Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Semiconductor memory devices with a power supply

Номер патента: US20120206989A1
Опубликовано: 16-08-2012
Автор(ы): Tae-Joong Song
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory devices with a power supply

Номер патента: US20140241046A1. Автор: Tae-Joong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor memory devices with a power supply

Номер патента: US8743646B2. Автор: Tae-Joong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor memory devices with a power supply

Номер патента: US9240223B2. Автор: Tae-Joong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor memory device operating at high speed at low power supply voltage

Номер патента: KR19980069694A. Автор: 노부유키 우메자키,매튜스 프란시스. Владелец: 닛폰 덴키 (주). Дата публикации: 1998-10-26.

Semiconductor memory device capable of controlling potential level of power supply line and/or ground line

Номер патента: US20050162919A1. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Semiconductor memory device for stably reading and writing data

Номер патента: US09672900B2. Автор: Shigeki Ohbayashi,Yasumasa Tsukamoto,Koji Nii,Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device having a short reset time

Номер патента: US20080186792A1. Автор: Kwun-Soo Cheon,Byong-Wook Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor memory device capable of controlling potential level of power supply line and/or ground line

Номер патента: US20080316837A1. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory device capable of controlling potential level of power supply line and/or ground line

Номер патента: TW200428393A. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Semiconductor memory device capable of controlling potential level of power supply line and/or ground line

Номер патента: TWI224338B. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-11-21.

Internal power supply control circuit of semiconductor memory

Номер патента: US20100246307A1. Автор: Akihiro Hirota. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device controlling the supply voltage on BIT lines

Номер патента: US5363336A. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Semiconductor memory device and control method

Номер патента: US20240304222A1. Автор: Atsushi Mototani. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12009048B2. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20240282346A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230139579A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Extending shelf life of non-volatile memory devices

Номер патента: US20180210646A1. Автор: Adam J. McPadden,Janani Swaminathan,Trinadhachari Kosuru,Prashanth K. Kasula,Preetham H. Raghavendra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory Device with Control Circuit for Regulating Power Supply Voltage

Номер патента: US20070257731A1. Автор: Satyajit Dutta,Zhibin Cheng,Peter Klim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110096596A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Naoki Ookuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor memory device allowing reduction of an area loss

Номер патента: US20040022114A1. Автор: Hiroshi Kato,Fukashi Morishita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-05.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100014375A1. Автор: Tomoaki Yabe,Akihito Tohata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Control amplification circuit, sense amplifier and semiconductor memory

Номер патента: EP4276829A1. Автор: Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240282356A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1005046A2. Автор: Fumihiro Kohno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-05-31.

Power-on reset circuit with variable detection reference and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09786371B1. Автор: Hyun Chul Lee,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device with reduced current consumption in data hold mode

Номер патента: EP1152431A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-07.

Semiconductor memory device having boosted voltage stabilization circuit

Номер патента: US20010050867A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1903577A3. Автор: Atsumasa c/o FUJITSU LIMITED Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140064005A1. Автор: Woong-Ju JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US20230115776A1. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US12073900B2. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device with reduced current consumption

Номер патента: US20070268769A1. Автор: Atsushi Takeuchi,Yoshiaki Okuyama,Tomohiro Kawakubo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-22.

Power management in semiconductor memory system

Номер патента: US20130028039A1. Автор: David T. Wang. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090323451A1. Автор: Kang-Seol Lee,Seok-Cheol Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor memory device including power decoupling capacitor

Номер патента: US09666262B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Doo-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device with variable plate voltage generator

Номер патента: US5777934A. Автор: Sang-Bo Lee,Dong-Il Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-07-07.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070297208A1. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit and a method for controlling an operation thereof

Номер патента: US09564190B2. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit and a method for controlling an operation thereof

Номер патента: US09443565B2. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220310153A1. Автор: Masaharu Wada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Integrated semiconductor memory with internal voltage booster of lesser dependency on power supply voltage

Номер патента: US5499209A. Автор: Daisaburo Takashima,Yukihito Oowaki,Masako Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130322195A1. Автор: Dong-Kyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor memory device capable of reducing peak current with respect to external power in multi-memory die structures

Номер патента: US09990979B2. Автор: Minsang PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated semiconductor memory device

Номер патента: US20070211552A1. Автор: Simon Muff. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-13.

Internal voltage generating apparatus for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030179618A1. Автор: Tae Kim,Jun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-21.

Power voltage supplier of semiconductor memory device

Номер патента: US20060050589A1. Автор: Jun-Gi Choi,Yong-Kyu Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-03-09.

Static semiconductor memory device operating at high speed under lower power supply voltage

Номер патента: CN1230750A. Автор: 山下正之,川村栄喜. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-10-06.

Semiconductor memory device, processing system including the same and power control circuit for the same

Номер патента: US20220101888A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20060120179A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080122523A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyoung-Ryol Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8611174B2. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120155209A1. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

method for supplying power supply voltage in semiconductor memory device and circuit for supplying cell array power supply voltage

Номер патента: KR100452322B1. Автор: 강경우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor memory device equipped with a low noise power supply.

Номер патента: DE68922659T2. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-12-21.

Semiconductor memory device equipped with a low noise power supply.

Номер патента: DE68922659D1. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-06-22.

Semiconductor memory devices including a discharge circuit

Номер патента: US20140101395A1. Автор: Jae Ho Park,Jong Hoon Jung,Gyu Hong Kim,Tae Joong Song,Gi Young Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor Device, Nonvolatile Semiconductor Memory, System Including A Plurality Of Semiconductor Devices Or Nonvolatile Semiconductor Memories, Electric Card Including Semiconductor Device Or Nonvolatile Semiconductor Memory, And Electric Device With Which This Electric Card Can Be Used

Номер патента: US20080074941A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi,Kazushige Kanda,Tamio Ikehashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Memory device of adaptively calibrating timing margin and integrated circuit including the same

Номер патента: US09870043B2. Автор: Jong-Pil Lee,Jae-Seung Choi,Jung-Hun Heo,Su-Hyun YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device operating synchronously with a clock signal

Номер патента: DE10161128A1. Автор: Takeshi Kajimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200251153A1. Автор: Katsuyuki Fujita,Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180277171A1. Автор: Katsuyuki Fujita,Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device that can stably perform writing and reading without increasing current consumption even with a low power supply voltage

Номер патента: US09767893B2. Автор: Hiroshi Makino,Koichiro Ishibashi,Shigeki Obayashi,Hirofumi Shinohara,Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device that can stably perform writing and reading without increasing current consumption even with a low power supply voltage

Номер патента: US09496028B2. Автор: Hiroshi Makino,Koichiro Ishibashi,Shigeki Obayashi,Hirofumi Shinohara,Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7433257B2. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor memory device with selective provision of boost voltage for programming

Номер патента: EP4134957A2. Автор: Koichi Takeda,Ken Matsubara,Akihiko Kanda,Tomoya Saito,Genta Watanabe,Takahiro Shimoi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050128786A1. Автор: Tomonori Fujimoto,Kiyoto Ohta,Hidefumi Ohtsuka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Static type semiconductor memory device

Номер патента: IE54486B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-10-25.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device and method relieving defect of semiconductor memory device

Номер патента: US6018488A. Автор: Yoichi Suzuki,Masami Masuda,Yasumitsu Nozawa,Akihiro Mishima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262628A1. Автор: Hiroshi Makino,Koichiro Ishibashi,Shigeki Obayashi,Hirofumi Shinohara,Koji Nii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160284713A1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US7760572B2. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20050146970A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20060120168A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Memory device deserializer circuit with a reduced form factor

Номер патента: US12073918B2. Автор: Guan Wang,Luigi Pilolli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated semiconductor memory with sense amplifier

Номер патента: US20050207251A1. Автор: Helmut Schneider,Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-22.

Buffering circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US20020010829A1. Автор: Sang Lee,Byung Lee,Young Nam,Kwang Cho,Joon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-24.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Circuit for the switching of supply voltages in electrically programmable and cancelable non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US5754473A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

ROM type semiconductor memory device with large operating margin

Номер патента: US5717640A. Автор: Kiyokazu Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Power supply circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09858970B2. Автор: Bon Kwang Koo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Internal power voltage generating circuit in semiconductor memory device

Номер патента: US7613063B2. Автор: Hyong-Ryol Hwang,Ki-Ho Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-03.

Power-on reset circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09899065B1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of supplying voltage in the same, and semiconductor device

Номер патента: US8248865B2. Автор: Daichi KAKU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Voltage generator and semiconductor memory device

Номер патента: US09601209B2. Автор: Young-Sun Min,Tae-hyun Kim,Won-Tae Kim,Sang-Wan Nam,Sung-Whan Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device with internal power supply potential genaration circuit

Номер патента: US20020060942A1. Автор: Fukashi Morishita,Akira Yamazaki,Yasuhiko Taito,Nobuyuki Fujii,Mihoko Akiyama,Mako Okamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor memory including an intermediate potential circuit capable of providing reduced current flow

Номер патента: US6137731A. Автор: Yukinori Yamada,Shouzou Uchida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Internal power supply voltage auxiliary circuit, semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US09589657B2. Автор: Akira Ogawa,Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device having pads

Номер патента: US09595498B2. Автор: Hyung Soo Kim,Ic Su Oh,Yong Ju Kim,Hae Rang Choi,Jae Min Jang,Hee Woong Song,Tae Jin Hwang,Ji Wang Lee,Sung Woo Han,Chang Kun Park,Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Power control device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09984733B2. Автор: Jae Wook Lee,Jong Ho Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device, and data transmitting/receiving system

Номер патента: US20070274148A1. Автор: Tadashi Nitta,Kazuyo Nishikawa,Masahiro Ueminami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US09805774B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140241029A1. Автор: Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Internal power supply voltage generating circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US6281745B1. Автор: Hoon Ryu,Jae Hoon Kim,Hyun Soon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US20140153336A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Substate bias voltage generation circuits and methods to control leakage in semiconductor memory device

Номер патента: US09577636B1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device having power line arranged in a meshed shape

Номер патента: US5815454A. Автор: Shigeki Tomishima,Hideto Hidaka,Kazutami Arimoto,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09928918B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09576675B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US09947378B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09548085B2. Автор: Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device including bulk voltage generation circuit

Номер патента: US20140219040A1. Автор: Mi Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor memory device having pads

Номер патента: US9209145B2. Автор: Hyung Soo Kim,Ic Su Oh,Yong Ju Kim,Hae Rang Choi,Jae Min Jang,Hee Woong Song,Tae Jin Hwang,Ji Wang Lee,Sung Woo Han,Chang Kun Park,Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Semiconductor memory device having pads

Номер патента: US20160104684A1. Автор: Hyung Soo Kim,Ic Su Oh,Yong Ju Kim,Hae Rang Choi,Jae Min Jang,Hee Woong Song,Tae Jin Hwang,Ji Wang Lee,Sung Woo Han,Chang Kun Park,Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor memory device having pads

Номер патента: US20100044872A1. Автор: Hyung Soo Kim,Ic Su Oh,Yong Ju Kim,Hae Rang Choi,Jae Min Jang,Hee Woong Song,Tae Jin Hwang,Ji Wang Lee,Sung Woo Han,Chang Kun Park,Seong Hwi Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor memory device having pads

Номер патента: US20150076614A1. Автор: Hyung Soo Kim,Ic Su Oh,Yong Ju Kim,Hae Rang Choi,Jae Min Jang,Hee Woong Song,Tae Jin Hwang,Ji Wang Lee,Sung Woo Han,Chang Kun Park,Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor memory device having pads

Номер патента: US20150076703A1. Автор: Hyung Soo Kim,Ic Su Oh,Yong Ju Kim,Hae Rang Choi,Jae Min Jang,Hee Woong Song,Tae Jin Hwang,Ji Wang Lee,Sung Woo Han,Chang Kun Park,Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor memory device having pads

Номер патента: US9190372B2. Автор: Hyung Soo Kim,Ic Su Oh,Yong Ju Kim,Hae Rang Choi,Jae Min Jang,Hee Woong Song,Tae Jin Hwang,Ji Wang Lee,Sung Woo Han,Chang Kun Park,Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor memory device having pads

Номер патента: US8916975B2. Автор: Hyung Soo Kim,Ic Su Oh,Yong Ju Kim,Hae Rang Choi,Jae Min Jang,Hee Woong Song,Tae Jin Hwang,Ji Wang Lee,Sung Woo Han,Chang Kun Park,Seong Hwi Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090058510A1. Автор: Jae-Boum Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Power on reset circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09633700B2. Автор: Do Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device, method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: US09466345B2. Автор: Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device for scheduling maximum number of memory macros write operations at re-arranged time intervals

Номер патента: US12026404B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device with low power consumption

Номер патента: US20020118590A1. Автор: Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5889719A. Автор: Yun-Ho Choi,Soo-In Cho,Nam-Soo Kang,Dae-Je Chin,Seung-Moon Yoo,Seung-Hun Lee,Ejaz ul Haq. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor device, semiconductor memory device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010014042A1. Автор: Hiroshi Kato,Tsukasa Ooishi,Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US09576640B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device including array e-fuse

Номер патента: US09557788B2. Автор: Yun-Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Power supply voltage detecting circuit for use in semiconductor memory device

Номер патента: US5907283A. Автор: Chang-Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-05-25.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory device having power mesh structure

Номер патента: US20180240504A1. Автор: Nam-Hea JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

DLL with reduced size and semiconductor memory device including DLL and locking operation method of the same

Номер патента: US20070263460A1. Автор: Eun Jung Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Electronic memory device and test method of such a device

Номер патента: US09881692B2. Автор: Filippo Marinelli,Lubomir Plavec,Miloslav KUBAR. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5619465A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Masami Nakashima,Hidenori Nomura,Kenji Nagai,Isaya Sobue. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1997-04-08.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Bit-line sense amplifier capable of compensating mismatch between transistors, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09431071B2. Автор: Jong-Ho Moon,Tai-Young Ko,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US9865327B1. Автор: Akihiro Hirota. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device having bitline coupling scheme capable of preventing deterioration of sensing speed

Номер патента: US20040125662A1. Автор: Sung-Ho Choi,Tae-Seong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20030227808A1. Автор: Atsumasa Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080159037A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Myeong-o Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20130279281A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20140119145A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US20090310432A1. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US7889532B2. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor memory device including power supply line

Номер патента: US09520176B2. Автор: Minoru Yamagami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020172078A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4271158A1. Автор: Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Junhyeok Ahn,Keunnam Kim,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor memory device with dummy memory mat and refresh operating method thereof

Номер патента: US09472259B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and methods of operation

Номер патента: EP4207202A2. Автор: Taeyoung Oh,Sungyong Cho,Kiheung KIM,Kyungsoo Ha,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor memory device and method for adjusting threthold voltage thereof

Номер патента: US11100975B2. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Dynamic semiconductor memory device with decreased clocks

Номер патента: US4387448A. Автор: Yoshihiro Takemae,Shigeki Nozaki,Tsutomu Mezawa. Владелец: A AOKI AND ASSOC. Дата публикации: 1983-06-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor memory device having a self-refreshing control circuit

Номер патента: US5453959A. Автор: Tomohiro Suzuki,Toshiyuki Sakuta. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-09-26.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US09812179B2. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US7495990B2. Автор: Yoshiharu Kato,Satoru Kawamoto,Kazufumi Komura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-24.

Power supply circuit for sense amplifier of semiconductor memory device

Номер патента: US20080123457A1. Автор: Kang Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device including cell isolation structure using inactive transistors

Номер патента: US8022499B2. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor memory device with advanced refresh control

Номер патента: US20070070765A1. Автор: Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device controlling refresh cycle, memory system, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09490004B2. Автор: In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09472263B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US6914840B2. Автор: Masashi Agata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-05.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor memory device suitable for merging with logic

Номер патента: EP1069504A3. Автор: Naoya c/o Mitsubishi Denki K. K. Watanabe,Akira c/o Mitsubishi Denki K. K. Yamazaki,Kazutami c/o Mitsubishi Denki K. K. Arimoto,Takeshi c/o Mitsubishi Denki K. K. Fujino,Isamu c/o Mitsubishi Denki K. K. Hayashi,Hideyuki c/o Mitsubishi Denki K. K. Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-03-07.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09691469B2. Автор: Seung-chan Kim,Hyeng-Ouk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09679612B2. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Sense amplifier control circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20020089888A1. Автор: Daisuke Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor memory device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20120106272A1. Автор: Mi-Hye Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device capable of performing test mode operation and method of operating such semiconductor device

Номер патента: USRE36875E. Автор: Akira Yamazaki,Yasuhiro Konishi,Katsumi Dosaka,Hisashi Iwamoto,Masaki Kumanoya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030086317A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro Suematsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor memory device allowing increase in capacity and operation speed with a suppressed layout area

Номер патента: US20010026496A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory devices, memory systems including refresh control circuit and method of performing weak refresh operation on the weak pages thereof

Номер патента: US09620193B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Dong-yang Lee,Jae-Yeon Choi,Sang-Kyu Kang,Doo-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system and method for controlling self refresh cycle thereof

Номер патента: US09564207B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09543952B2. Автор: Ki Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: CA1137221A. Автор: Takashi Watanabe,Tsuneo Mano,Junichi Inoue. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1982-12-07.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080056036A1. Автор: Jong-Won Lee,Sung-Kwon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Memory device that recycles a signal charge

Номер патента: US20050195669A1. Автор: Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-08.

Word line driver, method for driving the word line driver, and semiconductor memory device having the word line driver

Номер патента: US20090323455A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US09852786B2. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US09806082B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device with shortened time period of word line selection

Номер патента: US4707809A. Автор: Manabu Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-11-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050029562A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor memory device with a power gating circuit for reducing an instantaneous voltage drop

Номер патента: US09627037B2. Автор: Jin Sung Kim,Jae Young Kim,Tae Hyung Kim,Sang Yeop Baeck. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US11762736B2. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12066893B2. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240370335A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device in which data are read and written asynchronously with application of address signal

Номер патента: US20040017699A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor memory device in which data are read and written asynchronously with application of address signal

Номер патента: US5841729A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor memory device in which data are read and written asynchronously with application of address signal

Номер патента: US5517459A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-14.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Split protocol approaches for enabling devices with enhanced persistent memory region access

Номер патента: US20230297286A1. Автор: Luca Bert,Joseph H. Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Split protocol approaches for enabling devices with enhanced persistent memory region access

Номер патента: US12086468B2. Автор: Luca Bert,Joseph H. Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6888751B2. Автор: Hideo Kasai,Akihiro Fujita,Kiichi Makuta,Masashii Wada,Atsushi Toukairin. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Semiconductor memory device having mask rom structure

Номер патента: US5140597A. Автор: Sunao Araki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-08-18.

Mask rom semiconductor memory device capable of synchronizing the activation of the sense amplfier and of the word line

Номер патента: US20010053107A1. Автор: Takaki Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5963488A. Автор: Koji Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US20240329852A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device having cell plate electrodes allowing independent power supply for each redundant replacement unit

Номер патента: US20030015735A1. Автор: Kazutami Arimoto,Hiroki Shimano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A3. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T Chan,Toan D Do. Владелец: Toan D Do. Дата публикации: 2008-01-03.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A2. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T. Chan,Toan D. Do. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2007-05-31.

Memory device with fast write mode to mitigate power loss

Номер патента: US20240046990A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Juane LI,Sead Zildzic, JR.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Extended utilization area for a memory device

Номер патента: US20240168635A1. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for producing 3d semiconductor memory devices and structures with a single-crystal layer

Номер патента: US20220223459A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US9036423B2. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random, or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US09928919B1. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods for manufacturing and operating a memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09753849B2. Автор: Young Jin Cho,Kui Yon MUN,Young Kwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor CMOS Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20200119023A1. Автор: David Liu,Ben Sheen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-16.

Memory device and method having on-board processing logic for facilitating interface with multiple processors, and computer system using same

Номер патента: US09959929B2. Автор: David Resnick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory/integrated circuit device with discriminator for diagnostic mode of operation

Номер патента: EP0520696A2. Автор: Seiichi c/o NEC Corporation Morigami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-12-30.

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US20240045595A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Device for detecting leakage current and memory device

Номер патента: US20180190360A1. Автор: Sung Whan Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device with voltage down circuit changing power supply voltage to operating voltage

Номер патента: TW548827B. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Elec Sys Lsi Design. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device with voltage down circuit changing power supply voltage to operating voltage

Номер патента: US6820241B2. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: Renesas Design Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Extended utilization area for a memory device

Номер патента: US11907538B2. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Extended utilization area for a memory device

Номер патента: US11829601B2. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

System on chip, memory device, electronic device comprising the soc and memory device, and method for storing data in the electronic device

Номер патента: US20210182223A1. Автор: Ji Hyun Choi,Seung-Hyun Cho,Hyun-Joong Kim,Woong-jae SONG,Soo-Woong AHN,Joon Sik SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Modified Distribution of Memory Device States

Номер патента: US20230021663A1. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Methods for manufacturing and operating a memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US20160005454A1. Автор: Young Jin Cho,Kui Yon MUN,Young Kwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Electromagnetic sensor and memory device

Номер патента: US4103340A. Автор: Richard E. Fayling. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1978-07-25.

Multi-port memory device and a method of using the same

Номер патента: US11837319B2. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Multi-port memory device and a method of using the same

Номер патента: US20240087620A1. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory device deserializer circuit with a reduced form factor

Номер патента: US20220392502A1. Автор: Guan Wang,Luigi Pilolli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09472292B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device having increased memory capacity while reducing mounting area and stand-by current

Номер патента: US20020159289A1. Автор: Shinichi Kobayashi,Masaki Tsukude,Tadayuki Shimizu,Hirotoshi Sato,Minoru Senda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor memory device capable of reducing power supply noise caused by output data therefrom

Номер патента: US5883847A. Автор: Mariko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Semiconductor memory device mapping external address as internal address wherein internal addresses of spare cells of two blocks differ by upper most bit and internal addresses of main cells of two blocks differ by upper most bit and the internal addresses of main cell and spare cell of each block differ by one bit and operating method for the same

Номер патента: US09443618B2. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US09424905B2. Автор: Jungwoo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory having multiple redundant columns with offset segmentation boundaries

Номер патента: US20030026140A1. Автор: Greg Blodgett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor Memory Device with Spin-Orbit Coupling Channel

Номер патента: US20240296878A1. Автор: Hyunsoo Yang,Rahul Mishra,Ung Hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device comprising variable delay unit

Номер патента: US20100271887A1. Автор: Young-Sik Kim,Seung-Jun Bae,Sang-hyup Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7420868B2. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090021973A1. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080291714A1. Автор: Hayashi Mitsuaki,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7580316B2. Автор: Hayashi Mitsuaki,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060239105A1. Автор: Hayashi Mitsuaki,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210118481A1. Автор: HIROSHI Yoshioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Memory Solution Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09728239B2. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110235402A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor memory devices having separate sensing circuits and related sensing methods

Номер патента: US09865342B2. Автор: Jaekyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020071313A1. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070247889A1. Автор: Takashi Miki,Yasuo Murakuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device including circuits with data holding capability and bus for data transmission

Номер патента: US09472296B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device, erasing methods thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09646696B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US6743647B2. Автор: Yukinobu Hikosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-06-01.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory device with increased separation between memory elements

Номер патента: US09548448B1. Автор: Yiming Huai,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor memory device with address latch circuit

Номер патента: US09721633B2. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090296460A1. Автор: Akihiko Kanda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Electronic device with semiconductor memory having variable resistance elements for storing data and associated driving circuitry

Номер патента: US09812199B2. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device, memory system and access method to semiconductor memory device

Номер патента: US09633705B2. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040062113A1. Автор: Yoshimasa Sekino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device with write driver

Номер патента: US09966123B2. Автор: Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure

Номер патента: US09633731B2. Автор: Jung Ryul Ahn,Yun Kyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Nonvolatile memory device that stores data from completed write requests on a power abnormality

Номер патента: US09984746B2. Автор: Tatsunori Kanai,Yusuke Shirota,Tetsuro Kimura,Masaya Tarui,Shiyo Yoshimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12073882B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09627354B1. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP2225648A1. Автор: Keiji Maeda,Masato Sugita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040213066A1. Автор: Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240099029A1. Автор: Yoshiki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09484106B2. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US09659607B2. Автор: Kazutaka Taniguchi,Hidetoshi Ozoe,Yasuhiro Tonda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor memory device with a redundant decoder having a small scale in circuitry

Номер патента: US6023433A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor memory device with a bypass circuit for verifying the characteristics of an internal clock signal

Номер патента: US20050002261A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory device with a three-dimensional stacked memory cell structure

Номер патента: US09576968B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile semiconductor memory device capable of preventing over-programming

Номер патента: US20110157973A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masaki Fujiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060028884A1. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a floating gate and a control gate

Номер патента: US20070020852A1. Автор: Akira Umezawa,Kazuhiko Kakizoe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060239109A1. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20060146620A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US7038969B2. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20050088874A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Non-volatile semiconductor memory device having a stable read margin

Номер патента: US20020018369A1. Автор: Taku Ogura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor memory device including power decoupling capacitor

Номер патента: US09754960B2. Автор: Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230170021A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory circuit having shift redundancy circuits

Номер патента: US6021075A. Автор: Yoshinori Ueno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Output circuit for a semiconductor memory device and data output method

Номер патента: US20080291755A1. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US12051464B2. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Non-volatile semiconductor memory device with alternative metal gate material

Номер патента: US20080217677A1. Автор: Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-11.

Stacked semiconductor memory device with compound read buffer

Номер патента: US20110138087A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US20240355385A1. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070171701A1. Автор: Ryoutaka Kitou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor memory device with a plurality of sense ampilifers overlapping a plurality of metal joints

Номер патента: US20230165010A1. Автор: Hiroshi Maejima,Naohito Morozumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09798600B2. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09728235B2. Автор: TaeHyung Jung,Kwanweon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device with a decoupling capacitor

Номер патента: US20040141398A1. Автор: Hyong-Ryol Hwang,Jae-Yoon Sim,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7864618B2. Автор: Yoshinori Matsui,Yoshinori Haraguchi,Yoshiro Riho,Hayato Oishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8503214B2. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a charge storage layer and a control gate and method of controlling the same

Номер патента: US20090268526A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Takeshi Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240221833A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240250026A1. Автор: Nobuaki OKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Memory device that performs an advance reading operation

Номер патента: US09620230B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09515087B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory device, memory test method and computer program for designing program of semiconductor memory device

Номер патента: US20100313085A1. Автор: Hiroshi Tomiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US20240274189A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory devices with ballasts

Номер патента: WO2018125237A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory device having memory block configuration

Номер патента: US20110002170A1. Автор: Takashi Kubo,Taku Ogura,Tadaaki Yamauchi,Hidenori Mitani,Kengo Aritomi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor memory device having memory block configuration

Номер патента: US20070297251A1. Автор: Takashi Kubo,Taku Ogura,Tadaaki Yamauchi,Hidenori Mitani,Kengo Aritomi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor memory device having memory block configuration

Номер патента: US7782672B2. Автор: Takashi Kubo,Taku Ogura,Tadaaki Yamauchi,Hidenori Mitani,Kengo Aritomi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor memory device having memory block configuration

Номер патента: US7447087B2. Автор: Takashi Kubo,Taku Ogura,Tadaaki Yamauchi,Hidenori Mitani,Kengo Aritomi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor memory device having memory block configuration

Номер патента: US20090052249A1. Автор: Takashi Kubo,Taku Ogura,Tadaaki Yamauchi,Hidenori Mitani,Kengo Aritomi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor memory device with a variable delay for a data select signal and a counter for counting a selected data signal during a test operation

Номер патента: US12020772B2. Автор: Mitsuhiro Abe,Norichika ASAOKA,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220093185A1. Автор: Kensuke Yamamoto,Masaru Koyanagi,Ryo Fukuda,Junya Matsuno,Masato Dome,Kenro Kubota. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor memory device and a memory system having the same

Номер патента: US20210082478A1. Автор: Jeonghyeon Cho,Seonghoon JOO,llhan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12068043B2. Автор: Kensuke Yamamoto,Masaru Koyanagi,Ryo Fukuda,Junya Matsuno,Masato Dome,Kenro Kubota. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device having diagnostic unit operable on parallel data bits

Номер патента: US5079747A. Автор: Kazuhiro Nakada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device operating at a low level power supply voltage

Номер патента: US6088275A. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020031043A1. Автор: Takayuki Harima,Takahiro Tsuruto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12073910B2. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory device with a triple well structure

Номер патента: US20010006247A1. Автор: Akemi Maruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor memory device with a triple well structure

Номер патента: US6404036B2. Автор: Akemi Maruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240371417A1. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09613703B2. Автор: Makoto Senoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: USRE46785E1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US8699279B2. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120236664A1. Автор: Masahiro Kamoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8644069B2. Автор: Masahiro Kamoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method

Номер патента: US20030205771A1. Автор: Hiroshi Mizuta,Hideo Sunami,Kazuo Nakazato,Kiyoo Itoh,Toshikazu Shimada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-06.

Power metal mesh and semiconductor memory device and method including the same

Номер патента: US20140140016A1. Автор: Jun Ho Lee,Tae Hoon Kim,Yang Hee Kim,Ic Su Oh,Sung Woo Han,Sun Ki CHO,Boo Ho JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US20130114347A1. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor memory device with write disturb reduction

Номер патента: US12073886B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Memory controller, semiconductor memory device, and control method for semiconductor memory device

Номер патента: US09960788B2. Автор: Daisuke Fujiwara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Precharge circuitry for semiconductor memory device

Номер патента: US09830959B2. Автор: Kang Woo Park,Eun Ji CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09437308B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Storage device including auxiliary power supply device and operating method thereof

Номер патента: US20230140904A1. Автор: Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080025101A1. Автор: Koichi Fukuda,Midori Morooka,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Storage device including auxiliary power supply device and operating method thereof

Номер патента: EP4180916A3. Автор: Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09754672B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150206580A1. Автор: Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060221754A1. Автор: Wataru Abe,Shuji Nakaya,Mituaki Hayashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device including pass transistors with variable sizes

Номер патента: US12133389B2. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4802137A. Автор: Shinji Saito,Nobuo Shishikura,Taizo Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-01-31.

Semiconductor memory device including chalcogenide

Номер патента: US20230402095A1. Автор: Jong Ho Lee,Jun Ku AHN,Gwang Sun JUNG,Uk HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230229344A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100277968A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US20040141349A1. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US6879539B2. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060158942A1. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Abe,Shuji Nakaya,Masakazu Kurata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080175076A1. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Abe,Shuji Nakaya,Masakazu Kurata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device having calibration circuitry for dual-gate transistors associated with a memory array

Номер патента: US09455001B1. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device with plural memory die and controller die

Номер патента: US09348786B2. Автор: Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20050230748A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenji Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

Номер патента: WO2008096802A1. Автор: Masaru Kito,Mitsuru Sato,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2008-08-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8274845B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-25.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100309733A1. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Power-supply device and electronic device including the same

Номер патента: US10657043B2. Автор: Jeong Su Park,Yong Seok Oh,Joo Il Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-19.

Power-supply device and electronic device including the same

Номер патента: US10802963B2. Автор: Jeong Su Park,Yong Seok Oh,Joo Il Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7649799B2. Автор: Tomoaki Yabe,Nobuaki Otsuka,Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-19.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040095824A1. Автор: Hironori Akamatsu,Marefusa Kurumada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130187216A1. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of operating semiconductor memory devices with selective write-back of data for error scrubbing and related devices

Номер патента: US09990163B2. Автор: Uk-Song KANG,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09853040B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09589608B2. Автор: Akiyoshi Seko. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-03-07.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US09484099B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Malfunction control for an EEPROM type memory device

Номер патента: US09472307B1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-10-18.

Systems and methods for stacked semiconductor memory devices

Номер патента: US09472243B2. Автор: Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4424582A. Автор: Kouji Ueno,Tamio Miyamura,Kazumi Koyama,Toshitaka Fukushima,Yuichi Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-03.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Testing architecture for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030005372A1. Автор: K. T. Hsiao,Hao-Liang Lo,Li-Yang Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device with signal lines arranged across memory cell array thereof

Номер патента: US20050259466A1. Автор: Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US8723303B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor memory device, semiconductor system and reading method

Номер патента: US09953170B2. Автор: Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with improved programming reliability

Номер патента: US09589647B1. Автор: Ji Hyun Seo,Sung Yong CHUNG,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device to selectively perform a single sensing operation or a multi-sensing operation

Номер патента: US09570190B2. Автор: Ka Young CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Intergrated semiconductor circuit with a semiconductor memory configuration embedded in a semiconductor chip

Номер патента: US20020047167A1. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307359A1. Автор: Tadayoshi Watanabe,Kouji Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US20110309525A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory

Номер патента: US20020041534A1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni,Roberto Gastaldi,Giulio Casagrande,Paolo Cappelletti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-04-11.

Apparatus for testing semiconductor memory device

Номер патента: US6034905A. Автор: Kunihiko Suzuki,Kazuhiro Shibano. Владелец: Asia Electronics Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Semiconductor memory device and method of outputting data strobe signal thereof

Номер патента: US20030179627A1. Автор: Jun-Young Jeon,Jae-Hyeong Lee,Eun-Youp Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-25.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory device with test mode to monitor internal timing control signals at i/o terminals

Номер патента: EP1509924A1. Автор: Thomas Roehr,Tadashi Toshiba Corporation MIYAKAWA,Daisaburo Toshiba Corporation TAKASHIMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-02.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09928910B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device having a heat insulating mechanism

Номер патента: US09788463B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Yasuyuki Ozawa,Yoshiharu Matsuda,Masahiro Iijima,Kenichi SAWANAKA,Fuminori Kimura,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09646693B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09595324B1. Автор: Takashi Izumida,Hiroki TOKUHIRA,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502112B2. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080117659A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170221567A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190267097A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160172048A1. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of making a semiconductor memory device

Номер патента: US4830977A. Автор: Yoshiharu Takeuchi,Akira Endo,Hisao Katto,Yuji Arakawa,Nozomi Horino,June Sugiura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-05-16.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: EP4379608A3. Автор: Seongil O,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304257A1. Автор: Hidehiro Shiga,Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US09929173B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640269B2. Автор: Yasushi Nakajima,Hideaki Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09589973B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09543022B2. Автор: Yusuke Umezawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Boosting voltage level detector for a semiconductor memory device

Номер патента: US5742197A. Автор: Chan-Jong Park,Hyung-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-21.

Semiconductor memory device witih a built-in self test circuit for adjusting a memory device property

Номер патента: US10629284B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160284410A1. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device having write column select line or read column select line for shielding signal line

Номер патента: US20030133332A1. Автор: Yun-sang Lee,Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050047225A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor memory system having a data clock system for reliable high-speed data transfers

Номер патента: US20030137893A1. Автор: Louis Hsu,Jeremy Stephens,Li-Kong Wang,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US7206980B2. Автор: Manfred Pröll,Jurgen Auge,Jörg Kliewer,Frank Schroeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070081403A1. Автор: Yasuhiro Nanba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040223360A1. Автор: Toshiki Yamanaka. Владелец: Axiohm Transaction Solutions Inc. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device in which redundancy (RD) of adjacent column is automatically repaired

Номер патента: US7643362B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor memory device having improved cell array layout

Номер патента: US6205045B1. Автор: Shigeru Atsumi,Masao Kuriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP2308084A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8797777B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US20050249002A1. Автор: Manfred Pröll,Jurgen Auge,Jörg Kliewer,Frank Schroeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory apparatus and testing method thereof

Номер патента: US20240282397A1. Автор: Shao-Ching Liao,Chien-Min Wu,Kuang-Chih Hsieh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252289B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20130237019A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-12.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20110228582A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199168A1. Автор: Yusuke Umezawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device, controller, memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240274217A1. Автор: Jin Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12106811B2. Автор: Yousuke Hagiwara,Kei Shiraishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09947410B2. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09780170B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Daisuke Matsushita,Tomoya Kawai,Kensuke Ota,Toshifumi Irisawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Magneto optical memory device

Номер патента: US5631096A. Автор: Akira Takahashi,Junsaku Nakajima,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-05-20.

An optical drive having a laser driver device with an adjustable power level

Номер патента: WO2007052178A2. Автор: James J. A. Mccormack. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2007-05-10.

Power supply system with a plurality of power supply circuits and control method of the same

Номер патента: US09727125B2. Автор: Jun Muto. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Computer system with a back-up power supply

Номер патента: US4658352A. Автор: Kunihiko Nagasawa. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1987-04-14.

Magnetic detecting apparatus with a variable voltage power supply

Номер патента: US5493218A. Автор: Yoshinori Hayashi,Masayoshi Yamashita,Akira Miki,Makoto Hosokawa,Nanayuki Takeuchi. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Quality detection method for microelectrostatic device with built-in power supply

Номер патента: US20240310314A1. Автор: Kejun Jiang,Shidan LONG,Shanqing MENG. Владелец: AIRQUALITY TECHNOLOGY (SHANGHAI) Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Quality detection method for microelectrostatic device with built-in power supply

Номер патента: US12105044B1. Автор: Kejun Jiang,Shidan LONG,Shanqing MENG. Владелец: AIRQUALITY TECHNOLOGY (SHANGHAI) Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Power supply abnormality detection circuit and display terminal

Номер патента: US20240028096A1. Автор: Yue Fan. Владелец: Huizhou China Star Optoelectronics Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor apparatus for use in low voltage power supply

Номер патента: US6150879A. Автор: Daita Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Laser gyro single transformer power supply

Номер патента: WO1994017364A1. Автор: Dale F. Berndt,Joseph E. Killpatrick. Владелец: Honeywell Inc.. Дата публикации: 1994-08-04.

Variable reference signal generator used with switching mode power supply and the method thereof

Номер патента: US09841779B2. Автор: Yike Li,Yiwei Wang. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Power supply

Номер патента: US09490713B2. Автор: Toshio Shibata,Eiji Nagashima. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for making redundant power supplies hot-pluggable

Номер патента: US5909583A. Автор: Stuart W. Hayes,Erik A. Schuchmann. Владелец: Dell USA LP. Дата публикации: 1999-06-01.

Memory device

Номер патента: EP1459190A1. Автор: Dick Cornelis Hoogerdijk. Владелец: Freecom Technologies BV. Дата публикации: 2004-09-22.

System bus with variable output power supply

Номер патента: CA2836302C. Автор: Marc Hoffknecht,Javier Orlando Rojas,Liam John O'Hagan. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Selectively disabling power delivery to a grouping of memory devices of an information handling system

Номер патента: US20230065935A1. Автор: Lee Zaretsky,Isaac Q. Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-03-02.

Power supply system with a plurality of power supply units capable of powering a plurality of load units depending on the type and operation state of each load unit

Номер патента: US8782449B2. Автор: Hiroshi Yamaki,Kazuhiko Itakura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Remote control device with a self-contained power supply; electric apparatus and electric facility containing the device

Номер патента: UA74356C2. Автор: Патрік Алмосніно,Філіпп Андре,Жилль Кортез,Ролан Муссане,Патрік Руссе. Владелец: Шнейдер Електрик Ендюстрі Са. Дата публикации: 2005-12-15.

Enumerating a memory device as a human interface device to overcome system administrator blockage

Номер патента: GB2422223A. Автор: Teng Pin Poo,Henry Tan. Владелец: Trek 2000 International Ltd. Дата публикации: 2006-07-19.

A life safety alarm with a sealed battery power supply

Номер патента: CA2536375C. Автор: Jason M. Sharpe,Joseph G. Deluca. Владелец: Walter Kidde Portable Equipment Inc. Дата публикации: 2013-07-02.

CHARGE RECYCLING A 1 OF N NDL GATE WITH A TIME VARYING POWER SUPPLY

Номер патента: US20130141073A1. Автор: Runas Michael E.,Seningen Michael R.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-06-06.

Charge recycling a 1 of n ndl gate with a time varying power supply

Номер патента: WO2009067470A3. Автор: Michael Seningen,Michael Runas. Владелец: Michael Runas. Дата публикации: 2009-08-20.

Charge recycling a 1 of n ndl gate with a time varying power supply

Номер патента: EP2218184A4. Автор: Michael Seningen,Michael Runas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2012-07-18.

A life safety alarm with a sealed battery power supply

Номер патента: EP1658597A1. Автор: Jason M. Sharpe,Joseph G. Deluca. Владелец: Walter Kidde Portable Equipment Inc. Дата публикации: 2006-05-24.

Operating method of memory device for managing map data of each of plurality of storage devices, computing system including memory device, and operating method of computing system

Номер патента: US20230359394A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Operating method of memory device for managing map data of each of plurality of storage devices, computing system including memory device, and operating method of computing system

Номер патента: EP4273702A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Enhancing stringed instrument learning with a wearable device

Номер патента: US10186166B2. Автор: Kenneth Kim,Angelos Gialamas,Nick Giannaris,Joseph Eamonn L Clerkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-22.

Enhancing stringed instrument learning with a wearable device

Номер патента: WO2017189359A1. Автор: Kenneth Kim,Joseph Eamonn L. Clerkin,Angelos Gialamas,Nick Giannaris. Владелец: Nick Giannaris. Дата публикации: 2017-11-02.

Enhancing stringed instrument learning with a wearable device

Номер патента: US20170309199A1. Автор: Kenneth Kim,Joseph Eamonn L. Clerkin,Angelos Gialamas,Nick Giannaris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-26.

WARNING LIGHTING SYSTEM USING LED BEACON ARRAYS WITH A SINGLE MASTER POWER SUPPLY

Номер патента: US20140185280A1. Автор: PECK John Patrick. Владелец: Dialight Corporation. Дата публикации: 2014-07-03.

Life Safety Alarm with a Sealed Battery Power Supply

Номер патента: US20070069904A1. Автор: Joseph Deluca,Jason Sharpe. Владелец: Walter Kidde Portable Equipment Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Life safety alarm with a sealed battery power supply

Номер патента: US20050088311A1. Автор: Joseph Deluca,Jason Sharpe. Владелец: Walter Kidde Portable Equipment Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Method and arrangement for performing atomic updates using logical flash memory device

Номер патента: AU7929100A. Автор: Jari Matero. Владелец: TELLABS OY. Дата публикации: 2001-05-08.

Method and arrangement for performing atomic updates using a logical flash memory device

Номер патента: EP1224558A1. Автор: Jari Matero. Владелец: TELLABS OY. Дата публикации: 2002-07-24.

A memory device for coupling with a host and methods for operating the host and the memory device

Номер патента: DE102018113447A1. Автор: Young-Min Lee,Hwa-Seok Oh,Sung Ho Seo,Kyung-Phil Yoo,Seong-yong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-31.

MEMORY SYSTEM AND METHOD USING A MEMORY DEVICE DIE STACKED WITH A LOGIC DIE USING DATA ENCODING, AND SYSTEM USING THE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140053040A1. Автор: Hargan Ebrahim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-02-20.

Memory system and method using a memory device die stacked with a logic die using data encoding, and system using the memory system

Номер патента: US8127204B2. Автор: Ebrahim Hargan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-28.

Method for making a write-once memory device read compatible with a write-many file system

Номер патента: US6895490B1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Christopher S. Moore,Richard Matt Fruin,Colm P Lysaght. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Memory system and method using a memory device die stacked with a logic die using data encoding, and system using the memory system

Номер патента: US20100042889A1. Автор: Ebrahim Hargan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Method for charging battery inside electronic device with a plurality of power supplies and a plurality of charging modules with USB OTG functionality

Номер патента: US09728989B2. Автор: Soo-Hyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Engine-driven welder with an engine with a portable welding power supply

Номер патента: EP3532235A1. Автор: Michael J. Handschke. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2019-09-04.

Engine-driven welder with an engine with a portable welding power supply

Номер патента: CA3041549C. Автор: Michael J. Handschke. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2023-03-14.

Engine-driven welder with an engine with a portable welding power supply

Номер патента: WO2018089209A1. Автор: Michael J. Handschke. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

Vehicle Having Electrical Consumers Integrated With a Physical Onboard Power Supply System

Номер патента: US20150019077A1. Автор: Joachim Froeschl,Alfons Brunner,Susanne Woitsch,Guido Boehm. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2015-01-15.

Case for an aerosol-generating device with a holder for power supply

Номер патента: US11974613B2. Автор: Oleg FURSA. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-05-07.

Switched-mode power supply and medical system with a switched-mode power supply

Номер патента: US11342745B2. Автор: Hideyuki Kuwabara. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Electronic control unit with a back-up power supply

Номер патента: EP4319514A1. Автор: Adrian CACU,Anatolie SAVIN. Владелец: Veoneer Sweden Safety Systems AB. Дата публикации: 2024-02-07.

Electronic control unit with a back-up power supply

Номер патента: WO2024028145A1. Автор: Adrian CACU,Anatolie SAVIN. Владелец: Veoneer Sweden Safety Systems AB. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Power gating for termination power supplies

Номер патента: US09507408B2. Автор: Inder M. Sodhi,Xiuting C. Man,Shaun M. Conrad,Christopher P. Mozak,Philip R. Lehwalder,Jeffery L. Krieger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Improved interface of field device with circuit protection mechanism

Номер патента: RU2475824C2. Автор: Олден С. РАССЕЛЛ,ВУССЕ Дэниел Э. ВАНДЕ,Дуглас У. АРНТСОН. Владелец: ФИШЕР-РОУЗМАУНТ СИСТЕМЗ, ИНК.. Дата публикации: 2013-02-20.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor memory device that switches between states and moves data in accordance with a current state

Номер патента: US09940029B2. Автор: Tatsunori Kanai,Tetsuro Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Microelectromechanical sensor device with improved management of a power-down condition

Номер патента: EP4390623A1. Автор: Salvatore Poli,Carmela Marchese. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-26.

Microelectromechanical sensor device with improved management of a power-down condition

Номер патента: EP4390623A9. Автор: Salvatore Poli,Carmela Marchese. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device and method of layouting auxiliary pattern

Номер патента: US09455271B1. Автор: Yuji Setta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Power supply system, slow-start circuit, and control method

Номер патента: EP4239822A1. Автор: Ling Liu,Weiping Song,Jinlong Wang,Zhongshu ZHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Microelectromechanical sensor device with improved power consumption

Номер патента: US20240201717A1. Автор: Salvatore Poli,Carmela Marchese. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-20.

Electronic Device with a Plurality of Charging Modes

Номер патента: US20070168684A1. Автор: David Ho,Tao Hsia. Владелец: Inventec Appliances Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Power supply device with system switch circuit

Номер патента: US20090316450A1. Автор: Yun-Chen Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor device that employs SATA power supply terminals for data transmission

Номер патента: US09971725B2. Автор: Naoki Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Controllable power supply device with step-up function

Номер патента: US20080252146A1. Автор: Yung-Lun Lin. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Power supply unit charging modes

Номер патента: EP4381583A1. Автор: Chee Kiong Fong,Suet Fong Tin,Geoffrey Jason Shew,Michael Roy Volkman,Edward Charles GIAIMO, III,Cindy-Kay Forsyth-Martinez. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-06-12.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Power supply unit for aerosol inhaler

Номер патента: RU2747604C1. Автор: Кейдзи МАРУБАСИ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2021-05-11.

Method of power supply control, device for power splitter and power supply splitter

Номер патента: RU2688759C2. Автор: Янь СЕ. Владелец: Бейджин Сяоми Мобайл Софтвеа Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-05-22.

Wearable device and power supply system

Номер патента: RU2678600C2. Автор: Такаюки ХИРАБАЯСИ,Такатоси НАКАМУРА,Итару КАВАКАМИ,Масанори ИВАСАКИ,Масакадзу ЯДЗИМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2019-01-30.

Memory device

Номер патента: US20110296235A1. Автор: Masaru Ogawa,Tarou Iwashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for power supply and assembly of facilities in extreme conditions and air mobile unit for implementation thereof

Номер патента: RU2748809C1. Автор: Александр Алексеевич Таранцев,Валерий Иванович Чугунов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский университет Государственной противопожарной службы Министерства Российской Федерации по делам гражданской обороны, чрезвычайным ситуациям и ликвидации последствий стихийных бедствий". Дата публикации: 2021-05-31.

Device with multibeam spectral filter for detecting methane in atmosphere

Номер патента: RU2629886C1. Автор: Юрий Александрович Толмачев,Михаил Павлович Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ). Дата публикации: 2017-09-04.

Aerosol generating device with electrodes for measuring electrical load

Номер патента: RU2706930C2. Автор: Тони РИВЕЛЛ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-11-21.

Lithium battery power supply connection relation detection circuit

Номер патента: EP4379999A3. Автор: XIN YANG,Baosen Zhang,Yangyuan Chen. Владелец: Zhangzhou Kehua Electric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Data storage device with wear range optimization

Номер патента: US20190377674A1. Автор: Stephen H. Perlmutter,Kyumsung Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

Power supply system, plasma etching apparatus, and plasma etching method

Номер патента: US09922802B2. Автор: Taichi Hirano,Fumitoshi KUMAGAI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Monitoring and controlling power supply apparatus and method

Номер патента: US09599647B2. Автор: Shingo Takahashi,Nobuhide Yoshida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

A medical device configured to communicate with a remote computer system

Номер патента: CA3089920C. Автор: JIN Zhang,Kevin J. Tanis,Debra Ann Arrington,Kelly Ann Umstead. Владелец: Smith and Nephew Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Power supply device, microwave tube device, power supply method, and recording medium

Номер патента: US20230207246A1. Автор: Naoki Iizuka,Yukihira Nakazato. Владелец: NEC Network and Sensor Systems Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Power supply device, microwave tube device, power supply method, and recording medium

Номер патента: CA3184915A1. Автор: Naoki Iizuka,Yukihira Nakazato. Владелец: NEC Network and Sensor Systems Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor memory device including a selection element pattern confined to a hole

Номер патента: US20190157346A1. Автор: JONG CHUL LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Power supply device that supplies power to power receiving device in contactless manner, method of controlling power supply device, and storage medium

Номер патента: US20190097470A1. Автор: Yudai Fukaya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Power supplying module and related driving module and electronic device

Номер патента: US09870751B2. Автор: Chia-Chi Cheng. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2018-01-16.

Dynamic loading for a switching power supply

Номер патента: WO2023055468A1. Автор: Chee Kiong Fong,Suet Fong Tin,Geoffrey Jason Shew,Michael R. VOLKMAN. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-04-06.

Power supply device, microwave tube device, power supply method, and recording medium

Номер патента: EP4160650A1. Автор: Naoki Iizuka,Yukihira Nakazato. Владелец: NEC Network and Sensor Systems Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Dynamic loading for a switching power supply

Номер патента: EP4409380A1. Автор: Chee Kiong Fong,Suet Fong Tin,Geoffrey Jason Shew,Michael R. VOLKMAN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-07.

Power supply device, microwave tube device, power supply method, and recording medium

Номер патента: US12100570B2. Автор: Naoki Iizuka,Yukihira Nakazato. Владелец: NEC Network and Sensor Systems Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Transfer device, image forming apparatus, and power supply control method

Номер патента: US09983538B2. Автор: Tomokazu Takeuchi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240292620A1. Автор: Takahiro Kotou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-contact power supply system, non-contact power supply device, and power supply target device

Номер патента: US09735626B2. Автор: Satoshi Hyodo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Power supply coupler for battery charger

Номер патента: US20010010454A1. Автор: Koji Oguri. Владелец: Toyoda Jidoshokki Seisakusho KK. Дата публикации: 2001-08-02.

System and method for power supply noise reduction

Номер патента: US09877771B2. Автор: James A. Gilbert,Calvin S. Bromfield, JR.. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2018-01-30.

Inrush control power supply

Номер патента: US09780669B2. Автор: Yang Li,Michael Grant,Matt Howard,Ruqi LI,Kan SETO. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Power supply circuit

Номер патента: AU2023221821A1. Автор: Qiaoshi Guo. Владелец: Semitri Pty Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Electromechanical control system for the reversing device of a gas turbine engine with highly reliable power supply

Номер патента: RU2757744C1. Автор: Вадим Игоревич Дунаев,Алексей Николаевич Саженков,Игорь Георгиевич Лисовин,Юрий Семенович Савенков,Александр Станиславович Данилович. Владелец: Акционерное общество "Объединенная двигателестроительная корпорация" (АО "ОДК"). Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US5945703A. Автор: Kazuyoshi Furukawa,Masanobu Ogino,Koichi Kishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Hub having pluggable mobile power supply

Номер патента: EP3680996A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Guangdong Gopod Group Holding Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-15.

Waterproof power supply track

Номер патента: EP3975350A1. Автор: Jun Yang. Владелец: Self Electronics Germany GmbH. Дата публикации: 2022-03-30.

A power switch drive circuit with built-in power supply capacitor

Номер патента: US20190312576A1. Автор: Lijun Song. Владелец: SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Power supply for a top drive

Номер патента: US20190085639A1. Автор: Frank WERN,Federico AMEZAGA. Владелец: Weatherford Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2019-03-21.

Power supply for a top drive

Номер патента: CA3048612A1. Автор: Frank WERN,Federico AMEZAGA. Владелец: Weatherford Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2017-07-22.

Switched-Mode Power Supply with Loop Gain Reduction

Номер патента: US20230396166A1. Автор: Salvador Carreon-Bautista. Владелец: AyDeeKay LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Switched-mode power supply with loop gain reduction

Номер патента: WO2023235510A1. Автор: Salvador Carreon-Bautista. Владелец: AyDeeKay LLC dba Indie Semiconductor. Дата публикации: 2023-12-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9397289B2. Автор: Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for controlling fuel supply system to internal combustion gas engine with two-sectional power supply system

Номер патента: RU2755012C1. Автор: Геннадий Саитянович Туктакиев,Андрей Семенович Тюфяков,Вадим Николаевич Гринев,Константин Владимирович Милов,Владислав Альбертович Колесников. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский автомобильный и автомоторный институт "НАМИ" (ФГУП "НАМИ"). Дата публикации: 2021-09-09.

Electrical devices with lights and associated zone-synchronizable lighting systems with back-up power and related methods

Номер патента: US11719400B2. Автор: Saivaraprasad MURAHARI,Kevin Zhong,Sophia Zhang,Abdulkabir O. Dansalami,Huafei Huang. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Electrical devices with lights and associated zone-synchronizable lighting systems with back-up power and related methods

Номер патента: US20220221117A1. Автор: Saivaraprasad MURAHARI,Kevin Zhong,Sophia Zhang,Abdulkabir O. Dansalami,Huafei Huang. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Inrush control power supply

Номер патента: US20170194867A1. Автор: Yang Li,Michael Grant,Matt Howard,Ruqi LI,Kan SETO. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Controlling switching mode power supply of power amplifier

Номер патента: EP2041865A1. Автор: VLAD GRIGORE,Seppo Kangasmaa,Sami Haapoja. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-04-01.

Auxiliary power supply for a wind turbine

Номер патента: US20070013193A1. Автор: Dudley Galloway,William Cimperman,James Grace,John Stowe,Stanley Guerrant. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Controller, power supply unit, and power supply system

Номер патента: US20140046497A1. Автор: Toshihisa Nabetani,Takeshi Ueno,Tetsuro Itakura,Takafumi Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Lamp cap integrated with LED drive power supply

Номер патента: US09788371B2. Автор: Yijun Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-10.

Cartomizer for an aerosol generating device with combined electrical and magnetic contacts

Номер патента: EP4208053A1. Автор: Peter LOVEDAY. Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2023-07-12.

Source of autonomous power supply for electric vehicle

Номер патента: RU2563920C1. Автор: Владимир Михайлович Манаков. Владелец: Владимир Михайлович Манаков. Дата публикации: 2015-09-27.

Power supply unit that outputs electric power to a load together with another power supply unit

Номер патента: US9728975B2. Автор: Toshihisa Nabetani,Takeshi Ueno,Tetsuro Itakura,Takafumi Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Warning lighting system using led beacon arrays with a single master power supply

Номер патента: EP2938923A1. Автор: John Patrick Peck. Владелец: Dialight Corp. Дата публикации: 2015-11-04.

Front-end architecture for a low-voltage power supply system

Номер патента: EP4142127A1. Автор: Shobha RAMANJANI. Владелец: Goodrich Aerospace Services Pvt Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

In-motion power supply system, and abnormality determination method for electrical characteristics in said system

Номер патента: US20220032778A1. Автор: Kazuyoshi Obayashi,Masaya Takahashi,Mitsuru Shibanuma,Shinpei TAKITA,Eisuke Takahashi,Kazuhiro Uda,Nobuhisa Yamaguchi,Hayato SUMIYA,Masaki Kanesaki,Yuusei NAKAYASHIKI,Takuya KIGUCHI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

In-motion power supply system, and abnormality determination method for electrical characteristics in said system

Номер патента: US12017543B2. Автор: Kazuyoshi Obayashi,Masaya Takahashi,Mitsuru Shibanuma,Shinpei TAKITA,Eisuke Takahashi,Kazuhiro Uda,Nobuhisa Yamaguchi,Hayato SUMIYA,Masaki Kanesaki,Yuusei NAKAYASHIKI,Takuya KIGUCHI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Power supply circuit for providing semiconductor integrated circuit device with a plurality of power supply voltages

Номер патента: CN1797916A. Автор: 伊藤秀信,小泽秀清,土屋主税. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-05.

Voltage margining control circuit for program controlled power supplies

Номер патента: US3725740A. Автор: K Kuster. Владелец: GTE Automatic Electric Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-04-03.

Standby mode operation of a horizontal output stage combined with a switched-mode power supply unit

Номер патента: DE3463106D1. Автор: Otfried Zipser. Владелец: Grundig EMV Elektromechanische Versuchsanstalt Max Grundig GmbH. Дата публикации: 1987-05-14.

A CASE FOR AN AEROSOL-GENERATING DEVICE WITH A HOLDER FOR POWER SUPPLY

Номер патента: US20220071309A1. Автор: Fursa Oleg. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2022-03-10.

Motor vehicle load supply circuit, especially for use with a dual voltage power supply, wherein the voltage to a load is adjusted using a pulse width modulation control unit

Номер патента: DE10302991A1. Автор: Wolfgang Bass,Franz Herdtweck. Владелец: HKR Climatec GmbH. Дата публикации: 2004-08-12.

Power supply system provided with a plurality of power supplies, and vehicle provided with such power supply system

Номер патента: KR100890241B1. Автор: 신지 아소. Владелец: 도요타 지도샤（주）. Дата публикации: 2009-03-24.

A case for an aerosol-generating device with a holder for power supply

Номер патента: WO2020141064A1. Автор: Oleg FURSA. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2020-07-09.

A kind of emergency power supply with a variety of power supply modes

Номер патента: CN106026368B. Автор: 陶苗苗,李多山. Владелец: Hefei Lianxin Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-09.

Semiconductor device with a plurality of power supply systems

Номер патента: US7869174B2. Автор: Masanori Tanaka,Hitoshi Okamoto,Morihisa Hirata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-11.

Semiconductor device with a plurality of power supply systems

Номер патента: US8270132B2. Автор: Masanori Tanaka,Hitoshi Okamoto,Morihisa Hirata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Power supply device with two complementary direct current power supplies

Номер патента: CN101980414A. Автор: 董太明. Владелец: SUZHOU JINGLI HYDROGEN MAKING APPARATUS CO Ltd. Дата публикации: 2011-02-23.

Warning lighting system using led beacon arrays with a single master power supply

Номер патента: EP2938923A4. Автор: John Patrick Peck. Владелец: Dialight Corp. Дата публикации: 2016-08-17.

Electromechanical braking system with a fail-safe power supply and method for fail-safe power supply in an electromechanical braking system for vehicles

Номер патента: DE102007021286A1. Автор: Jörgen HOLZWARTH. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2008-11-13.

Warning lighting system using led beacon arrays with a single master power supply

Номер патента: CA2896869C. Автор: John Patrick Peck. Владелец: Dialight Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Lighting device with improved connection to the power supply

Номер патента: US20180080611A1. Автор: Eckert Klaus,Haberkorn Lene,Frye Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

CUTTING DEVICE WITH INTEGRATED AND INTERRUPTIBLE AUXILIARY POWER SUPPLY

Номер патента: US20210276110A1. Автор: Knittle Larry. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Street lamp device with wind power generation as power supply source and used for collecting fine particles in air

Номер патента: CN103968323A. Автор: 缪江桥. Владелец: Wuxi Tongchun New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Air purification device with new forms of energy power supply

Номер патента: CN114576776B. Автор: 王鹏. Владелец: Shenzhen Pengyue New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-19.

LIGHT EMITTING DIODE LIGHTING DEVICE WITH MEANS FOR MONITORING THE POWER SUPPLY AND THE LIGHT SOURCE

Номер патента: FR2981535A1. Автор: Jean Laurent Houot. Владелец: Lucibel SA. Дата публикации: 2013-04-19.

HOUSEHOLD APPLIANCE COMPRISING A PIEZOELECTRIC PUMP WITH A SIMPLIFIED ELECTRIC POWER SUPPLY CIRCUIT

Номер патента: FR2929450B1. Автор: Franck Mandica,Serge Cubizolles,Olivier Lavillat,Bertrand Couet. Владелец: SEB SA. Дата публикации: 2010-08-20.

LIGHT EMITTING DIODE LIGHTING DEVICE WITH MEANS FOR MONITORING THE POWER SUPPLY AND THE LIGHT SOURCE

Номер патента: FR2981535B1. Автор: Jean Laurent Houot. Владелец: Lucibel SA. Дата публикации: 2013-11-01.

A scaleable charge pump for use with a low voltage power supply

Номер патента: EP1151366A4. Автор: Mase J Taub,Jahanshir J Javanifard. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-03-05.

System and method for integrating a digital core with a switch mode power supply

Номер патента: USRE41596E1. Автор: Andrew Roman Gizara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-31.

Vehicle Having Electrical Consumers Integrated With a Physical Onboard Power Supply System

Номер патента: US20150019077A1. Автор: FROESCHL Joachim,BRUNNER Alfons,WOITSCH Susanne,BOEHM Guido. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

RADIO WITH A SWITCHED MODE POWER SUPPLY

Номер патента: US20150118982A1. Автор: Cheung Kam Chow. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Electric lamp with a laser-structured power supply

Номер патента: DE202007009118U1. Автор: . Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2008-08-07.

SHIP WITH A REDUNDANT ELECTRICAL POWER SUPPLY SYSTEM COMMON TO THE THRUSTER AND THE STARBOARD THRUSTER

Номер патента: FR2966799B1. Автор: Loic Leclere. Владелец: CONVERTEAM TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2012-12-21.

SHIP WITH A REDUNDANT ELECTRICAL POWER SUPPLY SYSTEM COMMON TO THE THRUSTER AND THE STARBOARD THRUSTER

Номер патента: FR2966799A1. Автор: Loic Leclere. Владелец: CONVERTEAM TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2012-05-04.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING AN INTERNAL DAMPING MEANS FOR TRANSIENT SIGNALS WITH A PLURALITY OF POWER SUPPLY SOURCES

Номер патента: FR2521780B1. Автор: Dennis Wilson,Elliott Philofsky,Ward Parkinson. Владелец: AVX Corp. Дата публикации: 1987-03-20.

Underwater vehicle provided with a multi-level power supply network

Номер патента: WO2016050762A1. Автор: Emmanuel Jannin. Владелец: DCNS. Дата публикации: 2016-04-07.

Induction heating device fitted with a non-contact power supply device and heated toilet seat device

Номер патента: WO2010053011A1. Автор: 幸長 山内,松田　宏,松本　修. Владелец: 株式会社Inax. Дата публикации: 2010-05-14.

Arrangement with a potential-separated power supply device

Номер патента: DE102012223274A1. Автор: Wolfgang Eue,Philip Fosu Okyere. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-06-18.

METHOD AND EQUIPMENT FOR TRANSFERRING SIGNALS CONCERNING AN ELECTRIC MACHINE PROVIDED WITH A THREE-PHASE POWER SUPPLY CABLE

Номер патента: FR2567341B1. Автор: Marc Noel. Владелец: Charbonnages de France CDF. Дата публикации: 1986-12-26.

Silicon wafer for semiconductors with a built-in power supply device on the back of the wafer

Номер патента: JP2009513025A. Автор: ヒョジュン アン,キウォン キム,ジュヒョン アン,テヒュン ナム,クゥオンク チョ,フィボム シン,ヒュンチル チョイ,ギュボン チョ,テブン キム,ホスク リュ,ウォンチョル シン,ジョンソン キム. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of GNU. Дата публикации: 2009-03-26.

Silicon wafer for semiconductors with a built-in power supply device on the back of the wafer

Номер патента: JP5179368B2. Автор: ヒョジュン アン,キウォン キム,ジュヒョン アン,テヒュン ナム,クゥオンク チョ,フィボム シン,ヒュンチル チョイ,ギュボン チョ,テブン キム,ホスク リュ,ウォンチョル シン,ジョンソン キム. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of GNU. Дата публикации: 2013-04-10.

Arrangement with a potential-separated power supply device

Номер патента: DE102011081719A1. Автор: Wolfgang Eue,Philip Fosu Okyere. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-02-28.

Transistor with a high-voltage power supply

Номер патента: CN116504843A. Автор: 李光熙,郑文一,金尚昱,申建旭,杨智恩,卞卿溵,金恩太. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device with a P-N junction for reduced charge leakage and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620603B2. Автор: Chih-Hsiung Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of spacecraft power supply

Номер патента: RU2633616C1. Автор: Виктор Владимирович Коротких,Михаил Владленович Нестеришин,Сергей Иванович Опенько. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2017-10-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240260253A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Drug infusion device with integrated power supply and the artificial pancreas thereof

Номер патента: EP4456950A1. Автор: Cuijun YANG. Владелец: Medtrum Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Driving apparatus for an electric vehicle having a motor with a three-phase coil, a power storage device and an inverter, which is configured to be operated in a three-phase mode and a two-phase mode

Номер патента: WO2024190371A1. Автор: Mitsutaka Ito,Kazuhiro Sugimoto. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2024-09-19.

Portable switching power supply with attachable battery pack and enclosure

Номер патента: US20200195026A1. Автор: Stanley Battat,Drew M. Hardin. Владелец: Powertec Solutions International LLC. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Power supply controlling system

Номер патента: US20230275448A1. Автор: Ming-Tsan Lin,Hsin-Chang Yu,Cheng-Hsien Hsiao. Владелец: Inventec Appliances Pudong Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Power supply controlling system

Номер патента: US12113391B2. Автор: Ming-Tsan Lin,Hsin-Chang Yu,Cheng-Hsien Hsiao. Владелец: Inventec Appliances Pudong Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240324220A1. Автор: Masaki Nakamura,Yutaka Shimizu,Hideo Wada,Go Oike,Yoshikazu HOSOMURA,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor memory devices with improved performance

Номер патента: US20240341075A1. Автор: Yih Wang,Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12127386B2. Автор: Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09887273B2. Автор: Hiroshi Kanno,Tatsuo Ishida,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160268274A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09960178B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09871197B2. Автор: Hikari TAJIMA,Takashi Izumida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9601503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9318503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9312134B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090065838A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020039823A1. Автор: Seiki Ogura,Masataka Kusumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082418B2. Автор: Keisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Power supply module for a mobile drug delivery device

Номер патента: EP4422717A1. Автор: Jonas RIHS,Mirco Friedli. Владелец: Ypsomed AG. Дата публикации: 2024-09-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09941296B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220093634A1. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US10418378B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8653582B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Circuit and method for start-up of reference circuits in devices with a plurality of supply voltages

Номер патента: US20240275282A1. Автор: Asif Iqbal,Shivraj G. Dharne,Dzung T. Tran. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090294827A1. Автор: Motoi Ashida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100123184A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120146128A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09837434B2. Автор: Toshiyuki Iwamoto,Satoshi Nagashima,Koichi Sakata,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same while avoiding process damage to a variable resistance film

Номер патента: US09704922B2. Автор: Hiroyuki Ode,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Natsuki Fukuda,Atsushi Oga,Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Electric-motor vehicle, power equipment, and power supply system including limiting discharging after the power storage device is externally charged

Номер патента: US09627911B2. Автор: Shigeki Kinomura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of manufacturing semiconductor devices with improved metal gate fill-in for vertical memory cell and devices thereof

Номер патента: US09627220B1. Автор: Chih-Yuan Wu,Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo,Jr-Meng Wang,Kuanf-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100006905A1. Автор: Seiji Hirabayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8035135B2. Автор: Seiji Hirabayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20130228845A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20160197091A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20150221664A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20120086070A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Smoking device with heating profile based on puff frequency

Номер патента: US20230270178A1. Автор: Enrico Stura,Jerome Uthurry,Fabrice STEFFEN. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2023-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110001178A1. Автор: Masao Iwase,Tadahi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09852942B2. Автор: Wataru Sakamoto,Osamu Matsuura,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US09412750B2. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070145486A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor memory device having a decoupling capacitor

Номер патента: US20060113633A1. Автор: Je-min Park,Yoo-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309294A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Kotaro Noda,Nobuyoshi Saito,Takanori Akita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09997462B2. Автор: Keun Lee,Dohyung Kim,Hyunseok Lim,Hauk Han,Jeonggil Lee,Jooyeon Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory devices including asymmetric word line pads

Номер патента: US09911750B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Power conversion device with reduced current deviation

Номер патента: US09853559B2. Автор: Nobuo Hayashi,Morimitsu Sekimoto,Tomoisa Taniguchi,Takurou Ogawa,Eiji Tooyama. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09666597B2. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Hiroyasu Tanaka,Shingo Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and system for supplying direct current consumers with a power supply source based on renewable energy resources

Номер патента: RU2759009C1. Автор: Валерий Владимирович Харченко,Арсений Олегович Сычев,Павел Валентинович Тихонов,Андрей Эрнестович Макаров,Никита Сергеевич Комиссаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2021-11-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4398693A1. Автор: Sang Min Lee,Young Woo Son,Kyoung Hwan Kim,Young-Seung Cho,Sang-Bin Ahn,Kang In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240237334A1. Автор: Sang Min Lee,Young Woo Son,Kyoung Hwan Kim,Young-Seung Cho,Sang-Bin Ahn,Kang In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US20230189500A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Denture Sterilization & Storage Device with mercury-free UVC LED

Номер патента: AU2020100257A4. Автор: Martin Christoph Assmann,Jui Chih Hsiao. Владелец: Eos Enviro/eos Imp And Export Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20150372007A1. Автор: Junichi Hashimoto,Katsunori Yahashi,Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12075620B2. Автор: Natsuki Fukuda,Tadashi Iguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334682A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09991272B2. Автор: Hiroshi Kanno,Shinya Naito,Yoshiaki Fukuzumi,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Safety switching device with a safe power supply unit

Номер патента: US09923359B2. Автор: Sebastian Richter,Kim Le,Stefan ROEHMANN. Владелец: Pilz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-20.

Stacked type semiconductor memory device

Номер патента: US09716103B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device with conductive columnar body

Номер патента: US09613896B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing semiconductor devices with combined array and periphery patterning in self-aligned quadruple patterning

Номер патента: US09553047B2. Автор: Yu-Min Hung,Tzung-Ting Han,Miao-Chih Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Electric power supply system

Номер патента: RU2756390C1. Автор: Юрий Семенович Никонов,Игорь Михайлович Эренбург,Илья Абрамович Минухин,Евгений Петрович Храмцов,Игорь Васильевич Дробыш. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Московский Прожекторный Завод". Дата публикации: 2021-09-30.

Power supply device of rail vehicles

Номер патента: RU2749439C9. Автор: Хайнрих КЛИМА. Владелец: СИМЕНС МОБИЛИТИ ГМБХ. Дата публикации: 2021-08-20.

Power supply mode switching initiated by terminal

Номер патента: RU2638729C2. Автор: Рикард ЛЮНГ,Петер КАРЛССОН. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2017-12-15.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Aerosol-generating device with radiofrequency energy harvesting system

Номер патента: WO2024126346A1. Автор: Cristina Ferraz Rigo,Rui Nuno Rodrigues Alves BATISTA. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100237512A1. Автор: Satoru Takase,Yuki Okukawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Power supply system for smart toilet

Номер патента: US20240313641A1. Автор: Yingfeng Wang. Владелец: Shanghai Kohler Electronics Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620515B2. Автор: Tatsuya Kato,Satoshi Nagashima,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443868B1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Manufacturing method of semiconductor memory device with air gap isolation layers

Номер патента: US09293360B2. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Apparatus for preparing a beverage with a controlled pump

Номер патента: RU2760900C2. Автор: Марко МАГАТТИ,Жан-Люк ТЮЛЬЕ,Этьенн КРОЗЬЕ,Бертран ГИОН,Николя ОБЛИЖЕ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-12-01.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240237353A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170278862A1. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

A method for switching power supply with a quick switching device, and a quick switching device

Номер патента: WO2024047099A1. Автор: Xin Li,Sebastian Schneider,Yan Ma,Di Jun GAO,Xue Lin ZHANG,Shan Shan LIU. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2024-03-07.

Uninterruptable power supply device

Номер патента: AU2019268825A1. Автор: Yoshinori Kawasaki,Satoshi Uda,Shoji Nishimura. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

An automated storage and retrieval system with a charging station for charging of a replaceable power supply of a container handling vehicle

Номер патента: EP3784604A1. Автор: Trond Austrheim,Ivar Fjeldheim,Ingvar Fagerland. Владелец: Autostore Technology AS. Дата публикации: 2021-03-03.

Power supply system for crane

Номер патента: US8499911B2. Автор: Kinya Ichimura. Владелец: Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Power Supply System For Crane

Номер патента: US20120043291A1. Автор: Kinya Ichimura. Владелец: Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080048248A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Methods and Apparatus for Semiconductor Memory Devices Manufacturable Using Bulk CMOS Process Manufacturing

Номер патента: US20080315268A1. Автор: Yiming Zhu. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Automated storage and retrieval system with a charging station for charging of a replaceable power supply of a container handling vehicle

Номер патента: US12059966B2. Автор: Trond Austrheim,Ivar Fjeldheim,Ingvar Fagerland. Владелец: Autostore Technology AS. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09978770B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Atsushi Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device with first and second semiconductor films in first and second columnar bodies

Номер патента: US09831261B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09691786B1. Автор: Masaki Tsuji,Hideaki Aochi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09559115B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8723242B2. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233618A1. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110134695A1. Автор: Kazushige Kanda,Katsuaki Isobe,Toshiki Hisada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240147728A1. Автор: Yasumitsu Nozawa,Toshimitsu Iwasawa,sachie Fukuda,Nobuharu Miyata,Haruka Shibayama,You KAMATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090305481A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12048150B2. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Uninterruptable power supply device

Номер патента: AU2019268825B2. Автор: Yoshinori Kawasaki,Satoshi Uda,Shoji Nishimura. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor storage device including staggered semiconductor memory devices on opposed surfaces

Номер патента: US20240260194A1. Автор: BO Yang,Chun Sean Lau,Fu Xing Chan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210217759A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Device with power supply mechanism

Номер патента: EP3799258A1. Автор: Hiromi Fujimoto,Yasuo SHIMOYAMA. Владелец: Shima Seiki Mfg Ltd. Дата публикации: 2021-03-31.

Variable resistive element, method for producing the same, and nonvolatile semiconductor memory device including the variable resistive element

Номер патента: US20130285005A1. Автор: Yukio Tamai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220173112A1. Автор: Jung Hoon Han,Dong Oh KIM,Gyu Hyun Kil,Doo San Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Power supply system for a motor vehicle having a low-voltage onboard power supply and having a higher-voltage onboard power supply

Номер патента: US20020050742A1. Автор: Xaver Pfab,Alfred Grom,Karl Kapfhammer,Anton Schumann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20180269223A1. Автор: Takashi Ohashi,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082410B2. Автор: Hyung Joon Kim,Hyun Jung Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Power supply system, power supply device, and power supply method

Номер патента: US12095286B2. Автор: Masaaki Fujii,Naoki Tsuji. Владелец: MinebeaMitsumi Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312911A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240357824A1. Автор: Won Jun Park,Dong Hwa Lee,Jae Min Jung,Dong Sung CHOI,Byong Ju KIM,Chang Heon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12119298B2. Автор: Genki KAWAGUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12040369B2. Автор: LIANG Yi,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09922991B2. Автор: Shinichi Ito,Seiji Morita,Soichi Inoue,Isahiro Hasegawa,Tetsuya Kamigaki,Kei Hattori,Koichi Matsuno,Tatsuhiko Higashiki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Electrical power supplying device having a central power-receptacle assembly with a penisula-like housing structure supplying electrical power to power plugs, adaptors and modules while concealed from view during power supplying operations

Номер патента: US09912154B2. Автор: Jeffrey Fleisig. Владелец: PUCline LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Power supply apparatus

Номер патента: US09905351B2. Автор: Osamu Ohashi,Masayoshi Koizumi,Tsuyoshi Nishio,Toshiki Tatsuta,Noriaki Asaoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09876029B2. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09748337B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Mitsuru Sato,Tomohiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09748312B2. Автор: Hikari TAJIMA,Takashi Izumida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12150305B2. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09595561B2. Автор: Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Power supplying system

Номер патента: US09443651B2. Автор: Shingo Tanaka,Satoru Horiuchi,Kazuyoshi Kagami. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Power supply plant based on solid oxide fuel cells

Номер патента: RU2653055C1. Автор: Виталий Анатольевич Маркелов,Алексей Станиславович Маслов,Анатолий Иванович Титов,Дмитрий Александрович Лялин,Александр Владимирович Ямкин,Борис Альфетович Сярг,Дмитрий Сергеевич Руделев,Александр Викторович Лун-Фу,Константин Сергеевич Ларин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром трансгаз Томск" (ООО "Газпром трансгаз Томск"). Дата публикации: 2018-05-07.

Input-recording-distributing device with possibility of connection of generator

Номер патента: RU2739064C1. Автор: Александр Владимирович Виноградов,Алина Васильевна Виноградова,Алексей Валерьевич Букреев,Владимир Ильич Загинайлов,Тимур Азерович Мамедов,Александр Александрович Лансберг,Иван Александрович Седых. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2020-12-21.

System for uninterrupted power supply of electric locomotive

Номер патента: RU2755800C1. Автор: Николай Петрович Кириллов,Александр Викторович Чемусов,Денис Валерьевич Аркадьев,Павел Васильевич Куликов. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого МО РФ. Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

A vehicle power supply system

Номер патента: WO2021233028A1. Автор: Linus Hallberg,Naveen Raja RAJARATHINAM. Владелец: Zhejiang Geely Holding Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240098998A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Tomonari SHIODA,Takanori Yamanaka,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Distributed-type power generation and power supply system for traction network, and control method

Номер патента: EP4397534A1. Автор: Bo Wu,Qunzhan LI,Shaofeng Xie,Xiaohong Huang,Qingan MA. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240023332A1. Автор: Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Low voltage power supply system for an electric blanket or the like

Номер патента: WO2004034744A1. Автор: Sheldon P. Carr. Владелец: Site Electronics, Inc.. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor memory device having stack of polycrystalline semiconductor layers with diverse average crystal grain sizes

Номер патента: US12052872B2. Автор: Takayuki Kashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12052854B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Power supply regulation in laundry treatment machines or dishwashers

Номер патента: EP3314051A1. Автор: Paolo Driussi,Alessandro Cecco. Владелец: Electrolux Appliances AB. Дата публикации: 2018-05-02.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324174A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357810A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09960182B2. Автор: HongSuk Kim,Ji-Hoon Choi,Seunghyun Lim,Hyunjun Sim,Sunggil Kim,Hunhyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Apparatus for controlling power supplied to on-vehicle electrical loads

Номер патента: US09859709B2. Автор: Kazuyoshi Obayashi,Akira Sakamoto. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device with contact plugs extending inside contact connection portions

Номер патента: US09831121B2. Автор: Kei Sakamoto,Shigeki Kobayashi,Takamasa OKAWA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device having memory cells provided in a height direction

Номер патента: US09812398B2. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Seiichi Omoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Power supply startup system

Номер патента: US09800137B2. Автор: Akihiko Kudo,Mutsumi Kikuchi,Takanori Yamazoe,Takahide Terada,Hiroshi Iwasawa. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods and apparatus for providing redundant power supply protection with power zones for electronic devices

Номер патента: US09755454B1. Автор: Boris Reynov,Shreeram SIDDHAYE,Jack W. Kohn,Venkata S. Raju Penmetsa,Ben T. Nitzan,Philip Quaife. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09553168B2. Автор: Sang Hyon KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Static semiconductor memory device operates at high speed under low power supply voltage

Номер патента: KR19990076102A. Автор: 마사유키 야마시타,히데키 카와무라. Владелец: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시. Дата публикации: 1999-10-15.

A telephony and/or digital handheld device with a secondary battery (power supply) independent of telecommunication hardware.

Номер патента: GB201711243D0. Автор: . Владелец: Yeats Tobias. Дата публикации: 2017-08-23.

A telephone and/or digital handheld device with a secondary battery (power supply) independent of telecommunication hardware

Номер патента: GB201711403D0. Автор: . Владелец: Yeats Tobias. Дата публикации: 2017-08-30.

Uninterrupted power supply for oil line shut-off valves

Номер патента: RU2211515C2. Автор: вдин Д.В. Ал,Д.В. Алявдин,Н.А. Малюшин,А.Н. Метельский. Владелец: Открытое акционерное общество "НЕФТЕГАЗПРОЕКТ". Дата публикации: 2003-08-27.

Electric tooth-brush supplied with element with electric power supply

Номер патента: RU2341229C2. Автор: Джон Джеффри ЧАН,Чанчал Кумар ГОШ,Лоуэн Роберт МЛАДШИЙ МОРРИСОН,Пинг ВАНГ,Стефан Андрас КОВАС. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2008-12-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A PLURALITY OF POWER SUPPLY SYSTEMS

Номер патента: US20120307408A1. Автор: OKAMOTO Hitoshi,TANAKA Masanori,Hirata Morihisa. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

Computer system with a front-mounted power supply

Номер патента: TWM307786U. Автор: Tian-Hua Zeng. Владелец: Compucity Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-11.

Training massage device with external Bluetooth module and power supply module

Номер патента: CN104825318A. Автор: 不公告发明人. Владелец: SHANGHAI TAIZHUANG INTERNATIONAL TRADE Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Electronic control device, with remote operation, for electric power supply lines and material

Номер патента: IT1273655B. Автор: Vittorio Sorgato,Giovanni Italo Di. Владелец: Brev Dott Ing Di Giovanni Schm. Дата публикации: 1997-07-09.

Storage device with saving of information at power supply switching-off

Номер патента: SU807388A1. Автор: Константин Иванович Диденко,Геннадий Иванович Загарий,Анатолий Николаевич Конарев,Геннадий Константинович Алдабаев,Анатолий Антонович Ручинский,Александр Иванович Литкевич. Владелец: Специальное Конструкторское Бюросистем Автоматического Управления. Дата публикации: 1981-02-23.

Projector with a battery and power supply method thereof

Номер патента: TW200809374A. Автор: JING Yang,Bing Li,Kuan-Hong Hsieh,Xiao-Guang Li. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-16.

MEMORY SYSTEM AND METHOD USING A MEMORY DEVICE DIE STACKED WITH A LOGIC DIE USING DATA ENCODING, AND SYSTEM USING THE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20120144276A1. Автор: Hargan Ebrahim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-06-07.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MINITURIZATION TECHNIQUES, SYSTEMS, AND APPARATUS RELATNG TO POWER SUPPLIES, MEMORY, INTERCONNECTIONS, AND LEDS

Номер патента: US20120002455A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System of functional testing cards of semiconductor memory

Номер патента: RU2524858C2. Автор: Денис Анатольевич Строганов,Григорий Владимирович Шишкин,Алескандр Владимирович Руткевич. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Цифровые решения". Дата публикации: 2014-08-10.

POWER SUPPLY DEVICE CAPABLE OF DETECTING DISCONNECTION OF GROUND LINE

Номер патента: US20120001640A1. Автор: HASHIMOTO Masahiko,Nishimura Masato. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLY APPARATUS, POWER SUPPLY SYSTEM, CONTROL METHOD, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120001591A1. Автор: Fukaya Yudai. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLY APPARATUS, POWER SUPPLY SYSTEM, CONTROL METHOD, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120001592A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

WIRELESS POWER TRANSFER SYSTEM AND POWER TRANSMITTING/RECEIVING DEVICE WITH HEAT DISSIPATION STRUCTURE

Номер патента: US20120001496A1. Автор: Yamamoto Hiroshi,Kanno Hiroshi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR CALCULATING A POWER CONSUMPTION SEGMENT AND DISPLAYING A POWER CONSUMPTION INDICATOR

Номер патента: US20120001883A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PUMP ASSEMBLY WITH A REMOVABLE COVER ASSEMBLY

Номер патента: US20120004609A1. Автор: . Владелец: DEKA Products Limited Partnership. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

EMITTER WIRE CLEANING DEVICE WITH WEAR-TOLERANT PROFILE

Номер патента: US20120000486A1. Автор: . Владелец: TESSERA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FIELD DEVICE WITH INTERNAL BATTERY

Номер патента: US20120000294A1. Автор: Mizutori Kenji,Mitsutake Ichiro,Watanabe Takashi. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20120001296A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WIRELESS POWER SUPPLY SYSTEM, WIRELESS POWER TRANSMITTING DEVICE, AND WIRELESS POWER RECEIVING DEVICE

Номер патента: US20120001485A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICAL SYSTEM USING HIGH FREQUENCY AC AND HAVING INDUCTIVELY CONNECTED LOADS, AND RELATED POWER SUPPLIES AND LUMINAIRES

Номер патента: US20120001563A1. Автор: RIMMER Philip John,Sherrington Carole. Владелец: JUICE TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLY FOR LIGHT EMITTING DIODE ROADWAY LIGHTING FIXTURE

Номер патента: US20120001566A1. Автор: Josefowicz Jack Yitzhak,Neary Mark Adam,Chen Qiuning,Winters Alan Shawn. Владелец: LED ROADWAY LIGHTING LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Power Supply Circuit Capable of Handling Direct Current and Alternating Current and Power Supply Control Method

Номер патента: US20120001599A1. Автор: Tanaka Masayasu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLY SYSTEM AND POWER SUPPLY METHOD

Номер патента: US20120001601A1. Автор: Motoyama Tadahiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DROP POWER SUPPLY CIRCUIT

Номер патента: US20120001607A1. Автор: Wang Zhong Mei. Владелец: SIMATELEX MANUFACTORY CO. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLY FOR ANODIZING, ANODIZING METHOD, AND ANODIZED FILM

Номер патента: US20120000784A1. Автор: . Владелец: KOST CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PROJECTION DEVICE WITH BRIGHTNESS ADJUSTMENT FUNCTION AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002180A1. Автор: . Владелец: HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR INTEGRATED CABLE DROP COMPENSATION OF A POWER CONVERTER

Номер патента: US20120002451A1. Автор: . Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FUEL GAS SUPPLY SYSTEM FOR A POWER-CONSUMING MEMBER, AND CONTROL MEMBER USABLE FOR SUCH A SYSTEM

Номер патента: US20120003559A1. Автор: . Владелец: L'Air Liquide Societe Anonyme Pour L'Etude Et I'Exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR ON/OFF CONTROL OF A POWER CONVERTER

Номер патента: US20120002448A1. Автор: Djenguerian Alex B.,Balakrishnan Balu,Matthews David Michael Hugh,Bircan Erdem. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Guaranteed power supply device

Номер патента: RU2481688C1. Автор: Борис Николаевич Абрамович,Денис Анатольевич Устинов,Юрий Анатольевич Сычев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный университет". Дата публикации: 2013-05-10.

TIRE PRESSURE MONITORING DEVICE HAVING POWER SUPPLIED BY MAGNETIC INDUCTION

Номер патента: US20120000277A1. Автор: Fischer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.