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Tunneling field effect transistors (TFETs) for CMOS architectures and approaches to fabricating N-type and P-type TFETs

Номер патента: US09911835B2. Автор: Gilbert Dewey,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Roza Kotlyar,Benjamin Chu-Kung,Kelin J. Kuhn,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Anurag Chaudhry,Thomas D. Linton, Jr.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09857329B2. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09494550B1. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4316203A. Автор: Ryoiku Tohgei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-02-16.

Thin film field effect transistor

Номер патента: US5847406A. Автор: Charles H. Dennison,Monte Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Field effect transistors, field emission apparatuses, and a thin film transistor

Номер патента: US6504170B1. Автор: John Lee,Benham Moradi,J. Ung Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

Hybrid bipolar/field-effect power transistor in group III-V material system

Номер патента: US5359220A. Автор: Julia J. Brown,Lawrence E. Larson,Peter Asbeck. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-10-25.

Method of making high voltage vertical field effect transistor with improved safe operating area

Номер патента: US4970173A. Автор: Stephen P. Robb. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1990-11-13.

Semiconductor process, planar field effect transistor and fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US9773880B2. Автор: Wei-Chih Chen,I-Chang Wang,Teng-Chuan Hu,Yi Chuen Eng,Hsiu-Kuan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor process, planar field effect transistor and fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US20170069730A1. Автор: Wei-Chih Chen,I-Chang Wang,Teng-Chuan Hu,Yi Chuen Eng,Hsiu-Kuan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Ferroelectric field-effect transistors with a hybrid well

Номер патента: US20240120420A1. Автор: Stefan Dunkel,Halid MULAOSMANOVIC,Zhixing ZHAO,Dominik Martin Kleimaier. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-04-11.

Tunnel field-effect transistor (tfet) with lateral oxidation

Номер патента: US20180108761A1. Автор: Han Zhao,Jack C. Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2018-04-19.

Bifunctional graphene dielectrophoresis (dep)-graphene field effect transistor (gfet) device and methods for using same

Номер патента: WO2023244489A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Ruixue LI,Steven J. Koester,Nezhueyotl Izquierdo ARRIOLA. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2023-12-21.

Tunnel field effect transistor (TFET) with lateral oxidation

Номер патента: US9853135B2. Автор: Han Zhao,Jack C. Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2017-12-26.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: EP3326205A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-30.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: WO2017074546A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of forming source and drain of field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: SG144827A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Mishra Shailendra,Henry K Utomo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Tunnel field-effect transistor (TFET) with lateral oxidation

Номер патента: US10312355B2. Автор: Han Zhao,Jack C. Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2019-06-04.

Field effect transistor

Номер патента: US20130292670A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

N-type and P-type tunneling field effect transistors (TFETs)

Номер патента: US9412872B2. Автор: Gilbert Dewey,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Roza Kotlyar,Benjamin Chu-Kung,Kelin J. Kuhn,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Anurag Chaudhry,Thomas D. Linton, Jr.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232A1. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-11.

Terahertz detector using field-effect transistor

Номер патента: US10211511B2. Автор: Kyung Rok Kim,Min Woo RYU,Kwan Sung KIM. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Epitaxial block layer for a fin field effect transistor device

Номер патента: US9508850B2. Автор: Qi Zhang,Richard J. Carter,Zhenyu Hu,Andy Wei,Sruthi Muralidharan,Amy L. Child. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Field-effect transistor

Номер патента: US6459128B1. Автор: Shinji Kunori,Kousuke Ohshima. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-01.

Method of making a V-MOS field effect transistor for a dynamic memory cell having improved capacitance

Номер патента: US4116720A. Автор: Mark Alexander Vinson. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1978-09-26.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Insulated-gate field-effect transistor and method of manufacturing same

Номер патента: CA1150853A. Автор: Royce Lowis,Peter M. Tunbridge. Владелец: Peter M. Tunbridge. Дата публикации: 1983-07-26.

Insulated gate field effect transistor with source field shield extending over multiple region channel

Номер патента: US4172260A. Автор: Isao Yoshida,Mineo Katsueda,Takeaki Okabe,Shikayuki Ochi,Yukio Shirota,Hidefumi Itoh,Masatomo Furumi,Toru Toyabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-10-23.

Method for manufacturing a field-effect semiconductor device following a replacement gate process

Номер патента: EP2608264A1. Автор: Liesbeth Witters,Geert Hellings,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-26.

Silicon nanoparticle field effect transistor and transistor memory device

Номер патента: CA2393962C. Автор: Munir H. Nayfeh,Gennadiy Belomoin,Joel Therrien. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2007-07-03.

Field effect Trench transistor having lightly doped epitaxial region on the surface portion thereof

Номер патента: US5910669A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,King Owyang,Mike F. Chang,Sze-Hon Kwan. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1999-06-08.

Transparent double-injection field-effect transistor

Номер патента: US20040155270A1. Автор: Randy Hoffman. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-08-12.

Field effect transistor having a multilayer interconnection layer therein with tapered sidewall insulators

Номер патента: US5157469A. Автор: Yasushi Matsui,Hideaki Arima,Kaoru Motonami,Makoto Ohi,Tomonori Okudaira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-10-20.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US8853674B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-07.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1181532A. Автор: Hideo Sunami,Hiroo Masuda,Yoshiaki Kamigaki,Eiji Takeda,Katsuhiro Shimohigashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-01-22.

A lateral surface gate vertical field effect transistor with adjustable output capacitance

Номер патента: US20230369432A1. Автор: Sorin S. Georgescu,Kuo-Chang Robert Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: US20190140130A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-09.

Enhancement-mode field effect transistor

Номер патента: EP3690953A1. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2020-08-05.

Enhancement-Mode Field Effect Transistor

Номер патента: US20200312992A1. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2020-10-01.

Self-aligned channel-only semiconductor-on-insulator field effect transistor

Номер патента: US20180108758A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Structures for a ferroelectric field-effect transistor and related methods

Номер патента: EP4307387A1. Автор: Robert Binder,Joachim Metzger,Sven Beyer,Stefan Dunkel,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-01-17.

Field Effect Transistor Constructions and Methods of Programming Field Effect Transistors to One Of At Least Three Different Programmed States

Номер патента: US20230402082A1. Автор: Chandra Mouli,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Field-effect transistor

Номер патента: US20140008649A1. Автор: Takamichi Fujii,Kenichi Umeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Structures for a ferroelectric field-effect transistor and related methods

Номер патента: US20240014320A1. Автор: Robert Binder,Joachim Metzger,Sven Beyer,Stefan Dunkel,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-01-11.

Field-effect transistor including a metal oxide composite protective layer, and display element, image display device, and system including the field-effect transistor

Номер патента: US11876137B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Planar field effect transistor

Номер патента: US10068979B2. Автор: Wei-Chih Chen,I-Chang Wang,Teng-Chuan Hu,Yi Chuen Eng,Hsiu-Kuan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Vertical power field effect transistor having base region inwardly projecting from corners thereof into source region

Номер патента: US5304832A. Автор: Mitsuasa Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Manufacturing method for field-effect transistor

Номер патента: US20070111408A1. Автор: Tatsuya Arao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Method of fabricating fin field effect transistor using isotropic etching technique

Номер патента: US20070077693A1. Автор: Du-Heon Song,Jae-Man Yoon,Hyeoung-Won Seo,Woun-Suck Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-05.

Normally-off gallium oxide field-effect transistor structure and preparation method therefor

Номер патента: US11456387B2. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2022-09-27.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method of silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230378341A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2023-11-23.

Field-effect transistor, and methods for production

Номер патента: US20240136435A1. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Field-effect transistor and manufacture thereof

Номер патента: US6423578B2. Автор: Tatsuro Maeda. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2002-07-23.

Field-effect transistor

Номер патента: US9406809B2. Автор: Takamichi Fujii,Kenichi Umeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

A vertical channel-all-around metal-antiferroelectric-metal-insulator-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2024091179A1. Автор: Dong Zhang,Xiao Gong,Zijie ZHENG,Leming JIAO,Zuopu ZHOU. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-05-02.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US20190280104A1. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Ultrasensitive biosensor using bent and curved field effect transistor by debye length modulation

Номер патента: US20230080531A1. Автор: Rashid Bashir,Jonghyun Choi,Michael Hwang,Catherine J. Murphy,Arend Van Der Zande,SungWoo Nam,Mohammad HEIRANIAN,Narayan ALURU,Yerim KIM. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-03-16.

Switch Comprising a Field Effect Transistor and Integrated Circuit

Номер патента: US20160322347A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Field effect transistor and method for making the same

Номер патента: US20240047565A1. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang,Xuan-Zhang Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Silicon carbide power device with an enhanced junction field effect transistor region

Номер патента: WO2023278794A2. Автор: Mrinal Kanti Das. Владелец: Mrinal Kanti Das. Дата публикации: 2023-01-05.

Ferroelectric field effect transistor, neural network apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US20230267995A1. Автор: Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Ferroelectric field effect transistor, neural network apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: EP4231359A1. Автор: Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Field effect transistor, control method for controling such a field effect transistor and a frequency mixer means including such a field effect transistor

Номер патента: US20010013622A1. Автор: Joannes Mathilda Josephus Sevenhans. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2001-08-16.

Field Effect Transistor Having Loop Distributed Field Effect Transistor Cells

Номер патента: US20170053910A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: WO2017030825A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200075875A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20240284688A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Rotated channel semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20130181215A1. Автор: James Fiorenza,Bunmi T. Adekore. Владелец: RAMGOSS Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: EP3338308A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-06-27.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09698144B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Field effect transistor having two-dimensionally distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09685438B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-06-20.

Rotated channel field effect transistor

Номер патента: US20150123124A1. Автор: James Fiorenza,Bunmi T. Adekore. Владелец: RAMGOSS Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20220367824A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US12010856B2. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200358015A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Three-dimensional monolithic vertical field effect transistor logic gates

Номер патента: US20190181055A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Staggered pitch stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: WO2024041858A1. Автор: Brent Anderson,Albert Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Staggered pitch stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US20240063223A1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US12020988B2. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Vertical field-effect transistor

Номер патента: EP3347915A1. Автор: Franky So,Do Young Kim,Bhabendra K. Pradhan,Hyeonggeun Yu. Владелец: Nanoholdings LLC. Дата публикации: 2018-07-18.

Method for manufacturing an integrated circuit comprising a junction field effect transistor (JFET)

Номер патента: US11830776B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US20230163031A1. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor

Номер патента: US11342449B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-05-24.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor (jfet) and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20220254905A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-08-11.

Ambipolar vertical field effect transistor

Номер патента: EP2926376A1. Автор: BO LIU,Andrew Gabriel Rinzler,Mitchell Austin Mccarthy. Владелец: University Of Florida. Дата публикации: 2015-10-07.

Ambipolar vertical field effect transistor

Номер патента: US09601707B2. Автор: BO LIU,Andrew Gabriel Rinzler,Mitchell Austin Mccarthy. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Vertical field-effect transistor

Номер патента: US20180254419A1. Автор: Franky So,Do Young Kim,Bhabendra K. Pradhan,Hyeonggeun Yu. Владелец: Nanoholdings LLC. Дата публикации: 2018-09-06.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US20210020517A1. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4428919A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Field effect transistor structure and method for making same

Номер патента: CA1061014A. Автор: Robert C. Dockerty,Shakir A. Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-08-21.

Method for fabricating complementary tunneling field effect transistor based on standard cmos ic process

Номер патента: US20140220748A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yingxin Qiu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-07.

Methods of forming a field effect transistors

Номер патента: US20030068865A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: WO2024205835A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Isolated gate field effect transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US09722064B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09634112B2. Автор: Chull Won JU,Jae Kyoung Mun,Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Sang Heung LEE,Hokyun Ahn,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-25.

Structure and method for effective device width adjustment in finFET devices using gate workfunction shift

Номер патента: US09418903B2. Автор: Carl Radens,Arvind Kumar,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

GaAs Complementary enhancement mode junction field effect transistor structures and method of fabrication

Номер патента: US4568957A. Автор: Rainer Zuleeg,Johannes K. Notthoff,Gary L. Troeger. Владелец: McDonnell Douglas Corp. Дата публикации: 1986-02-04.

Method and system for the remote monitoring of the two/three-dimensional field of displacements and vibrations of objects/structures

Номер патента: US09927514B2. Автор: Giuseppe Giunta,Andrea Monti-Guarnieri. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2018-03-27.

Apparatus for stabilizing field effect transistor thresholds

Номер патента: US3609414A. Автор: Lewis M Terman,Peter Pleshko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-09-28.

Semiconductor device including a field effect transistor and a passive capacitor having reduced leakage current and an improved capacitance per unit area

Номер патента: EP1535332A1. Автор: Karsten Wieczorek,Thomas Feudel,Gert Burbach. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Field-effect transistor having dual channels

Номер патента: US20200328211A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US11695420B2. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-07-04.

Tunnel field effect devices

Номер патента: GB2485495A. Автор: Paul M Solomon,Joachim Knoch,Heike E Riel,Mikael T Bjoerk,Siegfried F Karg,Walter H Riess. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11963352B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US20230012345A1. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-01-12.

Esd field-effect transistor and integrated diffusion resistor

Номер патента: US20130020645A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Rahul Mishra,Shunhua T. Chang,Kiran V. Chatty,Junjun Li,John B. Campi, JR.,Mujahid Muhammad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Two-dimensional electrostrictive field effect transistor (2d-efet)

Номер патента: US20200335637A1. Автор: Saptarshi Das. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-10-22.

Tunnel field-effect transistor, method for manufacturing same, and switch element

Номер патента: US09634114B2. Автор: Takashi Fukui,Katsuhiro Tomioka. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2017-04-25.

Junction field-effect transistor with raised source and drain regions formed by selective epitaxy

Номер патента: US9236499B2. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Kevin K. Chan,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Method for fabricating a field-effect transistor with a self-aligned gate

Номер патента: CA1271850A. Автор: John Edward Cunningham,Erdmann Fred Schubert,Won Tien Tsang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Tunnel field effect transistor with improved subthreshold swing

Номер патента: EP2309544A3. Автор: Anne S. Verhulst. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-10-10.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: GB2506558A. Автор: Phillip Stanley-Marbell,Kirsten Emilie Moselund,Andreas Christian Doering,Mikael T Bjoerk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-02.

Method of manufacturing field-effect transistors with self-aligned grid and transistors thus obtained

Номер патента: US4429452A. Автор: Didier Meignant. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and method of forming groove

Номер патента: US8450782B2. Автор: Takehiko Nomura,Yoshihiro Sato,Masayuki Iwami,Sadahiro Kato,Nariaki Ikeda,Takuya Kokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-28.

Normally-off junction field-effect transistors and complementary circuits

Номер патента: GB2538896A. Автор: Hekmatshoartabari Bahman,G Shahidi Ghavam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-30.

Field effect transistor having two gates for functioning at extremely high frequencies

Номер патента: GB1400040A. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1975-07-16.

Integrated circuit including field effect transistor and cerment resistor

Номер патента: US3694700A. Автор: George A Brown,Victor Harrap. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1972-09-26.

High voltage field effect transistors with selective gate depletion

Номер патента: US6054354A. Автор: Edward J. Nowak,Minh Ho Tong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Heterostructure field effect transistor having high efficiency and method of preparing the same

Номер патента: US20150270381A1. Автор: Inhwan LEE,DaeWoo JEON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chonbuk National University. Дата публикации: 2015-09-24.

Method of fabricating an ensulated gate field-effect device

Номер патента: US4010290A. Автор: Bernard W. Boland. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1977-03-01.

High ESD immunity field-effect device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11862626B2. Автор: Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

High esd immunity field-effect device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088135A1. Автор: Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of forming material on a substrate, and a method of forming a field effect transistor gate oxide on a substrate

Номер патента: US20060040056A1. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of Forming Material on a Substrate, and a Method of Forming a Field Effect Transistor Gate Oxide on a Substrate

Номер патента: US20120021610A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Nanowire field-effect sensor including nanowires having network structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09846139B2. Автор: Ki Hyun Kim,Dong Hoon Kim,Jeong Soo Lee,Chan Oh PARK. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-12-19.

Nanowire field-effect sensor including nanowires having network structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09638659B2. Автор: Ki Hyun Kim,Dong Hoon Kim,Jeong Soo Lee,Chan Oh PARK. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing field-effect transistor with periodically doped channel

Номер патента: RU2191444C1. Автор: В.К. Смирнов,Д.С. Кибалов,В.А. Гергель. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок". Дата публикации: 2002-10-20.

Thin-film field-effect transistor with organic semiconductor requiring low operating voltages

Номер патента: US5981970A. Автор: Sampath Purushothaman,Deborah Ann Neumayer,Christos Dimitrios Dimitrakopoulos,Peter Richard Duncombe,Bruce K. Furman,Robert B. Laibowitz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Field effect transistors for integrated circuits and methods of manufacture

Номер патента: US3576475A. Автор: John William Kronlage. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1971-04-27.

Self-aligned metal process for field effect transistor integrated circuits

Номер патента: US4359816A. Автор: Ingrid E. Magdo,Shakir A. Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-11-23.

Nanowire field-effect sensor including nanowires having network structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20170191959A1. Автор: Ki Hyun Kim,Dong Hoon Kim,Jeong Soo Lee,Chan Oh PARK. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-07-06.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20220285542A1. Автор: Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-09-08.

Nanowire field-effect sensor including nanowires having network structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20160252478A1. Автор: Ki Hyun Kim,Dong Hoon Kim,Jeong Soo Lee,Chan Oh PARK. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2016-09-01.

Fin field-effect transistor, esd protection circuit, filter circuit and electronic device

Номер патента: EP4199084A1. Автор: Qianming ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Photonics chips including a fully-depleted silicon-on-insulator field-effect transistor

Номер патента: US20230038887A1. Автор: Yusheng Bian,George R. Mulfinger,Ryan Sporer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Field-effect transistor devices having proximity contact features

Номер патента: US10014331B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: US20240332297A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Junction Field Effect Transistor Cell with Lateral Channel Region

Номер патента: US20150137143A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-21.

Junction field effect transistor cell with lateral channel region

Номер патента: US09425327B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-23.

Silicon carbide power field effect transistor

Номер патента: US5821576A. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Method of manufacturing a nonvolatile memory cell and a field effect transistor

Номер патента: US9685453B2. Автор: Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing ion implanted insulated gate field effect semiconductor transistor devices

Номер патента: US3852120A. Автор: W Johnson,S Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-12-03.

Gate charge neutralization for insulated gate field- effect transistors

Номер патента: CA1111572A. Автор: Tak H. Ning,Carlton M. Osburn,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-10-27.

Method of manufacturing a semiconductor device with high packing density and having field effect transistors

Номер патента: US5385857A. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-01-31.

Stacked field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US11049890B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-29.

Switches with multiple field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US10431612B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Stacked field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US20200105803A1. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor heterostructure of field-effect transistor

Номер патента: RU2316076C1. Автор: Дмитрий Михайлович Красовицкий,Алексей Николаевич Алексеев,Юрий Васильевич Погорельский,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко,Игорь Альбертович Соколов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост". Дата публикации: 2008-01-27.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Enhancement mode field effect device and the method of production thereof

Номер патента: US20130237021A1. Автор: Gustaaf Borghs,Marianne Germain,Joff Derluyn,Steven Boeykens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-09-12.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.

Field effect transistor, and multilayered epitaxial film for use in preparation of field effect transistor

Номер патента: US09954087B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Naotaka Kuroda,Akio Wakejima,Yasuhiro Murase,Katsumi Yamanoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

High reliability field effect power device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780176B2. Автор: Hyun Wook Jung,Ho Kyun Ahn,Chull Won JU,Jong Min Lee,Dong-Young Kim,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min,Kyu Jun CHO,Jae Won DO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-03.

Field effect devices and their fabrication

Номер патента: US4321613A. Автор: David R. Wight,Brian T. Hughes,John C. Vokes. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1982-03-23.

Field-effect transistor

Номер патента: RU2222845C1. Автор: А.Н. Алексеев,И.А. Соколов,В.П. Чалый,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2004-01-27.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Modeling circuit of field effect transistor for symmetric modeling of electrostatic discharge characteristic, method of designing integrated circuit using the same and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US11907635B2. Автор: Seongjin MUN,Kiyoung MOON,Hyein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Filter circuit based on a MOS field effect transistor and chip including the same

Номер патента: US10930643B2. Автор: Jianxing Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: US20110181324A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,Ibrahim M. Khalil. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2011-07-28.

Filter circuit based on a mos field effect transistor and chip including the same

Номер патента: US20190067272A1. Автор: Jianxing Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

High reliability field effect power device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170133471A1. Автор: Hyun Wook Jung,Ho Kyun Ahn,Chull Won JU,Jong Min Lee,Dong-Young Kim,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min,Kyu Jun CHO,Jae Won DO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-05-11.

Feedback field-effect array device capable of converting between volatile and non-volatile operations and array circuit using the same

Номер патента: US20200075098A1. Автор: Hyun Gu Kang,Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jin Sun CHO,Doo Hyeok LIM,Sol A WOO,Yoon Joong KIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-05.

Si/sige vertical junction field effect transistor

Номер патента: MY120718A. Автор: Khalid Ezzeldin Ismail,Bernard S Meyerson. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-30.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A2. Автор: Robert Beach. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2005-06-23.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A3. Автор: Robert Beach. Владелец: Robert Beach. Дата публикации: 2008-01-03.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20020036329A1. Автор: Robert Baird,Steven Merchant,Phillipe Dupuy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

MOS field-effect transistor

Номер патента: US20060006470A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-12.

Embedded hydrogen inhibitors for semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09577083B1. Автор: Richard Lai,Yeong-Chang Chou,Hsu-Hwei Chen,Quin W. Kan,Keang H. Kho,Matthew R. Parlee. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Current stabilizer comprising enhancement field-effect transistors

Номер патента: US4399375A. Автор: Adrianus Sempel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1983-08-16.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Field effect transistor

Номер патента: US20240194759A1. Автор: Manabu Yanagihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Transposable feedback field-effect electronic device and array circuit using the same

Номер патента: US20200075094A1. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jin Sun CHO,Doo Hyeok LIM,Sol A WOO. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of forming heterostructure field effect transistor

Номер патента: US5196359A. Автор: Hung-Dah Shih,Bumman Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-03-23.

Ga/A1GaN Heterostructure Field Effect Transistor with dielectric recessed gate

Номер патента: US20040021152A1. Автор: Paul Hashimoto,Chanh Nguyen,Jeong-Sun Moon,Wah Wong,Miro Micovic. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2004-02-05.

Self-registering method of fabricating field effect transistors

Номер патента: CA1078077A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-05-20.

Heterostructure field effect transistor

Номер патента: US5091759A. Автор: Hung-Dah Shih,Bumman Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-02-25.

Field effect semiconductor device

Номер патента: US5650642A. Автор: Minoru Sawada,Yasoo Harada,Satoshi Terada,Shigeharu Matsushita,Emi Fujii. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-22.

Method of fabricating a junction field effect transistor

Номер патента: CA1269764A. Автор: Craig A. Armiento. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-05-29.

Heterojunction field effect transistor with monolayers in channel region

Номер патента: US5081511A. Автор: Saied N. Tehrani,Herbert Goronkin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-01-14.

Polarization-doped field effect transistors (POLFETS) and materials and methods for making the same

Номер патента: US7525130B2. Автор: Debdeep Jena,Umesh K. Mishra,Huili Xing,Siddharth Rajan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2009-04-28.

Variable impedance circuit employing an RIS field effect transistor

Номер патента: US4490734A. Автор: Takaaki Yamada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1984-12-25.

Field Effect semiconductor device

Номер патента: GB2009502A. Автор: . Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1979-06-13.

Process for producing a self-aligned grid field-effect transistor

Номер патента: US4326330A. Автор: Henri Derewonko,Joel Lepage,Michel Laviron. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1982-04-27.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory cell

Номер патента: CA1070836A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1980-01-29.

Field effect transistor-bipolar transistor darlington pair

Номер патента: US5187110A. Автор: Eric A. Martin,Olaleye A. Aina. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-02-16.

Heterojunction field effect transistor

Номер патента: CA1253632A. Автор: Yoji Kato,Hidemi Takakuwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-05-02.

Insulated gate field effect transistor with integrated safety diode

Номер патента: US3648129A. Автор: Rijkent Jan Nienhuis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Field-effect transistors with a crystalline body embedded in a trench isolation region

Номер патента: US11862511B2. Автор: Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Vertical stacking of graphene in a field-effect transistor

Номер патента: US20140138624A1. Автор: Joshua T. Smith,Damon B. Farmer,Aaron D. Franklin,Sataoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Transistors for replacing metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in nanoelectronics

Номер патента: US20120309142A1. Автор: Mark S. Miller,Justin Millis,Justin B. Jackson,Divesh Kapoor. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2012-12-06.

Field effect transistor, production method thereof, and electronic circuit

Номер патента: EP4141954A1. Автор: Hongsheng YI,Hanxing WANG,Gangyi Yang,Huidong HUANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect device

Номер патента: EP1759415A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Cem Basceri,Kunal R. Parekh,Montgomery H. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect device

Номер патента: WO2005122270A9. Автор: Cem Basceri,Gurtej S Sandhu,Kunal R Parekh,Montgomery H Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect devices

Номер патента: SG138602A1. Автор: Cem Basceri,Gurtej S Sandhu,Kunal R Parekh,Montgomery H Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-28.

Long-Term Implantable Silicon Carbide Neural Interface Device Using the Electrical Field Effect

Номер патента: US20140194719A1. Автор: Christopher Leroy Frewin,Stephen E. Saddow. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2014-07-10.

Long-term implantable silicon carbide neural interface device using the electrical field effect

Номер патента: WO2013010161A3. Автор: Christopher Leroy Frewin,Stephen E. Saddow. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2013-03-14.

Long-term implantable silicon carbide neural interface device using the electrical field effect

Номер патента: EP2731498A2. Автор: Christopher Leroy Frewin,Stephen E. Saddow. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2014-05-21.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Field-effect transistor and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20020089006A1. Автор: Federico Pio,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same

Номер патента: US09506892B2. Автор: Yutaka Yamada,Kazuhiro Nagaike,Hiroshi Mitani,Kazuhiko Matsumoto,Satoru Nagao,Masanori Katou,Atsuhiko Kojima,Yasuo Ifuku. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-11-29.

Diode having a reduced surface field effect trench structure and method of manufacturing a diode having a reduced surface field effect trench structure

Номер патента: US09461183B2. Автор: Jan Fischer,Tim BOETTCHER. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor processing method of providing electrical isolation between adjacent semiconductor diffusion regions of different field effect transistors and integrated circuitry having adjacent electrically isolated field effect transistors

Номер патента: US5895243A. Автор: Trung Tri Doan,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Method of producing low threshold complementary insulated gate field effect devices

Номер патента: US3759763A. Автор: R Wang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-09-18.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

Hybrid junction field-effect transistor and active matrix structure

Номер патента: US09620726B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of making a field effect transistor having an elevated source and an elevated drain

Номер патента: US6057200A. Автор: Sujit Sharan,Kirk Prall,Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Method of forming field effect transistors relative to a semiconductor substrate and field effect transistors produced according to the method

Номер патента: US5597746A. Автор: Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US20220020677A1. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of making field effect transistor

Номер патента: US5344788A. Автор: Minoru Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

Self-aligned metal process for field effect transistor integrated circuits using polycrystalline silicon gate electrodes

Номер патента: US4471522A. Автор: Chakrapani G. Jambotkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-09-18.

Method of forming a metal semiconductor field effect transistor

Номер патента: US4358891A. Автор: Bruce Roesner. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Field effect transistor

Номер патента: GB2273202A. Автор: Minoru Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-06-08.

Process of forming a field effect transistor without spacer mask edge defects

Номер патента: US5956590A. Автор: Shu-Jen Chen,Yong-Fen Hsieh,Joe Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Low noise field effect transistor with channel having subsurface portion of high conductivity

Номер патента: USRE28500E. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1975-07-29.

Method of making asymmetrically optimized CMOS field effect transistors

Номер патента: US4874713A. Автор: Samuel C. Gioia. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1989-10-17.

Field effect transistor having improved gate structures

Номер патента: WO2021061252A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,John P. Bettencourt,Kelly P. Ip,Paul J. Duval. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-04-01.

Manufacturing method of Fin field-effect transistor

Номер патента: US11495502B2. Автор: Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Hybrid junction field-effect transistor and active matrix structure

Номер патента: US20170179412A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Hybrid junction field-effect transistor and active matrix structure

Номер патента: US20160035989A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11824096B2. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Field effect transistor having improved gate structures

Номер патента: US20210098285A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,John P. Bettencourt,Kelly P. Ip,Paul J. Duval. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-04-01.

Field effect transistor having improved gate structures

Номер патента: EP4035210A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,John P. Bettencourt,Kelly P. Ip,Paul J. Duval. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-08-03.

Manufacturing method of fin field-effect transistor

Номер патента: US20210375696A1. Автор: Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods of forming integrated circuitry, methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor, and methods of forming field effect transistors

Номер патента: US20020197804A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Processes using a masking layer for producing field effect devices having oxide isolation

Номер патента: US3698966A. Автор: Ronald E Harris. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Super-saturation current field effect transistor and trans-impedance mos device

Номер патента: US20200027880A1. Автор: Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Semi-conductor inverter using complementary junction field effect transistor pair

Номер патента: US4329700A. Автор: Kojiro Tanaka. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1982-05-11.

Method for producing integrated mos field effect transistors with an additional interconnect of metal silicides

Номер патента: CA1200616A. Автор: Ulrich Schwabe,Franz Neppl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-02-11.

Integrated circuit device with series-connected field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device

Номер патента: US20120208329A1. Автор: Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Stacked vertical field-effect transistors with sacrificial layer patterning

Номер патента: US20200303263A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Super-saturation current field effect transistor and trans-impedance mos device

Номер патента: US20180308843A1. Автор: Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2018-10-25.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Fin tunnel field effect transistor (FET)

Номер патента: US09614049B2. Автор: Krishna Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Insulated gate field effect device with a smoothly curved depletion boundary in the vicinity of the channel-free zone

Номер патента: US5248893A. Автор: Shinichi Sakamoto. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1993-09-28.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2011053932A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Method for effective fabrication of a field effect transistor with elevated drain and source contact structures

Номер патента: US6087235A. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Sensor using sensing mechanism having combined static charge and field effect transistor

Номер патента: US09634153B2. Автор: James Edward West,Won Kyu MOON,Yub JE,Min Sung,Kum Jae Shin. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-04-25.

Fabrication of test field effect transistor structure

Номер патента: US6436773B1. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-08-20.

Graphene Field Effect Transistors for Detection of Ions

Номер патента: US20190293595A1. Автор: Hongmei Li,Kenneth Walsh,Goutam Koley,MD. Sayful Islam. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2019-09-26.

Layered metal oxide field effect material and its application

Номер патента: US11165031B2. Автор: Tao Zhang,Zhenghong Lu,Dengke Wang. Владелец: Yunnan University YNU. Дата публикации: 2021-11-02.

Hybrid gate field effect transistor and manufacturing method therefor, and switch circuit

Номер патента: EP4187614A1. Автор: Hui Sun,Boning Huang,Zhibin Chen,Qimeng JIANG,Ruihong Luo,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Hybrid gate field effect transistor, method for preparing hybrid gate field effect transistor, and switch circuit

Номер патента: US20230187523A1. Автор: Hui Sun,Boning Huang,Zhibin Chen,Qimeng JIANG,Ruihong Luo,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for manufacturing suspended fin and gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20120149162A1. Автор: Yi Song,Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-06-14.

Junction field effect transistor, integrated circuit for switching power supply, and switching power supply

Номер патента: US20120319177A1. Автор: Masaru Saito,Koji SONOBE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Novel III-V Heterojunction Field Effect Transistor

Номер патента: US20180254326A1. Автор: Zhihua Dong,Guohua Liu,Zhiqun Cheng,Huajie Ke. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2018-09-06.

Field effect transistor

Номер патента: US11527629B2. Автор: Yoichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-13.

Field effect transistor

Номер патента: US20210043743A1. Автор: Yoichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Junction field effect transistor

Номер патента: US20150357481A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Hetero-junction field effect transistor

Номер патента: US6320210B1. Автор: Yuji Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Deep buried channel junction field effect transistor (DBCJFET)

Номер патента: US20070275515A1. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Electrochemically-gated field-effect transistor, methods for its manufacture, its use, and electronics comprising said field-effect transistor

Номер патента: US20140319466A1. Автор: Horst Hahn,Subho Dasgupta,Babak Nasr. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2014-10-30.

Monolithic temperature compensation scheme for field effect transistor integrated circuits

Номер патента: EP1273044A2. Автор: Carl W. Pobanz,Mehran M. Matloubian. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2003-01-08.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

High voltage field effect transitor finger terminations

Номер патента: US09564497B2. Автор: Andrew P. Ritenour,Kevin Wesley Kobayashi,Haldane S. Henry. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Junction field effect transistor cell with lateral channel region

Номер патента: US09548399B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-17.

Junction field effect transistor, integrated circuit for switching power supply, and switching power supply

Номер патента: US09461115B2. Автор: Masaru Saito,Koji SONOBE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

High-frequency traveling wave field-effect transistor

Номер патента: US5627389A. Автор: Alison Schary. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-05-06.

Method for measuring an interface resistance of a field effect transistor

Номер патента: US20240036100A1. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang,Xuan-Zhang Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

High-power field-effect transistor and method of making same

Номер патента: US4005467A. Автор: Claude Vergnolle. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1977-01-25.

Sub-micrometer channel length field effect transistor process

Номер патента: US4430791A. Автор: Robert C. Dockerty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-02-14.

Junction field effect transistor with vertical gate region

Номер патента: US4916499A. Автор: Hiroji Kawai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Schottky barrier field effect transistors

Номер патента: CA1171553A. Автор: John M. Shannon. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1984-07-24.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040164374A1. Автор: Kouji Ishikura. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-08-26.

Field-effect transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312991A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: EP2375451A3. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey. B Casady. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-04-18.

Memory field-effect transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190378845A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim,Joshua M. HOWARD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Self aligned field effect transistor structure

Номер патента: US20100155793A1. Автор: Lee-mi Do,Kyu-Ha Baek. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor field-effect transistor, power amplifier comprising the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230290830A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Field effect transistor with improved isolation structures

Номер патента: US20020074610A1. Автор: Binghua Hu,Lily Springer,Chin-Yu Tsai,Jozef Mitros. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Method for producing a shallow trench isolation for n- and p- channel field-effect transistors in a semiconductor module

Номер патента: US20030181019A1. Автор: Hans-Peter Moll,Andreas Wich-Glasen,Dirk Efferenn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Field effect transistor and solid state image pickup device

Номер патента: US20070290238A1. Автор: Satoru Adachi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: EP3724928A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen,Juha Rakkola. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-10-21.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: US20210074869A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen,Juha Rakkola. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1070436A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

Hybrid field effect transistor and surface enhanced infrared absorption based biosensor

Номер патента: US20210181098A1. Автор: Abram L. Falk,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Photo-electric junction field-effect sensors

Номер патента: US3704376A. Автор: Kurt Lehovec,William G Seeley. Владелец: Inventors and Investors Inc. Дата публикации: 1972-11-28.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistor

Номер патента: US4365263A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-12-21.

Field-effect transistor having a graded contact layer

Номер патента: US5521403A. Автор: Tadashi Shibata,Hiroyuki Kano,Takatoshi Kato,Masanori Usui. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-28.

Method of forming high stability self-registered field effect transistors

Номер патента: US3614829A. Автор: James F Burgess,Constantine A Neugebauer,Reuben E Joynson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1971-10-26.

Method of fabricating an ion sensitive field effect transistor with a Ta2 O5 hydrogen ion sensing membrane

Номер патента: US5319226A. Автор: Byung K. Sohn,Dae H. Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-06-07.

Using a field effect device for identifying translocating charge-tagged molecules in a nanopore sequencing device

Номер патента: US09488636B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Andres JARAMILLO-BOTERO. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-11-08.

Field-effect transistor structure for preventing from shorting

Номер патента: US09520343B1. Автор: Chung Hsing Tzu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Diketopyrrolopyrrole Polymers for Use in Organic Field Effect Transistors

Номер патента: US20180331296A1. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-11-15.

Nano multilayer film, field effect tube, sensor, random accessory memory and preparation method

Номер патента: US09559295B2. Автор: SYED RIZWAN,PENG Guo,Guo-Qiang Yu,Yi-Ran Chen,Xiu-Feng Han,Hou-Fang Liu,Da-Lai Li,Dong-Ping Liu. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2017-01-31.

Capacitive control of electrostatic field effect optoelectronic device

Номер патента: US12015105B2. Автор: Jing Zhang,Matthew Hartensveld. Владелец: ROCHESTER INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-18.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230093494A1. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2023-03-23.

A Method for Producing an Organic Field Effect Transistor and an Organic Field Effect Transistor

Номер патента: US20160049603A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2016-02-18.

Active layer and method for preparing the same, organic field-effect transistor and array substrate

Номер патента: US20170012210A1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09978967B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Organic field effect transistor and method for producing the same

Номер патента: US09899616B2. Автор: Karl Leo,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem,Hans Kleeman. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

N-stacked field effect transistor based traveling wave power amplifier for monolithic microwave integrated circuits

Номер патента: US09780746B1. Автор: Kohei Fujii. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09722196B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09705098B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-07-11.

Radiation-resistant and low-temperature operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2741056C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

Drain current sensing and fault protection circuit based on gate voltage for gate current driven field effect transistors

Номер патента: US20220278523A1. Автор: Fei Wang,Edward A. Jones. Владелец: UNIVERSITY OF TENNESSEE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-09-01.

Field-effect tunable absorber with near-zero dielectric permittivity

Номер патента: RU2754985C2. Автор: Олексий АНОПЧЕНКО,Хо Вай Говард ЛИ. Владелец: Бэйлор Юниверсити. Дата публикации: 2021-09-08.

Electronic displays using organic-based field effect transistors

Номер патента: EP1105772A1. Автор: Paul Drzaic. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2001-06-13.

Ferroic sensor having tini-film field-effect transistor and ferroic layer applied to substrate

Номер патента: US8461636B2. Автор: Sigurd Wagner,Martin Kaltenbrunner,Siegfried Bauer,Reinhard Schwödiauer,Ingrid Graz,Christoph Keplinger,Stéphanie Perichon Lacour. Владелец: UNIVERSITAET LINZ. Дата публикации: 2013-06-11.

Patterning method for preparing top-gate, bottom-contact organic field effect transistors

Номер патента: US20210036248A1. Автор: Stefan Becker,Mi Zhou,Wei Hsiang Lin,Junmin Lee,Giseok LEE. Владелец: Clap Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Patterning method for preparing top-gate, bottom-contact organic field effect transistors

Номер патента: US20220293873A1. Автор: Stefan Becker,Mi Zhou,Wei Hsiang Lin,Junmin Lee,Giseok LEE. Владелец: Clap Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Organic single crystal field effect circuit and preparing method thereof

Номер патента: US09893286B2. Автор: Xiaoli Zhao,Yichun Liu,Yanhong Tong,Qingxin Tang. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2018-02-13.

Field effect transistor array using single wall carbon nano-tubes

Номер патента: US09806273B2. Автор: Shashi P. Karna,Govind Mallick. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2017-10-31.

Graphene field effect transistor for radiation detection

Номер патента: US09508885B1. Автор: Zhihong Chen,Mary J. Li. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2016-11-29.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US11411190B2. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2022-08-09.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US20210210704A1. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2021-07-08.

Field effect transistor, gas sensor, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210325336A1. Автор: Junzo Ukai,Taishi Shiotsuki,Tsuyoshi Minami,Yui Sasaki. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2021-10-21.

Methods of fabricating vertical carbon nanotube field effect transistors for arrangement in arrays and field effect transistors and arrays formed thereby

Номер патента: EP1714330A1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Larry Alan Nesbit,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,Peter Mitchell,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Methods of fabricating vertical carbon nanotube field effect transistors for arrangement in arrays and field effect transistors and arrays formed thereby

Номер патента: WO2005078819A1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Larry Alan Nesbit,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,Peter Mitchell,Steven John Holmes. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2005-08-25.

Method for doping an active Hall effect region of a Hall effect device and Hall effect device having a doped active Hall effect region

Номер патента: US09741925B2. Автор: Stefan Kolb,Markus Eckinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Pyroelectric-field effect electromagnetic radiation detector

Номер патента: CA1071743A. Автор: Robert C. Miller,Shu-Yau Wu,George W. Roland. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-02-12.

Field effect transistor

Номер патента: US3886582A. Автор: Kazuyoshi Kobayashi,Katsuhiko Akiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1975-05-27.

Improvements in or relating to field effect transistors

Номер патента: GB1141613A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1969-01-29.

Field effect transistor

Номер патента: US6160280A. Автор: George B. Norris,John Michael Golio,Fred H. Bonn. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: US20160258941A1. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-08.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: EP4235174A3. Автор: JAIN Abhinav,Bharath Takulapalli. Владелец: Inanobio LLC. Дата публикации: 2024-01-24.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: US20200096505A1. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

Pentacene organic field-effect transistor with n-type semiconductor interlayer and its application

Номер патента: US20220069244A1. Автор: JIANG Yin,Zhiguo Liu,Yiru WANG,Limin Kang,Yidong Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-03.

Pentacene organic field-effect transistor with n-type semiconductor interlayer and its application

Номер патента: US11575093B2. Автор: JIANG Yin,Zhiguo Liu,Yiru WANG,Limin Kang,Yidong Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-07.

Quantum dot photo-field-effect transistor

Номер патента: US20150295107A1. Автор: Edward Hartley Sargent. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US20210343958A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Timothy Vasen,Gerben Doombos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US20200161574A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: US12007389B2. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Inanobio Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

METHOD AND SYSTEM FOR THE REMOTE MONITORING OF THE TWO/THREE-DIMENSIONAL FIELD OF DISPLACEMENTS AND VIBRATIONS OF OBJECTS/STRUCTURES

Номер патента: US20150309161A1. Автор: GIUNTA Giuseppe,MONTI-GUARNIERI Andrea. Владелец: ENI S.P.A.. Дата публикации: 2015-10-29.

PROCEDURE AND REMOTE MONITORING SYSTEM FOR THE TWO / THREE-DIMENSIONAL FIELD OF SHIFTS AND VIBRATIONS OF OBJECTS / STRUCTURES

Номер патента: DK2937711T3. Автор: Giuseppe Giunta,Guarnieri Andrea Monti. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2018-02-05.

Field-effect device for evaluating and/or monitoring process parameter

Номер патента: RU2321116C2. Автор: Роберт ШМИДТ,Армин РУПП,Ира ХЕНКЕЛЬ. Владелец: Эндресс+Хаузер Гмбх+Ко.Кг. Дата публикации: 2008-03-27.

Integrated nanotube and field effect switching devices

Номер патента: US7564269B2. Автор: Claude L. Bertin. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Field effect electron emitter with grouped part emission surfaces

Номер патента: US20240290567A1. Автор: Joerg Freudenberger,Michael Wimmer,Anja Fritzler,Peter Geithner,Christoph Jud. Владелец: Siemens Healthineers AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Devices and methods related to switch linearization by compensation of a field-effect transistor

Номер патента: US11855361B2. Автор: Nuttapong Srirattana,Zhiyang Liu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Devices and methods related to switch linearization by compensation of a field-effect transistor

Номер патента: US20240204401A1. Автор: Nuttapong Srirattana,Zhiyang Liu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Silicon field effect emitter

Номер патента: US20200388459A1. Автор: Jörg FREUDENBERGER,Anja Fritzler. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2020-12-10.

Filter designs utilizing parasitic and field effects

Номер патента: US6147576A. Автор: Augusto Arevalo. Владелец: Ameramp LLC. Дата публикации: 2000-11-14.

Point-Source Model for Simulating Near-Field Effects From Structures of an Antenna

Номер патента: US20220014289A1. Автор: Bruno F. Camps Raga. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of making field effect layers

Номер патента: US3862858A. Автор: Thomas O Sedgwick,Melvyn E Cowher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-01-28.

Radio frequency network having plural electrically interconnected field effect transistor cells

Номер патента: US4456888A. Автор: Yalcin Ayasli. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1984-06-26.

High speed modulation utilizing field effect for return path

Номер патента: CA2339744A1. Автор: Jan Isaksson,Dave Sawyer. Владелец: Dave Sawyer. Дата публикации: 2001-09-02.

Point-source model for simulating near-field effects from structures of an antenna

Номер патента: EP3937307A1. Автор: Bruno F. Camps Raga. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Methods and systems for rendering virtual three-dimensional field of play for ar-enhanced gameplay experience

Номер патента: US20220062763A1. Автор: Justin Hanyan Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-03.

Systems and methods for intra-operative stimulation within a three-dimensional field

Номер патента: WO2011103004A1. Автор: Robert B. Strother,Geoffrey B. Thrope,Joseph J. Mrva,Michael R. Hausman. Владелец: CHECKPOINT SURGICAL, LLC. Дата публикации: 2011-08-25.

IMAGING DEVICE, METHOD AND RECORDING MEDIUM FOR CAPTURING A THREE-DIMENSIONAL FIELD OF VIEW

Номер патента: US20160255331A1. Автор: ATSUMI Hiroki. Владелец: CASIO COMPUTER CO., LTD.. Дата публикации: 2016-09-01.

Imaging device, method and recording medium for capturing a three-dimensional field of view

Номер патента: US10204276B2. Автор: Hiroki Atsumi. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Carbon allotrope composite field effect artificial aurora generating device

Номер патента: US11014061B2. Автор: Honggang Wang,Lihan LIU,Tielin LIU,Nanlin LIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-25.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Tunable homojunction field effect device-based unit circuit and multi-functional logic circuit

Номер патента: US20230198520A1. Автор: CHEN Pan,Shijun Liang,Feng Miao. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-22.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Trigger logic element and-not/or-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2756096C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-09-28.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Complementary field effect transistor memory cell

Номер патента: US3882467A. Автор: Wilbur David Pricer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-05-06.

Method for processing input variables by means of a processing device comprising at least two field-effect transistors, device for executing the method, computing device, and use

Номер патента: US20240259031A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Trigger logic element on field-effect transistors

Номер патента: RU2715178C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-25.

Switching device with series connection of junction field-effect transistors

Номер патента: RU2550551C2. Автор: Йюрген БИЛА,Даниэль АГГЕЛЕР,Иоганн Вальтер КОЛАР. Владелец: Этх Цюрих. Дата публикации: 2015-05-10.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Current sensing in power tool devices using a field effect transistor

Номер патента: US12105149B2. Автор: Timothy R. Obermann,Alexander T. Huber. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Differential amplifier with increased slope on field-effect transistors

Номер патента: RU2770915C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors

Номер патента: RU2770912C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2736548C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Operational amplifier with low zero offset voltage on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770913C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Photo-switchable and electrically-switchable organic field-effect transistor, manufacturing method thereof and use thereof as storage device

Номер патента: RU2580905C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Павел Анатольевич Трошин,Наталия Алексеевна Санина,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Discrete circuit for driving field effect transistors

Номер патента: EP1635463A3. Автор: Balakrishnan V. Nair,Gerald A. Kilgour. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2766864C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дарья Юрьевна Денисенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Input stage of differential operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2721945C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Trigger logic element and/and-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2763585C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-12-30.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Switching circuit with mos field effect transistor

Номер патента: CA1127724A. Автор: Tadao Yoshida,Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1982-07-13.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: US20240056042A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Trigger two-stage d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2734428C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования. "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-10-16.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

High voltage system using enhancement and depletion field effect transistors

Номер патента: US5051618A. Автор: Perry W. Lou. Владелец: Idesco Oy. Дата публикации: 1991-09-24.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Linearizing field effect transistors in the ohmic region

Номер патента: US20130187683A1. Автор: Omid Foroudi. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: WO2014173738A1. Автор: Karl Leo,Björn Lüssem,Hans Kleemann,Alrun Günther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2014-10-30.

Thermal droop compensation in power amplifiers with field-effect transistors (fets)

Номер патента: US20240275339A1. Автор: John Bellantoni,Michael Simcoe,Michael Kevin O'Neal. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Field effect transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2005086253A1. Автор: Makoto Kubota,Daisuke Miura,Satomi Sugiyama,Tomonari Nakayama,Akane Masumoto,Toshinobu Ohnishi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Driver for a power field-effect transistor, related system and integrated circuit

Номер патента: US09935626B2. Автор: Aldo Davide Gariboldi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-03.

Nanoscale field-effect transistors for biomolecular sensors and other applications

Номер патента: US09541522B2. Автор: Charles M. Lieber,Xueliang Liu,Hwan Sung Choe. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2017-01-10.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Differential cascade on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2684473C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with high stability of static mode

Номер патента: RU2710930C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Control of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: RU2754501C1. Автор: Юрген БЕМЕР,Эберхард Ульрих КРАФФТ,Ян ВАЙГЕЛЬ,Марк-Маттиас БАКРАН,Андреас НАГЕЛЬ,Мартин ХЕЛЬСПЕР,Бернд ЛАСКА,Штефан Ханс Вернер ШЕНЕВОЛЬФ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2021-09-02.

Composition for making hole injecting or hole transporting layers in electroluminescent devices, organic solar cells, organic laser diodes, organic thin-film transistors or organic field effect transistors of for making electrodes or electroconductive coatings, electroluminescent device, as well as organic light-emitting diode

Номер патента: RU2382809C2. Автор: Кнуд РОЙТЕР,Андреас ЭЛЬШНЕР,Петер Вилфрид ЛЕВЕНИХ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2010-02-27.

Power Supply Device and Method for Checking a Field Effect Transistor of Such a Power Supply Device

Номер патента: US20240056070A1. Автор: Klaus Schürmann,Matthias Plöger,Michael Buschkamp,Tobias Blome. Владелец: Weidmueller Interface GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-15.

Voltage control using field-effect transistors

Номер патента: US09419474B2. Автор: Larry O'Neal Reeder,David KNAGGS. Владелец: Telect Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Input differential cascade on complementary field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2712416C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Олег Владимирович Олег Владимирович Дворников. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Two-step output stage of class ab of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2706869C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-11-21.

Trigger adder on modulus two on field-effect transistors

Номер патента: RU2714105C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-11.

Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2712410C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Field effect transistor circuit for modulator and demodulator applications

Номер патента: US4413239A. Автор: George W. McIver,Donald E. Romeo. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1983-11-01.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: EP3456756A3. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias Dueggeli,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-05-01.

Protective circuit for field effect transistor amplifier

Номер патента: US3912981A. Автор: Katsuaki Tsurushima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1975-10-14.

Wide range linear controller using junction field effect transistors

Номер патента: CA1260076A. Автор: Edward S. Parsons,John J. Ludwick. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-09-26.

Electromagnetic interference regulator by use of capacitive parameters of field-effect transistor

Номер патента: US11804834B2. Автор: Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Hsiang Chi Meng,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Circuit with metal-oxide semiconductor field-effect transistor and diode module and implemetation mehtod thereof

Номер патента: US20230043861A1. Автор: Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Driver for a power field-effect transistor, related system and integrated circuit

Номер патента: US20180175850A1. Автор: Aldo Davide Gariboldi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-21.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: WO2022164601A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for enhancing the performance of pentacene organic field-effect transistor and the structure of pentacence organic field-effect transistor

Номер патента: US11980042B2. Автор: JIANG Yin,Zhiguo Liu,Yiru WANG,Limin Kang,Yidong Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-07.

Carbon nanotube field effect transistor

Номер патента: WO2008091273A2. Автор: Hong Zhang,John Douglas Adam,Norman Goldstein,James Baumgardner,Aaron Anthony Pesetski,John Przybysz,Jim Murduck. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2008-07-31.

High power rf field effect transistor switching using dc biases

Номер патента: WO2014085140A2. Автор: William Henry VON NOVAK III,Cody Burton Wheeland,Linda Stacey Irish,Gabriel Issac Mayo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-05.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Carbon nanotube field effect transistor

Номер патента: EP2038933A2. Автор: Hong Zhang,John Douglas Adam,Norman Goldstein,James Baumgardner,Aaron Anthony Pesetski,John Przybysz,Jim Murduck. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US12069874B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Field effect transistor (fet) and fet circuitry

Номер патента: WO2001035500A3. Автор: William Eccleston,Giles Christian Rome Lloyd. Владелец: Giles Christian Rome Lloyd. Дата публикации: 2002-05-10.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials

Номер патента: WO1999010939A9. Автор: Leeuw Dagobert Michel De,Christopher John Drury,Cornelis Marcus Johan Mutsaers. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2006-05-26.

Nanovesicle comprising heterodimeric G-protein coupled receptor, method for preparing nanovesicle, field effect transistor-based taste sensor comprising nanovesicle, and method for manufacturing taste sensor

Номер патента: US12099060B2. Автор: Seung Hun Hong,Hyun Seok Song,Tai Hyun Park,Hye Jun Jin,Sae Ryun Ahn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-24.

Systems and methods for controlling inrush electrical currents using a virtual miller capacitor and a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

Номер патента: US09513681B2. Автор: Lei Wang,Mehran Mirjafari,Padmanabh R. Gharpure. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-12-06.

Static MOS memory cell using inverted N-channel field-effect transistor

Номер патента: US4352997A. Автор: Joseph H. Raymond, Jr.,Keith H. Gudger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-10-05.

Biasing network for use with field effect transistor ring mixer

Номер патента: US5153469A. Автор: Brian E. Petted,Jeffrey P. Ortiz,Leo J. Wilz,Robert J. Baeten. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1992-10-06.

Field effect transistor device means control system

Номер патента: CA1154089A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1983-09-20.

Field effect transistor switched temperature control circuit

Номер патента: CA1150800A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1983-07-26.

Field effect transistor device means control system

Номер патента: US4280069A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1981-07-21.

Method for implementing adaptive stochastic spiking neuron based on ferroelectric field effect transistor

Номер патента: US11868868B2. Автор: Jin Luo,Tianyi Liu,Ru Huang,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for implementing adaptive stochastic spiking neuron based on ferroelectric field effect transistor

Номер патента: US20230316052A1. Автор: Jin Luo,Tianyi Liu,Ru Huang,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-05.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US11937438B2. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2024-03-19.

Organic field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025667A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chien-Cheng Liu,Sheng-fu Horng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2010-02-04.

Nanoscale field-effect transistors for biomolecular sensors and other applications

Номер патента: US20150212039A1. Автор: Charles M. Lieber,Xueliang Liu,Hwan Sung. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of configuring lighting effect patterns for interactive lighting effect devices

Номер патента: US09913344B2. Автор: Chih-Ming Chang,Ying-Ko Lu,Wen-Chih Wang,Ta-Jen Lin,Ta-Wei Huang. Владелец: Lumic Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Special effect device, address signal generating device, address signal generating method and address signal generating program

Номер патента: US7274376B2. Автор: Hideyuki Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-09-25.

Special effect device, address signal generating device, address signal generating method and address signal generating program

Номер патента: US7184060B2. Автор: Hideyuki Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Special effect device, address signal generating device, address signal generating method and address signal generating program

Номер патента: US20040257474A1. Автор: Hideyuki Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Special effect device, address signal generating device, address signal generating method and address signal generating program

Номер патента: US20040196300A1. Автор: Hideyuki Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Special effect device, address signal generating device, address signal generating method and address signal generating program

Номер патента: US7289129B2. Автор: Hideyuki Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-10-30.

Special effect device, address signal generating device, address signal generating method and address signal generating program

Номер патента: US20040196406A1. Автор: Hideyuki Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Magnetoresistive-effect device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030103298A1. Автор: Kiyoshi Sato,Kenji Honda,Yoshihiko Kakihara. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Dynamic random access memory device fabricated with two kinds of field effect transistor different in thickness of gate oxide films

Номер патента: US5083172A. Автор: Junji Kiyono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-01-21.

Improvements in or relating to oscillators employing field-effect transistors

Номер патента: GB1035851A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1966-07-13.

Enhanced schottky diode field effect transistor logic circuits

Номер патента: CA1245304A. Автор: Tho T. Vu. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1988-11-22.

Improvements in or relating to Electric Circuit Arrangements Employing Field Effect Transistors

Номер патента: GB1155562A. Автор: Ian Carrodus Hutcheon,Stephen Arthur Foster. Владелец: George Kent Ltd. Дата публикации: 1969-06-18.

Superconducting field-effect transistors with inverted misfet structure and method for making the same

Номер патента: CA2058780A1. Автор: Johannes G. Bednorz,Jochen D. Mannhart,Carl A. Mueller. Владелец: Carl A. Mueller. Дата публикации: 1992-07-08.

Three-state complementary field effect integrated circuit

Номер патента: US4837463A. Автор: Yukio Miyazaki,Takenori Okitaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-06-06.

Switching circuit utilizing a field effect transistor

Номер патента: CA1237488A. Автор: William E. Bowman. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1988-05-31.

Field-effect transistor amplifier

Номер патента: GB1215590A. Автор: Robert William Polkinghorn,Arthur Francis Pfeifer. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1970-12-09.

Protection circuit for field effect transistor

Номер патента: EP1211809A1. Автор: Sang.Hee. Sumitomo Wiring Systems Ltd Chung. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2002-06-05.

Field effect transistor amplifier with variable gain control

Номер патента: US4353036A. Автор: Merle V. Hoover. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-10-05.

Crystal oscillator using field effect transistors in an integrated circuit

Номер патента: US3829795A. Автор: J Minney. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1974-08-13.

Field effect transistor cable television line amplifier

Номер патента: CA2227862C. Автор: Leo J. Thompson,Martin A. Cowen,Scott R. Siclari,Steven Veneman. Владелец: Scientific Atlanta LLC. Дата публикации: 2000-06-27.

Signal amplifier circuit using a pair of complementary junction field effect transistors

Номер патента: US4021747A. Автор: Shigeru Todokoro. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-05-03.

Field effect transistor amplifier

Номер патента: US6078221A. Автор: Takuji Mochizuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Method of fabricating organic field effect transistors

Номер патента: WO2004061906A3. Автор: Jie Zhang,Krishna Kalyanasundaram,Daniel Gamota,Paul Brazis,Min-Xian Zhang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2005-06-23.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US20230276640A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Thienopyrazine compound and field effect transistor containing the same

Номер патента: US20120248428A1. Автор: Takashi Sugioka,Yoshiro Yamashita,Hikaru Nakayama. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2012-10-04.

High power rf field effect transistor switching using dc biases

Номер патента: EP2912751A2. Автор: Linda S. Irish,William H. Von Novak,Gabriel Issac Mayo,Cody B. Wheeland. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Method and apparatus for determining user input in a three-dimensional field

Номер патента: US20140198049A1. Автор: Lai Xue,Darren Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-17.

ROLLED-UP, THREE-DIMENSIONAL FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND THE USE THEREOF IN ELECTRONICS, SENSORS AND MICROFLUIDICS

Номер патента: US20140234977A1. Автор: SCHMIDT Oliver G.,GRIMM Daniel,BUFON Carlos Cesar Bof. Владелец: LEIBNIZ-INSTITUT FUER FESTKOERPER-UND WERKSTOFFFORSCHUNG DRESDEN E.V. Дата публикации: 2014-08-21.

METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING USER INPUT IN A THREE-DIMENSIONAL FIELD

Номер патента: US20150012891A1. Автор: Xue Lai,Lim Darren. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

METHODS AND SYSTEMS FOR RENDERING VIRTUAL THREE-DIMENSIONAL FIELD OF PLAY FOR AR-ENHANCED GAMEPLAY EXPERIENCE

Номер патента: US20220062763A1. Автор: WONG Justin Hanyan. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING USER INPUT IN A THREE-DIMENSIONAL FIELD

Номер патента: US20140198049A1. Автор: Xue Lai,Lim Darren. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

Corner positioning method for three-dimensional field

Номер патента: CN111798574A. Автор: 余俊,黄志青. Владелец: Guangzhou Hengsha Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Three-dimensional field for calibration and method of photographing the same

Номер патента: US7301560B2. Автор: Hitoshi Otani,Mitsuharu Yamada,Nobuo Kochi,Tadayuki Ito,Takayuki Noma. Владелец: Topcon Corp. Дата публикации: 2007-11-27.

Nano-fluidic field effective device to control DNA transport through the same

Номер патента: US09651518B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Stefan Harrer,Binquan Luan,Hongbo Peng,Stanislav Polonsky,Stephen Rossnagel,Glenn J. Martyna,Dennis M. Newns,Gustavo Stolovitzky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

Polar fluid gated field effect devices

Номер патента: WO2017216641A3. Автор: Saurabh Radhakrishnan,Meet Vora,Rajatesch R. GUDIBANDE,Antoine GALAND. Владелец: Graphwear Technologies Inc.. Дата публикации: 2018-02-15.

Polar fluid gated field effect devices

Номер патента: EP3472607A2. Автор: Saurabh Radhakrishnan,Meet Vora,Rajatesch R. GUDIBANDE,Antoine GALAND. Владелец: Graphwear Technologies Inc. Дата публикации: 2019-04-24.

Polar fluid gated field effect devices

Номер патента: CA3067304C. Автор: Saurabh Radhakrishnan,Meet Vora,Rajatesch R. GUDIBANDE,Antoine GALAND. Владелец: Graphwear Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Magneto-resistive field effect transistor

Номер патента: WO2014199144A1. Автор: Daniel Anthony Allwood,Hadi Rasam Alqahtani,Matthew Thomas BRYAN,Martin Friedrich GRELL. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2014-12-18.

Collapsible inverted-magnetron vacuum-gauge converter with additional carbon field-effect emitter, protected from ion bombardment

Номер патента: RU2610214C1. Автор: Владимир Алексеевич Гапонов,Леонид Николаевич Розанов,Дмитрий Валерьевич Ратушный,Максим Николаевич Белов. Владелец: Федеральное государственное автономное научное учреждение "Центральный научно-исследовательский и опытно-конструкторский институт робототехники и технической кибернетики" (ЦНИИ РТК). Дата публикации: 2017-02-08.

Connected field effect transistors

Номер патента: US11827512B2. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-28.

Fluid actuators connected to field effect transistors

Номер патента: US20210206161A1. Автор: Eric Martin,James R Przybyla,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-07-08.

Connected field effect transistors

Номер патента: EP3857599A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-08-04.

Connected field effect transistors

Номер патента: WO2020068035A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-04-02.

Electric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, and memory cell

Номер патента: US20240055036A1. Автор: Thomas KÄMPFE,Nelli Laleni. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-02-15.

Co2 sensor based on a diamond field effect transistor

Номер патента: US20150177184A1. Автор: Bogdan Catalin Serban,Mihai Brezeanu,Octavian Buiu,Viorel Georgel Dumitru. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US9683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Electric field effect read/write head, method of manufacturing the same, and electric field effect storage apparatus having the same

Номер патента: US20090141396A1. Автор: Hyoung-Soo Ko,Chul-min Park,Seung-bum Hong,Dae-Young Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-04.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US09683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Determining correlation coefficient(s) among different field effect transistor types and/or among different electrical parameter types

Номер патента: US09679094B2. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Acoustic shock wave-effect device

Номер патента: RU2741729C1. Автор: Алексей Алексеевич Новиков,Александр Викторович Никитин,Александра Рустамовна Путинцева,Дмитрий Анатольевич Негров,Юрий Васильевич Долгов. Владелец: Акционерное общество "Центральное конструкторское бюро автоматика". Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor integrated circuit device implemented by bipolar and field effect transistors and having stable sense amplifier

Номер патента: US5550778A. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Field-Effect Transistor and Method and Control Unit for Operating a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20160305904A1. Автор: Philipp Nolte. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-20.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: EP4278184A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: Universita Politechnica delle Marche. Дата публикации: 2023-11-22.

Integrated circuit comprising field effect transistors and a programmable read-only memory

Номер патента: IE56337B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-19.

Systems and methods of protecting structures from radioactive radiation and magnetic field effects

Номер патента: RU2735388C2. Автор: Цзянь ДУН,Навид Моайед ХУССЕЙН. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-10-30.

Selective chemical sensitive field effect transistor transducers

Номер патента: US4273636A. Автор: Makoto Yano,Kyoichiro Shibatani,Tsutomu Makimoto,Kiyoo Shimada. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 1981-06-16.

System for determining leakage current of a field effect transistor over temperature

Номер патента: US20240230748A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

A field effect transistor current source

Номер патента: WO1986002180A1. Автор: Bernard Lee Morris,Jeffrey Jay Nagy,Lawrence Arthur Walter. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1986-04-10.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: US20240310320A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: Universita Politechnica delle Marche. Дата публикации: 2024-09-19.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: WO2022153185A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: UNIVERSITÀ POLITECNICA DELLE MARCHE. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: EP1506392A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen STW. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: WO2003098204A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen. Дата публикации: 2003-11-27.

Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09984730B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Wordline negative boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09842634B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Shift register using complementary induced channel field effect semiconductor devices

Номер патента: US3588527A. Автор: James Ronald Cricchi. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1971-06-28.

Insulated gate field effect transistor memory array

Номер патента: US3609712A. Автор: Robert H Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-09-28.

Storage system having bilateral field effect transistor personalization

Номер патента: CA1169556A. Автор: Wilbur D. Pricer,James E. Selleck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-06-19.

Field effect transistor current source

Номер патента: CA1252835A. Автор: Bernard L. Morris,Jeffrey J. Nagy,Lawrence A. Walter. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-04-18.

A field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US20160116434A1. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2016-04-28.

Modeling the total parasitic resistances of the source/drain regions of a multi-fin multi-gate field effect transistor

Номер патента: US20130289964A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

System and method for generating a field effect transistor corner model

Номер патента: US20150089464A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Field effect transistor-based biosensor for detecting whole-cell bacteria and field effect transistor-based biosensor assembly including the same

Номер патента: US20210215683A1. Автор: Yuh-Shyong Yang,Daisy Cheng,Chen-Yun Lin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-07-15.

Apparatus and method for the detection of localised fluctuations of ionic charge by ion sensitive field effect transistors during a chemical reaction

Номер патента: EP1379863A2. Автор: Christofer Toumazou,Sunil Purushothaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-14.

Method of repairing the deterioration of magneto-resistive effect device

Номер патента: US20090168255A1. Автор: Yoshikazu Sawada,Yosuke Antoku,Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Aerodynamically Effective Device for a Motor Vehicle

Номер патента: US20120326468A1. Автор: Stephan Mueller,Horst Dietewich,Armin Hutterer. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2012-12-27.

Vehicle seat assembly having a field effect sensor for detecting seat position

Номер патента: GB2410089A. Автор: Matthew Zuzga,Samuel Hanlon. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2005-07-20.

Ion-sensitive field effect transistor and method for producing an ion-sensitive field effect transistor

Номер патента: US20050263798A1. Автор: Christian Kunath,Eberhard Kurth,Heinrich Grüger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2005-12-01.

Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel

Номер патента: US20230384257A1. Автор: BO Wang,Mingwei Wang,Diaoyang LI,Benhui LIN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

An effects device for a musical instrument and a method for producing the effects

Номер патента: WO2018025147A1. Автор: Ilja Krumins,Martins Melkis,Kristaps Kalva. Владелец: KALVA Kristaps. Дата публикации: 2018-02-08.

Magneto-resistive effect device, thin-film magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk system

Номер патента: US20080117554A1. Автор: Kei Hirata,Koji Shimazawa,Yoshihiro Tsuchiya,Shinji Hara,Tomohito Mizuno. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Presentation effect device for use in gaming machine and gaming machine

Номер патента: US09672682B2. Автор: Takashi Izawa,Kenta Kitamura,Kou Kobayashi,Masumi Sakamoto. Владелец: Aruze Gaming America Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Ion selective field-effect sensor

Номер патента: CA1130378A. Автор: Tatsuo Akiyama,Yoichi Okabe,Takuo Sugano,Eiji Niki. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 1982-08-24.

Integrated circuit arrangement in mos technology with field effect transistors

Номер патента: GB2043270B. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1983-01-26.

Field effect type liquid crystal display elements provided with polarizing plates

Номер патента: GB1530204A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-10-25.

Biomolecule detector based on field effect transistor arrays containing reference electrodes and detection method for biomolecules using the same

Номер патента: US20080315861A1. Автор: Jeo Young SHIM,Kyu Tae YOO,Won Seok CHUNG,Jung Im HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Digital microfluidics (dmf) device including an fet-biosensor (fetb) and method of field-effect sensing

Номер патента: CA3159133A1. Автор: Ryan DENOMME,Gordon Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-27.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: EP3262644A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: WO2016137681A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

Ultrasound-based wireless battery-free implantable sensors comprising a solutiongated field-effect transistor

Номер патента: WO2023209142A1. Автор: Bruno FAIN,Clément Hébert,Sahil Sharma,Carole-Anne LERNOUD. Владелец: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Дата публикации: 2023-11-02.

Stem-loop receptor-based field-effect transistor sensor devices for small-molecule target detection under physiological salt concentrations

Номер патента: US20210223240A1. Автор: Paul S. Weiss,Milan Stojanovic,Kyungae YANG,Anne Milasincic ANDREWS,Nako NAKATSUKA. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2021-07-22.

Field-effect transistor for sensing target molecules

Номер патента: EP3881063A1. Автор: Stephan Hofmann,Ruizhi Wang,Hannah STERN. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2021-09-22.

System for determining leakage current of a field effect transistor over temperature

Номер патента: US11940479B2. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

SURGICAL HEADS-UP DISPLAY THAT IS ADJUSTABLE IN A THREE-DIMENSIONAL FIELD OF VIEW

Номер патента: US20130088414A1. Автор: Boukhny Mikhail,Artsyukhovich Alexander N.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-11.

Urban park high resolution atmospheric CO 2 Numerical simulation method of concentration three-dimensional field

Номер патента: CN115994496A. Автор: 刘睿,张俞,陈晗恺. Владелец: Shanghai Normal University. Дата публикации: 2023-04-21.

Device for simulating three-dimensional fields

Номер патента: SU767787A1. Автор: Лев Абрамович Шехтман,Валентин Алексеевич Березов,Николай Федорович Демидов,Александр Петрович Клепов. Владелец: Научно-Исследовательский Институт Механики И Физики. Дата публикации: 1980-09-30.

Field Effect Resistor for ESD Protection

Номер патента: US20120003818A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field effect semiconductor device

Номер патента: CA1151774A. Автор: Thomas E. Hendrickson,Ronald G. Koelsch. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1983-08-09.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.