Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US11594545B2
Опубликовано: 28-02-2023
Автор(ы): Fumie KIKUSHIMA
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Microelectronic devices including staircase structures, related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240164083A1. Автор: Yuichi Yokoyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3942611A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20230328983A1. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US9064736B2. Автор: Ki-Hyun Hwang,Joon-Suk Lee,Woong Lee,Hun-Hyeong Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-23.

Memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425191B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A3. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Microelectronic devices including implant regions, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20230397418A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Martin J. BARCLAY,Zhiqiang Teo,Chun Wei Ee,Anson Lin,Yuwei MA,John D. Hopking. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of fabrication thereof a multi-level vertical memory device including inter-level channel connector

Номер патента: US11805643B2. Автор: Qian Tao,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324202A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240172440A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324222A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing split gate type nonvolatile memory device

Номер патента: US20050095785A1. Автор: Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-05.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230247834A1. Автор: Gukhyon Yon,Soyeong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240023330A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230292507A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220157849A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11963351B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods of manufacturing a magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US09577183B2. Автор: KEN Tokashiki,Kyoung-Sun Kim,Woo-Jin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20210043833A1. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Methods of forming an apparatus, and related apparatuses, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20200194438A1. Автор: Yu Jen Lin,Oscar O. Enomoto,Chia Wei Tsai,Chin Chuan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Method of manufacturing a capacitor and method of manufacturing a dynamic random access memory device using the same

Номер патента: US20080070361A1. Автор: Se-Young Park,Jung-Hyeon Lee,Kwang-sub Yoon,Bong-Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120132985A1. Автор: Satoshi Nagashima,Naoki Kai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Memory device, semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230320063A1. Автор: Lin TANG,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods Of Manufacturing Non-Volatile Phase-Change Memory Devices

Номер патента: US20120088347A1. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Memory device including vertical stack structure, method of fabricating the same, and electronic device including memory device

Номер патента: US20230093892A1. Автор: Doyoon KIM,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Yumin KIM,Seungyeul YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Microelectronic devices including staircase structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240079057A1. Автор: Paolo Tessariol,Umberto Maria Meotto,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Resistive memory device and manufacturing method of the resistive memory device

Номер патента: US20230240157A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Microelectronic devices, related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240074142A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming a memory device at a backside of a wafer substrate, and memory cell including a memory device at a backside of a wafer substrate

Номер патента: US20240023463A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7972927B2. Автор: Yoshio Ozawa,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device having grooves isolating the floating electrodes of memory cells and method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7026683B2. Автор: Seiichi Mori,Hiroaki Tsunoda,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-04-11.

Semiconductor Memory Device with a Buried Drain and Its Memory Array

Номер патента: US20120273866A1. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030098485A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Memory device

Номер патента: US20240349503A1. Автор: Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of forming isolation film of semiconductor memory device

Номер патента: KR101002474B1. Автор: 김은수,조휘원,조종혜. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-12-17.

Method of Forming Isolation Layer of Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20080206957A1. Автор: Min Sik Jang,Kwang Hyun Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of Forming Isolation Layer of Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20090170321A1. Автор: Whee Won Cho,Jong Hye Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of forming isolation structure of semiconductor memory device

Номер патента: US20080242047A1. Автор: Doo Ho Choi,Kwang Hyun Yun,Wan Sup SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US7553728B2. Автор: Makoto Mizukami,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20240315153A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A2. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A3. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory device, integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357805A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: Ipcell Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory devices including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatuses including memory device

Номер патента: US20240215250A1. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189136A1. Автор: Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device

Номер патента: US20080142776A1. Автор: Harald Seidl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Anti-fuse memory device, memory array, and programming method of an anti-fuse memory device for preventing leakage current and program disturbance

Номер патента: US11783905B2. Автор: Chun-Hung Lin,Cheng-Da Huang,Chieh-Tse Lee,Ting-Yang Yen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for manufacturing semiconductor structure with memory device

Номер патента: US12010924B2. Автор: Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Chien-Hua Huang,Chen-Chiu Huang,Chang-Lin Yang,Chih-Pin CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Non-volatile memory device including ferroelectrics and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250337A1. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230065769A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282770A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Resistive memory device including ferroelectrics and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190109279A1. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US11996405B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050164442A1. Автор: Takashi Moriyama,Tetsuo Adachi,Keiichi Haraguchi,Naohiro Hosoda,Kenji Kanamitsu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Integrated thin film resistor and memory device

Номер патента: US11742283B2. Автор: Kah Wee Gan,Yun Ling Tan,Benfu Lin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120295413A1. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8450182B2. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor memory device with a buried drain and its memory array

Номер патента: US8994095B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-31.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219934A1. Автор: ByeongJu Bae,Duckhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140103283A1. Автор: Kwon Hong,Kee-Jeung Lee,Beom-Yong Kim,Woo-young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11805710B2. Автор: Heejung Kim,Taehong Min,Chorong Park,Joohee SEO,Eunsuk HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US20230052035A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US20080081450A1. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20200027926A1. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20190013359A1. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20180138242A1. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US09577010B2. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140061571A1. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8916949B2. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Dynamic semiconductor memory cell with random access and method for its production

Номер патента: US4476545A. Автор: Wolfgang Mueller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-10-09.

Resistive memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230389338A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device containing COB and method of forming the same

Номер патента: KR100301038B1. Автор: 이주영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-09-06.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of fabricating storage capacitor in semiconductor memory device, and storage capacitor structure

Номер патента: US6911372B2. Автор: Wook-sung Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-28.

Method of fabricating capacitor in ferroelectric semiconductor memory device

Номер патента: KR100717767B1. Автор: 최은석,염승진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-11.

Semiconductor memory device having capacitor and method for forming the same

Номер патента: KR100597634B1. Автор: 박제민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique

Номер патента: US09831289B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Microelectronic devices including staircase structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: WO2021173298A1. Автор: Lifang Xu,Nancy M. LOMELI,Shuangqiang Luo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082410B2. Автор: Hyung Joon Kim,Hyun Jung Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory and method of manufacturing same

Номер патента: US6326659B1. Автор: Takashi Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240365532A1. Автор: Ji Ho Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Jun Soo Kim,Ho Sang LEE,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357799A1. Автор: Byoung Wook Jang,Kang-Uk Kim,Jin A Kim,Young-Seung Cho,Choong Hyun LEE,Joon Cheol KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device for eliminating floating body effect and method of fabricating the same

Номер патента: US6806140B1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim,Won-suk Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-19.

Non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US11716914B2. Автор: Juan Boon Tan,Jianxun Sun,Tupei Chen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284802A1. Автор: Jun Ho Jeong,Hee Ju SHIN,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349615A1. Автор: Jun Ho Park,Byoung Jae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing an integrated semiconductor memory device

Номер патента: DE19640271C1. Автор: Guenther Dr Schindler,Walter Hartner,Carlos Dr Mazure-Espejo. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-03-05.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Spin orbit torque materials, magnetic memory device including the same, and method for fabricating the spin orbit torque materials

Номер патента: EP4447644A1. Автор: Daesu Lee,Won Joon CHO,Yongjoo JO. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-10-16.

Spin orbit torque materials, magnetic memory device including the same, and method for fabricating the spin orbit torque materials

Номер патента: US20240349623A1. Автор: Daesu Lee,Won Joon CHO,Yongjoo JO. Владелец: Pohang University of Science and Technology Foundation POSTECH. Дата публикации: 2024-10-17.

A semiconductor memory device and a manufacturing method of the same

Номер патента: EP0593865A2. Автор: Hirotada c/o Mitsubishi Denki K.K. LSI Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Light-emitting device, method of manufacturing the same, and operating method of the same

Номер патента: US20220293880A1. Автор: Won-Joon SON,Sunghan Kim,Seungyeon Kwak,Kyuyoung HWANG,Hyeonho CHOI,Byoungki CHOI,Muhyun Baik,Seoungtae Kim,Seungyeol Baek,Jinhoon JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-15.

OLED display panel and manufacturing method thereof, display device and filling method of filling adhesive

Номер патента: US09768406B2. Автор: Kaihong MA,Zhongyuan Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

OLED package device and package method of OLED panel

Номер патента: US09590206B2. Автор: Kai Shi,Lindou CHEN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Package structure, display panel, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190214597A1. Автор: Yunfei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20210408501A1. Автор: Qing Zhang,Quanpeng YU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Visible light communication device, display substrate, display device and manufacturing method of the display substrate

Номер патента: US20240244854A1. Автор: Rui Huang,Weijie Wang,Yujie Liu,Zhongyuan Sun,Renquan Gu,Biqi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Display panel, display device and manufacturing method of display panel

Номер патента: US09978818B2. Автор: Zhongshou Huang,Zhiliang Wang,Zhiyong XIONG. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing three-dimensional semiconductor memory device in which an oxide layer is formed at bottom of vertical structure of the device

Номер патента: US09490130B2. Автор: Youngwoo Park,Jin-Soo Lim,Hansoo Kim,Byoungkeun Son,Sung-hwan Jang,Jong In Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory and method of writing data into the semiconductor memory

Номер патента: US20080144359A1. Автор: Keiichi Hashimoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Ferroelectric material, method of manufacturing the same, semiconductor memory, and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2238857C. Автор: Akira Kamisawa,Norifumi Fujimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11804429B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230380160A1. Автор: Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12027511B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory devices, memory systems, and methods of operating the semiconductor memory devices

Номер патента: US20200218611A1. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Uhn CHA,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor memory device, electronic apparatus, and method of reading data

Номер патента: US20200373313A1. Автор: Masanori Tsukamoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09793277B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09653467B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of detecting an etch by-product and methods of manufacturing a magnetoresistive random access memory device using the same

Номер патента: US09318697B2. Автор: Won-Jun Lee,Jin-Hye Bae,Taek-Dong Chung,Sung-Yoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-19.

Tunnel insulation layer structures, methods of manufacturing the same, and vertical memory devices including the same

Номер патента: US20150279955A1. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Young-Jin Noh,Kwang-Min Park,Jae-Ho Choi,Bi-O KIM,Eun-Yeoung CHOI,Ju-Mi YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Tunnel insulation layer structures, methods of manufacturing the same, and vertical memory devices including the same

Номер патента: US09698233B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Young-Jin Noh,Kwang-Min Park,Jae-Ho Choi,Bi-O KIM,Eun-Yeoung CHOI,Ju-Mi YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Method of forming metal line of semiconductor memory device

Номер патента: US20080003814A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Hee Hong,Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20220367807A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of manufacturing sidewall spacers on a memory device

Номер патента: US20130161700A1. Автор: Panda Durga,Robert Kerr,Jaydip Guha. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055270A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Memory devices, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20180182761A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09799404B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory devices, memory systems and methods of operating nonvolatile memory devices for processing user data

Номер патента: US10672479B2. Автор: Chan-Ik Park,Sang-Hoan Chang,Taek-Soo Kim,Hyun-Sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing a semiconductor chip including the same

Номер патента: US20180342669A1. Автор: Jeong-Heon Park,Dae-Shik Kim,Gwan-Hyeob Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing a semiconductor chip including the same

Номер патента: US10388859B2. Автор: Jeong-Heon Park,Dae-Shik Kim,Gwan-Hyeob Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-20.

Microelectronic devices including stair step structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20210398997A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Microelectronic devices including stack structures having air gaps, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12052862B2. Автор: Byeung Chul Kim,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Microelectronic devices including voids neighboring conductive contacts, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12040223B2. Автор: John D. Hopkins,Madison D. Drake,Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Microelectronic devices including differently sized conductive contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12040274B2. Автор: Lifang Xu,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Lingyu Kong,Sok Han Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Liquid Crystal Display Device and a Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20110195534A1. Автор: Kiyohiro Kawasaki. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-08-11.

Method of initializing and driving 3D non-volatile memory device using time varying erase signal

Номер патента: US09754673B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device, gate stack and method for manufacturing the same

Номер патента: US09537016B1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Chun-Heng Liao,Hau-yan Lu,Chun-Yao Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20130109170A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Shintaro Sato,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20150207074A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Display device and an inspection method of a display device

Номер патента: EP3866148A1. Автор: Kyun Ho KIM,Bong Im Park,Yong Jin SHIN,Uk Jae JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Display device and bonding detection method of display device

Номер патента: US20220084894A1. Автор: Wei Li,Chienpang HUANG,Chuntong JIANG,Kaifang ZHU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Automatic detecting device and automatic detecting method of manufacturing equipment

Номер патента: US20220004180A1. Автор: Ching-Pei Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of fabricating a charge trap NAND flash memory device

Номер патента: US9224873B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device and a testing method of the same

Номер патента: US7816154B2. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Semiconductor Device, A Method of Manufacturing A Semiconductor Device and A Testing Method of the Same

Номер патента: US20110018573A1. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

High voltage semiconductor device and the associated method of manufacturing

Номер патента: US20140015017A1. Автор: Lei Zhang,Ji-Hyoung Yoo. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Memory device, memory circuit and manufacturing method of memory circuit

Номер патента: US20230189499A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US11791273B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device power managers and methods

Номер патента: US20100191999A1. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Light emitting device, display apparatus with an array of light emitting devices, and display apparatus method of manufacture

Номер патента: CA2353326C. Автор: Kunihiro Izuno,Yuichi Fujiwara,Yoshifumi Nagai. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Memory device and layout, manufacturing method of the same

Номер патента: US20230354572A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory Devices, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190296021A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240032304A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device isolation structure and method

Номер патента: US20230335582A1. Автор: Dan Mihai Mocuta,Shivani Srivastava,Toshihiko Miyashita,Bingwu Liu,Stephen David Snyder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20150302932A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Microelectronic devices including stair step structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: WO2022132382A1. Автор: Brett D. Lowe,Shuangqiang Luo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: WO2013161595A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

Microelectronic devices including conductive levels having varying compositions, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: WO2022203776A1. Автор: Rita J. Klein,Yiping Wang,John D. Hopkins,Yongjun J. Hu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Rajesh Balachandran. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-29.

Microelectronic devices including conductive levels having varying compositions, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20220310522A1. Автор: Rita J. Klein,Yiping Wang,John D. Hopkins,Yongjun J. Hu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Rajesh Balachandran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240079322A1. Автор: Darwin A. Clampitt,David NEUMEYER,Shruthi Kumara Vadivel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Microelectronic devices including staircase structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20210265371A1. Автор: Lifang Xu,Nancy M. LOMELI,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Microelectronic devices including conductive structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20220051991A1. Автор: John D. Hopkins,Marko Milojevic,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods of fabricating a three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20150079742A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-19.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US11742039B2. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US20230230646A1. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Microelectronic devices including slot structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12027460B2. Автор: Adam W. Saxler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Panel structure, display device, and alignment detection method of panel structure

Номер патента: US11320700B2. Автор: Jiaxin Li. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-03.

A developing device and a developing method of substrate

Номер патента: US20210356808A1. Автор: PENG Ding. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Panel structure, display device, and alignment detection method of panel structure

Номер патента: US20220066268A1. Автор: Jiaxin Li. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US20230091464A1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-23.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Organic electroluminescence display device, method for producing same, color filter substrate and method for producing same

Номер патента: US20120012834A1. Автор: Tohru Sonoda,Emi Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Display panel, display device and display panel fabrication method

Номер патента: EP3694011A1. Автор: CHENG Chen,Kui Gong,Xianxue Duan,Dezhi Xu,Chengcheng Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Display panel, display device, and fabricating method of display panel

Номер патента: US20240251643A1. Автор: Yang Gao,Haowei Wang,Yuanming Zhang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: US20240235222A9. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Terminal device and antenna manufacturing method of terminal device

Номер патента: EP4106101A1. Автор: BIN Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: US20240136834A1. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Terminal device and antenna manufacturing method of terminal device

Номер патента: US20230246325A1. Автор: BIN Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of adjusting operating conditions for semiconductor memory device

Номер патента: US11763904B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of adjusting operating conditions for semiconductor memory device

Номер патента: US20230069683A1. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of adjusting operating conditions for semiconductor memory device

Номер патента: US20220059175A1. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09851912B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09514827B1. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Device and transmission/reception method of figure of package data in mobile communication system

Номер патента: RU2349032C1. Автор: Хван-Дзоон КВОН,Дзунг-Соо ДЗУНГ,Беом-Сик БАЕ,Дае-Гиун КИМ,Йоун-Сун КИМ,Дзин-Киу ХАН,Донг-Хи КИМ,Ю-Чул КИМ,Дае-Гиун КИМ (KR),Дзин-Киу ХАН (KR),Хван-Дзоон КВОН (KR),Донг-Хи КИМ (KR),Дзунг-Соо ДЗУНГ (KR),Беом-Сик БАЕ (KR),Ю-Чул КИМ (KR),Йоун-Сун КИМ (KR). Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-03-10.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: US12108138B2. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Communication device and call transfer method of same

Номер патента: US20130157635A1. Автор: Qiang You. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Power supply system, electronic device, and electricity distribution method of electronic device

Номер патента: US09935467B2. Автор: Zhiji DENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory device, memory system, and method of manufacturing memory device

Номер патента: US12020737B2. Автор: Hisanori Aikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Display device and haptic feedback method of the same

Номер патента: US11762469B2. Автор: Jung Hun NOH,Yi Joon Ahn,Ga Na KIM,Jae Been LEE,Eun Kyung Yeon,So Young YEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Display device and image display method of the same

Номер патента: EP3699902A1. Автор: Kwansik Yang,Kilsoo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-26.

HDMI-CEC device and address allocation method of HDMI-CEC device network

Номер патента: US09411768B2. Автор: Jeng-Li Huang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Display device and visibility improvement method of image therefor

Номер патента: US20240274102A1. Автор: Ji Won Lee,Yong Hee Kim,Seung Hyun Lee,Hee Jin Lee,Jun Min Lee,Byung Cheol Song,Jun Ho HEO,Seung Wan Yu,Se Ha JEONG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display device and visibility improvement method of image therefor

Номер патента: EP4418254A1. Автор: Ji Won Lee,Yong Hee Kim,Seung Hyun Lee,Hee Jin Lee,Jun Min Lee,Byung Cheol Song,Jun Ho HEO,Seung Wan Yu,Se Ha JEONG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Network processing device and networks processing method of communication frames

Номер патента: EP3809639A1. Автор: Keiichiro Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-21.

Wireless network system, wireless device, and network registration method of the wireless device

Номер патента: US09838122B2. Автор: Young-jun Choi,Seong-man Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055271A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: EP2904883A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

A memory device search system and method

Номер патента: WO2001052068A1. Автор: David L. Sherman. Владелец: Gigabus, Inc.. Дата публикации: 2001-07-19.

Systems and Methods for an Internal Clock Tree Structure in a Memory Device

Номер патента: US20240371421A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Electronic device and direction switching method of the electronic device

Номер патента: US09445168B2. Автор: Tao Li,Dejun Wang,Shaoping PENG,Yifei Song,Shunyong Yang. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US10997020B2. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-04.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230359524A1. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US11740967B2. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Systems and methods of decoding error correction code of a memory device with dynamic bit error estimation

Номер патента: US12009840B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Avi STEINER,Ofir Kanter. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US12057180B2. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

System and method for generating position error signals within a computer memory device

Номер патента: WO1998054709A1. Автор: Karl A. Belser. Владелец: Seagate Technology, Inc.. Дата публикации: 1998-12-03.

Predictive coding method, predictive coding device and predictive coding method of motion vector and predictive decoding method, predictive decoding device and motion vector prediction decoding program

Номер патента: RU2731026C1. Автор: Чоонг Сенг БООН,Йосинори СУДЗУКИ,Акира ФУДЗИБАЯСИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2020-08-28.

Camera device and auto-focusing method of varying focal length according to time variation

Номер патента: US20180097987A1. Автор: Kuo-Yeh Hsieh,Chung-Cheng CHENG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Electronic device and frame transmission method of electronic device

Номер патента: US11757789B2. Автор: Han-Yi Hung,Yi-Kuang Ko,Sheng-Pin Lin,Cheng-Yan Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: EP4254973A1. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Memory device, memory system and method for operating memory system

Номер патента: US20230376207A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Photographing device and self-adaptive method of software functions and photographing parameters thereof

Номер патента: US20230319389A1. Автор: Binbin Wang,Jun Hou,Yanli Huang. Владелец: Shenzhen Apeman Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Electronic device, system of electronic device, and system operating method of electronic device

Номер патента: US20200293262A1. Автор: Dae Won Kim,Ho Jung Lee,Young Seok Kim,Kee Hyun Nam,Hyoung Cheol Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: EP4358354A1. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor device and power off method of a semiconductor device

Номер патента: US20230315179A1. Автор: Dae Hwan Kim,Young Hoon Lee,Ho-Yeon JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: CA3212739A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2022-09-29.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: AU2022245816A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2023-09-28.

Mobile communication device and computer-implemented method of operating a mobile communication device

Номер патента: US20240056930A1. Автор: Jeroen Frederik Jan Stoker,Timon van den Brink,Roland Matthijs Zonneveld. Владелец: Lyfo BV. Дата публикации: 2024-02-15.

Clamping device, electronic device and remote control method of electronic device

Номер патента: US20230362488A1. Автор: Chun-Wei Lu,Chi-Hwa Ho,Yea-Chin Yeh,Yi-Teng Tsai. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Camera device and auto-focusing method of varying focal length according to time variation

Номер патента: US10237471B2. Автор: Kuo-Yeh Hsieh,Chung-Cheng CHENG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2019-03-19.

Touch display device and touch driving method of same

Номер патента: US11768556B2. Автор: Jian Ye. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Electronic device, and wireless communication method of electronic device

Номер патента: US20190246428A1. Автор: Soo-Jin Park,Su-Ha Yoon,Eui-Chang JUNG,Sung-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-08.

Image forming apparatus configured to partition menu information transmitted from a main device to a control device, control device, and screen display method of performing same

Номер патента: US10491763B2. Автор: Hisashi NAITOH. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Projection device and safety protection method of projection device

Номер патента: US20240215133A1. Автор: Sheng-Han Yang,Yao Lei Huang. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Wireless network system, wireless device, and network registration method of the wireless device

Номер патента: CA2824968C. Автор: Young-jun Choi,Seong-man Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and data outputting method of the same

Номер патента: US20090167413A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Induction heating device and vessel-sensing method of the induction heating device

Номер патента: US11672053B2. Автор: Shinjae Jeong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-06-06.

Image sensing device and image processing method of the same

Номер патента: US20230300481A1. Автор: Hee Kang,Chan Young Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

External data-input device and speech inputting method of portable electronical device

Номер патента: US20030008678A1. Автор: Winky Lin. Владелец: Silitek Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Display device and image display method of display device

Номер патента: US20200059627A1. Автор: Keita SANO. Владелец: NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11778805B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12082395B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240373620A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device structure

Номер патента: US09966349B2. Автор: John Moore,Joseph F. Brooks. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Asymmetric semiconductor memory device having electrically floating body transistor

Номер патента: US09524970B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device including capacitor

Номер патента: EP3823022A3. Автор: Dong Ku Kang,Chan Ho Kim,Bong Soon LIM,Kyung Hwa YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-14.

Semiconductor memory device and apparatus including the same

Номер патента: US12080649B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6157061A. Автор: Masato Kawata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Memory devices including barrier layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060077743A1. Автор: Hyun-Sang Hwang,Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor storage device including staggered semiconductor memory devices on opposed surfaces

Номер патента: US20240260194A1. Автор: BO Yang,Chun Sean Lau,Fu Xing Chan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040214394A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180137919A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210104527A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11950405B2. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220285356A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130187216A1. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20180277546A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11778807B2. Автор: Jungwoo Song,Jun Ho Lee,Yong Kwan Kim,Kwangmin Kim,Sangyeon HAN,Hyuckjin Kang,Seguen Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180350440A1. Автор: Sang Hyun Jang,Kyoung Jin PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US8043952B2. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120112155A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor memory devices including an air gap and methods of fabricating the same

Номер патента: US9166012B2. Автор: Jong-Min Lee,Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Memory device using spin hall effect and methods of manufacturing and operating the memory device

Номер патента: US09530478B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US10418377B2. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-17.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US20180233512A1. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8445349B2. Автор: Mitsuhiko Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130023099A1. Автор: Mitsuhiko Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230290409A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Shuangqiang Luo,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2022132537A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Shicong Wang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US09780115B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US09379005B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory modules, memory systems and methods of operating memory modules

Номер патента: US20200326865A1. Автор: Jung-hwan Choi,Jin-Seok Heo,Chang-kyo LEE,Yoo-Chang Sung,Wang-Soo KIM,Ki-Duk Park,Jin-Sung Youn,Ju-Ho JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory modules, memory systems and methods of operating memory modules

Номер патента: US20190179553A1. Автор: Jung-hwan Choi,Jin-Seok Heo,Chang-kyo LEE,Yoo-Chang Sung,Wang-Soo KIM,Ki-Duk Park,Jin-Sung Youn,Ju-Ho JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of certifying safety levels of semiconductor memories in integrated circuits

Номер патента: US11042688B1. Автор: Ching-Wei Wu,Hidehiro Fujiwara,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Ming-En Bu. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor device having a sealing layer covering a semiconductor memory unit and a memory controller

Номер патента: US09543271B2. Автор: Manabu Matsumoto,Isao Ozawa,Akira Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130237029A1. Автор: NANSEI Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150372079A1. Автор: FUKUMURA Tatsuya,NAITO Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Phase Changeable Memory Device Having Dielectric Layer for Isolating Contact Structures Formed by Growth, Semiconductor Memory Device Having The Same, And Methods of Manufacturing The Same and The Semiconductor Device

Номер патента: KR101019986B1. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11925028B2. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220068962A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130134A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11778821B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210265389A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Asymmetric Semiconductor Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20230354581A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220384525A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240147738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Device for exhaust gas heat utilization, exhaust gas module having such a device, and method of manufacturing the device

Номер патента: US09991435B2. Автор: Anh-Duy Khuc. Владелец: Faurecia Emissions Control Technologies Germany GmbH. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory with U-shaped channel

Номер патента: US09741727B2. Автор: WEI Liu,Pengfei Wang,LEI Liu,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device, and a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080203466A1. Автор: Takeshi Sakai,Tsutomu Okazaki,Yasushi Ishii,Yuichi Tsukada,Toshikazu Matsui,Satoru Machida,Kyoya Nitta,Masaru Nakamichi,Munekatsu Nakagawa. Владелец: Munekatsu Nakagawa. Дата публикации: 2008-08-28.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240234339A9. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Altering breakdown voltages in gate devices and related methods and systems

Номер патента: US20230223434A1. Автор: Haitao Liu,Naveen KAUSHIK,Chittoor Ranganathan Parthasarathy,Gaurav Musalgaonkar,Sonam Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Altering breakdown voltages in gate devices and related methods and systems

Номер патента: US12080756B2. Автор: Haitao Liu,Naveen KAUSHIK,Chittoor Ranganathan Parthasarathy,Gaurav Musalgaonkar,Sonam Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Buffer die in stacks of memory dies and methods

Номер патента: US09691444B2. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

A method of manufacturing a static semiconductor memory device and a bipolar transistor, and a semiconductor device having the same

Номер патента: KR970072408A. Автор: 히로키 혼다,토모히사 와다,히로토시 사토. Владелец: 미쓰비시 덴키 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-11-07.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010019150A1. Автор: Hajime Kimura,Kenji Kawai,Kazuyuki Ohmi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Memory device having a container-shaped electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332349A1. Автор: Yao-Hsiung Kung,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210081278A1. Автор: Kwang-Il Park,Seung-Jun Bae,Sang-Uhn CHA,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS, AND METHODS OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200218611A1. Автор: KIM KYUNG-RYUN,Seo Young-Hun,CHA SANG-UHN. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS, AND METHODS OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190243708A1. Автор: KIM KYUNG-RYUN,Seo Young-Hun,CHA SANG-UHN. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190250985A1. Автор: Park Kwang-il,BAE Seung-Jun,Seo Young-Hun,CHA SANG-UHN. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180130737A1. Автор: Yung Jun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of forming zro2 thin film using plasma enhanced atomic layer deposition and method of manufacturing capacitor of semiconductor memory device having the thin film

Номер патента: KR100640654B1. Автор: 박정민,송민우,원석준,권대진,김원홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-01.

Microelectronic device interface configurations, and associated methods, devices, and systems

Номер патента: US12033945B2. Автор: Satoru Sugimoto,Hiroki Hosaka,Hayato Oishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system and processing method of memory system

Номер патента: US20230282289A1. Автор: Masayuki Miura,Hitomi Tanaka,Yoshihiro Ohba,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Tatsuro Hitomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Manufacturing method of semiconductor device, manufacturing method of electronic appliance, semiconductor device, display device, memory device, and electronic appliance

Номер патента: US09947802B2. Автор: Masayuki Kimura,Yukiko TOJO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of arranging pads in semiconductor device, semiconductor memory device using the method, and processing system having mounted therein the semiconductor memory device

Номер патента: US8680524B2. Автор: Chi-Sung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-25.

Semiconductor memory with vertical memory transistors and method for fabricating it

Номер патента: TWI239639B. Автор: Franz Hofmann,Thomas Schulz,Michael Specht,Erhard Landsgraf,R Johannes Lyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220068963A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Nano semiconductor switch device using electromechanism of cabon nano tube and method of fabricating the same and semiconductor memory device using electromechanism of cabon nano tube and method for driving the same

Номер патента: KR100652410B1. Автор: 이선우,최영문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-01.

Semiconductor device having a sealing layer covering a semiconductor memory unit and a memory controller

Номер патента: US20160268229A1. Автор: Manabu Matsumoto,Isao Ozawa,Akira Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Microelectronic devices including staircase structures, and related methods, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230307350A1. Автор: Lifang Xu,Richard J. Hill,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20230301081A1. Автор: Lifang Xu,Christopher J. Larsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Embedded recess in polymer memory package and method of making same

Номер патента: US20030017643A1. Автор: JIAN Li,Xiao-Chun Mu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230127162A1. Автор: Junhyung Kim,Jinyoung Park,Kibog PARK,Sungchul JUNG,Seokhyeong Kang,Wonho SONG,Jaehyeong JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US12127401B2. Автор: Lifang Xu,Christopher J. Larsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US09620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20240250033A1. Автор: XIAO Li,Lifang Xu,Shuangqiang Luo,Jivaan Kishore Jhothiraman,Mohad Baboli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240276730A1. Автор: Dong Hun Lee,Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, CAPACITANCE ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140284688A1. Автор: KITO Masaru,HIRAI Takahiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor memory device

Номер патента: KR100187371B1. Автор: 이강현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-20.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor memory device

Номер патента: KR0184065B1. Автор: 임준희. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-03-20.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240237338A9. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory devices and related electronic systems

Номер патента: US20240170427A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods of forming microelectronic devices including voids neighboring conductive contacts, and related electronic systems

Номер патента: US20240339357A1. Автор: John D. Hopkins,Madison D. Drake,Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods of forming microelectronic devices including differently sized conductive contact structures

Номер патента: US20240347464A1. Автор: Lifang Xu,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Lingyu Kong,Sok Han Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130252388A1. Автор: Matsuno Koichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of Manufacturing Three Dimensional Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20150104916A1. Автор: Hwang Ki-Hyun,Lee Joon-Suk,Lim Hun-Hyeong,LEE Woong. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Methods of Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20150126007A1. Автор: LEE Seung-yup,KIM JinGyun,LEE Myoungbum,SHIN Seungmok,Jang Kyung-Tae,SOHN YEON-SIL,Choi Dae-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, MOVING UNIT, MANUFACTURING METHOD OF PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20200127035A1. Автор: Suzuki Atsushi,Iwata Koichiro,Yamazaki Kazuo,Takada Hideaki,Ohtani Akira,Watanabe Takanori,KATO Tatsunori,Ishii Ryunosuke,Oseto Akira. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor memory device

Номер патента: KR100399940B1. Автор: 오종혁,김재옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-29.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor memory device

Номер патента: KR100445069B1. Автор: 조직호,유곤식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-21.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor memory device

Номер патента: KR100825020B1. Автор: 한상엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device having a gate stack

Номер патента: US20090068808A1. Автор: Jung-hyun Lee,Hyun-Sang Hwang,Chung-woo Kim,Soo-doo Chae,Moon-kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of manufacturing a stacked semiconductor memory device

Номер патента: KR100681262B1. Автор: 이종욱,손용훈,강성관. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-09.

Method of manufacturing 3-Dimensional Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR20170030283A. Автор: 공근규,안정훈,심재희. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2017-03-17.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6756272B1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-29.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device storing charge in gate insulating layer therein

Номер патента: US20010041434A1. Автор: Akihiro Nakamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11978737B2. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Microelectronic devices and memory devices including conductive levels having varying compositions

Номер патента: US20230154856A1. Автор: Rita J. Klein,Yiping Wang,John D. Hopkins,Yongjun J. Hu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Rajesh Balachandran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Isolator and method of forming an isolator

Номер патента: US09941565B2. Автор: Michael MORRISSEY,Stephen O'Brien,Baoxing Chen,Michael John Flynn,Patrick M. MCGUINNESS,Laurence B. O'SULLIVAN,Shane Geary,Bernard P. Stenson,Conor John McLoughlin,Sarah Carroll. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory module and method of arranging terminals in the semiconductor memory module

Номер патента: KR100791003B1. Автор: 백승덕,강선원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-03.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device based on igo channel layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20240224527A1. Автор: Xuan Wang,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Hyeon Joo SEUL,Hoon Hee HAN,Soon Oh Jeong. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and an operating method of the same

Номер патента: US5381367A. Автор: Takeshi Kajimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-10.

Semiconductor memory element, semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20030094647A1. Автор: Taro Osabe,Tomoyuki Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Memory device having a container-shaped electrode

Номер патента: US20240332348A1. Автор: Yao-Hsiung Kung,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and the manufacturing method of said device

Номер патента: TW480709B. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2002-03-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF READING DATA

Номер патента: US20200373313A1. Автор: TSUKAMOTO MASANORI. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor memory device having capacitor and method of forming the same

Номер патента: KR100414204B1. Автор: 박정우,하정민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-01-07.

Semiconductor memory device having capacitor and method of forming the same

Номер патента: US20030017667A1. Автор: Jung-Woo Park,Jung-Min Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-23.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming isolation film of semiconductor memory device

Номер патента: KR100822606B1. Автор: 이상수,신승우,동차덕,정우리,손현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-16.

Manufacturing method of multi-layer capacitor of semiconductor memory device

Номер патента: KR940009633B1. Автор: 김재갑. Владелец: 정몽헌. Дата публикации: 1994-10-15.

Manufacturing method of capacitor of highly integrated semiconductor memory device

Номер патента: KR940009612B1. Автор: 조현진,오경석,안지홍. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-10-15.

Method of forming capacitor of a semiconductor memory device

Номер патента: US6673668B2. Автор: Ki-Seon Park,Kyong-Min Kim,Han-Sang Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Apparatuses including interconnect structures including dielectric material surrounded by conductive material, and related memory devices

Номер патента: US20240290722A1. Автор: XIAO Li,Rita J. Klein,Lifang Xu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09472559B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

METHOD OF FABRICATING A THREE-DIMENTIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130164894A1. Автор: KIM Hansoo,SON Byoungkeun,Kim Jinho,Lee Wonjun,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

METHOD OF FABRICATING A THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150318302A1. Автор: PARK Sang-Yong,PARK Jintaek. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Method of fabricating a capacitor for semiconductor memory device

Номер патента: KR940006677B1. Автор: 양수길,최원택. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-07-25.

Method of forming pad layer in semiconductor memory device

Номер патента: KR970054130A. Автор: 이주영,장순규. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING CAPACITOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME.

Номер патента: FR2680913A1. Автор: Ji-Hong Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-03-05.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US20090061613A1. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor memory with vertical memory transistors and method for fabricating it

Номер патента: TW200405558A. Автор: Franz Hofmann,Thomas Schulz,Michael Specht,Erhard Landsgraf,R Johannes Lyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor memory with vertical memory transistors and method for production thereof

Номер патента: AU2003267005A1. Автор: Franz Hofmann,Thomas Schulz,Michael Specht,Richard Johannes Luyken,Erhard Landgraf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-29.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20240268096A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US09929172B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY STORAGE ARRAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140077150A1. Автор: HO Chia-Hua,LEE MING-DAOU,CHIU WEN-CHENG,HSU CHO-LUN. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2014-03-20.

METHOD OF MANUFACTURING A MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR CHIP INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180342669A1. Автор: Kim Dae-Shik,KOH Gwan-hyeob,Park Jeong-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor memory element, semiconductor device and control method thereof

Номер патента: TW584961B. Автор: Taro Osabe,Tomoyuki Ishii. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-21.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Array substrate, manufacturing method of array substrate and display device

Номер патента: US09929183B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Thin film transistor device and method of manufacturing the same, and liquid crystal display device

Номер патента: US6900464B2. Автор: Kenichi Yanai,Seiji Doi,Kazushige Hotta,Takuya Hirano. Владелец: Fujitsu Display Technologies Corp. Дата публикации: 2005-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory devices including conductive rails, and related methods and electronic systems

Номер патента: US20230335493A1. Автор: John D. Hopkins,John A. Smythe,Jordan D. GREENLEE,Francois H. Fabreguette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Solid-state imaging device and information processing method of solid-state imaging device

Номер патента: EP3571835A1. Автор: Eiji Hirata,Yusuke Minagawa,Toru Akishita,Masafumi Kusakawa,Yoshinobu FURUSAWA,Taishin Yoshida,Ikuhiro Tamura,Takahiro Akahane,Marie Toyoshima,Tomohiro Morimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-11-27.

Solid-state imaging device and information processing method of solid-state imaging device

Номер патента: WO2018135142A1. Автор: Eiji Hirata,Yusuke Minagawa,Toru Akishita,Masafumi Kusakawa,Yoshinobu FURUSAWA,Taishin Yoshida,Ikuhiro Tamura,Takahiro Akahane,Marie Toyoshima,Tomohiro Morimoto. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-26.

Systems and Methods Involving Data Bus Inversion Memory Circuitry, Configuration(s) and/or Operation

Номер патента: US20160364348A1. Автор: Lee-Lean Shu. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Wafer transfer device and wafer transfer method of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US12080579B1. Автор: Wen-Ping Tsai,Tsang-Yi Wang. Владелец: Scientech Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20240332458A1. Автор: Qi Qi,Lei Wu,Huan WANG,Pengwei Wang,Pengwei ZHANG,Yuxuan BAI,Pengju HU,Shiwei HAN. Владелец: BOE Jingxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Wafer transfer device and wafer transfer method of semiconductor manufacturing process

Номер патента: EP4447099A1. Автор: Wen-Ping Tsai,Tsang-Yi Wang. Владелец: Scientech Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09812481B2. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Systems and methods involving data bus inversion memory circuitry, configuration and/or operation

Номер патента: US09385032B2. Автор: Lee-Lean Shu. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09368532B2. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20180012893A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20200013781A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20170053919A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20190096889A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20200168609A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20150221650A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20170221900A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20140340972A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20190259763A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

METHOD OF CERTIFYING SAFETY LEVELS OF SEMICONDUCTOR MEMORIES IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20210383052A1. Автор: WU Ching-Wei,FUJIWARA Hidehiro,WAN He-Zhou,YANG Xiu-Li,BU MING-EN. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-09.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20180308848A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20200335503A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Wiring structure of a semiconductor device, method of forming the wiring structure, non-volatile memory device including the wiring structure, and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: US20080017889A1. Автор: Hyun Park,Byung-hong Chung,Won-Jin Kim,Ji-Young Min,Young-Ho Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US8514623B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-08-20.

Method of maintaining the state of semiconductor memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US10748904B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Dielectric retention and method of forming memory pillar

Номер патента: US20210399212A1. Автор: Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert,Mona A. Ebrish,Saba Zare. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Trench type power device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230282713A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Microelectronic devices including support pillar structures, and related memory devices

Номер патента: US20220367500A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Backplane, backlight source, display device and manufacturing method of backplane

Номер патента: US12057536B2. Автор: Ke Wang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Solid-state imaging device and information processing method of solid-state imaging device

Номер патента: US20190347963A1. Автор: Eiji Hirata,Yusuke Minagawa,Toru Akishita,Masafumi Kusakawa,Yoshinobu FURUSAWA,Taishin Yoshida,Ikuhiro Tamura,Takahiro Akahane,Marie Toyoshima,Tomohiro Morimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Fluid supply device and liquid discharge method of this device

Номер патента: US20200161147A1. Автор: Yukio Minami,Tsutomu Shinohara,Toshihide Yoshida. Владелец: Fujikin Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09799642B2. Автор: Yan Wei,CHAO Xu,Heecheol KIM,Chunfang Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Field emission type electron source element, electron gun, cathode ray tube apparatus, and method for manufacturing cathode ray tube

Номер патента: US20040051461A1. Автор: Toru Kawase,Keisuke Koga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Magnetization device for an electron microscope and method

Номер патента: US20240258064A1. Автор: Helmut Soltner,Michael Schaaf,Amir Hossein Tavabi,Rafal Edward DUNIN-BORKOWSKI,Maximilian KRUTH. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Electroentropic memory device

Номер патента: US09679630B2. Автор: Sean William Reynolds,David Reginald Carver,Bradford Wesley Fulfer,Sean Claudius Hall,Jaime Hayes GIBBS,Chase Koby Andrepont. Владелец: Carver Scientific Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Controlled inductance device and method

Номер патента: EP1615243A3. Автор: Charles Watts,Lucian E. Scripca. Владелец: Pulse Engineering Inc. Дата публикации: 2009-05-13.

Roller assembly, battery cell manufacturing device, and adjustment method of roller

Номер патента: US12060240B2. Автор: Keqiang Li,Jun Hu,Zhihua Wen,Gang Zeng,Yongli Zhang,Ruhu Liao. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Coil type unit for wireless power transmission, wireless power transmission device, electronic device and manufacturing method of coil type unit for wireless power transmission

Номер патента: US09761371B2. Автор: Seung Wook Park,No Il PARK,Jang Su Kim,Doo Sung Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device, integrated circuit chip and method of manufacturing vertical memory structure

Номер патента: EP4163976A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-12.

Information processing system for mutual authentication between communication device and storage

Номер патента: US09959403B2. Автор: Takahiko SUGAHARA. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device capable of adaptively controlling bias and method of operating the same

Номер патента: US20240096401A1. Автор: Sun Young Kim,Sang-Yun Kim,Younghun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080074935A1. Автор: Chang-Hyuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180129809A1. Автор: Yibo Zhang,Andrei Konan. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Method for adjusting voltage characteristics of semiconductor memory element, method for adjusting voltage characteristics of semiconductor memory device, charge pump and method for adjusting voltage of charge pump

Номер патента: US20130114355A1. Автор: Ken Takeuchi,Kentaro Honda,Kosuke Miyaji,Shuhei TANAKAMARU. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2013-05-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190146870A1. Автор: CHA SANG-UHN,JUN In-Woo,KIM Myeong-O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190229753A1. Автор: CHA SANG-UHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-07-25.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200301776A1. Автор: CHA SANG-UHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20180358060A1. Автор: Kwang-Il Park,Seung-Jun Bae,Sang-Uhn CHA,Young -Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-13.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US12057194B2. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US20230298645A1. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Data decoding method of non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: US09672942B2. Автор: Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Kwang Hoon Kim,Beom Kyu Shin,Pil Sang Yoon,Ung Hwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for reading and writing unreliable memories and a corresponding memory controller device and memory

Номер патента: US12057858B2. Автор: Andreas Burg,Reza Ghanaatian. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-06.

Transponder key testing device and method of testing a transponder key

Номер патента: EP3005320A1. Автор: Gregory CHAMBERS,Simon Ashby. Владелец: ASHBY Simon. Дата публикации: 2016-04-13.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US20070126043A1. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-07.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US7859035B2. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Mostafa Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09568615B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

A memory device and method of performing access operations within such a memory device

Номер патента: GB201412312D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-08-27.

Devices and methods for preventing errors and detecting faults within a memory device

Номер патента: US11769567B2. Автор: Jehoda Refaeli,Glenn Charles Abeln,Jorge Arturo Corso Sarmiento. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Pulse generator, memory device, memory system having the same, and method of controlling an internal power of the memory device

Номер патента: US09466338B1. Автор: Cher Hei Koo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Delay-locked loop circuit with variable bias voltages and method of clock synchronization for a semiconductor memory device

Номер патента: US20070018702A1. Автор: Chan-Yong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-25.

Nonvolatile memory package, storage device including the same, and method of operating the same

Номер патента: EP4425347A1. Автор: Hyunjin KWON,ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Apparatus and method for calibrating on-die termination in semiconductor memory device

Номер патента: US20080253201A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Clock generation circuit, control method of clock generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20020008558A1. Автор: Hideo Chigasaki,Yuichi Okuda,Hiroki Miyashita. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-24.

Apparatus and method of generating clock signal of semiconductor memory

Номер патента: US20070297547A1. Автор: Young Do Hur. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Electronic device for selecting channel between electronic device and external electronic device on basis of characteristics of application, and operation method thereof

Номер патента: EP4398662A1. Автор: Sunkee LEE,Buseop Jung,Wonjun JANG,Hyejung BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Control device and control method of high voltage inverter

Номер патента: US20110050199A1. Автор: Jae Hyun Jeon. Владелец: LS Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of sending data, method of sending alarm, device and system

Номер патента: RU2705091C1. Автор: Куньпен ЛЮ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-11-05.

Phase change layer and method of manufacturing the same and phase change memory device comprising phase change layer and methods of manufacturing and operating phase change memory device

Номер патента: US7993963B2. Автор: Youn-Seon Kang,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Characteristic evaluation device and characteristic evaluation method of shaft coupling

Номер патента: US12021466B2. Автор: Takayuki Satomi,Taichi Sasaki,Ryuta Sato,Makoto TANIYAMA,Masaharu Hirosawa. Владелец: Miki Pulley Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Virtual reality device and operation method of virtual reality device

Номер патента: US20190158818A1. Автор: Chia-Wei Lin,Che-Chia HO. Владелец: Suzhou Raken Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Electronic device for selecting channel between electronic device and external electronic device on basis of characteristics of application, and operation method thereof

Номер патента: US20240260021A1. Автор: Sunkee LEE,Buseop Jung,Wonjun JANG,Hyejung BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Electronic device for performing edge computing service and operation method of electronic device

Номер патента: US20230300107A1. Автор: Youngwook Kim,SangCheol LEE,Jinhyoung Kim,Wonbo Lee,Hongshik Kim,Ansik Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Mobile telephone message display scheduling device and scheduling method

Номер патента: EP1762086A1. Автор: Zhi Qiang Xue. Владелец: GIGASET COMMUNICATIONS GMBH. Дата публикации: 2007-03-14.

Mobile Telephone Message Display Scheduling Device and Scheduling Method

Номер патента: US20080045273A1. Автор: Zhi Xue. Владелец: GIGASET COMMUNICATIONS GMBH. Дата публикации: 2008-02-21.

Electronic device for performing edge computing service and operation method of electronic device

Номер патента: US12058100B2. Автор: Youngwook Kim,SangCheol LEE,Jinhyoung Kim,Wonbo Lee,Hongshik Kim,Ansik Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Tuning-Fork Type Piezoelectric Vibrating Piece, Piezoelectric Frame, Piezoelectric Device, and a Manufacturing Method of Tuning-Fork Type Piezoelectric Vibrating Piece and Piezoelectric Frame

Номер патента: US20100201229A1. Автор: Takefumi Saito. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Electronic device for controlling aggregation of packet on basis of link capacity, and operation method of electronic device

Номер патента: US20240356859A1. Автор: Youngki Hong,Youngwook Kim,Wonbo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Content delivery system, method of operating content delivery system, mobile object, method of operating mobile object, terminal device, method of operating terminal device, and program

Номер патента: EP4460009A1. Автор: Tetsugoro Ihara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Systems and methods for latency based data recycling in a solid state memory system

Номер патента: US09424179B2. Автор: Ning Chen,Yu Cai,Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-transitory computer-readable medium, print image control device, and control method of print image control device

Номер патента: EP3715135A1. Автор: Takeshi Watanabe,Chisato Inoue. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Recording apparatus and method for a storage medium exchange during recording

Номер патента: WO2008011914A1. Автор: Marc Smaak,Henk Goudsmits,Ronald Ten Hove,Sjack Schellenkens. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2008-01-31.

Sound receiving device and control method of sound receiving device

Номер патента: US12108211B2. Автор: Shang-Yuan YUAN,Hung-Bin Huang. Владелец: Chicony Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Electronic device for controlling internal system of vehicle by using wireless data communication ID and operating method of the electronic device

Номер патента: US12090936B2. Автор: Jaewoong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Switch device and control method of switch device

Номер патента: US09832041B2. Автор: Osamu Shiraki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory column decoder device and method

Номер патента: US09466380B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Nam-Sung Kim,Sang-Uhn CHA,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor memory device and block management method of the same

Номер патента: US8127071B2. Автор: Min-Young Kim,Su-Ryun LEE,Song-ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor memory device, memory system, and method

Номер патента: US20230410857A1. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory having variable memory size and method for refreshing the same

Номер патента: US20050152200A1. Автор: You-Mi Lee,Kyung-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor memory device, memory test method and computer program for designing program of semiconductor memory device

Номер патента: US20100313085A1. Автор: Hiroshi Tomiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US20040125656A1. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US6831864B2. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Semiconductor memory device and method of performing setting operation in semiconductor memory device

Номер патента: US9312003B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Chika Tanaka,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Non-volatile semiconductor memory device and method of controlling the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Hiroyuki Kaga,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US11031065B2. Автор: Hyun-Gi Kim,Sang-Uhn CHA,In-Woo JUN,Hoon SIN,Ye-sin Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-08.

Semiconductor memory device, a controller, and operating methods of the semiconductor memory device and the controller

Номер патента: US20210183464A1. Автор: Jung Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Refresh circuit of a semiconductor memory device and refresh control method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20130201777A1. Автор: Jung-Bae Lee,Sang-Ho Shin,Min-Jeung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-08.

Memory system including a memory device, and methods of operating the memory system and the memory device

Номер патента: US09728279B2. Автор: Sang-Yong Yoon,Hye-Jin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09607700B2. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4243020A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

System and method for emulating an EEPROM in a non-volatile memory device

Номер патента: US09389999B2. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch,Edvin Paparisto. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor memory card, access device and method

Номер патента: US8161225B2. Автор: Takuji Maeda,Masahiro Nakanishi,Jun Ohara,Shinji Inoue,Manabu Inoue,Tomoaki Izumi,Koichi Horiuchi,Tetsushi Kasahara,Makoto Ochi,Yoshiho Gotoh,Kazuaki Tamura,Kiminori Matsuno,Shoichi Tsujita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-17.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US09640227B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and data read method of the same

Номер патента: US20050122830A1. Автор: Myeong-o Kim,Sung-Min Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-09.

Heating element composition, and method and device of manufacturing eye mask pack

Номер патента: US20230277371A1. Автор: Sung Ryong YU,Ju Taek KIM. Владелец: Hummingavis Co ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory apparatus, test apparatus therefor and method for relieving semiconductor memory apparatus from short circuit

Номер патента: US5343431A. Автор: Shozo Shirota,Takahiro Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

Circuit and method for controlling local data line in semiconductor memory device

Номер патента: US20090168560A1. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor memory and method for density configuring of bank of semiconductor memory

Номер патента: US11875045B2. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor memory and method for density configurion of bank of semiconductor memory

Номер патента: US20230012916A1. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device, memory system, and method of operating the device

Номер патента: US09904491B2. Автор: Dong-Uk Kim,Jin-Ho Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: US20240264766A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

A storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: EP4414852A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Apparatus and method of generating DBI signal in semiconductor memory apparatus

Номер патента: US7408483B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-05.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: EP4435612A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Apparatus, memory controller, memory device, memory system, and method for clock switching and low power consumption

Номер патента: US12100475B2. Автор: Hyungjin Kim,Jungsik Park,Soongmann Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and control method thereof

Номер патента: US09747989B1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device and stress testing method of same

Номер патента: US09627091B1. Автор: Johnny Chan,Hsi-Hsien Hung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A3. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-09-27.

Test circuit, semiconductor memory apparatus using the same, and test method of the semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20110128804A1. Автор: Yong Gu Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Test circuit, semiconductor memory apparatus using the same, and test method of the semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20120218846A1. Автор: Yong Gu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device, memory system, and method of controlling read voltage of the memory device

Номер патента: US09685206B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: EP4437540A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: EP4437539A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: EP4449417A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Systems and methods for compressing data in non-volatile semiconductor memory drives

Номер патента: WO2011028802A1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2011-03-10.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: EP2973576A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: WO2014150815A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Systems and methods for restoring critical data to computer long-term memory device controllers

Номер патента: US20040184309A1. Автор: Steven Bress,Daniel Bress,Michael Menz,Mark Menz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Ultrasonic measuring device, and ultrasonic measuring method of flow rate

Номер патента: RU2488836C2. Автор: Торальф ДИЦ,Ларс ЭМИХЕН,Джон ЛЭНСИНГ. Владелец: ЗИК Энджиниринг ГмбХ. Дата публикации: 2013-07-27.

Memory device, memory system, and operation method of memory device

Номер патента: US20210327476A1. Автор: Ki-Seok OH,DongHun Lee,Young-Soo Sohn,Young-Hoon SON,Hyun-Yoon Cho,Kyung-Soo Ha,Changkyo LEE,Daesik Moon,Seokhun Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Medical device and computer-implemented method of predicting risk, occurrence or progression of adverse health conditions in test subjects in subpopulations arbitrarily selected from a total population

Номер патента: EP3695418A1. Автор: Luca Neri,Ulrich TSCHULENA,Francesco BELLOCCHIO,Carlo Barbieri,Wencke ARMSEN. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2020-08-19.

System and method for providing configurable latency and/or density in memory devices

Номер патента: WO2010151481A1. Автор: Christopher S. Johnson,Todd D. Farrell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-12-29.

Image sensor, optical pointing device and motion calculating method of optical pointing device

Номер патента: US20050200600A1. Автор: Bang-Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-15.

System and method for providing configurable latency and/or density in memory devices

Номер патента: EP2446366A1. Автор: Christopher S. Johnson,Todd D. Farrell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-02.

Memory devices, testing systems and methods

Номер патента: US09672939B2. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230350010A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20170133095A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Apparatus and method for correcting errors in data accessed from a memory device

Номер патента: IL228999A. Автор: . Владелец: Advanced Risc Mach Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Storage device and data processing method of storage device

Номер патента: EP2151784A3. Автор: Shin c/o Hitachi Ltd Intellectual Property Group Nishihara,Shuichi c/oHitachi Ltd. Intellectual Property Group Yagi,Yasuyuki c/oHitachi Ltd. Intellectual Property Group Nagasoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-09.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20180197615A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of initializing and programming 3D non-volatile memory device

Номер патента: US9947413B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Backflow prevention device of light metal injection device and backflow prevention method of light metal injection device

Номер патента: US20210379649A1. Автор: Tadashi Morikawa. Владелец: Sodick Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Resistive memory device, resistive memory, and operating method of the resistive memory device

Номер патента: US09646685B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Storage control device controlling access to a storage device and access controlling method of a storage device

Номер патента: US09632950B2. Автор: Motohiro Sakai,Akihito Kobayashi,Takuro Kumabe,Shinichiro Matsumura,Takahiro Ohyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Shear bonding device and shear bonding method of metal plates

Номер патента: US09579747B2. Автор: In Tai Jin. Владелец: Pukyong National University Business Incubator Center. Дата публикации: 2017-02-28.

Image display device and memory management method of the same

Номер патента: US09529931B2. Автор: Chulmin Son. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-12-27.

Electronic device and gesture input method of item selection

Номер патента: US09529530B2. Автор: Edward Lau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-27.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Radar device and data output method of radar device

Номер патента: EP4411416A1. Автор: Hirosada Miyaoka,Ryosuke Yamada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Temperature warning device and temperature warning method of friction element

Номер патента: US09897202B2. Автор: Takeshi Yamamoto,Hidetoshi Tsukidate,Kenichi Ooshima. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device, memory system, and method for operating memory device

Номер патента: US09818493B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Electronic devices and corresponding hybrid methods of low light image enhancement

Номер патента: US12079973B2. Автор: Hong Zhao,Chao Ma,Zhicheng FU,Yunming Wang,Joseph Nasti. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: EP2844891A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-11.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-07.

Systems and methods for hard error reduction in a solid state memory device

Номер патента: US09576683B2. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Machine learning device and maching learning method of machine learning device

Номер патента: US20190370661A1. Автор: Namyeong Kwon,Hayoung JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Storage device and garbage collection method of data storage system having the storage device

Номер патента: US09858182B2. Автор: JongWon Lee,Kangho Roh,Wooseok CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device, memory system, and method of operating the memory system

Номер патента: EP4181140A1. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Highly custom and scalable design system and method for articles of manufacture

Номер патента: WO2019067629A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Tek Llc. Дата публикации: 2019-04-04.

Apparatus and method for programming and verifying data in a nonvolatile memory device

Номер патента: US20240177773A1. Автор: Hyung Jin Choi,Gwi Han KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory device, storage apparatus and method for diagnosing slow memory cells

Номер патента: US09508421B2. Автор: Masahiro Ise,Osamu Ishibashi,Yoshinori Mesaki,Michiyo Garbe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for comparing data in the cell of the associative memory device, and module for comparing data in the cell of the associative memory device

Номер патента: RU2680870C1. Автор: Павел Григорьевич Кириченко. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2019-02-28.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US9305609B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: US20190371373A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Continuous-cast slab, method and apparatus of manufacturing the same, and method and apparatus of manufacturing thick steel plate

Номер патента: CA2973075C. Автор: Toshiaki Mizoguchi,Hiroaki Uchiyama,Shinji Nagai,Hideaki Sakurai,Daisuke Sakai,Shuntaro Imai,Ryousuke TAKATA. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Memory device including racetrack and operating method thereof

Номер патента: US20230335172A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory Device and Read/Write Method of Memory Device

Номер патента: US20220199053A1. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device performing ecs operation, operation method of the memory device, memory system, electronic device, and electronic system

Номер патента: US20240161807A1. Автор: Youngbin LEE,Saemi Song,Doohee Hwang,Kiseok Oh,Kangil Kim,Junha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device, memory system, and method of operating memory device

Номер патента: US20200020404A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory device and an operating method of a memory device

Номер патента: US20210050066A1. Автор: Jun Hyuk Lee,Yong Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of counting number of cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20220093160A1. Автор: Minseok Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Apparatus, memory controller, memory device, memory system, and method for clock switching and low power consumption

Номер патента: US20240071447A1. Автор: Hyungjin Kim,Jungsik Park,Soongmann Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20230116292A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210335402A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20230377619A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Apparatus, memory controller, memory device, memory system, and method for clock switching and low power consumption

Номер патента: US11837321B2. Автор: Hyungjin Kim,Jungsik Park,Soongmann Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Adhesive compositions and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US5942330A. Автор: Ronald J. Kelley. Владелец: Bostik Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: WO2023197774A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-19.

Apparatus and method for checking an error of a non-volatile memory device in a memory system

Номер патента: US11941289B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Apparatus and method for programming and verifying data in non-volatile memory device

Номер патента: US11894076B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device, memory system and method for operating memory system

Номер патента: US20230402074A1. Автор: Sungyong Cho,Hye-Ran Kim,Jaehyeok Baek,Min Ho MAEING,Moonchul Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of providing an operating voltage in a memory device and a memory controller for the memory device

Номер патента: US20120120727A1. Автор: Moo Sung Kim,Wook Ghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Method of providing an operating voltage in a memory device and a memory controller for the memory device

Номер патента: US8441856B2. Автор: Moo Sung Kim,Wook Ghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-14.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230223078A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: WO2023134299A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory device, memory system and method for operating memory system

Номер патента: US20240111433A1. Автор: Haewon Lee,Jieun Shin,Sang-Kyu Kang,Ho-Cheol BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230223085A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: WO2023134297A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230326537A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Apparatus and method for booting a computing device from a nand memory device

Номер патента: WO2007130932A2. Автор: Edward Geiger,Nicolas Dade. Владелец: Symbol Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-11-15.

Memory device, memory system, and method of operating memory system

Номер патента: US20150363336A1. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son,Jung-Soo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A2. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-19.

Memory device sideband systems and methods

Номер патента: US20230317193A1. Автор: Joshua E. Alzheimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: US20210151084A1. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A3. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-30.

Fabric for an architectural covering and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2174915C. Автор: Paul G. Swiszcz,Wendell B. Colson,Ricardo Ramirez,Dwight Greenough. Владелец: HUNTER DOUGLAS INC. Дата публикации: 1999-06-15.

Memory devices, memory modules, and operating methods of memory devices

Номер патента: US20210217461A1. Автор: Nam Sung Kim,Seongil O,Haesuk LEE,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US20240062790A1. Автор: Seung Yong Shin,Sun Young Lim,Hyun Duk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A3. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US11837317B2. Автор: Seung Yong Shin,Sun Young Lim,Hyun Duk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A2. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210280258A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210166769A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP3915115A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Apparatus and method for correcting errors in data accessed from a memory device

Номер патента: US20140143633A1. Автор: Michael Andrew Campbell,Timothy Nicholas Hay. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Rack-mounted column, pouring device and temperature control method of drink

Номер патента: RU2493509C2. Автор: Барт Ян Бакс. Владелец: Хейнекен Сеплай Чейн Б.В.. Дата публикации: 2013-09-20.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US8199593B2. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US20230123830A1. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US11854650B2. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Processor, memory device, computer system, and method for transferring data

Номер патента: US8532296B2. Автор: Tatsunori Kanai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-10.

Magnetic field sensing device and a fabricating method of the same

Номер патента: US7338816B2. Автор: Kyung-Won Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Electronic device and screen display method of electronic device

Номер патента: US20210132790A1. Автор: Daehyun Kim,Soyoung KIM,Geon-soo Kim,Minsik Kim,Hyun-Suk Choi,Ji-Woo LEE,Jongmoo Lee,Jin-Wan An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Electronic device and operation control method of electronic device

Номер патента: US20190156746A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Seung-jae Lee,Young-Do Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US20190285171A1. Автор: Kohei Sakai,Norihiro Akiyoshi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Vehicle control device and data adjustment method of database

Номер патента: US20230365142A1. Автор: Takashi Okada,Yuuki Okuda. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Portable device and electronic payment method of portable device

Номер патента: US20170293909A1. Автор: Young-Kyoo Kim,Nalin Chakoo,Seungdoo CHOI,Hyeseon SONG,Chaekyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-12.

Braking control device and braking control method of construction machine

Номер патента: US11773568B2. Автор: Kwangseok PARK,Yeonhaeng HEO,Gyuhong PARK. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and method for programming and verifying data in non-volatile memory device

Номер патента: US20240170077A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230400577A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Source device and power control method of source device

Номер патента: US11886265B2. Автор: Zhenliu LI. Владелец: Sharp NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Portable device and electronic payment method of portable device

Номер патента: EP3440610A1. Автор: Young-Kyoo Kim,Nalin Chakoo,Seungdoo CHOI,Hyeseon SONG,Chaekyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-13.

Braking control device and braking control method of construction machine

Номер патента: EP3736383A2. Автор: Kwangseok PARK,Yeonhaeng HEO,Gyuhong PARK. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Game platform for mobile devices and a related method of operating a game platform

Номер патента: WO2020012450A3. Автор: Travis George BULFORD,Konstantinos TZINGAKIS. Владелец: Celestial Electronic Entertainment (Pty) Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Medical device and computer-implemented method of predicting risk, occurrence or progression of adverse health conditions in test subjects in subpopulations arbitrarily selected from a total population

Номер патента: WO2019072692A1. Автор: Luca Neri,Ulrich TSCHULENA,Francesco BELLOCCHIO,Carlo Barbieri,Wencke ARMSEN. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2019-04-18.

Image processing device and image processing method of generating layout including multiple images

Номер патента: US20240202868A1. Автор: Chia-Wei Hsiao. Владелец: Aspeed Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Displacement measuring device and speed measuring method of drilling traction robot

Номер патента: US11781420B2. Автор: Jianguo Zhao,Guorong Wang,Qingyou Liu,Haiyan ZHU. Владелец: Chengdu Univeristy of Technology. Дата публикации: 2023-10-10.

Display device and image display method of multi-monitor system

Номер патента: US20210407374A1. Автор: Daisuke Moriwaki. Владелец: Sharp NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Flexible display device and deformation compensation method of flexible display screen

Номер патента: US20190302848A1. Автор: WEN Han,Rong MA. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Read/write device, and format management method of read/write device

Номер патента: US20060047898A1. Автор: Hitoshi Ogawa,Terumi Takashi,Yoshiteru Ishida. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-03-02.

Electronic Devices and Corresponding Hybrid Methods of Low Light Image Enhancement

Номер патента: US20230036222A1. Автор: Hong Zhao,Chao Ma,Zhicheng FU,Yunming Wang,Joseph Nasti. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

Displacement measuring device and speed measuring method of drilling traction robot

Номер патента: US20220307367A1. Автор: Jianguo Zhao,Guorong Wang,Qingyou Liu,Haiyan ZHU. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-29.

Data Driving Device and Panel Driving Method of Data Driving Device

Номер патента: US20220189374A1. Автор: Hyun Woo Jeong. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Electronic device and copyright protection method of audio data thereof

Номер патента: US9196259B2. Автор: Chun-Te Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Memory controller, a storage device, and an operating method of the storage device

Номер патента: US20240069790A1. Автор: Dongwoo Shin,Hyojin AHN,Seoyeong Lee,Changjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US10533660B2. Автор: Masayoshi Iwata. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US20180313446A1. Автор: Masayoshi Iwata. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Methods of operating semiconductor memory devices with selective write-back of data for error scrubbing and related devices

Номер патента: US09990163B2. Автор: Uk-Song KANG,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Geotextile cementing shell and method of its manufacture

Номер патента: RU2632887C1. Автор: Виталий Васильевич Пронь,Сергей Михайлович Вострокнутов. Владелец: Сергей Михайлович Вострокнутов. Дата публикации: 2017-10-11.

Semiconductor memory device mapping external address as internal address wherein internal addresses of spare cells of two blocks differ by upper most bit and internal addresses of main cells of two blocks differ by upper most bit and the internal addresses of main cell and spare cell of each block differ by one bit and operating method for the same

Номер патента: US09443618B2. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Magnetic semiconductor memory and the reading method using spin-polarized electron beam

Номер патента: US6912148B2. Автор: Eric C. Hannah,Michael A. Brown. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-06-28.

Semiconductor memory system having a data clock system for reliable high-speed data transfers

Номер патента: US20030137893A1. Автор: Louis Hsu,Jeremy Stephens,Li-Kong Wang,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110292747A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

System and method for diagnosing field device

Номер патента: RU2678242C2. Автор: Гордон Кэмерон МУИР,Линда Роуз ТАРАЛЬДСОН,Джеффри Аллен ВЕЙКФИЛД. Владелец: Теском Корпорейшн. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190019562A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US7593266B2. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-22.

Semiconductor memory device, information apparatus, and method for determining access period for semiconductor memory device

Номер патента: TW573249B. Автор: Ken Sumitani,Haruyasu Fukui. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor memory device, information apparatus, and method for determining access period for semiconductor memory device

Номер патента: EP1271540B1. Автор: Ken Sumitani,Haruyasu Fukui. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-11-30.

Semiconductor memory device detecting program failure, and method of operating the same

Номер патента: US11961571B2. Автор: Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180090224A1. Автор: Hoon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Device and method to reduce wordline RC time constant in semiconductor memory devices

Номер патента: US7570504B2. Автор: Huy Thanh Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Maximum likelihood statistical method of operations for multi-bit semiconductor memory

Номер патента: US20080165595A1. Автор: Chung H. Lam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Information processing apparatus and method for controlling information processing apparatus

Номер патента: US20210124514A1. Автор: Yo Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Intergrated semiconductor circuit with a semiconductor memory configuration embedded in a semiconductor chip

Номер патента: US20020047167A1. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Apparatus and method capable of removing duplication write of data in memory

Номер патента: US10460774B2. Автор: Dong-Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-29.

Computing systems having congestion monitors therein and methods of controlling operation of same

Номер патента: US20240281402A1. Автор: Younghyun Lee,Jin Jung,Kyungsoo Kim,Jinin SO,Yongsuk Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Device and method for manufacturing of water reflector on hardening concrete roof tiling

Номер патента: RU2390411C2. Автор: Петер СРОСТЛИК,Гюнтер ВАЙСС. Владелец: Лафарж Руфинг Текникал Сентерс Гмбх. Дата публикации: 2010-05-27.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor memory device and operating method for the same

Номер патента: US20140189283A1. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor memory device and data read method of the same

Номер патента: TWI282988B. Автор: Myeong-o Kim,Sung-Min Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor memory device and parallel test method of the same

Номер патента: TW200939238A. Автор: Bo-Yeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Device and method for compensating defect in semiconductor memory

Номер патента: US20060203579A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Device and method of controlling refresh operation for dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US09672894B2. Автор: Young-hun Kim,In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Storage device, controller and method for operating storage device

Номер патента: US10877676B2. Автор: Jung-Ae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-29.

Storage device, controller and method for operating storage device

Номер патента: US20200225858A1. Автор: Jung-Ae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor memory device storing refresh period information and operating method thereof

Номер патента: US9082504B2. Автор: Jung-Bae Lee,Jung-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-14.

Nonvolatile semiconductor memory device, method for reading data from the nonvolatile semiconductor memory device, and method for writing data into the nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6266279B1. Автор: Yoshimasa Yoshimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-07-24.

Method of read operation of nonvolatile semiconductor memory and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: EP1235229B1. Автор: Mitsuteru Fujitsu Limited Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-08.

Method of read operation of nonvolatile semiconductor memory and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: TW519753B. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-02-01.

Data alignment circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of aligning data in a semiconductor memory device

Номер патента: US20180174636A1. Автор: Jung-hwan Choi,In-Dal Song,Jin-Seok Heo,Kyung-Soo Ha,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD OF OPERATING MEMORY SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROLLER

Номер патента: US20210304837A1. Автор: KIM Jin Sub. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device and operation method of swizzling data

Номер патента: US11742046B2. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Raid system based on calculated average of mechanical loads and solder joint damage and controlling method of the same

Номер патента: US8615627B2. Автор: Takahiro Omori,Minoru Mukai,Kenji Hirohata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor memory device and data input/output method thereof

Номер патента: US20090287888A1. Автор: Tatsuya Ishizaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US20160027492A1. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of controlling of repair of semiconductor memory devices

Номер патента: US20210064462A1. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Circuits and methods for providing page mode operation in semiconductor memory device having partial activation architecture

Номер патента: TW200407906A. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-16.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of controlling of repair of semiconductor memory devices

Номер патента: US11163640B2. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-02.

Circuit and method for controlling self-refresh operation in semiconductor memory device

Номер патента: US20120051168A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Method of manufacturing optical device having array of reflective units on optical element surfaces

Номер патента: US12013540B2. Автор: Jeong Hun Ha. Владелец: LetinAR Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Circuits and methods for changing page length in a semiconductor memory device

Номер патента: TW200425162A. Автор: Yun-sang Lee,One-gyun La. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210005247A1. Автор: Kim Hyun-Gi,RYU Ye-Sin,CHA SANG-UHN,SIN Hoon,JUN In-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190027230A1. Автор: RYU Ye-Sin,CHA SANG-UHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor memory device and method of performing setting operation in semiconductor memory device

Номер патента: US20150078064A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Chika Tanaka,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190130991A1. Автор: Sohn Kyo-Min,SON Jong-Pil. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Sohn Kyo-Min,CHA SANG-UHN,KIM Nam-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Abiko Naofumi,HARADA Yoshikazu,YOSHIHARA Masahiro,KAGA Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200168269A1. Автор: Kim Hyun-Gi,RYU Ye-Sin,CHA SANG-UHN,SIN Hoon,JUN In-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190189194A1. Автор: Lee Jung-Yong,Kim Joung-Yeal,JEONG YONG-GWON,BANG Ju-Suk,LIM Chae-Il. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS, AND METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210233604A1. Автор: KIM Hyung-Jin,Yang Hui-Kap,KIM KYUNG-RYUN,RYU Jang-Woo,OH Yoon-Na. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS, AND METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190304565A1. Автор: KIM Hyung-Jin,Yang Hui-Kap,KIM KYUNG-RYUN,RYU Jang-Woo,OH Yoon-Na. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190371391A1. Автор: Kim Hyun-Gi,RYU Ye-Sin,CHA SANG-UHN,SIN Hoon,JUN In-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor memory devices, memory systems, and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US11626185B2. Автор: Hyung-Jin Kim,Kyung-Ryun Kim,Yoon-Na Oh,Hui-Kap YANG,Jang-Woo Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-11.

Semiconductor memory device, memory system and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: CN110942798A. Автор: 车相彦,柳睿信. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of reading data from nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110157978A1. Автор: Masao Taguchi,Naoharu Shinozaki,Satoru Sugimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device, memory system and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: CN111179999A. Автор: 车相彦,金南昇,孙教民. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor memory device and method of reading data from the semiconductor memory device

Номер патента: US20040257896A1. Автор: Seong-ho Jeung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory devices, memory systems, and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220238178A1. Автор: Hyung-Jin Kim,Kyung-Ryun Kim,Yoon-Na Oh,Hui-Kap YANG,Jang-Woo Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Fuse circuit using anti-fuse and method for searching for failed address in semiconductor memory

Номер патента: US20020191468A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Cartridge, components and methods of the inhaled environment generating

Номер патента: RU2664376C1. Автор: Колин ДИККЕНС,Доминик ТЁРНЕР. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-08-16.

Memory device, method of operating the memory device, memory module, and method of operating the memory module

Номер патента: US20230298638A1. Автор: Jaegon Lee,Sunyoung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Storage device, and operating method of memory controller

Номер патента: EP4432067A1. Автор: Hyunsub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Refresh circuit of a semiconductor memory device and refresh control method of the semiconductor memory device

Registration device, processing machine and method of arrangement of sheet elements

Номер патента: RU2700093C1. Автор: Марко КАРДИЛЛО. Владелец: Бобст Мекс Са. Дата публикации: 2019-09-12.

An air quality monitoring device and associated method of manufacturing

Номер патента: EP4332568A1. Автор: Rahul AVASTHI. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Systems, devices, and methods for data migration

Номер патента: US20220050616A1. Автор: Robert M. Walker,Paul Rosenfeld,Patrick A. La Fratta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, A CONTROLLER, AND OPERATING METHODS OF THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND THE CONTROLLER

Номер патента: US20210183464A1. Автор: CHOI Jung Sik. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Semiconductor memory device and method for reading data from such a semiconductor memory device

Номер патента: DE4206079C2. Автор: Mitsuru Sugita,Toyokatsu Nakajima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-08-03.

Synchronous semiconductor memory device and method for controlling input circuit of synchronous semiconductor memory device

Номер патента: KR100676425B1. Автор: 이케다시니치로. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-01-31.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Systems and methods for monitoring memory accesses

Номер патента: EP4432093A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240345758A1. Автор: Minji Kim,Jinwoo Park,Sangwon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Systems and methods for monitoring memory accesses

Номер патента: US20240303001A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and operation method of the same

Номер патента: US09990312B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Self-testing data storage devices and methods

Номер патента: US09972403B2. Автор: Roderick A. Hyde,Muriel Y. Ishikawa,Lowell L. Wood, JR.,Jordin T. Kare,Jeffrey A. Bowers,Victoria Y. H. Wood,Peter L. Hagelstein. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory system and method including determining a read voltage based on program order information and a plurality of mapping tables

Номер патента: US09921749B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Joon-Suc JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

System and method for high performance and low cost flash translation layer

Номер патента: US09575884B2. Автор: Anand Srinivasan,Hyunsuk Shin,Dexter T. CHUN,Steven Haehnichen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and data writing method of semiconductor memory device

Номер патента: JPWO2005038812A1. Автор: 直彦杉林,昇崎村,雄士本田,本田　雄士,崎村　昇,杉林　直彦. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-11-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and data writing method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP4960050B2. Автор: 浩司細野. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and data holding method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP4002712B2. Автор: 智史鳥井,博史馬渡,秀之兒嶋. Владелец: スパンションエルエルシー. Дата публикации: 2007-11-07.

A random access memory device, a semiconductor memory device, and a method of reducing power consumption in a dynamic memory device

Номер патента: DE102004044984B4. Автор: Joo-Sang Lee. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-08-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and data erasing method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP4360736B2. Автор: 好和宮脇,悟清水,敦大庭. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-11-11.

Memory controller, semiconductor memory system including the same, and method of driving the semiconductor memory system

Номер патента: US20190146871A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Integrated semiconductor configuration having a semiconductor memory with user programmable bit width

Номер патента: US6603170B2. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-05.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240135977A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: EP4362018A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Memory device and method for input and output buffer control thereof

Номер патента: US20220020401A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

METHOD FOR ADJUSTING VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR ADJUSTING VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, CHARGE PUMP AND METHOD FOR ADJUSTING VOLTAGE OF CHARGE PUMP

Номер патента: US20130114355A1. Автор: TAKEUCHI Ken,TANAKAMARU Shuhei,Honda Kentaro,Miyaji Kosuke. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2013-05-09.

Device and method of washing cylinder head channels

Номер патента: RU2692354C1. Автор: Дэминь ЦЗОУ,Цзябинь ТАНЬ. Владелец: Гуанси Юйчай Машинери Груп Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-06-24.

Apparatus and method for improving dynamic refresh in a semiconductor memory device by temperature measurement

Номер патента: EP1784836A1. Автор: Perry Willmann Remaklus, Jr.,Robert Michael Walker. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Storage device supporting multi-streaming and method of controlling operation of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200393992A1. Автор: Kyungduk Lee,Jinwoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240233788A9. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device including voltage regions and method of operating same

Номер патента: SG10201804015PA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,CHO SEOK-JIN,JANG JIN-HOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US20240289039A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

Microfluidic devices and methods for the development of neural tube-like tissues or neural spheroids

Номер патента: EP4240279A1. Автор: Jianping Fu,Xufeng XUE,Huaijing TANG. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-09-13.

System and method for effectively implementing isochronous processor cache

Номер патента: US20030115430A1. Автор: Bruce Fairman,Glen Stone,Scott Smyers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-19.

Microfluidic devices and methods for the development of neural tube-like tissues or neural spheroids

Номер патента: US20240060039A1. Автор: Jianping Fu,Xufeng XUE,Huaijing TANG. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240363189A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Electronic device and vehicle control method of electronic device, server and method for providing precise map data of server

Номер патента: US12045064B2. Автор: Aron Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Apparatuses and methods for arbitrating a shared terminal for calibration of an impedance termination

Номер патента: US09766831B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory device and a method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US09653168B2. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Word Line Driving Circuit, Semiconductor Memory Device including thereof, and Method for testing the Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR100894487B1. Автор: 도창호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-04-22.

Defective detection method of semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device including memory test circuit and memory test circuit

Номер патента: KR100371047B1. Автор: 야수오 고바야시. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-04-21.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

Storage device including mapping memory and method of operating the same

Номер патента: US20230214297A1. Автор: Jisu Kang,Yongki LEE,Eunhye OH,Taewook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Device and method for suppressing hydrocarbon-discharge for vehicle

Номер патента: EP1223324A3. Автор: Makoto c/oToyota Jidosha K.K. Yamazaki,Takashi c/oToyota Jidosha K.K. Suzuki,Masaki c/oToyota Jidosha K.K. Kusada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Systems and methods for expanding memory for a system on chip

Номер патента: WO2016028607A1. Автор: Dexter Tamio Chun,Yanru Li,Suryanarayana China CHITTULURI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-25.

Systems and methods for expanding memory for a system on chip

Номер патента: EP3183661A1. Автор: Dexter Tamio Chun,Yanru Li,Suryanarayana China CHITTULURI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-28.

Simulation device and method for studying the influence of wetland plant litter decomposition on water quality

Номер патента: US20190234927A1. Автор: Wei Li,XU Pan,Lijuan CUI,Manyin ZHANG,Ziliang Guo,Changjun Gao,Yinuo ZHU,Yunmei PING. Владелец: Research Institute Of Forestry New Technology Chi. Дата публикации: 2019-08-01.

Systems and methods for expanding memory for a system on chip

Номер патента: US09823846B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Yanru Li,Suryanarayana China CHITTULURI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Apparatuses and methods for arbitrating a shared terminal for calibration of an impedance termination

Номер патента: US09740269B1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Suryanarayana Tatapudi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Apparatuses and methods for arbitrating a shared terminal for calibration of an impedance termination

Номер патента: US09665462B2. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Suryanarayana Tatapudi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

MEMORY CONTROLLER, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF DRIVING THE SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20190146871A1. Автор: JEONG Seung-Gyu,HONG Do-Sun,KWON Jung-Hyun,SHIN Won-Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Nonvolatile semi-conductor memory device and method for calculating read voltage non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR101516577B1. Автор: 김재홍,김용준,김종한,조경래,송승환,공준진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-05-06.

A semiconductor memory device and a method for controlling the operation of the semiconductor memory device

Номер патента: KR950006863A. Автор: 야스지 고시까와. Владелец: 니뽄 덴끼 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 1995-03-21.

System and method for providing limited utilization run time application control as a service in microcontrollers

Номер патента: US20200372164A1. Автор: Veeramanikandan Raju,Jonathan William Nafziger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Methods of testing repair circuits of memory devices

Номер патента: US20240290414A1. Автор: Taeyun Kim,Taewon Kim,Sanghee KANG,Kiho Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Injection device and method of unlocking operation of the injection device

Номер патента: EP4426393A1. Автор: Michael Schabbach,Michael Helmer,Tim GLÄSSER,Peter Nober,Martin Vitt,Stefan Alt,Stephan MÜCKE. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-09-11.

Apparatus and method for supporting data input/output operation based on a data attribute in a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240338330A1. Автор: Sung Hyun Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory devices and methods for controlling row hammer

Номер патента: US12119044B2. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device, memory system and method of operating the same

Номер патента: US20150127914A1. Автор: Sang Hyun SONG,Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: CN105280228A. Автор: 安正烈,金占寿. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

Semiconductor memory device, memory system and method of operating the same

Номер патента: US9311257B2. Автор: Sang Hyun SONG,Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Display substrate, display device and method for manufacturing display substrate

Номер патента: US20210278718A1. Автор: Bin Peng,Zhijun Xu,Yongan FENG,Daoping YU,Chengming WEI. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Safety support device and method of using

Номер патента: US6905174B1. Автор: Lanny R. Gilbertson,Marcine L. Gilbertson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-14.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Injection device and method of unlocking operation of the injection device

Номер патента: EP4426390A1. Автор: Michael Schabbach,Michael Helmer,Martin Vitt,Stefan Alt. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-09-11.

Injection device and method of unlocking operation of the injection device

Номер патента: EP4426397A1. Автор: Michael Schabbach,Michael Helmer,Martin Vitt,Stefan Alt. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-09-11.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4243020A4. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Test method and system for semiconductor memory device using data strobe signal generated from internal clock signal of semiconductor memory device

Номер патента: KR20080011805A. Автор: 김준배,박성만,류진호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-02-11.

Method of reading memory cell of semiconductor memory and semiconductor memory

Номер патента: JP2004528664A. Автор: フィッシャー，ヘルムート,シチイピンスキ，カジミェシュ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-09-16.

Bayesian classifier system and method thereof

Номер патента: EP2801057A1. Автор: David Wright,David Falb,Gregory Bush. Владелец: Gentex Corp. Дата публикации: 2014-11-12.

Memory system and method of operating method thereof

Номер патента: US20220012181A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Temperature control device, system comprising a temperature control device, and method of changing an operating state of an electronic component

Номер патента: US20240183565A1. Автор: Lars Zimmermann,Simon Struck-Süßmeier. Владелец: Truma Qeraetechnik & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Drug delivery device and method for operating a drug delivery device

Номер патента: US20240269390A1. Автор: Oliver Charles Gazeley,Prasannah Nanayakkara,Matthew Meredith Jones. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device, memory controller, and control method of memory controller

Номер патента: US20160011937A1. Автор: Hironobu Miyamoto,Ryoichi Kato,Tomonori Masuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor memory information accumulation device and writing control method for it

Номер патента: TW200933363A. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2009-08-01.

Semiconductor memory information accumulation device and its write-in control method

Номер патента: EP2180409A4. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Semiconductor memory information storage device and writing control method thereof

Номер патента: TWI390402B. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2013-03-21.

Quality control system and method for manufactured parts

Номер патента: EP2480383A1. Автор: Ramon Casanelles,Francesc CORTÉS GRAU. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-08-01.

Memory device and method having on-board processing logic for facilitating interface with multiple processors, and computer system using same

Номер патента: US09959929B2. Автор: David Resnick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND METHOD

Номер патента: US20200090764A1. Автор: ITO Rui. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor memory device, memory system, and method using bus-invert encoding

Номер патента: US20150242352A1. Автор: Chang-yong Lee,Chul-Sung Park,Tae-Seong Jang,Jang-Woo Ryu,Gong-Heum Han,Min-Soo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-27.

Wearable biosignal interface and method thereof

Номер патента: US20190171288A1. Автор: Seung Keun Yoon,Chang Mok Choi,Sang Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US09996277B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

MEMORY CONTROLLER, METHOD OF CONTROLLING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING BOTH

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Kim Jungug. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Nonvolatile semiconductor memory and method for controlling programming voltage of nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20030107919A1. Автор: Masaru Yano,Mototada Sakashita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Memory system comprising non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US20130088928A1. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-11.

Test circuit, semiconductor memory apparatus using the same, and test method of the semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20120218846A1. Автор: Yong Gu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Method of prefetch and restore in semiconductor memory device and circuit thereof

Номер патента: KR100349371B1. Автор: 김태윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-21.

Electrically erasable, persistent semiconductor memory device that can optionally be used in a boot block or standard flash memory device

Номер патента: KR940010110A. Автор: 아까오기 다까오. Владелец: 세끼사와 다까시. Дата публикации: 1994-05-24.

Repair circuit and method of repairing defects in a semiconductor memory device

Номер патента: US20070133323A1. Автор: Byung-Hoon Jeong,Hyung-Jik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor memory device, data processor, and method of determining frequency

Номер патента: US20030112665A1. Автор: Yuji Okamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Method of Reading Serial Data from Semiconductor Memory and Semiconductor Memory

Номер патента: KR960015575A. Автор: 요시유끼 이시다. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-05-22.

Semiconductor memory, method of reading data from the semiconductor memory and writing it therein

Номер патента: JPH1166839A. Автор: Masahiro Tanaka,正浩田中,久忠宮武,Hisatada Miyatake,Yotaro Mori,陽太郎森,記稔山崎,Noritoshi Yamazaki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Zero margin enable controlling apparatus and method of sense amplifier adapted to semiconductor memory device

Номер патента: US20020110031A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Jong-Cheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Serial interface memory testing apparatus and method

Номер патента: WO2008124095A1. Автор: Massimiliano Frulio,Stefano Surico,Marco Passerini,Alex Pojer. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-10-16.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09734008B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09733870B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA WRITING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140254270A1. Автор: MAEJIMA Hiroshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor memory device and the compensation method of signal interference thereof

Номер патента: KR101284147B1. Автор: 이현배. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-07-10.

Semiconductor memory device and data writing method of the same

Номер патента: US9361998B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor memory device and reading-out method of data

Номер патента: KR100397723B1. Автор: 야마사끼가즈유끼,에가와도노미. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2003-09-13.

Combined semiconductor memory and logic device and memory test control circuit and memory test method therefor

Номер патента: DE19823583B4. Автор: Sang-Bong Park,Jong-Taek Kwak,Jong-Hak Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor memory device and parallel test method of the same

Номер патента: KR100909807B1. Автор: 김보연. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-07-28.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: TW200929241A. Автор: Sang-Hee Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-01.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of writing to non-volatile semiconductor memory device storing information depending on variation in level of threshold voltage

Номер патента: US7376016B2. Автор: Shinichi Kobayashi,Takashi Kono,Takeshi Nakayama,Takeshi Kajimoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-20.

Systems and methods for implementing error correcting code regions in a memory

Номер патента: US09983930B2. Автор: Yanru Li,Nhon Quach,Rahul Gulati. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

METHOD OF ADJUSTING OPERATING CONDITIONS FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220059175A1. Автор: Suzuki Shinji. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of merging blocks for a semiconductor memory device

Номер патента: KR101635446B1. Автор: 박기태,김민석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-07-04.

Method of writing data to a semiconductor memory device

Номер патента: US7257032B2. Автор: Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa,Masaki Fujiu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-14.

Method of reading stored data and semiconductor memory device

Номер патента: US20020159312A1. Автор: Koji Furumi,Gen Kasai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of driving and testing a semiconductor memory device

Номер патента: US6940769B2. Автор: Shun-Ker Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-06.

Apparatus and method for controlling data output of a semiconductor memory device

Номер патента: US20040218429A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Circuit and method for controlling local data line in semiconductor memory device

Номер патента: TW200935444A. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

Circuit and method for controlling self-refresh operation in semiconductor memory device

Номер патента: US8395957B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-12.

Apparatus and method for improving dynamic refresh in a semiconductor memory device by temperature measurement

Номер патента: IL180483A0. Автор: . Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-06-03.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210382824A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240248643A1. Автор: Suhyun KIM,Hyunsook Lee,Seonghoon Woo,Tae-Eun Park,Haejong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Paved surface configured for reducing tire noise and increasing tire traction and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: US20070025814A1. Автор: Paul Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-01.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US11513960B2. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Using a persistent byte-addressable memory in a compute express link (cxl) memory device for efficient power loss recovery

Номер патента: US20240311019A1. Автор: Rohit Sehgal,Vishal TANNA,Eishan MIRAKHUR. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

System and method for self-healing basic input/output system boot image and secure recovery

Номер патента: US09846617B2. Автор: Mukund P. Khatri,Johan Rahardjo. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Storage device including memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: EP4024220A1. Автор: Duckho Bae,Huijeong Kim,Cheolho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-06.

Memory register definition systems and methods

Номер патента: US20090141564A1. Автор: George Pax. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Method of operating image processor generating top- down heat map and electronic device having the image processor

Номер патента: US20240185427A1. Автор: Yongjin Lee,Sung Yup LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-06.

Radiation detector, method and apparatus of manufacturing the same, scintillator panel and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US20210190976A1. Автор: Hiroshi Horiuchi,Atsuya Yoshida. Владелец: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Independently controlled virtual memory devices in memory modules

Номер патента: EP2313891A1. Автор: Norman P. Jouppi,Jung Ho Ahn,Jacob B. Leverich. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-04-27.

Cell co-culture device and co-culture method of bovine myocytes and adipocytes

Номер патента: NL2026517B1. Автор: Cheng Gong,LI Anqi,WANG Hongbao,Wang Yaning,Su Xiaotong,Zan Linsen. Владелец: Univ Northwest A&F. Дата публикации: 2022-07-22.

Memory controller, memory system including the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US20240272808A1. Автор: Younsoo Cheon,Haedong No,Youjin JEON,Minjin JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods and apparatus for reading memory device register data

Номер патента: US20030063507A1. Автор: Troy Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Cell co-culture device and co-culture method of bovine myocytes and adipocytes

Номер патента: NL2026517A. Автор: Cheng Gong,LI Anqi,WANG Hongbao,Wang Yaning,Su Xiaotong,Zan Linsen. Владелец: Univ Northwest A&F. Дата публикации: 2021-05-18.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570187B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method and apparatus for performing signal processing on a crossbar array of resistive memory devices

Номер патента: US09455030B1. Автор: Hai Li,Yiran Chen,Qing Wu,Mark Barnell,Richard Linderman. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2016-09-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20130315001A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20170125106A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-05-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20160232974A9. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-08-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY COLUMN DECODER DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20180342299A1. Автор: Yamada Shigekazu,Tanaka Tomoharu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-29.

Circuit and method for asynchronously accessing a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1225594A3. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-12-03.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Apparatuses and methods for data movement

Номер патента: EP3268965A1. Автор: David L. Pinney,Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240249671A1. Автор: Changhun KIM,Deukgeun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Systems and methods for handling sudden power failures in solid state drives

Номер патента: US09990023B2. Автор: Eran Sandel,Roman Guy,Andrew W. Vogan,Matthew J. Byom,Alexander Paley,Liran Erez,Muhammad N. Ashraf,Lior Mouler. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device of adaptively calibrating timing margin and integrated circuit including the same

Номер патента: US09870043B2. Автор: Jong-Pil Lee,Jae-Seung Choi,Jung-Hun Heo,Su-Hyun YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09858216B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09384152B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-07-05.

Pointer driving motor unit, electronic device, and control method of pointer driving motor unit

Номер патента: US20170192394A1. Автор: Kazuhiro Koyama. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Raid system including nonvolatile memory and operating method of the same

Номер патента: US20180150354A1. Автор: Ju Pyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Storage device and data management method of storage device

Номер патента: US20180357158A1. Автор: Takayuki Okinaga,Shuichiro Azuma,Kazuki Makuni,Yu NAKASE. Владелец: BUFFALO INC. Дата публикации: 2018-12-13.

Systems and methods for sub-zero threshold characterization in a memory cell

Номер патента: US20160379718A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A4. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-23.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Driving device and driving method of amoled

Номер патента: US20160343296A1. Автор: Zhenling Wang,Taijiun HWANG,Pingsheng KUO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Foldable display device and driving method of foldable display device

Номер патента: US20240265840A1. Автор: Guang Wang,Yajun Hei,Zhihua Yu. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Touch panel, display device and manufacturing method of touch panel

Номер патента: US20190377450A1. Автор: Lei Zhang,Jiawei XU,Tsung Chieh KUO,Xiaoyue HE,Qingpu Wang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Apparatuses and methods for data movement

Номер патента: US20240345756A1. Автор: Glen E. Hush,Perry V. Lea. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatuses and methods for data movement

Номер патента: US09971541B2. Автор: Glen E. Hush,Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Pointer driving motor unit, electronic device, and control method of pointer driving motor unit

Номер патента: US09939785B2. Автор: Kazuhiro Koyama. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Impedance adjustment in a memory device

Номер патента: US09779039B2. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods for sub-zero threshold characterization in a memory cell

Номер патента: US09711233B2. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Insulation detecting device and insulation detecting method of non-grounded power supply

Номер патента: US09575110B2. Автор: Yoshihiro Kawamura. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Driving device and driving method of liquid crystal display device and liquid crystal display device

Номер патента: US09530376B2. Автор: Liang Zhang,Bin Zhang,Chunbing Zhang,Shuai Hou,Yiqiang LAI. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20160078921A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Method of Maintaining the State of Semiconductor Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20140160868A1. Автор: OR-BACH Zvi,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

Method of forming fuel-air mixture for internal combustion engine

Номер патента: RU2626190C1. Автор: Александр Васильевич Шаталов. Владелец: Александр Васильевич Шаталов. Дата публикации: 2017-07-24.

Drive circuit of display panel, display device, and drive method of display panel

Номер патента: US20240194157A1. Автор: Seiichiro Jinta,Takuya Naruta. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Display device and display method of display device

Номер патента: US20240219746A1. Автор: Guowei Zha,Fancheng LIU,Yunni CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240232640A9. Автор: Byungsoo Oh,Taegeon UM,Minhyeok KWEUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Intelligent synthesis device and synthesis method of silver nanowires

Номер патента: LU504740B1. Автор: Wei Zhao. Владелец: Nanjing Vocational College Of Information Tech. Дата публикации: 2024-01-15.

Touch panel, display device and attaching method of glass cover

Номер патента: US20240152224A1. Автор: Mingjun Zhou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240135189A1. Автор: Byungsoo Oh,Taegeon UM,Minhyeok KWEUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Backlight module, display device and assembling method thereof

Номер патента: US20210026058A1. Автор: Xiang Li,Yang Shi. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Driving circuit of display device, display device and driving control method of display device

Номер патента: US20060061522A1. Автор: Eiichi Urushibata. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-03-23.

Apparatus having an input device and a display, method of controlling apparatus and computer-readable recording medium

Номер патента: US20080203315A1. Автор: Koichiro Kasama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Display device and control method of display device

Номер патента: US20230404532A1. Автор: Riko Koshino. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Display device and preparation method thereof

Номер патента: US20220137453A1. Автор: Guangcai Yuan,Chengtan Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY CHARGER, VOLTAGE MONITORING DEVICE AND SELF-DIAGNOSIS METHOD OF REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20120001588A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR TISSUE INVAGINATION

Номер патента: US20120004505A1. Автор: DeVRIES Robert B.,Sullivan Roy H.,Tassy,JR. Marc,Dimatteo Kristian,Kwan Tak,Shaw William J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR SYNCHRONIZING DATA RECEIVED FROM MULTIPLE SENSOR MODULES IN A PATIENT MONITOR SYSTEM

Номер патента: US20120004516A1. Автор: Menzel Frank,Eng William,Zahner Daniel A.. Владелец: MINDRAY DS USA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120161206A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-28.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING EMBEDDED NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH SIDEWALL GATE

Номер патента: US20130065368A1. Автор: Yasui Kan,HISAMOTO Digh,ISHIMARU Tetsuya,KIMURA Shin-ichiro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor memory device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3236793B2. Автор: 丈晴黒岩. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-10.

Methods of Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20120064682A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

METHODS OF MANUFACTURING THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES USING SUB-PLATES

Номер патента: US20120135583A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

Method of manufacturing MOS type semiconductor memory device

Номер патента: JP3139633B2. Автор: 浩樹白井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-03-05.

System and method for testing for defects in a semiconductor memory

Номер патента: TW201225098A. Автор: Cheng-Chi Liu,Yin-Chin Huang,Yi-Fang Chang,Chu-Pang Huang,Min-Kuang Li,Chang-Chan Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-16.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, READING PROGRAM AND METHOD FOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120230106A1. Автор: Yano Masaru. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof as well as layout of semiconductor memory device

Номер патента: CN102479787B. Автор: 黄育峰,韩宗廷,吕文彬. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-25.

Номер патента: RU2579148C1. Автор: Ахат Газизьянович Мустафин,Раиса Зигандаровна Биглова,Юлия Николаевна Биглова,Мансур Сагарьярович Мифтахов,Владимир Владимирович Михеев,Седа Арамовна Торосян,Вадим Венерович Загитов,Фануза Арслановна Гималова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет". Дата публикации: 2016-04-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты