Bandpass filter with frequency separation between shunt and series resonators set by dielectric layer thickness.

Bandpass filter with frequency separation between shunt and series resonators set by dielectric layer thickness

Номер патента: US20200091893A1
Опубликовано: 19-03-2020
Автор(ы): Bryant Garcia, Jesson John, Patrick Turner, Robert B. Hammond, Soumya Yandrapalli, Ventsislav Yantchev, Viktor Plesski
Принадлежит: Resonant Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Bandpass filter with frequency separation between shunt and series resonators set by dielectric layer thickness

Номер патента: US11888465B2. Автор: Robert B. Hammond,Bryant Garcia,Patrick Turner,Viktor Plesski,Ventsislav Yantchev,Soumya Yandrapalli,Jesson John. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Filters using transversly-excited film bulk acoustic resonators with frequency-setting dielectric layers

Номер патента: US11870424B2. Автор: Robert B. Hammond,Bryant Garcia,Patrick Turner,Viktor Plesski,Ventsislav Yantchev,Soumya Yandrapalli,Jesson John. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Transversely-excited film bulk acoustic resonator filters with sub-resonators having different mark and pitch

Номер патента: US20240243727A1. Автор: Greg Dyer,Douglas Jachowski. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Filters using transversly-excited film bulk acoustic resonators with frequency-setting dielectric layers

Номер патента: US20240022234A1. Автор: Robert B. Hammond,Bryant Garcia,Patrick Turner,Viktor Plesski,Ventsislav Yantchev,Soumya Yandrapalli,Jesson John. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a back-side dielectric layer and an etch-stop layer

Номер патента: US12081198B2. Автор: Patrick Turner. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers

Номер патента: US12132464B2. Автор: Ventsislav Yantchev. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers

Номер патента: US20210058056A1. Автор: Ventsislav Yantchev. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers

Номер патента: US20210044272A1. Автор: Ventsislav Yantchev. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Transversely-excited film bulk acoustic resonators and filters with trap-rich layer

Номер патента: US20230027140A1. Автор: Patrick Turner. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Acoustic filters with shared acoustic tracks

Номер патента: US12126328B2. Автор: Kurt Raihn,Sean McHugh. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Filter with multiple resonators having different passivation thickness distributions

Номер патента: US20230283256A1. Автор: Bryant Garcia,Douglas Jachowski. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Filter with bulk acoustic wave resonator in parallel with capacitor

Номер патента: US20240356531A1. Автор: Jae Hyung Lee,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Taecheol Shon,David Albert Feld,Zongliang Cao. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes

Номер патента: US12101078B2. Автор: Bryant Garcia. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes

Номер патента: US20220060175A1. Автор: Bryant Garcia. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes

Номер патента: US20230253948A1. Автор: Bryant Garcia. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Filter with volume acoustic resonators

Номер патента: US20200021273A1. Автор: Jung Woo Sung,June Kyoo Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Laterally coupled piezoelectric resonator ladder-type filter with at least one width expansion mode resonator

Номер патента: US5689220A. Автор: Hiroaki Kaida. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-18.

Stacked diezoelectric resonator ladder-type filter with at least one width expansion mode resonator

Номер патента: US5648746A. Автор: Hiroaki Kaida. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-15.

Filter with antiresonance frequency correction

Номер патента: US20200028488A1. Автор: Sung Tae Kim,Hyun Jun Kim,Yoon Sok Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Bandpass filter circuit, module

Номер патента: US20220416748A1. Автор: Hiroshi Nakamura. Владелец: Sanan Japan Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Bandpass filter circuit, module

Номер патента: US12028037B2. Автор: Hiroshi Nakamura. Владелец: Sanan Japan Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Acoustic wave filter with series resonator for filter steepness

Номер патента: US20230096749A1. Автор: Tomoya KOMATSU,Yiliu Wang,Jinbaek SONG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Surface accoustic wave filter with improved attenuation

Номер патента: US20240106415A1. Автор: Jae Seung Choi,Tae Hyeong KWON,Hyung Gon Kim. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Ladder filter with extracted poles for improved band edge steepness

Номер патента: US20240372529A1. Автор: Bryant Garcia,Greg HEY-SHIPTON. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-11-07.

Temperature compensated filter with increased static capacitance

Номер патента: US20240313736A1. Автор: Christian Huck,Casey Kirkpatrick. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Structure and manufacturing method of surface acoustic wave filter with interdigital transducer

Номер патента: US20230009638A1. Автор: Guojun WENG,Gongbin Tang. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Electroacoustic Bandpass Filter Having Smoothed Insertion Loss

Номер патента: US20150319536A1. Автор: Andreas Detlefsen,Mohamed Nizar Mellouli. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2015-11-05.

Electroacoustic filter with low phase delay for multiplexed signals

Номер патента: EP4396941A1. Автор: Oswaldo Ramos Sparrow,Lionel Treffon. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Rf filter with reduced insertion loss

Номер патента: EP3485568A1. Автор: Werner Ruile,Markus Hauser,Sebastian Bertl,Veit Meister. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2019-05-22.

Acoustic filters with improved return loss

Номер патента: US20240195381A1. Автор: Nikolaus Klemmer,Chris Levesque,Kelly M. Lear,Jeffery Galipeau. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Acoustic filters with improved return loss

Номер патента: EP4383565A1. Автор: Nikolaus Klemmer,Chris Levesque,Kelly M. Lear,Jeffery Galipeau. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Filter with Improved Linearity

Номер патента: US20170201235A1. Автор: Stefan Freisleben. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2017-07-13.

Receive filter with bulk acoustic wave resonators

Номер патента: US20230327647A1. Автор: Shihan Qin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Acoustic filter with improved reflectivity

Номер патента: WO2020126909A1. Автор: Robert Koch,Simone Colasanti,Franz Kubat,Samir Tazarine. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2020-06-25.

Acoustic filter with improved reflectivity

Номер патента: US12068737B2. Автор: Robert Koch,Simone Colasanti,Franz Kubat,Samir Tazarine. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Acoustic wave device with dielectric layer for transverse leakage suppression

Номер патента: US20230032325A1. Автор: Rei GOTO,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Acoustic wave device with dielectric layer for reduced transverse leakage

Номер патента: US20230031753A1. Автор: Rei GOTO,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Mems-based bandpass filter

Номер патента: WO2019021047A1. Автор: Mohammad Ibrahim YOUNIS,Saad ILYAS. Владелец: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-01-31.

Lattice filter with ripple in passing band eliminated and with passing band widened

Номер патента: EP1204205A2. Автор: Moriaki c/o Alps Electric Co Ltd Ueno. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-08.

Surface mount lc filter with polymer layers

Номер патента: EP1023770A4. Автор: Haim Goldberger,Isaac Refaely,Ehud Elron. Владелец: AVX Corp. Дата публикации: 2004-08-11.

Method for producing a dielectric layer in an electroacoustic component, and electroacoustic component

Номер патента: US20110175487A1. Автор: Jürgen LEIB,Simon Maus,Ulli Hansen. Владелец: MSG LITHOGLAS AG. Дата публикации: 2011-07-21.

Bandpass filter with improved upper band edge sharpness

Номер патента: US20220209748A1. Автор: Douglas Jachowski. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Bandpass filter with improved upper band edge sharpness

Номер патента: US20200177160A1. Автор: Douglas Jachowski. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Bandpass filter having an additional shunt resonator circuit

Номер патента: US20230327646A1. Автор: Olzhas Tazabekov. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Fourth-order bandpass filter

Номер патента: RU2760871C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дарья Юрьевна Денисенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-12-01.

Multipath bandpass filters with passband notches

Номер патента: US20180278442A1. Автор: John William Mitchell Rogers,Alexander John Heaslip Ross. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Fourier filtering of spectral data for measuring layer thickness during substrate processing

Номер патента: WO2022246157A1. Автор: Dominic J. Benvegnu,Harry Q. Lee,Benjamin Cherian. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-24.

Active piezoelectric bandpass filter

Номер патента: RU2706480C1. Автор: Дмитрий Селиверстович Рябоконь,Иван Викторович Рябоконь. Владелец: Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП"). Дата публикации: 2019-11-19.

Digitally programmable active rc bandpass filter with constant absolute bandwidth

Номер патента: CA1145422A. Автор: Gideon Willoner. Владелец: GTE Lenkurt Electric Canada Ltd. Дата публикации: 1983-04-26.

Bandpass filter, radio communication module and radio communication device using the bandpass filter

Номер патента: US20110205139A1. Автор: Hiromichi Yoshikawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Bandpass filter providing wide gain control range

Номер патента: US09698738B2. Автор: Nam Nguyen Hoai,Cheon-Soo Kim,Seon-Ho Han,Ki-Su Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-07-04.

Very wide bandwidth composite bandpass filter with steep roll-off

Номер патента: US09762208B2. Автор: Martin Handtmann,Lueder Elbrecht,Hongya Xu,Andriy Yatsenko. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Fourth-order wideband bandpass filter with non-differential input and paraphase output on classical operational amplifiers

Номер патента: RU2748663C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дарья Юрьевна Денисенко,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-05-28.

Single filter with two passbands

Номер патента: US20230421126A1. Автор: Satoru Ikeuchi,Patrick Marcus Naraine. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Tunable bandpass filter

Номер патента: US20130162374A1. Автор: Giuseppe Resnati,Stefano Tamiazzo. Владелец: Commscope Italy SRL. Дата публикации: 2013-06-27.

Programmable analog bandpass filtering apparatus and method and design method for a discrete time filter

Номер патента: WO1998035439A1. Автор: Thorsten Schier,Svante Signell. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 1998-08-13.

Apparatus and methods for tuning bandpass filters

Номер патента: MY121351A. Автор: Antonio Montalvo,Alan R Holden,Richard H Myers. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2006-01-28.

Bandpass filter unit and communication apparatus

Номер патента: US20030197578A1. Автор: Teruhisa Shibahara. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

A bandpass filter structure

Номер патента: WO2016064309A1. Автор: Boris Dortschy,Janos Ladvanszky. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2016-04-28.

Multi-layer bandpass filter

Номер патента: WO2023044955A1. Автор: Xiaolong Huang,Yuxian Zhang,Yujiang Wu,Eric Kong Chau Tsang. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2023-03-30.

Clock filter with negative resistor circuit

Номер патента: US20210399720A1. Автор: Eeshan Miglani,Shagun Dusad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Tunable bandpass filter for communication system

Номер патента: US09876526B2. Автор: John D. Williams. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-01-23.

Method and system for ultra-narrowband filtering with signal processing using a concept called prism

Номер патента: EP3788716A1. Автор: Manus Henry. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Low-sensitivity bandpass filter with independent adjustment of main parameters

Номер патента: RU2701095C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дарья Юрьевна Денисенко,Андрей Алексеевич Игнашин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-09-24.

Selectable frequency bandpass filter

Номер патента: US3855556A. Автор: C Hartmann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-12-17.

Resonant Bandpass Filter having Two Frequency Cancellation Traps

Номер патента: GB1166986A. Автор: James Courtland Marsh Jr. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1969-10-15.

Surface acoustic wave bandpass filter

Номер патента: CA1198486A. Автор: Mikio Morimoto. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-12-24.

Power divider/combiner with lumped element bandpass filters

Номер патента: CA2103763C. Автор: Arvind Swarup. Владелец: Com Dev Ltd. Дата публикации: 1995-11-07.

Capacitively-tapped, variable, wideband bandpass filter

Номер патента: US5541558A. Автор: Leonard Weber,Bruce A. Erickson,Edward M. Barich. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1996-07-30.

Cancellation technique for bandpass filters using a narrowband network having optimally coupled and overcoupled filters

Номер патента: US5721518A. Автор: Richard M. Hahn. Владелец: Xetron Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Bandpass filter circuit and multiplexer

Номер патента: US11929725B2. Автор: Xiaodong Wang,Jun He,Chengjie Zuo,Chenggong He. Владелец: Anhui Annuqi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Bandpass filter, touch driver including the same, and method of bandpass filtering

Номер патента: EP4178111A2. Автор: Moon Jae JEONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

Bandpass filter, touch driver including the same, and method of bandpass filtering

Номер патента: EP4178111A3. Автор: Moon Jae JEONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Multiple pole bandpass filter having monolithic crystal elements

Номер патента: CA1112726A. Автор: Robert G. Kinsman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-11-17.

Ripple counter with dynamic bandpass filter for DC motor

Номер патента: US11811342B2. Автор: Krishnamurthy Shankar,Ashish Ojha,Priyank ANAND,Chinmay JAIN,Kalpana Suryawanshi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Tunable bandpass filter for communication system

Номер патента: US20160301376A1. Автор: John D. Williams. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-10-13.

Ripple counter with dynamic bandpass filter for dc motor

Номер патента: EP4248555A1. Автор: Krishnamurthy Shankar,Ashish Ojha,Priyank ANAND,Chinmay JAIN,Kalpana Suryawanshi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Bandpass filter for differential signal, and multifrequency antenna provided with same

Номер патента: US20070126533A1. Автор: Kazuhiko Honjo,Akira Saitou. Владелец: YKC Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

Signal bandpass filter apparatus

Номер патента: USRE30394E. Автор: Thomas C. Matty,Arun P. Sahasrabudhe. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-09-02.

Etched inductance bandpass filter

Номер патента: US3718874A. Автор: R Cooper. Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-02-27.

Thin-film bandpass filter using inductor-capacitor resonators

Номер патента: US7667557B2. Автор: Qiang Richard Chen. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-02-23.

Switchable high frequency bandpass filter

Номер патента: US20040214549A1. Автор: Ming-shuan Yeh. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Thin-film bandpass filter using inductor-capacitor resonators

Номер патента: EP1961116A1. Автор: Richard Chen Qiang. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-08-27.

Devices and bandpass filters therein having at least three transmission zeroes

Номер патента: US8742871B2. Автор: Jun-De JIN,Ming Hsien Tsai,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-03.

High-frequency filter, with an inductor for forming a pole, complex electronic component using the same, and portable radio apparatus using the same

Номер патента: US6069541A. Автор: Teruhisa Tsuru,Harufumi Mandai,Ken Tonegawa,Tomoya Bando. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Signal bandpass filter apparatus

Номер патента: CA1081806A. Автор: Thomas C. Matty,Arun P. Sahasrabudhe. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-07-15.

Bandpass filter

Номер патента: US20150022285A1. Автор: Chia-Ho Hung. Владелец: Cybertan Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Thin-film bandpass filter using inductor-capacitor resonators

Номер патента: EP1961116B1. Автор: Richard Chen Qiang. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-02-10.

Bandpass filter

Номер патента: US20150236667A1. Автор: Masaki Kitsunezuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

High frequency radio including an adjustable-bandwidth tunable bandpass filter for improved detection of incoming calls and methods for processing incoming calls

Номер патента: EP3956989A1. Автор: Yehuda GILLBERT EDER,Yitzhack MAGID. Владелец: Elbit Systems C4I and Cyber Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Bandpass filter having magnetically coupled resonators

Номер патента: US4894629A. Автор: Teruhisa Tsuru,Masahiko Kawaguchi,Hisatake Okamura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1990-01-16.

Bandpass filter using plural commutating capacitor units

Номер патента: US3753169A. Автор: J Condon. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-08-14.

Frequency tuning system for tuning a center frequency of an analog bandpass filter

Номер патента: US5440264A. Автор: Joannes M. J. Sevenhans,Mark G. S. J. Van Paemel. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1995-08-08.

Band selectable tunable bandpass filter

Номер патента: US4456895A. Автор: Harvey L. Landt,Glenn R. Snider. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1984-06-26.

High frequency radio including an adjustable-bandwidth tunable bandpass filter for improved detection of incoming calls and methods for processing incoming calls

Номер патента: WO2020212964A1. Автор: Yehuda GILLBERT EDER,Yitzhack MAGID. Владелец: Elbit Systems C4I and Cyber Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Wideband filter with resonators and inductors

Номер патента: US20210257989A1. Автор: Kai Liu,Jonghae Kim,Rui Tang,Mario Francisco Velez,Changhan Hobie Yun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Wideband filter with resonators and inductors

Номер патента: US20200266512A1. Автор: Kai Liu,Jonghae Kim,Rui Tang,Mario Francisco Velez,Changhan Hobie Yun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Metal-oxide-metal (mom) capacitor with reduced magnetic coupling to neighboring circuit and high series resonance frequency

Номер патента: EP3353804A1. Автор: ZHANG Jin,Tao Yang,Mohammad Farazian,Tsai-Pi Hung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-01.

Structure and manufacturing method of surface acoustic wave filter with back electrode of piezoelectric layer

Номер патента: US12088271B2. Автор: Guojun WENG,Gongbin Tang. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Radio frequency (rf) filter with increased shunt resonator coupling coefficient

Номер патента: WO2022035600A1. Автор: Thomas Bain Pollard. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-02-17.

Bulk acoustic wave (baw) filter with coupled inductors

Номер патента: US20170179927A1. Автор: Lawrence A. Carastro,Jeff D. Galipeau,Scott M. Knapp. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Metal-oxide-metal (mom) capacitor with reduced magnetic coupling to neighboring circuit and high series resonance frequency

Номер патента: WO2017053120A1. Автор: ZHANG Jin,Tao Yang,Mohammad Farazian,Tsai-Pi Hung. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-30.

Acoustic wave filter with wide bandwidth of attenuation region

Номер патента: US20230253952A1. Автор: Masafumi Iwaki. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Band-pass arc filter on two operational amplifiers with frequency reduction of pole and independent adjustment of main parameters

Номер патента: RU2688237C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дарья Юрьевна Денисенко,Евгений Андреевич Жебрун. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Television receiver with saw filter coupling utilizing a series resonance network and additional resistor

Номер патента: US5649313A. Автор: Eduard F. Stikvoort,Peter J. H. Rutten. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1997-07-15.

Electrically tunable band pass filter with symmetrical low-side and high-side protection

Номер патента: US6097269A. Автор: Gilberto J. Hernandez. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Tunable film bulk acoustic resonators and filters with integrated biasing resistors

Номер патента: US09929718B1. Автор: Chunong Qiu,Ishiang Shih,Cindy X. Qiu,Yi-Chi Shih,Andy Shih,Julia Qiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuit common-mode filters with ESD protection and manufacturing method

Номер патента: US09741655B2. Автор: Shijun Wang,Nan Zhang,Wen-Chin Wu,Albert Z. WANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for Producing an Electric Component Comprising at Least One Dielectric Layer, and Electric Component Comprising at Least One Dielectric Layer

Номер патента: US20110037538A1. Автор: Werner Ruile,Markus Hauser,Christoph Eggs,Hans-Peter Kirschner. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2011-02-17.

Transversely-excited film bulk acoustic resonator with thick dielectric layer for improved coupling

Номер патента: US20230327637A1. Автор: Bryant Garcia,Patrick Turner,Ventsislav Yantchev,Sean McHugh,John P. KOULAKIS. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

A high performance divider using feed forward, clock amplification and series peaking inductors

Номер патента: WO2013043954A4. Автор: Zaw Soe. Владелец: TENSORCOM, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

Electricoacoustic component with structured conductor and dielectric layer

Номер патента: US09941858B2. Автор: Werner Ruile,Markus Hauser,Christoph Eggs,Hans-Peter Kirschner. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Waveguide bandpass filter having a ladder shape metal plate and which is tunable using a rotatable dielectric plate

Номер патента: US09590285B2. Автор: Eiichi Furukawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

A method and circuit arrangement for reducing passband ripple of a bandpass filter

Номер патента: WO1999040686A1. Автор: Guanghua Huang. Владелец: Adc Solitra, Inc.. Дата публикации: 1999-08-12.

A circuit arrangement for reducing intermodulation in a bandpass filter system

Номер патента: WO1999038267A1. Автор: Guanghua Huang,Markku Harkonen. Владелец: Adc Solitra, Inc.. Дата публикации: 1999-07-29.

Bandpass filter

Номер патента: WO2023127330A1. Автор: Atsuhiro Yamamoto,Takehiro KISHIDA. Владелец: FURUNO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of discrete binary information transmission by phase-modulated signals in multi-channel radiocommunic systems with frequency sealing of phase-modulated channels subcarriers

Номер патента: RU2647633C2. Автор: Геннадий Андреевич Травин,Дмитрий Сергеевич Травин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (СибГУТИ). Дата публикации: 2018-03-16.

Series resonant inverter with lossless snubber-resetting components

Номер патента: US4876635A. Автор: Robert L. Steigerwald,John N. Park,Michael J. Schutten. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1989-10-24.

Voltage controlled oscillator with series resonant circuit

Номер патента: US11936339B2. Автор: Andrea Mazzanti,Andrea Pallotta,Alessandro Franceschin. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-19.

Voltage controlled oscillator with series resonant circuit

Номер патента: US20230081414A1. Автор: Andrea Mazzanti,Andrea Pallotta,Alessandro Franceschin. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-16.

Dielectric resonator controlled oscillator with frequency multiplication

Номер патента: WO1987000707A1. Автор: Eiji Nagata. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 1987-01-29.

Frequencies synthesizer with frequency modulation in sdr applications

Номер патента: RU2688243C1. Автор: Владимир Александрович Маковий,Николай Михайлович Тихомиров,Станислав Константинович Романов,Сергей Григорьевич Зародин,Владимир Николаевич Тихомиров,Михаил Валерьевич Матуразов. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2019-05-21.

Series-resonance oscillator

Номер патента: US09755627B2. Автор: Pietro Andreani,Thomas Mattsson,Luca Fanori. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-09-05.

Demodulator circuit for a signal with frequency modulated about an intermediate frequency

Номер патента: CA2192038C. Автор: Michel Robbe,Herve Guegnaud. Владелец: Matra Communication SA. Дата публикации: 2003-03-25.

Receiver with frequency offset correcting function

Номер патента: CA2251921A1. Автор: Takayuki Nagayasu,Keishi Murakami. Владелец: Keishi Murakami. Дата публикации: 1998-09-11.

Bandwidth constrained communication systems with frequency domain information processing

Номер патента: US12095605B2. Автор: Nikola Alic,Andreja Radosevic,Srdjan Brkic,Djordje Sarac. Владелец: Ntwine LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Direct digital synthesizer with frequency modulation

Номер патента: RU2628216C1. Автор: Николай Васильевич Дегтярев,Игорь Владимирович Рябов,Александра Алексеевна Лебедева,Евгений Сергеевич Клюжев,Анастасия Владимировна Гарифуллина,Игорь Витальевич Стрельников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2017-08-15.

Voltage regulator with frequency compensation

Номер патента: US20240288893A1. Автор: Srinivas Theertham,Sumantra SETH,Trilok Kamagond. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

An electron tube circuit for frequency separation

Номер патента: GB793592A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1958-04-16.

Bandwidth constrained communication systems with frequency domain information processing

Номер патента: US11695610B2. Автор: Nikola Alic,Andreja Radosevic,Srdjan Brkic,Djordje Sarac. Владелец: Ntwine LLC. Дата публикации: 2023-07-04.

Low inductance laser driver packaging using lead-frame and thin dielectric layer mask pad definition

Номер патента: WO2020092290A8. Автор: Lawrence Godfrey,Jinhan Ju,Gabriel Charlebois. Владелец: Excelitas Canada, Inc.. Дата публикации: 2020-06-04.

Bandwidth constrained communication systems with frequency domain information processing

Номер патента: US20230291629A1. Автор: Nikola Alic,Andreja Radosevic,Srdjan Brkic,Djordje Sarac. Владелец: Ntwine LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Plasma display filter with a dielectric/metallic layer stack of at least eleven layers

Номер патента: WO2006033861A2. Автор: Bruce M. Lairson,Chris R. Schmidt,Stanley Louie,Erik Gaderlund. Владелец: SOUTHWALL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-03-30.

Bandpass filter, wireless communication module and wireless communication device

Номер патента: US20100033271A1. Автор: Hiroshi Ninomiya,Hiromichi Yoshikawa,Katsuro Nakamata. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Bandpass filter and method of fabricating the same

Номер патента: EP2865046A1. Автор: Kun Liu,Bo Zhou,Junyou CHEN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2015-04-29.

Bandpass filter and method of fabricating the same

Номер патента: US09780427B2. Автор: Kun Liu,Bo Zhou,Junyou CHEN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-10-03.

Broadband radiocommunication system with frequency duplex

Номер патента: RU2632818C1. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КАСКАД". Дата публикации: 2017-10-10.

Multilayer bandpass filter

Номер патента: RU2619137C2. Автор: Борис Афанасьевич Беляев,Владимир Вениаминович Тюрнев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2017-05-12.

Bandpass filter, and wireless communication module and wireless communication device using the bandpass filter

Номер патента: US20110237216A1. Автор: Masafumi Horiuchi,Hiromichi Yoshikawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Waveguide e-plane rf bandpass filter with pseudo-elliptic response

Номер патента: WO2004062024A1. Автор: Philippe Chambelin,Charline Guguen,Dominique Lo Hine Tong. Владелец: THOMSON LICENSING S.A.. Дата публикации: 2004-07-22.

Strip-line bandpass filter

Номер патента: RU2658576C1. Автор: Василий Петрович Петренко. Владелец: Акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт "Градиент". Дата публикации: 2018-06-21.

Glazing unit with frequency selective coating and method

Номер патента: WO2020165167A1. Автор: Andre Ribesse,Xavier Radu. Владелец: AGC Vidros do Brasil Ltda. Дата публикации: 2020-08-20.

Glazing unit with frequency selective coating and method

Номер патента: EP3963669A1. Автор: Xavier Radu. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Multi-mode bandpass filter

Номер патента: US20210194108A1. Автор: David Robert HENDRY. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2021-06-24.

Tunable bandpass filter

Номер патента: WO2017096991A1. Автор: Kevin Yang,Raafat R. Mansour,Vahid MIRAFTAB. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-06-15.

Glazing unit with frequency selective coating and method

Номер патента: EP3925030A1. Автор: Andre Ribesse,Xavier Radu. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Method for active stabilizatiion of an injection locked laser with an optical bandpass filter

Номер патента: US20240170925A1. Автор: Peng Chen,Gyu Boong JO,Ziting CHEN,Bojeong SEO,Mingchen HUANG,Mithilesh Kumar PARIT. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2024-05-23.

Microstrip bandpass filter

Номер патента: RU2748864C1. Автор: Борис Афанасьевич Беляев,Сергей Александрович Ходенков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГУ им. М.Ф. Решетнева). Дата публикации: 2021-06-01.

Multilayer bandpass filter

Номер патента: RU2579816C1. Автор: Борис Афанасьевич Беляев,Владимир Вениаминович Тюрнев,Ринат Гайсеевич Галеев. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2016-04-10.

Bandpass filter, and radio communication module and radio communication device using same

Номер патента: US20100203859A1. Автор: Shuichi Yamamoto,Hiromichi Yoshikawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Tunable bandpass filter

Номер патента: US20170162925A1. Автор: Kevin Yang,Raafat R. Mansour,Vahid MIRAFTAB. Владелец: Huawei Technologies Canada Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Glazing unit with frequency selective coating and method

Номер патента: US12071368B2. Автор: Adrien LEMOINE. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Glazing unit with frequency selective coating and method

Номер патента: US12071810B2. Автор: Andre Ribesse,Xavier Radu. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of operating a series resonant converter and series resonant converter

Номер патента: EP4422043A1. Автор: Thomas Langbauer,Franz Vollmaier,Alexander Connaughton. Владелец: Silicon Austria Labs GmbH. Дата публикации: 2024-08-28.

Fiber laser with intracavity frequency shift and bandpass filter

Номер патента: US20240339803A1. Автор: Xinyang Liu,Regina Gumenyuk. Владелец: Ampliconyx Oy. Дата публикации: 2024-10-10.

Micro bandpass filter

Номер патента: US09680197B2. Автор: Ta-Jen Yen,Tsung-Yu Huang,Ruei-Han Jiang,Yu-Kai Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-06-13.

Miniature bandpass filter

Номер патента: RU2710386C2. Автор: Борис Афанасьевич Беляев,Дмитрий Дмитриевич Дмитриев,Алексей Михайлович Сержантов,Александр Александрович Лексиков,Ярослав Федорович Бальва,Андрей Александрович Лексиков,Максим Олегович Савишников. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2019-12-26.

Broadband bandpass filter

Номер патента: RU2584342C1. Автор: Борис Афанасьевич Беляев,Сергей Александрович Ходенков,Ринат Гайсеевич Галеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ). Дата публикации: 2016-05-20.

Uwb bandpass filter

Номер патента: US20240120630A1. Автор: Belal ABU SUHEIL,Joerg SCHRAPE. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2024-04-11.

Reconfigurable bandpass filter based on a planar combline filter comprising varactor diodes

Номер патента: US20130063228A1. Автор: Hermann Hampel,Ulrich Berold,Christoph Reck,Lorenz-Peter Schmidt,Ralph Trommer. Владелец: IAD Gesellschaft fuer Informatik Automatisierung und Datenverarbeitung mbH. Дата публикации: 2013-03-14.

Filters including bandpass filter transmission lines

Номер патента: US11996875B2. Автор: Marco Riva,Stefano Tamiazzo,Roman Tkadlec. Владелец: Commscope Italy SRL. Дата публикации: 2024-05-28.

T-shaped broadband bandpass filter

Номер патента: EP3516766A1. Автор: Hans-Olof Vickes. Владелец: SAAB AB. Дата публикации: 2019-07-31.

Bandpass filter for a radio-frequency signal and tuning method therefor

Номер патента: US20030080834A1. Автор: Jörg GRUNEWALD. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2003-05-01.

Multi-microphone system to support bandpass filtering for analog-to-digital conversions at different data rates

Номер патента: US20130163747A1. Автор: Paul Roller Michaelis. Владелец: Avaya Inc. Дата публикации: 2013-06-27.

Printed bandpass filter for a double conversion tuner

Номер патента: EP1328039B1. Автор: Carl W. Pobanz,Lawrence M. Burns,Ramon A. Gomez,Sung-Hsien Chang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-08-25.

Bandpass filter

Номер патента: US11791522B2. Автор: Yuta HASEGAWA. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Multi-microphone system to support bandpass filtering for analog-to-digital conversions at different data rates

Номер патента: GB201115966D0. Автор: . Владелец: Avaya Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Electro-optic communications system with stimulated brillouin scattering (SBS) bandpass filter

Номер патента: US09967031B1. Автор: John R. DeSalvo,Anthony C. Klee,Charles F. Middleton. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2018-05-08.

Resonating structure providing notch and bandpass filtering

Номер патента: US5969584A. Автор: Guanghua Huang,Lasse Beli Ravaska,Kimmo Antero Kyllonen. Владелец: ADC Solitra Inc. Дата публикации: 1999-10-19.

Microwave bandpass filter with tunable dielectric resonators

Номер патента: AU5484886A. Автор: Paul Alan Kennard,Barry Albert Syrett. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1986-10-09.

Bandpass filter

Номер патента: US11791523B2. Автор: Yuta HASEGAWA. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Non-common-ground bandpass filter circuit with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20210068239A1. Автор: Wei-Ting Tsai,Shau-Gang Mao,Ting-Wei Wu,Yu-Yao Chen,Chong-Yi Liou,Jin-Feng NEO,Zheng-An Peng,Tsu-Yu LO,Je-Yao CHANG,Chien-Bang Chen,Shih-Ping Huang. Владелец: Iwave Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Bandpass filter

Номер патента: US20220285812A1. Автор: Yuta HASEGAWA. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Bandpass filter, wireless communication module and wireless communication device

Номер патента: US20100033270A1. Автор: Takanori Kubo,Hiromichi Yoshikawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Bandpass filter

Номер патента: EP3996198A1. Автор: Yuta HASEGAWA. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2022-05-11.

tuneable bandpass filter

Номер патента: US20090072927A1. Автор: John David Rhodes,Christopher Ian Mobbs,David Ibbetson. Владелец: Isotek Electronics Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Laminated bandpass filter, high-frequency component and communications apparatus comprising them

Номер патента: US20100073108A1. Автор: Shigeru Kemmochi,Kazuhiro Hagiwara,Keisuke Fukamachi,Takahiro Yamasita. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2010-03-25.

Reflection-type bandpass filter

Номер патента: US20090072928A1. Автор: Ning Guan. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Image sensor with varying thickness dielectric layer

Номер патента: US20240332329A1. Автор: Kazufumi Watanabe,Chih-Wei Hsiung,Chao Niu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Micro bandpass filter

Номер патента: US20160336633A1. Автор: Ta-Jen Yen,Tsung-Yu Huang,Ruei-Han Jiang,Yu-Kai Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-11-17.

Dual mode camera and quasi-bandpass filter

Номер патента: US20230336847A1. Автор: Juha Alakarhu,Mikko Vaahteranoksa. Владелец: Axon Enterprise Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Glazing unit with frequency selective coating and method

Номер патента: US11996613B2. Автор: Andre Ribesse,Xavier Radu. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Glazing unit with frequency selective coating and method

Номер патента: EP3924314A1. Автор: Andre Ribesse,Xavier Radu. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Bandpass filter

Номер патента: US20210066773A1. Автор: Yusuke UEMICHI. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Bandpass filter based on effective localized surface plasmons and operation method thereof

Номер патента: US20210194103A1. Автор: QI JIANG,ZHUO Li,Yufan Zhao,Yaru YU,Yulei JI. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2021-06-24.

Glazing unit with frequency selective coating and method

Номер патента: WO2020221845A1. Автор: Xavier Radu. Владелец: AGC Vidros do Brasil Ltda. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor package having a variable redistribution layer thickness

Номер патента: US20170170111A1. Автор: Thomas Wagner,Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sven Albers,Marc Dittes,Klaus Jürgen REINGRUBER,Christian Georg Geissler. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of manufacturing bandpass filters for GHz bands

Номер патента: US20050101285A1. Автор: Akihiko Saito,Hiroshi Haizuka. Владелец: Daido Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Waveguide bandpass filter having a non-contacting printed circuit filter assembly

Номер патента: US4990870A. Автор: John Reindel. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1991-02-05.

Discharge lamp ignition circuit having a bandpass filter connecting the pulse transformer to the lamp

Номер патента: US5841245A. Автор: Frans Slegers,Anton C. Blom. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Planar multi-resonator bandpass filter

Номер патента: US5786303A. Автор: Raafat R. Mansour. Владелец: Com Dev Ltd. Дата публикации: 1998-07-28.

Wideband high frequency bandpass filter

Номер патента: US20140191827A1. Автор: Ta-Jen Yen,Tsung-Yu Huang,Ruei-Han Jiang,Ai-Ping Yen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-07-10.

High-Order Fully-Reconfigurable Balanced Bandpass Filters

Номер патента: US20210083352A1. Автор: Dimitra Psychogiou,Dakotah Simpson. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2021-03-18.

Glazing unit with frequency selective coating and method

Номер патента: US11958768B2. Автор: Xavier Radu. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated devices comprising uniform metal layer thickness across one or more metal layers

Номер патента: US20210005545A1. Автор: Xia Li,Kai Liu,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Magnetically tuneable millimeter wave bandpass filter having high off resonance isolation

Номер патента: US4888569A. Автор: Dean B. Nicholson,Robert J. Matreci. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1989-12-19.

Dual mode self-equalized bandpass filters

Номер патента: CA1081808A. Автор: Steve Kallianteris. Владелец: Com Dev Ltd. Дата публикации: 1980-07-15.

Waveguide cross-coupling filter with multiple parallel cavities

Номер патента: US11646477B2. Автор: Farbod Tabatabai,Haris Alijagic. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2023-05-09.

Waveguide cross-coupling filter with multiple parallel cavities

Номер патента: EP4053993A1. Автор: Farbod Tabatabai,Haris Alijagic. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2022-09-07.

Waveguide cross-coupling filter with multiple parallel cavities

Номер патента: US20220285814A1. Автор: Farbod Tabatabai,Haris Alljagic. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Gate electrode doping method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication with varying effective gate dielectric layer thicknesses

Номер патента: US20030232473A1. Автор: Ih-Chin Chen,Ling-Yen Yeh,Jyh-Chyurn Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Compact bandpass filter for double conversion tuner

Номер патента: US7375604B2. Автор: Ramon A Gomez,Carl W Pobanz,Lawrence M Burns,Sung-Hsien Chang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-05-20.

Balanced bandpass filters for millimeter-wave applications

Номер патента: US20230395960A1. Автор: Mihai Sanduleanu,Baker Mohammad,Mamady KEBE. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2023-12-07.

Tunable bandpass filter

Номер патента: US20200303796A1. Автор: Daisuke Iwanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Bandpass filter

Номер патента: US20110241795A1. Автор: Takafumi Kai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Stub type bandpass filter

Номер патента: US4489292A. Автор: Hiroshi Ogawa. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-18.

Semiconductor package having a variable redistribution layer thickness

Номер патента: EP3391410A1. Автор: Thomas Wagner,Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sven Albers,Marc Dittes,Klaus Jürgen REINGRUBER,Christian Georg Geissler. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Semiconductor package having a variable redistribution layer thickness

Номер патента: WO2017105589A1. Автор: Thomas Wagner,Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sven Albers,Marc Dittes,Klaus Jürgen REINGRUBER,Christian Georg Geissler. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-06-22.

Bandpass filter having resonant holes formed in a block, where the resonant holes include hollowed-out sub regions

Номер патента: US10541457B2. Автор: Junyuan Wang. Владелец: Xiamen Sunyear Electronics Co ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

Semiconductor package having a variable redistribution layer thickness

Номер патента: US20190043800A1. Автор: Thomas Wagner,Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sven Albers,Marc Dittes,Klaus Jürgen REINGRUBER,Christian Georg Geissler. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Multi-resonator bandpass filter

Номер патента: US20190103646A1. Автор: Junyuan Wang. Владелец: Xiamen Sunyear Electronics Co ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Compact microwave distributed-element dual-mode bandpass filter

Номер патента: US20140218135A1. Автор: Jin Shi,YANG Zhan,Jianxin Chen,Hui Tang,C-Y Li,LiHeng Zhou,ZhiHua Bao. Владелец: Nantong University. Дата публикации: 2014-08-07.

Capacitor of semiconductor memory device that has composite A12O3/HfO2 dielectric layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050087791A1. Автор: Young-sun Kim,Jae-hyun Yeo,In-sung Park,Ki-Vin Im,Ki-yeon Park,Sung-Tao Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-28.

Ic package with non-uniform dielectric layer thickness

Номер патента: EP2489068A2. Автор: Hui Liu,Hong Shi,Yuanlin Xie,Xiahong Jiang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2012-08-22.

Multiple work function nanosheet field-effect transistors with differential interfacial layer thickness

Номер патента: US10622466B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: EP4186095A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-31.

Method of measuring optical signal-to-noise ratio with four-wave mixing in fiber-optical transmission systems with frequency separation of signals

Номер патента: RU2663179C2. Автор: Вардгес Андраникович Варданян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (СибГУТИ). Дата публикации: 2018-08-02.

Isolator circuit for use with frequency sensitive switching circuit

Номер патента: CA1132198A. Автор: John L. Plumb,Sheppard Cohen,Paul H. Ingalls. Владелец: GTE Sylvania Inc. Дата публикации: 1982-09-21.

Magnetron with frequency control for power regulation

Номер патента: CA1309146C. Автор: Flavian Reising, Jr.,Peter H. Smith, (Deceased). Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-10-20.

Optical filter with Fabry-Perot resonator comprising a plate-shaped wire grid polarizer

Номер патента: US09601532B2. Автор: Toshinobu Matsuno,Katsuhiro Kanamori,Teruhiro Shiono. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Variable bandwidth microring optical filter device and method with frequency tuning

Номер патента: EP4172691A1. Автор: Zhiping Jiang,Yang Ren,Vien VAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: US20230232629A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Series resonant circuit and voltage stabilizing method thereof

Номер патента: US20060186829A1. Автор: Zhi-Ying Chen,Jian-Ping Ying,Qing-You Zhang,Guo-Dong Yin,Jun-Feng Guan. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

Full-bridge series resonant converter

Номер патента: US20240297591A1. Автор: Sheng-Hua Li,You-Si Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Device and method for transmitting and receiving with decreased relation of pike power to average power in mobile communication system with orthogonal multiplexing with frequency separation

Номер патента: RU2264041C2. Автор: Сунг-Риул ЙУН,Ки-Хо ДЗУНГ,Хеунг-Гиоун РИУ,Биоунг-Ил ДЗИН,Ин-Бае КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2005-11-10.

Switching voltage regulator with frequency selection

Номер патента: EP2371067A1. Автор: Sai C. Kwok. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-10-05.

Switching voltage regulator with frequency selection

Номер патента: WO2010065934A1. Автор: Sai C. Kwok. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-06-10.

Unipolar series resonant converter

Номер патента: AU5326894A. Автор: Hian K Lauw. Владелец: Electronic Power Conditioning Inc. Дата публикации: 1994-05-09.

Series resonant power converter

Номер патента: US20240039399A1. Автор: Grzegorz POPEK,Ignacio Castro Álvarez. Владелец: Collins Aerospace Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Mesh network configuration to create spatial separation between simultaneously operated radios

Номер патента: US09900880B1. Автор: Varadarajan Gopalakrishnan,In Chul Hyun,Omar FawazHashim ZAKARIA,Cheol Su Kim. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Device for measuring complex transmission and reflection coefficients of microwave devices with frequency conversion up

Номер патента: RU2646948C1. Автор: Константин Станиславович Коротков,Аким Алексеевич Бабенко,Даниил Русланович Фролов,Антон Сергеевич Левченко,Александр Викторович Гноевой,Николай Андреевич Яковенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-03-12.

Device of wireless communication with frequency-polarization distribution between transfer and receiver channels

Номер патента: RU2649871C2. Автор: Роман Олегович Масленников,Алексей Андреевич Артеменко,Андрей Викторович Можаровский,Сергей Александрович Тихонов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Радио Гигабит". Дата публикации: 2018-04-05.

Method of signal separation with frequency shift modulation and compensation of combination components

Номер патента: RU2723300C1. Автор: Владимир Алексеевич Золотарев,Владимир Александрович Белогуров. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2020-06-09.

Power converter comprising series resonant converter(s) having a full-bridge series resonant topology and methods of operating same

Номер патента: WO2023014522A1. Автор: Haibo Zhang,Praveen Jain,Arpan Laha. Владелец: TRANSIENT PLASMA SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Power converter comprising series resonant converter(s) having a full-bridge series resonant topology and methods of operating same

Номер патента: US20230032942A1. Автор: Haibo Zhang,Praveen Jain,Arpan Laha. Владелец: Transient Plasma System Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Power converter comprising series resonant converter(s) having a full-bridge series resonant topology and methods of operating same

Номер патента: US12081131B2. Автор: Haibo Zhang,Praveen Jain,Arpan Laha. Владелец: Transient Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for generating a layer thickness variation profile of a surface layer of a substrate

Номер патента: US20240312001A1. Автор: Nico Bergemann,Frank Thielert. Владелец: CONFOVIS GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Device for quantum sending of a cryptographic key with frequency coding

Номер патента: RU2692431C1. Автор: Олег Геннадьевич Морозов,Геннадий Александрович Морозов,Ильнур Ильдарович Нуреев,Айрат Жавдатович Сахабутдинов,Артем Анатольевич Кузнецов,Ильдарис Мударрисович Габдулхаков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева - КАИ". Дата публикации: 2019-06-24.

Half-duplex communication in duplex communication system with frequency division

Номер патента: RU2408984C2. Автор: Аамод КХАНДЕКАР,Нага БХУШАН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-01-10.

Improved extraction of pilot signal in systems with many carriers with frequency cutting

Номер патента: RU2497295C2. Автор: Лотар Штадельмайер,Андреас ШВАГЕР. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2013-10-27.

Microwave array antenna design with frequency scanning

Номер патента: RU2701877C2. Автор: Сергей Николаевич Шабунин,Ренат Рашидович Абдуллин,Виктор Алексеевич Чечеткин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2019-10-02.

Series resonant converter using power switches with relatively low rated voltages and currents

Номер патента: US20120044721A1. Автор: Jim-Hung Liang,Ching-Chuan Chen. Владелец: Skynet Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Photodetector designing method for photodetector having photoelectric conversion layer mostly composed of amorphous selenium and layer thickness designing method thereof, photodetector using the photoelectric conversion layer and photodetector manufacturing method thereof, and storage medium

Номер патента: US20230095246A1. Автор: Ken Okano,Joshua Dumenkosi JOHN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-30.

Method and device for transmission/reception with frequency hopping

Номер патента: US20020146061A1. Автор: Luc Rambaud. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Method of recognizing frequency bandwidth of base station in a mobile communication system with frequency bandwidth scalability

Номер патента: EP1758422A3. Автор: Jong-Hyung Kwun,Eung-sun Kim,Yung-soo Kim,Cheol-Woo You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-26.

Tunable antenna module with frequency correction circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US7821467B2. Автор: Takahiro Sugiyama. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-10-26.

Multi-mode control based series-resonant dc-dc power converter

Номер патента: US20240297578A1. Автор: Muhammad YAQOOB. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Bi-directional light emitting diode drive circuit in pulsed power series resonance

Номер патента: US20090179578A1. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

A multi-mode control based series-resonant dc-dc power converter

Номер патента: EP4420229A1. Автор: Muhammad YAQOOB. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

High voltage power supply with modular series resonant inverters

Номер патента: US5434770A. Автор: Gary R. Dreifuerst,Bernard T. Merritt. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1995-07-18.

Synchronous rectifier type series resonant converter for operating in intermittence mode

Номер патента: KR100547289B1. Автор: 성환호. Владелец: 주식회사 피에스텍. Дата публикации: 2006-01-26.

Series resonant converter control system and method

Номер патента: US5270914A. Автор: Hian K. Lauw,J. Ben Klaassens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-12-14.

Frequency separation between qubit and chip mode to reduce purcell loss

Номер патента: US9218571B2. Автор: David W. Abraham,Jerry M. Chow,Jay M. Gambetta,Antonio D. Corcoles Gonzalez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Series resonant power converter

Номер патента: EP4312356A1. Автор: Grzegorz POPEK,Ignacio Castro Álvarez. Владелец: Collins Aerospace Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Series resonant converter

Номер патента: US20200083817A1. Автор: CHEN CHEN,Yu-Chen Liu,Huang-Jen Chiu,Kai-De Chen,Guan-Wei Lin,De-Jia Lu,Katherine Ann Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-12.

Radio-frequency identifier tunable by dielectric inserts

Номер патента: EP3488377A1. Автор: Pavel Fiala,Dušan Nešpor. Владелец: VYSOKE UCENI TECHNICKE V BRNE. Дата публикации: 2019-05-29.

Radio-frequency identifier tunable by dielectric inserts

Номер патента: US20190246185A1. Автор: Pavel Fiala,Dušan Nešpor. Владелец: VYSOKE UCENI TECHNICKE V BRNE. Дата публикации: 2019-08-08.

Optimal design of modular dc-dc converter combined with series resonance converters for energy integration

Номер патента: AU2020103761A4. Автор: Lagudu Jayavani,Melimi Ravi Kumar,Garikamukkala V. K. Murthy,Guruvulu Naidu Ponnada,Gurram Ranga Purushotham,Desireddy Chinnakullay Reddy,Singampalli Satyanarayana,Mopidevi SubbaRao,Manepalli V. Sudarsan,Sudheer Vinnakoti. Владелец: Sudarsan ManepalliV. Дата публикации: 2021-04-01.

Interleaved llc half-bridge series resonant converter having integrated transformer

Номер патента: US20200083818A1. Автор: Zong-Sian Jiang,Jing-Yuan Lin,Huang-Jen Chiu,Sih-Yi Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-12.

Variable bandwidth microring optical filter device and method with frequency tuning

Номер патента: WO2022012057A1. Автор: Zhiping Jiang,Yang Ren,Vien VAN. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for Reducing Loss of Dielectric Layer in IO Silicon Oxide Removal Process

Номер патента: US20240071760A1. Автор: Zhenquan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Capacitor Structure With An Extended Dielectric Layer And Method Of Forming A Capacitor Structure

Номер патента: US20180226469A1. Автор: Randy Yach,Rohan BRAITHWAITE. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Capacitor structure with an extended dielectric layer and method of forming a capacitor structure

Номер патента: WO2018148241A1. Автор: Rohan BRAITHWAITE,Randy L. Yach. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-08-16.

Photodetector designing method for photodetector having photoelectric conversion layer mostly composed of amorphous selenium and layer thickness designing method thereof, photodetector using the photoelectric conversion layer and photodetector manufacturing method thereof, and storage medium

Номер патента: US11817513B2. Автор: Ken Okano,Joshua Dumenkosi JOHN. Владелец: Eiwa Bussan Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Preserving Underlying Dielectric Layer During MRAM Device Formation

Номер патента: US20210126051A1. Автор: Michael RIZZOLO,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Memory device having multiple dielectric gate stacks with first and second dielectric layers and related methods

Номер патента: US20140291750A1. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Hemanth Jagannathan,Prasanna Khare,Lisa Edge. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-10-02.

Capacitance dielectric layer, capacitor and forming method thereof

Номер патента: US20080113481A1. Автор: Chih-Chun Wang,Hsin-Hsing Chen,Yu-Ho Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Gate-All-Around Device with Protective Dielectric Layer and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240250142A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices having gate dielectric layers of varying thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US12051695B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and apparatus for determining the thickness of a dielectric layer

Номер патента: WO2004092676A1. Автор: Prashant Majhi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-28.

High breakdown voltage inter-metal dielectric layer

Номер патента: US11769692B2. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Optoelectronic device with dielectric layer and method of manufacture

Номер патента: WO2017041116A1. Автор: Gang He,Brendan M. Kayes,Thomas J. Gmitter,Melissa J. ARCHER. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2017-03-09.

Ultraviolet light emitting devices having a dielectric layer and a transparent electrode layer disposed in between patterned nitride semiconductor layers

Номер патента: US20190189841A1. Автор: Mi Hyun Kim,Young Hwan Park,Joo Sung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor chip including low-k dielectric layer

Номер патента: US11776894B2. Автор: Junghoon Han,Junyong NOH,Yeonjin Lee,Minjung Choi,Yunrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Interconnect structure with a low permittivity dielectric layer

Номер патента: EP1019959A1. Автор: Robin Cheung,Charles May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-19.

Single diffusion breaks including stacked dielectric layers

Номер патента: US20220052193A1. Автор: Haiting Wang,Yue Hu,Sipeng Gu,Rinus LEE. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Display structure including dielectric layer and electronic device including same

Номер патента: US20230291092A1. Автор: Jungchul An,Seongjun Kim,Hoyeon Kim,Youngjae Kwon,Kwanghee RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Method and apparatus for stabilizing oscillation frequency separation among a plurality of laser devices

Номер патента: CA2032624A1. Автор: Takashi Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-06-19.

Image sensor having dielectric layer which allows first impurity region of photodiode to be isolated from contact plug and second impurity region of the photodiode to contact the contact plug

Номер патента: US8258593B2. Автор: Ki-Jun Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-09-04.

Method of improving the planarizaton of an inter-metal dielectric layer

Номер патента: US5913142A. Автор: Ming-lun Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1999-06-15.

Tapered dielectric layer for preventing electrical shorting between gate and back side via

Номер патента: US12062692B2. Автор: Wei-Yang Lee,Yuan-Ching Peng,Kuo-Yi Chao,Jiun-Ming Kuo,Shu-Wen Shen,Yen-Po Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for patterning a dielectric layer

Номер патента: US11756790B2. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Angelique RALEY,Shihsheng Chang,Eric Chih-Fang Liu,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Package substrate having porous dielectric layer

Номер патента: US20240282693A1. Автор: Jaimal Mallory Williamson,Jim C. Lo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US12062613B2. Автор: Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou,Chun-Te Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20220359412A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Cyclical physical vapor deposition of dielectric layers

Номер патента: US20140273425A1. Автор: Paul Jamison,Juntao Li,Vamsi Paruchuri,Takaaki Tsunoda,Tuan A. Vo,Sanjay Shinde. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Molar ratio of ba ti and si in the dielectrics layers for multilayer ceramic component

Номер патента: EP4425513A1. Автор: Jae Sung Park,Ji Su Hong,Hyoung Uk Kim,Hyung Soon KWON,Han Seong Jung,Hye Won Ryoo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for patterning a dielectric layer

Номер патента: WO2022192349A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Angelique RALEY,Shihsheng Chang,Eric Chih-Fang Liu,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-09-15.

Magnetoresistive structure having two dielectric layers, and method of manufacturing same

Номер патента: US20190157550A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Methods for manufacturing a soft error and defect resistant pre-metal dielectric layer

Номер патента: US20050287782A1. Автор: Mark Nelson,John Naughton. Владелец: AMI Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Method for forming an inter-metal dielectric layer

Номер патента: US20010019883A1. Автор: Water Lur,Wen-Yi Hsieh,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Device of dielectric layer

Номер патента: US20240249947A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Power device embedded printed circuit board assemblies with thin film dielectric layers

Номер патента: US20240290687A1. Автор: FENG Zhou,Yanghe Liu,Tianzhu Fan. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

High-frequency module including a laminated filter having alternating conductive and dielectric layers and a through hole extending through the filter for coupling to a transmission line

Номер патента: US12100880B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Molecular memory devices including solid-state dielectric layers and related methods

Номер патента: WO2007065159A3. Автор: ZHONG Chen,Guru Mathur,Veena Misra,Ritu Shrivastava. Владелец: Ritu Shrivastava. Дата публикации: 2008-06-19.

Molecular memory devices including solid-state dielectric layers and related methods

Номер патента: WO2007065159A2. Автор: ZHONG Chen,Guru Mathur,Veena Misra,Ritu Shrivastava. Владелец: ZettaCore, Inc.. Дата публикации: 2007-06-07.

Cocktail layer over gate dielectric layer of FET FeRAM

Номер патента: US12127411B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure with high inter-layer dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069859B2. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Lead frame substrate having circuitry on dual dielectric layers and assembly using the same

Номер патента: US20240363499A1. Автор: Chia-Chung Wang,Charles W. C. Lin. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure having dielectric layer and conductive strip

Номер патента: US09947665B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of curing a dielectric layer for manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US09923077B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang,Moon-Kyu Park,Ki-joong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor component with dielectric layer stack and voltage divider

Номер патента: US09786659B2. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Thin film transistor substrate comprising a photoresist layer formed between a first dielectric layer and an amorphous silicon layer

Номер патента: US09780221B2. Автор: Qibiao LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof

Номер патента: US09748266B1. Автор: Yanli Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Matthias Baenninger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having contact plug in two dielectric layers and two etch stop layers

Номер патента: US09673100B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Shih-Fang Tzou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Solid electrolyte capacitor including multiple silane coupling layers provided on a dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653215B2. Автор: Keiko KOSUGE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Low energy etch process for nitrogen-containing dielectric layer

Номер патента: US09633948B2. Автор: Markus BRINK,Sebastian U. Engelmann,Masahiro Nakamura,Hiroyuki Miyazoe,Robert L. Bruce,Nicholas C. M. Fuller. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Device for transmitting and/or receiving signals with frequency re-use by assignment of cell for each terminal, for communication satellite

Номер патента: RU2417528C2. Автор: Жан-Дидье ГАЙРАР,Эрик БЕЛИ. Владелец: Таль. Дата публикации: 2011-04-27.

Synchronisation of ofdm symbols using preamble with frequency-shifted prefix and suffix for dvr-t2 receiver

Номер патента: RU2450472C1. Автор: Миика Сакари ТУПАЛА,Юсси Калеви ВЕСМА,Юкка Аллан ХЕНРИКССОН. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2012-05-10.

Method of selecting a signal with frequency shift modulation using quadrature components and compensation of combination components

Номер патента: RU2709182C1. Автор: Владимир Алексеевич Золотарев,Владимир Александрович Белогуров. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2019-12-17.

Multichannel radio frequency module with frequency diversity of reception and transmission

Номер патента: RU2631224C1. Автор: Роман Олегович Масленников,Алексей Андреевич Артеменко,Андрей Викторович Можаровский,Сергей Александрович Тихонов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Радио Гигабит". Дата публикации: 2017-09-19.

Satellite transponder for broadband signals with frequency hopped with non-machined transmission

Номер патента: RU2600564C2. Автор: Джон М. САЛЛИВАН,Ирвин БАЛЬТЕР,Деннис ГОТТМАН,Брет М. БОЦОНГ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2016-10-27.

Inductor or antenna arrangement with integral series resonating capacitors

Номер патента: CA1050161A. Автор: James S. Irwin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1979-03-06.

Self-protected series resonant electronic energy converter

Номер патента: US5982106A. Автор: Andrzej Bobel. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-11-09.

Series resonator converter

Номер патента: US11588400B2. Автор: Khai Doan The Ngo,Cong Tu,Ting Ge,Rengang Chen. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2023-02-21.

Series resonator converter

Номер патента: US20220231609A1. Автор: Khai Doan The Ngo,Cong Tu,Ting Ge,Rengang Chen. Владелец: Virginia Polytechnic Institute and State University. Дата публикации: 2022-07-21.

Coaxial cable with outer conductor adhered to dielectric layer and/or jacket

Номер патента: WO2017040474A1. Автор: Alan N. Moe. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, cmos integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160211183A1. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Controlling the Device Performance by Forming a Stressed Backside Dielectric Layer

Номер патента: US20140295582A1. Автор: Ming-Fa Chen,I-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for controlling a battery charger having a dc-dc series resonant converter

Номер патента: US20170310143A1. Автор: Walter Mazzola. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for obtaining the equivalent oxide thickness of a dielectric layer

Номер патента: US20240230710A9. Автор: Hsueh-Liang Chou,Mao-Nan Chang,Chi-Lun Liu,Yi-Shan Wu,Chiao-Jung Lin,Yu-Hsun Hsueh. Владелец: Msscorps Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Component carrier with low-solvent fiber-free dielectric layer

Номер патента: US12041730B2. Автор: Kim Liu,Seok Kim Tay,Mikael Tuominen. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of controlling oxygen partial pressure during annealing of a perovskite dielectric layer, and structures fabricated thereby

Номер патента: WO2003096402A3. Автор: Angus Ian Kingon,Jon-Paul Maria. Владелец: Univ North Carolina State. Дата публикации: 2004-03-25.

Controlling the Device Performance by Forming a Stressed Backside Dielectric Layer

Номер патента: US20150125967A1. Автор: Ming-Fa Chen,I-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Electronic device including dielectric layer and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US20240170214A1. Автор: Jooho Lee,Cheheung KIM,Hojin Lee,Woochul LEE,Jiwoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Ceramic electronic component including dielectric layers having different dielectric compositions

Номер патента: US12051544B2. Автор: Jin Woo Kim,Tae Hyung Kim,Seok Hyun Yoon,Jeong Wook Seo,Hee Sun CHUN,Hyo Ju Lee,Hyeg Soon AN,Hui Sun PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with conductive elements formed over dielectric layers and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240250130A1. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming an intermetal dielectric layer

Номер патента: US6410106B2. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Coaxial cable with outer conductor adhered to dielectric layer and/or jacket

Номер патента: EP3345195A1. Автор: Alan N. Moe. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2018-07-11.

Dielectric paste composition, method of forming transparent dielectric layer, transparent dielectric layer, and device including the transparent dielectric layer

Номер патента: US20120167799A1. Автор: Min-Jong Bae,Tae-Won Jeong,Shang-hyeun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device structure with dielectric layer

Номер патента: US12051746B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Capacitors, methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor dielectric layers

Номер патента: US20030045050A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method for fabricating dielectric layer with improved insulating properties

Номер патента: US20120190213A1. Автор: SHU QIN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Methods and apparatus relating to communicating and/or using minimum frequency separation information to facilitate carrier aggregation and/or dual connectivity

Номер патента: US12057872B2. Автор: Amitav Mukherjee,Ahmad Reza HEDAYAT,Maulik Vaidya,Marcus Maranhao,Frank Azcuy. Владелец: Charter Communications Operating LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing structural color filter by electrodeposition of metal/dielectric layer/metal

Номер патента: US11526049B2. Автор: Lingjie Jay Guo,Stephen Maldonado,Chengang Ji,Saurabh Acharya. Владелец: Ningbo Inlight Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Component Carrier With Low-Solvent Fiber-Free Dielectric Layer

Номер патента: US20220078923A1. Автор: Kim Liu,Seok Kim Tay,Mikael Tuominen. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2022-03-10.

Structures including perovskite dielectric layers and variable oxygen concentration gradient layers

Номер патента: US20050227098A1. Автор: Jon-Paul Maria,Angus Kingon. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2005-10-13.

Methods of controlling oxygen partial pressure during annealing of a perovskite dielectric layer, and structures fabricated thereby

Номер патента: WO2003096402A2. Автор: Angus Ian Kingon,Jon-Paul Maria. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2003-11-20.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US10446495B2. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Method for Producing a Dielectric Layer for an Electronic Component

Номер патента: US20080013249A1. Автор: Henrik Ewe,Karl Weidner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-01-17.

Multilayer ceramic electronic device with dielectric layers and internal electrode layers

Номер патента: US20200035414A1. Автор: Toshihiko Kaneko,Shogo Murosawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Methods for manufacturing semiconductor devices using etch stop dielectric layers and related devices

Номер патента: US20120329262A1. Автор: Jeong-hee Han,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,June-Hee Lee,Sang-Bom Kang,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-27.

Integrated circuit structures having differentiated interconnect lines in a same dielectric layer

Номер патента: US12080643B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Shem O. Ogadhoh,Yih Wang,Bernhard Sell,Juan G. ALZATE VINASCO,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Crack inhibited composite dielectric layer

Номер патента: US20040102055A1. Автор: Shi-Wei Wang,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-05-27.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US20190043809A1. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of forming an intermetal dielectric layer

Номер патента: US20010001678A1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US10134583B2. Автор: Sang Ick Lee,Younjoung CHO,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Jungsik CHOI,Sunhye HWANG,In Kyung JUNG,Wonwoong Chung. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20170207083A1. Автор: Younjoung CHO,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Jungsik CHOI,Sunhye HWANG,Sang lck Lee,In Kyung JUNG,Wonwoong Chung. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of forming a capacitor dielectric layer

Номер патента: US20030207592A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Method for fabricating a gate dielectric layer and for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120276731A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Kuo Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Dielectric layer comprising organic material, method of forming the dielectric layer, and plasma display panel comprising the dielectric layer

Номер патента: US20080169999A1. Автор: Jin-Woo Lee,Woo-Suk Choi,Eun-Hee Kim. Владелец: Samsung Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-17.

Integrated Circuit Having Ultralow-K Dielectric Layer

Номер патента: US20080153310A1. Автор: Huang Liu,Johnny Widodo,Sin Leng Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Dielectric paste composition, method of forming dielectric layer, dielectric layer, and device including the dielectric layer

Номер патента: US20110251319A1. Автор: Jin-Young Kim,Min-Jong Bae,Tae-Won Jeong,Shang-hyeun Park,Sun-jin SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Optoelectronic semiconductor device having dielectric layers, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12087878B2. Автор: Martin Rudolf Behringer,Laura KREINER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-10.

Dielectric layer response-based field effect transistor photodetector

Номер патента: US20240304743A1. Автор: Hongwei HAN,Anyi MEI. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-12.

Number of non-zero coefficients reporting for type II CSI codebook with frequency compression

Номер патента: US12101151B2. Автор: Yu Zhang,Chao Wei,Liangming WU,Chenxi HAO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods for forming dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US12080560B2. Автор: Xiaohong Zhou,Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Capacitor comprising anti-ferroelectric layers and high-k dielectric layers

Номер патента: US20240313040A1. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Reporting techniques for backscatter capability with frequency shift

Номер патента: WO2024159473A1. Автор: Junyi Li,Xiaoxia Zhang,Xiaojie Wang,Luanxia YANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for preparing a stack of dielectric layers on a substrate

Номер патента: EP4203084A1. Автор: Qiaoshuang ZHANG,Prof. Ulrich LEMMER,Qihao Jin. Владелец: Baden Wuerttemberg Stiftung gGmbH. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuit having ultralow-k dielectric layer

Номер патента: SG144066A1. Автор: Liu Huang,Lim Sin Leng,Johnny Widodo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-29.

Integrated circuit having ultralow-k dielectric layer

Номер патента: SG162775A1. Автор: Liu Huang,Lim Sin Leng,Johnny Widodo. Владелец: Globalfoundries Singapore Pte. Дата публикации: 2010-07-29.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

Ceramic electronic component including dielectric layers having different dielectric compositions

Номер патента: US20240347273A1. Автор: Jin Woo Kim,Tae Hyung Kim,Seok Hyun Yoon,Jeong Wook Seo,Hee Sun CHUN,Hyo Ju Lee,Hyeg Soon AN,Hui Sun PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for forming air gap between gate dielectric layer and spacer

Номер патента: US12107121B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Chuang-Han Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Nanostructure field-effect transistor device with dielectric layer for reducing substrate leakage or well isolation leakage and methods of forming

Номер патента: US12125877B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Antenna including at least one microstrip line phase shifting unit having a photo-dielectric layer and a light guiding structure configured to guide light into the photo-dielectric layer

Номер патента: US12119559B2. Автор: ZHENYU Jia,Jing Wang,Feng Qin,Zhen Liu,Liping Zhang,Baiquan LIN,Kerui XI,Dengming LEI. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Cellular sidelink communication using a sidelink control channel with frequency hopping and multi-beam diversity

Номер патента: US12137437B2. Автор: Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Chunxuan Ye,Haijing Hu,Yushu Zhang,Zhibin Wu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated chip including a tunnel dielectric layer which has different thicknesses over a protrusion region of a substrate

Номер патента: US12114503B2. Автор: Jui-Yu Pan,Cheng-Bo Shu,Chung-Jen Huang,Jing-Ru Lin,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Yueh-Chieh Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A3. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09997451B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Process for fabricating a structure having a buried dielectric layer of uniform thickness

Номер патента: US09929040B2. Автор: Carole David,Anne-Sophie Cocchi. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Dielectric layer and manufacturing method of dielectric layer, and solid-state electronic device and manufacturing method of solid-state electronic device

Номер патента: US09876067B2. Автор: Tatsuya Shimoda,Eisuke Tokumitsu,Takaaki Miyasako,Masatoshi Onoue. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Resin composition and dielectric layer and capacitor produced therefrom

Номер патента: US09779880B2. Автор: Zhou Jin,Tao Cheng,Qilin CHEN. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-10-03.

Buildup dielectric layer having metallization pattern semiconductor package fabrication method

Номер патента: US09691635B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Sukianto Rusli. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Structure for BEOL metal levels with multiple dielectric layers for improved dielectric to metal adhesion

Номер патента: US09673091B2. Автор: Edward C. Cooney, III,Felix P. Anderson,Michael S. Dusablon,David C. Mosher. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US09659828B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Pad structure exposed in an opening through multiple dielectric layers in BSI image sensor chips

Номер патента: US09653508B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Jeng-Shyan Lin,Wen-De Wang,Yueh-Chiou Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming semiconductor devices including low-k dielectric layer

Номер патента: US09633836B2. Автор: Kyu-hee Han,Seung-Hyuk Choi,Sang-hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Device and transfer method for use in mobile communications system, based on orthogonal multiplexing circuit with frequency division

Номер патента: RU2290764C2. Автор: Янг-Квон ЧО,Хо-Киу ЧОЙ,Кац Маркос ДЭНИЕЛ,Сеок-Хиун ИООН,Донг-Сик ПАРК,Сеонг-Илл ПАРК,Пан-Иух ДЗОО,Янг-Киун КИМ,Хиеон Воо ЛИ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2006-12-27.

Multiple energy level particle accelerator with frequency multiplication and method of accelerating particles (versions)

Номер патента: RU2375850C1. Автор: Хуапин ТАН,Яохон ЛИУ,Чуансиан ТАН,Хайфен ХУ,Чжициан Чен,Юанцин ЛИ,Хуаиби ЧЕН,Цзиньчен ЛИУ,Цзянцзюнь ГАО. Владелец: Нуктэч Компани Лимитед. Дата публикации: 2009-12-10.

Separation in transmission and spatial expansion for communication system with multiple antennas, using multiplexing with orthogonal frequency separation

Номер патента: RU2368079C2. Автор: Джей Родни УОЛТОН,Джон У. КЕТЧУМ,Стивен Дж. ГОВАРД,Марк С. УОЛЛЭЙС,Санджив НАНДА. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-09-20.

Device for measuring complex transmission and reflection coefficients of microwave devices with frequency conversion

Номер патента: RU2649861C1. Автор: Константин Станиславович Коротков,Аким Алексеевич Бабенко,Даниил Русланович Фролов,Антон Сергеевич Левченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-04-10.

Multiplexing with frequency division for multiple data streams in wireless communication system with several carriers

Номер патента: RU2336651C2. Автор: Раджив ВИДЖАЯН,Рагхураман КРИШНАМУРТХИ,Рамасвами МУРАЛИ,Кент Г. УОЛКЕР. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2008-10-20.

Methods and systems for communication with frequency multiplexing in dense wireless environments

Номер патента: RU2658639C2. Автор: Симоне МЕРЛИН,Гвендолин Дэнис БАРРИАК,Хемантх САМПАТХ,Самир ВЕРМАНИ,Рауль ТАНДРА,Бинь ТЯНЬ,Ян Чжоу. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2018-06-22.

Waveguide radar continuous signal radiation detector with frequency modulation

Номер патента: RU2688892C2. Автор: Олов ЭДВАРДССОН. Владелец: Роузмаунт Танк Радар Аб. Дата публикации: 2019-05-22.

Methods and systems for communication with frequency multiplexing in dense wireless media

Номер патента: RU2632190C2. Автор: Симоне МЕРЛИН,Гвендолин Дэнис БАРРИАК,Хемантх САМПАТХ,Самир ВЕРМАНИ,Рауль ТАНДРА,Ян Чжоу,Бин ТЯНЬ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2017-10-04.

Manufacturing method for reducing the thickness of a dielectric layer

Номер патента: US6156603A. Автор: Ming-Tsung Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Methods of forming a silicon nitride film, a capacitor dielectric layer and a capacitor

Номер патента: US6077754A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Anand Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-20.

Single-stage current-fed clamped series resonant power factor corrected converter

Номер патента: US10819225B2. Автор: Mohamed Cherif Ghanem,Yehuda Daniel Levy,Francois Giguere. Владелец: Current Lighting Solutions LLC. Дата публикации: 2020-10-27.

Series resonant converter, and method and apparatus for control thereof

Номер патента: US5783799A. Автор: Steven J. Geissler. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 1998-07-21.

Controllable four quadrant a.c. to a.c. and d.c. converter employing an internal high frequency series resonant link

Номер патента: US4096557A. Автор: Francisc C. Schwarz. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-06-20.

Series resonant converter, and method and apparatus for control thereof

Номер патента: CA2190438C. Автор: Steven J. Geissler. Владелец: Miller Group Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Isolator for use with frequency responsive switching circuit

Номер патента: CA1189132A. Автор: James N. Lester,Lee A. Prager. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1985-06-18.

Complementary mos fets vertically arranged and including multiple dielectric layers surrounding the mos fets

Номер патента: US20230335446A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Unit commitment method considering security region of wind turbine generator with frequency response control

Номер патента: US11777313B2. Автор: Ming Xiao,Haiting Wang,Xuan Wang,Jie Zhang,JIA Yang,Ke Liu,YING Liang,Yue Fan,Jun Yang,Yujie Ding,Jun Kang,Juan Yu,Xuebin Wang,Rui Song,Guoqiang Lu,Shaofei Wang,Kaixuan Yang,Ling Dong,Yongqiang HAN,Zhifang YANG,Dongning Zhao,Shujie Zhang,Juelin LIU,Xiaokan Gou,Senlin Yang,Yongfei MA,Xiaoku Yang,Maochun Wang,Guobin Fu,Chunmeng Chen,Pengsheng Xie,Yanhe Li,Shichang ZHAO,Jiatian Gan,Aizhen Zhu,Shuxian Yuan. Владелец: Electric Power Research Institute of State Grid Qinghai Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Unit commitment method considering security region of wind turbine generator with frequency response control

Номер патента: US20230113872A1. Автор: Ming Xiao,Haiting Wang,Xuan Wang,Jie Zhang,JIA Yang,Ke Liu,YING Liang,Yue Fan,Jun Yang,Yujie Ding,Jun Kang,Juan Yu,Xuebin Wang,Rui Song,Guoqiang Lu,Shaofei Wang,Kaixuan Yang,Ling Dong,Yongqiang HAN,Zhifang YANG,Dongning Zhao,Shujie Zhang,Juelin LIU,Xiaokan Gou,Senlin Yang,Yongfei MA,Xiaoku Yang,Maochun Wang,Guobin Fu,Chunmeng Chen,Pengsheng Xie,Yanhe Li,Shichang ZHAO,Jiatian Gan,Aizhen Zhu,Shuxian Yuan. Владелец: Electric Power Research Institute of State Grid Qinghai Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US20210305042A1. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US20220254627A1. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Sensing system and method for measuring a parameter of at least a dielectric substance in a tank; layer thickness and dielectric property measurements in multilayer systems

Номер патента: US20170212233A1. Автор: Pedram MOUSAVI,Adam MAUNDER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-27.

Nanosheet device with dipole dielectric layer and methods of forming the same

Номер патента: US20230395691A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Nanosheet device with dipole dielectric layer and methods of forming the same

Номер патента: US11830924B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Nanosheet Device With Dipole Dielectric Layer And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20220328652A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Dynamic tuning using reactive voltages on a series resonator

Номер патента: US20210159733A1. Автор: Douglas Edward Cosby,Perry Robert Czimmek,Willem Nicolaas Van Vuuren. Владелец: Vitesco Technologies USA LLC. Дата публикации: 2021-05-27.

Layer structures including dielectric layer, methods of manufacturing dielectric layer, electronic device including dielectric layer, and electronic apparatus including electronic device

Номер патента: US20230163188A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Woochul LEE,Yong-hee Cho,Jiwoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Gate stacks with multiple high-κ dielectric layers

Номер патента: US11961895B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Barry Linder,Shahab Siddiqui,Ruqiang Bao,Elnatan Mataev. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US11935740B2. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Uni-directional light emitting diode drive circuit in bi-directional power series resonance

Номер патента: US20090179582A1. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Controlled doping in a gate dielectric layer

Номер патента: US20230378329A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Nanosheet Device with Dipole Dielectric Layer and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210305400A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20180308801A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20200335449A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Stress modulating pattern containing bonding dielectric layer

Номер патента: US20240203904A1. Автор: Michael RIZZOLO,Hosadurga Shobha,Fee Li LIE,Christopher J. Waskiewicz,Sagarika Mukesh,Aakrati Jain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Self-protective layer formed on high-k dielectric layer

Номер патента: US20240203740A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor packages including a multi-layered dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150155262A1. Автор: Seung Jee KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Method and Structure for FinFET Comprising Patterned Oxide and Dielectric Layer under Spacer Features

Номер патента: US20170365686A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Yung Jung Chang,Shih-Hao Chen,Mu-Tsang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Silicon oxide based gate dielectric layer

Номер патента: US20040097026A1. Автор: David Müller,Gregory Timp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

One-electrode cell and series of two or more cells as a device

Номер патента: US12040398B2. Автор: Maria Helena SOUSA SOARES DE OLIVEIRA BRAGA. Владелец: UNIVERSIDADE DO PORTO. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming capacitor of semiconductor device by successively forming a dielectric layer and a plate electrode in a single processing chamber

Номер патента: US20060234500A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

High Dielectric Constant Dielectric Layer Forming Method, Image Sensor Device, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190157320A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

High Dielectric Constant Dielectric Layer Forming Method, Image Sensor Device, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20200127024A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsin-Chieh Huang,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

High dielectric constant dielectric layer forming method, image sensor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160329364A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsin-Chieh Huang,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Transitional dielectric layer to improve reliability and performance of high dielectric constant transistors

Номер патента: WO2006107383A2. Автор: Olubunmi O. Adetutu,Hsing H. Tseng,Voon-Yew Thean,Sriram S. Kalpat. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-12.

Hi-k dielectric layer deposition methods

Номер патента: US20060270247A1. Автор: Kenneth Stein,Douglas Coolbaugh,Ebenezer Eshun,Kunal Vaed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Silicon oxide based gate dielectric layer

Номер патента: US20020100946A1. Автор: David Müller,Gregory Timp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Embedded packages including a multi-layered dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130334682A1. Автор: Seung Jee KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for improving the planarization of dielectric layer in the fabrication of metallic interconnects

Номер патента: US6010958A. Автор: Bing-Chang Wu,Tung-Po Chen,Hong-Tsz Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-04.

Ceramic electronic device including a rare earth element solid-solved in barium titanate of dielectric layers

Номер патента: US12080482B2. Автор: Yu SUGAWARA. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetoresistive Structure having Two Dielectric Layers, and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20170148980A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Template derivative for forming ultra-low dielectric layer and method of forming ultra-low dielectric layer using the same

Номер патента: US8354350B2. Автор: Chan Bae Kim,Sang Tae Ahn,Hyeon Ju An,Eun Jeong Kim,Ja Chun Ku,Hyo Seok Lee,Sung Kyu MIN,Chai O Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-15.

Ceramic electronic device including dielectric layer containing perovskite compound with yttria-stabilized zirconia, and manufacturing method of same

Номер патента: US12051545B2. Автор: Yasuyuki Inomata. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Packaged electronic devices having die attach regions with selective thin dielectric layer

Номер патента: US20120252170A1. Автор: Bernardo Gallegos,Kenji Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Multilayer capacitor including dielectric layer with grains having pores

Номер патента: US11776745B2. Автор: Ki Myoung Yun,Joon Yeob Cho. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Divot-free planarization dielectric layer for replacement gate

Номер патента: US20160276457A1. Автор: Sanjay Mehta,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Fuel cell stacks including improved dielectric layers

Номер патента: CA3181053A1. Автор: Madhuri Nallabolu,Chockkalingam Karuppaiah,Emad El Batawi,Michael Gasda,Patrick Nikong,Allyson Ellegood,Thuy Thanh Muhl. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Forming a dielectric layer by thermal decomposition of a metallo-organic material

Номер патента: US20020151439A1. Автор: Dilip Chatterjee,Donn Carlton,Thomas Blanton. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-10-17.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Plasma display panel having a dielectric layer of a reduced thickness in a sealing portion

Номер патента: US20020111102A1. Автор: Kenji Horio,Kazumi Ebihara,Yoshinori Osaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Electrostatic chuck that includes upper ceramic layer that includes a dielectric layer, and related methods and structures

Номер патента: EP4423804A1. Автор: Yan Liu,Jakub Rybczynski,Steven Donnell,Caleb MINSKY. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for forming semiconductor device having a multi-thickness gate trench dielectric layer

Номер патента: US20190312036A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Multi-layer thick metallization structure for a microelectronic device, integrated circuit containing same, and method of manufacturing an integrated circuit containing same

Номер патента: WO2009155160A2. Автор: Kevin J. Lee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2009-12-23.

Far infrared (FIR) sensor device and manufacturing method thereof and determination method of thickness of sensor dielectric layer thereof

Номер патента: US12123779B2. Автор: Ming-Han Tsai,Chih-Fan Hu. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Capacitor including first electrode, dielectric layer, and second electrode, image sensor, and method for producing capacitor

Номер патента: US12094893B2. Автор: Takahiro Koyanagi,Yuuko Tomekawa,Takeyoshi Tokuhara. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Multilayer ceramic capacitor comprising dielectrics layers based on core-shell grains containing yttrium

Номер патента: EP4451299A2. Автор: Kyung Ho Lee,Yong Jun Lim,Sang Eon Park,Sung Hyung Kang,Hye Jin Jin,Bae Soon Son,Se Na Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Ceramic electronic device including dielectric layer containing perovskite compound with yttria-stabilized zirconia

Номер патента: US20240347274A1. Автор: Yasuyuki Inomata. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Package structure with through-via in molding compound and dielectric layer

Номер патента: US12009322B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Hsiu-Jen Lin,Ming-Da Cheng,Chih-Hua Chen,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Radar sensor with frequency dependent beam steering

Номер патента: EP3080867A1. Автор: Andreas Diewald. Владелец: IEE International Electronics and Engineering SA. Дата публикации: 2016-10-19.

Package having an electronic component and an encapsulant encapsulating a dielectric layer and a semiconductor die of the electronic component

Номер патента: US12112992B2. Автор: Thomas Fischer,Daniel Porwol,Anton Steltenpohl,Uwe Seidel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices with gate electrodes on separate sets of high-k dielectric layers

Номер патента: US09991357B2. Автор: Hyeok-Jun Son,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Sangjin Hyun,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Printed circuit boards having a dielectric layer which includes a polymer and methods of manufacturing such printed circuit boards

Номер патента: US09986636B2. Автор: Ralf Otremba,Joachim Mahler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Shielded electrical contact and doping through a passivating dielectric layer in a high-efficiency crystalline solar cell, including structure and methods of manufacture

Номер патента: US09966481B2. Автор: Oliver Schultz-Wittmann,Douglas Crafts. Владелец: Tetrasun Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Magnetoresistive structure having two dielectric layers, and method of manufacturing same

Номер патента: US09893275B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Closed loop calibration by frequency separation

Номер патента: US09882661B1. Автор: Shahar Gross. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Divot-free planarization dielectric layer for replacement gate

Номер патента: US09876091B2. Автор: Sanjay Mehta,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Active regions with compatible dielectric layers

Номер патента: US09847420B2. Автор: Pushkar Ranade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Coaxial cable with dielectric layer having sealed segments and method of making same

Номер патента: US09799429B2. Автор: Scott M. Adams. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of forming gate dielectric layer for MOS transistor

Номер патента: US09761687B2. Автор: Po-Lun Cheng,Chun-Liang Chen,Meng-Che Yeh,Shih-Jung Tu,Han-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Automatic production system and production process of a conductive backsheet with integrated encapsulating and dielectric layer for photovoltaic panels

Номер патента: US09711676B2. Автор: Davide Spotti,Elisa BACCINI. Владелец: VISMUNDA SRL. Дата публикации: 2017-07-18.

Active regions with compatible dielectric layers

Номер патента: US09646822B2. Автор: Pushkar Ranade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Device and method for dedication of resources in system of multiple access with frequency division at single carrier

Номер патента: RU2411653C1. Автор: Дзу-Хо ЛИ,Дзоон-Йоунг ЧО,Йоун-Хиоунг ХЕО,Санг-Мин РО,Юн-Ок ЧО. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2011-02-10.

Method of protecting channels with frequency manipulation from artificial radio interference

Номер патента: RU2709184C1. Автор: Сергей Викторович Дворников,Константин Сергеевич Лизенко,Евгений Борисович Харченко,Роман Вячеславович Иванов,Сергей Алексеевич Якушенко,Егор Владимирович Морозов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт телевидения". Дата публикации: 2019-12-17.

Soft-handoff of service with suppression of noises in system of wireless communication with frequency hopping

Номер патента: RU2339167C2. Автор: Авниш АГРАВАЛ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2008-11-20.

Systems and methods for operation with transmission time interval during duplex transmission with frequency division multiplexing

Номер патента: RU2737389C2. Автор: Тосидзо Ногами,Чжаньпин ИНЬ. Владелец: ЭфДжи ИННОВЕЙШН КОМПАНИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2020-11-30.

Noise suppression on basis of forecasting in stereophonic radio signal with frequency modulation

Номер патента: RU2576467C2. Автор: Хейко ПУРНХАГЕН,Йонас ЭНГДЕГОРД,Лейф СЕЛЬСТРОМ. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2016-03-10.

Method and device for frame transmission and reception based on transmission with frequency selection

Номер патента: RU2573579C2. Автор: Дзонг Хиун ПАРК,Хианг Сун ЙОУ,Йонг Хо СЕОК. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2016-01-20.

Series resonant converter

Номер патента: US5646835A. Автор: Jason Stuart Katcha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1997-07-08.

Method of forming capacitors, method of processing dielectric layers, method of forming a DRAM cell

Номер патента: US6165834A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Vishnu K. Agarwal,Garo J. Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-26.

Single-crystal layer on a dielectric layer

Номер патента: US20070228384A1. Автор: Yves Campidelli,Olivier Kermarec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of forming contact vias and interconnect channels in a dielectric layer stack with a single mask

Номер патента: US5726100A. Автор: John H. Givens. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-03-10.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Control of series-resonant inductive pickups

Номер патента: CA2383644C. Автор: John Talbot Boys,Oskar Heino Stielau. Владелец: Auckland Uniservices Ltd. Дата публикации: 2007-01-23.

Method to improve the adhesion of dielectric layers to copper

Номер патента: US20030027413A1. Автор: Ting Tsui. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Forming windows in composite dielectric layers

Номер патента: US3808069A. Автор: R Caffrey,A Dumbri,R Tauber. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1974-04-30.

Integrated circuit capacitors having composite titanium oxide and tantalum pentoxide dielectric layers therein

Номер патента: US6433380B2. Автор: Dong-Won Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-13.

Method of improving photoresist adhesion on a dielectric layer

Номер патента: US6010959A. Автор: Alexander Kalnitsky,John C. Sardella,Charles R. Spinner, III,Robert Carlton Foulks, Sr.. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-01-04.

Screen printed thick film metal heater with protective top dielectric layer

Номер патента: CA3170871A1. Автор: William Kevin O'KEEFE,Erika Natalia REMOLINA GALVIS,Robert Jakusik,Venancio PATNUBAY. Владелец: Datec Coating Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device with non-conformal gate dielectric layers

Номер патента: US11605563B2. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Kuei-Lun Lin,Yung-Hsiang Chan,Shan-Mei Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

LED one-way driving circuit of pulse power series resonator

Номер патента: CN201467508U. Автор: 杨泰和. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-12.

An inverting circuit with frequency stabilisation

Номер патента: GB763897A. Автор: . Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1956-12-19.

Method of forming a reduced size contact in a dielectric layer by using bird's beak of oxidized polysilicon to create an etching mask

Номер патента: US5994216A. Автор: Chih-Hsiung Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Method and structure for reducing cracks in a dielectric layer in contact with metal

Номер патента: EP2140481A1. Автор: Colin S. Whelan,Barry J. Liles. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-01-06.

Pulse width modulation control circuit for a high frequency series resonant ac/dc converter

Номер патента: CA2354454C. Автор: Haibo Zhang,Praveen Kumar Jain. Владелец: ChipPower com Inc. Дата публикации: 2004-12-14.

Load compensating gain control for a series resonant inverter

Номер патента: US4969076A. Автор: John N. Park,Michael J. Schutten,Ming H. Kuo. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1990-11-06.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US20060051924A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Ramune Nagisetty,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Metal surface treatments for uniformly growing dielectric layers

Номер патента: US20090085156A1. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Jack Kavalieros,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Production method for printed wiring board having dielectric layer

Номер патента: MY193835A. Автор: Yoshihiro Yoneda,Toshiyuki Shimizu,Toshifumi Matsushima. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Ultra thin helmet dielectric layer for maskless air gap and replacement ILD processes

Номер патента: US10483160B2. Автор: Jeffery D. Bielefeld,Manish Chandhok,John D. Brooks,Asad Iqbal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Method of forming a Ta2 O5 dielectric layer, method of forming a capacitor having a Ta2 O5 dielectric layer, and capacitor construction

Номер патента: US5814852A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

Method of manufacturing an alignment mark with an etched back dielectric layer and a transparent dielectric layer and a device region on a higher plane with a wiring layer and an isolation region

Номер патента: US6100158A. Автор: Tzung-Han Lee,Horng-Nan Chern,Kun-Chi Lin,Alex Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Dielectric layers for metal lines in semiconductor chips

Номер патента: US7598166B2. Автор: Zhong-Xiang He,Anthony Kendall Stamper,Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Multilayer film including first and second dielectric layers

Номер патента: WO2014081917A3. Автор: Christopher S. Lyons,Robin E. Gorrell,Stephen P. Maki,Dipankar Ghosh. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2014-09-04.

Virtual cell mapping in macrodiverse wireless networks with frequency hopping

Номер патента: US7010015B2. Автор: Ujjal Kumar Ghoshtagore,Morris Marvin Hervey, Jr.,Archana Somasekhara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of fabricating a gate dielectric layer for a thin film transistor

Номер патента: US20020090767A1. Автор: David Jones,Richard Bullock. Владелец: ESM Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Uni-directional light emitting diode drive circuit in pulsed power series resonance

Номер патента: CN101489332A. Автор: 杨泰和. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-22.

Method for forming a dielectric layer with an air gap, and a structure including the dielectric layer with the air gap

Номер патента: US7994046B2. Автор: Shin-puu Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-09.

Increased capacity bidirectional dwdm network architecture with frequency stacking system

Номер патента: WO2000064087A1. Автор: Shlomo Ovadia,Robert Howald,Timothy Brophy,Curtiss Smith. Владелец: GENERAL INSTRUMENT CORPORATION. Дата публикации: 2000-10-26.

Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer

Номер патента: US7494939B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Methods and apparatus for fine timing measurement with frequency domain processing

Номер патента: US10505653B1. Автор: Sudhir Srinivasa,Christian R. BERGER,Niranjan GRANDHE. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Process for depositing a thin-film layer of magnetic material onto an insulative dielectric layer of a semiconductor substrate

Номер патента: US4529621A. Автор: Delbert L. Ballard. Владелец: Utah Computer Industries Inc. Дата публикации: 1985-07-16.

Bipolar junction transistors including a portion of a base layer inside a cavity in a dielectric layer

Номер патента: US20230084007A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Jagar Singh,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Message transmission system with frequency dividing optical components for parallel processing of optical pulses

Номер патента: CA2287326C. Автор: Wolfgang Dultz,Gerald Meltz,Erna Frins,Hans Wilfried Peter Koops. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2005-12-20.

Semiconductor device having interfacial layer and high κ dielectric layer

Номер патента: US11239328B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Semiconductor device with conductive elements formed over dielectric layers and method of fabrication therefor

Номер патента: US11923424B2. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-05.

Stretchable polymer and dielectric layers for electronic displays

Номер патента: US11925073B2. Автор: Robert Jan Visser,Kyuil Cho,Byung Sung Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Fractional order series resonance system for wireless electric energy transmission

Номер патента: US20160028239A1. Автор: Bo Zhang,Runhong Huang,Dongyuan Qiu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2016-01-28.

Magnetoresistive structure having two dielectric layers, and method of manufacturing same

Номер патента: US11925122B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Manufacturing method for integrating gate dielectric layers of different thicknesses

Номер патента: US11961740B2. Автор: LIAN Lu,Yizheng Zhu,Xiangguo Meng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Component With Dielectric Layer for Embedding in Component Carrier

Номер патента: US20230369235A1. Автор: Andreas Zluc,Gerald Weidinger. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US11908930B2. Автор: Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Dielectric Layers Having Nitrogen-Containing Crusted Surfaces

Номер патента: US20230290674A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Po-Cheng Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Ultra-low k dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200357632A1. Автор: Yiqi GONG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Ultra-low k dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US11309180B2. Автор: Yiqi GONG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor device comprising cap layer over dielectric layer and method of manufacture

Номер патента: US11908792B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device having a dielectric layer with different thicknesses and method for forming

Номер патента: US20180261676A1. Автор: Jan Claes,Jan Sonsky,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-09-13.

Display structure comprising dielectric layer and electronic apparatus comprising same

Номер патента: EP4276575A1. Автор: Jungchul An,Seongjun Kim,Hoyeon Kim,Youngjae Kwon,Kwanghee RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Semiconductor chip including low-k dielectric layer

Номер патента: US20230230915A1. Автор: Junghoon Han,Junyong NOH,Yeonjin Lee,Minjung Choi,Yunrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Metal filling in a dielectric layer under metal layer one (M1)and above an active device layer in semiconductor devices

Номер патента: US11195793B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-07.

Cocktail layer over gate dielectric layer of FET FeRAM

Номер патента: US11818896B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Cocktail layer over gate dielectric layer of fet feram

Номер патента: US20220254793A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods of patterning dielectric layers for metallization and related structures

Номер патента: US20190206795A1. Автор: Guillaume Bouche. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Phase-change material (pcm) radio frequency (rf) switching device with thin self-aligned dielectric layer

Номер патента: US20230413691A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor Devices Having Gate Dielectric Layers of Varying Thicknesses and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230387114A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Array substrate with optical dielectric layer and display panel

Номер патента: US11871619B2. Автор: Ronggang Shangguan. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Interconnect structure including charged dielectric layers

Номер патента: US20230387020A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated device comprising interconnect structures having an inner interconnect, a dielectric layer and a conductive layer

Номер патента: EP4052287A1. Автор: Yue Li,Yangyang Sun,Li-Sheng WENG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-09-07.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20200312867A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20210104544A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Electromagnetic measuring probe device for measuring a thickness of a dielectric layer of a circuit board and method thereof

Номер патента: US11585648B2. Автор: Hung-Lin Chang,Cheng-Jui Chang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Metal cut patterning and etching to minimize interlayer dielectric layer loss

Номер патента: US20220005698A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Andrew Greene,Kisup Chung,Indira Seshadri,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Integrated circuit device having dielectric layer, and method and apparatus for manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US20190355804A1. Автор: Kyu-Ho Cho,Young-Geun Park,Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Chang-Hwa Jung,Sun-min MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Integrated circuits having dielectric layers including an anti-reflective coating

Номер патента: US20210098565A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Bhaskar Srinivasan,Shih Chang Chang,David Matthew Curran,Scott William Jessen,Poornika Fernandes,Guruvayurappan S. MATHUR,Russell Duane FIELDS,Thomas Terrance LYNCH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Integrated circuits having dielectric layers including an anti-reflective coating

Номер патента: WO2021062255A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Bhaskar Srinivasan,Shih Chang Chang,David Matthew Curran,Scott William Jessen,Poornika Fernandes,Guruvayurappan S. MATHUR,Russell Duane FIELDS,Thomas Terrance LYNCH. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-04-01.

Integrated device comprising interconnect structures having an inner interconnect, a dielectric layer and a conductive layer

Номер патента: WO2021086491A1. Автор: Yue Li,Yangyang Sun,Li-Sheng WENG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-05-06.

Dielectric layer and a semiconductor memory device including the dielectric layer as a capacitor dielectric layer

Номер патента: US11417516B2. Автор: Christopher W. Bielawski,Jin Sang Kim,Ji Won Choi,Sang Tae Kim,Seong Keun Kim,Eric S. Larsen,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Woo Chui Lee,Jung Hwan YUM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-08-16.

Method for forming a dielectric layer in a semiconductor device by using etch stop layers

Номер патента: US20020055202A1. Автор: Chih-Sheng Yang,Kuei-Chang Tsai,Yun-Liang Ouyang,Chih-hung Shu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Thin film capacitor having a dielectric layer having a through hole whose inner surface has first and second tapered surfaces, circuit board incorporating the same, and thin film capacitor manufacturing method

Номер патента: US11676767B2. Автор: Kazuhiro Yoshikawa,Tatsuo Namikawa,Hitoshi Saita,Akiyasu Iioka,Yuuki Aburakawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Method for manufacturing semiconductor device having low-k carbon-containing dielectric layer

Номер патента: US11848198B2. Автор: Ting-Ya Lo,Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Glass dielectric layer with patterning

Номер патента: US20230405976A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Jieying KONG,Dilan Seneviratne,Patrick QUACH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Vertical memory device with a channel layer in a stacked dielectric layer

Номер патента: US11737277B2. Автор: Jae Young Ahn,Jung Ho Kim,Ji Hoon Choi,Phil Ouk NAM,Hong Suk Kim,Sung Gil Kim,Seulye KIM,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Low energy etch process for nitrogen-containing dielectric layer

Номер патента: WO2013063179A1. Автор: Markus BRINK,Sebastian U. Engelmann,Masahiro Nakamura,Hiroyuki Miyazoe,Robert L. Bruce,Nicholas C.M. Fuller. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-02.

Organic light emitting display device including reflection electrode and first electrode with dielectric layer therebetween

Номер патента: US11839114B2. Автор: Hyoung-Su Kim,Jong-Hyeok Im,Hye-Seon Eom,Doo-Hyun Yoon,Gyung-Min Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Bipolar junction transistors including a portion of a base layer inside a cavity in a dielectric layer

Номер патента: US11848374B2. Автор: Shesh Mani Pandey,Jagar Singh,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Fingered capacitor with low-k and ultra-low-k dielectric layers

Номер патента: US20200357881A1. Автор: YU Chen,Cheong Min Hong,Chunshan YIN. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for Producing a Semiconductor Device with a Vertical Dielectric Layer

Номер патента: US20140220758A1. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-07.

Time domain orthogonal cover coding with frequency hopping

Номер патента: WO2024026880A1. Автор: Yang Zhang,Bo Gao,Ke YAO,Shujuan Zhang,Meng MEI. Владелец: ZTE CORPORATION. Дата публикации: 2024-02-08.

Screen printed thick film metal heater with protective top dielectric layer

Номер патента: US20230262846A1. Автор: William Kevin O'KEEFE,Erika Natalia REMOLINA GALVIS,Robert Jakusik,Venancio PATNUBAY. Владелец: Datec Coating Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Tapered Dielectric Layer for Preventing Electrical Shorting Between Gate and Back Side Via

Номер патента: US20230067804A1. Автор: Wei-Yang Lee,Yuan-Ching Peng,Kuo-Yi Chao,Jiun-Ming Kuo,Shu-Wen Shen,Yen-Po Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method and systems for forming device structures including high-k dielectric layers and related device structures

Номер патента: US20240072104A1. Автор: Eric James Shero,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Capacitors having a horizontally folded dielectric layer and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20060141733A1. Автор: Hyuk Woo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of forming hardened porous dielectric layer and method of fabricating semiconductor device having hardened porous dielectric layer

Номер патента: US8524615B2. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jang-Hee Lee,Kyoung-Hee Kim,Kyu-hee Han,Sang-hoon Ahn,Sang-don Nam,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-03.

Package substrate having porous dielectric layer

Номер патента: US20230118218A1. Автор: Jaimal Mallory Williamson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Glass dielectric layer with patterning

Номер патента: US11780210B2. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Jieying KONG,Dilan Seneviratne,Patrick QUACH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of fabricating semiconductor device including porous dielectric layer and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20230069868A1. Автор: Ki-Jeong Kim,Hyunchul Lee,Donghwi SHIN,Jongcheon Kim,Hyun-Sil HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor Devices Including Dehydrogenated Interlayer Dielectric Layers

Номер патента: US20110163386A1. Автор: Dong-Suk Shin,Yong-kuk Jeong,Andrew-tae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-07.

Controlled doping in a gate dielectric layer

Номер патента: US11777014B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for manufacturing gate dielectric layer

Номер патента: US20060281251A1. Автор: Wen-Ji Chen,Tung-Po Chen,Kai-An Hsueh,Sheng-Hone Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US9337108B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US11929420B2. Автор: Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method forming silicon oxynitride gate dielectric layer with uniform nitrogen concentration

Номер патента: US20080032512A1. Автор: Myoung-Bum Lee,Dong-Chan Kim,Sang-Bom Kang,Jin-Hwa Heo,Seong-Hoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-07.

Low-stress dielectric layer, planarization method, and low-temperature processing for 3d-integrated electrical device

Номер патента: US20220416095A1. Автор: Andrew Clarke,Sean P. Kilcoyne,Eric Miller,Chad Fulk,Stuart FARRELL. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-12-29.

Gate-all-around device with protective dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US11948989B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Plasma display panel with a low k dielectric layer

Номер патента: US20020190651A1. Автор: Dan Maydan,Quanyuan Shang,Takako Takehara,Kam Law,William Harshbarger,Taekyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Middle of line dielectric layer engineering for via void prevention

Номер патента: US20240105509A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit B. MALLICK,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of fabricating dielectric layer

Номер патента: US6245617B1. Автор: Tang Yu,Yi-Chang Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-12.

A one-electrode cell and series of two or more cells as a device

Номер патента: CA3139386A1. Автор: Maria Helena SOUSA SOARES DE OLIVEIRA BRAGA. Владелец: UNIVERSIDADE DO PORTO. Дата публикации: 2020-12-03.

Display structure comprising dielectric layer and electronic apparatus comprising same

Номер патента: AU2022229622B2. Автор: Jungchul An,Seongjun Kim,Hoyeon Kim,Youngjae Kwon,Kwanghee RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US20220013650A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: WO2022010824A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US11574864B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-02-07.

Method and apparatus for determining the thickness of a dielectric layer

Номер патента: EP1629252A1. Автор: Prashant Majhi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-01.

Bottom recess process for an outer blocking dielectric layer inside a memory opening

Номер патента: WO2016064513A1. Автор: Hiroshi Sasaki,Hiroyuki Ogawa,Masato Miyamoto,Michiaki Sano,Masanori Tsutsumi,Kensuke Yamaguchi,Seiji Shimabukuro. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2016-04-28.

Package comprising a substrate having dielectric layers of differing materials

Номер патента: WO2024064463A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot,Michelle Yejin Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Package substrate having porous dielectric layer

Номер патента: US11973017B2. Автор: Jaimal Mallory Williamson,Jim C Lo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor Device having Doped Gate Dielectric Layer and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230317790A1. Автор: Weng Chang,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Te-Yang Lai,Yao-Teng CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional memory device including dipole-containing blocking dielectric layer and methods for forming the same

Номер патента: US20240074170A1. Автор: Takashi Yuda,Ippei Yasuda,Noriyuki NAGAHATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Dielectric layer response-based field effect transistor photodetector

Номер патента: EP4280289A1. Автор: Hongwei HAN,Anyi MEI. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-22.

Method for fabricating capacitor containing zirconium oxide dielectric layer

Номер патента: US20030003650A1. Автор: Chang-Rock Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Three-dimensional memory device including a drain contact etch-stop dielectric layer and methods for forming the same

Номер патента: US20240038667A1. Автор: Ryo Nakamura,Naohiro Hosoda. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Back side illuminated image sensor device with select dielectric layers on the backside and methods of forming the same

Номер патента: US20240006458A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Feng-Chien Hsieh,Wei-Li Hu,Chia-Yen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Middle of line dielectric layer engineering for via void prevention

Номер патента: WO2024064301A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit B. MALLICK,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Device and method of dielectric layer

Номер патента: US20190103276A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Device of dielectric layer

Номер патента: US11935752B2. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Network and Devices That Support Different Frequency Separations

Номер патента: US20240154628A1. Автор: William M. Shvodian. Владелец: T Mobile USA Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Dielectric Layer for Nanosheet Protection and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240170563A1. Автор: Cheng-I Lin,Chi On Chui,Shu-Han Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device structure with gate dielectric layer and method for forming the same

Номер патента: US20240120334A1. Автор: Jeng-Ya Yeh,Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device with conformal dielectric layer and fabricating method thereof

Номер патента: US11990539B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Capacitor that includes dielectric layer structure having plural metal oxides doped with different impurities

Номер патента: US8698221B2. Автор: Hanjin Lim,Kiyeon Park,Insang JEON,Yeongcheol Lee,Jun-noh Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device including multilayer stack including seed layer and high-k dielectric layer

Номер патента: US11664413B2. Автор: Se Ho LEE,Dong Ik SUH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Display structure comprising dielectric layer and electronic apparatus comprising same

Номер патента: AU2022229622A1. Автор: Jungchul An,Seongjun Kim,Hoyeon Kim,Youngjae Kwon,Kwanghee RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor Structures Including Dielectric Layers and Capacitors Including Semiconductor Structures

Номер патента: US20110095397A1. Автор: Jae-soon Lim,Suk-Jin Chung,Youn-Soo Kim,Jae-Hyoung Choi,Sang-Yeol Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Methods for Improving Interlayer Dielectric Layer Topography

Номер патента: US20200294862A1. Автор: Chih-Hsun Lin,Ping-Pang Hsieh,Kuan-Wei SU,Chun Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Cocktail layer over gate dielectric layer of fet feram

Номер патента: US20220359544A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Cocktail layer over gate dielectric layer of fet feram

Номер патента: US20230380177A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with non-conformal gate dielectric layers

Номер патента: US20240186188A1. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Kuei-Lun Lin,Yung-Hsiang Chan,Shan-Mei Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Backside metal-insulator-metal (MIM) capacitors extending through backside interlayer dielectric (BILD) layer or semiconductor layer and partly through dielectric layer

Номер патента: US12002758B2. Автор: Chih-Chao Yang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Takeshi Nogami,Roy R. Yu,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Metal cut patterning and etching to minimize interlayer dielectric layer loss

Номер патента: US11990342B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Andrew Greene,Kisup Chung,Indira Seshadri,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated circuits having dielectric layers including an anti-reflective coating

Номер патента: US12002846B2. Автор: Stephen Arlon Meisner,Bhaskar Srinivasan,Shih Chang Chang,David Matthew Curran,Scott William Jessen,Poornika Fernandes,Guruvayurappan S. MATHUR,Russell Duane FIELDS,Thomas Terrance LYNCH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Electromagnetic Measuring Probe Device for Measuring a Thickness of a Dielectric Layer of a Circuit Board and Method Thereof

Номер патента: US20220221263A1. Автор: Hung-Lin Chang,Cheng-Jui Chang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Low-stress dielectric layer, planarization method, and low-temperature processing for 3d-integrated electrical device

Номер патента: WO2023278003A1. Автор: Andrew Clarke,Sean P. Kilcoyne,Eric Miller,Chad Fulk,Stuart FARRELL. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-01-05.

A method of forming a semiconductor or dielectric layer on a substrate

Номер патента: GB2624846A. Автор: Guiney Ivor,MORRIS Oliver,Dixon Sebastian. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor device structure having gate dielectric layer

Номер патента: US20210280432A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for forming gate dielectric layer

Номер патента: US20150287605A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for forming gate dielectric layer

Номер патента: US9312138B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Time domain orthogonal cover coding with frequency hopping

Номер патента: US20240106492A1. Автор: Yang Zhang,Bo Gao,Ke YAO,Shujuan Zhang,Meng MEI. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190006476A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190267458A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device having interfacial layer and high K dielectric layer

Номер патента: US10714575B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20200350415A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Methods and apparatus relating to communicating and/or using minimum frequency separation information to facilitate carrier aggregation and/or dual connectivity

Номер патента: US20240039565A1. Автор: Amitav Mukherjee,Ahmad Reza HEDAYAT,Maulik Vaidya,Marcus Maranhao,Frank Azcuy. Владелец: Charter Communications Operating LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Glass dielectric layer with patterning

Номер патента: EP4032122A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Jieying KONG,Dilan Seneviratne,Patrick QUACH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Time domain orthogonal cover coding with frequency hopping

Номер патента: EP4348912A1. Автор: Yang Zhang,Bo Gao,Ke YAO,Shujuan Zhang,Meng MEI. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for obtaining the equivalent oxide thickness of a dielectric layer

Номер патента: US20240133918A1. Автор: Hsueh-Liang Chou,Mao-Nan Chang,Chi-Lun Liu,Yi-Shan Wu,Chiao-Jung Lin,Yu-Hsun Hsueh. Владелец: Msscorps Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for obtaining the equivalent oxide thickness of a dielectric layer

Номер патента: EP4357791A1. Автор: Hsueh-Liang Chou,Mao-Nan Chang,Chi-Lun Liu,Yi-Shan Wu,Chiao-Jung Lin,Yu-Hsun Hsueh. Владелец: Msscorps Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

A one-electrode cell and series of two or more cells as a device

Номер патента: US20220223742A1. Автор: Maria Helena SOUSA SOARES DE OLIVEIRA BRAGA. Владелец: UNIVERSIDADE DO PORTO. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for manufacturing semiconductor structure and capable of controlling thicknesses of dielectric layers

Номер патента: US20210111180A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

A system and method for time-frequency separation of multiple radio signals

Номер патента: EP4377702A1. Автор: Michael Berkovitch,Ofer Shariv,Yaniv GEORGE,Anat Hershko,MANDELBAUM (MANDELBAUM), Elad. Владелец: Elbit Systems EW and Sigint Elisra Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Low-stress dielectric layer, planarization method, and low-temperature processing for 3d-integrated electrical device

Номер патента: EP4364207A1. Автор: Andrew Clarke,Sean P. Kilcoyne,Eric Miller,Chad Fulk,Stuart FARRELL. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-08.

Plasma display panel with a low k dielectric layer

Номер патента: EP1415318A2. Автор: Dan Maydan,Quanyuan Shang,Takako Takehara,William R. Harshbarger,Kam S. Law,Taekyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Dielectric layer stack for wide gate cut structures

Номер патента: US20240203739A1. Автор: Matthew J. Prince,Andrew Arnold,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Yulia Gotlib,Chun Chen Kuo,Cun Wen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure for measuring dielectric constant and clarifying polarization effect of interlevel dielectric layer

Номер патента: US20020100979A1. Автор: Mu-Chun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20230361023A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20180366408A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Benjamin David Briggs,Bartlef H. DEPROSPO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20180005941A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20180190585A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20200388568A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US11955424B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor structure with treated gate dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204073A1. Автор: Chih-Pin TSAO,Che-Chia Hsu,Chi Huang,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Pad Structure Including Glue Layer and Non-Low-K Dielectric Layer in BSI Image Sensor Chips

Номер патента: US20150228690A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Jeng-Shyan Lin,Wen-De Wang,Yueh-Chiou Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Methods of forming electrical interconnect structures using polymer residues to increase etching selectivity through dielectric layers

Номер патента: SG141316A1. Автор: Kim Jae Hak,Park Wan Jae,Chen Tong Qing,Lin Yi Hsiung. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-04-28.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: WO2018038865A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

Network and devices that support different frequency separations

Номер патента: EP4366220A2. Автор: William M. Shvodian. Владелец: T Mobile USA Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Network and devices that support different frequency separations

Номер патента: EP4366220A3. Автор: William M. Shvodian. Владелец: T Mobile USA Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor structures of anti-fuse devices and core devices with different dielectric layers and preparation method thereof

Номер патента: US12033938B2. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with capacitors having different dielectric layer heights

Номер патента: US11984446B2. Автор: Kyu Jin Choi,Seong Min MA,Kyu Chan SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Fuel cell manifold having an embedded dielectric layer and methods of making thereof

Номер патента: EP4181244A3. Автор: Siddharth Patel,Karanpal BHANGU. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Resin composition, copper foil with resin, dielectric layer, copper clad laminate sheet, capacitor element and printed wiring board with built-in capacitor

Номер патента: US20200008298A1. Автор: Yoshihiro Yoneda,Toshihiro Hosoi,Toshifumi Matsushima,Kenshiro FUKUDA. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Bonding pads in dielectric layer

Номер патента: EP4331014A1. Автор: Stephan Lutgen,Shenghui LEI,Sharon Nannette Farrens. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Fuel cell manifold having an embedded dielectric layer and methods of making thereof

Номер патента: US11764389B2. Автор: Siddharth Patel,Karanpal BHANGU. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Apparatus and Methods for Low K Dielectric Layers

Номер патента: US20130072031A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Gate dielectric layer protection

Номер патента: US11769765B2. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Resin composition, copper foil with resin, dielectric layer, copper clad laminate sheet, capacitor element and printed wiring board with built-in capacitor

Номер патента: MY194474A. Автор: Yoshihiro Yoneda,Toshihiro Hosoi,Toshifumi Matsushima,Kenshiro FUKUDA. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Plasma display panel having electrodes covered by a dielectric layer

Номер патента: US20070228966A1. Автор: Sang-Hyun Kim,Ki-Dong Kim,Jung-Suk Song,Seong-Hun Choo,Joon-Hyeong Kim,Bo-Won Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Integrated circuit including a stressed dielectric layer with stable stress

Номер патента: US20110316085A1. Автор: Huang Liu,Wei Lu,Luona Goh,Jeff Shu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of fabricating gate dielectric layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070093011A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Tung-Hsing Lee,Li-Shian Jeng,Tzermin Shen,Da-Ching Cho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Structure and method for interlevel dielectric layer with regions of differing dielectric constant

Номер патента: US20240250018A1. Автор: Anhao CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Plasma display panel or palc display panel and method of manufacturing such a panel comprising a dielectric layer

Номер патента: EP1157403A1. Автор: Siebe T. De Zwart,Henricus A. M. Van Hal,Abraham Rudolf Balkenende,Johannes M. M. Busio. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-28.

An integrated circuit including a stressed dielectric layer with stable stress

Номер патента: SG175578A1. Автор: Huang Liu,Wei Lu,Shu Jeff,Goh Luona. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-28.

Stressed dielectric layer with stable stress

Номер патента: SG155845A1. Автор: Lu Wei,Liu Huang,Luona Goh,Jeff Shu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Physical downlink shared channel antenna ports indication enhancement for demodulation reference signal type 2 with frequency domain orthogonal cover code length four

Номер патента: US20240340132A1. Автор: Hong He,Wei Zeng,Dawei Zhang,Haitong Sun,Jie Cui,Ankit BHAMRI. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with extended gate dielectric layer

Номер патента: US09997601B2. Автор: Shiuan-Jeng Lin,Shyh-Wei Cheng,Che-Jung Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device comprising a gradually increasing field dielectric layer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09893158B2. Автор: Oliver Haeberlen,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Cable end termination including cable dielectric layer hermetic seal and related methods

Номер патента: US09768543B2. Автор: Edward A. Taylor. Владелец: SRI Hermetics LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Antenna unit and a display device including a dielectric layer

Номер патента: US12142817B2. Автор: Han Sub Ryu,Won Hee Lee,Yun Seok Oh. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates, having structured or unstructured dielectric layers with low dielectric constant

Номер патента: RU2589482C2. Автор: Виджай Иммануэль РАМАН,Франк РИТТИГ,Юйчжо ЛИ,Вей Лан Уильям ЧИУ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-07-10.

Device and method for generation of preamble series in communications system with orthogonal multiplexing and frequency separation of channels

Номер патента: RU2278474C2. Автор: Чан-Биоунг ЧАЕ,Пан-Юх ДЗОО,Чанг-Хо СУХ,Дзунг-Мин РО,Хо-Киу ЧОИ. Владелец: Самсунг Электроникс Ко.,Лтд. Дата публикации: 2006-06-20.

Printed wiring board(s) having polyimidebenzoxazole dielectric layer(s) and the manufacture thereof

Номер патента: CA2219124C. Автор: David A. Dalman. Владелец: MICHIGAN MOLECULAR INSTITUTE. Дата публикации: 2007-04-17.

Connection filter with coupling capacitor leakage current sensor

Номер патента: RU210358U1. Автор: Александр Александрович Шахматов,Олег Валерьевич Лукиных. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НПФ Мультиобработка". Дата публикации: 2022-04-11.

Frequency-selective and frequency-separated transmission in wireless communication system

Номер патента: RU2407230C2. Автор: Дурга Прасад МАЛЛАДИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-12-20.

Thermally imageable dielectric layers, thermal transfer donors and receivers

Номер патента: US20100239793A1. Автор: Lynda Kaye Johnson,Elizabeth Forrester Mccord,Karyn B. Visscher,Jonathan V. Caspar,Feng Gao,Gary Delmar Jaycox,Reid John Chesterfield,William J. Marshall,Kenneth George Sharp,Marc B. Goldfinger,Paul J. Shannon,Graciela Beatriz Blanchet,Richard Kevin Bailey,Irina Malajovich,Jeffrey Scott Meth,Geoffrey Nunes,Gerard O'neil,Gerald Donald Andrews,John Catron,Charles Nehemiah McEwan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Method of manufacturing dielectric ceramic composition and electronic device containing dielectric layer

Номер патента: US6485672B1. Автор: Takeshi Nomura,Shigeki Sato. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Forming a porous dielectric layer

Номер патента: US20040195693A1. Автор: Grant Kloster,Michael Goodner,Kevin O'Brien,Justin Brask,Donald Bruner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

CMOS integrated circuit having PMOS and NMOS devices with different gate dielectric layers

Номер патента: US6048769A. Автор: Robert S. Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Method for forming a planarized dielectric layer

Номер патента: US5899751A. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Jane Mei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

Intergrated circuit element having a planar, solvent-free dielectric layer

Номер патента: US5034801A. Автор: Paul J. Fischer. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 1991-07-23.

Method and apparatus for stabilizing oscillation frequency separation among plural laser devices

Номер патента: CA1290801C. Автор: Naoki Shimosaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Method of controlling the deposition of inter-level dielectric layers based upon electrical performance tests, and system for accomplishing same

Номер патента: US6582975B1. Автор: Matthew Ryskoski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Methods and systems for forming at least one dielectric layer

Номер патента: US7871926B2. Автор: Victor Nguyen,Li-Qun Xia,Mei Chang,Chien-Teh Kao,Hichem M'Saad,Derek R. Witty,Mihaela Balseanu,Xinliang Lu,Haichun Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-01-18.

Articles having a dielectric layer on a metal substrate having improved adhesion

Номер патента: US5164547A. Автор: Allan J. Siuzdak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-11-17.

An interconnect system comprising an interconnect having a plurality of metal cores at least partially surrounded by a dielectric layer

Номер патента: CA2915407C. Автор: Sean S. Cahill,Eric A. Sanjuan. Владелец: Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-09-29.

Dielectric resin composition and multilayer circuit board comprising dielectric layers formed therefrom

Номер патента: US20020131247A1. Автор: Nawalage Cooray. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for forming interlevel dielectric layer in semiconductor device using electron beams

Номер патента: US6057251A. Автор: Seong-Ho Kim,Ju-seon Goo,Hae-Jeong Lee,Byung-keun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-05-02.

Multilayer ceramic capacitor with dielectric layers including dielectric grains having a core-shell structure

Номер патента: US10515760B1. Автор: Kum Jin PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Method for forming a dielectric layer in a plasma display panel

Номер патента: US20070132393A1. Автор: Young Kim,Eun Lee,Woong Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-06-14.

Method and system for forming a high-k dielectric layer

Номер патента: US20060228898A1. Автор: Gerrit Leusink,Masanobu Igeta,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Dielectric layer for electronic devices

Номер патента: US20070145453A1. Автор: Yiliang Wu,Beng Ong. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

DRAM device having a gate dielectric layer with multiple thicknesses

Номер патента: US7948028B2. Автор: Shing-Hwa Renn. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Fabrication of devices having thin dielectric layers

Номер патента: CA1297764C. Автор: Alvaro Maury,Sea-Chung Kim,William Henry Stinebaugh, Jr.. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1992-03-24.

Shielded electrical contact and doping through a passivating dielectric layer in a high-efficiency crystalline solar cell, including structure and methods of manufacture

Номер патента: WO2011119910A2. Автор: Oliver Schultz-Wittman,Douglas Crafts. Владелец: TETRASUN, INC.. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US10714493B2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Method and apparatus for stabilizing oscillation frequency separation among plural laser devices

Номер патента: US4977565A. Автор: Naoki Shimosaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-12-11.

Dielectric layer for an electronic device

Номер патента: CA2704720C. Автор: Nan-Xing Hu,Ping Liu,Yiliang Wu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Low firing temperature thick film dielectric layer for electroluminescent display

Номер патента: WO2003056879A1. Автор: WU LI,YE YUFENG,Maizhi Yang,Xingwei Wu,HUI Zhang,Seong-eui Lee,Sung-Il Ahn,William M. Smy,Daniel J. Seale. Владелец: Ifire Technology Inc.. Дата публикации: 2003-07-10.

Template derivative for forming ultra-low dielectric layer and method of forming ultra-low dielectric layer using the same

Номер патента: US8507665B2. Автор: Chan Bae Kim,Sang Tae Ahn,Hyeon Ju An,Eun Jeong Kim,Ja Chun Ku,Hyo Seok Lee,Sung Kyu MIN,Chai O Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Middle of line dielectric layer engineering for via void prevention

Номер патента: US20240105505A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit B. MALLICK,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Field-effect transistor with a dielectric layer having therein denatured albumen

Номер патента: US20130112967A1. Автор: Jer-Wei Chang,Ten-Chin Wen,Tzung-Fang Guo. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2013-05-09.

Multilayer capacitor having improved reliability by adjusting grain size of dielectric layer

Номер патента: US11923145B2. Автор: Jae Sung Park,Je Hee Lee,Seung In Baik,Ji Su Hong,Eun Ha Jang,Hyoung Uk Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device including barrier dielectric layer including ferroelectric material

Номер патента: US20240081082A1. Автор: Won Tae KOO,Dong Ik SUH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Etching-damage-free intermetal dielectric layer with thermal dissipation feature

Номер патента: US20240087980A1. Автор: Cheng-Chin Lee,Ming-Hsien Lin,Cherng-Shiaw Tsai,Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG,Yen-Ju Wu,Yen-Pin HSU,Li-Ling SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Passivating point defects in high-k gate dielectric layers during gate stack formation

Номер патента: SG193698A1. Автор: Trentzsch Martin,Erben Elke,j carter Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US11935781B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Self-protective layer formed on high-K dielectric layer

Номер патента: US11923201B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Structure for beol metal levels with multiple dielectric layers for improved dielectric to metal adhesion

Номер патента: US20170207121A1. Автор: Edward C. Cooney, III,Felix P. Anderson,Michael S. Dusablon,David C. Mosher. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor memory device with gate line passing through source/drain, channel and dielectric layers over via

Номер патента: US11800718B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor process having dielectric layer including metal oxide and mos transistor process

Номер патента: US20120231600A1. Автор: Chan-Lon Yang,Shih-Fang Tzou,Chen-Kuo Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Method for removing dielectric layers from semiconductor components by using a laser beam

Номер патента: US20160343571A1. Автор: Roland Mayerhofer,Wenjie Zhu,Richard Hendel. Владелец: Rofin Baasel Lasertech GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-24.

Low loss and low cross talk transmission lines with stacked dielectric layers for forming stubs of different thickness or for forming a coaxial line

Номер патента: US11791528B2. Автор: Feras Eid,Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Javier Soto,Zhichao Zhang,Adel A. Elsherbini,Yidnekachew S. MEKONNEN,Krishna Bharath,Mathew MANUSHAROW. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Spacer shaper formation with conformal dielectric film for void free pre-metal dielectric layer gap fill

Номер патента: WO2014014809A1. Автор: Tom LLL. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030132A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Ceramic capacitor having barium titanate-based dielectric layers including six sub-components

Номер патента: US11769632B2. Автор: Kazumi Kaneda. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Dielectric layer for component carrier with varying material properties

Номер патента: US11882648B2. Автор: Thomas KRISTL,Dominik Wilding. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2024-01-23.

Mechanisms for forming gate dielectric layer

Номер патента: US20150102431A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Package Having an Electronic Component and an Encapsulant Encapsulating a Dielectric Layer and a Semiconductor Die of the Electronic Component

Номер патента: US20230187298A1. Автор: Thomas Fischer,Daniel Porwol,Anton Steltenpohl,Uwe Seidel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-06-15.

Three-dimensional flat memory device including a dual dipole blocking dielectric layer and methods of making the same

Номер патента: WO2020040835A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Masatoshi Nishikawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor structure having alternating selective metal and dielectric layers

Номер патента: US11942426B2. Автор: Son Nguyen,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Takeshi Nogami. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Chip assembling on adhesion layer or dielectric layer, extending beyond chip, on substrate

Номер патента: US20170294403A1. Автор: Thorsten Scharf,Ralf Wombacher,Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-12.

Bonded assembly including an airgap containing bonding-level dielectric layer and methods of forming the same

Номер патента: WO2023282962A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Adarsh RAJASHEKHAR,Lin Hou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor Device Having Hydrogen in a Dielectric Layer

Номер патента: US20210202255A1. Автор: Cheng-Po CHAU,Huicheng Chang,Yi-Fan Chen,Chun-Yen Peng,Hongfa Luan,Wen-Yu Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor Device Having Hydrogen in a Dielectric Layer

Номер патента: US20200321216A1. Автор: Cheng-Po CHAU,Huicheng Chang,Yi-Fan Chen,Chun-Yen Peng,Hongfa Luan,Wen-Yu Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of Forming a Semiconductor Device by Driving Hydrogen into a Dielectric Layer from Another Dielectric Layer

Номер патента: US20230386847A1. Автор: Cheng-Po CHAU,Huicheng Chang,Yi-Fan Chen,Chun-Yen Peng,Hongfa Luan,Wen-Yu Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming semiconductor device by driving hydrogen into a dielectric layer from another dielectric layer

Номер патента: US11776814B2. Автор: Cheng-Po CHAU,Huicheng Chang,Yi-Fan Chen,Chun-Yen Peng,Hongfa Luan,Wen-Yu Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Interlayer dielectric layer

Номер патента: US20230369106A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Joung-Wei Liou,Bo-Jhih Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with conductive element formed over dielectric layers and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4092755A3. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor devices with dielectric layers

Номер патента: US8970014B2. Автор: Ha-Jin Lim,Yun-Ki Choi,Hyung-Suk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-03.

Method of forming a semiconductor device with a dual gate dielectric layer having middle portion thinner than the edge portions

Номер патента: US11968828B2. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Meng-Han LIN,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure having interfacial layer and high-k dielectric layer

Номер патента: US20150187902A1. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

FinFET devices with dummy fins having multiple dielectric layers

Номер патента: US11855094B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Fabricating a Wafer Level Semiconductor Package Having a Pre-formed Dielectric Layer

Номер патента: US20140087553A1. Автор: Edward Law,Kevin (Kunzhong) HU,Chonghua ZHONG. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Fabricating a wafer level semiconductor package having a pre-formed dielectric layer

Номер патента: US8945991B2. Автор: Edward Law,Kevin (Kunzhong) HU,Chonghua ZHONG. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-02-03.

Methods for polishing dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US11862472B2. Автор: Xiaohong Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Automatic production system and production process of a conductive backsheet with integrated encapsulating and dielectric layer for photovoltaic panels

Номер патента: US20160293791A1. Автор: Davide Spotti,Elisa BACCINI. Владелец: VISMUNDA SRL. Дата публикации: 2016-10-06.

Method and apparatus for detecting breakdown in ultra thin dielectric layers

Номер патента: US6777972B2. Автор: Philippe Roussel,Robin Degraeve,Geert Van den Bosch. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2004-08-17.

Semiconductor device structure having a gate structure and overlying dielectric layer

Номер патента: US11855158B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Chip assembling on adhesion layer or dielectric layer, extending beyond chip, on substrate

Номер патента: US20220238481A1. Автор: Thorsten Scharf,Ralf Wombacher,Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-07-28.

Light emissive display with a black or color dielectric layer

Номер патента: WO2003001853A1. Автор: Jason C. Heikenfeld,Andrew J. Steckl. Владелец: University of Cincinnati. Дата публикации: 2003-01-03.

Light emissive display with a black or color dielectric layer

Номер патента: EP1397940A1. Автор: Jason C. Heikenfeld,Andrew J. Steckl. Владелец: University of Cincinnati. Дата публикации: 2004-03-17.

Template derivative for forming ultra-low dielectric layer and method of forming ultra-low dielectric layer using the same

Номер патента: US20120231634A1. Автор: Chan Bae Kim,Sang Tae Ahn,Hyeon Ju An,Eun Jeong Kim,Ja Chun Ku,Hyo Seok Lee,Sung Kyu MIN,Chai O Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Template derivative for forming ultra-low dielectric layer and method of forming ultra-low dielectric layer using the same

Номер патента: US20120231635A1. Автор: Chan Bae Kim,Sang Tae Ahn,Hyeon Ju An,Eun Jeong Kim,Ja Chun Ku,Hyo Seok Lee,Sung Kyu MIN,Chai O Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Bonded assembly including an airgap containing bonding-level dielectric layer and methods of forming the same

Номер патента: US11948902B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Adarsh RAJASHEKHAR,Lin Hou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Electronic device antenna arrays mounted against a dielectric layer

Номер патента: US11811133B2. Автор: Hao Xu,Mattia Pascolini,Simone Paulotto,Matthew A. Mow,Jennifer M. Edwards,Bilgehan Avser,Siwen Yong,Harish Rajagopalan,Rodney A. Gomez Angulo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Methods of forming semiconductor devices including low-k dielectric layer

Номер патента: US20140370704A1. Автор: Kyu-hee Han,Seung-Hyuk Choi,Sang-hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-18.

Method for forming dielectric layers

Номер патента: US20010001191A1. Автор: Juan-Yuan Wu,Water Lur,Chih-Chien Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-17.

Semiconductor with implanted dielectric layer having patched pin-holes

Номер патента: US5608252A. Автор: Tatsuo Nakato. Владелец: Sharp Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 1997-03-04.

Metallization levels with skip via and dielectric layer

Номер патента: US20240153864A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Koichi Motoyama,Chanro Park,Yann Mignot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Reference signal design for pi/2 binary phase shift keying modulation with frequency domain spectral shaping

Номер патента: WO2019051442A1. Автор: Tao Luo,Peter Gaal,Renqiu Wang,Yi Huang,Xiao Feng Wang,Sony Akkarakaran,Seyong Park,Timo Ville VINTOLA. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

Color display with color filter layer comprising two-dimensional photonic crystals formed in a dielectric layer

Номер патента: US11832496B1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Electronic Device Antenna Arrays Mounted Against a Dielectric Layer

Номер патента: US20240072417A1. Автор: Hao Xu,Mattia Pascolini,Simone Paulotto,Matthew A. Mow,Jennifer M. Edwards,Bilgehan Avser,Siwen Yong,Harish Rajagopalan,Rodney A. Gomez Angulo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming multi-component layer, method for forming multi-component dielectric layer and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130171797A1. Автор: Jae-Hyoung Koo,Ji-hoon Ahn,Kwan-Woo Do,Kee-Jeung Lee,Kyung-Woong Park,Woo-young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Middle of line dielectric layer engineering for via void prevention

Номер патента: WO2024064285A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit B. MALLICK,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of fabricating CMOS with different gate dielectric layers

Номер патента: US20020072168A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor device including dielectric structure including ferroelectric layer and dielectric layer

Номер патента: US20240023343A1. Автор: Won Tae KOO,Dong Ik SUH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Fuel cell stacks including improved dielectric layers

Номер патента: US20230238546A1. Автор: Madhuri Nallabolu,Chockkalingam Karuppaiah,Emad El Batawi,Michael Gasda,Patrick Nikong,Allyson Ellegood,Thuy Thanh Muhl. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Capacitor with dual dielectric layers

Номер патента: US20230087624A1. Автор: Uygar E. Avci,Kaan OGUZ,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Sou-Chi Chang,I-Cheng Tung,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Capacitor component having nickel and carbon between internal electrode and dielectric layers

Номер патента: US11990280B2. Автор: Young Joon Oh,Jeong Ryeol Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for manufacturing dielectric layer, resin composition, and laminate including dielectric layer

Номер патента: EP4266850A1. Автор: Hiroyoshi NISHIYAMA,Ryo Shoda. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for manufacturing dielectric layer, resin composition, and laminate comprising dielectric layer

Номер патента: US20230420156A1. Автор: Hiroyoshi NISHIYAMA,Ryo Shoda. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Control circuit with frequency compensation

Номер патента: US20100277144A1. Автор: Yen-Hui Wang,Chia-Chieh Hung. Владелец: Grenergy Opto Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Dielectric composition, multilayered printed circuit board comprising dielectric layer manufactured thereof, and method for preparing the multilayered printed circuit board

Номер патента: US20130000965A1. Автор: Sung Hyun Kim,Dong Joo Shin,Moon Soo Park,Choon Keun Lee,Sung Taek Lim,Seong Min Chin. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US20240186180A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Fully depleted semiconductor-on-insulator transistors with different buried dielectric layer charges and different threshold voltages

Номер патента: US20200083253A1. Автор: Kangguo Cheng,Shawn P. Fetterolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Ceramic capacitor having barium titanate-based dielectric layers including six sub-components

Номер патента: US20210104365A1. Автор: Kazumi Kaneda. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Method and Structure for FinFET Comprising Patterned Oxide and Dielectric Layer Under Spacer Features

Номер патента: US20200381532A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Yung Jung Chang,Shih-Hao Chen,Mu-Tsang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

FinFET Devices with Dummy Fins Having Multiple Dielectric Layers

Номер патента: US20200126989A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Crystallization of High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20240097039A1. Автор: Chien-Chang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Fully depleted semiconductor-on-insulator transistors with different buried dielectric layer charges and different threshold voltages

Номер патента: US11145677B2. Автор: Kangguo Cheng,Shawn P. Fetterolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Chip assembling on adhesion layer or dielectric layer, extending beyond chip, on substrate

Номер патента: US20180358326A1. Автор: Thorsten Scharf,Ralf Wombacher,Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-13.

Gas sensor with bandpass filters and appropriate gas sensor system

Номер патента: RU2493554C2. Автор: Енс Меллер ЕНСЕН,Томин СТОЛЬБЕРГ-РОР,Арун КРИСХНА,Ларс МУНХ,Райнер БУХНЕР,Хенрик Гедде МООС. Владелец: Данфосс Икса А/С. Дата публикации: 2013-09-20.

Motion detector having a bandpass filter

Номер патента: US09874654B2. Автор: Jiri SAPAK,Robert Juntunen,Roman Cervinka,Ludek Zavodny,Jan Crha. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Selective optical tuning of qubit two-level system interactions using bandpass filters

Номер патента: US20240127095A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Abram L. Falk,Martin O. Sandberg,Jason S. Orcutt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Selective optical tuning of qubit two-level system interactions using bandpass filters

Номер патента: WO2024079549A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Jason Orcutt,Martin Sandberg,Abram Falk. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-04-18.

Systems and methods for flexural wave absorption bandpass filtering

Номер патента: US20240371349A1. Автор: Xiaopeng Li,Taehwa Lee,Ziqi Yu. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Uv-bandpass filter and application to uv-detecting apparatus or light-emitting apparatus

Номер патента: EP1440336A1. Автор: Masayuki c/o Hamamatsu Photonics K.K. SAKAKIBARA,Masaru c/o Hamamatsu Photonics K.K. MORISHITA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2004-07-28.

Uv-bandpass filter and application to uv-detecting apparatus or light-emitting apparatus

Номер патента: WO2003038483A1. Автор: Masaru Morishita,Masayuki Sakakibara. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2003-05-08.

Acousto-Optic Filter with Near-Ideal Bandpass Characteristics

Номер патента: CA2169962A1. Автор: Ghie Hugh Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-04-20.

Method and apparatus for the efficient test of the center frequency of bandpass filters

Номер патента: US6127829A. Автор: Mehmet Ali Tan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Multi-view coil bandpass filter array system

Номер патента: US5248943A. Автор: Timothy R. Fox,Jerry C. Posluszny. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-09-28.

Motion detector having a bandpass filter

Номер патента: US20170299768A1. Автор: Jiri SAPAK,Robert Juntunen,Roman Cervinka,Ludek Zavodny,Jan Crha. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Capnography with lead selenide detector and integrated bandpass filter

Номер патента: EP3568071A1. Автор: Zhi-Xing Jiang,Szilveszter Cseh JANDO. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2019-11-20.

Optical computing devices with multiple bandpass filters

Номер патента: US09719849B2. Автор: Christopher Michael Jones,David L. Perkins,Robert Paul Freese,Richard Neal GARDNER. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Acousto-optic filter with near-ideal bandpass characteristics

Номер патента: CA2169962C. Автор: Ghie Hugh Song. Владелец: Telcordia Technologies Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Photonic bandpass filters with polarization diversity

Номер патента: WO2023102236A1. Автор: Moe D. Soltani,Anshuman Singh. Владелец: RAYTHEON BBN TECHNOLOGIES CORP.. Дата публикации: 2023-06-08.

Bandpass filter for light having variable lower and upper cut-off wavelengths

Номер патента: US11947097B2. Автор: Joachim Fischer,Lars KASTRUP,Matthias Henrich,Andreas Schoenle. Владелец: Abberior Instruments GmbH. Дата публикации: 2024-04-02.

Programmable spectral source and design tool for 3D imaging using complementary bandpass filters

Номер патента: US09713419B2. Автор: Youngsam Bae,Hrayr Karnig Shahinian,Michael J. Shearn,Ronald J. Korniski,Eric W. Fritz,Allen Ream. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2017-07-25.

Swept bandpass filter frequency modulated continuous wave (FMCW) receiver and related method

Номер патента: US7496158B2. Автор: Gerald L. Fudge,Boyd E. Gallatin. Владелец: L3 Communications Integrated Systems LP. Дата публикации: 2009-02-24.

Minimum phase bandpass filtering of seismic signals

Номер патента: US4608673A. Автор: Gregory D. Lazear. Владелец: Conoco Inc. Дата публикации: 1986-08-26.

Distance measuring system, light receiving module, and method of manufacturing bandpass filter

Номер патента: US20210270942A9. Автор: Yuki Kikuchi,Sozo Yokogawa,Taisuke Suwa,Makoto Chiyoda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Non-heavy metal optical bandpass filter in electro-optical readers

Номер патента: WO2007032920A3. Автор: Edward Barkan,Vladimir Gurevich,David Tsi Shi. Владелец: Symbol Technologies Inc. Дата публикации: 2007-07-05.

Arrays of optical devices comprising integrated bandpass filters and methods of production

Номер патента: WO2017075428A1. Автор: Simone Severi,Ravi Saxena,Bert Du Bois,Nicolaas TACK,Pilar Gonzalez,Annette Grot. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2017-05-04.

Distance measuring system, light receiving module, and method of manufacturing bandpass filter

Номер патента: US20210003672A1. Автор: Yuki Kikuchi,Sozo Yokogawa,Taisuke Suwa,Makoto Chiyoda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Optical filter with nanostructured layers and spectral sensor having layers of such kind

Номер патента: US20220019010A1. Автор: Stephan Junger,Wladimir Tschekalinskij. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2022-01-20.

Optical computing devices with multiple bandpass filters

Номер патента: EP3102923A1. Автор: David L. Perkins,Robert Paul Freese,Richard Neal GARDNER,Christoper Michael JONES. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-12-14.

Optical filter with nanostructured layers and spectral sensor having layers of such kind

Номер патента: US11977248B2. Автор: Stephan Junger,Wladimir Tschekalinskij. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-heavy metal optical bandpass filter in electro-optical readers

Номер патента: WO2007032920A2. Автор: Edward Barkan,Vladimir Gurevich,David Tsi Shi. Владелец: Symbol Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-03-22.

Non-heavy metal optical bandpass filter in electro-optical readers

Номер патента: US20070057162A1. Автор: Edward Barkan,Vladimir Gurevich,David Shi. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2007-03-15.

Non-heavy metal optical bandpass filter in electro-optical readers

Номер патента: EP1925014A2. Автор: Edward Barkan,Vladimir Gurevich,David Tsi Shi. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2008-05-28.

Method for improved dielectric layer metrology calibration

Номер патента: US20040004730A1. Автор: Han-Liang Tseng,Yi-Hung Chen,Wei-Ming You,Shean-Ren Horng,Pey-Yuan Lee,Chi-Shen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Method and device for measuring a layer thickness of an object

Номер патента: US20210156683A1. Автор: Giovanni Schober,Benjamin LITTAU,Stefan KREMLING. Владелец: Inoex GmbH. Дата публикации: 2021-05-27.

Method and device for measuring a layer thickness of an object

Номер патента: CA3062502C. Автор: Giovanni Schober,Benjamin LITTAU,Stefan KREMLING. Владелец: Inoex GmbH. Дата публикации: 2023-04-25.

Electronic phase comparison apparatus for the remote measurement of layer thickness

Номер патента: US4075555A. Автор: James S. Wight,Walter J. Chudobiak,Vassilios Makios. Владелец: Canadian Patents and Development Ltd. Дата публикации: 1978-02-21.

Electronic phase comparison apparatus for the remote measurement of layer thickness

Номер патента: CA1075311A. Автор: James S. Wight,Walter J. Chudobiak,Vassilios Makios. Владелец: Canada Minister of Communications. Дата публикации: 1980-04-08.

Layer thickness regulating member for regulating layer thickness of developer carried on developer carrying member and layer thickness regulating member manufacturing method

Номер патента: US20150043951A1. Автор: Hisanori Iwasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Layer thickness regulating member for regulating layer thickness of developer carried on developer carrying member and layer thickness regulating member manufacturing method

Номер патента: US9235156B2. Автор: Hisanori Iwasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Method and device for polymer nano- and microfiber design and fabrication by dielectric barrier electrospinning

Номер патента: WO2024103129A2. Автор: Todorka Gancheva Vladkova,Peter Donchev DINEV,Dilyana Nikolova GOSPODINOVA,Kostadin Georgiev MILANOV,Margarita Petrova NEZNAKOMOVA. Владелец: Technical University Of Sofia. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and device for polymer nano- and microfiber design and fabrication by dielectric barrier electrospinning

Номер патента: WO2024103129A3. Автор: Todorka Gancheva Vladkova,Peter Donchev DINEV,Dilyana Nikolova GOSPODINOVA,Kostadin Georgiev MILANOV,Margarita Petrova NEZNAKOMOVA. Владелец: Technical University Of Sofia. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and device for polymer nano- and microfiber design and fabrication by dielectric barrier electrospinning

Номер патента: WO2024103129A4. Автор: Todorka Gancheva Vladkova,Peter Donchev DINEV,Dilyana Nikolova GOSPODINOVA,Kostadin Georgiev MILANOV,Margarita Petrova NEZNAKOMOVA. Владелец: Technical University Of Sofia. Дата публикации: 2024-09-19.

Total layer thickness detection apparatus, charging device, image forming apparatus, total layer thickness detection method and computer readable medium storing program for total layer thickness detection

Номер патента: US20080317488A1. Автор: Hideki Moriya,Hidehiko Yamaguchi,Chikaho Ikeda,Masao Ohmori. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of manufacturing layer thickness regulating member

Номер патента: US10303083B2. Автор: Hisanori Iwasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Method of manufacturing layer thickness regulating member

Номер патента: US20160085176A1. Автор: Hisanori Iwasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Road paver having layer thickness detecting device, and method for detecting the thickness of an applied material layer

Номер патента: US20150267361A1. Автор: Markus Watermann,Alfons Horn,Dominik Horn,Thomas Hiltenkamp. Владелец: MOBA Mobile Automation AG. Дата публикации: 2015-09-24.

Image forming apparatus including layer thickness control portion to cause rotator to carry toner, and developing device used in image forming apparatus

Номер патента: US09690229B2. Автор: Tamotsu Shimizu. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for rapid calculation of tear film lipid and aqueous layer thickness and ocular surface refractive index from interferometry spectra

Номер патента: US09610011B2. Автор: Stanley W. Huth,Denise Tran. Владелец: Abbott Medical Optics Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Broadband frequency meter for microwave signals with frequency pre-multiplication and one delay line (versions)

Номер патента: RU2736918C1. Автор: Сергей Федорович Аткишкин. Владелец: Сергей Федорович Аткишкин. Дата публикации: 2020-11-23.

Method for manufacturing products from a charge based on a metal powder modified by dielectric powders

Номер патента: RU2765562C1. Автор: Сергей Николаевич Егоров,Светлана Николаевна Миронова,Анна Сергеевна Миронова,Римма Викторовна Егорова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова". Дата публикации: 2022-02-01.

Method for rubber vulcanization by dielectric heating

Номер патента: US4481159A. Автор: Masaru Itoh. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-06.

Keyword extraction with frequency—inverse document frequency method for word embedding

Номер патента: US11842160B2. Автор: Yukihiro Azuma,Kazuhito Oguma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Non-destructive estimation of coating layer thickness based on sweep frequency photo acoustic guided wave technique

Номер патента: EP4365545A1. Автор: Tapas Chakravarty,Arijit Sinharay,Arpan Pal,Chirabrata BHAUMIK,Abhijeet Gorey,Subhadeep Basu,Annesha Mazumder. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

A device for improving tuning stability of series resonance under small load

Номер патента: AU2020239815A1. Автор: Jian Chen,Liming Wang,Wenhui Zhang,Bengang WEI,Laibin YANG. Владелец: Shanghai Goalsee Electric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Toner layer thickness regulation member and image forming apparatus having same

Номер патента: US20080095555A1. Автор: Satoshi Saeki. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2008-04-24.

Method to determine skin-layer thickness in high pressure die castings

Номер патента: US20150294448A1. Автор: Qigui Wang,Wenying Yang,James W. Knight. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2015-10-15.

Road paver having layer thickness detecting device, and method for detecting the thickness of an applied material layer

Номер патента: US20180245295A1. Автор: Marcus Watermann,Alfons Horn,Dominik Horn,Thomas Hiltenkamp. Владелец: MOBA Mobile Automation AG. Дата публикации: 2018-08-30.

Creating a print job using user-specified build material layer thicknesses

Номер патента: US20210349438A1. Автор: Sergio GONZALEZ MARTIN,Jordi Roca Vila,Leticia RUBIO CASTILLO. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-11-11.

Road paver having layer thickness detecting device and method

Номер патента: US09988773B2. Автор: Marcus Watermann,Alfons Horn,Dominik Horn,Thomas Hiltenkamp. Владелец: MOBA Mobile Automation AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Road paver having layer thickness detecting device and method

Номер патента: US09534349B2. Автор: Markus Watermann,Alfons Horn,Dominik Horn,Thomas Hiltenkamp. Владелец: MOBA Mobile Automation AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Device of acoustic diagnostics with frequency scanning of bone tissue

Номер патента: RU2654006C1. Автор: Наталья Анатольевна Фукина,Анатолий Петрович Иванников. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Полет". Дата публикации: 2018-05-15.

Thick film multilayer reflector with tailored layer thickness profile

Номер патента: US7385763B2. Автор: Timothy J. Nevitt,Andrew J. Ouderkirk. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-06-10.

Multi-layer composites with varied layer thicknesses and related methods

Номер патента: US11911822B2. Автор: Montray Leavy,Virendra Warke,Devon N. DION,Subhash Guddati,Thines Kumar PERUMAL. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Internal oxide layer thickness estimation device, internal oxide layer thickness estimation method, and program

Номер патента: US20230400298A1. Автор: Naoki Inoue,Yasumitsu Kondo,Tooru Akashi,Akinobu MINAMI,Keita Ikeda. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Confocal microscope for determination of a layer thickness and microscopy method for determination of a layer thickness

Номер патента: US20190033054A1. Автор: Nils Langholz,Matthias Vaupel. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2019-01-31.

Image forming apparatus and layer thickness calculating method

Номер патента: US20070147856A1. Автор: Hideki Moriya,Hidehiko Yamaguchi,Chikaho Ikeda,Masao Ohmori. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: US11982918B2. Автор: Michiel Koen CALLENS,Thomas Johansson,Robert J. Fleming,Steven GOU,Graham Beales. Владелец: Wuxi Clearink Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

An apparatus for controlling gas layer thickness on the surface of casting roll in twin roll strip caster

Номер патента: EP1455973A1. Автор: Ju-Tae Res.Inst.of Ind.Science&Technology CHOI,Han-Nam Res.Inst.of Ind.Science&Techn. CHEONG,Yong-Gi Res.Inst.of Ind.Science&Technology LEE. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-15.

An apparatus for controlling gas layer thickness on the surface of casting roll in twin roll strip caster

Номер патента: WO2003055624A1. Автор: Yong-Gi Lee,Ju-Tae Choi,Han-Nam Cheong. Владелец: RESEARCH INSTITUTE OF INDUSTRIAL SCIENCE & TECHNOLOGY. Дата публикации: 2003-07-10.

Non-destructive estimation of coating layer thickness based on sweep frequency photo acoustic guided wave technique

Номер патента: US20240151515A1. Автор: Tapas Chakravarty,Arijit Sinharay,Arpan Pal,Chirabrata BHAUMIK,Abhijeet Gorey,Subhadeep Basu,Annesha Mazumder. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: EP3785063A1. Автор: Michiel Koen CALLENS,Thomas Johansson,Robert J. Fleming,Steven GOU,Graham Beales. Владелец: Concord HK International Education Ltd. Дата публикации: 2021-03-03.

Developer layer thickness regulating device for a developing unit

Номер патента: US20050244185A1. Автор: In-Cheol Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for regulation of the optical density in an electrographic printing method as well as a toner layer thickness measurement system and electrographic printer or copier

Номер патента: US7953332B2. Автор: Markus Jeschonek. Владелец: Oce Printing Systems GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-05-31.

Apparatus and method for determining photoreceptor charge transport layer thickness of apparatus using a scorotron charge device

Номер патента: US20110158661A1. Автор: Aaron Michael Burry,Michael F. Zona,Eric S. Hamby. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Developing device and layer thickness regulating member

Номер патента: US20150043950A1. Автор: Koichi Watanabe,Takeshi Yasumoto,Dai Kanai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Method and apparatus for determining the layer thickness and the refractive index of a sample

Номер патента: US20100290046A1. Автор: Joerg-Thomas Zettler,Johannes K. Zettler. Владелец: LayTec GmbH. Дата публикации: 2010-11-18.

Optical storage medium having an organic recording layer attached to a dielectric layer

Номер патента: MY136918A. Автор: Hidetoshi Watanabe,Sakuya Tamada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-11-28.

2d multi-layer thickness measurement

Номер патента: US20190231187A1. Автор: ZAIXING Mao,Zhenguo Wang,Kinpui Chan. Владелец: Topcon Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Method of determining layer thicknesses of 3D models for additive manufacturing

Номер патента: US12086936B2. Автор: Daniel Weiss,Christian Stahl. Владелец: Dentsply Sirona Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Red omnidirectional structural color made from metal and dielectric layers

Номер патента: US09739917B2. Автор: Debasish Banerjee,Masahiko Ishii,Minjuan Zhang,Li Qin Zhou,Yumi Kato. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Fast absolute-reflectance method for the determination of tear film lipid layer thickness

Номер патента: US09681802B2. Автор: Stanley W. Huth,Denise Tran. Владелец: Abbott Medical Optics Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Layer thickness restriction member, development device, process cartridge, and method for manufacturing layer thickness restriction member

Номер патента: US09671719B2. Автор: Tomonori Kitan. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Micro-electro mechanical system (MEMS) device having a blocking layer formed between closed chamber and a dielectric layer of a CMOS substrate

Номер патента: US09617150B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for calibrating two-channel superheterodyne receiver in meter of complex transmission and reflection coefficients of microwave devices with frequency conversion

Номер патента: RU2673781C1. Автор: Константин Станиславович Коротков,Аким Алексеевич Бабенко,Даниил Русланович Фролов,Антон Сергеевич Левченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-11-29.

Method of determining location parameters of location objects in radar sensors with frequency manipulation of continuous radiation of radio waves and a device for its realizing

Номер патента: RU2695799C1. Автор: Владислав Яковлевич Носков,Кирилл Александрович Игнатков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2019-07-29.

Polymer-dispersed liquid crystal display device and method to set liquid crystal layer thickness in association with driving voltage

Номер патента: US5617228A. Автор: Hiroki Nakamura,Yoshihiro Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Optical phantoms for use with ocular surface interferometry (osi) devices and systems configured to measure tear film layer thickness(es), and related uses for calibration

Номер патента: WO2013166352A3. Автор: Donald R. Korb,Stephen M. Grenon,William L. Weber,Scott LIDDLE. Владелец: TearScience, Inc.. Дата публикации: 2015-07-09.

Determination of layer thickness

Номер патента: EP2856079A1. Автор: Mark R. Etzel,Ales Podgornik,Vida Smrekar. Владелец: Centre of Excellence For Biosensors Instrumentation and Process Control (COBIK). Дата публикации: 2015-04-08.

Developing cartridge including supply roller, layer thickness regulation blade, and supply electrode electrically connected to both supply roller and layer thickness regulation blade

Номер патента: US11733643B2. Автор: Koji Abe,Atsushi Fukaya,Naoya Kamimura,Tomoya Ichikawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Developing device and layer thickness regulating member

Номер патента: US9239539B2. Автор: Koichi Watanabe,Takeshi Yasumoto,Dai Kanai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-01-19.

Method for modifying the bulk properties of materials by dielectric barrier discharges, materials and two-dimensional and three-dimensional articles obtainable by the method, and apparatus for implementing the method

Номер патента: WO2006082090A1. Автор: Giorgio Trani,Marion Sterner,Illya Kulyk,Leonardo Andreotti. Владелец: Leonardo Andreotti. Дата публикации: 2006-08-10.

Developing cartridge including supply roller, layer thickness regulation blade, and supply electrode electrically connected to both supply roller and layer thickness regulation blade

Номер патента: US20230341810A1. Автор: Koji Abe,Atsushi Fukaya,Naoya Kamimura,Tomoya Ichikawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Apparatus for controlling gas layer thickness on the surface of casting roll in twin roll strip caster

Номер патента: US20050253314A1. Автор: Yong-Gi Lee,Ju-Tae Choi,Han-Nam Cheong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-17.

Method for modifying the bulk properties of materials by dielectric barrier discharges, materials and two-dimensional and three-dimensional articles obtainable by the method, and apparatus for implementing the method

Номер патента: EP1856197A1. Автор: Giorgio Trani,Marion Sterner,Illya Kulyk,Leonardo Andreotti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-21.

Method for setting the layer thickness of a covering coating material to be applied to a substrate by an application device

Номер патента: US20210162734A1. Автор: Steven Flemming. Владелец: Koenig and Bauer AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Mems structure with an etch stop layer buried within inter-dielectric layer

Номер патента: US20170036905A1. Автор: Chung-Yi Chiu,Hui-Min Wu,Kuan-Yu Wang,Te-Yuan Wu,Chia-Huei Lin,Li-Che Chen,Kun-Che Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Establishing method of retinal layer auto-segmentation model, retinal layer quantification system, eye care device, method for detecting retinal layer thickness and retinal layer area, and method for assessing and predicting neurodegenerative disease

Номер патента: US20240180415A1. Автор: Ching-Ping Chang,Shu-Chun KUO,Jia-Yi HONG,Jui-Ti MA,Chung-Hsin TSENG. Владелец: Chi Mei Medical Center. Дата публикации: 2024-06-06.

Номер патента: US09746460B2. Автор: Volodymyr Lysenko,Mustapha Lemiti,Alain Geloen,Tetyana Nichiporuk,Tetiana Serdiuk,Yuriy Zakharko. Владелец: Institut National de la Sante et de la Recherche Medicale INSERM. Дата публикации: 2017-08-29.

Device for measuring complex transfer coefficients and reflection of microwave devices with frequency conversion

Номер патента: RU2687980C1. Автор: Константин Станиславович Коротков,Аким Алексеевич Бабенко,Даниил Русланович Фролов,Дмитрий Викторович Нереуцкий,Антон Сергеевич Левченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2019-05-17.

Method for increasing noise resistance of radar sensors with frequency selection

Номер патента: RU2756789C2. Автор: Владислав Яковлевич Носков,Кирилл Александрович Игнатков,Сергей Николаевич Шабунин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2021-10-05.

Номер патента: RU2707421C1. Автор: Борис Афанасьевич Беляев,Никита Михайлович Боев,Андрей Викторович Изотов,Георгий Витальевич Скоморохов,Иван Валерьевич Подшивалов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2019-11-26.

Device for measuring complex transmission and reflection coefficients of microwave devices with frequency conversion

Номер патента: RU2682079C1. Автор: Константин Станиславович Коротков,Аким Алексеевич Бабенко,Даниил Русланович Фролов,Антон Сергеевич Левченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2019-03-14.

Method for determining the electrophysical parameters of dielectric and magnetodielectric coatings with frequency dispersion in the microwave range

Номер патента: RU2758390C1. Автор: Александр Игоревич Казьмин,Павел Александрович Федюнин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2021-10-28.

Appliance for lubricating media boundary layers thickness measurement

Номер патента: RU2630545C1. Автор: Василий Геннадьевич Конесев,Фарит Наилович Янгиров,Артур Рамилевич Яхин,Дамир Фаткулбаянович Ибатуллин,Олег Борисович Трушкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный нефтяной технический университет". Дата публикации: 2017-09-11.

Device and method for measuring of layer thicknesses

Номер патента: CA2669372A1. Автор: Andreas Jakimov,Stefan Schneiderbanger,Manuel Hertter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-15.

Polymerisation method by dielectric heating of unsaturated fatty acids, unsaturated fatty acid esters, unsaturated hydrocarbons, or unsaturated derivatives of said products

Номер патента: CA2348722A1. Автор: Pierre Charlier De Chily. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-05-11.

Layer thickness measurement of soil covering

Номер патента: CA3020208C. Автор: Josef Alois Birchbauer,Jürgen HATZL,Stefan Wakolbinger,Claudia Windisch,Michael Hornacek,Michael Hodlmoser. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-02-16.

One-component developing apparatus having a developer layer thickness regulating member with an edge machined along a direction parallel to the surface of a developer holder member

Номер патента: US5232500A. Автор: Kazunori Hirose,Yukio Nishio,Masae Ikeda,Hideki Kamaji,Teturou Nakashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-08-03.

Method for calculating tear film lipid and aqueous layer thickness and corneal surface refractive index from interferometry data

Номер патента: WO2013082356A3. Автор: Alkan Gulses,Stanley W. Huth,Huawei Zhao,Denise Tran. Владелец: Abbott Medical Optics Inc.. Дата публикации: 2013-08-15.

Номер патента: RU2627123C1. Автор: Виталий Пантелеймонович Морозов,Роберт Рубенович Бабаян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук. Дата публикации: 2017-08-03.

Coated article with low-emissivity coating having barrier layer system(s) including multiple dielectric layers, and/or methods of making same

Номер патента: RU2609269C2. Автор: Херберт ЛАГЕ,Жозе ФЕРРЕЙРА,Пьер ПАЛЛОТТА. Владелец: Сантр Люксамбуржуа Де Решерш Пур Ле Верр Э Ля Серамик С.А. (С.Р.В.С.). Дата публикации: 2017-02-01.

Method and apparatus for ophthalmic devices including gradiently-ordered shaped liquid crystal layers and dielectric layers

Номер патента: RU2604571C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Фредерик А. ФЛИТШ,Рэндалл Брэкстон ПЬЮ,СИО Лучиано ДЕ,Правин ПАНДОДЖИРАО-С,Светлана СЕРАК,Нельсон В. ТЕБИРИАН,Олена УСКОВА. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2016-12-10.

Optical modulator, imaging device and display apparatus including a dielectric layer and an electrode comprising graphene

Номер патента: US09846317B2. Автор: Keisuke Shimizu,Kyoko Izuha,Koji Kadono,Masashi Bando,Nozomi Kimura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Layer thickness gradient control in multilayer polymeric bodies

Номер патента: US5389324A. Автор: Ray A. Lewis,Walter J. Schrenk,Ravi Ramanathan,David M. Wisniewski. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1995-02-14.